KR20080051832A - Device for removing powder in semiconductor equipment exhaust line - Google Patents

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Abstract

An apparatus for removing a powder in an exhaust line of semiconductor equipment is provided to minimize a powder exhausted through the exhaust line and to realize an easy maintenance by employing a flow velocity control plate. An inlet(113) and an outlet(115) of an exhaust line(50) are formed at both sides of a body case. A nitrogen sprayer(120) is installed on a ceiling in the body case. Plural spray nozzles(121) for spraying nitrogen downwardly are formed on the nitrogen sprayer. A flux controller(130) supplies the nitrogen to the nitrogen sprayer. A heater line(150) is installed on a bottom surface in the body case. A filter member(170) is installed on the outlet of the body case. A flow velocity control plate(190) is installed on an inner wall of the exhaust line at the outlet to constantly control a flow velocity. A handle is formed at a side of the filter member to be easily detachable. The flow velocity control plate is inclined by a predetermined angle. A through hole is formed at an end of a lower portion of the inclined surface of the flow velocity control plate.

Description

반도체공정장비 배기라인의 파우더 제거장치{Device for removing powder in semiconductor equipment exhaust line}Device for removing powder in semiconductor equipment exhaust line

도 1은 종래의 파우더제거장치를 보여주는 구성도,1 is a block diagram showing a conventional powder removal apparatus,

도 2는 본 발명에 따른 반도체공정장비 배기라인의 파우더 제거장치를 보여주는 내부구성도,2 is an internal configuration showing a powder removing apparatus of the exhaust line of the semiconductor processing equipment according to the present invention,

도 3은 본 발명에 따른 필터부재의 일실시예를 보여주는 사시도,3 is a perspective view showing one embodiment of a filter member according to the present invention;

도 4는 도 2의 'A'부분 상세도,4 is a detailed view 'A' part of FIG.

도 5는 도 4의 B-B선 단면도,5 is a cross-sectional view taken along the line B-B of FIG.

도 6은 본 발명에 따른 유속조절판의 또 다른 실시예를 보여주는 구성도,Figure 6 is a schematic view showing another embodiment of the flow rate control plate according to the present invention,

도 7은 도 6의 C-C선 단면도,7 is a cross-sectional view taken along the line C-C of FIG.

도 8은 본 발명에 따른 반도체공정장비 배기라인의 파우더 제거장치의 동작상태도이다.8 is an operational state diagram of the powder removing apparatus of the exhaust line of the semiconductor processing equipment according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

50 : 배기라인 100 : 파우더 제거장치50: exhaust line 100: powder removing device

110 : 몸체프레임 113 : 유입구110: body frame 113: inlet

115 : 배출구 120 : 질소분사기115: outlet 120: nitrogen injector

121 : 분사노즐 130 : 유량제어기121: injection nozzle 130: flow controller

150 : 히터라인 170 : 필터부재150: heater line 170: filter member

190 : 유속조절판 200 : 파워서플라이190: flow rate control plate 200: power supply

본 발명은 반도체공정장비 배기 라인의 파우더 제거 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자를 제조하는 공정장비의 배기라인을 통하여 배출되는 파우더를 최소화시킬 수 있고, 파우더제거장치를 간단하게 구성하여 유지보수가 용이하도록 한 반도체공정장비 배기라인의 파우더 제거장치에 관한 것이다.The present invention relates to a powder removing device of the exhaust line of the semiconductor process equipment, and more particularly, to minimize the powder discharged through the exhaust line of the process equipment for manufacturing a semiconductor device, and to simply configure and maintain the powder removal device The present invention relates to a powder removing device of an exhaust line of a semiconductor process equipment for easy maintenance.

일반적으로, 반도체 제조공정에서 웨이퍼 상에 박막을 형성하기 위해 사용되는 다양한 종류의 반응가스는 산화성분, 인화성분 및 유독성분을 보유하고 있기 때문에 사용을 마친 폐 가스를 그대로 대기중에 방출할 경우 인체에 유해할 뿐만 아니라 환경 오염을 유발시키게 된다.In general, various kinds of reaction gases used to form thin films on wafers in semiconductor manufacturing processes contain oxidizing components, flammable components, and toxic components. Not only is it harmful, it causes environmental pollution.

이에 따라, 폐 가스의 유해성분함량을 허용 농도 이하로 낮추는 정화처리과정을 거쳐서 대기중으로 배출시키기 위해 폐 가스를 배기시키는 반도체 장비의 배기라인에는 폐 가스의 유독성분을 제거하기 위한 가스스크러버가 설치된다. Accordingly, a gas scrubber is installed in the exhaust line of semiconductor equipment that exhausts waste gas to discharge it to the atmosphere through a purification process for lowering the harmful component content of the waste gas below an allowable concentration. .

이러한 가스스크러버는 가스유입관이 배기라인에 연결되어 폐 가스를 공급받은 후, 여러 가지 방식에 의해 폐 가스를 세정하게 된다.In the gas scrubber, the gas inlet pipe is connected to the exhaust line to receive the waste gas, and the waste gas is cleaned by various methods.

한편, 배기라인을 통해 가스스크러버에 공급되는 폐 가스에는 각종 반응부산 물이 파우더 형태로 함유되어 있다.Meanwhile, the waste gas supplied to the gas scrubber through the exhaust line contains various reaction by-products in powder form.

도 1은 종래의 파우더제거장치를 보여주는 구성도이다.1 is a block diagram showing a conventional powder removal apparatus.

도 1을 참조하면, 파우더제거장치(10)는 반도체 소자를 제조하는 공정장비에서 발생한 각종 반응부산물 형태의 파우더를 배출하는 배기라인(5)에 설치되어 있다.Referring to FIG. 1, the powder removing apparatus 10 is installed in an exhaust line 5 for discharging powder in the form of various reaction byproducts generated in process equipment for manufacturing a semiconductor device.

상기 파우더제거장치(10)는 측면의 클램프 포트(11)를 개방하여 필터 교체 및 클리닝(Cleaning)을 주기적으로 실시하게 된다.The powder removing device 10 periodically performs filter replacement and cleaning by opening the clamp port 11 on the side.

그러나 상기 다수개의 클램프 포트(11)를 개방하여 파우더제거장치(10)를 클리닝하는 과정이 번거롭고, 상기 파우더제거장치(10)의 내부상태는 클램프 포트(110)를 개방해야만 육안으로 확인할 수 있는 불편함이 있다.However, the process of cleaning the powder removing device 10 by opening the plurality of clamp ports 11 is cumbersome, and the internal state of the powder removing device 10 can be visually confirmed only by opening the clamp port 110. There is a ham.

또한, 상기 파우더제거장치(10)의 클리닝작업 또는 필터를 교체하는 과정에서 작업자의 실수로 클램프 포트(11)의 덮개(12)가 느슨하게 조립될 경우엔 공정장비의 알람(Alarm) 및 파티클 발생의 원인이 되는 문제가 있다.In addition, when the cover 12 of the clamp port 11 is loosely assembled by the operator during the cleaning operation or the filter replacement of the powder removing device 10, an alarm and particle generation of the process equipment may occur. There is a problem that causes it.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 반도체 소자를 제조하는 공정장비의 배기라인을 통하여 배출되는 파우더를 최소화시킬 수 있고, 파우더제거장치를 간단하게 구성하여 유지보수가 용이하도록 한 반도체공정장비 배기라인의 파우더 제거장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above-described problems, the semiconductor process can minimize the powder discharged through the exhaust line of the process equipment for manufacturing a semiconductor device, and to simplify the maintenance by configuring a powder removal device Its purpose is to provide a powder removal device for an equipment exhaust line.

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 반도체공정장비 배기라인의 파우더 제거장치는,Powder removal apparatus of the semiconductor processing equipment exhaust line of the present invention for achieving the above object,

반도체 소자를 제조하는 공정장비의 배기라인을 통하여 배출되는 파우더를 제거하기 위한 반도체공정장비 배기라인의 파우더 제거장치에 있어서, 양 측면에 배기라인의 유입구와 배출구가 형성되고, 주몸체부를 이루는 몸체케이스; 상기 몸체케이스 내부의 천정에 설치되어 하측으로 질소(N2)를 분사시키는 다수개의 분사노즐이 형성된 질소분사기; 상기 질소분사기에 질소(N2)를 공급하는 유량제어기; 상기 몸체케이스 내부의 바닥면에 설치된 히터라인; 상기 몸체케이스의 배출구에 설치된 필터부재; 및 상기 배출구 측의 배기라인 내벽에 설치되어 유속을 일정하게 조절하는 유속조절판; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the powder removing device of the semiconductor processing equipment exhaust line for removing the powder discharged through the exhaust line of the process equipment for manufacturing a semiconductor device, the body case forming the main body portion with the inlet and outlet of the exhaust line formed on both sides ; A nitrogen injector installed on the ceiling inside the body case and having a plurality of injection nozzles for injecting nitrogen (N 2 ) downward; A flow controller for supplying nitrogen (N 2 ) to the nitrogen injector; A heater line installed on a bottom surface of the body case; A filter member installed at an outlet of the body case; And a flow rate control plate installed at an inner wall of the exhaust line at the outlet side to constantly regulate the flow rate. Characterized in that it comprises a.

또한, 상기 필터부재의 일측면에는 탈부착이 용이하도록 손잡이가 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, one side of the filter member is characterized in that the handle is formed so as to be easily removable.

또한, 상기 유속조절판은 소정각도로 경사지게 형성되고 경사면 하부 끝단에는 통공이 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the flow rate control plate is formed to be inclined at a predetermined angle, characterized in that the through-hole is formed at the lower end of the inclined surface.

또한, 상기 유속조절판은 적어도 한 개 이상이 소정간격 이격되게 엇각으로 설치된 것을 특징으로 한다.In addition, the flow rate control plate is characterized in that at least one or more are installed at a staggered spaced apart from a predetermined interval.

또한, 상기 유속조절판은 적어도 1mm 이상의 얇은 판이 일측 방향으로 소정거리 이격되게 나선을 그리며 스크류 형상으로 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the flow rate control plate is characterized in that the thin plate of at least 1mm or more is formed in a screw shape in a spiral spaced apart a predetermined distance in one direction.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 반도체공정장비 배기라인의 파우더 제거장치를 보여주는 내부구성도이고, 도 3은 필터부재의 일실시예를 보여주는 사시도이며, 도 4는 도 2의 'A'부분 상세도이고, 도 5는 도 4의 B-B선 단면도이다.Figure 2 is an internal configuration showing a powder removing device of the exhaust line of the semiconductor processing equipment according to the present invention, Figure 3 is a perspective view showing an embodiment of the filter member, Figure 4 is a detailed 'A' portion of FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 4.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 파우더 제거장치(100)는 몸체케이스(110), 질소분사기(120), 유량제어기(130), 히터라인(150), 필터부재(170), 유속조절판(190)을 포함하여 구성된다.2, the powder removing device 100 according to the present invention is the body case 110, the nitrogen injector 120, the flow controller 130, the heater line 150, the filter member 170, the flow rate control plate ( 190).

상기 몸체케이스(110)는 양 측면에는 배기라인(50)과 연결되는 유입구(113)와 배출구(115)가 형성되고, 주몸체부를 이룬다.The body case 110 is formed at both sides of the inlet port 113 and the outlet port 115 is connected to the exhaust line 50, and forms the main body.

상기 질소분사기(120)는 하측으로 질소(N2)를 분사시키는 분사노즐(121) 다수개가 소정거리 이격되게 형성되어 있다. 이 경우 상기 질소분사기(120)는 몸체케이스(110) 내부의 천정에 설치되어, 상기 몸체케이스(110)의 유입구(113)를 통해 내부로 유입되는 파우더(P)를 바닥면(117)으로 불어주게 된다.The nitrogen injector 120 is formed such that a plurality of injection nozzles 121 for injecting nitrogen (N 2 ) downwardly are spaced a predetermined distance apart. In this case, the nitrogen injector 120 is installed on the ceiling inside the body case 110, and blows powder P introduced into the interior through the inlet 113 of the body case 110 to the bottom surface 117. Is given.

상기 유량제어기(130)는 상기 질소분사기(120)에 질소(N2)공급 및 유량제어를 해주는 역할을 한다.The flow controller 130 serves to supply nitrogen (N 2 ) to the nitrogen injector 120 and control the flow rate.

상기 히터라인(150)은 몸체케이스(110) 내부의 하면에 설치되고, 파워서플라이(200)로부터 전원을 공급받아 열을 발생시키게 된다. 이 경우 상기 히터라 인(150)은 질소분사기(120)에 의해 바닥면(117)으로 옮겨진 파우더(P)를 가열하여 소멸시키는 역할을 한다.The heater line 150 is installed on the lower surface of the body case 110, and receives heat from the power supply 200 to generate heat. In this case, the heater line 150 serves to dissipate by heating the powder P transferred to the bottom surface 117 by the nitrogen injector 120.

상기 필터부재(170)는 몸체케이스(110)의 배출구(115)에 설치되어, 상기 히터라인(150)에서 소멸하지 않고 배출되는 파우더(P)를 걸러주는 역할을 하게 된다.The filter member 170 is installed at the outlet 115 of the body case 110, and serves to filter the powder (P) discharged without disappearing from the heater line 150.

또한, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 필터부재(170)의 일측면에는 탈부착이 용이하도록 손잡이(171)가 형성되어 있다.In addition, as shown in Figure 3, one side of the filter member 170, the handle 171 is formed to facilitate the detachment.

또한, 상기 필터부재(170)는 직육면체 형상 이외에도 다양한 형상과 모양으로 형성되어 사용될 수 있다.In addition, the filter member 170 may be formed in various shapes and shapes in addition to the rectangular parallelepiped shape.

상기 유속조절판(190)은 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 배출구(115) 측의 배기라인(50) 내벽에 소정각도로 경사지게 설치되고, 상기 유속조절판(190)의 경사면 하부 끝단에는 통공(190a)이 형성되어 있다. The flow rate control plate 190 is installed to be inclined at a predetermined angle on the inner wall of the exhaust line 50 on the outlet port 115 side, as shown in Figure 4 and 5, the lower end of the inclined surface of the flow rate control plate 190 through 190a is formed.

이 경우 상기 유속조절판(190)은 적어도 한 개 이상 소정간격 이격되게 엇각으로 설치되어 있어, 상기 유속조절판(190)에 의해 가스 스크러버(도면에 미도시)로 공급되는 폐 가스의 유량과 유속을 일정하게 조절할 수 있게 된다.In this case, at least one flow rate control plate 190 is installed at a distance from each other at least one predetermined interval, and the flow rate and flow rate of the waste gas supplied to the gas scrubber (not shown) by the flow rate control plate 190 is fixed. Can be adjusted.

도 6은 유속조절판의 또 다른 실시 예를 보여주는 구성도이고, 도 7은 도 6의 C-C선 단면도이다.6 is a configuration diagram showing another embodiment of the flow rate control plate, Figure 7 is a cross-sectional view taken along the line C-C of FIG.

도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 유속조절판(191)은 적어도 1mm 이상의 얇은 판이 소정거리 이격되게 나선을 그리며 스크류 형상으로 형성되어 있다.6 and 7, the flow rate control plate 191 is formed in a screw shape with a spiral so that at least 1 mm or more thin plates are separated by a predetermined distance.

이 경우 상기 유속조절판(191)의 중심 수직방향으로 소정크기의 통공(191a)이 형성되어, 상기 유속조절판(191)을 통과하는 폐 가스의 유량과 유속이 일정하게 조절되게 된다.In this case, a through hole 191a of a predetermined size is formed in the vertical direction of the center of the flow rate control plate 191 so that the flow rate and the flow rate of the waste gas passing through the flow rate control plate 191 are constantly adjusted.

이상과 같은 구성의 본 발명에 따른 파우더 제거장치의 작용을 도 8을 참조하여 설명하면, 배기라인(50)을 통해 몸체프레임(110)의 유입구(113)로 유입되는 파우더(P)는 질소분사기(120)에서 일정한 압력으로 분사되는 질소(N2)에 의해 바닥면(117)으로 이동하게 되고, 상기 바닥면(117)으로 이동한 파우더(P)의 일부는 히터라인(150)에 의해 가열되어 소멸하게 된다.Referring to Figure 8 illustrates the action of the powder removing device according to the present invention having the configuration as described above, the powder (P) introduced into the inlet 113 of the body frame 110 through the exhaust line 50 is a nitrogen injector Nitrogen (N 2 ) that is injected at a constant pressure at 120 is moved to the bottom surface 117, a portion of the powder (P) moved to the bottom surface 117 is heated by the heater line 150 Will be destroyed.

상기 히터라인(150)에 의해 소멸되지 않은 파우더(P)는 몸체프레임(110)의 배출구(115)에 설치된 필터부재(170)에 의해 걸러지게 된다.The powder P which is not extinguished by the heater line 150 is filtered by the filter member 170 installed at the outlet 115 of the body frame 110.

상기 필터부재(170)에 의해 파우더(P)가 걸러진 폐 가스는 배출구(115)로 배출된 후 배기라인(50)을 통하여 다음 공정장비(가스 스크러버)로 유입된다.The waste gas from which the powder P is filtered by the filter member 170 is discharged to the discharge port 115 and then introduced to the next process equipment (gas scrubber) through the exhaust line 50.

이 경우 상기 배출구(115)의 배기라인(50) 내벽에 형성된 유속조절판(190)에 의해 폐 가스의 유량과 유속이 일정하게 조절된다.In this case, the flow rate and the flow rate of the waste gas are constantly adjusted by the flow rate control plate 190 formed on the inner wall of the exhaust line 50 of the discharge port 115.

이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않으며 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능함은 물론이다.Although the present invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the general knowledge in the technical field to which the present invention pertains falls within the scope of the technical spirit of the present invention. Of course, various changes and modifications are possible.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체공정장비 배기라인 의 파우더 제거장치는 반도체 소자를 제조하는 공정장비의 배기라인을 통하여 배출되는 파우더를 최소화시킬 수 있고, 파우더제거장치를 간단하게 구성하여 유지보수가 용이하도록 할 수 있는 장점이 있다.As described in detail above, the powder removal apparatus of the semiconductor process equipment exhaust line according to the present invention can minimize the powder discharged through the exhaust line of the process equipment for manufacturing a semiconductor device, and simply configure and maintain the powder removal apparatus. There is an advantage that can be easy to repair.

Claims (5)

반도체 소자를 제조하는 공정장비의 배기라인을 통하여 배출되는 파우더를 제거하기 위한 반도체공정장비 배기라인의 파우더 제거장치에 있어서,In the powder removal apparatus of the semiconductor processing equipment exhaust line for removing the powder discharged through the exhaust line of the process equipment for manufacturing a semiconductor device, 양 측면에 배기라인의 유입구와 배출구가 형성되고, 주몸체부를 이루는 몸체케이스;Inlet and outlet of the exhaust line is formed on both sides, the body case constituting the main body; 상기 몸체케이스 내부의 천정에 설치되어 하측으로 질소(N2)를 분사시키는 다수개의 분사노즐이 형성된 질소분사기;A nitrogen injector installed on the ceiling inside the body case and having a plurality of injection nozzles for injecting nitrogen (N 2 ) downward; 상기 질소분사기에 질소(N2)를 공급하는 유량제어기;A flow controller for supplying nitrogen (N 2 ) to the nitrogen injector; 상기 몸체케이스 내부의 바닥면에 설치된 히터라인;A heater line installed on a bottom surface of the body case; 상기 몸체케이스의 배출구에 설치된 필터부재; 및A filter member installed at an outlet of the body case; And 상기 배출구 측의 배기라인 내벽에 설치되어 유속을 일정하게 조절하는 유속조절판;A flow rate control plate installed at an inner wall of the exhaust line on the outlet side to constantly adjust the flow rate; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체공정장비 배기라인의 파우더 제거장치.Powder removal apparatus of the semiconductor processing equipment exhaust line comprising a. 제 1항에 있어서, 상기 필터부재의 일측면에는 탈부착이 용이하도록 손잡이가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체공정장비 배기라인의 파우더 제거장치.The powder removing apparatus of claim 1, wherein a handle is formed on one side of the filter member so as to be easily attached and detached. 제 1항에 있어서, 상기 유속조절판은 소정각도로 경사지게 형성되고 경사면 하부 끝단에는 통공이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체공정장비 배기라인의 파우더 제거장치.The apparatus of claim 1, wherein the flow rate control plate is formed to be inclined at a predetermined angle, and a through hole is formed at a lower end of the inclined surface. 제 3항에 있어서, 상기 유속조절판은 적어도 한 개 이상이 소정간격 이격되게 엇각으로 설치된 것을 특징으로 하는 반도체공정장비 배기라인의 파우더 제거장치.4. The apparatus of claim 3, wherein at least one of the flow rate control plates is installed at an angle to be spaced apart from each other by a predetermined interval. 제 1항에 있어서, 상기 유속조절판은 적어도 1mm 이상의 얇은 판이 일측 방향으로 소정거리 이격되게 나선을 그리며 스크류 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체공정장비 배기라인의 파우더 제거장치.The powder removal apparatus of claim 1, wherein the flow rate control plate is formed in a screw shape in which a thin plate of at least 1 mm or more is spirally spaced apart in a direction by one side.
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