KR20080043937A - Method of seasoning recipe - Google Patents

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Abstract

A seasoning recipe method is provided to optimize the seasoning by performing a recipe process for changing a temperature condition. A main etch recipe is set as a run condition(100). A first preliminary seasoning process is performed to set temperature of an upper chamber at ±50 °C, to set temperature of a wall chamber at ±30 °C, and to set temperature of an electrode within -40 °C in comparison with of a temperature condition of the main etch recipe(110). A second preliminary seasoning process is performed to set the temperature of the upper chamber at ±20 °C, to set the temperature of the wall chamber at ±20 °C, and to set temperature of an electrode within ±15 °C in comparison with of the temperature condition of the main etch recipe(120). A test wafer is etched according to the setting condition of the first preliminary seasoning process(130). The test wafer is etched according to the setting condition of the second preliminary seasoning process(140). The wafer is etched according to the setting condition of the main etch recipe(150).

Description

시즈닝 레시피 방법{METHOD OF SEASONING RECIPE}Seasoning recipe method {METHOD OF SEASONING RECIPE}

도 1은 본 발명에 따른 건식 식각장치의 개략적인 구성도를 도시한 것이고,1 shows a schematic configuration diagram of a dry etching apparatus according to the present invention,

도 2는 본 발명의 일실시예 따른 시즈닝 레시피 방법의 흐름도이고,2 is a flowchart of a seasoning recipe method according to an embodiment of the present invention,

도 3은 본 발명의 다른 실시예 따른 시즈닝 레시피 방법의 흐름도이다.3 is a flowchart of a seasoning recipe method according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10 : 월챔버(wall chamber) 20 : 어퍼챔버(upper chamber)10: wall chamber 20: upper chamber

30 : 전극30 electrode

본 발명은 시즈닝 레시피 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 건식 식각 공정에서 시즈닝 레시피의 최적화 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a seasoning recipe method, and more particularly, to a method for optimizing seasoning recipes in a dry etching process.

반도체 소자의 제조 공정 발달로 인하여 반도체 소자가 점차 고집적화되며 이에 따라 반도체 소자의 임계치수(critical dimension) 또한 점차 축소되고 있다. 반도체 소자의 패턴을 제조할 때 주로 사용하는 건식 식각 공정에서는 정확한 임계치수를 확보하기 위하여 식각 대상물의 높은 선택비, 정확한 식각량 등이 요구되고 있으며, 웨이퍼 별로 제조 공정이 재현성을 갖는 것이 중요하다.Due to the development of semiconductor device manufacturing processes, semiconductor devices are becoming increasingly integrated, and thus, the critical dimensions of semiconductor devices are gradually reduced. In the dry etching process, which is mainly used when manufacturing a pattern of a semiconductor device, a high selection ratio of an etching target, an accurate etching amount, and the like are required to secure an accurate critical dimension, and it is important that the manufacturing process is reproducible for each wafer.

건식 식각 공정을 진행할 때, 건식 식각 챔버가 처음 세팅되거나 공정 간의 휴식 시간(idle time)을 갖은 후 곧바로 주식각(main etch) 공정을 진행하면, 건식 식각 챔버내의 분위기가 안정화되지 않았기에 런 웨이퍼(run wafer)의 손실을 초래한다. 따라서, 이를 방지하기 위하여, 주식각 공정 전에 테스트 웨이퍼(test wafer)를 사용하여 시즈닝 공정을 진행하게 된다. In the dry etching process, when the dry etching chamber is first set or has a time between processes, and then the main etch process is performed immediately, the atmosphere in the dry etching chamber is not stabilized. resulting in a loss of the run wafer). Therefore, in order to prevent this, a seasoning process is performed using a test wafer before each stock process.

시즈닝 공정이란 동일 챔버내에서 주식각 공정을 진행하기 전에 테스트 웨이퍼를 식각하는 공정을 말한다. 종래에는 시즈닝 공정의 레서피와 주식각 공정의 레서피를 동일하게 실시하나, 시즈닝 공정이 끝난 직후에도 챔버내의 분위기가 여전히 안정화되지 않아 식각 속도가 일정하지 않는 문제점을 갖는다.The seasoning process refers to a process of etching a test wafer before performing a stock angle process in the same chamber. Conventionally, the recipe of the seasoning process and the recipe of the stock angle process are performed in the same manner, but even after the seasoning process is finished, the atmosphere in the chamber is still not stabilized, so that the etching speed is not constant.

종래 기술의 일예로, 전극 형성을 위한 건식 식각 공정을 살펴보면 다음과 같다. As an example of the prior art, a dry etching process for forming an electrode is as follows.

건식 식각챔버에서 산화막이 적층된 테스트 웨이퍼로 시즈닝 공정을 진행한 후, 동일 챔버에서 폴리실리콘막 및 텅스텐실리사이드막이 차례로 적층되고 텅스텐 실리사이드막 상에 하드 마스크패턴이 형성된 런 웨이퍼로 주식각 공정을 실시하였다. 주식각 공정에서는 먼저 텅스텐 실리사이드막의 식각가스로 Cl2 가스와 SF6 가스를 공급하고 하드마스크 패턴을 이용하여 텅스텐 실리사이드막을 식각하였다. 텅스텐 실리사이드막이 완전히 식각된 시점을 종점 검출시간으로 정하였으며, 이는 광학적 방출 분석(Optical Emission Spectroscopy)을 통해 측정하였다. 그 다음, 폴리실리콘막의 식각가스로 브롬화수소산(HBr) 가스 및 산소를 공급하여 폴리실리콘막을 식각하였다. 상기 주식각 공정 이전에 진행하는 시즈닝 공정에서는 주식각 공정과 같은 종류의 가스들을 같은 조건하에서 같은 순서로 공급하여 산화막이 적층된 테스트 웨이퍼를 식각하였다. After the seasoning process was performed on the test wafer having the oxide film stacked in the dry etching chamber, the polysilicon film and the tungsten silicide film were sequentially stacked in the same chamber, and the stock wafer process was performed on the run wafer having a hard mask pattern formed on the tungsten silicide film. . In the stock angle process, Cl2 gas and SF6 gas were first supplied to the etching gas of the tungsten silicide film, and the tungsten silicide film was etched using the hard mask pattern. The time point at which the tungsten silicide layer was completely etched was defined as the end point detection time, which was measured by optical emission spectroscopy. Thereafter, hydrobromic acid (HBr) gas and oxygen were supplied to the etching gas of the polysilicon film to etch the polysilicon film. In the seasoning process performed before the stock angle process, the same type of gas as the stock angle process was supplied in the same order under the same conditions to etch the test wafer having the oxide film stacked thereon.

그런데, 이처럼 종래에는 테스트 웨이퍼를 통한 시즈닝 공정시 온도나 기타 조건과 런 웨이퍼로 실시되는 주식각 공정의 조건과 유사하거나 동일하게 진행되었으며, 이에 따라 파티클을 인위적으로 떨어뜨리거나 챔버에 달라붙게 하여 파티클의 감소를 도모하였으나, 이는 매우 효율적인 방안이 아니며 일관된 온도 조건에 따라 어떤 경우에는 오히려 파티클을 다량으로 발생시켜서 수율의 저하 요인이 되는 문제점이 있었다.However, in the related art, temperature or other conditions during the seasoning process through the test wafer and the conditions of the stock angle process performed with the run wafer are similar to or identical to those of the stock wafer process. Thus, the particles are artificially dropped or stuck to the chamber. Although it was intended to reduce, this is not a very efficient solution, and in some cases according to the consistent temperature conditions, there was a problem that a large amount of particles are generated to cause a decrease in yield.

본 발명은 상기한 바와 같은 결점을 해소시키기 위하여 안출된 것으로서, 테스트 웨이퍼를 통한 시즈닝 공정에서 온도 조건을 변경하는 시즈닝 단계를 이용함으로써, 효율적이고 최적화된 시즈닝으로 파티클의 감소를 가져올 수 있는 시즈닝 레시피 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above-described drawbacks, and by using a seasoning step of changing temperature conditions in a seasoning process through a test wafer, a seasoning recipe method that can bring about particle reduction with efficient and optimized seasoning. To provide that purpose.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 건식식각 챔버에서의 시즈닝 레시피 방법에 있어서, 주식각 레시피를 런 조건으로 설정하는 단계와, 주식각 레시피의 온도 조건에 비하여, 어퍼챔버의 온도를 ±50℃로 하고 월챔버의 온도는 ±30℃로 하며 전극 온도는 -40℃의 범위 내로 설정하는 예비 시즈닝 1단계와, 주식각 레시피의 온도 조건에 비하여, 어퍼챔버의 온도를 ±20℃로 하고 월챔버의 온도는 ±20℃로 하며 전극 온도는 +15℃의 범위 내로 설정하는 예비 시즈닝 2단계와, 예비 시즈닝 1단계의 설정에 따라 테스트 웨이퍼를 식각하는 단계와, 예비 시즈닝 2단계의 설정에 따라 테스트 웨이퍼를 식각하는 단계와, 주식각 레시피의 설정에 따라 웨이퍼를 식각하는 단계를 포함하는 시즈닝 레시피 방법을 제공한다. The present invention for achieving the above object, in the seasoning recipe method in a dry etching chamber, the step of setting the stock angle recipe to the run conditions, and compared to the temperature conditions of the stock angle recipe, the temperature of the upper chamber ± 50 The temperature of the upper chamber is set to ± 20 ℃ and the temperature of the upper chamber is set to ± 20 ℃ and the temperature of the upper chamber is set to ± 20 ℃, and the electrode temperature is set to within -40 ℃. The temperature of the chamber is set to ± 20 ° C and the electrode temperature is set within the range of + 15 ° C. The test wafer is etched according to the setting of the preliminary seasoning step 1, the preliminary seasoning step 1, and the preliminary seasoning step 2 A seasoning recipe method comprising etching a test wafer and etching the wafer in accordance with the setting of the stock angle recipe.

또한, 본 발명은, 건식식각 챔버에서의 시즈닝 레시피 방법에 있어서, 주식각 레시피를 런 조건으로 설정하는 단계와, 주식각 레시피의 온도 조건에 비하여, 어퍼챔버의 온도를 ±20℃로 하고 월챔버의 온도는 ±20℃로 하며 전극 온도는 +15℃의 범위 내로 설정하는 예비 시즈닝 1단계와, 주식각 레시피의 온도 조건에 비하여, 어퍼챔버의 온도를 ±50℃로 하고 월챔버의 온도는 ±30℃로 하며 전극 온도는 -40℃의 범위 내로 설정하는 예비 시즈닝 2단계와, 예비 시즈닝 1단계의 설정에 따라 테스트 웨이퍼를 식각하는 단계와, 예비 시즈닝 2단계의 설정에 따라 테스트 웨이퍼를 식각하는 단계와, 주식각 레시피의 설정에 따라 웨이퍼를 식각하는 단계를 포함하는 시즈닝 레시피 방법을 제공한다.In addition, the present invention, in the seasoning recipe method in the dry etching chamber, the step of setting the stock angle recipe to the run conditions, and compared to the temperature conditions of the stock angle recipe, the temperature of the upper chamber to ± 20 ℃ month chamber The temperature of the upper chamber is ± 50 ℃ and the upper chamber temperature is ± 50 ℃ and the temperature of the wall chamber is ± 50 ℃, compared to the temperature condition of the stock angle recipe. The test wafer is etched according to the setting of the preliminary seasoning stage 2, the preliminary seasoning stage 1, and the preliminary seasoning stage 2, and the electrode temperature is set to 30 ° C. And a step of etching the wafer according to the setting of the stock angle recipe.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 건식 식각장치의 개략적인 구성도를 도시한 것이고, 도 2는 본 발명의 일실시예 따른 시즈닝 레시피 방법의 흐름도이고, 도 3은 본 발명의 다른 실시예 따른 시즈닝 레시피 방법의 흐름도이다.1 is a schematic configuration diagram of a dry etching apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a flowchart of a seasoning recipe method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a seasoning recipe method according to another embodiment of the present invention. Is a flow chart.

도 1에서는 본 발명의 특징적인 설명을 위하여 건식 식각장치의 개략적인 구성도로서, 불활성 기체 및 반응 가스로 충만된 웰챔버(10)의 내부 상단에 어퍼챔버(20)가 설치되고, 하부에는 전극(30)이 설치된다.FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a dry etching apparatus for explaining a characteristic of the present invention. An upper chamber 20 is installed at an inner upper end of a well chamber 10 filled with an inert gas and a reaction gas, and an electrode is disposed below. 30 is installed.

여기서, 어퍼챔버(20)와 전극(30)에 외부로부터 교류 고전압이 각각 인가되면, 웰챔버(10)의 내부에서 불활성 기체 및 반응 가스를 이온과 전자로 분리시켜 플라즈마 상태로 만들어 식각 공정이 진행되는 것이다.Here, when an alternating current high voltage is applied to the upper chamber 20 and the electrode 30 from the outside, the inert gas and the reactive gas are separated into ions and electrons in the well chamber 10 to form a plasma state, and an etching process is performed. Will be.

그리고 본 발명에 따라서 주식각 공정 전에 테스트 웨이퍼(test wafer)를 사용하여 시즈닝 공정을 진행하게 된다. According to the present invention, a seasoning process is performed using a test wafer before each stock process.

도 2는 일실시예 따라서 최적의 시즈닝을 이루기 위한 레시피 방법의 흐름도로서, 먼저, 주식각 레시피를 런 조건으로 설정한다(100). 주식각 레시피의 런 조건은 식각가스 종류, 식각 가스의 유량, 공정압력 및 온도, 식각 순서 등의 식각 조건을 의미한다.2 is a flowchart of a recipe method for achieving optimal seasoning according to an embodiment. First, the stock angle recipe is set to a run condition (100). The run condition of the stock angle recipe means the etching conditions such as the type of etching gas, flow rate of the etching gas, process pressure and temperature, and etching sequence.

여기서 주식각 레시피에서 온도 조건은, 어퍼챔버(20)가 대략 100℃로 설정되고, 웰챔버(10)는 대략 80℃로 설정되며, 전극(30)의 온도는 대략 40℃로 설정되어 진다.In the stock angle recipe, the temperature condition is that the upper chamber 20 is set to approximately 100 ° C, the well chamber 10 is set to approximately 80 ° C, and the temperature of the electrode 30 is set to approximately 40 ° C.

그리고 예비 시즈닝 1단계(110)를 설정한다. 예비 시즈닝 1단계(110)는 주식각 레시피의 어퍼챔버(20)와 웰챔버(10), 전극(30)의 온도 조건을 기준으로 하였을 때에, 어퍼챔버(20)의 온도를 ±50℃의 범위 내로 설정하고, 월챔버(10)의 온도는 ±30℃의 범위 내로 하며, 전극(30) 온도는 -40℃의 범위 내로 설정하게 된다. And preliminary seasoning stage 1 110 is set. In the preliminary seasoning step 110, the temperature of the upper chamber 20 is ± 50 ° C., based on the temperature conditions of the upper chamber 20, the well chamber 10, and the electrode 30 of the stock angle recipe. The temperature of the wall chamber 10 is set in the range of +/- 30 degreeC, and the electrode 30 temperature is set in the range of -40 degreeC.

따라서 바람직하게 예비 시즈닝 1단계(110)는, 어퍼챔버(20)의 온도 범위가 50℃∼150℃이고, 월챔버(10)의 온도는 70℃∼110℃로 하며, 전극(30) 온도는 0℃∼20℃로 설정되어 진다. Therefore, preferably, in the preliminary seasoning step 110, the temperature range of the upper chamber 20 is 50 ° C to 150 ° C, the temperature of the wall chamber 10 is 70 ° C to 110 ° C, and the electrode 30 temperature is It is set to 0 ° C to 20 ° C.

그리고 예비 시즈닝 2단계(120)를 설정한다. 예비 시즈닝 2단계(120)도 역시 주식각 레시피의 어퍼챔버(20)와 웰챔버(10), 전극(30)의 온도 조건을 기준으로 하였을 때에, 어퍼챔버(20)의 온도를 ±20℃의 범위 내로 설정하고, 월챔버(10)의 온도는 ±20℃의 범위 내로 하며, 전극(30) 온도는 +15℃의 범위 내로 설정하게 된다. And preliminary seasoning stage 2 (120) is set. The preliminary seasoning step 120 is also based on the temperature conditions of the upper chamber 20, the well chamber 10, and the electrode 30 of the stock angle recipe, and the temperature of the upper chamber 20 is ± 20 ° C. It is set in the range, the temperature of the wall chamber 10 is in the range of ± 20 ℃, the electrode 30 temperature is set in the range of +15 ℃.

따라서 바람직하게 예비 시즈닝 2단계(120)는 바람직하게, 어퍼챔버(20)의 온도 범위가 80℃∼120℃이고, 월챔버(10)의 온도는 60℃∼100℃로 하며, 전극(30) 온도는 40℃∼55℃로 설정되어 실시된다.Therefore, preferably, the preliminary seasoning stage 2 (120), preferably, the temperature range of the upper chamber 20 is 80 ℃ to 120 ℃, the temperature of the wall chamber 10 is 60 ℃ to 100 ℃, the electrode 30 Temperature is set to 40 degreeC-55 degreeC, and is implemented.

다음의 각 식각 공정의 설정이 완료되면, 테스트 웨이퍼로 하여 예비 시즈닝 1단계(110)의 설정에 따라 식각하는 단계(130)가 이루어지고, 다른 테스트 웨이퍼로 시즈닝 2단계(120)의 설정에 따라 식각하는 단계(140)가 실시된다.After the setting of each of the following etching processes is completed, an etching step 130 is performed according to the setting of the preliminary seasoning step 110 as a test wafer, and according to the setting of the second step 120 seasoning with another test wafer. Etching step 140 is performed.

이 때, 예비 시즈닝 1단계(110)에서의 테스트웨이퍼는 바람직하게 포토레지스트 웨이퍼가 사용되어지며, 예비 시즈닝 2단계(120)에서의 테스트웨이퍼는 바람직하게 옥사이드 웨이퍼가 사용된다.At this time, the test wafer in the preliminary seasoning stage 1 110 is preferably a photoresist wafer, and the oxide wafer is preferably used as the test wafer in the preliminary seasoning 2 stage 120.

그리고 마지막으로 포토레지스트 웨이퍼로 하여 주식각 레시피의 설정에 따라 웨이퍼를 식각하는 단계(150)가 실시된다.Finally, the wafer 150 is etched according to the setting of the stock angle recipe as the photoresist wafer.

한편, 도 3에 도시된 다른 실시예로 위에서 설명한 일실시의 단계에서의 예비 시즈닝 1단계(110)와 예비 시즈닝 2단계(120)의 각 챔버의 온도 조건을 바꿔서 진행을 할 수 있다.Meanwhile, in another embodiment illustrated in FIG. 3, the temperature conditions of the respective chambers of the preliminary seasoning stage 1 110 and the preliminary seasoning stage 2 120 may be changed.

즉, 예비 시즈닝 1단계(110-1)는, 주식각 레시피의 어퍼챔버(20)와 웰챔버(10), 전극(30)의 온도 조건을 기준으로 하였을 때에, 어퍼챔버(20)의 온도를 ± 20℃의 범위 내로 설정하고, 월챔버(10)의 온도는 ±20℃의 범위 내로 하며, 전극(30) 온도는 +15℃의 범위 내로 설정하여 실시하게 되며, 예비 시즈닝 2단계(120-1)는, 주식각 레시피의 어퍼챔버(20)와 웰챔버(10), 전극(30)의 온도 조건을 기준으로 하였을 때에, 어퍼챔버(20)의 온도를 ±50℃의 범위 내로 설정하고, 월챔버(10)의 온도는 ±30℃의 범위 내로 하며, 전극(30) 온도는 -40℃의 범위 내로 설정하여 실시하게 되는 구성을 가진다.That is, the preliminary seasoning step 110-1 sets the temperature of the upper chamber 20 based on the temperature conditions of the upper chamber 20, the well chamber 10, and the electrode 30 of each stock recipe. It is set within the range of ± 20 ° C, the temperature of the wall chamber 10 is within the range of ± 20 ° C, the temperature of the electrode 30 is set to be within the range of +15 ° C, preliminary seasoning stage 2 (120-) 1) sets the temperature of the upper chamber 20 within the range of ± 50 ° C based on the temperature conditions of the upper chamber 20, the well chamber 10, and the electrode 30 of the stock angle recipe, The temperature of the wall chamber 10 is in the range of ± 30 ° C, and the electrode 30 has a configuration in which the temperature is set in the range of -40 ° C.

일 예로, 게이트 전극을 형성하기 위한 건식식각 공정에서 시즈닝 레시피 방법을 다시 도 2를 참고하여 좀 더 상세히 설명하면 다음과 같다.As an example, the seasoning recipe method in the dry etching process for forming the gate electrode will be described in more detail with reference to FIG. 2 as follows.

예비 시즈닝 1단계(110)는 다음과 같이 설정되어 실시된다. 반도체 기판 상에 패드산화막, 폴리실리콘막 및 텅스텐 실리사이드막이 차례로 적층되고, 텅스텐 실리사이드막 상에 하드마스크막 패턴이 형성된 테스트 웨이퍼를 건식식각챔버 내로 로딩한다. 챔버내에 Cl2 가스 100sccm과 BCl3 가스 50sccm 및 CHF3 가스 10sccm로 구성된 혼합가스를 반응가스로 사용하여 챔버 내부 압력을 10mTorr로 유지하면서 1000W 내지 1500W의 플라즈마 파워를 인가하여 폴리실리콘막을 식각하게 된다.The preliminary seasoning stage 110 is set and carried out as follows. A pad oxide film, a polysilicon film, and a tungsten silicide film are sequentially stacked on the semiconductor substrate, and a test wafer having a hard mask film pattern formed on the tungsten silicide film is loaded into the dry etching chamber. The polysilicon film is etched by applying plasma power of 1000 W to 1500 W while maintaining a pressure inside the chamber at 10 mTorr using a mixed gas composed of 100 sccm of Cl 2 gas, 50 sccm of BCl 3 gas, and 10 sccm of CHF 3 gas in the chamber.

이 때, 바람직하게 어퍼챔버(20)의 온도 범위가 50℃∼150℃이고, 월챔버(10)의 온도는 70℃∼110℃로 하며, 전극(30) 온도는 0℃∼20℃로 설정된 상태에서 식각이 실시된다.At this time, preferably, the temperature range of the upper chamber 20 is 50 ° C to 150 ° C, the temperature of the wall chamber 10 is 70 ° C to 110 ° C, and the electrode 30 temperature is set to 0 ° C to 20 ° C. Etching is performed in the state.

그리고 위와 같이 예비 시즈닝 1단계(110)가 완료된 후, 이어서 옥사이드 웨이퍼를 가지고서 예비 시즈닝 2단계(120)를 설정에 따라 실시하게 된다.After the preliminary seasoning step 110 is completed as described above, the preliminary seasoning step 120 with the oxide wafer is subsequently performed according to the setting.

예비 시즈닝 2단계(120)는 우선, 예비 시즈닝 1단계(110)와 레시피가 동일하나, 다만 온도에 있어서, 어퍼챔버(20)의 온도 범위가 80℃∼120℃이고, 월챔버(10)의 온도는 60℃∼100℃로 하며, 전극(30) 온도는 40℃∼55℃로 설정된 상태에서 식각이 실시된다.The preliminary seasoning step 120 has the same recipe as the preliminary seasoning step 110 but the temperature range of the upper chamber 20 is 80 ° C. to 120 ° C. in the temperature. The temperature is 60 ° C to 100 ° C, and etching is performed while the electrode 30 temperature is set to 40 ° C to 55 ° C.

그리고 최종적으로 주식각 레시피의 런 조건은 다음과 같이 설정되어 실시된다. 런 조건도 위의 예비 시즈닝 1, 2 단계(110)(120)와 같이 동일 조건이나 온도에 있어서, 어퍼챔버(20)가 대략 100℃로 설정되고, 웰챔버(10)는 대략 80℃로 설정되며, 전극(30)의 온도는 대략 40℃로 설정되어 지고 이 조건으로 식각 공정이 진행되어 진다.Finally, the run condition of each stock recipe is set as follows. The run condition is also set to approximately 100 ° C. and the well chamber 10 is set to approximately 80 ° C. under the same conditions or temperatures as in the preliminary seasoning steps 1 and 2 110 and 120 above. The temperature of the electrode 30 is set to approximately 40 ° C., and the etching process is performed under these conditions.

한편, 도 3에 따른 다른 실시예에서는 위에서 설명하였듯이 예비 시즈닝 1, 2 단계(110-1)(120-1)의 온도 조건만을 바꿔 실시하는 것으로서 설명을 생략한다.Meanwhile, in another embodiment according to FIG. 3, as described above, only the temperature conditions of the preliminary seasoning steps 1 and 2 (110-1 and 120-1) are changed to omit description.

이처럼 종래의 시즈닝 공정에서는 전극과 기타 영역간의 온도 차를 60℃ 이상 차이를 두지 않았었다. 이는 열역학적으로 온도의 차이가 너무 발생되면 파티클은 온도가 낮은 영역으로 모이는 경향이 있어서 실시하지 않았으나, 본 발명에서는 이점을 역이용하여 예비 시즈닝 1, 2단계(110)(120)를 통하여 인위적으로 온도의 변화를 주었다. 즉, 온도가 낮은 영역을 형성시켰다가 다음 시즈닝 단계에서는 그 영역에 온도를 상승시킴으로써, 모여있던 파티클이 온도차로 하여 인위적으로 떨어져서 후속 양산 제품에 에러가 발생하지 않도록 할 수 있게 되었다.As such, in the conventional seasoning process, the temperature difference between the electrode and the other regions was not more than 60 ° C. This was not done because the thermodynamically caused the temperature difference too much, the particles tend to gather into a low temperature region, but in the present invention, the temperature is artificially changed through preliminary seasoning steps 1 and 2 (110) and 120 using the advantage. Gave a change. In other words, by forming an area having a low temperature and then raising the temperature in the next seasoning step, the collected particles are artificially dropped due to the temperature difference so that an error does not occur in the subsequent mass-produced product.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 시즈닝 레시피 방법을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이 하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다. What has been described above is only one embodiment for carrying out the seasoning recipe method according to the present invention, and the present invention is not limited to the above-described embodiment, and as claimed in the following claims, the gist of the present invention Without departing from the scope of the present invention, any person having ordinary skill in the art will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 시즈닝 레시피 방법은, 테스트 웨이퍼를 통한 시즈닝 공정에서 온도 조건을 변경하는 시즈닝 단계를 이용함으로써, 효율적이고 최적화된 시즈닝으로 파티클의 감소를 가져와 재현성 있는 건식식각 공정을 구현할 수 있는 효과를 가지고 있다.As described above, the seasoning recipe method according to the present invention utilizes the seasoning step of changing the temperature conditions in the seasoning process through the test wafer, thereby bringing about particle reduction with efficient and optimized seasoning, thereby providing a reproducible dry etching process. It has an effect that can be implemented.

Claims (7)

건식식각 챔버에서의 시즈닝 레시피 방법에 있어서,In the seasoning recipe method in a dry etching chamber, 주식각 레시피를 런 조건으로 설정하는 단계와,Setting the stock angle recipe to run conditions, 상기 주식각 레시피의 온도 조건에 비하여, 어퍼챔버의 온도를 ±50℃로 하고, 월챔버의 온도는 ±30℃로 하며, 전극 온도는 -40℃의 범위 내로 설정하는 예비 시즈닝 1단계와,Compared to the temperature conditions of the stock angle recipe, the upper chamber temperature is set to ± 50 ℃, the wall chamber temperature is ± 30 ℃, preliminary seasoning step 1 to set the electrode temperature within the range of -40 ℃, 상기 주식각 레시피의 온도 조건에 비하여, 어퍼챔버의 온도를 ±20℃로 하고, 월챔버의 온도는 ±20℃로 하며, 전극 온도는 +15℃의 범위 내로 설정하는 예비 시즈닝 2단계와,Compared to the temperature conditions of the stock angle recipe, the upper chamber temperature is ± 20 ℃, the wall chamber temperature is ± 20 ℃, the preliminary seasoning step of setting the electrode temperature in the range of +15 ℃, step 2, 상기 예비 시즈닝 1단계의 설정에 따라 테스트 웨이퍼를 식각하는 단계와,Etching the test wafer according to the preliminary seasoning step 1 setting; 상기 예비 시즈닝 2단계의 설정에 따라 테스트 웨이퍼를 식각하는 단계와,Etching the test wafer according to the preliminary seasoning step 2 setting; 상기 주식각 레시피의 설정에 따라 웨이퍼를 식각하는 단계,Etching the wafer according to the setting of the stock angle recipe; 를 포함하는 시즈닝 레시피 방법.Seasoning recipe method comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 예비 시즈닝 1단계는,The preliminary seasoning step 1, 어퍼챔버의 온도 범위가 50℃∼150℃이고, 월챔버의 온도 범위는 70℃∼110℃로 하며, 전극 온도 범위는 0℃∼20℃로 설정되는 것을 특징으로 하는 시즈닝 레시피 방법.The temperature range of an upper chamber is 50 degreeC-150 degreeC, the temperature range of a wall chamber is 70 degreeC-110 degreeC, and the electrode temperature range is set to 0 degreeC-20 degreeC, The seasoning recipe method characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 예비 시즈닝 2단계는,The preliminary seasoning step 2, 어퍼챔버의 온도 범위가 80℃∼120℃이고, 월챔버의 온도 범위는 60℃∼100℃로 하며, 전극 온도 범위는 40℃∼55℃로 설정되는 것을 특징으로 하는 시즈닝 레시피 방법.The temperature range of the upper chamber is 80 ° C to 120 ° C, the temperature of the wall chamber is 60 ° C to 100 ° C, and the electrode temperature range is set to 40 ° C to 55 ° C. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 예비 시즈닝 1단계에서의 테스트 웨이퍼는, 포토레지스트 웨이퍼가 사용되는 것을 특징으로 하는 시즈닝 레시피 방법.The test wafer in the preliminary seasoning stage 1 is a photoresist wafer, characterized in that the seasoning recipe method. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 예비 시즈닝 2단계에서의 테스트 웨이퍼는, 옥사이드 웨이퍼(oxide wafer)가 사용되는 것을 특징으로 하는 시즈닝 레시피 방법.The test wafer in the preliminary seasoning stage 2, an oxide wafer (oxide wafer) characterized in that the seasoning recipe method. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 주식각 레시피에 사용되는 웨이퍼는, 포토레지스트 웨이퍼가 사용되는 것을 특징으로 하는 시즈닝 레시피 방법.A seasoning recipe method, wherein the wafer used for the stock corner recipe is a photoresist wafer. 건식식각 챔버에서의 시즈닝 레시피 방법에 있어서,In the seasoning recipe method in a dry etching chamber, 주식각 레시피를 런 조건으로 설정하는 단계와,Setting the stock angle recipe to run conditions, 상기 주식각 레시피의 온도 조건에 비하여, 어퍼챔버의 온도를 ±20℃로 하고, 월챔버의 온도는 ±20℃로 하며, 전극 온도는 +15℃의 범위 내로 설정하는 예비 시즈닝 1단계와,Compared to the temperature conditions of the stock angle recipe, the temperature of the upper chamber is ± 20 ℃, the temperature of the wall chamber is ± 20 ℃, preliminary seasoning step 1 to set the electrode temperature within the range of +15 ℃, 상기 주식각 레시피의 온도 조건에 비하여, 어퍼챔버의 온도를 ±50℃로 하고, 월챔버의 온도는 ±30℃로 하며, 전극 온도는 -40℃의 범위 내로 설정하는 예비 시즈닝 2단계와,Compared to the temperature condition of the stock angle recipe, the upper chamber temperature is set to ± 50 ℃, the wall chamber temperature is ± 30 ℃, preliminary seasoning step 2 to set the electrode temperature within the range of -40 ℃, 상기 예비 시즈닝 1단계의 설정에 따라 테스트 웨이퍼를 식각하는 단계와,Etching the test wafer according to the preliminary seasoning step 1 setting; 상기 예비 시즈닝 2단계의 설정에 따라 테스트 웨이퍼를 식각하는 단계와,Etching the test wafer according to the preliminary seasoning step 2 setting; 상기 주식각 레시피의 설정에 따라 웨이퍼를 식각하는 단계,Etching the wafer according to the setting of the stock angle recipe; 를 포함하는 시즈닝 레시피 방법.Seasoning recipe method comprising a.
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