KR20080013926A - High-molecular compounds and high-molecular luminescent devices made by using the same - Google Patents

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KR20080013926A
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Abstract

High-molecular compounds characterized by having at least one residue of a compound represented by the general formula (1): (1) wherein A, B and C are each independently an optionally substituted aromatic or nonaromatic ring; Z1, Z2, Z3, Z4, and Z5 are each independently C-(Q)z or a nitrogen atom; Q is a substituent or hydrogen; z is 0 or 1; A and B may own a ring-constituent atom jointly in addition to Z5; and one or two of A, B and C are nonaromatic rings.

Description

고분자 화합물 및 그것을 이용한 고분자 발광 소자 {High-Molecular Compounds and High-Molecular Luminescent Devices Made by Using the Same}High-Molecular Compounds and High-Molecular Luminescent Devices Made by Using the Same

본 발명은 고분자 화합물 및 그것을 이용한 고분자 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a polymer compound and a polymer light emitting device using the same.

고분자량의 발광 재료나 전하 수송 재료는 용매에 가용이고, 도포법에 의해 발광 소자에서의 유기층을 형성할 수 있다는 점에서 여러가지로 검토되고 있다. 발광 재료나 전하 수송 재료로서 고분자 발광 소자(고분자 LED) 등의 전자 소자에 사용할 수 있는 고분자 화합물로서 폴리플루오렌류가 알려져 있다(국제 공개 제99/54385호).High molecular weight light emitting materials and charge transport materials are soluble in a solvent, and have been studied in various ways in that an organic layer in a light emitting device can be formed by a coating method. Polyfluorenes are known as polymer compounds that can be used in electronic devices such as polymer light emitting devices (polymer LEDs) as light emitting materials and charge transport materials (International Publication No. 99/54385).

그러나, 상기 고분자 화합물을 발광 재료나 전하 수송 재료 등으로서 사용한 소자의 소자 성능은, 실용적으로는 아직 만족할 수 있는 수준의 것은 아니었다.However, the device performance of the device using the polymer compound as a light emitting material, a charge transporting material, or the like was not practically satisfactory.

예를 들면, 상기 고분자 화합물을 이용한 고분자 LED는, 그 발광 효율, 발광색의 색조 등의 소자 성능에 있어서 실용적으로는 아직 만족할 수 있는 수준의 것이 아니었다.For example, the polymer LED using the polymer compound has not yet been practically satisfactory in device performance such as light emission efficiency and color tone of light emission.

본 발명의 목적은, 전자 소자의 재료로서 사용했을 경우, 소자 성능이 우수한 전자 소자를 제공할 수 있는 고분자 화합물을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a polymer compound capable of providing an electronic device having excellent device performance when used as a material for an electronic device.

즉, 본 발명은 하기 화학식 I로 표시되는 화합물의 잔기 중 하나 이상을 포함하는 고분자 화합물을 제공하는 것이다.That is, the present invention provides a polymer compound comprising at least one of the residues of the compound represented by the following formula (I).

Figure 112007084268841-PCT00001
Figure 112007084268841-PCT00001

식 중, A환, B환 및 C환은 각각 독립적으로 치환기를 가질 수도 있는 방향족환 또는 비방향족환을 나타내고, Z1, Z2, Z3, Z4 및 Z5는 각각 독립적으로 C-(Q)z 또는 질소 원자를 나타내고, Q는 치환기 또는 수소 원자를 나타내고, z는 0 또는 1을 나타내며, A환과 B환은 서로 각각의 환을 구성하는 Z5 이외의 원자를 공유할 수도 있고, A환, B환 및 C환 중 1개 이상 2개 이하는 비방향족환이다.In the formula, the A ring, the B ring and the C ring each independently represent an aromatic ring or a non-aromatic ring which may have a substituent, and Z 1 , Z 2 , Z 3 , Z 4 And Z 5 each independently represent C- (Q) z or a nitrogen atom, Q represents a substituent or a hydrogen atom, z represents 0 or 1, and A and B rings other than Z 5 constituting each ring each other The atoms of may be shared, and at least one of the A ring, the B ring and the C ring is a non-aromatic ring.

<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>Best Mode for Carrying Out the Invention

화학식 I에 있어서, A환, B환 및 C환은 각각 독립적으로 치환기를 가질 수도 있는 방향족환 또는 비방향족환을 나타낸다.In Formula (I), A ring, B ring, and C ring each independently represent an aromatic ring or a non-aromatic ring which may have a substituent.

방향족환으로서는 환 구조 중에 π 전자가 4n+2개 포함되는 것을 들 수 있다. 구체적으로는 벤젠환, 시클로데칸펜타엔환 등의 방향족 탄화수소환; 푸란환, 티오펜환, 피롤환, 피리딘환, 피리미딘환, 피리다진환 등의 방향족 복소환을 들 수 있다.As an aromatic ring, what contains 4n + 2 (pi) electrons in a ring structure is mentioned. Specifically, Aromatic hydrocarbon ring, such as a benzene ring and a cyclodecane pentaene ring; Aromatic heterocycles, such as a furan ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyrimidine ring, and a pyridazine ring, are mentioned.

비방향족환으로서는 시클로펜탄환, 시클로펜텐환, 시클로펜타디엔환, 시클로헥산환, 시클로헥센환, 시클로헥사디엔환, 시클로헵탄환, 시클로헵텐환, 시클로헵타디엔환, 시클로헵타트리엔환, 시클로옥탄환, 시클로옥텐환, 시클로옥타디엔환, 시클로옥타트리엔환, 시클로옥타테트라엔환, 시클로노난환, 시클로노넨환, 시클로노난디엔환, 시클로노난트리엔환, 시클로데칸환, 시클로데센환, 시클로데칸디엔환, 시클로데칸트리엔환, 시클로데칸테트라엔환, 시클로도데칸환, 시클로도데센환, 시클로도데칸디엔환, 시클로도데칸트리엔환, 시클로도데칸테트라엔환, 시클로도데칸펜타엔환, 시클로운데칸환, 시클로운데센환, 시클로운데칸디엔환, 시클로운데칸트리엔환, 시클로운데칸테트라엔환, 시클로운데칸펜타엔환, 시클로운데칸헥사엔환 등의 지환식환; 피란환, 티오피란환 등의 비방향족성 복소환을 들 수 있다.Examples of the non-aromatic ring include a cyclopentane ring, a cyclopentene ring, a cyclopentadiene ring, a cyclohexane ring, a cyclohexene ring, a cyclohexadiene ring, a cycloheptane ring, a cycloheptene ring, a cycloheptadiene ring, a cycloheptatriene ring and a cyclo Octane ring, cyclooctene ring, cyclooctadiene ring, cyclooctatriene ring, cyclooctatetraene ring, cyclononane ring, cyclononene ring, cyclononane diene ring, cyclononane triene ring, cyclodecane ring, cyclodecene ring, Cyclodecane diene ring, cyclodecane triene ring, cyclodecane tetraene ring, cyclododecane ring, cyclododecene ring, cyclododecane diene ring, cyclododecane triene ring, cyclododecane tetraene ring, cyclododecane penta ring Alicyclic type, such as an cyclic ring, a cyclo undecane ring, a cyclo undecene ring, a cyclo undecane diene ring, a cyclo undecane triene ring, a cyclo undecane tetraene ring, a cyclo undecane pentaene ring, and a cyclo undecane hexaene ring .; Non-aromatic heterocycles, such as a pyran ring and a thiopyran ring, are mentioned.

방향족환 또는 비방향족환이 치환기를 갖는 경우, 치환기로서는 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 아릴알케닐기, 아릴알키닐기, 치환 아미노기, 치환 실릴기, 불소 원자, 아실기, 아실옥시기, 아미드기, 산 이미드기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기, 시아노기 및 니트로기를 들 수 있으며, 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기가 더욱 바람직하다.When an aromatic ring or a non-aromatic ring has a substituent, examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, and aryl. Alkynyl group, substituted amino group, substituted silyl group, fluorine atom, acyl group, acyloxy group, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group, cyano group and nitro group, and alkyl group, alkoxy group , Aryl group, aryloxy group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group are more preferable.

여기서, 알킬기는 직쇄, 분지 또는 환상 중 어느 하나일 수 있으며, 탄소수가 통상 1 내지 20 정도이고, 바람직하게는 3 내지 20이며, 그 구체예로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, i-프로필기, 부틸기, i-부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 이소아밀기, 헥실기, 시클로헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 2-에틸헥실기, 노닐기, 데실기, 3,7-디메틸옥틸기, 라우릴기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로부틸기, 퍼플루오로헥실기, 퍼플루오로옥틸기 등을 들 수 있으며, 펜틸기, 이소아밀기, 헥실기, 옥틸기, 2-에틸헥실기, 데실기, 3,7-디메틸옥틸기가 바람직하다.Here, the alkyl group may be any one of straight chain, branched or cyclic, and usually has 1 to 20 carbon atoms, preferably 3 to 20, and specific examples thereof include methyl group, ethyl group, propyl group, i-propyl group and butyl group. , i-butyl group, t-butyl group, pentyl group, isoamyl group, hexyl group, cyclohexyl group, heptyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group, nonyl group, decyl group, 3,7-dimethyloctyl group , Lauryl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, perfluorobutyl group, perfluorohexyl group, perfluorooctyl group, and the like, and pentyl group, isoamyl group, hexyl group, octyl group , 2-ethylhexyl group, decyl group, and 3,7-dimethyloctyl group are preferable.

알콕시기는 직쇄, 분지 또는 환상 중 어느 하나일 수 있으며, 탄소수가 통상 1 내지 20 정도이고, 바람직하게는 3 내지 20이며, 그 구체예로서는 메톡시기, 에톡시기, 프로필옥시기, i-프로필옥시기, 부톡시기, i-부톡시기, t-부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 시클로헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 2-에틸헥실옥시기, 노닐옥시기, 데실옥시기, 3,7-디메틸옥틸옥시기, 라우릴옥시기, 트리플루오로메톡시기, 펜타플루오로에톡시기, 퍼플루오로부톡시기, 퍼플루오로헥실기, 퍼플루오로옥틸기, 메톡시메틸옥시기, 2-메톡시에틸옥시기 등을 들 수 있으며, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 옥틸옥시기, 2-에틸헥실옥시기, 데실옥시기, 3,7-디메틸옥틸옥시기가 바람직하다.The alkoxy group may be either linear, branched or cyclic, having usually 1 to 20 carbon atoms, preferably 3 to 20 carbon atoms, and specific examples thereof include methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, i-propyloxy group, Butoxy group, i-butoxy group, t-butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, cyclohexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, nonyloxy group, decyloxy group, 3 , 7-dimethyloctyloxy group, lauryloxy group, trifluoromethoxy group, pentafluoroethoxy group, perfluorobutoxy group, perfluorohexyl group, perfluorooctyl group, methoxymethyloxy group, 2-methoxyethyloxy group etc. are mentioned, A pentyloxy group, a hexyloxy group, an octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, a decyloxy group, and a 3,7- dimethyl octyloxy group are preferable.

알킬티오기는 직쇄, 분지 또는 환상 중 어느 하나일 수 있으며, 탄소수가 통상 1 내지 20 정도이고, 바람직하게는 3 내지 20이며, 그 구체예로서는 메틸티오기, 에틸티오기, 프로필티오기, i-프로필티오기, 부틸티오기, i-부틸티오기, t-부틸티오기, 펜틸티오기, 헥실티오기, 시클로헥실티오기, 헵틸티오기, 옥틸티오기, 2-에틸헥실티오기, 노닐티오기, 데실티오기, 3,7-디메틸옥틸티오기, 라우릴티오기, 트리플루오로메틸티오기 등을 들 수 있으며, 펜틸티오기, 헥실티오기, 옥틸티오기, 2-에틸헥실티오기, 데실티오기, 3,7-디메틸옥틸티오기가 바람직하다.The alkylthio group may be either linear, branched or cyclic, having usually 1 to 20 carbon atoms, preferably 3 to 20 carbon atoms, and specific examples thereof include methylthio group, ethylthio group, propylthio group and i-propyl. Thio group, butylthio group, i-butylthio group, t-butylthio group, pentylthio group, hexylthio group, cyclohexylthio group, heptylthio group, octylthio group, 2-ethylhexylthio group, nonylthio group , A decylthio group, a 3,7-dimethyloctylthio group, a laurylthio group, a trifluoromethylthio group, and the like, and a pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, 2-ethylhexylthio group, The decylthio group and the 3,7-dimethyloctylthio group are preferable.

아릴기는 방향족 탄화수소로부터 수소 원자 1개를 제외한 원자단이며, 축합 환을 갖는 것, 독립된 벤젠환 또는 축합환 2개 이상이 직접 또는 비닐렌 등의 기를 통해 결합한 것도 포함된다. 아릴기는 탄소수가 통상 6 내지 60 정도, 바람직하게는 7 내지 48이고, 그 구체예로서는 페닐기, C1 내지 C12 알콕시페닐기(C1 내지 C12는 탄소수 1 내지 12인 것을 나타내며, 이하 동일함), C1 내지 C12 알킬페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트라세닐기, 2-안트라세닐기, 9-안트라세닐기, 펜타플루오로페닐기 등이 예시되며, C1 내지 C12 알콕시페닐기, C1 내지 C12 알킬페닐기가 바람직하다.An aryl group is an atomic group remove | excluding one hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon, and the thing which has a condensed ring, and the thing which two or more independent benzene rings or condensed rings couple | bonded directly or through groups, such as vinylene, is included. The aryl group is usually about 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms, and specific examples thereof include a phenyl group and a C 1 to C 12 alkoxyphenyl group (C 1 to C 12 represent carbon atoms 1 to 12, which are the same below), C 1 to C 12 alkylphenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthracenyl group, 2-anthracenyl group, 9-anthracenyl group, pentafluorophenyl group and the like are exemplified, and C 1 to C 12 Alkoxyphenyl groups and C 1 to C 12 alkylphenyl groups are preferred.

C1 내지 C12 알콕시로서, 구체적으로는 메톡시, 에톡시, 프로필옥시, i-프로필옥시, 부톡시, i-부톡시, t-부톡시, 펜틸옥시, 헥실옥시, 시클로헥실옥시, 헵틸옥시, 옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 노닐옥시, 데실옥시, 3,7-디메틸옥틸옥시, 라우릴옥시 등이 예시된다.C 1 to C 12 alkoxy, specifically methoxy, ethoxy, propyloxy, i-propyloxy, butoxy, i-butoxy, t-butoxy, pentyloxy, hexyloxy, cyclohexyloxy, Heptyloxy, octyloxy, 2-ethylhexyloxy, nonyloxy, decyloxy, 3,7-dimethyloctyloxy, lauryloxy and the like.

C1 내지 C12 알킬페닐기로서, 구체적으로는 메틸페닐기, 에틸페닐기, 디메틸페닐기, 프로필페닐기, 메시틸기, 메틸에틸페닐기, i-프로필페닐기, 부틸페닐기, i-부틸페닐기, t-부틸페닐기, 펜틸페닐기, 이소아밀페닐기, 헥실페닐기, 헵틸페닐기, 옥틸페닐기, 노닐페닐기, 데실페닐기, 도데실페닐기 등이 예시된다.As the C 1 to C 12 alkylphenyl group, specifically, methylphenyl group, ethylphenyl group, dimethylphenyl group, propylphenyl group, mesityl group, methylethylphenyl group, i-propylphenyl group, butylphenyl group, i-butylphenyl group, t-butylphenyl group, pentyl A phenyl group, isoamylphenyl group, hexylphenyl group, heptylphenyl group, octylphenyl group, nonylphenyl group, decylphenyl group, dodecylphenyl group, etc. are illustrated.

아릴옥시기는 탄소수가 통상 6 내지 60 정도, 바람직하게는 7 내지 48이고, 그 구체예로서는 페녹시기, C1 내지 C12 알콕시페녹시기, C1 내지 C12 알킬페녹시기, 1-나프틸옥시기, 2-나프틸옥시기, 펜타플루오로페닐옥시기 등이 예시되며, C1 내지 C12 알콕시페녹시기, C1 내지 C12 알킬페녹시기가 바람직하다.The aryloxy group has usually 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48, and specific examples thereof include phenoxy group, C 1 to C 12 alkoxyphenoxy group, C 1 to C 12 alkylphenoxy group, 1-naphthyloxy group, 2 -naphthyloxy group, and a phenyl oxy example pentafluorophenyl, a C 1 to C 12 alkoxy phenoxy group, C 1 to C 12 alkylphenoxy group are preferable.

C1 내지 C12 알콕시로서, 구체적으로는 메톡시, 에톡시, 프로필옥시, i-프로필옥시, 부톡시, i-부톡시, t-부톡시, 펜틸옥시, 헥실옥시, 시클로헥실옥시, 헵틸옥시, 옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 노닐옥시, 데실옥시, 3,7-디메틸옥틸옥시, 라우릴옥시 등이 예시된다.C 1 to C 12 alkoxy, specifically methoxy, ethoxy, propyloxy, i-propyloxy, butoxy, i-butoxy, t-butoxy, pentyloxy, hexyloxy, cyclohexyloxy, Heptyloxy, octyloxy, 2-ethylhexyloxy, nonyloxy, decyloxy, 3,7-dimethyloctyloxy, lauryloxy and the like.

C1 내지 C12 알킬페녹시기로서, 구체적으로는 메틸페녹시기, 에틸페녹시기, 디메틸페녹시기, 프로필페녹시기, 1,3,5-트리메틸페녹시기, 메틸에틸페녹시기, i-프로필페녹시기, 부틸페녹시기, i-부틸페녹시기, t-부틸페녹시기, 펜틸페녹시기, 이소아밀페녹시기, 헥실페녹시기, 헵틸페녹시기, 옥틸페녹시기, 노닐페녹시기, 데실페녹시기, 도데실페녹시기 등이 예시된다.As the C 1 to C 12 alkyl phenoxy group, specifically methyl phenoxy group, ethyl phenoxy group, dimethyl phenoxy group, propylphenoxy group, 1,3,5-trimethylphenoxy group, methylethylphenoxy group, i-propylphenoxy group, Butylphenoxy, i-butylphenoxy, t-butylphenoxy, pentylphenoxy, isoamylphenoxy, hexylphenoxy, heptylphenoxy, octylphenoxy, nonylphenoxy, decylphenoxy, and dodecylphenoxy This is illustrated.

아릴티오기는 탄소수가 통상 3 내지 60 정도이고, 그 구체예로서는 페닐티오기, C1 내지 C12 알콕시페닐티오기, C1 내지 C12 알킬페닐티오기, 1-나프틸티오기, 2-나프틸티오기, 펜타플루오로페닐티오기 등이 예시되며, C1 내지 C12 알콕시페닐티오기, C1 내지 C12 알킬페닐티오기가 바람직하다.The arylthio group usually has about 3 to 60 carbon atoms, and specific examples thereof include a phenylthio group, a C 1 to C 12 alkoxyphenylthio group, a C 1 to C 12 alkylphenylthio group, a 1-naphthylthio group, and a 2-naphthylthio group. , there is illustrated the like coming phenylthio pentafluorophenyl, coming C 1 to C 12 alkoxyphenyl-T, is preferably a C 1 to C 12 alkyl phenylthio group.

아릴알킬기는 탄소수가 통상 7 내지 60 정도, 바람직하게는 7 내지 48이고, 그 구체예로서는 페닐-C1 내지 C12 알킬기, C1 내지 C12 알콕시페닐-C1 내지 C12 알킬기, C1 내지 C12 알킬페닐-C1 내지 C12 알킬기, 1-나프틸-C1 내지 C12 알킬기, 2-나프 틸-C1 내지 C12 알킬기 등이 예시되며, C1 내지 C12 알콕시페닐-C1 내지 C12 알킬기, C1 내지 C12 알킬페닐-C1 내지 C12 알킬기가 바람직하다.The arylalkyl group usually has about 7 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms, and specific examples thereof include phenyl-C 1 to C 12 alkyl groups, C 1 to C 12 alkoxyphenyl-C 1 to C 12 alkyl groups, and C 1 to C 12 alkylphenyl-C 1 to C 12 alkyl groups, 1-naphthyl-C 1 to C 12 alkyl groups, 2-naphthyl-C 1 to C 12 alkyl groups and the like are exemplified, and C 1 to C 12 alkoxyphenyl-C 1 to a C 12 alkyl group, C 1 to C 12 alkyl, phenyl -C 1 to C 12 alkyl group are preferable.

아릴알콕시기는 탄소수가 통상 7 내지 60 정도, 바람직하게는 7 내지 48이고, 그 구체예로서는 페닐메톡시기, 페닐에톡시기, 페닐부톡시기, 페닐펜틸옥시기, 페닐헥실옥시기, 페닐헵틸옥시기, 페닐옥틸옥시기 등의 페닐-C1 내지 C12 알콕시기, C1 내지 C12 알콕시페닐-C1 내지 C12 알콕시기, C1 내지 C12 알킬페닐-C1 내지 C12 알콕시기, 1-나프틸-C1 내지 C12 알콕시기, 2-나프틸-C1 내지 C12 알콕시기 등이 예시되며, C1 내지 C12 알콕시페닐-C1 내지 C12 알콕시기, C1 내지 C12 알킬페닐-C1 내지 C12 알콕시기가 바람직하다.The arylalkoxy group is usually about 7 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48, and specific examples thereof include phenylmethoxy group, phenylethoxy group, phenylbutoxy group, phenylpentyloxy group, phenylhexyloxy group, phenylheptyloxy group, to 1 -C phenyl such as phenyl oxide tilok time C 12 alkoxy group, C 1 to C 12 alkoxyphenyl--C 1 to C 12 alkoxy group, C 1 to C 12 alkyl, phenyl -C 1 to C 12 alkoxy group, 1 Naphthyl-C 1 to C 12 alkoxy groups, 2-naphthyl-C 1 to C 12 alkoxy groups, and the like, and C 1 to C 12 alkoxyphenyl-C 1 to C 12 alkoxy groups, C 1 to C 12 alkyls Phenyl-C 1 to C 12 alkoxy groups are preferred.

아릴알킬티오기는 탄소수가 통상 7 내지 60 정도, 바람직하게는 7 내지 48이고, 그 구체예로서는 페닐-C1 내지 C12 알킬티오기, C1 내지 C12 알콕시페닐-C1 내지 C12 알킬티오기, C1 내지 C12 알킬페닐-C1 내지 C12 알킬티오기, 1-나프틸-C1 내지 C12 알킬티오기, 2-나프틸-C1 내지 C12 알킬티오기 등이 예시되며, C1 내지 C12 알콕시페닐-C1 내지 C12 알킬티오기, C1 내지 C12 알킬페닐-C1 내지 C12 알킬티오기가 바람직하다.The arylalkylthio group has usually 7 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms, and specific examples thereof include a phenyl-C 1 to C 12 alkylthio group and a C 1 to C 12 alkoxyphenyl-C 1 to C 12 alkylthio group. , C 1 to C 12 alkylphenyl-C 1 to C 12 alkylthio group, 1-naphthyl-C 1 to C 12 alkylthio group, 2-naphthyl-C 1 to C 12 alkylthio group and the like are exemplified, C 1 to C 12 alkoxyphenyl-C 1 to C 12 alkylthio groups and C 1 to C 12 alkylphenyl-C 1 to C 12 alkylthio groups are preferred.

아릴알케닐기는 탄소수가 통상 8 내지 60 정도이고, 그 구체예로서는 페닐-C2 내지 C12 알케닐기, C1 내지 C12 알콕시페닐-C2 내지 C12 알케닐기, C1 내지 C12 알 킬페닐-C2 내지 C12 알케닐기, 1-나프틸-C2 내지 C12 알케닐기, 2-나프틸-C2 내지 C12 알케닐기 등이 예시되며, C1 내지 C12 알콕시페닐-C2 내지 C12 알케닐기, C2 내지 C12 알킬페닐-C1 내지 C12 알케닐기가 바람직하다.The arylalkenyl group usually has about 8 to 60 carbon atoms, and specific examples thereof include a phenyl-C 2 to C 12 alkenyl group, a C 1 to C 12 alkoxyphenyl-C 2 to C 12 alkenyl group, and a C 1 to C 12 alkyl group. -C 2 to C 12 alkenyl groups, 1-naphthyl-C 2 to C 12 alkenyl groups, 2-naphthyl-C 2 to C 12 alkenyl groups and the like are exemplified, and C 1 to C 12 alkoxyphenyl-C 2 to C 12 alkenyl groups, C 2 to C 12 alkylphenyl-C 1 to C 12 alkenyl groups are preferred.

아릴알키닐기는 탄소수가 통상 8 내지 60 정도이고, 그 구체예로서는 페닐-C2 내지 C12 알키닐기, C1 내지 C12 알콕시페닐-C2 내지 C12 알키닐기, C1 내지 C12 알킬페닐-C2 내지 C12 알키닐기, 1-나프틸-C2 내지 C12 알키닐기, 2-나프틸-C2 내지 C12 알키닐기 등이 예시되며, C1 내지 C12 알콕시페닐-C2 내지 C12 알키닐기, C1 내지 C12 알킬페닐-C2 내지 C12 알키닐기가 바람직하다.The arylalkynyl group usually has about 8 to 60 carbon atoms, and specific examples thereof include a phenyl-C 2 to C 12 alkynyl group, C 1 to C 12 alkoxyphenyl-C 2 to C 12 alkynyl group, and C 1 to C 12 alkylphenyl- C 2 to C 12 alkynyl group, 1-naphthyl-C 2 to C 12 alkynyl group, 2-naphthyl-C 2 to C 12 alkynyl group and the like are exemplified, and C 1 to C 12 alkoxyphenyl-C 2 to C 12 alkynyl group, C 1 to C 12 alkylphenyl-C 2 to C 12 alkynyl group is preferable.

치환 아미노기로서는 알킬기, 아릴기, 아릴알킬기 또는 1가 복소환기로부터 선택되는 1 또는 2개의 기로 치환된 아미노기를 들 수 있으며, 상기 알킬기, 아릴기, 아릴알킬기 또는 1가 복소환기는 치환기를 가질 수도 있다. 치환 아미노기의 탄소수는, 상기 치환기의 탄소수를 포함시키지 않고 통상 1 내지 60 정도, 바람직하게는 2 내지 48이다.Examples of the substituted amino group include an amino group substituted with one or two groups selected from an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group or a monovalent heterocyclic group, and the alkyl group, aryl group, arylalkyl group or monovalent heterocyclic group may have a substituent. . Carbon number of a substituted amino group is about 1-60 normally, Preferably it is 2-48, without including carbon number of the said substituent.

구체적으로는 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 에틸아미노기, 디에틸아미노기, 프로필아미노기, 디프로필아미노기, i-프로필아미노기, 디이소프로필아미노기, 부틸아미노기, i-부틸아미노기, t-부틸아미노기, 펜틸아미노기, 헥실아미노기, 시클로헥실아미노기, 헵틸아미노기, 옥틸아미노기, 2-에틸헥실아미노기, 노닐아미노기, 데실아미노기, 3,7-디메틸옥틸아미노기, 라우릴아미노기, 시클로펜틸아미노기, 디시클로펜틸아미노기, 시클로헥실아미노기, 디시클로헥실아미노기, 피롤리딜기, 피페리딜기, 디트리플루오로메틸아미노기, 페닐아미노기, 디페닐아미노기, C1 내지 C12 알콕시페닐아미노기, 디(C1 내지 C12 알콕시페닐)아미노기, 디(C1 내지 C12 알킬페닐)아미노기, 1-나프틸아미노기, 2-나프틸아미노기, 펜타플루오로페닐아미노기, 피리딜아미노기, 피리다지닐아미노기, 피리미딜아미노기, 피라질아미노기, 트리아질아미노기, 페닐-C1 내지 C12 알킬아미노기, C1 내지 C12 알콕시페닐-C1 내지 C12 알킬아미노기, C1 내지 C12 알킬페닐-C1 내지 C12 알킬아미노기, 디(C1 내지 C12 알콕시페닐-C1 내지 C12 알킬)아미노기, 디(C1 내지 C12 알킬페닐-C1 내지 C12 알킬)아미노기, 1-나프틸-C1 내지 C12 알킬아미노기, 2-나프틸-C1 내지 C12 알킬아미노기 등이 예시된다.Specifically, methylamino group, dimethylamino group, ethylamino group, diethylamino group, propylamino group, dipropylamino group, i-propylamino group, diisopropylamino group, butylamino group, i-butylamino group, t-butylamino group, pentylamino group, hexyl Amino group, cyclohexylamino group, heptylamino group, octylamino group, 2-ethylhexylamino group, nonylamino group, decylamino group, 3,7-dimethyloctylamino group, laurylamino group, cyclopentylamino group, dicyclopentylamino group, cyclohexylamino group, dicysi Chlohexylamino group, pyrrolidyl group, piperidyl group, ditrifluoromethylamino group, phenylamino group, diphenylamino group, C 1 to C 12 alkoxyphenylamino group, di (C 1 to C 12 alkoxyphenyl) amino group, di (C 1 to C 12 alkylphenyl) amino group, 1-naphthylamino group, 2-naphthylamino group, pentafluorophenylamino group, pyridylamino group, Pyridazinylamino group, pyrimidylamino group, pyrazylamino group, triazylamino group, phenyl-C 1 to C 12 alkylamino group, C 1 to C 12 alkoxyphenyl-C 1 to C 12 alkylamino group, C 1 to C 12 alkylphenyl -C 1 to C 12 alkylamino group, di (C 1 to C 12 alkoxyphenyl-C 1 to C 12 alkyl) amino group, di (C 1 to C 12 alkylphenyl-C 1 to C 12 alkyl) amino group, 1-naph Yl-C 1 to C 12 alkylamino groups, 2-naphthyl-C 1 to C 12 alkylamino groups, and the like.

치환 실릴기로서는 알킬기, 아릴기, 아릴알킬기 또는 1가 복소환기로부터 선택되는 1, 2 또는 3개의 기로 치환된 실릴기를 들 수 있다. 치환 실릴기의 탄소수는 통상 1 내지 60 정도, 바람직하게는 3 내지 48이다. 또한, 상기 알킬기, 아릴기, 아릴알킬기 또는 1가 복소환기는 치환기를 가질 수도 있다.Examples of the substituted silyl group include silyl groups substituted with 1, 2 or 3 groups selected from alkyl groups, aryl groups, arylalkyl groups or monovalent heterocyclic groups. The carbon number of the substituted silyl group is usually about 1 to 60, preferably 3 to 48. In addition, the alkyl group, aryl group, arylalkyl group or monovalent heterocyclic group may have a substituent.

구체적으로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 트리프로필실릴기, 트리-i-프로필실릴기, 디메틸-i-프로필실릴기, 디에틸-i-프로필실릴기, t-부틸실릴디메틸실릴기, 펜틸디메틸실릴기, 헥실디메틸실릴기, 헵틸디메틸실릴기, 옥틸디메틸실릴기, 2-에틸헥실-디메틸실릴기, 노닐디메틸실릴기, 데실디메틸실릴기, 3,7-디메틸옥 틸-디메틸실릴기, 라우릴디메틸실릴기, 페닐-C1 내지 C12 알킬실릴기, C1 내지 C12 알콕시페닐-C1 내지 C12 알킬실릴기, C1 내지 C12 알킬페닐-C1 내지 C12 알킬실릴기, 1-나프틸-C1 내지 C12 알킬실릴기, 2-나프틸-C1 내지 C12 알킬실릴기, 페닐-C1 내지 C12 알킬디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 트리-p-크실릴실릴기, 트리벤질실릴기, 디페닐메틸실릴기, t-부틸디페닐실릴기, 디메틸페닐실릴기 등이 예시된다.Specifically, trimethylsilyl group, triethylsilyl group, tripropylsilyl group, tri-i-propylsilyl group, dimethyl-i-propylsilyl group, diethyl-i-propylsilyl group, t-butylsilyldimethylsilyl group, Pentyldimethylsilyl group, hexyldimethylsilyl group, heptyldimethylsilyl group, octyldimethylsilyl group, 2-ethylhexyl-dimethylsilyl group, nonyldimethylsilyl group, decyldimethylsilyl group, 3,7-dimethyloctyl-dimethylsilyl group , Lauryldimethylsilyl group, phenyl-C 1 to C 12 alkylsilyl group, C 1 to C 12 alkoxyphenyl-C 1 to C 12 alkylsilyl group, C 1 to C 12 alkylphenyl-C 1 to C 12 alkylsilyl Groups, 1-naphthyl-C 1 to C 12 alkylsilyl groups, 2-naphthyl-C 1 to C 12 alkylsilyl groups, phenyl-C 1 to C 12 alkyldimethylsilyl groups, triphenylsilyl groups, tri-p -Xylyl silyl group, tribenzyl silyl group, diphenyl methyl silyl group, t-butyl diphenyl silyl group, dimethylphenyl silyl group, etc. are illustrated.

아실기는 탄소수가 통상 2 내지 20 정도, 바람직하게는 2 내지 18이고, 그 구체예로서는 아세틸기, 프로피오닐기, 부티릴기, 이소부티릴기, 피발로일기, 벤조일기, 트리플루오로아세틸기, 펜타플루오로벤조일기 등이 예시된다.The acyl group has usually 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms, and specific examples thereof include an acetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, pivaloyl group, benzoyl group, trifluoroacetyl group and pentafluoro Robenzoyl group etc. are illustrated.

아실옥시기는 탄소수가 통상 2 내지 20 정도, 바람직하게는 2 내지 18이고, 그 구체예로서는 아세톡시기, 프로피오닐옥시기, 부티릴옥시기, 이소부티릴옥시기, 피발로일옥시기, 벤조일옥시기, 트리플루오로아세틸옥시기, 펜타플루오로벤조일옥시기 등이 예시된다.The acyloxy group has usually 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms, and specific examples thereof include acetoxy group, propionyloxy group, butyryloxy group, isobutyryloxy group, pivaloyloxy group, benzoyloxy group and tri Fluoroacetyloxy group, pentafluorobenzoyloxy group, etc. are illustrated.

아미드기는 탄소수가 통상 2 내지 20 정도, 바람직하게는 2 내지 18이고, 그 구체예로서는 포름아미드기, 아세트아미드기, 프로피오아미드기, 부티로아미드기, 벤즈아미드기, 트리플루오로아세트아미드기, 펜타플루오로벤즈아미드기, 디포름아미드기, 디아세트아미드기, 디프로피오아미드기, 디부티로아미드기, 디벤즈아미드기, 디트리플루오로아세트아미드기, 디펜타플루오로벤즈아미드기 등이 예시된다.The amide group is usually about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms, and specific examples thereof include formamide group, acetamide group, propioamide group, butyroamide group, benzamide group, trifluoroacetamide group, Pentafluorobenzamide group, diformamide group, diacetamide group, dipropioamide group, dibutyroamide group, dibenzamide group, ditrifluoroacetamide group, dipentafluorobenzamide group, etc. This is illustrated.

산 이미드기로서는 산 이미드로부터 그 질소 원자에 결합한 수소 원자를 제외하고 얻어지는 잔기를 들 수 있으며, 탄소수가 4 내지 20 정도이고, 구체적으로 는 이하에 나타내는 기 등이 예시된다.As an acid imide group, the residue obtained except the hydrogen atom couple | bonded with the nitrogen atom from the acid imide is mentioned, A carbon number is about 4-20, Specifically, the group etc. shown below are illustrated.

Figure 112007084268841-PCT00002
Figure 112007084268841-PCT00002

1가 복소환기란, 복소환 화합물로부터 수소 원자 1개를 제외한 나머지 원자단을 말하며, 탄소수는 통상 4 내지 60 정도, 바람직하게는 4 내지 20이다. 또한, 복소환기의 탄소수에는 치환기의 탄소수는 포함되지 않는다. 여기서, 복소환 화합물이란, 환식 구조를 갖는 유기 화합물 중, 환을 구성하는 원소가 탄소 원자뿐만 아니라, 산소, 황, 질소, 인, 붕소 등의 헤테로 원자를 환 내에 포함하는 것을 말한다. 구체적으로는 하기의 구조가 예시된다.The monovalent heterocyclic group refers to the remaining atomic groups excluding one hydrogen atom from the heterocyclic compound, and the carbon number is usually about 4 to 60, preferably 4 to 20. In addition, carbon number of a substituent does not contain carbon number of a heterocyclic group. Here, a heterocyclic compound means that in the organic compound which has a cyclic structure, the element which comprises a ring contains not only a carbon atom but hetero atoms, such as oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus, and boron, in a ring. Specifically, the following structure is illustrated.

Figure 112007084268841-PCT00003
Figure 112007084268841-PCT00003

Figure 112007084268841-PCT00004
Figure 112007084268841-PCT00004

Figure 112007084268841-PCT00005
Figure 112007084268841-PCT00005

Figure 112007084268841-PCT00006
Figure 112007084268841-PCT00006

상기 화학식에 있어서, R은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 아릴알케닐기, 아릴알키닐기, 아미노기, 치환 아미노기, 실릴기, 치환 실릴기, 할로겐 원자, 아실기, 아실옥시기, 이민 잔기, 아미드기, 산 이미드기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기 또는 시아노기를 나타낸다.In the above formula, each R independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, or aryl An alkynyl group, an amino group, a substituted amino group, a silyl group, a substituted silyl group, a halogen atom, an acyl group, an acyloxy group, an imine residue, an amide group, an acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group.

그 중에서도 티에닐기, C1 내지 C12 알킬티에닐기, 피롤릴기, 푸릴기, 피리딜기, C1 내지 C12 알킬피리딜기, 피페리딜기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기 등이 바람직하 고, 티에닐기, C1 내지 C12 알킬티에닐기, 피리딜기, C1 내지 C12 알킬피리딜기가 더욱 바람직하다.Among them, thienyl group, C 1 to C 12 alkylthienyl group, pyrrolyl group, furyl group, pyridyl group, C 1 to C 12 alkylpyridyl group, piperidyl group, quinolyl group, isoquinolyl group and the like are preferable, Thienyl group, C 1 to C 12 alkylthienyl group, pyridyl group, and C 1 to C 12 alkylpyridyl group are more preferable.

치환 카르복실기는 알킬기, 아릴기, 아릴알킬기 또는 1가 복소환기로 치환된 카르복실기를 말하며, 탄소수가 통상 2 내지 60 정도, 바람직하게는 2 내지 48이고, 그 구체예로서는 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 프로폭시카르보닐기, i-프로폭시카르보닐기, 부톡시카르보닐기, i-부톡시카르보닐기, t-부톡시카르보닐기, 펜틸옥시카르보닐기, 헥실옥시카르보닐기, 시클로헥실옥시카르보닐기, 헵틸옥시카르보닐기, 옥틸옥시카르보닐기, 2-에틸헥실옥시카르보닐기, 노닐옥시카르보닐기, 데실옥시카르보닐기, 3,7-디메틸옥틸옥시카르보닐기, 도데실옥시카르보닐기, 트리플루오로메톡시카르보닐기, 펜타플루오로에톡시카르보닐기, 퍼플루오로부톡시카르보닐기, 퍼플루오로헥실옥시카르보닐기, 퍼플루오로옥틸옥시카르보닐기, 페녹시카르보닐기, 나프톡시카르보닐기, 피리딜옥시카르보닐기 등을 들 수 있다. 또한, 상기 알킬기, 아릴기, 아릴알킬기 또는 1가 복소환기는 치환기를 가질 수도 있다. 치환 카르복실기의 탄소수에는 상기 치환기의 탄소수는 포함되지 않는다.The substituted carboxyl group refers to a carboxyl group substituted with an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group or a monovalent heterocyclic group, and usually has 2 to 60 carbon atoms, preferably 2 to 48 carbon atoms, and specific examples thereof include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group and a proton. Poxycarbonyl group, i-propoxycarbonyl group, butoxycarbonyl group, i-butoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, pentyloxycarbonyl group, hexyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl group, heptyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, 2-ethylhexyl Oxycarbonyl group, nonyloxycarbonyl group, decyloxycarbonyl group, 3,7-dimethyloctyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, trifluoromethoxycarbonyl group, pentafluoroethoxycarbonyl group, perfluorobutoxycarbonyl group, perfluorohexyloxy Carbonyl group, perfluorooctyloxycarbonyl group, phenoxycarbonyl group, naph When the like group, a pyridyloxy group. In addition, the alkyl group, aryl group, arylalkyl group or monovalent heterocyclic group may have a substituent. The carbon number of the substituent does not include the carbon number of the substituted carboxyl group.

상기 화학식 I 중, Z1, Z2, Z3, Z4 및 Z5는 각각 독립적으로 C-(Q)z 또는 질소 원자를 나타내고, Q는 치환기 또는 수소 원자를 나타내고, z는 0 또는 1을 나타낸다.In Formula (I), Z 1 , Z 2 , Z 3 , Z 4, and Z 5 each independently represent C- (Q) z or a nitrogen atom, Q represents a substituent or a hydrogen atom, and z represents 0 or 1 Indicates.

Q에서의 치환기로서는 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 아릴알케닐기, 아릴알키 닐기, 치환 아미노기, 치환 실릴기, 불소 원자, 아실기, 아실옥시기, 아미드기, 산 이미드기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기, 시아노기 및 니트로기 등을 들 수 있으며, 그 정의, 구체예 등은 상기의 그것들과 동일하다.Substituents for Q include alkyl, alkoxy, alkylthio, aryl, aryloxy, arylthio, arylalkyl, arylalkoxy, arylalkylthio, arylalkenyl, arylalkynyl, substituted amino and substituted silyl A group, a fluorine atom, an acyl group, an acyloxy group, an amide group, an acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group, a cyano group, and a nitro group, etc. are mentioned, The definition, the specific example, etc. are mentioned above. Is the same as

A환과 B환은 각각의 환을 구성하는 Z5 이외의 환의 원자를 공유할 수도 있으며, A환, B환 및 C환 중 1개 이상 2개 이하는 비방향족환이다.The A ring and the B ring may share atoms of rings other than Z 5 constituting each ring, and at least one of A ring, B ring and C ring is a non-aromatic ring.

바람직하게는 A환과 B환이 Z5 이외에 1개의 환의 원자를 공유하는 경우이다. 또한, 비방향족환이 1개인 경우가 바람직하다.Preferably ring A and ring B is Z 5 It is a case where the atom of one ring is shared other than this. Moreover, the case where one non-aromatic ring is one is preferable.

또한, 본 발명의 고분자 화합물은 반복 단위로서 하기 화학식 Ia 내지 Ic로 표시되는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the high molecular compound of this invention contains the repeating unit represented by following formula (Ia)-Ic as a repeating unit.

Figure 112007084268841-PCT00007
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Figure 112007084268841-PCT00008
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Figure 112007084268841-PCT00009
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식 중, A환, B환 및 C환은 각각 독립적으로 치환기를 가질 수도 있는 방향족환 또는 비방향족환을 나타내고, Z1, Z2, Z3, Z4 및 Z5는 각각 독립적으로 C-(Q)z 또는 질소 원자를 나타내고, Q는 치환기 또는 수소 원자를 나타내고, z는 0 또는 1을 나타내며, A환과 B환은 Z5 이외의 환의 원자를 공유할 수도 있고, 각 환의 치환기끼리 결합하여 환을 더 형성할 수도 있으며, A환, B환, C환 중 결합손을 갖지 않는 환 중 1개 이상이 비방향족환이다.In the formula, the A ring, the B ring and the C ring each independently represent an aromatic ring or a non-aromatic ring which may have a substituent, and Z 1 , Z 2 , Z 3 , Z 4 And Z 5 each independently represent C- (Q) z or a nitrogen atom, Q represents a substituent or a hydrogen atom, z represents 0 or 1, and the A and B rings may share atoms of a ring other than Z 5 ; In addition, the substituents of each ring may be bonded to each other to further form a ring, and at least one of the rings having no bonding hand among the A ring, the B ring, and the C ring is a non-aromatic ring.

화학식 Ia로 표시되는 반복 단위의 구체예로서는,As a specific example of the repeating unit represented by general formula (Ia),

Figure 112007084268841-PCT00010
Figure 112007084268841-PCT00010

Figure 112007084268841-PCT00011
Figure 112007084268841-PCT00011

Figure 112007084268841-PCT00012
Figure 112007084268841-PCT00012

등 및 이들이 치환기를 갖는 것을 들 수 있다.Etc. and these have a substituent.

화학식 Ib로 표시되는 반복 단위의 구체예로서는,As a specific example of the repeating unit represented by general formula (Ib),

Figure 112007084268841-PCT00013
Figure 112007084268841-PCT00013

Figure 112007084268841-PCT00014
Figure 112007084268841-PCT00014

등 및 이들이 치환기를 갖는 것을 들 수 있다.Etc. and these have a substituent.

화학식 Ic로 표시되는 반복 단위의 구체예로서는,As a specific example of the repeating unit represented by general formula (Ic),

Figure 112007084268841-PCT00015
Figure 112007084268841-PCT00015

Figure 112007084268841-PCT00016
Figure 112007084268841-PCT00016

등 및 이들이 치환기를 갖는 것을 들 수 있다.Etc. and these have a substituent.

상기 화학식 Ia 내지 Ic로 표시되는 반복 단위 중에서, A환, B환 및 C환을 구성하는 원자(「환을 구성하는 원자」란, 환의 골격을 형성하는 원자를 가리킴)는 탄소 원자 이외에 질소, 산소, 황, 규소, 셀레늄 등의 원자를 포함할 수도 있지만, 전하 수송성을 조정한다는 관점에서 A환, B환 및 C환을 구성하는 원자가 모두 탄소 원자인 것이 바람직하다.In the repeating units represented by the above formulas (Ia) to (Ic), the atoms constituting the A ring, the B ring, and the C ring (the term `` atomic constituting the ring '' refers to an atom forming a skeleton of the ring) include nitrogen and oxygen in addition to carbon atoms. Although it may contain atoms, such as sulfur, silicon, and selenium, it is preferable that all the atoms which comprise A ring, B ring, and C ring are carbon atoms from a viewpoint of adjusting charge transport property.

고분자 화합물의 용해성을 높인다는 관점, 발광 파장을 조정한다는 관점, 전하 수송성을 조정한다는 관점에서, A환, B환, C환 중 어느 하나가 치환기를 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that any one of A ring, B ring, and C ring has a substituent from the viewpoint of improving the solubility of a high molecular compound, the viewpoint of adjusting the light emission wavelength, and the viewpoint of adjusting charge transport property.

또한, 전하 수송성의 관점에서는 상기 화학식 Ia, Ib로 표시되는 구조의 반복 단위가 바람직하며, 합성의 용이성이라는 관점에서 상기 화학식 Ia로 표시되는 구조가 더욱 바람직하다.In addition, from the viewpoint of charge transportability, a repeating unit having a structure represented by the formulas (Ia) and (Ib) is preferable, and a structure represented by the formula (Ia) is more preferable in view of ease of synthesis.

또한, 상기 화학식 Ia가 하기 화학식 IIa인 것이 보다 바람직하다.Moreover, it is more preferable that said Formula (Ia) is following Formula (IIa).

Figure 112007084268841-PCT00017
Figure 112007084268841-PCT00017

식 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환기를 나타내고, D환은 치환기를 가질 수도 있는 비방향족환을 나타내고, a는 0 내지 2의 정수를 나타내고, b는 0 내지 3의 정수를 나타내며, R1 및 R2가 각각 복수개 존재하는 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있고, R1과 R2는 서로 결합하여 환을 형성할 수도 있으며, R1 및/또는 R2는 D환과 결합하여 환을 형성할 수도 있고, Q 및 z는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.In the formula, R 1 And R 2 each independently represent a substituent, the D ring represents a non-aromatic ring which may have a substituent, a represents an integer of 0 to 2, b represents an integer of 0 to 3, and R 1 and R 2 are When a plurality of each exists, they may be the same or different, R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring, R 1 And / or R 2 may be bonded to a D ring to form a ring, and Q and z represent the same meaning as described above.

상기 화학식 IIa를 포함하는 반복 단위가, 하기 화학식 IIIa로 표시되는 반복 단위인 것이 바람직하다.It is preferable that the repeating unit containing the said Formula (IIa) is a repeating unit represented by following formula (IIIa).

Figure 112007084268841-PCT00018
Figure 112007084268841-PCT00018

식 중, R1, R2, D환, Q, z, a 및 b는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.In formula, R <1> , R <2> , D ring, Q, z, a, and b show the same meaning as the above.

화학식 IIIa로 표시되는 반복 단위 중에서, 전하 수송성을 조정한다는 관점에서, 하기 화학식 IVa, IVb, IVc 및 IVd로 표시되는 것이 더욱 바람직하다.Among the repeating units represented by the formula (IIIa), those represented by the following formulas (IVa), (IVb), (IVc) and (IVd) are more preferable from the viewpoint of adjusting the charge transportability.

Figure 112007084268841-PCT00019
Figure 112007084268841-PCT00019

Figure 112007084268841-PCT00020
Figure 112007084268841-PCT00020

Figure 112007084268841-PCT00021
Figure 112007084268841-PCT00021

Figure 112007084268841-PCT00022
Figure 112007084268841-PCT00022

식 중, R1a, R1b, R2a 내지 R2c, 및 R3a 내지 R3g는 치환기를 나타내고, 화학식 IVa 내지 IVc에 있어서, R2c와 R3g는 서로 결합하여 환을 형성할 수도 있고, 화학식 IVd에 있어서 R2c와 R3e는 서로 결합하여 환을 형성할 수도 있다.In the formula, R 1a , R 1b , R 2a to R 2c , and R 3a to R 3g represent a substituent, and in Formulas IVa to IVc, R 2c and R 3g may combine with each other to form a ring. In IVd, R 2c and R 3e may combine with each other to form a ring.

서로 결합하여 형성되는 환으로서는 방향족환, 비방향족환 등을 들 수 있으며, 그 구체예 등은 상기에 기재한 바와 동일하다.Examples of the ring formed by bonding to each other include an aromatic ring and a non-aromatic ring, and the specific examples thereof are the same as described above.

또한, 화학식 IVa 내지 IVc의 단위는, 화학식 IIIa에서 z=1인 경우에 포함되며, 화학식 IVd의 단위는 화학식 IIIa에서 z=0인 경우에 포함된다.In addition, the units of Formulas IVa to IVc are included when z = 1 in Formula IIIa, and the units of Formula IVd are included when z = 0 in Formula IIIa.

상기 화학식 IVa로 표시되는 반복 단위의 구체예로서는,As a specific example of the repeating unit represented by the said general formula (IVa),

Figure 112007084268841-PCT00023
Figure 112007084268841-PCT00023

Figure 112007084268841-PCT00024
Figure 112007084268841-PCT00024

를 들 수 있다.Can be mentioned.

상기 화학식 IVb로 표시되는 반복 단위의 구체예로서는,As a specific example of the repeating unit represented by the said general formula (IVb),

Figure 112007084268841-PCT00025
Figure 112007084268841-PCT00025

Figure 112007084268841-PCT00026
Figure 112007084268841-PCT00026

를 들 수 있다.Can be mentioned.

상기 화학식 IVc로 표시되는 반복 단위의 구체예로서는,As a specific example of the repeating unit represented by the said general formula (IVc),

Figure 112007084268841-PCT00027
Figure 112007084268841-PCT00027

Figure 112007084268841-PCT00028
Figure 112007084268841-PCT00028

를 들 수 있다.Can be mentioned.

상기 화학식 IVd로 표시되는 반복 단위의 구체예로서는,As a specific example of the repeating unit represented by the said general formula (IVd),

Figure 112007084268841-PCT00029
Figure 112007084268841-PCT00029

Figure 112007084268841-PCT00030
Figure 112007084268841-PCT00030

를 들 수 있다.Can be mentioned.

식 중, Me는 메틸기, Et는 에틸기를 각각 나타낸다.In formula, Me represents a methyl group and Et represents an ethyl group, respectively.

상기 화학식 Ia, Ib, Ic, IIa, IIIa, IVa, IVb, IVc 및 IVd로 표시되는 구조인 반복 단위의 합계는, 본 발명의 고분자 화합물이 갖는 전체 반복 단위의 합계의 통상 1 몰% 이상 100 몰% 이하이고, 5 몰% 이상 100 몰% 이하인 것이 바람직하다.The sum total of the repeating unit which is a structure represented by the said Formula (Ia), (Ib), (Ic), (IIa), (IIIa), (IVa), (IVb), (IVc), and (IVd) is 1 mol% or more to 100 mol of the sum total of all the repeating units which the high molecular compound of this invention has. It is% or less, and it is preferable that they are 5 mol% or more and 100 mol% or less.

본 발명의 고분자 화합물은, 발광 파장을 변화시킨다는 관점, 발광 효율을 높인다는 관점, 내열성을 향상시킨다는 관점 등으로부터, 상기 화학식 Ia, Ib, Ic, IIa, IIIa, IVa, IVb, IVc 및 IVd로 표시되는 반복 단위에 추가하여, 그 이외의 반복 단위를 1종 이상 포함하는 공중합체가 바람직하다.The polymer compound of the present invention is represented by the above formulas Ia, Ib, Ic, IIa, IIIa, IVa, IVb, IVc and IVd from the viewpoint of changing the emission wavelength, increasing the luminous efficiency, improving the heat resistance, and the like. In addition to the repeating unit used, the copolymer containing 1 or more types of other repeating units is preferable.

상기 화학식 Ia, Ib, Ic, IIa, IIIa, IVa, IVb, IVc 및 IVd로 표시되는 반복 단위 이외의 반복 단위로서는, 하기 화학식 V, 화학식 VI, 화학식 VII 또는 화학식 VIII로 표시되는 반복 단위가 바람직하다.As a repeating unit other than the repeating unit represented by the said Formula (Ia), (Ib), (Ic), (IIa), (IIIa), (IVa), (IVb), (IVc), and (IVd), the repeating unit represented by following formula (V), formula (VI), formula (VII) or formula (VIII) is preferable. .

Figure 112007084268841-PCT00031
Figure 112007084268841-PCT00031

Figure 112007084268841-PCT00032
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Figure 112007084268841-PCT00033
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Figure 112007084268841-PCT00034
Figure 112007084268841-PCT00034

식 중, Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로 아릴렌기, 2가 복소환기 또는 금속 착체 구조를 갖는 2가의 기를 나타낸다. X1, X2 및 X3은 각각 독립적으로 -CR9=CR10-, -C≡C-, -N(R11)-, 또는 -(SiR12R13)m-을 나타낸다. R9 및 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기 또는 시아노기를 나타낸다. R11, R12 및 R13은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 1가 복소환기, 아릴알킬기 또는 치환 아미노기를 나타낸다. ff는 1 또는 2의 정수를 나타낸다. m은 1 내지 12의 정수를 나타낸다. R9, R10, R11, R12 및 R13이 각각 복수개 존재하는 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있다.In the formula, Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 and Ar 4 each independently represent an arylene group, a divalent heterocyclic group or a divalent group having a metal complex structure. X 1 , X 2 and X 3 each independently represent -CR 9 = CR 10- , -C≡C-, -N (R 11 )-, or-(SiR 12 R 13 ) m- . R 9 and R 10 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group. R 11 , R 12 and R 13 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, an arylalkyl group or a substituted amino group. ff represents an integer of 1 or 2. m represents the integer of 1-12. When a plurality of R 9 , R 10 , R 11 , R 12, and R 13 are each present, they may be the same or different.

여기서, 아릴렌기란, 방향족 탄화수소로부터 수소 원자 2개를 제외한 원자단이며, 축합환을 갖는 것, 독립된 벤젠환 또는 축합환 2개 이상이 직접 또는 비닐렌 등의 기를 통해 결합한 것이 포함된다. 아릴렌기는 치환기를 가질 수도 있다.Here, an arylene group is an atomic group remove | excluding two hydrogen atoms from an aromatic hydrocarbon, and the thing which has a condensed ring, and the thing which two or more independent benzene rings or condensed rings couple | bonded directly or through groups, such as vinylene, is included. The arylene group may have a substituent.

치환기로서는 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 아릴알케닐기, 아릴알키닐기, 아미노기, 치환 아미노기, 실릴기, 치환 실릴기, 할로겐 원자, 아실기, 아실옥시기, 이민 잔기, 아미드기, 산 이미드기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기, 시아노기를 들 수 있다.Examples of the substituent include alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, Substituted silyl groups, halogen atoms, acyl groups, acyloxy groups, imine residues, amide groups, acid imide groups, monovalent heterocyclic groups, carboxyl groups, substituted carboxyl groups, and cyano groups.

아릴렌기에서의 치환기를 제외한 부분의 탄소수는 통상 6 내지 60 정도이고, 바람직하게는 6 내지 20이다. 또한, 아릴렌기의 치환기를 포함시킨 전체 탄소수는, 통상 6 내지 100 정도이다.Carbon number of the part except a substituent in an arylene group is about 6-60 normally, Preferably it is 6-20. In addition, the total carbon number containing the substituent of an arylene group is about 6-100 normally.

아릴렌기로서는 페닐렌기(예를 들면, 하기 화학식 1 내지 3), 나프탈렌디일기(하기 화학식 4 내지 13), 안트라센-디일기(하기 화학식 14 내지 19), 비페닐-디 일기(하기 화학식 20 내지 25), 플루오렌-디일기(하기 화학식 36 내지 38), 터페닐-디일기(하기 화학식 26 내지 28), 축합환 화합물기(하기 화학식 29 내지 35), 스틸벤-디일(하기 화학식 A 내지 D), 디스틸벤-디일(하기 화학식 E, F) 등이 예시된다. 그 중에서도 페닐렌기, 비페닐렌기, 플루오렌-디일기, 스틸벤-디일기가 바람직하다.Examples of the arylene group include a phenylene group (for example, formulas 1 to 3), a naphthalenediyl group (formulas 4 to 13), anthracene-diyl group (formulas 14 to 19), and a biphenyl-didiary (formulas 20 to 20). 25), fluorene-diyl group (formulas 36 to 38), terphenyl-diyl group (formulas 26 to 28), condensed cyclic compound groups (formula 29 to 35), stilbene-diyl (formulas A to D), distilbene-diyl (formulas E, F) and the like are exemplified. Especially, a phenylene group, a biphenylene group, a fluorene- diyl group, and a stilbene- diyl group are preferable.

Figure 112007084268841-PCT00035
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Figure 112007084268841-PCT00036
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Figure 112007084268841-PCT00037
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Figure 112007084268841-PCT00038
Figure 112007084268841-PCT00038

또한, Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4에서의 2가 복소환기란, 복소환 화합물로부터 수소 원자 2개를 제외하고 남은 원자단을 말하며, 상기 기는 치환기를 가질 수도 있다. 여기서, 복소환 화합물이란, 환식 구조를 갖는 유기 화합물 중, 환을 구성하는 원소가 탄소 원자뿐만 아니라, 산소, 황, 질소, 인, 붕소, 비소 등의 헤테로 원자를 환 내에 포함하는 것을 말한다. 2가 복소환기 중에서는 방향족 복소환기가 바람직하다.In addition, the bivalent heterocyclic group in Ar <1> , Ar <2> , Ar <3>, and Ar <4> means the atomic group which removed two hydrogen atoms from the heterocyclic compound, and the said group may have a substituent. Here, a heterocyclic compound means that in the organic compound which has a cyclic structure, the element which comprises a ring contains not only a carbon atom but hetero atoms, such as oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus, boron, arsenic, in a ring. Of the divalent heterocyclic groups, aromatic heterocyclic groups are preferable.

치환기로서는 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 아릴알케닐기, 아릴알키닐기, 아미노기, 치환 아미노기, 실릴기, 치환 실릴기, 할로겐 원자, 아실기, 아실옥시기, 이민 잔기, 아미드기, 산 이미드기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기, 시아노기를 들 수 있다.Examples of the substituent include alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, Substituted silyl groups, halogen atoms, acyl groups, acyloxy groups, imine residues, amide groups, acid imide groups, monovalent heterocyclic groups, carboxyl groups, substituted carboxyl groups, and cyano groups.

2가 복소환기에서의 치환기를 제외한 부분의 탄소수는 통상 3 내지 60 정도이다. 또한, 2가 복소환기의 치환기를 포함시킨 전체 탄소수는, 통상 3 내지 100 정도이다.Carbon number of the part except the substituent in a bivalent heterocyclic group is about 3-60 normally. In addition, the total carbon number containing the substituent of a bivalent heterocyclic group is about 3-100 normally.

2가 복소환기로서는, 예를 들면 이하의 것을 들 수 있다.As a bivalent heterocyclic group, the following are mentioned, for example.

헤테로 원자로서 질소를 포함하는 2가 복소환기: 피리딘-디일기(하기 화학식 39 내지 44), 디아자페닐렌기(하기 화학식 45 내지 48), 퀴놀린디일기(하기 화학식 49 내지 63), 퀴녹살린디일기(하기 화학식 64 내지 68), 아크리딘디일기(하기 화학식 69 내지 72), 비피리딜디일기(하기 화학식 73 내지 75), 페난트롤린디일기(하기 화학식 76 내지 78) 등;Divalent heterocyclic group containing nitrogen as a hetero atom: pyridine-diyl group (formulas 39 to 44), diazaphenylene group (formulas 45 to 48), quinolindiyl group (formulas 49 to 63), and quinoxalindi Diary (Formula 64-68), acridinediyl group (Formula 69-72), bipyridyldiyl group (Formula 73-75), phenanthrolinediyl group (Formula 76-78), and the like;

헤테로 원자로서 규소, 질소, 셀레늄 등을 포함하고, 플루오렌 구조를 갖는 기(하기 화학식 79 내지 93);Groups containing silicon, nitrogen, selenium, and the like as hetero atoms, and having a fluorene structure (formulas 79-93);

헤테로 원자로서 규소, 질소, 황, 셀레늄 등을 포함하는 5원환 복소환기(하기 화학식 94 내지 98);5-membered ring heterocyclic groups including silicon, nitrogen, sulfur, selenium, etc. as a hetero atom (formulas 94-98);

헤테로 원자로서 규소, 질소, 셀레늄 등을 포함하는 5원환 축합 복소환기(하기 화학식 99 내지 100, 화학식 102 내지 110);5-membered ring condensed heterocyclic group containing silicon, nitrogen, selenium, etc. as a hetero atom (formulas 99 to 100, 102 to 110);

헤테로 원자로서 규소, 질소, 황, 셀레늄 등을 포함하는 5원환 복소환기이며, 그 헤테로 원자의 α 위치에서 결합하여 이량체나 올리고머로 되어 있는 기(하기 화학식 111 내지 112);A 5-membered ring heterocyclic group containing silicon, nitrogen, sulfur, selenium and the like as a hetero atom, and a group bonded at the α position of the hetero atom to form a dimer or oligomer (formulas 111 to 112);

헤테로 원자로서 규소, 질소, 황, 셀레늄 등을 포함하는 5원환 복소환기이 며, 그 헤테로 원자의 α 위치에서 페닐기에 결합하고 있는 기(하기 화학식 113 내지 119);A 5-membered ring heterocyclic group including silicon, nitrogen, sulfur, selenium, etc. as a hetero atom, and a group bonded to a phenyl group at the α position of the hetero atom (Formulas 113 to 119);

헤테로 원자로서 산소, 질소, 황 등을 포함하는 5원환 축합 복소환기에 페닐기나 푸릴기, 티에닐기가 치환된 기(하기 화학식 120 내지 125)를 들 수 있다.Examples of the hetero atom include groups in which a phenyl group, a furyl group, and a thienyl group are substituted with a 5-membered ring condensed heterocyclic group containing oxygen, nitrogen, sulfur, and the like (formulas 120 to 125).

Figure 112007084268841-PCT00039
Figure 112007084268841-PCT00039

Figure 112007084268841-PCT00040
Figure 112007084268841-PCT00040

Figure 112007084268841-PCT00041
Figure 112007084268841-PCT00041

Figure 112007084268841-PCT00042
Figure 112007084268841-PCT00042

Figure 112007084268841-PCT00043
Figure 112007084268841-PCT00043

또한, Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4에서의 금속 착체 구조를 갖는 2가의 기란, 유기 배위자를 갖는 금속 착체의 유기 배위자로부터 수소 원자를 2개 제외하고 남은 2가의 기이다.In addition, the divalent group which has a metal complex structure in Ar <1> , Ar <2> , Ar <3>, and Ar <4> is a divalent group remaining except two hydrogen atoms from the organic ligand of the metal complex which has an organic ligand.

상기 유기 배위자의 탄소수는 통상 4 내지 60 정도이며, 예를 들면 8-퀴놀리놀 및 그의 유도체, 벤조퀴놀리놀 및 그의 유도체, 2-페닐-피리딘 및 그의 유도체, 2-페닐-벤조티아졸 및 그의 유도체, 2-페닐-벤조옥사졸 및 그의 유도체, 포르피린 및 그의 유도체 등을 들 수 있다.The carbon number of the organic ligand is usually about 4 to 60, for example 8-quinolinol and its derivatives, benzoquinolinol and its derivatives, 2-phenyl-pyridine and its derivatives, 2-phenyl-benzothiazole and Derivatives thereof, 2-phenyl-benzoxazole and derivatives thereof, porphyrins and derivatives thereof, and the like.

또한, 상기 착체의 중심 금속으로서는, 예를 들면 알루미늄, 아연, 베릴륨, 이리듐, 백금, 금, 유로퓸, 테르븀 등을 들 수 있다.Moreover, as a center metal of the said complex, aluminum, zinc, beryllium, iridium, platinum, gold, europium, terbium, etc. are mentioned, for example.

유기 배위자를 갖는 금속 착체로서는 저분자의 형광 재료, 인광 재료로서 공지된 금속 착체, 삼중항 발광 착체 등을 들 수 있다.As a metal complex which has an organic ligand, a low molecular fluorescent material, a metal complex known as a phosphorescent material, a triplet light emission complex, etc. are mentioned.

금속 착체 구조를 갖는 2가의 기로서는, 구체적으로는 하기 화학식 126 내지 132가 예시된다.As a bivalent group which has a metal complex structure, the following general formula (126-132) is illustrated specifically.

Figure 112007084268841-PCT00044
Figure 112007084268841-PCT00044

Figure 112007084268841-PCT00045
Figure 112007084268841-PCT00045

상기 화학식 1 내지 132에 있어서, R은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 아릴알케닐기, 아릴알키닐기, 아미노기, 치환 아미노기, 실릴기, 치환 실릴기, 할로겐 원자, 아실기, 아실옥시기, 이민 잔기, 아미드기, 산 이미드기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기 또는 시아노기를 나타낸다. 또한, 화학식 1 내지 132의 기가 갖는 탄소 원자는 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자와 치환될 수도 있고, 수소 원자는 불소 원자로 치환될 수도 있다.In Chemical Formulas 1 to 132, R each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, or an arylalke Neyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group or cyano group Indicates. In addition, the carbon atoms of the groups of Formulas 1 to 132 may be substituted with a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom, and the hydrogen atom may be substituted with a fluorine atom.

또한, 상기 화학식 V, VI, VII, VIII로 표시되는 반복 단위 중에서는, 하기 화학식 IX, 화학식 X, 화학식 XI, 화학식 XII, 화학식 XIII, 또는 화학식 XIV로 표시되는 반복 단위가 바람직하다.Moreover, in the repeating unit represented by the said Formula (V), VI, VII, VIII, the repeating unit represented by the following Formula (IX), Formula (X), Formula (XI), Formula (XII), Formula (XIII), or Formula (XIV) is preferable.

Figure 112007084268841-PCT00046
Figure 112007084268841-PCT00046

식 중, R14는 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 아릴알케닐기, 아릴알키닐기, 아 미노기, 치환 아미노기, 실릴기, 치환 실릴기, 할로겐 원자, 아실기, 아실옥시기, 이민 잔기, 아미드기, 산 이미드기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기 또는 시아노기를 나타내고, n은 0 내지 4의 정수를 나타내며, R14가 복수개 존재하는 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있다.In the formula, R 14 represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, an amino group, Substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group or cyano group, n is 0-4 In the case of plural R 14 's, these may be the same or different.

Figure 112007084268841-PCT00047
Figure 112007084268841-PCT00047

식 중, R15 및 R16은 각각 독립적으로 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 아릴알케닐기, 아릴알키닐기, 아미노기, 치환 아미노기, 실릴기, 치환 실릴기, 할로겐 원자, 아실기, 아실옥시기, 이민 잔기, 아미드기, 산 이미드기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기 또는 시아노기를 나타내고, o 및 p는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수를 나타내며, R15 및 R16이 각각 복수개 존재하는 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있다.In formula, R <15> and R <16> is respectively independently alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalki A silyl group, an amino group, a substituted amino group, a silyl group, a substituted silyl group, a halogen atom, an acyl group, an acyloxy group, an imine residue, an amide group, an acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group, and o And p each independently represent an integer of 0 to 3, and when a plurality of R 15 and R 16 are each present, they may be the same or different.

Figure 112007084268841-PCT00048
Figure 112007084268841-PCT00048

식 중, R17 및 R20은 각각 독립적으로 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 아릴알케닐기, 아릴알키닐기, 아미노기, 치환 아미노기, 실릴기, 치환 실릴기, 할로겐 원자, 아실기, 아실옥시기, 이민 잔기, 아미드기, 산 이미드기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기 또는 시아노기를 나타내고, q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수를 나타내고, R18 및 R19는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기 또는 시아노기를 나타내며, R17 및 R20이 복수개 존재하는 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있다.In the formula, each of R 17 and R 20 is independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, or an arylalki A silyl group, an amino group, a substituted amino group, a silyl group, a substituted silyl group, a halogen atom, an acyl group, an acyloxy group, an imine residue, an amide group, an acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group, or a cyano group, and q And r each independently represent an integer of 0 to 4, R 18 and R 19 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group, and R 17 and R When a plurality of 20 are present, they may be the same or different.

Figure 112007084268841-PCT00049
Figure 112007084268841-PCT00049

식 중, R21은 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 아릴알케닐기, 아릴알키닐기, 아 미노기, 치환 아미노기, 실릴기, 치환 실릴기, 할로겐 원자, 아실기, 아실옥시기, 이민 잔기, 아미드기, 산 이미드기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기 또는 시아노기를 나타내고, s는 0 내지 2의 정수를 나타내고, Ar13 및 Ar14는 각각 독립적으로 아릴렌기, 2가 복소환기 또는 금속 착체 구조를 갖는 2가의 기를 나타내고, ss 및 tt는 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타내고, X4는 O, S, SO, SO2, Se, 또는 Te를 나타내며, R21이 복수개 존재하는 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있다.In the formula, R 21 represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, an amino group, Substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group or cyano group, s represents 0 to 2 Represents an integer of, Ar 13 and Ar 14 each independently represent an arylene group, a divalent heterocyclic group or a divalent group having a metal complex structure, ss and tt each independently represent 0 or 1, and X 4 represents O, S, SO, SO 2 , Se, or Te, and when there are a plurality of R 21 s , they may be the same or different.

Figure 112007084268841-PCT00050
Figure 112007084268841-PCT00050

식 중, R22 및 R25는 각각 독립적으로 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 아릴알케닐기, 아릴알키닐기, 아미노기, 치환 아미노기, 실릴기, 치환 실릴기, 할로겐 원자, 아실기, 아실옥시기, 이민 잔기, 아미드기, 산 이미드기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기 또는 시아노기를 나타내고, t 및 u는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수를 나타내고, X5는 O, S, SO2, Se, Te, N-R24, 또는 SiR25R26을 나타내고, X6 및 X7은 각각 독립적으로 N 또는 C-R27을 나타내고, R24, R25, R26 및 R27은 각 각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 아릴알킬기 또는 1가 복소환기를 나타내며, R22, R23 및 R27이 복수개 존재하는 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있다.In the formula, R 22 and R 25 are each independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, or an arylalki A silyl group, an amino group, a substituted amino group, a silyl group, a substituted silyl group, a halogen atom, an acyl group, an acyloxy group, an imine residue, an amide group, an acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group, or a cyano group, and t And u each independently represent an integer of 0 to 4, X 5 represents O, S, SO 2 , Se, Te, NR 24 , or SiR 25 R 26 , X 6 and X 7 are each independently N or CR 27 , R 24 , R 25 , R 26 and R 27 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group or a monovalent heterocyclic group, and a plurality of R 22 , R 23 and R 27 are present. If so, they may be the same or different.

화학식 XI로 표시되는 반복 단위의 중앙의 5원환의 예로서는, 티아디아졸, 옥사디아졸, 트리아졸, 티오펜, 푸란, 시롤 등을 들 수 있다.Examples of the 5-membered ring in the center of the repeating unit represented by the formula (XI) include thiadiazole, oxadiazole, triazole, thiophene, furan, and sirol.

Figure 112007084268841-PCT00051
Figure 112007084268841-PCT00051

식 중, R28 및 R33은 각각 독립적으로 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 아릴알케닐기, 아릴알키닐기, 아미노기, 치환 아미노기, 실릴기, 치환 실릴기, 할로겐 원자, 아실기, 아실옥시기, 이민 잔기, 아미드기, 산 이미드기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기 또는 시아노기를 나타내고, v 및 w는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수를 나타내고, R29, R30, R31 및 R36은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기 또는 시아노기를 나타내고, Ar5는 아릴렌기, 2가 복소환기 또는 금속 착체 구조를 갖는 2가의 기를 나타내며, R28 및 R33이 복수개 존재하는 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있다.In the formula, R 28 and R 33 each independently represent an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, or an arylalki A silyl group, an amino group, a substituted amino group, a silyl group, a substituted silyl group, a halogen atom, an acyl group, an acyloxy group, an imine residue, an amide group, an acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group, or a cyano group, and v And w each independently represent an integer of 0 to 4, and R 29 , R 30 , R 31 and R 36 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group And Ar 5 represents an arylene group, a divalent heterocyclic group or a divalent group having a metal complex structure, and when a plurality of R 28 and R 33 are present, these may be the same or different.

또한, 상기 화학식 VI으로 표시되는 반복 단위 중에서, 하기 화학식 XV로 표 시되는 반복 단위가 발광 파장을 변화시킨다는 관점, 발광 효율을 높인다는 관점, 내열성을 향상시킨다는 관점에서도 바람직하다.In addition, it is preferable also from the viewpoint of changing the light emission wavelength, the viewpoint of improving luminous efficiency, and the heat resistance among the repeating units represented by the above formula (VI).

Figure 112007084268841-PCT00052
Figure 112007084268841-PCT00052

식 중, Ar6, Ar7, Ar8 및 Ar9는 각각 독립적으로 아릴렌기 또는 2가 복소환기를 나타내고, Ar10, Ar11 및 Ar12는 각각 독립적으로 아릴기 또는 1가 복소환기를 나타내고, Ar6, Ar7, Ar8, Ar9 및 Ar10은 치환기를 가질 수도 있으며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타내고, 0≤x+y≤1이다.In the formula, Ar 6 , Ar 7 , Ar 8 and Ar 9 each independently represent an arylene group or a divalent heterocyclic group, Ar 10 , Ar 11 and Ar 12 each independently represent an aryl group or monovalent heterocyclic group, Ar 6 , Ar 7 , Ar 8 , Ar 9 and Ar 10 may have a substituent, and x and y each independently represent 0 or 1, and 0 ≦ x + y ≦ 1.

상기 화학식 XV로 표시되는 반복 단위의 구체예로서는, 하기 화학식 133 내지 140으로 표시되는 것을 들 수 있다.Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (XV) include those represented by the following general formulas (133) to (140).

Figure 112007084268841-PCT00053
Figure 112007084268841-PCT00053

Figure 112007084268841-PCT00054
Figure 112007084268841-PCT00054

상기 화학식에 있어서, R은 상기 화학식 1 내지 132의 R과 동일하다.In the above formula, R is the same as R in the formula (1) to 132.

유기 용매에의 용해성을 높이기 위해서는, 수소 원자 이외의 것을 1개 이상 갖는 것이 바람직하며, 또한 치환기를 포함시킨 반복 단위의 형상의 대칭성이 적은 것이 바람직하다.In order to improve the solubility in an organic solvent, it is preferable to have one or more things other than a hydrogen atom, and it is preferable that the symmetry of the shape of the repeating unit containing a substituent is small.

상기 화학식에 있어서, R이 알킬을 포함하는 치환기에 있어서는, 고분자 화합물의 용매에의 용해성을 높이기 위해, 1개 이상에 환상 또는 분지가 있는 알킬이 포함되는 것이 바람직하다.In the above formula, in the substituent in which R contains alkyl, in order to improve the solubility of the high molecular compound in the solvent, it is preferable that one or more alkyl which has a cyclic or branched thing is contained.

또한, 상기 화학식에 있어서, R이 아릴기나 복소환기를 그 일부에 포함하는 경우에는, 이들이 1개 이상의 치환기를 더 가질 수도 있다.In the above chemical formula, when R contains an aryl group or a heterocyclic group in a part thereof, these may further have one or more substituents.

상기 화학식 XV로 표시되는 반복 단위에 있어서, 발광 파장을 조절한다는 관점, 소자 특성 등의 관점에서, Ar6, Ar7, Ar8 및 Ar9가 각각 독립적으로 아릴렌기이고, Ar10, Ar11 및 Ar12가 각각 독립적으로 아릴기를 나타내는 것이 바람직하다.In the repeating unit represented by the above formula (XV), Ar 6 , Ar 7 , Ar 8, and Ar 9 are each independently an arylene group from the viewpoint of adjusting the emission wavelength, device characteristics, and the like, and Ar 10 , Ar 11, and It is preferable that Ar 12 each independently represent an aryl group.

Ar6, Ar7, Ar8로서는, 각각 독립적으로 비치환의 페닐렌기, 비치환의 비페닐기, 비치환의 나프틸렌기, 비치환의 안트라센디일기인 경우가 바람직하다.Ar 6 , Ar 7 and Ar 8 are each preferably an unsubstituted phenylene group, an unsubstituted biphenyl group, an unsubstituted naphthylene group, or an unsubstituted anthracenediyl group.

Ar10, Arl1 및 Ar12로서는, 용해성, 발광 효율, 안정성의 관점에서 각각 독립적으로 3개 이상의 치환기를 갖는 아릴기인 것이 바람직하고, Ar10, Ar11 및 Ar12가 치환기를 3개 이상 갖는 페닐기, 3개 이상의 치환기를 갖는 나프틸기 또는 3개 이상의 치환기를 갖는 안트라닐기인 것이 보다 바람직하고, Ar10, Ar11 및 Ar12가 치환기를 3개 이상 갖는 페닐기인 것이 더욱 바람직하다.Ar 10, As Ar l1 and Ar 12, the solubility, the luminous efficiency, a phenyl group, an aryl group from the point of view of stability that has three or more substituents each independently is preferable, and the Ar 10, Ar 11 and Ar 12 has a substituent at least three It is more preferable that it is a naphthyl group which has 3 or more substituents, or an anthranyl group which has 3 or more substituents, and it is still more preferable that Ar <10> , Ar <11> and Ar <12> are phenyl groups which have 3 or more substituents.

그 중에서도 Ar10, Ar11 및 Ar12가 각각 독립적으로 하기 화학식 XVa인 것이 바람직하다.Especially, it is preferable that Ar <10> , Ar <11> and Ar <12> are respectively independently the following general formula XVa.

Figure 112007084268841-PCT00055
Figure 112007084268841-PCT00055

식 중, Re, Rf 및 Rg는 각각 독립적으로 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 아릴알케닐기, 아릴알키닐기, 아미노기, 치환 아미노기, 실릴기, 치환 실릴기, 실릴옥시기, 치환 실릴옥시기, 1가 복소환기 또는 할로겐 원자를 나타낸다.In formula, Re, Rf, and Rg are respectively independently alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalky And a silyl group, an amino group, a substituted amino group, a silyl group, a substituted silyl group, a silyloxy group, a substituted silyloxy group, a monovalent heterocyclic group or a halogen atom.

상기 화학식 XV로 표시되는 반복 단위에 있어서, Ar7이 하기 화학식 XVb 또는 XVc인 것이 바람직하다.In the repeating unit represented by Chemical Formula XV, Ar 7 is preferably the following Chemical Formula XVb or XVc.

Figure 112007084268841-PCT00056
Figure 112007084268841-PCT00056

Figure 112007084268841-PCT00057
Figure 112007084268841-PCT00057

여기서, 화학식 XVb, XVc로 표시되는 구조에 포함되는 벤젠환은, 각각 독립적으로 1개 이상 4개 이하의 치환기를 가질 수도 있고, 이들 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 또한 복수의 치환기가 연결하여 환을 형성할 수도 있고, 상기 벤젠환에 인접하여 다른 방향족 탄화수소환 또는 복소환이 결합할 수도 있다.Herein, the benzene rings included in the structures represented by the formulas XVb and XVc may each independently have one or more than four substituents, and these substituents may be the same or different from each other, and a plurality of substituents may be linked to A ring may be formed and another aromatic hydrocarbon ring or heterocyclic ring may be adjacent to the benzene ring.

상기 화학식 XV로 표시되는 반복 단위로서, 특히 바람직한 구체예로서는 하기 화학식 141 내지 142로 표시되는 것을 들 수 있다.As a repeating unit represented by the said Formula (XV), what is shown by following formula (141)-142 is mentioned as an especially preferable specific example.

Figure 112007084268841-PCT00058
Figure 112007084268841-PCT00058

식 중, Re 내지 Rg는 상술한 바와 같다.In the formula, Re to Rg are as described above.

상기 화학식에 있어서, Re 내지 Rg는 상기 화학식 1 내지 132의 그것과 동일하다. 용매에의 용해성을 높이기 위해서는, 수소 원자 이외의 것을 1개 이상 갖는 것이 바람직하며, 또한 치환기를 포함시킨 반복 단위의 형상의 대칭성이 적은 것이 바람직하다.In the above formula, Re to Rg is the same as that of the formula (1) to (132). In order to improve the solubility to a solvent, it is preferable to have one or more things other than a hydrogen atom, and it is preferable that there is little symmetry of the shape of the repeating unit which contained the substituent.

상기 화학식에 있어서, R이 알킬쇄를 포함하는 치환기에 있어서는, 고분자 화합물의 용매에의 용해성을 높이기 위해, 1개 이상에 환상 또는 분지가 있는 알킬쇄가 포함되는 것이 바람직하다.In the above formula, in the substituent in which R contains an alkyl chain, in order to increase the solubility of the high molecular compound in the solvent, it is preferable that at least one alkyl chain having a cyclic or branched chain is included.

또한, 상기 화학식에 있어서, R이 아릴기나 복소환기를 그 일부에 포함하는 경우에는, 이들이 1개 이상의 치환기를 더 가질 수도 있다.In the above chemical formula, when R contains an aryl group or a heterocyclic group in a part thereof, these may further have one or more substituents.

또한, 본 발명의 고분자 화합물은, 발광 특성이나 전하 수송 특성을 손상시 키지 않는 범위에서, 상기 화학식 Ia, Ib, Ic 및 화학식 V 내지 화학식 XV로 표시되는 반복 단위 이외의 반복 단위를 포함할 수도 있다. 또한, 이들 반복 단위나 다른 반복 단위가 비공액 단위로 연결될 수도 있고, 반복 단위에 이들 비공액 부분이 포함될 수도 있다. 결합 구조로서는 이하에 나타내는 것, 및 이하에 나타내는 것 중 2개 이상을 조합한 것 등이 예시된다. 여기서, R은 상기의 것과 동일한 치환기로부터 선택되는 기이며, Ar은 탄소수 6 내지 60개의 탄화수소기를 나타낸다.In addition, the polymer compound of the present invention may include repeating units other than the repeating units represented by the above formulas (Ia), (Ib), (Ic) and (V) to (XV) within a range that does not impair the luminescence properties or the charge transport properties. . In addition, these repeating units or other repeating units may be linked to non-conjugated units, and these non-conjugated portions may be included in the repeating units. As a coupling structure, what combined two or more of what is shown below, and what is shown below is illustrated. Here, R is group selected from the same substituent as the above, Ar represents a C6-C60 hydrocarbon group.

Figure 112007084268841-PCT00059
Figure 112007084268841-PCT00059

본 발명의 고분자 화합물 중에서는, 상기 화학식 Ia로 표시되는 반복 단위만을 포함하는 것, 및/또는 화학식 Ib로 표시되는 반복 단위만을 포함하는 것, 및/또는 화학식 Ic로 표시되는 반복 단위만을 포함하는 것, 실질적으로 상기 화학식 Ia 및/또는 Ib 및/또는 Ic와 상기 화학식 V 내지 XV로 표시되는 반복 단위 중 하나 이상을 포함하는 것이 바람직하다.Among the polymer compounds of the present invention, those containing only the repeating unit represented by the formula (Ia), and / or containing only the repeating unit represented by the formula (Ib), and / or containing only the repeating unit represented by the formula (Ic). It is preferable to include at least one of the repeating units represented by the above formulas (Ia) and / or (Ib) and / or (Ic) and the above formulas (V) to (XV).

또한, 본 발명의 고분자 화합물은 랜덤, 블럭 또는 그래프트 공중합체일 수도 있고, 이들의 중간적인 구조를 갖는 고분자, 예를 들면 블럭성을 띤 랜덤 공중 합체일 수도 있다. 형광 또는 인광의 양자 수율이 높은 고분자 발광체를 얻는다는 관점에서는, 완전한 랜덤 공중합체보다 블럭성을 띤 랜덤 공중합체나 블럭 또는 그래프트 공중합체가 바람직하다. 주쇄에 분지 구조가 있고, 말단부가 3개 이상인 경우나 덴드리머도 포함된다.Further, the polymer compound of the present invention may be a random, block or graft copolymer, or may be a polymer having an intermediate structure thereof, for example, a block copolymer random copolymer. From the viewpoint of obtaining a polymer light emitting body having a high quantum yield of fluorescence or phosphorescence, a block copolymer or a block copolymer or a graft copolymer having a block property is preferable to a completely random copolymer. Branches have a branched structure in the main chain, and include a dendrimer or a case having three or more terminal portions.

또한, 본 발명의 고분자 화합물의 말단기는, 중합 활성기가 그대로 남아 있으면 소자로 했을 때의 발광 특성이나 수명이 저하될 가능성이 있기 때문에, 안정한 기로 보호될 수도 있다. 주쇄의 공액 구조와 연속된 공액 결합을 갖는 것이 바람직하며, 예를 들면 탄소-탄소 결합을 통해 아릴기 또는 복소환기와 결합하고 있는 구조가 예시된다. 구체적으로는 일본 특허 공개 (평)9-45478호 공보의 화학식 10에 기재된 치환기 등이 예시된다.In addition, the terminal group of the polymer compound of the present invention may be protected by a stable group since the luminescence properties and lifespan of the device may be reduced if the polymerization active group remains as it is. It is preferable to have a conjugated bond continuous with the conjugated structure of the main chain, and for example, a structure bonded to an aryl group or a heterocyclic group via a carbon-carbon bond is illustrated. Specifically, the substituent etc. which are described in the formula (10) of Unexamined-Japanese-Patent No. 9-45478 are illustrated.

본 발명의 고분자 화합물에 있어서는, 그 분자쇄 말단의 한쪽 이상이 1가 복소환기, 1가 방향족 아민기, 복소환 배위 금속 착체로부터 유도되는 1가의 기 및 아릴기로부터 선택되는 방향족 말단기인 것이 바람직하다. 이 방향족 말단기는 1종일 수도 있고, 2종일 수도 있다. 방향족 말단기 이외의 말단기는, 형광 특성이나 소자 특성의 관점에서 실질적으로 존재하지 않는 것이 바람직하다. 여기서, 분자쇄 말단이란, 본 발명의 제조 방법에 의해 고분자 화합물의 말단에 존재하는 방향족 말단기, 중합에 이용한 단량체의 이탈기이며, 중합시에 이탈하지 않고 고분자 화합물의 말단에 존재하는 이탈기, 고분자 화합물의 말단에 존재하는 단량체에 유래하는 이탈기가 떨어진 것의 방향족 말단기가 결합하지 않고 대신에 결합한 수소 원자를 말한다. 이들 분자쇄 말단 중, 중합에 이용한 단량체의 이탈기이며, 중합 시에 이탈하지 않고 고분자 화합물의 말단에 존재하는 이탈기, 예를 들면 원료로서 할로겐 원자를 갖는 단량체를 사용하여 본 발명의 고분자 화합물을 제조하는 경우 등에는, 할로겐이 고분자 화합물 말단에 남아 있으면 형광 특성 등이 저하되는 경향이 있기 때문에, 말단에는 단량체의 이탈기가 실질적으로 남아 있지 않은 것이 바람직하다.In the polymer compound of the present invention, it is preferable that at least one of the terminal ends of the molecular chain is an aromatic terminal group selected from a monovalent heterocyclic group, a monovalent aromatic amine group, a monovalent group derived from a heterocyclic coordination metal complex, and an aryl group. . 1 type may be sufficient as this aromatic terminal group, and 2 types may be sufficient as it. It is preferable that terminal groups other than an aromatic terminal group do not exist substantially from a viewpoint of a fluorescent characteristic or an element characteristic. Here, the molecular chain terminal is an aromatic terminal group present at the terminal of the high molecular compound by the production method of the present invention, the leaving group of the monomer used for polymerization, the leaving group present at the terminal of the high molecular compound without leaving at the time of polymerization, The hydrogen atom which the aromatic terminal group of the leaving group derived from the monomer which exists in the terminal of a high molecular compound fell, did not couple | bond, but couple | bonded instead. Among these molecular chain ends, the polymer compound of the present invention is used by using a leaving group which is a leaving group of the monomer used for polymerization and which does not leave at the time of polymerization but is present at the terminal of the high molecular compound, for example, a monomer having a halogen atom as a raw material. In the case of manufacture, since fluorescent property etc. tend to fall when halogen remains in the terminal of a high molecular compound, it is preferable that the leaving group of a monomer does not remain in the terminal substantially.

고분자 화합물에 있어서는, 그 분자쇄 말단의 한쪽 이상을 1가 복소환기, 1가 방향족 아민기, 복소환 배위 금속 착체로부터 유도되는 1가의 기 또는 화학식량 90 이상의 아릴기로부터 선택되는 방향족 말단기로 밀봉함으로써, 고분자 화합물에 여러가지 특성을 부가하는 것이 기대된다. 구체적으로는 소자의 휘도 저하에 필요한 시간을 늘리는 효과, 전하 주입성, 전하 수송성, 발광 특성 등을 높이는 효과, 공중합체간의 상용성이나 상호 작용을 높이는 효과, 앵커적인 효과 등을 들 수 있다.In the high molecular compound, at least one of the molecular chain ends is sealed with an aromatic end group selected from a monovalent heterocyclic group, a monovalent aromatic amine group, a monovalent group derived from a heterocyclic coordination metal complex, or an aryl group having a formula weight of 90 or more. It is expected to add various characteristics to a high molecular compound by this. Specifically, the effect of increasing the time required for lowering the brightness of the device, the effect of increasing the charge injection property, the charge transporting property, the light emission characteristics, and the like, the effect of increasing the compatibility or interaction between the copolymers, the anchoring effect, and the like.

1가 방향족 아민기로서는, 상기 화학식 XV의 구조에 있어서 2개 갖는 결합손 중의 1개를 R로 밀봉한 구조가 예시된다.As a monovalent aromatic amine group, the structure which sealed one of two bonds which have two in the structure of the said general formula (XV) with R is illustrated.

복소환 배위 금속 착체로부터 유도되는 1가의 기로서는, 상술한 금속 착체 구조를 갖는 2가의 기에 있어서 2개 갖는 결합손 중의 1개를 R로 밀봉한 구조가 예시된다.As a monovalent group guide | induced from a heterocyclic coordination metal complex, the structure which sealed one of two bonding hands which has two in the bivalent group which has the metal complex structure mentioned above with R is illustrated.

본 발명의 고분자 화합물이 갖는 방향족 말단기 중에서, 화학식량 90 이상의 아릴기는 탄소수가 통상 6 내지 60 정도이다. 여기서, 아릴기의 화학식량이란 아릴기를 화학식으로 나타냈을 때, 이 화학식 중의 각 원소에 대하여 각각의 원소의 원자수에 원자량을 곱한 것의 합을 말한다.Among the aromatic end groups possessed by the polymer compound of the present invention, the aryl group having a formula weight of 90 or more usually has 6 to 60 carbon atoms. Here, the formula weight of an aryl group means the sum of the product of the number of atoms of each element multiplied by the atomic weight of each element in the formula when the aryl group is represented by the formula.

아릴기로서는 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오렌 구조를 갖는 기, 축합환 화합물기 등을 들 수 있다.As an aryl group, the group which has a phenyl group, a naphthyl group, anthracenyl group, a fluorene structure, a condensed cyclic compound group, etc. are mentioned.

말단을 밀봉하는 페닐기로서는, 예를 들면As a phenyl group sealing the terminal, for example

Figure 112007084268841-PCT00060
Figure 112007084268841-PCT00060

를 들 수 있다.Can be mentioned.

말단을 밀봉하는 나프틸기로서는, 예를 들면As a naphthyl group which seals a terminal, for example

Figure 112007084268841-PCT00061
Figure 112007084268841-PCT00061

를 들 수 있다.Can be mentioned.

안트라세닐기로서는, 예를 들면As an anthracenyl group, for example

Figure 112007084268841-PCT00062
Figure 112007084268841-PCT00062

를 들 수 있다.Can be mentioned.

플루오렌 구조를 포함하는 기로서는, 예를 들면As a group containing a fluorene structure, for example

Figure 112007084268841-PCT00063
Figure 112007084268841-PCT00063

를 들 수 있다.Can be mentioned.

축합환 화합물기로서는, 예를 들면As a condensed cyclic compound group, for example

Figure 112007084268841-PCT00064
Figure 112007084268841-PCT00064

를 들 수 있다.Can be mentioned.

전하 주입성, 전하 수송성을 높이는 말단기로서는 1가 복소환기, 1가 방향족 아민기, 축합환 화합물기가 바람직하며, 1가 복소환기, 축합환 화합물기가 보다 바 람직하다.As a terminal group which improves charge injection property and charge transport property, a monovalent heterocyclic group, a monovalent aromatic amine group, and a condensed cyclic compound group are preferable, and a monovalent heterocyclic group and a condensed cyclic compound group are more preferable.

발광 특성을 높이는 말단기로서는 나프틸기, 안트라세닐기, 축합환 화합물기, 복소환 배위 금속 착체로부터 유도되는 1가의 기가 바람직하다.As a terminal group which improves luminescence property, the monovalent group derived from a naphthyl group, anthracenyl group, a condensed cyclic compound group, and a heterocyclic coordination metal complex is preferable.

소자의 휘도 저하에 필요한 시간을 늘리는 효과가 있는 말단기로서는, 치환기를 갖는 아릴기가 바람직하며, 알킬기를 1 내지 3개 갖는 페닐기가 바람직하다.As a terminal group which has the effect of lengthening time required for the brightness fall of an element, the aryl group which has a substituent is preferable, and the phenyl group which has 1-3 alkyl groups is preferable.

고분자 화합물간의 상용성이나 상호 작용을 높이는 효과가 있는 말단기로서는 치환기를 갖는 아릴기가 바람직하다. 또한, 탄소수 6 이상의 알킬기가 치환된 페닐기를 사용함으로써 앵커적인 효과를 발휘할 수 있다. 앵커 효과란, 말단기가 중합체의 응집체에 대하여 앵커적인 역할을 하여 상호 작용을 높이는 효과를 말한다.As a terminal group which has the effect of raising the compatibility and interaction between high molecular compounds, the aryl group which has a substituent is preferable. Moreover, an anchoring effect can be exhibited by using the phenyl group which the C6 or more alkyl group substituted. An anchor effect means the effect which an end group plays an anchor role with respect to the aggregate of a polymer, and raises interaction.

소자 특성을 높이는 기로서는, 하기의 구조가 바람직하다.As group which improves an element characteristic, the following structure is preferable.

Figure 112007084268841-PCT00065
Figure 112007084268841-PCT00065

Figure 112007084268841-PCT00066
Figure 112007084268841-PCT00066

식 중의 R은 상술한 R이 예시된다.In the formula, R is exemplified above.

본 발명의 고분자 화합물의 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량은 통상 103 내지 108 정도이고, 바람직하게는 104 내지 106이다. 또한, 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 103 내지 108이고, 바람직하게는 104 내지 5×106이다.The number average molecular weight of polystyrene conversion of the high molecular compound of this invention is about 10 <3> -10 <8> , Preferably it is 10 <4> -10 <6> . Further, the weight average molecular weight in terms of polystyrene is from 10 3 to 10 8, preferably from 10 4 to 5 × 10 6.

본 발명의 고분자 화합물에 대한 양용매로서는 클로로포름, 염화메틸렌, 디클로로에탄, 테트라히드로푸란, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 테트랄린, 데칼린, n-부틸벤젠 등이 예시된다. 고분자 화합물의 구조나 분자량에도 의존하지만, 통상은 이들 용매에 0.1 중량% 이상 용해시킬 수 있다.Examples of the good solvent for the polymer compound of the present invention include chloroform, methylene chloride, dichloroethane, tetrahydrofuran, toluene, xylene, mesitylene, tetralin, decalin, n-butylbenzene and the like. Although dependent also on the structure and molecular weight of a high molecular compound, it can usually melt | dissolve in these solvent 0.1weight% or more.

본 발명의 고분자 화합물은, 대응하는 폴리플루오렌 유도체와 비교하여 단파 장으로 발광할 수 있다.The polymer compound of the present invention can emit light with a short wavelength compared with the corresponding polyfluorene derivative.

이어서, 본 발명의 고분자 화합물의 제조 방법에 대하여 설명한다.Next, the manufacturing method of the high molecular compound of this invention is demonstrated.

본 발명의 고분자 화합물 중에서, 예를 들면 화학식 Ia, Ib, Ic로 표시되는 반복 단위를 갖는 것은, 각각 원료로서 적어도 하기 화학식 XVIa, XVIb 및 XVIc로 표시되는 화합물을 사용하여 중합시킴으로써 제조할 수 있다.Among the high molecular compounds of the present invention, for example, those having a repeating unit represented by the formulas (Ia), (Ib) and (Ic) can be produced by polymerizing using at least compounds represented by the following formulas (XVIa, XVIb and XVIc) as raw materials.

Figure 112007084268841-PCT00067
Figure 112007084268841-PCT00067

Figure 112007084268841-PCT00068
Figure 112007084268841-PCT00068

Figure 112007084268841-PCT00069
Figure 112007084268841-PCT00069

식 중, A환, B환, C환, Z1 내지 Z5는 상술한 바와 같으며, Y1, Y2, Y3, Y4, Y5 및 Y6은 각각 독립적으로 중합에 관여하는 치환기를 나타낸다.In the formula, A ring, B ring, C ring, Z 1 to Z 5 are as described above, Y 1 , Y 2 , Y 3 , Y 4 , Y 5 And Y 6 each independently represent a substituent involved in polymerization.

화학식 XVIa로 표시되는 화합물 중에서, 하기 화학식 XVIIa로 표시되는 화합물이 바람직하다.Among the compounds represented by the formula (XVIa), the compounds represented by the following formula (XVIIa) are preferable.

Figure 112007084268841-PCT00070
Figure 112007084268841-PCT00070

식 중, R1, R2, a, b, D환, Q, z, Y1 및 Y2는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.In formula, R <1> , R <2> , a, b, D ring, Q, z, Y <1> and Y <2> represent the same meaning as the above.

화학식 XVIIa로 표시되는 화합물 중에서는, 하기 화학식 XVIIIa, XVIIIb, XVIIIc 및 XVIIId로 표시되는 구조가 더욱 바람직하다.Among the compounds represented by the formula (XVIIa), structures represented by the following formulas (XVIIIa, XVIIIb, XVIIIc and XVIIId) are more preferable.

Figure 112007084268841-PCT00071
Figure 112007084268841-PCT00071

Figure 112007084268841-PCT00072
Figure 112007084268841-PCT00072

Figure 112007084268841-PCT00073
Figure 112007084268841-PCT00073

Figure 112007084268841-PCT00074
Figure 112007084268841-PCT00074

또한, 화학식 XVIb로 표시되는 화합물 중에서, 하기 화학식 XVIIb로 표시되는 화합물이 바람직하다.Moreover, among the compounds represented by general formula (XVIb), the compound represented by the following general formula (XVIIb) is preferable.

Figure 112007084268841-PCT00075
Figure 112007084268841-PCT00075

식 중, B환, C환, Z2, Z3, Z4, Y3 및 Y4는 상기와 동일한 의미를 나타내고, Z6, Z7 및 Z8은 각각 독립적으로 C-(Q)z 또는 질소 원자를 나타내고, Z1a, Z5a 및 Z9는 각각 독립적으로 탄소 원자를 나타내고, Q 및 z는 상기와 동일한 의미를 나타내고, R4는 치환기를 나타내고, e는 0 내지 2의 정수를 나타내며, R4가 복수개인 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있고, R4끼리 결합하여 환을 형성할 수도 있다.In the formula, ring B, ring C, Z 2 , Z 3 , Z 4 , Y 3 and Y 4 represent the same meaning as described above, and Z 6 , Z 7 and Z 8 are each independently C- (Q) z or A nitrogen atom, Z 1a , Z 5a and Z 9 each independently represent a carbon atom, Q and z represent the same meaning as described above, R 4 represents a substituent, and e represents an integer of 0 to 2, When there are a plurality of R 4 , they may be the same or different, and R 4 may be bonded to each other to form a ring.

또한, 화학식 XVIc로 표시되는 화합물 중에서, 하기 화학식 XVIIc로 표시되는 화합물이 바람직하다.Moreover, among the compounds represented by general formula (XVIc), the compound represented by the following general formula (XVIIc) is preferable.

Figure 112007084268841-PCT00076
Figure 112007084268841-PCT00076

식 중, A환, B환, Z1, Z4, Z5, Y5 및 Y6은 상기와 동일한 의미를 나타내고, Z10, Z11, Z12 및 Z13은 각각 독립적으로 C-(Q)z 또는 질소 원자를 나타내고, Z2a 및 Z3a는 각각 독립적으로 탄소 원자를 나타내고, Q 및 z는 상기와 동일한 의미를 나타내고, R5는 치환기를 나타내고, f는 0 내지 2의 정수를 나타내며, R5가 복수개인 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있고, R5끼리 결합하여 환을 형성할 수도 있다.In the formula, A ring, B ring, Z 1 , Z 4 , Z 5 , Y 5 and Y 6 have the same meaning as above, and Z 10 , Z 11 , Z 12 and Z 13 are each independently C- (Q ) z or a nitrogen atom, Z 2a and Z 3a each independently represent a carbon atom, Q and z represent the same meaning as above, R 5 represents a substituent, f represents an integer of 0 to 2, When there are a plurality of R 5 s , they may be the same or different, and R 5 may be bonded to each other to form a ring.

본 발명의 제조 방법에 있어서, 중합에 관여하는 치환기로서는 할로겐 원자, 알킬술포네이트기, 아릴술포네이트기, 아릴알킬술포네이트기, 붕산 에스테르기, 술포늄메틸기, 포스포늄메틸기, 포스포네이트메틸기, 모노할로겐화 메틸기, -B(OH)2, 포르밀기, 시아노기, 비닐기 등을 들 수 있다.In the production method of the present invention, the substituents involved in the polymerization include a halogen atom, an alkylsulfonate group, an arylsulfonate group, an arylalkylsulfonate group, a boric acid ester group, a sulfonium methyl group, a phosphonium methyl group, a phosphonate methyl group, A monohalogenated methyl group, -B (OH) 2 , a formyl group, a cyano group, a vinyl group, etc. are mentioned.

여기서, 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다. 중합도를 향상시킨다는 관점에서는 브롬 원자, 요오드 원자가 바람직하다.Here, as a halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom are mentioned. From the viewpoint of improving the degree of polymerization, bromine atoms and iodine atoms are preferred.

알킬술포네이트기로서는 메탄술포네이트기, 에탄술포네이트기, 트리플루오로메탄술포네이트기 등이 예시되고, 아릴술포네이트기로서는 벤젠술포네이트기, p-톨루엔술포네이트기 등이 예시되고, 아릴술포네이트기로서는 벤질술포네이트기 등이 예시된다.Examples of the alkylsulfonate group include a methanesulfonate group, an ethanesulfonate group, a trifluoromethanesulfonate group and the like, and an arylsulfonate group include a benzenesulfonate group and a p-toluenesulfonate group. Benzyl sulfonate group etc. are illustrated as a nate group.

붕산 에스테르기로서는, 하기 화학식으로 표시되는 기가 예시된다.As a boric acid ester group, group represented by a following formula is illustrated.

Figure 112007084268841-PCT00077
Figure 112007084268841-PCT00077

식 중, Me는 메틸기를 나타내고, Et는 에틸기를 나타낸다.In formula, Me represents a methyl group and Et represents an ethyl group.

술포늄메틸기로서는, 하기 화학식으로 표시되는 기가 예시된다.As a sulfonium methyl group, group represented by a following formula is illustrated.

-CH2S+Me2X-, -CH2S+Ph2X- -CH 2 S + Me 2 X - , -CH 2 S + Ph 2 X -

식 중, X는 할로겐 원자를 나타내고, Ph는 페닐기를 나타낸다.In the formula, X represents a halogen atom, and Ph represents a phenyl group.

포스포늄메틸기로서는, 하기 화학식으로 표시되는 기가 예시된다.As a phosphonium methyl group, group represented by a following formula is illustrated.

-CH2P+Ph3X- -CH 2 P + Ph 3 X -

식 중, X는 할로겐 원자를 나타낸다.In the formula, X represents a halogen atom.

포스포네이트메틸기로서는, 하기 화학식으로 표시되는 기가 예시된다.As a phosphonate methyl group, group represented by a following formula is illustrated.

-CH2PO(OR')2 -CH 2 PO (OR ') 2

식 중, X는 할로겐 원자를 나타내고, R'는 알킬기, 아릴기, 아릴알킬기를 나타낸다.In the formula, X represents a halogen atom, and R 'represents an alkyl group, an aryl group, or an arylalkyl group.

모노할로겐화 메틸기로서는 불화메틸기, 염화메틸기, 브롬화메틸기, 요오드화메틸기가 예시된다.Examples of the monohalogenated methyl group include methyl fluoride group, methyl chloride group, methyl bromide group, and methyl iodide group.

중합에 관여하는 치환기로서 바람직한 치환기는 중합 반응의 종류에 따라 상이하지만, 예를 들면 야마모또 커플링 반응 등 0가 니켈 착체를 이용하는 경우에는, 할로겐 원자, 알킬술포네이트기, 아릴술포네이트기 또는 아릴알킬술포네이트기를 들 수 있다. 또한, 스즈끼 커플링 반응 등 니켈 촉매 또는 팔라듐 촉매를 이용하는 경우에는, 알킬술포네이트기, 할로겐 원자, 붕산 에스테르기, -B(OH)2 등을 들 수 있다.Preferred substituents for the substituents involved in the polymerization are different depending on the type of polymerization reaction. For example, when a zero-valent nickel complex such as a Yamamoto coupling reaction is used, a halogen atom, an alkylsulfonate group, an arylsulfonate group or an aryl Alkyl sulfonate group is mentioned. Moreover, when using a nickel catalyst or a palladium catalyst, such as a Suzuki coupling reaction, an alkylsulfonate group, a halogen atom, a boric acid ester group, -B (OH) 2, etc. are mentioned.

특히, 화학식 IVa의 반복 단위를 갖는 고분자 화합물은, 화학식 IVb 내지 IVd의 반복 단위를 갖는 고분자 화합물을, 팔라듐, 백금, 로듐, 루테늄, 또는 이들을 혼합한 귀금속을 활성탄 상에 담지시킨 촉매에 의해 수소화해도 얻을 수 있다.In particular, the polymer compound having a repeating unit of formula IVa may be hydrogenated by a catalyst in which a high molecular compound having repeating units of formulas IVb to IVd is supported on palladium, platinum, rhodium, ruthenium, or a mixed precious metal on activated carbon. You can get it.

반대로, 화학식 IVb 내지 IVd의 반복 단위를 갖는 고분자 화합물은, 화학식 IVa의 반복 단위를 갖는 고분자 화합물을 2,3-디클로로-5,6-디시아노-1,4-벤조퀴논(DDQ)이나, 염기 조건하에서 브롬화 테트라부틸암모늄을 이용하여 산화함으로써도 얻을 수 있다.On the contrary, the high molecular compound having repeating units of formulas IVb to IVd may be a 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone (DDQ) or a base as the high molecular compound having a repeating unit of formula IVa. It can also be obtained by oxidation using tetrabutylammonium bromide under the conditions.

또한, 본 발명의 고분자 화합물이 화학식 Ia 또는 화학식 Ib 또는 화학식 Ic 이외의 반복 단위를 갖는 경우에는, 화학식 Ia 또는 화학식 Ib 또는 화학식 Ic 이외의 반복 단위가 되는, 2개의 중합에 관여하는 치환기를 갖는 화합물을 공존시켜 중합시키는 것이 바람직하다.In addition, when the polymer compound of the present invention has a repeating unit other than the formula (Ia) or the formula (Ib) or the formula (Ic), the compound having a substituent involved in two polymerizations, which is a repeating unit other than the formula (Ia) or the formula (Ib) or the formula (Ic) It is preferable to coexist and superpose | polymerize.

상기 화학식 XVIa, XVIb 또는 XVIc로 표시되는 화합물에 추가하여, 하기 화학식 XIX 내지 XXII 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 원료로서 사용할 수 있다.In addition to the compounds represented by the above formulas XVIa, XVIb or XVIc, the compounds represented by any one of the following formulas XIX to XXII can be used as raw materials.

Figure 112007084268841-PCT00078
Figure 112007084268841-PCT00078

Figure 112007084268841-PCT00079
Figure 112007084268841-PCT00079

Figure 112007084268841-PCT00080
Figure 112007084268841-PCT00080

Figure 112007084268841-PCT00081
Figure 112007084268841-PCT00081

식 중, Ar1, Ar2, Ar3, Ar4, ff, X1, X2 및 X3은 상기와 동일하고, Y7, Y8, Y9, Y10, Y11, Y12, Y13, Y14는 각각 독립적으로 중합 가능한 치환기를 나타낸다.In the formula, Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , Ar 4 , ff, X 1 , X 2 and X 3 are the same as above, Y 7 , Y 8 , Y 9 , Y 10 , Y 11 , Y 12 , Y 13 and Y 14 each independently represent a substituent that can be polymerized.

상기 화학식 Ia, Ib 또는 Ic로 표시되는 단위에 추가하여, 순서대로 화학식 V, VI, VII 또는 VIII의 단위를 1개 이상 갖는 고분자 화합물을 제조할 수 있다.In addition to the units represented by the above formulas (Ia), (Ib) or (Ic), a polymer compound having one or more units of the formula (V), (VI), (VII) or (VIII) may be prepared in order.

또한, 상기 화학식 Ia, Ib 또는 Ic로 표시되는 반복 단위 이외의 반복 단위가 되는, 상기 화학식 XV에 대응하는 2개의 중합에 관여하는 치환기를 갖는 화합물 로서는, 하기 화학식 XVg로 표시되는 화합물을 들 수 있다.Moreover, as a compound which has a substituent which participates in two superposition | polymerization corresponding to the said Formula (XV) used as repeating units other than the repeating unit represented by the said Formula (Ia), (Ib) or (Ic), the compound represented by following formula (XVg) is mentioned. .

Figure 112007084268841-PCT00082
Figure 112007084268841-PCT00082

식 중, Ar6, Ar7, Ar8, Ar9, Ar10, Ar11, Ar12, x 및 y는 상기와 동일하고, Y15 및 Y16은 각각 독립적으로 중합에 관여하는 치환기를 나타낸다.In the formula, Ar 6 , Ar 7 , Ar 8 , Ar 9 , Ar 10 , Ar 11 , Ar 12 , x and y are the same as above, and Y 15 and Y 16 each independently represent a substituent involved in polymerization.

더욱 바람직하게는, 하기 화학식 XVh 또는 화학식 XVi로 표시되는 화합물이다.More preferably, it is a compound represented by following formula (XVh) or formula (XVi).

Figure 112007084268841-PCT00083
Figure 112007084268841-PCT00083

Figure 112007084268841-PCT00084
Figure 112007084268841-PCT00084

식 중, Re 내지 Rg는 상술한 바와 같고, Y17, Y18, Y19, Y20은 각각 독립적으로 중합에 관여하는 치환기를 나타낸다.In the formula, Re to Rg are as described above, and Y 17 , Y 18 , Y 19 , and Y 20 each independently represent a substituent involved in polymerization.

본 발명의 제조 방법은, 구체적으로는 단량체가 되는, 중합 반응에 관여하는 치환기를 복수개 갖는 화합물을 필요에 따라 유기 용매에 용해하고, 예를 들면 알칼리나 적당한 촉매를 이용하여 유기 용매의 융점 이상, 비점 이하에서 행할 수 있다. 예를 들면, 문헌 [Organic Reactions, 제14권, 270 내지 490쪽, John Wiley & Sons, Inc., 1965년], 문헌 [Organic Syntheses, Collective 제6권, 407 내지 411쪽, John Wiley & Sons, Inc., 1988년], 문헌 [Chem. Rev., 제95권, 2457쪽(1995년)], 문헌 [J. 0rganomet. Chem., 제576권, 147쪽(1999년)], 문헌 [Makromol. Chem., Macromol. Symp., 제12권, 229쪽(1987년)] 등에 기재된 공지된 방법을 이용할 수 있다. In the production method of the present invention, a compound having a plurality of substituents involved in a polymerization reaction, specifically, a monomer, is dissolved in an organic solvent, if necessary, for example, by using an alkali or a suitable catalyst or more, It can carry out below boiling point. See, for example, Organic Reactions, Vol. 14, pp. 270-490, John Wiley & Sons, Inc., 1965, Organic Syntheses, Collective Vol. 6, pp. 407-411, John Wiley & Sons, Inc., 1988, Chem. Rev., Vol. 95, p. 2457 (1995)], J. 0rganomet. Chem., 576, p. 147 (1999), Makromol. Chem., Macromol. Symp., Vol. 12, p. 229 (1987) and the like can be used.

본 발명의 고분자 화합물의 제조 방법에 있어서, 중합시키는 방법으로서는 상기 화학식 XVIa 내지 XVIc 및 XXII 내지 XXV로 표시되는 화합물의 중합에 관여하는 치환기에 따라, 공지된 중합 반응을 이용함으로써 제조할 수 있다.In the manufacturing method of the high molecular compound of this invention, as a method of superposing | polymerizing, it can manufacture by using a well-known polymerization reaction according to the substituent which participates in superposition | polymerization of the compound represented by the said general formula (XVIa-XVIc) and XXII-XXV.

본 발명의 고분자 화합물의 중합에 있어서, 이중 결합을 생성하는 경우에는, 예를 들면 일본 특허 공개 (평)5-202355호 공보에 기재된 방법을 들 수 있다. 즉, 포르밀기를 갖는 화합물과 포스포늄메틸기를 갖는 화합물의, 또는 포르밀기와 포스포늄메틸기를 갖는 화합물의 비티히(Wittig) 반응에 의한 중합, 비닐기를 갖는 화합물과 할로겐 원자를 갖는 화합물의 헥(Heck) 반응에 의한 중합, 모노할로겐화 메틸기를 2개 또는 2개 이상 갖는 화합물의 탈할로겐화 수소법에 의한 중합, 술포늄메틸기를 2개 또는 2개 이상 갖는 화합물의 술포늄염 분해법에 의한 중합, 포르밀기를 갖는 화합물과 시아노기를 갖는 화합물의 크뇌베나겔(Knoevenagel) 반응에 의한 중합 등의 방법, 포르밀기를 2개 또는 2개 이상 갖는 화합물의 맥머리(McMurry) 반응에 의한 중합 등의 방법이 예시된다. In the superposition | polymerization of the high molecular compound of this invention, when producing a double bond, the method of Unexamined-Japanese-Patent No. 5-202355 is mentioned, for example. That is, polymerization of a compound having a formyl group and a compound having a phosphonium methyl group or a compound having a formyl group and a phosphonium methyl group by Wittig reaction, a compound having a vinyl group and a compound having a halogen atom ( Heck) polymerization, polymerization by dehalogenation of compounds having two or more monohalogenated methyl groups, polymerization by sulfonium salt decomposition of compounds having two or two sulfoniummethyl groups, formyl groups Examples thereof include a method such as polymerization by a Knoevenagel reaction of a compound having a compound with a cyano group, and a polymerization by a McMurry reaction of a compound having two or two formyl groups. do.

본 발명의 고분자 화합물이 중합에 의해 주쇄에 삼중 결합을 생성하는 경우에는, 예를 들면 헥 반응, 소노가시라(Sonogashira) 반응을 이용할 수 있다. When the high molecular compound of this invention produces | generates triple bond in a principal chain by superposition | polymerization, hex reaction and Sonogashira reaction can be used, for example.

또한, 이중 결합이나 삼중 결합을 생성하지 않는 경우에는, 예를 들면 해당하는 단량체로부터 스즈끼 커플링 반응에 의해 중합하는 방법, 그리냐르 반응에 의해 중합하는 방법, Ni(0) 착체에 의해 중합하는 방법, FeCl3 등의 산화제에 의해 중합하는 방법, 전기 화학적으로 산화 중합하는 방법, 또는 적당한 이탈기를 갖는 중간체 고분자의 분해에 의한 방법 등이 예시된다.In addition, when a double bond or a triple bond is not produced, the method of superposition | polymerization by the Suzuki coupling reaction from the corresponding monomer, the method of superposition | polymerization by a Grignard reaction, the method of superposition | polymerization by a Ni (0) complex, for example. , A method of polymerization with an oxidizing agent such as FeCl 3 , a method of electrochemically oxidizing polymerization, a method by decomposition of an intermediate polymer having a suitable leaving group, and the like.

이들 중에서 비티히 반응에 의한 중합, 헥 반응에 의한 중합, 크뇌베나겔 반응에 의한 중합, 및 스즈끼 커플링 반응에 의해 중합하는 방법, 그리냐르 반응에 의해 중합하는 방법, 니켈 0가 착체에 의해 중합하는 방법이 구조 제어가 용이하기 때문에 바람직하다.Among them, the polymerization by the Wittig reaction, the polymerization by the Heck reaction, the polymerization by the Kneubenagel reaction, and the polymerization by the Suzuki coupling reaction, the polymerization by the Grignard reaction, the polymerization by the nickel zero complex. The method is preferable because the structure control is easy.

본 발명의 제조 방법 중에서, 화학식 XVIa, XVIb 또는 XVIc로 표시되는 화합물을 단독으로, 또는 화학식 XIX 내지 XXII로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상과 중합할 때, Y1, Y2, Y3, Y4, Y5, Y6, Y7, Y8, Y9, Y10, Y11, Y12, Y13, Y14, Y15, Y16, Y17, Y18, Y19, Y20이 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬술포네이트기, 아릴술포네이트기 또는 아릴알킬술포네이트기이고, 니켈 0가 착체의 존재하에서 축합 중합하는 제조 방법이 바람직하다.In the production method of the present invention, when polymerizing a compound represented by the formula (XVIa), XVIb or XVIc alone or at least one selected from the compounds represented by the formulas (XIX to XXII), Y 1 , Y 2 , Y 3 , Y 4 , Y 5 , Y 6 , Y 7 , Y 8 , Y 9 , Y 10 , Y 11 , Y 12 , Y 13 , Y 14 , Y 15 , Y 16 , Y 17 , Y 18 , Y 19 , Y 20 Each of these is independently a halogen atom, an alkylsulfonate group, an arylsulfonate group or an arylalkylsulfonate group, and a production method of condensation polymerization in the presence of a nickel zero complex is preferable.

원료 화합물로서는 디할로겐화 화합물, 비스(알킬술포네이트) 화합물, 비스 (아릴술포네이트) 화합물, 비스(아릴알킬술포네이트) 화합물 또는 할로겐-알킬술포네이트 화합물, 할로겐-아릴술포네이트 화합물, 할로겐-아릴알킬술포네이트 화합물, 알킬술포네이트-아릴술포네이트 화합물, 알킬술포네이트-아릴알킬술포네이트 화합물, 아릴술포네이트-아릴알킬술포네이트 화합물을 들 수 있다.Examples of the starting compound include a dihalogenated compound, a bis (alkylsulfonate) compound, a bis (arylsulfonate) compound, a bis (arylalkylsulfonate) compound or a halogen-alkylsulfonate compound, a halogen-arylsulfonate compound, a halogen-arylalkyl Sulfonate compounds, alkylsulfonate-arylsulfonate compounds, alkylsulfonate-arylalkylsulfonate compounds, and arylsulfonate-arylalkylsulfonate compounds.

또한, 본 발명의 제조 방법 중에서, 화학식 XVIa, XVIb 또는 XVIc로 표시되는 화합물을 단독으로, 또는 화학식 XIX 내지 XXII로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상과 중합할 때, Y1, Y2, Y3, Y4, Y5, Y6, Y7, Y8, Y9, Y10, Y11, Y12, Y13, Y14, Y15, Y16, Y17, Y18, Y19, Y20이 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬술포네이트기, 아릴술포네이트기, 아릴알킬술포네이트기, -B(OH)2, 또는 붕산 에스테르기이고, 할로겐 원자, 알킬술포네이트기, 아릴술포네이트기 및 아릴알킬술포네이트기의 몰수의 합계와, -B(OH)2 및 붕산 에스테르기의 몰수의 합계의 비가 실질적으로 1(통상 K/J는 0.7 내지 1.2의 범위)이고, 니켈 또는 팔라듐 촉매를 사용하여 축합 중합하는 제조 방법이 바람직하다.In the production method of the present invention, when the compound represented by the formula (XVIa), (XVIb) or (XVIc) is polymerized alone or with one or more selected from the compounds represented by the formulas (XIX to XXII), Y 1 , Y 2 , Y 3 , Y 4 , Y 5 , Y 6 , Y 7 , Y 8 , Y 9 , Y 10 , Y 11 , Y 12 , Y 13 , Y 14 , Y 15 , Y 16 , Y 17 , Y 18 , Y 19 , Each Y 20 is independently a halogen atom, an alkylsulfonate group, an arylsulfonate group, an arylalkylsulfonate group, -B (OH) 2 , or a boric acid ester group, and a halogen atom, an alkylsulfonate group, or an arylsulfonate group And the ratio of the total number of moles of the arylalkylsulfonate group to the total number of moles of the -B (OH) 2 and boric acid ester groups is substantially 1 (usually K / J is in the range of 0.7 to 1.2), and a nickel or palladium catalyst is used. The manufacturing method which uses condensation polymerization is preferable.

구체적인 원료 화합물의 조합으로서는 디할로겐화 화합물, 비스(알킬술포네이트) 화합물, 비스(아릴술포네이트) 화합물 또는 비스(아릴알킬술포네이트) 화합물과 디붕산 화합물 또는 디붕산 에스테르 화합물과의 조합을 들 수 있다.As a specific raw material combination, a combination of a dihalogenated compound, a bis (alkylsulfonate) compound, a bis (arylsulfonate) compound or a bis (arylalkylsulfonate) compound with a diboric acid compound or a diboric acid ester compound is mentioned. .

또한, 할로겐-붕산 화합물, 할로겐-붕산 에스테르 화합물, 알킬술포네이트-붕산 화합물, 알킬술포네이트-붕산 에스테르 화합물, 아릴술포네이트-붕산 화합물, 아릴술포네이트-붕산 에스테르 화합물, 아릴알킬술포네이트-붕산 화합물, 아릴알킬 술포네이트-붕산 화합물, 아릴알킬술포네이트-붕산 에스테르 화합물을 들 수 있다.Further, halogen-boric acid compound, halogen-boric acid ester compound, alkylsulfonate-boric acid compound, alkylsulfonate-boric acid ester compound, arylsulfonate-boric acid compound, arylsulfonate-boric acid ester compound, arylalkylsulfonate-boric acid compound , Arylalkyl sulfonate-boric acid compound, and arylalkylsulfonate-boric acid ester compound.

유기 용매로서는 사용하는 화합물이나 반응에 따라서도 상이하지만, 일반적으로 부반응을 억제하기 위해, 사용하는 용매는 충분히 탈산소 처리를 실시하고, 불활성 분위기하에서 반응을 진행시키는 것이 바람직하다. 또한, 마찬가지로 탈수 처리를 행하는 것이 바람직하다. 단, 스즈끼 커플링 반응과 같은 물과의 2상계에서의 반응의 경우에는 그것으로 한정되지 않는다.Although it changes also with the compound and reaction to be used as an organic solvent, In general, in order to suppress a side reaction, it is preferable that the solvent to be used fully deoxygenates and advances reaction in inert atmosphere. Moreover, it is preferable to perform dehydration process similarly. However, in the case of reaction in the two-phase system with water, such as a Suzuki coupling reaction, it is not limited to that.

용매로서는 펜탄, 헥산, 헵탄, 옥탄, 시클로헥산 등의 포화 탄화수소, 벤젠, 톨루엔, 에틸벤젠, 크실렌 등의 불포화 탄화수소, 사염화탄소, 클로로포름, 디클로로메탄, 클로로부탄, 브로모부탄, 클로로펜탄, 브로모펜탄, 클로로헥산, 브로모헥산, 클로로시클로헥산, 브로모시클로헥산 등의 할로겐화 포화 탄화수소, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 트리클로로벤젠 등의 할로겐화 불포화 탄화수소, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, t-부틸알코올 등의 알코올류, 포름산, 아세트산, 프로피온산 등의 카르복실산류, 디메틸에테르, 디에틸에테르, 메틸-t-부틸에테르, 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란, 디옥산 등의 에테르류, 트리메틸아민, 트리에틸아민, N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민, 피리딘 등의 아민류, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N-메틸모르폴린옥시드 등의 아미드류 등이 예시되며, 단일 용매, 또는 이들의 혼합 용매를 사용할 수도 있다. 이들 중에서 에테르류가 바람직하며, 테트라히드로푸란, 디에틸에테르가 더욱 바람직하다.Examples of the solvent include saturated hydrocarbons such as pentane, hexane, heptane, octane and cyclohexane, unsaturated hydrocarbons such as benzene, toluene, ethylbenzene and xylene, carbon tetrachloride, chloroform, dichloromethane, chlorobutane, bromobutane, chloropentane and bromopentane. Halogenated saturated hydrocarbons such as chlorohexane, bromohexane, chlorocyclohexane and bromocyclohexane, halogenated unsaturated hydrocarbons such as chlorobenzene, dichlorobenzene and trichlorobenzene, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol and t-butyl Alcohols such as alcohols, carboxylic acids such as formic acid, acetic acid and propionic acid, ethers such as dimethyl ether, diethyl ether, methyl-t-butyl ether, tetrahydrofuran, tetrahydropyran and dioxane, trimethylamine and tri Amines such as ethylamine, N, N, N ', N'-tetramethylethylenediamine, pyridine, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethyla Bit amide, N, N- diethylacetamide, N- methylmorpholine, and the like exemplified amides such as oxide, may be used a single solvent, mixed solvents of the foregoing. Among these, ethers are preferable, and tetrahydrofuran and diethyl ether are more preferable.

반응시키기 위해 적절하게 알칼리나 적당한 촉매를 첨가한다. 이들은 이용 하는 반응에 따라 선택하면 된다. 상기 알칼리 또는 촉매는, 반응에 사용하는 용매에 충분히 용해되는 것이 바람직하다. 알칼리 또는 촉매를 혼합하는 방법으로서는, 반응액을 아르곤이나 질소 등의 불활성 분위기하에서 교반하면서 천천히 알칼리 또는 촉매 용액을 첨가하거나, 반대로 알칼리 또는 촉매 용액에 반응액을 천천히 첨가하는 방법이 예시된다.Alkali or a suitable catalyst is added suitably for reaction. These may be selected according to the reaction to be used. It is preferable that the said alkali or a catalyst is melt | dissolved in the solvent used for reaction fully. As a method of mixing an alkali or a catalyst, the method of adding an alkali or a catalyst solution slowly, stirring a reaction liquid in inert atmosphere, such as argon or nitrogen, or the method of slowly adding a reaction liquid to an alkali or a catalyst solution is illustrated.

본 발명의 고분자 화합물을 고분자 LED 등에 사용하는 경우, 그 순도가 발광 특성 등의 소자 성능에 영향을 주기 때문에, 중합 전의 단량체를 증류, 승화 정제, 재결정 등의 방법으로 정제한 후에 중합하는 것이 바람직하다. 또한, 중합 후, 재침전 정제, 크로마토그래피에 의한 분별 등의 순화 처리를 행하는 것이 바람직하다.When the polymer compound of the present invention is used in a polymer LED or the like, since its purity affects device performance such as light emission characteristics, it is preferable to polymerize the monomer before polymerization after purification by a method such as distillation, sublimation purification or recrystallization. . Moreover, it is preferable to perform the purification process, such as reprecipitation purification and chromatography fractionation, after superposition | polymerization.

본 발명의 고분자 화합물의 원료로서 유용한 화학식 XVIa 내지 XVIc, XVIIa 내지 XVIIc 및 XVIIIa 내지 XVIIId는, 상기 화학식의 Y1 내지 Y6을 수소 원자로 치환한 구조의 화합물을 브롬화함으로써 얻을 수 있다.Formulas XVIa to XVIc, XVIIa to XVIIc and XVIIIa to XVIIId which are useful as raw materials for the polymer compound of the present invention can be obtained by brominating a compound having a structure in which Y 1 to Y 6 in the above formula are substituted with hydrogen atoms.

특히, 화학식 XVIIIa의 구조의 화합물은, 화학식 XVIIIb 내지 XVIIId의 구조를 갖는 화합물을 팔라듐, 백금, 로듐, 루테늄, 또는 이들을 혼합한 귀금속을 활성탄 상에 담지시킨 촉매에 의해 수소화해도 얻을 수 있다.In particular, the compound having the structure of the formula (XVIIIa) can be obtained by hydrogenation of a compound having the structure of the formulas (XVIIIb) to (XVIIId) with palladium, platinum, rhodium, ruthenium, or a catalyst having a precious metal mixed thereon supported on activated carbon.

반대로, 화학식 XVIIIb 내지 XVIIId의 구조를 갖는 화합물은, 화학식 XVIIIa의 구조를 갖는 화합물을 2,3-디클로로-5,6-디시아노-1,4-벤조퀴논(DDQ)이나, 염기조건하에서 브롬화 테트라부틸암모늄을 사용하여 산화함으로써도 얻을 수 있다.Conversely, a compound having a structure of formulas XVIIIb to XVIIId is a compound having a structure of formula XVIIIa as 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone (DDQ), but tetrabromide under basic conditions. It can also be obtained by oxidation using butylammonium.

이어서, 본 발명의 고분자 LED에 대하여 설명한다.Next, the polymer LED of the present invention will be described.

본 발명의 고분자 LED는 양극 및 음극을 포함하는 전극 사이에 유기층을 갖고, 상기 유기층이 본 발명의 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.The polymer LED of the present invention has an organic layer between electrodes including an anode and a cathode, and the organic layer comprises the polymer compound of the present invention.

유기층은 발광층, 정공 수송층, 전자 수송층 등 중 어느 하나일 수도 있지만, 발광층인 것이 바람직하다.The organic layer may be any one of a light emitting layer, a hole transporting layer and an electron transporting layer, but is preferably a light emitting layer.

여기서, 발광층이란 발광하는 기능을 갖는 층을 말하고, 정공 수송층이란 정공을 수송하는 기능을 갖는 층을 말하고, 전자 수송층이란 전자를 수송하는 기능을 갖는 층을 말한다. 또한, 전자 수송층과 정공 수송층을 총칭하여 전하 수송층이라고 한다. 발광층, 정공 수송층, 전자 수송층은, 각각 독립적으로 2층 이상 사용할 수도 있다.Here, the light emitting layer refers to a layer having a function of emitting light, the hole transporting layer refers to a layer having a function of transporting holes, and the electron transporting layer refers to a layer having a function of transporting electrons. The electron transport layer and the hole transport layer are collectively referred to as a charge transport layer. The light emitting layer, the hole transporting layer, and the electron transporting layer may each independently use two or more layers.

유기층이 발광층인 경우, 유기층인 발광층이 정공 수송 재료, 전자 수송 재료 또는 발광 재료를 더 포함할 수도 있다. 여기서, 발광성 재료란, 형광 및/또는 인광을 나타내는 재료를 말한다.When the organic layer is a light emitting layer, the light emitting layer as the organic layer may further include a hole transport material, an electron transport material, or a light emitting material. Here, a luminescent material means the material which shows fluorescence and / or phosphorescence.

본 발명의 고분자 화합물과 정공 수송 재료를 혼합하는 경우에는, 그 혼합물 전체에 대하여 정공 수송 재료의 혼합 비율은 1 중량% 내지 80 중량%이고, 바람직하게는 5 중량% 내지 60 중량%이다. 본 발명의 고분자 화합물과 전자 수송 재료를 혼합하는 경우에는, 그 혼합물 전체에 대하여 전자 수송 재료의 혼합 비율은 1 중량% 내지 80 중량%이고, 바람직하게는 5 중량% 내지 60 중량%이다. 또한, 본 발명의 고분자 화합물과 발광 재료를 혼합하는 경우에는, 그 혼합물 전체에 대하여 발광 재료의 혼합 비율은 1 중량% 내지 80 중량%이고, 바람직하게는 5 중량 % 내지 60 중량%이다. 본 발명의 고분자 화합물과 발광 재료, 정공 수송 재료 및/또는 전자 수송 재료를 혼합하는 경우에는, 그 혼합물 전체에 대하여 발광 재료의 혼합 비율은 1 중량% 내지 50 중량%이고, 바람직하게는 5 중량% 내지 40 중량%이며, 정공 수송 재료와 전자 수송 재료는 이들의 합계로 1 중량% 내지 50 중량%이고, 바람직하게는 5 중량% 내지 40 중량%이며, 본 발명의 고분자 화합물의 함유량은 99 중량% 내지 20 중량%이다.When mixing the high molecular compound of this invention and a hole transport material, the mixing ratio of a hole transport material with respect to the whole mixture is 1 weight%-80 weight%, Preferably it is 5 weight%-60 weight%. When mixing the high molecular compound of this invention and an electron carrying material, the mixing ratio of an electron carrying material with respect to the whole mixture is 1 weight%-80 weight%, Preferably it is 5 weight%-60 weight%. In addition, when mixing the high molecular compound of this invention and a luminescent material, the mixing ratio of a luminescent material with respect to the whole mixture is 1 weight%-80 weight%, Preferably it is 5 weight%-60 weight%. In the case where the polymer compound of the present invention and the light emitting material, the hole transporting material and / or the electron transporting material are mixed, the mixing ratio of the light emitting material to the whole mixture is 1% by weight to 50% by weight, preferably 5% by weight. To 40% by weight, the hole transporting material and the electron transporting material are 1% by weight to 50% by weight in total, preferably 5% by weight to 40% by weight, and the content of the polymer compound of the present invention is 99% by weight. To 20% by weight.

혼합하는 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 발광 재료는 공지된 저분자 화합물, 삼중항 발광 착체, 또는 고분자 화합물을 사용할 수 있지만, 고분자 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 고분자 화합물의 정공 수송 재료, 전자 수송 재료 및 발광 재료로서는 WO99/13692, WO99/48160, GB2340304A, WO00/53656, WO01/19834, WO00/55927, GB2348316, WO00/46321, WO00/06665, WO99/54943, WO99/54385, US5777070, WO98/06773, WO97/05184, WO00/35987, WO00/53655, WO01/34722, WO99/24526, WO00/22027, WO00/22026, WO98/27136, US573636, WO98/21262, US5741921, WO97/09394, WO96/29356, WO96/10617, EP0707020, WO95/07955, 일본 특허 공개 (평)2001-181618호, 일본 특허 공개 (평)2001-123156호, 일본 특허 공개 (평)2001-3045호, 일본 특허 공개 (평)2000-351967호, 일본 특허 공개 (평)2000-303066호, 일본 특허 공개 (평)2000-299189호, 일본 특허 공개 (평)2000-252065호, 일본 특허 공개 (평)2000-136379호, 일본 특허 공개 (평)2000-104057호, 일본 특허 공개 (평)2000-80167호, 일본 특허 공개 (평)10-324870호, 일본 특허 공개 (평)10-114891호, 일본 특허 공개 (평)9-111233호, 일본 특허 공개 (평)9-45478호 등에 개 시되어 있는 폴리플루오렌, 그의 유도체 및 공중합체, 폴리아릴렌, 그의 유도체 및 공중합체, 폴리아릴렌비닐렌, 그의 유도체 및 공중합체, 방향족 아민 및 그의 유도체의 (공)중합체가 예시된다.Although the well-known low molecular weight compound, triplet light emission complex, or a high molecular compound can be used for the positive hole transport material, the electron carrying material, and the light emitting material to mix, it is preferable to use a high molecular compound. The hole transporting material, electron transporting material and light emitting material of the high molecular compound are WO99 / 13692, WO99 / 48160, GB2340304A, WO00 / 53656, WO01 / 19834, WO00 / 55927, GB2348316, WO00 / 46321, WO00 / 06665, WO99 / 54943, WO99 / 54385, US5777070, WO98 / 06773, WO97 / 05184, WO00 / 35987, WO00 / 53655, WO01 / 34722, WO99 / 24526, WO00 / 22027, WO00 / 22026, WO98 / 27136, US573636, WO98 / 21262, US5741921, WO97 / 09394, WO96 / 29356, WO96 / 10617, EP0707020, WO95 / 07955, Japanese Patent Publication No. 2001-181618, Japanese Patent Publication No. 2001-123156, Japanese Patent Publication No. 2001-3045 , Japanese Patent Publication No. 2000-351967, Japanese Patent Publication No. 2000-303066, Japanese Patent Publication No. 2000-299189, Japanese Patent Publication No. 2000-252065, Japanese Patent Publication ) 2000-136379, Japanese Patent Publication No. 2000-104057, Japanese Patent Publication No. 2000-80167, Japanese Patent Publication No. 10-324870, Japanese Patent Publication No. 10-114891, Japanese Patent Publication No. 9-111233, Japanese Patent Publication No. 9-4 Polyfluorenes, derivatives and copolymers thereof, polyarylenes, derivatives and copolymers thereof, polyarylenevinylene, derivatives and copolymers thereof, aromatic amines and derivatives thereof, and the like, disclosed in US Pat. Is illustrated.

저분자 화합물의 형광성 재료로서는, 예를 들면 나프탈렌 유도체, 안트라센 또는 그의 유도체, 페릴렌 또는 그의 유도체, 폴리메틴계, 크산텐계, 쿠마린계, 시아닌계 등의 색소류, 8-히드록시퀴놀린 또는 그의 유도체의 금속 착체, 방향족 아민, 테트라페닐시클로펜타디엔 또는 그의 유도체, 또는 테트라페닐부타디엔 또는 그의 유도체 등을 사용할 수 있다.As the fluorescent material of the low molecular weight compound, for example, naphthalene derivatives, anthracene or derivatives thereof, perylene or derivatives thereof, polymethine based, pigments such as xanthene based, coumarin based, cyanine based, 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof Metal complexes, aromatic amines, tetraphenylcyclopentadiene or derivatives thereof, tetraphenylbutadiene or derivatives thereof and the like can be used.

구체적으로는, 예를 들면 일본 특허 공개 (소)57-51781호, 동 59-194393호 공보에 기재되어 있는 것 등, 공지된 것을 사용할 수 있다.Specifically, well-known things, such as those described in Unexamined-Japanese-Patent No. 57-51781 and 59-194393, can be used, for example.

삼중항 발광 착체로서는, 예를 들면 이리듐을 중심 금속으로 하는 Ir(ppy)3, Btp2Ir(acac), 백금을 중심 금속으로 하는 PtOEP, 유로퓸을 중심 금속으로 하는 Eu(TTA)3phen 등을 들 수 있다.Examples of the triplet light emitting complex include Ir (ppy) 3 having iridium as the center metal, Btp 2 Ir (acac), PtOEP having platinum as the center metal, Eu (TTA) 3 phen having Europium as the center metal, and the like. Can be mentioned.

Figure 112007084268841-PCT00085
Figure 112007084268841-PCT00085

Figure 112007084268841-PCT00086
Figure 112007084268841-PCT00086

삼중항 발광 착체로서, 구체적으로는 예를 들면As the triplet light emitting complex, specifically, for example

Figure 112007084268841-PCT00087
Figure 112007084268841-PCT00087

등에 기재되어 있다.And the like.

본 발명의 조성물은, 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 발광 재료로부터 선택되는 1종 이상의 재료와 본 발명의 고분자 화합물을 함유하며, 발광 재료나 전하 수송 재료로서 사용할 수 있다.The composition of the present invention contains at least one material selected from a hole transporting material, an electron transporting material and a light emitting material and the polymer compound of the present invention, and can be used as a light emitting material or a charge transporting material.

그 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 발광 재료로부터 선택되는 1종 이상의 재료와 본 발명의 고분자 화합물의 함유 비율은, 용도에 따라 결정하면 된다.What is necessary is just to determine the content rate of the 1 or more types of material chosen from this hole transport material, an electron transport material, and a luminescent material, and the high molecular compound of this invention according to a use.

본 발명의 별도의 실시 양태로서는, 본 발명의 고분자 화합물을 2종 이상 포함하는 고분자 조성물이 예시된다.As another embodiment of this invention, the polymer composition containing 2 or more types of high molecular compounds of this invention is illustrated.

본 발명의 고분자 LED가 갖는 발광층의 막 두께로서는, 사용하는 재료에 따라 최적치가 상이하며, 구동 전압과 발광 효율이 적절한 값이 되도록 선택하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 1 nm 내지 1 ㎛이고, 바람직하게는 2 nm 내지 500 nm이고, 더욱 바람직하게는 5 nm 내지 200 nm이다.As the film thickness of the light emitting layer of the polymer LED of the present invention, the optimum value varies depending on the material to be used, and it is preferable to select such that the driving voltage and the luminous efficiency are appropriate values. For example, it is 1 nm-1 micrometer, Preferably it is 2 nm-500 nm, More preferably, it is 5 nm-200 nm.

발광층의 형성 방법으로서는, 예를 들면 용액으로부터의 성막에 의한 방법이 예시된다. 고분자 LED 제조시, 본 발명의 고분자 화합물을 사용함으로써, 용액으로부터 성막하는 경우, 이 용액을 도포 후 건조에 의해 용매를 제거하기만 할 수도 있고, 또한 전하 수송 재료나 발광 재료를 혼합한 경우에 있어서도 동일한 수법을 적용할 수 있어, 제조상 매우 유리하다.As a formation method of a light emitting layer, the method by film-forming from a solution is illustrated, for example. In the production of a polymer LED, when the film is formed from a solution by using the polymer compound of the present invention, the solvent may only be removed by drying after application of the solution, and even when a charge transport material or a light emitting material is mixed. The same technique can be applied, which is very advantageous in manufacturing.

용액으로부터의 성막 방법으로서는 스핀 코팅법, 캐스팅법, 마이크로 그라비아 코팅법, 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법, 와이어 바 코팅법, 침지 코팅법, 분무 코팅법, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 인쇄법 등의 도포법을 이용할 수 있다. 패턴 형성이나 다색의 도포 분할이 용이하다는 점에서 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 인쇄법 등의 인쇄법이 바람직하다.As a film formation method from a solution, spin coating, casting, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, dip coating, spray coating, screen printing, flexographic printing Coating methods such as a printing method, an offset printing method, and an inkjet printing method can be used. Printing methods such as a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, an inkjet printing method and the like are preferable in view of easy pattern formation and multicolor coating and dividing.

인쇄법 등에서 사용하는 용액으로서는 본 발명의 잉크 조성물을 사용할 수 있다.As a solution used by the printing method, the ink composition of this invention can be used.

본 발명의 잉크 조성물은, 1종 이상의 본 발명의 고분자 화합물과 용매가 함유되어 있으면 되며, 또한 본 발명의 고분자 화합물 이외에 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 발광 재료, 안정제 등의 첨가제를 포함할 수도 있다.The ink composition of this invention should just contain 1 or more types of high molecular compound and solvent of this invention, and may also contain additives, such as a hole transport material, an electron transport material, a light emitting material, a stabilizer, in addition to the high molecular compound of this invention. .

본 발명의 잉크 조성물은 소자 제조시에 있어서 액상이고, 전형적으로는 상압(즉, 1 기압), 25 ℃에서 액상인 것을 의미한다.The ink composition of the present invention means that it is liquid at the time of device manufacture, and is typically liquid at normal pressure (ie, 1 atmosphere) at 25 ° C.

또한, 본 발명의 잉크 조성물은 반드시 유색인 것을 필요로 하지는 않는다.In addition, the ink composition of the present invention does not necessarily need to be colored.

상기 잉크 조성물 중에서의 본 발명의 고분자 화합물의 비율은, 용매를 제외한 상기 잉크 조성물의 전체 중량에 대하여 통상은 20 중량% 내지 100 중량%이고, 바람직하게는 40 중량% 내지 100 중량%이다.The proportion of the polymer compound of the present invention in the ink composition is usually 20% by weight to 100% by weight, preferably 40% by weight to 100% by weight based on the total weight of the ink composition excluding the solvent.

또한, 잉크 조성물 중의 용매의 비율은, 상기 잉크 조성물의 전체 중량에 대하여 1 중량% 내지 99.9 중량%이고, 바람직하게는 60 중량% 내지 99.9 중량%이고, 더욱 바람직하게는 90 중량% 내지 99.8 중량%이다.The proportion of the solvent in the ink composition is 1% by weight to 99.9% by weight, preferably 60% by weight to 99.9% by weight, and more preferably 90% by weight to 99.8% by weight based on the total weight of the ink composition. to be.

상기 잉크 조성물(용액)의 점도는 인쇄법에 따라 상이하지만, 잉크젯 인쇄법 등 용액이 토출 장치 중을 경유하는 것인 경우에는, 토출시의 클로깅이나 비행 굴곡을 방지하기 위해 점도가 25 ℃에서 1 내지 20 mPaㆍs의 범위인 것이 바람직하다.Although the viscosity of the ink composition (solution) varies depending on the printing method, when the solution such as the inkjet printing method passes through the discharge device, the viscosity is 25 ° C. in order to prevent clogging or flight bending during discharge. It is preferable that it is the range of 1-20 mPa * s.

본 발명의 잉크 조성물에 사용하는 용매로서는 클로로포름, 염화메틸렌, 1,2-디클로로에탄, 1,1,2-트리클로로에탄, 클로로벤젠, o-디클로로벤젠 등의 염소계 용매, 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 에테르계 용매, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소계 용매, 시클로헥산, 메틸시클로헥산, n-펜탄, n-헥산, n-헵탄, n- 옥탄, n-노난, n-데칸 등의 지방족 탄화수소계 용매, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에스테르계 용매, 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디메톡시에탄, 프로필렌글리콜, 디에톡시메탄, 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 글리세린, 1,2-헥산디올 등의 다가 알코올 및 그의 유도체, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 시클로헥산올 등의 알코올계 용매, 디메틸술폭시드 등의 술폭시드계 용매, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드 등의 아미드계 용매가 예시된다. 또한, 이들 유기 용매는 단독으로 또는 복수개를 조합하여 사용할 수 있다. 상기 용매 중, 벤젠환을 1개 이상 포함하는 구조를 갖고, 융점이 0 ℃ 이하, 비점이 100 ℃ 이상인 유기 용매를 1종 이상 포함하는 것이 바람직하다.Examples of the solvent used in the ink composition of the present invention include chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chlorobenzene, and o-dichlorobenzene, tetrahydrofuran and dioxane. Aliphatic hydrocarbons, such as ether solvents, aromatic hydrocarbon solvents, such as toluene and xylene, cyclohexane, methylcyclohexane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, and n-decane Ketone solvents such as solvents, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, Polyhydric alcohols and derivatives thereof such as ethylene glycol monomethyl ether, dimethoxyethane, propylene glycol, diethoxymethane, triethylene glycol monoethyl ether, glycerin and 1,2-hexanediol Alcohol solvents such as ol, ethanol, propanol, isopropanol, cyclohexanol, sulfoxide solvents such as dimethyl sulfoxide, amide solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone and N, N-dimethylformamide Is illustrated. In addition, these organic solvents can be used individually or in combination of several. It is preferable to have a structure containing one or more benzene rings among the said solvents, and to contain 1 or more types of organic solvent whose melting | fusing point is 0 degrees C or less and a boiling point is 100 degreeC or more.

용매의 종류로서는, 본 발명의 고분자 화합물의 유기 용매에의 용해성, 성막시의 균일성, 점도 특성 등의 관점에서, 방향족 탄화수소계 용매, 지방족 탄화수소계 용매, 에스테르계 용매, 케톤계 용매가 바람직하고, 톨루엔, 크실렌, 에틸벤젠, 디에틸벤젠, 트리메틸벤젠, 메시틸렌, n-프로필벤젠, i-프로필벤젠, n-부틸벤젠, i-부틸벤젠, s-부틸벤젠, 아니솔, 에톡시벤젠, 1-메틸나프탈렌, 시클로헥산, 시클로헥사논, 시클로헥실벤젠, 비시클로헥실, 시클로헥세닐시클로헥사논, n-헵틸시클로헥산, n-헥실시클로헥산, 메틸벤조에이트, 2-프로필시클로헥사논, 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논, 2-옥타논, 2-노나논, 2-데카논, 디시클로헥실케톤이 바람직하고, 크실렌, 아니솔, 메시틸렌, 시클로헥실벤젠, 비시클로헥실메틸벤조에이트 중 1 종 이상을 포함하는 것이 보다 바람직하다.As a kind of solvent, from a viewpoint of the solubility to the organic solvent of the high molecular compound of this invention, the uniformity at the time of film-forming, a viscosity characteristic, etc., an aromatic hydrocarbon solvent, an aliphatic hydrocarbon solvent, an ester solvent, and a ketone solvent are preferable. , Toluene, xylene, ethylbenzene, diethylbenzene, trimethylbenzene, mesitylene, n-propylbenzene, i-propylbenzene, n-butylbenzene, i-butylbenzene, s-butylbenzene, anisole, ethoxybenzene, 1-methylnaphthalene, cyclohexane, cyclohexanone, cyclohexylbenzene, bicyclohexyl, cyclohexenylcyclohexanone, n-heptylcyclohexane, n-hexylcyclohexane, methylbenzoate, 2-propylcyclohexanone , 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, 2-octanone, 2-nonanone, 2-decanone, dicyclohexylketone are preferable, and xylene, anisole, mesitylene, cyclohexylbenzene More than one of bicyclohexylmethylbenzoate It is good.

잉크 조성물의 용매의 종류는, 성막성의 관점이나 소자 특성 등의 관점에서 2종 이상인 것이 바람직하고, 2 내지 3종인 것이 보다 바람직하고, 2종인 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that the kind of solvent of an ink composition is 2 or more types from a viewpoint of film formability, an element characteristic, etc., It is more preferable that it is 2-3 types, It is further more preferable that it is two types.

잉크 조성물에 2종의 용매가 포함되는 경우, 그 중의 1종의 용매는 25 ℃에서 고체 상태일 수도 있다. 성막성의 관점에서, 1종의 용매는 비점이 180 ℃ 이상인 용매이고, 다른 1종의 용매는 비점이 180 ℃ 이하인 용매인 것이 바람직하고, 1종의 용매는 비점이 200 ℃ 이상인 용매이고, 다른 1종의 용매는 비점이 180 ℃ 이하인 용매인 것이 보다 바람직하다. 또한, 점도의 관점에서, 2종의 용매 모두 60 ℃에서 0.2 중량% 이상의 본 발명의 고분자 화합물을 용해시키는 것이 바람직하고, 2종의 용매 중 1종의 용매에는 25 ℃에서 0.2 중량% 이상의 본 발명의 고분자 화합물이 용해되는 것이 바람직하다.When two solvents are contained in an ink composition, one solvent of them may be solid at 25 degreeC. From the viewpoint of film forming properties, it is preferable that one solvent is a solvent having a boiling point of 180 ° C. or higher, the other solvent is a solvent having a boiling point of 180 ° C. or lower, and one solvent is a solvent having a boiling point of 200 ° C. or higher, and the other 1 As for the solvent of a species, it is more preferable that it is a solvent whose boiling point is 180 degrees C or less. From the viewpoint of viscosity, it is preferable to dissolve 0.2 wt% or more of the polymer compound of the present invention at 60 ° C in both solvents, and 0.2 wt% or more at 25 ° C in one solvent of the two solvents. It is preferable that the high molecular compound of melt | dissolve.

잉크 조성물에 3종의 용매가 포함되는 경우, 그 중의 1 내지 2종의 용매는 25 ℃에서 고체 상태일 수도 있다. 성막성의 관점에서, 3종의 용매 중 1종 이상의 용매는 비점이 180 ℃ 이상인 용매이고, 1종 이상의 용매는 비점이 180 ℃ 이하인 용매인 것이 바람직하고, 3종의 용매 중 1종 이상의 용매는 비점이 200 ℃ 이상 300 ℃ 이하인 용매이고, 1종 이상의 용매는 비점이 180 ℃ 이하인 용매인 것이 보다 바람직하다. 또한, 점도의 관점에서, 3종의 용매 중 2종의 용매에는 60 ℃에서 0.2 중량% 이상의 본 발명의 고분자 화합물이 용해되는 것이 바람직하고, 3종의 용매 중 1종의 용매에는 25 ℃에서 0.2 중량% 이상의 본 발명의 고분자 화합물이 용해되는 것이 바람직하다.When three kinds of solvents are included in the ink composition, one or two of them may be solid at 25 ° C. From the viewpoint of film forming properties, it is preferable that at least one solvent of the three solvents is a solvent having a boiling point of 180 ° C. or more, and the at least one solvent is a solvent having a boiling point of 180 ° C. or less, and at least one solvent of the three solvents has a boiling point. It is a solvent which is 200 degreeC or more and 300 degrees C or less, and it is more preferable that 1 or more types of solvent are solvents whose boiling point is 180 degrees C or less. Further, from the viewpoint of viscosity, it is preferable that at least 60% by weight of the polymer compound of the present invention is dissolved in two solvents among the three solvents, and 0.2 at 25 ° C in one solvent of the three solvents. It is preferable that the polymer compound of the present invention by weight or more is dissolved.

잉크 조성물에 2종 이상의 용매가 포함되는 경우, 점도 및 성막성의 관점에서, 가장 비점이 높은 용매가 잉크 조성물의 전체 용매 중량의 40 내지 90 중량%인 것이 바람직하고, 50 내지 90 중량%인 것이 보다 바람직하고, 65 내지 85 중량%인 것이 더욱 바람직하다.When two or more solvents are included in the ink composition, from the viewpoint of viscosity and film formability, the solvent having the highest boiling point is preferably 40 to 90% by weight of the total solvent weight of the ink composition, and more preferably 50 to 90% by weight. It is preferable and it is more preferable that it is 65-85 weight%.

본 발명의 잉크 조성물로서는, 점도 및 성막성의 관점에서 아니솔 및 비시클로헥실을 포함하는 조성물, 아니솔 및 시클로헥실벤젠을 포함하는 조성물, 크실렌 및 비시클로헥실을 포함하는 조성물, 크실렌 및 시클로헥실벤젠을 포함하는 조성물, 메시틸렌 및 메틸벤조에이트를 포함하는 조성물이 바람직하다.As ink compositions of the present invention, from the viewpoint of viscosity and film formability, a composition comprising anisole and bicyclohexyl, a composition comprising anisole and cyclohexylbenzene, a composition comprising xylene and bicyclohexyl, xylene and cyclohexylbenzene Preferred is a composition comprising a, a composition comprising mesitylene and methylbenzoate.

본 발명의 잉크 조성물이 포함할 수 있는 첨가제 중에서,Among the additives that may be included in the ink composition of the present invention,

정공 수송 재료로서는 폴리비닐카르바졸 또는 그의 유도체, 폴리실란 또는 그의 유도체, 측쇄 또는 주쇄에 방향족 아민을 갖는 폴리실록산 유도체, 피라졸린 유도체, 아릴아민 유도체, 스틸벤 유도체, 트리페닐디아민 유도체, 폴리아닐린 또는 그의 유도체, 폴리티오펜 또는 그의 유도체, 폴리피롤 또는 그의 유도체, 폴리(p-페닐렌비닐렌) 또는 그의 유도체, 또는 폴리(2,5-티에닐렌비닐렌) 또는 그의 유도체를 들 수 있다.Examples of the hole transport material include polyvinylcarbazole or derivatives thereof, polysilane or derivatives thereof, polysiloxane derivatives having an aromatic amine in the side chain or main chain, pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, triphenyldiamine derivatives, polyaniline or derivatives thereof. , Polythiophene or derivatives thereof, polypyrrole or derivatives thereof, poly (p-phenylenevinylene) or derivatives thereof, or poly (2,5-thienylenevinylene) or derivatives thereof.

전자 수송 재료로서는 옥사디아졸 유도체, 안트라퀴노디메탄 또는 그의 유도체, 벤조퀴논 또는 그의 유도체, 나프토퀴논 또는 그의 유도체, 안트라퀴논 또는 그의 유도체, 테트라시아노안트라퀴노디메탄 또는 그의 유도체, 플루오레논 유도체, 디페닐디시아노에틸렌 또는 그의 유도체, 디페노퀴논 유도체, 또는 8-히드록시 퀴놀린 또는 그의 유도체의 금속 착체, 폴리퀴놀린 또는 그의 유도체, 폴리퀴녹살린 또는 그의 유도체, 폴리플루오렌 또는 그의 유도체를 들 수 있다.Examples of the electron transporting material include oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane or derivatives thereof, benzoquinone or derivatives thereof, naphthoquinone or derivatives thereof, anthraquinone or derivatives thereof, tetracyanoanthraquinodimethane or derivatives thereof, and fluorenone derivatives. , Diphenyl dicyanoethylene or derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, metal complexes of 8-hydroxy quinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof have.

발광 재료로서는 나프탈렌 유도체, 안트라센 또는 그의 유도체, 페릴렌 또는 그의 유도체, 폴리메틴계, 크산텐계, 쿠마린계, 시아닌계 등의 색소류, 8-히드록시퀴놀린 또는 그의 유도체의 금속 착체, 방향족 아민, 테트라페닐시클로펜타디엔 또는 그의 유도체, 또는 테트라페닐부타디엔 또는 그의 유도체 등을 들 수 있다.Examples of the luminescent material include naphthalene derivatives, anthracene or derivatives thereof, perylene or derivatives thereof, polymethine series, xanthene series, coumarin series, cyanine series and other pigments, 8-hydroxyquinoline or a metal complex of derivatives thereof, aromatic amines and tetra Phenyl cyclopentadiene or its derivative (s), or tetraphenyl butadiene or its derivative (s) etc. are mentioned.

본 발명의 잉크 조성물(용액)은, 본 발명의 고분자 화합물 외에 점도 및/또는 표면 장력을 조절하기 위한 첨가제를 함유할 수도 있다. 상기 첨가제로서는 점도를 높이기 위한 고분자량의 고분자 화합물(증점제)이나 빈용매, 점도를 낮추기 위한 저분자량의 화합물, 표면 장력을 낮추기 위한 계면 활성제 등을 적절하게 조합하여 사용하는 것이 바람직하다.The ink composition (solution) of this invention may contain the additive for adjusting a viscosity and / or surface tension other than the high molecular compound of this invention. As said additive, it is preferable to use suitably combining high molecular weight high molecular compound (thickening agent), a poor solvent, a low molecular weight compound for reducing a viscosity, surfactant for reducing surface tension, etc. suitably.

상기 고분자량의 고분자 화합물로서는, 본 발명의 고분자 화합물에 대한 것과 동일한 용매에 가용성이고, 발광이나 전하 수송을 저해하지 않는 것이면 된다. 예를 들면, 고분자량의 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 또는 본 발명의 고분자 화합물 중 분자량이 큰 것 등을 사용할 수 있다. 중량 평균 분자량이 50만 이상이 바람직하고, 100만 이상이 보다 바람직하다.The high molecular weight polymer compound may be one that is soluble in the same solvent as that for the high molecular compound of the present invention and does not inhibit light emission or charge transport. For example, a high molecular weight polystyrene, polymethyl methacrylate, or the high molecular weight among the high molecular compounds of the present invention can be used. 500,000 or more are preferable and, as for a weight average molecular weight, 1 million or more are more preferable.

빈용매를 증점제로서 사용할 수도 있다. 즉, 용액 중의 고형분에 대한 빈용매를 소량 첨가함으로써 점도를 높일 수 있다. 이 목적으로 빈용매를 첨가하는 경우, 용액 중의 고형분이 석출되지 않는 범위에서, 용매의 종류와 첨가량을 선택하는 것이 바람직하다.A poor solvent can also be used as a thickener. That is, a viscosity can be raised by adding a small amount of the poor solvent with respect to solid content in a solution. When adding a poor solvent for this purpose, it is preferable to select the kind and addition amount of a solvent in the range in which solid content in a solution does not precipitate.

또한, 본 발명의 잉크 조성물(용액)은, 보존 안정성을 개선하기 위해 본 발명의 고분자 화합물 외에 산화 방지제를 함유할 수도 있다. 산화 방지제로서는, 본 발명의 고분자 화합물에 대한 것과 동일한 용매에 가용성이고, 발광이나 전하 수송을 저해하지 않는 것이면 되며, 페놀계 산화 방지제, 인계 산화 방지제 등이 예시된다.Moreover, the ink composition (solution) of this invention may contain antioxidant other than the high molecular compound of this invention in order to improve storage stability. As antioxidant, what is necessary is just to be soluble in the same solvent as the high molecular compound of this invention, and to not inhibit light emission and charge transport, A phenolic antioxidant, phosphorus antioxidant, etc. are illustrated.

본 발명의 고분자 화합물의 용매에의 용해성의 관점에서, 용매의 용해도 파라미터와 고분자 화합물의 용해도 파라미터의 차이가 10 이하인 것이 바람직하고, 7 이하인 것이 보다 바람직하다.From the viewpoint of the solubility of the polymer compound of the present invention in the solvent, the difference between the solubility parameter of the solvent and the solubility parameter of the polymer compound is preferably 10 or less, more preferably 7 or less.

용매의 용해도 파라미터와 본 발명의 고분자 화합물의 용해도 파라미터는, 「용제 핸드북(고단사 간행, 1976년)」에 기재된 방법으로 구할 수 있다.The solubility parameter of a solvent and the solubility parameter of the high molecular compound of this invention can be calculated | required by the method as described in a "solvent handbook" (the high yarn publication, 1976).

본 발명의 고분자 LED로서는, 음극과 발광층 사이에 전자 수송층을 설치한 고분자 LED, 양극과 발광층 사이에 정공 수송층을 설치한 고분자 LED, 음극과 발광층 사이에 전자 수송층을 설치하고, 양극과 발광층 사이에 정공 수송층을 설치한 고분자 LED 등을 들 수 있다.As the polymer LED of the present invention, a polymer LED having an electron transporting layer between the cathode and the light emitting layer, a polymer LED having a hole transporting layer between the anode and the light emitting layer, an electron transporting layer between the cathode and the light emitting layer, and a hole between the anode and the light emitting layer The polymer LED etc. which provided the transport layer are mentioned.

예를 들면, 구체적으로는 이하의 a) 내지 d)의 구조가 예시된다.For example, specifically, the structure of the following a) -d) is illustrated.

a) 양극/발광층/음극a) anode / light emitting layer / cathode

b) 양극/정공 수송층/발광층/음극b) anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode

c) 양극/발광층/전자 수송층/음극c) anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode

d) 양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극d) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode

(여기서, /는 각 층이 인접하여 적층되어 있는 것을 나타내며, 이하 동일함)(Where / indicates that the layers are stacked adjacent to each other, and are the same below)

본 발명의 고분자 LED로서는, 본 발명의 고분자 화합물이 정공 수송층 및/또는 전자 수송층에 포함되어 있는 것도 포함한다.The polymer LED of the present invention includes those in which the polymer compound of the present invention is contained in the hole transport layer and / or the electron transport layer.

본 발명의 고분자 화합물이 정공 수송층에 사용되는 경우에는, 본 발명의 고분자 화합물이 정공 수송성기를 포함하는 고분자 화합물인 것이 바람직하며, 그 구체예로서는 방향족 아민과의 공중합체, 스틸벤과의 공중합체 등이 예시된다.When the polymer compound of the present invention is used in the hole transport layer, it is preferable that the polymer compound of the present invention is a polymer compound containing a hole transporting group, and specific examples thereof include copolymers with aromatic amines, copolymers with stilbene, and the like. This is illustrated.

또한, 본 발명의 고분자 화합물이 전자 수송층에 사용되는 경우에는, 본 발명의 고분자 화합물이 전자 수송성기를 포함하는 고분자 화합물인 것이 바람직하며, 그 구체예로서는 옥사디아졸과의 공중합체, 트리아졸과의 공중합체, 퀴놀린과의 공중합체, 퀴녹살린과의 공중합체, 벤조티아디아졸과의 공중합체 등이 예시된다.In addition, when the high molecular compound of this invention is used for an electron carrying layer, it is preferable that the high molecular compound of this invention is a high molecular compound containing an electron carrying group, As a specific example, It is a copolymer with oxadiazole and a triazole. The copolymer, the copolymer with quinoline, the copolymer with quinoxaline, the copolymer with benzothiadiazole, etc. are illustrated.

본 발명의 고분자 LED가 정공 수송층을 갖는 경우, 사용되는 정공 수송 재료로서는 폴리비닐카르바졸 또는 그의 유도체, 폴리실란 또는 그의 유도체, 측쇄 또는 주쇄에 방향족 아민을 갖는 폴리실록산 유도체, 피라졸린 유도체, 아릴아민 유도체, 스틸벤 유도체, 트리페닐디아민 유도체, 폴리아닐린 또는 그의 유도체, 폴리티오펜 또는 그의 유도체, 폴리피롤 또는 그의 유도체, 폴리(p-페닐렌비닐렌) 또는 그의 유도체, 또는 폴리(2,5-티에닐렌비닐렌) 또는 그의 유도체 등이 예시된다.When the polymer LED of the present invention has a hole transporting layer, the hole transporting material used may include polyvinylcarbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysiloxane derivative having an aromatic amine in the side chain or the main chain, a pyrazoline derivative, an arylamine derivative , Stilbene derivatives, triphenyldiamine derivatives, polyaniline or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, polypyrrole or derivatives thereof, poly (p-phenylenevinylene) or derivatives thereof, or poly (2,5-thienylenevinyl) Lene) or derivatives thereof, and the like.

구체적으로는, 상기 정공 수송 재료로서 일본 특허 공개 (소)63-70257호 공보, 동 63-175860호 공보, 일본 특허 공개 (평)2-135359호 공보, 동 2-135361호 공보, 동 2-209988호 공보, 동 3-37992호 공보, 동 3-152184호 공보에 기재되어 있는 것 등이 예시된다.Specifically, Japanese Patent Laid-Open No. 63-70257, Japanese Patent Laid-Open No. 63-175860, Japanese Patent Laid-Open No. 2-135359, Japanese Patent No. 2-135361, Japanese Patent Laid-Open No. 209988, 3-37992, 3-152184, etc. are illustrated.

이들 중에서 정공 수송층에 사용하는 정공 수송 재료로서, 폴리비닐카르바졸 또는 그의 유도체, 폴리실란 또는 그의 유도체, 측쇄 또는 주쇄에 방향족 아민 화합물기를 갖는 폴리실록산 유도체, 폴리아닐린 또는 그의 유도체, 폴리티오펜 또는 그의 유도체, 폴리(p-페닐렌비닐렌) 또는 그의 유도체, 또는 폴리(2,5-티에틸렌비닐렌) 또는 그의 유도체 등의 고분자 정공 수송 재료가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 폴리비닐카르바졸 또는 그의 유도체, 폴리실란 또는 그의 유도체, 측쇄 또는 주쇄에 방향족 아민을 갖는 폴리실록산 유도체이다.Among these, as the hole transporting material used for the hole transporting layer, polyvinylcarbazole or derivatives thereof, polysilane or derivatives thereof, polysiloxane derivatives having aromatic amine compound groups in the side chain or main chain, polyaniline or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, Polymer hole transport materials such as poly (p-phenylenevinylene) or derivatives thereof, or poly (2,5-thiethylenevinylene) or derivatives thereof are preferable, and more preferably polyvinylcarbazole or derivatives thereof, Polysilanes or derivatives thereof, polysiloxane derivatives having aromatic amines in the side or main chain.

또한, 저분자 화합물의 정공 수송 재료로서는 피라졸린 유도체, 아릴아민 유도체, 스틸벤 유도체, 트리페닐디아민 유도체가 예시된다. 저분자의 정공 수송 재료의 경우에는, 고분자 결합제에 분산시켜 사용하는 것이 바람직하다.Moreover, as a hole transport material of a low molecular weight compound, a pyrazoline derivative, an arylamine derivative, a stilbene derivative, and a triphenyl diamine derivative are illustrated. In the case of a low molecular hole transport material, it is preferable to disperse | distribute to a polymeric binder and to use.

혼합하는 고분자 결합제로서는 전하 수송을 최대한 저해하지 않는 것이 바람직하며, 또한 가시광에 대한 흡수가 강하지 않은 것이 바람직하게 사용된다. 상기 고분자 결합제로서 폴리(N-비닐카르바졸), 폴리아닐린 또는 그의 유도체, 폴리티오펜 또는 그의 유도체, 폴리(p-페닐렌비닐렌) 또는 그의 유도체, 폴리(2,5-티에닐렌비닐렌) 또는 그의 유도체, 폴리카르보네이트, 폴리아크릴레이트, 폴리메틸아크릴레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리실록산 등이 예시된다.As the polymer binder to be mixed, one which does not inhibit charge transport as much as possible, and one which does not have strong absorption of visible light is preferably used. As the polymer binder, poly (N-vinylcarbazole), polyaniline or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, poly (p-phenylenevinylene) or derivatives thereof, poly (2,5-thienylenevinylene) or Derivatives thereof, polycarbonates, polyacrylates, polymethylacrylates, polymethylmethacrylates, polystyrenes, polyvinyl chlorides, polysiloxanes and the like.

폴리비닐카르바졸 또는 그의 유도체는, 예를 들면 비닐 단량체로부터 양이온 중합 또는 라디칼 중합에 의해 얻을 수 있다.Polyvinylcarbazole or a derivative thereof can be obtained by, for example, cationic polymerization or radical polymerization from a vinyl monomer.

폴리실란 또는 그의 유도체로서는, 문헌 [Chem. Rev., 제89권, 1359쪽(1989 년)], 영국 특허 GB2300196호 공개 명세서에 기재된 화합물 등이 예시된다. 합성 방법도 이들에 기재된 방법을 이용할 수 있지만, 특히 키핑법이 바람직하게 이용된다.As polysilanes or derivatives thereof, Chem. Rev., Vol. 89, p. 1359 (1989)], and compounds described in British Patent GB2300196 publication specification and the like. Although the synthesis | combination method can also use the method as described in these, Especially a kipping method is used preferably.

폴리실록산 또는 그의 유도체는, 실록산 골격 구조에는 정공 수송성이 거의 없기 때문에, 측쇄 또는 주쇄에 상기 저분자 정공 수송 재료의 구조를 갖는 것이 바람직하게 사용된다. 특히 정공 수송성의 방향족 아민을 측쇄 또는 주쇄에 갖는 것이 예시된다.Since polysiloxane or derivatives thereof have little hole transporting property in the siloxane skeleton structure, those having the structure of the low molecular hole transporting material in the side chain or the main chain are preferably used. In particular, what has a hole transport aromatic amine in a side chain or a main chain is illustrated.

정공 수송층의 성막 방법에 제한은 없지만, 저분자 정공 수송 재료에서는 고분자 결합제와의 혼합 용액으로부터의 성막에 의한 방법이 예시된다. 또한, 고분자 정공 수송 재료에서는 용액으로부터의 성막에 의한 방법이 예시된다.Although there is no restriction | limiting in the film-forming method of a hole transport layer, The method by film-forming from the mixed solution with a polymeric binder is illustrated by the low molecular-hole hole transport material. In the polymer hole transport material, a method by film formation from a solution is exemplified.

용액으로부터의 성막에 사용하는 용매로서는, 정공 수송 재료를 용해시키는 것이라면 특별히 제한은 없다. 상기 용매로서 클로로포름, 염화메틸렌, 디클로로에탄 등의 염소계 용매, 테트라히드로푸란 등의 에테르계 용매, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소계 용매, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤계 용매, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에스테르계 용매가 예시된다.The solvent used for the film formation from the solution is not particularly limited as long as it dissolves the hole transport material. As the solvent, chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride and dichloroethane, ether solvents such as tetrahydrofuran, aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, ethyl acetate and butyl acetate And ester solvents such as ethyl cellosolve acetate.

용액으로부터의 성막 방법으로서는, 용액으로부터의 스핀 코팅법, 캐스팅법, 마이크로 그라비아 코팅법, 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법, 와이어 바 코팅법, 침지 코팅법, 분무 코팅법, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 인쇄법 등의 도포법을 이용할 수 있다.As a film formation method from a solution, spin coating from a solution, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, spray coating method, screen printing method And coating methods such as flexographic printing, offset printing, and inkjet printing.

정공 수송층의 막 두께로서는, 사용하는 재료에 따라 최적치가 상이하며, 구 동 전압과 발광 효율이 적절한 값이 되도록 선택하면 되는데, 적어도 핀홀이 발생하지 않는 두께가 필요하며, 너무 두꺼우면 소자의 구동 전압이 높아져 바람직하지 않다. 따라서, 상기 정공 수송층의 막 두께로서는, 예를 들면 1 nm 내지 1 ㎛이고, 바람직하게는 2 nm 내지 500 nm이고, 더욱 바람직하게는 5 nm 내지 200 nm이다. As the film thickness of the hole transport layer, the optimum value is different depending on the material used, and the driving voltage and the luminous efficiency may be selected to be an appropriate value.At least, a thickness at which pinholes do not occur is required. This is not preferable because it is high. Therefore, as a film thickness of the said hole transport layer, it is 1 nm-1 micrometer, for example, Preferably it is 2 nm-500 nm, More preferably, it is 5 nm-200 nm.

본 발명의 고분자 LED가 전자 수송층을 갖는 경우, 사용되는 전자 수송 재료로서는 공지된 것을 사용할 수 있으며, 옥사디아졸 유도체, 안트라퀴노디메탄 또는 그의 유도체, 벤조퀴논 또는 그의 유도체, 나프토퀴논 또는 그의 유도체, 안트라퀴논 또는 그의 유도체, 테트라시아노안트라퀴노디메탄 또는 그의 유도체, 플루오레논 유도체, 디페닐디시아노에틸렌 또는 그의 유도체, 디페노퀴논 유도체, 또는 8-히드록시퀴놀린 또는 그의 유도체의 금속 착체, 폴리퀴놀린 또는 그의 유도체, 폴리퀴녹살린 또는 그의 유도체, 폴리플루오렌 또는 그의 유도체 등이 예시된다.When the polymer LED of the present invention has an electron transporting layer, a known one can be used as the electron transporting material to be used, and may include oxadiazole derivatives, anthraquinomethane or derivatives thereof, benzoquinone or derivatives thereof, naphthoquinone or derivatives thereof. , Anthraquinone or derivatives thereof, tetracyanoanthraquinomdimethane or derivatives thereof, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene or derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, poly Quinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof and the like.

구체적으로는, 일본 특허 공개 (소)63-70257호 공보, 동 63-175860호 공보, 일본 특허 공개 (평)2-135359호 공보, 동 2-135361호 공보, 동 2-209988호 공보, 동 3-37992호 공보, 동 3-152184호 공보에 기재되어 있는 것 등이 예시된다.Specifically, Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-70257, Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-175860, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-135359, Japanese Patent No. 2-135361, Japanese Patent Application No. 2-209988, Examples of those disclosed in 3-37992, 3-152184, and the like are exemplified.

이들 중에서 옥사디아졸 유도체, 벤조퀴논 또는 그의 유도체, 안트라퀴논 또는 그의 유도체, 또는 8-히드록시퀴놀린 또는 그의 유도체의 금속 착체, 폴리퀴놀린 또는 그의 유도체, 폴리퀴녹살린 또는 그의 유도체, 폴리플루오렌 또는 그의 유도체가 바람직하며, 2-(4-비페닐릴)-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸, 벤조퀴논, 안트라퀴논, 트리스(8-퀴놀리놀)알루미늄, 폴리퀴놀린이 더욱 바람직하다.Among them, oxadiazole derivatives, benzoquinone or derivatives thereof, anthraquinone or derivatives thereof, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or Derivatives are preferred, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) Aluminum and polyquinoline are more preferable.

전자 수송층의 성막법으로서는 특별히 제한되지 않지만, 저분자 전자 수송 재료에서는 분말로부터의 진공 증착법, 또는 용액 또는 용융 상태로부터의 성막에 의한 방법이, 고분자 전자 수송 재료에서는 용액 또는 용융 상태로부터의 성막에 의한 방법이 각각 예시된다. 용액 또는 용융 상태로부터의 성막시에는, 상기 고분자 결합제를 병용할 수도 있다.Although it does not restrict | limit especially as a film-forming method of an electron carrying layer, The method by the vacuum evaporation method from powder or the film-forming from a solution or molten state in the low molecular electron transport material is the method by the film-forming from a solution or molten state in a polymer electron transport material. Each of these is illustrated. At the time of film-forming from a solution or molten state, the said polymeric binder can also be used together.

용액으로부터의 성막에 사용하는 용매로서는, 전자 수송 재료 및/또는 고분자 결합제를 용해시키는 것이라면 특별히 제한은 없다. 상기 용매로서 클로로포름, 염화메틸렌, 디클로로에탄 등의 염소계 용매, 테트라히드로푸란 등의 에테르계 용매, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소계 용매, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤계 용매, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에스테르계 용매가 예시된다.There is no restriction | limiting in particular as a solvent used for film-forming from a solution as long as it dissolves an electron carrying material and / or a polymeric binder. As the solvent, chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride and dichloroethane, ether solvents such as tetrahydrofuran, aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, ethyl acetate and butyl acetate And ester solvents such as ethyl cellosolve acetate.

용액 또는 용융 상태로부터의 성막 방법으로서는, 스핀 코팅법, 캐스팅법, 마이크로 그라비아 코팅법, 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법, 와이어 바 코팅법, 침지 코팅법, 분무 코팅법, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 인쇄법 등의 도포법을 이용할 수 있다.As a film forming method from a solution or molten state, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, an immersion coating method, a spray coating method, a screen printing method And coating methods such as flexographic printing, offset printing, and inkjet printing.

전자 수송층의 막 두께로서는, 사용하는 재료에 따라 최적치가 상이하며, 구동 전압과 발광 효율이 적절한 값이 되도록 선택하면 되는데, 적어도 핀홀이 발생하지 않는 두께가 필요하며, 너무 두꺼우면 소자의 구동 전압이 높아져 바람직하지 않다. 따라서, 상기 전자 수송층의 막 두께로서는, 예를 들면 1 nm 내지 1 ㎛이고, 바람직하게는 2 nm 내지 500 nm이고, 더욱 바람직하게는 5 nm 내지 200 nm이 다.As the film thickness of the electron transporting layer, the optimum value is different depending on the material used, and the driving voltage and the luminous efficiency may be selected to be an appropriate value.At least, a thickness at which no pinholes are generated is required. It is not preferable to become high. Therefore, as a film thickness of the said electron carrying layer, it is 1 nm-1 micrometer, for example, Preferably it is 2 nm-500 nm, More preferably, it is 5 nm-200 nm.

또한, 전극에 인접하여 설치한 전하 수송층 중, 전극으로부터의 전하 주입 효율을 개선하는 기능을 갖고, 소자의 구동 전압을 낮추는 효과를 갖는 것을, 특히 전하 주입층(정공 주입층, 전자 주입층)이라고 일반적으로 부르기도 한다.Among the charge transport layers provided adjacent to the electrodes, those having the function of improving the charge injection efficiency from the electrodes and the effect of lowering the driving voltage of the device are particularly called charge injection layers (hole injection layer, electron injection layer). Also commonly called.

또한, 전극과의 밀착성 향상이나 전극으로부터의 전하 주입 개선을 위해, 전극에 인접하여 상기 전하 주입층 또는 막 두께 2 nm 이하의 절연층을 설치할 수도 있고, 또한 계면의 밀착성 향상이나 혼합 방지 등을 위해 전하 수송층이나 발광층의 계면에 얇은 버퍼층을 삽입할 수도 있다.In addition, in order to improve adhesion to the electrode and to improve charge injection from the electrode, the charge injection layer or an insulating layer having a thickness of 2 nm or less may be provided adjacent to the electrode, and for the purpose of improving the adhesion of the interface or preventing mixing, etc. A thin buffer layer may be inserted at the interface between the charge transport layer and the light emitting layer.

적층하는 층의 순서나 수, 및 각 층의 두께에 대해서는, 발광 효율이나 소자 수명을 감안하여 적절하게 사용할 수 있다.The order and number of layers to be laminated and the thickness of each layer can be appropriately used in consideration of light emission efficiency and device life.

본 발명의 고분자 화합물은, 유기 반도체 박막으로서 고분자 전계 효과 트랜지스터로서도 사용할 수 있다. 고분자 전계 효과 트랜지스터의 구조로서는, 통상은 소스 전극 및 드레인 전극이 고분자를 포함하는 활성층에 접하여 설치되어 있고, 또한 활성층에 접한 절연층을 끼워 게이트 전극이 설치되어 있는 것이 바람직하다.The polymer compound of the present invention can be used as a polymer field effect transistor as an organic semiconductor thin film. As the structure of the polymer field effect transistor, it is usually preferable that the source electrode and the drain electrode are provided in contact with an active layer containing a polymer, and the gate electrode is provided with an insulating layer in contact with the active layer.

고분자 전계 효과 트랜지스터는, 통상은 지지 기판 상에 형성된다. 지지 기판의 재질로서는 전계 효과 트랜지스터로서의 특성을 저해하지 않으면 특별히 제한되지 않지만, 유리 기판이나 가요성 필름 기판이나 플라스틱 기판도 사용할 수 있다.The polymer field effect transistor is usually formed on a support substrate. Although it does not restrict | limit especially if the material of a support substrate does not impair the characteristic as a field effect transistor, A glass substrate, a flexible film substrate, or a plastic substrate can also be used.

전계 효과 트랜지스터는 공지된 방법, 예를 들면 일본 특허 공개 (평)5- 110069호 공보에 기재된 방법에 의해 제조할 수 있다.A field effect transistor can be manufactured by a well-known method, for example by the method of Unexamined-Japanese-Patent No. 5- 110069.

활성층을 형성할 때, 유기 용매 가용성 고분자를 사용하는 것이 제조상 매우 유리하여 바람직하다. 고분자를 유기 용제에 용해한 용액으로부터의 성막 방법으로서는 스핀 코팅법, 캐스팅법, 마이크로 그라비아 코팅법, 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법, 와이어 바 코팅법, 침지 코팅법, 분무 코팅법, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 인쇄법 등의 도포법을 이용할 수 있다.When forming the active layer, it is preferable to use an organic solvent soluble polymer because it is very advantageous in production. As a film formation method from the solution which melt | dissolved the polymer in the organic solvent, spin coating method, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, spray coating method, screen Coating methods, such as a printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, and the inkjet printing method, can be used.

고분자 전계 효과 트랜지스터를 제조한 후 밀봉하여 이루어지는 밀봉 고분자 전계 효과 트랜지스터가 바람직하다. 이에 따라, 고분자 전계 효과 트랜지스터가 대기로부터 차단되고, 고분자 전계 트랜지스터의 특성 저하를 억제할 수 있다.The sealed polymer field effect transistor formed by manufacturing and then sealing a polymer field effect transistor is preferable. Thereby, a polymer field effect transistor is interrupted | blocked from air | atmosphere, and the fall of the characteristic of a polymer field transistor can be suppressed.

밀봉하는 방법으로서는, UV 경화 수지, 열 경화 수지나 무기 SiONx막 등으로 커버하는 방법, 유리판이나 필름을 UV 경화 수지, 열 경화 수지 등으로 접합시키는 방법 등을 들 수 있다. 대기와의 차단을 효과적으로 행하기 위해 고분자 전계 효과 트랜지스터를 제조한 후 밀봉할 때까지의 공정을 대기에 노출시키지 않고(예를 들면, 건조한 질소 분위기 중, 진공 중 등) 행하는 것이 바람직하다.As a method of sealing, the method of covering with UV curable resin, a thermosetting resin, an inorganic SiONx film, etc., the method of joining a glass plate and a film with UV curable resin, a thermosetting resin, etc. are mentioned. In order to effectively block the atmosphere, it is preferable to perform the steps from the manufacture of the polymer field effect transistor until the sealing is performed without exposing the atmosphere to the atmosphere (for example, in a dry nitrogen atmosphere or in a vacuum).

본 발명에 있어서, 전하 주입층(전자 주입층, 정공 주입층)을 설치한 고분자 LED로서는, 음극에 인접하여 전하 주입층을 설치한 고분자 LED, 양극에 인접하여 전하 주입층을 설치한 고분자 LED를 들 수 있다.In the present invention, as the polymer LED provided with the charge injection layer (electron injection layer, hole injection layer), a polymer LED having the charge injection layer adjacent to the cathode and a polymer LED having the charge injection layer adjacent to the anode Can be mentioned.

예를 들면, 구체적으로는 이하의 e) 내지 p)의 구조를 들 수 있다.For example, the structure of the following e) -p) is mentioned specifically.

e) 양극/전하 주입층/발광층/음극e) anode / charge injection layer / light emitting layer / cathode

f) 양극/발광층/전하 주입층/음극f) anode / light emitting layer / charge injection layer / cathode

g) 양극/전하 주입층/발광층/전하 주입층/음극g) anode / charge injection layer / light emitting layer / charge injection layer / cathode

h) 양극/전하 주입층/정공 수송층/발광층/음극h) anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode

i) 양극/정공 수송층/발광층/전하 주입층/음극i) Anode / hole transport layer / light emitting layer / charge injection layer / cathode

j) 양극/전하 주입층/정공 수송층/발광층/전하 주입층/음극j) anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / charge injection layer / cathode

k) 양극/전하 주입층/발광층/전자 수송층/음극k) anode / charge injection layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode

l) 양극/발광층/전자 수송층/전하 주입층/음극l) anode / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode

m) 양극/전하 주입층/발광층/전자 수송층/전하 주입층/음극m) anode / charge injection layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode

n) 양극/전하 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극n) anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode

o) 양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전하 주입층/음극o) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode

p) 양극/전하 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전하 주입층/음극p) anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode

전하 주입층의 구체적인 예로서는, 도전성 고분자를 포함하는 층, 양극과 정공 수송층 사이에 설치되고, 양극 재료와 정공 수송층에 포함되는 정공 수송 재료와의 중간값의 이온화 포텐셜을 갖는 재료를 포함하는 층, 음극과 전자 수송층 사이에 설치되고, 음극 재료와 전자 수송층에 포함되는 전자 수송 재료와의 중간값의 전자 친화력을 갖는 재료를 포함하는 층 등이 예시된다.Specific examples of the charge injection layer include a layer containing a conductive polymer, a layer provided between the anode and the hole transport layer, and a layer including a material having a median ionization potential between the anode material and the hole transport material included in the hole transport layer, and the cathode. And a layer provided between the electron transporting layer and a material having a median electron affinity between the cathode material and the electron transporting material included in the electron transporting layer.

상기 전하 주입층이 도전성 고분자를 포함하는 층인 경우, 상기 도전성 고분자의 전기 전도도는 10-5 S/cm 이상 103 S/cm 이하인 것이 바람직하고, 발광 화소간의 누설 전류를 작게 하기 위해서는 10-5 S/cm 이상 102 S/cm 이하인 것이 보다 바람직하고, 10-5 S/cm 이상 101 S/cm 이하인 것이 더욱 바람직하다.When the charge injection layer is a layer containing a conductive polymer, the electrical conductivity of the conductive polymer is preferably 10 −5 S / cm or more and 10 3 S / cm or less, and in order to reduce leakage current between light emitting pixels, 10 −5 S It is more preferable that it is more than / cm and 10 2 S / cm, and it is more preferable that it is 10-5 S / cm or more and 10 1 S / cm or less.

상기 전하 주입층이 도전성 고분자를 포함하는 층인 경우, 상기 도전성 고분자의 전기 전도도는 10-5 S/cm 이상 103 S/cm 이하인 것이 바람직하고, 발광 화소간의 누설 전류를 작게 하기 위해서는 10-5 S/cm 이상 102 S/cm 이하인 것이 보다 바람직하고, 10-5 S/cm 이상 101 S/cm 이하인 것이 더욱 바람직하다.When the charge injection layer is a layer containing a conductive polymer, the electrical conductivity of the conductive polymer is preferably 10 −5 S / cm or more and 10 3 S / cm or less, and in order to reduce leakage current between light emitting pixels, 10 −5 S It is more preferable that it is more than / cm and less than 10 2 S / cm, and it is further more preferable that it is 10-5 S / cm or more and 10 1 S / cm or less.

통상은 상기 도전성 고분자의 전기 전도도를 10-5 S/cm 이상 103 S/cm 이하로 하기 위해, 상기 도전성 고분자에 적량의 이온을 도핑한다.Usually, in order to make the electrical conductivity of the said conductive polymer into 10-5 S / cm or more and 10 3 S / cm or less, an appropriate amount of ions are doped into the conductive polymer.

도핑하는 이온의 종류는, 정공 주입층이라면 음이온, 전자 주입층이라면 양이온이다. 음이온의 예로서는 폴리스티렌술폰산 이온, 알킬벤젠술폰산 이온, 캄포술폰산 이온 등이 예시되고, 양이온의 예로서는 리튬 이온, 나트륨 이온, 칼륨 이온, 테트라부틸암모늄 이온 등이 예시된다.Kinds of ions to be doped are anions if the hole injection layer and cations if the electron injection layer. Examples of the anion include polystyrene sulfonic acid ions, alkylbenzene sulfonic acid ions, camphorsulfonic acid ions and the like, and examples of the cations include lithium ions, sodium ions, potassium ions, tetrabutylammonium ions and the like.

전하 주입층의 막 두께로서는, 예를 들면 1 nm 내지 100 nm이고, 2 nm 내지 50 nm가 바람직하다.As a film thickness of a charge injection layer, it is 1 nm-100 nm, for example, and 2 nm-50 nm are preferable.

전하 주입층에 사용하는 재료는, 전극이나 인접하는 층의 재료와의 관계로부터 적절하게 선택할 수 있으며, 폴리아닐린 및 그의 유도체, 폴리티오펜 및 그의 유도체, 폴리피롤 및 그의 유도체, 폴리페닐렌비닐렌 및 그의 유도체, 폴리티에닐렌비닐렌 및 그의 유도체, 폴리퀴놀린 및 그의 유도체, 폴리퀴녹살린 및 그의 유도체, 방향족 아민 구조를 주쇄 또는 측쇄에 포함하는 중합체 등의 도전성 고분자, 금속 프탈로시아닌(구리 프탈로시아닌 등), 탄소 등이 예시된다.The material used for the charge injection layer can be appropriately selected from the relationship with the material of the electrode or the adjacent layer, and polyaniline and its derivatives, polythiophene and its derivatives, polypyrrole and its derivatives, polyphenylenevinylene and its Derivatives, polythienylenevinylene and derivatives thereof, polyquinoline and derivatives thereof, polyquinoxaline and derivatives thereof, conductive polymers such as polymers containing an aromatic amine structure in the main chain or side chain, metal phthalocyanine (such as copper phthalocyanine), carbon and the like This is illustrated.

막 두께 2 nm 이하의 절연층은 전하 주입을 용이하게 하는 기능을 갖는 것이다. 상기 절연층의 재료로서는 금속 불화물, 금속 산화물, 유기 절연 재료 등을 들 수 있다. 막 두께 2 nm 이하의 절연층을 설치한 고분자 LED로서는, 음극에 인접하여 막 두께 2 nm 이하의 절연층을 설치한 고분자 LED, 양극에 인접하여 막 두께 2 nm 이하의 절연층을 설치한 고분자 LED를 들 수 있다.An insulating layer having a thickness of 2 nm or less has a function of facilitating charge injection. As a material of the said insulating layer, a metal fluoride, a metal oxide, an organic insulating material, etc. are mentioned. As a polymer LED provided with an insulating layer having a thickness of 2 nm or less, a polymer LED having an insulating layer having a thickness of 2 nm or less adjacent to a cathode and a polymer LED having an insulating layer having a thickness of 2 nm or less adjacent to an anode are provided. Can be mentioned.

구체적으로는, 예를 들면 이하의 q) 내지 ab)의 구조를 들 수 있다.Specifically, the structures of the following q) to ab) are mentioned.

q) 양극/막 두께 2 nm 이하의 절연층/발광층/음극q) anode / film thickness of 2 nm or less, insulating layer / light emitting layer / cathode

r) 양극/발광층/막 두께 2 nm 이하의 절연층/음극r) anode / light emitting layer / insulating layer / cathode having a thickness of 2 nm or less;

s) 양극/막 두께 2 nm 이하의 절연층/발광층/막 두께 2 nm 이하의 절연층/음극s) anode / film thickness of 2 nm or less, insulating layer / light emitting layer / film thickness of 2 nm or less, insulating layer / cathode

t) 양극/막 두께 2 nm 이하의 절연층/정공 수송층/발광층/음극t) anode / insulation layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode of 2 nm or less in thickness

u) 양극/정공 수송층/발광층/막 두께 2 nm 이하의 절연층/음극u) anode / hole transporting layer / light emitting layer / insulating layer / cathode having a film thickness of 2 nm or less;

v) 양극/막 두께 2 nm 이하의 절연층/정공 수송층/발광층/막 두께 2 nm 이하의 절연층/음극v) anode / film thickness of 2 nm or less, insulating layer / hole transport layer / light emitting layer / film thickness of 2 nm or less, insulating layer / cathode

w) 양극/막 두께 2 nm 이하의 절연층/발광층/전자 수송층/음극w) anode / film thickness of 2 nm or less, insulating layer / light emitting layer / electron transporting layer / cathode

x) 양극/발광층/전자 수송층/막 두께 2 nm 이하의 절연층/음극x) anode / light emitting layer / electron transporting layer / insulating layer / cathode having a thickness of 2 nm or less

y) 양극/막 두께 2 nm 이하의 절연층/발광층/전자 수송층/막 두께 2 nm 이하의 절연층/음극y) anode / film thickness 2 nm or less, insulating layer / light emitting layer / electron transport layer / film thickness 2 nm or less, insulating layer / cathode

z) 양극/막 두께 2 nm 이하의 절연층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극z) Insulation layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode with anode / film thickness of 2 nm or less

aa) 양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/막 두께 2 nm 이하의 절연층/음극aa) anode / hole transporting layer / light emitting layer / electron transporting layer / insulation layer / cathode of 2 nm or less in thickness

ab) 양극/막 두께 2 nm 이하의 절연층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/막 두께 2 nm 이하의 절연층/음극ab) anode / film thickness 2 nm or less, insulating layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / film thickness 2 nm or less, insulation layer / cathode

본 발명의 고분자 LED를 형성하는 기판은, 전극을 형성하고, 유기물층을 형성할 때 변화하지 않는 것이면 되며, 예를 들면 유리, 플라스틱, 고분자 필름, 실리콘 기판 등이 예시된다. 불투명한 기판의 경우에는, 반대 전극이 투명 또는 반투명한 것이 바람직하다.The board | substrate which forms the polymer LED of this invention should just be a thing which does not change when forming an electrode and forming an organic substance layer, For example, glass, a plastic, a polymer film, a silicon substrate, etc. are illustrated. In the case of an opaque substrate, it is preferable that the opposite electrode is transparent or translucent.

통상적으로 본 발명의 고분자 LED가 갖는 양극 및 음극 중 적어도 한쪽은 투명 또는 반투명하다. 양극측이 투명 또는 반투명한 것이 바람직하다.Usually, at least one of the positive electrode and the negative electrode of the polymer LED of the present invention is transparent or translucent. It is preferable that the anode side is transparent or semitransparent.

상기 양극의 재료로서는 도전성 금속 산화물막, 반투명한 금속 박막 등이 사용된다. 구체적으로는 산화인듐, 산화아연, 산화주석, 및 이들의 복합체인 인듐ㆍ주석ㆍ옥시드(ITO), 인듐ㆍ아연ㆍ옥시드 등을 포함하는 도전성 유리를 사용하여 제조된 막(NESA 등)이나, 금, 백금, 은, 구리 등이 사용되고, ITO, 인듐ㆍ아연ㆍ옥시드, 산화주석이 바람직하다. 제조 방법으로서는 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 도금법 등을 들 수 있다. 또한, 상기 양극으로서 폴리아닐린 또는 그의 유도체, 폴리티오펜 또는 그의 유도체 등의 유기 투명 도전막을 사용할 수도 있다.As the material of the anode, a conductive metal oxide film, a semitransparent metal thin film, or the like is used. Specifically, a film (NESA, etc.) manufactured using a conductive glass containing indium oxide, zinc oxide, tin oxide, and indium, tin, oxide (ITO), indium zinc oxide, or the like thereof, , Gold, platinum, silver, copper and the like are used, and ITO, indium zinc oxide and tin oxide are preferable. As a manufacturing method, a vacuum vapor deposition method, sputtering method, an ion plating method, a plating method, etc. are mentioned. Moreover, organic transparent conductive films, such as polyaniline or its derivative (s), polythiophene or its derivative (s), can also be used as said anode.

양극의 막 두께는, 광의 투과성과 전기 전도도를 고려하여 적절하게 선택할 수 있지만, 예를 들면 10 nm 내지 10 ㎛이고, 바람직하게는 20 nm 내지 1 ㎛이고, 더욱 바람직하게는 50 nm 내지 500 nm이다.The film thickness of the anode can be appropriately selected in consideration of light transmittance and electrical conductivity, but is, for example, 10 nm to 10 µm, preferably 20 nm to 1 µm, and more preferably 50 nm to 500 nm. .

또한, 양극 상에 전하 주입을 용이하게 하기 위해 프탈로시아닌 유도체, 도 전성 고분자, 탄소 등을 포함하는 층, 또는 금속 산화물이나 금속 불화물, 유기 절연 재료 등을 포함하는 평균 막 두께 2 nm 이하의 층을 설치할 수도 있다.In order to facilitate charge injection, a layer containing a phthalocyanine derivative, a conductive polymer, carbon, or the like, or a layer having an average film thickness of 2 nm or less including a metal oxide, a metal fluoride, an organic insulating material, or the like is provided on the anode. It may be.

본 발명의 고분자 LED에서 사용하는 음극의 재료로서는, 일 함수가 작은 재료가 바람직하다. 예를 들면, 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨, 알루미늄, 스칸듐, 바나듐, 아연, 이트륨, 인듐, 세륨, 사마륨, 유로퓸, 테르븀, 이테르븀 등의 금속, 및 이들 중 2개 이상의 합금, 또는 이들 중 1개 이상과, 금, 은, 백금, 구리, 망간, 티탄, 코발트, 니켈, 텅스텐, 주석 중 1개 이상과의 합금, 흑연 또는 흑연층간 화합물 등이 사용된다. 합금의 예로서는 마그네슘-은 합금, 마그네슘-인듐 합금, 마그네슘-알루미늄 합금, 인듐-은 합금, 리튬-알루미늄 합금, 리튬-마그네슘 합금, 리튬-인듐 합금, 칼슘-알루미늄 합금 등을 들 수 있다. 음극을 2층 이상의 적층 구조로 할 수도 있다.As the material of the cathode used in the polymer LED of the present invention, a material having a small work function is preferable. For example, metals such as lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium and ytterbium, and Alloys of two or more of these, or one or more of these, and one or more of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin, graphite or graphite interlayer compounds, etc. are used. do. Examples of the alloys include magnesium-silver alloys, magnesium-indium alloys, magnesium-aluminum alloys, indium-silver alloys, lithium-aluminum alloys, lithium-magnesium alloys, lithium-indium alloys, calcium-aluminum alloys, and the like. The cathode may have a laminated structure of two or more layers.

음극의 막 두께는, 전기 전도도나 내구성을 고려하여 적절하게 선택할 수 있는데, 예를 들면 10 nm 내지 10 ㎛이고, 바람직하게는 20 nm 내지 1 ㎛이고, 더욱 바람직하게는 50 nm 내지 500 nm이다.The film thickness of the cathode can be appropriately selected in consideration of electrical conductivity and durability, for example, 10 nm to 10 m, preferably 20 nm to 1 m, and more preferably 50 nm to 500 nm.

음극의 제조 방법으로서는 진공 증착법, 스퍼터링법, 또한 금속 박막을 열 압착하는 적층법 등이 이용된다. 또한, 음극과 유기물층 사이에 도전성 고분자를 포함하는 층, 또는 금속 산화물이나 금속 불화물, 유기 절연 재료 등을 포함하는 평균 막 두께 2 nm 이하의 층을 설치할 수도 있으며, 음극 제조 후, 상기 고분자 LED를 보호하는 보호층을 장착할 수도 있다. 상기 고분자 LED를 장기적으로 안정하게 사용하기 위해서는, 소자를 외부로부터 보호하기 위해 보호층 및/또는 보호 커버를 장착하는 것이 바람직하다.As the method for producing the cathode, a vacuum deposition method, a sputtering method, a lamination method for thermocompression bonding a metal thin film, or the like is used. In addition, a layer containing a conductive polymer or a layer having an average film thickness of 2 nm or less including a metal oxide, a metal fluoride, an organic insulating material, or the like may be provided between the cathode and the organic material layer. A protective layer may be attached. In order to use the polymer LED for long term stability, it is preferable to mount a protective layer and / or a protective cover to protect the device from the outside.

상기 보호층으로서는 고분자 화합물, 금속 산화물, 금속 불화물, 금속 붕화물 등을 사용할 수 있다. 또한, 보호 커버로서는 유리판, 표면에 저투수율 처리를 실시한 플라스틱판 등을 사용할 수 있으며, 상기 커버를 열 효과 수지나 광 경화 수지로 소자 기판과 접합시켜 밀폐하는 방법이 바람직하게 이용된다. 스페이서를 사용하여 공간을 유지하면, 소자가 손상되는 것을 방지하기가 용이하다. 상기 공간에 질소나 아르곤과 같은 불활성 가스를 봉입하면, 음극의 산화를 방지할 수 있고, 또한 산화바륨 등의 건조제를 상기 공간 내에 설치함으로써 제조 공정에서 흡착된 수분이 소자에 손상을 주는 것을 억제하기가 용이해진다. 이들 중에서 어느 하나 이상의 방책을 취하는 것이 바람직하다.As the protective layer, a high molecular compound, a metal oxide, a metal fluoride, a metal boride, or the like can be used. As the protective cover, a glass plate, a plastic plate having a low water permeability treatment on the surface thereof, or the like can be used, and a method of bonding the cover to the element substrate with a heat effect resin or a photocurable resin and sealing is preferably used. By using a spacer to maintain space, it is easy to prevent the device from being damaged. When an inert gas such as nitrogen or argon is enclosed in the space, oxidation of the cathode can be prevented, and a desiccant such as barium oxide can be provided in the space to prevent the moisture adsorbed in the manufacturing process from damaging the device. Becomes easy. It is preferable to take any one or more of these measures.

본 발명의 고분자 LED는, 면상 광원, 세그먼트 표시 장치, 도트 매트릭스 표시 장치, 액정 표시 장치(예를 들면, 액정 표시 장치의 백 라이트)에 사용할 수 있다.The polymer LED of the present invention can be used for a planar light source, a segment display device, a dot matrix display device, and a liquid crystal display device (for example, a backlight of a liquid crystal display device).

본 발명의 고분자 LED를 사용하여 면상의 발광을 얻기 위해서는, 면상의 양극과 음극이 중첩되도록 배치하는 것이 바람직하다. 또한, 패턴상의 발광을 얻기 위해서는, 상기 면상의 발광 소자의 표면에 패턴상의 창을 설치한 마스크를 설치하는 방법, 비발광부의 유기물층을 최대한 두껍게 형성하여 실질적으로 비발광으로 하는 방법, 양극 또는 음극 중 어느 한쪽 또는 양쪽 전극을 패턴상으로 형성하는 방법이 있다. 이들 어느 하나의 방법으로 패턴을 형성하고, 몇가지 전극을 독립적으로 ON/OFF할 수 있도록 배치함으로써, 숫자나 문자, 간단한 기호 등을 표시할 수 있는 세그먼트형의 표시 소자가 얻어진다. 또한, 도트 매트릭스 소자로 하기 위해서는, 양극과 음극을 모두 스트라이프상으로 형성하여 직교하도록 배치하는 것이 바람직하다. 복수종의 발광색이 상이한 고분자 형광체를 분할 도포하는 방법이나, 컬러 필터 또는 형광 변환 필터를 이용하는 방법에 의해 부분 컬러 표시, 멀티 컬러 표시가 가능해진다. 도트 매트릭스 소자는 패시브 구동도 가능하며, TFT 등과 조합하여 액티브 구동할 수도 있다. 이들 표시 소자는 컴퓨터, 텔레비젼, 휴대용 단말기, 휴대용 전화, 카 내비게이션, 비디오 카메라의 뷰 파인더 등의 표시 장치로서 사용할 수 있다.In order to obtain planar light emission using the polymer LED of the present invention, it is preferable to arrange the planar anode and the cathode so as to overlap. In addition, in order to obtain pattern light emission, a method of providing a mask having a patterned window on the surface of the planar light emitting element, a method of forming an organic layer of the non-light emitting part as thick as possible and making it substantially non-emission, among the anode or the cathode There is a method of forming either or both electrodes in a pattern form. By forming a pattern by any of these methods and arranging several electrodes so that they can be turned ON / OFF independently, a segment type display element capable of displaying numbers, letters, simple symbols, and the like is obtained. In addition, in order to make a dot matrix element, it is preferable to arrange | position both an anode and a cathode in stripe form, and orthogonally cross. Partial color display and multi-color display can be performed by the method of separately applying a polymer fluorescent substance having a plurality of light emission colors or by using a color filter or a fluorescence conversion filter. The dot matrix element can also be passively driven and can be actively driven in combination with a TFT or the like. These display elements can be used as display devices such as computers, televisions, portable terminals, portable telephones, car navigation systems, and view finders of video cameras.

또한, 상기 면상의 발광 소자는 자발광 박형이며, 액정 표시 장치의 백 라이트용 면상 광원, 또는 면상의 조명용 광원으로서 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 가요성 기판을 사용하면, 곡면상의 광원이나 표시 장치로서도 사용할 수 있다.Moreover, the planar light emitting element is a self-luminous thin type, and can be suitably used as a planar light source for backlight of a liquid crystal display device or a planar illumination light source. Moreover, when a flexible substrate is used, it can also be used as a curved light source and a display apparatus.

이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해 실시예를 나타내지만, 본 발명은 이것들로 한정되는 것이 아니다.Hereinafter, although an Example is shown in order to demonstrate this invention further in detail, this invention is not limited to these.

(수 평균 분자량 및 중량 평균 분자량)(Number average molecular weight and weight average molecular weight)

여기서, 수 평균 분자량 및 중량 평균 분자량에 대해서는, GPC(시마즈 세이사꾸쇼 제조: LC-10Avp)에 의해 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량 및 중량 평균 분자량을 구하였다. 측정하는 중합체는 약 0.5 중량%의 농도가 되도록 테트라히드로푸란에 용해시켜 GPC에 50 μL 주입하였다. GPC의 이동상은 테트라히드로푸란을 사용하고, 0.6 ㎖/분의 유속으로 유입하였다. 칼럼은 TSKgel SuperHM-H(도소 제조) 2개와 TSKgel SuperH2000(도소 제조) 1개를 직렬로 연결하였다. 검출기에는 시차 굴절률 검출기(시마즈 세이사꾸쇼 제조: RID-10A)를 이용하였다.Here, about the number average molecular weight and the weight average molecular weight, the number average molecular weight and weight average molecular weight of polystyrene conversion were calculated | required by GPC (Shimadzu Corporation make: LC-10Avp). The polymer to be measured was dissolved in tetrahydrofuran to a concentration of about 0.5% by weight, and 50 µL of the polymer was injected into GPC. The mobile phase of GPC used tetrahydrofuran and flowed in at a flow rate of 0.6 ml / min. The column connected two TSKgel SuperHM-H (made by Tosoh) and one TSKgel SuperH2000 (made by Tosoh) in series. A differential refractive index detector (RID-10A manufactured by Shimadzu Corporation) was used for the detector.

(형광 스펙트럼)(Fluorescence spectrum)

형광 스펙트럼의 측정은 이하의 방법으로 행하였다. 중합체의 0.8 중량% 용액을 석영 상에 스핀 코팅하여 중합체의 박막을 제조하였다. 이 박막을 350 nm의 파장으로 여기하고, 형광 분광 광도계(호리바 세이사꾸쇼 제조, Fluorolog)를 이용하여 형광 스펙트럼을 측정하였다. 박막에서의 상대적인 형광 강도를 얻기 위해, 물의 라만선의 강도를 표준으로 파수 플롯한 형광 스펙트럼을 스펙트럼 측정 범위로 적분하고, 분광 광도계(베리안사 제조, Cary5E)를 이용하여 측정한 여기 파장에서의 흡광도로 나눈 값을 구하였다.The fluorescence spectrum was measured by the following method. A thin film of polymer was prepared by spin coating a 0.8 wt% solution of the polymer onto quartz. This thin film was excited at a wavelength of 350 nm, and the fluorescence spectrum was measured using a fluorescence spectrophotometer (Furulog, manufactured by HORIBA Corporation). In order to obtain the relative fluorescence intensity in the thin film, the fluorescence spectrum obtained by wavenumber plotting the Raman line intensity of water as a standard was integrated into the spectrum measurement range, and the absorbance at the excitation wavelength measured using a spectrophotometer (Cary5E, manufactured by Verian). The divided value was obtained.

(HPLC 측정)(HPLC measurement)

측정 기기: Agilent 1100LCMeasuring instrument: Agilent 1100LC

측정 조건: L-Column ODS, 5 ㎛, 2.1 mm×150 mm; Measurement conditions: L-Column ODS, 5 μm, 2.1 mm × 150 mm;

A액: 아세토니트릴, B액: THFLiquid A: Acetonitrile, Liquid B: THF

그라디언트Gradient

B액:B amount:

0 %(60 분)→10 % 증가/분→100 %(10 분),0% (60 minutes) → 10% increment / minute → 100% (10 minutes),

샘플 농도: 5.0 mg/㎖(THF 용액),Sample concentration: 5.0 mg / mL (THF solution),

주입량: 1 μLInjection volume: 1 μL

검출 파장: 350 nmDetection wavelength: 350 nm

<합성예 1>Synthesis Example 1

(1-브로모-4-t-부틸-2,6-디메틸벤젠의 합성)(Synthesis of 1-bromo-4-t-butyl-2,6-dimethylbenzene)

Figure 112007084268841-PCT00088
Figure 112007084268841-PCT00088

불활성 분위기하에서 500 ㎖의 삼구 플라스크에 아세트산 225 g을 넣고, 5-t-부틸-m-크실렌 24.3 g을 첨가하였다. 이어서, 브롬 31.2 g을 첨가한 후, 15 내지 20 ℃에서 3 시간 반응시켰다.In an inert atmosphere, 225 g of acetic acid was added to a 500 ml three-necked flask, and 24.3 g of 5-t-butyl-m-xylene was added. Subsequently, after adding 31.2 g of bromine, it reacted at 15-20 degreeC for 3 hours.

반응액을 물 500 ㎖에 첨가하여 석출된 침전을 여과하였다. 물 250 ㎖로 2회 세정하여 백색 고체 34.2 g을 얻었다.The reaction solution was added to 500 ml of water, and the precipitated precipitate was filtered out. Washed twice with 250 ml water to afford 34.2 g of a white solid.

<N,N'-디페닐-N,N'-비스(4-t-부틸-2,6-디메틸페닐)-1,4-페닐렌디아민의 합성><Synthesis of N, N'-diphenyl-N, N'-bis (4-t-butyl-2,6-dimethylphenyl) -1,4-phenylenediamine>

Figure 112007084268841-PCT00089
Figure 112007084268841-PCT00089

불활성 분위기하에서 100 ㎖의 삼구 플라스크에 탈기한 탈수 톨루엔 36 ㎖를 넣고, 트리(t-부틸)포스핀 0.63 g을 첨가하였다. 이어서, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐 0.41 g, 1-브로모-4-t-부틸-2,6-디메틸벤젠 9.6 g, t-부톡시나트륨 5.2 g, N,N'-디페닐-1,4-페닐렌디아민 4.7 g을 첨가한 후, 100 ℃에서 3 시간 반응 시켰다.In an inert atmosphere, 36 ml of dehydrated toluene degassed was put into a 100 ml three-necked flask, and 0.63 g of tri (t-butyl) phosphine was added. Next, 0.41 g of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium, 9.6 g of 1-bromo-4-t-butyl-2,6-dimethylbenzene, 5.2 g of t-butoxy sodium, N, N'-diphenyl- After adding 4.7 g of 1,4-phenylenediamine, the mixture was reacted at 100 ° C for 3 hours.

반응액을 포화 식염수 300 ㎖에 첨가하고, 약 50 ℃로 따뜻하게 한 클로로포름 300 ㎖로 추출하였다. 용매를 증류 제거한 후, 톨루엔 100 ㎖를 첨가하여 고체가 용해될 때까지 가열, 방냉한 후, 침전을 여과하여 백색 고체 9.9 g을 얻었다.The reaction solution was added to 300 ml of saturated brine, and extracted with 300 ml of chloroform warmed to about 50 deg. After distilling off the solvent, 100 ml of toluene was added, the mixture was heated and cooled until the solid was dissolved, and then the precipitate was filtered to give 9.9 g of a white solid.

<N,N'-비스(4-브로모페닐)-N,N'-비스(4-t-부틸-2,6-디메틸페닐)-1,4-페닐렌디아민의 합성><Synthesis of N, N'-bis (4-bromophenyl) -N, N'-bis (4-t-butyl-2,6-dimethylphenyl) -1,4-phenylenediamine>

Figure 112007084268841-PCT00090
Figure 112007084268841-PCT00090

불활성 분위기하에서 1000 ㎖의 삼구 플라스크에 탈수 N,N-디메틸포름아미드 350 ㎖를 넣고, N'-디페닐-N,N'-비스(4-t-부틸-2,6-디메틸페닐)-1,4-페닐렌디아민 5.2 g을 용해한 후, 빙욕하에서 N-브로모숙신이미드 3.5 g/N,N-디메틸포름아미드 용액을 적하하여 하룻밤 반응시켰다.In an inert atmosphere, 350 ml of dehydrated N, N-dimethylformamide was placed in a 1000 ml three-necked flask, and N'-diphenyl-N, N'-bis (4-t-butyl-2,6-dimethylphenyl) -1 After dissolving 5.2 g of, 4-phenylenediamine, 3.5 g / N, N-dimethylformamide solution of N-bromosuccinimide was added dropwise under an ice bath to react overnight.

반응액에 물 150 ㎖를 첨가하여 석출된 침전을 여과하고, 메탄올 50 ㎖로 2회 세정하여 백색 고체 4.4 g을 얻었다.150 ml of water was added to the reaction mixture, and the precipitated precipitate was filtered off and washed twice with 50 ml of methanol to obtain 4.4 g of a white solid.

Figure 112007084268841-PCT00091
Figure 112007084268841-PCT00091

<합성예 2>Synthesis Example 2

<N,N'-디페닐-N,N'-비스(4-t-부틸-2,6-디메틸페닐)-벤지딘의 합성><Synthesis of N, N'-diphenyl-N, N'-bis (4-t-butyl-2,6-dimethylphenyl) -benzidine

Figure 112007084268841-PCT00092
Figure 112007084268841-PCT00092

불활성 분위기하에서 300 ㎖의 삼구 플라스크에 탈기한 탈수 톨루엔 1660 ㎖를 넣고, N,N'-디페닐벤지딘 275.0 g, 4-t-부틸-2,6-디메틸브로모벤젠 449.0 g을 첨가하였다. 이어서, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐 7.48 g, t-부톡시나트륨 196.4 g을 첨가한 후, 트리(t-부틸)포스핀 5.0 g을 첨가하였다. 그 후, 105 ℃에서 7 시간 반응시켰다.In an inert atmosphere, 1660 ml of dehydrated toluene degassed was put into a 300 ml three-neck flask, and 275.0 g of N, N'-diphenylbenzidine and 449.0 g of 4-t-butyl-2,6-dimethylbromobenzene were added thereto. Subsequently, 7.48 g of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium and 196.4 g of sodium t-butoxy were added, followed by 5.0 g of tri (t-butyl) phosphine. Then, it reacted at 105 degreeC for 7 hours.

반응액에 톨루엔 2000 ㎖를 첨가하여 셀라이트 여과하고, 여과액을 물 1000 ㎖로 3회 세정한 후, 700 ㎖까지 농축하였다. 여기에 톨루엔/메탄올(1:1) 용액 1600 ㎖를 첨가하여 석출된 결정을 여과하고, 메탄올로 세정하였다. 백색 고체 479.4 g을 얻었다.2000 ml of toluene was added to the reaction mixture, and the mixture was filtered through Celite. The filtrate was washed three times with 1000 ml of water, and then concentrated to 700 ml. 1600 ml of a toluene / methanol (1: 1) solution was added thereto, and the precipitated crystal | crystallization was filtered and wash | cleaned with methanol. 479.4 g of a white solid were obtained.

<N,N'-비스(4-브로모페닐)-N,N'-비스(4-t-부틸-2,6-디메틸페닐)-벤지딘의 합성><Synthesis of N, N'-bis (4-bromophenyl) -N, N'-bis (4-t-butyl-2,6-dimethylphenyl) -benzidine

Figure 112007084268841-PCT00093
Figure 112007084268841-PCT00093

불활성 분위기하에서 클로로포름 4730 g에 상기 N,N'-디페닐-N,N'-비스(4-t-부틸-2,6-디메틸페닐)-벤지딘 472.8 g을 용해한 후, 차광 및 빙욕하에서 N-브로모숙신이미드 281.8 g을 12 분할로 1 시간에 걸쳐 넣고 3 시간 반응시켰다.472.8 g of the above-mentioned N, N'-diphenyl-N, N'-bis (4-t-butyl-2,6-dimethylphenyl) -benzidine was dissolved in 4730 g of chloroform under an inert atmosphere, followed by N under shading and an ice bath. -281.8 g of bromosuccinimide were added in 12 portions over 1 hour and allowed to react for 3 hours.

클로로포름 1439 ㎖를 반응액에 첨가하여 여과하고, 여과액의 클로로포름 용액을 5 % 티오황산나트륨 2159 ㎖로 세정하고, 톨루엔을 용매 증류 제거하여 백색 결정을 얻었다. 얻어진 백색 결정을 톨루엔/에탄올로 재결정하여 백색 결정 678.7 g을 얻었다.1439 mL of chloroform was added to the reaction solution, and the mixture was filtered. The chloroform solution of the filtrate was washed with 2159 mL of 5% sodium thiosulfate, and toluene was distilled off from the solvent to obtain white crystals. The obtained white crystals were recrystallized from toluene / ethanol to give 678.7 g of white crystals.

MS(APCI(+)): (M+H)+ 815.2MS (APCI (+)): (M + H) + 815.2

<실시예 1> <화합물 B의 합성>Example 1 Synthesis of Compound B

(화합물 A의 합성)(Synthesis of Compound A)

Figure 112007084268841-PCT00094
Figure 112007084268841-PCT00094

반응 용기에 이온 교환수 31 ㎖를 넣고, 교반하면서 수산화나트륨 29 g(727 mmol)을 조금씩 첨가하여 완전히 용해시켰다. 계 내를 아르곤 치환하고, 톨루엔 30 ㎖와 1,2,3,10b-테트라히드로플루오란텐 5.0 g(24 mmol)을 넣고 교반하여 용해하였다. 이어서, 브롬화 테트라부틸암모늄 2.3 g(7.3 mmol)과 브롬화 옥틸 9.4 g(48 mmol)을 첨가하여 40 ℃에서 3 시간 반응시켰다. 톨루엔과 물로 분액하여 유기층을 추출한 후, 황산나트륨으로 건조시켰다. 용매를 증류 제거한 후, 헥산을 전개 용매로 하는 실리카 겔 칼럼으로 정제함으로써 담황색의 결정 6.45 g을 얻었다.31 mL of ion-exchanged water was added to the reaction vessel, and 29 g (727 mmol) of sodium hydroxide was added little by little while stirring to dissolve completely. The inside of the system was substituted with argon, and 30 ml of toluene and 5.0 g (24 mmol) of 1,2,3,10b-tetrahydrofluoranthene were added and stirred to dissolve. Subsequently, 2.3 g (7.3 mmol) of tetrabutylammonium bromide and 9.4 g (48 mmol) of octyl bromide were added and reacted at 40 ° C. for 3 hours. The mixture was separated with toluene and water to extract an organic layer, and then dried over sodium sulfate. After distilling off the solvent, hexane was purified by a silica gel column having a developing solvent, to thereby obtain 6.45 g of pale yellow crystals.

Figure 112007084268841-PCT00095
Figure 112007084268841-PCT00095

(화합물 B의 합성)(Synthesis of Compound B)

Figure 112007084268841-PCT00096
Figure 112007084268841-PCT00096

아르곤 치환한 반응 용기에 화합물 A 5.8 g(18 mmol)과 아세트산:디클로로메탄=1:1의 혼합 용매 115 ㎖를 넣고, 실온에서 교반하여 용해하였다. 이어서, 삼브롬화 벤질트리메틸암모늄 14 g(36 mmol)을 넣고, 교반하면서 염화아연을 삼브롬화 벤질트리메틸암모늄이 완전히 용해될 때까지 첨가하였다. 반응을 HPLC로 추적하면서 적절하게 삼브롬화 벤질트리메틸암모늄과 염화아연을 첨가하였다. 반응 종료 후, 클로로포름과 물로 분액하여 유기층을 추출하고, 2회 수세한 후, 탄산칼륨 수용액으로 중화하였다. 황산나트륨으로 건조한 후, 용매를 증류 제거하고, 헥산을 전개 용매로 하는 실리카 겔 칼럼으로 정제한 후, 에탄올:헥산=10:1의 혼합 용매로부터 재결정하여 화합물 B를 백색 분말로서 5.08 g 얻었다.5.8 g (18 mmol) of Compound A and 115 ml of a mixed solvent of acetic acid: dichloromethane = 1: 1 were added to an argon-substituted reaction vessel, and the mixture was stirred at room temperature to dissolve. Subsequently, 14 g (36 mmol) of benzyl trimethylammonium tribromide were added and zinc chloride was added with stirring until the benzyl trimethylammonium tribromide was completely dissolved. Benzyltrimethylammonium tribromide and zinc chloride were added as appropriate while tracking the reaction with HPLC. After completion of the reaction, the mixture was separated with chloroform and water, the organic layer was extracted, washed twice, and neutralized with an aqueous potassium carbonate solution. After drying over sodium sulfate, the solvent was distilled off and the residue was purified by a silica gel column using hexane as a developing solvent, and then recrystallized from a mixed solvent of ethanol: hexane = 10: 1 to obtain 5.08 g of Compound B as a white powder.

Figure 112007084268841-PCT00097
Figure 112007084268841-PCT00097

<실시예 2> <Example 2>

(고분자 화합물 1의 합성)(Synthesis of Polymer Compound 1)

화합물 B(0.1 g), 2,2'-비피리딜(0.089 g)을 탈수한 테트라히드로푸란 19 ㎖에 용해한 후, 질소 분위기하에서 상기 용액에 비스(1,5-시클로옥타디엔)니켈(0){Ni(COD)2}(0.156 g)을 첨가하여 60 ℃까지 승온하고, 3 시간 반응시켰다. 이 반응액을 실온까지 냉각하고, 25 % 암모니아수 1 ㎖/메탄올 19 ㎖/이온 교환수 19 ㎖ 혼합 용액 중에 적하하여 1 시간 교반한 후, 석출된 침전을 여과하여 감압 건조하였다. 얻어진 중합체(이하, 고분자 화합물 1이라고 함)의 수량은 0.08 g이었다. 또한, 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량은 2.9×104, 중량 평균 분자량은 6.1×104이었다.Compound B (0.1 g) and 2,2'-bipyridyl (0.089 g) were dissolved in 19 mL of dehydrated tetrahydrofuran, and then bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added to the solution under nitrogen atmosphere. ) {Ni (COD) 2 } (0.156 g) was added, and it heated up to 60 degreeC, and made it react for 3 hours. The reaction solution was cooled to room temperature, added dropwise into 25% ammonia water 1 mL / methanol 19 mL / ion exchange water 19 mL mixed solution, stirred for 1 hour, and the precipitated precipitate was filtered and dried under reduced pressure. The yield of the obtained polymer (hereinafter, referred to as Polymer Compound 1) was 0.08 g. In addition, the number average molecular weight of polystyrene conversion was 2.9 * 10 <4> , and the weight average molecular weight was 6.1 * 10 <4> .

<실시예 3><Example 3>

<고분자 화합물 2의 합성><Synthesis of Polymer Compound 2>

화합물 B(0.557 g), N,N'-비스(4-브로모페닐)-N,N'-비스(4-t-부틸-2,6-디메틸페닐)-1,4-페닐렌디아민(0.096 g), 2,2'-비피리딜(0.548 g)을 탈수한 테트라히드로푸란 140 ㎖에 용해한 후, 아르곤으로 버블링하여 계 내를 질소 치환하였다. 60 ℃까지 승온한 후, 질소 분위기하에서 상기 용액에 비스(1,5-시클로옥타디엔)니 켈(0){Ni(COD)2}(0.965 g)을 첨가하여 교반하고, 3 시간 반응시켰다. 이 반응액을 실온까지 냉각하고, 25 % 암모니아수 5 ㎖/메탄올 140 ㎖/이온 교환수 140 ㎖ 혼합 용액 중에 적하하여 1 시간 교반한 후, 석출된 침전을 여과하여 감압 건조하고, 톨루엔 40 ㎖에 용해시켰다. 용해 후, 라디올라이트 1.6 g을 첨가하여 30 분간 교반하고, 불용해물을 여과하였다. 얻어진 여과액을 알루미나 칼럼을 통해 정제하였다. 이어서, 5.2 % 염산수 80 ㎖를 첨가하여 3 시간 교반한 후에 수층을 제거하였다. 이어서, 4 % 암모니아수 80 ㎖를 첨가하여 2 시간 교반한 후에 수층을 제거하였다. 또한, 유기층에 이온 교환수 약 80 ㎖를 첨가하여 1 시간 교반한 후, 수층을 제거하였다. 그 후, 유기층을 메탄올 160 ㎖에 첨가하여 1 시간 교반하고, 석출된 침전을 여과하여 감압 건조하였다. 얻어진 중합체(이하, 고분자 화합물 2라고 함)의 수량은 0.33 g이었다. 또한, 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량 및 중량 평균 분자량은, 각각 Mn=1.6×104, Mw=8.7×104이었다.Compound B (0.557 g), N, N'-bis (4-bromophenyl) -N, N'-bis (4-t-butyl-2,6-dimethylphenyl) -1,4-phenylenediamine ( 0.096 g) and 2,2'-bipyridyl (0.548 g) were dissolved in 140 mL of dehydrated tetrahydrofuran, followed by bubbling with argon to nitrogen-substitute the system. After the temperature was raised to 60 ° C, bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) {Ni (COD) 2 } (0.965 g) was added to the solution under nitrogen atmosphere, followed by stirring for 3 hours. The reaction solution was cooled to room temperature, added dropwise into a 25% mixed solution of 5 ml of ammonia / 140 ml of methanol / 140 ml of ion-exchanged water and stirred for 1 hour, and then the precipitated precipitate was filtered out and dried under reduced pressure, and dissolved in 40 ml of toluene. I was. After dissolution, 1.6 g of radiolite was added and stirred for 30 minutes, and the insoluble matter was filtered off. The filtrate obtained was purified through an alumina column. Subsequently, 80 ml of 5.2% hydrochloric acid was added, followed by stirring for 3 hours, and then the aqueous layer was removed. Subsequently, 80 ml of 4% ammonia water was added, and after stirring for 2 hours, the aqueous layer was removed. Further, after adding about 80 ml of ion-exchanged water to the organic layer and stirring for 1 hour, the aqueous layer was removed. Thereafter, the organic layer was added to 160 ml of methanol, stirred for 1 hour, and the precipitated precipitate was filtered and dried under reduced pressure. The yield of the obtained polymer (hereinafter, referred to as polymer compound 2) was 0.33 g. In addition, the number average molecular weight and weight average molecular weight of polystyrene conversion were Mn = 1.6x10 <4> , Mw = 8.7 * 10 <4> , respectively.

<실시예 4><Example 4>

<고분자 화합물 3의 합성><Synthesis of Polymer Compound 3>

화합물 B(0.433 g), N,N'-비스(4-브로모페닐)-N,N'-비스(4-t-부틸-2,6-디메틸페닐)-벤지딘(0.318 g), 2,2'-비피리딜(0.548 g)을 탈수한 테트라히드로푸란 140 ㎖에 용해한 후, 아르곤으로 버블링하여 계 내를 질소 치환하였다. 60 ℃까지 승온한 후, 질소 분위기하에서 상기 용액에 비스(1,5-시클로옥타디엔)니켈(0){Ni(COD)2}(0.965 g)을 첨가하여 교반하고, 3 시간 반응시켰다. 이 반응액을 실온까지 냉각하고, 25 % 암모니아수 5 ㎖/메탄올 140 ㎖/이온 교환수 140 ㎖ 혼합 용액 중에 적하하여 1 시간 교반한 후, 석출된 침전을 여과하여 감압 건조하고, 톨루엔 40 ㎖에 용해시켰다. 용해 후, 라디올라이트 1.6 g을 첨가하여 30 분간 교반하고, 불용해물을 여과하였다. 얻어진 여과액을 알루미나 칼럼을 통해 정제하였다. 이어서, 5.2 % 염산수 80 ㎖를 첨가하여 3 시간 교반한 후에 수층을 제거하였다. 이어서, 4 % 암모니아수 80 ㎖를 첨가하여 2 시간 교반한 후에 수층을 제거하였다. 또한, 유기층에 이온 교환수 약 80 ㎖를 첨가하여 1 시간 교반한 후, 수층을 제거하였다. 그 후, 유기층을 메탄올 160 ㎖에 첨가하여 1 시간 교반하고, 석출된 침전을 여과하여 감압 건조하였다. 얻어진 중합체(이하, 고분자 화합물 3이라고 함)의 수량은 0.46 g이었다. 또한, 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량 및 중량 평균 분자량은, 각각 Mn=1.0×104, Mw=6.1×104이었다.Compound B (0.433 g), N, N'-bis (4-bromophenyl) -N, N'-bis (4-t-butyl-2,6-dimethylphenyl) -benzidine (0.318 g), 2, 2'-bipyridyl (0.548 g) was dissolved in 140 mL of dehydrated tetrahydrofuran, followed by bubbling with argon to nitrogen-substitute the system. After heating up to 60 degreeC, bis (1, 5- cyclooctadiene) nickel (0) {Ni (COD) 2 } (0.965g) was added to the said solution, and it stirred for 3 hours in nitrogen atmosphere. The reaction solution was cooled to room temperature, added dropwise into a 25% mixed solution of 5 ml of ammonia / 140 ml of methanol / 140 ml of ion-exchanged water and stirred for 1 hour, and then the precipitated precipitate was filtered out and dried under reduced pressure, and dissolved in 40 ml of toluene. I was. After dissolution, 1.6 g of radiolite was added and stirred for 30 minutes, and the insoluble matter was filtered off. The filtrate obtained was purified through an alumina column. Subsequently, 80 ml of 5.2% hydrochloric acid was added, followed by stirring for 3 hours, and then the aqueous layer was removed. Subsequently, 80 ml of 4% ammonia water was added, and after stirring for 2 hours, the aqueous layer was removed. Further, after adding about 80 ml of ion-exchanged water to the organic layer and stirring for 1 hour, the aqueous layer was removed. Thereafter, the organic layer was added to 160 ml of methanol, stirred for 1 hour, and the precipitated precipitate was filtered and dried under reduced pressure. The yield of the obtained polymer (hereinafter, referred to as polymer compound 3) was 0.46 g. In addition, the number average molecular weight and weight average molecular weight of polystyrene conversion were Mn = 1.0 * 10 <4> , Mw = 6.1 * 10 <4> , respectively.

<실시예 5>Example 5

<고분자 화합물 4의 합성><Synthesis of Polymer Compound 4>

화합물 B(0.588 g), N,N'-비스(4-브로모페닐)-N,N'-비스(4-t-부틸-2,6-디메틸페닐)-벤지딘(0.053 g), 2,2'-비피리딜(0.548 g)을 탈수한 테트라히드로푸란 140 ㎖에 용해한 후, 아르곤으로 버블링하여 계 내를 질소 치환하였다. 60 ℃까지 승온한 후, 질소 분위기하에서 상기 용액에 비스(1,5-시클로옥타디엔)니켈(0){Ni(COD)2}(0.965 g)을 첨가하여 교반하고, 3 시간 반응시켰다. 이 반응액을 실온까지 냉각하고, 25 % 암모니아수 5 ㎖/메탄올 140 ㎖/이온 교환수 140 ㎖ 혼 합 용액 중에 적하하여 1 시간 교반한 후, 석출된 침전을 여과하여 감압 건조하고, 톨루엔 40 ㎖에 용해시켰다. 용해 후, 라디올라이트 1.6 g을 첨가하여 30 분간 교반하고, 불용해물을 여과하였다. 얻어진 여과액을 알루미나 칼럼을 통해 정제하였다. 이어서, 5.2 % 염산수 80 ㎖를 첨가하여 3 시간 교반한 후에 수층을 제거하였다. 이어서, 4 % 암모니아수 80 ㎖를 첨가하여 2 시간 교반한 후에 수층을 제거하였다. 또한, 유기층에 이온 교환수 약 80 ㎖를 첨가하여 1 시간 교반한 후, 수층을 제거하였다. 그 후, 유기층을 메탄올 160 ㎖에 첨가하여 1 시간 교반하고, 석출된 침전을 여과하여 감압 건조하였다. 얻어진 중합체(이하, 고분자 화합물 4라고 함)의 수량은 0.31 g이었다. 또한, 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량 및 중량 평균 분자량은, 각각 Mn=2.5×104, Mw=1.2×105이었다.Compound B (0.588 g), N, N'-bis (4-bromophenyl) -N, N'-bis (4-t-butyl-2,6-dimethylphenyl) -benzidine (0.053 g), 2, 2'-bipyridyl (0.548 g) was dissolved in 140 mL of dehydrated tetrahydrofuran, followed by bubbling with argon to nitrogen-substitute the system. After heating up to 60 degreeC, bis (1, 5- cyclooctadiene) nickel (0) {Ni (COD) 2 } (0.965g) was added to the said solution, and it stirred for 3 hours in nitrogen atmosphere. The reaction solution was cooled to room temperature, added dropwise into a 25% mixed solution of 5 ml of ammonia / 140 ml of methanol / 140 ml of ion-exchanged water and stirred for 1 hour, and then the precipitated precipitate was filtered out and dried under reduced pressure, and then to 40 ml of toluene. Dissolved. After dissolution, 1.6 g of radiolite was added and stirred for 30 minutes, and the insoluble matter was filtered off. The filtrate obtained was purified through an alumina column. Subsequently, 80 ml of 5.2% hydrochloric acid was added, followed by stirring for 3 hours, and then the aqueous layer was removed. Subsequently, 80 ml of 4% ammonia water was added, and after stirring for 2 hours, the aqueous layer was removed. Further, after adding about 80 ml of ion-exchanged water to the organic layer and stirring for 1 hour, the aqueous layer was removed. Thereafter, the organic layer was added to 160 ml of methanol, stirred for 1 hour, and the precipitated precipitate was filtered and dried under reduced pressure. The yield of the obtained polymer (hereinafter, referred to as polymer compound 4) was 0.31 g. In addition, the number average molecular weight and weight average molecular weight of polystyrene conversion were Mn = 2.5 * 10 <4> , Mw = 1.2 * 10 <5> , respectively.

<실시예 6> <EL 소자의 제조와 성능>Example 6 Fabrication and Performance of EL Device

(용액의 조정)(Adjustment of solution)

상기에서 얻은 고분자 화합물 2를 톨루엔에 용해하여, 중합체 농도 1.8 중량%의 톨루엔 용액을 제조하였다.The polymer compound 2 obtained above was dissolved in toluene to prepare a toluene solution having a polymer concentration of 1.8% by weight.

(EL 소자의 제조)(Manufacture of EL element)

스퍼터링법에 의해 150 nm의 두께로 ITO막을 부착한 유리 기판 상에, 폴리(3,4)에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌술폰산(바이엘사 제조, BaytronP AI4083)의 현탁액을 0.2 ㎛의 멤브레인 필터로 여과한 액체를 이용하여 스핀 코팅에 의해 70 nm의 두께로 박막을 형성하고, 핫 플레이트 상에서 200 ℃에서 10 분간 건조하였 다. 이어서, 상기에서 얻은 톨루엔 용액을 사용하여 스핀 코팅에 의해 3400 rpm의 회전 속도로 성막하였다. 성막 후의 막 두께는 약 95 nm였다. 또한, 이것을 감압하에 80 ℃에서 1 시간 건조한 후, 불화리튬을 약 4 nm 증착하고, 음극으로서 칼슘을 약 5 nm, 이어서 알루미늄을 약 80 nm 증착하여 EL 소자를 제조하였다. 또한, 진공도가 1×10-4 Pa 이하에 도달한 후에 금속 증착을 개시하였다.A suspension of poly (3,4) ethylenedioxythiophene / polystyrenesulfonic acid (Baytron P AI4083, manufactured by Bayer) was filtered through a 0.2 μm membrane filter on a glass substrate having an ITO film attached to a thickness of 150 nm by sputtering. A thin film was formed to a thickness of 70 nm by spin coating using a liquid and dried at 200 ° C. for 10 minutes on a hot plate. Subsequently, the film was formed at a rotational speed of 3400 rpm by spin coating using the toluene solution obtained above. The film thickness after film formation was about 95 nm. After drying this at 80 ° C. under reduced pressure for 1 hour, lithium fluoride was deposited at about 4 nm, and calcium was deposited at about 5 nm, followed by aluminum at about 80 nm, to prepare an EL device. In addition, metal deposition was started after the degree of vacuum reached 1 × 10 −4 Pa or less.

(EL 소자의 성능)(EL device performance)

얻어진 소자에 전압을 인가함으로써, 이 소자로부터 455 nm에서 피크를 갖는 EL 발광이 얻어졌다. EL 발광색을 C.I.E. 색 좌표치로 나타내면 x=0.150, y=0.128이며, 매우 양호한 청색을 나타내었다. EL 발광의 강도는 전류 밀도에 거의 비례하고 있었다. 또한, 상기 소자는 5.2 V에서부터 발광 개시가 보였다. 발광 효율은 측정한 인가 전압의 범위(0 V 내지 12 V)에서는 단조롭게 증가하는 것이었지만, 12 V에서의 값은 1.02 cd/m2로 비교적 높은 효율을 나타내었다.By applying voltage to the obtained device, EL light emission showing a peak at 455 nm was obtained from this device. When the EL emission color was expressed by the CIE color coordinate value, it was x = 0.150 and y = 0.128, which showed very good blue color. The intensity of EL light emission was almost proportional to the current density. In addition, the device showed light emission start from 5.2V. The luminous efficiency monotonously increased in the measured voltage range (0 V to 12 V), but the value at 12 V was 1.02 cd / m 2 , indicating a relatively high efficiency.

<실시예 7> <EL 소자의 제조와 성능>Example 7 Fabrication and Performance of EL Device

(용액의 조정)(Adjustment of solution)

상기에서 얻은 고분자 화합물 4를 90 중량%, 고분자 화합물 3을 10 중량%의 비율로 톨루엔에 용해하여, 중합체 농도 1.8 중량%의 톨루엔 용액을 제조하였다.The polymer compound 4 obtained above was dissolved in toluene at a ratio of 90% by weight and the polymer compound 3 at 10% by weight to prepare a toluene solution having a polymer concentration of 1.8% by weight.

(EL 소자의 제조)(Manufacture of EL element)

상기에서 얻은 톨루엔 용액을 사용한 것 이외에는, 실시예 6에 기재된 방법 과 완전히 동일하게 EL 소자를 제조하였다. 또한, 중합체 용액의 스핀 코팅에서의 회전수는 3300 rpm이고, 중합체막의 성막 후의 막 두께는 95 nm였다.EL elements were manufactured in exactly the same manner as in Example 6, except that the toluene solution obtained above was used. In addition, the rotation speed in the spin coating of the polymer solution was 3300 rpm, and the film thickness after film formation of the polymer film was 95 nm.

(EL 소자의 성능)(EL device performance)

얻어진 소자에 전압을 인가함으로써, 이 소자로부터 425 nm에서 피크를 갖는 EL 발광이 얻어졌다. EL 발광색을 C.I.E. 색 좌표치로 나타내면 x=0.155, y=0.072이며, 매우 양호한 청색을 나타내었다. EL 발광의 강도는 전류 밀도에 거의 비례하고 있었다. 또한, 상기 소자는 5.5 V에서부터 발광 개시가 보였다. 발광 효율은 측정한 인가 전압의 범위(0 V 내지 12 V)에서는 단조롭게 증가하는 것이었지만, 12 V에서의 값은 0.22 cd/m2로 비교적 높은 효율을 나타내었다.By applying a voltage to the obtained device, EL light emission showing a peak at 425 nm was obtained from this device. When the EL emission color was expressed by the CIE color coordinate value, it was x = 0.155 and y = 0.072, indicating very good blue color. The intensity of EL light emission was almost proportional to the current density. In addition, the device showed light emission start from 5.5V. The luminous efficiency monotonously increased in the measured voltage range (0 V to 12 V), but the value at 12 V was relatively high at 0.22 cd / m 2 .

<실시예 8> <EL 소자의 제조와 성능>Example 8 Fabrication and Performance of EL Device

(용액의 조정)(Adjustment of solution)

상기에서 얻은 고분자 화합물 4를 톨루엔에 용해하여, 중합체 농도 1.8 중량%의 톨루엔 용액을 제조하였다.The polymer compound 4 obtained above was dissolved in toluene to prepare a toluene solution having a polymer concentration of 1.8% by weight.

(EL 소자의 제조)(Manufacture of EL element)

상기에서 얻은 톨루엔 용액을 사용한 것 이외에는, 실시예 6에 기재된 방법과 완전히 동일하게 EL 소자를 제조하였다. 또한, 중합체 용액의 스핀 코팅에서의 회전수는 2500 rpm이고, 중합체막의 성막 후의 막 두께는 90 nm였다.EL elements were manufactured in exactly the same manner as in Example 6, except that the toluene solution obtained above was used. In addition, the rotation speed in the spin coating of the polymer solution was 2500 rpm, and the film thickness after film formation of the polymer film was 90 nm.

(EL 소자의 성능)(EL device performance)

얻어진 소자에 전압을 인가함으로써, 이 소자로부터 425 nm에서 피크를 갖는 EL 발광이 얻어졌다. EL 발광색을 C.I.E. 색 좌표치로 나타내면 x=0.155, y=0.074이며, 매우 양호한 청색을 나타내었다. EL 발광의 강도는 전류 밀도에 거의 비례하고 있었다. 또한, 상기 소자는 5.8 V에서부터 발광 개시가 보였다. 발광 효율은 측정한 인가 전압의 범위(0 V 내지 12 V)에서는 단조롭게 증가하는 것이었지만, 12 V에서의 값은 0.57 cd/m2로 비교적 높은 효율을 나타내었다.By applying a voltage to the obtained device, EL light emission showing a peak at 425 nm was obtained from this device. When the EL emission color was expressed by the CIE color coordinate value, x was 0.55 and y was 0.074, which showed very good blue color. The intensity of EL light emission was almost proportional to the current density. In addition, the device showed light emission start from 5.8V. The luminous efficiency monotonously increased in the measured voltage range (0 V to 12 V), but the value at 12 V was relatively high at 0.57 cd / m 2 .

<실시예 9> <화합물 D의 합성>Example 9 Synthesis of Compound D

(화합물 C의 합성)(Synthesis of Compound C)

Figure 112007084268841-PCT00098
Figure 112007084268841-PCT00098

반응 용기에 이온 교환수 31 ㎖를 넣고, 교반하면서 수산화나트륨 29 g(727 mmol)을 조금씩 첨가하여 완전히 용해시켰다. 계 내를 아르곤 치환하고, 톨루엔 30 ㎖와 1,2,3,10b-테트라히드로플루오란텐 5.0 g(24 mmol)을 넣고 교반하여 용해하였다. 이어서, 브롬화 테트라부틸암모늄 2.3 g(7.3 mmol)과 2-에틸헥실브로마이드 9.4 g(48 mmol)을 첨가하여 40 ℃에서 3 시간 반응시켰다. 톨루엔과 물로 분액하여 유기층을 추출한 후, 황산나트륨으로 건조시켰다. 용매를 증류 제거한 후, 헥산을 전개 용매로 하는 실리카 겔 칼럼으로 정제함으로써 황색 오일 6.88 g을 얻었다.31 mL of ion-exchanged water was added to the reaction vessel, and 29 g (727 mmol) of sodium hydroxide was added little by little while stirring to dissolve completely. The inside of the system was substituted with argon, and 30 ml of toluene and 5.0 g (24 mmol) of 1,2,3,10b-tetrahydrofluoranthene were added and stirred to dissolve. Subsequently, 2.3 g (7.3 mmol) of tetrabutylammonium bromide and 9.4 g (48 mmol) of 2-ethylhexyl bromide were added and reacted at 40 ° C. for 3 hours. The mixture was separated with toluene and water to extract an organic layer, and then dried over sodium sulfate. After distilling off the solvent, 6.88 g of a yellow oil was obtained by purification with a silica gel column using hexane as a developing solvent.

Figure 112007084268841-PCT00099
Figure 112007084268841-PCT00099

(화합물 D의 합성)(Synthesis of Compound D)

Figure 112007084268841-PCT00100
Figure 112007084268841-PCT00100

아르곤 치환한 반응 용기에 화합물 C 6.8 g(21 mmol), 염화아연 6.7 g(49 mmol) 및 아세트산:디클로로메탄=1:1의 혼합 용매 134 ㎖를 넣고, 실온에서 교반하였다. 이어서, 삼브롬화 벤질트리메틸암모늄 18 g(47 mmol)을 디클로로메탄 150 ㎖에 용해하여 적하하였다. 적하 종료 후, 실온에서 2 시간, 이어서 40 ℃ 및 50 ℃에서 각 30 분씩 반응시킨 후, 클로로포름과 5 % 아황산수소나트륨 수용액을 첨가하여 반응을 정지하였다. 클로로포름과 물로 분액하여 유기층을 추출하고, 2회 수세한 후, 탄산칼륨 수용액으로 중화하였다. 황산나트륨으로 건조한 후, 용매를 증류 제거하고, 헥산을 전개 용매로 하는 실리카 겔 칼럼으로 3회 정제함으로써 화합물 D를 황색 오일(실온에서 방치하면 천천히 백색 결정화)로서 1.73 g 얻었다.6.8 g (21 mmol) of Compound C, 6.7 g (49 mmol) of zinc chloride, and 134 ml of a mixed solvent of acetic acid: dichloromethane = 1: 1 were placed in an argon-substituted reaction vessel, followed by stirring at room temperature. Subsequently, 18 g (47 mmol) of benzyltrimethylammonium tribromide was dissolved in 150 ml of dichloromethane and added dropwise thereto. After completion of the dropwise addition, the mixture was allowed to react at room temperature for 2 hours, followed by 30 minutes each at 40 ° C and 50 ° C, and then the reaction was stopped by adding chloroform and 5% aqueous sodium hydrogen sulfite solution. The organic layer was separated by extraction with chloroform and water, washed twice, and neutralized with an aqueous potassium carbonate solution. After drying over sodium sulfate, the solvent was distilled off and the residue was purified three times with a silica gel column using hexane as a developing solvent, thereby obtaining 1.73 g of Compound D as a yellow oil (white crystallization when left at room temperature).

Figure 112007084268841-PCT00101
Figure 112007084268841-PCT00101

<실시예 10> <고분자 화합물 5의 합성>Example 10 Synthesis of Polymer Compound 5

질소 분위기하에 화합물 D(0.476 g), 2,2'-비피리딜(0.422 g)을 탈수한 테트라히드로푸란 72 ㎖에 용해한 후, 교반하여 용해시켰다. 이 용액에 비스(1,5-시클로옥타디엔)니켈(0){Ni(COD)2}(0.743 g)을 첨가하여 교반하고, 60 ℃에서 3 시간 반응시켰다. 이 반응액을 실온까지 냉각하고, 25 % 암모니아수 4 ㎖/메탄올 72 ㎖/이온 교환수 72 ㎖ 혼합 용액 중에 적하하여 1 시간 교반한 후, 석출된 침전을 여과하여 감압 건조하고, 톨루엔 20 ㎖에 용해시켰다. 용해 후, 라디올라이트 1.6 g을 첨가하여 30 분간 교반하고, 불용해물을 여과하였다. 얻어진 여과액을 알루미나 칼럼을 통해 정제하였다. 이어서, 5.2 % 염산수 40 ㎖를 첨가하여 3 시간 교반한 후에 수층을 제거하였다. 이어서, 4 % 암모니아수 40 ㎖를 첨가하여 2 시간 교반한 후에 수층을 제거하였다. 또한, 유기층에 이온 교환수 약 40 ㎖를 첨가하여 1 시간 교반한 후, 수층을 제거하였다. 그 후, 유기층을 메탄올 80 ㎖에 첨가하여 1 시간 교반하고, 석출된 침전을 여과하여 감압 건조하였다. 얻어진 중합체(이하, 고분자 화합물 5라고 함)의 수량은 0.17 g이었다. 또한, 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량 및 중량 평균 분자량은, 각각 Mn=1.1×105, Mw=3.2×105이었다.Compound D (0.476 g) and 2,2'-bipyridyl (0.422 g) were dissolved in 72 mL of dehydrated tetrahydrofuran under a nitrogen atmosphere, followed by stirring to dissolve. Bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) {Ni (COD) 2 } (0.743 g) was added to this solution, followed by stirring at 60 ° C for 3 hours. The reaction solution was cooled to room temperature, added dropwise into 25% aqueous ammonia solution 4 ml / methanol 72 ml / ion exchange water 72 ml and stirred for 1 hour, and then the precipitated precipitate was filtered out and dried under reduced pressure and dissolved in 20 ml of toluene. I was. After dissolution, 1.6 g of radiolite was added and stirred for 30 minutes, and the insoluble matter was filtered off. The filtrate obtained was purified through an alumina column. Subsequently, 40 ml of 5.2% hydrochloric acid was added and the mixture was stirred for 3 hours, after which the aqueous layer was removed. Subsequently, 40 ml of 4% aqueous ammonia was added and stirred for 2 hours, and then the aqueous layer was removed. Further, about 40 ml of ion-exchanged water was added to the organic layer and stirred for 1 hour, and then the aqueous layer was removed. Thereafter, the organic layer was added to 80 ml of methanol, stirred for 1 hour, and the precipitated precipitate was filtered and dried under reduced pressure. The yield of the obtained polymer (hereinafter, referred to as polymer compound 5) was 0.17 g. In addition, the number average molecular weight and weight average molecular weight of polystyrene conversion were Mn = 1.1 * 10 <5> , Mw = 3.2 * 10 <5> , respectively.

<비교예 1>Comparative Example 1

<고분자 화합물 6의 합성><Synthesis of Polymer Compound 6>

2,7-디브로모-9,9-디옥틸플루오렌 0.22 g(0.40 mmol)과 N,N'-비스(4-브로모페닐)-N,N'-비스(4-t-부틸-2,6-디메틸페닐)-1,4-페닐렌디아민 0.20 g(0.27 mmol)과 2,2'-비피리딜 0.24 g(1.5 mmol)을 반응 용기에 넣은 후, 반응계 내를 질소 가스로 치환하였다. 여기에 미리 아르곤 가스로 버블링하여 탈기한 테트라히드로푸란(탈수 용매) 20 ㎖를 첨가하였다. 이어서, 상기 혼합 용액에 비스(1,5-시클로옥타디엔)니켈(0)을 0.42 g(1.5 mmol) 첨가하고, 60 ℃에서 3 시간 반응시켰다. 또한, 반응은 질소 가스 분위기 중에서 행하였다. 반응 후, 상기 용액을 냉각한 후, 25 % 암모니아수 10 ㎖/메탄올 120 ㎖/이온 교환수 50 ㎖ 혼합 용액 중에 유입시켜 약 1 시간 교반하였다. 이어서, 생성된 침전을 여과함으로써 회수하였다. 이 침전을 에탄올로 세정한 후, 2 시간 감압 건조하였다. 이어서, 상기 침전을 톨루엔 50 ㎖에 용해하고, 1 N 염산 50 ㎖를 첨가하여 1 시간 교반하고, 수층을 제거하여 유기층에 4 % 암모니아수 50 ㎖를 첨가하고, 1 시간 교반한 후에 수층을 제거하였다. 유기층은 메탄올 120 ㎖에 적하하여 1 시간 교반하고, 석출된 침전을 여과하여 2 시간 감압 건조하고, 톨루엔 40 ㎖에 용해시켰다. 그 후, 알루미나 칼럼(알루미나 양 20 g)을 통해 정제를 행하고, 회수한 톨루엔 용액을 메탄올 120 ㎖에 적하하여 1 시간 교반하고, 석출된 침전을 여과하여 2 시간 감압 건조시켰다. 얻어진 고분자 화합물 6의 수량은 0.094 g이었다.0.22 g (0.40 mmol) of 2,7-dibromo-9,9-dioctylfluorene and N, N'-bis (4-bromophenyl) -N, N'-bis (4-t-butyl- 0.20 g (0.27 mmol) of 2,6-dimethylphenyl) -1,4-phenylenediamine and 0.24 g (1.5 mmol) of 2,2'-bipyridyl were placed in a reaction vessel, and the reaction system was replaced with nitrogen gas. It was. To this was added 20 ml of tetrahydrofuran (dehydrated solvent) degassed by bubbling with argon gas in advance. Next, 0.42 g (1.5 mmol) of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added to the mixed solution, and the mixture was reacted at 60 ° C for 3 hours. In addition, reaction was performed in nitrogen gas atmosphere. After the reaction, the solution was cooled, then introduced into a mixed solution of 10% 25ml ammonia water / 120ml methanol / 50ml ion-exchanged water and stirred for about 1 hour. The resulting precipitate was then recovered by filtration. This precipitate was washed with ethanol and dried under reduced pressure for 2 hours. Subsequently, the precipitate was dissolved in 50 ml of toluene, 50 ml of 1 N hydrochloric acid was added and stirred for 1 hour, the aqueous layer was removed, 50 ml of 4% aqueous ammonia was added to the organic layer, and the aqueous layer was removed after stirring for 1 hour. The organic layer was added dropwise to 120 ml of methanol, and stirred for 1 hour. The precipitated precipitate was filtered off, dried under reduced pressure for 2 hours, and dissolved in 40 ml of toluene. Thereafter, purification was performed through an alumina column (alumina amount 20 g), and the recovered toluene solution was added dropwise to 120 ml of methanol, stirred for 1 hour, and the precipitated precipitate was filtered and dried under reduced pressure for 2 hours. The yield of the obtained polymer compound 6 was 0.094 g.

고분자 화합물 6의 폴리스티렌 환산 수 평균 분자량은 2.0×104이고, 폴리스 티렌 환산 중량 평균 분자량은 1.1×105이었다.The polystyrene reduced number average molecular weight of the high molecular compound 6 was 2.0 × 10 4 , and the polystyrene reduced weight average molecular weight was 1.1 × 10 5 .

<비교예 2> <EL 소자의 제조와 성능>Comparative Example 2 Fabrication and Performance of EL Device

(용액의 조정)(Adjustment of solution)

상기에서 얻은 고분자 화합물 6을 클로로포름에 용해하여, 중합체 농도 1.8 중량%의 클로로포름 용액을 제조하였다.The polymer compound 6 obtained above was dissolved in chloroform to prepare a chloroform solution having a polymer concentration of 1.8% by weight.

(EL 소자의 제조)(Manufacture of EL element)

스퍼터링법에 의해 150 nm의 두께로 ITO막을 부착한 유리 기판에, 폴리(에틸렌디옥시티오펜)/폴리스티렌술폰산 용액(바이엘사 제조, BaytronP)을 이용하여 스핀 코팅에 의해 50 nm의 두께로 성막하고, 핫 플레이트 상에서 200 ℃에서 10 분간 건조하였다. 이어서, 상기 제조한 클로로포름 용액을 사용하여 스핀 코팅에 의해 2500 rpm의 회전 속도로 성막하였다. 막 두께는 약 100 nm였다. 또한, 이것을 감압하에 80 ℃에서 1 시간 건조한 후, 음극 버퍼층으로서 LiF를 약 4 nm, 음극으로서 칼슘을 약 5 nm, 이어서 알루미늄을 약 80 nm 증착하여 EL 소자를 제조하였다. 또한, 진공도가 1×10-4 Pa 이하에 도달한 후, 금속 증착을 개시하였다.On a glass substrate with an ITO film attached to a thickness of 150 nm by the sputtering method, a film was formed into a thickness of 50 nm by spin coating using a poly (ethylenedioxythiophene) / polystyrenesulfonic acid solution (Baytron P), Dry at 200 ° C. for 10 minutes on a hot plate. Subsequently, the film was formed at a rotational speed of 2500 rpm by spin coating using the chloroform solution prepared above. The film thickness was about 100 nm. After drying for 1 hour at 80 DEG C under reduced pressure, an EL device was fabricated by depositing about 4 nm of LiF as a cathode buffer layer, about 5 nm of calcium as a cathode, and then about 80 nm of aluminum. In addition, after the degree of vacuum reached 1 × 10 −4 Pa or less, metal deposition was started.

(EL 소자의 성능)(EL device performance)

얻어진 소자에 전압을 인가함으로써 448 nm에서 피크를 갖는 EL 발광이 얻어졌다. EL 발광색을 C.I.E. 색 좌표치로 나타냈더니 x=0.155, y=0.133이었다. 상기 소자는 약 10 V에서 최대 발광 효율을 나타내고, 그 값은 0.14 cd/A였다.EL light emission with a peak at 448 nm was obtained by applying a voltage to the obtained device. EL emission color was changed to C.I.E. Color coordinate values showed x = 0.155 and y = 0.133. The device exhibited a maximum luminous efficiency at about 10 V and its value was 0.14 cd / A.

본 발명의 고분자 화합물은, 전자 소자의 재료로서 사용했을 경우, 소자 성능이 우수한 전자 소자를 제공한다.When used as a material of an electronic device, the high molecular compound of this invention provides the electronic device excellent in the device performance.

본 발명의 고분자 화합물은, 통상은 고체 상태에서 형광 또는 인광을 발하고, 고분자 발광체(고분자량의 발광 재료)로서 사용할 수 있다.The polymer compound of the present invention usually emits fluorescence or phosphorescence in a solid state and can be used as a polymer light-emitting body (high molecular weight light emitting material).

또한, 상기 고분자 화합물은 우수한 전하 수송능을 갖고, 고분자 LED용 재료나 전하 수송 재료로서 바람직하게 사용할 수 있다. 상기 고분자 발광체를 이용한 고분자 LED는 저전압, 고효율로 구동할 수 있는 고성능의 고분자 LED이다. 따라서, 상기 고분자 LED는 액정 디스플레이의 백 라이트 또는 조명용으로서의 곡면상이나 평면상의 광원, 세그먼트형 표시 소자, 도트 매트릭스의 플랫 패널 디스플레이 등의 장치에 바람직하게 사용할 수 있다.Moreover, the said high molecular compound has the outstanding charge transport ability, and can be used suitably as a material for polymer LED and a charge transport material. The polymer LED using the polymer light emitter is a high performance polymer LED capable of driving at low voltage and high efficiency. Therefore, the said polymer LED can be used suitably for apparatuses, such as a curved or flat light source, a segment type display element, and a dot matrix flat panel display for backlight or illumination of a liquid crystal display.

또한, 본 발명의 고분자 화합물은 레이저용 색소, 유기 태양 전지용 재료, 유기 트랜지스터용 유기 반도체, 도전성 박막, 유기 반도체 박막 등의 전도성 박막용 재료로서도 사용할 수 있다.The polymer compound of the present invention can also be used as a conductive thin film material such as a dye for a laser, a material for an organic solar cell, an organic semiconductor for an organic transistor, a conductive thin film, or an organic semiconductor thin film.

또한, 형광이나 인광을 발하는 발광성 박막 재료로서도 사용할 수 있다.It can also be used as a luminescent thin film material that emits fluorescence or phosphorescence.

Claims (34)

하기 화학식 I로 표시되는 화합물의 잔기 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.A polymer compound, characterized in that it comprises at least one of the residues of the compound represented by the formula (I). <화학식 I><Formula I>
Figure 112007084268841-PCT00102
Figure 112007084268841-PCT00102
식 중, A환, B환 및 C환은 각각 독립적으로 치환기를 가질 수도 있는 방향족환 또는 비방향족환을 나타내고, Z1, Z2, Z3, Z4 및 Z5는 각각 독립적으로 C-(Q)z 또는 질소 원자를 나타내고, Q는 치환기 또는 수소 원자를 나타내고, z는 0 또는 1을 나타내며, A환과 B환은 서로 각각의 환을 구성하는 Z5 이외의 원자를 공유할 수도 있고, A환, B환 및 C환의 1개 이상 2개 이하는 비방향족환이다.In the formula, the A ring, the B ring and the C ring each independently represent an aromatic ring or a non-aromatic ring which may have a substituent, and Z 1 , Z 2 , Z 3 , Z 4 And Z 5 each independently represent C- (Q) z or a nitrogen atom, Q represents a substituent or a hydrogen atom, z represents 0 or 1, and A and B rings other than Z 5 constituting each ring each other The atoms of may be shared, and at least one of the A ring, the B ring and the C ring is a non-aromatic ring.
하기 화학식 Ia, Ib 또는 Ic로 표시되는 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.A high molecular compound comprising a repeating unit represented by the following formula (Ia), (Ib) or (Ic). <화학식 Ia><Formula Ia>
Figure 112007084268841-PCT00103
Figure 112007084268841-PCT00103
<화학식 Ib><Formula Ib>
Figure 112007084268841-PCT00104
Figure 112007084268841-PCT00104
<화학식 Ic><Formula Ic>
Figure 112007084268841-PCT00105
Figure 112007084268841-PCT00105
식 중, A환, B환 및 C환은 각각 독립적으로 치환기를 가질 수도 있는 방향족환 또는 비방향족환을 나타내고, Z1, Z2, Z3, Z4 및 Z5는 각각 독립적으로 C-(Q)z 또는 질소 원자를 나타내고, Q는 치환기 또는 수소 원자를 나타내고, z는 0 또는 1을 나타내며, A환과 B환은 Z5 이외의 환의 원자를 공유할 수도 있고, 각 환의 치환기끼리 결합하여 환을 더 형성할 수도 있으며, A환, B환, C환 중 결합손을 갖지 않는 환 중 1개 이상이 비방향족환이다.In the formula, the A ring, the B ring and the C ring each independently represent an aromatic ring or a non-aromatic ring which may have a substituent, and Z 1 , Z 2 , Z 3 , Z 4 And Z 5 each independently represent C- (Q) z or a nitrogen atom, Q represents a substituent or a hydrogen atom, z represents 0 or 1, and the A and B rings may share atoms of a ring other than Z 5 ; In addition, the substituents of each ring may be bonded to each other to further form a ring, and at least one of the rings having no bonding hand among the A ring, the B ring, and the C ring is a non-aromatic ring.
제1항 또는 제2항에 있어서, A환, B환 및 C환의 환을 구성하는 원자가 모두 탄소 원자인 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.The polymer compound according to claim 1 or 2, wherein all of the atoms constituting the rings of the A ring, the B ring, and the C ring are carbon atoms. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 화학식 Ia로 표시되는 반복 단위가, 하기 화학식 IIa로 표시되는 반복 단위인 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.The polymer compound according to claim 2 or 3, wherein the repeating unit represented by the formula (Ia) is a repeating unit represented by the following formula (IIa). <화학식 IIa><Formula IIa>
Figure 112007084268841-PCT00106
Figure 112007084268841-PCT00106
식 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환기를 나타내고, D환은 치환기를 가질 수도 있는 비방향족환을 나타내고, a는 0 내지 2의 정수를 나타내고, b는 0 내지 3의 정수를 나타내며, R1 및 R2가 각각 복수개 존재하는 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있고, R1과 R2는 서로 결합하여 환을 형성할 수도 있으며, R1 및/또는 R2는 D환과 결합하여 환을 형성할 수도 있고, Q 및 z는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.In the formula, R 1 And R 2 each independently represent a substituent, the D ring represents a non-aromatic ring which may have a substituent, a represents an integer of 0 to 2, b represents an integer of 0 to 3, and R 1 And when a plurality of R 2 's are each present, they may be the same or different, R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring, and R 1 And / or R 2 may be bonded to a D ring to form a ring, and Q and z represent the same meaning as described above.
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 화학식 IIa로 표시되는 반복 단위가, 하기 화학식 IIIa로 표시되는 반복 단위인 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.The polymer compound according to claim 2 or 3, wherein the repeating unit represented by the general formula (IIa) is a repeating unit represented by the following general formula (IIIa). <화학식 IIIa><Formula IIIa>
Figure 112007084268841-PCT00107
Figure 112007084268841-PCT00107
식 중, R1, R2, D환, Q, z, a 및 b는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.In formula, R <1> , R <2> , D ring, Q, z, a, and b show the same meaning as the above.
제5항에 있어서, 화학식 IIIa로 표시되는 반복 단위가, 하기 화학식 IVa, IVb, IVc 또는 IVd로 표시되는 반복 단위인 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.The polymer compound according to claim 5, wherein the repeating unit represented by the formula (IIIa) is a repeating unit represented by the following formula (IVa), (IVb), (IVc) or (IVd). <화학식 IVa><Formula IVa>
Figure 112007084268841-PCT00108
Figure 112007084268841-PCT00108
<화학식 IVb><Formula IVb>
Figure 112007084268841-PCT00109
Figure 112007084268841-PCT00109
<화학식 IVc><Formula IVc>
Figure 112007084268841-PCT00110
Figure 112007084268841-PCT00110
<화학식 IVd><Formula IVd>
Figure 112007084268841-PCT00111
Figure 112007084268841-PCT00111
식 중, R1a, R1b, R2a 내지 R2c, 및 R3a 내지 R3g는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 화학식 IVa 내지 IVc에 있어서, R2c와 R3g는 서로 결합하여 환을 형성할 수도 있고, 화학식 IVd에 있어서 R2c와 R3e는 서로 결합하여 환을 형성할 수도 있다.Wherein R 1a , R 1b , R 2a to R 2c , and R 3a to R 3g each independently represent a hydrogen atom or a substituent, and in Formulas IVa to IVc, R 2c and R 3g are bonded to each other to form a ring; In the general formula (IVd), R 2c and R 3e may combine with each other to form a ring.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 하기 화학식 V, 화학식 VI, 화학식 VII 또는 화학식 VIII로 표시되는 반복 단위를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.The polymer compound according to any one of claims 1 to 6, further comprising a repeating unit represented by the following formula (V), (VI), (VII) or (VIII). <화학식 V><Formula V>
Figure 112007084268841-PCT00112
Figure 112007084268841-PCT00112
<화학식 VI><Formula VI>
Figure 112007084268841-PCT00113
Figure 112007084268841-PCT00113
<화학식 VII><Formula VII>
Figure 112007084268841-PCT00114
Figure 112007084268841-PCT00114
<화학식 VIII><Formula VIII>
Figure 112007084268841-PCT00115
Figure 112007084268841-PCT00115
식 중, Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로 아릴렌기, 2가 복소환기 또는 금속 착체 구조를 갖는 2가의 기를 나타내고, X1, X2 및 X3은 각각 독립적으로 -CR9=CR10-, -C≡C-, -N(R11)- 또는 -(SiR12R13)m-을 나타내고, R9 및 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기 또는 시아노기를 나타내고, R11, R12 및 R13은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 1가 복소환기, 아릴알킬기 또는 치환 아미노기를 나타내고, ff는 1 또는 2를 나타내고, m은 1 내지 12의 정수를 나타내며, R9, R10, R11, R12 및 R13이 각각 복수개 존재하는 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있다.In the formula, Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 and Ar 4 each independently represent an arylene group, a divalent heterocyclic group or a divalent group having a metal complex structure, and X 1 , X 2 and X 3 each independently represent a -CR. 9 = CR 10- , -C≡C-, -N (R 11 )-or-(SiR 12 R 13 ) m- , and R 9 and R 10 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, 1 Is a heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group, R 11 , R 12 and R 13 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, an arylalkyl group or a substituted amino group, and ff is 1 Or 2, m represents an integer of 1 to 12, and in the case where a plurality of R 9 , R 10 , R 11 , R 12, and R 13 are each present, they may be the same or different.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 하기 화학식 IX, X, XI, XII, XIII 또는 XIV로 표시되는 반복 단위를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.The polymer compound according to any one of claims 1 to 6, further comprising a repeating unit represented by the following formula (IX, X, XI, XII, XIII or XIV). <화학식 IX><Formula IX>
Figure 112007084268841-PCT00116
Figure 112007084268841-PCT00116
식 중, R14는 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 아릴알케닐기, 아릴알키닐기, 아미노기, 치환 아미노기, 실릴기, 치환 실릴기, 할로겐 원자, 아실기, 아실옥시기, 이민 잔기, 아미드기, 산 이미드기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기, 시아노기 또는 니트로기를 나타내고, n은 0 내지 4의 정수를 나타내며, R14가 복수개 존재하는 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있다.In the formula, R 14 represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, an amino group, or a substituted amino group. , Silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group, cyano group or nitro group, n is 0 to 4 In the case of plural R 14 's, these may be the same or different. <화학식 X><Formula X>
Figure 112007084268841-PCT00117
Figure 112007084268841-PCT00117
식 중, R15 및 R16은 각각 독립적으로 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 아릴알케닐기, 아릴알키닐기, 아미노기, 치환 아미노기, 실릴기, 치환 실릴기, 할로겐 원자, 아실기, 아실옥시기, 이민 잔기, 아미드기, 산 이미드기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기, 시아노기 또는 니트로기를 나타내고, o 및 p는 각각 독 립적으로 0 내지 3의 정수를 나타내며, R15 및 R16이 각각 복수개 존재하는 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있다.In formula, R <15> and R <16> is respectively independently alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalki It represents a silyl group, an amino group, a substituted amino group, a silyl group, a substituted silyl group, a halogen atom, an acyl group, an acyloxy group, an imine residue, an amide group, an acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group, a cyano group or a nitro group. , o and p each independently represent an integer of 0 to 3, and when a plurality of R 15 and R 16 are each present, they may be the same or different. <화학식 XI><Formula XI>
Figure 112007084268841-PCT00118
Figure 112007084268841-PCT00118
식 중, R17 및 R20은 각각 독립적으로 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 아릴알케닐기, 아릴알키닐기, 아미노기, 치환 아미노기, 실릴기, 치환 실릴기, 할로겐 원자, 아실기, 아실옥시기, 이민 잔기, 아미드기, 산 이미드기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기, 시아노기 또는 니트로기를 나타내고, q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수를 나타내고, R18 및 R19는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기 또는 시아노기를 나타내며, R17 및 R20이 복수개 존재하는 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있다.In the formula, each of R 17 and R 20 is independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, or an arylalki It represents a silyl group, an amino group, a substituted amino group, a silyl group, a substituted silyl group, a halogen atom, an acyl group, an acyloxy group, an imine residue, an amide group, an acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group, a cyano group or a nitro group. , q and r each independently represent an integer of 0 to 4, R 18 and R 19 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group, and R 17 And when there are a plurality of R 20 's , they may be the same or different. <화학식 XII><Formula XII>
Figure 112007084268841-PCT00119
Figure 112007084268841-PCT00119
식 중, R21은 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 아릴알케닐기, 아릴알키닐기, 아미노기, 치환 아미노기, 실릴기, 치환 실릴기, 할로겐 원자, 아실기, 아실옥시기, 이민 잔기, 아미드기, 산 이미드기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기, 시아노기 또는 니트로기를 나타내고, s는 0 내지 2의 정수를 나타내고, Ar13 및 Ar14는 각각 독립적으로 아릴렌기, 2가 복소환기 또는 금속 착체 구조를 갖는 2가의 기를 나타내고, ss 및 tt는 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타내고, X4는 O, S, SO, SO2, Se, 또는 Te를 나타내며, R21이 복수개 존재하는 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있다.In the formula, R 21 represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, an amino group, a substituted amino group. , Silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group, cyano group or nitro group, s represents 0 to 2 Represents an integer of, Ar 13 and Ar 14 each independently represent an arylene group, a divalent heterocyclic group or a divalent group having a metal complex structure, ss and tt each independently represent 0 or 1, and X 4 represents O, S, SO, SO 2 , Se, or Te, and when there are a plurality of R 21 s , they may be the same or different. <화학식 XIII><Formula XIII>
Figure 112007084268841-PCT00120
Figure 112007084268841-PCT00120
식 중, R22 및 R23은 각각 독립적으로 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 아릴알케닐기, 아릴알키닐기, 아미노기, 치환 아미노기, 실릴기, 치환 실릴기, 할로겐 원자, 아실기, 아실옥시기, 이민 잔기, 아미드기, 산 이미드기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기, 시아노기 또는 니트로기를 나타내고, t 및 u는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수를 나타내고, X5는 O, S, SO2, Se, Te, N-R24 또는 SiR25R26 을 나타내고, X6 및 X7은 각각 독립적으로 N 또는 C-R27을 나타내고, R24, R25, R26 및 R27은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 아릴알킬기 또는 1가 복소환기를 나타내며, R25, R26 및 R27이 복수개 존재하는 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있다.In the formula, each of R 22 and R 23 is independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, or an arylalki It represents a silyl group, an amino group, a substituted amino group, a silyl group, a substituted silyl group, a halogen atom, an acyl group, an acyloxy group, an imine residue, an amide group, an acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group, a cyano group or a nitro group. , t and u each independently represent an integer of 0 to 4, X 5 represents O, S, SO 2 , Se, Te, NR 24 or SiR 25 R 26 , and X 6 and X 7 are each independently N Or CR 27 , R 24 , R 25 , R 26 and R 27 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group or a monovalent heterocyclic group, and a plurality of R 25 , R 26 and R 27 are present. If so, they may be the same or different. <화학식 XIV><Formula XIV>
Figure 112007084268841-PCT00121
Figure 112007084268841-PCT00121
식 중, R28 및 R33은 각각 독립적으로 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 아릴알킬티오기, 아릴알케닐기, 아릴알키닐기, 아미노기, 치환 아미노기, 실릴기, 치환 실릴기, 할로겐 원자, 아실기, 아실옥시기, 이민 잔기, 아미드기, 산 이미드기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기, 시아노기 또는 니트로기를 나타내고, v 및 w는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수를 나타내고, R29, R30, R31 및 R32는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 1가 복소환기, 카르복실기, 치환 카르복실기 또는 시아노기를 나타내고, Ar5는 아릴렌기, 2가 복소환기 또는 금속 착체 구조를 갖는 2가의 기를 나타내며, R28 및 R33이 복수개 존재하는 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있 다.In the formula, R 28 and R 33 each independently represent an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, or an arylalki It represents a silyl group, an amino group, a substituted amino group, a silyl group, a substituted silyl group, a halogen atom, an acyl group, an acyloxy group, an imine residue, an amide group, an acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group, a cyano group or a nitro group. , v and w each independently represent an integer of 0 to 4, and R 29 , R 30 , R 31 and R 32 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cya A no group, Ar 5 represents an arylene group, a divalent heterocyclic group or a divalent group having a metal complex structure, and when a plurality of R 28 and R 33 are present, they may be the same or different.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 하기 화학식 XV로 표시되는 반복 단위를 더 갖는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.The polymer compound according to any one of claims 1 to 6, further comprising a repeating unit represented by the following general formula (XV). <화학식 XV><Formula XV>
Figure 112007084268841-PCT00122
Figure 112007084268841-PCT00122
식 중, Ar6, Ar7, Ar8 및 Ar9는 각각 독립적으로 아릴렌기 또는 2가 복소환기를 나타내고, Ar10, Ar11 및 Ar12는 각각 독립적으로 아릴기 또는 1가 복소환기를 나타내고, Ar6, Ar7, Ar8, Ar9 및 Ar10은 치환기를 가질 수도 있으며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타내고, 0≤x+y≤1이다.In the formula, Ar 6 , Ar 7 , Ar 8 and Ar 9 each independently represent an arylene group or a divalent heterocyclic group, Ar 10 , Ar 11 and Ar 12 each independently represent an aryl group or monovalent heterocyclic group, Ar 6 , Ar 7 , Ar 8 , Ar 9 and Ar 10 may have a substituent, and x and y each independently represent 0 or 1, and 0 ≦ x + y ≦ 1.
원료로서 적어도 하기 화학식 XVIa, XVIb 또는 XVIc로 표시되는 화합물을 사용하여 중합시키는 것을 특징으로 하는 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 고분자 화합물의 제조 방법.A method for producing the polymer compound according to any one of claims 1 to 9, wherein the polymer is polymerized using at least a compound represented by the following formula (XVIa), (XVIb) or (XVIc) as a raw material. <화학식 XVIa><Formula XVIa>
Figure 112007084268841-PCT00123
Figure 112007084268841-PCT00123
<화학식 XVIb><Formula XVIb>
Figure 112007084268841-PCT00124
Figure 112007084268841-PCT00124
<화학식 XVIc><Formula XVIc>
Figure 112007084268841-PCT00125
Figure 112007084268841-PCT00125
식 중, A환, B환, C환, Z1 내지 Z5는 상기와 동일한 의미를 나타내며, Y1, Y2, Y3, Y4, Y5 및 Y6은 각각 독립적으로 중합에 관여하는 치환기를 나타낸다.In the formula, A ring, B ring, C ring, Z 1 to Z 5 represent the same meaning as described above, Y 1 , Y 2 , Y 3 , Y 4 , Y 5 And Y 6 each independently represent a substituent involved in polymerization.
제10항에 있어서, 상기 화학식 XVIa로 표시되는 화합물이, 하기 화학식 XVIIa로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 제조 방법.The production method according to claim 10, wherein the compound represented by the general formula (XVIa) is a compound represented by the following general formula (XVIIa). <화학식 XVIIa><Formula XVIIa>
Figure 112007084268841-PCT00126
Figure 112007084268841-PCT00126
식 중, R1, R2, a, b, D환, Q, z, Y1 및 Y2는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.In formula, R <1> , R <2> , a, b, D ring, Q, z, Y <1> and Y <2> represent the same meaning as the above.
제11항에 있어서, 상기 화학식 XVIIa로 표시되는 화합물이, 하기 화학식 XVIIIa, XVIIIb, XVIIIc 또는 XVIIId로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 제조 방법.The method according to claim 11, wherein the compound represented by the formula (XVIIa) is a compound represented by the following formula (XVIIIa, XVIIIb, XVIIIc or XVIIId). <화학식 XVIIIa><Formula XVIIIa>
Figure 112007084268841-PCT00127
Figure 112007084268841-PCT00127
<화학식 XVIIIb><Formula XVIIIb>
Figure 112007084268841-PCT00128
Figure 112007084268841-PCT00128
<화학식 XVIIIc><Formula XVIIIc>
Figure 112007084268841-PCT00129
Figure 112007084268841-PCT00129
<화학식 XVIIId><Formula XVIIId>
Figure 112007084268841-PCT00130
Figure 112007084268841-PCT00130
식 중, R1a, R1b, R2a 내지 R2c, R3a 내지 R3g, Y1 및 Y2는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.In the formula, R 1a , R 1b , R 2a to R 2c , R 3a to R 3g , Y 1 and Y 2 represent the same meaning as described above.
제10항에 있어서, 상기 화학식 XVIb로 표시되는 화합물이, 하기 화학식 XVIIb로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 제조 방법.The production method according to claim 10, wherein the compound represented by the formula (XVIb) is a compound represented by the following formula (XVIIb). <화학식 XVIIb><Formula XVIIb>
Figure 112007084268841-PCT00131
Figure 112007084268841-PCT00131
식 중, B환, C환, Z2, Z3, Z4, Y3 및 Y4는 상기와 동일한 의미를 나타내고, Z6, Z7 및 Z8은 각각 독립적으로 C-(Q)z 또는 질소 원자를 나타내고, Z1a, Z5a 및 Z9는 각각 독립적으로 탄소 원자를 나타내고, Q 및 z는 상기와 동일한 의미를 나타내고, R4는 치환기를 나타내고, e는 0 내지 2의 정수를 나타내며, R4가 복수개인 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있고, R4끼리 결합하여 환을 형성할 수도 있다.In the formula, ring B, ring C, Z 2 , Z 3 , Z 4 , Y 3 and Y 4 represent the same meaning as described above, and Z 6 , Z 7 and Z 8 are each independently C- (Q) z or A nitrogen atom, Z 1a , Z 5a and Z 9 each independently represent a carbon atom, Q and z represent the same meaning as described above, R 4 represents a substituent, and e represents an integer of 0 to 2, When there are a plurality of R 4 , they may be the same or different, and R 4 may be bonded to each other to form a ring.
제10항에 있어서, 상기 화학식 XVIc로 표시되는 화합물이, 하기 화학식 XVIIc로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 제조 방법.The production method according to claim 10, wherein the compound represented by the formula (XVIc) is a compound represented by the following formula (XVIIc). <화학식 XVIIc><Formula XVIIc>
Figure 112007084268841-PCT00132
Figure 112007084268841-PCT00132
식 중, A환, B환, Z1, Z4, Z5, Y5 및 Y6은 상기와 동일한 의미를 나타내고, Z10, Z11, Z12 및 Z13은 각각 독립적으로 C-(Q)z 또는 질소 원자를 나타내고, Z2a 및 Z3a는 각각 독립적으로 탄소 원자를 나타내고, Q 및 z는 상기와 동일한 의미를 나타내고, R5는 치환기를 나타내고, f는 0 내지 2의 정수를 나타내며, R5가 복수개인 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있고, R5끼리 결합하여 환을 형성할 수도 있다.In the formula, A ring, B ring, Z 1 , Z 4 , Z 5 , Y 5 and Y 6 have the same meaning as above, and Z 10 , Z 11 , Z 12 and Z 13 are each independently C- (Q ) z or a nitrogen atom, Z 2a and Z 3a each independently represent a carbon atom, Q and z represent the same meaning as above, R 5 represents a substituent, f represents an integer of 0 to 2, When there are a plurality of R 5 s , they may be the same or different, and R 5 may be bonded to each other to form a ring.
제10항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화학식 XVIa, XVIb 또는 XVIc로 표시되는 화합물에 추가하여, 하기 화학식 XIX 내지 XXII 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 원료로서 사용하여 중합시키는 것을 특징으로 하는 제조 방법.The compound according to any one of claims 10 to 14, wherein in addition to the compound represented by the formula (XVIa), (XVIb) or (XVIc), the compound represented by any one of the formulas (XIX) to (XXII) as a raw material is polymerized. Manufacturing method. <화학식 XIX><Formula XIX>
Figure 112007084268841-PCT00133
Figure 112007084268841-PCT00133
<화학식 XX><Formula XX>
Figure 112007084268841-PCT00134
Figure 112007084268841-PCT00134
<화학식 XXI><Formula XXI>
Figure 112007084268841-PCT00135
Figure 112007084268841-PCT00135
<화학식 XXII><Formula XXII>
Figure 112007084268841-PCT00136
Figure 112007084268841-PCT00136
식 중, Ar1, Ar2, Ar3, Ar4, ff, X1, X2 및 X3은 상기와 동일한 의미를 나타내고, Y7, Y8, Y9, Y10, Y11, Y12, Y13 및 Y14는 각각 독립적으로 중합에 관여하는 치환기를 나타낸다.In formula, Ar <1> , Ar <2> , Ar <3> , Ar <4> , ff, X <1> , X <2> and X <3> represent the same meaning as the above, Y <7> , Y <8> , Y <9> , Y <10> , Y <11> , Y <12> , Y 13 And Y 14 each independently represent a substituent involved in polymerization.
제10항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 화학식 XVIa, XVIb 또는 XVIc로 표시되는 화합물을 단독으로, 또는 화학식 XIX 내지 XXII로 표시되는 화합물로 부터 선택되는 1종 이상과 중합할 때, Y1, Y2, Y3, Y4, Y5, Y6, Y7, Y8, Y9, Y10, Y11, Y12, Y13 및 Y14가 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬술포네이트기, 아릴술포네이트기 또는 아릴알킬술포네이트기이고, 니켈 0가 착체의 존재하에서 축합 중합하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.The compound according to any one of claims 10 to 15, wherein when the compound represented by the formula (XVIa), (XVIb) or (XVIc) is polymerized with one or more selected from compounds represented by the formulas (XIX to XXII), YOne, Y2, Y3, Y4, Y5, Y6, Y7, Y8, Y9, Y10, Y11, Y12, Y13 And Y14Are each independently a halogen atom, an alkylsulfonate group, an arylsulfonate group or an arylalkylsulfonate group, and the condensation polymerization is carried out in the presence of a nickel valent complex. 제10항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 화학식 XVIa, XVIb 또는 XVIc로부터 선택되는 1종을 단독으로, 또는 화학식 XIX 내지 XXII로부터 선택되는 1종 이상과 중합할 때, Y1, Y2, Y3, Y4, Y5, Y6, Y7, Y8, Y9, Y10, Y11, Y12, Y13 및 Y14가 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬술포네이트기, 아릴술포네이트기, 아릴알킬술포네이트기, -B(OH)2 또는 붕산 에스테르기이고, 할로겐 원자, 알킬술포네이트기, 아릴술포네이트기 및 아릴알킬술포네이트기의 몰수의 합계와, -B(OH)2 및 붕산 에스테르기의 몰수의 합계의 비가 실질적으로 1이고, 니켈 또는 팔라듐 촉매를 사용하여 축합 중합하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.The compound according to any one of claims 10 to 15, wherein when polymerized with one or more selected from formulas XVIa, XVIb or XVIc, alone or with one or more selected from formulas XIX to XXII, Y 1 , Y 2 , Y 3 , Y 4 , Y 5 , Y 6 , Y 7 , Y 8 , Y 9 , Y 10 , Y 11 , Y 12 , Y 13 And Y 14 is each independently a halogen atom, an alkylsulfonate group, an arylsulfonate group, an arylalkylsulfonate group, -B (OH) 2 or a boric acid ester group, and a halogen atom, an alkylsulfonate group, an arylsulfonate group And the ratio of the total number of moles of the arylalkylsulfonate group to the total number of moles of the -B (OH) 2 and the boric acid ester groups is substantially 1, and the condensation polymerization is carried out using a nickel or a palladium catalyst. 상기 화학식 XVIIa로 표시되는 화합물.A compound represented by the formula (XVIIa). 상기 화학식 XVIIIa, XVIIIb, XVIIIc 또는 XVIIId로 표시되는 화합물.A compound represented by the formula XVIIIa, XVIIIb, XVIIIc or XVIIId. 상기 화학식 XVIb 또는 XVIc로 표시되는 화합물.A compound represented by the above formula (XVIb) or XVIc. 상기 화학식 XVIIb 또는 XVIIc로 표시되는 화합물.A compound represented by the formula XVIIb or XVIIc. 정공 수송 재료, 전자 수송 재료 및 발광 재료로부터 선택되는 1종 이상의 재료와 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 고분자 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 조성물.A composition comprising at least one material selected from a hole transporting material, an electron transporting material and a light emitting material and the polymer compound according to any one of claims 1 to 9. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 고분자 화합물과 용매를 함유하는 것을 특징으로 하는 잉크 조성물.An ink composition comprising the polymer compound according to any one of claims 1 to 9 and a solvent. 제23항에 있어서, 점도가 25 ℃에서 1 내지 20 mPaㆍs인 것을 특징으로 하는 잉크 조성물.The ink composition according to claim 23, wherein the viscosity is 1 to 20 mPa · s at 25 ° C. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 고분자 화합물을 함유하는 발광성 박막.The light emitting thin film containing the high molecular compound in any one of Claims 1-9. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 고분자 화합물을 함유하는 도전성 박막.The conductive thin film containing the high molecular compound in any one of Claims 1-9. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 고분자 화합물을 함유하는 유기 반도체 박막.An organic semiconductor thin film containing the polymer compound according to any one of claims 1 to 9. 양극 및 음극을 포함하는 전극 사이에 유기층을 갖고, 상기 유기층이 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 발광 소자.A polymer light emitting device comprising an organic layer between electrodes comprising an anode and a cathode, wherein the organic layer comprises the polymer compound according to any one of claims 1 to 9. 제28항에 있어서, 유기층이 발광층인 것을 특징으로 하는 고분자 발광 소자.The polymer light emitting device according to claim 28, wherein the organic layer is a light emitting layer. 제29항에 있어서, 발광층이 정공 수송 재료, 전자 수송 재료 또는 발광 재료를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 발광 소자.30. The polymer light emitting device of claim 29, wherein the light emitting layer further comprises a hole transport material, an electron transport material, or a light emitting material. 제28항 내지 제30항 중 어느 한 항에 기재된 고분자 발광 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 면상 광원.A planar light source comprising the polymer light emitting device according to any one of claims 28 to 30. 제28항 내지 제30항 중 어느 한 항에 기재된 고분자 발광 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 세그먼트 표시 장치.A segment display device comprising the polymer light emitting device according to any one of claims 28 to 30. 제28항 내지 제30항 중 어느 한 항에 기재된 고분자 발광 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 도트 매트릭스 표시 장치.A dot matrix display device comprising the polymer light emitting device according to any one of claims 28 to 30. 제28항 내지 제30항 중 어느 한 항에 기재된 고분자 발광 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.A liquid crystal display device comprising the polymer light emitting device according to any one of claims 28 to 30.
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