KR20080028128A - Ｃｄ를 보정하기 위한 투과율 조절층을 가진 포토마스크 및포토마스크의 ｃｄ 보정 방법 - Google Patents

Ｃｄ를 보정하기 위한 투과율 조절층을 가진 포토마스크 및포토마스크의 ｃｄ 보정 방법 Download PDF

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Abstract

CD를 보정한 포토마스크 및 그 보정 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 의한 포토마스크는, 포토마스크 기판, 포토마스크 기판 상에 형성된 광학적 패턴, 및 광학적 패턴의 사이의 포토마스크 기판 상에 형성된 투과율 조절층을 포함한다.
포토마스크, CD 보정, 투과율 조절

Description

ＣＤ를 보정하기 위한 투과율 조절층을 가진 포토마스크 및 포토마스크의 ＣＤ 보정 방법{Photomask having a transmittance attenuating layer for correcting CD errors and method for correcting CD errors}
도 1a 및 1b는 본 발명의 일 실시예에 의한 포토마스크들을 설명하기 위하여 개략적으로 도시한 종단면도들이다.
도 2a 및 2b는 본 발명의 다른 실시예에 의한 포토마스크들을 설명하기 위하여 개략적으로 도시한 종단면도들이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 의한 포토마스크를 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 CD가 보정된 포토마스크를 제조하는 방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
100, 200, 300: 포토마스크
110, 210, 310: 포토마스크 기판
120, 220, 320: 광학적 패턴
130, 230, 330: 투과율 조절층
140, 240, 340: 물질층
350: 어퍼쳐
본 발명은 웨이퍼 상에 나타나는 포토마스크의 CD 차를 보정하는 방법에 관한 것으로서 특히 포토마스크 기판 면에 투과율을 조절하기 위한 투과율 조절층을 형성하여 포토마스크의 CD 차를 보정하는 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위한 포토리소그래피 공정에 있어서, 가장 중요한 것은 최종적으로 웨이퍼 상에 형성되는 패턴들의 균일한 크기이다. 이 웨이퍼 상에 형성되는 패턴들의 크기는 포토리소그래피 공정에서 사용되는 포토마스크로부터 기인한다. 즉, 포토마스크 상에 형성된 광학적 패턴들의 균일성이 곧 웨이퍼 상에 형성되는 패턴들의 크기로 직결된다. 따라서, 포토마스크 상에 형성되는 광학적 패턴들의 균일성은 반도체 제조 공정에서 근본적으로 매우 중요한 팩터이다.
현실적으로, 포토마스크 상의 광학적 패턴들은 어느 정도의 불균일성을 가지고 있다. 그러므로, 안정된 포토마스크 제조 공정은 이 불균일성을 얼마나 작게 줄일 수 있느냐가 매우 중요한 평가 요소 중의 하나라 할 수 있다. 대부분의 경우, 포토마스크의 광학적 패턴들이 가진 패턴의 차이, 즉 CD 차이는 포토마스크 공정을 거친 후, 웨이퍼 상에서 더 크게 나타나는 경향이 있다. 때문에, 포토마스크에서의 CD 차이를 최소한으로 줄이는 것이 안정적으로 반도체 소자를 제조하는데 필수적인 일이다.
그러나, 포토마스크를 제조하는 과정에서 포토마스크가 자체적으로 가지는 광학적 패턴들의 차이, 즉 CD 차이를 줄이는 것은 이미 한계점에 이르러 있다. 이렇게 완성된 포토마스크가 가지는 CD 차이가 허용된 값의 이내일 경우 반도체 제조를 위한 포토리소그래피 공정에 투입될 수 있지만, CD 차이가 허용된 값보다 클 경우 그 포토마스크는 사용되지 못하고 버려진다. 앞으로 더욱 진보된 포토마스크 제조 공정에 관한 연구와 결과가 얻어져야만 현 단계보다 더 높은 포토마스크 및 반도체 수율을 기대할 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 완성된 포토마스크의 CD가 웨이퍼 상에서 정확해지도록 CD가 보정된 포토마스크를 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 포토마스크의 CD를 보정하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의한 포토마스크는, 포토마스크 기판, 포토마스크 기판 상에 형성된 광학적 패턴, 및 광학적 패턴의 사이의 포토마스크 기판 상에 형성된 투과율 조절층을 포함한다.
투과율 조절층은 크롬, 탄탈룸, 루데늄, 몰리브덴, 알루미늄 및 기타 금속을 포함하는 단일 금속, 둘 이상의 합금, 금속 화합물 및 무기물 중에서 선택되어 단일층 또는 복수층으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의한 포토마스크의 CD를 보정하는 방법은, 완성된 포토마스크의 CD를 측정하고, 측정한 CD를 맵핑하고, 맵핑한 CD 맵으로 보정 데이터를 생성하고, 보정 데이터를 이용하여 포토마스크 상에 투과율 조절층을 형성하여 CD를 보정하는 것을 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
이하, 본 발명의 다양한 실시예들에 의한 포토마스크들을 도면을 참조하여 설명한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 의한 포토마스크를 개략적으로 도시한 종단면도이다.
도 1a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 포토마스크(100a)는, 포토마스크 기판(110), 포토마스크 기판(110) 상에 형성된 광학적 패턴(120), 광학적 패턴(120) 사이의 포토마스크 기판(110) 상에 형성된 투과율 조절층(130)을 포함한다. 본 실시예에서, A 영역은 광학적 패턴(120)의 크기가 이상적인 경우 또는 디자인시의 크기보다 작고 그 간격이 이상적인 경우보다 크게 형성된 영역이며, B 영역은 광학적 패턴(120)의 크기가 이상적인 경우이거나 투과율 조절층(130)을 형성하지 않은 영역이다.
포토마스크 기판(110)은 포토리소그래피 공정에서 사용되는 빛에 투명한 재질로 형성되며, 예를 들어 석영 등의 유리 기판일 수 있다. 포토리소그래피 공정에서 사용되는 빛은 예를 들어 g-line, i-line, KrF laser, ArF eximer laser 또는 F2 등이 사용될 수 있으며, 여러 가지 빛들은 본 기술 분야에 잘 알려져 있으므로 구체적인 설명을 생략한다.
광학적 패턴(120)은 빛에 불투명한 물질로 형성된다. 예를 들어 크롬, 몰리 브덴, 알루미늄, 탄탈룸, 루데늄 등을 비롯한 금속, 합금 또는 금속 화합물의 단일층 또는 복수층으로 형성될 수 있다. 광학적 패턴(120)의 한 쪽 면은 빛의 반사율이 높도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 포토마스크 기판(110)과 접촉된 면이 빛에 대해 높은 반사율을 가지도록 형성될 수 있다. 반사율은 예를 들어 90% 이상일 수 있다.
도시하지 않았으나, 광학적 패턴(120)의 상부에는 빛의 반사도가 매우 낮은 반사 방지층이 더 형성될 수 있다. 본 실시예에서 광학적 패턴(120)을 크롬으로 형성하였을 경우, 반사 방지층은 크롬 산화물로 형성될 수 있다. 기타 다른 물질일 경우, 그 물질의 산화물, 질화물 또는 산화질화물 등으로 반사 방지층을 형성할 수 있다.
투과율 조절층(130)은 A 영역에 형성된 광학적 패턴(120)의 사이에 해당되는 포토마스크 기판(110) 상에 형성될 수 있다. 투과율 조절층(130)은 투명한 포토마스크 기판(110)을 투과하는 빛의 에너지를 투과율을 낮춤으로써 조절할 수 있다. 본 실시예에서 투과율 조절층(130)은 수 십Å의 두께로 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 실험적으로 약 10 내지 20Å의 두께로 투과율 조절층(130)을 형성하였으며 위치에 따라 5 내지 15% 정도의 투과율 저하 효과를 얻을 수 있었다.
본 실시예에 의한 포토마스크(100a)를 사용하여 웨이퍼 상에 패턴을 형성할 경우, 투과율 조절층(130)이 형성된 영역이 웨이퍼 상에 더 작게 나타날 수 있다. 즉, 투과율 조절층(130)이 형성된 영역을 투과하는 빛의 에너지가 낮기 때문에 웨이퍼 상에서 광학적 패턴(120)의 폭이 더 커지고 광학적 패턴(120)의 간격이 더 작 게 나타날 수 있다. 즉, 웨이퍼 상에서의 임계 선폭(critical dimension)의 크기를 조절할 수 있다.
따라서, 모든 광학적 패턴(120)들이 동일한 크기 및 간격으로 형성되어야 하는 경우, 투과율 조절층(130)이 형성된 영역(A)은 투과율 조절층(130)이 형성되지 않은 영역(B)들보다 좁게 또는 작게 형성된 영역일 수 있다. 다른 말로, 빛에 불투명한 차광성인 광학적 패턴(120)의 크기가 다른 영역보다 크게 형성된 영역일 수 있다.
투과율 조절층(130)을 투과하는 빛의 투과율은 투과율 조절층(130)의 두께뿐만 아니라 재질 및 형성 방법 등에 따라 매우 다양하게 변화될 수 있으므로 본 명세서에서는 구체적인 수치를 제시하지 않는다. 왜냐하면, 투과율 조절층(130)을 형성하는 방법을 다양하게 하면 같은 두께 및 같은 재질이라도 투과율이 달라질 수 있기 때문이다. 투과율 조절층(130)을 형성하는 방법은 물리적 스퍼터링, 이온빔에 의한 증착 방법 등을 비롯한 다양한 방법으로 형성될 수 있으며, 형성될 때의 온도, 분위기 등으로 인하여 다양한 밀도로 형성될 수 있다. 이 같은 이유로 빛의 투과율이 다양하게 변화하는 현상이 일어난다.
도 1b는 본 발명의 다른 실시예에 의한 포토마스크를 개략적으로 도시한 종단면도이다.
도 1b를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 포토마스크(100b)는 포토마스크 기판(110), 포토마스크 기판(110) 상에 형성된 광학적 패턴(120), 광학적 패턴(120)들의 사이의 포토마스크 기판(110) 상에 형성된 투과율 조절층(130) 및 광학적 패턴(120) 상에 형성된 물질층(140)을 포함한다. 도 1a와 동일한 참조 부호를 가진 구성 요소들은 도 1a과 그 설명을 참조할 수 있다.
물질층(140)은 투과율 조절층(130)을 형성할 때 동시에 형성될 수 있다. 물질층(140)은 광학적 패턴(120) 상에 전면적 또는 부분적으로 형성될 수 있다. 도면에 전면적으로 형성된 영역(R1)과 부분적으로 형성된 영역들(R2)을 예시한다. 물질층(140)들은 반사 방지 처리가 된 영역들일 수 있다. 반사 방지 처리는 투과율 조절층(130) 또는 물질층(140)을 형성할 때 산화, 질화 또는 산화질화처리 등을 수행하여 형성할 수 있다. 그러나 광학적 패턴(120) 상에 반사 방지막이 형성되어 있을 경우, 아무 처리도 되지 않은 영역들일 수 있다.
반사 방지 처리를 할 경우, 반사 방지 처리용 가스를 수평으로 블로우 시키며 반사 방지 처리 반응을 유도하여 광학적 패턴(120) 상에서만 반사 방지 반응이 일어나도록 할 수 있다. 또는, 투과율 조절층(130) 및 물질층(140)을 두껍게 형성하여 반사 방지 반응을 유도한 다음 전면적으로 식각 공정을 수행하여 형성할 수 있다. 반사 방지 반응 또는 식각 공정은 광학적 패턴(120) 상에 형성된 물질층(140)이 포토마스크 기판(110) 상에 형성된 투과율 조절층(130) 보다 쉽게 반응하고 쉽게 식각될 수 있으므로 도 1b와 같은 모양의 포토마스크(100b)를 형성할 수 있다.
도 2a는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 포토마스크를 개략적으로 도시한 종단면도이다.
도 2a를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 포토마스크(200a)는, 포토마스크 기판(210), 포토마스크 기판(210) 상에 형성된 광학적 패턴(220), 광학적 패턴(220)들 사이의 포토마스크 기판(210) 상에 형성된 제 1 투과율 조절층(230a) 및 제 2 투과율 조절층(230b)을 포함한다.
포토마스크 기판(210) 및 광학적 패턴(220)은 도 1a 및 도 1b와 그 설명들을 참조할 수 있다.
제 2 투과율 조절층(230b)이 형성된 영역(A2)은 제 1 투과율 조절층(230a)이 형성된 영역(A1)보다 광학적 패턴(220)이 더 작게 형성된 영역일 수 있다. 다른 말로, A2 영역은 광학적 패턴(220)들의 간격이 A1 영역보다 더 크게 형성된 영역일 수 있다.
제 2 투과율 조절층(230b)은 제 1 투과율 조절층(230a) 보다 빛의 투과율이 더 낮도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 2 투과율 조절층(230b)은 제 1 투과율 조절층(230a)보다 빛의 투과율이 낮아지도록 더 두껍게 형성될 수 있다. 또는 도 1a를 참조한 설명에서처럼 다양한 방법으로 투과율을 낮추도록 형성될 수 있다.
제 2 투과율 조절층(230b)이 형성된 영역(A2)은 제 1 투과율 조절층(230a)이 형성된 영역(A1)보다 빛의 투과율이 낮으므로 웨이퍼 상에서 광학적 패턴(120)들의 간격이 더 작아지도록 나타날 수 있다.
도 2b는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 포토마스크를 개략적으로 도시한 종단면도이다.
도 2b를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 포토마스크(200b)는, 포토마스크 기판(210), 포토마스크 기판(210) 상에 형성된 광학적 패턴(220), 광학 적 패턴(220)들 사이의 포토마스크 기판(210) 상에 형성된 제 1 투과율 조절층(230a) 및 제 2 투과율 조절층(230b), 광학적 패턴(220) 상에 형성된 제 1 물질층(240a) 및 제 2 물질층(240b)을 포함한다. 포토마스크 기판(210) 및 광학적 패턴(220)은 도 1a, 도 1b 및 도 2a와 그 설명들을 참조할 수 있다.
제 2 물질층(240b)은 제 1 물질층(240a)보다 두껍게 형성될 수 있다.
제 1 및 제 2 물질층들(240a, 240b)은 제 1 및 제 2 투과율 조절층들(230a, 230b)을 형성할 때 동시에 형성될 수 있다. 제 1 및 제 2 물질층들(240a, 240b)은 광학적 패턴(220) 상에 전면적 또는 부분적으로 형성될 수 있다. 도면에 제 1 물질층(240a)이 전면적으로 형성된 영역(R1)과 부분적으로 형성된 영역들(R2), 제 2 물질층(240b)이 전면적으로 형성된 영역(R3)과 부분적으로 형성된 영역(R4)을 예시한다. 또, 제 1 물질층(240a)과 제 2 물질층(240b)이 인접할 경우, 부분적으로 제 1 물질층(240a)과 제 2 물질층(240b)이 형성된 영역(R5)이 형성될 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 의한 포토마스크들을 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하면, 포토마스크 기판(310) 상에 형성된 광학적 패턴(320)을 포함하는 포토마스크(300) 상에 투과율 조절층(330)을 형성할 영역을 노출시키는 어퍼쳐(350)를 통하여 투과율 조절층(330)을 형성한다.
투과율 조절층(330)을 형성하기 위한 물질(M)은 예를 들어 물리적인 증착 방법의 하나인 스퍼터링 방법으로 형성될 수 있다. 또는, 이온빔 증착 방법으로 형성될 수도 있다. 스퍼터링 방법으로 형성될 경우, 진공 챔버 내에서 소스 타겟에 이 온빔을 쏘아 물질 원자 또는 이온이 어퍼쳐(350)를 통하여 포토마스크 기판(310) 상에 형성되도록 할 수 있다. 또는 FIB 등을 이용하여 이온빔으로 형성될 수도 있다.
투과율 조절층(330)을 형성하기 위한 물질은 크롬, 탄탈룸, 루데늄, 몰리브덴, 알루미늄 및 기타 금속을 포함하는 단일 금속, 둘 이상의 합금, 금속 화합물 및 무기물 중에서 선택되어 단일층 또는 복수층으로 형성될 수 있다.
이때, 광학적 패턴(320) 상에 물질층(340)이 형성될 수 있다. 물질층(340)은 어퍼쳐(350)의 크기에 의해 형성되는 정도가 정해진다고 볼 수 있으며, 큰 영향을 주는 요소가 아니므로 심각하게 고려할 필요는 없다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 포토마스크 제조 방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 포토마스크 제조 방법은, 포토마스크를 완성하는 단계(S10), 완성된 포토마스크를 검사하고 CD(critical dimension)를 측정하는 단계(S20), 측정한 CD 데이터를 맵핑하는 단계(S30), 맵핑 결과로 CD 보정 데이터를 생성하는 단계(S40), 및 CD 보정 데이터를 이용하여 포토마스크 상에 투과율 조절층을 형성하는 단계(S50)를 포함한다. 투과율 조절층이 형성된 포토마스크의 CD를 재측정하는 단계(S50) 및 CD가 보정된 포토마스크를 완성하는 단계(S70)가 더 포함될 수 있다.
보다 상세하게, 먼저 잘 알려진 통상적인 방법으로 포토마스크를 완성한다.
다음, 완성된 포토마스크를 검사하고, CD를 측정한다. 포토마스크를 검사하 고 CD를 측정하는 것은 알려진 포토마스크 검사 장비 및 SEM을 이용할 수 있다.
측정한 CD를 맵핑하여 포토마스크의 각 영역별로 보정할 위치들을 선정한다. CD를 맵핑 하는 것은 대부분의 포토마스크 검사 장비 및 CD 측정 장비에서 제공된다.
맵핑 결과를 이용하여 CD 보정 데이터를 생성한다. CD 보정 데이터는 컴퓨터 데이터일 수 있다. CD 보정 데이터는 포토마스크 상의 특정 위치 또는 넓은 영역에 걸쳐 투과율 조절층을 형성해야 할 위치 또는 영역을 설정할 수 있는 데이터이다. 이 CD 보정 데이터는 투과율 조절층을 형성할 때 사용되는 어퍼쳐를 고려하여 생성된다. 예를 들어 어퍼쳐의 크기에 따라 다양하게 설정될 수 있으며, 어퍼쳐의 크기가 작을수록 세밀하고 다양한 영역으로 설정될 수 있고 어퍼쳐 크기가 클수록 세밀하지 않은 영역들로 설정될 수 있다.
다음, CD 보정 데이터를 이용하여 포토마스크 상에 투과율 조절층을 형성한다. 투과율 조절층을 형성하는 것은 도 3 및 그 설명을 참조할 수 있다. 보다 상세하게, 투과율 조절층을 얇게 형성할 영역과 두껍게 형성할 영역을 구분하여 투과율 조절층을 형성하는 시간을 길게할 수도 있고, 두 영역들을 중첩하여 투과율 조절층을 형성하는 과정을 반복하여 형성할 수도 있다.
다음, 투과율 조절층을 형성한 포토마스크의 광학적 이미지를 형성하고 결과 CD를 측정한다. 이 때, CD를 측정하는 것은 포토마스크 검사 장비 또는 SEM을 이용하여 측정할 수도 있고, 시뮬레이터 등을 이용하여 광학적 가상 이미지를 형성하고 CD를 측정할 수도 있다.
이 단계를 수행한 다음, CD 보정이 미흡할 경우 2차 CD 보정 데이터를 생성하여 재차 투과율 조절층을 형성할 수 있고, CD 보정이 되었을 경우, 최종적으로 포토마스크를 세정 및 펠리클 장착 공정 등을 수행하여 CD가 보정된 포토마스크를 완성한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시예들에 의한 포토마스크 및 포토마스크 제조 방법은 1차 완성된 포토마스크의 광학적 패턴의 CD를 보정할 수 있으므로, 안정된 웨이퍼 상에서의 포토리소그래피 공정을 제공하고, 기존 반도체 및 포토마스크 제조 공정의 일부를 도입하여 수행되므로 수월하게 수행될 수 있다.

Claims (12)

  1. 포토마스크 기판,
    상기 포토마스크 기판 상에 형성된 광학적 패턴, 및
    상기 광학적 패턴의 사이의 상기 포토마스크 기판 상에 형성된 투과율 조절층을 포함하는 포토마스크.
  2. 제1항에서,
    상기 광학적 패턴은 빛에 불투명한 포토마스크.
  3. 제1항에서,
    상기 투과율 조절층은 빛의 투과율을 저하시키는 포토마스크.
  4. 제1항에서,
    상기 투과율 조절층은 상기 포토마스크 기판 상에 형성되는 포토마스크.
  5. 제4항에서,
    상기 투과율 조절층은 상기 광학적 패턴 상에도 형성되는 포토마스크.
  6. 제1항에서,
    상기 투과율 조절층은 다양한 두께로 형성되는 포토마스크.
  7. 제1항에서,
    상기 투과율 조절층은 크롬, 탄탈룸, 루데늄, 몰리브덴, 알루미늄 및 기타 금속을 포함하는 단일 금속, 둘 이상의 합금, 금속 화합물 및 무기물 중에서 선택되어 단일층 또는 복수층으로 형성되는 포토마스크.
  8. 제1항에서,
    상기 투과율 조절층은 물리적 증착 방법으로 형성되는 포토마스크.
  9. 완성된 포토마스크의 CD를 측정하고,
    측정한 CD를 맵핑하고,
    맵핑한 CD 맵으로 보정 데이터를 생성하고,
    상기 보정 데이터를 이용하여 상기 포토마스크 상에 투과율 조절층을 형성하여 CD를 보정하는 것을 포함하는 포토마스크의 CD 보정 방법.
  10. 제9항에서,
    상기 CD를 측정하는 것은 포토마스크 검사 장비 또는 SEM으로 수행되는 포토마스크의 CD 보정 방법.
  11. 제9항에서,
    상기 보정 데이터는 컴퓨터 데이터인 포토마스크의 CD 보정 방법.
  12. 제9항에서,
    상기 투과율 조절층은 어퍼쳐를 이용한 물리적 증착 방법으로 형성되는 포토마스크의 CD 보정 방법.
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