KR20070119182A - Antistatic dicing tape for semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명에 따른 일 실시예로서 대전방지 다이싱 테이프의 단면도.1 is a cross-sectional view of an antistatic dicing tape as an embodiment according to the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
100 : 대전방지 다이싱 테이프100: antistatic dicing tape
110 : 기재필름110: base film
120A, 120B: 대전방지층120A, 120B: Antistatic Layer
130 : 점착제층130: pressure-sensitive adhesive layer
본 발명은 반도체 칩 제조공정에서 사용되는 다이싱 테이프에 있어, 상기 다이싱 테이프에 대전방지 성능을 부여한 대전방지 다이싱 테이프의 제조에 관한 것이다. The present invention relates to the production of an antistatic dicing tape in which a dicing tape used in a semiconductor chip manufacturing process is provided with an antistatic performance to the dicing tape.
다이싱 테이프란 반도체 칩 제조공정에서 반도체 웨이퍼에 패턴을 형성한 후 개개의 칩으로 절단하는 다이싱 과정에서 반도체 웨이퍼를 고정하기 위해 사용되는 테이프를 말한다. 일반적으로 반도체 칩의 조립공정은 마운트 공정, 다이싱 공정, 픽업공정으로 진행하게 되는데, 이 때 마운트 공정에서는 반도체 웨이퍼를 다이싱 테이프에 부착하여 일정한 점착력으로 반도체 웨이퍼를 다이싱 테이프에 고정시키게 되며, 다이싱 공정에서는 다이싱 테이프에 부착된 웨이퍼를 개개의 칩 형태로 절단하게 된다. 이 후, 다이싱 테이프의 점착력을 감소시키는 과정을 거쳐 픽업공정에서 개개의 칩을 다이싱 테이프로부터 박리하고 다음 공정으로 이송시키게 된다. 상기와 같은 일련의 과정에서 사용되는 다이싱 테이프는 마운트 및 다이싱 공정까지는 일정한 점착력으로 반도체 웨이퍼와 접합하고 있어야 하며, 픽업공정에서는 점착력이 감소하여 칩을 다이싱 테이프로부터 쉽게 박리되어야 하는 특성이 요구된다. 이를 위해 다이싱 테이프를 제조함에 있어 고분자 기재필름의 일면에 자외선 경화형 아크릴계 공중합체를 도포하여 자외선 경화형 점착제층을 형성함으로써, 마운트 및 다이싱 공정까지는 일정한 점착력으로 반도체 웨이퍼와 접합하고 있다가 픽업 공정 전에 자외선을 조사하게 되면 점착력이 현저히 감소하여 픽업공정에서 칩이 다이싱 테이프로부터 쉽게 박리되도록 하는 자외선 경화형 다이싱 테이프의 제조방법이 사용되고 있다. (일본공개JP-P-2003-00028912, 대한민국공개KR-10-2005-0097979)The dicing tape refers to a tape used to fix a semiconductor wafer in a dicing process of forming a pattern on the semiconductor wafer in a semiconductor chip manufacturing process and cutting the individual chips into individual chips. In general, the assembling process of the semiconductor chip proceeds to a mounting process, a dicing process, and a pickup process. At this time, the semiconductor wafer is attached to the dicing tape to fix the semiconductor wafer to the dicing tape with a constant adhesive force. In the dicing process, the wafer attached to the dicing tape is cut into individual chips. Thereafter, the adhesive force of the dicing tape is reduced, and the individual chips are separated from the dicing tape in the pickup process and transferred to the next process. The dicing tape used in the above series of processes must be bonded to the semiconductor wafer with a constant adhesive force until the mounting and dicing process, and in the pick-up process, the adhesive force is reduced and the chip needs to be easily peeled from the dicing tape. do. To this end, in manufacturing a dicing tape, by applying an ultraviolet curable acrylic copolymer to one surface of the polymer base film to form an ultraviolet curable pressure sensitive adhesive layer, the mounting and dicing process is bonded to the semiconductor wafer with a constant adhesive force before the picking process. A method of manufacturing an ultraviolet curable dicing tape is used in which the adhesive force is significantly reduced when the ultraviolet rays are irradiated so that the chip is easily peeled from the dicing tape in the pickup process. (Japanese publication JP-P-2003-00028912, Korean publication KR-10-2005-0097979)
그러나 상기와 같은 자외선 경화형 다이싱 테이프는 기재 필름 및 점착체층이 모두 절연체로 구성되어 있기 때문에, 다이싱 테이프를 반도체 웨이퍼에 부착하고 박리하는 과정에서 상당량의 정전기가 발생하게 되며, 이로 인해 반도체 웨이퍼에 형성된 회로가 파괴되거나 이물이 흡착하여 웨이퍼 표면을 오염시키는 정전기 불량 이 발생할 가능성이 매우 높다. 예를 들어, 마운트 공정에서는 다이싱 테이프의 점착제층에 부착되어 있는 이형필름을 제거한 후, 이를 반도체 웨이퍼에 부착하게 되는데, 이 때 이형필름 제거시 다이싱 테이프의 점착제층에 높은 레벨의 정전기가 발생하게 되면 반도체 웨이퍼에 다이싱 테이프를 부착한 이후에도 정전기가 소멸되지 않고 남아 있기 때문에 이러한 정전기로 인해서 주위의 이물이 웨이퍼로 흡착되어 웨이퍼 표면이 이물에 의해 오염되는 불량이 발생하게 된다. 또한 칩 픽업공정에서 칩이 다이싱 테이프로부터 박리될 때에도 정전기가 발생하여 정전기 방전에 의해 칩 상의 회로가 파괴되는 정전기 불량이 발생하는 경우가 많다. However, since the base film and the pressure-sensitive adhesive layer are both made of an insulator, the ultraviolet curable dicing tape as described above generates a large amount of static electricity in the process of attaching and peeling the dicing tape to the semiconductor wafer. There is a high possibility of static electricity failure that causes the circuit formed or foreign matter to adsorb and contaminate the wafer surface. For example, in the mounting process, the release film attached to the adhesive layer of the dicing tape is removed and then attached to the semiconductor wafer. At this time, when the release film is removed, a high level of static electricity is generated in the adhesive layer of the dicing tape. In this case, even after the dicing tape is attached to the semiconductor wafer, the static electricity remains undissipated, and thus, due to the static electricity, foreign substances adsorbed to the wafer may cause defects in which the surface of the wafer is contaminated by foreign substances. In addition, in the chip pick-up process, even when the chip is peeled off from the dicing tape, static electricity is generated, which often causes static failure, in which a circuit on the chip is destroyed by the electrostatic discharge.
이와 같은 정전기 문제를 해결하기 위해, 공정 설비 내에 이오나이저와 같은 정전기 제거 장치를 설치함으로써 다이싱 테이프 또는 반도체 웨이퍼에 발생한 정전기를 이온 중화하는 방법이 사용되고 있다. 그러나 이러한 방법은 정전기를 이온 중화시키는데 적어도 수 초 또는 그 이상의 시간이 걸리기 때문에 순간적으로 높은 레벨로 정전기가 발생했다가 수 초 이내에 반도체 회로에 정전기가 방전되어 파괴되는 것을 효과적으로 방지하기가 불가능하다. 따라서 보다 근본적인 방법은 다이싱 테이프에 직접 대전방지 처리를 함으로써 다이싱 테이프를 사용하는 일련의 공정에서 정전기 발생 자체를 억제하는 것이다. In order to solve such an electrostatic problem, the method of ion neutralizing the static electricity which generate | occur | produced in the dicing tape or a semiconductor wafer by installing an electrostatic removal apparatus like an ionizer in process equipment is used. However, since this method takes at least a few seconds or more to ionize static electricity, it is impossible to effectively prevent static electricity from being generated at a high level at an instant and then discharging and destroying static electricity in a semiconductor circuit within a few seconds. Therefore, a more fundamental method is to restrain static electricity itself in a series of processes using dicing tapes by antistatic treatment directly on the dicing tape.
다이싱 테이프에 대전방지 처리를 하는 종래의 기술로는 기재필름의 점착면이 아닌 그 반대면에만 대전방지 처리를 한 점착테이프, 점착체층에만 계면활성제 또는 고분자형 대전방지제를 첨가 혼합한 점착테이프, 또는 기재 필름과 점착제층 사이에 대전방지층을 형성한 점착테이프가 사용될 수 있다. (일본공개 JP-P-2001- 00203831,일본공개JP-P-2000-183140, 대한민국특허출원KR-10-2002-0038279).Conventional techniques for antistatic treatment of dicing tapes include adhesive tapes having antistatic treatment only on the opposite side of the base film, adhesive tapes containing a surfactant or polymer type antistatic agent mixed only on the adhesive layer, Alternatively, an adhesive tape having an antistatic layer formed between the base film and the adhesive layer may be used. (Japanese Laid Open Patent Application JP-P-2001-00203831, Japanese Laid Open Patent Application JP-P-2000-183140, Korean Patent Application KR-10-2002-0038279).
상기 대전방지 다이싱 테이프 중 기재필름의 점착면이 아닌 반대면 에만 대전방지 처리를 하는 경우에는 반도체 웨이퍼와 실제로 접촉하는 다이싱 테이프의 점착제층에는 아무런 대전방지 처리가 되어 있지 않기 때문에, 대전방지 성능이 효과적이지 않다. 또한 점착제층에 대전방지제를 첨가 혼합하여 제조한 점착테이프의 경우, 대부분 대전방지제로서 계면활성제 타입이나 도전성 필러를 사용하게 되는데 상기와 같은 대전방지제를 사용하는 경우 여러 가지 문제점이 발생할 우려가 있다. 예를 들어 계면활성제 타입의 대전방지제를 사용하는 경우 대전방지 성능의 경시변화가 발생하여 일정시간이 경과한 후에 대전방지 성능이 소멸되거나 계면활성제가 반도체 웨이퍼 표면으로 전이되어 이온성 불순물로 인한 불량을 초래할 수 있으며, 또한 대전방지제로서 도전성 필러를 사용할 경우에도 다이싱 테이프의 점착물성을 저하시키거나 도전성 파티클로 인한 웨이퍼 표면오염이 문제가 될 수 있다. 다이싱 테이프의 기재필름과 점착제층 사이에 대전방지층을 형성한 경우에는 일부 대전방지 효과가 있기는 하지만, 점착제층에 대전방지 처리를 하지 않았기 때문에 점착제층에 발생한 정전기가 효과적으로 빠르게 소멸되지 못하여 대전방지 효과가 좋지 않다. 또한 점착제층에 아이디피 (inherent dissipative polymer) 라고 불리우는 고분자형 대전방지제는 대전방지 효과가 계면활성제 보다는 우수하지만 이 대전방지제는 정전기 발생 시 초기 충전 전압이 높아 일단 정전기가 발생되고 난 후에 소멸시키는 대전방지제이다. 이 경우 초기 충전 전압이 높으면 정전기 발생 초기에 발생된 정전압에 의해 반도체 소자가 이미 손상을 입을 가능성이 높아 최상의 대전 방지 능력을 보이지 못하는 단점이 있다. 이 경우 초기에 발생한 정전기가 발생하자마자 바로 소멸될 수 있도록 해야 최상의 대전방지 성능을 보일 수 있다.When the antistatic treatment is performed only on the opposite side of the antistatic dicing tape and not on the adhesive side of the base film, the antistatic treatment is not performed on the adhesive layer of the dicing tape that actually comes into contact with the semiconductor wafer. This is not effective. In addition, in the case of the pressure-sensitive adhesive tape prepared by adding and mixing the antistatic agent to the pressure-sensitive adhesive layer, a surfactant type or a conductive filler is used as the antistatic agent. However, when the antistatic agent is used as described above, various problems may occur. For example, in the case of using a surfactant type antistatic agent, a change in the antistatic performance occurs over time, and after a certain time, the antistatic performance disappears or the surfactant is transferred to the surface of the semiconductor wafer, thereby preventing defects caused by ionic impurities. In addition, when the conductive filler is used as an antistatic agent, the adhesiveness of the dicing tape may be lowered or wafer surface contamination due to the conductive particles may be a problem. When the antistatic layer is formed between the base film of the dicing tape and the pressure-sensitive adhesive layer, there is some antistatic effect, but since the antistatic treatment was not applied to the pressure-sensitive adhesive layer, the static electricity generated in the pressure-sensitive adhesive layer could not be effectively dissipated quickly. The effect is not good. In addition, the polymer type antistatic agent called inherent dissipative polymer in the pressure-sensitive adhesive layer has better antistatic effect than surfactant, but this antistatic agent has high initial charging voltage when static electricity is generated, and then it disappears after static electricity is generated. to be. In this case, when the initial charging voltage is high, there is a possibility that the semiconductor device is already damaged by the constant voltage generated at the initial stage of static electricity generation and thus does not show the best antistatic ability. In this case, as soon as the static electricity generated in the early days, it must be extinguished to achieve the best antistatic performance.
상기와 같은 문제점을 해결하고자, 본 발명은 반도체 웨이퍼 표면에 부착되어 사용되는 다이싱 테이프에 있어 전체적으로 우수한 대전방지 성능을 확보함은 물론 점착제 층으로부터 이물질이 웨이퍼 표면으로 전이되는 것을 방지하는 다이싱 테이프를 제공함을 목적으로 한다.In order to solve the above problems, the present invention is a dicing tape to ensure excellent antistatic performance as a whole in the dicing tape attached to the surface of the semiconductor wafer, as well as to prevent the transfer of foreign matter from the pressure-sensitive adhesive layer to the wafer surface. It is intended to provide.
또한 본 발명은 대전방지 성능이 경시변화 없이 안정적인 대전방지 성능을 구현하는 점착제층을 포함하는 다이싱 테이프를 제공함을 목적으로 한다. In addition, an object of the present invention is to provide a dicing tape comprising a pressure-sensitive adhesive layer that implements a stable antistatic performance without change over time.
본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 대전방지 다이싱 테이프는,In order to achieve the object of the present invention, the antistatic dicing tape of the present invention,
기재 필름;Base film;
상기 기재 필름의 일면 또는 양면에 전도성 고분자를 유효 성분으로 하여 형성된 영구 대전방지층; 및A permanent antistatic layer formed on one or both surfaces of the base film using a conductive polymer as an active ingredient; And
상기 기재 필름의 일면에 상기 대전방지층이 형성된 경우에는 타면에, 또는 상기 기재 필름의 양면에 상기 대전방지층이 형성된 경우에는 상기 하나의 대전방지층 위에, 금속염 화합물을 포함하여 형성된 자외선 경화형 대전방지 점착제층;An ultraviolet curable antistatic pressure-sensitive adhesive layer formed of a metal salt compound on the other surface when the antistatic layer is formed on one surface of the base film, or on the one antistatic layer when the antistatic layer is formed on both sides of the base film;
을 포함하는 것을 특징으로 한다.Characterized in that it comprises a.
즉, 본 발명의 대전방지 다이싱 테이프는 기재필름의 일 표면에 전도성 고분자를 유효 성분으로 하는 대전방지층을 형성하고, 그 반대면에 다시 금속염 화합물 을 포함하는 자외선 경화형 대전방지 점착제를 형성하여 제조되거나, 또는 기재필름의 양 표면에 전도성 고분자를 유효 성분으로 하는 대전방지층을 형성하고 상기 대전방지층의 어느 하나에 다시 금속염 화합물을 포함하는 자외선 경화형 대전방지 점착제를 형성하여 제조되는 것을 특징으로 한다. That is, the antistatic dicing tape of the present invention is prepared by forming an antistatic layer containing a conductive polymer as an active ingredient on one surface of the base film and forming an ultraviolet curable antistatic adhesive containing a metal salt compound on the opposite side thereof. Or forming an antistatic layer containing a conductive polymer as an active ingredient on both surfaces of the base film and forming an ultraviolet curable antistatic adhesive containing a metal salt compound on one of the antistatic layers.
이하 본 발명에 따른 대전방지 보호필름을 도면을 참조로 하여 각 층에서 사용한 조성물 및 제조방법에 대해 자세히 설명한다. Hereinafter, a composition and a manufacturing method used in each layer with reference to the antistatic protective film according to the present invention will be described in detail.
도 1 은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 대전방지 다이싱 테이프의 단면도를 나타내는 것으로, 본 발명에 따른 바람직한 예로서 본 발명의 사상을 설명하기 위하여 사용된 도면이다. 도 1의 대전방지 다이싱테이프(100)는 고분자 기재필름 (110)의 양 표면에 전도성 고분자를 유효성분으로 하는 대전방지층 (120)을 형성하고, 상기 대전방지층 위에 금속염 화합물을 아크릴 점착제에 혼합하여 형성한 대전방지 점착층 (130)이 적층되어 구성되어 있음을 도시하고 있다. 1 is a cross-sectional view of an antistatic dicing tape for a semiconductor wafer according to the present invention, which is used to explain the idea of the present invention as a preferred example according to the present invention. The
본 발명에서 고분자 기재필름(110)은 자외선 투과가 가능한 고분자 필름이면 모두 사용 가능한테, 대표적인 고분자 필름으로는 저밀도 폴리에틸렌, 선형 저밀도 폴리에틸렌, 극저밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 에틸렌-비닐 아세테이트 공중합체, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌 메틸(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌 에틸 (메타) 공중합체, 폴리비닐 클로라이 드, 비닐 클로라이드-비닐 아세테이트 공중합체, 에틸렌 비닐 클로라이드-비닐 아세테이트 공중합체, 아이오노머, 폴리우레탄, 폴리아미드, 폴리이미드, 스티렌-부타디엔계 공중합물 등의 그룹에서 선택된 단층 필름 또는 이들의 복층필름이 사용된다. 상기 기재의 고분자 필름의 두께는 제한되지는 않지만 바람직하게는 50 - 200 미크론의 두께를 갖는 필름을 사용할 수 있으며, 상기 기재필름의 표면은 그 위에 도포되는 층과의 접착력 증진을 위해 코로나 처리 또는 플라즈마 처리등과 같은 표면처리를 행할 수 있다. In the present invention, the
본 발명에서 전도성 고분자를 유효성분으로 하는 대전방지층(120)은 기재 필름의 한 면 또는 양 면에 전도성 고분자를 포함하는 대전방지 용액을 기재 필름에 도포한 후, 이를 건조함으로써 형성된다. 상기 대전방지 용액은 기본적으로 전도성 고분자 0.05 - 10 중량부, 유기 또는 무기 바인더 5 - 40 중량부 및 용매 50 - 94.95 중량부를 혼합하여 제조되며, 보다 바람직하기로는 상기 용액 100 중량부를 기준으로 증점제 0.5 - 5 중량부, 습윤제 0.1 - 3 중량부, 레벨링제 0.05 - 1 중량부, 자외선 안정제 0.1 - 5 중량부 및 분산제 1 - 5 중량부가 하나 이상 포함된다.In the present invention, the
상기 대전방지 용액에서 전도성 고분자는 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리티오펜 또는 이들의 유도체인 변성 전도성 고분자를 사용할 수 있다. 특히 폴리티오펜의 유도체인 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)은 다른 전도성 고분자에 비해 전기전도도가 안정하며 뛰어난 열안정성을 가지기 때문에 다이싱 테이프의 대전방지 재료로 사용하기에 매우 적합하다. In the antistatic solution, the conductive polymer may be a modified conductive polymer that is polyaniline, polypyrrole, polythiophene or derivatives thereof. In particular, poly (3,4-ethylenedioxythiophene), which is a derivative of polythiophene, is more suitable for use as an antistatic material for dicing tape because it has more stable electrical conductivity and superior thermal stability than other conductive polymers.
상기 유무기 바인더로는 우레탄기, 아크릴기, 에스터기, 에폭시기, 수산기, 비닐아세테이트기, 아마이드기, 이미드기, 말레인산 또는 무수말레인산 등의 관능기를 하나 이상 포함하는 유기 바인더 중에서 선택된 것으로 하나 또는 그 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. The organic-inorganic binder is selected from organic binders including at least one functional group such as urethane group, acrylic group, ester group, epoxy group, hydroxyl group, vinyl acetate group, amide group, imide group, maleic acid or maleic anhydride. Can be mixed and used.
또한 용매로는 물을 포함하여, 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜, 이소부틸알콜 등의 알콜 용매, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤 용매, 디에틸에테르, 디프로필에테르, 디부틸에테르등의 에테르 용매, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르등의 알콜 에테르 용매, N-메틸-2-피릴리디논, 2-피릴리디논, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드등의 아미드 용매, 디메틸술폭사이드, 디에틸술폭사이드등의 술폭사이드 용매, 디에틸술폰, 테트라메틸렌 술폰등의 술폰 용매, 아세토니트릴등의 니트릴 용매, 알킬아민, 시클릭 아민, 아로마틱 아민등의 아민 용매 및 톨루엔, 자일렌 등의 유기 용매 중에서 어느 하나 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.Examples of the solvent include water, alcohol solvents such as methyl alcohol, ethyl alcohol, isopropyl alcohol and isobutyl alcohol, ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and cyclohexanone, diethyl ether, Ether solvents such as dipropyl ether and dibutyl ether, alcohol ether solvents such as ethylene glycol, propylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether and ethylene glycol monobutyl ether, N-methyl-2-pyridyridone Amide solvents such as 2-pyridyridone, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, sulfoxide solvents such as dimethyl sulfoxide and diethyl sulfoxide, sulfone solvents such as diethyl sulfone and tetramethylene sulfone , Any one or two or more of a nitrile solvent such as acetonitrile, an amine solvent such as alkylamine, cyclic amine and aromatic amine, and an organic solvent such as toluene and xylene Can be used.
상기와 같은 방법으로 제조된 대전방지 용액은 전도성 고분자를 유효성분으로 하는 것으로 기재필름의 일면 또는 양면에 도포하여 건조함으로써 표면저항이 1E3 - 1E11 오움/면적인 대전방지층을 형성할 수 있다. 이 때 기재필름에 대전방지층을 형성하는 방법은 상기와 같이 대전방지 용액을 기존 공지에 의한 습식 코팅법, 예를 들어, 와이어바 코팅, 롤코팅, 스프레이, 그라비아 및 역그라비아 방법 등이 이용될 수 있다. 또한 전도성 고분자를 유효성분으로 하는 대전방지층을 형성함에 있어 전도성 고분자용 중합개시제 및 도펀트를 유무기 바인더와 혼합하여 기재필름에 먼저 코팅하고, 여기에 전도성 고분자용 단량체를 기체화하여 필름 표면에서 중합이 직접 일어나게 하는 기상중합법 또는 액상중합법을 통해 대전방지층을 형성할 수도 있다.The antistatic solution prepared by the method as described above may be formed by applying the conductive polymer as an active ingredient to one or both surfaces of the base film to dry, thereby forming an antistatic layer having a surface resistance of 1E3-1E11 ohm / area. At this time, the method for forming an antistatic layer on the base film may be used as the antistatic solution of the conventional coating method, such as wet bar coating, roll coating, spray coating, gravure and reverse gravure method according to the prior art. have. In addition, in forming the antistatic layer containing the conductive polymer as an active ingredient, the polymerization initiator and the dopant for the conductive polymer are mixed with an organic-inorganic binder and coated on the base film first, and the monomer for the conductive polymer is vaporized therein to polymerize on the surface of the film. The antistatic layer may be formed through vapor phase polymerization or liquid phase polymerization, which directly occurs.
자외선 경화형 대전방지 점착제층 (130)은 본 발명의 자외선 경화형 대전방지 점착 조성물을 상기의 대전방지층(120)위에 도포하여 건조함으로써 형성된다. 상기 자외선 경화형 대전방지 점착 조성물은 자외선 경화 가능한 아크릴계 공중합체를 주성분으로 하여 대전방지제로서 알칼리 금속염 및 알킬렌 옥사이드 화합물을 포함하는 것으로 구성되는데, 보다 자세하게는 (1) 아크릴계 공중합체 75 - 99.45 중량부, (2) 알칼리 금속염 0.05 - 5 중량부 및 (3) 알킬렌 옥사이드 화합물 0.5 - 20 중량부을 포함하는 것으로 구성된다. The ultraviolet curable antistatic
상기 아크릴계 공중합체는 기존 공지와 같이 자외선 조사에 의해 가교되어 3차원 망목구조를 형성할 수 있는 화합물로서 주사슬에 자외선 경화 가능한 탄소-탄소 이중결합을 함유하는 (메타)아크릴산 에스테르를 주된 구성 단위로 하는 중합체 또는 공중합체가 사용된다. 상기 아크릴계 공중합체는 점착력이나 응집력을 제어하기 위해 아크릴산 또는 메타크릴산과 같은 카르복시기를 함유하는 화합물을 공중합체로 형성할 수 있으며, 이러한 상기 아크릴계 공중합체의 예로는 우레탄 아크릴레 이트, 에폭시 아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트, 폴리에테르 아크릴레이트, (메타)아크릴산의 올리고머등이 있으며, 그 중에서도 우레탄 아크릴레이트가 특히 바람직하다. 상기 아크릴계 공중합체는 가교제를 사용하여 점착력과 응집력을 원하는 데로 조절할 수 있는데, 이러한 가교제로는 이소시아네이트계 화합물, 에폭시계 화합물, 아질리딘 화합물, 킬레이트 화합물을 사용할 수 있으며, 상기 가교제의 함유량은 아크릴계 공중합체 100 중량부를 기준으로 1-10 중량부의 범위에서 사용가능하다.The acryl-based copolymer is a compound capable of forming a three-dimensional network structure by crosslinking by ultraviolet irradiation as conventionally known, and the (meth) acrylic acid ester containing an ultraviolet curable carbon-carbon double bond in the main chain as a main structural unit. Polymers or copolymers are used. The acrylic copolymer may form a compound containing a carboxyl group such as acrylic acid or methacrylic acid in order to control adhesion or cohesion, and examples of the acrylic copolymer include urethane acrylate, epoxy acrylate and poly Ester acrylates, polyether acrylates, oligomers of (meth) acrylic acid, and the like, and urethane acrylates are particularly preferred. The acrylic copolymer can be adjusted to the desired adhesive strength and cohesion by using a crosslinking agent, such an isocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, a chelate compound can be used, the content of the crosslinking agent is an acrylic air It can be used in the range of 1-10 parts by weight based on 100 parts by weight of the coalescing.
또한 자외선 경화 후에 점착성의 저감효과를 증진시키기 위해서 상기 아크릴계 공중합체에 탄소-탄소 이중결합을 적어도 하나이상 포함하는 광중합성 단량체를 혼합하여 사용할 수 있다. 이러한 광중합성 단량체의 예로는 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트등을 사용할 수 있다. 상기 광중합성 단량체의 함유량은 아크릴계 공중합체에 100 중량부에 대해 1-30 중량부의 범위로 사용될 수 있다.In addition, in order to enhance the adhesiveness reduction effect after the ultraviolet curing, a photopolymerizable monomer including at least one carbon-carbon double bond may be mixed with the acrylic copolymer. Examples of such photopolymerizable monomers are trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol Diacrylate, 1, 6-hexanediol diacrylate, polyethyleneglycol diacrylate, etc. can be used. The content of the photopolymerizable monomer may be used in the range of 1-30 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer.
상기 아크릴계 공중합체에는 자외선 조사시 점착조성물의 광경화반응을 유도하기 위해 부성분으로서 광중합 개시제를 사용하게 되는데, 이러한 광개시제로는 벤조인, 벤조일메틸에테르, 벤조일에틸에테르, 벤조일이소프로필에테르,벤조일이소부틸에테르, 벤조페논, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조 비스이소부티로니트릴, 벤질, 디아세틸등을 들 수 있다. 이들 광개시제의 배합량은 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대해서 0.01 - 10 중량부가 바람직하다. In the acryl-based copolymer, a photopolymerization initiator is used as a subcomponent to induce photocuring reaction of the pressure-sensitive adhesive composition upon irradiation with ultraviolet rays. As the photoinitiator, benzoin, benzoyl methyl ether, benzoyl ethyl ether, benzoyl isopropyl ether, and benzoyl isobutyl Ether, benzophenone, benzyl diphenyl sulfide, tetramethyl thiuram monosulfide, azo bisisobutyronitrile, benzyl, diacetyl, etc. are mentioned. As for the compounding quantity of these photoinitiators, 0.01-10 weight part is preferable with respect to 100 weight part of acrylic copolymers.
상기 아크릴계 공중합체에 대전방지 성능을 부여하기 위한 대전방지제로는 알칼리 금속염과 알킬렌 옥사이드 화합물을 사용한다. 상기의 알칼리 금속염과 알킬렌 옥사이드 화합물을 아크릴계 공중합체에 첨가 혼합하게 되면 알칼리 이온들이 해리되어 아크릴계 공중합체에 이온 전도성을 부여하는 역할을 하게 된다. 이 때 알칼리 금속염은 리튬염, 나트륨염 및 칼륨염으로서 예를 들면, 과염소산 리튬 (LiClO4), 과염소산 나트륨 (NaClO4), 과염소산칼륨 (KClO4), 리튬헥사플루오로알세네이트 (LiASF6), 리튬테트라플루오로보레이트 (LiBF4), 리튬헥사플루오로포스페이트 (LiPF6), 트리플루오로메탄설폰산리튬 (LiCF3SO3), 비스(트리플루오로메탄설포닐)이미드리튬 (LiN(CF3SO2)2), 트리스(트리플루오로메탄설포닐)메티드리튬 (LiC(CF3SO2)3) 등이 있으며, 이를 2종 이상 혼합하여 사용하는 것도 가능하다. 상기 알칼리 금속염은 이온 해리하여 이온전도를 나타내는 물질로 이의 함량이 너무 작으면 대전 방지 성능이 떨어지고 또한 많으면 대전방지 성능의 증가가 둔해지며 오히려 점착성능을 저하시킬 우려가 있어 0.05 중량부 내지 5 중량부 사이에서 사용하는 것이 바람직하다. 또한 상기 알킬렌 옥사이드 화합물은 모노머, 올리고머 및 폴리머의 형태로서 예를 들어, 폴리옥시에틸렌, 폴리옥시프로필렌 등의 폴리알 킬렌옥사이드 및 이의 공중합체, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜등의 폴리알킬렌옥사이드글리콜 및 이의 공중합체, 비스[2-(2부톡시에톡시)에틸]아디페이트, 비스(2-부톡시에틸)프탈레이트 등의 가소제등을 들 수 있으며, 이를 2종 이상 혼합사용하는 것도 가능하다. 상기 화합물은 알칼리 금속염으로부터 해리된 알칼리 양이온이 알킬렌 옥사이드에 포함되어 있는 산소의 비공유 전자쌍에 배위함으로써 효율적인 이온전도를 나타내게 해주는 역할을 하는 것으로, 알칼리 금속염을 용해하여 이온전도가 가능하게 하는 것이면 모두 사용가능하다. An alkali metal salt and an alkylene oxide compound are used as an antistatic agent for imparting antistatic performance to the acrylic copolymer. When the alkali metal salt and the alkylene oxide compound are added to and mixed with the acrylic copolymer, alkali ions are dissociated and serve to impart ion conductivity to the acrylic copolymer. Alkali metal salts are lithium salts, sodium salts and potassium salts, for example lithium perchlorate (LiClO 4 ), sodium perchlorate (NaClO 4 ), potassium perchlorate (KClO 4 ), lithium hexafluoroacenate (LiASF 6 ), Lithium tetrafluoroborate (LiBF 4 ), lithium hexafluorophosphate (LiPF 6 ), lithium trifluoromethanesulfonate (LiCF 3 SO 3 ), bis (trifluoromethanesulfonyl) imide lithium (LiN (CF 3 SO 2 ) 2 ), tris (trifluoromethanesulfonyl) methedritium (LiC (CF 3 SO 2 ) 3 ), and the like, which may be used by mixing two or more kinds thereof. The alkali metal salt is a substance showing ion conduction by dissociating ions, and if the content thereof is too small, the antistatic performance is lowered. If the alkali metal salt is too large, the increase in antistatic performance is slowed. It is preferable to use between. In addition, the alkylene oxide compound in the form of monomers, oligomers and polymers, for example, polyalkylene oxides such as polyoxyethylene, polyoxypropylene and copolymers thereof, polyalkylene oxide glycol such as polyethylene glycol, polypropylene glycol And plasticizers such as copolymers thereof, bis [2- (2butoxyethoxy) ethyl] adipate, bis (2-butoxyethyl) phthalate, and the like. The compound serves to show efficient ion conductivity by coordinating an alkali cation dissociated from an alkali metal salt to a non-covalent electron pair of oxygen contained in the alkylene oxide, and is used as long as it dissolves the alkali metal salt to enable ion conductivity. It is possible.
본 발명의 자외선 경화형 대전방지 점착제층은 다양한 방법으로 제조될 수 있다. 예를 들면, 상기 대전방지 점착제 조성물을 롤 코팅, 그라비아 코팅, 역그라비아 코팅, 다이코팅등에 의해 대전방지층이 형성된 기재 필름에 직접 도포하고 건조시켜 형성할 수도 있고, 상기 점착제층을 별도로 미리 이형필름에 형성한 후 이를 대전방지층이 형성된 기재필름에 라미네이팅시켜 이형필름을 제거하는 방식으로 제조할 수도 있다. The ultraviolet curable antistatic adhesive layer of the present invention may be prepared by various methods. For example, the antistatic pressure-sensitive adhesive composition may be formed by directly applying and drying the antistatic layer on a base film having an antistatic layer formed by roll coating, gravure coating, reverse gravure coating, die coating, or the like. After forming, it may be manufactured by laminating the base film on which the antistatic layer is formed to remove the release film.
상술된 기술은 주로 기재필름의 양면에 전도성 고분자를 유효 성분으로 하는 대전방지층을 형성한 후, 상기 필름의 대전방지층의 한 면에 대전방지 점착제를 형성하는 기술로 주로 설명하였다. 그러나 본 발명은 기재 필름의 한 면에만 전도성 고분자를 유효성분으로 하는 대전방지층을 형성하고 다시 상기 기재필름의 대전방지층이 형성된 반대면에 상술한 대전방지 점착제층(130)을 형성하여 대전방지 다이 싱 테이프를 제조 사용할 수 있다. 즉 전도성 고분자를 유효성분으로 하는 대전방지층이 기재필름의 일면에만 형성된 경우에는 상기 점착제층은 금속염등을 이용하여 대전방지 처리가 되므로 기재의 점착제층과 반대면에 모두 대전방지처리가 되어 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 달성될 수 있다. 그러나 바람직하게는 전도성 고분자를 유효성분으로 하는 대전방지층이 기재필름의 양면에 형성되고 다시 그 위에 상술된 대전방지 점착제가 형성되는 것이 대전방지 효과면에서 더 우수하여 바람직하다.The above-described technology was mainly described as a technique of forming an antistatic layer on one side of the antistatic layer of the film after forming an antistatic layer containing the conductive polymer as an active ingredient on both sides of the base film. However, the present invention forms an antistatic layer containing the conductive polymer as an active ingredient only on one side of the base film, and then forms the antistatic
이하 본 발명의 대전방지 다이싱 테이프를 비교예 및 실시예를 통해 보다 상세히 설명하고자 하나, 하기 실시예는 본 발명을 설명하기 위한 예시일 뿐 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니다.Hereinafter, the antistatic dicing tape of the present invention will be described in more detail with reference to Comparative Examples and Examples, but the following Examples are only illustrative for describing the present invention, but are not intended to limit the scope of the present invention.
<비교예 1> Comparative Example 1
비교예 1은 두께 100 μm의 메탈로센 촉매법으로 제조된 폴리에틸렌 필름을 기재필름으로 하여, 기재필름의 일면에 부틸아크릴레이트/메틸메타아크릴레이트/2-히드록시에틸 아크릴레이트 (75/20/5 중량비율) 공중합체 100 중량부에 다관능 이소시아네이트 화합물 1.5 중량부, 광중합 개시제 2 중량부를 혼합한 점착제 조성물을 도포하여 대전방지 처리가 전혀 안된 다이싱 테이프를 제조하였다.In Comparative Example 1, a polyethylene film prepared by a metallocene catalyst method having a thickness of 100 μm was used as a base film, and butyl acrylate / methyl methacrylate / 2-hydroxyethyl acrylate (75/20 / 5 weight ratio) The adhesive composition which mixed 1.5 weight part of polyfunctional isocyanate compounds and 2 weight part of photoinitiators was apply | coated to 100 weight part of copolymers, and the dicing tape which did not have antistatic treatment was produced at all.
< 비교예 2><Comparative Example 2>
비교예 2는 두께 100 μm의 메탈로센 촉매법으로 제조된 폴리에틸렌 필름을 기재필름으로 하여, 일면에 부틸아크릴레이트/메틸메타아크릴레이트/2-히드록시에틸 아크릴레이트 (75/20/5 중량비율) 공중합체 100 중량부에 다관능 이소시아네이트 화합물 1.5 중량부, 광중합 개시제 2 중량부를 혼합하여 제조한 점착제에 대전방지 성분으로 양이온 계면활성제인 4급 암모늄염을 8 중량부를 더 혼합하여 제조한 자외선 경화형 점착제 조성물을 두께 10 μm로 도포하여 다이싱 테이프를 제조하였다.In Comparative Example 2, a polyethylene film prepared by a metallocene catalyst method having a thickness of 100 μm was used as a base film, and butyl acrylate / methyl methacrylate / 2-hydroxyethyl acrylate (75/20/5 weight ratio on one surface). UV curable pressure-sensitive adhesive composition prepared by further mixing 8 parts by weight of a quaternary ammonium salt, a cationic surfactant, as an antistatic component to an adhesive prepared by mixing 1.5 parts by weight of a polyfunctional isocyanate compound and 2 parts by weight of a photopolymerization initiator to 100 parts by weight of a copolymer. Was applied to a thickness of 10 μm to prepare a dicing tape.
< 비교예 3><Comparative Example 3>
비교예 3은 두께 100 μm의 메탈로센 촉매법으로 제조된 폴리에틸렌 필름을 기재필름으로 하여, 전도성 고분자를 유효성분으로 하는 대전방지층은 형성하지 않고 기재필름의 일면에 실시예 1에 따른 대전방지 자외선 경화형 점착제 조성물을 두께 10 μm로 도포하여 다이싱 테이프를 제조하였다.Comparative Example 3 is an antistatic ultraviolet ray according to Example 1 on one side of the base film without forming an antistatic layer containing a conductive polymer as an active material, the polyethylene film prepared by a metallocene catalyst method of 100 μm thickness as a base film A dicing tape was prepared by applying a curable pressure-sensitive adhesive composition to a thickness of 10 μm.
<비교예 4><Comparative Example 4>
비교예 4는 두께 100 μm의 메탈로센 촉매법으로 제조된 폴리에틸렌 필름을 기재필름으로 하여, 기재필름의 양면에 실시예 1에 따른 대전방지층을 형성하고 다시 그 일면에는 대전방지 성분이 혼합되지 않은 자외선 경화형 점착제 조성물을 두께 10 μm로 도포하여 다이싱 테이프를 제조하였다.In Comparative Example 4, a polyethylene film manufactured by a metallocene catalyst method having a thickness of 100 μm was used as a base film, and the antistatic layer according to Example 1 was formed on both sides of the base film, and the antistatic component was not mixed on one surface thereof. The ultraviolet curable adhesive composition was apply | coated in thickness of 10 micrometers, and the dicing tape was manufactured.
<실시예 1><Example 1>
두께 100 μm의 메탈로센 촉매법으로 제조된 폴리에틸렌 필름을 기재필름으로 하여, 기재필름의 일면에는 전도성 고분자를 유효성분으로 하는 대전방지층을 두께 0.1 μm로 형성하고, 상기 필름의 다른 일면에는 대전방지 성능이 부여된 자외선 경화형 점착제 조성물을 두께 10 μm로 형성하여, 본 발명의 자외선 경화형 대전방지 다이싱 테이프를 제조하였다.Using a polyethylene film prepared by a metallocene catalyst method having a thickness of 100 μm as a base film, an antistatic layer containing a conductive polymer as an active ingredient is formed on one side of the base film to a thickness of 0.1 μm, and the other side of the film is antistatic The ultraviolet curable adhesive composition to which performance was given was formed in thickness of 10 micrometers, and the ultraviolet curable antistatic dicing tape of this invention was manufactured.
(전도성 고분자를 유효성분으로 하는 대전방지 코팅용액의 제조) (Preparation of antistatic coating solution using conductive polymer as active ingredient)
대전방지 코팅용액은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 수분산액 (Baytron PH, 독일 H.C. Stark) 4 중량부, 우레탄계 바인더 (Neorez R-986, AVECIA사) 19 중량부, 에틸렌글리콜 1 중량부, N-메틸-2-피롤리디논 0.5 중량부를 물/이소프로필알콜 (25/75) 혼합용매 75.5 중량부에 혼합하여 제조하였으며, 이를 바코터를 이용하여 기재필름 양면에 코팅한 후, 80 도의 온도에서 2 분간 건조함으로써 0.1 미크론의 두께를 갖는 대전방지층을 형성하였다. The antistatic coating solution is 4 parts by weight of an aqueous dispersion of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (Baytron PH, HC Stark, Germany), 19 parts by weight of a urethane binder (Neorez R-986, AVECIA), 1 part by weight of ethylene glycol , 0.5 parts by weight of N-methyl-2-pyrrolidinone was prepared by mixing 75.5 parts by weight of a mixed solvent of water / isopropyl alcohol (25/75), which was coated on both sides of the base film using a bar coater, followed by 80 degrees. Drying at temperature for 2 minutes yielded an antistatic layer having a thickness of 0.1 micron.
(대전방지 성능이 부여된 자외선 경화형 점착제 조성물의 제조)(Preparation of UV-curable pressure-sensitive adhesive composition given antistatic performance)
대전방지 점착제층을 형성하기 위한 점착제는 통상적인 방법에 의해 부틸아크릴레이트/메틸메타아크릴레이트/2-히드록시에틸 아크릴레이트 (75/20/5 중량비율) 공중합체 100 중량부에 다관능 이소시아네이트 화합물 1.5 중량부, 광중합 개시제 2 중량부를 혼합하여 제조하였다. 상기 점착제에 대전방지 성능을 부여하기 위하여 비스(트리플루오로메탄설포닐)이미드리튬 (LiN(CF3SO2)2) / 폴리에틸렌글리콜 (PEG)가 40/60으로 혼합되어 제조한 리튬염 함유 유기화합물을 상기 점착제 100 중량부에 대해 1 중량부 혼합하여 제조하였다. The adhesive for forming an antistatic adhesive layer is a polyfunctional isocyanate compound in 100 parts by weight of butyl acrylate / methyl methacrylate / 2-hydroxyethyl acrylate (75/20/5 weight ratio) copolymer by a conventional method. It was prepared by mixing 1.5 parts by weight and 2 parts by weight of the photopolymerization initiator. Lithium salt prepared by mixing bis (trifluoromethanesulfonyl) imide lithium (LiN (CF 3 SO 2 ) 2 ) / polyethylene glycol (PEG) at 40/60 to impart antistatic performance to the pressure-sensitive adhesive An organic compound was prepared by mixing 1 part by weight based on 100 parts by weight of the pressure-sensitive adhesive.
<실시예 2><Example 2>
실시예 2는 대전방지 성능이 부여된 자외선 경화형 점착제 조성물을 제조함에 있어, 리튬염 함유 유기화합물을 점착제 100 중량부에 대해 3 중량부 혼합한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하다.Example 2 is the same as in Example 1, except that 3 parts by weight of the lithium salt-containing organic compound is mixed with respect to 100 parts by weight of the pressure-sensitive adhesive composition to give an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive composition imparted antistatic performance.
<실시예 3><Example 3>
실시예 3은 대전방지 성능이 부여된 자외선 경화형 점착제 조성물을 제조함에 있어, 리튬염 함유 유기화합물을 점착제 100 중량부에 대해 5 중량부 혼합한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하다.Example 3 is the same as in Example 1, except that 5 parts by weight of the lithium salt-containing organic compound is mixed with respect to 100 parts by weight of the pressure-sensitive adhesive composition to give a UV-curable pressure-sensitive adhesive composition imparted antistatic performance.
<실시예 4><Example 4>
두께 100 μm의 메탈로센 촉매법으로 제조된 폴리에틸렌 필름을 기재필름으로 하여, 기재필름의 양면을 전도성 고분자를 유효성분으로 하는 대전방지층을 두께 0.1 μm로 형성한 후, 상기 대전방지층이 형성된 필름의 일면에 다시 대전방지 성능이 부여된 자외선 경화형 점착제 조성물을 두께 10 μm로 형성하여, 본 발명의 자외선 경화형 대전방지 다이싱 테이프를 제조하였다. 이 때 전도성 고분자를 유효성분으로 하는 대전방지 코팅용액과 대전방지 성능이 부여된 자외선 경화형 점착제 조성물의 제조방법은 실시예 1과 동일하다.After forming a polyethylene film manufactured by a metallocene catalyst method having a thickness of 100 μm as a base film, and forming an antistatic layer having a conductive polymer as an active ingredient on both sides of the base film to a thickness of 0.1 μm, the film having the antistatic layer formed thereon An ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive composition provided with antistatic performance on one surface was formed to a thickness of 10 μm, thereby manufacturing an ultraviolet curable antistatic dicing tape of the present invention. At this time, the antistatic coating solution containing the conductive polymer as an active ingredient and the method of manufacturing the UV curable pressure-sensitive adhesive composition given antistatic performance are the same as in Example 1.
<실시예 5><Example 5>
실시예 2는 자외선 경화형 점착제 조성물에 포함되는 리튬염 함유 유기화합물을 점착제 100 중량부에 대해 3 중량부 혼합한 것을 제외하고는 실시예 4와 동일 하다.Example 2 is the same as Example 4, except that 3 parts by weight of the lithium salt-containing organic compound included in the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive composition is mixed with respect to 100 parts by weight of the pressure-sensitive adhesive.
<실시예 6><Example 6>
실시예 3은 자외선 경화형 점착제 조성물에 포함되는 리튬염 함유 유기화합물을 점착제 100 중량부에 대해 5 중량부 혼합한 것을 제외하고는 실시예 4과 동일하다.Example 3 is the same as Example 4, except that 5 parts by weight of the lithium salt-containing organic compound included in the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive composition is mixed with respect to 100 parts by weight of the pressure-sensitive adhesive.
(물성의 평가)(Evaluation of physical property)
* 표면저항의 측정:* Measurement of surface resistance:
다이싱 테이프의 점착면 및 그 배면의 표면저항을 표면저항 측정기 (Simco사 ST-3)를 이용하여 측정하였다. The adhesive surface of the dicing tape and the surface resistance of the back surface were measured using the surface resistance measuring instrument (ST-3 by Simco company).
* 박리 대전압의 측정:* Measurement of peeling electrification voltage:
다이싱 테이프를 실리콘 웨이퍼 미러면에 고무롤러를 이용하여 압착시킨 후, 다시 박리제거할 때 반도체 웨이퍼에 발생하는 전압을 Fieldmeter (Simco사, FMX-002)를 이용하여 측정하였다. After the dicing tape was pressed onto the silicon wafer mirror surface using a rubber roller, the voltage generated on the semiconductor wafer when peeled off was again measured using a fieldmeter (Simco, FMX-002).
* 전압 감쇄시간의 측정:* Measurement of voltage decay time:
다이싱 테이프에 1 kV의 전압을 인가한 후, 전압이 100 V로 감쇄할 때까지의 시간을 Charge Plate Monitor (CPM, Monroe사)를 이용하여 측정하였다.After applying a voltage of 1 kV to the dicing tape, the time until the voltage was reduced to 100 V was measured using a Charge Plate Monitor (CPM, Monroe).
* 점착력의 측정:* Measurement of adhesive force:
다이싱 테이프를 실리콘 웨이퍼 미러면에 고무롤러를 이용하여 압착시킨 후, 이를 박리시험기를 이용하여 박리각 180도, 박리속도 300 mm/min가 되도록 박리제 거할 때의 초기 점착력을 측정하였다. 또한 다이싱 테이프가 반도체 웨이퍼에 합착된 상태에서 약 600 mJ로 UV를 조사한 후의 점착력을 상기와 같은 방법에 따라 측정하였다.After the dicing tape was pressed onto the silicon wafer mirror surface using a rubber roller, the initial adhesive force at the time of removing the peeling agent was measured using a peeling tester so that the peeling angle was 180 degrees and the peeling rate was 300 mm / min. Moreover, the adhesive force after irradiating UV at about 600 mJ in the state which adhered to the semiconductor wafer with the dicing tape was measured according to the above method.
* 웨이퍼 표면오염의 평가:* Evaluation of wafer surface contamination:
다이싱 테이프를 100 mm x 100 mm로 하여 실리콘 웨이퍼 미러면에 부착한 후, 온도 40도, 상대습도 50%에 1일간 방치한 후, 보호필름을 편광필름에서 박리하여 편광필름의 상태를 하기의 기준에 의해 육안으로 확인 평가하였다. After attaching the dicing tape to the silicon wafer mirror surface at 100 mm x 100 mm, and leaving it at a temperature of 40 degrees and a relative humidity of 50% for 1 day, the protective film was peeled off from the polarizing film to obtain the state of the polarizing film. It confirmed and evaluated visually by the reference | standard.
○: Bleed-out이 전혀 확인되지 않으며, 사용상 문제가 없는 경우○: Bleed-out is not checked at all, and there is no problem in use
△: Bleed-out이 약간 확인되지만, 사용상 문제가 없는 경우△: Bleed-out is slightly confirmed, but there is no problem in use
x : Bleed-out이 상당히 확인되며, 사용상 문제가 있는 경우 x: The bleed-out is checked considerably and there is a problem in use
표 1.Table 1.
상기 실시예의 결과를 통해 본 발명의 대전방지 다이싱 테이프는 박리대전압 및 감쇄시간이 매우 낮게 측정되어 정전기 방지 성능이 우수함을 알 수 있다. The antistatic dicing tape of the present invention through the results of the above embodiment can be seen that the anti-static voltage and the decay time is measured very low and excellent in antistatic performance.
표 2.Table 2.
상기 결과에서 비교예 1의 경우는 대전방지 처리가 전혀 안되어 있는 다이싱 테이프의 경우로 다이싱 테이프 박리시 높은 레벨의 정전기가 발생함으로 알 수 있으며, 비교예 2는 자외선 경화형 점착제에 계면활성제 타입의 대전방지제를 혼합한 것으로 대전방지제를 점착제에 혼합하게 되면 점착제의 물성이 저하되어 점착제 이물이 반도체 웨이퍼에 남는 현상이 발생함으로 알 수 있다. 또한 비교예 3의 경우에는 전도성 고분자를 유효성분으로 하는 대전방지층은 형성하지 않은 채 점착제층에만 금속염 화합물은 혼합한 것으로 박리대전압 및 감쇄시간이 줄어들긴 하지만 그 효과가 크지 않음을 알 수 있다. In the above results, Comparative Example 1 is a case of a dicing tape that is not at all antistatic treatment, it can be seen that a high level of static electricity occurs when peeling the dicing tape, Comparative Example 2 is a surfactant type of UV curable pressure-sensitive adhesive When the antistatic agent is mixed with the pressure-sensitive adhesive by mixing the antistatic agent, the physical properties of the pressure-sensitive adhesive may be deteriorated, and the phenomenon that the pressure-sensitive adhesive foreign material remains on the semiconductor wafer may occur. In addition, in Comparative Example 3, the metal salt compound was mixed only in the pressure-sensitive adhesive layer without forming the antistatic layer containing the conductive polymer as an active ingredient, but the peeling voltage and the decay time were reduced, but the effect was not great.
본 발명에 따라 제조된 대전방지용 다이싱 테이프는 상기 다이싱 테이프를 반도체 웨이퍼 표면에 부착하고 제거하는 일련의 공정에서 정전기 발생이 거의 없거나 일부 발생하더라도 곧바로 소멸되기 때문에 우수한 대전방지 성능을 나타낸다. 본 발명의 기술을 이용하면 종래의 자외선 경화형 다이싱 테이프의 점착특성은 그대로 유지하면서 월등히 우수한 정전기 방지 성능을 부여할 수 있기 때문에 정전기로 인한 이물흡착 및 회로의 파괴와 같은 불량문제를 효과적으로 제어할 수 있다. The antistatic dicing tape prepared according to the present invention exhibits excellent antistatic performance because the dicing tape is immediately extinguished even if little or no static electricity is generated in a series of processes of attaching and removing the dicing tape to the semiconductor wafer surface. By using the technique of the present invention, it is possible to give excellent antistatic performance while maintaining the adhesion characteristics of the conventional UV-curable dicing tape as it can effectively control the defect problems such as foreign matter adsorption and circuit breakdown caused by static electricity. have.
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060053457A KR100807910B1 (en) | 2006-06-14 | 2006-06-14 | Antistatic Dicing Tape for Semiconductor Wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060053457A KR100807910B1 (en) | 2006-06-14 | 2006-06-14 | Antistatic Dicing Tape for Semiconductor Wafer |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070086318A Division KR20070119584A (en) | 2007-08-27 | 2007-08-27 | Antistatic dicing tape for semiconductor wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070119182A true KR20070119182A (en) | 2007-12-20 |
| KR100807910B1 KR100807910B1 (en) | 2008-02-27 |
Family
ID=39137546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060053457A KR100807910B1 (en) | 2006-06-14 | 2006-06-14 | Antistatic Dicing Tape for Semiconductor Wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100807910B1 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101043432B1 (en) | 2009-05-04 | 2011-06-22 | (주)코스탯아이앤씨 | The carrier tape which has a capacity resistance price |
| KR20160130804A (en) * | 2014-03-07 | 2016-11-14 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Mold release film, method for manufacturing same, and method for manufacturing semiconductor package |
| KR20190071567A (en) * | 2017-12-14 | 2019-06-24 | 주식회사 엘지화학 | Dicing die-bonding film |
| KR20210098029A (en) * | 2020-01-31 | 2021-08-10 | 주식회사 케이비엘러먼트 | Dicing tape and manufacturing method for the same |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101103407B1 (en) * | 2008-12-24 | 2012-01-05 | 제일모직주식회사 | Adhensive composition for semiconductor device and multi-layer adhensive film consisting of the same |
| US11502272B2 (en) | 2017-10-23 | 2022-11-15 | Lg Chem, Ltd. | Optical film having antistatic layers, optical film preparation method and organic light-emitting electronic device preparation method |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000129235A (en) * | 1998-10-27 | 2000-05-09 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | Antistatic pressure-sensitive adhesive composition |
| KR100390527B1 (en) | 2001-06-26 | 2003-07-04 | 서광석 | Method for Producing Antistatic Layer on The Surface of Adhesive Tapes and Adhesive Tapes thereby |
| KR100624525B1 (en) * | 2003-10-15 | 2006-09-18 | 서광석 | Antistatic pressure sensitive or adhesive tapes and producing method thereof |
| KR101075410B1 (en) * | 2004-06-10 | 2011-10-24 | 코오롱인더스트리 주식회사 | High temperature resistance adhesive composition and adhesive tape thereof |
-
2006
- 2006-06-14 KR KR1020060053457A patent/KR100807910B1/en not_active IP Right Cessation
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| KR101043432B1 (en) | 2009-05-04 | 2011-06-22 | (주)코스탯아이앤씨 | The carrier tape which has a capacity resistance price |
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| US11404301B2 (en) | 2017-12-14 | 2022-08-02 | Lg Chem, Ltd. | Dicing die-bonding film |
| KR20210098029A (en) * | 2020-01-31 | 2021-08-10 | 주식회사 케이비엘러먼트 | Dicing tape and manufacturing method for the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100807910B1 (en) | 2008-02-27 |
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Legal Events
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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| GRNT | Written decision to grant | ||
| G170 | Publication of correction | ||
| FPAY | Annual fee payment |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
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|
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