KR20080027416A - Touch screen display apparatus and method of manufacturing the same - Google Patents

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KR20080027416A
KR20080027416A KR1020060092401A KR20060092401A KR20080027416A KR 20080027416 A KR20080027416 A KR 20080027416A KR 1020060092401 A KR1020060092401 A KR 1020060092401A KR 20060092401 A KR20060092401 A KR 20060092401A KR 20080027416 A KR20080027416 A KR 20080027416A
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조영제
이윤석
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삼성전자주식회사
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Abstract

A touch screen display and a manufacturing method thereof are provided to implement a light and thin display by installing a touch screen sensor within an LC(Liquid Crystal) panel and reduce a manufacturing cost by reducing a manufacturing process according as a sensor spacer configuring the touch screen sensor is formed through color filters. A black matrix(94) is formed on a first insulating substrate. A first color filter is formed on at least a part of the black matrix and on the first insulating substrate exposed by the black matrix. A sensor spacer(92) is configured with a second color filter(98G,98B) formed on the first color filter. A common electrode(90) is formed on the sensor space and the first color filter. A support spacer(93) is formed on the common electrode.

Description

터치 스크린 표시 장치 및 그 제조 방법{Touch screen display apparatus and method of manufacturing the same}Touch screen display apparatus and method of manufacturing the same

도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이다.1A is a layout view of a thin film transistor array panel of a touch screen display device according to an exemplary embodiment.

도 1b는 도 1a의 박막 트랜지스터 표시판을 Ⅰb-Ⅰb'선을 따라 절개한 단면도이다.FIG. 1B is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 1A taken along the line Ib-Ib '.

도 1c는 도 1a의 박막 트랜지스터 표시판을 Ⅰc-Ⅰc'선 및 Ⅰc'-Ⅰc"선을 따라 절개한 단면도이다.FIG. 1C is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 1A taken along lines Ic-Ic 'and Ic'-Ic ".

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 표시 장치용 공통 전극 표시판의 배치도이다. 2 is a layout view of a common electrode display panel for a touch screen display device according to an exemplary embodiment.

도 3a는 도 1a의 박막 트랜지스터 표시판과 도 2의 공통 전극 표시판을 포함하는 터치 스크린 표시 장치의 배치도이다. FIG. 3A is a layout view of a touch screen display device including the thin film transistor array panel of FIG. 1A and the common electrode display panel of FIG. 2.

도 3b는 도 3a의 터치 스크린 표시 장치를 Ⅲb-Ⅲb'선을 따라 절개한 단면도이다.3B is a cross-sectional view of the touch screen display of FIG. 3A taken along line IIIb-IIIb '.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 표시 장치의 공통 전극 표시판의 제조 과정을 순차적으로 나타낸 공정 단면도들이다.4A through 4E are cross-sectional views sequentially illustrating a process of manufacturing a common electrode display panel of a touch screen display device according to an exemplary embodiment.

도 5는 도 3b의 터치 스크린 표시 장치에 사용자가 특정 지점을 눌러 위치 정보를 입력하는 과정을 나타낸 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a process of a user inputting location information by pressing a specific point on the touch screen display of FIG. 3B.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

10: 절연 기판 22: 게이트선10: insulating substrate 22: gate line

24: 게이트선 끝단 26: 게이트 전극24: gate line end 26: gate electrode

28: 제1 센서 전극선 29: 제1 센서 전극28: first sensor electrode line 29: first sensor electrode

30: 게이트 절연막 40: 반도체층30: gate insulating film 40: semiconductor layer

55, 56: 저항성 접촉층 61: 제2 센서 전극선55, 56: ohmic contact layer 61: second sensor electrode wire

62: 데이터선 63: 제2 센서 전극62: data line 63: second sensor electrode

65: 소스 전극 66: 드레인 전극65 source electrode 66 drain electrode

67: 드레인 전극 확장부 68: 데이터선 끝단67: drain electrode extension 68: end of the data line

70: 보호막 72, 73, 74, 76, 78: 콘택홀70: passivation 72, 73, 74, 76, 78: contact hole

82: 화소 전극 84: 제1 센서 패드82: pixel electrode 84: first sensor pad

85: 제2 센서 패드 86: 게이트선 패드85: second sensor pad 86: gate line pad

88: 데이터선 패드 90: 공통 전극88: data line pad 90: common electrode

92: 센서 스페이서 93: 지지 스페이서92: sensor spacer 93: support spacer

94: 블랙 매트릭스 96: 절연 기판94: black matrix 96: insulating substrate

98: 색필터 100: 박막 트랜지스터 표시판98: color filter 100: thin film transistor array panel

200: 공통 전극 표시판 300: 액정층200: common electrode display panel 300: liquid crystal layer

500: 펜500: pen

본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 터치 스크린 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a touch screen display device and a manufacturing method thereof.

터치 스크린 표시 장치란 키보드와 마우스를 대체하는 최첨단 입력 장치로써 터치 스크린을 액정 패널 상에 장착한 후 액정 패널 상에 직접 손으로 터치하여 원하는 작업을 수행하므로 GUI(Graphic User Interface) 환경(윈도우 운영체제)하에서 직관적인 업무 수행이 가능한 이상적인 장치로써, 컴퓨터 기반 훈련 및 시뮬레이션 응용 분야, 사무 자동화 응용 분야, 교육 응용 분야 및 게임 응용 분야 등에서 널리 사용될 수 있다.The touch screen display device is a high-tech input device that replaces the keyboard and the mouse, and the touch screen is mounted on the liquid crystal panel and then touched by hand directly on the liquid crystal panel to perform a desired task. The GUI (Graphic User Interface) environment (Windows operating system) It is an ideal device to perform intuitive tasks under various circumstances, and can be widely used in computer-based training and simulation applications, office automation applications, education applications, and game applications.

이와 같은 터치 스크린은 영상 정보를 디스플레이하는 액정 패널, 액정 패널에 부착되는 터치 패널(Touch Panel), 콘트롤러, 디바이스 구동부 및 응용(Application) 소프트 웨어 등을 기본 구성으로 하고 있다.Such a touch screen includes a liquid crystal panel for displaying image information, a touch panel attached to the liquid crystal panel, a controller, a device driver, and application software.

여기서 액정 패널은 공통 전극을 포함하는 공통 전극 표시판과 박막 트랜지스터 어레이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판을 포함한다. 공통 전극 표시판과 박막 트랜지스터 표시판은 서로 대향하며 두 표시판 사이에 개재된 실라인(seal line)에 의해 서로 접합되고, 그 사이에 형성된 일정한 공극에 액정층이 형성된다. 이와 같이 액정 패널은 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판(공통 전극 표시판과 박막 트랜지스터 표시판)과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어지며, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시켜 투과되는 빛의 양을 조절 함으로써 소정의 영상을 디스플레이할 수 있도록 구성된 장치이다. 액정 패널은 비발광소자이기 때문에 박막 트랜지스터 표시판의 후면에는 빛을 공급하기 위한 백라이트 유닛이 위치한다. 백라이트 유닛에서 조사된 빛은 액정의 배열상태에 따라 투과량이 조정된다.The liquid crystal panel includes a common electrode display panel including a common electrode and a thin film transistor array panel including a thin film transistor array. The common electrode display panel and the thin film transistor array panel face each other and are bonded to each other by a seal line interposed between the two display panels, and a liquid crystal layer is formed in a predetermined gap formed therebetween. The liquid crystal panel is composed of two display panels (common electrode display panel and thin film transistor array panel) on which electrodes are formed, and a liquid crystal layer interposed therebetween. The liquid crystal molecules of the liquid crystal layer are rearranged by applying a voltage to the electrodes. The device is configured to display a predetermined image by adjusting the amount of light transmitted. Since the liquid crystal panel is a non-light emitting device, a backlight unit for supplying light is disposed on the rear surface of the thin film transistor array panel. Light transmitted from the backlight unit is adjusted according to the arrangement of liquid crystals.

박막 트랜지스터 표시판은 다수 개의 게이트선, 데이터선, 화소 전극을 포함한다. 게이트선은 행 방향으로 뻗어 있어 게이트 신호를 전달하고, 데이터선은 열 방향으로 뻗어 있고 데이터 신호를 전달한다. 화소는 게이트 라인과 데이터 라인에 연결되며, 스위칭 소자와 유지 커패시터를 포함한다.The thin film transistor array panel includes a plurality of gate lines, data lines, and pixel electrodes. The gate line extends in the row direction to transfer the gate signal, and the data line extends in the column direction and transfers the data signal. The pixel is connected to the gate line and the data line and includes a switching element and a storage capacitor.

여기서 스위칭 소자는 게이트선과 데이터선의 교차점에 형성되며, 스위칭 소자는 게이트선에 연결된 제어 단자, 데이터선에 연결된 입력 단자. 그리고 화소 전극에 연결된 출력 단자를 가지는 삼단 소자이다. 스위칭 소자의 출력 단자에는 유지 커패시터 및 액정 커패시터가 연결된다.The switching element is formed at the intersection of the gate line and the data line, the switching element is a control terminal connected to the gate line, the input terminal connected to the data line. And a three-stage element having an output terminal connected to the pixel electrode. A sustain capacitor and a liquid crystal capacitor are connected to the output terminal of the switching element.

그리고 터치 패널은 대향하는 두 기판과, 두 기판 상에 각각 형성된 상부 및 하부 도전막과, 두 도전막 사이에 개재된 다수의 지지 스페이서로 구성된다. 여기에 사용자가 손가락이나 펜으로 특정 지점을 누르면 상기 지점에서 상부 도전막과 하부 도전막이 접촉하면서 통전되어 위치 정보를 인식하게 된다.The touch panel includes two opposing substrates, upper and lower conductive films respectively formed on the two substrates, and a plurality of support spacers interposed between the two conductive films. When the user presses a specific point with a finger or a pen, the upper conductive layer and the lower conductive layer are in contact with each other to recognize the location information.

이와 같은 터치 스크린 표시 장치는 특히 PDA(personal digital assistant)에서는 기본적인 구성요소로써 사용되고 있으며, 최근에는 휴대용 통신 장치(Mobile Phone)에서도 장착하여 사용하고 있다.Such a touch screen display device is particularly used as a basic component in a personal digital assistant (PDA), and recently, has been used in a mobile communication device (Mobile Phone).

이와 같이 위치 정보를 파악하기 위하여 액정 패널 상에 별도의 터치 패널을 부착하는 종래의 터치 스크린 표시 장치의 경우, 표시 장치 전체의 부피가 커서 사용자가 이동하면서 사용하기에 어려운 문제가 있다. 따라서 경박단소하고 제조 공정이 간단한 터치 스크린 표시 장치에 개발이 요구되고 있다.As described above, in the case of a conventional touch screen display device in which a separate touch panel is attached to a liquid crystal panel to grasp position information, the entire display device has a large volume, which makes it difficult for a user to move it. Therefore, development is required for a touch screen display device that is light and simple and has a simple manufacturing process.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 경박단소하고 제조 공정이 간단한 터치 스크린 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a touch screen display device that is light and simple and has a simple manufacturing process.

또한 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 이러한 터치 스크린 표시 장치의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing the touch screen display device.

본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. Technical problems of the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 표시 장치는, 제1 절연 기판과, 상기 제1 절연 기판 상에 형성된 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트릭스의 적어도 일부분과, 상기 블랙 매트릭스에 의해 노출된 상기 제1 절연 기판 상에 형성된 제1 색필터와, 상기 제1 색필터 상에 형성된 제2 색필터로 구성된 센서 스페이서와, 상기 센서 스페이서 및 상기 제1 색필터 상에 형성된 공통 전극과, 상기 공통 전극 상에 형성된 지지 스페이서를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a touch screen display device including a first insulating substrate, a black matrix formed on the first insulating substrate, at least a portion of the black matrix, and the black matrix. A sensor spacer including a first color filter formed on the first insulating substrate exposed by the second insulating layer, a sensor spacer including a second color filter formed on the first color filter, and a common electrode formed on the sensor spacer and the first color filter. And a support spacer formed on the common electrode.

또한 상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 표시 장치의 제조 방법은, 절연 기판 상에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계와, 상기 블랙 매트릭스의 적어도 일부분과, 상기 블랙 매트릭스에 의해 노출된 상기 제1 절연 기판 상에 제1 색필터를 형성하는 단계와, 상기 제1 색필터 상에 제2 색필터로 구성된 센서 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 센서 스페이서 및 상기 제1 색필터 상에 공통 전극을 형성하는 단계와, 상기 공통 전극 상에 지지 스페이서를 형성하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a touch screen display device, including forming a black matrix on an insulating substrate, at least a portion of the black matrix, and forming a black matrix on the black matrix. Forming a first color filter on the exposed first insulating substrate, forming a sensor spacer composed of a second color filter on the first color filter, and forming the sensor spacer and the first color filter. Forming a common electrode on the common electrode; and forming a support spacer on the common electrode.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

이하, 첨부된 도면들을 참고로 하여 본 발명의 터치 스크린 표시 장치에 대하여 설명한다. 본 발명의 터치 스크린 표시 장치는 게이트선과 데이터선에 의해 정의되는 박막 트랜지스터를 구비하는 박막 트랜지스터 표시판과, 박막 트랜지스터 표시판과 대향하며 공통 전극을 구비하는 공통 전극 표시판과, 박막 트랜지스터 표시판과 공통 전극 표시판 사이에 개재된 액정층을 포함한다.Hereinafter, a touch screen display device of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The touch screen display device according to the present invention includes a thin film transistor array panel including a thin film transistor defined by a gate line and a data line, a common electrode panel facing the thin film transistor array panel and having a common electrode, and between the thin film transistor array panel and the common electrode display panel. It includes a liquid crystal layer interposed therein.

먼저 도 1a 내지 도 1c를 참조하여 박막 트랜지스터 표시판에 대하여 상세히 설명한다. 도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 1b는 도 1a의 박막 트랜지스터 표시판을 Ⅰb-Ⅰb'선을 따라 절개한 단면도이고, 도 1c는 도 1a의 박막 트랜지스터 표시판을 Ⅰc-Ⅰc'선 및 Ⅰc'-Ⅰc"선을 따라 절개한 단면도이다.First, a thin film transistor array panel will be described in detail with reference to FIGS. 1A to 1C. FIG. 1A is a layout view of a thin film transistor array panel of a touch screen display device according to an exemplary embodiment. FIG. 1B is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 1A taken along line Ib-Ib ′, and FIG. Is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel taken along lines Ic-Ic 'and Ic'-Ic ".

절연 기판(10) 위에 가로 방향으로 배치된 게이트선(22)과, 게이트선(22)에 돌기의 형태로 이루어진 게이트 전극(26)을 형성한다. 그리고 게이트선(22)의 끝에는 다른 층 또는 외부로부터 게이트 신호를 인가받아 게이트선(22)에 전달하는 게이트선 끝단(24)이 형성되어 있고, 게이트선 끝단(24)은 외부 회로와의 연결을 위하여 폭이 확장되어 있다. 이러한 게이트선(22), 게이트 전극(26) 및 게이트선 끝단(24)을 게이트 배선이라고 한다.The gate line 22 disposed in the horizontal direction on the insulating substrate 10 and the gate electrode 26 formed in the form of a protrusion are formed on the gate line 22. A gate line end 24 is formed at the end of the gate line 22 to receive a gate signal from another layer or the outside and transmit the gate signal to the gate line 22. The gate line end 24 is connected to an external circuit. The width is extended. The gate line 22, the gate electrode 26, and the gate line end 24 are referred to as gate wirings.

또한 절연 기판(10) 위에는 게이트선(22)과 분리되어 가로 방향으로 배치된 제1 센서 전극선(28)과, 제1 센서 전극선(28)으로부터 돌기의 형태로 이루어져 폭이 확장된 제1 센서 전극(29)이 형성되어 있다. 제1 센서 전극(29)은 터치 스크린 센서의 일 단자로서 제1 센서 패드(84)와 콘택홀(72)을 통하여 연결되고, 외부 압력이 인가되는 경우 후술할 센서 스페이서(도 2의 도면 부호 92 참조) 상의 공통 전극과 통전되어 외부 압력이 인가된 위치 정보를 제공한다. 이러한 제1 센서 전극(29) 및 제1 센서 전극선(28)을 제1 센서 배선이라 한다.In addition, the first sensor electrode 28, which is separated from the gate line 22 and disposed in the horizontal direction, is formed on the insulating substrate 10 in the form of a protrusion from the first sensor electrode line 28. (29) is formed. The first sensor electrode 29 is connected to the first sensor pad 84 and the contact hole 72 as one terminal of the touch screen sensor, and the sensor spacer (refer to FIG. 92 of FIG. 2) when an external pressure is applied. Energized with a common electrode on the reference) to provide positional information to which an external pressure is applied. The first sensor electrode 29 and the first sensor electrode line 28 are called first sensor wirings.

게이트 배선(22, 24, 26) 및 제1 센서 배선(28, 29)은 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)과 은 합금 등은 계열의 금속, 구리(Cu)와 구리 합금 등 구리 계열의 금속, 몰리브덴(Mo)과 몰리브덴 합금 등 몰리 브덴 계열의 금속, 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 따위로 이루어질 수 있다. 또한 게이트 배선(22, 24, 26) 및 제1 센서 배선(28, 29)은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(미도시)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 이 중 한 도전막은 게이트 배선(22, 24, 26) 및 제1 센서 배선(28, 29)의 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 이루어진다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 이루어진다. 이러한 조합의 좋은 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 상부막 및 알루미늄 하부막과 몰리브덴 상부막을 들 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 게이트 배선(22, 24, 26) 및 제1 센서 배선(28, 29)은 다양한 여러 가지 금속과 도전체로 만들어질 수 있다.The gate wirings 22, 24, and 26 and the first sensor wirings 28 and 29 may include aluminum-based metals such as aluminum (Al) and aluminum alloys, silver-based metals such as silver (Ag) and silver alloys, and copper (Cu). And copper-based metals such as copper alloys, molybdenum-based metals such as molybdenum (Mo) and molybdenum alloys, and chromium (Cr), titanium (Ti), and tantalum (Ta). In addition, the gate wirings 22, 24, and 26 and the first sensor wirings 28 and 29 may have a multilayer structure including two conductive layers (not shown) having different physical properties. One of the conductive films is a low resistivity metal such as aluminum-based metal or silver so as to reduce the signal delay or voltage drop of the gate wirings 22, 24, 26 and the first sensor wirings 28, 29. It consists of a series metal, a copper series metal, etc. In contrast, the other conductive layer is made of a material having excellent contact properties with other materials, particularly indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), such as molybdenum-based metals, chromium, titanium, tantalum and the like. A good example of such a combination is a chromium bottom film and an aluminum top film and an aluminum bottom film and a molybdenum top film. However, the present invention is not limited thereto, and the gate wires 22, 24, 26 and the first sensor wires 28, 29 may be made of various metals and conductors.

게이트 배선(22, 24, 26) 및 제1 센서 배선(28, 29) 위에 질화 규소(SiNx) 따위로 이루어진 게이트 절연막(30)을 형성한다.A gate insulating layer 30 made of silicon nitride (SiNx) is formed on the gate lines 22, 24, and 26 and the first sensor lines 28 and 29.

게이트 절연막(30) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon) 또는 다결정 규소 등으로 이루어진 반도체층(40)을 형성한다. 이러한 반도체층(40)은 섬형, 선형 등과 같이 다양한 형상을 가질 수 있으며, 예를 들어 본 실시예에서와 같이 게이트 전극(26) 상에 섬형으로 형성될 수 있다. 또한 데이터선(62) 아래에 위치하여 게이트 전극(26) 상부까지 연장된 형상을 가지는 선형으로 형성할 수 있다. 선형 반도체층(40)을 형성하는 경우, 데이터선(62)과 동일하게 패 터닝하여 형성할 수 있다. The semiconductor layer 40 made of hydrogenated amorphous silicon, polycrystalline silicon, or the like is formed on the gate insulating layer 30. The semiconductor layer 40 may have various shapes such as an island shape and a linear shape. For example, the semiconductor layer 40 may be formed in an island shape on the gate electrode 26 as in the present embodiment. In addition, it may be formed under the data line 62 to have a linear shape extending to the upper portion of the gate electrode 26. When the linear semiconductor layer 40 is formed, it may be formed by patterning the same as the data line 62.

반도체층(40)의 위에는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 저항성 접촉층(55, 56)을 형성한다. 이러한 저항성 접촉층(55, 56)은 섬형, 선형 등과 같이 다양한 형상을 가질 수 있으며, 예를 들어 본 실시예에서와 같이 섬형 저항성 접촉층(55, 56)의 경우 드레인 전극(66) 및 소스 전극(65) 아래에 위치하고, 선형의 저항성 접촉층의 경우 데이터선(62)의 아래까지 연장되어 형성될 수 있다.On the semiconductor layer 40, resistive contact layers 55 and 56 made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon doped with a high concentration of silicide or n-type impurities are formed. The ohmic contacts 55 and 56 may have various shapes such as islands and linear shapes. For example, in the case of the islands of ohmic contact layers 55 and 56, the drain electrode 66 and the source electrode may have different shapes. Located below 65, the linear ohmic contact layer may extend below the data line 62.

저항성 접촉층(55, 56) 및 게이트 절연막(30) 위에는 데이터선(62) 및 드레인 전극(66)을 형성한다. 데이터선(62)은 세로 방향으로 길게 뻗어 있으며 게이트선(22)과 교차한다. 데이터선(62)으로부터 가지 형태로 반도체층(40)의 상부까지 연장되어 있는 소스 전극(65)이 형성되어 있다. 그리고 데이터선(62)의 끝에는 다른 층 또는 외부로부터 데이터 신호를 인가받아 데이터선(62)에 전달하는 데이터선 끝단(68)이 형성되어 있고, 데이터선 끝단(68)은 외부 회로와의 연결을 위하여 폭이 확장되어 있다. 드레인 전극(66)은 소스 전극(65)과 분리되어 있으며 게이트 전극(26)을 중심으로 소스 전극(65)과 대향하도록 반도체층(40) 상부에 위치한다. 박막 트랜지스터는 게이트 전극(26), 소스 전극(65) 및 드레인 전극(66)의 삼단 소자로서, 게이트 전극(26)에 전압이 인가될 때 소스 전극(65)과 드레인 전극(66) 사이에 전류를 흐르게 하는 스위칭 소자이다.The data line 62 and the drain electrode 66 are formed on the ohmic contacts 55 and 56 and the gate insulating layer 30. The data line 62 extends in the longitudinal direction and crosses the gate line 22. The source electrode 65 extending from the data line 62 to the top of the semiconductor layer 40 in the form of a branch is formed. At the end of the data line 62, a data line end 68 is formed which receives a data signal from another layer or the outside and transmits the data signal to the data line 62. The data line end 68 is connected to an external circuit. The width is extended. The drain electrode 66 is separated from the source electrode 65 and positioned above the semiconductor layer 40 so as to face the source electrode 65 with respect to the gate electrode 26. The thin film transistor is a three-stage element of the gate electrode 26, the source electrode 65, and the drain electrode 66, and a current between the source electrode 65 and the drain electrode 66 when a voltage is applied to the gate electrode 26. It is a switching device that flows.

드레인 전극(66)은 반도체층(40) 상부의 막대형 패턴과, 막대형 패턴으로부터 연장되어 넓은 면적을 가지며 콘택홀(76)이 위치하는 드레인 전극 확장부(67)를 포함한다.The drain electrode 66 includes a rod pattern on the semiconductor layer 40 and a drain electrode extension 67 extending from the rod pattern and having a large area and in which the contact hole 76 is located.

이러한 데이터선(62), 소스 전극(65), 드레인 전극(66), 드레인 전극 확장부(67) 및 데이터선 끝단(68)을 데이터 배선이라고 한다.The data line 62, the source electrode 65, the drain electrode 66, the drain electrode extension 67, and the data line end 68 are referred to as data wirings.

그리고 게이트 절연막(30) 위에는 데이터선(62)과 분리되어 세로 방향으로 연장된 제2 센서 전극선(61)과, 제2 센서 전극선(61)으로부터 돌기의 형태로 이루어져 폭이 확장된 제2 센서 전극(63)이 형성되어 있다. 제2 센서 전극(63)은 터치 스크린 센서의 일 단자로서 제2 센서 패드(85)와 콘택홀(73)을 통하여 연결되고, 외부 압력이 인가되는 경우 후술한 센서 스페이서(도 2의 도면 부호 92 참조) 상의 공통 전극과 통전되어 외부 압력이 인가되는 위치 정보를 제공한다. 이러한 제2 센서 전극(63) 및 제2 센서 전극선(61)을 제2 센서 배선이라 한다. 외부 압력이 인가되는 위치에 대하여 제1 센서 배선(28, 29)은 가로 방향 좌표를, 제2 센서 배선(61, 63)은 세로 방향 좌표를 제공한다.On the gate insulating layer 30, a second sensor electrode line 61 which is separated from the data line 62 and extends in the vertical direction, and a second sensor electrode having a width extending from the second sensor electrode line 61 in the form of a protrusion. 63 is formed. The second sensor electrode 63 is connected to the second sensor pad 85 and the contact hole 73 as one terminal of the touch screen sensor, and when an external pressure is applied, the sensor spacer (refer to reference numeral 92 of FIG. 2). It is energized with the common electrode on the reference) to provide the position information to which the external pressure is applied. The second sensor electrode 63 and the second sensor electrode line 61 are called second sensor wirings. The first sensor wires 28 and 29 provide horizontal coordinates and the second sensor wires 61 and 63 provide vertical coordinates with respect to the position where the external pressure is applied.

데이터 배선(62, 65, 66, 67, 68) 및 제2 센서 배선(61, 63)은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴, 탄탈륨 및 티타늄으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 물질로 구성된 단일막 또는 다층막으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 데이터 배선(62, 65, 66, 67, 68) 및 제2 센서 배선(61, 63)은 크롬, 몰리브덴 계열의 금속, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속으로 이루어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속 따위의 하부막(미도시)과 그 위에 위치한 저저항 물질 상부막(미도시)으로 이루어진 다층막 구조를 가질 수 있다. 다층막 구조의 예로는 앞서 설명한 크롬 하부막과 알루미늄 상부막 또는 알루미늄 하부막과 몰리브덴 상부막의 이중막 외에도 몰리브덴막- 알루미늄막-몰리브덴막의 삼중막을 들 수 있다.The data wires 62, 65, 66, 67, 68 and the second sensor wires 61, 63 may be made of a single film or a multilayer film made of one or more materials selected from the group consisting of aluminum, chromium, molybdenum, tantalum and titanium. have. For example, the data wires 62, 65, 66, 67, and 68 and the second sensor wires 61 and 63 may be made of refractory metals such as chromium, molybdenum-based metals, tantalum and titanium, and the like. It may have a multi-layer structure consisting of a lower layer of (not shown) and a low-resistance material upper layer (not shown) disposed thereon. Examples of the multilayer film structure may include a triple film of a molybdenum film, an aluminum film, and a molybdenum film in addition to the above-described double film of the chromium lower film and the aluminum upper film or the aluminum lower film and the molybdenum upper film.

소스 전극(65)은 반도체층(40)과 적어도 일부분이 중첩되고, 드레인 전극(66)은 게이트 전극(26)을 중심으로 소스 전극(65)과 대향하며 반도체층(40)과 적어도 일부분이 중첩된다. 여기서, 저항성 접촉층(55, 56)은 반도체층(40)과 소스 전극(65) 및 반도체층(40)과 드레인 전극(66) 사이에 개재되어 이들 사이에 접촉 저항을 낮추어 주는 역할을 한다.The source electrode 65 overlaps at least a portion of the semiconductor layer 40, and the drain electrode 66 faces the source electrode 65 around the gate electrode 26 and at least partially overlaps the semiconductor layer 40. do. Here, the ohmic contacts 55 and 56 are interposed between the semiconductor layer 40 and the source electrode 65, and the semiconductor layer 40 and the drain electrode 66 to lower the contact resistance therebetween.

데이터 배선(62, 65, 66, 67, 68), 제2 센서 배선(61, 63) 및 노출된 반도체층(40) 위에는 절연막으로 이루어진 보호막(70)이 형성되어 있다. 여기서 보호막(70)은 질화규소 또는 산화규소로 이루어진 무기물, 평탄화 특성이 우수하며 감광성(photosensitivity)을 가지는 유기물 또는 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등의 저유전율 절연 물질 등으로 이루어진다. 또한, 보호막(70)을 유기 물질로 형성하는 경우에는 소스 전극(65)과 드레인 전극(66) 사이의 반도체층(40)이 드러난 부분에 보호막(70)의 유기 물질이 접촉하는 것을 방지하기 위하여, 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2)로 이루어진 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수 있다.A protective film 70 made of an insulating film is formed on the data wires 62, 65, 66, 67, and 68, the second sensor wires 61 and 63, and the exposed semiconductor layer 40. The protective film 70 is formed of silicon nitride or silicon oxide, a-Si: C: O formed by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or organic material having excellent planarization characteristics and photosensitivity. and a low dielectric constant insulating material such as a-Si: O: F. In addition, when the protective film 70 is formed of an organic material, in order to prevent the organic material of the protective film 70 from contacting a portion where the semiconductor layer 40 between the source electrode 65 and the drain electrode 66 is exposed. It may have a double film structure of a lower inorganic film and an upper organic film made of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiO 2 ).

보호막(70)에는 제2 센서 전극(63), 드레인 전극(66) 및 데이터선 끝단(68)을 각각 드러내는 콘택홀(contact hole)(73, 76, 78)이 형성되어 있으며, 보호막(70)과 게이트 절연막(30)에는 제1 센서 전극(29) 및 게이트선 끝단(24)을 드러 내는 콘택홀(72, 74)이 형성되어 있다.In the passivation layer 70, contact holes 73, 76, and 78 exposing the second sensor electrode 63, the drain electrode 66, and the data line end 68, respectively, are formed, and the passivation layer 70 is formed. In the gate insulating layer 30, contact holes 72 and 74 exposing the first sensor electrode 29 and the gate line end 24 are formed.

보호막(70) 위에는 콘택홀(76)을 통하여 드레인 전극(66)과 전기적으로 연결되며 화소의 모양을 따라 화소 전극(82)이 형성되어 있다. 데이터 전압이 인가된 화소 전극(82)은 상부 표시판의 공통 전극과 함께 전기장을 생성함으로써 화소 전극(82)과 공통 전극 사이의 액정층의 액정 분자들의 배열을 결정한다.The pixel electrode 82 is formed on the passivation layer 70 through the contact hole 76 and is electrically connected to the drain electrode 66 along the shape of the pixel. The pixel electrode 82 to which the data voltage is applied generates an electric field together with the common electrode of the upper panel to determine the arrangement of liquid crystal molecules of the liquid crystal layer between the pixel electrode 82 and the common electrode.

또한, 보호막(70) 위에는 콘택홀(74, 78)을 통하여 각각 게이트선 끝단(24)과 데이터선 끝단(68)과 연결되어 있는 게이트선 패드(86) 및 데이터선 패드(88)가 형성되어 있다. 그리고 보호막(70) 위에는 콘택홀(72, 73)을 통하여 각각 제1 센서 전극(29)과 제2 센서 전극(63)과 연결되어 있는 제1 센서 패드(84) 및 제2 센서 패드(85)가 형성되어 있다. 여기서 화소 전극(82), 제1 센서 패드(84), 제2 센서 패드(85), 게이트선 패드(86) 및 데이터선 패드(88)는 ITO 또는 IZO 따위의 투명 도전체 또는 알루미늄 따위의 반사성 도전체로 이루어진다. 보조 게이트선 및 데이터선 끝단(86, 88)은 게이트선 끝단(24) 및 데이터선 끝단(68)과 외부 장치를 접합하는 역할을 한다.In addition, a gate line pad 86 and a data line pad 88 connected to the gate line end 24 and the data line end 68 are formed on the passivation layer 70 through contact holes 74 and 78, respectively. have. The first sensor pad 84 and the second sensor pad 85 are respectively connected to the first sensor electrode 29 and the second sensor electrode 63 through the contact holes 72 and 73 on the passivation layer 70. Is formed. The pixel electrode 82, the first sensor pad 84, the second sensor pad 85, the gate line pad 86, and the data line pad 88 may be formed of a transparent conductor such as ITO or IZO, or reflective material such as aluminum. Made of a conductor. The auxiliary gate line and data line ends 86 and 88 serve to bond the gate line end 24 and the data line end 68 to an external device.

화소 전극(82), 제1 센서 패드(84), 제2 센서 패드(85), 게이트선 패드(86), 데이터선 패드(88) 및 보호막(70) 위에는 액정층을 배향할 수 있는 배향막(미도시)이 도포될 수 있다.On the pixel electrode 82, the first sensor pad 84, the second sensor pad 85, the gate line pad 86, the data line pad 88, and the passivation layer 70, an alignment layer capable of orienting the liquid crystal layer ( Not shown) may be applied.

이하, 도 2 내지 도 3b를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 터치 스크린 표시 장치용 공통 전극 표시판 및 이를 포함하는 터치 스크린 표시 장치에 대하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 표시 장치용 공통 전극 표시판의 배치도이다. 도 3a는 도 1a의 박막 트랜지스터 표시판과 도 2의 공통 전극 표시판을 포함하는 터치 스크린 표시 장치의 배치도이다. 도 3b는 도 3a의 터치 스크린 표시 장치를 Ⅲb-Ⅲb'선을 따라 절개한 단면도이다.Hereinafter, a common electrode display panel for a touch screen display device and a touch screen display device including the same will be described with reference to FIGS. 2 to 3B. 2 is a layout view of a common electrode display panel for a touch screen display device according to an exemplary embodiment. FIG. 3A is a layout view of a touch screen display device including the thin film transistor array panel of FIG. 1A and the common electrode display panel of FIG. 2. 3B is a cross-sectional view of the touch screen display of FIG. 3A taken along line IIIb-IIIb '.

도 2 내지 도 3b를 참조하면, 유리 등의 투명한 절연 물질로 이루어진 절연 기판(96) 위에 빛샘을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(94)와 화소에 순차적으로 배열되어 있는 적색, 녹색, 청색의 색필터(98)가 형성되어 있다. 예를 들어, 본 실시예에 도시된 화소에는 적색 색필터(98R)가 형성되어 있다.2 to 3B, a black matrix 94 for preventing light leakage and an red, green and blue color filter sequentially arranged on a pixel on an insulating substrate 96 made of a transparent insulating material such as glass ( 98) is formed. For example, a red color filter 98R is formed in the pixel shown in this embodiment.

색필터(98) 위에는 센서 스페이서(92)가 형성되어 있다. 여기서 센서 스페이서(92)는 적색 색필터(98R), 녹색 색필터(98G) 및 청색 색필터(98B) 중 하나 또는 둘이 적층된 구조를 가진다. 예를 들어 해당 화소의 색필터로서 적색 색필터(98R)가 형성되어 있는 경우, 센서 스페이서(92)는 녹색 색필터(98G), 청색 색필터(98B)와 같은 단일층 또는 녹색 색필터(98G)와 청색 색필터(98B)가 적층된 이중층의 구조를 가질 수 있다. 즉 센서 스페이서(92)는 색필터(98)와는 다른 색필터로 구성되어 있다. 본 실시예에서는 녹색 색필터(98G) 및 청색 색필터(98B)가 적층된 이중층 구조를 가지는 센서 스페이서(92)를 예로 들어 설명하고 있다. 센서 스페이서(92)를 구성하는 녹색 색필터(98G) 및 청색 색필터(98B)는 해당 화소에 이웃하는 화소들에 형성되는 녹색, 청색의 색필터와 각각 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 따라서 별도의 공정을 추가하지 않고도 센서 스페이서(92)를 형성할 수 있다.The sensor spacer 92 is formed on the color filter 98. The sensor spacer 92 has a structure in which one or two of the red color filter 98R, the green color filter 98G, and the blue color filter 98B are stacked. For example, in the case where the red color filter 98R is formed as the color filter of the pixel, the sensor spacer 92 has a single layer or the green color filter 98G such as the green color filter 98G and the blue color filter 98B. ) And the blue color filter 98B may have a double layer structure. In other words, the sensor spacer 92 is composed of a color filter different from the color filter 98. In this embodiment, the sensor spacer 92 having a double layer structure in which the green color filter 98G and the blue color filter 98B are stacked is described as an example. The green color filter 98G and the blue color filter 98B constituting the sensor spacer 92 may be formed in the same process as the green and blue color filters formed in the pixels adjacent to the pixel. Therefore, the sensor spacer 92 may be formed without adding a separate process.

블랙 매트릭스(94), 색필터(98) 및 센서 스페이서(92) 위에는 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명한 도전 물질로 이루어진 공통 전극(90)이 형성되어 있다.A common electrode 90 made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) is formed on the black matrix 94, the color filter 98, and the sensor spacer 92.

그리고 공통 전극(90) 위에는 지지 스페이서(93)가 형성된다. 여기서 지지 스페이서(93)는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200) 사이를 지지하며 일정한 셀갭(cell gap)을 형성한다. 지지 스페이서(93)는 예를 들어 감광성 수지로 형성될 수 있다. 지지 스페이서(93)와 센서 스페이서(92)는 모두 블랙 매트릭스(94)와 중첩하도록 배치되는 것이 바람직하다.The support spacer 93 is formed on the common electrode 90. The support spacer 93 supports the thin film transistor array panel 100 and the common electrode display panel 200 and forms a constant cell gap. The support spacer 93 may be formed of, for example, a photosensitive resin. Both the support spacer 93 and the sensor spacer 92 are preferably arranged to overlap the black matrix 94.

공통 전극(90) 위에는 액정 분자들을 배향하는 배항막(미도시)이 도포될 수 있다.An anti-corrosion film (not shown) may be coated on the common electrode 90 to align the liquid crystal molecules.

외부 압력이 인가되지 않는 초기 상태에서 센서 스페이서(92)는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 분리되어 있고, 외부 압력이 인가되는 경우 센서 스페이서(92) 상의 공통 전극(90)이 제1 센서 패드(84) 및 제2 센서 패드(85)와 접촉하여 통전된다. In the initial state where no external pressure is applied, the sensor spacer 92 is separated from the thin film transistor array panel 100, and when the external pressure is applied, the common electrode 90 on the sensor spacer 92 is the first sensor pad 84. ) And the second sensor pad 85 are energized.

도 3b에 도시된 바와 같이, 이와 같은 구조의 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200)을 정렬하여 결합하고 그 사이에 액정층(300)을 형성하면 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 표시 장치의 기본 구조가 이루어진다. 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200)은 화소 전극(82)이 색필터(98)와 대응하여 정확하게 중첩되도록 정렬된다. As shown in FIG. 3B, when the thin film transistor array panel 100 and the common electrode panel 200 having the above structure are aligned and combined, and the liquid crystal layer 300 is formed therebetween, the touch panel according to the exemplary embodiment of the present invention is provided. The basic structure of the screen display device is achieved. The thin film transistor array panel 100 and the common electrode display panel 200 are aligned such that the pixel electrode 82 accurately overlaps the color filter 98.

터치 스크린 표시 장치는 이러한 기본 구조에 편광판, 백라이트 등의 요소들을 배치하여 이루어진다. 이때 편광판(미도시)은 기본 구조 양측에 각각 하나씩 배치되며 그 투과축은 게이트선(22)에 대하여 나란하고 나머지 하나는 이에 수직을 이루도록 배치한다.The touch screen display device is formed by disposing elements such as a polarizing plate and a backlight on the basic structure. At this time, the polarizing plate (not shown) is disposed one each on both sides of the basic structure and its transmission axis is arranged parallel to the gate line 22 and the other one is perpendicular to this.

이하 도 4a 내지 도 4e를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 표시 장치의 공통 전극 표시판의 제조 과정에 대하여 설명한다. 도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 표시 장치의 공통 전극 표시판의 제조 과정을 순차적으로 나타낸 공정 단면도들이다.Hereinafter, a manufacturing process of the common electrode display panel of the touch screen display device according to the exemplary embodiment will be described with reference to FIGS. 4A to 4E. 4A through 4E are cross-sectional views sequentially illustrating a process of manufacturing a common electrode display panel of a touch screen display device according to an exemplary embodiment.

도 4a를 참조하면, 절연 기판(96) 상에 블랙 매트릭스(94)를 형성한다. Referring to FIG. 4A, a black matrix 94 is formed on the insulating substrate 96.

이어서 도 4b를 참조하면 블랙 매트릭스(94)와 중첩하도록 화소 내에 적색 색필터(98R)를 형성한다. 4B, a red color filter 98R is formed in the pixel to overlap the black matrix 94.

그리고 도 4c를 참조하면 해당 화소와 이웃하는 화소에 녹색 색필터를 형성하면서 동시에 해당 화소의 적색 색필터(98R) 위에도 소정의 영역에 녹색 색필터(98G)를 형성한다. 그리고 해당 화소와 이웃하는 또 다른 화소에 청색 색필터를 형성하면서 동시에 해당 화소의 적색 색필터(98R) 상의 녹색 색필터(98G) 위에 청색 색필터(98B)를 형성한다. 이와 같이 적색 색필터(98R) 상에 녹색 색필터(98G) 및 청색 색필터(98B)를 중첩하여 형성함으로써 센서 스페이서(92)를 형성한다. 센서 스페이서(92)를 구성하는 녹색 색필터(98G), 청색 색필터(98B)의 적층 순서는 화소마다 임의로 변경될 수 있다.Referring to FIG. 4C, a green color filter is formed in a pixel adjacent to the pixel, and a green color filter 98G is formed in a predetermined region on the red color filter 98R of the pixel. A blue color filter 98B is formed on the green color filter 98G on the red color filter 98R of the pixel while simultaneously forming a blue color filter on another pixel adjacent to the pixel. In this way, the sensor spacer 92 is formed by overlapping the green color filter 98G and the blue color filter 98B on the red color filter 98R. The stacking order of the green color filter 98G and the blue color filter 98B constituting the sensor spacer 92 may be arbitrarily changed for each pixel.

그 후 도 4d를 참조하면 블랙 매트릭스(94), 색필터(98) 및 센서 스페이서(92) 위에는 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 이루어진 공통 전극(90)을 형성한다. 4D, a common electrode 90 made of a transparent conductive material such as ITO or IZO is formed on the black matrix 94, the color filter 98, and the sensor spacer 92.

이어서 도 4e를 참조하면 감광성 수지를 이용하여 공통 전극(90) 위에 지지 스페이서(93)를 형성한다. 지지 스페이서(93)와 센서 스페이서(92)는 모두 블랙 매트릭스(94)와 중첩되도록 배치되는 것이 바람직하다.4E, the support spacer 93 is formed on the common electrode 90 using photosensitive resin. Both the support spacer 93 and the sensor spacer 92 are preferably arranged to overlap the black matrix 94.

이하 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 표시 장치의 동작을 설명한다. 도 5는 도 3b의 터치 스크린 표시 장치에 사용자가 특정 지점을 눌러 위치 정보를 입력하는 과정을 나타낸 단면도이다.Hereinafter, an operation of the touch screen display device according to an exemplary embodiment will be described with reference to FIG. 5. 5 is a cross-sectional view illustrating a process of a user inputting location information by pressing a specific point on the touch screen display of FIG. 3B.

도 5에 도시된 바와 같이, 사용자가 손가락이나 펜(500) 등으로 특정 지점을 누르면 상기 지점에서 센서 스페이서(92) 상의 공통 전극(90)과 박막 트랜지스터 표시판(100) 상의 제1 및 제2 센서 패드(84, 85)가 통전하여 상기 지점에 대한 위치 정보 신호가 제공된다.As shown in FIG. 5, when a user presses a specific point with a finger or a pen 500, the common electrode 90 on the sensor spacer 92 and the first and second sensors on the thin film transistor array panel 100 at the point. Pads 84 and 85 are energized to provide a location information signal for that point.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 터치 스크린 표시 장치 및 그 제조 방법에 의하면, 액정 패널 내에 터치 스크린 센서를 내장함으로써 경박 단소한 표시 장치를 구현할 수 있다. 또한 색필터를 이용하여 터치 스크린 센서를 구성하는 센서 스페이서를 형성함으로써 제조 공정을 줄여 제조 단가를 낮출 수 있다.As described above, according to the touch screen display device and the manufacturing method thereof according to the present invention, a light and simple display device can be implemented by embedding the touch screen sensor in the liquid crystal panel. In addition, by forming the sensor spacer constituting the touch screen sensor by using the color filter can reduce the manufacturing cost by reducing the manufacturing process.

Claims (14)

제1 절연 기판;A first insulating substrate; 상기 제1 절연 기판 상에 형성된 블랙 매트릭스;A black matrix formed on the first insulating substrate; 상기 블랙 매트릭스의 적어도 일부분과, 상기 블랙 매트릭스에 의해 노출된 상기 제1 절연 기판 상에 형성된 제1 색필터;A first color filter formed on at least a portion of the black matrix and the first insulating substrate exposed by the black matrix; 상기 제1 색필터 상에 형성된 제2 색필터로 구성된 센서 스페이서;A sensor spacer configured of a second color filter formed on the first color filter; 상기 센서 스페이서 및 상기 제1 색필터 상에 형성된 공통 전극; 및A common electrode formed on the sensor spacer and the first color filter; And 상기 공통 전극 상에 형성된 지지 스페이서를 포함하는 터치 스크린 표시 장치.And a support spacer formed on the common electrode. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 제1 색필터와 상기 제2 색필터는 서로 다른 색필터로 이루어진 터치 스크린 표시 장치.And the first color filter and the second color filter are different color filters. 제2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 제2 색필터는 적색 색필터, 녹색 색필터 및 청색 색필터 중 하나 또는 둘이 적층된 구조를 가지는 터치 스크린 표시 장치.The second color filter has a structure in which one or two of a red color filter, a green color filter, and a blue color filter are stacked. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 센서 스페이서 및 상기 지지 스페이서는 상기 블랙 매트릭스와 중첩하도록 배치된 터치 스크린 표시 장치.And the sensor spacer and the support spacer overlapping the black matrix. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 제1 절연 기판과 대향하며 상기 지지 스페이서에 의해 셀갭이 유지되는 제2 절연 기판; 및 A second insulating substrate facing the first insulating substrate and having a cell gap maintained by the support spacer; And 상기 제2 절연 기판 상에 상기 센서 스페이서와 대응하는 위치에 형성되고 상기 센서 스페이서와 이격되어 배치된 센서 패드를 더 포함하는 터치 스크린 표시 장치.And a sensor pad formed on the second insulating substrate at a position corresponding to the sensor spacer and spaced apart from the sensor spacer. 제5 항에 있어서, The method of claim 5, 외부 압력이 인가되는 경우, 상기 센서 스페이서 상의 상기 공통 전극이 상기 센스 패드와 통전하여 상기 외부 압력에 대한 위치 정보 신호가 인식되는 터치 스크린 표시 장치.When an external pressure is applied, the common electrode on the sensor spacer is energized with the sense pad to recognize the position information signal for the external pressure. 제5 항에 있어서, The method of claim 5, 상기 제2 절연 기판 상에 서로 절연되어 교차하는 게이트선 및 데이터선; 상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결된 박막 트랜지스터; 및 상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극을 더 포함하고, A gate line and a data line insulated from and cross each other on the second insulating substrate; A thin film transistor connected to the gate line and the data line; And a pixel electrode connected to the thin film transistor, 상기 센서 패드는 상기 화소 전극과 동일한 층에 동일한 물질로 이루어진 터 치 스크린 표시 장치.And the sensor pad is formed of the same material on the same layer as the pixel electrode. 제7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 제2 절연 기판 상에 상기 게이트선과 나란히 배치된 제1 센서 전극선 및 상기 데이터선과 나란히 배치된 제2 센서 전극선을 더 포함하고, And a first sensor electrode line disposed parallel to the gate line and a second sensor electrode line disposed parallel to the data line on the second insulating substrate. 상기 센서 패드는 상기 제1 센서 전극선과 접속된 제1 센서 패드 및 상기 제2 센서 전극선과 접속된 제2 센서 패드를 포함하는 터치 스크린 표시 장치.The sensor pad may include a first sensor pad connected to the first sensor electrode line and a second sensor pad connected to the second sensor electrode line. 제8 항에 있어서, The method of claim 8, 외부 압력이 인가되는 경우, 상기 센서 스페이서 상의 상기 공통 전극이 상기 제1 및 제2 센스 패드와 통전하여 상기 외부 압력에 대한 위치 정보 신호가 인식되는 터치 스크린 표시 장치.When an external pressure is applied, the common electrode on the sensor spacer is energized with the first and second sense pads so that the position information signal for the external pressure is recognized. 절연 기판 상에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계;Forming a black matrix on the insulating substrate; 상기 블랙 매트릭스의 적어도 일부분과, 상기 블랙 매트릭스에 의해 노출된 상기 제1 절연 기판 상에 제1 색필터를 형성하는 단계;Forming a first color filter on at least a portion of the black matrix and the first insulating substrate exposed by the black matrix; 상기 제1 색필터 상에 제2 색필터로 구성된 센서 스페이서를 형성하는 단계;Forming a sensor spacer including a second color filter on the first color filter; 상기 센서 스페이서 및 상기 제1 색필터 상에 공통 전극을 형성하는 단계; 및Forming a common electrode on the sensor spacer and the first color filter; And 상기 공통 전극 상에 지지 스페이서를 형성하는 단계를 포함하는 터치 스크 린 표시 장치의 제조 방법.Forming a support spacer on the common electrode. 제10 항에 있어서, The method of claim 10, 상기 센서 스페이서를 형성하는 동안 이웃하는 화소에 상기 제2 색필터를 형성하는 터치 스크린 표시 장치의 제조 방법.And forming the second color filter on neighboring pixels while forming the sensor spacers. 제10 항에 있어서, The method of claim 10, 상기 제1 색필터와 상기 제2 색필터는 서로 다른 색필터로 이루어진 터치 스크린 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the first color filter and the second color filter are formed of different color filters. 제12 항에 있어서, The method of claim 12, 상기 제2 색필터는 적색 색필터, 녹색 색필터 및 청색 색필터 중 하나 또는 둘이 적층된 구조를 가지는 터치 스크린 표시 장치의 제조 방법.The second color filter has a structure in which one or two of a red color filter, a green color filter, and a blue color filter are stacked. 제10 항에 있어서, The method of claim 10, 상기 센서 스페이서 및 상기 지지 스페이서는 상기 블랙 매트릭스와 중첩하도록 배치된 터치 스크린 표시 장치의 제조 방법.And the sensor spacer and the support spacer are disposed to overlap the black matrix.
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