KR20080021261A - Gas supply system for semiconductor manufacturing equipment and gas supply changing method - Google Patents

Gas supply system for semiconductor manufacturing equipment and gas supply changing method Download PDF

Info

Publication number
KR20080021261A
KR20080021261A KR1020060084373A KR20060084373A KR20080021261A KR 20080021261 A KR20080021261 A KR 20080021261A KR 1020060084373 A KR1020060084373 A KR 1020060084373A KR 20060084373 A KR20060084373 A KR 20060084373A KR 20080021261 A KR20080021261 A KR 20080021261A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas supply
gas
remaining amount
unit
semiconductor manufacturing
Prior art date
Application number
KR1020060084373A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
안승국
김호왕
남태영
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020060084373A priority Critical patent/KR20080021261A/en
Publication of KR20080021261A publication Critical patent/KR20080021261A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Pipeline Systems (AREA)

Abstract

A gas supply system for semiconductor manufacturing equipment having a gas supply switching unit and a gas supply switching method using the same are provided to prevent an accident due to leakage of a process gas by removing previously a cause of gas leakage. A gas supply system includes one or plural first gas supply units, a first gas supply line, a second gas supply line(150), one or plural second gas supply tubes(100), and a gas supply switching unit. The first gas supply line is formed to connect the first gas supply unit and a main body to each other. A first valve is installed in the first gas supply line. The second gas supply line is connected to the first gas supply line. A second valve is installed in the second gas supply line. The second gas supply unit is connected to the second gas supply line. The gas supply switching unit senses the residual amount of first gas and supplies the second gas of the second gas supply unit to the main body according to the sensed result.

Description

가스공급전환부를 갖는 반도체 제조설비용 가스공급시스템 및 이를 사용한 가스공급전환방법{GAS SUPPLY SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT AND GAS SUPPLY CHANGING METHOD}GAS SUPPLY SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT AND GAS SUPPLY CHANGING METHOD}

도 1은 본 발명의 반도체 제조설비용 가스공급시스템을 보여주는 도면이다.1 is a view showing a gas supply system for a semiconductor manufacturing equipment of the present invention.

도 2는 본 발명의 반도체 제조설비용 가스공급시스템의 일실시예를 보여주는 도면이다.2 is a view showing an embodiment of a gas supply system for semiconductor manufacturing equipment of the present invention.

도 3은 본 발명의 반도체 제조설비용 가스공급시스템의 다른 실시예를 보여주는 도면이다.3 is a view showing another embodiment of a gas supply system for semiconductor manufacturing equipment of the present invention.

도 4는 본 발명의 반도체 제조설비용 가스공급시스템을 사용한 가스공급전환방법을 보여주는 흐름도이다.4 is a flowchart showing a gas supply switching method using the gas supply system for semiconductor manufacturing equipment of the present invention.

** 도면의 주요부분에 대한 부호설명 **** Explanation of Signs of Major Parts of Drawings **

100 : 제 2가스공급부100: second gas supply unit

150 : 제 2가스공급라인150: second gas supply line

200 : 제 1가스공급부 본체200: first gas supply unit body

210 : 제 1가스공급부210: first gas supply unit

250 : 제 1가스공급라인250: first gas supply line

300 : 설비본체300: equipment body

400 : 제어부400: control unit

본 발명은 반도체 제조설비용 가스공급시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 설비로 공정가스를 공급함에 있어서, 가스공급의 중지 없이 소용량 가스공급부로부터 대용량 가스공급부로 용이하게 전환시킬 수 있는 가스공급전환부를 갖는 반도체 제조설비용 가스공급시스템 및 이를 사용한 가스공급전환방법에 관한 것이다.The present invention relates to a gas supply system for semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, in supplying process gas to a facility, a gas supply switching unit which can be easily switched from a small capacity gas supply unit to a large capacity gas supply unit without stopping the gas supply. It relates to a gas supply system for semiconductor manufacturing equipment having and a gas supply switching method using the same.

일반적으로 반도체 소자는 확산, 증착, 식각, 이온주입, 노광 및 세정 등과 같은 다수의 공정들이 순차적으로 또는 선택적으로 반복되어 진행됨으로써 제조된다.In general, a semiconductor device is manufactured by a plurality of processes, such as diffusion, deposition, etching, ion implantation, exposure, and cleaning, sequentially or selectively repeated.

이중에, 상기 증착방법은 물리적 증착과 화학 기상 증착으로 구분된다. 일반적으로 상기 화학기상증착은 반응 기체들의 확산 및 흡착, 화학반응에 의해 진행되기 때문에 물리 증착법에 비하여 단차부위에 증착물의 층덮임이 균일하다는 이점으로 널리 사용되는 증착방법이다.Among these, the deposition method is classified into physical vapor deposition and chemical vapor deposition. In general, the chemical vapor deposition is a deposition method widely used due to the uniformity of the layer covering of the deposit on the stepped portion, as compared with the physical vapor deposition, because the chemical vapor deposition proceeds by the diffusion, adsorption, chemical reaction of the reaction gases.

상기 화학 기상 증착은 금속배선과 절연막 및 패시베이션등을 증착하는 경우에 사용된다. 이중에, 상기 금속배선화학기상증착법은 저압화학기상증착법이 주로 사용되고, 최근에는 저압화학기상증착법을 이용한 장치의 개발로 인하여 다결정실리콘과 다결정실리콘의 도핑을 실시함과 아울러 인시츄방식으로 텅스텐실리사이드 를 증착하는 방법이 별도의 프리크리닝 공정이 필요 없고 소자의 고집적화와 더불어 여러 가지 측면에서 유리하기 때문에 각광을 받고 있다.The chemical vapor deposition is used for depositing metallization, insulating films and passivation. Among them, low pressure chemical vapor deposition is mainly used for the metallization chemical vapor deposition, and recently, due to the development of a device using the low pressure chemical vapor deposition, doping of polysilicon and polycrystalline silicon and in-situ tungsten silicide are performed. The deposition method is in the limelight because it does not require a separate precleaning process and is advantageous in various aspects with high integration of the device.

이때, 증착 반응식은 하기의 화학식을 갖는다.At this time, the deposition reaction formula has the following formula.

WF6 + 2SiH4 → WSix + 6HF↑ + H2 ↑ ……… 화학식WF6 + 2SiH4 → WSix + 6HF ↑ + H2 ↑... … … Chemical formula

상기에 예로 들은 금속배선을 증착하기 위해서는 증착설비의 내부로 일정량의 공정가스인 SiH4를 연속적으로 공급하여야 된다. 따라서, 상기와 같은 화학증착설비와 같은 반도체 제조설비는 목적되는 공정에 요구되는 공정가스를 공급하기 위한 가스공급시스템이 필수적으로 설치된다.In order to deposit the metal wires exemplified above, a certain amount of process gas, SiH 4, must be continuously supplied into the deposition facility. Therefore, the semiconductor manufacturing equipment such as the chemical vapor deposition equipment as described above is essentially provided with a gas supply system for supplying the process gas required for the desired process.

통상, 상기와 같은 SiH4와 같은 공정가스는 47리터 정도(소용량)의 봄베와 같은 가스공급용기에 저장되어 보관되고, 가스공급시스템은 상기 소용량의 가스공급용기를 적어도 하나 이상을 갖는다.Typically, such a process gas such as SiH4 is stored and stored in a gas supply container such as a cylinder of about 47 liters (small capacity), and the gas supply system has at least one gas supply container of the small capacity.

따라서, 종래의 가스공급시스템은 상기 가스공급용기들 중 어느 하나의 가스잔존량이 일정량으로 되면, 다른 가스공급용기로 대체하여 설비로 공급하게 된다.Therefore, in the conventional gas supply system, when the gas remaining amount of any one of the gas supply containers becomes a certain amount, the gas supply system replaces the other gas supply container and supplies the gas to the facility.

그러나, 상기 복수개의 소용량의 가스공급용기에 저장된 공정가스가 모두 소진되는 경우에는, 설비로 별도의 대용량의 가스공급용기와 연결시켜 공정가스를 충분히 공급하게 된다.However, when all of the process gases stored in the plurality of small capacity gas supply containers are exhausted, the process gas is sufficiently supplied to a facility by connecting to a separate large capacity gas supply container.

이때, 공정가스가 모두 소진된 상기 소용량의 가스공급용기로부터 상기 대용량의 가스공급용기로 교체하는 경우에, 설비의 운용을 중지시키고, 상기 설비와 상기 대용량의 가스공급용기를 서로 연결시킨 후에 상기 설비를 운용하게 된다.At this time, in the case of replacing the small capacity gas supply container from the small capacity gas supply container in which the process gas is exhausted, the operation of the facility is stopped, and the facility and the large capacity gas supply container are connected to each other. Will be operated.

이에 따라, 상기 설비의 운용을 정지함에 따른 시간적 로스(loss)발생되어 제품 생산률을 하락시키는 문제점이 있다.Accordingly, there is a problem in that a time loss occurs when the operation of the facility is stopped, thereby lowering the product production rate.

또한, 상기 공정가스는 SiH4에 국한된 것이 아니고, 인체에 해로운 가스가 대부분이기 때문에, 대용량 가스공급용기로 교체하는 경우에 가스의 누설로 인하여 인적 또는 물적 피해와 같은 안전사고가 발생되는 문제점이 있다.In addition, the process gas is not limited to SiH4, and since most of the gases are harmful to the human body, there is a problem that a safety accident such as human or physical damage occurs due to the leakage of gas when the gas is replaced with a large-capacity gas supply container.

또한, 상기와 같은 가스공급용기의 잦은 교체로 인하여 설비의 내부 공정요소에 대한 조건을 변경시켜 제품불량이 발생되는 문제점이 있다.In addition, due to the frequent replacement of the gas supply vessel as described above there is a problem that a product defect occurs by changing the conditions for the internal process elements of the facility.

또한, 설비를 중지하고 새로운 가스공급용기를 교체함에 따른 추가 비용이 투입되기 때문에 생산비용측면에서 생산비용이 상승되는 문제점이 있다.In addition, there is a problem in that the production cost is increased in terms of production cost because the additional cost of stopping the equipment and replacing the new gas supply container.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 제 1목적은 설비의 운용을 정지시키지 않고, 소진된 소용량 가스공급부에서 대용량 가스공급부로 전환시켜 작업시간의 로스(loss)발생을 방지할 수 있는 반도체 제조설비용 가스공급시스템 및 이를 사용한 가스공급전환방법을 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made in order to solve the above problems, the first object of the present invention is to switch the exhausted small capacity gas supply unit to the large capacity gas supply unit without stopping the operation of the equipment (loss of work time) The present invention provides a gas supply system for semiconductor manufacturing equipment and a gas supply conversion method using the same, which can prevent occurrence of the same.

또한, 본 발명의 제 2목적은 종래의 가스공급시스템을 교체함에 따른 가스의 누설발생 원인을 미리 제거하여 공정가스의 누설로 인한 안전사고를 미연에 방지할 수 있는 반도체 제조설비용 가스공급시스템 및 이를 사용한 가스공급전환방법을 제공함에 있다.In addition, the second object of the present invention is to provide a gas supply system for semiconductor manufacturing equipment that can prevent the safety accident due to the leakage of the process gas in advance by removing the cause of the gas leakage caused by replacing the conventional gas supply system and It is to provide a gas supply conversion method using the same.

또한, 본 발명의 제 3목적은 가스공급시스템의 잦은 교체로 인하여 발생되는 설비의 내부 공정요소에 대한 조건을 안정화시켜 제품불량이 발생됨을 방지할 수 있는 반도체 제조설비용 가스공급시스템 및 이를 사용한 가스공급전환방법을 제공함에 있다.In addition, the third object of the present invention is to stabilize the conditions for the internal process elements of the equipment caused by frequent replacement of the gas supply system gas supply system for semiconductor manufacturing equipment that can prevent product defects and the gas using the same To provide a supply switching method.

또한, 본 발명의 제 4목적은 설비를 중지하고 새로운 가스공급용기를 교체함에 따른 추가 비용의 투입을 방지하여 생산비용을 절감할 수 있는 반도체 제조설비용 가스공급시스템 및 이를 사용한 가스공급전환방법을 제공함에 있다.In addition, the fourth object of the present invention is to provide a gas supply system for a semiconductor manufacturing equipment and a gas supply switching method using the same, which can reduce the production cost by preventing the additional cost of stopping the equipment and replacing a new gas supply container. In providing.

전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 가스공급전환부를 갖는 반도체 제조설비용 가스공급시스템을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a gas supply system for semiconductor manufacturing equipment having a gas supply switching unit.

상기 가스공급시스템은 하나 또는 다수개의 제 1가스공급부와, 상기 제 1가스공급부와 설비본체를 서로 연통시키며, 제 1밸브가 설치된 제 1가스공급라인과, 상기 제 1가스공급라인에 연통되며, 제 2밸브가 설치된 제 2가스공급라인과, 상기 제 2가스공급라인에 연결된 하나 또는 다수개의 제 2가스공급부 및 상기 제 1가스공급부에 저장된 제 1가스량을 감지하여 일정량이 되면, 상기 제2가스공급부에 저장된 제 2가스를 상기 설비본체로 공급하는 가스공급전환부를 포함한다.The gas supply system is in communication with one or a plurality of first gas supply unit, the first gas supply unit and the equipment main body, the first gas supply line provided with a first valve, and the first gas supply line, A second gas supply line provided with a second valve, one or a plurality of second gas supply parts connected to the second gas supply line, and a first gas amount stored in the first gas supply part; It includes a gas supply switching unit for supplying the second gas stored in the supply unit to the facility body.

여기서, 상기 가스공급전환부는 상기 제 1가스공급부에 저장된 가스잔존량을 실시간 감지하는 감지기와, 상기 감지기와 전기적으로 연결되어 상기 제 1가스공급부의 가스잔존량이 일정량으로 이루어지면, 상기 제 2밸브를 개방하여 상기 제 2가스를 상기 제 1가스와 함께 상기 설비본체로 공급하도록 하는 제어부를 구비하는 것이 바람직하다.The gas supply switching unit may be configured to detect a gas remaining amount stored in the first gas supply unit in real time, and may be electrically connected to the detector so that the gas remaining amount of the first gas supply part is a predetermined amount. It is preferable to include a control unit which opens to supply the second gas together with the first gas to the facility body.

여기서, 상기 제어부는 기설정된 시간 이후에 상기 제 1밸브를 폐쇄하는 것 이 바람직하다.Here, the control unit preferably closes the first valve after a predetermined time.

또한, 상기 가스공급전환부는 상기 제 1가스공급부들 각각의 가스잔존량을 감지하는 제 1감지기들과, 상기 제 2가스공급부들 각각의 가스잔존량을 감지하는 제 2감지기들과, 상기 제 1,2감지기들과 전기적으로 연결되며, 상기 제 1가스공급부들 중 적어도 어느 하나의 가스잔존량이 기설정된 잔존량으로 되면, 상기 제 2밸브를 개방하여 상기 제 2가스를 상기 제 1가스와 함께 상기 설비본체로 공급하도록 하는 제어부를 구비할 수도 있다.The gas supply switching unit may include first detectors for detecting a gas remaining amount of each of the first gas supply parts, second detectors for detecting a gas remaining amount of each of the second gas supply parts, and the first detector. And electrically connected to the second detectors, and when the gas remaining amount of at least one of the first gas supply units reaches a preset remaining amount, the second valve is opened to allow the second gas to be combined with the first gas. It may be provided with a control unit for supplying to the facility body.

여기서, 상기 제어부는 상기 제 2가스공급부들 중 기설정된 가스잔존량보다 많은 적어도 어느 하나를 택하여 상기 설비본체로 공급하고, 기설정된 시간 이후에 상기 제 1밸브를 폐쇄하는 것이 바람직하다.Here, the control unit may select at least one of the second gas supply units larger than a preset gas remaining amount and supply the same to the facility body, and close the first valve after a predetermined time.

그리고, 상기 제 2가스공급부의 가스용량은 상기 제 1가스공급부의 용량보다 큰 것이 바람직하다.And, the gas capacity of the second gas supply unit is preferably larger than the capacity of the first gas supply unit.

전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 반도체 제조설비용 가스공급시스템을 사용한 가스공급전환방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a gas supply switching method using a gas supply system for semiconductor manufacturing equipment.

상기 가스공급전환방법은 적어도 하나 이상의 제 1가스공급부로부터 제 1가스를 설비본체로 일정량 공급하고, 상기 공급되는 상기 제 1가스의 잔존량을 측정하고, 상기 측정되는 상기 제 1가스의 잔존량이 기설정된 잔존량이 되면, 적어도 하나 이상의 제 2가스공급부로부터 제 2가스를 일정 시간동안 상기 제 1가스와 함께 상기 설비본체로 공급하고, 상기 일정 시간이 지난 이후에 상기 제 1가스의 공 급을 중지시킨다.In the gas supply switching method, a predetermined amount of the first gas is supplied from the at least one first gas supply unit to the facility body, the remaining amount of the supplied first gas is measured, and the remaining amount of the measured first gas is measured. When the remaining amount is set, the second gas is supplied from the at least one second gas supply unit together with the first gas to the facility main body for a predetermined time, and the supply of the first gas is stopped after the predetermined time elapses. .

여기서, 상기 제 1가스의 잔존량 측정은 상기 제 1가스공급부들 중 기설정된 잔존량이 되는 어느 하나일 수 있다.Here, the remaining amount measurement of the first gas may be any one of a predetermined remaining amount of the first gas supply units.

그리고, 상기 제 2가스공급부들 중 기설정된 가스잔존량보다 많은 적어도 어느 하나를 택하여 상기 설비본체로 공급할 수 있다.In addition, at least one of the second gas supply units larger than a predetermined gas remaining amount may be selected and supplied to the facility body.

이하, 첨부된 도면을 참조로 하여, 본 발명의 반도체 제조설비의 가스공급시스템의 실시예 및 이를 사용한 가스공급전환방법에 대하여 설명하도록 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described an embodiment of the gas supply system of the semiconductor manufacturing equipment of the present invention and the gas supply switching method using the same.

도 1은 본 발명의 반도체 제조설비용 가스공급시스템을 보여주는 도면이고, 도 2는 본 발명의 반도체 제조설비용 가스공급시스템의 일실시예를 보여주는 도면이며, 도 4는 본 발명의 반도체 제조설비용 가스공급시스템을 사용한 가스공급전환방법을 보여주는 흐름도이다.1 is a view showing a gas supply system for a semiconductor manufacturing equipment of the present invention, Figure 2 is a view showing an embodiment of a gas supply system for a semiconductor manufacturing equipment of the present invention, Figure 4 is a semiconductor manufacturing equipment for the present invention A flow chart showing a gas supply switching method using a gas supply system.

먼저, 상기에 언급된 제 1가스공급부(100)와 제 2가스공급부(210)에 저장된 가스를 각각 제1,2가스라고 명명하였으나, 이는 서로 동일할 수 있으며, 하기의 설명에서의 가스는 SiH4인 것으로 예로 들어 설명하기로 한다.First, the gases stored in the first gas supply unit 100 and the second gas supply unit 210 mentioned above are called first and second gases, respectively, which may be the same, and the gas in the following description is SiH4. This will be described as an example.

도 1을 참조하면, 상기 가스공급시스템은 하나의 제 1가스공급부(210)가 구비된다. 상기 제 1가스공급부들(210)은 47리터 용량의 소용량 봄베일 수 있으며, 화학증착공정에서 금속배선공정에 사용되는 공정가스인 SiH4 가스가 저장될 수 있다. 상기 제 1가스공급부(210)는 설비본체(300)와 서로 연통시키는 제 1가스공급라인(250)이 구비된다. 상기 제 1가스공급라인(250)에는 제 1밸브가 설치된다. 상기 제 1밸브는 복수개 일 수 있다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이, ④밸브(172) 내지 ⑨밸브(241)일 수 있다. 미설명 부호인 ‘200’은 제 1가스공급부 본체이다.Referring to FIG. 1, the gas supply system is provided with one first gas supply unit 210. The first gas supply unit 210 may be a 47-liter small capacity bomber, and may store SiH 4 gas, which is a process gas used for a metal wiring process in a chemical vapor deposition process. The first gas supply unit 210 is provided with a first gas supply line 250 to communicate with the facility main body 300. A first valve is installed in the first gas supply line 250. The first valve may be a plurality of. That is, as shown in Figure 2, it may be ④ valve 172 to ⑨ valve 241. '200', which is not described, is the body of the first gas supply unit.

상기 제 1가스공급라인(250)과 서로 연통되는 제 2가스공급라인(150)이 구비된다. 상기 제 2가스공급라인(150)은 다수개로 분기(151,152,153)되어 다수개의 제 2가스공급부들(110,120,130)과 독립적으로 연통된다. 상기 제 2가스공급부들(110,120,130)은 봄베일 수 있으며, 가스저장용량의 47리터 이상의 대용량 일 수 있다. 상기 제 2가스공급라인(150)에는 제 2밸브가 설치된다. 상기 제 2밸브는 복수개일 수 있으며, 도 2에 도시된 바와 같이 ①밸브(161) 내지 ③밸브(171)일 수 있다. 또한, 상기 각각의 제 2가스공급라인에 별도의 밸브들(151a,152a,153a)이 더 각각 장착될 수 있다.A second gas supply line 150 is provided which communicates with the first gas supply line 250. The second gas supply line 150 is divided into a plurality of branches 151, 152, and 153 so as to communicate with the plurality of second gas supply units 110, 120, and 130 independently. The second gas supply units 110, 120, and 130 may be bombs, and may have a large capacity of 47 liters or more of a gas storage capacity. A second valve is installed in the second gas supply line 150. There may be a plurality of second valves, and as shown in FIG. 2, ① valves 161 to ③ valves 171 may be used. In addition, separate valves 151a, 152a and 153a may be further mounted on the respective second gas supply lines.

한편, 상기 제 2가스공급부(100)에는 그 내부에 저장된 가스의 잔존량을 실시간 측정하는 제 2감지기(111,121,131)가 각각 설치된다. 상기 제 2감지기(111,121,131)는 상기 제 2가스공급부(100)의 내부에 저장된 가스의 잔존량을 감지하는 수위감지기일 수 있다. 상기 수위감지기의 구성은 별도로 설명하지 않기로 한다.On the other hand, the second gas supply unit 100 is provided with second detectors (111, 121, 131) for measuring in real time the remaining amount of the gas stored therein. The second detectors 111, 121, and 131 may be water level detectors for detecting a residual amount of gas stored in the second gas supply unit 100. The configuration of the level sensor will not be described separately.

또한, 상기 제 1가스공급부(210)에도 상기 제 2가스공급부(100)에 설치된 상기 제 2감지기(111,121,131)와 동일한 구성을 갖는 제 1감지기(211)가 설치된다.In addition, the first gas supply unit 210 is also provided with a first sensor 211 having the same configuration as the second sensor (111, 121, 131) provided in the second gas supply unit (100).

그리고, 다수개의 제 2가스공급부들(110,120,130) 및 상기 제 1가스공급부(210)에 저장된 가스의 잔존량을 감지하여 일정량이 되면, 상기 제2가스공급부(100)에 저장된 제 2가스를 상기 설비본체(300)로 공급하는 가스공급전환부가 구 비된다.In addition, when the residual amount of the gas stored in the plurality of second gas supply units 110, 120, and 130 and the first gas supply unit 210 is sensed and reaches a predetermined amount, the facility stores the second gas stored in the second gas supply unit 100. Gas supply switching unit for supplying the main body 300 is provided.

따라서, 상기 가스공급전환부는 상기 제 1감지기(111,121,131)를 포함하여, 상기 제 1감지기(111,121,131)와 전기적으로 연결되어 상기 제 1가스공급부(210)의 가스잔존량이 일정량으로 이루어지면, 상기 제 2밸브를 개방하여 가스를 상기 제 1가스공급부로부터 유입되는 가스와 함께 상기 설비본체(300)로 공급하도록 하는 제어부(400)가 구비된다. 그리고, 상기 제어부(400)는 기설정된 시간 이후에 상기 제 1밸브를 폐쇄하도록 제 1밸브를 동작시킨다.Accordingly, the gas supply switching unit includes the first detectors 111, 121, and 131, and is electrically connected to the first detectors 111, 121, and 131 so that the gas remaining amount of the first gas supply unit 210 is a predetermined amount. The control unit 400 is provided to open the valve to supply the gas to the facility body 300 together with the gas flowing from the first gas supply unit. The controller 400 operates the first valve to close the first valve after a preset time.

이에 더하여, 상기 제 2가스공급라인(150)에는 2개의 추가 밸브인 ①, ②밸브(161,162)가 장착된다. 그리고, 상기 ①, ②밸브(161,162)를 커버하는 케이스(163)가 구비된다. 상기 케이스(163)는 외부에서 상기 ①, ②밸브(161,162)가 가시적으로 노출되는 가시창(164)이 구비된다. 이에 따라 상기 ①밸브(161)는 151 내지 153과 154 인 제 2가스공급라인과 연통되고, ②밸브(162)는 155 인 제 2가스공급라인과 연통된다. 물론, 상기 ①,②밸브들(161,162)은 서로 가스가 유동될 수 있도록 연통된다.In addition, the second gas supply line 150 is equipped with two additional valves ① and ② valves 161 and 162. A case 163 is provided to cover the valves 161 and 162. The case 163 is provided with a visible window 164 to which the ①, ② valves 161 and 162 are exposed to the outside. Accordingly, ① valve 161 is in communication with the second gas supply line 151 to 153 and 154, ② valve 162 is in communication with the second gas supply line 155. Of course, the ①, ② valves (161, 162) are in communication with each other so that the gas can flow.

그리고, 상기 제 1가스공급부(210)와 설비본체(300)를 서로 연결시키는 제 1가스공급라인(250)에 대하여 좀 더 상세하게 설명하면, 상기 제 1가스공급부(210)의 전단에는 ⑥,⑦밸브(231,232)가 설치되고, 상기 ⑥,⑦밸브(231,232)를 지난 제 1가스공급라인(250)은 상기 제 2가스공급라인(150)과 연통된다. 여기서, 상기 제 1가스공급라인(250)에는 ④,⑤밸브(172,173)가 설치되고, 상기 제 2가스공급라인(150)에는 ③밸브(170)가 설치된다.And, in more detail with respect to the first gas supply line 250 for connecting the first gas supply unit 210 and the facility body 300 to each other, the front end of the first gas supply unit 210, ⑥, (7) valves 231 and 232 are installed, and the first and second gas supply lines 250 passing through the 6 and 7 valves 231 and 232 are in communication with the second gas supply line 150. Here, ④ and ⑤ valves 172 and 173 are installed in the first gas supply line 250, and ③ valve 170 is installed in the second gas supply line 150.

상기와 같은 구성을 통하여, 본 발명의 반도체 제조설비용 가스공급시스템의 작용상태 및 가스공급전환벙법을 설명하도록 한다.Through the above configuration, it will be described the operation state and gas supply switching method of the gas supply system for semiconductor manufacturing equipment of the present invention.

도 1, 도 2 및 도 4를 참조하면, 적어도 하나 이상의 제 1가스공급부(210)로부터 제 1가스를 설비본체(300)로 일정량 공급한다(S100). 이하, 상기 제 1가스는 SiH4와 같은 가스로 칭한다.1, 2 and 4, a predetermined amount of the first gas is supplied from the at least one first gas supply unit 210 to the facility main body 300 (S100). Hereinafter, the first gas is referred to as a gas such as SiH 4.

즉, 제 1가스공급부(210)에 저장된 가스는 제 1가스공급라인(250)을 통하여 설비본체(300)로 공급된다. 이때, ③,⑥,⑦밸브(171,231,232)는 개방된 상태이고, 나머지 밸브들은 폐쇄된 상태이다.That is, the gas stored in the first gas supply unit 210 is supplied to the facility main body 300 through the first gas supply line 250. At this time, ③, ⑥, ⑦ valves (171, 231, 232) is open, the remaining valves are closed.

이때, 제 1감지기(211)는 제 1가스공급부(210)의 내부에 저장된 가스의 잔존량을 실시간으로 측정한다(S200). 상기 측정된 가스잔존량은 제어부(400)로 전기적 신호의 형태로 전송된다. 상기 제어부(400)는 측정된 가스잔존량이 기설정된 잔존량과 서로 비교하여 동일한지 여부를 판단한다.At this time, the first sensor 211 measures the remaining amount of the gas stored in the first gas supply unit 210 in real time (S200). The measured gas remaining amount is transmitted to the controller 400 in the form of an electrical signal. The controller 400 compares the measured residual amount of gas with a predetermined residual amount and determines whether the measured residual amount of gas is the same.

만일, 상기 측정된 가스잔존량이 기설정된 가스잔존량과 동일한 경우에는, 상기 제어부(400)는 제 2가스공급부(100)의 가스를 설비본체(300)로 공급하도록 한다. 이때, 상기 제 1가스공급부(210)에서의 가스와 함께 일정 시간동안 설비본체(300)로 공급된다(S200).If the measured gas remaining amount is the same as the preset gas remaining amount, the control unit 400 supplies the gas of the second gas supply unit 100 to the facility main body 300. At this time, together with the gas from the first gas supply unit 210 is supplied to the facility main body 300 for a predetermined time (S200).

더욱 상세하게는, 상기 제어부(400)는 제 2가스공급부들 각각(110,120,130)의 가스잔존량에 대한 전기적 신호를 전송받는다. 상기 제어부(400)는 상기 제 2가스공급부들(110,120,130)의 가스잔존량이 기설정된 잔존량보다 더 높은 경우에, 상기 제 2가스공급부들(110,120,130) 중 어느 하나를 임의 적으로 선택한다.More specifically, the control unit 400 receives an electrical signal for the gas remaining amount of each of the second gas supply units 110, 120, and 130. The controller 400 arbitrarily selects any one of the second gas supply units 110, 120, and 130 when the gas remaining amount of the second gas supply units 110, 120, 130 is higher than a preset residual amount.

예컨대, 1번 제 2가스공급부(110)가 선택되는 경우에, 상기 제어부(400)는 151a 밸브와 ①밸브(161)를 개방한다. 이때, ②밸브(162)는 폐쇄된 상태이다. 따라서, 1번 제 2가스공급부(110)에 저장되있던 가스는 ①밸브(161)의 전단까지 제 2가스공급라인(150)에 채워진다.For example, when the first gas supply unit 110 is selected, the controller 400 opens the 151a valve and the ① valve 161. At this time, ② the valve 162 is in a closed state. Accordingly, the gas stored in the first gas supply unit 110 is filled in the second gas supply line 150 until the front end of the valve 161.

그리고, 제어부(400)는 일정 시간이 흐른 뒤에, 제 1가스공급라인(250)의 ⑥,⑦밸브(231,232)를 폐쇄시킨다. 따라서, 제 1가스공급부(210)로부터의 가스공급은 중단된다(S400). 상기에 언급된 일정 시간은 상기 제어부(400)에 설장되되, 임의적으로 설정될 수 있다.Then, the controller 400 closes the valves 231 and 232 of the first gas supply line 250 after a predetermined time passes. Therefore, the gas supply from the first gas supply unit 210 is stopped (S400). The above-mentioned predetermined time may be set in the controller 400, but may be arbitrarily set.

이어, 상기 제어부(400)는 ②밸브(162) 및 ③,④,⑤밸브(171,172,173)를 모두 개방시킨다. 따라서, 상기 ①밸브(161)의 전단까지 채워져 있던 가스는 ③밸브(171)의 개방됨을 통해 제 2가스공급라인(150)과 연통된 설비본체(300)로 공급되게 된다.Subsequently, the controller 400 opens the ② valve 162 and ③, ④, and ⑤ valves 171, 172, 173. Therefore, the gas filled up to the front end of the ① valve 161 is supplied to the facility main body 300 in communication with the second gas supply line 150 through the opening of the ③ valve 171.

이와 동시에, 상기 제어부(400)는 ⑧,⑨밸브(241,242)를 개방한다. 따라서, 상기 제 1가스공급라인(250)에 잔존되어 있던 가스는 밴트라인(270)을 통하여 외부로 배출된다.At the same time, the controller 400 opens the valves 241 and 242. Therefore, the gas remaining in the first gas supply line 250 is discharged to the outside through the ban line 270.

정리하자면, 상기 제 1가스공급부(210)의 가스가 거의 소모되기 이전에 대용량의 제 2가스공급부(100)의 가스를 설비본체(300)로 공급하도록 하여, 설비의 운용을 중지시키지 않고, 소용량의 제 1가스공급부(210)를 대용량의 가스공급부로 용이하게 전환시킬 수 있다.In summary, before the gas of the first gas supply unit 210 is almost consumed, the gas of the second gas supply unit 100 having a large capacity is supplied to the facility main body 300 so that the operation of the facility is not stopped. The first gas supply unit 210 can be easily converted to a large-capacity gas supply unit.

한편, 상기 1번 제 2가스공급부(110)의 가스잔존량은 제 2감지기(111)에 의 해 실시간으로 측정되어 제어부(400)로 전송된다. 만일, 상기 1번 제 2가스공급부(110)의 가스잔존량이 기설정된 가스잔존량과 동일해지면, 상기 제어부(400)는 151a 밸브를 폐쇄함과 동시에 152a 밸브를 개방하여 2번 제 2가스공급부(120)로부터 연속적으로 제 2가스공급라인(150)을 통하여 상기 가스가 공급되도록 한다.On the other hand, the first gas remaining amount of the second gas supply unit 110 is measured in real time by the second detector 111 is transmitted to the control unit 400. If the gas remaining amount of the first second gas supply unit 110 is equal to the preset gas remaining amount, the control unit 400 closes the 151 a valve and opens the 152 a valve to open the second gas supply unit 2 ( The gas is continuously supplied from the second gas supply line 150 through 120.

또한, 3번 제 2가스공급부(130)로의 교체도 상기와 동일한 방법으로 이루어진다.In addition, the third gas supply unit 130 is replaced with the same method as described above.

나아가, 3번 제 2가스공급부(130)의 가스가 모두 소모되기 이전에, 제 1가스공급부(210)를 가스의 충전이 완료된 다른 가스공급부로 교체하여, 설비의 운용중단없이 다시 소용량으로 교체할 수도 있다. 물론, 3번 제 2가스공급부(130)가 사용되고 있는 경우에, 1번, 2번 제 2가스공급부(110,120)를 새로이 가스가 충전된 다른 가스공급부로 교체할 수도 있다.Furthermore, before all the gases of the third gas supply unit 130 are exhausted, the first gas supply unit 210 may be replaced with another gas supply unit in which gas is filled, and then replaced with a small capacity without stopping the operation of the equipment. It may be. Of course, when the third gas supply unit 130 is used, the second and second gas supply units 110 and 120 may be replaced with another gas supply unit newly filled with gas.

다음은 본 발명의 반도체 제조설비용 가스공급시스템의 다른 실시예를 도 3을 참조하여 설명하도록 한다.Next, another embodiment of the gas supply system for semiconductor manufacturing equipment of the present invention will be described with reference to FIG. 3.

상기 다른 실시예는 상기 일실시예와 비교하여 볼 때, 상기 제 1가스공급부가 다수개(210,220)로 설치된 것이 다르고, 상기 제 1가스공급부들(210,220)은 각각 제 1감지기(211,221)를 구비한다. 따라서, 상기 제 1감지기들(211,221)은 상기 제 1가스공급부들(210,220)의 가스잔존량을 측정하고, 측정된 가스잔존량을 제어부(400)로 전송한다. 상기 제어부(400)는 상기 측정된 가스잔존량이 기설정된 가스잔존량과 동일해지는 경우에, 다른 제 1가스공급부를 선택하도록 하여 가스를 제 1 가스공급관(250)으로 공급되도록 한다.Compared to the above embodiment, the first embodiment is different from the first gas supply unit 210 and 220, and the first gas supply units 210 and 220 are provided with first detectors 211 and 221, respectively. do. Therefore, the first detectors 211 and 221 measure the gas remaining amount of the first gas supply parts 210 and 220, and transmit the measured gas remaining amount to the controller 400. When the measured gas remaining amount is equal to the preset gas remaining amount, the controller 400 selects another first gas supply part to supply gas to the first gas supply pipe 250.

즉, 제어부는 ⑦밸브(232)를 폐쇄하고, 다른 ⑦밸브(233)를 개방함으로써 다른 제 1가스공급부(220)로부터 제 1가스공급라인(250)으로 가스가 공급하여, 종국에 설비본체(300)로 공급되도록 하는 것이다.That is, the control unit closes the valve 232 and opens another valve 233 to supply gas from the other first gas supply unit 220 to the first gas supply line 250, and eventually installs the main body of the facility ( 300) to be supplied.

이하의 제 2가스공급부(100)로부터의 가스공급과 이로 인하여 소용량의 제 1가스공급부(210,220)를 대용량의 제 2가스공급부(100)로 전환시키는 방법 또는 구성은 상기와 동일하므로 이하 생략하기로 한다.The gas supply from the second gas supply unit 100 and the method or configuration for converting the small capacity first gas supply unit 210 and 220 into the large capacity second gas supply unit 100 are the same as above, and thus will be omitted. do.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 소진된 소용량 가스공급부에서 대용량 가스공급부로 전환시키는 경우에 설비의 운용을 정지시키지 않은 상태에서 진행되므로 작업시간의 로스(loss)발생을 방지할 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention has an effect that can prevent the occurrence of a loss of working time because the process proceeds without stopping the operation of the equipment when switching from the exhausted small-capacity gas supply unit to large-capacity gas supply unit .

또한, 이에 따라 종래의 가스공급시스템을 교체함에 따른 가스의 누설발생 원인을 미리 제거하여 공정가스의 누설로 인한 안전사고를 미연에 방지할 수 있는 효과도 있다.In addition, there is also an effect that can prevent the safety accident due to the leakage of the process gas by removing the cause of the leakage of gas in advance by replacing the conventional gas supply system.

또한, 종래의 가스공급시스템의 잦은 교체로 인하여 발생되는 설비의 내부 공정요소에 대한 조건을 안정화시켜 제품불량이 발생됨을 방지하여 제품의 품질을 향상시킬 수 있는 효과도 있다.In addition, by stabilizing the conditions for the internal process elements of the equipment generated by frequent replacement of the conventional gas supply system has the effect of preventing the occurrence of product defects to improve the quality of the product.

이에 더하여, 종래의 설비를 중지하고 새로운 가스공급용기를 교체함에 따른 추가 비용의 투입을 방지하여 생산비용을 절감할 수 있는 효과도 있다.In addition, it is possible to reduce the production cost by preventing the input of additional costs by stopping the existing equipment and replacing the new gas supply container.

Claims (7)

하나 또는 다수개의 제 1가스공급부;One or more first gas supply units; 상기 제 1가스공급부와 설비본체를 서로 연통시키며, 제 1밸브가 설치된 제 1가스공급라인;A first gas supply line communicating with the first gas supply unit and the facility main body and provided with a first valve; 상기 제 1가스공급라인에 연통되며, 제 2밸브가 설치된 제 2가스공급라인;A second gas supply line communicating with the first gas supply line and provided with a second valve; 상기 제 2가스공급라인에 연결된 하나 또는 다수개의 제 2가스공급부; 및One or more second gas supply parts connected to the second gas supply line; And 상기 제 1가스공급부에 저장된 제 1가스잔존량을 감지하여 일정량이 되면, 상기 제2가스공급부에 저장된 제 2가스를 상기 설비본체로 공급하는 가스공급전환부를 포함하는 가스공급전환부를 갖는 반도체 제조설비용 가스공급시스템.The semiconductor manufacturing equipment having a gas supply switching unit including a gas supply switching unit for supplying the second gas stored in the second gas supply unit to the facility main body when the first gas remaining amount stored in the first gas supply unit is sensed. Gas supply system. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스공급전환부는 상기 제 1가스공급부에 저장된 가스잔존량을 실시간 감지하는 감지기와, 상기 감지기와 전기적으로 연결되어 상기 제 1가스공급부의 가스잔존량이 일정량으로 이루어지면, 상기 제 2밸브를 개방하여 상기 제 2가스를 상기 제 1가스와 함께 상기 설비본체로 공급하도록 하는 제어부를 구비하되,The gas supply switching unit detects the gas remaining amount stored in the first gas supply unit in real time, and is electrically connected to the detector to open the second valve when the gas remaining amount of the first gas supply part is a predetermined amount. It is provided with a control unit for supplying the second gas with the first gas to the facility body, 상기 제어부는 기설정된 시간 이후에 상기 제 1밸브를 폐쇄하는 것을 특징으로 하는 가스공급전환부를 갖는 반도체 제조설비용 가스공급시스템.The control unit is a gas supply system for a semiconductor manufacturing equipment having a gas supply switching unit, characterized in that for closing the first valve after a predetermined time. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스공급전환부는 상기 제 1가스공급부들 각각의 가스잔존량을 감지하는 제 1감지기들과, 상기 제 2가스공급부들 각각의 가스잔존량을 감지하는 제 2감지기들과, 상기 제 1,2감지기들과 전기적으로 연결되며, 상기 제 1가스공급부들 중 적어도 어느 하나의 가스잔존량이 기설정된 잔존량으로 되면, 상기 제 2밸브를 개방하여 상기 제 2가스를 상기 제 1가스와 함께 상기 설비본체로 공급하도록 하는 제어부를 구비하되,The gas supply switching unit includes first detectors for detecting a gas remaining amount of each of the first gas supply parts, second detectors for detecting a gas remaining amount of each of the second gas supply parts, and the first and second parts. When the gas remaining amount of at least one of the first gas supply units reaches a preset remaining amount, the second main body is opened to the second gas together with the first gas. Is provided with a control unit to supply to, 상기 제어부는 상기 제 2가스공급부들 중 기설정된 가스잔존량보다 많은 적어도 어느 하나를 택하여 상기 설비본체로 공급하고, 기설정된 시간 이후에 상기 제 1밸브를 폐쇄하는 것을 특징으로 하는 가스공급전환부를 갖는 반도체 제조설비용 가스공급시스템.The control unit selects and supplies at least one of the second gas supply units larger than a preset gas remaining amount to the facility main body, and closes the first valve after a predetermined time. Gas supply system for semiconductor manufacturing equipment having. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2가스공급부의 가스용량은 상기 제 1가스공급부의 용량보다 큰 것을 특징으로 하는 가스공급전환부를 갖는 반도체 제조설비용 가스공급시스템.And a gas capacity of the second gas supply part is greater than that of the first gas supply part. 적어도 하나 이상의 제 1가스공급부로부터 제 1가스를 설비본체로 일정량 공급하고,Supplying a predetermined amount of the first gas from the at least one first gas supply unit to the facility body, 상기 공급되는 상기 제 1가스의 잔존량을 측정하고,Measure the remaining amount of the supplied first gas, 상기 측정되는 상기 제 1가스의 잔존량이 기설정된 잔존량으로 되면, 적어도 하나 이상의 제 2가스공급부로부터 제 2가스를 일정 시간동안 상기 제 1가스와 함 께 상기 설비본체로 공급하고,When the residual amount of the first gas to be measured becomes a predetermined residual amount, at least one or more second gas supply unit for supplying a second gas with the first gas for a predetermined time, and 상기 일정 시간이 지난 이후에 상기 제 1가스의 공급을 중지시키는 반도체 제조설비의 가스공급전환방법.The gas supply switching method of the semiconductor manufacturing equipment to stop the supply of the first gas after the predetermined time. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제 1가스의 잔존량 측정은 상기 제 1가스공급부들 중 기설정된 잔존량이 되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 가스공급전환방법.The remaining amount measurement of the first gas is any one of the predetermined remaining amount of the first gas supply unit gas supply switching method of the semiconductor manufacturing equipment. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제 2가스공급부들 중 기설정된 가스잔존량보다 많은 적어도 어느 하나를 택하여 상기 설비본체로 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 가스공급전환방법.The gas supply switching method of the semiconductor manufacturing equipment, characterized in that at least one selected from the second gas supply unit more than the predetermined gas remaining amount is supplied to the equipment main body.
KR1020060084373A 2006-09-01 2006-09-01 Gas supply system for semiconductor manufacturing equipment and gas supply changing method KR20080021261A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060084373A KR20080021261A (en) 2006-09-01 2006-09-01 Gas supply system for semiconductor manufacturing equipment and gas supply changing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060084373A KR20080021261A (en) 2006-09-01 2006-09-01 Gas supply system for semiconductor manufacturing equipment and gas supply changing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080021261A true KR20080021261A (en) 2008-03-07

Family

ID=39395791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060084373A KR20080021261A (en) 2006-09-01 2006-09-01 Gas supply system for semiconductor manufacturing equipment and gas supply changing method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20080021261A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102132492B1 (en) * 2019-08-28 2020-07-09 주식회사 명성시스템 Gas supply system of gas supply device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102132492B1 (en) * 2019-08-28 2020-07-09 주식회사 명성시스템 Gas supply system of gas supply device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100863941B1 (en) Purge system and method of gas supply device
US20090143890A1 (en) Substrate processing apparatus, program, storage medium and conditioning necessity determining method
US7367350B2 (en) Processing device and method of maintaining the device
CA2690861C (en) Methods and apparatus to determine a position of a valve
US7165443B2 (en) Vacuum leakage detecting device for use in semiconductor manufacturing system
KR20080021261A (en) Gas supply system for semiconductor manufacturing equipment and gas supply changing method
CN106415265A (en) Apparatus for determining reactant purity
KR101901152B1 (en) Digital Pressure Leak Inspection Device
CN107104067A (en) Flow line charging volume
US8321046B2 (en) Substrate processing apparatus
KR101230207B1 (en) Semiconductor production plant
KR102061843B1 (en) Chemical supplying system
CN100400960C (en) Valve system for inert gas
KR20060134465A (en) Exhausting apparatus of low pressure chemical vapour deposition equipmeent
KR100941424B1 (en) Gas supplier and method for thereof
KR20220121960A (en) Hydrogen refueling system and method
KR102310551B1 (en) Device and method for compensating DTE of fuel cell vehicle
CN216081942U (en) Electric pile air tightness detection system
US6500263B2 (en) Semiconductor substrate processing chamber having interchangeable lids actuating plural gas interlock levels
KR102650765B1 (en) Gas box assembly for high pressure heat-treatment apparatus
CN218629709U (en) Protection system of hydrogen analyzer
CN219673972U (en) Novel gas busbar and novel gas busbar system
US20240096662A1 (en) High pressure processing apparatus
CN218939740U (en) Gas supply system for hydrogen fuel cell
KR200331414Y1 (en) Fuel Supply Pipe for Emergency Generation of Electric Power

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid