KR20080041308A - Apparatus for cleaning of device for depositing low dielectric film and method of cleaning the device - Google Patents

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KR20080041308A
KR20080041308A KR1020060109196A KR20060109196A KR20080041308A KR 20080041308 A KR20080041308 A KR 20080041308A KR 1020060109196 A KR1020060109196 A KR 1020060109196A KR 20060109196 A KR20060109196 A KR 20060109196A KR 20080041308 A KR20080041308 A KR 20080041308A
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배근학
김경수
김호식
이내응
윤영배
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주식회사 아토
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Abstract

A cleaning apparatus in equipment for depositing a low dielectric layer is provided to improve cleaning effect by using NO gas as cleaning gas and by supplying the cleaning gas to equipment for depositing a low dielectric layer while the cleaning gas doesn't pass through an RPS(remote plasma source) and is not ionized. First cleaning gas including F-containing gas is ionized by an RPS to be supplied to the inside of equipment for depositing a low dielectric layer by a first cleaning gas supply line(10). Second cleaning gas including NO gas is supplied to the inside of the equipment for depositing a low dielectric layer by a second cleaning supply line(20), not passing through the RPS. The first cleaning gas can be one of 100 % NF3 gas or NF3 gas diluted by Ar gas. The second cleaning gas can be one of 100 % NO gas or NO gas added with Ar gas.

Description

저유전체막 증착장비의 세정 장치 및 방법{Apparatus for cleaning of device for depositing low dielectric film and method of cleaning the device}Apparatus for cleaning of device for depositing low dielectric film and method of cleaning the device}

도 1은 본 발명에 따른 저유전체막 증착장비의 세정 장치의 일실시예를 나타낸다.1 shows an embodiment of a cleaning apparatus of a low dielectric film deposition apparatus according to the present invention.

도 2 내지 도 4는 본 발명에 따른 저유전체막 증착장비의 세정 장치의 다른 일실시예들을 나타낸다.2 to 4 show other embodiments of the cleaning apparatus of the low dielectric film deposition apparatus according to the present invention.

도 5는 첨가 가스의 종류에 따른 세정 속도를 나타낸다.5 shows the washing speed according to the type of additive gas.

도 6은 본 발명에 따른 저유전체막 증착장비의 세정 방법을 나타낸다.6 shows a cleaning method of a low dielectric film deposition apparatus according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 제1세정가스공급라인 12 : F2 또는 NF3 공급원10: first cleaning gas supply line 12: F 2 or NF 3 supply source

14,24 : Ar 공급원 16 : N2 공급원14,24: Ar source 16: N 2 source

20 : 제2세정가스공급라인 22 : NO 공급원20: second cleaning gas supply line 22: NO supply source

30 : 공정가스공급라인 32 : 공정가스공급원30: process gas supply line 32: process gas supply source

S10 : 세정가스 공급 단계 S20 : 세정 단계S10: cleaning gas supply step S20: cleaning step

S30 : 배기 단계S30: exhaust stage

본 발명은 반도체 제조 장치의 세정 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 저유전체막 증착장비에서 불소 가스(F2) 및 일산화질소(NO) 가스를 이용하는 저유전체막 증착장비의 세정 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning system for a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a cleaning apparatus and method for a low dielectric film deposition apparatus using fluorine gas (F 2 ) and nitrogen monoxide (NO) gas in a low dielectric film deposition equipment. will be.

저유전체막은 SiOCH막 등으로, SiO2와 비교해서 낮은 유전율을 갖는 막으로서, 일예로 (CH3)3SiH의 분자구조를 갖는 TMS(Tri-Methyl-Silane) 전구체와 일산화이질소(N2O) 가스를 이용하여 증착되는데, 주로 CVD 방법에 의해 증착된다.The low dielectric film is a SiOCH film or the like, and has a lower dielectric constant than SiO2. For example, a TMS (Tri-Methyl-Silane) precursor having a molecular structure of (CH 3 ) 3 SiH and a dinitrogen monoxide (N 2 O) gas It is deposited using CVD, mainly by CVD method.

저유전체막은 주로 금속배선의 층간 유전물질의 용도로 이용되는데, 이는 배선의 저항과 층간 유전물질의 유전율이 반도체 소자의 동작 속도에 영향을 미치게 되므로, 반도체 소자의 동작 속도 향상을 위하여 낮은 저항을 갖는 금속 배선 물질과 저유전율을 갖는 층간 유전물질이 필요하기 때문이다.The low dielectric film is mainly used for the interlayer dielectric material of metal wiring, which has low resistance to improve the operation speed of the semiconductor device because the resistance of the wiring and the dielectric constant of the interlayer dielectric material affect the operation speed of the semiconductor device. This is because a metal wiring material and an interlayer dielectric material having a low dielectric constant are required.

종래의 저유전체막 증착장비의 세정 시스템은 과불화화합물(PFC) 계열의 세정가스를 증착장비 내로 공급한 후 RF 플라즈마를 인가하여 저유전체막 증착장비 내부를 세정하는데, PFC 계열의 세정가스의 경우 저유전체막 증착장비 내부의 파트 손상 및 낮은 세정 능력의 문제점이 있다.The conventional cleaning system of the low dielectric film deposition equipment supplies a cleaning gas of a perfluorinated compound (PFC) system into the deposition equipment, and then cleans the inside of the low dielectric film deposition equipment by applying an RF plasma. There are problems of part damage and low cleaning ability inside the low dielectric film deposition apparatus.

본 발명이 이루고자 하는 하나의 기술적 과제는 저유전체막 증착장비 내부의 파트 손상을 감소시키면서도 세정 효율을 높일 수 있는 저유전체막 증착장비의 세 정 장치를 제공하는데 있다.One technical problem to be achieved by the present invention is to provide a cleaning apparatus of a low dielectric film deposition apparatus that can increase the cleaning efficiency while reducing damage to the inside of the low dielectric film deposition equipment.

본 발명이 이루고자 하는 다른 하나의 기술적 과제는 저유전체막 증착장비 내부의 파트 손상을 감소시키면서도 세정 효율을 높일 수 있는 저유전체막 증착장비의 세정 방법을 제공하는데 있다.Another technical problem to be achieved by the present invention is to provide a cleaning method of a low dielectric film deposition apparatus capable of increasing the cleaning efficiency while reducing damage to the inside of the low dielectric film deposition apparatus.

상기 하나의 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 저유전체막 증착장비의 세정 장치는 제1세정가스공급라인 및 제2세정가스공급라인을 구비한다. The cleaning apparatus of the low dielectric film deposition apparatus according to the present invention for achieving the above technical problem includes a first cleaning gas supply line and a second cleaning gas supply line.

상기 제1세정가스공급라인에서는 불소(F) 성분을 포함하는 가스를 포함하는 제1세정가스가 원격 플라즈마 소스(Remote Plasma Source)에 의해 이온화되어, 상기 저유전체막 증착장비 내부로 공급된다. 상기 제2세정가스공급라인에서는 일산화질소(NO) 가스를 포함하는 제2세정가스가 RPS를 통과하지 않고, 직접 상기 저유전체막 증착장비 내부로 공급된다.In the first cleaning gas supply line, a first cleaning gas including a gas containing fluorine (F) is ionized by a remote plasma source and supplied into the low dielectric film deposition equipment. In the second cleaning gas supply line, the second cleaning gas including nitrogen monoxide (NO) gas is directly supplied into the low dielectric film deposition apparatus without passing through the RPS.

상기 다른 하나의 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 저유전체막 증착장비의 세정 방법은 세정가스 공급 단계, 세정 단계 및 배기 단계를 구비한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a cleaning method of a low dielectric film deposition apparatus including a cleaning gas supplying step, a cleaning step, and an exhausting step.

상기 세정가스 공급 단계에서는 불소(F) 성분이 포함된 가스를 포함하는 제1세정가스를 RPS에 의해 이온화된 상태로 상기 저유전체막 증착장비로 공급하고, 일산화질소(NO) 가스를 포함하는 제2세정가스를 직접 상기 저유전체막 증착장비로 공급한다. 상기 세정 단계에서는 공급된 제1세정가스 및 제2세정가스에 의해 상기 저유전체막 증착장비 내부를 세정한다. 상기 배기 단계에서는 세정된 잔류물 및 잔류가스를 상기 저유전체막 증착장비 외부로 배출한다.In the cleaning gas supplying step, a first cleaning gas including a gas containing a fluorine (F) component is supplied to the low dielectric film deposition apparatus in an ionized state by an RPS, and includes a nitrogen monoxide (NO) gas. 2 cleaning gas is supplied directly to the low dielectric film deposition equipment. In the cleaning step, the inside of the low dielectric film deposition apparatus is cleaned by the supplied first cleaning gas and the second cleaning gas. In the exhausting step, the cleaned residue and residual gas are discharged to the outside of the low dielectric film deposition equipment.

이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 의한 저유전체막 증착장비의 세정 장치를 개략적으로 도시한 것으로, 제1세정가스공급라인(10)과 제2세정가스공급라인(20)을 구비한다.1 schematically shows a cleaning apparatus of a low dielectric film deposition apparatus according to the present invention, and includes a first clean gas supply line 10 and a second clean gas supply line 20.

제1세정가스공급라인(10)에는 불소(F) 성분을 함유하는 가스를 포함하는 제1세정가스를 공급하기 위한 적어도 하나의 불소성분(F2 또는 NF3) 공급원(12)과 제1세정가스를 이온화시키기 위한 원격 플라즈마 소스(Remote Plasma Source, 이하 RPS라 한다)가 구비되어 있다.At least one fluorine component (F 2 or NF 3 ) supply source 12 and the first cleaning for supplying a first cleaning gas containing a gas containing a fluorine (F) component to the first cleaning gas supply line 10 A remote plasma source (hereinafter referred to as RPS) for ionizing a gas is provided.

불소(F) 성분을 함유하는 가스를 포함하는 제1세정가스는 100% 불소(F2) 가스가 될 수 있으며, 아르곤(Ar) 가스에 의해 희석된 불소(F2) 가스가 될 수 있다. 또한 아르곤(Ar) 가스에 의해 희석되고, 질소(N2) 가스와 혼합된 불소(F2) 가스가 될 수 있다. The first cleaning gas including a gas containing a fluorine (F) component may be 100% fluorine (F 2 ) gas, and may be a fluorine (F 2 ) gas diluted with argon (Ar) gas. It may also be a fluorine (F 2 ) gas diluted with argon (Ar) gas and mixed with nitrogen (N 2 ) gas.

불소(F2) 가스는 세정 효율이 농도에 비례하는 관계에 있으므로 불소(F2)의 농도를 최대로 증대하여 세정 효율을 극대화하기 위해 100% 불소(F2) 가스를 이용할 수 있으나, 다만 100% 불소(F2) 가스를 이용하기 위해서는 불소(F2)의 부식성 등에 충분히 견딜 수 있는 장비 등을 이용하여야 하므로, 아르곤(Ar) 가스 등에 의해 희석되거나, 질소(N2) 가스 등이 첨가된 불소(F2) 가스를 이용하는 것이 더 바람직하다.Fluorine (F 2) gas cleaning efficiency, because the relationship that is proportional to the concentration, but can be used for 100% fluorine (F 2) gas in order to maximize cleaning efficiency by increasing the concentration of fluorine (F 2) to the maximum, just 100 In order to use% fluorine (F 2 ) gas, it is necessary to use equipment that can withstand the corrosiveness of fluorine (F 2 ) sufficiently, so that it is diluted with argon (Ar) gas or added with nitrogen (N 2 ) gas. More preferably, fluorine (F 2 ) gas is used.

또한, 불소(F) 성분을 함유하는 가스를 포함하는 제1세정가스는 100% 삼불화질소(NF3) 가스가 될 수 있으며, 아르곤(Ar) 가스에 의해 희석된 삼불화질소(NF3) 가스가 될 수 있다.In addition, the first cleaning gas including a gas containing a fluorine (F) component may be 100% nitrogen trifluoride (NF 3 ) gas, and nitrogen trifluoride (NF 3 ) diluted with argon (Ar) gas. It can be a gas.

제2세정가스공급라인(20)에는 일산화질소(NO) 가스를 포함하는 제2세정가스를 공급하기 위한 일산화질소(NO) 공급원(22)이 구비되어 있다.The second cleaning gas supply line 20 is provided with a nitrogen monoxide (NO) supply source 22 for supplying a second cleaning gas including nitrogen monoxide (NO) gas.

제2세정가스는 100% 일산화질소(NO) 가스가 될 수 있으며, 아르곤(Ar) 가스가 첨가된 일산화질소(NO) 가스가 될 수도 있다.The second cleaning gas may be 100% nitrogen monoxide (NO) gas, or may be nitrogen monoxide (NO) gas to which argon (Ar) gas is added.

도 1의 경우에는 100% F2 가스가 제1세정가스가 되고, 100% 일산화질소(NO) 가스가 제2세정가스가 된다.In the case of FIG. 1, 100% F 2 gas is the first cleaning gas, and 100% nitrogen monoxide (NO) gas is the second cleaning gas.

각각의 세정가스 공급원(12,22)에는 각각의 가스에 대한 유량제어장치(Mass Flow Controller, 이하 MFC라 한다)와 밸브(Valve, 이하 V/V라 한다)가 연결되어 있다.Each of the cleaning gas sources 12 and 22 is connected with a flow control device (MFC) for each gas and a valve (V / V).

도 1을 참조하면 불소(F2) 공급원(12)에는 MFC 1a와 V/V 1a가 순차적으로 연결되어 있으며, 일산화질소(NO) 공급원(22)에는 MFC 2a와 V/V 2a가 순차적으로 연결되어 있다.Referring to FIG. 1, MFC 1a and V / V 1a are sequentially connected to a fluorine (F 2 ) source 12, and MFC 2a and V / V 2a are sequentially connected to a nitrogen monoxide (NO) source 22. It is.

공정가스공급라인(30)에는 공정가스 공급원(32)에 저유전체막에 증착되는 전구체가 저장되어 있으며, MFC 3와 V/V 3이 순차적으로 연결되어 있다. 액상 전구체일 경우에는 MFC 3은 LMFC가 될 수 있고, 버블러(Bubbler) 또는 기화기(Vaporizer)를 통하여 기상으로 공급이 가능하다.In the process gas supply line 30, a precursor deposited on the low dielectric film is stored in the process gas source 32, and MFC 3 and V / V 3 are sequentially connected. In the case of a liquid precursor, MFC 3 may be an LMFC, and may be supplied in the gas phase through a bubbler or a vaporizer.

공정가스가 저유전체막 증착장비 내로 공급될 때에는 제1세정가스 및 제2세정가스는 저유전체막 증착장비로 공급되지 않으며, 반대로 제1세정가스 및 제2세정가스가 저유전체막 증착장비로 공급될 때에는 공정가스가 저유전체막 증착장비 내로 공급되지 않는다. 이는 예상치 못할 폭발 사고 등의 위험을 미리 차단키 위함이다.When the process gas is supplied into the low dielectric film deposition equipment, the first cleaning gas and the second cleaning gas are not supplied to the low dielectric film deposition equipment. On the contrary, the first cleaning gas and the second cleaning gas are supplied to the low dielectric film deposition equipment. Process gas is not supplied into the low dielectric film deposition equipment. This is to prevent risks such as unexpected explosions in advance.

제1세정가스는 RPS에 의해 이온화되어 저유전체막 증착장비로 공급되고, 제2세정가스는 RPS를 통하지 않고, 즉, 이온화되지 않은 상태에서 직접 저유전체막 증착장비로 공급된다.The first clean gas is ionized by the RPS and supplied to the low dielectric film deposition equipment, and the second clean gas is supplied directly to the low dielectric film deposition equipment without the RPS, that is, not ionized.

제2세정가스는 공정목적에 따라서 저유전체막 증착장비의 샤워헤드에서 제1세정가스와 혼합되거나, RPS와 저유전체막 증착장비의 샤워헤드 사이에서 혼합된다.The second cleaning gas is mixed with the first cleaning gas in the showerhead of the low dielectric film deposition equipment or between the RPS and the showerhead of the low dielectric film deposition equipment, depending on the process purpose.

도 1의 경우에는 100% 불소(F2) 가스는 이온화되어, 그리고 100% 일산화질소(NO) 가스는 이온화되지 않은 상태에서 저유전체막 증착장비로 공급된다.In the case of FIG. 1, 100% fluorine (F 2 ) gas is ionized, and 100% nitrogen monoxide (NO) gas is supplied to the low dielectric film deposition apparatus without being ionized.

도 2는 본 발명에 의한 저유전체막 증착장비의 세정 장치의 다른 일실시예를 나타낸 것으로, 제1세정가스가 100% 불소(F2) 가스이고, 제2세정가스가 아르곤(Ar) 가스가 첨가된 일산화질소(NO) 가스인 경우를 나타낸다.Figure 2 shows another embodiment of the cleaning apparatus of the low dielectric film deposition apparatus according to the present invention, the first cleaning gas is 100% fluorine (F 2 ) gas, the second cleaning gas is argon (Ar) gas The case of nitrogen monoxide (NO) gas added is shown.

도 2의 경우 알르곤(Ar) 가스는 제2세정가스공급라인(20)에 포함되며, 아르곤(Ar) 공급원(24)을 통해서 아르곤(Ar) 가스가 공급되고, MFC 2b와 V/V 2b가 순차적으로 연결되어 있어서, 가스 유량을 조절하여 일산화질소(NO) 가스에 첨가시킬 수 있다.2, the argon (Ar) gas is included in the second clean gas supply line 20, the argon (Ar) gas is supplied through the argon (Ar) source 24, and MFC 2b and V / V 2b. Are sequentially connected, and the gas flow rate may be adjusted and added to the nitrogen monoxide (NO) gas.

NO 가스에 의한 세정 효율의 향상은 저유전체의 고체막이 일산화질소(NO) 가스와의 표면 반응에 의하여 불소(F) 성분과 반응하기 쉬운 결합구조를 형성하는데 기인한다. 즉, 불소(F) 성분이 포함된 라디칼에 의하여 들뜬 상태의 저유전체 고체막을 형성하고 있는 산소(O) 또는 탄소(C)와 일산화질소(NO) 가스가 반응하여, 이후, 불소(F) 성분이 고체막의 실리콘(Si) 성분과의 반응을 용이하게 하는 상호 보완적 작용을 통하여 세정 효율이 증대된다.The improvement of the cleaning efficiency by NO gas is attributable to the formation of a bonding structure in which the low dielectric solid film is easily reacted with the fluorine (F) component by surface reaction with nitrogen monoxide (NO) gas. That is, oxygen (O) or carbon (C) and nitrogen monoxide (NO) gas, which form a low dielectric solid film in an excited state by radicals containing a fluorine (F) component, react with each other. The cleaning efficiency is increased through the complementary action of facilitating the reaction with the silicon (Si) component of the solid film.

도 3은 본 발명에 의한 저유전체막 증착장비의 세정 장치의 또다른 일실시예를 나타낸 것으로, 제1세정가스가 아르곤에 의해 희석된 불소(F2) 가스이고, 제2세정가스가 100% 일산화질소(NO) 가스인 경우를 나타낸다.Figure 3 shows another embodiment of the cleaning apparatus of the low dielectric film deposition apparatus according to the present invention, the first cleaning gas is a fluorine (F 2 ) gas diluted with argon, the second cleaning gas is 100% The case of nitrogen monoxide (NO) gas is shown.

아르곤(Ar) 가스는 제1세정가스공급라인(10)에 포함되며, 아르곤(Ar) 공급원(14)을 통해서 아르곤(Ar) 가스가 공급되고, MFC 1b와 V/V 1b가 순차적으로 연결되어 있다.Argon (Ar) gas is included in the first cleaning gas supply line 10, argon (Ar) gas is supplied through the argon (Ar) source 14, MFC 1b and V / V 1b is sequentially connected have.

도 3의 경우 Ar 가스를 먼저 RPS에 공급하여 Ar 공급을 통한 RPS의 플라즈마를 점화(ignition)할 수 있다.In FIG. 3, Ar gas may be first supplied to the RPS to ignite the plasma of the RPS through the Ar supply.

도 4는 본 발명에 의한 저유전체막 증착장비의 세정 장치의 또 다른 일실시예를 나타낸 것으로, 제1세정가스가 아르곤(Ar)에 의해 희석되고, 질소(N2) 가스가 첨가된 불소(F2) 가스이고, 제2세정가스가 100% 일산화질소(NO) 가스인 경우를 나타낸다.Figure 4 shows another embodiment of the cleaning apparatus of the low dielectric film deposition apparatus according to the present invention, the first cleaning gas is diluted with argon (Ar), nitrogen (N 2 ) gas is added fluorine ( F 2 ) gas and the second cleaning gas is 100% nitrogen monoxide (NO) gas.

이 경우 RPS로 공급하는 제1세정가스에 질소(N2) 가스의 첨가를 통한 추가적인 세정 효율의 향상이 가능하다.In this case, it is possible to further improve the cleaning efficiency by adding nitrogen (N 2 ) gas to the first cleaning gas supplied to the RPS.

아르곤(Ar) 가스는 제1세정가스공급라인(10)에 포함되며, 아르곤(Ar) 공급원(14)을 통해서 아르곤(Ar) 가스가 공급되고, MFC 1b와 V/V 1b가 순차적으로 연결되어 있다. 질소(N2) 가스는 제1세정가스공급라인(10)에 포함되며, 질소(N2) 공급원(16)을 통해서 질소(N2) 가스가 공급되고, MFC 1c와 V/V 1c가 순차적으로 연결되어 있다.Argon (Ar) gas is included in the first cleaning gas supply line 10, argon (Ar) gas is supplied through the argon (Ar) source 14, MFC 1b and V / V 1b is sequentially connected have. Nitrogen (N 2) gas of the first washing is included in the gas supply line 10, and nitrogen (N 2) supply source 16, a nitrogen (N 2) gas is supplied, sequentially MFC 1c and V / V 1c through Is connected.

도 4의 경우 N2 가스를 더 첨가함으로써 도 3의 Ar에 의해 희석된 F2 세정가스보다 세정 효율이 더 증대될 수 있다.In the case of FIG. 4, by further adding N 2 gas, the cleaning efficiency may be further increased than the F 2 cleaning gas diluted by Ar of FIG. 3.

도 5는 동일한 온도 및 압력에서 첨가 가스의 종류에 따른 세정 속도(식각율)를 나타낸다.5 shows the cleaning rate (etch rate) according to the type of additive gas at the same temperature and pressure.

도 5를 참조하면, 아르곤(Ar) 가스에 의해 희석되고, 질소 가스(N2)가 첨가된 불소(F2) 가스의 세정 속도가 그렇지 않은 것들보다 상대적으로 높게 나타나고, 일산화질소(NO) 가스를 RPS에 통과시키지 않았을 때 세정효율이 매우 높게 나타나는 것을 알 수 있다. Referring to FIG. 5, the cleaning rate of the fluorine (F2) gas diluted with argon (Ar) gas and added with nitrogen gas (N2) appears to be relatively higher than those that do not, and the nitrogen monoxide (NO) gas is RPS. It can be seen that the cleaning efficiency is very high when not passed through.

도 6은 본 발명에 따른 저유전체막 증착장비의 세정 방법을 나타낸다.6 shows a cleaning method of a low dielectric film deposition apparatus according to the present invention.

도 6은 본 발명에 의한 저유전체막 증착장비의 세정 방법을 나타내는 순서를 나타낸 것으로, 세정가스 공급 단계(S10), 세정 단계(S20) 및 배기 단계(S30)로 구성된다.6 is a flowchart illustrating a cleaning method of a low dielectric film deposition apparatus according to the present invention, and includes a cleaning gas supply step S10, a cleaning step S20, and an exhaust step S30.

세정가스 공급 단계(S10)에서는 제1세정가스공급라인(10)을 통하여 불소(F) 성분이 포함된 가스를 포함하는 제1세정가스를 RPS에 의해 이온화된 상태로 저유전체막 증착장비로 공급하고, 제2세정가스공급라인(20)을 통하여 일산화질소(NO) 가스를 포함하는 제2세정가스를 직접 저유전체막 증착장비에 공급한다.In the cleaning gas supplying step (S10), the first cleaning gas including the fluorine (F) component gas is supplied to the low dielectric film deposition apparatus through the first cleaning gas supply line 10 in an ionized state by the RPS. The second cleaning gas including nitrogen monoxide (NO) gas is directly supplied to the low dielectric film deposition apparatus through the second cleaning gas supply line 20.

제1세정가스와 제2세정가스는 저유전체막 증착장비로 동시에 공급하는 방법과 제1세정가스를 먼저 공급한 후, 제2세정가스를 공급하는 방법, 그리고 제2세정가스를 먼저 공급한 후, 제1세정가스를 공급하는 방법으로 나눌 수 있다.The first cleaning gas and the second cleaning gas are simultaneously supplied to the low-k dielectric deposition equipment, the first cleaning gas is supplied first, the second cleaning gas is supplied, and the second cleaning gas is supplied first. It can be divided into a method of supplying a first cleaning gas.

제1세정가스는 불소(F) 성분을 포함하고 있으므로, 제1세정가스와 제2세정가스를 동시에 공급하거나, 제1세정가스의 공급 후, 제2세정가스를 공급하는 것이 제 2세정가스의 공급 후, 제1세정가스를 공급하는 것보다 효율적이다.Since the first cleaning gas contains fluorine (F), supplying the first cleaning gas and the second cleaning gas at the same time or supplying the second cleaning gas after the supply of the first cleaning gas is performed by the second cleaning gas. After supply, it is more efficient than supplying the first cleaning gas.

제2세정가스는 저유전체막 증착장비의 샤워헤드에서 제1세정가스와 혼합될 수 있으며, 또한 저유전체막 증착장비의 샤워헤드와 RPS 사이에서 제1세정가스와 미리 혼합될 수 있다.The second cleaning gas may be mixed with the first cleaning gas in the showerhead of the low dielectric film deposition apparatus, and may be premixed with the first cleaning gas between the showerhead and the RPS of the low dielectric film deposition apparatus.

세정 단계(S20)에서는 세정가스 공급 단계(S10)에서 공급된 제1세정가스 및 제2세정가스에 의해 저유전체막 증착장비 내부를 세정한다.In the cleaning step S20, the inside of the low dielectric film deposition apparatus is cleaned by the first cleaning gas and the second cleaning gas supplied in the cleaning gas supplying step S10.

배기 단계(S30)에서는 세정 단계(S20)에서 세정된 잔류물 및 잔류 가스를 저유전체막 증착장비 외부로 배출한다.In the evacuation step S30, the residue and residual gas cleaned in the cleaning step S20 are discharged to the outside of the low dielectric film deposition apparatus.

이상에서 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.The technical spirit of the present invention has been described above with reference to the accompanying drawings. However, the present invention has been described by way of example only, and is not intended to limit the present invention. In addition, it is apparent that any person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs may make various modifications and imitations without departing from the scope of the technical idea of the present invention.

상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 저유전체막 증착장비의 세정 장치는 일산화질소(NO) 가스를 세정가스로 활용하고, 또한, RPS를 통과시키지 않아 이온화되지 않은 상태에서 저유전체막 증착장비로 공급함으로써 세정효과를 높일 수 있는 장점이 있다.As described above, the cleaning apparatus of the low dielectric film deposition apparatus according to the present invention utilizes nitrogen monoxide (NO) gas as the cleaning gas, and is supplied to the low dielectric film deposition equipment without being ionized because it does not pass through the RPS. There is an advantage to increase the cleaning effect.

Claims (6)

저유전체막 증착장비에서 장비 내부를 세정하는 장치에 있어서,In the device for cleaning the inside of the equipment in a low dielectric film deposition equipment, 불소(F) 성분을 포함하는 가스를 포함하는 제1세정가스가 원격 플라즈마 소스(Remote Plasma Source, 이하 RPS라 한다)에 의해 이온화되어, 상기 저유전체막 증착장비 내부로 공급되는 제1세정가스공급라인; 및A first cleaning gas including a gas containing a fluorine (F) component is ionized by a remote plasma source (hereinafter referred to as RPS) and supplied to the inside of the low dielectric film deposition apparatus. line; And 일산화질소(NO) 가스를 포함하는 제2세정가스가 RPS를 통과하지 않고, 직접 상기 저유전체막 증착장비 내부로 공급되는 제2세정가스공급라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 저유전체막 증착장비의 세정 장치.The second dielectric cleaning gas including nitrogen monoxide (NO) gas has a second cleaning gas supply line which is directly supplied into the low dielectric film deposition equipment without passing through the RPS, Cleaning device. 제1항에 있어서, 상기 제1세정가스는, The method of claim 1, wherein the first cleaning gas, 100% 불소(F2) 가스, 아르곤(Ar) 가스에 의해 희석된 불소(F2) 가스, 및 아르곤(Ar) 가스에 의해 희석되고, 질소(N2) 가스와 혼합된 불소(F2) 가스 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 저유전체막 증착장비의 세정 장치. 100% fluorine (F 2) with fluorine (F 2) is diluted by a gas, and argon (Ar) gas, nitrogen (N 2) gas mixed with fluorine (F 2) is diluted by a gas, argon (Ar) gas The cleaning apparatus of the low dielectric film deposition equipment, characterized in that any one of the gas. 제1항에 있어서, 상기 제1세정가스는, The method of claim 1, wherein the first cleaning gas, 100% 삼불화질소(NF3) 가스 또는 아르곤(Ar) 가스에 의해 희석된 삼불화질소(NF3) 가스 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 저유전체막 증착장비의 세정 장치.100% of nitrogen trifluoride (NF 3) gas or argon with nitrogen trifluoride diluted with (Ar) gas (NF 3) low-k dielectric film deposition apparatus cleaning device, characterized in that one of a gas. 제1항에 있어서, 상기 제2세정가스는,The method of claim 1, wherein the second cleaning gas, 100% 일산화질소(NO) 가스 또는 아르곤(Ar) 가스가 첨가된 일산화질소(NO) 가스 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 저유전체막 증착장비의 세정 장치.The cleaning device of the low dielectric film deposition equipment, characterized in that any one of the nitrogen monoxide (NO) gas to which 100% nitrogen monoxide (NO) gas or argon (Ar) gas is added. 저유전체막 증착장비 내부를 세정하는 방법에 있어서,In the method of cleaning the inside of the low dielectric film deposition equipment, (a)불소(F) 성분이 포함된 가스를 포함하는 제1세정가스를 RPS에 의해 이온화된 상태로 상기 저유전체막 증착장비로 공급하고, 일산화질소(NO) 가스를 포함하는 제2세정가스를 직접 상기 저유전체막 증착장비로 공급하는 단계;(a) supplying a first cleaning gas containing a gas containing a fluorine (F) component to the low dielectric film deposition equipment ionized by RPS, and a second cleaning gas containing nitrogen monoxide (NO) gas. Supplying directly to the low dielectric film deposition equipment; (b)공급된 제1세정가스 및 제2세정가스에 의해 상기 저유전체막 증착장비 내부를 세정하는 단계; 및(b) cleaning the inside of the low dielectric film deposition apparatus with the supplied first and second cleaning gases; And (c)세정된 잔류물 및 잔류가스를 상기 저유전체막 증착장비 외부로 배출하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 저유전체막 증착장비의 세정 방법.and (c) discharging the cleaned residue and the remaining gas to the outside of the low dielectric film deposition equipment. 제5항에 있어서, 상기 제2세정가스는,The method of claim 5, wherein the second cleaning gas, 상기 저유전체막 증착장비의 샤워헤드에서 상기 제1세정가스와 혼합되거나, 상기 저유전체막 증착장비의 샤워헤드와 상기 RPS 사이에서 상기 제1세정가스와 혼합되는 것을 특징으로 하는 저유전체막 증착장비의 세정 방법.The low dielectric film deposition apparatus is mixed with the first cleaning gas in the showerhead of the low dielectric film deposition equipment, or the first clean gas between the showerhead and the RPS of the low dielectric film deposition equipment Washing method.
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