KR20080002365A - 반투과형 액정 표시장치 - Google Patents

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KR20080002365A
KR20080002365A KR1020060061162A KR20060061162A KR20080002365A KR 20080002365 A KR20080002365 A KR 20080002365A KR 1020060061162 A KR1020060061162 A KR 1020060061162A KR 20060061162 A KR20060061162 A KR 20060061162A KR 20080002365 A KR20080002365 A KR 20080002365A
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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

본 발명은 서로 교차하여 투과 영역 및 반사 영역을 구비하는 서브 화소 영역을 정의하는 게이트선 및 데이터선을 포함하는 박막 트랜지스터 기판; 박막 트랜지스터 기판과 소정 간격 이격된 컬러 필터 기판; 박막 트랜지스터 기판 및 컬러 필터 기판 사이에 형성되며 투과 영역에 형성된 제1 액정층; 박막 트랜지스터 기판 및 컬러 필터 기판 사이에 형성되며 반사 영역에 형성된 제2 액정층; 및 투과 영역 및 반사 영역의 경계에 대응하여 일체화된 형태로 형성되며 제1 및 제2 액정층을 분리하는 벽 스페이서를 포함하는 반투과형 액정 표시장치를 제공한다.
액정층, 벽 스페이서, 반투과, 셀갭

Description

반투과형 액정 표시장치{TRANSREFLECTIVE LIQUID CRYSTAL DISPLAY}
도 1은 종래의 액정 표시장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 종래의 반투과형 액정 표시장치를 개략적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시장치를 개략적으로 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반투과형 액정 표시장치를 개략적으로 설명하기 위한 평면도이다.
도 5는 도 4의 V-V´선을 따라 절단한 단면도이다.
{도면의 주요부분에 대한 부호의 설명}
100 : 액정 표시장치 102 : 제1 액정층
106 : 제2 액정층 110 : 박막 트랜지스터 기판
112 : 게이트선 114 : 데이터선
128 : 화소 전극 130 : 반사 전극
140 : 컬러 필터 기판 146 : 벽 스페이서
148 : 감광성 유기층 150 : 고착층
152 : 제1 실런트 154 : 제2 실런트
본 발명은 액정 표시장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 반투과형 액정 표시장치에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 텔레비젼, 컴퓨터용 모니터, 노트북 등과 같이 화상을 표시하는 표시장치의 사용이 증가하고 있다. 이러한 표시장치 중 음극선관(cathode ray tube; CRT)이 주로 사용되었으나, 이를 경박단소화하여 제조하기에는 많은 어려움이 있다. 이 때문에, 액정 표시장치(liquid crystal display; LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel; PDP), 유기전계 발광소자(organic light emitting diodes; OLED) 등과 같은 평판 표시장치(flat panel display; FPD)가 음극선관을 대체하는 추세이다. 그 중 고해상도를 구현할 수 있고 소형화 뿐만 아니라 대형화가 가능한 액정 표시장치가 널리 사용되고 있다.
도 1은 종래의 액정 표시장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 액정 표시장치(1)는 박막 트랜지스터 기판(10), 컬러 필터 기판(40) 및 액정층(2)을 포함한다.
박막 트랜지스터 기판(10)은 게이트선(12), 데이터선(14), 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함한다. 여기서, 상기 게이트선(12) 및 데이터선(14)은 서로 교차하여 서브 화소 영역(P)을 정의한다.
컬러 필터 기판(40)은 박막 트랜지스터 기판(10)과 소정 간격 이격되어 형성된다. 컬러 필터 기판(40)은 액정층(2)의 봉지를 위해 외곽부에 형성되는 제1 및 제2 실런트(52, 56)에 의해 박막 트랜지스터 기판(10)과 합착된다. 이러한 컬러 필터 기판(40)은 블랙 매트릭스 및 컬러 필터를 포함한다.
액정층(2)은 박막 트랜지스터 기판(10) 및 컬러 필터 기판(40) 사이에 형성된다. 이러한 액정층(2)은 유전율 이방성(Δε) 및 굴절율 이방성(Δn)을 갖는 액정 분자들로 이루어져 있다. 여기서, 액정층(2)은 외곽부에 형성되는 제1 및 제2 실런트(52, 56)에 의해 마련되는 폐쇄 영역에 형성되며, 소정의 두께 즉, 셀갭(d)을 갖는다. 여기서, 제1 실런트(52)는 외곽부 중 액정층(2)의 액정 분자들을 주입하기 위해 우측에 형성된 주입구(54)에 형성되고, 제2 실런트(56)는 외곽부 중 나머지 영역 전체에 걸쳐 일체화된 형태로 형성된다.
상기의 구성을 갖는 종래의 액정 표시장치(1)는 구동 방식에 따라 트위스티드 네마틱(twisted nematic; TN) 모드, 수직 배향(vertically aligned; VA) 모드, 횡전계(in plane switching; IPS) 모드, 오씨비(OCB; optical compensated birefringence) 모드 및 이씨비(ECB; electrically controlled birefringence) 모드 등으로 분류되며, 각 모드의 액정 표시장치(1)는 반투과형(transreflective) 액정 표시장치(1)를 구현할 수 있다. 반투과형 액정 표시장치(1)란 1개의 서브 화소 영역(P)에 투과 영역과 반사 영역이 동시에 존재하는 액정 표시장치(1)를 말한다.
도 2는 종래의 반투과형 액정 표시장치를 개략적으로 설명하기 위한 단면도이다. 도 2에서는 반투과형 액정 표시장치가 트위스티드 네마틱 모드로 구동되는 것으로 도시하였다.
도 2를 참조하면, 종래의 반투과형 액정 표시장치(1)는 박막 트랜지스터 기판(10), 컬러 필터 기판(40), 및 박막 트랜지스터 기판(10) 및 컬러 필터 기판(40) 사이에 형성되며 액정 분자(4)들로 이루어진 액정층(2)을 포함한다. 여기서, 액정층(2)은 1종으로 이루어져 있다.
이 액정 표시장치(1)는 투과 영역(TA)의 셀갭(d)과 반사 영역(RA)의 셀갭(d)이 동일하다. 이 때문에, 액정 표시장치(1)의 배면으로부터 입사되어 액정층(2)을 통과한 후 투과되는 투과광(TL)의 광학적 통과 거리(d)와 외부로부터 입사되어 액정층(2)을 통과한 후 반사되는 반사광(RL)의 광학적 통과 거리(2*d)가 서로 다르게 된다. 이 때문에, 투과 영역(TA)과 반사 영역(RA)에서 위상차는 각각 Δn*d 및 Δn*2*d가 되므로 투과 영역(TA) 및 반사 영역(RA)에서 동시에 만족하는 최적의 광학 설계 조건을 찾기가 매우 어렵다라는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 서로 다른 굴절율 이방성을 갖는 2종의 액정층을 사용하여 단일 셀갭을 구현할 수 있는 반투과형 액정 표시장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 반투과형 액정 표시장치는 서로 교차하여 투과 영역 및 반사 영역을 구비하는 서브 화소 영역을 정의하는 게이트선 및 데이터선을 포함하는 박막 트랜지스터 기판; 상기 박막 트랜지스터 기판과 소정 간격 이격된 컬러 필터 기판; 상기 박막 트랜지스터 기판 및 상기 컬러 필터 기판 사이에 형성되며 상기 투과 영역에 형성된 제1 액정층; 상기 박막 트랜지스터 기판 및 상기 컬러 필터 기판 사이에 형성되며 상기 반사 영역에 형성된 제2 액정층; 및 상기 투과 영역 및 반사 영역의 경계에 대응하여 일체화된 형태로 형성되며 상기 제1 및 제2 액정층을 분리하는 벽 스페이서를 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반투과형 액정 표시장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예에 따른 반투과형 액정 표시장치를 설명하기에 앞서 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시장치에 대해 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시장치를 개략적으로 설명하기 위한 평면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시장치(100)는 박막 트랜지스터 기판(110), 컬러 필터 기판(140), 제1 및 제2 액정층(102, 106), 및 벽 스페이서(146)를 포함한다.
박막 트랜지스터 기판(110)은 게이트선(112), 데이터선(114), 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함한다. 여기서, 상기 게이트선(112) 및 데이터선(114)은 서로 교차하여 서브 화소 영역(P´)을 정의한다.
서브 화소 영역(P´)은 매트릭스 형태로 배치되며, 벽 스페이서(146)에 의해 제1 및 제2 영역(A, B)으로 구분된다. 즉, 서브 화소 영역(P´)은 제1 및 제2 영역(A, B)을 구비한다.
컬러 필터 기판(140)은 박막 트랜지스터 기판(110)과 소정 간격 이격되어 형성된다. 컬러 필터 기판(140)은 제1 및 제2 액정층(102, 106)의 봉지를 위해 외곽부에 형성되는 제1 및 제2 실런트(152, 156)에 의해 박막 트랜지스터 기판(110)과 합착된다. 이러한 컬러 필터 기판(140)은 블랙 매트릭스 및 컬러 필터를 포함한다.
제1 및 제2 액정층(102, 106)은 박막 트랜지스터 기판(110) 및 컬러 필터 기판(140) 사이에 형성된다. 여기서, 제1 액정층(102)은 제1 영역(A)에 형성되고, 제2 액정층(106)은 제2 영역(B)에 형성된다.
제1 및 제2 액정층(102, 106)은 외곽부에 형성된 제1 및 제2 실런트(152, 156)에 의해 봉지된다. 여기서, 외곽부의 우측 및 좌측 각각의 소정 영역에는 제1 및 제2 액정층(102, 106) 각각을 주입하기 위한 제1 및 제2 주입구(154a, 154b) 각각이 형성되어 있다. 여기서, 제1 실런트(152)는 제1 및 제2 주입구(154a, 154b) 각각에 형성되고, 제2 실런트(156)는 외곽부 중 제1 및 제2 주입구(154a, 154b)를 제외한 나머지 외곽부에 형성됨과 아울러 상측 및 하측 각각으로 분리되어 형성된다.
제1 액정층(102)은 양 또는 음의 유전율 이방성(Δε1)을 갖는 액정 분자들로 이루어져 있으며, 제2 액정층(106)은 양 또는 음의 유전율 이방성(Δε2)을 갖는 액정 분자들로 이루어져 있다. 여기서, 제1 액정층(102)의 액정 분자들 및 제2 액정층(106)의 액정 분자들 간에는 유전율 이방성(Δε1, Δε2)이 다를 수 있다.
또한, 제1 액정층(102)의 액정 분자들은 양 또는 음의 유전율 이방성(Δε1) 이외에 양 또는 음의 굴절율 이방성(Δn1)을 가지며, 제2 액정층(106)의 액정 분자들도 양 또는 음의 유전율 이방성(Δε2) 이외에 양 또는 음의 굴절율 이방성(Δn2)을 가진다. 여기서, 제1 액정층(102)의 액정 분자들의 굴절율 이방성(Δn2)이 제2 액정층(106)의 액정 분자들의 굴절율 이방성(Δn2)의 2배 또는 2배와 유사할 수 있다.
또한, 상기 제1 및 제2 액정층(102, 106)의 두께 즉, 셀갭(d´)은 동일 또는 유사할 수 있다.
벽 스페이서(146)는 제1 및 제2 영역(A, B)의 경계에 대응하여 형성됨과 아울러 일체화된 형태로 형성되며, 제1 및 제2 액정층(102, 106)을 분리한다.
구체적으로, 벽 스페이서(146)는 대략 “ㄹ”자 형태로 형성되며, 벽 스페이 서(146)의 일측은 상측에 형성된 제2 실런트(156)에 접촉되어 형성되고, 벽 스페이서(146)의 타측은 하측에 형성된 제2 실런트(156)에 접촉되어 형성된다.
이러한 벽 스페이서(146)로 인해 제1 및 제2 실런트(152, 156)가 마련하는 폐쇄 영역은 2개의 영역으로 분리될 수 있다. 이 때문에, 제1 및 제2 액정층(102, 106)은 서로 섞이지 않고 분리될 수 있다.
구체적으로, 벽 스페이서(146)가 대략 “ㄹ”자 형태로 형성되어 제1 및 제2 영역(A, B)의 경계에 대응함과 아울러 그(146) 일측 및 타측 각각이 상측에 형성된 제2 실런트(152) 및 하측에 형성된 제2 실런트(152) 각각에 접촉되어 형성되므로, 서브 화소 영역(P´)은 벽 스페이서(146)에 의해 제1 및 제2 영역(A, B)으로 구분될 수 있으며, 제1 영역(A)에 제1 액정층(102)이 형성되고, 제2 영역(B)에 제2 액정층(106)이 형성될 수 있다.
이러한 벽 스페이서(146)는 컬러 필터 기판(140)에 형성될 수 있으며, 감광성 유기층 및 고착층을 포함한다. 여기서, 벽 스페이서(146)는 컬러 필터 기판(140)에 형성되는 대신 박막 트랜지스터 기판(110)에 형성될 수 있다.
상기의 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시장치(100)는 트위스티드 네마틱 모드, 수직 배향 모드, 횡전계 모드, 오씨비 모드 및 이씨비 모드 중 어느 하나로 구동될 수 있으며, 각 모드의 액정 표시장치(100)는 반투과형 액정 표시장치를 구현할 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반투과형 액정 표시장치를 개략적으로 설명하기 위한 평면도이고, 도 5는 도 4의 V-V´선을 따라 절단한 단면도이다. 도 4 및 도 5에서는 반투과형 액정 표시장치가 트위스티드 네마틱 모드로 구동되는 것으로 도시하였다. 그러나, 이는 본 발명의 실시예에 따른 반투과형 액정 표시장치를 설명하기 위한 것이므로 본 발명이 여기에 한정되지 않는다. 즉, 도 4 및 도 5에 도시된 반투과형 액정 표시장치는 수직 배향 모드, 횡전계 모드, 오씨비 모드 및 이씨비 모드 각각으로 구동되는 액정 표시장치의 경우에도 적용 가능하다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반투과형 액정 표시장치(100)는 박막 트랜지스터 기판(110), 컬러 필터 기판(140), 제1 및 제2 액정층(102, 106), 및 벽 스페이서(146)를 포함한다.
박막 트랜지스터 기판(110)은 절연 기판(111) 상에 형성된 게이트선(112), 데이터선(114), 박막 트랜지스터(TFT), 화소 전극(128) 및 반사 전극(130)을 포함한다.
게이트선(112) 및 데이터선(114)은 게이트 절연막(126)에 의해 절연 및 교차하여 서브 화소 영역(P´)을 정의한다. 서브 화소 영역(P´)은 매트릭스 형태로 배치되며, 벽 스페이서(146)에 의해 투과 영역(TA´) 및 반사 영역(RA´)으로 구분된다. 즉, 서브 화소 영역(P´)은 투과 영역(TA´) 및 반사 영역(RA´)을 구비한다.
박막 트랜지스터(TFT)는 게이트선(112) 및 데이터선(114)이 교차하는 부위에 형성되며, 게이트선(112)으로부터 제공되는 게이트 온/오프 전압에 의해 턴 온/턴 오프됨으로써 스위칭 소자의 역할을 한다. 이를 위해, 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(116), 소스 전극(118), 드레인 전극(120), 활성층(122) 및 오믹 접촉층을 포함한다.
화소 전극(128)은 투과 영역(TA´) 및 반사 영역(RA´)에 형성되며 제1 및 제2 보호막(132, 134)을 관통하는 콘택홀(136)을 통해 드레인 전극(120)과 접속되어 형성된다. 화소 전극(128)은 드레인 전극(120)으로부터 제공되는 데이터 전압을 제1 및 제2 액정층(102, 106) 각각에 인가한다. 이러한 화소 전극(128)은 ITO(induim tin oxide) 또는 IZO(induim zinc oxide)와 같은 투명한 도전 물질로 형성된다. 이 화소 전극(128) 상에는 벽 스페이서(146)의 고착층(150)이 고착되는 제3 보호막(138)이 형성되어 있다.
반사 전극(130)은 반사 영역(RA´)에 형성됨과 아울러 제1 보호막(132) 상에 형성된다, 이러한 반사 전극(130)은 반사율이 높은 Al, Al합금, Ag, Ag합금 등과 같은 불투명한 금속으로 형성된다.
컬러 필터 기판(140)은 박막 트랜지스터 기판(110)과 소정 간격 이격되어 형성된다. 컬러 필터 기판(140)은 제1 및 제2 액정층(102, 106)의 봉지를 위해 외곽부에 형성되는 제1 및 제2 실런트(152, 156)에 의해 박막 트랜지스터 기판(110)과 합착된다. 이러한 컬러 필터 기판(140)은 절연 기판(141) 상에 형성된 블랙 매트릭스(142), 컬러 필터(144)(예를 들어, 적/녹/청색 컬러 필터) 및 공통 전극(145)을 포함한다.
블랙 매트릭스(142)는 Cr 또는 Cr합금 등과 같은 불투명한 재질로 형성되며, 게이트선(112), 데이터선(114) 및 박막 트랜지스터(TFT) 중 적어도 어느 하나와 중첩된다. 또한, 블랙 매트릭스(142)는 벽 스페이서(146)와 중첩될 수 있다.
컬러 필터(144)는 반투과형 액정 표시장치(100)의 색을 표현한다.
공통 전극(145)은 제1 및 제2 액정층(102, 106)에 공통 전압을 인가하며, ITO 또는 IZO와 같은 투명한 금속으로 형성된다.
제1 및 제2 액정층(102, 106)은 박막 트랜지스터 기판(110) 및 컬러 필터 기판(140) 사이에 형성된다. 여기서, 제1 액정층(102)은 투과 영역(TA´)에 형성되고, 제2 액정층(106)은 반사 영역(RA´)에 형성된다.
제1 및 제2 액정층(102, 106)은 외곽부에 형성된 제1 및 제2 실런트(152, 156)에 의해 봉지된다. 여기서, 외곽부의 우측 및 좌측 각각의 소정 영역에는 제1 및 제2 액정층(102, 106) 각각을 주입하기 위한 제1 및 제2 주입구(154a, 154b) 각각이 형성되어 있다. 여기서, 제1 실런트(152)는 제1 및 제2 주입구(154a, 154b) 각각에 형성되고, 제2 실런트(156)는 외곽부 중 제1 및 제2 주입구(154a, 154b)를 제외한 나머지 외곽부에 형성됨과 아울러 상측 및 하측 각각으로 분리되어 형성된다.
제1 액정층(102)은 양 또는 음의 유전율 이방성(Δε1)을 갖는 액정 분자들로 이루어져 있으며, 제2 액정층(106)은 양 또는 음의 유전율 이방성(Δε2)을 갖는 액정 분자들로 이루어져 있다. 여기서, 제1 액정층(102)의 액정 분자들 및 제2 액정층(106)의 액정 분자들 간에는 유전율 이방성(Δε1, Δε2)이 다를 수 있다.
또한, 제1 액정층(102)의 액정 분자들은 양 또는 음의 유전율 이방성(Δε1) 이외에 양 또는 음의 굴절율 이방성(Δn1)을 가지며, 제2 액정층(106)의 액정 분자들도 양 또는 음의 유전율 이방성(Δε2) 이외에 양 또는 음의 굴절율 이방성(Δn2)을 가진다. 여기서, 제1 액정층(102)의 액정 분자들의 굴절율 이방성(Δn2)이 제2 액정층(106)의 액정 분자들의 굴절율 이방성(Δn2)의 2배 또는 2배와 유사할 수 있다.
또한, 상기 제1 및 제2 액정층(102, 106)의 두께 즉, 셀갭(d´)은 동일 또는 유사할 수 있다.
벽 스페이서(146)는 투과 영역(TA´) 및 반사 영역(RA´)의 경계에 대응하여 형성됨과 아울러 일체화된 형태로 형성되며, 제1 및 제2 액정층(102, 106)을 분리한다.
구체적으로, 벽 스페이서(146)는 대략 “ㄹ”자 형태로 형성되며, 벽 스페이서(146)의 일측은 상측에 형성된 제2 실런트(156)에 접촉되어 형성되고, 벽 스페이서(146)의 타측은 하측에 형성된 제2 실런트(156)에 접촉되어 형성된다.
이러한 벽 스페이서(146)로 인해 제1 및 제2 실런트(152, 156)가 마련하는 폐쇄 영역은 2개의 영역으로 분리될 수 있다. 이 때문에, 제1 및 제2 액정층(102, 106)은 서로 섞이지 않고 분리될 수 있다.
구체적으로, 벽 스페이서(146)가 대략 “ㄹ”자 형태로 형성되어 투과 영역(TA´) 및 반사 영역(RA´)의 경계에 대응함과 아울러 그(146) 일측 및 타측 각각이 상측에 형성된 제2 실런트(152) 및 하측에 형성된 제2 실런트(152) 각각에 접촉되어 형성되므로, 서브 화소 영역(P´)은 벽 스페이서(146)에 의해 투과 영역(TA´) 및 반사 영역(RA´)으로 구분될 수 있으며, 투과 영역(TA´)에 제1 액정층(102)이 형성되고, 반사 영역(RA´)에 제2 액정층(106)이 형성될 수 있다.
즉, 벽 스페이서(146)로 인해 제1 및 제2 액정층(102, 106)은 서로 섞이지 않고 분리될 수 있다. 이 때, 투과 영역(TA´)에 형성된 제1 액정층(102)의 액정 분자(104)들의 굴절율 이방성(Δn1)은 반사 영역(RA´)에 형성된 제2 액정층(106)의 액정 분자(108)들의 굴절율 이방성(Δn2)의 2배 또는 2배와 유사하기 때문에, 투과 영역(TA´)과 반사 영역(RA´)에서 동시에 광학적 최적 조건을 만족시킬 수 있다.
보다 구체적으로, 액정 표시장치(100)의 배면으로부터 입사되어 제1 액정층(106)을 통과한 후 투과되는 투과광(TL´)의 광학적 통과 거리는 d´가 되고, 외부로부터 입사되어 제2 액정층(106)을 통과한 후 반사되는 반사광(RL´)의 광학적 통과 거리는 2d´가 된다. 이 때, 투과 영역(TA´)에 형성된 제1 액정층(102)의 액정 분자(104)들의 굴절율 이방성(Δn1) 및 반사 영역(RA´)에 형성된 제2 액정층(106)의 액정 분자(108)들의 굴절율 이방성 (Δn2)이 Δn1=2*Δn2(또는, Δn1≒2*Δn2)관계를 만족하므로, 위상차는 Δn1*d=Δn2*2*d(또는, Δn1*d≒Δn2*2*d)의 관계가 되어 투과 영역(TA´)과 반사 영역(RA´)에서 동시에 만족하는 최적의 광학적 설계 조건을 찾기가 매우 쉬어진다.
상기 벽 스페이서(146)는 감광성 유기층(148) 및 고착층(150)을 포함한다. 여기서, 컬러 필터 기판(140) 및 박막 트랜지스터 기판(110) 중 어느 하나에 형성될 수 있다.
감광성 유기층(148)은 벽 스페이서(146)의 형태를 이루기 위해 형성된다. 이 때, 감광성 유기층은 제1 및 제2 액정층(102, 106)과 잘 반응하지 않는 재질일 수 있다. 이는 제1 및 제2 액정층(102, 106) 각각으로 감광성 유기층이 용출되는 것을 방지하기 위함이다.
고착층(150)은 감광성 유기층(148)의 상부에 형성된다. 즉, 고착층(150)은 벽 스페이서(146)의 상부에 형성된다. 이 고착층(150)은 벽 스페이서(146)를 박막 트랜지스터 기판(110)에 고착시키기 위해 형성된다. 그런데, 벽 스페이서(146)가 컬러 필터 기판(140)에 형성되는 대신 박막 트랜지스터 기판(110)에 형성되는 경우에는 고착층(150)은 벽 스페이서(146)를 컬러 필터 기판(140)에 고착시킨다.
상기 고착층(150)은 점착성이 있는 아크릴 계열의 수지일 수 있다. 이러한 고착층(150)은 열에 의해 경화될 수 있다. 이 때에도, 고착층(150)은 제1 및 제2 액정층(102, 106)과 잘 반응하지 않는 재질일 수 있다.
이상 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 이상에서 기술한 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이므로, 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 하며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명에 따른 반투과형 액정 표시장치는 서로 다른 굴절율 이방성을 갖는 2종의 액정층을 사용하여 단일 셀갭을 구현할 수 있다라는 효과가 있다.

Claims (13)

  1. 서로 교차하여 투과 영역 및 반사 영역을 구비하는 서브 화소 영역을 정의하는 게이트선 및 데이터선을 포함하는 박막 트랜지스터 기판;
    상기 박막 트랜지스터 기판과 소정 간격 이격된 컬러 필터 기판;
    상기 박막 트랜지스터 기판 및 상기 컬러 필터 기판 사이에 형성되며 상기 투과 영역에 형성된 제1 액정층;
    상기 박막 트랜지스터 기판 및 상기 컬러 필터 기판 사이에 형성되며 상기 반사 영역에 형성된 제2 액정층; 및
    상기 투과 영역 및 반사 영역의 경계에 대응하여 일체화된 형태로 형성되며 상기 제1 및 제2 액정층을 분리하는 벽 스페이서
    를 포함하는 반투과형 액정 표시장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터 기판 및 상기 컬러 필터 기판을 합착하며 상기 제1 및 제2 액정층의 봉지를 위해 외곽부에 형성된 제1 및 제2 실런트
    를 더 포함하는 반투과형 액정 표시장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 외곽부의 우측 및 좌측 각각의 소정 영역에는, 상기 제1 및 제2 액정층 각각을 주입하기 위한 제1 및 제2 주입구 각각이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 실런트는, 상기 제1 및 제2 주입구 각각에 형성되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시장치.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 실런트는, 상기 외곽부 중 상기 제1 및 제2 주입구를 제외한 나머지 외곽부에 형성되며, 상측 및 하측 각각으로 분리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 벽 스페이서는, 그 일측이 상기 제2 실런트 중 상측에 형성된 제2 실런트에 접촉되어 형성되고, 그 타측이 상기 제2 실런트 중 하측에 형성된 제2 실런트에 접촉되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 액정층은, 그 두께가 동일 또는 유사한 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 액정층의 액정 분자들은, 그 굴절율 이방성이 상기 제2 액정층의 액정 분자들의 굴절율 이방성의 2배 또는 2배와 유사한 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 벽 스페이서는, 상기 박막 트랜지스터 기판 및 상기 컬러 필터 기판 중 어느 하나에 형성되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 벽 스페이서는, 그 상부에 형성되며 상기 벽 스페이서를 상기 박막 트랜지스터 기판 및 상기 컬러 필터 기판 중 어느 하나에 고착시키는 고착층
    을 포함하는 반투과형 액정 표시장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 고착층은 아크릴 계열의 수지인 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시장치.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 고착층은 열경화성인 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 반투과형 액정 표시장치는, 트위스티드 네마틱 모드, 수직 배향 모드, 횡전계 모드, 오씨비(OCB; optical compensated birefingence) 모드 및 이씨비(ECB; electrically controlled birefringence) 모드 중 어느 하나로 구동되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시장치.
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