KR20080041758A - Trimming unit and wafer having pads out of a chip - Google Patents

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Abstract

A trimming apparatus is provided to reduce the area of a chip by forming a trimming pad in the space of a scribe lane between chips. A fusing resistor is positioned in a chip. A trimming pad(220) applies a voltage or current for trimming the fusing resistor. The trimming pad is positioned in a scribe lane outside the chip. A switch(310) can be positioned between the trimming pad and the fusing resistor. A trimming mode pad can turn on the switch. The trimming mode pad is positioned in the scribe lane. The switch can be a MOS transistor or a transmission gate switch.

Description

트리밍 장치 및 칩 외부에 패드가 형성된 웨이퍼{Trimming unit and Wafer having pads out of a chip}Trimming unit and wafer having pads out of a chip

도 1은 종래의 트리밍 장치를 나타낸다.1 shows a conventional trimming device.

도 2 내지 도 5는 본 발명에 따른 트리밍 장치의 일실시예들을 나타낸다.2 to 5 show one embodiment of a trimming device according to the invention.

도 6은 본 발명에 따른 트리밍 장치가 형성된 웨이퍼를 나타낸다.6 shows a wafer on which a trimming device according to the invention is formed.

도 7은 도 6의 웨이퍼에 소우잉(sawing)이 완료된 후의 형태를 나타낸다.FIG. 7 shows a form after sawing is completed on the wafer of FIG. 6.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

220 : 트리밍 패드 310 : 스위치220: trimming pad 310: switch

320 : 트리밍모드 패드 410 : 제1부하 성분320: trimming mode pad 410: first load component

420 : 제2부하 성분 430 : 인버터420: second load component 430: inverter

510 : 트랜스미션 게이트 스위치510: Transmission Gate Switch

본 발명은 반도체 제조장치 중 트리밍 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 트리밍 패드가 칩 외부에 위치하는 트리밍 장치 및 칩 외부에 패드가 형성된 웨이퍼에 관한 것이다.The present invention relates to a trimming apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a trimming apparatus in which a trimming pad is located outside the chip, and a wafer in which the pad is formed outside the chip.

집적회로를 테스트하는 과정에서 더미(Dummy) 저항 등을 이용하여 회로의 특성을 정교하게 조정하기 위해서 퓨징 저항을 트리밍(Trimming)하는 기법을 사용한다. 퓨징 저항은 보통 폴리 저항으로 구성되며, 저항은 수십 옴(Ω) 정도이며, 순간적인 전압이나 전류를 인가하면 단선되는 전기적 성질을 가진다.In the process of testing an integrated circuit, a technique of trimming a fusing resistor is used to finely adjust the characteristics of the circuit using a dummy resistor. The fusing resistor is usually composed of a poly resistor, and the resistance is about tens of ohms, and has an electrical property that is disconnected when a momentary voltage or current is applied.

반도체 회로에서 퓨징(Fusing) 저항을 트리밍하기 위해서는, 퓨징 저항에 전압이나 전류를 인가하기 위한 트리밍 패드를 필요로 한다. 트리밍 패드는 퓨징 저항마다 하나씩 필요하게 된다. 트리밍 패드는 퓨징 저항을 트리밍을 한 후, 그 역할을 다하게 된다.In order to trim the fusing resistor in the semiconductor circuit, a trimming pad for applying a voltage or a current to the fusing resistor is required. One trimming pad is needed for each fusing resistor. The trimming pad performs its role after trimming the fusing resistance.

도 1은 종래의 트리밍 장치(100)를 나타낸다.1 shows a conventional trimming device 100.

도 1을 참조하면, 종래의 트리밍 장치(100)는 퓨징 저항(RF)이 트리밍 패드(110)와 그라운드 패드(120) 사이에 직접 연결되는 구조이며, 트리밍 패드(110)에 높은 전압이나 큰 전류를 인가하여 퓨징 저항(RF)을 트리밍한다.Referring to FIG. 1, the conventional trimming device 100 has a structure in which a fusing resistor R F is directly connected between the trimming pad 110 and the ground pad 120. A current is applied to trim the fusing resistor R F.

그러나, 종래의 트리밍 장치(100)에서 트리밍 패드(110)는 칩(Chip_#) 내부에 위치하게 되어, 결과적으로, 칩 면적에서 상당히 큰 부분을 차지하게 된다. 따라서, 웨이퍼 당 칩 개수가 감소되는 단점이 있다.However, in the conventional trimming apparatus 100, the trimming pad 110 is positioned inside the chip Chip_ #, and consequently occupies a considerable portion of the chip area. Therefore, there is a disadvantage in that the number of chips per wafer is reduced.

본 발명이 이루고자 하는 하나의 기술적 과제는 트리밍 패드를 칩과 칩 사이의 스크라이브 레인(Scribe Lane)에 위치시켜 칩 사이즈를 줄일 수 있으며, 칩 절단 후에 트리밍 패드가 웨이퍼 기판에 단락되더라도 내부회로에 영향을 주지 않는 트리밍 장치를 제공하는데 있다.One technical problem to be achieved by the present invention is to reduce the chip size by placing the trimming pad in the scribe lane between the chip and the chip, and even if the trimming pad is shorted to the wafer substrate after cutting the chip, the internal circuit may be affected. It is to provide a trimming device that does not give.

본 발명이 이루고자 하는 다른 하나의 기술적 과제는 패드를 칩 사이의 스크라이브 레인에 위치시켜 칩 사이즈를 줄일 수 있으며, 칩 절단 후에 패드가 웨이퍼 기판에 단락되더라도 내부회로에 영향을 주지 않는 스크라이브 레인에 패드가 형성된 웨이퍼를 제공하는데 있다.Another technical object of the present invention is to reduce the size of the chip by placing the pad in the scribe lane between the chip, and even if the pad is shorted to the wafer substrate after chip cutting, the pad in the scribe lane does not affect the internal circuit To provide a formed wafer.

상기 하나의 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 트리밍 장치는 퓨징 저항 및 트리밍 패드를 구비하고, 상기 트리밍 패드는 칩 외부의 스크라이브 레인에 위치한다. A trimming apparatus according to an embodiment of the present invention for achieving the above technical problem comprises a fusing resistor and a trimming pad, the trimming pad is located in the scribe lane outside the chip.

상기 퓨징 저항은 칩 내부에 위치한다. 상기 트리밍 패드는 상기 퓨징 저항을 트리밍하기 위한 전압 또는 전류를 인가한다.The fusing resistor is located inside the chip. The trimming pad applies a voltage or current to trim the fusing resistor.

상기 하나의 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 다른 일실시예에 따른 트리밍 장치는 퓨징 저항, 트리밍 패드, 스위치, 트리밍모드 패드, 제1부하 성분, 제2부하 성분 및 인버터를 구비하고, 상기 트리밍 패드 및 상기 트리밍모드 패드는 칩 외부의 스크라이브 레인에 위치한다.Trimming apparatus according to another embodiment of the present invention for achieving the one technical problem comprises a fusing resistor, a trimming pad, a switch, a trimming mode pad, a first load component, a second load component and an inverter, the trimming pad And the trimming mode pad is located in a scribe lane outside the chip.

상기 퓨징 저항은 일 단자가 접지전압에 연결된다. 상기 트리밍 패드는 상기 퓨징 저항을 트리밍하기 위한 전압 또는 전류를 인가한다. 상기 스위치는 일 단자가 상기 트리밍 패드에 연결되고, 다른 일 단자가 상기 퓨징 저항의 다른 일단자에 연결된다. 상기 트리밍모드 패드는 상기 스위치를 턴 온 시킨다. 상기 제1부하 성분은 일 단자가 상기 스위치 및 상기 퓨징 저항 사이의 공통단자에 연결되고, 다른 일 단자가 전원전압에 연결된다. 상기 제2부하 성분은 일 단자가 상기 스위치 및 상기 트리밍모드 패드의 공통단자에 연결되고, 다른 일 단자가 상기 접지전압에 연결된다. 상기 인버터는 상기 스위치, 상기 퓨징 저항 및 상기 제1부하 성분의 공통단자로부터 출력되는 전압을 반전하여 출력한다.The fusing resistor has one terminal connected to a ground voltage. The trimming pad applies a voltage or current to trim the fusing resistor. The switch has one terminal connected to the trimming pad and the other terminal connected to the other terminal of the fusing resistor. The trimming mode pad turns on the switch. The first load component has one terminal connected to a common terminal between the switch and the fusing resistor, and the other terminal connected to a power supply voltage. The second load component has one terminal connected to the common terminal of the switch and the trimming mode pad, and the other terminal connected to the ground voltage. The inverter inverts and outputs a voltage output from a common terminal of the switch, the fusing resistor, and the first load component.

상기 다른 하나의 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 칩 외부에 패드가 형성된 웨이퍼는 복수의 칩 각각에 적어도 하나의 내부회로 및 상기 내부회로에 대응하는 인터페이스 회로가 형성되어 있고, 상기 복수의 칩 사이의 스크라이브 레인에 상기 인터페이스 회로에 대응하는 복수의 패드가 형성되어 있다.According to another aspect of the present invention, at least one internal circuit and an interface circuit corresponding to the internal circuit are formed on a plurality of chips. A plurality of pads corresponding to the interface circuits are formed in the scribe lanes.

이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 트리밍 장치(200)를 나타낸다.2 shows a trimming device 200 according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 트리밍 장치(200)는, 칩(Chip_#) 내부의 퓨징(Fusing) 저항(RF)과 칩(Chip_#) 외부의 트리밍 패드(220)를 구비한다. 칩(Chip_#) 내부의 내부회로는 트리밍 패드(220)와 퓨징 저항(RF)의 공통단자에 연결되어 있다.The trimming apparatus 200 illustrated in FIG. 2 includes a fusing resistor R F inside the chip Chip_ # and a trimming pad 220 outside the chip Chip_ #. The internal circuit inside the chip Chip_ # is connected to the common terminal of the trimming pad 220 and the fusing resistor R F.

칩(Chip_#)은 내부회로와 이에 대응하는 인터페이스 회로를 구비하는데, 인터페이스 회로는 트리밍(Trimming)을 목적으로 설계할 수도 있고, 테스트(Test)를 목적으로 설계할 수도 있다. 트리밍을 목적으로 설계할 경우에 인터페이스 회로는 퓨징 저항(RF)을 구비한다.The chip Chip_ # includes an internal circuit and an interface circuit corresponding thereto, and the interface circuit may be designed for trimming or for testing. When designed for trimming purposes, the interface circuit has a fusing resistor R F.

퓨징 저항(RF)은 칩 내부에 위치하며, 일 단자가 접지전압(GND)과 연결되어 있다.The fusing resistor R F is located inside the chip, and one terminal is connected to the ground voltage GND.

트리밍 패드(220)는 퓨징 저항(RF)의 다른 일 단자와 연결되어 있으며, 충분한 전압이나 전류를 이용하여 퓨징 저항(RF)을 트리밍하기 위해 사용된다. 특히, 트리밍 패드(220)는 칩(Chip_#) 외부의 스크라이브 레인(Scribe Lane)에 위치한다.Trimming pad 220 is connected to the other terminal of the fusing resistor (R F), it is used to trim the fusing resistor (R F) by a sufficient voltage or current. In particular, the trimming pad 220 is located in a scribe lane outside the chip Chip_ #.

스크라이브 레인은 웨이퍼에서 칩(Chip_#)과 칩(Chip_#) 사이에 형성된 일정한 간격의 분리를 위한 공간으로, 조립과정에서 절단되는 부분이다.The scribe lane is a space for separation of a predetermined gap formed between the chip Chip_ # and the chip Chip ## in the wafer, and is a part cut during the assembly process.

도 3은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 트리밍 장치(300)를 나타낸다.3 shows a trimming device 300 according to another embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 트리밍 장치(300)는, 도 2에 도시된 트리밍 장치(200)에 트리밍 패드(220)와 퓨징 저항(RF) 사이에 위치하는 스위치(310)와 스위치(310)를 턴 온(Turn On)시키는 트리밍모드 패드(320)를 더 구비한다.The trimming apparatus 300 illustrated in FIG. 3 turns the switch 310 and the switch 310 positioned between the trimming pad 220 and the fusing resistor R F to the trimming apparatus 200 illustrated in FIG. 2. A trimming mode pad 320 is further provided to turn on.

여기서, 트리밍모드 패드(320)는 트리밍 패드(220)와 마찬가지로, 칩 외부의 스크라이브 레인에 위치한다.Here, the trimming mode pad 320 is located in the scribe lane outside the chip, similarly to the trimming pad 220.

여기서, 스위치(310)는, MOS 트랜지스터로 구현할 수 있다. 이 경우, 트리밍모드 패드(320)는 MOS 트랜지스터의 게이트에 턴 온 전압을 인가한다. 도 3의 실시예에서는 NMOS 스위치가 이용되었다.Here, the switch 310 may be implemented with a MOS transistor. In this case, the trimming mode pad 320 applies a turn on voltage to the gate of the MOS transistor. In the embodiment of FIG. 3, an NMOS switch is used.

도 3에 도시된 트리밍 장치(300)는 트리밍모드 패드(320)를 이용하여 NMOS 스위치(310)의 게이트에 로직 "HIGH"전압을 인가하여 턴 온시킨 후, 트리밍 패드(220)를 통하여 퓨징 저항(RF)을 트리밍할 수 있는 전류 또는 전압을 인가하도록 되어 있다.The trimming apparatus 300 shown in FIG. 3 is turned on by applying a logic “HIGH” voltage to the gate of the NMOS switch 310 using the trimming mode pad 320, and then fusing resistors through the trimming pad 220. A current or a voltage capable of trimming (R F ) is applied.

또한, 스위치(310)는, 트랜스미션 게이트(Transmission Gate) 스위치(도 5의 510)로도 구현할 수 있다.In addition, the switch 310 may be implemented as a transmission gate switch (510 of FIG. 5).

트랜스미션 게이트 스위치(510, 도 5)는 NMOS 트랜지스터, PMOS 트랜지스터 및 인버터를 구비하고, 하나의 게이트에는 인버터의 입력 전압을, 다른 하나의 게이트에는 인버터의 출력 전압을 인가하여 두 트랜지스터 모두 턴 온되거나 또는 두 트랜지스터 모두 턴 오프되는 특성을 가지고 있으므로, 스위치와 같은 특성을 가지게 된다.The transmission gate switch 510 (FIG. 5) includes an NMOS transistor, a PMOS transistor, and an inverter, and both transistors are turned on by applying an input voltage of the inverter to one gate and an output voltage of the inverter to another gate, or Both transistors are turned off, so they have the same characteristics as switches.

도 4는 본 발명의 또다른 일실시예에 따른 트리밍 장치(400)를 나타낸다.4 shows a trimming device 400 according to another embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 트리밍 장치(400)는 퓨징 저항(RF), 트리밍 패드(220), 스위치(310), 트리밍모드 패드(320), 제1부하 성분(410), 제2부하 성분(420) 및 인버터(430)를 구비한다.The trimming apparatus 400 illustrated in FIG. 4 includes a fusing resistor R F , a trimming pad 220, a switch 310, a trimming mode pad 320, a first load component 410, and a second load component 420. ) And an inverter 430.

퓨징 저항(RF)은 일 단자가 접지전압(GND)에 연결된다.One terminal of the fusing resistor R F is connected to the ground voltage GND.

트리밍 패드(220)는 퓨징 저항(RF)을 트리밍하기 위한 충분한 전압이나 전류를 퓨징 저항(RF)에 인가한다. 트리밍 패드(220)는 칩(Chip_#) 외부의 스크라이브 레인에 위치한다.Trimming pad 220 is to apply a sufficient voltage and current for fusing the trimming resistor (R F) to the fusing resistor (R F). The trimming pad 220 is located in the scribe lane outside the chip Chip_ #.

스위치(310)는 일 단자가 상기 트리밍 패드(220)에 연결되고, 다른 일 단자가 상기 퓨징 저항(RF)의 다른 일단자에 연결된다. 여기서, 스위치(310)는 MOS 트랜지스터로 구현할 수 있다.The switch 310 has one terminal connected to the trimming pad 220 and the other terminal connected to the other terminal of the fusing resistor R F. Here, the switch 310 may be implemented as a MOS transistor.

트리밍모드 패드(320)는 스위치(310)를 턴 온 시킨다. 스위치(310)가 MOS 트랜지스터일 경우 트리밍모드 패드(320)는 MOS 트랜지스터의 게이트에 턴 온 전압을 인가한다. 트리밍모드 패드(320)는 트리밍 패드(220)와 마찬가지로, 칩(Chip_#) 외부의 스크라이브 레인에 위치한다.The trimming mode pad 320 turns on the switch 310. When the switch 310 is a MOS transistor, the trimming mode pad 320 applies a turn on voltage to the gate of the MOS transistor. The trimming mode pad 320 is located in the scribe lane outside the chip Chip_ # like the trimming pad 220.

제1부하 성분(410)은 일 단자가 스위치(310) 및 퓨징 저항(RF) 사이의 공통단자에 연결되고, 다른 일 단자가 전원전압(VDD)에 연결된다. 제2부하 성분(420) 일 단자가 스위치(310) 및 트리밍모드 패드(320)의 공통단자에 연결되고, 다른 일 단자가 접지전압(GND)에 연결된다.One terminal of the first load component 410 is connected to the common terminal between the switch 310 and the fusing resistor R F , and the other terminal is connected to the power supply voltage VDD. One terminal of the second load component 420 is connected to the common terminal of the switch 310 and the trimming mode pad 320, and the other terminal is connected to the ground voltage GND.

인버터(430)는 스위치(310), 퓨징 저항(RF) 및 제1부하 성분(410)의 공통단자로부터 출력되는 전압(VA)을 반전하여 출력한다.The inverter 430 inverts and outputs the voltage V A output from the common terminal of the switch 310, the fusing resistor R F , and the first load component 410.

트리밍 전에 인버터(430)에 입력되는 전압(VA)은, 스위치(310)가 턴 오프되어, 전원전압(VDD)과 접지전압(GND) 사이에서 퓨징 저항(RF) 및 제1부하 성분(410)의 공통단자로부터 출력되는 전압이므로, 다음과 같이 표시할 수 있다.The voltage V A inputted to the inverter 430 before trimming is switched off by the switch 310, and the fusing resistor R F and the first load component between the power supply voltage VDD and the ground voltage GND ( Since the voltage is output from the common terminal of 410, it can be displayed as follows.

Figure 112006081558771-PAT00001
Figure 112006081558771-PAT00001

여기서, RPU는 제1부하 성분(410)의 저항값이다.Here, R PU is a resistance value of the first load component 410.

제1부하 성분(410)은 이른바 풀업(pull-up) 저항으로, 수백 킬로옴(㏀) 이상 의 저항값을 가지며, 퓨징 저항(RF)의 트리밍 전에, 인버터(430) 출력 전압을 "HIGH"로 유지하는데 사용된다. 반면, 제2부하 성분(420)은 이른바 풀다운(pull-down) 저항으로, 풀업 저항과 마찬가지로 수백 킬로옴(㏀) 이상의 저항값을 가지며, 퓨징 저항(RF)의 트리밍 후에, 인버터(430) 출력 전압을 "LOW"로 유지하는데 사용된다.The first load component 410 is a so-called pull-up resistor and has a resistance value of several hundred kiloohms or more, and before trimming the fusing resistor R F , the inverter 430 output voltage is “HIGH”. "Is used to keep. On the other hand, the second load component 420 is a so-called pull-down resistor, similar to the pull-up resistor, has a resistance value of several hundred kiloohms or more, and after trimming the fusing resistor R F , the inverter 430 Used to keep the output voltage "LOW".

도 4에 도시된 트리밍 장치(400)의 동작의 시퀀스는 다음과 같다.The sequence of operations of the trimming device 400 shown in FIG. 4 is as follows.

트리밍모드 패드(320)에 로직 "HIGH"전압을 인가하면, 스위치(310)는 턴 온 되어 트리밍을 할 준비가 된다. 그 후, 트리밍 패드(220)에 전압 또는 전류를 인가하여 트리밍을 실시하면, 퓨징 저항(RF)이 단선되어, 인버터(430) 입력전압(VA) 전압은 로직 "HIGH"가 된다. 따라서, 인버터(430)의 최종 출력 전압은 로직 "LOW"가 된다. 다시 트리밍 패드(220)와 트리밍모드 패드(320)를 플로팅하면, 제2부하 성분(420)에 의해 스위치(310)는 턴 오프 되어 인버터(430)의 최종 출력 전압은 로직 "LOW"를 유지한다.When a logic “HIGH” voltage is applied to the trimming mode pad 320, the switch 310 is turned on and ready for trimming. Thereafter, when trimming is performed by applying a voltage or a current to the trimming pad 220, the fusing resistor R F is disconnected, and the inverter 430 input voltage V A becomes a logic “HIGH”. Thus, the final output voltage of inverter 430 becomes logic "LOW". When the trimming pad 220 and the trimming mode pad 320 are floated again, the switch 310 is turned off by the second load component 420 so that the final output voltage of the inverter 430 maintains a logic “LOW”. .

도 5는 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 트리밍 장치(500)를 나타낸다.5 shows a trimming device 500 according to another embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 트리밍 장치(500)는, 도 4에 도시된 트리밍 장치(400)에서 스위치(310)를 트랜스미션 게이트 스위치(510)로 구현한 것이다.The trimming apparatus 500 illustrated in FIG. 5 implements the switch 310 as the transmission gate switch 510 in the trimming apparatus 400 illustrated in FIG. 4.

트랜스미션 게이트 스위치(510)는 PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터, 그리고 인버터를 구비한다. 2개의 트랜지스터 각각의 드레인의 공통단자가 트리밍 패드(220)와 연결되어 있다. 그리고, 2개의 트랜지스터 각각의 소오스의 공통단자가 퓨징 저항(RF)에 연결되어 있다. 1개의 트랜지스터의 게이트는 인버터의 입력단자와 연결되어 있고, 다른 1개의 트랜지스터의 게이트는 인버터의 출력단자와 연결되어 있다.The transmission gate switch 510 includes a PMOS transistor, an NMOS transistor, and an inverter. The common terminal of the drain of each of the two transistors is connected to the trimming pad 220. The common terminal of the source of each of the two transistors is connected to the fusing resistor R F. The gate of one transistor is connected to the input terminal of the inverter, and the gate of the other transistor is connected to the output terminal of the inverter.

따라서, 2개의 트랜지스터 모두 턴 오프 되어있는 상태에서 트리밍모드 패드(320)에 의해 동시에 턴 온 된다.Therefore, both transistors are turned on at the same time by the trimming mode pad 320 while both transistors are turned off.

도 6은 본 발명에 따른 트리밍 장치를 적용한 웨이퍼의 레이아웃을 나타낸다.6 shows a layout of a wafer to which a trimming device according to the present invention is applied.

도 6을 참조하면, 복수의 트리밍 패드(220)는 칩(Chip_#) 외부의 스크라이브 레인에 위치하고, 메탈 레인에 의해 각각의 칩(Chip_#) 내부와 연결된다.Referring to FIG. 6, the trimming pads 220 are located in a scribe lane outside the chip Chip_ # and are connected to the inside of each chip Chip_ # by a metal lane.

본 발명에 따른 트리밍 장치의 기술적 사상은 웨이퍼의 레이아웃에도 확대 적용할 수 있다.The technical idea of the trimming apparatus according to the present invention can be extended to the layout of the wafer.

일반적으로 웨이퍼에는 스크라이브 레인으로 분리된 복수의 칩이 형성되어 있으며, 복수의 칩 각각에는 적어도 하나의 내부회로 및 상기 내부회로에 대응하는 인터페이스 회로가 형성되어 있다.In general, a plurality of chips separated by a scribe lane are formed on a wafer, and at least one internal circuit and an interface circuit corresponding to the internal circuits are formed on each of the plurality of chips.

본 발명에서는 스크라이브 레인에 각각 상기 인터페이스 회로에 대응하는 복수의 패드가 형성되어 있다. 여기서 복수의 패드는, 내부회로 테스트를 위한 테스트 패드 또는 트리밍을 위한 트리밍 패드이다.In the present invention, a plurality of pads corresponding to the interface circuit are formed in the scribe lanes, respectively. Here, the plurality of pads are test pads for internal circuit testing or trimming pads for trimming.

만약, 트리밍을 위한 트리밍 패드(220)라면, 도 2에서 설명한 바와 같이 인터페이스 회로에는 퓨징 저항(RF)이 구비된다. 또한, 도 3에서 설명한 바와 같이 인 터페이스 회로에는 스위치(310)가 더 구비되고, 스크라이브 레인에 스위치(310)에 턴 온 전압을 인가하는 트리밍모드 패드(320)가 더 구비될 수 있다. 또한, 도 4에서 설명한 바와 같이, 인터페이스 회로에는, 일 단자가 스위치(310) 및 상기 퓨징 저항(RF) 사이의 공통단자에 연결되고, 다른 일 단자가 전원전압(VDD)에 연결되는 제1부하 성분(410), 일 단자가 스위치(310) 및 트리밍모드 패드(320)의 공통단자에 연결되고, 다른 일 단자가 접지전압(GND)에 연결되는 제2부하 성분(420) 및 스위치(310), 퓨징 저항(RF) 및 제1부하 성분(410)의 공통단자로부터 출력되는 전압(VA)을 반전시키는 인버터(430)를 더 구비될 수 있다.If it is a trimming pad 220 for trimming, as illustrated in FIG. 2, the fusing resistor R F is provided in the interface circuit. In addition, as illustrated in FIG. 3, the interface circuit may further include a switch 310, and a trimming mode pad 320 may be further provided to apply a turn-on voltage to the switch 310 in the scribe lane. In addition, as described with reference to FIG. 4, in the interface circuit, a first terminal is connected to a common terminal between the switch 310 and the fusing resistor R F , and the other terminal is connected to a power supply voltage VDD. The second load component 420 and the switch 310 having a load component 410 and one terminal connected to the common terminal of the switch 310 and the trimming mode pad 320, and the other terminal connected to the ground voltage GND. The inverter 430 may further include an inverter 430 for inverting the voltage V A output from the common terminal of the fusing resistor R F and the first load component 410.

도 7은 도 6에 소우잉(sawing)이 완료된 후의 웨이퍼의 레이아웃을 나타낸다.FIG. 7 shows the layout of the wafer after sawing is completed in FIG. 6.

웨이퍼의 소우잉(sawing)은 다이아몬드 칼 등으로 칩 외부에 형성된 스크라이브 레인을 따라서 절단하는 것으로 이루어진다. 패드가 스크라이브 레인에 위치하게 되면, 소우잉(sawing)시 패드의 일부가 절단되게 된다. Sawing of the wafer consists of cutting along a scribe lane formed outside the chip with a diamond knife or the like. When the pad is placed in the scribe lane, a portion of the pad is cut during sawing.

절단된 패드의 일부가 웨이퍼의 기판에 단락되면 최종출력이 원치 않는 상태로 될 수 있지만, 본 발명에서는, 도 4에 도시된 트리밍 장치(400)의 예를 들면, 웨이퍼를 절단한 후에 절단된 트리밍 패드(220)의 일부가 웨이퍼의 칩과 단락되더라도, 풀-다운 저항 역할을 하는 제2부하 성분(420)에 의해 스위치(310)는 항상 턴 오프 되어 있으므로, 인버터(430)의 최종 출력 전압은 트리밍을 실시한 상태를 유지한다.If a part of the cut pad is shorted to the substrate of the wafer, the final output may be in an undesired state. However, in the present invention, for example, the trimming device 400 shown in FIG. Even if a part of the pad 220 is shorted to the chip of the wafer, the switch 310 is always turned off by the second load component 420 serving as a pull-down resistance, so that the final output voltage of the inverter 430 is Maintain trimming.

이상에서 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.The technical spirit of the present invention has been described above with reference to the accompanying drawings. However, the present invention has been described by way of example only, and is not intended to limit the present invention. In addition, it is apparent that any person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs may make various modifications and imitations without departing from the scope of the technical idea of the present invention.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 트리밍 장치는 칩 내부에 있던 트리밍 패드를 칩과 칩 사이의 스크라이브 레인의 공간에 형성함으로써 칩의 면적을 줄이는 효과가 있다. As described above, the trimming apparatus according to the present invention has the effect of reducing the area of the chip by forming a trimming pad inside the chip in the space of the scribe lane between the chip and the chip.

또한, 소우잉(sawing)후 패드의 일부가 웨이퍼의 기판에 단선되더라도, 스위치를 이용하여 외부와 분리시킴으로서 내부회로에 영향을 주지 않는 효과가 있다.In addition, even if a part of the pad is disconnected from the wafer substrate after sawing, the pad is separated from the outside by using a switch so that the internal circuit is not affected.

Claims (12)

칩 내부에 위치하는 퓨징 저항; 및A fusing resistor located within the chip; And 상기 퓨징 저항을 트리밍하기 위한 전압 또는 전류를 인가하는 트리밍 패드를 구비하고,A trimming pad for applying a voltage or current for trimming the fusing resistor; 상기 트리밍 패드는 칩 외부의 스크라이브 레인(Scribe Lane)에 위치하는 것을 특징으로 하는 트리밍 장치.And the trimming pad is located in a scribe lane outside the chip. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 트리밍 패드와 상기 퓨징 저항 사이에 위치하는 스위치; 및A switch located between the trimming pad and the fusing resistor; And 상기 스위치를 턴 온 시키는 트리밍모드 패드를 더 구비하고, And a trimming mode pad for turning on the switch. 상기 트리밍모드 패드는 상기 스크라이브 레인에 위치하는 것을 특징으로 하는 트리밍 장치.And the trimming mode pad is located in the scribe lane. 제2항에 있어서, 상기 스위치는,The method of claim 2, wherein the switch, MOS 트랜지스터 또는 트랜스미션 게이트(Transmission Gate) 스위치인 것을 특징으로 하는 트리밍 장치.Trimming device, characterized in that the MOS transistor or Transmission Gate switch. 일 단자가 접지전압에 연결되는 퓨징 저항; A fusing resistor having one terminal connected to a ground voltage; 상기 퓨징 저항을 트리밍하기 위한 전압 또는 전류를 인가하는 트리밍 패드;A trimming pad applying a voltage or current to trim the fusing resistor; 일 단자가 상기 트리밍 패드에 연결되고, 다른 일 단자가 상기 퓨징 저항의 다른 일단자에 연결되는 스위치; A switch having one terminal connected to the trimming pad and the other terminal connected to the other terminal of the fusing resistor; 상기 스위치를 턴 온 시키는 트리밍모드 패드;A trimming mode pad for turning on the switch; 일 단자가 상기 스위치 및 상기 퓨징 저항 사이의 공통단자에 연결되고, 다른 일 단자가 전원전압에 연결되는 제1부하 성분; A first load component having one terminal connected to a common terminal between the switch and the fusing resistor and the other terminal connected to a power supply voltage; 일 단자가 상기 스위치 및 상기 트리밍모드 패드의 공통단자에 연결되고, 다른 일 단자가 상기 접지전압에 연결되는 제2부하 성분; 및A second load component having one terminal connected to the common terminal of the switch and the trimming mode pad and the other terminal connected to the ground voltage; And 상기 스위치, 상기 퓨징 저항 및 상기 제1부하 성분의 공통단자로부터 출력되는 전압을 반전시키는 인버터를 구비하고,An inverter for inverting a voltage output from the common terminal of the switch, the fusing resistor, and the first load component; 상기 트리밍 패드 및 상기 트리밍모드 패드는 칩 외부의 스크라이브 레인에 위치하는 것을 특징으로 하는 트리밍 장치.And the trimming pad and the trimming mode pad are located in a scribe lane outside the chip. 제4항에 있어서, 상기 스위치는,The method of claim 4, wherein the switch, MOS 트랜지스터 또는 트랜스미션 게이트 스위치인 것을 특징으로 하는 트리밍 장치.Trimming device, characterized in that the MOS transistor or transmission gate switch. 제4항에 있어서, 상기 제1부하 성분은, The method of claim 4, wherein the first load component, 상기 퓨징 저항의 트리밍 전에, 상기 인버터 출력 전압을 "HIGH"로 유지하는데 사용되는 것임을 특징으로 하는 트리밍 장치.And trimming the inverter output voltage at " HIGH " before trimming the fusing resistor. 제4항에 있어서, 상기 제2부하 성분은, The method of claim 4, wherein the second load component, 상기 퓨징 저항의 트리밍 후에, 상기 인버터 출력 전압을 "LOW"로 유지하는데 사용되는 것임을 특징으로 하는 트리밍 장치.And after trimming the fusing resistor, it is used to maintain the inverter output voltage at " LOW ". 복수의 칩이 스크라이브 레인으로 분리된 웨이퍼에 있어서,In a wafer in which a plurality of chips are separated by a scribe lane, 상기 복수의 칩 각각에는, 적어도 하나의 내부회로 및 상기 내부회로에 대응하는 인터페이스 회로가 형성되어 있고,At least one internal circuit and an interface circuit corresponding to the internal circuit are formed in each of the plurality of chips, 상기 스크라이브 레인에는, 각각 상기 인터페이스 회로에 대응하는 복수의 패드가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 칩 외부에 패드가 형성된 웨이퍼.And a plurality of pads corresponding to the interface circuit are formed in the scribe lanes, respectively. 제8항에 있어서, 상기 패드는,The method of claim 8, wherein the pad, 상기 내부회로 테스트를 위한 테스트 패드인 것을 특징으로 하는 칩 외부에 패드가 형성된 웨이퍼.The pad is formed on the outside of the chip, characterized in that the test pad for the internal circuit test. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 인터페이스 회로에는, 퓨징 저항이 구비되어 있고, The interface circuit is provided with a fusing resistor, 상기 패드는, 상기 퓨징 저항을 트리밍하기 위한 트리밍 패드인 것을 특징으로 하는 칩 외부에 패드가 형성된 웨이퍼.And the pad is a trimming pad for trimming the fusing resistance. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 인터페이스 회로에는, 상기 트리밍 패드와 상기 퓨징 저항 사이에 위치하는 스위치가 더 구비되고,The interface circuit is further provided with a switch located between the trimming pad and the fusing resistor, 상기 스크라이브 레인에는 상기 스위치를 턴 온 시키는 트리밍모드 패드가 더 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 칩 외부에 패드가 형성된 웨이퍼.The scribe lane further includes a trimming mode pad for turning on the switch, wherein the pad is formed outside the chip. 제11항에 있어서, 상기 인터페이스 회로에는, The method of claim 11, wherein the interface circuit, 일 단자가 상기 스위치 및 상기 퓨징 저항 사이의 공통단자에 연결되고, 다른 일 단자가 전원전압에 연결되는 제1부하 성분; A first load component having one terminal connected to a common terminal between the switch and the fusing resistor and the other terminal connected to a power supply voltage; 일 단자가 상기 스위치 및 상기 트리밍모드 패드의 공통단자에 연결되고, 다른 일 단자가 상기 접지전압에 연결되는 제2부하 성분; 및 A second load component having one terminal connected to the common terminal of the switch and the trimming mode pad and the other terminal connected to the ground voltage; And 상기 스위치, 상기 퓨징 저항 및 상기 제1부하 성분의 공통단자로부터 출력되는 전압을 반전시키는 인버터가 더 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 칩 외부에 패드가 형성된 웨이퍼.And an inverter for inverting a voltage output from the common terminal of the switch, the fusing resistor, and the first load component.
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