JPH1041283A - Method and apparatus for detecting etching end point - Google Patents
Method and apparatus for detecting etching end pointInfo
- Publication number
- JPH1041283A JPH1041283A JP21211096A JP21211096A JPH1041283A JP H1041283 A JPH1041283 A JP H1041283A JP 21211096 A JP21211096 A JP 21211096A JP 21211096 A JP21211096 A JP 21211096A JP H1041283 A JPH1041283 A JP H1041283A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- end point
- wavelength
- light emission
- detecting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、エッチングの終
点検出方法およびエッチングの終点検出装置に関し、特
に、高融点金属シリサイドや多結晶シリコンなどのエッ
チングに適用して好適なものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for detecting an end point of etching and an apparatus for detecting an end point of etching, and is particularly suitable for application to etching of high melting point metal silicide, polycrystalline silicon, or the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路の高密度化に伴って配線
は益々微細化の方向に進んでおり、半導体集積回路の製
造プロセスにおける配線加工技術の占める比重は益々大
きくなりつつある。2. Description of the Related Art With the increase in the density of semiconductor integrated circuits, wiring has been increasingly miniaturized, and the proportion of wiring processing technology in the manufacturing process of semiconductor integrated circuits has been increasing.
【0003】この配線の微細化を達成するために、半導
体製造装置においては、様々な工夫が試みられている。
このうち特にドライエッチング装置におけるエッチング
の終点検出については、ゲート電極を形成するためのタ
ングステンシリサイド/多結晶シリコン構造の加工の制
御や下地ゲート酸化膜の膜厚の制御を行う上で重要であ
る。In order to achieve the miniaturization of the wiring, various devices have been tried in a semiconductor manufacturing apparatus.
Of these, the detection of the end point of the etching in the dry etching apparatus is particularly important in controlling the processing of the tungsten silicide / polycrystalline silicon structure for forming the gate electrode and controlling the thickness of the underlying gate oxide film.
【0004】従来、タングステンシリサイド/多結晶シ
リコン構造のゲート電極を加工するためのドライエッチ
ングの終点検出は次のようにして行っていた。すなわ
ち、上述のゲート電極を加工するためのドライエッチン
グ時には通常、ハロゲン系のエッチングガスが用いられ
る。このエッチング時には、反応室内に、主に配線材料
とエッチングガスとの反応生成物としてWClX 、WB
rX 、SiClX 、SiBrX などの化合物が発生す
る。そして、これらの化合物がプラズマ中で励起される
ことによる発光のうち405nmの波長の発光(SiC
lX のSi−Cl結合に起因する発光)をモニターし、
その発光強度を電圧値に変換し、その変化によりエッチ
ングの終点検出を行っていた。Conventionally, the end point of dry etching for processing a gate electrode having a tungsten silicide / polycrystalline silicon structure has been detected as follows. That is, a halogen-based etching gas is usually used during dry etching for processing the above-described gate electrode. During this etching, WCl x and WB are mainly contained in the reaction chamber as reaction products of the wiring material and the etching gas.
Compounds such as r x , SiCl x , and SiBr x are generated. Then, out of the light emission due to the excitation of these compounds in the plasma, the light emission of 405 nm wavelength (SiC
luminescence due to the Si—Cl bond of l x )
The light emission intensity was converted to a voltage value, and the change was used to detect the end point of the etching.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来のエッチングの終点検出方法は、エッチング時の反
応条件、具体的には、エッチング面積、反応室内の雰囲
気(直前に行われたエッチングの雰囲気による)などに
よりSiClX の生成量が変化するため、エッチング時
の反応条件に左右されやすく、終点検出を安定して行う
ことができないという欠点があった。However, in the above-mentioned conventional method for detecting the end point of etching, the reaction conditions at the time of etching, specifically, the etching area, the atmosphere in the reaction chamber (depending on the atmosphere of the etching performed immediately before). ), The amount of SiCl X generated varies, and therefore, there is a drawback that the end point cannot be detected stably because it is easily affected by the reaction conditions at the time of etching.
【0006】したがって、この発明の目的は、上記課題
の解決を図り、エッチングの終点検出を安定して行うこ
とができるエッチングの終点検出方法およびエッチング
の終点検出装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide an etching end point detecting method and an etching end point detecting device capable of stably detecting an etching end point to solve the above-mentioned problems.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決すべく、タングステンシリサイド/多結晶シリコン
構造や多結晶シリコン/酸化シリコン構造などをハロゲ
ン系のエッチングガスを用いてドライエッチングする際
に観測される種々の波長の発光強度の変化を詳細に検討
した。その結果、現時点では完全には同定されていない
が、タングステンシリサイド膜、多結晶シリコン膜、酸
化シリコン膜などをエッチングする場合に観測されるほ
ぼ337nmの波長の発光は、405nmなどの他の波
長の発光に比べて各膜間で発光強度に極めて大きな差が
あり、これらの膜の積層構造をエッチングした場合、こ
れらの膜間の界面が露出したときに発光強度が大きく変
化することを見出した。そして、エッチングの終点検出
を安定して行うためには、このほぼ337nmの波長の
発光をモニターするのが最も有効であるという結論に至
り、この発明を案出するに至った。In order to solve the above-mentioned problems, the present inventor has proposed a method of dry-etching a tungsten silicide / polycrystalline silicon structure or a polycrystalline silicon / silicon oxide structure using a halogen-based etching gas. The changes in the emission intensities of various wavelengths observed in the above were examined in detail. As a result, although not completely identified at this time, the emission of a wavelength of approximately 337 nm observed when etching a tungsten silicide film, a polycrystalline silicon film, a silicon oxide film, or the like is reduced to other wavelengths such as 405 nm. It has been found that there is an extremely large difference in light emission intensity between the films compared to light emission, and that when the layered structure of these films is etched, the light emission intensity changes greatly when the interface between these films is exposed. Then, in order to stably detect the end point of the etching, it was concluded that monitoring of the light emission having a wavelength of about 337 nm was the most effective, and the present invention was devised.
【0008】すなわち、上記目的を達成するために、こ
の発明の第1の発明は、エッチング時の発光をモニター
することによりエッチングの終点検出を行うようにした
エッチングの終点検出方法において、ほぼ337nmの
波長の発光をモニターすることによりエッチングの終点
検出を行うようにしたことを特徴とするものである。That is, in order to achieve the above object, a first aspect of the present invention is an etching end point detecting method for detecting an etching end point by monitoring light emission during etching. The present invention is characterized in that the end point of the etching is detected by monitoring the light emission of the wavelength.
【0009】この発明の第2の発明は、エッチング時の
発光をモニターすることによりエッチングの終点検出を
行うようにしたエッチングの終点検出装置において、ほ
ぼ337nmの波長の発光をモニターすることによりエ
ッチングの終点検出を行うようにしたことを特徴とする
ものである。According to a second aspect of the present invention, there is provided an etching end point detecting apparatus for detecting an etching end point by monitoring light emission during etching, by monitoring light emission having a wavelength of about 337 nm. An end point is detected.
【0010】この発明において、被エッチング材料は、
シリコンまたはシリコン化合物である。ここで、シリコ
ンは多結晶、単結晶または非晶質のいずれであってもよ
い。また、シリコン化合物は、タングステンシリサイド
などの高融点金属シリサイドのほか、シリコンゲルマニ
ウム(SiGe)や窒化シリコン(SiN)などであっ
てよい。In the present invention, the material to be etched is:
Silicon or a silicon compound. Here, silicon may be any of polycrystal, single crystal, or amorphous. The silicon compound may be silicon germanium (SiGe), silicon nitride (SiN), or the like, in addition to a high melting point metal silicide such as tungsten silicide.
【0011】この発明においては、エッチングの終点検
出をより正確に行う観点から、好適には、ほぼ337n
mの波長の発光に加えて、ほぼ405nmの波長の発光
もモニターし、ほぼ337nmの波長の発光とこのほぼ
405nmの波長の発光とを併用してエッチングの終点
検出を行う。In the present invention, from the viewpoint of more accurately detecting the end point of the etching, it is preferable that the
In addition to the emission at the wavelength of m, the emission at the wavelength of about 405 nm is also monitored, and the end point of the etching is detected using the emission at the wavelength of about 337 nm and the emission at the wavelength of about 405 nm.
【0012】上述のように構成されたこの発明において
は、ほぼ337nmの波長の発光をモニターすることに
よりエッチングの終点検出を行うようにしているので、
エッチングが進んで異なる膜間の界面が露出したときに
発光強度が大きく変化する。そして、この発光強度の大
きな変化は、エッチング時の反応条件などによりほとん
ど左右されない。したがって、この発光強度が大きく変
化したときをもってエッチングの終点とすることによ
り、従来に比べてエッチングの終点検出を安定して行う
ことができる。In the present invention configured as described above, the end point of the etching is detected by monitoring the light emission having a wavelength of about 337 nm.
When etching progresses and the interface between different films is exposed, the light emission intensity changes significantly. The large change in the light emission intensity is hardly influenced by the reaction conditions at the time of etching. Therefore, the end point of the etching can be detected more stably as compared with the related art by setting the end point of the etching when the light emission intensity largely changes.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態につ
いて図面を参照しながら説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0014】まず、この一実施形態において用いられる
ドライエッチング装置について説明する。図1にこのド
ライエッチング装置を示す。First, a dry etching apparatus used in this embodiment will be described. FIG. 1 shows this dry etching apparatus.
【0015】図1に示すように、このドライエッチング
装置においては、反応室1内に、処理すべき半導体基板
2が載せられる下部電極3と、この下部電極3に平行な
上部電極4とが設けられている。上部電極4にはコンデ
ンサー5を介して高周波電源6が接続され、下部電極3
にはコンデンサー7を介して高周波電源8が接続されて
いる。反応室1内は図示省略した真空排気系により排気
されるようになっている。さらに、この反応室1内には
ガスライン9を通してエッチングガスが導入されるよう
になっている。符号10、11、12は流量制御のため
のマスフローコントローラ(MFC)を示す。As shown in FIG. 1, in this dry etching apparatus, a lower electrode 3 on which a semiconductor substrate 2 to be processed is mounted and an upper electrode 4 parallel to the lower electrode 3 are provided in a reaction chamber 1. Have been. A high-frequency power source 6 is connected to the upper electrode 4 via a capacitor 5, and the lower electrode 3
Is connected to a high frequency power supply 8 via a capacitor 7. The inside of the reaction chamber 1 is evacuated by a vacuum evacuation system (not shown). Further, an etching gas is introduced into the reaction chamber 1 through a gas line 9. Reference numerals 10, 11, and 12 indicate mass flow controllers (MFCs) for controlling flow rates.
【0016】このドライエッチング装置においては、反
応室1にエッチング終点検出装置13が取り付けられて
いる。このエッチング終点検出装置13は、337nm
および405nmの波長の発光をともにモニターするこ
とができる光検出器(図示せず)を備えている。In this dry etching apparatus, an etching end point detecting device 13 is attached to the reaction chamber 1. This etching end point detecting device 13 has a wavelength of 337 nm.
And a photodetector (not shown) capable of monitoring both emission at 405 nm and at 405 nm.
【0017】次に、この一実施形態によるエッチング方
法について説明する。ここでは、一例として、MOSL
SIの製造においてMOSFETのゲート電極を形成す
るためのエッチング方法について説明する。Next, an etching method according to this embodiment will be described. Here, as an example, MOSL
An etching method for forming a gate electrode of a MOSFET in the manufacture of an SI will be described.
【0018】すなわち、この一実施形態においては、ま
ず、図2Aに示すように、シリコン基板21の表面を選
択的に酸化することによりフィールド酸化シリコン膜2
2を形成して素子間分離を行った後、このフィールド酸
化シリコン膜22で囲まれた活性領域の表面を酸化する
ことによりゲート酸化シリコン膜23を形成する。次
に、例えば化学気相成長(Chemical Vapor Deposition,
CVD)法により全面に例えば多結晶シリコン膜24を
形成した後、この多結晶シリコン膜24にイオン注入法
または熱拡散法により不純物をドープして低抵抗化す
る。次に、この多結晶シリコン膜24上にスパッタリン
グ法などにより例えばタングステンシリサイド膜25を
形成する。その後、ゲート電極を形成するためのレジス
トパターン26をリソグラフィーによりタングステンシ
リサイド膜25上に形成する。That is, in this embodiment, first, as shown in FIG. 2A, the surface of the silicon substrate 21 is selectively oxidized to form the field silicon oxide film 2.
After the formation of 2 and isolation between the elements, a gate silicon oxide film 23 is formed by oxidizing the surface of the active region surrounded by the field silicon oxide film 22. Next, for example, chemical vapor deposition (Chemical Vapor Deposition,
After a polycrystalline silicon film 24 is formed on the entire surface by a CVD method, impurities are doped into the polycrystalline silicon film 24 by an ion implantation method or a thermal diffusion method to reduce the resistance. Next, for example, a tungsten silicide film 25 is formed on the polycrystalline silicon film 24 by a sputtering method or the like. Thereafter, a resist pattern 26 for forming a gate electrode is formed on the tungsten silicide film 25 by lithography.
【0019】次に、シリコン基板21を図1に示すドラ
イエッチング装置の反応室1内の下部電極3上に載せた
後、ガスライン9より、反応室1内に例えば塩素(Cl
2 )からなるエッチングガスを例えば60sccmの流
量で供給する。同時に、反応室1内を例えば3mTor
rの圧力に保持する。そして、上部電極4と下部電極3
との間に例えば10Wの高周波電力を印加して放電を起
こさせることによりエッチングガスを励起してプラズマ
を発生させ、タングステンシリサイド膜25のエッチン
グを行う。これによって、図2Bに示すように、タング
ステンシリサイド膜25がレジストパターン26と同一
形状にエッチングされる。Next, after the silicon substrate 21 is placed on the lower electrode 3 in the reaction chamber 1 of the dry etching apparatus shown in FIG.
2 ) is supplied at a flow rate of, for example, 60 sccm. At the same time, the inside of the reaction chamber 1 is, for example, 3 mTorr.
The pressure is maintained at r. Then, the upper electrode 4 and the lower electrode 3
A high-frequency power of, for example, 10 W is applied between them to generate discharge, thereby exciting the etching gas to generate plasma, and etching the tungsten silicide film 25. Thereby, as shown in FIG. 2B, the tungsten silicide film 25 is etched into the same shape as the resist pattern 26.
【0020】このときのタングステンシリサイド膜25
のエッチングの終点検出は、このエッチング開始と同時
に337nmおよび405nmの波長の発光をモニター
し、それらの発光強度の変化を検出することにより行
う。At this time, the tungsten silicide film 25
The end point of the etching is detected by monitoring the emission at the wavelengths of 337 nm and 405 nm simultaneously with the start of the etching, and detecting a change in the emission intensity.
【0021】すなわち、図3は、上述のエッチングの進
行に伴う波長337nmおよび405nmの発光の強度
変化を示す。図3の横軸は秒を単位とするエッチング時
間、縦軸は発光強度を表す電圧値を示す。また、図3に
おいては、参考のため、400nm、410nm、43
0nm、450nmの波長の発光強度の測定結果も併せ
て載せてある。図4は、図3の各波長の発光強度のグラ
フのベースラインを一定にして(規格化して)発光強度
の変化を見やすくしたグラフである。That is, FIG. 3 shows a change in the intensity of light emission at wavelengths of 337 nm and 405 nm as the etching proceeds. The horizontal axis in FIG. 3 represents the etching time in seconds, and the vertical axis represents the voltage value representing the light emission intensity. Also, in FIG. 3, for reference, 400 nm, 410 nm, 43
The measurement results of the emission intensity at wavelengths of 0 nm and 450 nm are also shown. FIG. 4 is a graph in which the baseline of the emission intensity graph of each wavelength in FIG. 3 is made constant (normalized) to make it easier to see the change in emission intensity.
【0022】図3および図4に示すように、337nm
の波長の発光強度は、エッチング時間が約60秒を過ぎ
た付近から急速に増加し始め、ほぼ90秒付近でピーク
に達している。これは、タングステンシリサイド膜25
がエッチングされてその下地の多結晶シリコン膜24が
露出したためである。図3および図4からわかるよう
に、この337nmの波長の発光強度の90秒付近の変
化は、他のどの波長の発光強度に比べても、著しく大き
い。したがって、この337nmの波長の発光強度をモ
ニターし、その発光強度が大きく変化したときをもって
エッチングの終点とすることにより、タングステンシリ
サイド膜24のエッチングの終点検出を安定して正確に
行うことができる。As shown in FIGS. 3 and 4, 337 nm
The light emission intensity at the wavelength of starts to increase rapidly near the etching time after about 60 seconds, and reaches a peak at about 90 seconds. This is because the tungsten silicide film 25
Is etched to expose the underlying polycrystalline silicon film 24. As can be seen from FIGS. 3 and 4, the change in the emission intensity at a wavelength of 337 nm in the vicinity of 90 seconds is significantly larger than the emission intensity at any other wavelength. Therefore, by monitoring the light emission intensity at the wavelength of 337 nm and setting the end point of the etching when the light emission intensity changes greatly, the end point of the etching of the tungsten silicide film 24 can be detected stably and accurately.
【0023】なお、厳密には、上述の337nmの波長
の発光強度の変化曲線のどの点をもってエッチングの終
点とするかについては、ある程度の任意性があるが、こ
れは一般には使用するプロセスに応じて任意に決めるこ
とができるものである。Strictly speaking, there is a certain degree of freedom as to which point of the above-mentioned change curve of the light emission intensity at the wavelength of 337 nm is used as the end point of the etching, but this generally depends on the process used. Can be determined arbitrarily.
【0024】一方、エッチングの終点検出に従来用いら
れている405nmの波長の発光強度は、エッチング時
間が約60秒を過ぎた付近から減少し始めている。33
7nmの波長の発光強度の変化は上昇波形であるのに対
して、この405nmの波長の発光強度の変化は下降波
形であるので、これらの二つの波長の発光強度の変化を
比較することにより、タングステンシリサイド膜25の
エッチングの終点検出をより正確に行うことができる。On the other hand, the emission intensity at a wavelength of 405 nm, which is conventionally used for detecting the end point of etching, starts to decrease from the vicinity where the etching time exceeds about 60 seconds. 33
The change in the emission intensity at the wavelength of 7 nm is an ascending waveform, whereas the change in the emission intensity at the wavelength of 405 nm is a falling waveform. By comparing the changes in the emission intensity at these two wavelengths, The end point of the etching of the tungsten silicide film 25 can be detected more accurately.
【0025】以上のようにしてタングステンシリサイド
膜25のエッチングを行った後、引き続いて多結晶シリ
コン膜24のエッチングを行うが、このとき、この多結
晶シリコン膜24のエッチングによる加工形状を良好と
するために、エッチングガスをCl2 から例えばCl2
+HBrに切り換える。そして、このエッチングガスを
用いて、図2Cに示すように多結晶シリコン膜24のエ
ッチングを行う。After the tungsten silicide film 25 is etched as described above, the polycrystalline silicon film 24 is subsequently etched. At this time, the processed shape of the polycrystalline silicon film 24 by etching is improved. For this purpose, the etching gas is changed from Cl 2 to, for example, Cl 2.
+ HBr. Then, using this etching gas, the polycrystalline silicon film 24 is etched as shown in FIG. 2C.
【0026】この多結晶シリコン膜24のエッチングの
終点検出は、タングステンシリサイド膜25のエッチン
グの終点検出と同様に、337nmの波長の発光強度の
変化を用いるか、あるいは、これにさらに405nmの
波長の発光強度の変化を併用して行う。The end point of the etching of the polycrystalline silicon film 24 is detected by using the change of the light emission intensity at the wavelength of 337 nm, or similarly to the detection of the end point of the etching of the tungsten silicide film 25. The change of the light emission intensity is performed in combination.
【0027】以上のように、この一実施形態によれば、
タングステンシリサイド膜25、多結晶シリコン膜2
4、ゲート酸化シリコン膜23の間で発光強度に大きな
差があり、これらの膜間の界面が露出したときに発光強
度が大きく変化する337nmの波長の発光をモニター
し、この発光強度が大きく変化したときをもってタング
ステンシリサイド膜25や多結晶シリコン膜24のエッ
チングの終点検出を行っているので、405nmの波長
の発光を用いる従来のエッチングの終点検出方法に比べ
てエッチングの終点検出を安定して正確に行うことがで
きる。さらに、この337nmの波長の発光に加えて、
405nmの波長の発光をもモニターし、それらを比較
することによりエッチングの終点検出を行うことによ
り、エッチングの終点検出をより正確に行うことができ
る。As described above, according to this embodiment,
Tungsten silicide film 25, polycrystalline silicon film 2
4. There is a large difference in light emission intensity between the gate silicon oxide films 23. When the interface between these films is exposed, light emission at a wavelength of 337 nm where the light emission intensity changes greatly is monitored. Since the end point of the etching of the tungsten silicide film 25 and the polycrystalline silicon film 24 is detected at the time of the completion of the etching, the end point of the etching can be detected more stably and accurately than the conventional method of detecting the end point of the etching using the light emission of 405 nm wavelength. Can be done. Further, in addition to the emission at the wavelength of 337 nm,
By monitoring the emission at a wavelength of 405 nm and comparing them to detect the end point of the etching, the end point of the etching can be detected more accurately.
【0028】以上、この発明の一実施形態について具体
的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定さ
れるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種
の変形が可能である。As described above, one embodiment of the present invention has been specifically described. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications based on the technical idea of the present invention are possible. .
【0029】例えば、上述の一実施形態において挙げた
数値やエッチングガスなどはあくまでも例に過ぎず、必
要に応じてこれらと異なる数値やエッチングガスなどを
用いてもよい。具体的には、タングステンシリサイド膜
25のエッチングガスとしては、Cl2 の代わりに、C
l2 +HBr、Cl2 +HBr+O2 などを用いてよ
い。また、多結晶シリコン膜24のエッチングガスとし
ては、Cl2 +HBr+O2 や、これにさらにフッ素系
ガス(CF4 、SF6 など)を加えたものを用いてもよ
い。For example, the numerical values, etching gas, and the like listed in the above-described embodiment are merely examples, and different numerical values, etching gas, and the like may be used as needed. Specifically, the etching gas for the tungsten silicide film 25 is C 2 instead of Cl 2.
l 2 + HBr, Cl 2 + HBr + O 2 or the like may be used. The etching gas for the polycrystalline silicon film 24 may be Cl 2 + HBr + O 2 or a gas to which a fluorine-based gas (CF 4 , SF 6, etc.) is added.
【0030】また、上述の一実施形態においては、図1
に示すドライエッチング装置を用いているが、このドラ
イエッチング装置は一例に過ぎず、反応室の構成、ガス
供給方法、高周波電源の数や種類、真空排気方法などが
異なる他のドライエッチング装置を用いてもよい。In the above-described embodiment, FIG.
However, this dry etching apparatus is merely an example, and another dry etching apparatus using a different reaction chamber configuration, gas supply method, number and type of high-frequency power supply, and vacuum evacuation method is used. You may.
【0031】さらに、上述の一実施形態においては、こ
の発明をMOSFETのゲート電極を形成するためのエ
ッチングに適用した場合について説明したが、この発明
は、各種の半導体装置の製造においてシリコンまたはシ
リコン化合物からなるパターンを形成するためのエッチ
ングに適用することが可能である。Furthermore, in the above-described embodiment, the case where the present invention is applied to etching for forming a gate electrode of a MOSFET has been described. It can be applied to etching for forming a pattern composed of.
【0032】[0032]
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ほぼ337nmの波長の発光をモニターすることに
よりエッチングの終点検出を行うようにしていることに
より、エッチングの終点検出を安定して行うことができ
る。As described above, according to the present invention, the end point of the etching is detected by monitoring the light emission having a wavelength of about 337 nm, so that the end point of the etching can be detected stably. be able to.
【図1】この発明の一実施形態において用いられるドラ
イエッチング装置を示す略線図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a dry etching apparatus used in an embodiment of the present invention.
【図2】この発明の一実施形態によるエッチング方法を
説明するための断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining an etching method according to an embodiment of the present invention.
【図3】この発明の一実施形態によるエッチング方法に
おけるエッチングの終点検出を説明するための発光強度
のエッチング時間による変化を表すグラフである。FIG. 3 is a graph showing a change in emission intensity with an etching time for explaining detection of an etching end point in an etching method according to an embodiment of the present invention.
【図4】図3に示すグラフにおけるベースラインを一定
にしたグラフである。FIG. 4 is a graph in which the baseline in the graph shown in FIG. 3 is fixed.
1・・・反応室、13・・・エッチング終点検出装置、
21・・・シリコン基板、24・・・多結晶シリコン
膜、25・・・タングステンシリサイド膜、26・・・
レジストパターンDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Reaction chamber, 13 ... Etching end point detection apparatus
21: silicon substrate, 24: polycrystalline silicon film, 25: tungsten silicide film, 26:
Resist pattern
Claims (5)
によりエッチングの終点検出を行うようにしたエッチン
グの終点検出方法において、 ほぼ337nmの波長の発光をモニターすることにより
エッチングの終点検出を行うようにしたことを特徴とす
るエッチングの終点検出方法。1. An etching end point detecting method for detecting an etching end point by monitoring light emission during etching, wherein the etching end point is detected by monitoring light emission having a wavelength of about 337 nm. A method of detecting an end point of etching.
コン化合物であることを特徴とする請求項1記載のエッ
チングの終点検出方法。2. The method according to claim 1, wherein the material to be etched is silicon or a silicon compound.
し、上記ほぼ337nmの波長の発光と上記ほぼ405
nmの波長の発光とを併用してエッチングの終点検出を
行うようにしたことを特徴とする請求項1記載のエッチ
ングの終点検出方法。3. The light emission of a wavelength of about 405 nm is also monitored, and the light emission of a wavelength of about 337 nm and the light emission of the
2. The method for detecting an end point of etching according to claim 1, wherein the end point of the etching is detected in combination with emission at a wavelength of nm.
によりエッチングの終点検出を行うようにしたエッチン
グの終点検出装置において、 ほぼ337nmの波長の発光をモニターすることにより
エッチングの終点検出を行うようにしたことを特徴とす
るエッチングの終点検出装置。4. An etching end point detecting device for detecting an etching end point by monitoring light emission during etching, wherein the etching end point is detected by monitoring light emission having a wavelength of about 337 nm. An end point detecting device for etching.
し、上記ほぼ337nmの波長の発光と上記ほぼ405
nmの波長の発光とを併用してエッチングの終点検出を
行うようにしたことを特徴とする請求項4記載のエッチ
ングの終点検出装置。5. The light emission of a wavelength of approximately 405 nm is also monitored, and the light emission of a wavelength of approximately 337 nm and the light emission of a wavelength of approximately
5. The etching end point detecting device according to claim 4, wherein the etching end point is detected in combination with emission at a wavelength of nm.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21211096A JPH1041283A (en) | 1996-07-23 | 1996-07-23 | Method and apparatus for detecting etching end point |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21211096A JPH1041283A (en) | 1996-07-23 | 1996-07-23 | Method and apparatus for detecting etching end point |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1041283A true JPH1041283A (en) | 1998-02-13 |
Family
ID=16617050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21211096A Pending JPH1041283A (en) | 1996-07-23 | 1996-07-23 | Method and apparatus for detecting etching end point |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1041283A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007015938A2 (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for patterning an underbump metallizattion layer using a dry etc process |
JP2020120072A (en) * | 2019-01-28 | 2020-08-06 | 株式会社デンソー | Semiconductor device |
-
1996
- 1996-07-23 JP JP21211096A patent/JPH1041283A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007015938A2 (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for patterning an underbump metallizattion layer using a dry etc process |
WO2007015938A3 (en) * | 2005-07-29 | 2007-03-29 | Advanced Micro Devices Inc | Method for patterning an underbump metallizattion layer using a dry etc process |
US7585759B2 (en) | 2005-07-29 | 2009-09-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Technique for efficiently patterning an underbump metallization layer using a dry etch process |
JP2020120072A (en) * | 2019-01-28 | 2020-08-06 | 株式会社デンソー | Semiconductor device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6479393B1 (en) | Etching methods, methods of removing portions of material, and methods of forming silicon nitride spacers | |
JPH08264510A (en) | Method and device for etching silicon nitride film | |
JP2003517206A (en) | Plasma treatment of tungsten using a gas mixture consisting of fluorine compound gas and oxygen | |
US5514621A (en) | Method of etching polysilicon using a thin oxide mask formed on the polysilicon while doping | |
EP0473344B1 (en) | Process for etching a conductive bi-layer structure | |
JPH05102107A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
KR100747671B1 (en) | Dry etching method and method of manufacturing semiconductor apparatus | |
US4855015A (en) | Dry etch process for selectively etching non-homogeneous material bilayers | |
KR100489599B1 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
US6333271B1 (en) | Multi-step plasma etch method for plasma etch processing a microelectronic layer | |
US5989979A (en) | Method for controlling the silicon nitride profile during patterning using a novel plasma etch process | |
JPH1041283A (en) | Method and apparatus for detecting etching end point | |
JP2003347279A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
US5591300A (en) | Single crystal silicon dry-etch endpoint based on dopant-dependent and thermally-assisted etch rates | |
JP3252789B2 (en) | Etching method | |
JPH0114698B2 (en) | ||
JP4060450B2 (en) | Dry etching method | |
JP3644013B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
US5747357A (en) | Modified poly-buffered isolation | |
JP3946031B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JPH10177997A (en) | Instant etching process of barc and nitride | |
KR100504177B1 (en) | Semiconductor gas sensor and Method for manufacturing the same | |
JP4308018B2 (en) | Etching method | |
KR20010030152A (en) | Method of forming a semiconductor device | |
JPH10261616A (en) | Method of dry etching silicon nitride film |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040203 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |