KR20080009509A - Device for generating clock in rfid with non-volatile ferroelectric memory - Google Patents

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Abstract

A device for generating a clock in an RFID(Radio-Frequency IDentification) with a non-volatile ferroelectric memory is provided to maintain stable frequency characteristics at a wide operation voltage by restricting the variation of frequency according to a voltage. A clock adjustment part(161) outputs a voltage control signal with a different current level according to the level variation of a power supply voltage by sensing the level of the power supply voltage. A clock oscillation part(162) generates a differential output clock by adjusting an oscillation frequency of a clock according to the voltage control signal. A clock signal coupling part(163) outputs a plurality of reference voltages corresponding to the differential output clock by coupling the differential output clock. A clock amplifier part(166) restricts the frequency variation of the clock within a specific frequency range by comparing and amplifying the plurality of reference voltages.

Description

불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 클록 발생 장치{Device for generating clock in RFID with non-volatile ferroelectric memory}Device for generating clock in RFID with non-volatile ferroelectric memory

도 1은 본 발명에 따른 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID의 전체 구성도. 1 is an overall configuration diagram of an RFID including a nonvolatile ferroelectric memory according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 클록 발생 장치의 구성도. 2 is a block diagram of a clock generator in RFID including a nonvolatile ferroelectric memory according to the present invention;

도 3은 도 2의 클록 조정부에 관한 상세 회로도. FIG. 3 is a detailed circuit diagram of the clock adjuster of FIG. 2. FIG.

도 4는 도 2의 클록 발진부에 관한 상세 회로도. 4 is a detailed circuit diagram related to the clock oscillator of FIG.

도 5는 도 2의 클록 앰프부에 관한 상세 회로도. FIG. 5 is a detailed circuit diagram of the clock amplifier unit of FIG. 2. FIG.

도 6 및 도 7은 본 발명에 다른 클록 발생 장치의 동작 파형도. 6 and 7 are operation waveform diagrams of a clock generator according to the present invention.

본 발명은 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID(Radio Frequency Identification)에서의 클록 발생 장치에 관한 것으로서, RFID에서의 클록 발생 회로의 구성을 최소화하고 전력 소모를 줄일 수 있도록 하는 기술이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a clock generator in a radio frequency identification (RFID) including a nonvolatile ferroelectric memory, and is a technique for minimizing the configuration of the clock generator circuit in RFID and reducing power consumption.

일반적으로 불휘발성 강유전체 메모리 즉, FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)은 디램(DRAM;Dynamic Random Access Memory) 정도의 데이터 처리 속도를 갖고, 전원의 오프시에도 데이터가 보존되는 특성 때문에 차세대 기억 소자로 주목받고 있다. In general, nonvolatile ferroelectric memory, or ferroelectric random access memory (FeRAM), has a data processing speed of about dynamic random access memory (DRAM) and is attracting attention as a next-generation memory device because of its characteristic that data is preserved even when the power is turned off. have.

이러한 FeRAM은 디램과 거의 유사한 구조를 갖는 기억소자로써 커패시터의 재료로 강유전체를 사용하여 강유전체의 특성인 높은 잔류 분극을 이용한 것이다. 이와 같은 잔류 분극 특성으로 인하여 전계를 제거하더라도 데이터가 지워지지 않는다. The FeRAM is a memory device having a structure similar to that of a DRAM, and uses a ferroelectric material as a capacitor material, and uses a high residual polarization characteristic of the ferroelectric material. Due to this residual polarization characteristic, data is not erased even when the electric field is removed.

상술된 FeRAM에 관한 기술내용은 본 발명과 동일 발명자에 의해 출원된 대한민국 특허 출원 제 2001-57275호에 개시된 바 있다. 따라서, FeRAM에 관한 기본적인 구성 및 그 동작에 관한 자세한 설명은 생략하기로 한다. Description of the above-described FeRAM has been disclosed in Korean Patent Application No. 2001-57275 filed by the same inventor as the present invention. Therefore, a detailed description of the basic configuration of the FeRAM and its operation will be omitted.

한편, 일반적인 RFID(Radio Frequency Identification) 장치는 크게 아날로그 블럭, 디지털 블럭 및 메모리 블럭을 구비한다. 여기서, 아날로그 블럭의 내부에는 전압 멀티플라이어(Voltage Multiplier)로부터 인가되는 전원전압에 따라 디지털 블록에 클록 CLK을 발생하기 위한 클록 발생기(Clock Generator)가 구비된다. On the other hand, a general radio frequency identification (RFID) device includes an analog block, a digital block, and a memory block. Here, a clock generator is provided inside the analog block to generate a clock CLK in the digital block according to a power supply voltage applied from a voltage multiplier.

여기서, 안정적인 주파수 특성을 갖는 클록 발생기를 설계하는 것은 RFID의 동작특성 및 전력 소모 특성에 많은 영향을 주게 된다. 특히, RFID 회로 설계에서 RFID 태그(Tag)의 단가를 줄이기 위해서는 간단하게 최적화된 회로의 구성이 요구된다. 또한, RFID의 동작 성능을 개선하기 위해서는 전력 소모를 최소화할 수 있는 회로의 구성이 요구된다. Here, designing a clock generator having a stable frequency characteristic has a great influence on the operation characteristics and power consumption characteristics of the RFID. In particular, in order to reduce the cost of the RFID tag in the RFID circuit design, a simple optimized circuit configuration is required. In addition, in order to improve the operation performance of the RFID, a configuration of a circuit capable of minimizing power consumption is required.

하지만, 종래의 클록 발생기는 비교적 복잡한 구성을 갖도록 설계되어 RFID 태그(Tag)의 단가를 높이게 되는 문제점이 있다. 또한, 종래의 클록 발생기는 안정적인 주파수 특성을 갖지 못하게 되어 동작 성능이 저하되며 전력 소모가 증가하게 되는 문제점이 있다. However, there is a problem that the conventional clock generator is designed to have a relatively complicated configuration to increase the cost of the RFID tag. In addition, the conventional clock generator does not have a stable frequency characteristics, there is a problem that the operating performance is lowered and the power consumption is increased.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 전압에 따른 주파수의 변화를 제한하여 넓은 동작 전압에서 안정적인 주파수 특성을 유지할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다. The present invention has been made to solve the above problems, the present invention is to limit the change in frequency according to the voltage to maintain a stable frequency characteristics at a wide operating voltage.

또한, 본 발명은 클록 발생 회로의 구성을 비교적 간단하게 최적화하여 RFID 태그의 단가를 줄이고 동작 성능을 향상시킬 수 있도록 하는데 그 목적이 있다. In addition, an object of the present invention is to reduce the cost of the RFID tag and improve the operation performance by optimizing the configuration of the clock generation circuit relatively simply.

또한, 본 발명은 클록 발생 회로에 전류 제한 저항 소자를 사용하여 소모되는 전류를 줄임으로써 RFID의 전력 소모를 줄일 수 있도록 하는데 그 목적이 있다. In addition, an object of the present invention is to reduce the power consumption of the RFID by reducing the current consumed by using a current limiting resistor element in the clock generation circuit.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 클록 발생 장치는, 전원전압의 레벨을 감지하여 전원전압의 레벨 변화에 따라 서로 다른 전류 레벨을 갖는 전압 제어신호를 출력하는 클록 조정부; 전압 제어신호에 따라 클록의 발진 주파수를 조정하여 차동 출력 클록을 발생하는 클록 발진부; 차동 출력 클록을 커플링하여 차동 출력 클록에 대응하는 복수개의 레퍼런스 전압을 출력하는 클록 신호 커플링부; 및 복수개의 레퍼런스 전압을 비교 및 증폭하여 클록의 주파수 변화를 특정 주파수 범위로 제한하여 출력하는 클록 앰 프부를 포함하는 것을 특징으로 한다. Clock generation device in the RFID including the nonvolatile ferroelectric memory of the present invention for achieving the above object, by detecting the level of the power supply voltage and outputs a voltage control signal having a different current level in accordance with the level change of the power supply voltage A clock adjusting unit; A clock oscillator for generating a differential output clock by adjusting the oscillation frequency of the clock according to the voltage control signal; A clock signal coupling unit coupling a differential output clock to output a plurality of reference voltages corresponding to the differential output clocks; And a clock amplifier unit for comparing and amplifying the plurality of reference voltages to limit the frequency change of the clock to a specific frequency range and output the same.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID의 전체 구성도이다. 본 발명의 RFID(Radio Frequency Identification) 장치는 크게 아날로그 블럭(100)과, 디지털 블럭(200) 및 불휘발성 강유전체 메모리(FeRAM;non-volatile ferroelectric random access memory;300)를 구비한다. 1 is an overall configuration diagram of an RFID including a nonvolatile ferroelectric memory according to the present invention. The radio frequency identification (RFID) device of the present invention includes an analog block 100, a digital block 200, and a non-volatile ferroelectric random access memory (FeRAM) 300.

여기서, 아날로그 블럭(100)은 전압 멀티플라이어(Voltage Multiplier;110), 전압 리미터(Voltage Limiter;120), 모듈레이터(Modulator;130), 디모듈레이터(Demodulator;140), 파워온 리셋부(Power On Reset;150) 및 클록 발생부(160)를 구비한다. Here, the analog block 100 may include a voltage multiplier 110, a voltage limiter 120, a modulator 130, a demodulator 140, and a power on reset; 150 and a clock generator 160.

그리고, 아날로그 블럭(100)의 안테나(10)는 외부의 리더기 또는 라이터기와 RFID 간에 무선 주파수 신호 RF를 송수신하기 위한 구성이다. 전압 멀티플라이어(110)는 안테나(10)로부터 인가되는 무선 주파수 신호 RF에 의해 RFID의 구동전압인 전원전압 VDD을 생성한다. 전압 리미터(120)는 안테나(10)로부터 인가된 무선 주파수 신호 RF의 전송 전압의 크기를 제한하여 디모듈레이터(140)와 클록 발생부(160)에 출력한다. And, the antenna 10 of the analog block 100 is a configuration for transmitting and receiving radio frequency signal RF between the external reader or writer and RFID. The voltage multiplier 110 generates a power supply voltage VDD which is a driving voltage of the RFID by the radio frequency signal RF applied from the antenna 10. The voltage limiter 120 limits the magnitude of the transmission voltage of the radio frequency signal RF applied from the antenna 10 and outputs it to the demodulator 140 and the clock generator 160.

또한, 모듈레이터(130)는 디지털 블럭(200)으로부터 인가되는 응답 신호 RP를 모듈레이팅하여 안테나(10)에 전송한다. 디모듈레이터(140)는 전압 멀티플라이어(110)와 전압 리미터(120)의 출력전압에 따라 안테나(10)로부터 인가되는 무선 주파수 신호 RF에서 동작 명령 신호를 검출하여 명령신호 DEMOD를 디지털 블럭(200)에 출력한다. In addition, the modulator 130 modulates the response signal RP applied from the digital block 200 and transmits it to the antenna 10. The demodulator 140 detects an operation command signal from a radio frequency signal RF applied from the antenna 10 according to the output voltages of the voltage multiplier 110 and the voltage limiter 120 and transmits the command signal DEMOD to the digital block 200. Output

파워온 리셋부(150)는 전압 멀티플라이어(110)의 출력 전압 VDD을 감지하여 리셋 동작을 제어하기 위한 파워 온 리셋신호 POR를 디지탈 블럭(200)에 출력한다. 클록 발생부(160)는 전압 멀티플라이어(110)의 출력 전압 VDD에 따라 디지탈 블럭(200)의 동작을 제어하기 위한 클록 CLK를 디지탈 블럭(200)에 공급한다. The power-on reset unit 150 detects the output voltage VDD of the voltage multiplier 110 and outputs a power-on reset signal POR for controlling the reset operation to the digital block 200. The clock generator 160 supplies the clock CLK to the digital block 200 for controlling the operation of the digital block 200 according to the output voltage VDD of the voltage multiplier 110.

또한, 상술된 디지탈 블럭(200)은 아날로그 블럭(100)으로부터 전원전압 VDD, 파워 온 리셋신호 POR, 클록 CLK 및 명령신호 DEMOD를 인가받아 명령신호를 해석하고 제어신호 및 처리 신호들을 생성하여 아날로그 블럭(100)에 해당하는 응답신호 RP를 출력한다. 그리고, 디지탈 블럭(200)은 어드레스 ADD, 입/출력 데이터 I/O, 제어신호 CTR 및 클록 CLK을 FeRAM(300)에 출력한다. FeRAM(300)은 불휘발성 강유전체 커패시터 소자를 이용하여 데이터를 리드/라이트 하는 메모리 블럭이다. In addition, the above-described digital block 200 receives a power supply voltage VDD, a power-on reset signal POR, a clock CLK, and a command signal DEMOD from the analog block 100 to interpret a command signal and generate control signals and processing signals to generate an analog block. The response signal RP corresponding to 100 is output. The digital block 200 outputs an address ADD, input / output data I / O, a control signal CTR, and a clock CLK to the FeRAM 300. The FeRAM 300 is a memory block that reads / writes data using a nonvolatile ferroelectric capacitor device.

도 2는 도 1의 클록 발생부(160)에 관한 상세 회로도이다. 2 is a detailed circuit diagram illustrating the clock generator 160 of FIG. 1.

클록 발생부(160)는 클록 조정부(161)와, 클록 발진부(162)와, 클록 신호 커플링(Clock Signal Coupling)부(163)와, 레퍼런스 바이어스(Reference Bias)부(164,165) 및 클록 앰프(Clock Amplifier)부(166)를 포함한다. The clock generator 160 includes a clock adjuster 161, a clock oscillator 162, a clock signal coupling unit 163, a reference bias unit 164 and 165, and a clock amplifier ( Clock Amplifier unit 166.

여기서, 클록 조정부(161)는 입력되는 클록의 주파수 특성을 조정하여 전압 제어신호 VC1를 출력한다. 그리고, 클록 발진부(162)는 전압 제어신호 VC1에 따라 클록의 발진 주파수를 조정하여 주파수 조정된 클록 CLK1,CLK2를 출력한다. Here, the clock adjusting unit 161 adjusts the frequency characteristic of the input clock to output the voltage control signal VC1. The clock oscillator 162 adjusts the oscillation frequency of the clock according to the voltage control signal VC1 and outputs the clocks CLK1 and CLK2 which are frequency adjusted.

또한, 클록 신호 커플링부(163)는 클록 CLK1,CLK2을 커플링하여 커플링 조정된 레퍼런스 전압 vref1,vref2을 출력한다. 여기서, 클록 신호 커플링부(163)는 클록 CLK1,CLK2의 인가단과 레퍼런스 전압 vref1,vref2의 출력단 사이에 각각 연결된 강유전체 커패시터 FC1,FC2를 구비한다. In addition, the clock signal coupling unit 163 couples the clocks CLK1 and CLK2 to output the coupling adjusted reference voltages vref1 and vref2. Here, the clock signal coupling unit 163 includes ferroelectric capacitors FC1 and FC2 connected between the application terminals of the clocks CLK1 and CLK2 and the output terminals of the reference voltages vref1 and vref2, respectively.

그리고, 레퍼런스 바이어스부(164)는 레퍼런스 전압 vref1 단에 DC 입력 전압인 일정 바이어스 전압을 인가한다. 여기서, 레퍼런스 바이어스부(164)는 전원전압 VDD 인가단과 접지전압단 사이에 연결된 레퍼런스 저항 Rref1,Rref2을 포함한다. The reference bias unit 164 applies a constant bias voltage, which is a DC input voltage, to the reference voltage vref1 terminal. Here, the reference bias unit 164 includes reference resistors Rref1 and Rref2 connected between the power supply voltage VDD supply terminal and the ground voltage terminal.

또한, 레퍼런스 바이어스부(165)는 레퍼런스 전압 vref2 단에 DC 입력 전압인 일정 바이어스 전압을 인가한다. 여기서, 레퍼런스 바이어스부(165)는 전원전압 VDD 인가단과 접지전압단 사이에 연결된 레퍼런스 저항 Rref3,Rref4을 포함한다. In addition, the reference bias unit 165 applies a constant bias voltage, which is a DC input voltage, to the reference voltage vref2 terminal. Here, the reference bias unit 165 includes reference resistors Rref3 and Rref4 connected between the power supply voltage VDD supply terminal and the ground voltage terminal.

클록 앰프부(166)는 양(+)의 단자를 통해 인가되는 레퍼런스 전압 vref1과 음(-)의 단자를 통해 인가되는 레퍼런스 전압 vref2을 비교 및 증폭하여 클록 CLK을 출력한다. The clock amplifier unit 166 compares and amplifies the reference voltage vref1 applied through the positive terminal and the reference voltage vref2 applied through the negative terminal and outputs the clock CLK.

도 3은 도 2의 클록 조정부(161)에 관한 상세 회로도이다. 3 is a detailed circuit diagram illustrating the clock adjuster 161 of FIG. 2.

클록 조정부(161)는 전원전압 감지부(170)와, 클록 제어부(171)를 포함한다. 여기서, 전원전압 감지부(170)는 PMOS트랜지스터 P1,P2와, NMOS트랜지스터 N1,N2 및 저항 R1,R2을 구비한다. The clock adjuster 161 includes a power supply voltage detector 170 and a clock controller 171. Here, the power supply voltage detector 170 includes PMOS transistors P1 and P2, NMOS transistors N1 and N2, and resistors R1 and R2.

PMOS트랜지스터 P1,P2는 공통 소스 단자가 전원전압단과 연결되며 공통 게이 트 단자가 PMOS트랜지스터 P1의 드레인 단자와 연결되어 검출신호 dec3가 인가된다. In the PMOS transistors P1 and P2, the common source terminal is connected to the power supply voltage terminal, and the common gate terminal is connected to the drain terminal of the PMOS transistor P1 to apply the detection signal dec3.

NMOS트랜지스터 N1,N2는 공통 게이트 단자가 NMOS트랜지스터 N2의 드레인 단자와 연결되어 제어신호 feed1가 인가된다. 여기서, NMOS트랜지스터 N1는 저항 R1과 PMOS트랜지스터 P1 사이에 연결되고, NMOS트랜지스터 N2는 저항 R2와 접지전압단 사이에 연결된다. In the NMOS transistors N1 and N2, a common gate terminal is connected to the drain terminal of the NMOS transistor N2, and a control signal feed1 is applied thereto. Here, the NMOS transistor N1 is connected between the resistor R1 and the PMOS transistor P1, and the NMOS transistor N2 is connected between the resistor R2 and the ground voltage terminal.

그리고, 저항 R1는 NMOS트랜지스터 N1의 소스 단자와 접지전압단 사이에 연결되어 검출신호 dec1의 전류를 제어한다. 저항 R2는 PMOS트랜지스터 P2의 드레인 단자와 NMOS트랜지스터 N2의 드레인 단자 사이에 연결되어, 제어신호 feed1와 검출신호 dec2에 흐르는 전류를 제어한다. The resistor R1 is connected between the source terminal of the NMOS transistor N1 and the ground voltage terminal to control the current of the detection signal dec1. The resistor R2 is connected between the drain terminal of the PMOS transistor P2 and the drain terminal of the NMOS transistor N2 to control the current flowing in the control signal feed1 and the detection signal dec2.

또한, 클록 제어부(171)는 저항 R3 및 NMOS트랜지스터 N3을 포함한다. 여기서, NMOS트랜지스터 N3는 저항 R3과 접지전압단 사이에 연결되어 게이트 단자를 통해 제어신호 feed1가 인가된다. 그리고, 저항 R3은 전압 제어신호 VC1의 출력단과 NMOS트랜지스터 N3 사이에 연결된다. In addition, the clock control unit 171 includes a resistor R3 and an NMOS transistor N3. Here, the NMOS transistor N3 is connected between the resistor R3 and the ground voltage terminal, and the control signal feed1 is applied through the gate terminal. The resistor R3 is connected between the output terminal of the voltage control signal VC1 and the NMOS transistor N3.

도 4는 도 2의 클록 발진부(162)에 관한 상세 회로도이다. 4 is a detailed circuit diagram illustrating the clock oscillator 162 of FIG. 2.

클록 발진부(162)는 홀수개의 인버터 IV1~IV5을 구비하는 인버터 체인과, 클럭 CLK의 주파수를 조정하기 위한 전류 제어 저항 RCLK1,RCLK2을 포함한다. The clock oscillator 162 includes an inverter chain having an odd number of inverters IV1 to IV5 and current control resistors RCLK1 and RCLK2 for adjusting the frequency of the clock CLK.

여기서, 각각의 인버터 IV1~IV5는 전압 제어신호 VC1의 인가단과 전압 제어신호 VC0의 인가단 사이에 직렬 연결된 PMOS트랜지스터와 NMOS트랜지스터 쌍(P3,N4)(P4,N5)(P5,N6)(P6,N7)(P7,N8)을 포함한다. Here, each inverter IV1 to IV5 is a PMOS transistor and an NMOS transistor pair (P3, N4) (P4, N5) (P5, N6) (P6) connected in series between an application terminal of the voltage control signal VC1 and an application terminal of the voltage control signal VC0. , N7) (P7, N8).

첫 번째 단의 인버터 IV1는 게이트 단자를 통해 클록 CLK1가 인가되며, 나머지 단의 인버터 IV2~IV5는 앞 단 인버터의 출력이 다음 단 인버터의 입력으로 인가된다. 또한, 최종 단의 인버터 IV5로부터 출력된 클록 CLK1은 첫 번째 단의 인버터 IV1로 피드백 입력된다. 그리고, 인버터 IV4의 출력인 클록 CLK2는 인버터 IV5의 출력인 클록 CLK1과 위상이 서로 반대인 차동 신호 출력이다. Inverter IV1 of the first stage is supplied with the clock CLK1 through the gate terminal, and the outputs of the previous stage inverter are applied to the input of the next stage inverter in the other stages IV2 ~ IV5. In addition, the clock CLK1 output from the inverter IV5 of the last stage is fed back to the inverter IV1 of the first stage. The clock CLK2, which is the output of the inverter IV4, is a differential signal output having a phase opposite to that of the clock CLK1, which is the output of the inverter IV5.

또한, 전류 제어 저항 RCLK1은 전원전압단과 전압 제어신호 VC1의 인가단 사이에 연결된다. 그리고, 전류 제어 저항 RCLK2은 접지전압단과 전압 제어신호 VC0의 인가단 사이에 연결된다. In addition, the current control resistor RCLK1 is connected between the power supply voltage terminal and the application terminal of the voltage control signal VC1. The current control resistor RCLK2 is connected between the ground voltage terminal and the application terminal of the voltage control signal VC0.

도 5는 도 2의 클록 앰프부(166)에 관한 상세 회로도이다. FIG. 5 is a detailed circuit diagram of the clock amplifier unit 166 of FIG. 2.

클록 앰프부(166)는 증폭부(180)와 버퍼부(181)를 포함한다. The clock amplifier unit 166 includes an amplifier 180 and a buffer unit 181.

여기서, 증폭부(180)는 전류 제한 저항 소자 R4,R5, PMOS트랜지스터 P8,P9 및 NMOS트랜지스터 N9,N10를 포함하여 차동 증폭기 형태를 갖는다. 여기서, 전류 제한 저항 소자 R4,R5는 회로의 구동 전류를 제한하기 위한 전류 제한 소자이다. Here, the amplifier 180 includes a current limiting resistor elements R4 and R5, PMOS transistors P8 and P9, and NMOS transistors N9 and N10. Here, the current limiting resistor elements R4 and R5 are current limiting elements for limiting the drive current of the circuit.

전류 제한 저항 소자 R4는 전원전압단과 PMOS트랜지스터 P8,P9의 공통 소스 단자 사이에 연결된다. 그리고, 전류 제한 저항 소자 R5는 NMOS트랜지스터 N9,N10의 공통 소스 단자와 접지전압단 사이에 연결된다. The current limiting resistor R4 is connected between the supply voltage terminal and the common source terminal of the PMOS transistors P8 and P9. The current limiting resistor R5 is connected between the common source terminal of the NMOS transistors N9 and N10 and the ground voltage terminal.

그리고, PMOS트랜지스터 P8,P9는 전류 제한 저항 소자 R4와 NMOS트랜지스터 N9,N10 사이에 연결되어 공통 게이트 단자가 PMOS트랜지스터 P8의 드레인 단자와 연결된다. NMOS트랜지스터 N9,N10는 PMOS트랜지스터 P8,P9와 전류 제한 저항 소자 R5 사이에 연결되어 각각의 게이트 단자를 통해 차동 입력인 레퍼런스 전압 vref2 과 레퍼런스 전압 vref1이 인가된다. The PMOS transistors P8 and P9 are connected between the current limiting resistor element R4 and the NMOS transistors N9 and N10 so that the common gate terminal is connected to the drain terminal of the PMOS transistor P8. The NMOS transistors N9 and N10 are connected between the PMOS transistors P8 and P9 and the current limiting resistor R5 to apply the differential inputs of the reference voltage vref2 and the reference voltage vref1 through their respective gate terminals.

또한, 버퍼부(181)는 전원전압단과 접지전압단 사이에 직렬 연결된 전류 제한 저항 소자 R6,R7와 PMOS트랜지스터 P10 및 NMOS트랜지스터 N11를 포함한다. 여기서, PMOS트랜지스터 P10와 NMOS트랜지스터 N11는 공통 게이트 단자를 통해 증폭부(180)의 출력이 인가되며, 공통 드레인 단자를 통해 클록 CLK을 출력한다. 그리고, 전류 제한 저항 소자 R4,R5는 회로의 구동 전류를 제한하기 위한 전류 제한 소자이다. In addition, the buffer unit 181 includes current limiting resistor elements R6 and R7 connected in series between a power supply voltage terminal and a ground voltage terminal, a PMOS transistor P10, and an NMOS transistor N11. Here, the output of the amplifier 180 is applied to the PMOS transistor P10 and the NMOS transistor N11 through the common gate terminal, and outputs the clock CLK through the common drain terminal. The current limiting resistors R4 and R5 are current limiting elements for limiting the drive current of the circuit.

이러한 구성을 갖는 본 발명의 동작 과정을 도 6 및 도 7의 동작 파형도를 참조하여 설명하면 다음과 같다. An operation process of the present invention having such a configuration will be described below with reference to the operation waveform diagrams of FIGS. 6 and 7.

먼저, 클록 조정부(161)는 입력되는 클록의 주파수 특성을 조정하여 전압 제어신호 VC1를 출력한다. 즉, 전원전압 감지부(170)는 전원전압(VDD)의 레벨을 감지하여 전원전압의 변화에 따라 서로 다른 전류 레벨을 갖는 제어신호 feed1를 출력한다. First, the clock adjusting unit 161 adjusts the frequency characteristic of the input clock to output the voltage control signal VC1. That is, the power supply voltage detector 170 senses the level of the power supply voltage VDD and outputs a control signal feed1 having different current levels according to the change of the power supply voltage.

여기서, 제어신호 feed1는 클록 제어부(171)의 NMOS트랜지스터 N3의 게이트 단자에 입력되어 저항 R3에 흐르는 전류를 제어하게 된다. 따라서, 전원전압의 레벨이 높아질 경우 제어신호 feed1의 전류 레벨이 상승하게 되어 NMOS트랜지스터 N3을 통해 흐르는 전압 제어신호 VC1의 전류량이 증가하게 된다. Here, the control signal feed1 is input to the gate terminal of the NMOS transistor N3 of the clock control unit 171 to control the current flowing through the resistor R3. Therefore, when the level of the power supply voltage is increased, the current level of the control signal feed1 is increased to increase the amount of current of the voltage control signal VC1 flowing through the NMOS transistor N3.

이후에, 클록 발진부(162)는 전압 제어신호 VC1,VC0의 전압 레벨에 따라 클록의 발진 주파수를 조정하여 주파수 조정된 클록 CLK1,CLK2를 출력한다. 즉, 전압 제어신호 VC1의 전압 레벨이 상승할 경우 클록 CLK1,CLK2의 동작 주파수를 상승 시켜 출력한다. 여기서, 전압 제어신호 VC1의 전압 레벨은 전압 제어신호 VC0 보다 일정 레벨 크게 설정하는 것이 바람직하다. Thereafter, the clock oscillator 162 adjusts the oscillation frequency of the clock according to the voltage levels of the voltage control signals VC1 and VC0, and outputs the frequency adjusted clocks CLK1 and CLK2. That is, when the voltage level of the voltage control signal VC1 increases, the operating frequencies of the clocks CLK1 and CLK2 are raised and output. Here, the voltage level of the voltage control signal VC1 is preferably set to be greater than the voltage control signal VC0 by a certain level.

다음에, 클록 발진부(162)에서 출력된 클록 CLK1,CLK2는 강유전체 커패시터 FC1,FC2에 의해 커플링되어 레퍼런스 전압 vref1,vref2 단에 출력된다. 그리고, 레퍼런스 바이어스부(164)는 레퍼런스 저항 Rref1,Rref2의 분할 값에 대응하는 바이어스 전압을 레퍼런스 전압 vref1 단에 공급한다. 또한, 레퍼런스 바이어스부(165)는 레퍼런스 저항 Rref3,Rref4의 분할 값에 대응하는 바이어스 전압을 레퍼런스 전압 vref2 단에 공급한다. Next, the clocks CLK1 and CLK2 output from the clock oscillator 162 are coupled by ferroelectric capacitors FC1 and FC2 and output to the reference voltage vref1 and vref2 stages. The reference bias unit 164 supplies a bias voltage corresponding to the divided values of the reference resistors Rref1 and Rref2 to the reference voltage vref1 stage. In addition, the reference bias unit 165 supplies a bias voltage corresponding to the divided values of the reference resistors Rref3 and Rref4 to the reference voltage vref2 stage.

이어서, 클록 앰프부(166)의 증폭부(180)는 차동 입력인 레퍼런스 전압 vref1,vref2를 비교 및 증폭하여 출력한다. 그리고, 버퍼부(181)는 증폭부(180)의 출력을 버퍼링하여 주파수 조정된 클록 CLK가 출력된다. Subsequently, the amplifier 180 of the clock amplifier unit 166 compares, amplifies, and outputs the reference voltages vref1 and vref2 that are differential inputs. The buffer unit 181 buffers the output of the amplifier 180 and outputs a clock adjusted frequency CLK.

이때, 상술된 클록 앰프부(166)에 구비된 전류 제한 저항 소자 R4~R7는 저항값이 큰 저항소자를 사용하여 클록 앰프부(166)에 1㎂ 이하의 작은 전류가 흐르도록 함으로써 회로의 구동 전류를 제한한다. At this time, the current limiting resistors R4 to R7 included in the above-described clock amplifier unit 166 drive a circuit by allowing a small current of 1 mA or less to flow in the clock amplifier unit 166 by using a resistor having a large resistance value. Limit the current.

이상에서와 같이, 도 6은 전원전압(VDD)이 2V인 경우 클록 발생부(160)의 동작 파형을 나타낸 것이다. 즉, 클록 CLK1,CLK2과 레퍼런스 전압 vref1,vref2 단 사이에 연결된 강유전체 커패시터 FC1,FC2에 의해 클록 CLK1,CLK2이 커플링되고 클록 증폭부(166)에 의해 레퍼런스 전압 vref1,vref2이 증폭되어 클록 CLK이 발생하게 된다. As described above, FIG. 6 illustrates an operation waveform of the clock generator 160 when the power supply voltage VDD is 2V. That is, the clocks CLK1 and CLK2 are coupled by the ferroelectric capacitors FC1 and FC2 connected between the clocks CLK1 and CLK2 and the reference voltage vref1 and vref2 stages, and the reference voltages vref1 and vref2 are amplified by the clock amplifier 166 so that the clock CLK is increased. Will occur.

또한, 도 7은 전원전압(VDD)이 3V로 상승했을 경우 클록 발생부(160)의 동작 파형을 나타낸 것이다. 즉, 전원전압의 레벨이 변하더라도 제어신호 feed1에 의해 전압 제어신호 VC1의 전압 레벨이 조정되어 이에 따른 클록 CLK의 주파수 변화가 작게 조정되는 것을 알 수 있다. 7 illustrates an operation waveform of the clock generator 160 when the power supply voltage VDD rises to 3V. That is, even if the level of the power supply voltage changes, it can be seen that the voltage level of the voltage control signal VC1 is adjusted by the control signal feed1, so that the frequency change of the clock CLK is adjusted accordingly.

이상에서와 같이 안정적인 주파수 특성을 갖는 클록을 출력하는 클록 발생기를 설계하는 것은 RFID의 동작 특성 및 전력 소모 특성에 많은 영향을 주게 된다. RFID 회로의 설계에서 RFID 태그(Tag)의 단가를 줄이기 위해서는 간단하게 최적화된 회로의 구성이 요구된다. 또한, RFID의 동작 성능을 개선하기 위해서는 전력 소모를 최소화할 수 있는 회로의 구성이 요구된다. As described above, designing a clock generator that outputs a clock having stable frequency characteristics has a great influence on the operation characteristics and power consumption characteristics of the RFID. In order to reduce the cost of the RFID tag in the design of the RFID circuit, a simple optimized circuit configuration is required. In addition, in order to improve the operation performance of the RFID, a configuration of a circuit capable of minimizing power consumption is required.

이에 따라, 본 발명의 클록 발생기(160)는 최적화된 회로의 구성으로 전력 소모를 최소화할 수 있도록 구현되어 상술된 2가지 요구 조건을 모두 만족할 수 있게 된다. Accordingly, the clock generator 160 of the present invention is implemented to minimize power consumption with an optimized circuit configuration, thereby satisfying both of the above requirements.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 다음과 같은 효과를 제공한다. As described above, the present invention provides the following effects.

첫째, 본 발명은 전원전압에 따른 주파수의 변화를 제한하여 넓은 범위의 동작 전압에서 안정적인 주파수 특성을 유지할 수 있도록 한다. First, the present invention is to limit the change of the frequency according to the power supply voltage to maintain a stable frequency characteristics at a wide range of operating voltage.

둘째, 본 발명은 클록 발생 회로의 구성을 비교적 간단하게 최적화하여 RFID 태그의 단가를 줄이고 동작 성능을 향상시킬 수 있도록 한다. Secondly, the present invention can relatively simply optimize the configuration of the clock generation circuit to reduce the cost of the RFID tag and improve the operation performance.

셋째, 본 발명은 클록 발생 회로에 전류 제한 저항 소자를 사용하여 소모되는 전류를 줄임으로써 RFID의 전력 소모를 줄일 수 있도록 하는 효과를 제공한다. Third, the present invention provides the effect of reducing the power consumption of the RFID by reducing the current consumed by using a current limiting resistor element in the clock generation circuit.

아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라 면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다. In addition, the preferred embodiment of the present invention is for the purpose of illustration, those skilled in the art will be able to various modifications, changes, substitutions and additions through the spirit and scope of the appended claims, such modifications and modifications are the following patents It should be regarded as belonging to the claims.

Claims (15)

전원전압의 레벨을 감지하여 상기 전원전압의 레벨 변화에 따라 서로 다른 전류 레벨을 갖는 전압 제어신호를 출력하는 클록 조정부; A clock adjusting unit which senses a level of a power supply voltage and outputs a voltage control signal having a different current level according to the level change of the power supply voltage; 상기 전압 제어신호에 따라 클록의 발진 주파수를 조정하여 차동 출력 클록을 발생하는 클록 발진부; A clock oscillator for generating a differential output clock by adjusting an oscillation frequency of a clock according to the voltage control signal; 상기 차동 출력 클록을 커플링하여 상기 차동 출력 클록에 대응하는 복수개의 레퍼런스 전압을 출력하는 클록 신호 커플링부; 및 A clock signal coupling unit coupling the differential output clock to output a plurality of reference voltages corresponding to the differential output clocks; And 상기 복수개의 레퍼런스 전압을 비교 및 증폭하여 상기 클록의 주파수 변화를 특정 주파수 범위로 제한하여 출력하는 클록 앰프부를 포함하는 것을 특징으로 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 클록 발생 장치. And a clock amplifier unit configured to compare and amplify the plurality of reference voltages to limit and change a frequency change of the clock to a specific frequency range. 제 1항에 있어서, 상기 클록 조정부는 The method of claim 1, wherein the clock adjusting unit 상기 전원전압의 레벨을 감지하여 상기 전원전압의 변화에 따라 서로 다른 전류 레벨을 갖는 제어신호를 출력하는 전원전압 감지부; 및 A power supply voltage sensing unit sensing a level of the power supply voltage and outputting a control signal having a different current level according to a change in the power supply voltage; And 상기 제어신호에 따라 상기 전압 제어신호의 전류량을 제어하는 클록 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 클록 발생 장치. And a clock controller for controlling an amount of current of the voltage control signal according to the control signal. 제 2항에 있어서, 상기 전원전압 감지부는 The method of claim 2, wherein the power supply voltage detector 공통 소스 단자가 상기 전원전압의 인가단에 연결되고 공통 게이트 단자가 제 1노드에 연결된 제 1PMOS 트랜지스터 및 제 2PMOS트랜지스터The first PMOS transistor and the second PMOS transistor having a common source terminal connected to the supply terminal of the power supply voltage and a common gate terminal connected to the first node. 상기 제 2PMOS트랜지스터와 상기 제어신호의 출력단 사이에 연결된 제 1저항; A first resistor coupled between the second PMOS transistor and an output terminal of the control signal; 접지전압단에 연결된 제 2저항; A second resistor connected to the ground voltage terminal; 상기 제 1노드와 상기 제 2저항 사이에 연결되어 게이트 단자를 통해 상기 제어신호가 인가되는 제 1NMOS트랜지스터; 및 A first NMOS transistor connected between the first node and the second resistor to receive the control signal through a gate terminal; And 상기 제어신호의 출력단과 접지전압단 사이에 연결되어 게이트 단자를 통해 상기 제어신호가 인가되는 제 2NMOS트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 클록 발생 장치. And a second NMOS transistor connected between an output terminal of the control signal and a ground voltage terminal to which the control signal is applied through a gate terminal. 제 2항에 있어서, 상기 클록 제어부는 The method of claim 2, wherein the clock control unit 상기 전압 제어신호의 출력단에 연결된 제 3저항; 및 A third resistor connected to an output terminal of the voltage control signal; And 상기 제 3저항과 접지전압단 사이에 연결되어 게이트 단자를 통해 상기 제어신호가 인가되는 제 3NMOS트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 클록 발생 장치.And a third NMOS transistor connected between the third resistor and a ground voltage terminal to which the control signal is applied through a gate terminal. 제 1항에 있어서, 상기 클록 발진부는 The clock oscillator of claim 1, wherein the clock oscillator 제 1전압 제어신호 및 제 2전압 제어신호에 따라 상기 차동 출력 클록을 생성하는 인버터 체인; 및 An inverter chain configured to generate the differential output clock according to a first voltage control signal and a second voltage control signal; And 상기 차동 출력 클록의 발진 주파수를 조정하여 출력하는 전류 제어 저항부을 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 클록 발생 장치.And a current control resistor for adjusting and outputting the oscillation frequency of the differential output clock. 제 5항에 있어서, 상기 제 1전압 제어신호의 전압 레벨은 상기 제 2전압 제어신호의 전압 레벨보다 높은 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 클록 발생 장치.6. The clock generation device of claim 5, wherein the voltage level of the first voltage control signal is higher than the voltage level of the second voltage control signal. 제 5항에 있어서, 상기 전류 제어 저항부는 The method of claim 5, wherein the current control resistor unit 상기 전원전압 인가단과 상기 제 1전압 제어신호 인가단 사이에 연결된 제 1전류 제어 저항; 및 A first current control resistor connected between the power supply voltage supply terminal and the first voltage control signal application terminal; And 상기 제 2전압 제어신호 인가단과 접지전압단 사이에 연결된 제 2전류 제어 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 클록 발생 장치. And a second current control resistor connected between the second voltage control signal applying terminal and the ground voltage terminal. 제 1항에 있어서, 상기 클록 신호 커플링부는 The method of claim 1, wherein the clock signal coupling unit 상기 차동 출력 클록을 커플링하여 상기 복수개의 레퍼런스 전압으로 출력하는 복수개의 강유전체 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 클록 발생 장치. And a plurality of ferroelectric capacitors coupling the differential output clocks to output the plurality of reference voltages. 제 1항에 있어서, 상기 복수개의 레퍼런스 전압에 일정 바이어스 전압을 인가하는 레퍼런스 바이어스부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 클록 발생 장치. The clock generation apparatus of claim 1, further comprising a reference bias unit configured to apply a predetermined bias voltage to the plurality of reference voltages. 제 9항에 있어서, 상기 레퍼런스 바이어스부는 The method of claim 9, wherein the reference bias unit 제 1레퍼런스 전압에 저항 분할된 바이어스 전압을 공급하는 제 1레퍼런스 바이어스부; 및 A first reference bias unit configured to supply a bias voltage divided by a resistance to the first reference voltage; And 제 2레퍼런스 전압에 저항 분할된 바이어스 전압을 공급하는 제 2레퍼런스 바이어스부를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 클록 발생 장치. And a second reference bias unit for supplying a bias voltage divided by a resistance to the second reference voltage. 제 10항에 있어서, 상기 제 1레퍼런스 바이어스부는 상기 전원전압의 인가단과 접지전압단 사이에 연결된 제 1 및 제 2레퍼런스 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 클록 발생 장치. 11. The clock generation method of claim 10, wherein the first reference bias unit includes first and second reference resistors connected between an application terminal of the power supply voltage and a ground voltage terminal. Device. 제 10항에 있어서, 상기 제 2레퍼런스 바이어스부는 상기 전원전압의 인가단과 접지전압단 사이에 연결된 제 3 및 제 4레퍼런스 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 클록 발생 장치. 11. The clock generation method of claim 10, wherein the second reference bias unit comprises third and fourth reference resistors connected between the supply terminal of the power supply voltage and the ground voltage terminal. Device. 제 1항에 있어서, 상기 클록 앰프부는 The method of claim 1, wherein the clock amplifier unit 상기 복수개의 레퍼런스 전압을 비교 및 증폭하는 증폭부; 및 An amplifier for comparing and amplifying the plurality of reference voltages; And 상기 증폭부의 출력을 버퍼링하여 상기 클록을 생성하는 버퍼부를 포함하는 것을 특징으로 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 클록 발생 장치. And a buffer unit configured to generate the clock by buffering the output of the amplifier. 제 13항에 있어서, 상기 증폭부는 The method of claim 13, wherein the amplification unit 상기 복수개의 레퍼런스 전압을 비교하는 차동증폭기; A differential amplifier for comparing the plurality of reference voltages; 상기 차동증폭기와 전원전압단 사이에 연결된 제 1전류 제한 저항 소자; 및 A first current limiting resistor element connected between the differential amplifier and a power supply voltage terminal; And 상기 차동증폭기와 접지전압단 사이에 연결된 제 2전류 제한 저항 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 클록 발생 장치.And a second current limiting resistor element coupled between the differential amplifier and a ground voltage terminal. 제 13항에 있어서, 상기 버퍼부는 The method of claim 13, wherein the buffer unit 전원전압단에 연결된 제 3전류 제한 저항 소자; A third current limiting resistor element connected to the power supply voltage terminal; 접지전압단에 연결된 제 4전류 제한 저항 소자; 및 A fourth current limiting resistor element connected to the ground voltage terminal; And 상기 제 3전류 제한 저항 소자와 상기 제 4전류 제한 저항 소자 사이에 연결되어 공통 게이트 단자를 통해 상기 증폭부의 출력이 인가되고 공통 드레인 단자를 통해 상기 클록을 출력하는 제 3PMOS트랜지스터, 제 4NMOS트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID에서의 클록 발생 장치.A third PMOS transistor and a fourth NMOS transistor connected between the third current limiting resistor element and the fourth current limiting resistor element to receive an output of the amplifier through a common gate terminal and to output the clock through a common drain terminal. A clock generating device in an RFID comprising a nonvolatile ferroelectric memory.
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