KR20080050033A - Display apparatus and method of manufacturing the same - Google Patents

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KR20080050033A
KR20080050033A KR1020060120771A KR20060120771A KR20080050033A KR 20080050033 A KR20080050033 A KR 20080050033A KR 1020060120771 A KR1020060120771 A KR 1020060120771A KR 20060120771 A KR20060120771 A KR 20060120771A KR 20080050033 A KR20080050033 A KR 20080050033A
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김희준
양병덕
박민욱
박정은
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삼성전자주식회사
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Abstract

A display device and a manufacturing method thereof are provided to enable a barrier to prevent impurities, present between first and second substrates, from moving between neighboring pixel areas, thereby preventing afterimages in the display device. In a first substrate(100), pixel areas(PA) are formed. A second substrate(200) faces the first substrate to be coupled with the first substrate. A spacer(S) is interposed between the first and second substrates, and spaces the first substrate from the second substrate. A barrier(B) is made from the same material as the spacer, and installed between the pixel areas. The barrier prevents impurities from moving between the pixel areas.

Description

표시 장치 및 이의 제조 방법{DISPLAY APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}DISPLAY APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}

도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 작동 원리를 설명하는 도면들이다.1A-1C are diagrams illustrating the principle of operation of the present invention.

도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치을 나타낸 평면도이다.2A is a plan view illustrating a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2b는 도 2a에 도시된 절단선 Ⅰ-Ⅰ′에 따라 절단하여 나타낸 단면도이다.FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the cutting line II ′ of FIG. 2A.

도 3a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 평면도이다.3A is a plan view illustrating a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 3b는 도 3a에 도시된 절단선 Ⅱ-Ⅱ′에 따라 절단하여 나타낸 단면도이다.3B is a cross-sectional view taken along the line II-II ′ of FIG. 3A.

도 4a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 평면도이다.4A is a plan view illustrating a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 4b는 도 4a에 도시된 절단선 Ⅲ-Ⅲ′에 따라 절단하여 나타낸 단면도이다.4B is a cross-sectional view taken along the cutting line III-III ′ of FIG. 4A.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 스페이서 및 베리어를 제조하는 과정을 설명하기 위한 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a process of manufacturing a spacer and a barrier according to an embodiment of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

100, 300 -- 어레이 기판 200, 400 -- 컬러필터 기판100, 300-array board 200, 400-color filter board

170, 370 -- 화소 전극 331 -- 제1 컬러필터층170, 370-Pixel electrode 331-First color filter layer

332 -- 제2 컬러필터층 B -- 베리어332-Second Color Filter Layer B-Barrier

DL -- 데이터 라인 GL -- 게이트 라인DL-data line GL-gate line

PA -- 화소 영역 S -- 스페이서PA-Pixel Area S-Spacer

T1, T2 -- 제1, 제2 박막 트랜지스터T1, T2-first and second thin film transistors

본 발명은 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 표시 품질을 개선할 수 있는 표시 장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a display device and a method for manufacturing the same that can improve the display quality.

영상을 표시하는 표시장치에 있어서 최근 가장 이슈가 되고 있는 불량은 잔상이다. 잔상은 현재 표시되는 영상에 이전의 영상이 남아있는 것으로, 그 형태가 2차원적인지 또는 1차원적인지에 따라 면잔상 또는 선잔상 등이 있다. In the display device for displaying an image, the most recent problem is afterimage. An afterimage is a residual image or an afterimage, depending on whether the previous image remains in the currently displayed image.

이러한 잔상은 TV나 컴퓨터 및 노트북 등 대부분의 표시 장치에서 뿐만 아니라 동일한 화면을 지속적으로 디스플레이하는 PID (Public Information Display; '광고용 액정표시장치')계열의 액정표시장치에서 발생되고 있다. Such afterimages are generated not only in most display devices such as TVs, computers, and laptops, but also in liquid crystal display devices of a PID (Public Information Display) system that continuously display the same screen.

잔상은 여러 가지 원인에 의해 발생되지만, 특히, 표시 장치 내부에 존재하는 불순물에 의해서 발생되는 것으로 알려져 있다. 일반적으로 표시 장치에는 일정 간격 이격되어 서로 마주보는 두 개의 기판이 구비되고, 상기 두 개의 기판의 상호 작용으로 영상이 표시된다. 상기 두 개의 기판 사이에는 일정한 공간이 형성되는 데, 상기 기판 사이 공간에 불순물이 존재하는 경우 상기 불순물의 영향으로 선잔상이나 면잔상이 유발된다. 특히, 선잔상은 서로 다른 그레이로 구동되는 패턴들의 경계면에 불순물이 이동하여 축적됨으로 인해서 발생된다.Although the afterimage is caused by various causes, in particular, it is known to be caused by impurities present in the display device. In general, the display device includes two substrates spaced apart at regular intervals to face each other, and an image is displayed by the interaction of the two substrates. A constant space is formed between the two substrates. When impurities exist in the spaces between the substrates, line or surface afterimages are caused by the impurities. In particular, the residual afterimage is caused by impurities moving and accumulating on the interface of patterns driven in different grays.

따라서, 표시 장치 내의 불순물이 이동하여 패턴의 경계면에 축적되는 것을 방지하여 표시 장치의 표시품질을 개선하기 위한 방안이 필요하다. Accordingly, there is a need for a method for improving display quality of a display device by preventing impurities in the display device from moving and accumulating on the interface of the pattern.

따라서, 본 발명의 목적은 표시 장치 내의 불순물이 이동하는 것을 방지하여 표시 장치의 표시 품질을 향상시킬 수 있는 표시 장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a display device which can improve the display quality of a display device by preventing impurities from moving in the display device.

또한 본 발명은 상기한 표시 장치를 제조하는 방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing the display device.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시 장치는 제1 기판, 제2 기판, 스페이서 및 베리어를 포함한다.A display device according to the present invention for achieving the above object includes a first substrate, a second substrate, a spacer and a barrier.

상기 제1 기판에는 화소 영역들이 형성되고, 제2 기판은 상기 제1 기판과 대향하여 결합한다. 상기 스페이서는 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 개재되어 상기 제1 기판 및 제2 기판을 이격시킨다. 상기 베리어는 상기 스페이서와 동일한 물질로 형성되고, 상기 화소 영역들 사이에 구비되어 상기 화소 영역들 사이로 불순물이 이동하는 것을 차단한다. 상기 베리어는 상기 제1 기판 및 제2 기판 중 어느 하나의 기판상에 형성되고, 다른 하나의 기판과 이격된다. Pixel regions are formed in the first substrate, and the second substrate is coupled to face the first substrate. The spacer is interposed between the first substrate and the second substrate to space the first substrate and the second substrate. The barrier is formed of the same material as the spacer and is provided between the pixel areas to block impurities from moving between the pixel areas. The barrier is formed on one of the first substrate and the second substrate and spaced apart from the other substrate.

상기 제1 기판은 상기 화소 영역들 각각에 인접하여 구비되고 일 방향으로 연장된 게이트 라인들, 상기 게이트 라인들과 상호 절연되게 교차하는 데이터 라인 들, 및 상기 화소 영역들에 대응하여 형성된 화소 전극들을 더 포함한다. 상기 제2 기판은 상기 화소 전극들에 대응하여 형성된 제1 컬러필터층, 및 상기 스페이서와 상기 제2 기판 사이에 형성된 제2 컬러필터층을 포함한다.The first substrate may include gate lines disposed adjacent to each of the pixel regions and extending in one direction, data lines crossing the gate lines to be insulated from each other, and pixel electrodes formed to correspond to the pixel regions. It includes more. The second substrate includes a first color filter layer formed corresponding to the pixel electrodes, and a second color filter layer formed between the spacer and the second substrate.

구체적으로, 상기 베리어는 상기 화소 전극들 간의 경계를 따라 형성된 폐루프 형상을 갖는다. 또는, 상기 베리어는 상기 화소 전극들 간의 경계를 따라 형성되고, 일부분이 제거된 개구부를 가질 수 있다. 또한, 상기 베리어는 상기 화소 영역들 경계를 따라 형성되고 서로 이격된 돌기들을 포함하고, 상기 이격된 돌기들은 서로 엇갈려서 배치된다. Specifically, the barrier has a closed loop shape formed along a boundary between the pixel electrodes. Alternatively, the barrier may have an opening formed along a boundary between the pixel electrodes and a portion of which is removed. The barrier may include protrusions formed along a boundary of the pixel regions and spaced apart from each other, and the spaced protrusions are alternately disposed.

본 발명에 따른 표시 장치를 제조하는 방법은 다음과 같다. 화소 영역들이 구비된 제1 기판을 형성하고, 제1 기판과 대향하여 결합하는 제2 기판을 형성한다. 상기 제1 기판 및 제2 기판 중 어느 하나의 기판상에 상기 제1 기판 및 제2 기판을 이격시키는 스페이서를 형성한다. 상기 스페이서와 동일한 물질로 이루어지고 상기 화소 영역들 사이에 구비되어 상기 화소 영역들 사이로 불순물이 이동하는 것을 차단하는 베리어를 형성한다. 상기 베리어는 상기 제1 기판 및 제2 기판 중 어느 하나의 기판상에 형성되고, 다른 하나의 기판과 이격되게 형성된다. A method of manufacturing a display device according to the present invention is as follows. A first substrate having pixel regions is formed, and a second substrate is formed to be opposed to the first substrate. A spacer spaced apart from the first substrate and the second substrate is formed on one of the first substrate and the second substrate. A barrier is formed of the same material as the spacer and provided between the pixel regions to block impurities from moving between the pixel regions. The barrier is formed on one of the first substrate and the second substrate, and is formed spaced apart from the other substrate.

이러한, 표시 장치 및 이의 제조 방법에 의하면, 제1 기판 및 제2 기판 사이의 불순물이 화소 영역들 사이로 이동하는 것을 차단하여 상기 불순물의 이동 및 축적에 의해 유발되는 잔상을 방지할 수 있다.According to such a display device and a method of manufacturing the same, it is possible to prevent impurities between the first substrate and the second substrate from moving between pixel regions to prevent afterimages caused by the movement and accumulation of the impurities.

이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상보다 상세히 살펴보기로 한다. 다만, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다 양한 형태로 응용되어 변형될 수도 있다. 오히려 아래의 실시예들은 본 발명에 의해 개시된 기술 사상을 보다 명확히 하고 나아가 본 발명이 속하는 분야에서 평균적인 지식을 가진 당업자에게 본 발명의 기술 사상이 충분히 전달될 수 있도록 제공되는 것이다. 따라서 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안 될 것이다. 또한, 하기 실시예와 함께 제시된 도면들에 있어서, 각 영역들의 크기는 명확한 설명을 강조하기 위해서 간략화되거나 다소 과장된 것이며, 도면상에 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be applied and modified in various forms. Rather, the following embodiments are provided to clarify the technical spirit disclosed by the present invention, and furthermore, to fully convey the technical spirit of the present invention to those skilled in the art having an average knowledge in the field to which the present invention belongs. Therefore, the scope of the present invention should not be construed as limited by the embodiments described below. In addition, in the drawings presented in conjunction with the following examples, the sizes of the respective areas are simplified or somewhat exaggerated in order to emphasize clear explanations, and like reference numerals in the drawings denote like elements.

도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 작동 원리를 설명하는 도면들이다.1A-1C are diagrams illustrating the principle of operation of the present invention.

도 1a는 표시장치, 예컨대 액정을 사용하는 액정표시장치의 화면에 표시된 소정의 영상을 도시하고 있다. 도 1a를 참조하면, 화면은 장방형의 화소들이 매트릭스 형태로 구성되어 있고 중심부의 화소들에 의해 일정한 패턴(P)을 갖는 영상이 표시된다. 상기 패턴(P)이 장시간 표시되는 경우, 패턴(P)의 경계 부분에 선잔상이 발생한다. FIG. 1A illustrates a predetermined image displayed on a screen of a display device, for example, a liquid crystal display using liquid crystal. Referring to FIG. 1A, an image having a predetermined pattern P is displayed by pixels of a rectangular pixel in the form of a matrix. When the pattern P is displayed for a long time, line afterimage occurs on the boundary portion of the pattern P. FIG.

도 1b는 위와 같은 선잔상의 발생 원인을 도시하고 있다. 도 1b를 참조하면, 액정표시장치는 두 개의 기판(1,4)이 구비된다. 상기 두 개의 기판(1,4)은, 편의상 상부기판(4)과 하부기판(1)으로 구분된다. 상부기판(4)과 하부기판(1)에는 각각 전압이 인가되는 상부전극(3)과 하부전극(2)이 구비된다. 상부전극(3)과 하부전극(2)에 전압이 인가되면, 인가된 전압의 차이로 상부기판(4)과 하부기판(1) 사이에는 전계가 인가된다. 1B illustrates the cause of the above-mentioned afterimage. Referring to FIG. 1B, the liquid crystal display includes two substrates 1 and 4. The two substrates 1 and 4 are divided into an upper substrate 4 and a lower substrate 1 for convenience. The upper substrate 4 and the lower substrate 1 are provided with an upper electrode 3 and a lower electrode 2 to which a voltage is applied, respectively. When a voltage is applied to the upper electrode 3 and the lower electrode 2, an electric field is applied between the upper substrate 4 and the lower substrate 1 due to the difference in the applied voltage.

상부기판(3)과 하부기판(2) 사이에는 액정(LC)이 배열된다. 상기 전계는 상 부기판(4)과 하부기판(1) 사이에 수직한 방향으로 작용하며, 액정(LC)은 유전율 이방성을 갖고 상기 전계에 의해 일정 방향(D)으로 경사지게 배열된다. The liquid crystal LC is arranged between the upper substrate 3 and the lower substrate 2. The electric field acts in a direction perpendicular to the upper substrate 4 and the lower substrate 1, and the liquid crystal LC has dielectric anisotropy and is inclined in a predetermined direction D by the electric field.

상부기판(4)과 하부기판(1) 사이에는 극성을 갖는 불순물(5,6)이 존재하며, 상기 불순물(5,6)은 액정(LC)이 경사지는 방향으로 힘을 받아 이동한다. 상기 액정(LC)이 경사지는 방향(D)은 서로 수직인 제1 방향(D1)과 제2 방향(D2)으로 구분되며, 이 중 제1 방향(D1)으로 힘을 받으면 화소의 경계(점선 표시)를 통과하게 된다. 이때 정극성의 불순물(5)과 부극성의 불순물(6)은 서로 반대 방향으로 이동하며, 동일한 극성의 불순물(5,6)이 패턴(P)의 경계와 같은 소정 영역에서 축적되면서 선잔상이 발생된다. Impurities 5 and 6 having polarity exist between the upper substrate 4 and the lower substrate 1, and the impurities 5 and 6 are moved by a force in a direction in which the liquid crystal LC is inclined. The direction D in which the liquid crystal LC is inclined is divided into a first direction D1 and a second direction D2 that are perpendicular to each other, and when a force is applied in the first direction D1, a boundary (dotted line) of the pixel is applied. Mark). At this time, the positive impurity 5 and the negative impurity 6 move in opposite directions, and an afterimage occurs as impurities 5 and 6 of the same polarity accumulate in a predetermined region such as the boundary of the pattern P. do.

도 1c는 선잔상의 발생을 방지하는 원리를 도시하고 있다. 도 1c를 참조하면, 상부기판(4)과 하부기판(1) 사이의 화소의 경계에 벽(7)이 형성된다. 상기 벽(7)은 불순물(5,6)의 이동을 물리적으로 차단한다. 또한 화소의 경계에서 전계의 크기를 줄여서 불순물(5,6)에 작용하는 힘을 감소시키며, 불순물(5,6)은 화소의 경계를 통과하지 못하게 되어 선잔상이 방지된다.Fig. 1C shows the principle of preventing the generation of afterimages. Referring to FIG. 1C, a wall 7 is formed at the boundary of the pixel between the upper substrate 4 and the lower substrate 1. The wall 7 physically blocks the movement of the impurities 5, 6. In addition, by reducing the magnitude of the electric field at the boundary of the pixel, the force acting on the impurities 5 and 6 is reduced, and the impurities 5 and 6 do not pass through the boundary of the pixel to prevent afterimages.

도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 평면도이고, 도 2b는 도 2a에 도시된 절단선 Ⅰ-Ⅰ′에 따라 절단하여 나타낸 단면도이다.FIG. 2A is a plan view showing a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the cutting line I-I ′ of FIG. 2A.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명에 따른 액정표시장치(710)는 어레이 기판(100), 컬러필터 기판(200), 스페이서(S) 및 베리어(B)를 포함한다. 상기 액정표시장치(710)는 상기 어레이 기판(100) 및 상기 컬러필터 기판(200) 사이에 개재되어 광의 투과율을 조절하는 액정층(50)을 더 포함한다.2A and 2B, the liquid crystal display 710 according to the present invention includes an array substrate 100, a color filter substrate 200, a spacer S, and a barrier B. The liquid crystal display 710 further includes a liquid crystal layer 50 interposed between the array substrate 100 and the color filter substrate 200 to control light transmittance.

상기 어레이 기판(100)은 제1 베이스 기판(110), 상기 제1 베이스 기판(110)상에 형성된 화소 영역들(PA)을 포함한다. 본 발명의 도면에는 상기 화소 영역들(PA)을 모두 도시하지 않고, 두 개의 화소 영역(PA)만을 도시한다. 다만, 상기 화소 영역들(PA)은 동일한 구조를 가진다. The array substrate 100 includes a first base substrate 110 and pixel regions PA formed on the first base substrate 110. In the drawing of the present invention, not all the pixel areas PA are shown, only two pixel areas PA are shown. However, the pixel areas PA have the same structure.

상기 어레이 기판(100)은 제1 베이스 기판(110)상에 형성되고 상호 절연되게 교차하면서 상기 화소 영역들(PA)을 정의하는 게이트 라인(GL)들 및 데이터 라인들(DL)을 더 포함한다. 상기 게이트 라인들(GL)은 제1 방향(D1)으로 연장되고 상기 데이터 라인들(DL)은 상기 제1 방향(D1)과 직교하는 제2 방향(D2)으로 연장된다.The array substrate 100 further includes gate lines GL and data lines DL, which are formed on the first base substrate 110 and cross each other insulated from each other, and define the pixel regions PA. . The gate lines GL extend in a first direction D1 and the data lines DL extend in a second direction D2 orthogonal to the first direction D1.

또한, 상기 어레이 기판(100)은 상기 화소 영역들(PA)의 일측에 구비된 박막 트랜지스터들(T) 및 상기 화소 영역들(PA)에 대응하여 형성된 화소 전극들(170)을 더 포함한다. 상기 박막 트랜지스터들(T)은 상기 화소 전극들(170)과 전기적으로 연결되어서 상기 화소 전극들(170)에 제공되는 픽셀전압을 인가한다.  In addition, the array substrate 100 further includes thin film transistors T disposed on one side of the pixel areas PA and pixel electrodes 170 formed corresponding to the pixel areas PA. The thin film transistors T are electrically connected to the pixel electrodes 170 to apply pixel voltages provided to the pixel electrodes 170.

상기 박막 트랜지스터들(T)은 상기 게이트 라인들(DL)로부터 분기된 게이트 전극들(121), 상기 게이트 전극들(121) 상부에 형성된 반도체 패턴들(140), 상기 데이터 라인들(DL)로부터 분기되어 상기 반도체 패턴들(140) 상에 형성된 소오스 전극들(151) 및 상기 소오스 전극들(151)과 이격된 드레인 전극들(152)을 포함한다. 상기 게이트 전극들(121)과 상기 반도체 패턴들(140)의 사이에는 게이트 절연막(131)이 구비된다. 상기 반도체 패턴들(140)은 일체로 된 액티브 패턴들(141)과 상호 분리된 오믹콘택 패턴들(142)의 이중층으로 이루어진다. The thin film transistors T may include gate electrodes 121 branched from the gate lines DL, semiconductor patterns 140 formed on the gate electrodes 121, and data lines DL. Source electrodes 151 branched and formed on the semiconductor patterns 140 and drain electrodes 152 spaced apart from the source electrodes 151 are included. A gate insulating layer 131 is provided between the gate electrodes 121 and the semiconductor patterns 140. The semiconductor patterns 140 may be formed of a double layer of ohmic contact patterns 142 separated from the active patterns 141.

상기 제1 베이스 기판(110) 전면에는 상기 박막 트랜지스터들(T), 상기 데이 터 라인들(DL)을 커버하는 보호막(161) 및 상기 보호막(161) 상부에 형성된 유기 절연막(162)이 더 구비된다. 상기 보호막(161) 및 상기 유기 절연막(162)에는 상기 드레인 전극들(152)을 노출시키기 위한 콘택홀들(CH)이 형성된다. 상기 화소 전극들(170)은 상기 화소 영역들(PA)에 대응하여 상기 유기 절연막(162)의 상부에 형성되고, 상기 콘택홀들(CH)을 통해 상기 드레인 전극들(152)과 전기적으로 각각 연결된다. The first base substrate 110 may further include a passivation layer 161 covering the thin film transistors T, the data lines DL, and an organic insulating layer 162 formed on the passivation layer 161. do. Contact holes CH are formed in the passivation layer 161 and the organic insulating layer 162 to expose the drain electrodes 152. The pixel electrodes 170 are formed on the organic insulating layer 162 to correspond to the pixel areas PA, and are electrically connected to the drain electrodes 152 through the contact holes CH. Connected.

상기 어레이 기판(100)은 제1 스토리지 전극(SE1), 제2 스토리지 전극(SE1) 및 스토리지 라인(SL) 더 포함한다. 상기 제1 스토리지 전극(SE1)은 상기 게이트 라인들(GL)과 이격되어 상기 화소 영역들(PA) 내에 각각 구비되고, 상기 제2 스토리지 전극(SE2)은 상기 드레인 전극들(152)로부터 연장되고, 상기 제1 스토리지 전극(SE1)과 대향하여 구비된다. 상기 제1 스토리지 전극(SE1), 상기 게이트 절연막(131) 및 상기 제2 스토리지 전극(SE2)에 의해서 스토리지 커패시터(Cst)가 형성된다. 상기 스토리지 라인(SL)은 상기 제1 스토리지 전극(SE1)과 전기적으로 연결되어 게이트 구동부(미도시)로부터 제공되는 전기적 신호를 상기 제1 스토리지 전극(SE1)으로 전송한다. 또한, 상기 제2 스토리지 전극(SE2)이 형성된 영역에서 상기 유기 절연막(162)이 제거되어 상기 보호막(161)이 노출된다.The array substrate 100 further includes a first storage electrode SE1, a second storage electrode SE1, and a storage line SL. The first storage electrode SE1 is spaced apart from the gate lines GL and provided in the pixel areas PA, respectively, and the second storage electrode SE2 extends from the drain electrodes 152. The first storage electrode SE1 is disposed to face the first storage electrode SE1. The storage capacitor Cst is formed by the first storage electrode SE1, the gate insulating layer 131, and the second storage electrode SE2. The storage line SL is electrically connected to the first storage electrode SE1 to transmit an electrical signal provided from a gate driver (not shown) to the first storage electrode SE1. In addition, the organic insulating layer 162 is removed in the region where the second storage electrode SE2 is formed to expose the passivation layer 161.

상기 컬러필터 기판(200)은 상기 어레이 기판(100)과 대향하여 결합하고, 제2 베이스 기판(210), 블랙 매트릭스(220), 컬러필터층(230) 및 공통 전극(240)을 포함한다.The color filter substrate 200 is coupled to face the array substrate 100, and includes a second base substrate 210, a black matrix 220, a color filter layer 230, and a common electrode 240.

상기 제2 베이스 기판(210)은 광을 투과시키는 투명한 재질로 이루어진 기 판이다. 상기 제2 베이스 기판(210)은 상기 제1 베이스 기판(110)과 마주보고, 상기 제2 베이스 기판(210)의 상면에는 상기 블랙 매트릭스(220), 상기 컬러필터층(230) 및 상기 공통 전극(240)이 형성된다. The second base substrate 210 is a substrate made of a transparent material that transmits light. The second base substrate 210 faces the first base substrate 110, and the black matrix 220, the color filter layer 230, and the common electrode are formed on an upper surface of the second base substrate 210. 240 is formed.

상기 블랙 매트릭스(220)는 상기 어레이 기판(100)의 비유효 표시영역에 대응하여 상기 제2 베이스 기판상(210)에 형성될 수 있다. 즉, 상기 어레이 기판(100)은 영상이 표시되는 유효 표시영역과 영상이 표시되지 않는 비유효 표시영역으로 구분된다. 상기 비유효 표시영역은 상기 게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 및 상기 박막 트랜지스터들(T)이 형성된 영역으로, 광이 투과되지 못하여 실질적으로 영상이 표시되지 않는 영역이다. 상기 블랙 매트릭스(220)는 상기 비유효 표시영역에 형성되어 상기 화소 영역들(PA)의 주변부로부터 누설되는 광을 차단한다.The black matrix 220 may be formed on the second base substrate 210 to correspond to the ineffective display area of the array substrate 100. That is, the array substrate 100 is divided into an effective display area where an image is displayed and an invalid display area where an image is not displayed. The ineffective display area is an area in which the gate lines GL, the data lines DL, and the thin film transistors T are formed. In this case, the image is not substantially displayed because light is not transmitted. The black matrix 220 is formed in the ineffective display area to block light leaking from the peripheral portions of the pixel areas PA.

상기 컬러필터층(230)은 상기 화소 전극들(170)와 마주보도록 상기 제2 베이스 기판(210)상에 형성된다. 상기 컬러필터층(230)은 빛의 삼원색에 해당하는 레드, 그린 및 블루 색화소 중 어느 하나로 이루어지며, 상기 삼색의 조합으로 컬러 영상을 표시한다. 상기 레드, 그린, 블루 색화소 각각은 상기 화소 영역들(PA)에 일대응 대응으로 형성된다. 상기 공통 전극(240)은 상기 블랙 매트릭스(220) 및 상기 컬러필터층(230)의 상부에 구비되고, 상기 액정층(50)을 사이에 두고 상기 화소 전극들(170)과 마주한다. The color filter layer 230 is formed on the second base substrate 210 to face the pixel electrodes 170. The color filter layer 230 is formed of any one of red, green, and blue color pixels corresponding to three primary colors of light, and displays a color image by the combination of the three colors. Each of the red, green, and blue color pixels is formed to correspond to the pixel areas PA. The common electrode 240 is disposed on the black matrix 220 and the color filter layer 230 and faces the pixel electrodes 170 with the liquid crystal layer 50 therebetween.

한편, 상기 액정층(50)은 상기 어레이 기판(100)과 상기 컬러필터기판(200)과의 사이에 개재되고, 다수의 액정 분자로 이루어진다. 상기 액정표시장치(710)의 동작시 상기 게이트 라인들(GL)을 따라 게이트 온 신호가 인가되어 상기 박막 트랜지스터들(T)이 턴 온되고, 상기 데이터 라인들(DL)을 따라 데이터 신호가 인가되어 상기 화소 전극들(170)에 픽셀전압이 인가된다. 또한 공통 전극(240)에 공통 전압이 인가되어 상기 어레이 기판(100)과 상기 컬러필터 기판(200) 사이에는 상기 공통 전압과 픽셀전압의 차이에 따른 전계가 형성된다. 상기 전계가 상기 액정 분자에 작용하고, 상기 액정 분자의 배열방향이 변한다. 상기 액정 분자의 배열방향에 따라 외부로부터 제공되는 광의 투과율이 조절되고, 상기 광의 투과율에 대응하는 영상이 상기 표시 영역에 표시된다. On the other hand, the liquid crystal layer 50 is interposed between the array substrate 100 and the color filter substrate 200, and consists of a plurality of liquid crystal molecules. When the liquid crystal display 710 is operated, a gate-on signal is applied along the gate lines GL to turn on the thin film transistors T, and a data signal is applied along the data lines DL. The pixel voltage is applied to the pixel electrodes 170. In addition, a common voltage is applied to the common electrode 240 to form an electric field according to the difference between the common voltage and the pixel voltage between the array substrate 100 and the color filter substrate 200. The electric field acts on the liquid crystal molecules, and the arrangement direction of the liquid crystal molecules changes. The transmittance of light provided from the outside is adjusted according to the alignment direction of the liquid crystal molecules, and an image corresponding to the transmittance of the light is displayed on the display area.

상기 스페이서(S)는 상기 어레이 기판(100) 및 컬러필터 기판(200) 사이에 개재되어 상기 어레이 기판(100) 및 컬러필터 기판(200)을 이격시킨다. 상기 스페이서(S)는 상기 화소 영역들(PA)의 개구율을 감소시키지 않도록 상기 제1 스토리지 전극(SE1)이 형성된 영역 또는 상기 비유효 표시영역에 대응하여 상기 어레이 기판(100) 및 컬러필터 기판(200) 사이에 구비된다. 또한, 상기 스페이서(S)는 상기 어레이 기판(100) 및 컬러필터 기판(200) 중 어느 하나의 기판상에 형성된다. 본 실시예에서 상기 스페이서(S)는 상기 제1 스토리지 전극(SE1)이 형성된 영역에 대응하여 상기 컬러필터 기판(200) 상에 형성된 예가 설명된다.The spacer S is interposed between the array substrate 100 and the color filter substrate 200 to space the array substrate 100 and the color filter substrate 200. The spacer S may correspond to the array substrate 100 and the color filter substrate corresponding to an area in which the first storage electrode SE1 is formed or an invalid display area so as not to reduce the aperture ratio of the pixel areas PA. Between 200). In addition, the spacer S is formed on any one of the array substrate 100 and the color filter substrate 200. In the present embodiment, an example in which the spacer S is formed on the color filter substrate 200 corresponding to a region where the first storage electrode SE1 is formed is described.

상기 베리어(B)는 상기 화소 영역들(PA) 사이에 구비되어 상기 화소 영역들(PA) 사이로 불순물이 이동하는 것을 차단한다. 상기 베리어(B)는 상기 어레이 기판(100) 및 상기 컬러필터 기판(200) 중 어느 하나의 기판상에 형성된다. 상기 스페이서(S)와 동일한 물질로 형성되고, 상기 스페이서(S)와 동일한 공정으로 동시 에 형성될 수 있다. 일예로, 상기 스페이서(S)가 컬럼 스페이서인 경우, 포토레지스트를 이용하여 상기 스페이서(S) 및 상기 베리어(B)를 형성할 수 있다. 본 발명의 실시예에서 상기 베리어(B)는 상기 스페이서(S)와 마찬가지로 상기 컬러필터 기판(200)상에 형성된 예가 설명된다. The barrier B is provided between the pixel areas PA to prevent impurities from moving between the pixel areas PA. The barrier B is formed on any one of the array substrate 100 and the color filter substrate 200. It may be formed of the same material as the spacer (S), and may be formed simultaneously in the same process as the spacer (S). For example, when the spacer S is a column spacer, the spacer S and the barrier B may be formed using a photoresist. In the exemplary embodiment of the present invention, an example in which the barrier B is formed on the color filter substrate 200 similarly to the spacer S is described.

상기 베리어(B)는 상기 화소 전극들(170)의 경계를 따라 형성된 폐루프 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 베리어(B)는 상기 화소 전극들(170)의 경계를 따라 형성되고, 일부분이 제거된 개구부를 가질 수 있다. 본 실시예에서, 상기 베리어(B)는 상기 화소 영역들(PA)의 개구율을 감소시키지 않도록, 상기 게이트 라인들(GL) 및 상기 데이터 라인들(DL)이 형성된 영역에 대응하여 구비된 예가 설명된다. 상기 베리어(B)는 상기 게이트 라인들(GL)에 평행하게 배치된 제1 베리어(B1) 및 상기 제1 베리어(B)와 이격되고, 상기 데이터 라인들(DL)에 평행하게 배치된 제2 베리어(B2)를 포함한다. The barrier B may have a closed loop shape formed along a boundary of the pixel electrodes 170. In addition, the barrier B may be formed along a boundary of the pixel electrodes 170 and may have an opening in which a portion thereof is removed. In the present exemplary embodiment, an example in which the barrier B is provided corresponding to an area where the gate lines GL and the data lines DL are formed so as not to reduce the aperture ratio of the pixel areas PA is described. do. The barrier B is spaced apart from the first barrier B1 and the first barrier B disposed in parallel to the gate lines GL, and the second barrier B is disposed in parallel to the data lines DL. Barrier B2 is included.

상기 어레이 기판(100)과 상기 컬러필터 기판(200) 사이에 존재하는 불순물 일예로, 상기 액정의 이온 불순물은 상기 전계에 의해 이동된다. 상기 불순물은 상기 화소 영역들(PA)의 경계에 형성된 베리어(B)에 의해 이동이 제한되어 인접하는 상기 화소 영역(PA)으로 이동되지 못한다. 따라서 상기 불순물의 이동에 의해 유발되는 선잔상이 방지된다. 또한, 상기 베리어(B)는 상기 화소 전극들(170) 경계에서 전계의 크기를 줄여서 상기 불순물에 작용하는 힘을 감소시키며, 상기 불순물은 상기 화소 전극들(170)의 경계를 통과하지 못하게 되어 선잔상이 방지된다.As an example of impurities present between the array substrate 100 and the color filter substrate 200, the ionic impurities of the liquid crystal are moved by the electric field. The impurity is limited to movement by the barrier B formed at the boundary of the pixel areas PA and thus cannot move to the adjacent pixel area PA. Therefore, the afterimage caused by the movement of the impurities is prevented. In addition, the barrier B reduces the force applied to the impurities by reducing the magnitude of the electric field at the boundary between the pixel electrodes 170, and the impurities do not pass through the boundary of the pixel electrodes 170. Afterimage is prevented.

한편, 상기 베리어(B)는 상기 어레이 기판(100) 및 상기 컬러필터 기판(200) 중 어느 하나의 기판과 이격된다. 본 발명의 실시예에서 상기 베리어(B)는 상기 컬러필터 기판(200) 상에 형성되고, 상기 어레이 기판(100)과 이격된다. 상기 베리어(B)가 상기 어레이 기판(100) 및 상기 컬러필터 기판(200)의 상면과 접촉하는 경우, 상기 어레이 기판(100)과 상기 컬러필터 기판(200)과의 사이를 일정한 간격으로 이격시킨다. 이처럼 상기 베리어(B)가 상기 스페이서(S)와 동일한 기능을 수행하는 경우, 상기 어레이 기판(100)과 상기 컬러필터 기판(200) 사이의 압축성이 저하된다. 따라서 상기 압축성이 저하되는 것을 방지하기 위하여 상기 베리어(B)를 상기 어레이 기판(100) 및 상기 컬러필터 기판(200) 중 어느 하나의 기판과 이격되게 구비한다. Meanwhile, the barrier B is spaced apart from one of the array substrate 100 and the color filter substrate 200. In an embodiment of the present invention, the barrier B is formed on the color filter substrate 200 and spaced apart from the array substrate 100. When the barrier B is in contact with the top surface of the array substrate 100 and the color filter substrate 200, the barrier B is spaced apart from the array substrate 100 by the color filter substrate 200 at regular intervals. . As such, when the barrier B performs the same function as the spacer S, the compressibility between the array substrate 100 and the color filter substrate 200 is reduced. Therefore, the barrier B is provided to be spaced apart from any one of the array substrate 100 and the color filter substrate 200 in order to prevent the compressibility from being lowered.

일예로, 상기 스페이서(S)의 높이(H1)를 상기 베리어(B)의 높이(H2)보다 크게 형성하여 상기 베리어(B)가 상기 스페이서(S)로 기능하는 것을 방지할 수 있다.For example, the height H1 of the spacer S may be greater than the height H2 of the barrier B to prevent the barrier B from functioning as the spacer S.

도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시패널을 나타낸 평면도이고, 도 3b는 도 3a에 도시된 절단선 Ⅱ-Ⅱ′에 따라 절단하여 나타낸 단면도이다. 도 3a 및 도 3b에 도시된 구성요소 중 도 2a 및 2b에 도시된 구성요소와 동일한 구성요소에 대하여는 구체적인 설명을 생략한다.3A is a plan view illustrating a liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the cutting line II-II ′ of FIG. 3A. Detailed description of components identical to those illustrated in FIGS. 2A and 2B among the components illustrated in FIGS. 3A and 3B will be omitted.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치(720)는 어레이 기판(300), 컬러필터 기판(400), 스페이서(S) 및 베리어(B)를 포함한다. 상기 액정표시장치(720)는 상기 어레이 기판(300) 및 상기 컬러필터 기판(400) 사이에 개재되어 광의 투과율을 조절하는 액정층(50)을 더 포함한다.3A and 3B, the liquid crystal display 720 according to another exemplary embodiment of the present invention includes an array substrate 300, a color filter substrate 400, a spacer S, and a barrier B. The liquid crystal display device 720 further includes a liquid crystal layer 50 interposed between the array substrate 300 and the color filter substrate 400 to control light transmittance.

어레이 기판(300)은 제1 베이스 기판(310), 상기 제1 베이스 기판(310)상에 형성된 화소들을 포함한다. 도 3a 및 도 3b에는 화소들 모두를 도시하지 않고, 하나의 화소만을 도시한다. The array substrate 300 includes a first base substrate 310 and pixels formed on the first base substrate 310. 3A and 3B do not show all the pixels but only one pixel.

상기 어레이 기판(300)상에는 화소 영역(PA)이 형성되고, 상기 화소는 상기 화소 영역(PA)에 대응하여 형성된 화소 전극(170), 상기 제1 베이스 기판(310) 상에 형성된 제1 및 제2 게이트 라인(GL1, GL2), 데이터 라인(DL), 제1 및 제2 박막 트랜지스터(T1, T2), 스토리지 라인(SL), 스토리지 전극(SE)을 포함한다. 화소 영(PA)을 모두 도시하지 않고, 하나의 화소 영역(PA)만을 도시한다. 다만, 상기 화소 영역들(PA)은 동일한 구조를 가진다. A pixel area PA is formed on the array substrate 300, and the pixel is formed on the pixel electrode 170 corresponding to the pixel area PA and the first and the first base substrates 310. It includes two gate lines GL1 and GL2, a data line DL, first and second thin film transistors T1 and T2, a storage line SL, and a storage electrode SE. Not all pixel zeros PA are shown, only one pixel area PA is shown. However, the pixel areas PA have the same structure.

상기 제1 및 제2 게이트 라인(GL1, GL2)은 제1 방향(D1)으로 연장되고, 서로 소정의 간격으로 이격된다. 상기 제2 게이트 라인(GL1)은 상기 화소 영역(PA)에 인접하여 제1 방향(D1)으로 연장된다. 한 행의 화소가 구동되는 1H 시간 중 초기 H/2 시간 동안 상기 제1 게이트 라인(GL1)에는 제1 게이트 신호가 인가되고, 후기 H/2 시간동안 상기 제2 게이트 라인(GL2)에는 제2 게이트 신호가 인가된다. 상기 제1 및 제2 게이트 신호는 상기 초기 H/2 시간 및 상기 후기 H/2 시간 동안 각각 게이트 온 전압을 유지하고, 나머지 시간 동안에는 게이트 오프 전압을 유지한다.The first and second gate lines GL1 and GL2 extend in the first direction D1 and are spaced apart from each other at predetermined intervals. The second gate line GL1 extends in the first direction D1 adjacent to the pixel area PA. A first gate signal is applied to the first gate line GL1 during an initial H / 2 time of 1H time during which a row of pixels are driven, and a second gate signal is applied to the second gate line GL2 during a later H / 2 time. The gate signal is applied. The first and second gate signals maintain a gate on voltage for the initial H / 2 time and the later H / 2 time, respectively, and maintain a gate off voltage for the remaining time.

상기 데이터 라인(DL)은 상기 제1 방향(D1)과 직교하는 제2 방향(D2)으로 연장되고, 상기 제1 및 제2 게이트 라인(GL1, GL2)과 서로 다른 층 상에 구비되어 서로 절연되게 교차한다. 상기 초기 H/2 시간 동안 상기 데이터 라인(DL)에는 하이 픽셀전압이 인가되고, 상기 후기 H/2 시간 동안 상기 데이터 라인(DL)에는 상기 하이 픽셀전압보다 낮은 로우 픽셀전압이 인가된다.The data line DL extends in a second direction D2 orthogonal to the first direction D1 and is provided on a different layer from the first and second gate lines GL1 and GL2 to insulate each other. Intersect like that. A high pixel voltage is applied to the data line DL during the initial H / 2 time, and a low pixel voltage lower than the high pixel voltage is applied to the data line DL during the later H / 2 time.

상기 화소 전극(370)은 상기 초기 H/2 시간 동안 상기 하이 픽셀전압이 인가되는 제1 화소 전극(371)과 상기 후기 H/2 시간 동안 상기 로우 픽셀전압이 인가되는 제2 화소 전극(372)으로 이루어진다.The pixel electrode 370 includes a first pixel electrode 371 to which the high pixel voltage is applied during the initial H / 2 time and a second pixel electrode 372 to which the low pixel voltage is applied during the later H / 2 time. Is done.

상기 제1 박막 트랜지스터(T1)는 상기 제1 게이트 라인(GL1)과 상기 데이터 라인(DL)에 전기적으로 연결된다. 구체적으로, 상기 제1 박막 트랜지스터(T1)는 상기 제1 게이트 라인(GL1)에 연결된 제1 게이트 전극(321), 상기 제1 게이트 전극(321)의 상에 형성된 제1 반도체 패턴(340), 상기 제1 반도체 패턴(340) 상에는 상기 데이터 라인(DL)에 연결된 제1 소오스 전극(351) 및 상기 제1 화소전극(371)에 연결된 제1 드레인 전극(352)으로 이루어진다. 따라서, 상기 제1 박막 트랜지스터(T1)는 상기 초기 H/2 시간 동안 상기 제1 게이트 신호에 응답하여 상기 하이 픽셀전압을 상기 제1 화소 전극(371)으로 인가한다.The first thin film transistor T1 is electrically connected to the first gate line GL1 and the data line DL. In detail, the first thin film transistor T1 may include a first gate electrode 321 connected to the first gate line GL1, a first semiconductor pattern 340 formed on the first gate electrode 321, The first semiconductor pattern 340 includes a first source electrode 351 connected to the data line DL and a first drain electrode 352 connected to the first pixel electrode 371. Accordingly, the first thin film transistor T1 applies the high pixel voltage to the first pixel electrode 371 in response to the first gate signal during the initial H / 2 time.

상기 제2 박막 트랜지스터(T2)는 상기 제2 게이트 라인(GL2)과 상기 데이터 라인(DL)에 전기적으로 연결된다. 구체적으로, 상기 제2 박막 트랜지스터(T2)는 상기 제2 게이트 라인(GL2)에 연결된 제2 게이트 전극(322), 상기 제2 게이트 전극(322)의 상에 형성된 제2 반도체 패턴, 상기 제2 반도체 패턴 상에는 상기 데이터 라인(DL)에 연결된 제2 소오스 전극(353) 및 상기 제2 화소 전극(372)에 연결된 제2 드레인 전극(354)으로 이루어진다. 따라서, 상기 제2 박막 트랜지스터(T2)는 상기 후기 H/2 시간 동안 상기 제2 게이트 신호에 응답하여 상기 로우 픽셀전압을 상기 제2 화소 전극(372)으로 인가한다.The second thin film transistor T2 is electrically connected to the second gate line GL2 and the data line DL. In detail, the second thin film transistor T2 includes a second gate electrode 322 connected to the second gate line GL2, a second semiconductor pattern formed on the second gate electrode 322, and the second The semiconductor pattern includes a second source electrode 353 connected to the data line DL and a second drain electrode 354 connected to the second pixel electrode 372. Accordingly, the second thin film transistor T2 applies the low pixel voltage to the second pixel electrode 372 in response to the second gate signal during the later H / 2 time.

상기 화소 전극(370)은 상기 제2 방향(D2)으로 누운 W자 형상으로 이루어진 다. 상기 화소 전극(370)이 상기 제2 방향으로 연장되고 W자 형태로 절곡된 상기 화소 전극(370)의 장변을 따라서 부분적으로 제거됨으로써, 상기 화소 전극(370)에는 제1 개구부(373)가 형성된다. 특히, 상기 제1 개구부(373)는 서로 평행한 두 장변 의 1/2 위치에 형성된다. The pixel electrode 370 has a W shape lying in the second direction D2. Since the pixel electrode 370 extends in the second direction and is partially removed along the long side of the pixel electrode 370 that is bent in a W shape, a first opening 373 is formed in the pixel electrode 370. do. In particular, the first opening 373 is formed at a 1/2 position of two long sides parallel to each other.

또한, 상기 제1 개구부(373)는 상기 제1 화소 전극(371)과 상기 제2 화소 전극(372)을 전기적으로 분리시키는 역할을 수행한다. 상기 제1 화소 전극(371)은 상기 제1 방향(D1)과 반대하는 제3 방향(D3)으로 절곡되어 V자 형상으로 이루어진다. 상기 제2 화소 전극(372)은 상기 화소 전극(370) 중 상기 제1 화소 전극(371)을 제외한 나머지 부분으로 정의된다. 상기 제2 화소 전극(372)은 상기 제2 개구부(253)에 의해서 상기 제1 화소 전극(371)과 전기적으로 분리된다. 본 발명의 일 예로, 상기 제1 화소 전극(371)은 상기 제2 화소 전극(372)보다 작은 면적을 갖는다.In addition, the first opening 373 serves to electrically separate the first pixel electrode 371 and the second pixel electrode 372. The first pixel electrode 371 is bent in a third direction D3 opposite to the first direction D1 to have a V shape. The second pixel electrode 372 is defined as the remaining portion of the pixel electrode 370 except for the first pixel electrode 371. The second pixel electrode 372 is electrically separated from the first pixel electrode 371 by the second opening 253. For example, the first pixel electrode 371 has an area smaller than that of the second pixel electrode 372.

상기 스토리지 라인(SL)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장되고, 상기 제1 및 제2 게이트 라인(GL1, GL2) 사이에 위치한다. 상기 스토리지 전극(SE)은 상기 스토리지 라인(SL)으로부터 직사각형 형태로 연장된다. 상기 스토리지 라인(SL)은 외부로부터 공통전압을 입력받아서 상기 스토리지 전극(SE)으로 인가한다. 상기 스토리지 전극(SE)은 게이트 절연막(331), 보호막(361) 사이에 두고 상기 화소 전극(370)과 마주한다. 상기 스토리지 전극(SE) 및 상기 스토리지 라인(SL)은 상기 제1 및 제2 게이트 라인(GL1, GL2)과 동일한 층으로부터 형성되지만 서로 다른 신호가 인가되므로, 서로 전기적으로 절연된다. The storage line SL extends in the first direction D1 and is positioned between the first and second gate lines GL1 and GL2. The storage electrode SE extends in a rectangular shape from the storage line SL. The storage line SL receives a common voltage from the outside and applies the common voltage to the storage electrode SE. The storage electrode SE is disposed between the gate insulating layer 331 and the passivation layer 361 to face the pixel electrode 370. The storage electrode SE and the storage line SL are formed from the same layer as the first and second gate lines GL1 and GL2 but are electrically insulated from each other because different signals are applied thereto.

상기 어레이 기판(300)은 상기 보호막(361) 상에 형성된 유기 절연막(362)을 더 포함하고, 상기 유기 절연막(362)은 상기 스토리지 전극(SE)이 형성된 영역에서 제거된다. 또한, 상기 보호막(361) 및 상기 유기 절연막(362)은 일부분이 제거되어 상기 제1 및 제2 박막 트랜지스터(T1, T2)의 제1 및 제2 드레인 전극(352, 354)을 각각 노출하는 제1 및 제2 콘택홀(CH1, CH2)이 형성된다. 상기 제1 화소 전극(371)은 상기 제1 콘택홀(CH1)을 통해 상기 제1 박막 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(352)과 전기적으로 연결된다. 상기 제2 화소 전극(372)은 상기 제2 콘택홀(CH2)을 통해 상기 제2 박막 트랜지스터(T2)의 제2 드레인 전극(354)과 전기적으로 연결된다.The array substrate 300 further includes an organic insulating layer 362 formed on the passivation layer 361, and the organic insulating layer 362 is removed from a region where the storage electrode SE is formed. In addition, a portion of the passivation layer 361 and the organic insulating layer 362 is removed to expose the first and second drain electrodes 352 and 354 of the first and second thin film transistors T1 and T2, respectively. First and second contact holes CH1 and CH2 are formed. The first pixel electrode 371 is electrically connected to the drain electrode 352 of the first thin film transistor T1 through the first contact hole CH1. The second pixel electrode 372 is electrically connected to the second drain electrode 354 of the second thin film transistor T2 through the second contact hole CH2.

상기 컬러필터 기판(400)은 제2 베이스 기판(420), 상기 제2 베이스 기판(420) 상에 형성된 블랙 매트릭스(420), 제1 컬러필터층(431), 제2 컬러필터층(432) 및 공통전극(440)을 포함한다. 상기 제1 베이스 기판(110) 상에는 레드, 그린 및 블루 색화소 중 어느 하나로 이루어진 제1 컬러필터층(431)이 구비되고, 상기 레드, 그린 및 블루 색화소 각각은 상기 화소 전극(370)에 일대일 대응으로 형성된다. 상기 블랙 매트릭스(420)는 상기 레드, 그린 및 블루 색화소들 사이에 개재되어 상기 화소 영역들(PA) 사이에서 광이 누설되는 것을 차단한다. 본 실시예에서, 상기 블랙 매트릭스(420)는 상기 제2 게이트 라인(GL2), 상기 제1 및 제2 박막 트랜지스터(T1, T2)가 형성된 영역에 대응하여 형성된다. 또한, 상기 블랙 매트릭스(420)은 상기 화소 전극(370)의 장변을 따라서 W자 형태로 이루어지고, 그 결과 상기 데이터 라인(DL)은 상기 블랙 매트릭스(420)가 형성된 영역 내에 구비되지 않는다. The color filter substrate 400 may include a second base substrate 420, a black matrix 420 formed on the second base substrate 420, a first color filter layer 431, a second color filter layer 432, and a common substrate. Electrode 440. A first color filter layer 431 formed of any one of red, green, and blue color pixels is provided on the first base substrate 110, and each of the red, green, and blue color pixels corresponds one-to-one to the pixel electrode 370. Is formed. The black matrix 420 is interposed between the red, green, and blue color pixels to block light from leaking between the pixel areas PA. In the present embodiment, the black matrix 420 is formed to correspond to the region in which the second gate line GL2 and the first and second thin film transistors T1 and T2 are formed. In addition, the black matrix 420 has a W shape along the long side of the pixel electrode 370. As a result, the data line DL is not provided in an area where the black matrix 420 is formed.

상기 공통전극(440)에는 상기 제1 컬러필터층(431)을 노출시키는 다수의 제2 개구부(441)가 형성된다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 상기 제2 개구부(441)는 상기 화소 전극(370)에 형성된 다수의 제1 개구부(373) 사이에 위치한다. 따라서, 한 화소 영역(PA) 내에서 상기 화소 전극(370)과 상기 공통전극(440)과의 사이에 개재된 액정분자들이 서로 다른 방향으로 배향되는 다수의 도메인이 정의된다.A plurality of second openings 441 are formed in the common electrode 440 to expose the first color filter layer 431. As shown in FIG. 3A, the second opening 441 is positioned between the plurality of first openings 373 formed in the pixel electrode 370. Therefore, in the pixel area PA, a plurality of domains in which liquid crystal molecules interposed between the pixel electrode 370 and the common electrode 440 are aligned in different directions are defined.

상기 스페이서(S)는 상기 어레이 기판(300) 및 컬러필터 기판(400) 사이에 개재되어 상기 어레이 기판(100) 및 컬러필터 기판(200)을 이격시킨다. 상기 스페이서(S)는 상기 화소 영역(PA)의 개구율을 감소시키지 않도록 상기 스토리지 전극(SE)이 형성된 영역에 대응하여 상기 어레이 기판(100) 및 컬러필터 기판(200) 사이에 구비된다.The spacer S is interposed between the array substrate 300 and the color filter substrate 400 to space the array substrate 100 and the color filter substrate 200. The spacer S is provided between the array substrate 100 and the color filter substrate 200 corresponding to a region where the storage electrode SE is formed so as not to reduce the aperture ratio of the pixel area PA.

한편, 상기 제2 컬러필터층(432)은 상기 스페이서(S)와 상기 어레이 기판(100) 사이에 형성되고, 상기 레드, 그린, 및 블루 색화소 중 적어도 어느 하나 이상으로 이루어진다. 본 실시예에서 상기 제2 컬러필터층(432)은 상기 레드, 그린, 및 블루 색화소 중 두 개로 이루어진 이층구조를 갖는다. 상기 제2 컬러필터층(432)는 상기 제1 컬러필터층(431)과 동일한 공정으로 동시에 형성될 수 있다.The second color filter layer 432 is formed between the spacer S and the array substrate 100, and is formed of at least one of the red, green, and blue color pixels. In the present embodiment, the second color filter layer 432 has a two-layer structure consisting of two of the red, green, and blue color pixels. The second color filter layer 432 may be simultaneously formed in the same process as the first color filter layer 431.

상기 베리어(B)는 상기 화소 전극(370)의 경계를 따라 형성되어, 상기 화소 영역들(PA) 사이로 불순물이 이동하는 것을 차단한다. 상기 화소 영역(PA)의 개구율을 감소시키지 않도록 상기 베리어(B)가 형성된 영역은 상기 블랙 매트릭스(420)가 형성된 영역 내이다. 본 실시예에서, 상기 베리어(B)는 부분적으로 제거된 개구 부를 갖는다. The barrier B is formed along a boundary of the pixel electrode 370 to block impurities from moving between the pixel areas PA. The region where the barrier B is formed is in the region where the black matrix 420 is formed so as not to reduce the aperture ratio of the pixel region PA. In this embodiment, the barrier B has an opening part partially removed.

한편, 본 발명의 실시예에서, 상기 스페이서(S) 및 상기 베리어(B)는 상기 컬러필터 기판(400) 상에 형성되고, 상기 제2 컬러필터층(432)는 상기 스페이서(S)와 상기 제2 컬러필터층(432) 사이에 구비된다. 따라서, 상기 스페이서(S)와 상기 베리어(B)가 동일한 높이로 형성되어도 상기 스페이서(S)의 하부에 구비된 제2 컬러필터층(432)에 의해 상기 스페이서(S)가 형성된 영역과 상기 베리어(B)가 형성도니 영역에서 단차가 발생하므로 상기 베리어(B)는 상기 어레이 기판(300)과 이격된다. 따라서 상기 어레이 기판(300)과 상기 컬러필터 기판(400) 사이의 압축성이 저하되는 것을 방지한다.Meanwhile, in the embodiment of the present invention, the spacer S and the barrier B are formed on the color filter substrate 400, and the second color filter layer 432 is formed of the spacer S and the first agent. It is provided between two color filter layers 432. Therefore, even when the spacer S and the barrier B are formed at the same height, the area where the spacer S is formed by the second color filter layer 432 provided under the spacer S and the barrier ( Since the step B occurs in the region where B is formed, the barrier B is spaced apart from the array substrate 300. Therefore, the compressibility between the array substrate 300 and the color filter substrate 400 is prevented from being lowered.

도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시패널을 나타낸 평면도이고, 도 4b는 도 4a에 도시된 절단선 Ⅲ-Ⅲ′에 따라 절단하여 나타낸 단면도이다. 도 4a 및 도 4b에 도시된 구성요소 중 도 2a 및 2b에 도시된 구성요소와 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 병기하여 구체적인 설명을 생략한다.4A is a plan view illustrating a liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the cutting line III-III ′ of FIG. 4A. Of the components shown in FIGS. 4A and 4B, the same components as those shown in FIGS. 2A and 2B are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 발명에 따른 액정표시장치(730)는 어레이 기판(100), 컬러필터 기판(200), 스페이서(S) 및 베리어(B)를 포함한다. 상기 액정표시장치(730)는 상기 어레이 기판(100) 및 상기 컬러필터 기판(200) 사이에 개재되어 광의 투과율을 조절하는 액정층(50)을 더 포함한다.4A and 4B, the liquid crystal display 730 according to the present invention includes an array substrate 100, a color filter substrate 200, a spacer S, and a barrier B. The liquid crystal display 730 further includes a liquid crystal layer 50 interposed between the array substrate 100 and the color filter substrate 200 to control light transmittance.

어레이 기판(100)은 제1 베이스 기판(110), 상기 제1 베이스 기판(110)상에 형성된 화소 영역들(PA)을 포함한다. 본 발명의 도면에는 상기 화소 영역들(PA)을 모두 도시하지 않고, 두 개의 화소 영역(PA)만을 도시한다. 다만, 상기 화소 영역 들(PA)은 동일한 구조를 가진다. The array substrate 100 includes a first base substrate 110 and pixel regions PA formed on the first base substrate 110. In the drawing of the present invention, not all the pixel areas PA are shown, only two pixel areas PA are shown. However, the pixel areas PA have the same structure.

상기 어레이 기판(100)은 제1 베이스 기판(110), 게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 스토리지 라인(SL), 제1 및 제2 스토리지 전극(SE1, SE2), 보호막(161), 유기 절연막(162), 화소 전극들(170), 박막 트랜지스터들(T)를 포함한다. 이 실시예에 있어서, 상기 어레이 기판(100)은 도 2a에 도시된 어레이 기판(100)과 동일하므로, 그 중복된 설명은 생략한다.The array substrate 100 includes a first base substrate 110, gate lines GL, data lines DL, a storage line SL, first and second storage electrodes SE1 and SE2, and a passivation layer ( 161, an organic insulating layer 162, pixel electrodes 170, and thin film transistors T. In this embodiment, since the array substrate 100 is the same as the array substrate 100 shown in FIG. 2A, a duplicate description thereof will be omitted.

상기 화소 전극(170)은 상기 화소 영역들(PA)에 대응하여 유기 절연막(162) 상에 형성된다. 상기 화소 전극들(170) 패터닝되어 상기 화소 영역들(PA) 각각을 상기 액정층(50)의 액정 분자들이 서로 다르게 배향되는 다수의 도메인으로 구획한다. 즉, 상기 화소 전극들(170)은 상기 화소 전극들(170)의 일부분을 각각 제거하여 형성된 제1 개구부(171)을 갖는다. 상기 제1 개구부(171)는 상기 제2 방향(D2)으로 상기 화소 영역들(PA)의 중심부를 가로지르는 가상선에 대하여 소정의 각도로 경사지게 형성되고, 상기 가상선을 중심으로 서로 거울 대칭되는 형상을 갖는다. 상기 화소 전극들(170)은 상기 제1 개구부(171)에 의해 다수의 도메인으로 구획된다. 또한, 상기 제1 개구부(171)는 도 4a에 도시된 바와 같이 상기 가상선을 따라 부분적으로 더 제거될 수 있다.The pixel electrode 170 is formed on the organic insulating layer 162 corresponding to the pixel areas PA. The pixel electrodes 170 are patterned to partition each of the pixel areas PA into a plurality of domains in which liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 50 are differently aligned. That is, the pixel electrodes 170 have a first opening 171 formed by removing portions of the pixel electrodes 170, respectively. The first opening 171 is formed to be inclined at a predetermined angle with respect to an imaginary line crossing the centers of the pixel areas PA in the second direction D2, and is mirror-symmetrical with respect to the imaginary line. It has a shape. The pixel electrodes 170 are partitioned into a plurality of domains by the first opening 171. In addition, the first opening 171 may be further partially removed along the imaginary line as shown in FIG. 4A.

상기 컬러필터 기판(200)은 상기 어레이 기판(100)과 대향하여 결합하고, 제2 베이스 기판(210), 블랙 매트릭스(220), 컬러필터층(230) 및 공통 전극(240)을 포함한다. 상기 컬러필터 기판(200)은 도 2a에 도시된 컬러필터 기판(200)과 동일하므로 그 중복된 설명은 생략한다.The color filter substrate 200 is coupled to face the array substrate 100, and includes a second base substrate 210, a black matrix 220, a color filter layer 230, and a common electrode 240. Since the color filter substrate 200 is the same as the color filter substrate 200 illustrated in FIG. 2A, duplicate description thereof will be omitted.

상기 공통 전극(240)은 상기 도메인들을 형성하기 위해 부분적으로 제거된 제2 개구부(241)가 형성된다. 평면에서 볼 때, 상기 제2 개구부(241)는 상기 제1 개구부(171)의 사이에 형성되고, 상기 제2 방향(D2)으로 연장된 상기 화소 전극들(170)의 변에 대하여 평행하게 연장될 수 있다. 이와 같이, 상기 액정표시장치(710)는 상기 화소 영역들(PA)이 다수의 도메인으로 구획되기 때문에, 시인성이 향상된다.The common electrode 240 has a second opening 241 partially removed to form the domains. In plan view, the second openings 241 are formed between the first openings 171 and extend in parallel to sides of the pixel electrodes 170 extending in the second direction D2. Can be. As described above, in the liquid crystal display 710, the pixel areas PA are divided into a plurality of domains, thereby improving visibility.

한편, 본 실시예에서 상기 화소 전극들(170)을 상기 박막 트랜지스터들(T)과 전기적으로 연결하는 콘택홀(CH)은 제2 스토리지 전극(SE1)상에 형성된다.In the present exemplary embodiment, the contact hole CH electrically connecting the pixel electrodes 170 to the thin film transistors T is formed on the second storage electrode SE1.

상기 스페이서(S)는 도 2a에 도시된 바와 같이 제1 스토리지 전극(SE1)이 형성된 영역에 대응하여 상기 어레이 기판(100) 및 상기 컬러필터 기판(200) 사이에 구비된다. As shown in FIG. 2A, the spacer S is provided between the array substrate 100 and the color filter substrate 200 corresponding to a region where the first storage electrode SE1 is formed.

본 실시예에서 상기 베리어(B)는 상기 화소 전극들(170) 간의 경계를 따라 형성되고, 서로 이격된 돌기들(11a, 11b)을 포함하고, 상기 돌기들(11a, 11b)는 서로 엇갈려서 배치된다. 구체적으로 상기 돌기들(11a, 11b)은 상기 화소 영역들(PA) 중 제1 화소 영역(PA1)에 인접하여 구비된 제1 돌기들(11a)과 상기 화소 영역들(PA) 중 상기 제1 화소 영역(PA1)에 인접한 제2 화소 영역(PA2)에 인접하여 구비된 제2 돌기들(11b)을 포함한다. 상기 제1 및 제2 돌기들(11a, 11b)은 상기 서로 엇갈려서 배치된다. 즉, 상기 제1 돌기들(11a) 사이의 이격된 영역에 상기 제2 돌기들(11b)이 위치하고, 상기 제2 돌기들(11b) 사이의 이격된 영역에 상기 제1 돌기들(11a)이 위치한다. 따라서, 상기 어레이 기판(100) 및 컬러필터 기판(200) 사이 에 존재하는 불순물이 상기 제1 및 제2 돌기들(11a, 11b)에 의해 이동이 제한되어 인접하는 상기 화소 영역들(PA)로 이동하지 못한다.In the present embodiment, the barrier B is formed along a boundary between the pixel electrodes 170 and includes protrusions 11a and 11b spaced apart from each other, and the protrusions 11a and 11b are alternately arranged. do. In more detail, the protrusions 11a and 11b are formed of the first protrusions 11a provided adjacent to the first pixel area PA1 of the pixel areas PA and the first of the pixel areas PA. The second protrusions 11b may be provided adjacent to the second pixel area PA2 adjacent to the pixel area PA1. The first and second protrusions 11a and 11b are alternately disposed. That is, the second protrusions 11b are positioned in the spaced apart area between the first protrusions 11a, and the first protrusions 11a are disposed in the spaced apart area between the second protrusions 11b. Located. Therefore, impurities existing between the array substrate 100 and the color filter substrate 200 are limited to movement by the first and second protrusions 11a and 11b to the adjacent pixel regions PA. I can't move.

도 2a 및 도 2b를 참조하여 도 2a에 도시된 액정표시장치(710)를 제조하는 방법을 설명한다. A method of manufacturing the liquid crystal display 710 illustrated in FIG. 2A will be described with reference to FIGS. 2A and 2B.

본 발명에 따른 액정표시장치(710)를 제조하는 방법은 다음과 같다. 화소 영역들(PA)이 정의된 이 기판(100)을 형성하고, 상기 어레이 기판(100)과 대향하여 결합하는 컬러필터 기판(200)을 형성한다. 상기 어레이 기판(100) 및 상기 컬러필터 기판(200) 중 어느 하나의 기판상에 상기 어레이 기판(100) 및 상기 컬러필터 기판(200)을 이격시키는 스페이서(S) 및 상기 스페이서(S)와 동일한 물질로 이루어지고 상기 화소 영역들(PA) 사이에 구비되어 상기 화소 영역들(PA) 사이로 불순물이 이동하는 것을 차단하는 베리어(B)를 형성한다. 상기 베리어(B)는 상기 상기 어레이 기판(100) 및 상기 컬러필터 기판(200) 중 어느 하나와 이격되게 형성된다. A method of manufacturing the liquid crystal display 710 according to the present invention is as follows. The substrate 100 in which the pixel areas PA are defined is formed, and the color filter substrate 200 is formed to face the array substrate 100. The same as the spacer (S) and the spacer (S) for separating the array substrate 100 and the color filter substrate 200 on any one of the array substrate 100 and the color filter substrate 200 A barrier B may be formed of a material and disposed between the pixel areas PA to block impurities from moving between the pixel areas PA. The barrier B is formed to be spaced apart from any one of the array substrate 100 and the color filter substrate 200.

구체적으로, 상기 어레이 기판(100)을 제조하는 방법은 다음과 같다. Specifically, the method of manufacturing the array substrate 100 is as follows.

도 2b를 참조하면, 상기 게이트 라인들(GL), 상기 게이트 전극들(121) 및 제1 스토리지 전극(SE1)은 상기 제1 베이스 기판(110)상에 게이트 도전막을 증착하고, 상기 게이트 도전막을 패터닝하여 형성한다. 상기 게이트 도전막을 패터닝하는 과정을 포토 마스크를 이용한 노광, 현상, 식각공정으로 이루어진다. 상기 게이트 도전막은 알루미늄, 은, 구리, 몰리브덴 및 크롬 중 선택된 어느 하나로 이루어진다. 상기 제1 베이스 기판(110)의 전면에 상기 게이트 라인들(GL), 상기 게이트 전극들(121) 및 제1 스토리지 전극(SE1) 상부를 커버하는 게이트 절연막(131), 반도 체막을 연속 증착한다. Referring to FIG. 2B, the gate lines GL, the gate electrodes 121, and the first storage electrode SE1 deposit a gate conductive layer on the first base substrate 110, and form the gate conductive layer. It is formed by patterning. The process of patterning the gate conductive layer is performed by an exposure, development, and etching process using a photo mask. The gate conductive film is made of any one selected from aluminum, silver, copper, molybdenum, and chromium. The gate insulating layer 131 and the semiconductor film covering the gate lines GL, the gate electrodes 121, and the first storage electrode SE1 are sequentially deposited on the entire surface of the first base substrate 110. .

상기 게이트 절연막(131)은 무기막, 예컨대 실리콘 나이트라이드 재질로 형성될 수 있다. 반도체막은 플라즈마화학기상증착법을 이용하여 상기 제1 베이스 기판(110) 전면에 증착한다. 상기 반도체막은 비정질 실리콘 재질의 액티브막과 그 상부의 불순물 이온으로 도핑된 오믹콘택막의 이층막으로 구성된다. 상기 반도체막을 패터닝하여 상기 반도체 패턴들(140)을 형성한다. The gate insulating layer 131 may be formed of an inorganic layer, for example, silicon nitride. The semiconductor film is deposited on the entire surface of the first base substrate 110 using plasma chemical vapor deposition. The semiconductor film is composed of an active film made of amorphous silicon and a two-layer film of an ohmic contact film doped with impurity ions thereon. The semiconductor patterns are patterned to form the semiconductor patterns 140.

상기 데이터 라인들(DL), 상기 소오스 전극들(151), 상기 드레인 전극들(152) 및 상기 제2 스토리지 전극(SE2)은 데이터 도전막을 증착하고, 상기 데이터 도전막을 패터닝하여 형성한다. 상기 데이터 도전막은 상기 게이트 도전막과 동일한 금속 재질로 이루어진다. The data lines DL, the source electrodes 151, the drain electrodes 152, and the second storage electrode SE2 are formed by depositing a data conductive layer and patterning the data conductive layer. The data conductive film is made of the same metal material as the gate conductive film.

상기 제1 베이스 기판(110)의 전면에는 상기 데이터 라인들(DL), 상기 소오스 전극들(151), 상기 드레인 전극들(152) 및 상기 제2 스토리지 전극(SE2)을 커버하도록 보호막(161) 및 유기 절연막(162)을 연속 증착한다. 상기 보호막(161)은 상기 게이트 절연막과 동일한 재질로 이루어지고, 상기 유기 절연막(162)은 아크릴계 수지로 이루어진다. 포토 마스크를 이용한 콘택 공정에서 상기 보호막(161) 및 유기 절연막(162)의 일부분을 제거하여 상기 드레인 전극(152)을 노출하는 콘택홀(CH)들을 형성한다. 또한, 상기 제2 스토리지 전극(SE2)이 형성된 영역에서 상기 유기 절연막(162)을 식각하여 상기 보호막(161)의 일부분을 노출시킨다.The passivation layer 161 may cover the data lines DL, the source electrodes 151, the drain electrodes 152, and the second storage electrode SE2 on the front surface of the first base substrate 110. And the organic insulating film 162 is continuously deposited. The protective film 161 is made of the same material as the gate insulating film, and the organic insulating film 162 is made of acrylic resin. A portion of the passivation layer 161 and the organic insulating layer 162 may be removed in a contact process using a photo mask to form contact holes CH exposing the drain electrode 152. In addition, the organic insulating layer 162 is etched in a region where the second storage electrode SE2 is formed to expose a portion of the passivation layer 161.

상기 화소 전극들(170)은 투명 도전막을 증착한 후 이를 패터닝하여 형성한다. 상기 게이트 도전막은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide: ITO) 또는 인듐 징 크 옥사이드(Indium Zinc Oxide: IZO)와 같은 투명성 도전 물질로 이루어진다.The pixel electrodes 170 are formed by depositing a transparent conductive layer and patterning the transparent conductive layer. The gate conductive layer is made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

상기 컬러필터 기판(200)을 제조하는 과정은 다음과 같다.The process of manufacturing the color filter substrate 200 is as follows.

도 2b를 참조하면, 상기 블랙 매트릭스(220)는 포토레지스트 또는 금속 재질을 상기 제2 베이스 기판(210)상에 도포하고, 포토 마스크를 이용한 노광, 현상, 식각공정을 수행하여 형성한다. 상기 컬러필터층(230)은 안료가 함유된 포토레지스트를 상기 제2 베이스 기판(210)의 전면에 도포하고, 패터닝하여 형성한다. 상기 공통 전극(240)은 상기 블랙 매트릭스(220) 및 상기 컬러필터층(230) 상에 투명 도전막을 도포한 후 이를 패터닝하여 형성한다. 상기 투명 도전막은 ITO, IZO를 증착하여 형성한다.Referring to FIG. 2B, the black matrix 220 is formed by applying a photoresist or a metal material on the second base substrate 210 and performing exposure, development, and etching processes using a photo mask. The color filter layer 230 is formed by coating and patterning a photoresist containing a pigment on the entire surface of the second base substrate 210. The common electrode 240 is formed by coating a transparent conductive film on the black matrix 220 and the color filter layer 230 and then patterning the transparent conductive film. The transparent conductive film is formed by depositing ITO and IZO.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 스페이서 및 베리어를 제조하는 과정을 설명하기 위한 단면도이다. 도 5에 도시된 구성요소 중 도 2b에 도시된 구성요소와 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조 번호를 병기하고 구체적인 설명을 생략한다. 5 is a cross-sectional view illustrating a process of manufacturing a spacer and a barrier according to an embodiment of the present invention. Of the components illustrated in FIG. 5, the same components as those illustrated in FIG. 2B are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

본 발명의 일 실시예에서 포토레지스트를 사용하여 스페이서(S) 및 베리어(B)를 동일한 공정으로 동시에 제조하는 과정에 대하여 설명하지만, 이는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다. 또한, 스페이서(S) 및 베리어(B)는 어레이 기판(100) 및 컬러필터 기판(200) 중 어느 쪽에든 형성될 수 있지만, 컬러필터 기판(200)상에 형성된 예가 설명된다.Although an embodiment of the present invention describes a process of simultaneously producing a spacer (S) and a barrier (B) in the same process using a photoresist, this is merely to illustrate the invention and the invention is limited thereto. It is not. In addition, although the spacer S and the barrier B may be formed on either of the array substrate 100 and the color filter substrate 200, an example formed on the color filter substrate 200 will be described.

도 5를 참조하면, 포토레지스트(PR)를 분사유닛을 이용하여 상기 컬러필터 기판(200) 상에 균일하게 도포한다. 상기 도포된 포토레지스트(PR)를 노광 및 현상 공정을 수행하여 상기 스페이서(S) 및 상기 베리어(B)를 형성한다. 이때, 상기 스페이서(S)의 높이(H1)를 상기 베리어(B)의 높이(H2)보다 크게 형성하여 상기 베리어(B)가 상기 어레이 기판(100)과 이격되게 형성되도록 한다.Referring to FIG. 5, the photoresist PR is uniformly coated on the color filter substrate 200 using a spray unit. The coated photoresist PR is exposed and developed to form the spacers S and the barriers B. In this case, the height H1 of the spacer S is greater than the height H2 of the barrier B so that the barrier B is formed to be spaced apart from the array substrate 100.

이를 위해, 상기 포토레지트(PR)의 노광 공정은 슬릿 마스크 또는 하프톤 마스크를 이용하여 수행할 수 있다. 상기 슬릿 마스크 또는 하프톤 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트(PR)에 대한 노광량을 조절할 수 있고, 상기 노광량에 따라 상기 스페이서(S) 및 상기 베리어(B)의 높이(H1, H2)를 조절할 수 있기 때문이다. 본 실시예에서 상기 슬릿 마스크를 이용하여 상기 스페이서(S) 및 상기 베리어(B)를 형성한 예가 설명된다.To this end, the exposure process of the photoresist PR may be performed using a slit mask or a halftone mask. The exposure amount of the photoresist PR may be adjusted using the slit mask or the halftone mask, and the heights H1 and H2 of the spacer S and the barrier B may be adjusted according to the exposure amount. Because. In the present embodiment, an example in which the spacer S and the barrier B are formed using the slit mask is described.

상기 포토레지스트(PR)가 도포된 상기 컬러필터 기판(200) 상부에 포토 마스크(60)를 구비한다. 상기 포토 마스크(60)는 석영 기판(61), 상기 석영 기판(61)상에 형성된 차광패턴(62a) 및 슬릿 마스크(62b)를 포함한다. 상기 석영 기판(61)은 외부로부터의 광을 투과시키고, 상기 차광패턴(62a)은 상기 광을 차단하고, 차광 물질로 일예로, 크롬으로 형성된다. 상기 차광패턴(62a)은 상기 스페이서(S)가 형성되는 영역에 대응하여 상기 석영 기판(61) 상에 형성된다. 상기 슬릿 마스크(62b)는 상기 베리어(B)가 형성되는 영역에 대응하여 상기 석영 기판(61) 상에 형성되고, 상기 슬릿 마스크(62b)의 슬릿 간격을 조절하여 노광량을 조절할 수 있다. 상기 노광량을 조절하여 상기 베리어의 높이(H2)를 상기 스페이서(S)의 높이(H1)보다 작게 형성할 수 있다. A photo mask 60 is provided on the color filter substrate 200 to which the photoresist PR is applied. The photo mask 60 includes a quartz substrate 61, a light shielding pattern 62a and a slit mask 62b formed on the quartz substrate 61. The quartz substrate 61 transmits light from the outside, and the light blocking pattern 62a blocks the light, and is formed of, for example, chromium as a light blocking material. The light blocking pattern 62a is formed on the quartz substrate 61 corresponding to a region where the spacer S is formed. The slit mask 62b is formed on the quartz substrate 61 to correspond to a region where the barrier B is formed, and the exposure amount may be adjusted by adjusting the slit interval of the slit mask 62b. By adjusting the exposure amount, the height H2 of the barrier may be smaller than the height H1 of the spacer S.

상기 차광패턴(62a) 및 상기 슬릿 마스크(62b)가 형성되지 않은 영역에서는 상기 광이 투과되어 상기 포토레지스트(PR)를 노광시키고, 상기 차광패턴(62a)이 형성된 영역에서는 상기 광이 차단되어 상기 포토레지스트(PR)가 노광되지 않는다. 또한, 상기 슬릿 마스크(62b)가 형성된 영역에서는 상기 포토레지스트(PR)의 일부만을 노광시킨다.In the region where the light shielding pattern 62a and the slit mask 62b are not formed, the light is transmitted to expose the photoresist PR, and the light is blocked in the region where the light shielding pattern 62a is formed. Photoresist PR is not exposed. In addition, only a part of the photoresist PR is exposed in a region where the slit mask 62b is formed.

상기 포토레지스트(PR)를 노광한 후 현상공정을 거치면 도 5에 도시된 바와 같이 상기 스페이서(S) 및 베리어(B)가 형성된다. When the photoresist PR is exposed and subjected to a developing process, the spacer S and the barrier B are formed as shown in FIG. 5.

상기와 같이, 상기 스페이서(S)와 상기 베리어(B)를 동일한 공정으로 동시에 형성할 수 있으므로 공정의 단순화가 가능하다. 또한, 상기 슬릿 마스크(60)을 이용하여 상기 스페이서(S)의 높이(H1)를 상기 베리어(B)의 높이(H2)보다 크게 형성하여 베리어(B)가 상기 어레이 기판(100)과 이격되게 한다. As described above, since the spacer S and the barrier B may be simultaneously formed in the same process, the process may be simplified. In addition, the height H1 of the spacer S is formed to be larger than the height H2 of the barrier B by using the slit mask 60 so that the barrier B is spaced apart from the array substrate 100. do.

이와 같이, 표시 장치 및 이의 제조 방법에 따르면, 베리어에 의해 제1 기판 및 제2 기판 사이에 존재하는 불순물이 인접하는 화소 영역들 간에 이동하는 것을 차단할 수 있다. 따라서, 표시 장치에서 잔상이 발생하는 것이 방지되어 표시 품질을 향상시킬 수 있다. As described above, according to the display device and a method of manufacturing the same, impurities present between the first substrate and the second substrate may be prevented from moving between adjacent pixel regions by the barrier. Therefore, afterimages can be prevented from occurring in the display device, thereby improving display quality.

또한, 베리어를 제1 기판 및 제2 기판 중 어느 하나와 이격되게 형성하여 제1 기판 및 제2 기판 사이의 압축성이 저해되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the barrier may be formed to be spaced apart from any one of the first substrate and the second substrate to prevent the compressibility between the first substrate and the second substrate from being impaired.

또한, 베리어와 스페이서를 동일한 공정으로 동시에 형성함으로써 공정 수를 감소할 수 있다.In addition, the number of processes can be reduced by simultaneously forming the barrier and the spacer in the same process.

Claims (13)

화소 영역들이 형성된 제1 기판;A first substrate on which pixel regions are formed; 상기 제1 기판과 대향하여 결합하는 제2 기판; A second substrate coupled to face the first substrate; 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 개재되어 상기 제1 기판 및 제2 기판을 이격시키는 스페이서; 및 A spacer interposed between the first substrate and the second substrate to space the first substrate and the second substrate; And 상기 스페이서와 동일한 물질로 형성되고, 상기 화소 영역들 사이에 구비되어 상기 화소 영역들 사이로 불순물이 이동하는 것을 차단하는 베리어를 포함하는 것을 특징을 하는 표시 장치.And a barrier formed of the same material as the spacer and interposed between the pixel areas to block impurities from moving between the pixel areas. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 베리어는 상기 제1 기판 및 제2 기판 중 어느 하나의 기판상에 형성되고, 다른 하나의 기판과 이격되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.And the barrier is formed on one of the first and second substrates and is spaced apart from the other substrate. 제 2항에 있어서, 상기 제1 기판은,The method of claim 2, wherein the first substrate, 상기 화소 영역들 각각에 인접하여 구비되고, 일 방향으로 연장된 게이트 라인들; Gate lines provided adjacent to each of the pixel regions and extending in one direction; 상기 게이트 라인들과 상호 절연되게 교차하는 데이터 라인들; 및Data lines crossing the gate lines to be insulated from each other; And 상기 화소 영역들에 대응하여 형성된 화소 전극들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.And a plurality of pixel electrodes formed to correspond to the pixel areas. 제 3항에 있어서, 상기 제2 기판은,The method of claim 3, wherein the second substrate, 상기 화소 전극들에 대응하여 형성된 제1 컬러필터층; 및A first color filter layer formed corresponding to the pixel electrodes; And 상기 스페이서와 상기 제2 기판 사이에 형성된 제2 컬러필터층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.And a second color filter layer formed between the spacer and the second substrate. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제1 컬러필터층은 레드, 그린 및 블루 중 어느 하나로 이루어지고,The first color filter layer is made of any one of red, green, and blue, 상기 제2 컬러필터층은 상기 레드, 그린 및 블루 중 적어도 어느 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시 장치.And the second color filter layer is formed of at least one of red, green, and blue. 제 3항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 베리어는 상기 화소 전극들 간의 경계를 따라 형성된 폐루프 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.And the barrier has a closed loop shape formed along a boundary between the pixel electrodes. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 베리어는 상기 화소 전극들 간의 경계를 따라 형성되고, 부분적으로 개구된 것을 특징으로 하는 표시 장치.And the barrier is formed along a boundary between the pixel electrodes and partially opened. 제 3항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 베리어는 상기 화소 전극들 간의 경계를 따라 형성되고, 서로 이격된 돌기들을 포함하고,The barrier is formed along a boundary between the pixel electrodes and includes protrusions spaced apart from each other, 상기 이격된 돌기들은 서로 엇갈려서 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. And the spaced protrusions are alternately arranged. 화소 영역들이 형성된 제1 기판을 형성하는 단계;Forming a first substrate having pixel regions formed thereon; 상기 제1 기판과 대향하여 결합하는 제2 기판을 형성하는 단계;Forming a second substrate opposed to the first substrate; 상기 제1 기판 및 제2 기판 중 어느 하나의 기판상에 상기 제1 기판 및 제2 기판을 이격시키는 스페이서를 형성하는 단계; 및Forming a spacer spaced apart from the first substrate and the second substrate on one of the first substrate and the second substrate; And 상기 스페이서와 동일한 물질로 이루어지고 상기 화소 영역들 사이에 구비되어 상기 화소 영역들 사이로 불순물이 이동하는 것을 차단하는 베리어를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조방법.And forming a barrier formed of the same material as the spacer and interposed between the pixel areas to prevent impurities from moving between the pixel areas. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 베리어는 상기 제1 기판 및 제2 기판 중 어느 하나의 기판상에 형성되고, 다른 하나의 기판과 이격되게 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조방법.And the barrier is formed on one of the first and second substrates and is spaced apart from the other substrate. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 스페이서는 컬럼 스페이서이고,The spacer is a column spacer, 상기 베리어는 상기 스페이서와 동일한 공정으로 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조방법.And the barrier is formed at the same time as the spacer. 제 11항에서, 상기 스페이서 및 베리어를 형성하는 단계는,The method of claim 11, wherein the forming of the spacer and the barrier comprises: 포토레지스트를 상기 제1 기판 및 제2 기판 중 어느 하나의 기판상에 도포하는 단계; 및Applying a photoresist on any one of the first and second substrates; And 슬릿 마스크 또는 하프톤 마스크를 이용하여 상기 도포된 포토레지스트를 노광하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조방법. Exposing the coated photoresist using a slit mask or a halftone mask. 제 12항에 있어서, The method of claim 12, 상기 스페이서의 높이를 상기 베리어의 높이보다 크게 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조방법.And forming a height of the spacer larger than a height of the barrier.
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