KR20080037143A - Apparatur for manuifacturing display panel - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시판의 제조 장치의 단면도이고,1 is a cross-sectional view of an apparatus for manufacturing a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2 및 도 3은 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시판의 제조 장치의 단면도로서, 이온빔 통과홀이 각각 개방 및 폐쇄된 상태에서의 표시판의 제조 장치의 단면도이다.2 and 3 are cross-sectional views of an apparatus for manufacturing a display panel according to another embodiment of the present invention, respectively, and are cross-sectional views of the apparatus for manufacturing a display panel with ion beam through holes opened and closed, respectively.
도 4 및 도 5는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시판의 제조 장치의 단면도로서, 표시판 안착부가 각각 제1 공간부 및 제2 공간부에 위치하는 상태에서의 표시판의 제조 장치의 단면도이다. 4 and 5 are cross-sectional views of an apparatus for manufacturing a display panel according to another embodiment of the present invention, respectively, and are cross-sectional views of an apparatus for manufacturing a display panel in a state where the display panel seating portion is located in the first space portion and the second space portion, respectively.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>
100, 101, 102: 챔버 110: 바디부 100, 101, 102: chamber 110: body portion
120: 이온빔 통과홀 130: 이온빔 통과홀 개폐부 120: ion beam passage hole 130: ion beam passage hole opening and closing portion
140: 제1 공간부 150: 제2 공간부140: first space portion 150: second space portion
200: 표시판 안착부 210: 안착 부재 200: display panel mounting portion 210: mounting member
220: 지지 부재 300: 이온빔 조사부 220: support member 300: ion beam irradiation part
400, 401, 402: 열공급부 410, 411, 412: 가열 부재400, 401, 402:
420, 421, 422: 열선 500: 이송부420, 421, and 422: hot wire 500: transfer part
510: 동력 발생부 520: 동력 전달부 510: power generation unit 520: power transmission unit
본 발명은 표시판의 제조 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus for manufacturing a display panel.
최근 기존의 브라운관을 대체하여 액정 표시 장치, 유기 전계 발광 장치(OLED) 및 전기 영동 표시 장치(electroporetic display) 등의 평판(flat panel)형 표시 장치가 많이 사용되고 있다.Recently, flat panel display devices such as liquid crystal displays, organic light emitting diodes (OLEDs), and electrophoretic displays have been used in place of existing CRTs.
액정 표시 장치, 유기 전계 발광 장치 및 전기 영동 표시 장치는 절연 기판 위에 행렬의 형태의 화소 전극 및 각 화소 전극에 연결되어 있는 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 박막 트랜지스터 표시판을 포함하고 있다. The liquid crystal display, the organic light emitting display, and the electrophoretic display include a thin film transistor array panel on which a pixel electrode in a matrix form and a thin film transistor connected to each pixel electrode are formed on an insulating substrate.
박막 트랜지스터를 형성하는 방법에는 여러 가지가 있으나 그 중 하나가 탑(TOP) 게이트를 중심으로 아래에 형성되어 있으며, 절연 기판 위에 형성되어 있는 실리콘 박막 내의 일정 영역의 소정 깊이에 불순물 이온을 주입하여 소스 영역과 드레인 영역을 형성하는 방법이 있다. 이때 게이트 폭 감소에 따른 단채널 효과를 방지하기 위해 추가의 불순물 이온 주입을 통해 소스 영역과 드레인 영역 사이에 상호 분리된 LDD(lightly dopant drain)영역을 형성하기도 한다. There are various methods of forming a thin film transistor, but one of them is formed below the top gate, and a source is formed by implanting impurity ions into a predetermined depth of a predetermined region in a silicon thin film formed on an insulating substrate. There is a method of forming a region and a drain region. In this case, in order to prevent short channel effects due to the reduction of the gate width, additionally doped ion implantation may form a lightly dopant drain (LDD) region between the source region and the drain region.
한편 이온 주입 후에는 급격한 열공급에 따른 스트레스를 감소시키기 위해 절연 기판을 예열하는 열처리 공정과 예열 온도보다 더 높은 온도에서 실리콘 박막과 주입된 이온간의 활성화를 위한 열처리 공정이 순차적으로 수행된다.On the other hand, after ion implantation, a heat treatment process for preheating the insulating substrate and a heat treatment process for activating the silicon thin film and the implanted ions at a temperature higher than the preheating temperature are sequentially performed in order to reduce stress due to rapid heat supply.
그런데 이온 주입 공정과 열처리 공정은 서로 다른 챔버에서 이루어지기 때 문에 박막 트랜지스터의 형성 과정에서 챔버 간 제조 중인 절연 기판의 이동이 필요하여 제조 시간 및 제조 비용이 증가하고 설비가 복잡해짐에 따라 박막 트랜지스터 표시판의 제조 효율이 떨어지는 문제점이 있다.However, since the ion implantation process and the heat treatment process are performed in different chambers, the thin film transistor needs to be moved between the chambers during the formation of the thin film transistor, which increases manufacturing time, manufacturing cost, and complexity of the thin film transistor. There is a problem that the manufacturing efficiency of the display panel is poor.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 절연 기판의 이동을 최소화하여 제조 시간 및 제조 비용을 단축하고 설비를 간단히 함으로써 표시판의 제조 효율을 향상할 수 있는 표시판의 제조 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, an aspect of the present invention is to provide an apparatus for manufacturing a display panel, which can improve manufacturing efficiency of a display panel by minimizing movement of an insulating substrate, shortening manufacturing time, manufacturing cost, and simplifying equipment.
본 발명에 따른 표시판의 제조 장치는 이온빔 통과홀이 형성되어 있는 챔버, 상기 챔버 내부에 마련되어 있으며 표시판을 안착하는 안착부, 상기 챔버의 일측에 마련되어 있으며 상기 이온빔 통과홀을 통해 상기 안착부에 안착된 상기 표시판에 이온빔을 조사하는 이온빔 조사부, 그리고 상기 챔버의 내부에 열을 공급하는 열공급부를 포함한다.An apparatus for manufacturing a display panel according to the present invention includes a chamber in which an ion beam passage hole is formed, a seating portion provided inside the chamber and seating the display panel, and provided at one side of the chamber and seated on the seating portion through the ion beam passage hole. An ion beam irradiation unit for irradiating an ion beam to the display panel, and a heat supply unit for supplying heat into the chamber.
상기 챔버는 상기 이온빔 통과홀을 개폐하는 이온빔 통과홀 개폐부를 더 포함할 수 있다.The chamber may further include an ion beam passage hole opening and closing unit for opening and closing the ion beam passage hole.
상기 열공급부는 상기 챔버에 마련되어 있는 하나 이상의 가열 부재를 포함할 수 있다.The heat supply unit may include one or more heating members provided in the chamber.
상기 챔버는, 제1 열이 공급되는 제1 공간부, 그리고 상기 제1 열보다 온도가 높은 제2 열이 공급되는 제2 공간부를 포함할 수 있다.The chamber may include a first space portion to which a first heat is supplied, and a second space portion to which a second heat having a higher temperature than the first heat is supplied.
상기 열공급부는, 상기 제1 열을 공급하는 제1 열공급부, 그리고 상기 제2 열을 공급하는 제2 열공급부를 포함할 수 있다.The heat supply part may include a first heat supply part supplying the first heat, and a second heat supply part supplying the second heat.
상기 표시판 안착부를 상기 제1 공간부 및 상기 제2 공간부 사이에서 왕복 이동시키는 이송부를 더 포함할 수 있다.The display panel mounting part may further include a transfer part configured to reciprocate between the first space part and the second space part.
상기 이온빔 조사부는 상기 제1 공간부에 위치하는 상기 표시판에 이온빔을 조사할 수 있다.The ion beam irradiator may irradiate an ion beam on the display panel positioned in the first space.
이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 표시판의 제조 장치 및 그 작동에 대하여 설명한다.Next, an apparatus for manufacturing a display panel and an operation thereof according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
먼저 본 발명의 한 실시예에 따른 표시판의 제조 장치에 대하여 도 1을 참고로 하여 상세하게 설명한다.First, an apparatus for manufacturing a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 1.
도 1은 각각 본 발명의 한 실시예에 따른 표시판의 제조 장치의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of an apparatus for manufacturing a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention, respectively.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시판의 제조 장치는 챔버(100), 표시판 안착부(200), 이온빔 조사부(300) 그리고 열공급부(400)를 포함한다. An apparatus for manufacturing a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention includes a chamber 100, a display
챔버(100)는 외부와 차단된 내부 공간을 형성하며 골격을 이루는 바디부(110)로 이루어져 있으며, 바디부(110)에는 이온빔 통과홀(120)이 형성되어 있다.The chamber 100 is formed of a
챔버(100)는 제조 중인 표시판(10)을 내부에 수용한다. 챔버(100) 내부에서는 표시판(10)의 실리콘 박막 내의 일정 영역의 소정 깊이에 소스 영역과 드레인 영역을 형성하거나 LDD(lightly dopant drain) 영역을 형성하기 위해 불순물 이온을 주입하는 공정 및 이온 주입 후 실리콘 박막과 주입된 이온간의 활성화를 위한 열처리 공정이 수행된다.The chamber 100 accommodates the
챔버(100)의 내부에는 제조 중인 표시판(10)을 안착하는 표시판 안착부(200)가 마련되어 있다.Inside the chamber 100, a display
표시판 안착부(200)는 안착 부재(210)와 지지 부재(220)을 포함한다.The display
안착 부재(210)는 바닥면과 바닥면으로부터 상부로 수직 절곡되어 있는 지지벽을 포함한다. 제조 중인 표시판(10)은 일측 모서리가 바닥면에 의해 지지되며 마주하는 타측 모서리는 지지벽에 의해 지지되도록 안착부에 안착된다. 즉 제조 중인 표시판(10)은 이온빔 조사부(300)에 대향하도록 안착 부재(210)에 안착되게 된다. The
표시판(10)은 도 1에 도시한 바와 같이 안착 부재(210)의 지지벽에 비스듬하게 배치되어 있을 수도 있으나 지지벽에 밀착되어 있을 수도 있다. 또한 안착 부 재(210)는 표시판(10)을 안착하기에 적당한 형태로 변경 가능함은 물론이다.As shown in FIG. 1, the
지지 부재(220)는 안착 부재(210)를 지지하며 안착 부재(210)를 바디부(110)에 고정하고 있다. The
이온빔 조사부(300)는 챔버(100)의 측면에 형성되어 있는 이온빔 통과홀(120)에 결합되어 있다. The ion
이온빔 조사부(300)는 붕소(B) 등의 불순물 이온을 이온빔 통과홀(120)을 통해 표시판(10)에 조사하여 주입함으로써 실리콘 박막 내의 일정 영역의 소정 깊이에 소스 영역과 드레인 영역을 형성한다. 또한 이온빔 조사부(300)는 LDD(lightly dopant drain) 영역을 형성하는데 사용되기도 한다. The
이온빔 조사부(300)는 이온빔 조사후 표시판(10)의 예열을 위한 열처리 공정과표시판(10)의 실리콘 박막과 주입된 이온간의 활성화를 위한 열처리 공정시 열공급부(400)에 의해 챔버(100) 내부로 공급되는 열에 의한 손상을 방지하기 위해 챔버(100)의 내부로 향하는 면에 열 보호막(미도시)이 형성되어 있을 수 있다. The ion
챔버(100)의 바디부(110)에는 복수의 열공급부(400)가 형성되어 있다.A plurality of
열공급부(400)는 발열 수단인 열선(420)을 내부에 포함하는 가열 부재(410)로 마련되어 있다. 가열 부재(410)는 열선(420)이외에 다른 가열 수단을 포함하도록 마련되어도 무방하다.The
열공급부(400)는 표시판(10)에 이온 주입 완료 후 표시판(10)의 예열 및 실리콘 박막과 주입된 이온간의 활성화를 위해 서로 다른 온도의 열을 챔버(100)의 내부에 순차적으로 공급한다.The
본 발명의 한 실시예에 따른 표시판의 제조 장치는 열처리 공정 후 챔버(100)의 내부를 냉각시키기 위한 별도의 냉각 수단을 더 포함할 수 있다. The apparatus for manufacturing a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention may further include additional cooling means for cooling the inside of the chamber 100 after the heat treatment process.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시판의 제조 장치에 따르면 이온 주입 공정과 열처리 공정을 하나의 챔버에서 연속적으로 수행할 수 있다. 따라서 제조 중인 표시판의 이동을 최소화하여 제조 시간 및 제조 비용을 감소시킬 수 있고, 제조 설비가 간단해짐으로써 표시판의 제조 효율을 향상할 수 있다.According to the apparatus for manufacturing a display panel according to an exemplary embodiment, the ion implantation process and the heat treatment process may be continuously performed in one chamber. Therefore, the manufacturing time and the manufacturing cost can be reduced by minimizing the movement of the display panel during manufacturing, and the manufacturing efficiency of the display panel can be improved by simplifying the manufacturing equipment.
이하에서는 도 2 및 도 3에 도시한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시판의 제조 장치를 도 1에 도시한 표시판의 제조 장치와의 차이점을 중심으로 설명한다.Hereinafter, an apparatus for manufacturing a display panel according to another exemplary embodiment of the present invention illustrated in FIGS. 2 and 3 will be described based on differences from the apparatus for manufacturing a display panel illustrated in FIG. 1.
도 2 및 도 3은 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시판의 제조 장치의 단면도로서, 이온빔 통과홀이 각각 개방 및 폐쇄된 상태에서의 표시판의 제조 장치의 단면도이다.2 and 3 are cross-sectional views of an apparatus for manufacturing a display panel according to another embodiment of the present invention, respectively, and are cross-sectional views of the apparatus for manufacturing a display panel with ion beam through holes opened and closed, respectively.
도 2 및 도 3에 도시한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시판의 제조 장치는 도 1에 도시한 표시판의 제조 장치와 달리 챔버(101)가 이온빔 통과홀(120)이 형성되어 있는 바디부(110) 이외에 이온빔 통과홀(120)을 개폐하는 이온빔 통과홀 개폐부(130)를 더 포함하고 있다. 또한 열공급부(400)의 일부가 이온빔 통과홀 개폐부(130)에 형성되어 있다. 2 and 3, the apparatus for manufacturing a display panel according to another exemplary embodiment of the present invention is different from the apparatus for manufacturing a display panel illustrated in FIG. 1, wherein the
도 2 및 도 3에 도시한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시판의 제조 장치는 이온빔 조사부(300)에 의한 이온 주입 공정시 도 2에 도시한 바와 같이 이온빔 통과홀 개폐부(130)가 이온빔 통과홀(120)을 개방하고 있다. 한편 이온 주입 공정 후 열처리 공정시에는 도 3에 도시한 바와 같이 이온빔 통과홀 개폐부(130)가 이온 빔 통과홀(120)을 폐쇄한다. In the apparatus for manufacturing a display panel according to another exemplary embodiment of the present invention illustrated in FIGS. 2 and 3, the ion beam passage hole opening /
도 2 및 도 3에 도시한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시판의 제조 장치는 이온 주입 공정 후 예열 및 활성화를 위한 열처리 공정시 이온빔 통과홀 개폐부(130)가 이온빔 통과홀(120)을 폐쇄함으로써 열공급부(400)에 의해 챔버(100) 내부로 공급되는 열로부터 이온빔 조사부(300)를 더욱 효율적으로 보호할 수 있다. In the apparatus for manufacturing a display panel according to another exemplary embodiment of the present invention illustrated in FIGS. 2 and 3, the ion beam passage hole opening and closing
도 2 및 도 3에 도시한 본 발명의 한 실시예에 따른 표시판의 제조 장치에 의해서도 도 1에 도시한 표시판의 제조 장치와 동일한 효과를 얻을 수 있다.The same effect as the manufacturing apparatus of the display panel shown in FIG. 1 can also be obtained by the manufacturing apparatus of the display panel according to the exemplary embodiment of the present invention illustrated in FIGS. 2 and 3.
이하에서는 도 4 및 도 5에 도시한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시판의 제조 장치를 도 1에 도시한 표시판의 제조 장치와의 차이점을 중심으로 설명한다.Hereinafter, an apparatus for manufacturing a display panel according to another exemplary embodiment of the present invention illustrated in FIGS. 4 and 5 will be described based on differences from the apparatus for manufacturing the display panel illustrated in FIG. 1.
도 4 및 도 5는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시판의 제조 장치의 단면도로서, 표시판 안착부가 각각 제1 공간부 및 제2 공간부에 위치하는 상태에서의 표시판의 제조 장치의 단면도이다. 4 and 5 are cross-sectional views of an apparatus for manufacturing a display panel according to another embodiment of the present invention, respectively, and are cross-sectional views of an apparatus for manufacturing a display panel in a state where the display panel seating portion is located in the first space portion and the second space portion, respectively.
도 4 및 도 5에 도시한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시판의 제조 장치는 도 1에 도시한 표시판의 제조 장치와 달리 챔버(102)의 내부 공간이 이온빔 조사 공정 및 예열을 위한 열처리 공정을 수행하기 위한 제1 공간부(A)와 활성화를 위한 열처리 공정을 수행하기 위한 제2 공간부(B)으로 분리되어 있다. 4 and 5, the apparatus for manufacturing a display panel according to another exemplary embodiment of the present invention is different from the apparatus for manufacturing the display panel illustrated in FIG. 1, in which the internal space of the
또한 열공급부는 제1 공간부(A)에 제1 열을 공급하는 제1 열공급부(401)와 제2 공간부(B)에 제1 열보다 온도가 높은 제2 열을 공급하는 제2 열공급부(402)로 각각 이루어져 있다. In addition, the heat supply unit may supply the first
그리고 도 4 및 도 5에 도시한 본 발명의 한 실시예에 따른 표시판의 제조 장치는 챔버(102)의 외부로부터 바디부(110)를 관통하여 지지 부재(220)에 연결되어 표시판 안착부(200)를 제1 공간부(A)와 제2 공간부(B) 사이에서 왕복 이동시키는 이송부(500)를 더 포함하고 있다.4 and 5, the apparatus for manufacturing a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention shown in FIG. 4 and FIG. 5 is connected to the
여기서, 이송부(500)는 동력 발생부(510)와 동력 전달부(520)를 포함하고 있다. Here, the
동력 발생부(510)는 실린더 등의 공지의 동력 발생 수단으로 마련될 수 있다. 또한 동력 전달부(520)는 로드(rod) 등의 공지의 동력 전달 수단으로 마련될 수 있다.The
제1 공간부(A)에서는 표시판(10)이 위치하는 상태에서 이온빔 통과홀(120)을 통해 이온빔 조사부(300)에 의해 이온빔 조사 공정이 이루어진다. 또한 이온빔 조사 공정 후 표시판(10)에 급격한 열 공급에 따른 스트레스를 줄이기 위해 제1 열공급부(401)를 통해 표시판(10)을 예열하기 위한 열처리 공정이 수행된다. In the first space A, the ion beam irradiation process is performed by the ion
제1 열공급부(401)는 제1 공간부(A) 둘레의 바디부(110)에 마련되어 있으며, 표시판(10)의 예열을 위해 제1 공간부(A)에 온도가 낮은 제1 열을 공급한다. 제1 열 공급을 위해 제1 열공급부(401)는 발열량이 낮은 제1 열선(421)을 포함하는 제1 가열 부재(411)로 이루어져 있다. The first
제2 공간부(B)에서는 이온 주입 공정 및 예열을 위한 열처리 공정 후 이송부(500)에 의해 제1 공간부(A)로부터 이송되어온 표시판(10)의 실리콘 박막과 주입된 이온간의 활성화를 위한 열처리 공정이 수행된다. In the second space B, a heat treatment for activating the silicon thin film and the implanted ions of the
제2 열공급부(402)는 제2 공간부(B) 둘레의 바디부(110)에 마련되어 있으며, 실리콘 박막과 주입된 이온간의 활성화를 위해 제2 공간부(B)에 제1 열보다 높은 제2 열을 공급한다. 제2 열 공급을 위해 제2 열공급부(402)는 발열량이 높은 제2 열선(422)을 포함하는 제2 가열 부재(412)로 이루어져 있다. The second
한편, 이송부(500)는 본 실시예와 달리 챔버(102)의 내부에 마련되어 표시판 안착부(200)를 제1 공간부(A)와 제2 공간부(B) 사이를 왕복 이동시킬 수 있다.Meanwhile, unlike the present exemplary embodiment, the
도 4 및 도 5에 도시한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시판의 제조 장치는 예열을 위해 제1 열이 공급되는 제1 공간부(A)와 활성화를 위해 제2 열이 공급되는 제2 공간부(B)가 분리되도록 챔버(102)가 구성되어 있다. 따라서 표시판(10)을 필요한 열처리 공정에 따라 제1 공간부(A)와 제2 공간부(B) 사이를 이송부(500)를 통해 이동시켜 각각 예열을 위한 열처리와 활성화를 위한 열처리가 별도로 수행됨으로써 신속한 열처리가 가능해진다.In the apparatus for manufacturing a display panel according to another exemplary embodiment of the present invention illustrated in FIGS. 4 and 5, a first space A to which first heat is supplied for preheating and a second space to which second heat is supplied for activation are provided. The
도 4 및 도 5에 도시한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시판의 제조 장치에 의해서도 도 1의 표시판의 제조 장치와 동일한 효과를 얻을 수 있다.The same effect as the manufacturing apparatus of the display panel of FIG. 1 may also be obtained by the apparatus for manufacturing a display panel according to another exemplary embodiment of the present invention illustrated in FIGS. 4 and 5.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of the invention.
상기와 같이 본 발명에 따른 표시판의 제조 장치에 의하면 하나의 챔버 내에서 이온 주입 공정과 예열 및 활성화를 위한 열처리 공정을 연속적으로 수행할 수 있어 표시판의 제조 효율을 향상할 수 있다.As described above, according to the apparatus for manufacturing a display panel according to the present invention, an ion implantation process and a heat treatment process for preheating and activation may be continuously performed in one chamber, thereby improving manufacturing efficiency of the display panel.
Claims (7)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060103803A KR20080037143A (en) | 2006-10-25 | 2006-10-25 | Apparatur for manuifacturing display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020060103803A KR20080037143A (en) | 2006-10-25 | 2006-10-25 | Apparatur for manuifacturing display panel |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR20080037143A true KR20080037143A (en) | 2008-04-30 |
Family
ID=39575189
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1020060103803A KR20080037143A (en) | 2006-10-25 | 2006-10-25 | Apparatur for manuifacturing display panel |
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KR (1) | KR20080037143A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020505718A (en) * | 2017-01-19 | 2020-02-20 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | Radiant heating presoak |
-
2006
- 2006-10-25 KR KR1020060103803A patent/KR20080037143A/en not_active Application Discontinuation
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