KR20080048609A - Voltage generator and method using the same - Google Patents

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KR20080048609A
KR20080048609A KR1020060118777A KR20060118777A KR20080048609A KR 20080048609 A KR20080048609 A KR 20080048609A KR 1020060118777 A KR1020060118777 A KR 1020060118777A KR 20060118777 A KR20060118777 A KR 20060118777A KR 20080048609 A KR20080048609 A KR 20080048609A
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oscillation signal
signal
inverter
output
detection signal
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KR1020060118777A
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김현기
고태영
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삼성전자주식회사
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Abstract

A voltage generator and a method for generating voltages are provided to prevent the erroneous operation of a charge pump by ensuring one period of the pumping of the charge pump. A voltage generator includes a charge pump(14), a voltage detector(11), a latch unit(12), and an oscillator(13). The charge pump receives a first oscillation signal, performs charge pumping during the activation of the first oscillation signal, and adjusts the levels of inner voltages. The voltage detector detects the levels of inner voltages, activates a first detection signal when the inner voltage is deviated from a reference level, and outputs the activated first detection signal. The latch unit outputs a second detection signal by buffering the first detection signal when a second oscillation signal is inactive based on the first oscillation signal and outputs the first detection signal as the second detection signal when the second oscillation signal is active. The oscillator, which is driven based on the second detection signal, outputs the first oscillation signal.

Description

전압 발생기 및 전압 발생 방법{Voltage Generator and Method using the same}Voltage generator and method using the same}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전압 발생기를 나타내는 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a voltage generator according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 전압 발생기에 포함된 래치부를 나타내는 회로도이다.2 is a circuit diagram illustrating a latch unit included in the voltage generator of FIG. 1 according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 1의 전압 발생기에 포함된 래치부를 나타내는 회로도이다.3 is a circuit diagram illustrating a latch unit included in the voltage generator of FIG. 1 according to another exemplary embodiment of the present disclosure.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 3의 래치부에 포함된 클럭 인버터를 나타내는 회로도이다.4 is a circuit diagram illustrating a clock inverter included in the latch unit of FIG. 3 according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전압 발생기를 나타내는 블록도이다.5 is a block diagram illustrating a voltage generator according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 5의 전압 발생기에 포함된 펄스폭 확장기를 나타내는 회로도이다.6 is a circuit diagram illustrating a pulse width expander included in the voltage generator of FIG. 5 according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 5의 전압 발생기에 포함된 래치부를 나타내는 회로도이다.FIG. 7 is a circuit diagram illustrating a latch unit included in the voltage generator of FIG. 5, according to an exemplary embodiment.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 5의 전압 발생기에 포함된 래치부를 나타내는 회로도이다.FIG. 8 is a circuit diagram illustrating a latch unit included in the voltage generator of FIG. 5, according to another exemplary embodiment.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 5의 전압 발생기의 동작을 나타내는 타이밍도이다.9 is a timing diagram illustrating an operation of the voltage generator of FIG. 5 according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 전압 발생기10: voltage generator

11 : 전압 검출부11: voltage detector

12 : 래치부12: latch portion

13 : 링 오실레이터13: ring oscillator

14 : 차지 펌프 14: charge pump

본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 전압 발생기(Voltage Generator) 및 전압 발생 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor devices, and more particularly, to a voltage generator and a voltage generating method.

일반적으로 반도체 장치는 외부에서 인가된 전압을 이용하여 내부 상황에 따라 다양한 레벨을 갖는 내부 전압을 생성하여 사용한다. 이때 외부 인가 전압보다 낮은 전압은 단순히 저항을 이용한 전압 분배기를 사용하여 생성되지만, 외부 인가 전압보다 높은 전압이나 반대의 위상을 가지는 전압을 생성하기 위해서는 차지 펌프를 이용한 전압 발생기를 사용하게 된다. 전압 발생기는 전압 검출부(Voltage Detector), 링 오실레이터(Ring Oscillator), 차지 펌프(Charge Pump) 등으로 간단 히 구성되는데, 차지 펌프가 1 주기 동작을 마치기 위해서는 최소한의 시간이 필요하게 된다. In general, a semiconductor device generates and uses an internal voltage having various levels according to an internal situation using a voltage applied from the outside. In this case, a voltage lower than the externally applied voltage is simply generated using a voltage divider using a resistor, but a voltage generator using a charge pump is used to generate a voltage having a voltage higher than the externally applied voltage or a reverse phase. The voltage generator consists of a voltage detector, a ring oscillator, and a charge pump. The voltage generator requires a minimum time to complete one cycle of operation.

종래의 전압 발생기는 링 오실레이터의 출력 신호가 "하이"인 구간에서 전압 검출부의 출력 신호가 "로우"로 변할 경우에, 그 즉시 차지 펌프의 동작도 멈추게 되는 문제가 발생할 수 있다. 전압 검출부의 출력 신호가 언제 "로우"로 변할지 예측할 수 없기 때문에 링 오실레이터의 출력 신호의 마지막 펄스폭이 얼마나 될지를 예측할 수 없다. In the conventional voltage generator, when the output signal of the voltage detector is changed to “low” in a section in which the output signal of the ring oscillator is “high”, a problem may occur in that the charge pump may stop immediately. Because it is impossible to predict when the output signal of the voltage detector will turn "low", it is impossible to predict how long the last pulse width of the output signal of the ring oscillator will be.

3단 펌핑(pumping)하는 차지 펌프의 경우를 예로 들어 설명하면, 링 오실레이터의 출력 신호의 펄스폭이 충분히 넓은 경우에 차지 펌프가 3단 펌핑까지 모두 동작하여 전하를 충분히 공급하므로 출력 전압이 목표치에 도달할 수 있다. 그러나, 링 오실레이터의 출력 신호의 펄스폭이 좁은 경우에는 차지 펌프가 2단 펌핑까지만 동작하여 전하가 전혀 공급되지 않을 수 있다. 또한, 차지 펌프가 동작하지 않는 동안 내부 노드들의 전압 레벨을 예측하기 어려우므로, 다음 동작 시 차지 펌프에서 오류가 발생할 수 있다. 만약, 차지 펌프가 동작하지 않는 동안 내부 노드들의 전압 레벨을 초기 상태로 프리차지하는 경로를 추가하는 경우에는 다음 동작 시 차지 펌프에서 오류는 발생하지 않을 수 있지만, 2단 펌핑까지 소모된 전력이 출력 전압의 레벨을 높이는 데 기여하지 못하게 된다. For example, in the case of a three-stage pumping charge pump, if the pulse width of the output signal of the ring oscillator is wide enough, the charge pump operates up to three stages of pumping to supply sufficient charge, so that the output voltage reaches the target value. Can be reached. However, when the pulse width of the output signal of the ring oscillator is narrow, the charge pump may operate up to two stage pumping so that no charge is supplied. In addition, since it is difficult to predict the voltage level of internal nodes while the charge pump is not operating, an error may occur in the charge pump during the next operation. If you add a path that precharges the internal node's voltage level to the initial state while the charge pump is not operating, the error may not occur in the charge pump during the next operation. It will not contribute to raising the level.

따라서 차지 펌프의 1 싸이클 주기를 보장하여 차지 펌프의 동작 오류를 방지하고, 전력 소모를 줄일 수 있는 전압 발생기가 필요하다.Therefore, there is a need for a voltage generator that guarantees one cycle of the charge pump, thereby preventing operation of the charge pump and reducing power consumption.

본 발명의 목적은 차지 펌프의 동작 오류를 방지하고, 전력 소모를 줄일 수 있는 전압 발생기(Voltage Generator)를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a voltage generator (Voltage Generator) that can prevent the operation error of the charge pump, and can reduce the power consumption.

본 발명의 다른 목적은 차지 펌프의 동작 오류를 방지하고, 전력 소모를 줄일 수 있는 전압 발생기를 포함하는 반도체 장치(Semiconductor Device)를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor device including a voltage generator capable of preventing an operation error of a charge pump and reducing power consumption.

본 발명의 또 다른 목적은 차지 펌프의 동작 오류를 방지하고, 전력 소모를 줄일 수 있는 전압 발생 방법을 제공하는데 있다.Still another object of the present invention is to provide a voltage generation method which can prevent an operation error of the charge pump and reduce power consumption.

본 발명의 일 실시예에 따른 전압 발생기(Voltage Generator)는 차지 펌프, 전압 검출부, 래치부 및 오실레이터를 포함한다. 상기 차지 펌프는 제1 발진 신호를 수신하고, 상기 제1 발진 신호가 활성화되는 구간동안 차지 펌핑을 수행하여, 내부 전압의 레벨을 조절한다. 상기 전압 검출부는 상기 내부 전압의 레벨을 검출하고, 상기 내부 전압이 기준 레벨을 벗어나는 경우에는 제1 검출 신호를 활성화하여 출력한다. 상기 래치부는 상기 제1 발진 신호에 기초한 제2 발진 신호가 비활성화된 경우에는 상기 제1 검출 신호를 버퍼링하여 제2 검출 신호로 출력하고, 상기 제2 발진 신호가 활성화된 경우에는 상기 제2 발진 신호가 활성화된 때에 래치된 상기 제1 검출 신호를 상기 제2 검출 신호로 출력한다. 상기 오실레이터는 상기 제2 검출 신호를 기초로 구동되어, 상기 제1 발진 신호를 출력한다.A voltage generator according to an embodiment of the present invention includes a charge pump, a voltage detector, a latch unit, and an oscillator. The charge pump receives the first oscillation signal and performs charge pumping during the period in which the first oscillation signal is activated to adjust the level of the internal voltage. The voltage detector detects a level of the internal voltage, and activates and outputs a first detection signal when the internal voltage is out of a reference level. The latch unit buffers the first detection signal and outputs the second detection signal when the second oscillation signal based on the first oscillation signal is inactivated, and when the second oscillation signal is activated, the second oscillation signal. Outputs the latched first detection signal as the second detection signal when is activated. The oscillator is driven based on the second detection signal to output the first oscillation signal.

실시예에 따라, 상기 제2 발진 신호는 상기 제1 발진 신호와 동일할 수 있다.In some embodiments, the second oscillation signal may be the same as the first oscillation signal.

실시예에 따라, 상기 전압 발생기는 상기 오실레이터의 출력단과 상기 래치부의 입력단 사이에 연결되어, 상기 제1 발진 신호를 입력받아 상기 제1 발진 신호의 활성화 구간을 확장시킨 상기 제2 발진 신호를 출력하는 펄스폭 확장기를 더 포함할 수 있다. 상기 펄스폭 확장기는 상기 제1 발진 신호를 N번(N은 2이상의 짝수) 반전시킨 신호 및 상기 제1 발진 신호를 논리합 연산하여 상기 제2 발진 신호를 출력할 수 있다.In an embodiment, the voltage generator is connected between an output terminal of the oscillator and an input terminal of the latch unit, and receives the first oscillation signal to output the second oscillation signal extending the activation period of the first oscillation signal. It may further comprise a pulse width expander. The pulse width expander may output the second oscillation signal by performing an OR operation on the signal obtained by inverting the first oscillation signal N times (N is an even number of 2 or more) and the first oscillation signal.

실시예에 따라, 상기 래치부는 상기 제2 발진 신호를 수신하여 반전시키는 제1 인버터; 상기 제1 인버터의 출력과 상기 제2 발진 신호에 응답하여 상기 제1 검출 신호를 전달하는 전달 게이트; 상기 전달 게이트를 통과한 상기 제1 검출 신호를 수신하여 반전시키는 제2 인버터; 상기 제2 인버터의 출력을 수신하여 반전시켜서 이를 상기 제2 인버터의 입력단에 제공하는 제3 인버터; 및 상기 제2 인버터의 출력을 수신하여 반전시켜서 상기 제2 검출 신호로 출력하는 제4 인버터를 포함할 수 있다.In an embodiment, the latch unit may include a first inverter configured to receive and invert the second oscillation signal; A transfer gate configured to transfer the first detection signal in response to an output of the first inverter and the second oscillation signal; A second inverter configured to receive and invert the first detection signal passing through the transfer gate; A third inverter configured to receive the output of the second inverter, invert it, and provide it to an input terminal of the second inverter; And a fourth inverter that receives the output of the second inverter, inverts the output of the second inverter, and outputs the second detection signal.

실시예에 따라, 상기 래치부는 상기 제2 발진 신호를 수신하여 반전시키는 제1 인버터; 상기 제1 인버터의 출력과 상기 제2 발진 신호에 응답하여 상기 제1 검출 신호를 전달하는 전달 게이트; 상기 전달 게이트를 통과한 상기 제1 검출 신호를 수신하여 반전시키는 제2 인버터; 상기 제1 인버터의 출력과 상기 제2 발진 신호에 의해 제어되고, 상기 제2 인버터의 출력을 수신하여 반전시켜서 이를 상기 제2 인버터의 입력단에 제공하는 클럭 인버터; 및 상기 제2 인버터의 출력을 수신하여 반전시켜서 상기 제2 검출 신호로 출력하는 제3 인버터를 포함할 수 있다.In an embodiment, the latch unit may include a first inverter configured to receive and invert the second oscillation signal; A transfer gate configured to transfer the first detection signal in response to an output of the first inverter and the second oscillation signal; A second inverter configured to receive and invert the first detection signal passing through the transfer gate; A clock inverter controlled by the output of the first inverter and the second oscillation signal, receiving and inverting the output of the second inverter and providing it to an input terminal of the second inverter; And a third inverter configured to receive the output of the second inverter, invert it, and output the inverted signal as the second detection signal.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치(Semiconductor device)는 차지 펌프, 전압 검출부, 래치부 및 오실레이터를 포함하는 전압 발생기를 포함할 수 있다. 상기 차지 펌프는 제1 발진 신호를 수신하고, 상기 제1 발진 신호가 활성화되는 구간동안 차지 펌핑을 수행하여, 내부 전압의 레벨을 조절한다. 상기 전압 검출부는 상기 내부 전압의 레벨을 검출하고, 상기 내부 전압이 기준 레벨을 벗어나는 경우에는 제1 검출 신호를 활성화하여 출력한다. 상기 래치부는 상기 제1 발진 신호에 기초한 제2 발진 신호가 비활성화된 경우에는 상기 제1 검출 신호를 버퍼링하여 제2 검출 신호로 출력하고, 상기 제2 발진 신호가 활성화된 경우에는 상기 제2 발진 신호가 활성화된 때에 래치된 상기 제1 검출 신호를 상기 제2 검출 신호로 출력한다. 상기 오실레이터는 상기 제2 검출 신호를 기초로 구동되어, 상기 제1 발진 신호를 출력한다.A semiconductor device according to an embodiment of the present invention may include a voltage generator including a charge pump, a voltage detector, a latch unit, and an oscillator. The charge pump receives the first oscillation signal and performs charge pumping during the period in which the first oscillation signal is activated to adjust the level of the internal voltage. The voltage detector detects a level of the internal voltage, and activates and outputs a first detection signal when the internal voltage is out of a reference level. The latch unit buffers the first detection signal and outputs the second detection signal when the second oscillation signal based on the first oscillation signal is inactivated, and when the second oscillation signal is activated, the second oscillation signal. Outputs the latched first detection signal as the second detection signal when is activated. The oscillator is driven based on the second detection signal to output the first oscillation signal.

실시예에 따라, 상기 제2 발진 신호는 상기 제1 발진 신호와 동일할 수 있다.In some embodiments, the second oscillation signal may be the same as the first oscillation signal.

실시예에 따라, 상기 전압 발생기는 상기 오실레이터의 출력단과 상기 래치부의 입력단 사이에 연결되어, 상기 제1 발진 신호를 입력받아 상기 제1 발진 신호의 활성화 구간을 확장시킨 상기 제2 발진 신호를 출력하는 펄스폭 확장기를 더 포함할 수 있다. 상기 펄스폭 확장기는 상기 제1 발진 신호를 N번(N은 2이상의 짝수) 반전시킨 신호 및 상기 제1 발진 신호를 논리합 연산하여 상기 제2 발진 신호를 출력할 수 있다.In an embodiment, the voltage generator is connected between an output terminal of the oscillator and an input terminal of the latch unit, and receives the first oscillation signal to output the second oscillation signal extending the activation period of the first oscillation signal. It may further comprise a pulse width expander. The pulse width expander may output the second oscillation signal by performing an OR operation on the signal obtained by inverting the first oscillation signal N times (N is an even number of 2 or more) and the first oscillation signal.

본 발명의 일 실시예에 따른 전압 발생 방법은 제1 발진 신호를 수신하고, 상기 제1 발진 신호가 활성화되는 구간동안 차지 펌핑을 수행하여, 상기 내부 전압의 레벨을 조절하는 단계; 상기 내부 전압의 레벨을 검출하고, 상기 내부 전압이 기준 레벨을 벗어나는 경우에는 제1 검출 신호를 활성화하여 출력하는 단계; 상기 제1 발진 신호에 기초한 제2 발진 신호가 비활성화된 경우에는 상기 제1 검출 신호를 버퍼링하여 제2 검출 신호로 출력하고, 상기 제2 발진 신호가 활성화된 경우에는 상기 제2 발진 신호가 활성화된 때에 래치된 상기 제1 검출 신호를 상기 제2 검출 신호로 출력하는 단계; 및 상기 제2 검출 신호를 기초로 구동하여, 상기 제1 발진 신호를 출력하는 단계를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a voltage generation method includes: receiving a first oscillation signal and performing charge pumping during a period in which the first oscillation signal is activated, adjusting the level of the internal voltage; Detecting a level of the internal voltage and activating and outputting a first detection signal when the internal voltage is out of a reference level; When the second oscillation signal based on the first oscillation signal is inactivated, the first detection signal is buffered and output as a second detection signal. When the second oscillation signal is activated, the second oscillation signal is activated. Outputting the latched first detection signal as the second detection signal; And driving based on the second detection signal to output the first oscillation signal.

실시예에 따라, 상기 제2 발진 신호는 상기 제1 발진 신호와 동일할 수 있다.In some embodiments, the second oscillation signal may be the same as the first oscillation signal.

실시예에 따라, 상기 전압 발생 방법은 상기 제1 발진 신호를 입력받아 상기 제1 발진 신호의 활성화 구간을 확장시킨 상기 제2 발진 신호를 출력하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 발진 신호를 출력하는 단계는 상기 제1 발진 신호를 N번(N은 2이상의 짝수) 반전시킨 신호 및 상기 제1 발진 신호를 논리합 연산하여 상기 제2 발진 신호를 출력할 수 있다.According to an embodiment, the voltage generation method may further include receiving the first oscillation signal and outputting the second oscillation signal extending the activation period of the first oscillation signal. The outputting of the second oscillation signal may output the second oscillation signal by performing an OR operation on the signal obtained by inverting the first oscillation signal N times (N is an even number of two or more) and the first oscillation signal.

본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다. With respect to the embodiments of the present invention disclosed in the text, specific structural to functional descriptions are merely illustrated for the purpose of describing embodiments of the present invention, embodiments of the present invention may be implemented in various forms and It should not be construed as limited to the embodiments described in.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 구성요소에 대해 사용하였다. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the drawings, similar reference numerals are used for the components.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다. When a component is referred to as being "connected" or "connected" to another component, it may be directly connected to or connected to that other component, but it may be understood that other components may be present in between. Should be. On the other hand, when a component is said to be "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that there is no other component in between. Other expressions describing the relationship between components, such as "between" and "immediately between," or "neighboring to," and "directly neighboring to" should be interpreted as well.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지 다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof that is described, and that one or more other features It should be understood that it does not exclude in advance the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail a preferred embodiment of the present invention. The same reference numerals are used for the same elements in the drawings, and duplicate descriptions of the same elements are omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전압 발생기를 나타내는 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a voltage generator according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 전압 발생기(10)는 전압 검출부(11), 래치부(12), 링 오실레이터(13) 및 차지펌프(14)를 포함하여 출력 전압(V14)을 생성한다.Referring to FIG. 1, the voltage generator 10 includes a voltage detector 11, a latch unit 12, a ring oscillator 13, and a charge pump 14 to generate an output voltage V14.

실시예에 따라, 상기 전압 발생기(10)는 외부 인가 전압보다 높은 전압을 생성하는 고전압 발생기(high voltage generator)일 수도 있고, 음의 전압을 생성하는 음전압 발생기(negative voltage generator)일 수도 있다. 이하에서는 설명의 편이 상 고전압 발생기의 동작에 대하여 설명하기로 한다. According to an embodiment, the voltage generator 10 may be a high voltage generator that generates a voltage higher than an externally applied voltage, or may be a negative voltage generator that generates a negative voltage. Hereinafter, the operation of the phase high voltage generator will be described for convenience of description.

상기 전압 검출부(11)는 상기 출력 전압(V14)을 감지하여, 상기 출력 전압(V14)이 목표치(target level)의 기준 전압 이하로 내려갈 때, 활성화되는 제1 검출 신호(V11)를 출력한다. 상기 전압 검출부(11)는 차동 증폭기형, 인버터형 등으로 다양하게 구현할 수 있음은 당업자에게 자명하다.The voltage detector 11 detects the output voltage V14 and outputs a first detection signal V11 that is activated when the output voltage V14 falls below a reference voltage of a target level. It will be apparent to those skilled in the art that the voltage detector 11 may be implemented in various ways such as a differential amplifier type or an inverter type.

상기 래치부(12)는 상기 제1 검출 신호(V11)를 수신하고, 그에 따라 래치 동작을 수행하여 제2 검출 신호(V12)를 출력한다. The latch unit 12 receives the first detection signal V11, and accordingly performs a latch operation to output the second detection signal V12.

상기 링 오실레이터(13)는 상기 제2 검출 신호(V12)를 수신하고, 상기 제2 검출 신호(V12)가 활성화된 경우에 구동하여, 발진 신호(V13)를 생성한다.The ring oscillator 13 receives the second detection signal V12 and is driven when the second detection signal V12 is activated to generate an oscillation signal V13.

상기 차지 펌프(14)는 상기 발진 신호(V13)를 수신하고, 상기 발진 신호(V13)가 활성화되는 구간동안 차지 펌핑을 수행하여, 상기 출력 전압(V14)을 생성한다. The charge pump 14 receives the oscillation signal V13 and performs charge pumping during a period in which the oscillation signal V13 is activated to generate the output voltage V14.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 전압 발생기에 포함된 래치부를 나타내는 회로도이다.2 is a circuit diagram illustrating a latch unit included in the voltage generator of FIG. 1 according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 래치부(12A)는 전달 게이트(111) 및 제1 내지 제4 인버터(112, 113, 114, 115)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the latch unit 12A includes a transfer gate 111 and first to fourth inverters 112, 113, 114, and 115.

상기 제1 인버터(112)는 상기 발진 신호(V13)를 수신하여 반전시켜, 상기 전달 게이트(111)에 제공한다. The first inverter 112 receives and inverts the oscillation signal V13 and provides the inverted signal to the transfer gate 111.

상기 전달 게이트(111)는 상기 발진 신호(V13) 및 그 반전 신호, 즉, 상기 제1 인버터(112)의 출력을 수신한다. 상기 발진 신호(V13)가 논리 '로우'일 때, 상기 전달 게이트(111)는 턴 온(turn on)되어, 상기 제1 검출 신호(V11)는 상기 제2 인버터(113)에 전달된다. 상기 발진 신호(V13)가 논리 '하이'일 때, 상기 전달 게이트(111)는 턴 오프(turn off)되어, 상기 제1 검출 신호(V11)는 상기 제2 인버터(113)에 전달되지 않는다.The transfer gate 111 receives the oscillation signal V13 and its inverted signal, that is, the output of the first inverter 112. When the oscillation signal V13 is logic 'low', the transfer gate 111 is turned on, so that the first detection signal V11 is transmitted to the second inverter 113. When the oscillation signal V13 is logic 'high', the transfer gate 111 is turned off, so that the first detection signal V11 is not transmitted to the second inverter 113.

상기 전달 게이트(111)가 턴 온될 때, 상기 제2 인버터(113)는 상기 제1 검출 신호(V11)를 수신하여 반전시킨다. 상기 제3 인버터(114)는 상기 제2 인버터(113)의 출력을 수신하여 반전시킨다. 상기 제3 인버터(114)의 출력단은 상기 제2 인버터(113)의 입력단과 연결되어, 래치 구조를 이룬다.When the transfer gate 111 is turned on, the second inverter 113 receives and inverts the first detection signal V11. The third inverter 114 receives and inverts the output of the second inverter 113. The output terminal of the third inverter 114 is connected to the input terminal of the second inverter 113 to form a latch structure.

상기 전달 게이트(111)가 턴 오프될 때, 상기 제2 인버터(113)는 상기 제1 검출 신호(V11)를 수신하지 않고, 상기 제3 인버터(114)의 출력을 수신하여 이전 레벨의 신호를 출력한다.When the transfer gate 111 is turned off, the second inverter 113 does not receive the first detection signal V11 and receives the output of the third inverter 114 to receive a previous level signal. Output

상기 제4 인버터(115)는 상기 제2 인버터(113)의 출력을 수신하여 반전시킨다. 상기 제4 인버터(115)의 출력이 상기 제2 검출 신호(V12)가 된다.The fourth inverter 115 receives and inverts the output of the second inverter 113. The output of the fourth inverter 115 becomes the second detection signal V12.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 1의 전압 발생기에 포함된 래치부를 나타내는 회로도이다.  3 is a circuit diagram illustrating a latch unit included in the voltage generator of FIG. 1 according to another exemplary embodiment of the present disclosure.

도 3을 참조하면, 래치부(12B)는 전달 게이트(121), 제1 내지 제3 인버터(122, 123, 125) 및 클럭 인버터(clocked inverter, 124)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the latch unit 12B includes a transfer gate 121, first to third inverters 122, 123, and 125 and a clocked inverter 124.

상기 제1 인버터(122)는 상기 발진 신호(V13)를 수신하고, 이를 반전시킨 출력 신호(V15)를 상기 전달 게이트(121)에 제공한다. The first inverter 122 receives the oscillation signal V13 and provides an output signal V15 inverted thereto to the transfer gate 121.

상기 전달 게이트(121)는 상기 발진 신호(V13) 및 그 반전 신호, 즉, 상기 제1 인버터(122)의 출력 신호(V15)를 수신한다. 상기 발진 신호(V13)가 논리 '로 우'일 때, 상기 전달 게이트(121)는 턴 온(turn on)되어, 상기 제1 검출 신호(V11)는 상기 제2 인버터(123)에 전달된다. 상기 발진 신호(V13)가 논리 '하이'일 때, 상기 전달 게이트(121)는 턴 오프(turn off)되어, 상기 제1 검출 신호(V11)는 상기 제2 인버터(123)에 전달되지 않는다.The transfer gate 121 receives the oscillation signal V13 and its inverted signal, that is, the output signal V15 of the first inverter 122. When the oscillation signal V13 is logic 'low', the transfer gate 121 is turned on, so that the first detection signal V11 is transmitted to the second inverter 123. When the oscillation signal V13 is logic 'high', the transfer gate 121 is turned off, so that the first detection signal V11 is not transmitted to the second inverter 123.

상기 전달 게이트(121)가 턴 온될 때, 상기 제2 인버터(123)는 상기 제1 검출 신호(V11)를 수신하고, 이를 반전시킨 출력 신호(V16)를 생성한다. 상기 클럭 인버터(124)는 상기 발진 신호(V13) 및 그 반전 신호(V15)에 응답하여, 상기 제2 인버터(123)의 출력 신호(V16)를 수신하고, 이를 반전시켜 출력 신호(V17)를 생성한다. 상기 클럭 인버터(124)의 내부 구조 및 동작에 대하여는 이하에서 도 4를 참조하여 설명하기로 한다. 상기 클럭 인버터(124)의 출력단은 상기 제2 인버터(123)의 입력단과 연결되어, 래치 구조를 이룬다.When the transfer gate 121 is turned on, the second inverter 123 receives the first detection signal V11 and generates an output signal V16 inverting it. The clock inverter 124 receives the output signal V16 of the second inverter 123 and inverts the output signal V17 in response to the oscillation signal V13 and its inverted signal V15. Create An internal structure and operation of the clock inverter 124 will be described below with reference to FIG. 4. The output terminal of the clock inverter 124 is connected to the input terminal of the second inverter 123 to form a latch structure.

상기 전달 게이트(121)가 턴 오프될 때, 상기 제2 인버터(123)는 상기 제1 검출 신호(V11)를 수신하지 않고, 상기 클럭 인버터(124)의 출력 신호(V17)를 수신하여 이전 레벨의 신호를 출력한다.When the transfer gate 121 is turned off, the second inverter 123 does not receive the first detection signal V11, but receives the output signal V17 of the clock inverter 124 to a previous level. Outputs the signal of.

상기 제3 인버터(125)는 상기 제2 인버터(123)의 출력 신호(V16)를 수신하여 반전시킨다. 상기 제4 인버터(125)의 출력이 상기 제2 검출 신호(V12)가 된다.The third inverter 125 receives and inverts the output signal V16 of the second inverter 123. The output of the fourth inverter 125 becomes the second detection signal V12.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 3의 래치부에 포함된 클럭 인버터를 나타내는 회로도이다.4 is a circuit diagram illustrating a clock inverter included in the latch unit of FIG. 3 according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 상기 클럭 인버터(124)는 전원 전압과 접지 전압 사이에 직렬 연결된 제1 및 제2 피모스 트랜지스터(MP1, MP2), 제1 및 제2 엔모스 트랜지 스터(MN1, MN2)를 포함한다. Referring to FIG. 4, the clock inverter 124 includes first and second PMOS transistors MP1 and MP2 and first and second NMOS transistors MN1 and MN2 connected in series between a power supply voltage and a ground voltage. ).

상기 제1 피모스 트랜지스터(MP1)의 게이트는 상기 발진 신호(V13)의 반전 신호, 즉, 상기 제1 인버터(122)의 출력 신호(V15)를 수신하고, 상기 제2 엔모스 트랜지스터(MN2)의 게이트는 상기 발진 신호(V13)를 수신한다. The gate of the first PMOS transistor MP1 receives the inverted signal of the oscillation signal V13, that is, the output signal V15 of the first inverter 122, and the second NMOS transistor MN2. The gate of receives the oscillation signal V13.

상기 발진 신호(V13)가 논리 '하이'일 때, 상기 제1 피모스 트랜지스터(MP1) 및 상기 제2 엔모스 트랜지스터(MN2)는 턴 온되어, 상기 클럭 인버터(124)는 반전 동작을 수행할 수 있다. 이 경우, 상기 제2 피모스 트랜지스터(MP2) 및 상기 제1 엔모스 트랜지스터(MN1)의 게이트는 상기 제2 인버터(123)의 출력 신호(V16)를 수신한다. 상기 제2 인버터(123)의 출력 신호(V16)가 논리 '하이'일 때, 상기 클럭 인버터(124)의 출력 신호(V17)는 논리 '로우'이고, 상기 제2 인버터(123)의 출력 신호(V16)가 논리 '로우'일 때, 상기 클럭 인버터(124)의 출력 신호(V17)는 논리 '하이'가 된다. When the oscillation signal V13 is logic 'high', the first PMOS transistor MP1 and the second NMOS transistor MN2 are turned on so that the clock inverter 124 performs an inversion operation. Can be. In this case, the gates of the second PMOS transistor MP2 and the first NMOS transistor MN1 receive the output signal V16 of the second inverter 123. When the output signal V16 of the second inverter 123 is logic 'high', the output signal V17 of the clock inverter 124 is logic 'low' and the output signal of the second inverter 123 is When V16 is logic 'low', the output signal V17 of the clock inverter 124 becomes logic 'high'.

상기 발진 신호(V13)가 논리 '로우'일 때, 상기 제1 피모스 트랜지스터(MP1) 및 상기 제2 엔모스 트랜지스터(MN2)는 턴 오프되어, 상기 클럭 인버터(124)는 반전 동작을 수행할 수 없다.When the oscillation signal V13 is logic 'low', the first PMOS transistor MP1 and the second NMOS transistor MN2 are turned off so that the clock inverter 124 performs an inversion operation. Can't.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전압 발생기를 나타내는 블록도이다.5 is a block diagram illustrating a voltage generator according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 전압 발생기(20)는 전압 검출부(21), 래치부(22), 링 오실레이터(23), 차지 펌프(24) 및 펄스폭 확장기(25)를 포함하여, 출력 전압(V24)을 생성한다. 상기 전압 발생기(20)는 도 1의 전압 발생기(10)와 달리 상기 펄스폭 확장기(25)를 더 포함하여, 상기 링 오실레이터(23)의 출력 신호(V23)의 펄스폭을 확 장하여 상기 래치부(22)에 제공한다.Referring to FIG. 5, the voltage generator 20 includes a voltage detector 21, a latch unit 22, a ring oscillator 23, a charge pump 24, and a pulse width expander 25, and output voltage V24. ) Unlike the voltage generator 10 of FIG. 1, the voltage generator 20 further includes the pulse width expander 25 to extend the pulse width of the output signal V23 of the ring oscillator 23 to the latch. It is provided to the part 22.

실시예에 따라, 상기 전압 발생기(20)는 고전압 발생기 또는 음전압 발생기일 수도 있으나, 이하에서는 설명의 편이 상, 고전압 발생기의 동작에 대하여 설명하기로 한다. According to an embodiment, the voltage generator 20 may be a high voltage generator or a negative voltage generator. Hereinafter, for convenience of description, the operation of the high voltage generator will be described.

상기 전압 검출부(21)는 상기 출력 전압(V24)을 감지하여, 상기 출력 전압(V24)이 목표치(target level)의 기준 전압 이하로 내려갈 때, 활성화되는 제1 검출 신호(V21)를 출력한다.The voltage detector 21 senses the output voltage V24 and outputs a first detection signal V21 that is activated when the output voltage V24 falls below a reference voltage of a target level.

상기 래치부(22)는 상기 제1 검출 신호(V21)를 수신하고, 그에 따라 래치 동작을 수행하여 제2 검출 신호(V22)를 출력한다. The latch unit 22 receives the first detection signal V21, and accordingly performs a latch operation to output the second detection signal V22.

상기 링 오실레이터(23)는 상기 제2 검출 신호(V22)를 기초로 구동되어, 제1 발진 신호(V23)를 출력한다.The ring oscillator 23 is driven based on the second detection signal V22 to output the first oscillation signal V23.

상기 차지 펌프(24)는 상기 제1 발진 신호(V23)를 수신하고, 상기 제1 발진 신호(V23)가 활성화되는 구간동안 차지 펌핑을 수행하여, 상기 출력 전압(V24)을 생성한다.The charge pump 24 receives the first oscillation signal V23 and performs charge pumping during a period in which the first oscillation signal V23 is activated to generate the output voltage V24.

상기 펄스폭 확장기(25)는 상기 링 오실레이터(23)의 출력단과 상기 래치부(22)의 입력단 사이에 연결되어, 상기 제1 발진 신호(V23)를 입력받아 상기 제1 발진 신호(V23)의 활성화 구간을 확장시킨 제2 발진 신호(V25)를 출력한다.The pulse width expander 25 is connected between an output terminal of the ring oscillator 23 and an input terminal of the latch unit 22 to receive the first oscillation signal V23 to receive the first oscillation signal V23. The second oscillation signal V25 having the extended activation period is output.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 5의 전압 발생기에 포함된 펄스폭 확장기를 나타내는 회로도이다.6 is a circuit diagram illustrating a pulse width expander included in the voltage generator of FIG. 5 according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 상기 펄스폭 확장기(25)는 출력 인버터(251), NOR 게이 트(252) 및 짝수개의 인버터(253, 254, 255, 256)를 포함한다.Referring to FIG. 6, the pulse width expander 25 includes an output inverter 251, a NOR gate 252, and an even number of inverters 253, 254, 255, and 256.

상기 짝수개의 인버터(253, 254, 255, 256)는 상기 제1 발진 신호(V23)를 수신하여 짝수 번 반전시켜서 지연된 제1 발진 신호를 출력한다. 상기 NOR 게이트(252)는 상기 제1 발진 신호(V23) 및 상기 지연된 제1 발진 신호를 수신하고, NOR 연산을 수행한다. 상기 출력 인버터(251)는 상기 NOR 게이트(252)의 출력을 수신하여 반전시킨다. 상기 출력 인버터(251)의 출력은 상기 제2 발진 신호(V25)가 된다. The even-numbered inverters 253, 254, 255, and 256 receive the first oscillation signal V23, invert the even number of times, and output a delayed first oscillation signal. The NOR gate 252 receives the first oscillation signal V23 and the delayed first oscillation signal and performs a NOR operation. The output inverter 251 receives and inverts the output of the NOR gate 252. The output of the output inverter 251 becomes the second oscillation signal V25.

상기 펄스폭 확장기(25)는 상기 NOR 게이트(252)와 상기 출력 인버터(251)를 포함하여 OR 연산을 수행하나, 실시예에 따라 그 구성을 달리하여 OR 연산을 수행할 수 있음은 당업자에게 자명하다.The pulse width expander 25 includes the NOR gate 252 and the output inverter 251. However, the pulse width expander 25 may perform an OR operation by varying the configuration according to an embodiment. Do.

상기 짝수개의 인버터의 수가 증가할수록, 상기 제1 발진 신호(V23)의 지연 량이 증가한다. 상기 펄스폭 확장기(25)는 상기 제1 발진 신호(V23)와 상기 지연된 제1 발진 신호에 대하여 OR 연산을 수행하므로, 상기 짝수개의 인버터의 수가 증가할수록, 상기 제2 발진 신호(V25)가 논리 '하이'인 구간, 즉, 펄스폭이 증가하게 된다. 따라서 상기 제1 검출 신호(V21)의 하강 에지 이후, 상기 제1 발진 신호V23)의 하강 에지까지의 마진(margin)을 적절히 확보하도록 상기 짝수개의 인버터의 수를 조절할 수 있다.As the number of even-numbered inverters increases, the delay amount of the first oscillation signal V23 increases. Since the pulse width expander 25 performs an OR operation on the first oscillation signal V23 and the delayed first oscillation signal, as the number of the even-numbered inverters increases, the second oscillation signal V25 is logic. The interval 'high', that is, the pulse width is increased. Accordingly, the number of even-numbered inverters may be adjusted to appropriately secure a margin from the falling edge of the first detection signal V21 to the falling edge of the first oscillation signal V23.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 5의 전압 발생기에 포함된 래치부를 나타내는 회로도이다.FIG. 7 is a circuit diagram illustrating a latch unit included in the voltage generator of FIG. 5, according to an exemplary embodiment.

도 7을 참조하면, 상기 래치부(22A)는 전달 게이트(211) 및 제1 내지 제4 인 버터(212, 213, 214, 215)를 포함한다.Referring to FIG. 7, the latch portion 22A includes a transfer gate 211 and first to fourth inverters 212, 213, 214, and 215.

상기 제1 인버터(212)는 상기 제2 발진 신호(V25)를 수신하여 반전시켜, 상기 전달 게이트(211)에 제공한다. The first inverter 212 receives and inverts the second oscillation signal V25 to provide it to the transfer gate 211.

상기 전달 게이트(211)는 상기 제2 발진 신호(V25) 및 그 반전 신호, 즉, 상기 제1 인버터(212)의 출력을 수신한다. 상기 제2 발진 신호(V25)가 논리 '로우'일 때, 상기 전달 게이트(211)는 턴 온(turn on)되어, 상기 제1 검출 신호(V21)는 상기 제2 인버터(213)에 전달된다. 상기 제2 발진 신호(V25)가 논리 '하이'일 때, 상기 전달 게이트(211)는 턴 오프(turn off)되어, 상기 제1 검출 신호(V21)는 상기 제2 인버터(213)에 전달되지 않는다.The transfer gate 211 receives the second oscillation signal V25 and its inverted signal, that is, the output of the first inverter 212. When the second oscillation signal V25 is logic 'low', the transfer gate 211 is turned on so that the first detection signal V21 is transmitted to the second inverter 213. . When the second oscillation signal V25 is logic 'high', the transfer gate 211 is turned off so that the first detection signal V21 is not transmitted to the second inverter 213. Do not.

상기 전달 게이트(211)가 턴 온될 때, 상기 제2 인버터(213)는 상기 제1 검출 신호(V21)를 수신하여 반전시킨다. 상기 제3 인버터(214)는 상기 제2 인버터(213)의 출력을 수신하여 반전시킨다. 상기 제3 인버터(214)의 출력단은 상기 제2 인버터(213)의 입력단과 연결되어, 래치 구조를 이룬다.When the transfer gate 211 is turned on, the second inverter 213 receives and inverts the first detection signal V21. The third inverter 214 receives and inverts the output of the second inverter 213. The output terminal of the third inverter 214 is connected to the input terminal of the second inverter 213 to form a latch structure.

상기 전달 게이트(211)가 턴 오프될 때, 상기 제2 인버터(213)는 상기 제1 검출 신호(V21)를 수신하지 않고, 상기 제3 인버터(214)의 출력을 수신하여 이전 레벨의 신호를 출력한다.When the transfer gate 211 is turned off, the second inverter 213 does not receive the first detection signal V21 and receives the output of the third inverter 214 to receive a previous level signal. Output

상기 제4 인버터(215)는 상기 제2 인버터(213)의 출력을 수신하여 반전시킨다. 상기 제4 인버터(215)의 출력이 상기 제2 검출 신호(V22)가 된다.The fourth inverter 215 receives and inverts the output of the second inverter 213. The output of the fourth inverter 215 becomes the second detection signal V22.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 5의 전압 발생기에 포함된 래치부를 나타내는 회로도이다.FIG. 8 is a circuit diagram illustrating a latch unit included in the voltage generator of FIG. 5, according to another exemplary embodiment.

도 8을 참조하면, 상기 래치부(22B)는 전달 게이트(221), 제1 내지 제3 인버터(222, 223, 225) 및 클럭 인버터(224)를 포함한다.Referring to FIG. 8, the latch unit 22B includes a transfer gate 221, first to third inverters 222, 223, and 225, and a clock inverter 224.

상기 제1 인버터(222)는 상기 제2 발진 신호(V25)를 수신하고, 이를 반전시킨 출력 신호(V26)를 상기 전달 게이트(221)에 제공한다. The first inverter 222 receives the second oscillation signal V25 and provides an output signal V26 inverted thereto to the transfer gate 221.

상기 전달 게이트(221)는 상기 제2 발진 신호(V25) 및 그 반전 신호, 즉, 상기 제1 인버터(222)의 출력 신호(V26)를 수신한다. 상기 제2 발진 신호(V25)가 논리 '로우'일 때, 상기 전달 게이트(221)는 턴 온(turn on)되어, 상기 제1 검출 신호(V21)는 상기 제2 인버터(223)에 전달된다. 상기 제2 발진 신호(V25)가 논리 '하이'일 때, 상기 전달 게이트(221)는 턴 오프(turn off)되어, 상기 제1 검출 신호(V21)는 상기 제2 인버터(223)에 전달되지 않는다.The transfer gate 221 receives the second oscillation signal V25 and its inverted signal, that is, the output signal V26 of the first inverter 222. When the second oscillation signal V25 is logic 'low', the transfer gate 221 is turned on so that the first detection signal V21 is transmitted to the second inverter 223. . When the second oscillation signal V25 is logic 'high', the transfer gate 221 is turned off so that the first detection signal V21 is not transmitted to the second inverter 223. Do not.

상기 전달 게이트(221)가 턴 온될 때, 상기 제2 인버터(223)는 상기 제1 검출 신호(V21)를 수신하고, 이를 반전시킨 출력 신호(V27)를 생성한다. 상기 클럭 인버터(224)는 상기 제2 발진 신호(V25) 및 그 반전 신호(V26)에 응답하여, 상기 제2 인버터(223)의 출력 신호(V27)를 수신하고, 이를 반전시켜 출력 신호(V28)를 생성한다. 상기 클럭 인버터(224)의 내부 구조 및 동작은 도 4와 동일하므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다. 상기 클럭 인버터(224)의 출력단은 상기 제2 인버터(223)의 입력단과 연결되어, 래치 구조를 이룬다.When the transfer gate 221 is turned on, the second inverter 223 receives the first detection signal V21 and generates an inverted output signal V27. The clock inverter 224 receives the output signal V27 of the second inverter 223 in response to the second oscillation signal V25 and the inverted signal V26 thereof, and inverts the output signal V28. ) Since the internal structure and operation of the clock inverter 224 are the same as in FIG. 4, a detailed description thereof will be omitted. The output terminal of the clock inverter 224 is connected to the input terminal of the second inverter 223 to form a latch structure.

상기 전달 게이트(221)가 턴 오프될 때, 상기 제2 인버터(223)는 상기 제1 검출 신호(V21)를 수신하지 않고, 상기 클럭 인버터(224)의 출력 신호(V28)를 수신하여 이전 레벨의 신호를 출력한다.When the transfer gate 221 is turned off, the second inverter 223 does not receive the first detection signal V21, but receives the output signal V28 of the clock inverter 224 to provide a previous level. Outputs the signal of.

상기 제3 인버터(225)는 상기 제2 인버터(223)의 출력 신호(V27)를 수신하여 반전시킨다. 상기 제4 인버터(225)의 출력이 상기 제2 검출 신호(V22)가 된다.The third inverter 225 receives and inverts the output signal V27 of the second inverter 223. The output of the fourth inverter 225 becomes the second detection signal V22.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 5의 전압 발생기의 동작을 나타내는 타이밍도이다. 9 is a timing diagram illustrating an operation of the voltage generator of FIG. 5 according to an embodiment of the present invention.

도 5의 전압 발생기(20)는 도 7의 래치부(22A) 또는 도 8의 래치부(22B)를 포함할 수 있으나, 이하에서는 도 8의 래치부(22B)가 도 5의 전압 발생기(20)에 포함된 경우를 설명하기로 한다.The voltage generator 20 of FIG. 5 may include the latch portion 22A of FIG. 7 or the latch portion 22B of FIG. 8, but the latch portion 22B of FIG. 8 is referred to as the voltage generator 20 of FIG. 5. Will be described.

도 9를 참조하면, 상기 출력 전압(V24), 상기 전압 검출부(21)의 제1 검출 신호(V21), 상기 래치부(22)의 제2 검출 신호(V22), 상기 링 오실레이터(23)의 제1 발진 신호(V23), 상기 펄스폭 확장기(25)의 제2 발진 신호(V25)가 순서대로 나타난다.Referring to FIG. 9, the output voltage V24, the first detection signal V21 of the voltage detector 21, the second detection signal V22 of the latch unit 22, and the ring oscillator 23 The first oscillation signal V23 and the second oscillation signal V25 of the pulse width expander 25 appear in order.

상기 차지 펌프(24)의 출력 전압(V24)이 목표치(target level) 이하로 내려가면, 상기 전압 검출부(21)는 이를 감지하여 상기 제1 검출 신호(V21)를 논리 '하이'로 출력한다. 이 경우, 상기 링 오실레이터(23)는 동작하기 전이므로, 상기 제1 발진 신호(V23)는 논리 '로우'이고, 상기 펄스폭 확장기(25)의 상기 제2 발진 신호(V25)도 논리 '로우'이다. 상기 제2 발진 신호(V25)에 응답하여, 상기 래치부(22B)의 상기 전달 게이트(221)는 턴 온되므로, '하이' 상태인 상기 제1 검출 신호(V21)가 전달되어 상기 래치부(22B)는 논리 '하이'인 제2 검출 신호(V22)를 출력한다.   When the output voltage V24 of the charge pump 24 falls below a target level, the voltage detector 21 detects this and outputs the first detection signal V21 as logic 'high'. In this case, since the ring oscillator 23 is before operation, the first oscillation signal V23 is logic 'low', and the second oscillation signal V25 of the pulse width expander 25 is also logic 'low'. 'to be. In response to the second oscillation signal V25, the transfer gate 221 of the latch unit 22B is turned on, so that the first detection signal V21 in a 'high' state is transferred to the latch unit ( 22B) outputs a second detection signal V22 that is logic 'high'.

상기 제2 검출 신호(22)가 논리 '하이'일 때, 상기 링 오실레이터(23)는 동 작하여 일정한 펄스 신호, 즉, 상기 제1 발진 신호(V23)를 출력한다. 상기 차지 펌프(24)는 상기 제1 발진 신호(V23)에 응답하여 펌핑 동작을 수행하여 출력 노드에 전하를 공급하고, 이로써 상기 출력 전압(V24)은 상승된다.When the second detection signal 22 is logic 'high', the ring oscillator 23 operates to output a constant pulse signal, that is, the first oscillation signal V23. The charge pump 24 performs a pumping operation in response to the first oscillation signal V23 to supply charge to an output node, whereby the output voltage V24 is raised.

상기 제2 검출 신호(V12)에 응답하여 상기 링 오실레이터(23)의 동작이 시작되면, 상기 링 오실레이터(23)는 일정한 펄스폭을 가진 상기 제1 발진 신호(V23)를 계속 생성한다. 상기 펄스폭 확장기(25)는 상기 제1 발진 신호(V23)를 수신하여, 펄스폭이 증가된 상기 제2 발진 신호(V25)를 생성한다. 상기 제2 발진 신호(V25)가 논리 '1'인 동안에 상기 래치부(22B)의 상기 전달 게이트(221)는 상기 제1 검출 신호(V21)를 전달하지 않는다. When the operation of the ring oscillator 23 starts in response to the second detection signal V12, the ring oscillator 23 continues to generate the first oscillation signal V23 having a constant pulse width. The pulse width expander 25 receives the first oscillation signal V23 to generate the second oscillation signal V25 having an increased pulse width. The transfer gate 221 of the latch unit 22B does not transmit the first detection signal V21 while the second oscillation signal V25 is a logic '1'.

따라서 상기 출력 전압(V24)이 상기 목표치(target level) 이상으로 상승하여 상기 제1 검출 신호(V21)가 논리 '로우'로 바뀌더라도, 상기 제1 발진 신호(V23)가 논리 '하이'인 동안에는 상기 제2 발진 신호(V24)도 논리 '하이'이다. 이 경우, 상기 래치부(22)의 상기 전달 게이트(221)는 논리 '로우'인 상기 제1 검출 신호(V21)를 전달하지 않고, 래치된 논리 '하이' 신호를 상기 제2 검출 신호(V22)로 출력한다. 즉, 상기 출력 전압이 상기 목표치 이상으로 상승하더라도 상기 제2 검출 신호(V22)는 논리 '하이'를 유지하여, 상기 차지 펌프(24)의 펌핑 동작의 1 주기를 보장한다. Therefore, even if the output voltage V24 rises above the target level and the first detection signal V21 turns to logic 'low', while the first oscillation signal V23 is logic 'high', The second oscillation signal V24 is also logic 'high'. In this case, the transfer gate 221 of the latch unit 22 does not transmit the first detection signal V21 that is logic 'low', and transmits the latched logic 'high' signal to the second detection signal V22. ) That is, even if the output voltage rises above the target value, the second detection signal V22 maintains a logic 'high' to ensure one cycle of the pumping operation of the charge pump 24.

일단 동작이 시작된 상기 차지 펌프(24)의 1 주기가 종료된 후에, 상기 제2 검출 신호(V22)가 논리 '로우'로 변하여 상기 링 오실레이터(23)의 동작이 멈추고, 상기 제1 발진 신호(V23)가 논리 '로우'로 변한다. 상기 차지 펌프(24)의 펌핑 동 작의 1 주기가 보장되므로, 상기 차지 펌프(24)의 동작 오류를 방지할 수 있고, 전력 소모도 감소시킬 수 있다.After one cycle of the charge pump 24 once started, the second detection signal V22 turns to logic 'low' to stop the operation of the ring oscillator 23 and the first oscillation signal ( V23) changes to logic 'low'. Since one cycle of the pumping operation of the charge pump 24 is guaranteed, an operation error of the charge pump 24 can be prevented and power consumption can be reduced.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 전압 발생기 및 전압 발생 방법은 차지 펌프의 펌핑 동작의 1 주기를 보장하여 차지 펌프의 동작 오류를 방지하고, 전력 소모를 감소시킬 수 있다. As described above, the voltage generator and the voltage generating method according to the embodiment of the present invention can guarantee one cycle of the pumping operation of the charge pump, thereby preventing an operation error of the charge pump and reducing power consumption.

실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described with reference to the examples, those skilled in the art can understand that the present invention can be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. There will be.

Claims (14)

제1 발진 신호를 수신하고, 상기 제1 발진 신호가 활성화되는 구간동안 차지 펌핑을 수행하여, 내부 전압의 레벨을 조절하는 차지 펌프;A charge pump configured to receive a first oscillation signal and perform charge pumping during a period in which the first oscillation signal is activated, thereby adjusting a level of an internal voltage; 상기 내부 전압의 레벨을 검출하고, 상기 내부 전압이 기준 레벨을 벗어나는 경우에는 제1 검출 신호를 활성화하여 출력하는 전압 검출부;A voltage detector detecting the level of the internal voltage and activating and outputting a first detection signal when the internal voltage is out of a reference level; 상기 제1 발진 신호에 기초한 제2 발진 신호가 비활성화된 경우에는 상기 제1 검출 신호를 버퍼링하여 제2 검출 신호로 출력하고, 상기 제2 발진 신호가 활성화된 경우에는 상기 제2 발진 신호가 활성화된 때에 래치된 상기 제1 검출 신호를 상기 제2 검출 신호로 출력하는 래치부; 및When the second oscillation signal based on the first oscillation signal is inactivated, the first detection signal is buffered and output as a second detection signal. When the second oscillation signal is activated, the second oscillation signal is activated. A latch unit for outputting the first detection signal latched at the time as the second detection signal; And 상기 제2 검출 신호를 기초로 구동되어, 상기 제1 발진 신호를 출력하는 오실레이터를 포함하는 전압 발생기(Voltage Generator).And a oscillator driven based on the second detection signal to output the first oscillation signal. 제1항에 있어서, 상기 제2 발진 신호는 상기 제1 발진 신호와 동일한 것을 특징으로 하는 전압 발생기.The voltage generator of claim 1, wherein the second oscillation signal is the same as the first oscillation signal. 제1항에 있어서, 상기 전압 발생기는 상기 오실레이터의 출력단과 상기 래치부의 입력단 사이에 연결되어, 상기 제1 발진 신호를 입력받아 상기 제1 발진 신호의 활성화 구간을 확장시킨 상기 제2 발진 신호를 출력하는 펄스폭 확장기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 발생기.The oscillator of claim 1, wherein the voltage generator is connected between an output terminal of the oscillator and an input terminal of the latch unit, and receives the first oscillation signal to output the second oscillation signal extending the activation period of the first oscillation signal. The voltage generator further comprises a pulse width expander. 제3항에 있어서, 상기 펄스폭 확장기는 상기 제1 발진 신호를 N번(N은 2이상의 짝수) 반전시킨 신호 및 상기 제1 발진 신호를 논리합 연산하여 상기 제2 발진 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 전압 발생기.4. The pulse oscillator of claim 3, wherein the pulse width expander outputs the second oscillation signal by performing an OR operation on the signal obtained by inverting the first oscillation signal N times (N is an even number of 2 or more) and the first oscillation signal. Voltage generator. 제4항에 있어서, 상기 래치부는The method of claim 4, wherein the latch unit 상기 제2 발진 신호를 수신하여 반전시키는 제1 인버터;A first inverter configured to receive and invert the second oscillation signal; 상기 제1 인버터의 출력과 상기 제2 발진 신호에 응답하여 상기 제1 검출 신호를 전달하는 전달 게이트;A transfer gate configured to transfer the first detection signal in response to an output of the first inverter and the second oscillation signal; 상기 전달 게이트를 통과한 상기 제1 검출 신호를 수신하여 반전시키는 제2 인버터;A second inverter configured to receive and invert the first detection signal passing through the transfer gate; 상기 제2 인버터의 출력을 수신하여 반전시켜서 이를 상기 제2 인버터의 입력단에 제공하는 제3 인버터; 및A third inverter configured to receive the output of the second inverter, invert it, and provide it to an input terminal of the second inverter; And 상기 제2 인버터의 출력을 수신하여 반전시켜서 상기 제2 검출 신호로 출력하는 제4 인버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 발생기.And a fourth inverter which receives the output of the second inverter, inverts the output of the second inverter, and outputs the second detection signal. 제4항에 있어서, 상기 래치부는The method of claim 4, wherein the latch unit 상기 제2 발진 신호를 수신하여 반전시키는 제1 인버터;A first inverter configured to receive and invert the second oscillation signal; 상기 제1 인버터의 출력과 상기 제2 발진 신호에 응답하여 상기 제1 검출 신호를 전달하는 전달 게이트;A transfer gate configured to transfer the first detection signal in response to an output of the first inverter and the second oscillation signal; 상기 전달 게이트를 통과한 상기 제1 검출 신호를 수신하여 반전시키는 제2 인버터;A second inverter configured to receive and invert the first detection signal passing through the transfer gate; 상기 제1 인버터의 출력과 상기 제2 발진 신호에 의해 제어되고, 상기 제2 인버터의 출력을 수신하여 반전시켜서 이를 상기 제2 인버터의 입력단에 제공하는 클럭 인버터; 및A clock inverter controlled by the output of the first inverter and the second oscillation signal, receiving and inverting the output of the second inverter and providing it to an input terminal of the second inverter; And 상기 제2 인버터의 출력을 수신하여 반전시켜서 상기 제2 검출 신호로 출력하는 제3 인버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 발생기.And a third inverter which receives the output of the second inverter, inverts the output of the second inverter, and outputs the second detection signal. 제1 발진 신호를 수신하고, 상기 제1 발진 신호가 활성화되는 구간동안 차지 펌핑을 수행하여, 내부 전압의 레벨을 조절하는 차지 펌프;A charge pump configured to receive a first oscillation signal and perform charge pumping during a period in which the first oscillation signal is activated, thereby adjusting a level of an internal voltage; 상기 내부 전압의 레벨을 검출하고, 상기 내부 전압이 기준 레벨을 벗어나는 경우에는 제1 검출 신호를 활성화하여 출력하는 전압 검출부;A voltage detector detecting the level of the internal voltage and activating and outputting a first detection signal when the internal voltage is out of a reference level; 상기 제1 발진 신호에 기초한 제2 발진 신호가 비활성화된 경우에는 상기 제1 검출 신호를 버퍼링하여 제2 검출 신호로 출력하고, 상기 제2 발진 신호가 활성화된 경우에는 상기 제2 발진 신호가 활성화된 때에 래치된 상기 제1 검출 신호를 상기 제2 검출 신호로 출력하는 래치부; 및When the second oscillation signal based on the first oscillation signal is inactivated, the first detection signal is buffered and output as a second detection signal. When the second oscillation signal is activated, the second oscillation signal is activated. A latch unit for outputting the first detection signal latched at the time as the second detection signal; And 상기 제2 검출 신호를 기초로 구동되어, 상기 제1 발진 신호를 출력하는 오실레이터를 포함하는 전압 발생기(Voltage Generator)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치(Semiconductor device).And a voltage generator driven on the basis of the second detection signal and including an oscillator for outputting the first oscillation signal. 제7항에 있어서, 상기 제2 발진 신호는 상기 제1 발진 신호와 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.8. The semiconductor device of claim 7, wherein the second oscillation signal is the same as the first oscillation signal. 제7항에 있어서, 상기 전압 발생기는 상기 오실레이터의 출력단과 상기 래치부의 입력단 사이에 연결되어, 상기 제1 발진 신호를 입력받아 상기 제1 발진 신호의 활성화 구간을 확장시킨 상기 제2 발진 신호를 출력하는 펄스폭 확장기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.The oscillator of claim 7, wherein the voltage generator is connected between an output terminal of the oscillator and an input terminal of the latch unit, and receives the first oscillation signal to output the second oscillation signal extending the activation period of the first oscillation signal. The semiconductor device further comprises a pulse width expander. 제9항에 있어서, 상기 펄스폭 확장기는 상기 제1 발진 신호를 N번(N은 2이상의 짝수) 반전시킨 신호 및 상기 제1 발진 신호를 논리합 연산하여 상기 제2 발진 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.10. The method of claim 9, wherein the pulse width expander outputs the second oscillation signal by performing an OR operation on the signal obtained by inverting the first oscillation signal N times (N is an even number of 2 or more) and the first oscillation signal. Semiconductor device. 제1 발진 신호를 수신하고, 상기 제1 발진 신호가 활성화되는 구간동안 차지 펌핑을 수행하여, 상기 내부 전압의 레벨을 조절하는 단계;Adjusting a level of the internal voltage by receiving a first oscillation signal and performing charge pumping during a period in which the first oscillation signal is activated; 상기 내부 전압의 레벨을 검출하고, 상기 내부 전압이 기준 레벨을 벗어나는 경우에는 제1 검출 신호를 활성화하여 출력하는 단계;Detecting a level of the internal voltage and activating and outputting a first detection signal when the internal voltage is out of a reference level; 상기 제1 발진 신호에 기초한 제2 발진 신호가 비활성화된 경우에는 상기 제1 검출 신호를 버퍼링하여 제2 검출 신호로 출력하고, 상기 제2 발진 신호가 활성화된 경우에는 상기 제2 발진 신호가 활성화된 때에 래치된 상기 제1 검출 신호를 상기 제2 검출 신호로 출력하는 단계; 및When the second oscillation signal based on the first oscillation signal is inactivated, the first detection signal is buffered and output as a second detection signal. When the second oscillation signal is activated, the second oscillation signal is activated. Outputting the latched first detection signal as the second detection signal; And 상기 제2 검출 신호를 기초로 구동하여, 상기 제1 발진 신호를 출력하는 단계를 포함하는 전압 발생 방법.And driving the second detection signal based on the second detection signal to output the first oscillation signal. 제11항에 있어서, 상기 제2 발진 신호는 상기 제1 발진 신호와 동일한 것을 특징으로 하는 전압 발생 방법.12. The method of claim 11, wherein the second oscillation signal is the same as the first oscillation signal. 제11항에 있어서, 상기 전압 발생 방법은 상기 제1 발진 신호를 입력받아 상기 제1 발진 신호의 활성화 구간을 확장시킨 상기 제2 발진 신호를 출력하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 발생 방법.12. The method of claim 11, wherein the voltage generation method further comprises receiving the first oscillation signal and outputting the second oscillation signal extending the activation period of the first oscillation signal. . 제13항에 있어서, 상기 제2 발진 신호를 출력하는 단계는 상기 제1 발진 신호를 N번(N은 2이상의 짝수) 반전시킨 신호 및 상기 제1 발진 신호를 논리합 연산하여 상기 제2 발진 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 전압 발생 방법.The method of claim 13, wherein the outputting of the second oscillation signal comprises performing an OR operation on the signal obtained by inverting the first oscillation signal N times (N is an even number of two or more) and the first oscillation signal to generate the second oscillation signal. Voltage generation method characterized in that the output.
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