KR20080028542A - Organic chemical vaper deposition apparatus and organic compounds vaper deposition method - Google Patents

Organic chemical vaper deposition apparatus and organic compounds vaper deposition method Download PDF

Info

Publication number
KR20080028542A
KR20080028542A KR1020060093926A KR20060093926A KR20080028542A KR 20080028542 A KR20080028542 A KR 20080028542A KR 1020060093926 A KR1020060093926 A KR 1020060093926A KR 20060093926 A KR20060093926 A KR 20060093926A KR 20080028542 A KR20080028542 A KR 20080028542A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
process gas
chamber
substrate
stage
organic
Prior art date
Application number
KR1020060093926A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101300117B1 (en
Inventor
정기택
Original Assignee
주식회사 에이디피엔지니어링
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에이디피엔지니어링 filed Critical 주식회사 에이디피엔지니어링
Priority to KR1020060093926A priority Critical patent/KR101300117B1/en
Publication of KR20080028542A publication Critical patent/KR20080028542A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101300117B1 publication Critical patent/KR101300117B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/811—Controlling the atmosphere during processing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

An organic chemical vapor deposition apparatus and an organic compound vapor deposition method are provided to increase an organic deposition speed and to form uniformly a thickness of an organic material to be deposited on a substrate. A stage(220) is installed at one side of an inside of a chamber(250). A substrate(S) is loaded on the stage. A source supply unit(100) supplies process chamber into the inside of the chamber. An ionization unit(300) ionizes the process gas to be deposited on the substrate. An exhaust tube(230) is installed at the other side of the inside of the chamber to exhaust the ionized process gas. A power supply unit(400) is installed at the stage to apply electric power having polarity which is different from the polarity of the electric power applied to the ionized process gas.

Description

유기물 증착장치 및 이를 이용한 증착방법{Organic chemical vaper deposition apparatus and organic compounds vaper deposition method} Organic chemical vapor deposition apparatus and deposition method using the same {Organic chemical vaper deposition apparatus and organic compounds vaper deposition method}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기물 증착장치를 나타낸 간략도이다.1 is a schematic view showing an organic material deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 유기물 증착장치의 전력공급부에 의해 배출판이 (+)극성을 가지고, 스테이지가 (-)극성을 가지는 경우를 나타낸 부분 확대도이다.2A is a partially enlarged view illustrating a case in which a discharge plate has a positive polarity and a stage has a negative polarity by a power supply unit of an organic material deposition apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 유기물 증착장치의 전력공급부에 의해 배출판이 (-)극성을 가지고, 스테이지가 (+)극성을 가지는 경우를 나타낸 부분 확대도이다.2B is a partially enlarged view illustrating a case in which the discharge plate has a negative polarity and the stage has a positive polarity by the power supply unit of the organic material deposition apparatus according to the embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기물 증착장치를 이용한 증착방법을 나타낸 순서도이다. 3 is a flowchart illustrating a deposition method using an organic material deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100: 소스 공급부 110: 유기물 소스부100: source supply unit 110: organic material source unit

120: 가열기 130: 이송가스 공급부 120: heater 130: transfer gas supply unit

240: 배출판 300: 이온화부240: discharge plate 300: ionization unit

400: 전력공급부400: power supply

본 발명은 유기물 증착장치 및 이를 이용한 증착방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 각각 다른 극성을 띠는 배출판과 스테이지를 갖는 유기물 증착장치 및 이를 이용한 증착방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic material deposition apparatus and a deposition method using the same, and more particularly, to an organic material deposition apparatus having a discharge plate and a stage having a different polarity and a deposition method using the same.

최근 반도체 산업에 있어서 반도체 기술이 급성장함에 따라 작은 면적에 방대한 데이터를 집적하는 것이 가능해지면서 방대한 데이터를 고속으로 처리할 수 있는 정보 처리기술도 발전하게 되었다. 또한 정보처리 기기에서 처리된 결과 데이터를 사용자가 인식할 수 있도록 기기와 사용자 사이에서 인터페이스 역할을 하는 디스플레이 장치 개발도 꾸준히 이루어지고 있다. Recently, with the rapid growth of semiconductor technology in the semiconductor industry, it becomes possible to accumulate vast amounts of data in a small area and to develop information processing technology capable of processing massive data at high speed. In addition, the development of a display device that serves as an interface between the device and the user so that the user can recognize the result data processed by the information processing device has been made.

이러한 정보 처리기기에는 CRT 방식의 디스플레이 장치와 액정표시장치(LCD) 등이 보편적으로 사용되고 있으나 최근 부피가 크고 중량이 무거운 CRT의 단점과 응답속도가 느리고 시야각을 확대하는데 한계가 있는 LCD의 단점을 보완한 유기발광 다이오드 표시소자를 사용한 유기 EL 디스플레이의 수요가 증가하고 있다. CRT-type display devices and liquid crystal displays (LCDs) are commonly used in such information processing devices, but recently, the shortcomings of the bulky and heavy CRTs and the shortcomings of LCDs, which have a slow response speed and limited viewing angle, are compensated for. There is an increasing demand for organic EL displays using one organic light emitting diode display element.

유기발광 소자는 광시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠른 장점을 가지며 형광성 유기화합물을 전기적으로 여기시켜 발광시키는 자발광형 표시소자이기 때문에 낮은 전압에서 구동이 가능하여 전력소모가 낮다. 또한 휴대가능하며 다양한 색상을 구현할 수 있고, 박막을 액체상에서 제조할 수 있는 장점을 가진다.The organic light emitting device has a wide light viewing angle, excellent contrast, fast response speed, and is a self-luminous display device that electrically excites fluorescent organic compounds to emit light, thereby enabling low power consumption and low power consumption. In addition, it is portable and can realize various colors, and has the advantage of manufacturing a thin film in a liquid phase.

이러한 유기발광 소자는 양전극과 음전극을 서로 분리하여 적층하고 양전극과 음전극 사이에 유기 발광막을 삽입한 구조로 이루어지며 유기 발광막은 전자와 정공을 운반하고 발광할 수 있도록 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등이 적층된 다층구조로 이루어져 발광 효율을 향상시킨다. The organic light emitting device has a structure in which a positive electrode and a negative electrode are separated from each other, and an organic light emitting layer is inserted between the positive electrode and the negative electrode. The organic light emitting layer has a hole injection layer, a hole transport layer, and an organic light emitting layer to transport and emit electrons and holes. And a multi-layer structure in which an electron transport layer, an electron injection layer, and the like are laminated to improve luminous efficiency.

유기발광 소자 제조에 사용되는 유기물질은 기판 상에 박막형태로 형성되는데 박막 제조방법으로는 기상증기 증착법(VD), 화학기상 증착법(CVD), 물리기상 증착법(PVD), 이온 플레이팅(ion plating)법 등의 매우 다양한 기술이 응용되고 있다. 이러한 기술 중 유기물질을 이용한 박막 제조는 주로 기상증기 증착법(VD)으로 이루어진다. 이 증착법을 사용하여 유기물질을 박막형태로 형성하는 선행기술로는 공개특허 "10-2004-0009579"의 "유기물질 증착방법 및 이를 적용한 장치"가 있다. 상기 공개특허의 경우는 유기물질을 고온화시켜 공정가스를 생성하고, 상기 공정가스를 이송가스를 이용해 챔버 내부로 운반시켜 유기 박막을 기판에 증착시킨다. Organic materials used in the manufacture of organic light emitting devices are formed in a thin film form on the substrate, and as a method of manufacturing the thin film, vapor deposition (VD), chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), ion plating (ion plating) A wide variety of techniques, such as the law, have been applied. Among these technologies, thin film manufacturing using organic materials is mainly performed by vapor vapor deposition (VD). The prior art for forming an organic material in the form of a thin film using this deposition method includes the "organic material deposition method and apparatus using the same" of the published patent "10-2004-0009579". In the case of the disclosed patent, the organic material is heated to a high temperature to generate a process gas, and the process gas is transferred into the chamber using a transfer gas to deposit an organic thin film on a substrate.

이러한 증착공정은 유기박막을 균일하게 기판에 증착시킬 수 있으나 대부분의 증착공정이 증착경로나 증착속도의 제어가 어려워 유기박막을 균일하게 증착시키기 어렵고 증착하는데 시간이 걸리는 문제점이 있다. This deposition process can uniformly deposit the organic thin film on the substrate, but most of the deposition process is difficult to control the deposition path or deposition rate is difficult to uniformly deposit the organic thin film has a problem that takes a long time to deposit.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 이온화된 유기물을 기판에 증착시 유기물과 같은 극성은 배출판에 인가하고, 유기물과 다른 극성은 스테이지에 인가하여 유기물을 증착시키는 유기물 증착장치 및 이를 이 용한 증착방법에 관한 것이다.The present invention is to solve the above-mentioned problems, an object of the present invention is to deposit an organic material by applying the same polarity as the organic material to the discharge plate when the ionized organic material is deposited on the substrate, and the other polarity to the stage It relates to a deposition apparatus and a deposition method using the same.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기물 증착장치는 챔버, 상기 챔버 내부의 일측에 마련되어 기판을 안착시키는 스테이지, 상기 챔버 내부에 공정가스를 공급하는 소스공급부, 상기 기판에 증착될 상기 공정가스를 이온화시키는 이온화부, 상기 챔버 내부의 타측에 마련되어 상기 이온화된 공정가스를 배출하는 배출판 및 상기 스테이지에 상기 이온화된 공정가스와 다른 극성을 인가하는 전력공급부를 구비한다. The organic material deposition apparatus according to the present invention for achieving the above object is a chamber, a stage provided on one side of the chamber to seat a substrate, a source supply unit for supplying a process gas into the chamber, the process gas to be deposited on the substrate And an ionization unit for ionizing the ionization unit, a discharge plate provided at the other side of the chamber to discharge the ionized process gas, and a power supply unit for applying a polarity different from the ionized process gas to the stage.

상기 스테이지는 상기 공정가스의 유기물 결정체가 증착될 수 있도록 공정가스의 온도보다 낮은 온도를 가질 수 있다.The stage may have a temperature lower than that of the process gas so that organic crystals of the process gas may be deposited.

상기 챔버 내부의 압력을 유지하고, 상기 기판에 증착되지 못한 상기 이온상태의 공정가스를 배출하는 진공 배기부가 더 포함될 수 있다.A vacuum exhaust unit may be further included to maintain the pressure inside the chamber and to discharge the process gas in the ionic state which is not deposited on the substrate.

상기 배출판은 이온화된 공정가스와 같은 극성으로 인가될 수 있다.The discharge plate may be applied with the same polarity as the ionized process gas.

상기 배출판은 상기 공정가스를 상기 챔버 내부에 배출할 수 있도록 다수개의 배출구로 이루어질 수 있다.The discharge plate may include a plurality of discharge ports to discharge the process gas into the chamber.

전술한 문제점을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기물 증착방법은 기판에 증착될 유기물을 기화시켜 공정가스를 발생시키는 단계, 상기 이온화된 공정가스와 다른 극성을 스테이지에 인가하는 단계 및 상기 이온화된 공정가스를 배출판이 챔버 내부로 배출하는 단계를 포함한다.The organic material deposition method according to the present invention for achieving the above-mentioned problem is to generate a process gas by vaporizing the organic material to be deposited on the substrate, applying a different polarity to the stage and the ionized process gas and the ionized process gas Discharging the discharge plate into the chamber.

상기 배출판은 상기 이온화된 공정가스와 같은 극성으로 인가되는 단계를 더 포함할 수 있다. The discharge plate may further include applying the same polarity as the ionized process gas.

상기 공정가스는 이송가스에 의해 수송될 수 있다.The process gas may be transported by a transport gas.

이하에서는 본 발명에 따른 유기물 증착장치에 대한 실시예에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기물 증착장치를 나타낸 개략도이다. 도 1에 도시된 바와 같이 유기물 증착장치는 소스공급부(100), 증착처리부(200), 이온화부(300), 전력공급부(400)를 구비한다. Hereinafter, an embodiment of an organic material deposition apparatus according to the present invention will be described. 1 is a schematic view showing an organic material deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the organic material deposition apparatus includes a source supply unit 100, a deposition processing unit 200, an ionizer 300, and a power supply unit 400.

소스공급부(100)는 유기물 소스가 수용된 유기물 소스부(110), 유기물 소스를 가열하는 가열기(120), 공정가스를 이송하기 위한 이송가스 공급부(130), 이송가스의 유량을 제어하는 유량제어기(140), 유기물 소스부(110)와 이송가스 공급부(130) 및 챔버(250) 내부와 연결된 수송관을 구비한다. The source supply unit 100 includes an organic source unit 110 in which an organic source is accommodated, a heater 120 for heating an organic source, a transfer gas supply unit 130 for transferring a process gas, and a flow controller for controlling the flow rate of the transfer gas ( 140, a transport pipe connected to the organic material source unit 110, the transfer gas supply unit 130, and the chamber 250 is provided.

유기물 소스부(110)는 유기물 소스를 수용하기 위한 임의의 내부공간을 갖는 소스용기(112)를 구비한다. 소스용기(112)는 가열기(120)와 연결되어 소정온도로 가열되고, 소스용기(112)가 가열되면서 수용된 유기물 소스는 가열 증발된다. 소스용기(112)는 고온처리에 강한 산화알루미늄, 알런덤, 코런덤 등의 도가니를 사용할 수 있다.The organic source unit 110 includes a source container 112 having an internal space for accommodating the organic source. The source container 112 is connected to the heater 120 and heated to a predetermined temperature, and the received organic material source is heated and evaporated while the source container 112 is heated. The source container 112 may use crucibles such as aluminum oxide, alanthanum and corundum, which are resistant to high temperature treatment.

소스용기(112)를 소정의 온도로 가열하는 가열기(120)는 이송가스나 유기물 소스의 공정가스가 통과하는 모든 관에도 온도의 차이로 공정가스가 응축하여 달라붙지 않도록 가열처리 해야하며 가열온도는 소스용기(112)의 내부온도와 동일하거나 더 높은 온도로 가열하는 것이 바람직하다. The heater 120 for heating the source container 112 to a predetermined temperature should be heated to prevent condensation of the process gas due to temperature difference in all tubes through which the process gas of the transport gas or the organic source passes. It is preferred to heat to a temperature equal to or higher than the internal temperature of the source vessel 112.

이때 이송가스를 소스용기(112)의 내부온도와 맞추기 위한 별도의 기체가열시스템을 구비하거나 이송가스의 수송관(150)을 나선형 모양으로 변형 또는 길게하여 시간을 두고 충분히 가열될 수 있도록 하는 것도 가능하다. 또 다른 방법으로는 소스용기(112)의 외벽, 수송관(150)의 외벽, 챔버(250)의 외벽을 감싸는 형상의 발열코일(미도시)을 각각 구비하여 열에너지를 제공하는 방법이 있을 수 있다. In this case, a separate gas heating system may be provided to adjust the transport gas to the internal temperature of the source container 112, or the transport pipe 150 of the transport gas may be deformed or lengthened in a spiral shape so as to be sufficiently heated over time. Do. As another method, there may be provided a method of providing thermal energy by providing heating coils (not shown) shaped to surround the outer wall of the source container 112, the outer wall of the transport pipe 150, and the outer wall of the chamber 250, respectively. .

계속해서 소스용기(112)에 수용된 유기물 소스가 증발온도 이상으로 가열되어 공정가스가 생성되면 이송가스 공급부(130)는 공정가스를 챔버(250) 내로 유입시키기 위해 이송가스를 수송관(150)으로 배출하고, 배출된 이송가스는 유량제어기(140)를 거쳐 공정가스와 배합된다. 이송가스 공급부(130)에서 제공하는 이송가스로는 불활성 기체인 질소, 헬륨, 아르곤, 크립톤, 제논, 네온 등이 사용될 수 있다.Subsequently, when the organic material contained in the source container 112 is heated above the evaporation temperature to generate a process gas, the transport gas supply unit 130 transfers the transport gas to the transport pipe 150 to introduce the process gas into the chamber 250. The discharged and discharged transport gas is combined with the process gas via the flow controller 140. As a transport gas provided by the transport gas supply unit 130, nitrogen, helium, argon, krypton, xenon, neon, or the like, which are inert gases, may be used.

유량제어기(140)는 유입량을 조절하는 MFC(Mass Flow Controller)일 수 있으며 이송가스 공급부(130)와 유기물 소스부(110) 사이에 배치된다. 이러한 유량제어기(140)는 이송가스가 지나가는 수송관(150)과 병렬로 연결된 별도의 측정관(미도시)을 사용할 수 있다. 이송가스의 유량 측정 및 제어는 측정관의 중앙을 가열하고, 이송가스가 가열부분을 지나가면서 생기는 이송가스 유체의 상류부분과 하류부분의 온도차이에 의해 수행될 수 있다. The flow controller 140 may be a Mass Flow Controller (MFC) for adjusting the flow rate and is disposed between the transfer gas supply unit 130 and the organic material source unit 110. The flow controller 140 may use a separate measuring tube (not shown) connected in parallel with the transport pipe 150 through which the transport gas passes. The flow rate measurement and control of the conveying gas may be performed by heating the center of the measuring tube and by the temperature difference between the upstream and downstream portions of the conveying gas fluid generated as the conveying gas passes through the heating portion.

계속해서 소스용기(112)의 배출관(116)과 연결된 수송관(150)에서 이송가스와 공정가스가 합쳐져 챔버(250) 내로 운반된다. 여기서 이송가스를 제공하는 공급관(미도시)을 별도로 마련하여 소스용기(112)에 직접 연결하여 사용하는 것도 가능 하다. 또한 소스용기(112)의 상부에는 셔터(114)가 구비되며 상기 셔터(114)는 기화된 공정가스가 배출관(116)으로 배출될 때 기화되기 직전의 불순물들이 챔버(250) 내부에 잔존하여 기판(S)에 증착되지 못하도록 막아주는 역할을 한다. Subsequently, in the transport pipe 150 connected to the discharge pipe 116 of the source container 112, the transport gas and the process gas are combined and transported into the chamber 250. In this case, it is also possible to provide a supply pipe (not shown) for providing a transport gas to be directly connected to the source container 112 and used. In addition, a shutter 114 is provided on an upper portion of the source container 112, and when the vaporized process gas is discharged to the discharge pipe 116, impurities immediately before vaporization remain in the chamber 250, thereby providing a substrate. It serves to prevent deposition on (S).

공정가스가 공급되는 증착처리부(200)는 박막제조공정이 이루어지는 챔버(250)를 구비한다. 챔버(250)는 기판의 출입이 가능한 개폐문(210), 기판이 안착되는 스테이지(220), 공정가스를 분사하는 배출판(230), 챔버 내에 진공분위기 형성을 위한 진공배기부(240)를 구비한다. The deposition processing unit 200 supplied with the process gas includes a chamber 250 in which a thin film manufacturing process is performed. The chamber 250 includes an opening / closing door 210 capable of accessing a substrate, a stage 220 on which the substrate is seated, a discharge plate 230 for spraying process gas, and a vacuum exhaust unit 240 for forming a vacuum atmosphere in the chamber. do.

챔버(250) 내부에 구비되는 스테이지(220)는 챔버(250) 내부의 중앙에 위치하여 기판(S)을 안착시키고, 박막제조공정을 수행할 수 있도록 배출판(230)과 임의의 공간을 유지하여 증착처리실(270)을 형성한다. 스테이지(220)는 콜드 스테이지로 챔버(250) 내부의 온도를 고온 상태로 유지하여 박막제조공정을 위해 공정가스를 분사할 때 온도차에 의해 기판(S)에 유기물 결정체가 증착될 수 있도록 기판(S)을 냉각시키는 역할을 한다. 따라서 기판(S)과 접합되는 스테이지(220)의 접합면은 기판(S)의 냉각을 위해 냉각수와 같은 냉매가 순환될 수 있도록 냉각 파이프(미도시)가 설치된다. 스테이지에 안착되는 기판은 유리, 석영 또는 플라스틱과 같은 폴리머로 제조될 수 있다. The stage 220 provided in the chamber 250 is located at the center of the chamber 250 to seat the substrate S, and maintain the discharge plate 230 and an arbitrary space so as to perform a thin film manufacturing process. Thus, the deposition processing chamber 270 is formed. The stage 220 is a cold stage that maintains the temperature inside the chamber 250 at a high temperature state so that the organic crystals may be deposited on the substrate S by the temperature difference when the process gas is injected for the thin film manufacturing process. ) To cool. Accordingly, a cooling pipe (not shown) is installed on the bonding surface of the stage 220 to be bonded to the substrate S to circulate a refrigerant such as cooling water for cooling the substrate S. The substrate seated on the stage may be made of a polymer such as glass, quartz or plastic.

계속해서 챔버(250) 내부에서 스테이지(220)와 대면하는 위치에 배치되는 배출판(230)은 공정가스를 이송하는 수송관(150)과 연결되어 공정가스를 분사한다. 배출판(230)은 박막의 증착공정이 수행될 공정가스를 기판(S)에 균일하게 배출할 수 있도록 다수개의 배출구(231)로 이루어지며 이러한 배출구(231)는 기본적으로 원형의 형태를 가지거나 어떤 다른 형태로 변형될 수 있다. 또한 배출판(230)은 챔버(250) 내부를 공정가스가 확산되도록 공간을 마련하는 확산실(260)과 기판의 박막제조공정이 이루어지는 증착처리실(270)로 분할한다.Subsequently, the discharge plate 230 disposed at a position facing the stage 220 in the chamber 250 is connected to the transport pipe 150 for transferring the process gas to inject the process gas. The discharge plate 230 is composed of a plurality of discharge ports 231 to uniformly discharge the process gas to be carried out the deposition process of the thin film on the substrate (S) and these discharge holes 231 basically have a circular shape or It can be modified in any other form. In addition, the discharge plate 230 divides the inside of the chamber 250 into a diffusion chamber 260 that provides a space for diffusion of the process gas and a deposition processing chamber 270 in which a thin film manufacturing process of the substrate is performed.

이러한 배출판(230)은 챔버(250) 내벽에 고정되어 설치될 수 있고, 기판(S)과 대면되는 위치에 탈부착이 가능한 형태일 수 있다. The discharge plate 230 may be fixed to the inner wall of the chamber 250, and may be detachable at a position facing the substrate S.

챔버(250) 내의 확산실(260)로 이송되기 전에 분자상태의 공정가스는 이온화부(300)에서 이온화된다. 이온화부(300)는 공정가스의 분자에 전압을 인가하거나 레이져 조사 및 열을 가하여 안정된 상태에서 불안정한 상태의 가스분자로 변화되게 하고, 이에 따라 전자들이 튀어나오게 되어 가스분자를 이온상태의 가스로 변환시킨다. The molecular process gas is ionized in the ionizer 300 before being transferred to the diffusion chamber 260 in the chamber 250. The ionization unit 300 applies a voltage to the molecules of the process gas or applies laser radiation and heat to change the gas molecules in a stable state into an unstable state, thereby causing electrons to protrude, thereby converting the gas molecules into ionic gas. Let's do it.

챔버(250) 내부를 진공분위기로 형성하는 진공배기부(240)는 챔버(250) 내부의 압력을 유지하기 위해 진공펌프(미도시)를 사용할 수 있고, 챔버의 기본 진공도를 향상시키기 위해서 터보 분자펌프(미도시)를 추가로 포함할 수도 있다. 또한 진공배기부(240)는 기판(S)에 박막 증착시 증착되지 못한 공정가스를 배기시키는 역할을 한다. The vacuum exhaust unit 240 forming the inside of the chamber 250 as a vacuum atmosphere may use a vacuum pump (not shown) to maintain the pressure inside the chamber 250, and in order to improve the basic vacuum degree of the chamber, turbomolecules may be used. It may further comprise a pump (not shown). In addition, the vacuum exhaust unit 240 serves to exhaust the process gas that is not deposited when the thin film is deposited on the substrate (S).

마지막으로 배출판(230)과 스테이지(220)에 전압을 인가하여 각각 다른 극성을 띠게하는 전력공급부(400)를 구비하여 박막제조처리공정을 수행한다. .Finally, the power supply unit 400 is applied to the discharge plate 230 and the stage 220 to have different polarities to perform the thin film manufacturing process. .

이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 박막제조처리공정에 대해 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a thin film manufacturing process according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 유기물 증착장치의 전력공급부에 의해 배출판이 (+)극성을 가지고, 스테이지가 (-)극성을 가지는 경우를 나타낸 부분 확대도이고, 도 2b는 배출판이 (-)극성을 가지고, 스테이지가 (+)극성을 가지는 경우를 나타낸 부분 확대도이다. FIG. 2A is a partially enlarged view illustrating a case in which the discharge plate has a positive polarity and the stage has a negative polarity by the power supply unit of the organic material deposition apparatus according to the embodiment of the present invention, and FIG. ) Is a partial enlarged view showing a case of polarity and a stage having (+) polarity.

도 2a에 도시된 바와 같이 전력공급부(400)에 의해 전압이 인가된 배출판(230)과 스테이지(220)는 각각 다른 극성을 띠게 된다. 예를 들어 공정가스가 (+)극성을 가진 이온상태의 가스로 분해되는 경우 배출판(230)을 (+)극성으로 스테이지(220)를 (-)극성으로 형성시킬 수 있다. 분해된 (+)극성을 가진 이온상태의 가스는 (+)극성을 가지는 배출판(230)의 배출구(231)에서 분사될 때 (+)극성과 척력을 가지기 때문에 빠른 속도로 배출되고, 스테이지(220)의 (-)극성으로 인해 인력이 작용하여 기판(S)에 균일하게 증착될 수 있다. As shown in FIG. 2A, the discharge plate 230 and the stage 220 to which voltage is applied by the power supply unit 400 have different polarities. For example, when the process gas is decomposed into an ionic gas having a positive polarity, the discharge plate 230 may be positively polarized, and the stage 220 may be negatively polarized. The ionized gas having decomposed (+) polarity is discharged at high speed because it has (+) polarity and repulsive force when injected from the outlet 231 of the discharge plate 230 having (+) polarity. Due to the negative polarity of the 220, an attractive force may be applied and uniformly deposited on the substrate S.

또한 도 2b와 같이 공정가스가 (-)극성을 가진 이온상태의 가스로 분해되는 경우 배출판(230)을 (-)극성으로 스테이지(220)를 (+)극성으로 형성시키면 배출구(231)에서 (-)극성을 가진 이온상태의 가스가 배출될 때 배출속도가 가속화되고, (-)극성을 가진 이온상태의 가스와 다른 극성 즉 (+)극성을 가지는 스테이지(220)와 인력이 작용하여 (-)극성을 가진 이온상태의 가스가 기판(S)에 균일하게 증착될 수 있다. In addition, when the process gas is decomposed into an ionic gas having a negative polarity as shown in FIG. 2B, when the discharge plate 230 is formed with the negative polarity and the stage 220 is formed with the positive polarity, When the ionic gas having a negative polarity is discharged, the discharge speed is accelerated, and the attraction force is applied to the stage 220 having a different polarity (+) polarity from the ionic gas having a negative polarity ( The polarity of the ionic gas can be uniformly deposited on the substrate (S).

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 유기물 증착방법에 대해 설명하기로 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described for the organic material deposition method according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기물 증착방법을 나타낸 순서도이다.3 is a flow chart showing an organic material deposition method according to an embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 유기물 증착장치는 챔버(250)의 도어(210)를 통해 기판(S)을 증착 처리실(270)로 반입시켜 스테이지(220)에 안착시킨다(S100). As shown in FIG. 3, in the organic material deposition apparatus according to the present invention, the substrate S is loaded into the deposition processing chamber 270 through the door 210 of the chamber 250 and seated on the stage 220 (S100).

스테이지(220)에 기판(S)이 안착되면 증착처리실(270)은 진공배기부(240)에 의해 진공분위기가 형성된다(S200). 진공배기부(240)는 공정가스 및 이송가스가 챔버(250) 내부로 이송되어 챔버(250) 내부의 압력이 상승되는 것을 방지하기 위해 지속적으로 진공상태를 유지하며 기판(S)에 증착되지 못한 이온화 공정가스를 배기한다. When the substrate S is seated on the stage 220, a vacuum atmosphere is formed in the deposition processing chamber 270 by the vacuum exhauster 240 (S200). The vacuum exhaust unit 240 continuously maintains a vacuum state to prevent the process gas and the transfer gas from being transferred into the chamber 250 to increase the pressure inside the chamber 250 and cannot be deposited on the substrate S. Exhaust the ionization process gas.

이후 가열기(120)가 공정가스를 발생시키기 위해 소스용기(112)를 가열하고, 공정가스가 이송되는 수송관(150) 및 박막제조처리공정이 수행되는 챔버(250)를 가열한다(S300). Then, the heater 120 heats the source container 112 to generate a process gas, and heats the transport pipe 150 to which the process gas is transferred and the chamber 250 in which the thin film manufacturing process is performed (S300).

계속해서 소스용기(112)에서 기화된 공정가스를 챔버(250) 내로 수송할 수 있도록 이송가스 공급부(130)에서 수송관(150)으로 이송가스를 공급한다(S400). 이때 유량제어기(140)가 이송가스의 유량을 제어하여 적정량의 이송가스를 방출한다. Subsequently, the transfer gas is supplied from the transfer gas supply unit 130 to the transportation pipe 150 so as to transport the process gas vaporized from the source container 112 into the chamber 250 (S400). At this time, the flow controller 140 controls the flow rate of the transport gas to discharge the appropriate amount of the transport gas.

이송가스는 유기물 소스부(110)의 배출관(116)을 통해 수송관(150)으로 배출된 공정가스를 이온화부(300)로 이송시킨다. 이온화부(300)에서 이온화(S500)된 공정가스는 챔버(250) 내의 확산실(260)로 이송되고, 이때 전력공급부(400)에 의해 전압이 인가(S600)되어 배출판(230)은 이온화된 공정가스와 같은 극성을 띠고, 스테이지(220)는 이온화된 공정가스와 다른 극성을 띠게 된다. The transfer gas transfers the process gas discharged to the transport pipe 150 through the discharge pipe 116 of the organic material source unit 110 to the ionizer 300. The process gas ionized by the ionizer 300 is transferred to the diffusion chamber 260 in the chamber 250. In this case, a voltage is applied by the power supply unit 400 (S600), and the discharge plate 230 is ionized. It has the same polarity as the processed process gas, and the stage 220 has a different polarity from the ionized process gas.

이후 확산실(260)에 모여진 이온화된 공정가스는 배출판(230)에 의해 배출(S700)되어 증착처리실(270)로 제공된다. 증착처리실(270)에 제공된 이온화 공정가스는 다른 극성을 가지는 스테이지(220)에 의해 인력으로 기판(S)에 증착(S800)되어 박막을 형성하게 된다. Thereafter, the ionized process gas collected in the diffusion chamber 260 is discharged by the discharge plate 230 (S700) and is provided to the deposition processing chamber 270. The ionization process gas provided to the deposition processing chamber 270 is deposited (S800) on the substrate S by attraction by the stage 220 having a different polarity to form a thin film.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 유기물 증착장치 및 이를 이용한 증착방법은 유기물을 기판에 증착시 유기물과 같은 극성은 배출판에 인가하고, 유기물과 다른 극성은 스테이지에 인가하여 유기물 입자의 증착속도를 높이고, 기판에 균일하게 증착시키는 효과가 있다. As described above, in the organic material deposition apparatus and the deposition method using the same, when the organic material is deposited on the substrate, the same polarity as the organic material is applied to the discharge plate, and the other polarity is applied to the stage to improve the deposition rate of the organic particles. It has the effect of making it high and uniformly depositing on a board | substrate.

Claims (8)

챔버;chamber; 상기 챔버 내부의 일측에 마련되어 기판을 안착시키는 스테이지;A stage provided on one side of the chamber to seat a substrate; 상기 챔버 내부에 공정가스를 공급하는 소스공급부;A source supply unit supplying a process gas into the chamber; 상기 기판에 증착될 상기 공정가스를 이온화시키는 이온화부;An ionizer for ionizing the process gas to be deposited on the substrate; 상기 챔버 내부의 타측에 마련되어 상기 이온화된 공정가스를 배출하는 배출판; 및A discharge plate provided on the other side of the chamber to discharge the ionized process gas; And 상기 스테이지에 상기 이온화된 공정가스와 다른 극성을 인가하는 전력공급부를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기물 증착장치.And a power supply for applying a polarity different from that of the ionized process gas to the stage. 제 1항에 있어서, 상기 스테이지는 상기 공정가스의 유기물 결정체가 증착될 수 있도록 공정가스의 온도보다 낮은 온도를 가지는 것을 특징으로 하는 유기물 증착장치.The organic material deposition apparatus of claim 1, wherein the stage has a temperature lower than a temperature of the process gas so that organic crystals of the process gas may be deposited. 제 1항에 있어서, 상기 챔버 내부의 압력을 유지하고, 상기 기판에 증착되지 못한 상기 이온상태의 공정가스를 배출하는 진공 배기부가 더 포함된 것을 특징으로 하는 유기물 증착장치.The organic material deposition apparatus of claim 1, further comprising a vacuum exhaust unit configured to maintain a pressure in the chamber and to discharge the process gas in the ionic state which is not deposited on the substrate. 제 1항에 있어서, 상기 배출판은 이온화된 공정가스와 같은 극성으로 인가되는 것을 특징으로 하는 유기물 증착장치.The organic material deposition apparatus of claim 1, wherein the discharge plate is applied in the same polarity as the ionized process gas. 제 1항에 있어서, 상기 배출판은 상기 공정가스를 상기 챔버 내부에 배출할 수 있도록 다수개의 배출구로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기물 증착장치. The organic material deposition apparatus of claim 1, wherein the discharge plate comprises a plurality of discharge ports to discharge the process gas into the chamber. 기판에 증착될 유기물을 기화시켜 공정가스를 발생시키는 단계;Vaporizing the organic material to be deposited on the substrate to generate a process gas; 상기 공정가스를 이온화부에서 이온화시키는 단계;Ionizing the process gas in an ionizer; 상기 이온화된 공정가스와 다른 극성을 스테이지에 인가하는 단계; 및Applying a polarity different from the ionized process gas to the stage; And 상기 이온화된 공정가스를 배출판이 챔버 내부로 배출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 증착방법.And discharging the ionized process gas into the chamber. 제 6항에 있어서, 상기 배출판은 상기 이온화된 공정가스와 같은 극성으로 인가되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 증착방법.The method of claim 6, wherein the discharge plate further comprises applying the same polarity as the ionized process gas. 제 6항에 있어서, 상기 공정가스는 이송가스에 의해 수송되는 것을 특징으로 하는 유기물 증착방법.The method of claim 6, wherein the process gas is transported by a transport gas.
KR1020060093926A 2006-09-27 2006-09-27 Organic chemical vaper deposition apparatus and organic compounds vaper deposition method KR101300117B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060093926A KR101300117B1 (en) 2006-09-27 2006-09-27 Organic chemical vaper deposition apparatus and organic compounds vaper deposition method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060093926A KR101300117B1 (en) 2006-09-27 2006-09-27 Organic chemical vaper deposition apparatus and organic compounds vaper deposition method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080028542A true KR20080028542A (en) 2008-04-01
KR101300117B1 KR101300117B1 (en) 2013-08-26

Family

ID=39531463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060093926A KR101300117B1 (en) 2006-09-27 2006-09-27 Organic chemical vaper deposition apparatus and organic compounds vaper deposition method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101300117B1 (en)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100499169B1 (en) * 1999-03-30 2005-07-01 삼성전자주식회사 Method for ionizing a gas for semiconductor processing and ionization system for performing the same
KR100784381B1 (en) * 2004-07-23 2007-12-11 삼성전자주식회사 Deposition apparatus and method

Also Published As

Publication number Publication date
KR101300117B1 (en) 2013-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102172104B (en) Plasma source and carry out the method for depositing thin film coatings with the chemical vapour deposition (CVD) of plasma enhancing
JP2007507601A (en) Vapor deposition source using pellets for manufacturing OLEDs
US8012260B2 (en) Apparatus and method for coating an areal substrate
US20130062199A1 (en) Film-forming apparatus for forming a cathode on an organic layer formed on a target object
JP4602054B2 (en) Vapor deposition equipment
KR20110032283A (en) Source gas supplying unit, deposition device having the same and method thereof
KR101046239B1 (en) Deposition Device, Deposition System and Deposition Method
KR101300117B1 (en) Organic chemical vaper deposition apparatus and organic compounds vaper deposition method
WO2008018500A1 (en) Film forming device, film forming system, and film forming method
JP2004220852A (en) Film forming device and manufacturing device of organic el element
US20100028534A1 (en) Evaporation unit, evaporation method, controller for evaporation unit and the film forming apparatus
KR20040009579A (en) Method for organic material deposition and the apparatus adopting the same
KR20080098813A (en) Temperature control unit of canister, device for supplying organic and apparatus for organic vapor deposition by using the same
CN112703269A (en) Pretreatment method for pretreating oscillation crystal for measuring deposition rate, deposition rate measuring device, evaporation source, and deposition apparatus
KR101388593B1 (en) Apparatus for vapor deposition of organic and method for deposition using the same
JP2003105526A (en) Method of depositing silicon compound film
JP2005029885A (en) Thin film deposition method, thin film deposition system and semiconductor device
KR101313773B1 (en) Apparatus for vapor deposition of organic and method for deposition using the same
KR20090015379A (en) Carrier gas and deposition apparatus by using same
KR101340612B1 (en) Apparatus for vapor deposition of organic and method for deposition using the same
JP2002057148A (en) Film formation method by ion plating
KR101257404B1 (en) Apparatus for vapor deposition of organic and method for deposition using the same
JP2020033581A (en) Gas carrier vapor deposition apparatus
JP2023509077A (en) Evaporation method, evaporator, and evaporation source
JP4172206B2 (en) Organic film forming equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee