KR20080012605A - 탄성 에너지 장벽을 이용한 생체막 소자 - Google Patents

탄성 에너지 장벽을 이용한 생체막 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20080012605A
KR20080012605A KR1020060073667A KR20060073667A KR20080012605A KR 20080012605 A KR20080012605 A KR 20080012605A KR 1020060073667 A KR1020060073667 A KR 1020060073667A KR 20060073667 A KR20060073667 A KR 20060073667A KR 20080012605 A KR20080012605 A KR 20080012605A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lipid
region
geometric
base substrate
membrane
Prior art date
Application number
KR1020060073667A
Other languages
English (en)
Inventor
이신두
윤태영
정철현
이상욱
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
재단법인서울대학교산학협력재단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사, 재단법인서울대학교산학협력재단 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020060073667A priority Critical patent/KR20080012605A/ko
Priority to JP2006261324A priority patent/JP2008039758A/ja
Priority to US11/727,354 priority patent/US7776356B2/en
Publication of KR20080012605A publication Critical patent/KR20080012605A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/48—Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
    • G01N33/50—Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing
    • G01N33/92—Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing involving lipids, e.g. cholesterol, lipoproteins, or their receptors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/48—Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
    • G01N33/50—Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing
    • G01N33/68—Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing involving proteins, peptides or amino acids
    • G01N33/6872—Intracellular protein regulatory factors and their receptors, e.g. including ion channels

Abstract

본 발명은 기하학적 표면미세구조(geometric microstructure)가 형성된 기저기판을 이용한 이중지질막 중의 특정 지질영역의 성장 및 확산을 조절하는 방법, 상기 방법에 의해 조절이 가능한 이중지질막을 갖는 생체막 소자의 제조방법, 및 이에 의해 제조된 생체막 소자에 관한 것이다. 구체적으로 상기 기저기판 상에 형성된 기하학적 미세구조에 의해 이중지질막에 탄성자유에너지가 유도되며, 이에 의해 이중지질막 중의 국소적 부위에서의 특정 지질영역의 성장 유도, 성장 억제 또는 확산의 조절이 가능하게 된다. 본 발명에 의해 형성된 특정 지질영역 중의 하나인 지질래프트는 질병 유발 및 생체 신호 전달에 중요한 역할을 하는 생체 세포막의 특정 지질영역으로서, 본 발명의 생체막소자는 생체내에서와 유사한 환경에서의 막단백질의 연구를 가능하게 하여, 막단백질의 연구자체는 물론 이를 통한 생체 신호 전달 조절을 이용한 질병치료에 유용하게 사용될 수 있다.
생체막, 지질영역, 탄성 에너지, 세포막, 막단백질, 신호전달

Description

탄성 에너지 장벽을 이용한 생체막 소자 {Biomembrane Devices with Elastic Energy Barriers}
도 1은 기저기판 상에 형성된 기하학적 표면미세구조 중의 하나인 기하학적 벽이 이중지질막에 탄성 변형을 유도하여 탄성 자유에너지의 차이에 의한 확산 장벽의 형성을 나타내는 개념도이다.
도 2a는 본 발명에 사용될 수 있는 기저기판의 기본 구조를 보여준다.
도 2b는 다양한 기하학적 표면미세구조의 예로서, 기저기판상에 형성된 평탄영역, 굴곡영역과 상기 굴곡영역 및 평탄영역의 경계에 형성된 기하학적 벽을 식각방식에 의해 동시에 형성하는 과정을 나타낸다.
도 2c는 도 2b의 기저기판에 추가의 식각처리를 하여, 기저기판 상에 두 개의 평탄영역 및 상기 두 개의 평탄영역의 경계에 형성된 기하학적 벽을 형성하는 과정을 나타낸다.
도 2d는 도 2c의 과정을 바탕으로 형성된 기저기판을 주사 전자 현미경 (scanning electron microscope, SEM)으로 관찰한 사진이다.
도 3은 도 2b에 의해 생성된 기저기판 상에 형성된 이중지질막에서 지질 영역을 성장시킨 후, 이를 형광 현미경으로 관찰한 사진이다.
도 4는 기하학적 표면미세구조를 이용하여, 지정된 위치에서의 지질영역의 성장을 유도한 뒤, 탄성 자유에너지의 차이로 인한 자유에너지 장벽을 이용하여 그 확산을 억제함으로써 형성된 지질영역의 국소적 분포를 보여주는 개념도로서, 나노크기의 지질래프트 (nanoraft)의 융합에 의해 평탄영역에 형성된 특정 지질영역(Lo)을 보여준다.
도 5a는 본 발명의 실시예에서 사용된 기저 기판의 기본 구조를 나타낸다.
도 5b는 기저기판상에 형성된 평탄영역, 굴곡영역과 상기 굴곡영역 및 평탄영역의 경계에 형성된 기하학적 벽을 식각방식에 의해 동시에 형성하는 과정을 나타낸다.
도 5c는 도 5b과정 후 포토레지스트 제거 후의 기하학적 표면미세구조를 갖는 기저기판을 나타낸다.
도 5d는 도 5c의 지질래프트의 성장 억제 영역으로 작용하는 굴곡영역 (왼쪽) 및 지질래프트의 성장 유도부위로 작용하는 평탄영역(오른쪽)을 원자힘 현미경(Atomic force microscopy)으로 관찰한 결과이다.
도 5e는 도 5c의 기하학적 표면미세구조 표면의 주파수 분석을 통해 지질래프트의 선택적 성장이 이론적으로 타당함을 보여주는 결과이다.
도 6은 도 5b 및 5c의 과정을 통하여 만들어진 기저기판상의 평탄영역에서의 지질래프트의 선택적인 성장을 보여주는 형광 현미경 사진이다. 흰색으로 표시된 스케일 바는 200μm 이다.
도 7은 도 6에서 형성된 지질래프트에의 콜레라 B 단위 단백질 (cholera toxin subunit B) 의 선택적 결합을 보여주는 형광 현미경 사진이다. 흰색으로 표시된 스케일 바는 200μm 이다.
게놈 연구에 의하여 인간의 염기서열이 밝혀진 후 생명과학 분야의 많은 연구가 단백질에 집중되고 있다. 이는, 게놈연구에 의해 대다수 유전자의 서열이 밝혀졌음에도 불구하고, 상기 규명된 유전자 염기서열로부터 실제 세포 내에서 기능을 수행하는 단백질의 구조와 기능을 파악하는 것이 매우 어렵기 때문이다. 이러한 어려움은, 단백질이 기능을 함에 있어서, 유전자의 염기서열에 의해 결정되는 단백질의 1차 구조보다는, 특수한 조건 하에서 접힘(folding) 이라는 과정을 통하여 얻어지는 단백질의 3차 구조가 더욱 중요한 역할을 하기 때문이다. 단백질의 기능과 관련된 단백질 3차 구조의 중요성은 특히, 외부환경 또는 유전적 요인으로 인하여 단백질 3차 구조가 제대로 형성되지 못할 경우 나타나는 질환의 발생에 의해 증명된다.
상기와 같이, 단백질 구조의 변형이 질환 발생과 연관되어 있는 단백질들을 질환 유발 단백질이라 부른다. 따라서 질환 유발 단백질은 질환의 발생 기전에 대한 이해 및 이에 대한 치료제 개발에서 중요한 대상으로 부각되고 있다.
종래 연구 대상이 되었던 질환 유발 단백질은 주로 세포 내부에 존재하는 수용성 단백질들로서, 이중에서도 특히, 단백질의 분해, 합성 또는 인산화에 관여 하여, 단백질의 활성을 조절하는 프로테아제, 포스파타제, 및 카이나제 등을 중심으로 연구가 이루어져 왔다. 그러나 실제 질환 유발 단백질의 대다수는, 막단백질(membrane protein)이라 불리는 세포막에 존재하는 특수한 단백질로서, 이에 대한 연구는 수용성 단백질과 비교하여 매우 저조한 편이다. 이는 분자수준에서의 단백질의 기능을 규명하기 위해서는 순수한 형태로 정제된 단백질의 분리가 전제되어야 하지만, 막단백질의 경우는 그렇지 못하기 때문이다. 수용성 단백질의 경우는 유전공학적 방법을 이용한 대량 생산이 비교적 용이하며 생산된 단백질을 정제하는 기술이 잘 확립돼있으며, 일반 실험용액 중에서 실험이 가능하다. 반면, 막단백질의 경우는 아직 대량 생산 방법이 확립되지 않은 것은 물론이며, 연구를 수행하는데 있어 생체내 세포막과 같은 조건을 필요로 하기 때문에 연구에 많은 어려움이 따른다. 예를 들면 단백질 구조 규명 분야에서, 수용성 단백질은 약 2만종 이상의 입체 구조가 규명돼 있지만, 막단백질은 불과 20여 가지 종류만 그 구조가 밝혀져 있어, 막단백질 연구의 어려움을 입증한다.
이러한 막단백질의 정제, 생산 및 연구의 곤란성은 막단백질의 구조 및 세포내 위치와도 깊은 연관이 있다. 막단백질의 구조는 크게, 세포막, 즉 이중지질막(lipid bilayer)의 외부에 노출된 부위인 친수성 부분과 지질막 내부에 존재하는 소수성 부분의 두 부분으로 구성된다. 따라서, 막단백질은 친수성 부분과 소수성 부분이 복합적으로 존재하는 생체내 세포막을 모사한 환경에 놓여져야만 정확한 3차원 구조가 형성되어 그 기능 연구가 가능하기 때문에, 수용성 단백질과 달리 막단백질의 연구를 위해서는 소수성 공간과 친수성 공간이 복합적으로 존재하는 세포 의 이중지질막을 모사한 환경이 필요하다.
그러나, 생체 외부에서 친수성과 소수성 구조를 동시에 갖는 막단백질의 구조 및 기능에 적합한 환경을 제공하는 것은 매우 어려운 일이며, 종래 계면활성제를 이용하여 세포막 성분을 추출하여 이러한 환경을 제공하려는 노력이 있었지만[ C. Dietrich, et al., Lipid raft reconstituted in model membranes. Biophys. J. 80, 1417-1428 (2001).] 만족할 만한 결과는 없었다.
한편, 최근 막단백질의 구조 및 기능 연구에 중요한 영향을 미칠 수 있는, 생체 세포막 중의 지질 및 막단백질의 분포 및 이동에 관한 새로운 사실이 발견되었다. 종래에는 이중지질막 구조를 갖는 세포막에서 막단백질은 끊임없는 횡적확산을 보이면서 막단백질을 포함하는 세포막 안의 모든 요소들이 균일하게 분포한다는 유동 모자이크 (fluid-mosaic) 이론이 정설로 받아들여져 왔다. 그러나, 최근 막단백질들이 세포막 안에서 균일하게 분포하는 것이 아니라 특정 지질영역, 예를 들면, 지질래프트(raft) 등과 중요한 상호작용을 한다는 이론이 제기되었으며, 많은 연구를 통하여 사실로 입증되었다 [Simons, K and Toomre, D.Lipid rafts and signal transduction. Nat. Rev. Mol. Cell Biol. 1, 31-41(2000); Brown, D.A. and London, E. Structure and function of sphingolipid- and cholesterol-rich membrane rafts. J. Biol. Chem. 275, 17221-17224(2000); London, E. Insights into Lipid Domain/Raft Structure and Formation from Experiments in Model Membranes. Curr. Opin. Struct. Bio., 12, 480-486(2202); Simons,K., Winchil L.C. Vaz. Annual Review of Biophysics and Biomolecular Structure, Vol. 33, Pages 269-295(2004)].
그러므로, 막단백질들이 세포의 전기능에 걸쳐 매우 중요한 역할을 담당하고 있음을 감안하면, 지질래프트를 포함하는 특정 지질영역 또한 세포간 신호 전달, 세포의 공간적 이동을 위하여 형성되는 방향분극 (polarity), 세포간 융합, 이온의 전달과 투과 등 많은 기능에 있어 중심역할을 할 것으로 생각된다. 최근에는 지질래프트 영역이 노인성 치매증의 원인이 되는 아밀로이드 베타의 축적, 광우병의 원인인 프라이온 단백질의 형성, 스트레스 인지 등 인간의 질병과도 밀접하게 연관되어 있음이 밝혀지고 있어 그 중요성이 더해지고 있다 [Joanna M. Cordy, Ishrut Hussain, et al., Exclusively targeting β-secretase to lipid rafts by GPI-anchor addition up-regulates β-site processing of the amyloid precursor protein. PNAS 100, 11735-11740 (2003)].
따라서, 막단백질의 구조 및 기능을 보다 체계적으로 연구하기 위해서는 생체외에서 막 단백질이 생체내에서와 유사하게 제 기능을 충분히 발휘할 수 있는 특정 지질영역을 포함하는 세포의 이중지질막과 유사한 생체외 세포막 시스템이 필요하다. 나아가, 상기 세포막 시스템에 포함된 특정 지질영역은 생체내에서와 같이 그 성장 및 공간적 분포, 즉 확산을 조절할 수 있어야 한다. 그러나, 현재 지질래프트 영역을 포함하는 이중이질막 중의 특정 지질영역의 성장 및 확산이 정밀하게 조절될 수 있는, 세포의 이중지질막과 유사한 생체외 세포막 시스템은 전무하다.
종래에, 통상 지질래프트 영역의 분석을 위해서는, 지질래프트 영역이 포함된 지질막 전체를 Trition X-100과 같은 세제(detergent)를 사용하여 추출하여, 래 프트 영역만을 분리해 내고, 그 외의 지질막 부분은 전부 분해시켜 버리는 파괴적인 방법이 사용되었다 [ Thomas J. Mclntosh, et al., Sorting of lipid and transmembrane peptides between detergent-soluble bilayers and detergent-resistant rafts. Biophys. J. 85, 1656-1666 (2003); Adriana Vidal and Thomas T. Mclntosh, Transbilayer peptide sorting between raft and nonraft bilayers: Comparisons of detergent extraction and confocal microscopy. Biophys. J. 89, 1102-1108 (2005)]. 그러나 이러한 추출 과정은 반드시 지질막 전체를 사용하여 추출하므로, 지질래프트에 대한 공간적인 선택성이 전혀 없으며 또한 추출 과정에서 추출 정도를 정밀하게 제어하는 것이 매우 어렵다. 특히 지질래프트 영역과 함께 래프트 영역 이외의 지질막 부분을 보존하면서, 래프트 영역의 크기와 위치를 정밀하게 제어할 수 있는 방법은 전무한 실정이다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 완성된 것으로, 본 발명은 기저기판에 형성된 표면미세구조를 통하여 이중지질막에 손상을 가하지 않으면서, 이중지질막에서의 특정 지질영역의 국소적인 성장과 확산을 마이크로 미터 수준에서 정밀하게 제어할 수 있는 방법, 상기 방법에 의해 조절이 가능한 이중지질막을 갖는 생체막 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 생체내 이중지질막과 유사한 생체외 세포막 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적 달성을 위하여, 본 발명은 (i) 기저기판 상에 기하학적 표면미세구조를 형성시키는 단계; 및 (ii) 상기 기저기판의 기하학적 표면미세구조 상에, 특정 지질영역을 갖는 이중지질막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 특정 지질영역은 상기 기하학적 표면미세구조에 의해 성장 및 확산의 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 생체막 소자 제조방법을 제공한다.
나아가, 본 발명은 기저기판상에 형성된 이중지질막 중의 특정 지질영역의 성장 및 확산을 조절하는 방법에 있어서, 기하학적 표면미세구조가 형성된 기저기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 특정 지질영역의 성장 및 확산을 조절하는 방법을 제공한다.
더 나아가, 본 발명은 기하학적 표면미세구조가 형성된 기저기판, 상기 기판 상에 위치하는 이중지질막 및 특정 지질영역을 포함하며, 상기 기하학적 표면미세구조 의하여 상기 이중지질막에 탄성 자유에너지 차이가 유발되어, 상기 지질영역의 성장 및 확산이 조절 가능한 것을 특징으로 하는 생체막 소자를 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 기저기판의 기하학적 표면미세구조는 기하학적 벽, 평탄영역 및 굴곡영역으로부터 선택되는 하나 이상의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법 또는 상기 방법에 의해 형성된 생체막 소자를 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 기저기판의 기하학적 표면미세구조는 굴곡영역 및 평탄영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법 또는 상기 방법에 의해 형성된 생체막 소자를 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 기저기판의 기하학적 표면미세구조는 굴곡영역, 평탄영역, 및 상기 굴곡영역과 평탄영역의 경계에 형성된 기하학적 벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법 또는 상기 방법에 의해 형성된 생체막 소자를 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 굴곡영역은 지질영역의 성장 억제부위로 작용하며, 상기 평탄영역은 성장 유도부위로 작용하며, 상기 기하학적 벽은 확산방지 부위로 작용하는 것을 특징으로 하는 방법 또는 상기 방법에 의해 형성된 생체막 소자를 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 지질영역의 성장 및 확산의 조절은 이중지질막 중의 특정 부위로의 지질영역의 이동, 특정 부위에서의 지질영역의 성장, 국소적 분포, 또는 공간적 가둠을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법 또는 상기 방법에 의해 형성된 생체막 소자를 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 기하학적 표면미세구조는 상기 이중지질막에 탄성 자유에너지의 차이를 형성하는 것을 특징으로 하는 방법 또는 생체막 소자를 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 탄성 자유에너지의 차이는 표면 거칠기의 실효치 또는 공간주파수의 차이에 의해 계산되는 것을 특징으로 하는 방법 또는 상기 방법에 의해 형성된 생체막 소자를 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 단계 (i)의 상기 기하학적 표면미세구조는 에칭, 스템핑(stamping), 광조사법 또는 증착 방법 중 하나 이상의 방법을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 방법 또는 상기 방법에 의해 형성된 생체막 소자를 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 단계 (ii)에서 상기 이중지질막은, 단일 또는 다중 생체막 소포체(vesicle)를 친수성 표면에 파열 후 융합하는 (rupture and fusion, vesicle fusion) 방법, 단일 또는 다중 생체막 소포체를 친수성 표면에 고정하는 방법, 세포를 친수성 표면에 고정하는 방법, 또는 공기-물 표면에 형성된 단일 지질막으로부터 랭무어-블로짓(Langmuir-Blodgett) 방법 중 하나 이상의 방법을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 방법 또는 생체막 소자를 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 기저기판은 제 1 항에 있어서, 상기 기저기판은 운모, 흑연, 이산화규소, 또는 실리콘을 포함하는 물질로 제조된 웨이퍼, 또는 PDMS(polydimethylsiloxane) 또는 유기규소중합체를 포함하는 고분자물질, 유리 또는 플라스틱인 것을 특징으로 하는 방법 또는 생체막 소자를 제공한다.
이하 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명자들은 생체막 모사 시스템에 있어서, 기하학적 미세표면구조가 형성된 기판을 사용함으로써, 상기 기판상에 형성된 이중지질막 중의 특정 지질영역 (예를 들면, 지질래프트)의 성장 및 확산의 조절이 가능하다는 것을 발견하여 본 발명을 완성하였다. 구체적으로, 상기 기하학적 표면미세구조 상에 형성된 이중지질막은, 그의 고유한 2차원적 성질에 의하여 기하학적 표면미세구조의 표면을 그대로 따라서 형성된다. 예를 들면, 도 1에 나타낸 바와 같이, 기저기판이 기하학적 벽을 포함하는 경우, 이중지질막의 굴곡경계에서 탄성 변형(흰선으로 표시된 부분)이 발생한다. 따라서 기저기판의 기하학적 표면미세구조를 바꾸면, 그에 따라 이중 지질막에 정교한 탄성변형을 유도할 수 있으며, 특정 지질막 영역, 예를 들면, 지질래프트가 이러한 기하학적 표면미세구조에 따라 다른 반응을 보인다는 것을 발견하여, 성장 및 확산의 조절이 가능한 특정 지질막 영역, 예를 들면 지질래프트를 포함하는 이중지질막을 갖는 생체막 모사장치 시스템에 관한 본 발명을 완성하였다.
이러한 관점에서, 본 발명은 (i) 기저기판에 기하학적 표면미세구조를 형성시키는 단계; 및 (ii) 상기 기저기판의 기하학적 표면미세구조 상에, 특정 지질영역을 갖는 이중지질막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 특정 지질영역은 상기 기하학적 표면미세구조에 의해 성장 및 확산의 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 생체막 소자 제조방법 또는 상기 방법에 의해 형성된 생체막 소자를 제공한다.
본 명세서에서 사용된 용어, "특정 지질영역"은 이중지질막 중에 형성된 콜레스테롤과 스핑고리피드가 풍부한 영역을 언급하는 것으로서, 길고 곧게 뻗어 움직임이 적은 탄화수소 사슬을 가진, 스핑고미엘린(sphingomyelin)과 같은 지질이, 콜레스테롤과 같은 스테롤 요소를 매개로 뭉쳐져서 형성되는 영역이다. 본 발명의 특정 지질영역은 예를 들면, 카베올레(Caveolae), 지질래프트(lipid-raft) 영역 및 Anderson 등의 문헌(R.G.W. Anderson and K. Jacobson, A Role for Lipid Shells in Targeting Proteins to Cavelolae, Rafts, and other Lipid Domains. Science, 296, 1821-1825(2002)에 기재된 것을 포함하며, 이로 제한하는 것은 아니다. 특정 지질영역은 이중지질막에 존재하는 다른 부위에 비하여 매우 잘 정렬된 탄화수소 사슬을 포함하고 있으며, 이러한 높은 정렬도는 막단백질과의 상호작용에 매우 적 합한 환경을 제공하게 된다. 그 결과, 많은 막단백질들은 이중지질막에서 횡적확산을 통하여 이동하다가 이러한 지질영역에 들어오게 되면 그 영역 안에 갇히게 되게 되어, 결과적으로 특정지질영역은 다른 이중지질막 부분에 비하여 막단백질의 분포가 매우 높게 된다. 본 발명의 한 양태에서, 상기 특정 지질영역은 지질래프트이다.
상기 방법은 단계 (ii)에서 수행되는 열처리 단계를 부가적으로 포함할 수 있다. 상기 이중지질막의 형성에 사용되는 지질의 전이온도가 상이하기 때문에, 이중지질막의 효과적인 형성을 위하여, 이중지질막의 형성에 사용되는 구체적 지질의 종류에 따라, 기저기판을 열처리를 할 수 있다. 상기 열처리는 기술분야의 공지의 방법을 사용하여 수행될 수 있으며, 예를 들면, Arun Radhakrichnan and Harden McConnell, Condensed compleses in Vesicles containing cholesterol and phospholipids. PANS 102, 12662-12666 (2005) 등에 기재된 방법을 사용할 수 있다.
본 발명의 생체막 소자 및 그 제조방법은 단일 또는 이중지질막을 지지해줄 수 있는 지지체, 즉, 기저기판의 사용을 포함한다. 기저기판은 단일 또는 이중지질막이 부착될 수 있는 한, 특정 물질로 제조된 것으로 한정되지 않으며, 단일 또는 이중지질막의 지지체로서 사용될 수 있는 기술분야의 다양한 기저기판이 본 발명에 사용될 수 있다. 상기 기저기판 상에 기하학적 표면미세구조를 직접 형성할 수도 있으며, 그렇지 못한 경우, 고형의 지지체로 구성되는 하층 및 기하학적 표면미세구조가 형성될 수 있는 상층으로 구성되는 2층 기본구조를 포함할 수 있다 (도 2a 참조). 또한, 하층의 기저기판이 소수성인 경우, 친수성인 막의 부착을 위해 친수성 처리된 상층을 갖는 2층 구조의 기저기판이 사용될 수 있다. 한편, 기저기판 상에 단일막을 부착하여 사용하는 경우는 소수성의 기저기판을 친수성으로의 처리절차를 거치지 않고 그 자체로서 사용할 수 있다. 상기와 같이 2층의 구조를 갖는 기저기판의 경우 상층 및 하층의 제조에는 동일, 또는 상이한 물질의 다양한 조합이 사용될 수 있으며, 이러한 단일 또는 이층 구조의 기저기판의 제조에 사용될 수 있는 물질은 예를 들면, 운모, 흑연, 이산화규소, 실리콘 등을 포함하나, 이로 한정하는 것은 아니다. 상기와 같은 물질로 제조된 기저기판은 예를 들면, 운모, 유리, 수정 등으로 만들어진 웨이퍼, 또는 PDMS(polydimethylsiloxane) 또는 유기규소중합체를 포함하는 고분자물질, 유리 또는 플라스틱을 포함하나, 이로 제한하는 것은 아니다. 이들 기저기판에 관한 추가의 사항은 하기의 문헌을 참조할 수 있다 [PDMS:Byron D. Gates and George M. Whitesides, Replication of vertical features smaller than 2nm by soft lithography. J. AM. CHEM. SOC. 125, 14986-14987 (2003); MICA:J. Marra and J. Israelachvili, Direct Measurements of Forces between Phosphatidylcholine and Phosphatidylethanolamine Bilayers in Aqueous Electrolyte Solutions, Biochemistry, 24, 4608-4618 (1985); glass,qurtz,silicon: L.K. Tamm and H.M. McConnell, Supported phospholipid bilayers, Biophys. J., 47, 105-113 (1985)]. 특히, 본 발명의 생체막 소자 또는 그 제조방법을 형광염료와 함께 사용하는 경우는 기저기판의 상층 및 하층에 사용되는 각각의 물질의 특성을 고려하여 굴절률의 차이가 최소인 조합을 선택하는 것 이 바람직하며, 굴절률의 차이가 없는 동일한 물질의 사용이 가장 바람직하다. 본 발명의 예시적인 한 구현예에서는 상기와 같은 조건을 만족하는 한 예로서, 고형지지체로서 수정 웨이퍼 상에 친수성 SiO2를 증착시켜 사용하였다.
본 명세서에 사용된 용어 "기하학적 표면미세구조"는 기저기판의 상층 표면에 형성된 임의의 표면구조의 변화를 일컫는 것이다. 지질래프트의 성장 및 확산의 조절을 가능하게 할 수 있는, 나노 크기부터 마이크로 크기의 구조의 기술분야의 다양한 임의의 기하학적 표면미세구조가 본 발명에 사용될 수 있다. 이러한 본원 발명에 사용될 수 있는 기하학적 표면미세구조는 기하학적 벽(topographic wall), 굴곡영역 (nanocorrugated topography) 및 평탄영역 (nanosmooth topography)(도 4 참조)을 포함하나 이로 제한하는 것은 아니다. 기하학적 벽의 경우 물질의 성장을 가로막는 벽의 역할을 하게 되고, 굴곡 영역의 경우 일정 크기 이상의 영역으로의 성장을 억제하며, 평탄 영역의 경우 굴곡 영역에 비해 영역의 성장이 가능한 환경을 만들어 지정된 영역에 래프트 영역을 형성할 수 있게 한다. 예를 들면 하기의 문헌에 기재된 것과 같은 기하학적 미세구조를 본 발명에 채용할 수 있다: W. M. Choi and O. O. Park, Soft-imprint technique for multilevel microstructures using poly(dimethylsiloxane) mold combined with a screen mask, Appl. Phys. Lett., 85, 3310-3312 (2004); D. Braun and P. Fromherz, Fluorescence Interferometry of Neuronal Cell Adhesion on Microstructured Silicon, Phys. Rev. Lett., 81, 5241-5244 (1998); Y. Zhao, C. C. Lim, D. B. Sawyer, R. Liao, X. Zhang, Microchip for subcellular mechanics study in living cells, Sensors and Actuators B, 114, 1108-1115 (2006); Y. Fua and N. K. A. Bryan, Fabrication and characterization of slanted nanopillars array, J. Vac. Sci. Technol. B, 23, 984-989 (2005). 본 발명의 한 양태에서, 본 발명의 기저기판에 형성되는 기하학적 표면미세구조는 기하학적 벽, 평탄영역 및 굴곡영역으로부터 선택되는 하나 이상의 구조를 포함한다. 다른 양태에서, 본 발명의 기저기판에 형성되는 기하학적 표면미세구조는 굴곡영역 및 평탄영역을 포함할 수 있다. 또 다른 양태에서, 본 발명의 기저기판에 형성되는 기하학적 표면미세구조는 굴곡영역, 평탄영역, 및 상기 굴곡영역 및 평탄영역의 경계에 형성된 기하학적 벽을 포함할 수 있다.
기저기판상의 기하학적 표면미세구조는, 상기 기저기판의 상층에 사용되는 물질의 특성을 고려하여, 기술분야에 공지된 다양한 방법을 사용하여 형성될 수 있으며, 특히 기판에 이중지질막의 부착이 가능한 표면 특성을 부여할 수 있도록 형성되어야 한다. 예를 들면, 기하학적 표면미세구조를 형성하는 방법은 에칭, 스템핑, 광조사법 및 증착법 등을 포함하나 이로 제한되는 것은 아니며, 상기 방법에 관한 자세한 사항 및 추가의 가능한 방법은 다음의 문헌을 참조할 수 있다: H. K. Taylor et al. Characterizing and Predicting Spatial Non-uniformity in the Deep Reactive Ion Etching of Silicon, J. Electrochem. Soc. 153, C575 (2006); M. S. Chen et al. Structure of thin SiO2 films grown on Mo(112), Phys. Rev. B 69, 155404 (2004); Jennifer S. Hovis et al. Patterning barriers to lateral diffusion in supported lipids bilayer membranes by blotting and stamping. Langmuir 16, 894-987 (2000).
본 발명의 한 양태에서, 상기 기하학적 표면미세구조는, 스템핑(stamping), 광조사법 및 증착 방법 중 하나 이상을 사용하여 형성될 수 있다. 본 발명의 한 예시적 구현예에서는 도 2a에 나타난 것과 같이 수정 웨이퍼(01)(결정 방향: (100)) 및 상층에 친수성의 SiO2 (02)를 공지의 방법대로 증착하여 기저기판을 형성하였다. 이후 도 2b에 나타난 것과 같이 일반적인 사진 식각(photolithography) 공정을 통하여 포토레지스트 (photoresist)의 패턴(03)을 얻은 후 산화규소(SiO2)층을 불화수소(HF)로 에칭한 뒤, 포토레지스트를 제거하고 도 2c에 나타난 것과 같이 전체적으로 불화수소로 에칭하여, 도 1에 도식적 나타낸 것과 같은 기하학적 표면미세구조를 얻을 수 있다. 이러한 방법에 의해 제조된 실제 기하학적 표면미세구조를 가진 기저기판의 주사 전자 현미경 사진을 도 2d에 나타내었다. 상기와 같이 형성된 기하학적 표면미세구조는 그 표면에 부착된 이중지질막에 탄성 변형을 유도하며, 이에 의해 이중지질막에 탄성 자유에너지의 차이가 형성되고, 이는 지질의 성장 및 확산에 대한 에너지 장벽으로 작용하여 이중지질막 중의 특정 지질영역, 예를 들면 지질래프트 영역의 성장 및 확산의 조절이 가능함을 본 발명을 통하여, 이론적으로 및 실제 이러한 조절이 가능한 생체막 소자를 제조하여 증명하였다 (도 4 및 실시예 참조). 본 이론으로 한정하고자 하는 것은 아니지만, 이는 기하학적 표면미세 구조, 예를 들면, 굴곡 경계에 의한 탄성 변형으로 인해 발생하는 지질래프트 영역의 분자당 자유에너지 증가가, 지질래프트 영역의 성장에 따라 발생하는 분자당 화학적포텐샬 감소의 절대값보다 수 kBT (kB 는 볼츠만 상수를 의미하며 1.3806505 x 10-23 J/K 의 값을 갖는다. T는 현재 온도를 말하며, 단위는 절대온도K (Kelvin)이다. 따라서 kBT 는 현재 온도에 따른 에너지를 나타내는 것으로, 보통 상온(20oC) 정도에서 T는 293K정도이므로, 에너지는 4.045 x 10-21 J 정도가 된다) 이상으로 크기 때문이다. 이러한 탄성 변형에 의한 지질래프트 영역의 자유에너지의 큰 증가는 래프트 영역에서만 발견되는 탄화수소 사슬의 높은 정렬도로 인한 큰 탄성 계수에 기인하는 것으로 생각된다. 이러한 기저기판상에 형성된 표면미세구조에 의해 이중지질막에 생성된 탄성 자유에너지 차이는 기술분야에 공지된 방법, 예를 들면 표면 거칠기의 실효치 또는 공간주파수의 차이에 의해 계산될 수 있으나, 이로 제한하는 것은 아니다.
이러한 관점에서, 본 발명의 한 양태에서 기하학적 표면 미세구조 중의 하나인, 굴곡영역은 지질래프트의 성장 억제부위로 작용하며, 다른 종류인 평탄영역은 성장 유도 부위로 작용하고, 또 다른 종류인 기하학적 벽은 확산방지 부위로 작용한다. 이러한 기하학적 표면미세구조에 의한 특정 지질영역, 예를 들면 지질래프트의 성장 및 확산의 조절은 이중지질막 중의 지질래프트의 이동 (drift), 특정 부위로의 유도, 국소적 분포, 또는 공간적 가둠을 포함하나, 이로 제한하는 것은 아 니다. 도 3은 도 2에서와 같은 방법으로 형성된 기하학적 표면미세구조를 가진 기저기판 상에 시간의 경과에 따라 형성된 지질래프트 영역의 형광 현미경 사진을 나타낸 것으로서, 주변의 유체 상태의 지질막과 달리 래프트 영역은 기하학적 미세구조에 의해 형성된 굴곡 경계를 전혀 넘어가지 못함을 보여주고 있다.
따라서, 본 발명의 한 양태에 따르면, 이러한 자유에너지 장벽은 생체막에서 지질래프트의 확산이나 흐름에 대한 조절을 가능하게 할 뿐만 아니라, 지정된 장소에서의 성장유도 및/또는 억제도 또한 가능하게 한다 (도 3 및 4 참조). 따라서, 본 발명의 다른 양태에 따르면, 본 발명의 방법을 사용하여, 네 개의 맞물린 굴곡 경계들과 그 경계로 둘러싸인 사각형 우물구조를 이용하여 생체막의 특정 지질영역인 지질래프트를 2차원 공간적으로 우물 안에서만 성장시킨 뒤, 우물 밖으로 확산을 막아 국소화된 장소에서의 지질래프트의 형성을 유도할 수 있다. 이 경우, 사각형 우물의 안쪽은 평탄영역이고, 우물의 바깥쪽은 굴곡영역이다. 우물의 안과 밖은 마이크로 미터 수준의 단차로 굴곡 경계가 형성되어 있다 (도 6 및 7 참조).
따라서, 다른 관점에서 본 발명은 기저기판상에 형성된 지질막 중의 지질래프트의 성장 및 확산을 조절하는 방법에 있어서, 기하학적 표면미세구조가 형성된 기저기판을 사용하는 것을 특징으로 하는, 지질막 중의 특정 지질영역, 예를 들면, 지질래프트의 성장 및 확산을 조절하는 방법을 또한 제공한다.
본 발명에 따라 형성된 지질래프트 영역은 실제 세포내에서와 마찬가지로, 생체내 신호전달에 중요한 기능을 하는 단백질과 선택적으로 상호작용하는 것으로 나타나, 그 우수한 효과를 입증하였다 (실시예 및 도 7 참조). 이는 본 발명에 따 라 제조된 생체막 소자가, 지질래프트 상에서, 세포막을 경유한 신호전달에 관여하며, 세포내 기능조절에 중요한 역할을 하는 다양한 단백질과의 선별적 결합을 가능하게 함으로써, 본 발명의 생체막 소자의 제조방법 및 이에 따라 제조된 생체막 소자가 질환의 발생 기전 등의 연구에 유용하게 사용될 수 있음을 증명하는 것이다. 당업자라면 지질래프트는 세포에서 수행하는 특정 기능에 따라 이에 포함되는 지질의 종류가 상이할 수 있으며, 또는 이에 따라 이와 상호작용하는 단백질의 종류가 다양할 수 있음을 알 수 있어, 본 발명의 생체막 소자가 특정 지질래프트 및 특정 단백질에만 적용가능한 것이 아님이 또한 당업자에게 명확한 것이다. 본 발명의 한 예시적 구현예에서는, 콜레라 B단위 단백질 (cholera toxin subunit B)을 사용하여 지질래프트 영역에서의 특정 단백질과의 선별적 결합을 증명하였다 (실시예 3 참조).
본 명세서에 사용된 용어 "이중지질막"은 소수성 꼬리부분과 친수성 머리부분으로 구성된, 예를 들면 인지질과 같은 지질분자가 규칙적으로 정렬되어 형성된 막의 이중층을 의미하는 것으로서, 천연 유래의 생체 세포막 및 기타 생물학적 막에서 발견되는 막 및 인공적으로 합성된 막 모두를 포함한다. 상기 이중지질막의 각 단일막을 이루는 지질분자의 소수성 꼬리는 막의 중심을 향하여 있으며, 친수성인 머리부분은 수성면을 향하며, 이러한 지질분자는 인산의 머리부분과 아실기의 꼬리부분을 갖는 인지질로 대표될 수 있다.
본 발명의 생체막 소자의 제조 방법 또는 이에 의해 제조된 생체막 소자에 사용될 수 있는 지질막은 천연 또는 합성의 단일 또는 이중지질막을 포함하며, 이 의 제조시 지질막의 제조에 사용되는 천연 또는 합성 유래의 다양한 지질이 사용될 수 있다. 지질막의 제조 시, 필요에 따라, 유체상태 세포막의 성분 및 특정 지질영역, 예를 들면, 지질래프트와 같은 영역의 형성을 가능하게 하는 성분을 적당한 비율로 혼합하여 사용할 수 있다. 당업자라면, 생체에서 세포의 종류 및 기능에 따라 세포막에 포함된 지질성분이 다양하며, 지질래프트를 포함하는 다양한 특정 지질영역이 존재한다는 것을 알 수 있기 때문에, 생체외 세포막 시스템의 사용시, 그 목적에 맞추어 이에 포함된 지질막의 구성성분의 종류와 비율도 변할 수 있다는 것은 당업자에게 명확한 것이다. 따라서, 당업자라면 지질막의 사용 목적에 맞추어 적절한 지질 성분 및 그 비율의 선택이 가능할 것이다. 본 발명에 사용될 수 있는 지질은 예를 들면, 포스파티딜린콜린(PC), 포스파티딜에탄올아민(PE), 포스파티딜세린(PS), 포스파티딜글리세롤(PG), 포스파티드산(PA), 포스파티딜이노시틸(PI), 스핑고미엘린(SPM), 카디오리핀, 디미리스토일포스파티드산(DMPA), 디미리스토일포스파티딜콜린(DMPC), 디팔미토일포스파티드산(DPPA), 디올레오일포스타티딜세린(DOPS), 디미리스토일포스파티딜세린(DMPS), 디팔미토일포스파티딜세린(DPPS), 디올레오일포스파티드산(DOPA), 디올레오일포스파티딜에탄올아민(DOPE), 디팔미토일포스파티딜콜린(DPPC), 디스테아로일포스파티딜콜린(DSPC), 디올레오일포스파티딜콜린 (DOPC), 디팔미토일포스파티딜글리세폴(DPPG), 디미리스노일포스파티딜글리세롤(DMPG), 디아스테로일포스파티딜콜린(DSPC), 디올레오일포스파티딜글리세롤(DOPG), 디팔미토일포스파티딜콜린(DPPC)을 포함하나 이로 제한되는 것은 아니다. 나아가, 생체 조직의 세포로부터 총 지질을 당업계의 공지된 방법대로 추출하 여, 그 자체로 또는 목적에 따라 다양한 합성 또는 천연의 지질성분을 다양한 비율로 조합하여 사용할 수 있으며, 이는 당업자의 기술수준 내이다. 본 발명의 한 예시적 구현예에서는 지질래프트의 성분으로서 스핑고미엘린(sphingomyelin, SPM)과 콜레스테롤(cholesterol), 유체상태의 세포막에 해당하는 성분으로서는 디올레오일포스파티딜콜린 (DOPC)을 1:1:1 의 몰비로 혼합하여 사용하였다.
본 발명에 따른 생체막 모사 시스템에 사용될 수 있는, 상기와 같은 다양한 성분을 포함할 수 있는 지질막은 단일(unilamellar) 또는 다중(multilamellar)의 단일 또는 이중지질막 (lipid bilayer)으로 이루어진 소포체, 공기와 물의 경계표면에 형성된 단일 또는 이중지질막의 형태로 제조되어, 본원 발명의 기저기판에 적용될 수 있다. 이들을 제조하는 방법은 당업계에 공지되어 있으며, 예를 들면, 다음을 참조할 수 있다: 작은단층라멜라 소포체(SUV)(Papahadjopoulos and Miller, Biochem. Biophys. Acta., 135, 624-638 (1967)); 역상(reverse-phase) 기화 소포(REV)(U.S. Patent No. 4,235,871); 안정한 다층라멜라소포(SPLV)(Lenk et al., Stable Plurilamellar Vesicles, Their Preparation and Use, U.S. Patent No. 4,522,803); 및 큰 단층라멜라소포(Cullis et al., Extrusion Technique for Producing Unilamellar Vesicle, PCT 87/00238).
본 발명에 따른 생체막 모사 시스템에 사용될 수 있는 상기와 같은 특징을 갖는 단일 또는 이중지질막은 기술분야에 공지된 다양한 방법을 사용하여 본 발명의 기저기판 상에 형성될 수 있다 (예를 들면, Cooper, M.A. Advances in Membrane Receptor Screening and Analysis, J. Mol. Recognit. 17, 286 (2004); Sackmann, E. Supported Membranes: Scientific and Practical Applications, Science, 271, 5245(1996) 참조). 이러한 방법은 예를 들면, 단일 또는 다중 지질이중막으로 이루어진 소포체(vesicle)를 친수성 표면을 갖는 기판에 파열 후 융합하는 (rupture and fusion, vesicle fusion) 방법, 단일 또는 다중의 지질이중막 소포체를 친수성 연결체 또는 바이오티닐이 부착된 수용체를 사용하여 고정하는 방법, 생체조직으로부터 수득한 세포의 지질을 추출하여 이를 친수성 연결체 또는 바이오티닐이 부착된 수용체를 사용하여 고정하는 방법, 또는 공기와 물의 경계 표면에 형성된 단일 지질막을 순차적으로 기판상에 형성하는 랭무어-블로짓(Langmuir-Blodgett) 방법을 포함하나, 이로 제한하는 것은 아니다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위해서 실시예를 제시한다.　 그러나 하기의 실시예는 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐 본 발명이 하기의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
실시예
실시예 1. 본 발명에 따른 생체막 소자의 제조
실시예 1-1. 기하학적 표면미세구조를 갖는 기저기판의 제조.
본 발명의 기하학적 미세구조를 갖는 기판을Yoon T-Y et al. Topographic control of lipid-raft reconstitution in model membrane, Nature Materials, 5:281-285 (2006) 에 기술된 대로 제작하였다.
요약하면, 도 2a에 나타난 것과 같이 수정 웨이퍼(01)(결정 방향: (100))의 상층에 친수성의 SiO2 (02)를 1.5 μm 두께로 증착하였다.
이러한 구조는 수정 웨이퍼 와 SiO2 간의 매우 작은 굴절율 차이 때문에 (최대 굴절율 차이: 0.08) 불필요한 간섭효과를 최소한으로 한다. 이러한 간섭효과는 형광 염료를 이용한 일체의 실험에서 매우 큰 잡음으로 작용하게 되므로, 가능한 최소한으로 하는 것이 바람직하며, 기판도 이를 고려해서 선택해야 한다. 이후 도 2b에 나타난 것과 같이 일반적인 사진 식각 공정을 통하여 포토레지스트의 패턴(03)을 얻은 후 산화규소(SiO2)층을 불화수소(HF)로 식각한 뒤, 포토레지스트를 제거하고 도 2c에 나타난 것과 같이 전체적으로 불화수소로 식각하여, 평탄영역의 기하학적 미세구조를 얻을 수 있다. 이렇게 형성된 기하학적 미세구조를 가진 밑판의 주사 전자 현미경(SEM; XL30FEG, Philips)사진을 도 2d에 나타내었다.
실시예 1-2. 기저기판상에 이중지질막의 형성
상기 실시예 1-1에 따라 수득한 기판 위에 이중지질막을 형성하기 위해, 지름이 100nm 이하이며 단일층 이중지질막 (unilamellar lipid bilayer)으로 이루어진 SUV를 실시예 1-1에 따라 수득한 기판 위에 파열 후 융합(rupture and fusion) 시켜 종전에 기술된 대로 이중지질막을 형성하였다 (Yoon T-Y et al., ibid).
요약하면, 상기SUV의 제조에 있어, 지질래프트의 성분으로서는 스핑고미엘린(SPM)과 콜레스테롤을 사용하였으며, 유체 상태의 이중지질막의 성분으로는dioleoyl(18:1)-phosphatidylcholine (DOPC)을 사용하였다. SUV(Small Unicellular Vesicle)는 구체적으로 다음과 같은 방법을 통하여 수득하였다. 클로로포름을 용매로 하여 DOPC/SPM/콜레스테롤을 1:1:1의 몰비로 혼합하였다. 이 혼합물에 형광염료가 붙어있는 지질인 Texas Red-dihexadecanoyl-phosphoethanolamine (Texas Red-DHPE)를 1 몰 %의 비율로 도핑하였다. DOPC, SPM, cholesterol은 Avanti Polar Lipids (Birmingham, AL)로부터 구입하였으며, Texas Red-DHPE는 Molecular Probes (Eugene, OR)로부터 구입하였다. 구입된 물품은 새로운 정제작업 없이 사용되었다. 혼합물 안에서 콜레스테롤 성분의 분리를 방지하기 위하여 건조, 진공 하 건조(desiccation), 수용성 환경으로의 전환(hydration) 작업이 동시에 이루어지는 rapid solvent exchange 방법이 채택되었다. 이렇게 얻어진 수용 혼합물을 Mini-Extruder(Avanti Polar Lipids)를 이용하여 50nm-기공 탄소필터에 61회 통과시킴으로써 SUV 수용액을 얻었다.
마지막으로 실시예 1-1의 기판 위에 상기 제조한 SUV 수용액을 위치시키면 SUV 중 기판근처로 접근한 것들이 파열 후 융합하게 되어 원하는 이중지질막이 형성된다. 기판은 SUV 수용액과 접촉하기 직전 piranha 용액(3:1 (v/v) H2SO4 : H2O2) 안에서 125℃의 온도로 15분 이상 세척되었으며 SUV 수용액과 접촉하는 시간은 90초로 제한하였다. 이는 SUV들이 파열하는 시간이 길어지게 되면 형성된 이중지질막의 조직이 점차 치밀해져, 래프트 영역의 형성을 저해하는 것으로 관찰되었기 때문이다. 일단 형성된 이중지질막은 공기 중에 노출되지 않도록 물 안에서 유지되었다.
실시예 2. 지질래프트의 성장 및 확산의 조절
실시예 2-1 탄성자유에너지 장벽의 생성확인
실시예 1에 따라 수득된 이중지질막이 형성된 기저기판 상에서의 지질래프트 영역의 형성을 관찰하였다.
상기 실시예 1의 SUV로부터 생성된 나노미터 수준의 작은 래프트 영역들이 재배열한 후 서로 합쳐져, 형광현미경으로 관찰 가능한 지질래프트가 형성된다.
도 3은, 실시예 1에 따라, 도 2의 기하학적 표면미세구조를 가진 기저기판 상에 형성된 이중지질막위에서 시간이 지남에 따라 형성된 래프트 영역을 형광 현미경 사진을 나타낸 것이며, 도 3 내부의 사진은 그 횡단면을 보여준다. 주변의 유체 상태의 지질막은 붉은 색이며, 형성된 지질래프트는 검은 색으로 보인다. 도 3에 나타난 바와 같이, 유체 상태의 지질막과 달이 래프트 영역은 기하학적 표면미세구조 중 하나인 기하학적 벽에 의해 야기된 굴곡 경계(도 1의 흰선으로 표시된 부분)를 전혀 넘어가지 못하며, 기판상의 한쪽 면(왼쪽)에만 치중되어 있음을 보여주고 있다. 이는 굴곡 경계에 의한 탄성 변형에 의하여, 높은 수준의 탄화수소 사슬 정렬도로 인해 매우 큰 탄성 계수를 갖는 래프트 영역의 자유에너지가 크게 증가하여, 탄성 자유에너지장벽으로 작용함으로써, 자유로운 확산을 억제하여 특정 부위에서의 지질래프트의 성장이 가능함을 보여주는 것이다.
실시예 2-2 기하학적 표면미세구조에 의해 형성된 자유에너지 장벽을 이용 한 지질래프트의 성장 및 확산의 조절
다음으로는 기저기판상의 표면미세구조로 인해 이중지질막에 생성된 탄성자유에너지 장벽을 이용하여, 지질래프트를 미리 지정된 곳에서만 유도할 수 있음을 종전에 기술한 방법대로 수행하여 (Yoon T-Y et al. ibid) 증명하였다.
요약하면, 우선, 기저기판에 나노 미터 수준의 굴곡영역 (도4 참조)과 평탄영역(도4 참조)을 마이크로 미터 수준의 단차가 나도록, 실시예 1 및 도 2의 방법(도 2b과정까지만 실시)과 동일한 방법(도 5a 내지 도5c 참조)을 사용하여 제작한 다음에 그 위에 이중지질막을 형성하였다.
도 5d는 이러한 과정을 통해 만들어진 기판의 굴곡영역과 평탄영역의 기하학적 표면미세구조를 원자힘 현미경(Atomic force microscope)으로 관찰한 결과이다. 이를 바탕으로 도 5e 에 각 표면에 대한 주파수 성분 분석 결과를 나타내었다. Helfrich 자유에너지 (free energy) 이론에 따르면, 탄성 변형이 일어난 생체막의 자유 에너지 차이는
Figure 112006056060456-PAT00001
로 주어진다 (여기에서,
Figure 112006056060456-PAT00002
는 주파수 공간, △K 는 생체막의 특정 지질영역과 보통 영역의 휨 변형 계수 차이,
Figure 112006056060456-PAT00003
는 주파수 성분을 나타낸다).
따라서, 생체막에서 특정 지질영역의 성장 여부를 결정하는 경계 주파수 성분의 크기를 이론적으로 계산 한 뒤, 굴곡영역과 평탄영역에서의 주파수 성분을 경계 주파수 성분과 비교한 결과 매끈한 평탄영역에서만 특정 지질영역이 성장할 수 있음을 확인하였다. 이러한 결과는 상기 실험적 증거에 더하여, 기하학적 표면미세 구조에 의한 이중지질막 중의 특정 지질영역의 성장 및 조절을 이론적으로 뒷받침하는 결과이다.
결론적으로, 상기 기판상에 형성된 지질막은 기판상의 굴곡영역에서 지질래프트의 성장이 억제되지만, 평탄영역에서는 성장이 가능하다. 성장한 영역은 기판과의 마찰력으로 인해, 쉽게 이동하지 못할 뿐더러 마이크로미터 수준의 장벽이 더욱 큰 에너지 장벽으로 작용해서 확산하지 못하고 형성된 자리에 남아있게 되는 것이다.
실시예 2-3 지정된 장소에서의 지질래프트의 형성 유도
실시예 2-2에서와 같이, 확산의 조절에 의한 지질래프트의 성장 조절이외에, 지정된 영역에서의 지질래프트의 성장의 유도를 종전에 기술한 대로 실험을 수행하여 (Yoon T-Y et al. ibid) 증명하였다.
요약하면, 네 개의 맞물린 굴곡 경계들과 그에 둘러싸인 사각형 우물구조를 이용하여 생체막의 특정 지질영역인 래프트를 2차원 공간적으로 우물 안에서만 성장시킨 뒤, 우물 밖으로 확산을 막아 국소화된 장소에만 래프트가 형성될 수 있음을 증명하였다. 사각형 우물의 안쪽은 평탄영역, 우물의 바깥쪽은 굴곡영역을 형성하였으며, 우물의 안과 밖은 마이크로 미터 수준의 단차로 굴곡 경계를 형성하였다.
여기에 실시예 1과 같은 방법으로 지질막을 형성한 후, 이를 형광 현미경으로 관찰한 사진을 도 6에 나타냈다. 이 경우, 다만, 실시예 1에 사용된 DOPC/SPM/Cholesterol (1:1:1) 의 시스템에 추가적으로 Ganglioside (GM1, Avanti Polar Lipids 에서 구입) 를 1 몰 %의 비율로 도핑하였다. GM1은 다른 세포막 영역에 비해 선택적으로 래프트 영역에 잘 들어가서 신호 전달을 하는 물질과 결합하는 수용체(receptor) 역할을 하게된다. 도 6의 사진은 지질막에서 지질래프트 영역이 평탄영역 (사각형안)에서만 성장했고, 일단 성장한 래프트 영역은 굴곡 경계를 넘어 전혀 넘어가지 못하여, 굴곡영역 (사각형밖)에서는 거의 성장하지 못함을 보여주고 있다.
실시예 3. 지질래프트와 막단백질의 상호작용
도 7은 실시예 2-3에 따라 형성된 이중지질막의 사각형 우물 안의 래프트 영역이 생체 신호 전달 과정에 중요하게 작용하는 막단백질에 선택적으로 결합가능하여, 막단백질의 연구를 위한 생체막 소자로서 효과적으로 사용될 수 있음을 보여준다. 막 단백질의 하나의 예로서, 콜레라 B단위 단백질 (cholera toxin subunit B)을 사용하여, 상기 이중지질막에 결합시킨 경우, 도 7에서 보는 바와 같이, 평탄영역(사각형안)의 래프트 영역에만 콜레라 B 단위 단백질이 결합하는 것을 증명하였다. 콜레라 단백질은 A와 B 단위로 구성되는데, B 단위 단백질이 생체막과 결합하여 통로를 만들게 되면 A단위 단백질이 흘러들어가 세포막의 단백질에 영향을 미쳐 질병 유발 및 신호 전달의 기능을 수행한다. 따라서 콜레라 B 단위 단백질의 세포막에의 선택적으로 결합은 본 발명의 장치가 실제 막단백질의 연구에 유용하게 사용될 수 있음을 증명함은 물론, 나아가, 예를 들면 질병 유발의 원인이 되는 신호전달을 원하는 부분에서만 가능하게 할 수 있다는 것을 의미하는 것이다.
종합하면, 본 발명에서는 기하학적 표면미세구조를 기판에 형성하여 세포막의 지질래프트와 같은 특정 지질영역의 평형상태와 동역학적 성질을 모두 제어할 수 있음을 증명하였다. 상기 기하학적 표면미세구조의 표면 모양을 바꿈으로써 자유에너지 장벽의 크기도 조절할 수 있으며, 이러한 제어에 의하여 기존에는 할 수 없었던 고차원적 조작, 예를 들어 특정한 지역에서 래프트 영역 성장의 제어, 확산 장벽의 설치, 특정한 위치에서 국소화된 래프트 영역의 분포 유도가 가능해 진다. 나아가, 이러한 기술은 또한 실제 세포막에서도 특정 지질영역의 제어를 위해 응용될 수 있다.
본 발명의 생체막 소자는 실제 세포막에서와 같이 지질래프트의 확산 및 성장의 조절이 가능하여, 이중지질막의 특정 위치에 이를 성장시킴으로서, 질병 유발 등과 관련된 생체 신호 전달을 연구를 포함한 막 단백질의 연구에 유용하게 사용될 수 있음은 물론, 생체 신호 전달 조절을 이용한 질병치료에 유용하게 사용될 수 있으며, 그 외 막단백질이 포함된 이중지질막 응용분야에 다양하게 적용될 수 있다.

Claims (33)

  1. (i) 기저기판에 기하학적 표면미세구조를 형성시키는 단계; 및
    (ii) 상기 기저기판의 기하학적 표면미세구조 상에, 특정 지질영역을 갖는 이중지질막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 특정 지질영역은 상기 기하학적 표면미세구조에 의해 성장 및 확산의 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 생체막 소자의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 특정 지질영역은 지질래프트이며, 상기 단계 (ii) 후에 열처리 하는 단계를 부가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 기저기판의 기하학적 표면미세구조는 기하학적 벽, 평탄영역 및 굴곡영역으로부터 선택되는 하나 이상의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 기저기판의 기하학적 표면미세구조는 굴곡영역 및 평탄영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 기저기판의 기하학적 표면미세구조는 굴곡영역, 평탄영역, 및 상기 굴곡영역과 평탄영역의 경계에 형성된 기하학적 벽을 포함하는 것 을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 굴곡영역은 특정 지질영역의 성장 억제부위로 작용하며, 상기 평탄영역은 성장 유도부위로 작용하며, 상기 기하학적 벽은 확산방지 부위로 작용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 특정 지질영역의 성장 및 확산의 조절은 이중지질막 중의 특정 지질영역의 이동(drift), 특정 부위로의 유도, 국소적 분포, 또는 공간적 가둠을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 기하학적 표면미세구조는 상기 이중지질막에 탄성 자유에너지의 차이를 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 탄성 자유에너지의 차이는 표면 거칠기의 실효치 또는 공간주파수의 차이에 의해 계산되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 단계 (i)의 상기 기하학적 표면미세구조는 에칭, 스템핑(stamping), 광조사법 또는 증착 방법 중 하나 이상의 방법을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 단계 (ii)에서 상기 이중지질막은, 단일 또는 다중 생체막 소포체(vesicle)를 친수성 표면에 파열 후 융합하는 방법 (rupture and fusion, vesicle fusion), 단일 또는 다중 생체막 소포체를 친수성 표면에 고정하는 방법, 세포를 친수성 표면에 고정하는 방법, 또는 공기-물 표면에 형성된 단일 지질막으로부터 랭무어-블로짓(Langmuir-Blodgett) 방법 중 하나 이상의 방법을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 기저기판은 운모, 흑연, 이산화규소, 또는 실리콘을 포함하는 물질로 제조된 웨이퍼, 또는 PDMS(polydimethylsiloxane) 또는 유기규소중합체를 포함하는 고분자물질, 유리 또는 플라스틱인 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 기하학적 표면미세구조가 형성된 기저기판을 사용하는 것을 특징으로 하는, 기저기판상에 형성된 이중지질막 중의 특정 지질영역의 성장 및 확산을 조절하는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 특정 지질영역은 지질래프트이며, 상기 기하학적 표면미세구조는 기하학적 벽, 평탄영역 및 굴곡영역으로부터 선택되는 하나 이상의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 13 항에 있어서, 상기 기하학적 표면미세구조는 굴곡영역 및 평탄영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 13 항에 있어서, 상기 기하학적 표면미세구조는 굴곡영역, 평탄영역, 및 상기 굴곡영역과 평탄영역의 경계에 형성된 기하학적 벽의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제 14 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 굴곡영역은 특정 지질영역의 성장 억제부위로 작용하며, 상기 평탄영역은 성장 유도부위로 작용하며, 상기 기하학적 벽은 확산방지 부위로 작용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제 13 항에 있어서, 상기 지질영역의 성장 및 확산의 조절은 이중지질막 중의 지질영역의 이동, 특정 부위로의 유도, 국소적 분포, 또는 공간적 가둠을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제 13 항에 있어서, 상기 기하학적 표면미세구조는 상기 이중지질막에 탄성 자유에너지의 차이를 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 탄성 자유에너지의 차이는 표면 거칠기의 실효치 또는 공간주파수의 차이에 의해 계산되는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제 13 항에 있어서, 상기 기하학적 표면미세구조는 에칭, 스템핑, 광조사법 또는 증착 방법 중 하나 이상의 방법을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제 13항에 있어서, 상기 이중지질막은, 단일 또는 다중 생체막 소포체를 친수성 표면에 파열 후 융합하는 방법, 단일 또는 다중 생체막 소포체를 친수성 표면에 고정하는 방법, 세포를 친수성 표면에 고정하는 방법, 또는 공기-물 표면에 형성된 단일 지질막으로부터 랭무어-블로짓 방법 중 하나 이상의 방법을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제 13 항에 있어서, 상기 기저기판은 운모, 흑연, 이산화규소, 또는 실리콘을 포함하는 물질로 제조된 웨이퍼, 또는 PDMS(polydimethylsiloxane) 또는 유기규소중합체를 포함하는 고분자물질, 유리 또는 플라스틱인 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제 1 항에 따라 제조된, 기하학적 표면미세구조가 형성된 기저기판, 상기 기판 상에 위치하는 이중지질막 및 특정 지질영역을 포함하며, 상기 기하학적 표면미세구조 의하여 상기 이중지질막에 탄성 자유에너지 차이가 유발되어, 상기 지질영역의 성장 및 확산의 조절 가능한 것을 특징으로 하는 생체막 소자.
  25. 제 24 항에 있어서, 상기 특정 지질영역은 지질래프트이며, 상기 기하학적 표면미세구조는 기하학적 벽, 평탄영역 및 굴곡영역으로부터 선택되는 하나 이상의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 생체막 소자.
  26. 제 24 항에 있어서, 상기 기저기판의 기하학적 표면미세구조는 굴곡영역 및 평탄영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 생체막 소자.
  27. 제 24 항에 있어서, 상기 기저기판의 기하학적 표면미세구조는 굴곡영역, 평탄영역, 및 상기 굴곡영역과 평탄영역의 경계에 형성된 기하학적 벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 생체막 소자.
  28. 제 25 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 굴곡영역은 특정 지질영역의 성장억제 부위로 작용하며, 상기 평탄영역은 성장유도 부위로 작용하며, 상기 기하학적 벽은 확산방지 부위로 작용하는 것을 특징으로 하는 생체막 소자.
  29. 제 24 항에 있어서, 상기 성장 및 확산의 조절은 이중지질막 중의 지질래프트의 이동, 특정 부위로의 유도, 국소적 분포, 또는 공간적 가둠을 포함하는 것을 특징으로 하는 생체막 소자.
  30. 제 29 항에 있어서, 상기 탄성 자유에너지의 차이는 표면 거칠기의 실효치 또는 공간주파수의 차이에 의해 계산되는 것을 특징으로 하는 생체막 소자.
  31. 제 24 항에 있어서, 상기 기하학적 표면미세구조는 에칭, 스템핑, 광조사법 또는 증착 방법 중 하나 이상의 방법을 사용하여 수득되는 것을 특징으로 하는 생체막 소자.
  32. 제 24 항에 있어서, 상기 이중지질막의 형성은, 단일 또는 다중 생체막 소포체를 친수성 표면에 파열 후 융합하는 방법, 단일 또는 다중 생체막 소포체를 친수성 표면에 고정하는 방법, 세포를 친수성 표면에 고정하는 방법, 또는 공기-물 표면에 형성된 단일 지질막으로부터 랭무어-블로짓 방법 중 하나 이상의 방법을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 생체막 소자.
  33. 제 24 항에 있어서, 상기 기저기판은 제 1 항에 있어서, 상기 기저기판은 운모, 흑연, 이산화규소, 또는 실리콘을 포함하는 물질로 제조된 웨이퍼, 또는 PDMS(polydimethylsiloxane) 또는 유기규소중합체를 포함하는 고분자물질, 유리 또는 플라스틱인 것을 특징으로 하는 생체막 소자.
KR1020060073667A 2006-08-04 2006-08-04 탄성 에너지 장벽을 이용한 생체막 소자 KR20080012605A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060073667A KR20080012605A (ko) 2006-08-04 2006-08-04 탄성 에너지 장벽을 이용한 생체막 소자
JP2006261324A JP2008039758A (ja) 2006-08-04 2006-09-26 生体膜素子およびその製造方法
US11/727,354 US7776356B2 (en) 2006-08-04 2007-03-26 Membrane devices with elastic energy barriers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060073667A KR20080012605A (ko) 2006-08-04 2006-08-04 탄성 에너지 장벽을 이용한 생체막 소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080012605A true KR20080012605A (ko) 2008-02-12

Family

ID=39030085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060073667A KR20080012605A (ko) 2006-08-04 2006-08-04 탄성 에너지 장벽을 이용한 생체막 소자

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7776356B2 (ko)
JP (1) JP2008039758A (ko)
KR (1) KR20080012605A (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006110350A2 (en) * 2005-03-29 2006-10-19 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method of fabricating lipid bilayer membranes on solid supports
JP2012117860A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 人工生体膜マイクロアレイの作製方法
JP2014178121A (ja) * 2013-03-13 2014-09-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ハイドロゲルアレイ基板及び前記基板の製造方法、並びに脂質二分子膜アレイ基板及び前記基板の製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1264668A (en) 1984-06-20 1990-01-23 Pieter R. Cullis Extrusion techniques for producing liposomes
EP1225216A1 (de) * 2001-01-08 2002-07-24 Niels Fertig Vorrichtung zur Untersuchung von Ionenkanälen in Membranen
US20050079507A1 (en) * 2003-10-09 2005-04-14 Ye Fang Target evaluation using biological membrane arrays
SE0403139D0 (sv) 2004-12-23 2004-12-23 Nanoxis Ab Device and use thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US20080033190A1 (en) 2008-02-07
JP2008039758A (ja) 2008-02-21
US7776356B2 (en) 2010-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Mou et al. Tris (hydroxymethyl) aminomethane (C4H11NO3) induced a ripple phase in supported unilamellar phospholipid bilayers
Jackman et al. Supported lipid bilayer formation: beyond vesicle fusion
Fragneto et al. Floating lipid bilayers: models for physics and biology
Goksu et al. AFM for structure and dynamics of biomembranes
Battersby et al. Evidence for three-dimensional interlayer correlations in cationic lipid-DNA complexes as observed by cryo-electron microscopy
US20100144848A1 (en) Dna controlled assembly of lipid membranes
KR20100085830A (ko) 제어된 단층 형성을 위한 방법과 장치
Sut et al. Characterizing the supported lipid membrane formation from cholesterol-rich bicelles
US20090011428A1 (en) Fluid Membrane-Based Ligand Display System for Live Cell Assays and Disease Diagnosis Applications
Kalyankar et al. Arraying of intact liposomes into chemically functionalized microwells
Sumitomo et al. Liquid-ordered/liquid-crystalline phase separation at a lipid bilayer suspended over microwells
Taylor et al. Fabrication of 2D arrays of giant liposomes on solid substrates by microcontact printing
Sut et al. Supported lipid bilayer formation from phospholipid-fatty acid bicellar mixtures
JP2003511679A (ja) 脂質二重層アレイおよびその製造および使用方法
KR20080012605A (ko) 탄성 에너지 장벽을 이용한 생체막 소자
Mumtaz Virk et al. Formation and characteristics of lipid-blended block copolymer bilayers on a solid support investigated by quartz crystal microbalance and atomic force microscopy
Ng et al. Properties of a self-assembled phospholipid membrane supported on lipobeads
Ruiz-Rincón et al. Reversible Monolayer–Bilayer Transition in Supported Phospholipid LB Films under the Presence of Water: Morphological and Nanomechanical Behavior
Wang et al. Evaluation of young’s modulus of tethered 1-palmitoyl-2-oleoyl-sn-glycero-3-phosphocholine membranes using atomic force spectroscopy
WO2003016040A1 (en) Membrane mimetic architectures on nanoporous materials
Simon et al. Free-standing lipid films stabilized by Annexin-A5
Czajkowsky et al. Supported lipid bilayers as effective substrates for atomic force microscopy
Engel et al. External surface area determination of lipid vesicles using trinitrobenzene sulfonate and ultraviolet/visible spectrophotometry
Askew et al. pH-dependent lipid vesicle interactions with plasma polymerized thin films
Mao et al. The morphology of GM1x/SM0. 6− x/Chol0. 4 planar bilayers supported on SiO2 surfaces

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid