KR20070114519A - Dielectric layer in capacitor and fabricating using the same and capacitor in semiconductor device and fabricating using the same - Google Patents

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Abstract

A capacitor dielectric layer, a manufacturing method of the same, a capacitor of a semiconductor device using the same method, and a manufacturing method of the same capacitor are provided to improve step coverage characteristics by depositing a high-dielectric material at low temperature. A first dielectric layer(22a) is formed with a crystalline material of a high dielectric constant on a lower electrode(21). A second dielectric layer(22b) including an amorphous material is formed with on the first dielectric layer in the substrate temperature higher than the manufacturing temperature of the first dielectric layer. The first dielectric layer and the second dielectric layer are formed within a chamber. The first dielectric layer is formed at the substrate temperature of 250 to 350 degrees centigrade. The second dielectric layer is formed at the substrate temperature of 350 to 500 degrees centigrade. An upper electrode(23) is formed on the second dielectric layer.

Description

캐패시터의 유전막 및 그 제조 방법과 이를 이용한 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법{DIELECTRIC LAYER IN CAPACITOR AND FABRICATING USING THE SAME AND CAPACITOR IN SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATING USING THE SAME}FIELD OF THE INVENTION A dielectric film of a capacitor, a method of manufacturing the same, and a capacitor of the semiconductor device using the same, and a method of manufacturing the same {DIELECTRIC LAYER IN CAPACITOR AND FABRICATING USA

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 소자의 캐패시터 구조를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing a capacitor structure of a semiconductor device according to the prior art.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 제1실시예에 따른 ZrO2/Al2O3 유전막 및 이를 채용한 캐패시터를 도시한 도면.2A and 2B illustrate a ZrO 2 / Al 2 O 3 dielectric film and a capacitor employing the same according to the first embodiment of the present invention.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제2실시예에 따른 HfO2/Al2O3 유전막 및 이를 채용한 캐패시터를 도시한 도면.3A and 3B illustrate an HfO 2 / Al 2 O 3 dielectric film and a capacitor employing the same according to a second embodiment of the present invention.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제3실시예에 따른 TiO2/Al2O3 유전막 및 이를 채용한 캐패시터를 도시한 도면.4A and 4B illustrate a TiO 2 / Al 2 O 3 dielectric film and a capacitor employing the same according to a third embodiment of the present invention.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제4실시예에 따른 Ta2O5/Al2O3 유전막 및 이를 채용한 캐패시터를 도시한 도면.5A and 5B illustrate a Ta 2 O 5 / Al 2 O 3 dielectric film and a capacitor employing the same according to a fourth embodiment of the present invention.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제5실시예에 따른 SrTiO3/Al2O3 유전막 및 이를 채용한 캐패시터 구조를 도시한 도면.6A and 6B illustrate a SrTiO 3 / Al 2 O 3 dielectric film and a capacitor structure employing the same according to the fifth embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

21 : 하부 전극 22 : 유전막21: lower electrode 22: dielectric film

23 : 상부 전극 23: upper electrode

본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 특히 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to semiconductor manufacturing technology, and more particularly, to a capacitor of a semiconductor device and a method of manufacturing the same.

메모리의 캐패시터 유전막의 형성은 캐패시턴스(Capacitance)와 누설 전류(Leakage Current) 특성 확보를 위해 결정성을 가진 고유전 물질과 비결정질의 저유전 물질인 알루미늄산화막(Al2O3)을 혼합하여 사용하고 있다.The formation of the capacitor dielectric film of the memory is made by mixing a high-crystalline material having a crystalline property and an aluminum oxide film (Al 2 O 3 ), which is an amorphous low dielectric material, in order to secure capacitance and leakage current characteristics. .

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 소자의 캐패시터 구조를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a capacitor structure of a semiconductor device according to the prior art.

도 1에 도시된 바와 같이, 하부 전극(11) 상에 유전막(12)이 형성되고, 유전막(12) 상에 상부 전극(13)이 형성된다. 이 때 유전막(12)은 결정성 고유전 물질인 예컨대, 지르코늄산화막(ZrO2, 12a)과 비결정질 물질인 예컨대, 알루미늄산화막(Al2O3 , 12b)이 차례로 적층된 구조로 형성된다. As shown in FIG. 1, the dielectric film 12 is formed on the lower electrode 11, and the upper electrode 13 is formed on the dielectric film 12. At this time, the dielectric film 12 is formed of a structure in which a crystalline high dielectric material, for example, a zirconium oxide film (ZrO 2 , 12a) and an amorphous material, for example, an aluminum oxide film (Al 2 O 3 , 12b) are sequentially stacked.

여기서, 지르코늄산화막(12a)과 알루미늄산화막(12b)은 동일한 기판온도(250 ∼350℃)에서 증착한다. 이 때, 물질의 특성상 지르코늄산화막(12a)은 결정질로 형성되고, 알루미늄산화막(12b)은 비결정질로 형성된다.Here, the zirconium oxide film 12a and the aluminum oxide film 12b are deposited at the same substrate temperature (250 to 350 ° C). At this time, the zirconium oxide film 12a is formed crystalline, and the aluminum oxide film 12b is formed amorphous, due to the properties of the material.

도 1의 유전막(12)은 양산성(Throughput) 향상을 위해 하나의 챔버(1 Chamber)를 이용하여 서로 다른 박막을 연속적으로 증착하고 있다. The dielectric film 12 of FIG. 1 continuously deposits different thin films using one chamber to improve throughput.

그러나, 이렇게 형성되는 유전막은 불순물 제거 측면에서 우수하지 못해, 원하는 누설 전류 특성을 확보하기 위해서는 캐패시턴스의 감소가 필연적이다. 이 경우에는 유전막 증착 후 실시하는 후속 열처리 공정으로도 전기적 특성을 크게 향상시키기 어렵다.However, the dielectric film thus formed is not excellent in terms of impurity removal, so that the capacitance is inevitable in order to secure desired leakage current characteristics. In this case, it is difficult to greatly improve the electrical characteristics even with the subsequent heat treatment process performed after the deposition of the dielectric film.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 한 챔버에서 서로 다른 박막을 연속해서 증착할 때 발생하는 불순물 제거 특성을 향상시켜, 유전막의 막질 특성을 개선하여 누설 전류 특성을 확보하므로서, 캐패시터의 전기적 특성을 향상시키는데 적합한 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above-mentioned problems of the prior art, and improves the impurity removal characteristics generated when successively depositing different thin films in one chamber, and improves the film quality of the dielectric film to secure leakage current characteristics. Accordingly, an object of the present invention is to provide a capacitor of a semiconductor device suitable for improving the electrical characteristics of the capacitor and a method of manufacturing the same.

상기 목적을 달성하기 위한 특징적인 본 발명의 캐패시터의 유전막 제조 방법은 유전율이 큰 결정질의 제1유전막을 형성하는 단계, 및 상기 제1유전막 형성시보다 더 높은 기판 온도에서 상기 제1유전막 상에 비결정질의 제2유전막을 형성하 는 단계를 포함하되, 상기 제1 및 제2유전막은 하나의 챔버에서 형성하는 캐패시터의 유전막 제조 방법을 포함한다.A dielectric film manufacturing method of a capacitor of the present invention for achieving the above object comprises the steps of forming a crystalline first dielectric film having a high dielectric constant, and an amorphous phase on the first dielectric film at a higher substrate temperature than when forming the first dielectric film. Forming a second dielectric film, wherein the first and second dielectric films include a dielectric film manufacturing method of a capacitor formed in one chamber.

또한, 본 발명은 하부 전극을 형성하는 단계, 상기 하부 전극 상에 유전율이 큰 결정질의 제1유전막을 형성하는 단계, 상기 제1유전막 형성시보다 더 높은 기판 온도에서 상기 제1유전막 상에 비결정질의 제2유전막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1 및 제2유전막은 하나의 챔버에서 형성하는 단계, 및 상기 제2유전막 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함한다.The present invention also provides a method of forming a lower electrode, forming a crystalline first dielectric film having a high dielectric constant on the lower electrode, and forming an amorphous on the first dielectric film at a higher substrate temperature than when forming the first dielectric film. Forming a second dielectric film, wherein the first and second dielectric films are formed in one chamber, and forming an upper electrode on the second dielectric film.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the most preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the technical idea of the present invention. .

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 제1실시예에 따른 ZrO2/Al2O3 유전막 및 이를 채용한 캐패시터를 도시한 도면이다.2A and 2B illustrate a ZrO 2 / Al 2 O 3 dielectric film and a capacitor employing the same according to the first embodiment of the present invention.

도 2a에 도시된 바와 같이, 고유전 물질인 결정질 지르코늄산화막(22a) 상에 비결정질 알루미늄산화막(22b)이 형성된다. 여기서, 결정질 지르코늄산화막(22a)은 250∼350℃의 온도에서 형성되고, 비결정질 알루미늄산화막(22)은 결정질 지르코늄산화막(21)에 비해 높은 온도인 350∼500℃ 에서 형성된다.As shown in FIG. 2A, an amorphous aluminum oxide film 22b is formed on the crystalline zirconium oxide film 22a which is a high dielectric material. Here, the crystalline zirconium oxide film 22a is formed at a temperature of 250 to 350 ° C., and the amorphous aluminum oxide film 22 is formed at 350 to 500 ° C., which is higher than the crystalline zirconium oxide film 21.

결정질 지르코늄산화막(22a)은, 지르코늄 소스를 흡착시키는 단계, 지르코늄 소스 중에서 미반응 지르코늄 소스를 제거하기 위한 퍼지 단계, 반응 가스를 공급 하여 상기 흡착된 지르코늄 소스와의 반응을 유도하기 위하여 원자층 단위의 지르코늄산화막을 형성하는 단계, 미반응 반응 가스 및 반응부산물을 제거하기 위한 퍼지 단계를 단위 사이클로 하고, 상기 단위 사이클을 소정 횟수 반복하여 형성한다. The crystalline zirconium oxide film 22a may include a step of adsorbing a zirconium source, a purge step for removing an unreacted zirconium source from the zirconium source, and supplying a reaction gas to induce reaction with the adsorbed zirconium source. A step of forming a zirconium oxide film and a purge step for removing unreacted reaction gas and reaction by-products is performed as a unit cycle, and the unit cycle is repeated a predetermined number of times.

먼저, 증착 챔버 내에 웨이퍼를 로딩시킨 다음, 지르코늄 소스를 웨이퍼 상에 흡착시킨다. 지르코늄 소스를 흡착시키는 단계는, Zr[NC2H5CH3]4, Zr[N(CH3)2]4, Zr[OC(CH3)2CH2OCH3]4, Zr[OC(CH3)3]4, ZrCl4 및 ZrI4 으로 이루어진 그룹에서 선택된 물질을 전구체로 사용하고, 0.1∼10 Torr의 챔버 압력, 250∼350℃의 기판 온도를 유지하며, 0.1∼10초 간 플로우한다.First, the wafer is loaded into the deposition chamber and then the zirconium source is adsorbed onto the wafer. The step of adsorbing the zirconium source is Zr [NC 2 H 5 CH 3 ] 4 , Zr [N (CH 3 ) 2 ] 4 , Zr [OC (CH 3 ) 2 CH 2 OCH 3 ] 4 , Zr [OC (CH 3 ) 3 ] 4 , ZrCl 4 and ZrI 4 using a material selected from the group as a precursor, the chamber pressure of 0.1 to 10 Torr, the substrate temperature of 250 to 350 ℃ is maintained, flow for 0.1 to 10 seconds.

지르코늄 소스 중에서 미반응 지르코늄 소스를 제거하기 위한 퍼지 단계를 진행한다. 증착 챔버 내에 퍼지 가스를 주입하여 웨이퍼의 표면에 형성된 소스 가스층에 느슨하게 결합되거나 미반응 지르코늄 소스를 제거하여 균일한 소스 가스층을 형성한다. 퍼지 가스는 비활성 가스로서 N2 가스를 사용하며, 0.1∼10 초간 플로우한다.A purge step is performed to remove the unreacted zirconium source from the zirconium source. A purge gas is injected into the deposition chamber to loosely couple or unreact zirconium sources to the source gas layer formed on the surface of the wafer to form a uniform source gas layer. The purge gas uses N 2 gas as an inert gas and flows for 0.1 to 10 seconds.

계속해서, 반응 가스 주입 단계로서, 증착 챔버 내에 반응 가스를 주입하여 기형성된 지르코늄 소스층과 반응 가스 간의 반응을 유도하여 지르코늄산화막(ZrO2)을 형성한다. 반응 가스는, H2O, O3 또는 O2 플라즈마를 사용하며, 0.1∼10 초간 플로우한다.Subsequently, as a reaction gas injection step, a reaction gas is injected into the deposition chamber to induce a reaction between the previously formed zirconium source layer and the reaction gas to form a zirconium oxide film (ZrO 2 ). The reaction gas flows for 0.1 to 10 seconds using H 2 O, O 3, or O 2 plasma.

다음으로, 퍼지 가스 주입 단계로서, 퍼지 가스는 비활성 가스로서 N2 가스 를 사용하며, 0.1∼5초간 플로우하여 미반응 반응 가스를 제거한다. Next, as a purge gas injection step, the purge gas uses N 2 gas as an inert gas, and flows for 0.1 to 5 seconds to remove unreacted reactive gas.

상기와 같은 원자층 증착 공정을 진행하여 30∼100Å 두께를 가지는 지르코늄산화막(ZrO2)을 형성한다.The atomic layer deposition process as described above is performed to form a zirconium oxide film (ZrO 2 ) having a thickness of 30 to 100 Å.

계속해서, 지르코늄산화막(21) 상에 비결정질 알루미늄산화막(22)을 형성한다. 알루미늄산화막(22)은, 알루미늄소스를 흡착시키는 단계, 알루미늄 소스 중에서 미반응 알루미늄 소스를 제거하기 위한 퍼지 단계, 반응 가스를 공급하여 상기 흡착된 알루미늄 소스와의 반응을 유도하기 위하여 원자층 단위의 알루미늄산화막을 형성하는 단계, 미반응 반응 가스 및 반응부산물을 제거하기 위한 퍼지 단계를 단위 사이클로 하고, 상기 단위 사이클을 소정 횟수 반복하여 형성한다. Subsequently, an amorphous aluminum oxide film 22 is formed on the zirconium oxide film 21. The aluminum oxide film 22 may include adsorption of an aluminum source, a purge step of removing an unreacted aluminum source from the aluminum source, and supplying a reaction gas to induce reaction with the adsorbed aluminum source. A step of forming an oxide film and a purge step for removing unreacted reaction gas and reaction by-products are performed as a unit cycle, and the unit cycle is repeated a predetermined number of times.

먼저, 알루미늄 소스를 웨이퍼 상에 흡착시킨다. 알루미늄 소스를 흡착시키는 단계는, TMA(Tri Methyl Aluminum) 또는 Al(CH3)3을 전구체로 사용하고, 0.1∼10 Torr의 챔버 압력, 350∼500℃의 기판 온도를 유지하며, 0.1∼10초 간 플로우한다.First, an aluminum source is adsorbed onto the wafer. The step of adsorbing the aluminum source, using Tri Methyl Aluminum (TMA) or Al (CH 3 ) 3 as a precursor, maintaining a chamber pressure of 0.1 to 10 Torr, a substrate temperature of 350 to 500 ℃, 0.1 to 10 seconds Flow between.

알루미늄 소스 중에서 미반응 알루미늄 소스를 제거하기 위한 퍼지 단계를 진행한다. 증착 챔버 내에 퍼지 가스를 주입하여 웨이퍼의 표면에 형성된 소스 가스층에 느슨하게 결합되거나 미반응 알루미늄 소스를 제거하여 균일한 소스 가스층을 형성한다. 퍼지 가스는 비활성 가스로서 N2 가스를 사용하며, 0.1∼5 초간 플로우한다.A purge step is performed to remove the unreacted aluminum source from the aluminum source. A purge gas is injected into the deposition chamber to loosely couple or unreact the aluminum source formed on the surface of the wafer to form a uniform source gas layer. The purge gas uses N 2 gas as an inert gas and flows for 0.1 to 5 seconds.

계속해서, 반응 가스 주입 단계로서, 증착 챔버 내에 반응 가스를 주입하여 기형성된 알루미늄 소스층과 반응 가스 간의 반응을 유도하여 알루미늄산화막을 형 성한다. 반응 가스는, O3 또는 O2 플라즈마를 사용하며, 0.1∼5초간 플로우한다.Subsequently, as a reaction gas injection step, a reaction gas is injected into the deposition chamber to induce a reaction between the pre-formed aluminum source layer and the reaction gas to form an aluminum oxide film. The reaction gas flows for 0.1 to 5 seconds using O 3 or O 2 plasma.

다음으로, 퍼지 가스 주입 단계로서, 퍼지 가스는 비활성 가스로서 N2 가스를 사용하며, 0.1∼5초간 플로우하여 미반응 반응 가스를 제거한다. Next, as a purge gas injection step, the purge gas uses N 2 gas as an inert gas and flows for 0.1 to 5 seconds to remove unreacted reactive gas.

상기와 같은 원자층 증착 공정을 진행하여 5∼10Å 두께를 가지는 알루미늄산화막(Al2O3)을 형성한다.The atomic layer deposition process as described above is carried out to form an aluminum oxide film (Al 2 O 3 ) having a thickness of 5 ~ 10Å.

이와 같이, 결정질 지르코늄산화막과 비결정질 알루미늄산화막이 적층된 구조의 유전막을 소정 횟수(2≤n≤10) 반복하여 원하는 두께를 가지는 유전막을 구현한다. As described above, a dielectric film having a desired thickness is realized by repeating a dielectric film having a structure in which a crystalline zirconium oxide film and an amorphous aluminum oxide film are stacked a predetermined number (2 ≦ n ≦ 10).

상술한 바와 같이, 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)을 통해 낮은 온도에서 결정질 지르코늄산화막을 형성하고, 결정질 지르코늄산화막 증착 온도 보다 높은 온도에서 비결정질 알루미늄산화막을 증착하므로써 비결정질 알루미늄산화막을 증착하는 과정에서 결정질 지르코늄산화막에 대한 후열처리가 진행되므로, 결정질 지르코늄산화막의 막질을 개선할 수 있다.As described above, in the process of forming a crystalline zirconium oxide film at a low temperature through atomic layer deposition (ALD), and depositing an amorphous aluminum oxide film by depositing an amorphous aluminum oxide film at a temperature higher than the crystalline zirconium oxide film deposition temperature. Since the post heat treatment is performed on the crystalline zirconium oxide film, the film quality of the crystalline zirconium oxide film can be improved.

도 2b는 도 2a에서 설명한 ZrO2/Al2O3 유전막을 채용한 캐패시터를 나타낸 도면이다.FIG. 2B illustrates ZrO 2 / Al 2 O 3 described with reference to FIG. 2A. It is a figure which shows the capacitor which employ | adopted a dielectric film.

도 2b에 도시된 바와 같이, 하부 전극(21) 상에 결정질 지르코늄산화막(22a)과 비결정질 알루미늄산화막(22b)이 소정 횟수((2≤n≤10회) 교번적으로 적층된 유전막(22)이 형성된다. 유전막(22) 상에 상부 전극(23)이 형성된다. 하부 전극(21)과 상부 전극(23)은, N+ 도프드 폴리실리콘막, TiN, Ru, Pt, Ir 및 HfN 으로 이루 어진 그룹에서 선택된 어느 한 물질로 형성한다.As shown in FIG. 2B, the dielectric film 22 in which the crystalline zirconium oxide film 22a and the amorphous aluminum oxide film 22b are alternately stacked a predetermined number of times (2 ≦ n ≦ 10 times) is formed on the lower electrode 21. An upper electrode 23 is formed on the dielectric film 22. The lower electrode 21 and the upper electrode 23 are made of an N + doped polysilicon film, TiN, Ru, Pt, Ir, and HfN. It is formed of any one material selected from the group.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제2실시예에 따른 HfO2/Al2O3 유전막 및 이를 채용한 캐패시터를 도시한 도면이다.3A and 3B illustrate a HfO 2 / Al 2 O 3 dielectric film and a capacitor employing the same according to a second embodiment of the present invention.

도 3a에 도시된 바와 같이, 결정질 하프늄산화막(HfO2)과 비결정질 알루미늄산화막(Al2O3)이 적층된 유전막을 형성한다. 하프늄산화막은, C16H36O4 또는 Hf를 함유한 유기금속화합물(TDEAHf, TEMAHf)을 전구체로 사용하며, 도 2a의 결정질 지르코늄산화막 증착법과 동일한 원자층 증착법을 통해 형성한다.As shown in FIG. 3A, a dielectric film in which a crystalline hafnium oxide layer (HfO 2 ) and an amorphous aluminum oxide layer (Al 2 O 3 ) are stacked is formed. The hafnium oxide film uses organometallic compounds (TDEAHf, TEMAHf) containing C 16 H 36 O 4 or Hf as a precursor, and is formed through the same atomic layer deposition method as the crystalline zirconium oxide film deposition method of FIG. 2A.

도 3b는 도 3a에서 설명한 HfO2/Al2O3 유전막을 채용한 캐패시터를 나타낸 도면이다.FIG. 3B is HfO 2 / Al 2 O 3 described in FIG. 3A It is a figure which shows the capacitor which employ | adopted a dielectric film.

도 3b에 도시된 바와 같이, 하부 전극(31) 상에 결정질 하프늄산화막(32a)과 비결정질 알루미늄산화막(32b)이 소정 횟수(2≤n≤10회) 교번적으로 적층된 유전막(32)이 형성된다. 유전막(32) 상에 상부 전극(33)이 형성된다. 하부 전극(31)과 상부 전극(33)은, N+ 도프드 폴리실리콘막, TiN, Ru, Pt, Ir 및 HfN 으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 한 물질로 형성한다.As shown in FIG. 3B, a dielectric film 32 in which the crystalline hafnium oxide film 32a and the amorphous aluminum oxide film 32b are alternately stacked a predetermined number of times (2 ≦ n ≦ 10 times) is formed on the lower electrode 31. do. The upper electrode 33 is formed on the dielectric film 32. The lower electrode 31 and the upper electrode 33 are formed of any one material selected from the group consisting of an N + doped polysilicon film, TiN, Ru, Pt, Ir, and HfN.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제3실시예에 따른 TiO2/Al2O3 유전막 및 이를 채용한 캐패시터를 도시한 도면이다.4A and 4B illustrate a TiO 2 / Al 2 O 3 dielectric film and a capacitor employing the same according to the third embodiment of the present invention.

도 4a에 도시된 바와 같이, 결정질 티타늄산화막(TiO2)과 비결정질 알루미늄산화막(Al2O3)이 적층된 유전막을 형성한다. 티타늄산화막은 TiCl4, Ti(OCH3)4, Ti(OC2H5)4, Ti(OC3H7)4, Ti(O4H9)4, Ti(CO2H5)(OC3H7)4, 액상의 Ti[OCH(CH3)2]4 및 Ti(I-OPr)4[Ti Isopropylate] 으로 이루어진 그룹에서 선택된 물질을 전구체로 사용하며, 도 2a의 결정질 지르코늄산화막 증착법과 동일한 원자층 증착법을 통해 형성한다.As shown in FIG. 4A, a dielectric film in which a crystalline titanium oxide film (TiO 2 ) and an amorphous aluminum oxide film (Al 2 O 3 ) are stacked is formed. Titanium oxide films include TiCl 4 , Ti (OCH 3 ) 4 , Ti (OC 2 H 5 ) 4 , Ti (OC 3 H 7 ) 4 , Ti (O 4 H 9 ) 4 , Ti (CO 2 H 5 ) (OC 3 H 7 ) 4 , a liquid selected from the group consisting of Ti [OCH (CH 3 ) 2 ] 4 and Ti (I-OPr) 4 [Ti Isopropylate] as a precursor, and the same as the crystalline zirconium oxide film deposition method of FIG. It is formed by atomic layer deposition.

도 4b는 도 4a에서 설명한 TiO2/Al2O3 유전막을 채용한 캐패시터를 나타낸 도면이다.4B is TiO 2 / Al 2 O 3 described with reference to FIG. 4A. It is a figure which shows the capacitor which employ | adopted a dielectric film.

도 4b에 도시된 바와 같이, 하부 전극(41) 상에 결정질 티타늄산화막(42a)과 비결정질 알루미늄산화막(42b)이 소정 횟수(2≤n≤10회) 교번적으로 적층된 유전막(42)이 형성된다. 유전막(42) 상에 상부 전극(43)이 형성된다. 하부 전극(41)과 상부 전극(43)은, N+ 도프드 폴리실리콘막, TiN, Ru, Pt, Ir 및 HfN 으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 한 물질로 형성한다. As shown in FIG. 4B, a dielectric film 42 in which a crystalline titanium oxide film 42a and an amorphous aluminum oxide film 42b are alternately stacked a predetermined number of times (2 ≦ n ≦ 10 times) is formed on the lower electrode 41. do. The upper electrode 43 is formed on the dielectric layer 42. The lower electrode 41 and the upper electrode 43 are formed of any one material selected from the group consisting of an N + doped polysilicon film, TiN, Ru, Pt, Ir, and HfN.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제4실시예에 따른 Ta2O5/Al2O3 유전막 및 이를 채용한 캐패시터를 도시한 도면이다.5A and 5B illustrate a Ta 2 O 5 / Al 2 O 3 dielectric film and a capacitor employing the same according to a fourth embodiment of the present invention.

도 5a에 도시된 바와 같이, 결정질 탄탈륨산화막(Ta2O5)과 비결정질 알루미늄산화막(Al2O3)이 적층된 유전막을 형성한다. 탄탈륨산화막은 TaCl5, Ta(OCH3)5, Ta(OC2H5)5, Ta(N(CH3)2)5, Ta(OC3H7)5 및 Ta(OC2H5)(OC3H7)4, Ta(OC3H7)5 및 Ta(OC2H5)(OC3H7)4 으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 물질을 전구체로 사용하며, 도 2a의 결정질 지르코늄산화막 증착법과 동일한 원자층 증착법을 통해 형성한다.As shown in FIG. 5A, a dielectric film in which a crystalline tantalum oxide film (Ta 2 O 5 ) and an amorphous aluminum oxide film (Al 2 O 3 ) are stacked is formed. Tantalum oxide films include TaCl 5 , Ta (OCH 3 ) 5 , Ta (OC 2 H 5 ) 5 , Ta (N (CH 3 ) 2 ) 5 , Ta (OC 3 H 7 ) 5 and Ta (OC 2 H 5 ) ( OC 3 H 7 ) 4 , Ta (OC 3 H 7 ) 5 and Ta (OC 2 H 5 ) (OC 3 H 7 ) 4 is used as a precursor, and the crystalline zirconium oxide film deposition method of FIG. It is formed through the same atomic layer deposition method.

도 5b는 도 5a에서 설명한 Ta2O5/Al2O3 유전막을 채용한 캐패시터를 나타낸 도면이다.FIG. 5B illustrates Ta 2 O 5 / Al 2 O 3 described with reference to FIG. 5A. It is a figure which shows the capacitor which employ | adopted a dielectric film.

도 5b에 도시된 바와 같이, 하부 전극(51) 상에 결정질 탄탈륨산화막(52a)과 비결정질 알루미늄산화막(52b)이 소정 횟수(2≤n≤10회) 교번적으로 적층된 유전막(52)이 형성된다. 유전막(52) 상에 상부 전극(53)이 형성된다. 하부 전극(51)과 상부 전극(53)은, N+ 도프드 폴리실리콘막, TiN, Ru, Pt, Ir 및 HfN 으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 한 물질로 형성한다.As shown in FIG. 5B, a dielectric film 52 in which a crystalline tantalum oxide film 52a and an amorphous aluminum oxide film 52b are alternately stacked a predetermined number of times (2 ≦ n ≦ 10 times) is formed on the lower electrode 51. do. The upper electrode 53 is formed on the dielectric film 52. The lower electrode 51 and the upper electrode 53 are formed of any one material selected from the group consisting of an N + doped polysilicon film, TiN, Ru, Pt, Ir, and HfN.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제5실시예에 따른 SrTiO3/Al2O3 유전막 및 이를 채용한 캐패시터 구조를 도시한 도면이다.6A and 6B illustrate a SrTiO 3 / Al 2 O 3 dielectric film and a capacitor structure employing the same according to the fifth embodiment of the present invention.

도 6a에 도시된 바와 같이, 결정질 스트론튬티타늄산화막(SrTiO3)과 비결정질 알루미늄산화막(Al2O3)이 적층된 유전막을 형성한다. 스트론튬티타늄산화막은 스트론튬 소스로 Sr(thd)2THF2을 사용하고, 티타늄막 소스로 Ti(OiPr)4 또는 Ti(EtO)4 에서 선택된 물질을 전구체로 사용하며, 도 2a의 결정질 지르코늄산화막 증착법과 동일한 원자층 증착법을 통해 형성한다.As shown in FIG. 6A, a dielectric film in which a crystalline strontium titanium oxide film (SrTiO 3 ) and an amorphous aluminum oxide film (Al 2 O 3 ) is stacked is formed. Strontium Titanium Oxide Sr (thd) 2 THF 2 is used as a strontium source, a material selected from Ti (OiPr) 4 or Ti (EtO) 4 is used as a precursor, and the same atomic layer deposition method as the crystalline zirconium oxide film deposition method of FIG. Form through.

도 6b는 도 6a에서 설명한 SrTiO3/Al2O3 유전막을 채용한 캐패시터를 나타낸 도면이다.FIG. 6B illustrates SrTiO 3 / Al 2 O 3 described with reference to FIG. 6A. It is a figure which shows the capacitor which employ | adopted a dielectric film.

도 6b에 도시된 바와 같이, 하부 전극(61) 상에 결정질 스트론튬티타늄산화막(62a)과 비결정질 알루미늄산화막(62b)이 소정 횟수(2≤n≤10회) 교번적으로 적 층된 유전막(62)이 형성된다. 유전막(62) 상에 상부 전극(63)이 형성된다. 하부 전극(61)과 상부 전극(63)은, N+ 도프드 폴리실리콘막, TiN, Ru, Pt, Ir 및 HfN 으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 한 물질로 형성한다.As shown in FIG. 6B, the dielectric film 62 in which the crystalline strontium titanium oxide film 62a and the amorphous aluminum oxide film 62b are alternately laminated a predetermined number of times (2 ≦ n ≦ 10 times) is formed on the lower electrode 61. Is formed. The upper electrode 63 is formed on the dielectric layer 62. The lower electrode 61 and the upper electrode 63 are formed of any one material selected from the group consisting of an N + doped polysilicon film, TiN, Ru, Pt, Ir, and HfN.

상술한 바와 같이, 다층 유전막을 증착함에 있어서, 하나의 챔버에서 고유전 물질은 저온(250∼350℃)에서 형성하고, 누설 전류 특성 향상을 위해 사용하는 비결정질의 저유전율을 가진 알루미늄산화막은 1차 유전막 즉 고유전 물질의 막질 개선을 위해 고온에서 증착하며(350∼500℃), 반응 가스도 O3 또는 O2 플라즈마를 사용한다. 이렇게 다층 유전막을 형성하므로서, 알루미늄산화막을 증착하는 과정에서 자연스럽게 고유전물질에 대한 후열처리가 진행되어, 1차 유전막의 막질 개선 효과를 얻을 수 있다. As described above, in depositing a multilayer dielectric film, a high dielectric material is formed at a low temperature (250 to 350 ° C.) in one chamber, and an aluminum oxide film having an amorphous low dielectric constant used to improve leakage current characteristics is a primary. In order to improve the quality of the dielectric film, that is, the high dielectric material, it is deposited at a high temperature (350 to 500 ° C.), and the reaction gas also uses an O 3 or O 2 plasma. By forming the multilayer dielectric film, the post-heat treatment of the high dielectric material is naturally performed in the process of depositing the aluminum oxide film, thereby improving the film quality of the primary dielectric film.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical idea of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

상술한 본 발명은 제1유전막으로 스텝 커버리지 특성이 열악한 고유전 물질을 저온 증착하여 스텝 커버리지 특성을 향상시킬 수 있다.The present invention described above may improve the step coverage characteristics by depositing a high-k dielectric material having poor step coverage characteristics with the first dielectric layer at low temperature.

또한, 제2유전막으로 스텝 커버리지 특성이 우수한 알루미늄산화막을 고유전 물질 보다 고온에서 증착하며, 반응 가스도 O3 또는 O2 플라즈마를 사용하므로서, 저온에서 증착한 제1유전막의 막질을 개선시킴으로서, 캐패시터의 누설 전류 특성 향상 뿐만 아니라 캐패시턴스까지 증가시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, by depositing an aluminum oxide film having excellent step coverage characteristics as a second dielectric film at a higher temperature than the high dielectric material and using a reactive gas O 3 or O 2 plasma, by improving the film quality of the first dielectric film deposited at a low temperature, the capacitor In addition to improving the leakage current characteristic, it is possible to increase the capacitance.

Claims (32)

유전율이 큰 결정질의 제1유전막을 형성하는 단계; 및Forming a crystalline first dielectric film having a high dielectric constant; And 상기 제1유전막 형성시보다 더 높은 기판 온도에서 상기 제1유전막 상에 비결정질의 제2유전막을 형성하는 단계를 포함하되,Forming an amorphous second dielectric film on the first dielectric film at a higher substrate temperature than when forming the first dielectric film, 상기 제1 및 제2유전막은 하나의 챔버에서 형성하는 캐패시터의 유전막 제조 방법.The first and second dielectric films are formed in one chamber of the dielectric film manufacturing method of the capacitor. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1유전막은 250∼350℃의 기판 온도에서 형성하고, 상기 제2유전막은 350∼500℃의 기판 온도에서 형성하는 캐패시터의 유전막 제조 방법.And the first dielectric film is formed at a substrate temperature of 250 to 350 ° C, and the second dielectric film is formed at a substrate temperature of 350 to 500 ° C. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1유전막 및 상기 제2유전막은, 원자층 증착법으로 형성하는 캐패시터의 유전막 제조 방법.And the first dielectric film and the second dielectric film are formed by an atomic layer deposition method. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1유전막은 30∼100Å, 상기 제2유전막은 5∼10Å의 두께로 형성하는 캐패시터의 유전막 제조 방법.A method of manufacturing a dielectric film for a capacitor, wherein the first dielectric film is 30 to 100 kPa and the second dielectric film is formed to a thickness of 5 to 10 kPa. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1유전막은, The first dielectric film, 지르코늄산화막, 하프늄산화막, 티타늄산화막, 탄탈륨산화막, 스트론튬티타늄산화막으로 이루어진 그룹들 중에서 선택된 어느 한 물질로 형성하는 캐패시터의 유전막 제조 방법.A method of producing a dielectric film of a capacitor formed of any one material selected from the group consisting of a zirconium oxide film, a hafnium oxide film, a titanium oxide film, a tantalum oxide film, and a strontium titanium oxide film. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2유전막은,The second dielectric film, 알루미늄산화막으로 형성하는 캐패시터의 유전막 제조 방법.A method for producing a dielectric film of a capacitor formed of an aluminum oxide film. 하부 전극을 형성하는 단계;Forming a lower electrode; 상기 하부 전극 상에 유전율이 큰 결정질의 제1유전막을 형성하는 단계; Forming a crystalline first dielectric film having a high dielectric constant on the lower electrode; 상기 제1유전막 형성시보다 더 높은 기판 온도에서 상기 제1유전막 상에 비결정질의 제2유전막을 형성하는 단계를 포함하되,Forming an amorphous second dielectric film on the first dielectric film at a higher substrate temperature than when forming the first dielectric film, 상기 제1 및 제2유전막은 하나의 챔버에서 형성하는 단계; 및Forming the first and second dielectric films in one chamber; And 상기 제2유전막 상에 상부 전극을 형성하는 단계Forming an upper electrode on the second dielectric layer 를 포함하는 캐패시터의 제조 방법.Method of manufacturing a capacitor comprising a. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1유전막은 250∼350℃의 기판 온도, 상기 제2유전막은 350∼500℃의 기판 온도에서 형성하는 캐패시터의 제조 방법.The method of manufacturing a capacitor, wherein the first dielectric film is formed at a substrate temperature of 250 to 350 ° C., and the second dielectric film is formed at a substrate temperature of 350 to 500 ° C. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1유전막과 상기 제2유전막은 0.1∼10 Torr의 챔버 압력에서 형성하는 캐패시터의 제조 방법.Wherein the first dielectric film and the second dielectric film are formed at a chamber pressure of 0.1 to 10 Torr. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1유전막 및 상기 제2유전막은, 원자층 증착법으로 형성하는 캐패시터의 유전막 제조 방법.And the first dielectric film and the second dielectric film are formed by an atomic layer deposition method. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1유전막은 30∼100Å, 상기 제2유전막은 5∼10Å의 두께로 형성하는 캐패시터의 유전막 제조 방법.A method of manufacturing a dielectric film for a capacitor, wherein the first dielectric film is 30 to 100 kPa and the second dielectric film is formed to a thickness of 5 to 10 kPa. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1유전막은, The first dielectric film, 지르코늄산화막, 하프늄산화막, 티타늄산화막, 탄탈륨산화막, 스트론튬티타늄산화막으로 이루어진 그룹들 중에서 선택된 어느 한 물질로 형성하는 캐패시터의 제조 방법.A method of manufacturing a capacitor formed of any one material selected from the group consisting of a zirconium oxide film, a hafnium oxide film, a titanium oxide film, a tantalum oxide film, and a strontium titanium oxide film. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제2유전막은,The second dielectric film, 알루미늄산화막으로 형성하는 캐패시터의 제조 방법.A method for producing a capacitor formed of an aluminum oxide film. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 제1유전막으로 사용하는 상기 지르코늄산화막은,The zirconium oxide film used as the first dielectric film, 지르코늄 소스를 흡착시키는 단계;Adsorbing a zirconium source; 상기 지르코늄 소스 중에서 미반응 지르코늄 소스를 제거하기 위한 퍼지 단계;A purge step for removing an unreacted zirconium source from the zirconium source; 반응 가스를 공급하여 상기 흡착된 지르코늄 소스와 반응시키는 단계; 및Supplying a reaction gas to react with the adsorbed zirconium source; And 미반응 반응 가스 및 반응부산물을 제거하기 위한 퍼지 단계를 단위 사이클로 하고, 상기 단위 사이클을 소정 횟수 반복하는 캐패시터의 제조 방법.A purge step for removing unreacted reaction gas and reaction by-products is a unit cycle, and the unit cycle is repeated a predetermined number of times. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 지르코늄 소스를 흡착시키는 단계는,Adsorbing the zirconium source, Zr[NC2H5CH3]4, Zr[N(CH3)2]4, Zr[OC(CH3)2CH2OCH3]4, Zr[OC(CH3)3]4, ZrCl4 및 ZrI4 으로 이루어진 그룹에서 선택된 물질을 전구체로 사용하고, 0.1∼10 Torr의 챔버 압력, 250∼350℃의 기판 온도를 유지하며, 0.1∼10초 간 플로우하는 캐패시터의 제조 방법.Zr [NC 2 H 5 CH 3 ] 4 , Zr [N (CH 3 ) 2 ] 4 , Zr [OC (CH 3 ) 2 CH 2 OCH 3 ] 4 , Zr [OC (CH 3 ) 3 ] 4 , ZrCl 4 And using a material selected from the group consisting of ZrI 4 as a precursor, maintaining a chamber pressure of 0.1 to 10 Torr, a substrate temperature of 250 to 350 ° C., and flowing for 0.1 to 10 seconds. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 지르코늄 소스 중에서 미반응 지르코늄 소스를 제거하기 위한 퍼지 단계는,A purge step for removing an unreacted zirconium source from the zirconium source, N2 가스를 0.1∼10 초간 플로우하는 캐패시터의 제조 방법.N method of manufacturing a capacitor for a second gas flow 0.1~10 seconds. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 반응 가스는,The reaction gas, H2O 또는 O2, O3 플라즈마를 0.1∼10 초간 플로우 하는 캐패시터의 제조 방법.H 2 O or O 2, O 3 process for producing a capacitor to the plasma flow 0.1~10 seconds. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 미반응 반응 가스 및 반응부산물을 제거하기 위한 퍼지 단계는,The purge step for removing the unreacted reaction gas and reaction by-products, N2 가스를 0.1∼5 초간 플로우 하는 캐패시터의 제조 방법.N method of manufacturing a capacitor for a second gas flow 0.1~5 seconds. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 제1유전막으로 사용하는 상기 하프늄산화막은,The hafnium oxide film used as the first dielectric film, 하프늄 소스를 흡착시키는 단계;Adsorbing a hafnium source; 상기 하프늄 소스 중에서 미반응 하프늄 소스를 제거하기 위한 퍼지 단계;A purge step for removing an unreacted hafnium source from the hafnium source; 반응 가스를 공급하여 상기 흡착된 하프늄 소스와 반응시키는 단계; 및Supplying a reaction gas to react with the adsorbed hafnium source; And 미반응 반응 가스 및 반응부산물을 제거하기 위한 퍼지 단계를 단위 사이클 로 하고, 상기 단위 사이클을 소정 횟수 반복하는 캐패시터의 제조 방법.A purge step for removing unreacted reaction gas and reaction by-products is a unit cycle, and the unit cycle is repeated a predetermined number of times. 제19항에 있어서,The method of claim 19, 상기 하프늄 소스를 흡착시키는 단계는,Adsorbing the hafnium source, C16H36O4 또는 Hf를 함유한 유기금속화합물(TDEAHf, TEMAHf)을 전구체로 사용하며, 0.1∼10 Torr의 챔버 압력, 250∼350℃의 기판 온도를 유지하며, 0.1∼10초 간 플로우하는 캐패시터의 제조 방법.Organometallic compounds (TDEAHf, TEMAHf) containing C 16 H 36 O 4 or Hf are used as precursors, and the chamber pressure is 0.1-10 Torr, the substrate temperature is 250-350 ° C., and flow is for 0.1-10 seconds. The manufacturing method of a capacitor. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 제1유전막으로 사용하는 상기 티타늄산화막은,The titanium oxide film used as the first dielectric film, 티타늄 소스를 흡착시키는 단계;Adsorbing a titanium source; 상기 티타늄 소스 중에서 미반응 티타늄 소스를 제거하기 위한 퍼지 단계;A purge step for removing unreacted titanium source from the titanium source; 반응 가스를 공급하여 상기 흡착된 티타늄 소스와 반응시키는 단계; 및Supplying a reaction gas to react with the adsorbed titanium source; And 미반응 반응 가스 및 반응부산물을 제거하기 위한 퍼지 단계를 단위 사이클로 하고, 상기 단위 사이클을 소정 횟수 반복하는 캐패시터의 제조 방법.A purge step for removing unreacted reaction gas and reaction by-products is a unit cycle, and the unit cycle is repeated a predetermined number of times. 제21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 티타늄 소스를 흡착시키는 단계는,Adsorbing the titanium source, TiCl4, Ti(OCH3)4, Ti(OC2H5)4, Ti(OC3H7)4, Ti(O4H9)4, Ti(CO2H5)(OC3H7)4, 액상의 Ti[OCH(CH3)2]4 및 Ti(I-OPr)4[Ti Isopropylate] 으로 이루어진 그룹에서 선택된 물질을 전구체로 사용하며, 0.1∼10 Torr의 챔버 압력, 250∼350℃의 기판 온도를 유지하며, 0.1∼10초 간 플로우하는 캐패시터의 제조 방법.TiCl 4 , Ti (OCH 3 ) 4 , Ti (OC 2 H 5 ) 4 , Ti (OC 3 H 7 ) 4 , Ti (O 4 H 9 ) 4 , Ti (CO 2 H 5 ) (OC 3 H 7 ) 4 , a liquid material selected from the group consisting of Ti [OCH (CH 3 ) 2 ] 4 and Ti (I-OPr) 4 [Ti Isopropylate] as a precursor, the chamber pressure of 0.1 to 10 Torr, 250 to 350 ℃ The manufacturing method of the capacitor which keeps the board | substrate temperature of and flows for 0.1 to 10 second. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 제1유전막으로 사용하는 상기 탄탈륨산화막은,The tantalum oxide film used as the first dielectric film, 탄탈륨 소스를 흡착시키는 단계;Adsorbing a tantalum source; 상기 탄탈륨 소스 중에서 미반응 탄탈륨 소스를 제거하기 위한 퍼지 단계;A purge step to remove unreacted tantalum source from the tantalum source; 반응 가스를 공급하여 상기 흡착된 탄탈륨 소스와 반응시키는 단계; 및Supplying a reaction gas to react with the adsorbed tantalum source; And 미반응 반응 가스 및 반응부산물을 제거하기 위한 퍼지 단계를 단위 사이클로 하고, 상기 단위 사이클을 소정 횟수 반복하는 캐패시터의 제조 방법.A purge step for removing unreacted reaction gas and reaction by-products is a unit cycle, and the unit cycle is repeated a predetermined number of times. 제23항에 있어서,The method of claim 23, wherein 상기 탄탈륨 소스를 흡착시키는 단계는,Adsorbing the tantalum source, TaCl5, Ta(OCH3)5, Ta(OC2H5)5, Ta(N(CH3)2)5, Ta(OC3H7)5 및 Ta(OC2H5)(OC3H7)4, Ta(OC3H7)5 및 Ta(OC2H5)(OC3H7)4 으로 이루어진 그룹에서 선택된 물질을 전구체로 사용하며, 0.1∼10 Torr의 챔버 압력, 250∼350℃의 기판 온도를 유지하며, 0.1∼10초 간 플로우하는 캐패시터의 제조 방법.TaCl 5 , Ta (OCH 3 ) 5 , Ta (OC 2 H 5 ) 5 , Ta (N (CH 3 ) 2 ) 5 , Ta (OC 3 H 7 ) 5 and Ta (OC 2 H 5 ) (OC 3 H 7 ) A precursor selected from the group consisting of 4 , Ta (OC 3 H 7 ) 5 and Ta (OC 2 H 5 ) (OC 3 H 7 ) 4, with a chamber pressure of 0.1-10 Torr, 250-350 The manufacturing method of a capacitor which keeps substrate temperature of ° C, and flows for 0.1 to 10 seconds. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 제1유전막으로 사용하는 상기 스트론튬티타늄산화막은,The strontium titanium oxide film used as the first dielectric film, 스트론튬 소스를 흡착시키는 단계;Adsorbing a strontium source; 상기 스트론튬 소스 중에서 미반응 스트론튬 소스를 제거하기 위한 퍼지 단계;A purge step for removing an unreacted strontium source from the strontium source; 티타늄 소스를 흡착시키는 단계;Adsorbing a titanium source; 상기 티타늄 소스 중에서 미반응 티타늄 소스를 제거하기 위한 퍼지 단계;A purge step for removing unreacted titanium source from the titanium source; 반응 가스를 공급하여 상기 흡착된 스트론튬티타늄 소스와 반응시키는 단계; 및Supplying a reaction gas to react with the adsorbed strontium titanium source; And 미반응 반응 가스 및 반응부산물을 제거하기 위한 퍼지 단계를 단위 사이클로 하고, 상기 단위 사이클을 소정 횟수 반복하는 캐패시터의 제조 방법.A purge step for removing unreacted reaction gas and reaction by-products is a unit cycle, and the unit cycle is repeated a predetermined number of times. 제25항에 있어서,The method of claim 25, 상기 스트론튬 소스를 흡착시키는 단계는,Adsorbing the strontium source, Sr(thd)2THF2을 전구체로 사용하며, 0.1∼10 Torr의 챔버 압력, 250∼350℃의 기판 온도를 유지하며, 0.1∼10초 간 플로우하는 캐패시터의 제조 방법.A method for producing a capacitor using Sr (thd) 2 THF 2 as a precursor, maintaining a chamber pressure of 0.1 to 10 Torr, a substrate temperature of 250 to 350 ° C., and flowing for 0.1 to 10 seconds. 제25항에 있어서,The method of claim 25, 상기 티타늄 소스를 흡착시키는 단계는,Adsorbing the titanium source, Ti(OiPr)4 또는 Ti(EtO)4 을 전구체로 사용하며, 0.1∼10 Torr의 챔버 압력, 250∼350℃의 기판 온도를 유지하며, 0.1∼10초 간 플로우하는 캐패시터의 제조 방법.A method for producing a capacitor using Ti (OiPr) 4 or Ti (EtO) 4 as a precursor and maintaining a chamber pressure of 0.1 to 10 Torr, a substrate temperature of 250 to 350 ° C., and flowing for 0.1 to 10 seconds. 제13에 있어서,The method according to claim 13, 상기 제2유전막은,The second dielectric film, 알루미늄 소스를 흡착시키는 단계;Adsorbing an aluminum source; 상기 알루미늄 소스 중에서 미반응 알루미늄 소스를 제거하기 위한 퍼지 단계;A purge step to remove unreacted aluminum source from the aluminum source; 반응 가스를 공급하여 상기 흡착된 알루미늄 소스와 반응시키는 단계; 및Supplying a reaction gas to react with the adsorbed aluminum source; And 미반응 반응 가스 및 반응부산물을 제거하기 위한 퍼지 단계를 단위 사이클로 하고, 상기 단위 사이클을 소정 횟수 반복하는 캐패시터의 제조 방법.A purge step for removing unreacted reaction gas and reaction by-products is a unit cycle, and the unit cycle is repeated a predetermined number of times. 제28항에 있어서,The method of claim 28, 상기 알루미늄 소스를 흡착시키는 단계는,Adsorbing the aluminum source, TMA 또는 Al(CH3)3 을 전구체로 사용하고, 0.1∼10 Torr의 챔버 압력, 350∼500℃의 기판 온도를 유지하며, 0.1∼5초 간 플로우하는 캐패시터의 제조 방법.A process for producing a capacitor using TMA or Al (CH 3 ) 3 as a precursor, maintaining a chamber pressure of 0.1 to 10 Torr, a substrate temperature of 350 to 500 ° C., and flowing for 0.1 to 5 seconds. 제28항에 있어서,The method of claim 28, 상기 퍼지 단계는,The purge step, N2 가스를 0.1∼5 초간 플로우 하는 캐패시터의 제조 방법.N method of manufacturing a capacitor for a second gas flow 0.1~5 seconds. 제28항에 있어서,The method of claim 28, 상기 반응 가스는,The reaction gas, O3 또는 O2 플라즈마를 0.1∼5 초간 플로우하는 캐패시터의 제조 방법.O 3 Or a method for producing a capacitor to flow to O 2 plasma 0.1~5 seconds. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제1유전막과 상기 제2유전막은, 번갈아 적층하여 (제2유전막/제1유전막)n(2≤n≤10) 구조로 형성하는 캐패시터의 제조 방법. And the first dielectric film and the second dielectric film are alternately stacked to form a (second dielectric film / first dielectric film) n (2 ≦ n ≦ 10) structure.
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