KR20080000791A - 액정표시장치와 그 제조방법 - Google Patents
액정표시장치와 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080000791A KR20080000791A KR1020060058585A KR20060058585A KR20080000791A KR 20080000791 A KR20080000791 A KR 20080000791A KR 1020060058585 A KR1020060058585 A KR 1020060058585A KR 20060058585 A KR20060058585 A KR 20060058585A KR 20080000791 A KR20080000791 A KR 20080000791A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- column spacer
- substrate
- gap
- pixel
- pressed
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 120
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 91
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 59
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 9
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000010422 painting Methods 0.000 abstract description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 240000006829 Ficus sundaica Species 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/50—Protective arrangements
- G02F2201/503—Arrangements improving the resistance to shock
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 특히, 외압에 대해 에지영역의 강도가 개선된 액정표시장치와 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 액정패널의 갭(gap)을 유지하는 갭 스페이서(gap spacer)와 외부 압력에 따른 액정패널의 눌림을 방지하는 눌림 슬페이서를 구성함에 있어, 패널의 중심에 대응하여 각각은 6개의 화소마다 1개씩 구성하고, 액정패널의 에지영역에 있어 상기 갭 스페이서는 6개의 화소마다 1 개씩 구성하고, 상기 눌림스페이서는 3개의 화소 또는 2개의 화소마다 1개씩 구성하는 것을 특징으로 한다.
이와 같이, 액정패널의 에지영역에 상기 눌림스페이서를 비교적 조밀하게 구성함으로써, 액정패널을 제작하는 공정 중 또는 이동시 가해지는 액정패널에 에지영역에 가해지는 외압에 대한 패널강도가 개선되는 장점이 있어 도장얼룩 발생을 방지할 수 있다.
Description
도 1은 일반적인 액정표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 분해 사시도이고,
도 2는 듀얼구조의 컬럼 스페이서가 구성된 액정표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 3은 종래에 따른, 갭 컬럼스페이서와 눌림 컬럼스페이서의 배치를 개략적으로 도시한 도면이고,
도 4는 외압이 가해지는 영역을 표시하기 위한 액정패널의 개략적인 평면도이고,
도 5는 본 발명에 따른, 갭 컬럼스페이서와 눌림 컬럼스페이서의 배치를 개략적으로 도시한 도면이고,
도 6은 듀얼 컬럼스페이서가 구성된 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 확대한 평면도이고,
도 7a 내지 도 7e는 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 제조공정을 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이고,
도 8a 내지 도 8c는 본 발명에 따른 액정표시장치용 컬러필터 기판의 제조공 정을 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
300a : 갭스페이서 300b : 눌림스페이서
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 특히, 에지(edge)영역에서 도장 얼룩이 발생하지 않는 고화질의 액정표시장치와 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치는 합착된 두 기판 사이에 충진된 액정의 광학적 이방성과 복굴절 특성을 이용하여 화상을 표현하는 표시장치이다.
이하, 도 1을 참조하여 액정표시장치의 일반적인 구성을 설명한다.
도 1은 종래에 따른 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도시한 바와 같이, 일반적인 컬러 액정표시장치(11)는 서브 컬러필터(8)와 각 서브 컬러필터(8)사이에 구성된 블랙 매트릭스(6)를 포함하는 컬러필터(7)와, 상기 컬러필터(7)의 상부에 증착된 공통전극(18)이 형성된 컬러필터기판(5)과, 화소영역(P)이 정의되고 화소영역에는 화소전극(17)과 스위칭 소자(T)가 구성되며, 화소영역(P)의 주변으로 어레이 배선이 형성된 어레이 기판(22)과, 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(22) 사이에는 액정(14)이 충진되어 있다.
상기 어레이기판(22)에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스형태(matrix type)로 위치하고, 이러한 다수의 박막트랜지스터(T)를 교차하여 지나가는 게이트 배선(13)과 데이터 배선(15)이 형성된다.
이때, 상기 화소영역(P)은 상기 게이트 배선(13)과 데이터 배선(15)이 교차하여 정의되는 영역이며, 상기 화소영역(P)상에는 전술한 바와 같이 투명한 화소전극(17)이 형성된다.
상기 화소전극(17)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명 도전성금속을 사용한다.
전술한 바와 같이 구성된 컬러필터기판(5)과 어레이기판(22)을 액정층(14)을 사이에 두고 합착하는 공정을 거쳐 액정패널을 완성하게 되며, 액정층은 상기 컬러필터기판(5)과 어레이기판(22) 사이에 위치하고 표면이 러빙처리된 배향막에 의해 초기 배열된다.
전술한 구성에서, 상기 화소 전극(17)과 공통 전극(18) 사이에 전압을 인가하게 되면 세로 방향으로 전기장이 발생하게 되며, 이 전기장에 의해 상기 액정 분자(14)를 움직이게 함으로써, 이에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현할 수 있게 된다.
전술한 바와 같은 구성에서 도시하지는 않았지만, 상기 어레이기판(22)과 컬러필터기판(5)의 사이에는 두 기판 사이의 갭(gap)을 유지하기 위해 스페이서(spacer)를 형성하게 된다.
전술한 바와 같이 구성된 액정패널은 외부로부터 눌림과 같은 외압이 가해질 경우 빛샘불량이 발생하게 된다.
이러한 빛샘불량은 외압에 의해 상기 어레이기판과 컬러필터 기판 간에 미끄러짐이 발생하여 액정패널의 휨이 발생하게 되는데서 그 원인이 있다.
즉, 액정패널의 휨 방향으로 어레이기판과 컬러필터기판의 러빙방향이 평행이 되지 않게 되고 이로 인해, 기판 표면에 인접한 액정이 휨방향으로 평행하게 배열하게 되어 전체적으로 초기상태와 다른 배열을 하게 된다.
이와 같은 경우에는, 액정의 배열이 초기 블랙상태를 유지하지 못하게 되어 액정층을 통과한 빛이 정상부위와 다른 위상차(retardation)를 겪으며 회전하게 되어 빛샘이 나타나게 된다.
따라서, 이러한 불량을 해결하기 위한 방법으로 듀얼 컬럼 스페이서 구조가 도입되었다.
즉, 기둥형상의 컬럼 스페이서를 구성할 경우, 어레이기판과 컬러필터기판의 갭(gap)을 유지하는 기능을 하는 갭 컬럼스페이서와, 외력에 의한 빛샘불량 방지를 위한 눌림 컬럼스페이서가 구성된 소위 듀얼 구조의 컬럼 스페이서(Dual Column Spacer)를 형성하는 구성이 제안되고 있다.
이에 대해 이하, 도 2를 참조하여 설명한다.
도 2는 종래에 따른 액정표시장치의 구성을 도시한 확대 단면도이다.
도시한 바와 같이, 액정표시장치(LCD)는 어레이기판(B1)과 컬러필터 기판(B2)으로 구성된다.
상기 어레이기판(B1)은 투명한 절연기판(22)에 박막트랜지스터(T)및 이에 연 결된 어레이배선(13,15)이 구성된다,
이를 상세히 설명하면, 투명한 제1기판(22)상에 스위칭 영역(S)을 포함하는 화소 영역(P)과 스토리지 영역(미도시)이 구성되고, 상기 스위칭 영역(S)에는 게이트 전극(32)과 액티브층(34)과 소스 전극(36)과 드레인 전극(38)으로 구성된 박막트랜지스터(T)가 위치하고, 상기 화소 영역(P)에는 상기 드레인 전극과 접촉하는 투명한 화소 전극(17)이 위치한다.
상기 화소 영역(P)의 일 측과 타 측에는, 상기 박막트랜지스터(T)의 게이트 전극(32)과 접촉하는 게이트 배선(13)과, 상기 소스 전극(36)과 접촉하는 데이터 배선(15)이 위치한다.
전술한 바와 같이 구성된 어레이기판(B1)과 이격하여 컬러필터 기판이 구성되고, 상기 컬러필터 기판(B2)은 투명한 제 2 절연기판(5)과, 컬러 필터 및 블랙매트릭스(7a,7b)를 포함한다.
이에 대해 상세히 설명하면, 상기 투명한 제 1 기판(22)과 액정층(미도시)을 사이에 두고 이격된 상기 투명한 제 2 기판(5)의 마주보는 일면에는 상기 박막트랜지스터(T)와 데이터 배선 및 게이트 배선(13, 15)에 대응하여 블랙매트릭스(6)가 구성되고, 상기 화소 영역(P)에 대응하는 면에는 컬러필터(7a,7b)가 구성된다.
상기 컬러필터는 적,녹,청 컬러필터(7a,7b, 미도시)를 순차 사용하며, 각 화소(P)에 대응하여 순차 구성하거나, 세로 방향으로 이웃한 화소(P)에 동일한 컬러필터를 구성하는 스트라이프 형상(stripe type)으로 구성할 수도 있다.
상기 컬러필터(7a,7b)와 블랙매트릭스(6)가 구성된 기판(22)의 전면에는 투 명한 공통전극(18)이 구성된다.
특히, 상기 블랙매트릭스 및 컬러필터(6)(7a,7b)의 하부에는 듀얼 구조의 컬럼 스페이서(20a,20b)가 구성된다.
이때, 상기 듀얼구조의 컬럼 스페이서(20a,20b)중 갭 컬럼스페이서(20a)는 두 기판(5,22)의 갭(gap)을 유지하는 기능을 해야 하고, 눌림 컬럼스페이서(20b)는 기판(22)과 소정의 갭(G1)을 두고 위치하도록 구성된다.
이와 같이 하면, 상기 갭 컬럼스페이서(20a)는 어레이기판(B1)과 컬러필터 기판(B2)사이의 갭을 유지하는 기능을 하는 반면, 상기 눌림 컬럼스페이서(20b)는 외부의 압력으로 액정패널이 눌렸을 때, 이에 대한 하중을 견디는 역할을 하게 되어, 액정의 왜곡을 최소화 함으로써, 얼룩을 방지하는 기능을 하게 된다.
이때, 상기 갭 컬럼스페이서(20a)와 눌림 컬럼스페이서(20b)의 분포 형태를 이하, 도면을 참조하여 설명한다.
도 3은 종래에 따른 듀얼구조 컬럼 스페이서의 배치예를 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 기판(5)상에 다수의 화소(P)가 정의되고, 각 화소(P)에 대응하여 컬러필터(R,G,B)가 배치된다.
이때, 적,녹,청 컬러필터(R,G,B)는 세로방향으로 이웃한 화소(P)에 동일한 컬러필터가 형성되도록 스트라이프 형상으로 구성하고, 상기 다수의 화소(P)에 눌림 컬럼 스페이서(20b)와 갭 컬럼 스페이서(20a)를 균일하게 배치한다.
자세히는, 가로방향으로 상기 갭 컬럼스페이서(20a)와 눌림 컬럼스페이서(20b)를 3개의 화소마다 하나씩 교대로 구성되도록 하고, 세로 방향으로 단위 화 소마다 상기 갭 컬럼스페이서(20a)와 상기 눌림 스페이서(20b)가 교대로 구성되도록 한다.
따라서, 갭 컬럼스페이서(20a)와 눌림 컬럼스페이서(20b)는 가로방향으로 6개의 화소마다 하나씩 구성된 형태가 된다.
위와 같이, 갭 컬럼스페이서(20a)와 눌림 컬럼스페이서(20b)를 고르게 분포하도록 함으로써, 액정의 유동을 방지하고 특히, 외부로부터 압력을 가했을 경우 이러한 외력에 대한 저항성분으로 작용하도록 하여 얼룩을 방지할 수 있도록 하였다.
그러나, 전술한 바와 같은 구성에도 불구하고 액정패널의 주변영역 즉, 에지부분에서 도장얼룩이 발생하였다.
이에 대해, 이하 도 4를 참조하여 설명한다.
도 4는 외압이 가해지는 영역을 표시하기 위한 액정패널의 개략적인 평면도이다.
도시한 바와 같이, 액정표시장치(50)를 제작하는 공정이나, 이동하는 과정에서 사람이 손이 직접 닿아 압력을 가하는 부분은 중심 영역(A 영역)보다는 주변영역(B 영역)이다.
즉, 패널의 주변영역(B 영역)에 부분적으로 압력이 가해짐에 따라 이 부분에서 스페이서의 휨이 발생하게 되고 이로 인해, 앞서 언급한 바와 같은 빛샘 현상으로 인한 도장 얼룩이 발생하는 문제가 있다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 제안된 것으로, 액정패널의 에지영역에 상기 눌림 스페이서를 더욱 조밀하게 구성함으로써, 외부로부터 가해지는 압력에 대한 충분한 반발력을 유지하도록 함으로써, 도장 얼룩이 발생하지 않도록 하는 것을 목적으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치는 다수의 화소 영역으로 구성되고, 중심영역과 주변영역으로 정의된 제 1 기판과 제 2 기판과; 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 위치한 액정층과; 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 구성되고 갭을 유지하는 갭 컬럼스페이서와, 외부의 압력에 대해 작용하는 눌림 컬럼스페이서를 포함하는 액정표시장치에 있어서, 상기 중심영역에 대응하여 상기 갭 컬럼스페이서와 눌림 컬럼스페이서가 동일한 밀도록 구성되고, 상기 주변영역에 대응하여 상기 갭 컬럼스페이서는 상기 중심영역과 동일하게 구성되고, 상기 눌림 컬럼스페이서는 상기 갭 컬럼스페이서 보다 높은 밀도로 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 중심영역에 대해, 상기 갭 컬럼스페이서와 눌림 컬럼스페이서는 동일한 화소에 위치하지 않으며, 6개의 화소마다 한 개씩 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 주변영역에 구성된 눌림 컬럼스페이서는 3개의 화소마다 하나씩 구성되는 1/3 구조나, 2개의 화소마다 하나씩 구성되는 1/2구조로 배치되는 것을 특징으 로 한다.
상기 주변영역에 대응하여 부분적으로 상기 갭 컬럼 스페이서와 상기 눌림 컬럼 스페이서가 동일한 화소에 함께 구성되는 배치인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 액정표시장치 제조방법은 제 1 기판과 제 2 기판을 준비하는 단계와; 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 다수의 화소영역을 포함하는 중심영역과 주변영역으로 정의하는 단계와; 상기 제 1 기판의 일면에 형성되고, 상기 화소의 일 측과 타 측에 위치하여 교차하는 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치한 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 화소에 투명한 화소 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 2 기판의 일면에 상기 화소 마다 개구된 블랙매트릭스를 형성하는 단계와; 상기 화소마다 컬러필터를 형성하는 단계와; 상기 컬러필터의 하부에 갭 컬럼스페이서와 눌림 컬럼스페이서를 형성함에 있어, 상기 중심영역에 대응하여 동일한 밀도로 배치되고, 상기 주변 영역은 상기 눌림 컬럼스페이서의 밀도가 더 크게 배치되도록 상기 갭 컬럼스페이서와 눌림 컬럼스페이서를 형성하는 단계를 포함한다.
이때, 상기 중심영역에 대해, 상기 갭 컬럼스페이서와 눌림 컬럼스페이서는 동일한 화소에 위치하지 않으며, 6개의화소마다 한 개씩 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 주변영역에 구성된 눌림 컬럼스페이서는 3개의 화소마다 하나씩 구성되는 1/3 구조나, 2개의 화소마다 하나씩 구성되는 1/2구조로 배치되는 것을 특징으로 한다.
상기 주변영역에 대응하여 부분적으로 상기 갭 컬럼스페이서와 상기 눌림 컬럼스페이서가 동일한 화소에 함께 구성되는 배치인 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.
-- 실시예 --
본 발명의 특징은, 액정패널의 에지부에 눌림 스페이서를 더욱 조밀하게 구성하는 것을 특징으로 한다.
도 5는 본 발명에 따른 액정패널의 중심부와 주변부에 따른 갭 컬럼스페이서와 눌림 컬럼스페이서의 배치예를 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 액정패널의 중심영역은 앞서 언급한 바와 같이 가로방향으로 3개의 화소마다 하나씩 갭 컬럼스페이서(300a)와 눌림 컬럼스페이서(300b)를 순차 구성하고, 세로방향으로 단위 화소마다 상기 캡 컬럼스페이서(300a)와 눌림 컬럼스페이서(300b)를 순차 구성한다.
따라서, 액정패널의 중심영역에서는 가로방향으로 상기 갭 컬럼스페이서(300a)와 눌림 컬럼스페이서(300b)가 각각 6개의 화소마다 하나씩 구성된 형태가 된다.
반면, 상기 액정패널의 주변영역에서는 상기 갭 컬럼스페이서(300a)를 앞서 중심영역과 마찬가지로 가로방향으로 6개의 화소마다 위치한 형태로 구성하나, 상기 눌림 컬럼스페이서(300b)는 도시한 바와 같이 세개의 화소 마다 위치하도록 구 성하거나, 더 밀도를 조밀하게 하기 위해서는 두 개의 화소마다 위치하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 하면, 액정패널의 중심영역에 비해 주변영역에 구성한 눌림 컬럼스페이서(300b)의 밀도가 2 배 내지 3배가 되어 매우 조밀해지므로, 외부로부터 가해지는 압력에 대한 반발 강도가 매우 커지게 되어, 압력에 의해 발생하는 도장얼룩을 방지할 수 있는 장점이 있다.
도 6은 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 확대하여 개략적으로 도시한 확대 평면도이다.(컬러필터 기판에 구성한 컬럼스페이서를 함께 표시함)
도시한 바와 같이, 기판(100)상에 다수의 화소(P)를 정의하고, 화소(P)의 일 측에 게이트 배선(102)을 구성하고, 이에 교차하는 화소(P)의 타 측에 데이터 배선(116)을 구성한다.
상기 화소(P)에는 투명한 화소 전극(122)을 구성한다.
상기 게이트 배선(102)과 데이터 배선(116)의 교차지점에는 게이트 전극(104)과, 게이트 전극(104)의 상부의 액티브층(108)과, 액티브층(108)상부의 소스 및 드레인 전극(112,114)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 구성한다.
이때, 상기 게이트 전극(104)은 상기 게이트 배선(102)과 접촉하고, 상기 소스 전극(112)은 상기 데이터 배선(116)과 접촉하고, 상기 드레인 전극(114)은 상기 화소 전극(122)과 접촉하도록 구성한다.
전술한 바와 같이 구성된 어레이기판(100)의 각 화소(P)에 대응하여 컬러필 터(R,G,B)를 구성하게 되는데, 상기 컬러필터(R,G,B)의 하부에는 갭 컬럼 스페이서(300a)와 눌림 컬럼 스페이서(300b)를 구성하는 것을 특징으로 한다.
이때, 눌림 컬럼 스페이서(300b)는 어레이기판(100)의 게이트 배선(102)에 대응하여 위치하게 되고, 상기 갭 컬럼 스페이서(300a)는 어레이 기판(100)의 박막트랜지스터(T)에 대응하여 구성되며, 해상도에 따라 상기 갭 컬럼 스페이서(300a)와 상기 눌림 컬럼 스페이서(300b)는 단일한 화소(P)에 위치할 수 도 있고 도시한 바와 같이, 이웃한 화소(P)간 나누어 위치할 수 도 있다.
액정패널의 중심영역에서는 상기 갭 컬럼스페이서(300a)와 눌림 컬럼스페이서(300b)가 동일한 화소에 위치하지 않으나, 액정패널의 에지영역은 상기 눌림 컬럼스페이서(300b)의 밀도가 커지기 때문에 이러한 구조가 발생하게 된다.
이하, 공정도면을 참조하여 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법을 설명한다.
도 7a 내지 도 7e는 도 6의 Ⅳ-Ⅳ를 따라 절단하여 본 발명의 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
도 7a에 도시한 바와 같이, 기판(100)상에 스위칭 영역(S)과 화소(P)를 정의하고, 상기 스위칭 영역(S)에 게이트 전극(104)과, 상기 게이트 전극(104)과 접촉하면서 상기 화소(P)의 일 측으로 연장된 게이트 배선(102)을 형성한다.
이때, 상기 게이트 배선(102)과 게이트 전극(104)은 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo),티타늄(Ti)등을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나 또는 하나 이상을 증착하고 패턴하여 형성한다.
다음으로, 상기 게이트 배선(102)과 게이트 전극(104)이 형성된 기판(100)의 전면에 산화 실리콘(SiO2), 질화 실리콘(SiNX)등의 무기 절연물질과 경우에 따라서는 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)와 같은 유기절연물질을 증착하여, 게이트 절연막(106)을 형성한다.
도 7b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 절연막(106)이 형성된 기판(100)의 전면에 순수 비정질 실리콘(a-Si:H)과 불순물 비정질 실리콘(n+ a-Si:H)을 증착하고 패턴하여, 상기 게이트 전극(104)에 대응하는 게이트 절연막(106)의 상부에 액티브층(108)과 오믹 콘택층(110)을 형성한다.
도 7c에 도시한 바와 같이, 상기 오믹 콘택층(110)이 형성된 기판(100)의 전면에 앞서 언급한 도전성 금속을 증착하고 패턴하여, 상기 오믹 콘택층(110)의 상부에서 이격된 소스 전극(112)과 드레인 전극(114)과, 상기 소스 전극(112)과 접촉하면서 상기 게이트 배선(102)과 교차하는 데이터 배선(116)을 형성한다.
도 7d에 도시한 바와 같이, 상기 소스 및 드레인 전극(112,114)과 데이터 배선(116)이 형성된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 과 경우에 따라서는, 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)와 같은 유기절연물질을 증착하여, 보호막(118)을 형성한다.
다음으로, 상기 보호막(118)을 패턴하여 상기 드레인 전극(114)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(120)을 형성한다.
도 7e에 도시한 바와 같이, 상기 보호막(118)이 형성된 기판(100)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 드레인 전극(114)과 접촉하면서 상기 화소 영역(P)에 위치한 화소 전극(122)을 형성한다.
전술한 바와 같은 공정으로 본 발명에 따른 어레이기판을 제작할 수 있으며, 이러한 어레이기판과 합착되는 컬러필터 기판의 제조공정을 이하, 공정도면을 참조하여 설명한다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명에 따른 컬러필터 기판의 제조방법을 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
도 8a에 도시한 바와 같이, 기판(200)상에 다수의 화소(P)를 정의하고, 상기 화소(P)가 정의된 기판(200)의 일면에 크롬(Cr)과 크롬옥사이드(CrOx)와 같은 불투명한 물질을 증착하고 패턴하여, 상기 화소(P)에 대응하여 개구부가 형성된 블랙매트릭스(202)를 형성한다.
다음으로, 상기 화소마다 적,녹,청색을 나타내는 컬러필터(204a,204b,미도시)를 형성한다.
도 8b에 도시한 바와 같이, 상기 블랙매트릭스 및 컬러필터(202,204a,204b)가 형성된 기판(200)의 전면에 앞서 언급한 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 도포하여 평탄화막(205)을 형성한다.
다음으로, 상기 평탄화막의 상부에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드를 포함하는 투명한 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 공통 전극(206)을 형성한다.
도 8c에 도시한 바와 같이, 상기 공통 전극(206)이 형성된 기판(200)의 전면에 폴리머수지(polymer resin) 또는 감광성 폴리머 수지를 도포하고 패턴하여, 두 기판 사이에 맞닿아 두 기판 간 갭을 유지하는 갭 컬럼스페이서(300a)와, 외력에 의한 저항성분으로 작용하는 눌림 컬럼스페이서(300b)를 형성한다.
이때, 액정패널의 중심영역에 대응하여 상기 갭 컬럼스페이서(300a)와 눌림 컬럼스페이서(300b)는 각각 6개의 화소마다 하나씩 위치하는 구조로 구성하고, 액정패널의 에지영역에 대응하여 상기 갭 컬럼스페이서는 6개의 화소마다 위치하나 상기 눌림 컬럼스페이서는 3개 또는 2개의 화소마다 하나씩 구성하는 것을 특징으로 한다.
이상으로, 본 발명에 따른 이중 구조의 컬럼스페이서를 포함하는 액정표시장치를 제작할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 이중 구조의 액정표시장치는 액정패널의 주변 영역에 눌림 컬럼스페이서의 밀도를 더욱 조밀하도록 구성함으로써, 액정패널의 제작공정 또는 이동시 가해지는 압력에 충분한 반발력으로 작용할 수 있기 때문에, 액정패널의 주변영역에서 도장얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
따라서, 액정패널의 불량을 최소화 할 수 있어 생산수율을 개선할 수 있는 효과가 있다.
Claims (8)
- 다수의 화소 영역으로 구성되고, 중심영역과 주변영역으로 정의된 제 1 기판과 제 2 기판과; 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 위치한 액정층과; 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 구성되고 갭을 유지하는 갭 컬럼스페이서와, 외부의 압력에 대해 작용하는 눌림 컬럼스페이서를 포함하는 액정표시장치에 있어서,상기 중심영역에 대응하여 상기 갭 컬럼스페이서와 눌림 컬럼스페이서가 동일한 밀도록 구성되고,상기 주변영역에 대응하여 상기 갭 컬럼스페이서는 상기 중심영역과 동일하게 구성되고, 상기 눌림 컬럼스페이서는 상기 갭 컬럼스페이서 보다 높은 밀도로 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 중심영역에 대해, 상기 갭 컬럼스페이서와 눌림 컬럼스페이서는 동일한 화소에 위치하지 않으며, 6개의 화소마다 한 개씩 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 주변영역에 구성된 눌림 컬럼스페이서는 3개의 화소마다 하나씩 구성되는 1/3 구조나, 2개의 화소마다 하나씩 구성되는 1/2구조로 배치되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 주변영역에 대응하여 부분적으로 상기 갭 컬럼스페이서와 상기 눌림 컬럼스페이서가 동일한 화소에 함께 구성되는 배치인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 1 기판과 제 2 기판을 준비하는 단계와;상기 제 1 기판과 제 2 기판을 다수의 화소영역을 포함하는 중심영역과 주변영역으로 정의하는 단계와;상기 제 1 기판의 일면에 형성되고, 상기 화소의 일 측과 타 측에 위치하여 교차하는 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하는 단계와;상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치한 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;상기 화소에 투명한 화소 전극을 형성하는 단계와;상기 제 2 기판의 일면에 상기 화소 마다 개구된 블랙매트릭스를 형성하는 단계와;상기 화소마다 컬러필터를 형성하는 단계와;상기 컬러필터의 하부에 갭 컬럼스페이서와 눌림 컬럼스페이서를 형성함에 있어, 상기 중심영역에 대응하여 동일한 밀도로 배치되고, 상기 주변 영역은 상기 눌림 컬럼스페이서의 밀도가 더 크게 배치되도록 상기 갭 컬럼스페이서와 눌림 컬럼스페이서를 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 중심영역에 대해, 상기 갭 컬럼스페이서와 눌림 컬럼스페이서는 동일한 화소에 위치하지 않으며, 6개의화소마다 한 개씩 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 주변영역에 구성된 눌림 컬럼스페이서는 3개의 화소마다 하나씩 구성되는 1/3 구조나, 2개의 화소마다 하나씩 구성되는 1/2구조로 배치되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 주변영역에 대응하여 부분적으로 상기 갭 컬럼페이서와 상기 눌림 컬럼 스페이서가 동일한 화소에 함께 구성되는 배치인 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060058585A KR101239820B1 (ko) | 2006-06-28 | 2006-06-28 | 액정표시장치와 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060058585A KR101239820B1 (ko) | 2006-06-28 | 2006-06-28 | 액정표시장치와 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080000791A true KR20080000791A (ko) | 2008-01-03 |
| KR101239820B1 KR101239820B1 (ko) | 2013-03-06 |
Family
ID=39212906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060058585A KR101239820B1 (ko) | 2006-06-28 | 2006-06-28 | 액정표시장치와 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101239820B1 (ko) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140005066A (ko) * | 2012-07-04 | 2014-01-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 이중 스페이서구조 액정표시소자 |
| KR101404548B1 (ko) * | 2008-01-17 | 2014-06-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| KR101415086B1 (ko) * | 2008-02-15 | 2014-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| KR20140128726A (ko) * | 2013-04-29 | 2014-11-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 |
| KR101464891B1 (ko) * | 2012-10-19 | 2014-11-25 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 액정 표시 장치 |
| KR20150079212A (ko) * | 2013-12-31 | 2015-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| KR20150078180A (ko) * | 2013-12-30 | 2015-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시패널의 제조방법 |
| CN105116631A (zh) * | 2015-09-23 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| US9442327B2 (en) | 2014-09-11 | 2016-09-13 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US9466649B2 (en) | 2013-10-11 | 2016-10-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| CN106773348A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-31 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| KR20170065701A (ko) * | 2015-12-03 | 2017-06-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 컬러필터 기판 및 이를 갖는 디스플레이 패널 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100919193B1 (ko) * | 2002-12-30 | 2009-09-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 패널 및 이의 제조 방법 |
| US7859635B2 (en) * | 2003-10-16 | 2010-12-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof |
| JP4619734B2 (ja) * | 2004-09-16 | 2011-01-26 | 富士通株式会社 | 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置 |
| KR101085149B1 (ko) * | 2004-10-08 | 2011-11-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
-
2006
- 2006-06-28 KR KR1020060058585A patent/KR101239820B1/ko active IP Right Grant
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101404548B1 (ko) * | 2008-01-17 | 2014-06-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| KR101415086B1 (ko) * | 2008-02-15 | 2014-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| KR20140005066A (ko) * | 2012-07-04 | 2014-01-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 이중 스페이서구조 액정표시소자 |
| US9454044B2 (en) | 2012-10-19 | 2016-09-27 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
| KR101464891B1 (ko) * | 2012-10-19 | 2014-11-25 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 액정 표시 장치 |
| US9841638B2 (en) | 2012-10-19 | 2017-12-12 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
| US9122105B2 (en) | 2012-10-19 | 2015-09-01 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
| KR20140128726A (ko) * | 2013-04-29 | 2014-11-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 |
| US9466649B2 (en) | 2013-10-11 | 2016-10-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| KR20150078180A (ko) * | 2013-12-30 | 2015-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시패널의 제조방법 |
| KR20150079212A (ko) * | 2013-12-31 | 2015-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| US9442327B2 (en) | 2014-09-11 | 2016-09-13 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| CN105116631A (zh) * | 2015-09-23 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| KR20170065701A (ko) * | 2015-12-03 | 2017-06-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 컬러필터 기판 및 이를 갖는 디스플레이 패널 |
| CN106773348A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-31 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101239820B1 (ko) | 2013-03-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101239820B1 (ko) | 액정표시장치와 그 제조방법 | |
| US8767158B2 (en) | Array substrate, liquid crystal panel, liquid crystal display and driving method thereof | |
| KR100920481B1 (ko) | 횡전계 방식 액정표시장치와 그 제조방법 | |
| JP5571759B2 (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
| US8711311B2 (en) | Fringe field switching mode liquid crystal display panel | |
| KR100870701B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| US8953136B2 (en) | Color filter substrate, liquid crystal display device including color filter substrate, and method of fabricating color filter substrate | |
| US7342252B2 (en) | Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof | |
| KR101147106B1 (ko) | 액정 표시패널 및 그 제조 방법 | |
| US20110237149A1 (en) | Method for fabricating a liquid crystal display device and an lcd device thereby | |
| US20050046779A1 (en) | Liquid crystal display device | |
| US7847891B2 (en) | Liquid crystal display | |
| KR20130047485A (ko) | 액정표시장치 및 이의 제조방법 | |
| KR101056012B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20110040222A (ko) | 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20080093504A (ko) | 씨오에이구조 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그제조방법 | |
| KR20100066219A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20130049108A (ko) | 다중 컬럼스페이서를 보유한 액정표시소자 | |
| KR20080042466A (ko) | 액정표시패널 및 그 제조방법 | |
| KR20070071783A (ko) | 액정표시장치와 그 제조방법 | |
| KR20080053804A (ko) | 액정표시장치와 그 제조방법 | |
| KR101024642B1 (ko) | 액정표시패널 및 그 제조방법 | |
| KR20080003090A (ko) | 액정표시장치 | |
| KR20100049383A (ko) | 횡전계형 액정표시장치 | |
| KR102398551B1 (ko) | 박막트랜지스터 기판 및 그를 가지는 액정 표시 패널 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160128 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170116 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190114 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200116 Year of fee payment: 8 |