KR20070115029A - Method of removing wafer edge bead and apparatus for the same - Google Patents

Method of removing wafer edge bead and apparatus for the same Download PDF

Info

Publication number
KR20070115029A
KR20070115029A KR1020060048808A KR20060048808A KR20070115029A KR 20070115029 A KR20070115029 A KR 20070115029A KR 1020060048808 A KR1020060048808 A KR 1020060048808A KR 20060048808 A KR20060048808 A KR 20060048808A KR 20070115029 A KR20070115029 A KR 20070115029A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
thinner
supply nozzle
air
air supply
Prior art date
Application number
KR1020060048808A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김경호
장영철
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020060048808A priority Critical patent/KR20070115029A/en
Publication of KR20070115029A publication Critical patent/KR20070115029A/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/2026—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
    • G03F7/2028—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction of an edge bead on wafers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

A method for removing a wafer edge bead and an apparatus for performing the same are provided to remove rapidly a thinner by using a first air supply nozzle and a second air supply nozzle. A method for removing a wafer edge bead includes a process for rotating a wafer having a photoresist layer, a process for removing the photoresist layer from an edge of a wafer by supplying a thinner to the edge of the wafer, and a process for removing the thinner from the edge of the wafer by supplying the air to the edge of the wafer. A rotary chuck(102) is formed to support and rotate the wafer having the photoresist layer. A thinner supply units(110,120) are formed at an upper part of the rotary chuck and supplies the thinner to the edge of the wafer in order to remove the photoresist layer. An air supply unit(130,140) removes the thinner supplied to the edge of the wafer.

Description

웨이퍼 에지 비드 제거 방법 및 이를 수행하기 위한 장치{Method of removing wafer edge bead and apparatus for the same}Method for removing wafer edge beads and apparatus for performing the same {Method of removing wafer edge bead and apparatus for the same}

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 비드 제거 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view for explaining a wafer edge bead removal device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 비드 제거 방법을 설명하기 위한 순서도이다.2 is a flowchart illustrating a wafer edge bead removal method according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 웨이퍼 에지 비드 제거 장치 100 : 공정 챔버10: wafer edge bead removal device 100: process chamber

102 : 회전척 104 : 회전축102: rotation chuck 104: rotation axis

106 : 구동부 110 : 제1 시너 공급 유닛106: driving unit 110: first thinner supply unit

120 : 제2 시너 공급 유닛 130 : 제1 에어 공급 유닛120: second thinner supply unit 130: first air supply unit

140 : 제2 에어 공급 유닛140: second air supply unit

본 발명은 웨이퍼 에지 비드 제거 방법 및 이를 수행하기 위한 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 포토레지스트막이 형성된 웨이퍼의 에지 비드 제거 방법 및 이를 수행하기 위한 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer edge bead removal method and apparatus for performing the same. More specifically, the present invention relates to an edge bead removal method of a wafer on which a photoresist film is formed, and an apparatus for performing the same.

근래에 반도체 제조 기술은 정보 통신 기술의 비약적인 발전에 따라 집적도, 신뢰도 및 처리 속도 등을 향상시키는 방향으로 발전되고 있다. 상기 반도체는 실리콘 단결정으로부터 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼를 제작하고, 상기 반도체 기판 상에 막을 형성하고, 상기 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성함으로서 제조된다.Recently, semiconductor manufacturing technology has been developed in the direction of improving integration, reliability, and processing speed according to the rapid development of information and communication technology. The semiconductor is produced by fabricating a silicon wafer used as a semiconductor substrate from a silicon single crystal, forming a film on the semiconductor substrate, and forming the film in a pattern having electrical properties.

상기와 같이 반도체 기판 상에 패턴을 형성시키기 위한 단위 공정들 중에서 포토리소그래피 공정은, 반도체 웨이퍼 상에 포토레지스트(photo resist) 막을 코팅하고 이를 경화시키는 공정과, 반도체 웨이퍼 상에 코팅된 포토레지스트막을 원하는 포토레지스트 패턴으로 형성하기 위한 노광 공정 및 현상 공정을 포함한다.Among the unit processes for forming a pattern on a semiconductor substrate as described above, a photolithography process includes coating a photoresist film on a semiconductor wafer and curing the photoresist film, and a photoresist film coated on the semiconductor wafer. An exposure process and a development process for forming into a photoresist pattern are included.

일반적으로 상기 포토레지스트막 코팅 공정은 먼저, 반도체 웨이퍼를 회전척 상에 올려놓은 다음, 상기 반도체 웨이퍼 상의 중심 부위에 포토레지스트 용액을 공급하고, 상기 반도체 웨이퍼를 회전시킨다. 상기 반도체 웨이퍼 상의 중심 부위에 공급된 포토레지스트 용액은 원심력에 의해 외주 방향으로 분산되어 상기 반도체 웨이퍼 상에 균일하게 도포되며, 후속하는 소프트 베이크 공정을 통해 경화됨으로써 상기 반도체 웨이퍼 상에 포토레지스트막이 코팅된다.In general, the photoresist film coating process first places a semiconductor wafer on a rotary chuck, then supplies a photoresist solution to a central portion on the semiconductor wafer, and rotates the semiconductor wafer. The photoresist solution supplied to the center portion on the semiconductor wafer is dispersed in the circumferential direction by centrifugal force and uniformly applied on the semiconductor wafer, and the photoresist film is coated on the semiconductor wafer by curing through a subsequent soft bake process. .

상기 포토레지스트막은 반도체 웨이퍼 전면에 전체적으로 코팅되고, 상기 반도체 웨이퍼 이면 일부에 형성될 수 있다.The photoresist film may be coated on the entire surface of the semiconductor wafer and may be formed on a portion of the back surface of the semiconductor wafer.

상기 반도체 웨이퍼의 전면 에지 부위에 형성된 포토레지스트막과, 상기 반도체 웨이퍼 이면에 형성된 포토레지스트막은 후속 공정에서 박리될 수 있으며, 상 기 박리된 포토레지스트막은 파티클로써 웨이퍼의 오염 또는 제조 공정 설비의 오염을 발생시킬 수 있다.The photoresist film formed on the front edge portion of the semiconductor wafer and the photoresist film formed on the back surface of the semiconductor wafer may be peeled off in a subsequent process, and the peeled photoresist film may be particles to prevent contamination of the wafer or contamination of manufacturing process equipment. Can be generated.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 상기 포토레지스트막이 형성된 반도체 웨이퍼를 회전시키면서 상기 반도체 웨이퍼 전면 에지 부위와 상기 반도체 웨이퍼의 이면에 시너(thinner)를 분사하여 상기 웨이퍼 전면 에지 부위 및 이면의 포토레지스트막을 제거하는 에지 비드 제거(edge bead removal) 공정을 수행한다.In order to solve this problem, a thinner is sprayed on the front edge portion of the semiconductor wafer and the back surface of the semiconductor wafer while rotating the semiconductor wafer on which the photoresist film is formed to remove the photoresist layer on the front edge portion and the back surface of the wafer. An edge bead removal process is performed.

상기 에지 비드 제거 공정은 보통 시너를 상기 반도체 웨이퍼 전면 에지 부위 및 이면에 시너를 분사한 후, 상기 시너가 흐르지 않도록 평균 수 초 동안 상기 시너를 건조시킴으로써 제거한다.The edge bead removal process usually removes thinner by spraying thinner on the front and back edge portions of the semiconductor wafer and then drying the thinner for an average few seconds to prevent the thinner from flowing.

수 초 동안의 상기 시너 제거 시간에 의해 상기 포토레지스트막 형성의 전체적인 공정 시간이 증가된다.The thinner removal time for several seconds increases the overall processing time of the photoresist film formation.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 일 목적은 시너 제거 시간을 단축시킬 수 있는 웨이퍼 에지 비드 제거 방법을 제공하는데 있다.One object of the present invention for solving the above problems is to provide a wafer edge bead removal method that can reduce the thinner removal time.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 에지 비드 제거 방법을 수행하기에 적합한 웨이퍼 에지 비드 제거 장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention for solving the above problems is to provide a wafer edge bead removal apparatus suitable for performing the edge bead removal method as described above.

상기 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 웨이퍼 비드 제거 방법에 있어서, 포토레지스트막이 형성된 웨이퍼를 회전시킨다. 상기 웨이퍼 에 지 부위로 시너(thinner)를 공급하여 상기 웨이퍼 에지 부위의 포토레지스트막을 제거한다. 상기 웨이퍼 에지 부위로 에어를 공급하여 상기 시너를 제거한다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, in the wafer bead removal method, a wafer on which a photoresist film is formed is rotated. A thinner is supplied to the wafer edge to remove the photoresist film at the wafer edge. Air is supplied to the wafer edge to remove the thinner.

상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 웨이퍼 비드 제거 장치는, 포토레지스트막이 형성된 웨이퍼를 지지하고 회전시키기 위한 회전척과, 상기 웨이퍼 에지 부위의 포토레지스트막을 제거하기 위하여, 상기 회전척 상부에 위치하여 상기 웨이퍼 에지 부위로 시너(thinner)를 제공하기 위한 시너 공급 유닛과, 상기 웨이퍼 에지 부위로 제공된 시너를 제거하기 위한 에어 공급 유닛을 포함한다.According to an aspect of the present invention for achieving the above another object, a wafer bead removal device, a rotary chuck for supporting and rotating a wafer on which a photoresist film is formed, and to remove the photoresist film of the wafer edge portion, the rotary chuck A thinner supply unit located at the top to provide thinner to the wafer edge portion, and an air supply unit for removing thinner provided to the wafer edge portion.

상기 웨이퍼 비드 제거 장치는 상기 웨이퍼의 이면의 포토레지스트막을 제거하기 위하여, 상기 회전척 하부에 위치하여 상기 웨이퍼의 이면으로 시너를 제공하기 위한 제2 시너 공급 유닛과, 상기 웨이퍼 이면으로 제공된 시너를 제거하기 위한 제2 에어 공급 유닛을 더 포함할 수 있다. 상기 에어 공급 유닛은, 에어를 저장하는 에어 탱크(air tank), 상기 에어 탱크로부터 상기 웨이퍼 에지 부위로 에어를 공급하기 위한 에어 공급 노즐 및 상기 에어 탱크 및 에어 공급 노즐을 연결하기 위한 연결 라인을 포함할 수 있다.The wafer bead removing apparatus includes a second thinner supply unit positioned below the rotary chuck to provide thinner to the back surface of the wafer, and a thinner provided to the back surface of the wafer to remove the photoresist film on the back surface of the wafer. It may further comprise a second air supply unit for. The air supply unit includes an air tank for storing air, an air supply nozzle for supplying air from the air tank to the wafer edge portion, and a connection line for connecting the air tank and the air supply nozzle. can do.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 반도체 웨이퍼 에지 부위로 시너를 분사한 후, 에어 공급 유닛을 사용하여 건조함으로 종래 보다 상기 시너 제거 시간을 단축시킬 수 있다.According to the present invention as described above, by spraying the thinner to the semiconductor wafer edge portion, it is possible to shorten the thinner removal time than conventional by drying using an air supply unit.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 비드 제거 장치에 대해 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a wafer edge bead removal device according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 비드 제거 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view for explaining a wafer edge bead removal device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 웨이퍼 에지 비드 제거 장치(10)는, 에지 비드 제거 공정을 수행하기 위한 챔버(100), 상기 챔버(100) 내부에 구비되는 회전척(102), 회전척(102) 상부에 구비되는 제1 시너 공급 유닛(110)과 제1 에어 공급 유닛(130)과, 회전척(102) 하부에 구비되는 제2 시너 공급 유닛(120)과 제2 에어 공급 유닛(140)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the wafer edge bead removing device 10 includes a chamber 100 for performing an edge bead removing process, a rotary chuck 102 and a rotary chuck 102 provided inside the chamber 100. And a first thinner supply unit 110 and a first air supply unit 130, and a second thinner supply unit 120 and a second air supply unit 140 provided below the rotary chuck 102. do.

여기에서 상기 웨이퍼(W) 표면에는 포토레지스트막 형성되어 있다. 특히, 상기 포토레지스트막은 웨이퍼(W) 전면 표면뿐만 아니라 상기 웨이퍼(W)의 에지 및 이면 일부에도 형성되어 있다. 또한, 상기 포토레지스트막은 시너(thinner)에 의해 제거되는 특징을 갖는다.Here, a photoresist film is formed on the wafer W surface. In particular, the photoresist film is formed not only on the front surface of the wafer W, but also on the edge and the rear part of the wafer W. In addition, the photoresist film has a feature of being removed by thinner.

회전척(102)은 챔버(100) 내부의 하부에 구비되어 포토레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)를 지지하고 회전시킨다. 상기 회전척(102)의 하부에는 회전력을 전달하는 회전축(104)이 연결되어 있으며, 상기 회전축(104)은 회전력을 제공하는 구동부(106)와 연결되어 있다. 상기 구동부(106)로는 모터 등이 있다.The rotary chuck 102 is provided below the inside of the chamber 100 to support and rotate the wafer W on which the photoresist film is formed. The lower portion of the rotary chuck 102 is connected to the rotary shaft 104 for transmitting the rotational force, the rotary shaft 104 is connected to the drive unit 106 for providing a rotational force. The driving unit 106 may be a motor or the like.

또한, 도시되어 있지는 않지만 상기 회전척(102)의 상부에는 상기 웨이퍼(W)를 진공으로 흡착하기 위한 진공 발생 유닛(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 상기 진공 발생 유닛은, 회전척(102) 상부면에 형성된 다수의 진공 홀들(도시되지 않음), 상기 회전척(102) 상부로 진공을 제공하기 위한 진공 펌프(도시되지 않음) 및 상기 다수의 진공 홀들과 상기 진공 펌프를 연통시키기 위한 진공 라인들(도시되지 않음)을 포함한다.In addition, although not shown, an upper portion of the rotary chuck 102 may include a vacuum generating unit (not shown) for sucking the wafer W under vacuum. The vacuum generating unit includes a plurality of vacuum holes (not shown) formed in the upper surface of the rotary chuck 102, a vacuum pump (not shown) for providing a vacuum to the rotary chuck 102, and the plurality of vacuums. Vacuum lines (not shown) for communicating holes with the vacuum pump.

제1 시너 공급 유닛(110)은 회전척(102) 상부에 위치하여 상기 웨이퍼 에지 부위로 시너를 공급한다. 상기 제1 시너 공급 유닛(110)은, 시너가 저장되는 시너 탱크(116), 상기 시너를 상기 웨이퍼(W) 에지 부위로 제공하기 위한 제1 시너 공급 노즐(112) 및 상기 제1 시너 공급 노즐(112)을 이동시키기 위한 제1 이송 암(114)을 포함한다.The first thinner supply unit 110 is positioned above the rotary chuck 102 to supply thinner to the wafer edge portion. The first thinner supply unit 110 includes a thinner tank 116 in which thinner is stored, a first thinner supply nozzle 112 for providing the thinner to the wafer W edge, and the first thinner supply nozzle. And a first transfer arm 114 for moving 112.

상기 제1 시너 공급 노즐(112)을 통해 상기 웨이퍼(W) 에지 부위로 시너를 공급한다. 이때, 상기 제1 시너 공급 노즐(112)은 상기 웨이퍼(W) 에지 부위 일 측에 고정되어 위치하며, 상기 회전척(102)이 회전함으로써 상기 웨이퍼(W) 에지 부위를 따라 시너가 제공된다. 따라서, 상기 웨이퍼(W) 에지 부위로 시너를 공급하는 동안에는, 상기 제1 시너 공급 노즐(112)은 상기 웨이퍼(W) 에지 부위 일 측 상부에 고정되어 구비되고, 상기 웨이퍼(W) 에지 부위를 향하도록 상기 웨이퍼(W) 표면과 소정의 각도를 이룬다. 상기 각도는 포토레지스트막이 제거되는 폭과 상기 웨이퍼(W)의 크기에 따라 변화될 수 있다.Thinner is supplied to the edge portion of the wafer W through the first thinner supply nozzle 112. In this case, the first thinner supply nozzle 112 is fixedly positioned at one side of the wafer W edge portion, and thinner is provided along the wafer W edge portion by rotating the rotary chuck 102. Accordingly, while the thinner is supplied to the wafer W edge portion, the first thinner supply nozzle 112 is fixed to an upper portion of the one side of the wafer W edge portion, and the edge portion of the wafer W is fixed. At an angle to the wafer W surface. The angle may vary depending on the width at which the photoresist film is removed and the size of the wafer (W).

또한, 상기 제1 시너 공급 노즐(112)은 제1 이송 암(114)과 연결되어 있으며, 상기 제1 이송 암(114)에 의해 상기 제1 시너 공급 노즐(112)이 수평 및 수직 방향으로 이동된다. 보다 상세하게 설명하면, 상기 제1 시너 공급 노즐(112)이 상기 웨이퍼(W) 에지 부위로 시너를 공급할 때에는 상기 제1 이송 암(114)에 의해 상기 제1 시너 공급 노즐(112)이 상기 웨이퍼(W) 에지 부위로 이동되고, 웨이퍼 에지 비드 제거 공정이 종료된 후 상기 제1 이송 암(114)에 의해 상기 제1 시너 공급 노 즐(112)이 상기 웨이퍼(W)로부터 이격된다.In addition, the first thinner supply nozzle 112 is connected to the first transfer arm 114, and the first thinner supply nozzle 112 is moved in the horizontal and vertical directions by the first transfer arm 114. do. In more detail, when the first thinner supply nozzle 112 supplies thinner to the wafer W edge portion, the first thinner supply nozzle 112 is connected to the wafer by the first transfer arm 114. (W) The first thinner supply nozzle 112 is spaced apart from the wafer W by the first transfer arm 114 after the wafer edge bead removal process is completed.

상기 제1 이송 암(114)은 상기 제1 시너 공급 노즐(112)과 연결되어 상기 제1 시너 공급 노즐(112)을 수직 및 수평 방향으로 이동시켜 상기 제1 시너 공급 노즐(112)이 상기 웨이퍼(W) 에지 부위 상에 위치하도록 한다. 또한, 상기 제1 이송 암(114) 내부에는 상기 제1 시너 공급 노즐(112)과 연통된 제1 시너 공급 라인(도시되지 않음)이 구비된다.The first transfer arm 114 is connected to the first thinner supply nozzle 112 to move the first thinner supply nozzle 112 in the vertical and horizontal directions so that the first thinner supply nozzle 112 is the wafer. (W) Be positioned on the edge area. In addition, a first thinner supply line (not shown) in communication with the first thinner supply nozzle 112 is provided inside the first transfer arm 114.

상기 시너 탱크(116)는 상기 제1 이송 암(114) 내에 구비된 제1 시너 공급 라인과 연결되어 상기 제1 시너 공급 라인으로 시너를 공급한다. 상기 시너 탱크(116)로부터 시너를 공급받은 제1 시너 공급 라인은 상기 시너를 상기 제1 시너 공급 노즐(112)로 제공한다. 이로써 상기 제1 시너 공급 노즐(112)은 상기 웨이퍼(W) 에지 부위로 시너를 제공한다.The thinner tank 116 is connected to a first thinner supply line provided in the first transfer arm 114 to supply thinner to the first thinner supply line. The first thinner supply line supplied with the thinner from the thinner tank 116 provides the thinner to the first thinner supply nozzle 112. As a result, the first thinner supply nozzle 112 provides thinner to the wafer W edge portion.

제1 에어 공급 유닛(130)은 상기 회전척(102) 상부에 구비되어 상기 웨이퍼(W) 에지 부위로 에어를 공급한다. 상기 제1 에어 공급 유닛(130)은, 에어를 저장하는 에어 탱크(air tank, 136), 상기 에어를 웨이퍼(W)의 에지 부위로 제공하기 위한 제1 에어 공급 노즐(132) 및 상기 제1 에어 공급 노즐(132)을 이동시키기 위한 제2 이송 암(134)을 포함한다.The first air supply unit 130 is provided on the rotary chuck 102 to supply air to the edge portion of the wafer (W). The first air supply unit 130 may include an air tank 136 for storing air, a first air supply nozzle 132 for supplying the air to an edge portion of the wafer W, and the first air supply nozzle 132. And a second transfer arm 134 for moving the air supply nozzle 132.

상기 제1 에어 공급 노즐(132)은 상기 웨이퍼(W) 에지 부위로 제공된 시너로 에어를 공급한다. 이때, 상기 제1 에어 공급 노즐(132)은 상기 웨이퍼(W) 에지 상부에 고정되며, 상기 회전척(102)에 지지된 웨이퍼(W)가 회전함으로써 상기 에어가 상기 웨이퍼(W) 에지 부위를 따라 제공된다. 이로써, 상기 웨이퍼(W) 에지 부위로 제공된 시너가 상기 에어에 의해 건조되어 제거된다.The first air supply nozzle 132 supplies air to the thinner provided to the wafer W edge portion. In this case, the first air supply nozzle 132 is fixed to the upper edge of the wafer (W), and the air is rotated by the wafer (W) supported by the rotary chuck 102 to the edge portion of the wafer (W) Are provided accordingly. As a result, the thinner provided to the wafer W edge portion is dried and removed by the air.

또한, 상기 웨이퍼(W) 에지 상부에 고정된 제1 에어 공급 노즐(132)은 상기 웨이퍼(W) 표면과 소정의 각도를 이루면 구비된다. 상기 각도는 상기 제1 시너 공급 노즐(112)과 실질적으로 동일한 각도를 가진다.In addition, the first air supply nozzle 132 fixed to the upper edge of the wafer (W) is provided at a predetermined angle with the surface of the wafer (W). The angle has an angle substantially the same as that of the first thinner supply nozzle 112.

한편, 상기 제1 에어 공급 노즐(132)은 도시된 바와 같이 상기 제1 시너 공급 노즐(112)과 인접하게 구비될 수 있다. 그러나, 상기 제1 에어 공급 노즐(132)의 위치는 상기 웨이퍼(W) 에지 부위로 에어를 공급할 수 있는 위치라면 상관없다.On the other hand, the first air supply nozzle 132 may be provided adjacent to the first thinner supply nozzle 112 as shown. However, the position of the first air supply nozzle 132 may be any position where air can be supplied to the edge portion of the wafer (W).

상기 제1 에어 공급 노즐(132)은 제2 이송 암(134)과 연결되어 시너 제거 공정을 수행하는 동안 상기 웨이퍼(W) 에지 부위로 이동하고, 시너 제거 공정을 수행한 후 상기 웨이퍼(W)로부터 이격될 수 있다.The first air supply nozzle 132 is connected to the second transfer arm 134 to move to the wafer W edge portion during the thinner removal process, and after the thinner removal process, the wafer W Can be spaced from.

상기 제2 이송 암(134)은 상기 제1 에어 공급 노즐(132)과 연결되어 상기 제1 에어 공급 노즐(132)을 수평 및 수직 방향으로 이동시킨다. 또한, 상기 제2 이송 암(134) 내부에는 상기 제1 에어 공급 노즐(132)과 연통된 제1 에어 공급 라인(도시되지 않음)이 구비된다.The second transfer arm 134 is connected to the first air supply nozzle 132 to move the first air supply nozzle 132 in the horizontal and vertical directions. In addition, a first air supply line (not shown) in communication with the first air supply nozzle 132 is provided inside the second transfer arm 134.

상기 에어 탱크(136)는 상기 제1 에어 공급 라인과 연결되어 상기 제1 에어 공급 라인으로 에어를 공급하고 상기 제1 에어 공급 라인은 상기 에어를 상기 제1 에어 공급 노즐(132)로 제공한다. 따라서, 상기 제1 에어 공급 노즐(132)을 통해 상기 에어를 상기 웨이퍼(W) 에지 부위로 분사한다. 이때, 상기 에어에 의해 상기 웨이퍼(W) 에지 부위의 시너가 건조시킴으로써 제거된다. 상기 에어 탱크(136)에 저장되는 기체로는 공기뿐만 아니라 질소 가스를 사용할 수 있다.The air tank 136 is connected to the first air supply line to supply air to the first air supply line, and the first air supply line provides the air to the first air supply nozzle 132. Therefore, the air is injected to the edge portion of the wafer W through the first air supply nozzle 132. At this time, the thinner at the edge portion of the wafer W is dried by the air. As the gas stored in the air tank 136, not only air but also nitrogen gas may be used.

제2 시너 공급 유닛(120)은 회전척(102) 하부에 위치하여 상기 웨이퍼(W) 이면 부위로 시너를 공급한다. 상기 제2 시너 공급 유닛(120)은 시너를 상기 웨이퍼(W) 이면 부위로 제공하기 위한 제2 시너 공급 노즐(122)과, 상기 제2 시너 공급 노즐(122)을 이동시키기 위한 제3 이송 암(124)을 포함한다. 상기 제2 이송암 내에는 상기 제2 시너 공급 노즐(122)과 상기 시너 탱크(116)를 연결하는 제2 시너 공급 라인(도시되지 않음)이 구비된다.The second thinner supply unit 120 is positioned below the rotary chuck 102 to supply thinner to the rear surface of the wafer (W). The second thinner supply unit 120 includes a second thinner supply nozzle 122 for providing thinner to the back surface of the wafer W, and a third transfer arm for moving the second thinner supply nozzle 122. 124. A second thinner supply line (not shown) that connects the second thinner supply nozzle 122 and the thinner tank 116 is provided in the second transfer arm.

상기 제2 시너 공급 유닛(120)은 상기 제1 시너 공급 유닛(110)과 유사한 구성 요소를 가지며, 이들은 이미 설명하였으므로 생략하기로 한다.The second thinner supply unit 120 has components similar to those of the first thinner supply unit 110, which have been described above and will be omitted.

제2 에어 공급 유닛(140)은 회전척(102) 하부에 위치하여 상기 웨이퍼(W) 이면 부위로 에어를 공급한다. 상기 제2 에어 공급 유닛(140)은, 에어를 상기 웨이퍼(W) 이면 부위로 제공하기 위한 제2 시너 공급 노즐(122)과, 상기 제2 에어 공급 노즐(142)을 이동시키기 위한 제4 이송 암(144)을 포함한다. 상기 제4 이송 암(144) 내에는 상기 제2 에어 공급 노즐(142)과 상기 에어 탱크(136)를 연결하는 제2 에어 공급 라인(도시되지 않음)이 구비된다.The second air supply unit 140 is positioned below the rotary chuck 102 to supply air to the rear surface of the wafer (W). The second air supply unit 140 includes a second thinner supply nozzle 122 for supplying air to the back surface of the wafer W, and a fourth conveyance for moving the second air supply nozzle 142. Arm 144. The fourth transfer arm 144 is provided with a second air supply line (not shown) connecting the second air supply nozzle 142 and the air tank 136.

상기 제2 에어 공급 유닛(140)은 상기 제1 에어 공급 유닛(130)과 유사한 구성 요소를 가지며, 이들은 이미 설명하였으므로 생략하기로 한다.The second air supply unit 140 has components similar to those of the first air supply unit 130, which have been described above and will be omitted.

이하, 상기와 같은 구성 요소를 갖는 웨이퍼 에지 비드 제거 장치를 이용하여 웨이퍼 에지 비드 제거 방법을 설명하기로 한다.Hereinafter, a wafer edge bead removal method using a wafer edge bead removal device having the above components will be described.

도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 비드 제거 방법을 설명하기 위한 순서도이다.2 is a flowchart illustrating a wafer edge bead removal method according to an embodiment of the present invention.

포토레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)를 회전척(102) 상에 로딩한다. 상기 회전척(102)은 구동부(106)에 의해 회전하고, 상기 회전척(102)의 회전에 의해 상기 회전척(102) 상에 로딩된 웨이퍼(W)가 회전된다.(단계 S100)The wafer W on which the photoresist film is formed is loaded on the rotary chuck 102. The rotary chuck 102 is rotated by the drive unit 106, and the wafer W loaded on the rotary chuck 102 is rotated by the rotation of the rotary chuck 102. (Step S100)

여기에서, 상기 웨이퍼(W) 상에 포토레지스트막이 형성되는 과정을 간략하게 설명하면, 웨이퍼(W)를 회전척(102) 상에 올려놓은 다음, 웨이퍼(W) 상의 중심 부위에 포토레지스트 용액을 공급하고, 상기 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 상기 웨이퍼(W)의 중심 부위에 공급된 포토레지스트 용액을 원심력에 의해 외주 방향으로 분산되어 상기 웨이퍼(W) 상에 균일하게 도포된다. 이때, 상기 포토레지스트 용액은 원심력의 조절이 어려워 상기 웨이퍼(W) 에지 및 이면까지 도포될 수 있다. 이어서, 소프트 베이크 공정을 통해 상기 포토레지스트 용액이 경화됨으로써 상기 웨이퍼(W) 전면, 에지 및 이면 일부에 포토레지스트막이 코팅된다.Herein, the process of forming the photoresist film on the wafer W will be briefly described. The wafer W is placed on the rotary chuck 102, and then the photoresist solution is placed on the center portion of the wafer W. The wafer W is rotated. The photoresist solution supplied to the center portion of the wafer W is dispersed in the outer circumferential direction by centrifugal force and uniformly coated on the wafer W. At this time, the photoresist solution is difficult to control the centrifugal force may be applied to the edge and the back of the wafer (W). Subsequently, the photoresist solution is cured through a soft bake process, thereby coating a photoresist layer on a portion of the front surface, the edge, and the rear surface of the wafer W.

제1 이송 암(114)에 의해 제1 시너 공급 노즐(112)을 상기 웨이퍼(W) 에지 부위로 이동시키고, 이와 동시에 제3 이송 암(124)에 의해 제2 시너 공급 노즐(122)을 상기 웨이퍼(W) 이면으로 이동시킨다. 이때, 상기 웨이퍼(W) 에지 부위로 이동한 제1 시너 공급 노즐(112)은 상기 웨이퍼(W) 표면과 소정의 각도를 가지며 상기 웨이퍼(W) 에지 부위 일 측에 고정된다. 또한, 상기 웨이퍼(W) 이면으로 이동한 제2 시너 공급 노즐(122)은 상기 웨이퍼(W) 이면과 소정의 각도를 가지며 상기 웨이퍼(W) 이면 일 측에 고정된다.The first thinner supply nozzle 112 is moved to the wafer W edge portion by the first transfer arm 114, and the second thinner supply nozzle 122 is moved by the third transfer arm 124 at the same time. It moves to the back surface of the wafer (W). In this case, the first thinner supply nozzle 112 moved to the wafer W edge portion has a predetermined angle with the surface of the wafer W and is fixed to one side of the wafer W edge portion. In addition, the second thinner supply nozzle 122 moved to the back surface of the wafer W has a predetermined angle with the back surface of the wafer W and is fixed to one side of the back surface of the wafer W.

계속해서, 제2 이송 암(134)에 의해 제1 에어 공급 노즐(132)을 상기 웨이 퍼(W) 에지 부위로 이동시키고, 이와 동시에 제4 이송 암(144)에 의해 상기 제2 에어 공급 노즐(142)을 상기 웨이퍼(W) 이면으로 이동시킨다. 이때, 상기 웨이퍼(W) 에지 부위로 이동한 제1 에어 공급 노즐(132)은 상기 웨이퍼(W) 표면과 소정의 각도를 가지며 상기 웨이퍼(W) 에지 부위 일 측에 고정된다. 또한, 상기 웨이퍼(W) 이면으로 이동한 제2 에어 공급 노즐(142)은 상기 웨이퍼(W) 이면과 소정의 각도를 가지며 상기 웨이퍼(W) 이면 일 측에 고정된다.Subsequently, the first air supply nozzle 132 is moved to the wafer W edge portion by the second transfer arm 134, and at the same time, the second air supply nozzle is transferred by the fourth transfer arm 144. 142 is moved to the back surface of the wafer (W). In this case, the first air supply nozzle 132 moved to the wafer W edge portion has a predetermined angle with the surface of the wafer W and is fixed to one side of the wafer W edge portion. In addition, the second air supply nozzle 142 moved to the back surface of the wafer W has a predetermined angle with the back surface of the wafer W and is fixed to one side of the back surface of the wafer W.

이때, 상기 제1 시너 공급 노즐(112)과 제1 에어 공급 노즐(132)이 상기 웨이퍼(W) 에지 부위 일 측에 인접하게 위치하거나 서로 이격되어 위치할 수 있다. 마찬가지로 상기 제2 시너 공급 노즐(122)과 제2 에어 공급 노즐(142)도 웨이퍼(W) 이면 일 측에 인접하게 위치하거나 서로 이격되어 위치할 수 있다.In this case, the first thinner supply nozzle 112 and the first air supply nozzle 132 may be positioned adjacent to one side of the wafer W edge portion or spaced apart from each other. Similarly, the second thinner supply nozzle 122 and the second air supply nozzle 142 may also be positioned adjacent to one side of the wafer W or spaced apart from each other.

이어서, 제1 시너 공급 노즐(112) 및 제2 시너 공급 노즐(122)을 통해 상기 웨이퍼(W)의 에지 및 이면으로 시너를 공급한다.(단계 S110) 보다 상세하게 설명하면, 상기 제1 시너 공급 노즐(112)로부터 상기 웨이퍼(W) 에지 부위로 시너가 공급된다. 이때, 상기 웨이퍼(W)가 회전함으로써 상기 웨이퍼(W) 에지 부위에 전체적으로 시너가 공급된다. 또한, 상기 제2 시너 공급 노즐(122)로부터 상기 웨이퍼(W) 이면으로 시너가 공급된다. 이때, 상기 웨이퍼(W)가 회전함으로써 상기 웨이퍼(W) 이면에 전체적으로 시너가 공급된다.Subsequently, thinner is supplied to the edge and the back surface of the wafer W through the first thinner supply nozzle 112 and the second thinner supply nozzle 122. (Step S110) In more detail, the first thinner Thinner is supplied from the supply nozzle 112 to the wafer W edge portion. At this time, the wafer W is rotated so that thinner is entirely supplied to the wafer W edge portion. In addition, thinner is supplied from the second thinner supply nozzle 122 to the back surface of the wafer W. At this time, as the wafer W rotates, thinner is entirely supplied to the back surface of the wafer W.

이로써, 제1 시너 공급 노즐(112)로부터 분사된 시너에 의해 웨이퍼(W) 에지 부위의 포토레지스트막이 제거되고, 제2 시너 공급 노즐(122)로부터 분사된 시너에 의해 웨이퍼(W) 이면의 포토레지스트막이 제거된다. 상기 포토레지스트막이 제거된 후 상기 제1 시너 공급 노즐(112) 및 제2 시너 공급 노즐(122)로부터 시너 공급을 중단한다.As a result, the photoresist film at the edge portion of the wafer W is removed by the thinner injected from the first thinner supply nozzle 112, and the photo on the rear surface of the wafer W by the thinner injected from the second thinner supply nozzle 122. The resist film is removed. After the photoresist film is removed, thinner supply is stopped from the first thinner supply nozzle 112 and the second thinner supply nozzle 122.

계속해서, 제1 에어 공급 노즐(132) 및 제2 에어 공급 노즐(142)을 통해 상기 웨이퍼(W)의 에지 및 이면으로 에어를 공급한다.(단계 S120) 보다 상세하게 설명하면, 상기 제1 에어 공급 노즐(132)로부터 상기 웨이퍼(W) 에지 부위로 에어가 공급된다. 이때, 상기 웨이퍼(W)가 회전함으로써 상기 웨이퍼(W) 에지 부위에 전체적으로 에어가 공급된다. 또한, 상기 제2 에어 공급 노즐(142)로부터 상기 웨이퍼(W) 이면으로 에어가 공급된다. 이때, 상기 웨이퍼(W)가 회전함으로써 상기 웨이퍼(W) 이면에 전체적으로 에어가 공급된다.Subsequently, air is supplied to the edge and the rear surface of the wafer W through the first air supply nozzle 132 and the second air supply nozzle 142. (Step S120) In more detail, the first air supply nozzle 132 and the second air supply nozzle 142 are provided. Air is supplied from the air supply nozzle 132 to the wafer W edge portion. At this time, air is supplied to the entire edge portion of the wafer W by rotating the wafer W. In addition, air is supplied to the back surface of the wafer W from the second air supply nozzle 142. At this time, air is supplied to the entire surface of the wafer W by rotating the wafer W.

이로써, 제1 에어 공급 노즐(132)로부터 분사된 에어에 의해 웨이퍼(W) 에지 부위의 시너가 건조되어 제거되고, 제2 에어 공급 노즐(142)로부터 분사된 에어에 의해 웨이퍼(W) 이면의 시너가 건조되어 제거된다. 상기 시너의 건조가 끝난 후, 상기 제1 에어 공급 노즐(132) 및 제2 에어 공급 노즐(142)의 에어 공급을 중단한다.As a result, the thinner at the edge portion of the wafer W is dried and removed by the air injected from the first air supply nozzle 132, and the thinner on the back surface of the wafer W by the air injected from the second air supply nozzle 142. The thinner is dried and removed. After the thinner is finished drying, the air supply of the first air supply nozzle 132 and the second air supply nozzle 142 is stopped.

상기와 같이 제1 및 제2 에어 공급 노즐(132, 142)로부터 에어를 웨이퍼(W)로 공급하여 상기 시너를 빠르게 제거할 있다. 따라서 종래의 에지 비드 제거 공정 시간에 비해 전체적인 공정 시간이 감소될 수 있다.As described above, air may be supplied from the first and second air supply nozzles 132 and 142 to the wafer W to quickly remove the thinner. Thus, overall process time can be reduced compared to conventional edge bead removal process time.

계속해서, 상기 제1 이송 암 내지 제4 이송 암(114, 124, 134, 144)을 이용하여 상기 제1 시너 공급 노즐(112), 제2 시너 공급 노즐(122), 제1 에어 공급 노즐(132) 및 제2 에어 공급 노즐(142)을 상기 웨이퍼(W)로부터 이격시켜 원 상태로 복귀시킨다.Subsequently, the first thinner supply nozzle 112, the second thinner supply nozzle 122, and the first air supply nozzle using the first to fourth transport arms 114, 124, 134, and 144. 132 and the second air supply nozzle 142 are separated from the wafer W to return to the original state.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 제1 에어 공급 노즐 및 제2 에어 공급 노즐을 이용하여 상기 웨이퍼 에지 및 이면 부위로 제공된 시너를 빠르게 제거할 수 있다. 따라서, 전체적인 웨이퍼 에지 비드 제거 공정 시간을 단축할 수 있다.As described above, according to the preferred embodiment of the present invention, the first air supply nozzle and the second air supply nozzle can be used to quickly remove the thinner provided to the wafer edge and the back surface portion. Thus, the overall wafer edge bead removal process time can be shortened.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

Claims (4)

포토레지스트막이 형성된 웨이퍼를 회전시키는 단계;Rotating the wafer on which the photoresist film is formed; 상기 웨이퍼 에지 부위로 시너(thinner)를 공급하여 상기 웨이퍼 에지 부위의 포토레지스트막을 제거하는 단계; 및Supplying thinner to the wafer edge portion to remove the photoresist film at the wafer edge portion; And 상기 웨이퍼 에지 부위로 에어를 공급하여 상기 웨이퍼 에지 부위로 제공된 시너를 제거하는 단계를 포함하는 웨이퍼 에지 비드 제거 방법.Supplying air to the wafer edge portion to remove thinner provided to the wafer edge portion. 포토레지스트막이 형성된 웨이퍼를 지지하고 회전시키기 위한 회전척;A rotary chuck for supporting and rotating the wafer on which the photoresist film is formed; 상기 회전척 상부에 구비되며, 상기 웨이퍼 에지 부위의 포토레지스트막을 제거하기 위하여 상기 웨이퍼 에지 부위로 시너를 제공하기 위한 시너 공급 유닛; 및A thinner supply unit which is provided on the rotary chuck and provides thinner to the wafer edge portion to remove the photoresist film of the wafer edge portion; And 상기 웨이퍼 에지 부위로 제공된 시너를 제거하기 위한 에어 공급 유닛을 포함하는 웨이퍼 에지 비드 제거 장치.And an air supply unit for removing thinner provided to the wafer edge portion. 제2항에 있어서, 상기 웨이퍼의 이면의 포토레지스트막을 제거하기 위하여, 상기 회전척 하부에 위치하여 상기 웨이퍼의 이면으로 시너를 제공하기 위한 제2 시너 공급 유닛; 및The semiconductor device of claim 2, further comprising: a second thinner supply unit positioned below the rotary chuck to provide thinner to the back surface of the wafer to remove the photoresist film on the back surface of the wafer; And 상기 웨이퍼 이면으로 제공된 시너를 제거하기 위한 제2 에어 공급 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 비드 제거 장치.And a second air supply unit for removing thinner provided to the back surface of the wafer. 제2항에 있어서, 상기 에어 공급 유닛은, 에어를 저장하는 에어 탱크(air tank), 상기 에어 탱크로부터 상기 웨이퍼 에지 부위로 에어를 공급하기 위한 에어 공급 노즐 및 상기 에어 공급 노즐을 상기 웨이퍼 에지 부위로 이동시키기 위한 이송 암을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 비드 제거 장치.The air supply unit of claim 2, wherein the air supply unit comprises: an air tank for storing air, an air supply nozzle for supplying air from the air tank to the wafer edge portion, and the air supply nozzle with the air supply nozzle; Wafer edge bead removal device comprising a transfer arm for moving to a furnace.
KR1020060048808A 2006-05-30 2006-05-30 Method of removing wafer edge bead and apparatus for the same KR20070115029A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060048808A KR20070115029A (en) 2006-05-30 2006-05-30 Method of removing wafer edge bead and apparatus for the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060048808A KR20070115029A (en) 2006-05-30 2006-05-30 Method of removing wafer edge bead and apparatus for the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070115029A true KR20070115029A (en) 2007-12-05

Family

ID=39141546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060048808A KR20070115029A (en) 2006-05-30 2006-05-30 Method of removing wafer edge bead and apparatus for the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070115029A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5681560B2 (en) Substrate drying method and substrate processing apparatus
TWI603377B (en) Coating method,computer storage medium and coating apparatus
JP6325067B2 (en) Substrate drying method and substrate processing apparatus
US11806743B2 (en) Spin dispenser module substrate surface protection system
US11033929B2 (en) Application method
JP6356207B2 (en) Substrate drying method and substrate processing apparatus
JP2009071235A (en) Substrate processing equipment
JP3694641B2 (en) Substrate processing apparatus, development processing apparatus, and development processing method
TW201421536A (en) Coating treatment method and coating treatment apparatus
JP6992131B2 (en) Substrate cleaning equipment, substrate processing equipment, substrate cleaning method and substrate processing method
JP2015092619A (en) Substrate drying method and substrate processing apparatus
JP2006080404A (en) Application/developing device, exposure device and resist pattern forming method
JP2018139331A (en) Substrate drying method and substrate processing apparatus
JP2010093265A (en) Unit for supplying treatment liquid, and apparatus and method for treating substrate using the unit
KR101300892B1 (en) Substrate treating method, and computer-readable storage medium
JP3612231B2 (en) Nozzle device and developing method
KR20070115029A (en) Method of removing wafer edge bead and apparatus for the same
JP3164739B2 (en) Method and apparatus for forming coating film
KR20200124166A (en) Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
JP3963732B2 (en) Coating processing apparatus and substrate processing apparatus using the same
WO2021124929A1 (en) Substrate processing method and substrate processing system
JP4023907B2 (en) Substrate processing method
TWI636490B (en) Developing apparatus, substrate processing apparatus, developing method and substrate processing method
TWI723183B (en) Substrate processing method and substrate processing device
JP2008130600A (en) Method of forming coating film and apparatus of forming coating film

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination