KR20080045336A - Electrostatic chuck and method of manufacturing the same - Google Patents

Electrostatic chuck and method of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR20080045336A
KR20080045336A KR1020060114303A KR20060114303A KR20080045336A KR 20080045336 A KR20080045336 A KR 20080045336A KR 1020060114303 A KR1020060114303 A KR 1020060114303A KR 20060114303 A KR20060114303 A KR 20060114303A KR 20080045336 A KR20080045336 A KR 20080045336A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
base plate
buffer member
electrostatic
sheet
electrostatic chuck
Prior art date
Application number
KR1020060114303A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김용기
Original Assignee
주식회사 코미코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 코미코 filed Critical 주식회사 코미코
Priority to KR1020060114303A priority Critical patent/KR20080045336A/en
Publication of KR20080045336A publication Critical patent/KR20080045336A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

An electrostatic chuck and a method of manufacturing the same are provided to prevent bubbles from being generated at the intervals of buffering member, a bonding sheet and a base plate by inserting an uneven bonding sheet between the base plate and the buffering member. A bonding sheet(200) on which unevenness(210) is formed is located on a base plate(100). A buffering member(300) is located on the bonding sheet. The buffering member is joined to the base plate by compressing the bonding sheet and exhausting the air between the base plate and the bonding sheet through an interval of the unevenness. An electrostatic sheet(400) is located on the buffering member.

Description

정전척 및 이의 제조 방법{Electrostatic Chuck And Method of Manufacturing The Same}Electrostatic Chuck And Method of Manufacturing The Same

도 1은 종래의 정전척의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a conventional method for manufacturing an electrostatic chuck.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일실시예에 따른 정전척의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.2A to 2D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electrostatic chuck in accordance with an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 알루미늄 바디 20, 200 : 접착 시트10: aluminum body 20, 200: adhesive sheet

30, 300 : 완충 부재 40, 400 : 정전 시트30, 300: buffer member 40, 400: electrostatic sheet

100 : 베이스 플레이트 210 : 요철100: base plate 210: irregularities

본 발명은 정전척 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 정전척의 평탄도를 향상시키기 위한 정전척 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an electrostatic chuck and a manufacturing method thereof, and more particularly, to an electrostatic chuck and a manufacturing method thereof for improving the flatness of the electrostatic chuck.

일반적으로 반도체 장치는 웨이퍼 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로를 형성하는 공정을 통해 제조된다. 반도체 제조 공정에 있어서, CVD 장치나 에칭 장치에서 웨이퍼를 정확한 위치에 고정시키기 위하여 정전척이 이용되고 있다. 또한, 최근 디스플레이 산업의 발전에 따라 평판표시장치의 유리 기판과 같은 대상물을 고정하기 위하여 정전척이 이용되고 있다.In general, semiconductor devices are manufactured through a process of forming an electrical circuit including electrical elements on a wafer. BACKGROUND OF THE INVENTION In a semiconductor manufacturing process, an electrostatic chuck is used to fix a wafer at an accurate position in a CVD apparatus or an etching apparatus. Also, in recent years, with the development of the display industry, an electrostatic chuck is used to fix an object such as a glass substrate of a flat panel display device.

정전척은 그 표면에 놓여있는 도체 또는 반도체로 이루어진 피처리 기판 사이에서 전위차에 의해 발생되는 유전분극 현상과 정전기력이 발생되는 기본원리를 이용하여 피처리 기판에 대하여 척킹(chucking) 또는 디척킹(dechucking)을 수행한다.The electrostatic chuck chucks or dechucks the substrate by using dielectric polarization caused by a potential difference and a basic principle of generating electrostatic force between substrates made of a conductor or semiconductor placed on the surface thereof. ).

일반적으로, 정전척은 알루미늄 바디와 같은 서셉터와 피처리 기판 사이에 배치된 정전 시트와 같은 유전체를 포함한다. 최근 피처리 기판의 대구경화가 이루짐에 따라, 피처리 기판이 균일하게 접착되지 않고 정전척의 표면과 기판 사이에 갭(gap)이 형성되어 평탄도가 저하되는 문제들이 발생된다.In general, an electrostatic chuck includes a dielectric such as an electrostatic sheet disposed between a susceptor such as an aluminum body and a substrate to be processed. As a large diameter of a substrate to be processed has recently been achieved, a problem arises in that the substrate is not uniformly bonded and a gap is formed between the surface of the electrostatic chuck and the substrate to reduce flatness.

이러한 문제는 특히, 정전척의 유전체로서 경도가 높은 세라믹을 사용하거나 알루미늄과 같은 금속재질로 이루어진 서셉터를 이용할 경우 빈번히 발생된다. 이는 공정 중에서 발생되는 진동이나 충격이 정전척에서 흡수되지 못하여 바로 피처리 기판에 전달됨으로서 발생된다. 따라서, 현재 많은 제조사들에서는 완충 기능이 부가된 정전척을 개발하기 위하여 많은 연구가 진행되고 있다. This problem occurs particularly frequently when using a ceramic of high hardness as the dielectric of the electrostatic chuck or using a susceptor made of metal such as aluminum. This is caused by the vibrations or shocks generated during the process not being absorbed by the electrostatic chuck and immediately transmitted to the substrate to be processed. Therefore, many studies are currently underway to develop an electrostatic chuck with a shock absorbing function.

도 1은 종래의 정전척의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a conventional method for manufacturing an electrostatic chuck.

도 1을 참조하면, 알루미늄 바디(10) 상에 정전 시트(40)를 배치시키고, 상기 알루미늄 바디(10)와 상기 정전 시트(40) 사이에 완충 부재(30)를 개재시킨다. 상기 완충 부재(30)는 진동이나 충격을 흡수하는 기능을 한다. 상기 완충 부재(30)는 접착 시트(20)에 의해 상기 알루미늄 바디(10)에 접착된다. Referring to FIG. 1, an electrostatic sheet 40 is disposed on an aluminum body 10, and a buffer member 30 is interposed between the aluminum body 10 and the electrostatic sheet 40. The shock absorbing member 30 functions to absorb vibration or shock. The buffer member 30 is adhered to the aluminum body 10 by an adhesive sheet 20.

그러나, 종래의 완충 기능을 갖는 정전척의 제조 방법에 있어서, 상기 접착 시트(20)를 상기 알루미늄 바디(10)에 접합하는 작업 중에 완충부재와 알루미늄 바디 사이에 미세한 기포가 발생되고 포획되어 빠져나가지 못하고, 정전척이 실제 사용되는 고진공의 분위기에서는 크게 부풀어올라, 정전척의 평탄도를 저하시키는 문제점이 있다. However, in the conventional manufacturing method of the electrostatic chuck having a shock absorbing function, fine bubbles are generated and trapped between the shock absorbing member and the aluminum body during the operation of bonding the adhesive sheet 20 to the aluminum body 10. In the high vacuum atmosphere in which the electrostatic chuck is actually used, there is a problem that it swells greatly and lowers the flatness of the electrostatic chuck.

본 발명의 목적은 요철이 형성된 접착 시트를 베이스 플레이트와 완충 부재 사이에 개재시켜 접착함으로써 접착시 요철 부위를 통하여 기포가 제거되어 고진공시 기포가 부풀어오르는 것을 방지할 수 있는 정전척 및 이의 제조 방법을 제공하는 데 있다. An object of the present invention is to provide an electrostatic chuck and a method of manufacturing the same, which prevents bubbles from swelling during high vacuum by removing the air bubbles through the uneven portion during adhesion by interposing an adhesive sheet having irregularities formed between the base plate and the buffer member. To provide.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 정전척의 제조 방법은 베이스 플레이트 상에 요철이 형성된 접착 시트를 배치시키는 단계, 상기 접착 시트 상에 완충 부재를 배치시키는 단계, 상기 완충 부재를 압착하여, 상기 베이스 플레이트와 상기 접착 시트 사이의 공기를 상기 요철 사이를 통해 배출시키면서 상기 완충 부재를 상기 베이스 플레이트에 접합시키는 단계를 포함한다.In order to achieve the object of the present invention, the manufacturing method of the electrostatic chuck according to the present invention comprises the steps of disposing an adhesive sheet is formed on the base plate, disposing the buffer member on the adhesive sheet, by pressing the buffer member And bonding the buffer member to the base plate while discharging air between the base plate and the adhesive sheet through the unevenness.

본 발명에 따른 정전척의 제조 방법은 상기 완충 부재 상에 정전 시트를 배치시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 경우에 있어서, 상기 정전 시트는 내부에 정전흡착용 전극이 형성된 폴리이미드 절연 필름을 포함할 수 있다.The manufacturing method of the electrostatic chuck according to the present invention may further include disposing the electrostatic sheet on the buffer member. In this case, the electrostatic sheet may include a polyimide insulating film having an electrode for electrostatic absorption therein.

본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 완충 부재는 실리콘을 포함할 수 있다. 또한, 상기 베이스 플레이트는 알루미늄을 포함할 수 있다.According to one embodiment of the invention, the buffer member may comprise silicon. In addition, the base plate may include aluminum.

본 발명의 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 정전척은 베이스 플레이트, 상기 베이스 플레이트 상에 배치되는 완충 부재 및 상기 베이스 플레이트 및 상기 완충 부재 사이에 개재되고, 상기 완충 부재와 상기 베이스 플레이트가 접합될 때 발생되는 공기를 배출시키는 요철이 형성된 접착 시트를 포함한다.In order to achieve another object of the present invention, an electrostatic chuck according to the present invention is interposed between a base plate, a buffer member disposed on the base plate, and the base plate and the buffer member, and the buffer member and the base plate are joined. And an adhesive sheet on which unevenness is formed, which discharges air generated when the water is released.

본 발명의 일실시예에 따르면, 본 발명에 따른 정전척은 상기 완충 부재 상에 배치되는 정전 시트를 더 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the electrostatic chuck according to the present invention may further include an electrostatic sheet disposed on the buffer member.

이와 같이 구성된 본 발명에 따른 정전척의 제조 방법에 따르면, 요철이 형성된 접착 시트를 베이스 플레이트와 완충 부재 사이에 개재시켜 접착함으로써 완충 부재, 접착 시트 및 베이스 플레이트 사이에 기포가 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 공정 중의 고 진공의 분위기에서 기포의 팽창으로 인한 정전척의 평탄도 저하를 방지할 수 있다. According to the manufacturing method of the electrostatic chuck according to the present invention configured as described above, it is possible to prevent bubbles from being generated between the buffer member, the adhesive sheet and the base plate by bonding the adhesive sheet having irregularities formed between the base plate and the buffer member. . As a result, the flatness of the electrostatic chuck due to the expansion of bubbles in the high vacuum atmosphere during the process can be prevented.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 첨부된 도면에 있어서, 기판, 층(막), 영역, 리세스, 패드, 패턴들 또는 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 본 발명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패드, 리세스, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상에", "상부에" 또는 "하부"에 형성되는 것으로 언급되는 경우에 는 각 층(막), 영역, 패드, 리세스, 패턴 또는 구조물들이 직접 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들 위에 형성되거나 또는 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 다른 층(막), 다른 영역, 다른 패드, 다른 패턴 또는 다른 구조물들이 기판 상에 추가적으로 형성될 수 있다. 또한, 각 층(막), 영역, 패드, 리세스, 패턴 또는 구조물들이 "제1" 및/또는 "제2"로 언급되는 경우, 이러한 부재들을 한정하기 위한 것이 아니라 단지 각 층(막), 영역, 패드, 리세스, 패턴 또는 구조물들을 구분하기 위한 것이다. 따라서, "제1" 및/또는 "제2"는 각 층(막), 영역, 패드, 리세스, 패턴 또는 구조물들에 대하여 각기 선택적으로 또는 교환적으로 사용될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to the following embodiments, and those skilled in the art will have the technical idea of the present invention. The present invention may be embodied in various other forms without departing from the scope of the present invention. In the accompanying drawings, the dimensions of the substrates, layers (films), regions, recesses, pads, patterns or structures are shown to be larger than actual for clarity of the invention. In the present invention, each layer (film), region, pad, recess, pattern or structure is placed on the "on", "top" or "bottom" of the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. When referred to as being formed, it means that each layer (film), region, pad, recess, pattern or structure is directly formed on or below the substrate, each layer (film), region, pad or patterns. Alternatively, other layers (films), other regions, different pads, different patterns or other structures may be additionally formed on the substrate. Further, where each layer (film), region, pad, recess, pattern or structure is referred to as "first" and / or "second", it is not intended to limit these members but only each layer (film), To distinguish between areas, pads, recesses, patterns or structures. Thus, the "first" and / or "second" may be used selectively or interchangeably for each layer (film), region, pad, recess, pattern or structure, respectively.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일실시예에 따른 정전척의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.2A to 2D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electrostatic chuck in accordance with an embodiment of the present invention.

도 2a를 참조하면, 베이스 플레이트(100) 상에 요철(210)이 형성된 접착 시트(200)를 배치시킨다. 도 2b를 참조하면, 상기 접착 시트(200) 상에 완충 부재(300)를 배치시킨다. 도 2c를 참조하면, 상기 완충 부재(300) 상에 정전 시트(400)를 배치시킬 수 있다. 따라서, 상기 베이스 플레이트(100)와 상기 정전 시트(400) 사이에는 상기 완충 부재(300)가 개재된다.Referring to FIG. 2A, the adhesive sheet 200 on which the irregularities 210 are formed is disposed on the base plate 100. Referring to FIG. 2B, the buffer member 300 is disposed on the adhesive sheet 200. Referring to FIG. 2C, the electrostatic sheet 400 may be disposed on the buffer member 300. Therefore, the buffer member 300 is interposed between the base plate 100 and the electrostatic sheet 400.

상기 베이스 플레이트(100)는 정전 시트(400)를 지지하기 위한 장치로서, 알루미늄과 같은 금속으로 이루어진다. 상기 베이스 플레이트(100)는 일반적인 서셉터와 실질적으로 동일한 기능을 수행한다고 할 수 있다. The base plate 100 is an apparatus for supporting the electrostatic sheet 400 and is made of a metal such as aluminum. The base plate 100 may be said to perform substantially the same function as a general susceptor.

도 2d를 참조하면, 상기 완충 부재(300)를 압착하여, 상기 베이스 플레이트(100)와 상기 접착 시트(200) 사이의 공기를 상기 요철(210) 사이를 통해 배출시 키면서 상기 완충 부재(300)를 상기 베이스 플레이트(100)에 접합시킨다.Referring to FIG. 2D, the shock absorbing member 300 is compressed to discharge air between the base plate 100 and the adhesive sheet 200 through the unevenness 210, and thus the shock absorbing member 300. ) Is bonded to the base plate 100.

상기 요철(210)이 형성된 상기 접착 시트(200)는 상기 베이스 플레이트(100) 상에 접착된다. 이 경우에 있어서, 상기 정전 시트(400) 상에 지그 등을 이용하여 물리적 압력을 가하여 상기 접착 시트(200)는 상기 베이스 플레이트(100)에 압착된다. 이와 동시에 히터 등을 이용하여 상기 접착 시트(200)를 가열한다. 이에 따라, 접합 공정 중에 상기 완충 부재(300), 상기 접착 시트(200) 및 상기 베이스 플레이트(100) 사이에 발생되는 기포는 상기 요철(210)을 통해 빠져나가게 되어 기포는 포획되지 않으면서 상기 완충 부재(300)는 상기 베이스 플레이트(100)에 접합하게 된다. The adhesive sheet 200 on which the irregularities 210 are formed is adhered to the base plate 100. In this case, the adhesive sheet 200 is pressed onto the base plate 100 by applying physical pressure on the electrostatic sheet 400 using a jig or the like. At the same time, the adhesive sheet 200 is heated using a heater or the like. Accordingly, bubbles generated between the buffer member 300, the adhesive sheet 200, and the base plate 100 during the bonding process are released through the unevenness 210, so that the bubbles are not captured. The member 300 is bonded to the base plate 100.

상기 접착 시트(200)는 상기 베이스 플레이트(100) 및 상기 완충 부재(300)와 열팽창 계수들이 상이하고, 상기 완충 부재(300)의 변형이 있을 경우, 상기 접착 시트(200)가 상기 완충 부재(300)로부터 이탈될 수 있다.When the adhesive sheet 200 has different thermal expansion coefficients from the base plate 100 and the buffer member 300, and the buffer member 300 is deformed, the adhesive sheet 200 may be formed of the buffer member ( 300).

따라서, 상기 접착 시트(200)는 상기 완충 부재(300) 및 상기 베이스 플레이트(100)에 대해서 접합강도가 충분히 높고, 유연성도 우수한 것이 바람직하다. 상기 접착 시트(200)는 상기 베이스 플레이트(100)와 상기 완충 부재(300)의 열팽창 계수를 고려하여 점성 및 유전상수 및 체적 비저항, 열전도도 등을 고려하여 선택할 수 있다. 예를 들면, 아크릴 수지 또는 실리콘 수지로 이루어질 수 있다. Therefore, it is preferable that the adhesive sheet 200 has sufficiently high bonding strength and excellent flexibility with respect to the buffer member 300 and the base plate 100. The adhesive sheet 200 may be selected in consideration of viscosity, dielectric constant, volume resistivity, thermal conductivity, etc. in consideration of thermal expansion coefficients of the base plate 100 and the buffer member 300. For example, it may be made of acrylic resin or silicone resin.

상기 완충 부재(300)는 상기 정전 시트(200)에 발생되는 충격을 흡수하기 위한 장치로서 러버(rubber)와 같이 쿠션(cushion) 특성을 갖는 물질로 이루어진다. 예를 들면, 상기 완충 부재(300)는 실리콘 러버(silicon rubber)로 이루어질 수 있 다.The buffer member 300 is a device for absorbing the shock generated in the electrostatic sheet 200 is made of a material having a cushion (cushion) characteristics, such as rubber (rubber). For example, the buffer member 300 may be made of silicon rubber.

상기 완충 부재(300)는 그 두께가 5mm 일 때의 길이 변화율(%)이 적어도 0.4% 이상 큰 것이 바람직하다. 길이변화율은, 완충 부재로 사용되는 재료의 가로 10cm, 세로 10cm, 높이 5mm 시편 위에 동일한 10×10cm 크기와 10kg의 무게를 가진 추를 올려놓아 완충 부재의 높이 변화를 측정하고, 이를 아래 수학식 1에 대입하여 환산한 값이다.The buffer member 300 preferably has a length change rate (%) of at least 0.4% or more when the thickness thereof is 5 mm. The rate of change in length was measured by placing a weight having a weight of 10 × 10 cm and a weight of 10 kg on a 10 cm wide, 10 cm long, and 5 mm high specimen of the material used as the cushioning member, and measuring the height change of the cushioning member. The value is converted into.

[수학식 1][Equation 1]

길이변화율(%) = L0/L1 Length change rate (%) = L 0 / L 1

(상기 수학식 1에서 L0는 완충부재의 원래 길이를 나타내고, L1은 완충부재의 늘어난 길이를 나타낸다.)(In Equation 1, L 0 represents the original length of the shock absorbing member, and L 1 represents the extended length of the shock absorbing member.)

상기 수학식 1을 참조할 때, 통상적인 액정디스플레이용 유리 기판이 가지고 있는 휨의 높이차가 최소 10㎛이고, 이를 이중으로 겹칠 때에는 최대 20㎛가 되므로, 이러한 휨을 완충하기 위해선, 5mm 두께의 완충 부재는 적어도 그 길이 변화가 20㎛, 즉 5mm의 0.4%가 되어야만 한다. 그리고 정전 시트 자체의 휨까지 고려한다면 완충 부재의 길이변화율은 클수록 좋다.Referring to Equation 1, the height difference of the warpage of the conventional glass substrate for a liquid crystal display is at least 10㎛, when overlapping it is a maximum of 20㎛, in order to buffer such a warp, a buffer member of 5mm thickness At least its length change should be 20 μm, ie 0.4% of 5 mm. In addition, considering the bending of the electrostatic sheet itself, the greater the length change rate of the buffer member.

상기 정전 시트(400)는 기판의 하면에 접촉하여 기판을 지지하며, 기판의 형상에 따라서 다른 형상을 가질 수 있다. 상기 기판은 웨이퍼, 칼라 필터, TFT 유리 기판 등일 수 있다. 예를 들면, 기판이 웨이퍼일 경우, 상기 정전 시트(400)는 원형으로 형성될 수 있다. 기판이 칼라 필터와 같은 사각 기판일 경우, 상기 정전 시 트(400)는 직육면체로 형성될 수 있다.The electrostatic sheet 400 contacts the lower surface of the substrate to support the substrate, and may have a different shape according to the shape of the substrate. The substrate may be a wafer, a color filter, a TFT glass substrate, or the like. For example, when the substrate is a wafer, the electrostatic sheet 400 may be formed in a circular shape. When the substrate is a rectangular substrate such as a color filter, the electrostatic sheet 400 may be formed of a rectangular parallelepiped.

도면에 도시되지 않았지만, 상기 정전 시트(400)는 제1 유전층, 제2 유전층, 접착 필름, 및 전극을 포함할 수 있다. 상기 제1 유전층과 제2 유전층 사이에는 전극이 배치된다. 상기 제1 유전층, 상기 제2 유전층 및 상기 전극은 상기 접착 필름을 매개로 서로 접착된다.Although not shown in the drawings, the electrostatic sheet 400 may include a first dielectric layer, a second dielectric layer, an adhesive film, and an electrode. An electrode is disposed between the first dielectric layer and the second dielectric layer. The first dielectric layer, the second dielectric layer and the electrode are adhered to each other via the adhesive film.

상기 제1 및 제2 유전층은 고분자 물질로 이루어진다. 예를 들면, 상기 제1 유전층과 제2 유전층은 폴리에스테르(polyester) 또는 폴리이미드(polyimide)와 같은 고분자 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 유전층과 제2 유전층의 두께는 각기 25 내지 200㎛의 범위에서 선택될 수 있다. 이 경우, 충분한 정전기력을 얻기 위하여 상기 전극에 1000V 이상의 전압을 인가할 수 있다.The first and second dielectric layers are made of a polymeric material. For example, the first dielectric layer and the second dielectric layer may be made of a polymer material such as polyester or polyimide. For example, the thicknesses of the first dielectric layer and the second dielectric layer may be selected in the range of 25 to 200 μm, respectively. In this case, a voltage of 1000 V or more may be applied to the electrode in order to obtain sufficient electrostatic force.

상기 제1 유전층과 제2 유전층의 두께를 최소 25㎛로 할 경우, 제1 유전층과 제2 유전층의 200V/m 이상의 파괴 강도를 갖는 고분자 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 반대의 경우, 200V/m 이상의 파괴 강도를 갖는 고분자 물질을 유전체로 사용할 때는 제1 유전층과 제2 유전층의 두께를 최소 25㎛로 하는 것이 바람직한다. 한편, 유전체 층의 두께가 200㎛을 초과하는 경우에는 적정한 정전력을 얻지 못할 수 있어, 유전체 층의 두께를 200㎛을 초과하지 않는 것이 바람직하다. When the thickness of the first dielectric layer and the second dielectric layer is at least 25 μm, the first dielectric layer and the second dielectric layer are preferably made of a polymer material having a breaking strength of 200 V / m or more. On the contrary, when the polymer material having a breaking strength of 200 V / m or more is used as the dielectric, it is preferable that the thickness of the first dielectric layer and the second dielectric layer is at least 25 μm. On the other hand, when the thickness of the dielectric layer exceeds 200 mu m, an appropriate electrostatic force may not be obtained, and the thickness of the dielectric layer preferably does not exceed 200 mu m.

상기 제1 유전층과 제2 유전층은 실질적으로 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 제1 유전층과 제2 유전층의 사이에는 전극이 배치된다. 상기 전극은 정전장(electrostatic field)을 생성하기 위한 장치로서, 도전성 금속으로 이루어질 수 있다. 상기 전극은 상기 정전 시트 내에 연속적으로 그리고 고루 분포되도록 배치 된다. 또한, 상기 전극은 메쉬(mesh)나 평판 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 상기 접착 필름은 일반적으로 유전층들을 접합하기 위한 접착 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 정전척에는 기판을 냉각하기 위한 가스 냉각 라인이 더 형성될 수 있다.The first dielectric layer and the second dielectric layer may be made of substantially the same material. An electrode is disposed between the first dielectric layer and the second dielectric layer. The electrode is an apparatus for generating an electrostatic field, and may be made of a conductive metal. The electrodes are arranged to be continuously and evenly distributed in the electrostatic sheet. In addition, the electrode may be formed of a mesh, a flat plate, or a multilayer structure. The adhesive film may generally be made of an adhesive material for bonding the dielectric layers. The electrostatic chuck may further include a gas cooling line for cooling the substrate.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 정전척의 제조 방법에 따르면, 요철이 형성된 접착 시트를 베이스 플레이트와 완충 부재 사이에 개재시켜 접착함으로써 완충 부재, 접착 시트 및 베이스 플레이트 사이에 기포가 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 공정 중의 고진공의 분위기에서 기포의 팽창으로 인한 정전척의 평탄도 저하를 방지할 수 있게 된다. As described above, according to the manufacturing method of the electrostatic chuck according to the preferred embodiment of the present invention, bubbles are generated between the buffer member, the adhesive sheet and the base plate by adhering the adhesive sheet having irregularities formed between the base plate and the buffer member. Can be prevented. Accordingly, the flatness of the electrostatic chuck due to the expansion of bubbles in the high vacuum atmosphere during the process can be prevented.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

Claims (7)

베이스 플레이트 상에 요철이 형성된 접착 시트를 배치시키는 단계;Disposing an adhesive sheet having irregularities formed on the base plate; 상기 접착 시트 상에 완충 부재를 배치시키는 단계;Disposing a buffer member on the adhesive sheet; 상기 완충 부재를 압착하여, 상기 베이스 플레이트와 상기 접착 시트 사이의 공기를 상기 요철 사이를 통해 배출시키면서 상기 완충 부재를 상기 베이스 플레이트에 접합시키는 단계를 포함하는 정전척의 제조 방법.And pressing the buffer member to bond the buffer member to the base plate while discharging air between the base plate and the adhesive sheet through the unevenness. 제 1 항에 있어서, 상기 완충 부재 상에 정전 시트를 배치시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조 방법.The method of claim 1, further comprising disposing an electrostatic sheet on the cushioning member. 제 2 항에 있어서, 상기 정전 시트는 내부에 정전흡착용 전극이 형성된 폴리이미드 절연 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조 방법.The method of claim 2, wherein the electrostatic sheet comprises a polyimide insulating film having an electrostatic adsorption electrode formed therein. 제 1 항에 있어서, 상기 완충 부재는 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the buffer member comprises silicon. 제 1 항에 있어서, 상기 베이스 플레이트는 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the base plate comprises aluminum. 베이스 플레이트;Base plate; 상기 베이스 플레이트 상에 배치되는 완충 부재; 및A buffer member disposed on the base plate; And 상기 베이스 플레이트 및 상기 완충 부재 사이에 개재되고, 상기 완충 부재와 상기 베이스 플레이트가 접합될 때 발생되는 공기를 배출시키는 요철이 형성된 접착 시트를 포함하는 정전척.And an adhesive sheet interposed between the base plate and the buffer member, the adhesive sheet having irregularities for discharging air generated when the buffer member and the base plate are joined. 제 6 항에 있어서, 상기 완충 부재 상에 배치되는 정전 시트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척.The electrostatic chuck of claim 6, further comprising an electrostatic sheet disposed on the cushioning member.
KR1020060114303A 2006-11-20 2006-11-20 Electrostatic chuck and method of manufacturing the same KR20080045336A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060114303A KR20080045336A (en) 2006-11-20 2006-11-20 Electrostatic chuck and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060114303A KR20080045336A (en) 2006-11-20 2006-11-20 Electrostatic chuck and method of manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080045336A true KR20080045336A (en) 2008-05-23

Family

ID=39662752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060114303A KR20080045336A (en) 2006-11-20 2006-11-20 Electrostatic chuck and method of manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20080045336A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101467107B1 (en) * 2013-07-05 2014-12-01 주식회사 야스 Chucking system of electrostatic chuck including fine electrodes
KR101964631B1 (en) * 2018-04-06 2019-04-02 (주)아폴로테크 A electrostatic chuck

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101467107B1 (en) * 2013-07-05 2014-12-01 주식회사 야스 Chucking system of electrostatic chuck including fine electrodes
KR101964631B1 (en) * 2018-04-06 2019-04-02 (주)아폴로테크 A electrostatic chuck

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100984748B1 (en) Electrostatic chuck, assemble-type chucking apparatus having the chuck, apparatus for attaching glass substrates having the chuck and assemble-type apparatus for attaching glass substrates having the chuck
KR101550833B1 (en) Adhesive rubber type chucking device, substrates adhesion apparatus having the same and fabrication method thereof
CN102197470A (en) Method of manufacturing wafer laminated body, device of manufacturing wafer laminated body, wafer laminated body, method of peeling support body, and method of manufacturing wafer
KR20110084888A (en) Electrostatic chuck, and method for manufacturing the chuck
JPH07335731A (en) Attraction device and its manufacture
KR20080045336A (en) Electrostatic chuck and method of manufacturing the same
JP6231443B2 (en) Bonded body and wafer support member using the same
JP2009200393A (en) Electrostatic chuck and method of manufacturing the same
TWI431717B (en) Electrostatic chuck and apparatus having the same
KR101964631B1 (en) A electrostatic chuck
KR101110683B1 (en) Electrostatic Chuck and A Method of Manufacturing the same
CN216389310U (en) Wafer adsorption equipment
JP2004114585A (en) Method for laminating of flexible film and apparatus for laminating
KR20200025901A (en) Elastomer rubber diaphragm type electro static chuck and fabrication method for the same
KR20080042409A (en) Electrode static chuck
KR20100090561A (en) Electrostatic chuck having junction structure between different materals and fabrication method thereof
US20080266747A1 (en) Electrostatic chuck
KR100706021B1 (en) Method for manufacturing esc
KR102292501B1 (en) Electrostatic chuck
KR100773723B1 (en) Plasma Processing Apparatus
KR20060135973A (en) Method for manufacturing esc
JP5795272B2 (en) Method for manufacturing ceramic element
KR102527183B1 (en) Electrostatic chuck with improved adhesion
CN116959948B (en) Electrostatic chuck and plasma etching device
JP5799993B2 (en) Substrate bonding apparatus and substrate bonding method

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination