KR20070111863A - Light emission device, method for manufacutring electron emission unit for light emission device, and liquid crystal display device with the light emission device as back light unit - Google Patents

Light emission device, method for manufacutring electron emission unit for light emission device, and liquid crystal display device with the light emission device as back light unit Download PDF

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Abstract

A light emission device, a method for manufacturing an electron emission unit of the same, and a liquid crystal display apparatus using the same as a backlight unit are provided to stabilize the operation by raising a withstand voltage characteristic between scan electrodes and data electrodes. First and second substrates(12,14) are opposite to each other to form a vacuum envelope. First electrodes(26) are formed on the first substrate in a direction, and second electrodes(30) are formed in a direction crossing the first direction, with an insulating layer(28) interposed between the electrodes. Electron emission regions(32) are electrically connected to the first electrodes. A phosphor layer(34) is formed on the second substrate, and an anode electrode(36) is formed on the phosphor layer. The second electrodes are side by side spaced 100 through 400 micrometers.

Description

발광 장치와 이 발광 장치의 전자 방출 유닛 제조 방법 및 이 발광 장치를 백 라이트 유닛으로 사용하는 액정 표시 장치 {LIGHT EMISSION DEVICE, METHOD FOR MANUFACUTRING ELECTRON EMISSION UNIT FOR LIGHT EMISSION DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE WITH THE LIGHT EMISSION DEVICE AS BACK LIGHT UNIT}LIGHT EMISSION DEVICE, METHOD FOR MANUFACUTRING ELECTRON EMISSION UNIT FOR LIGHT EMISSION DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE WITH THE LIGHT EMISSION DEVICE AS BACK LIGHT UNIT}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시한 발광 장치 중 유효 영역을 도시한 부분 분해 사시도이다.FIG. 2 is a partially exploded perspective view showing an effective area of the light emitting device shown in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시한 발광 장치 중 유효 영역을 도시한 부분 단면도이다.3 is a partial cross-sectional view showing an effective area of the light emitting device shown in FIG. 1.

도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 유닛의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 제조 단계에서의 부분 단면도이다.4A to 4F are partial cross-sectional views at each manufacturing step shown to explain a method for manufacturing an electron emission unit according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 분해 사시도이다.5 is an exploded perspective view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 구동하는 구성의 블록도이다.6 is a block diagram of a configuration for driving a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전계에 의한 전자 방출 특성을 이용하여 빛을 내는 발광 장치와, 이 발광 장치를 백 라이트 유닛으로 사용하는 액정 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a light emitting device that emits light using an electron emission characteristic by an electric field, and a liquid crystal display device using the light emitting device as a backlight unit.

최근들어 평판 표시 장치의 한 종류인 액정 표시 장치가 음극선관을 대체하여 널리 사용되고 있다. 액정 표시 장치는 인가 전압에 따라 비틀림각이 변화하는 액정의 유전 이방성을 이용하여 픽셀별로 광 투과량을 변화시키는 특징을 가진다.Recently, a liquid crystal display device, which is a type of flat panel display device, has been widely used in place of a cathode ray tube. The liquid crystal display has a characteristic of changing the amount of light transmission for each pixel by using the dielectric anisotropy of the liquid crystal whose twist angle changes according to the applied voltage.

이러한 액정 표시 장치는 기본적으로 액정 패널 조립체와, 액정 패널 조립체로 빛을 제공하는 백 라이트 유닛을 포함하며, 액정 패널 조립체가 백 라이트 유닛에서 방출되는 빛을 제공받아 이 빛을 액정층의 작용으로 투과 또는 차단시킴으로써 소정의 화상을 구현한다.Such a liquid crystal display device basically includes a liquid crystal panel assembly and a backlight unit that provides light to the liquid crystal panel assembly, and the liquid crystal panel assembly receives light emitted from the backlight unit and transmits the light by the action of the liquid crystal layer. Or a predetermined image is implemented by blocking.

백 라이트 유닛은 광원의 종류에 따라 구분할 수 있는데, 그 중 하나로 냉음극 형광램프(Cold Cathode Fluorescent Lamp; CCFL, 이하 'CCFL'이라 한다) 방식이 공지되어 있다. CCFL은 선 광원이므로 CCFL에서 발생된 빛을 확산 시트와 확산판 및 프리즘 시트와 같은 광학 부재를 통해 액정 패널 조립체를 향해 고르게 분산시킬 수 있다.The backlight unit may be classified according to the type of light source, and one of them is known as a cold cathode fluorescent lamp (CCFL). Since the CCFL is a line light source, the light generated by the CCFL can be evenly dispersed toward the liquid crystal panel assembly through the optical members such as the diffusion sheet, the diffusion plate, and the prism sheet.

그러나 CCFL 방식에서는 CCFL에서 발생된 빛이 광학 부재를 거치게 되므로 상당한 광 손실이 발생하며, 이러한 광 손실을 고려하여 CCFL에서 강한 세기의 빛을 방출해야 하므로 소비 전력이 큰 단점이 있다. 또한 CCFL 방식은 구조상 대면적화가 어렵기 때문에 30인치 이상의 대형 표시 장치에 적용이 어려운 한계가 있다.However, in the CCFL method, since the light generated by the CCFL passes through the optical member, considerable light loss occurs, and power consumption is high because the light must be emitted at a high intensity from the CCFL in consideration of the light loss. In addition, the CCFL method is difficult to apply to a large display device of 30 inches or more because it is difficult to large area structure.

그리고 종래의 백 라이트 유닛으로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED, 이하 'LED'라 한다) 방식이 공지되어 있다. LED는 점 광원으로서 통상 복수개로 구비되며, 반사 시트, 도광판, 확산 시트, 확산판 및 프리즘 시트 등의 광학 부재와 조합됨으로써 백 라이트 유닛을 구성한다. 이러한 LED 방식은 응답 속도가 빠르고 색재현성이 우수한 장점이 있으나, 가격이 높고 두께가 큰 단점이 있다.As a conventional backlight unit, a light emitting diode (LED) method is known. A plurality of LEDs are usually provided as a point light source, and are combined with optical members such as a reflective sheet, a light guide plate, a diffusion sheet, a diffusion plate, and a prism sheet to constitute a backlight unit. This LED method has the advantages of fast response speed and excellent color reproducibility, but has a disadvantage of high price and large thickness.

이처럼 종래의 백 라이트 유닛은 광원의 종류에 따라 각자의 문제점을 가지고 있다. 또한 종래의 백 라이트 유닛은 표시 장치 구동시 일정한 밝기로 항상 켜져 있으므로 표시 장치에 요구되는 화질 개선에 부합하기 어려운 문제가 있다.As such, the conventional backlight unit has its own problems depending on the type of light source. In addition, since the conventional backlight unit is always turned on at a constant brightness when the display device is driven, there is a problem that it is difficult to meet the image quality improvement required for the display device.

일례로 액정 패널 조립체가 영상 신호에 따라 밝은 부분과 어두운 부분을 포함하는 임의의 화면을 표시하는 경우, 백 라이트 유닛이 밝은 부분을 표시하는 영역과 어두운 부분을 표시하는 영역에 서로 다른 세기의 빛을 제공한다면 동적 대비비(dynamic contrast)가 우수한 화면을 구현할 수 있을 것이다.For example, when the liquid crystal panel assembly displays an arbitrary screen including a bright portion and a dark portion according to an image signal, the backlight unit applies light of different intensities to the region displaying the bright portion and the region displaying the dark portion. If it is provided, it is possible to realize a screen having excellent dynamic contrast.

그러나 지금까지의 백 라이트 유닛으로는 전술한 기능을 구현할 수 없으므로 종래의 액정 표시 장치는 화면의 동적 대비비를 높이는데 한계가 있다.However, the above-described backlight unit cannot implement the above functions, and thus the conventional liquid crystal display device has a limitation in increasing the dynamic contrast ratio of the screen.

한편, 자발광 표시 장치로서 전계에 의한 전자 방출 특성을 이용하여 표시를 행하는 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display; FED, 이하 'FED'라 한다)가 있으며, 이 FED를 액정 표시 장치의 백 라이트 유닛으로 적용하는 기술이 공지되어 있다.On the other hand, as a self-luminous display device, there is a field emission display device (FED, hereinafter referred to as 'FED') which displays using an electron emission characteristic by an electric field, and this FED is a backlight unit of a liquid crystal display device. It is known to apply the technique.

FED는 기본적으로 제1 기판과 제2 기판 및 밀봉 부재로 구성되는 진공 용기와, 제1 기판의 일면에 제공되며 전자 방출부와 구동 전극들을 포함하는 전자 방출 유닛과, 제2 기판의 일면에 제공되며 형광층과 애노드 전극을 포함하는 발광 유닛 으로 이루어진다.The FED basically includes a vacuum container composed of a first substrate, a second substrate, and a sealing member, an electron emission unit provided on one surface of the first substrate, the electron emission unit including an electron emission portion and drive electrodes, and a surface of the second substrate. And a light emitting unit including a fluorescent layer and an anode electrode.

전자 방출부는 구동 전극들에 인가되는 구동 신호에 따라 픽셀별로 임의의 전자들을 방출시키고, 애노드 전극이 수천 볼트의 양의 직류 전압을 인가받아 이 전자들을 형광층을 향해 가속시키며, 이 전자들이 해당 픽셀의 형광층을 발광시켜 소정의 화상을 구현한다.The electron emitter emits arbitrary electrons per pixel according to the driving signal applied to the driving electrodes, and the anode electrode receives a direct current voltage of thousands of volts to accelerate these electrons toward the fluorescent layer, and these electrons The fluorescent layer of light is emitted to implement a predetermined image.

그런데 종래의 FED 방식은 단지 기존의 FED를 백 라이트 유닛으로 적용한 것일 뿐, FED 자체가 갖고 있는 구조 및 공정상의 단점들을 개선하지 못하고 있다.However, the conventional FED method merely applies the existing FED as a backlight unit and does not improve the disadvantages of the structure and the process that the FED itself has.

일례로 기존의 FED는 데이터 전극들과 주사 전극들 사이에 위치하는 절연층을 습식 식각하여 전자 방출부 배치를 위한 개구부를 형성하는데, 습식 식각은 식각 깊이가 커질수록 개구부 폭이 감소하는 특징이 있으므로, 절연층을 얇은 두께로 형성하여 개구부 폭 확대를 억제하고 있다. 이러한 절연층 구조에서는 데이터 전극과 주사 전극 사이의 내전압 특성이 낮아 구동 안정성이 저하되는 문제가 있다.For example, the conventional FED wet-etches an insulating layer positioned between the data electrodes and the scan electrodes to form an opening for disposing an electron emitter. The wet etching has a feature that the width of the opening decreases as the etching depth increases. The insulating layer is formed to a thin thickness to suppress the opening width. In such an insulating layer structure, there is a problem in that driving stability is lowered because the withstand voltage characteristic between the data electrode and the scan electrode is low.

또한 기존의 FED는 해상도 확보를 위해 주사 전극들간 거리를 좁히고 있으며, 절연층 위에 도전층 형성 후 포토리소그래피 공정으로 도전층을 패터닝하여 주사 전극들을 형성하고 있다. 이러한 주사 전극 구조에서는 공정 마진이 낮고, 제조 공정이 복잡하며, 이웃한 주사 전극들끼리 쇼트되는 문제가 발생할 수 있다.In addition, the conventional FED is narrowing the distance between the scan electrodes to secure the resolution, and after forming the conductive layer on the insulating layer, the conductive layer is patterned by a photolithography process to form the scan electrodes. In such a scan electrode structure, a process margin may be low, a manufacturing process may be complicated, and adjacent scan electrodes may be shorted.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 주사 전극들과 데이터 전극들 사이의 내전압 특성을 높여 구동을 안정화하고, 주사 전극들의 공정 마진을 높일 수 있는 발광 장치와, 이 발광 장치의 전자 방출 유닛 제조 방법 및 이 발광 장치를 백 라이트 유닛으로 사용하는 액정 표시 장치를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a light emitting device capable of stabilizing driving by increasing a breakdown voltage characteristic between scan electrodes and data electrodes, and increasing a process margin of scan electrodes. The present invention provides a method for manufacturing an electron emission unit of a light emitting device and a liquid crystal display device using the light emitting device as a backlight unit.

본 발명의 다른 목적은 화면의 동적 대비비를 높여 우수한 표시 품질을 구현할 수 있는 액정 표시 장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of realizing excellent display quality by increasing a dynamic contrast ratio of a screen.

본 발명의 또다른 목적은 백 라이트 유닛의 소비 전력을 줄이고, 광학 부재에 의한 광 손실을 최소화하며, 대형화에 유리한 액정 표시 장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device which reduces power consumption of a backlight unit, minimizes light loss caused by an optical member, and is advantageous for large size.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In order to achieve the above object, the present invention,

서로 대향 배치되며 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 제1 기판의 일 방향을 따라 형성되는 제1 전극들과, 절연층을 사이에 두고 제1 전극들 상부에서 제1 전극들과 교차하는 방향을 따라 형성되는 제2 전극들과, 제1 전극들에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들과, 제2 기판의 일면에 형성되는 형광층과, 형광층의 일면에 위치하는 애노드 전극을 포함하며, 제2 전극들이 100 내지 400㎛의 간격을 두고 서로 나란히 위치하는 발광 장치를 제공한다.A first substrate and a second substrate disposed to face each other and forming a vacuum container, first electrodes formed along one direction of the first substrate on the first substrate, and an insulating layer interposed therebetween Second electrodes formed along a direction intersecting the first electrodes, electron emission parts electrically connected to the first electrodes, a fluorescent layer formed on one surface of the second substrate, and positioned on one surface of the fluorescent layer It includes an anode electrode, the second electrode is provided with a light emitting device which is located next to each other at intervals of 100 to 400㎛.

상기 절연층과 제2 전극들은 서로 연통하는 개구부를 형성하며, 전자 방출부가 개구부 내측으로 제1 전극들 위에 배치된다.The insulating layer and the second electrodes form openings communicating with each other, and an electron emission part is disposed on the first electrodes inside the opening.

상기 절연층은 15 내지 30㎛의 두께로 형성될 수 있으며, 제2 전극들과 절연층의 개구부는 30 내지 50㎛의 직경으로 형성될 수 있다.The insulating layer may be formed to a thickness of 15 to 30㎛, the openings of the second electrode and the insulating layer may be formed to a diameter of 30 to 50㎛.

상기 전자 방출부는 탄소계 물질과 나노미터 사이즈 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The electron emission unit may include at least one of a carbonaceous material and a nanometer size material.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In addition, the present invention, in order to achieve the above object,

기판 위에 제1 전극들을 스트라이프 패턴으로 형성하는 단계와, 제1 전극들을 덮도록 기판 전체에 15 내지 30㎛의 두께를 가지는 절연층을 형성하는 단계와, 절연층 위에 100 내지 400㎛의 서로간 간격을 가지는 제2 전극들을 제1 전극들과 교차하는 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성하는 단계와, 제2 전극들과 절연층에 서로 연통하는 개구부를 형성하는 단계와, 절연층의 개구부 내측으로 제1 전극들 위에 전자 방출부를 형성하는 단계들을 포함하는 발광 장치의 전자 방출 유닛 제조 방법을 제공한다.Forming first electrodes in a stripe pattern on the substrate, forming an insulating layer having a thickness of 15 to 30 μm over the entire substrate to cover the first electrodes, and spaced apart from each other at 100 to 400 μm on the insulating layer Forming second electrodes having a stripe pattern along a direction crossing the first electrodes, forming openings in communication with the second electrodes and the insulating layer, and forming a first inside the opening of the insulating layer; It provides a method for manufacturing an electron emission unit of a light emitting device comprising the step of forming an electron emission portion on the electrodes.

상기 제2 전극들은 스크린 인쇄법으로 형성할 수 있다.The second electrodes may be formed by screen printing.

상기 절연층에 개구부를 형성할 때에는 제1 마스크층의 개구부를 통해 절연층을 1차로 습식 식각하여 제1 개구부를 형성한 다음 제2 마스크층의 개구부를 통해 절연층을 2차로 습식 식각하여 제2 개구부를 형성할 수 있다. 이때 제2 마스크층의 개구부는 제1 마스크층의 개구부보다 작은 크기로 형성될 수 있다.When the opening is formed in the insulating layer, the insulating layer is primarily wet-etched through the opening of the first mask layer to form the first opening, and then the second insulating layer is wet-etched secondly through the opening of the second mask layer. Openings may be formed. In this case, the opening of the second mask layer may be formed to have a smaller size than the opening of the first mask layer.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In addition, the present invention, in order to achieve the above object,

전술한 구성의 발광 장치와, 발광 장치의 전방에 위치하여 발광 장치로부터 방출된 빛을 제공받아 화상을 표시하는 액정 패널 조립체를 포함하는 액정 표시 장치를 제공한다.A liquid crystal display device including a light emitting device having the above-described configuration and a liquid crystal panel assembly positioned in front of the light emitting device to receive light emitted from the light emitting device to display an image.

상기 액정 패널 조립체가 행 방향과 열 방향을 따라 복수의 픽셀들을 형성할 때, 발광 장치는 행 방향과 열 방향을 따라 액정 패널 조립체보다 작은 수의 픽셀들을 형성할 수 있다.When the liquid crystal panel assembly forms a plurality of pixels along the row direction and the column direction, the light emitting device may form a smaller number of pixels than the liquid crystal panel assembly along the row direction and the column direction.

상기 액정 패널 조립체는 행 방향을 따라 M개의 픽셀들과 열 방향을 따라 N개의 픽셀들을 형성하며, M과 N은 각각 240 이상의 정수로 정의할 수 있다.The liquid crystal panel assembly forms M pixels along a row direction and N pixels along a column direction, and M and N may each be defined as an integer of 240 or more.

상기 발광 장치는 행 방향을 따라 M'개의 픽셀들과 열 방향을 따라 N'개의 픽셀들을 형성하며, M'와 N'은 각각 2 내지 99 중 어느 하나의 정수로 정의할 수 있다.The light emitting device may form M 'pixels in a row direction and N' pixels in a column direction, and M 'and N' may be defined as any one of 2 to 99, respectively.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 단면도이고, 도 2와 도 3은 각각 도 1에 도시한 발광 장치 중 유효 영역을 도시한 부분 분해 사시도와 부분 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are partial exploded perspective views and partial cross-sectional views showing effective regions of the light emitting device shown in FIG. 1, respectively.

먼저 도 1을 참고하면, 본 실시예의 발광 장치(10)는 소정의 간격을 두고 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(12)과 제2 기판(14)을 포함한다. 제1 기판(12)과 제2 기판(14)의 가장자리에는 밀봉 부재(16)가 배치되어 두 기판을 접합시키며, 내부 공간이 대략 10-6 Torr의 진공도로 배기되어 제1 기판(12)과 제2 기판(14) 및 밀봉 부재(16)가 진공 용기를 구성한다.First, referring to FIG. 1, the light emitting device 10 of the present exemplary embodiment includes a first substrate 12 and a second substrate 14 that are disposed to face each other in parallel at a predetermined interval. Sealing members 16 are disposed on the edges of the first substrate 12 and the second substrate 14 to bond the two substrates, and the inner space is evacuated with a vacuum of approximately 10 −6 Torr so that the first substrate 12 The second substrate 14 and the sealing member 16 constitute a vacuum container.

제1 기판(12)과 제2 기판(14)은 밀봉 부재(16) 내측에서 실제 가시광 방출에 기여하는 유효 영역(18)과, 유효 영역(18)을 둘러싸는 비유효 영역(20)을 구비한다. 제1 기판(12)의 유효 영역(18)에는 전자 방출을 위한 전자 방출 유닛(22)이 제공되고, 제2 기판(14)의 유효 영역(18)에는 가시광 방출을 위한 발광 유닛(24)이 제공된다.The first substrate 12 and the second substrate 14 have an effective region 18 that contributes to the actual visible light emission inside the sealing member 16 and an ineffective region 20 surrounding the effective region 18. do. The effective region 18 of the first substrate 12 is provided with an electron emission unit 22 for emitting electrons, and the effective region 18 of the second substrate 14 has a light emitting unit 24 for emitting visible light. Is provided.

도 2와 도 3을 참고하면, 본 실시예에서 전자 방출 유닛(22)은 제1 기판(12)의 일 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되는 제1 전극인 캐소드 전극들(26)과, 절연층(28)을 사이에 두고 캐소드 전극(26)과 교차하는 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되는 제2 전극인 게이트 전극들(30)과, 캐소드 전극(26)에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들(32)을 포함한다.2 and 3, in the present exemplary embodiment, the electron emission unit 22 may include cathode electrodes 26, which are first electrodes formed in a stripe pattern along one direction of the first substrate 12, and an insulating layer. Gate electrodes 30, which are second electrodes formed in a stripe pattern along a direction intersecting the cathode electrode 26 with an interposed portion 28 between them, and electron emission parts 32 electrically connected to the cathode electrode 26. ).

게이트 전극들(30)은 제1 기판(12)의 행 방향을 따라 나란히 배치될 수 있으며, 주사 신호를 인가받아 주사 전극으로 기능할 수 있다. 캐소드 전극들(26)은 제1 기판(12)의 열 방향을 따라 나란히 배치될 수 있으며, 데이터 신호를 인가받아 데이터 전극으로 기능할 수 있다.The gate electrodes 30 may be arranged side by side in the row direction of the first substrate 12, and may function as scan electrodes by receiving a scan signal. The cathode electrodes 26 may be arranged side by side along the column direction of the first substrate 12, and may function as a data electrode by receiving a data signal.

캐소드 전극(26)과 게이트 전극(30)의 교차 영역마다 게이트 전극(30)과 절연층(28)에 개구부(301,281)가 형성되어 캐소드 전극(26)의 표면 일부를 노출시키고, 절연층(28)의 개구부(281) 내측으로 캐소드 전극(26) 위에 전자 방출부(32)가 위치한다.Openings 301 and 281 are formed in the gate electrode 30 and the insulating layer 28 at each crossing region of the cathode electrode 26 and the gate electrode 30 to expose a portion of the surface of the cathode electrode 26 and the insulating layer 28. The electron emission part 32 is positioned on the cathode electrode 26 inside the opening 281 of the C.

전자 방출부(32)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(32)는 일례로 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, C60, 실리콘 나노와이어 또는 이들의 조합 물질을 포함할 수 있으며, 그 제조법으로 스크린 인쇄, 직접 성장, 화학기상증착 또는 스퍼터링 등을 포함할 수 있다.The electron emission part 32 may be formed of materials that emit electrons when an electric field is applied in a vacuum, such as a carbon-based material or a nanometer (nm) size material. The electron emission part 32 may include, for example, carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamonds, diamond-like carbons, C 60 , silicon nanowires, or a combination thereof. , Chemical vapor deposition or sputtering, and the like.

다른 한편으로, 전자 방출부는 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물로 이루어질 수 있다.On the other hand, the electron emission portion may be formed of a tip structure having a pointed tip mainly made of molybdenum (Mo) or silicon (Si).

전술한 구조에서 캐소드 전극(26)과 게이트 전극(30)의 교차 영역 하나가 발광 장치(10)의 한 픽셀 영역에 대응하거나, 2개 이상의 교차 영역이 발광 장치(10)의 한 픽셀 영역에 대응할 수 있다. 두번째 경우 하나의 픽셀 영역에 대응하는 2개 이상의 캐소드 전극들(26) 및/또는 2개 이상의 게이트 전극들(30)은 서로 전기적으로 연결되어 동일한 구동 전압을 인가받는다.In the above-described structure, one intersection region of the cathode electrode 26 and the gate electrode 30 may correspond to one pixel region of the light emitting device 10, or two or more intersection regions may correspond to one pixel region of the light emitting device 10. Can be. In the second case, two or more cathode electrodes 26 and / or two or more gate electrodes 30 corresponding to one pixel area are electrically connected to each other to receive the same driving voltage.

다음으로, 발광 유닛(24)은 형광층(34)과, 형광층(34)의 일면에 위치하는 애노드 전극(36)을 포함한다. 형광층(34)은 백색 형광층으로 이루어지거나, 적색과 녹색 및 청색 형광층들이 조합된 구성으로 이루어질 수 있으며, 도면에서는 첫번째 경우를 도시하였다.Next, the light emitting unit 24 includes a fluorescent layer 34 and an anode electrode 36 positioned on one surface of the fluorescent layer 34. The fluorescent layer 34 may be formed of a white fluorescent layer or a combination of red, green, and blue fluorescent layers, and the first case is illustrated in the drawings.

백색 형광층은 제2 기판(14) 전체에 형성되거나, 픽셀 영역마다 하나의 백색 형광층이 위치하도록 소정의 패턴으로 구분되어 위치할 수 있다. 적색과 녹색 및 청색 형광층들은 하나의 픽셀 영역 안에서 소정의 패턴으로 구분되어 위치할 수 있다.The white fluorescent layer may be formed on the entirety of the second substrate 14, or may be divided and positioned in a predetermined pattern such that one white fluorescent layer is positioned in each pixel area. The red, green, and blue fluorescent layers may be divided and positioned in a predetermined pattern in one pixel area.

애노드 전극(36)은 형광층(34) 표면을 덮는 알루미늄(Al)과 같은 금속막으로 이루어질 수 있다. 애노드 전극(36)은 전자빔을 끌어당기는 가속 전극으로서 고전압을 인가받아 형광층(34)을 고전위 상태로 유지시키며, 형광층(34)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(12)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(14) 측으로 반사시켜 화면 의 휘도를 높이는 역할을 한다.The anode electrode 36 may be formed of a metal film such as aluminum (Al) covering the surface of the fluorescent layer 34. The anode 36 serves as an acceleration electrode for attracting an electron beam to maintain the fluorescent layer 34 in a high potential state by applying a high voltage and radiate toward the first substrate 12 of visible light emitted from the fluorescent layer 34. The visible light is reflected to the second substrate 14 to increase the brightness of the screen.

그리고 제1 기판(12)과 제2 기판(14) 사이에는 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고 두 기판의 간격을 일정하게 유지시키는 스페이서들(도시하지 않음)이 배치될 수 있다.In addition, spacers (not shown) may be disposed between the first substrate 12 and the second substrate 14 to support the compressive force applied to the vacuum container and to keep the distance between the two substrates constant.

전술한 구성의 발광 장치(10)는 진공 용기 외부로부터 캐소드 전극들(26)과 게이트 전극들(30) 및 애노드 전극(36)에 소정의 전압을 공급하여 구동한다. 참고로 도 1에서 부호 38이 게이트 전극들(30)로부터 연장된 게이트 리드선을 나타내고, 부호 40이 애노드 전극(36)으로부터 연장된 애노드 리드선을 나타낸다.The light emitting device 10 having the above-described configuration is driven by supplying a predetermined voltage to the cathode electrodes 26, the gate electrodes 30, and the anode electrode 36 from outside the vacuum vessel. For reference, in FIG. 1, reference numeral 38 denotes a gate lead line extending from the gate electrodes 30, and reference numeral 40 denotes an anode lead line extending from the anode electrode 36.

캐소드 전극들(26)과 게이트 전극들(30)이 소정의 구동 전압을 인가받으면, 두 전극의 전압 차가 임계치 이상인 픽셀 영역에서 전자 방출부(32) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출되고, 방출된 전자들이 애노드 전극(36)에 인가된 고전압에 이끌려 대응하는 형광층(34) 부위에 충돌함으로써 이를 발광시킨다. 픽셀별 형광층(34)의 발광 세기는 해당 픽셀의 전자빔 방출량에 대응한다.When the cathode electrodes 26 and the gate electrodes 30 are applied with a predetermined driving voltage, an electric field is formed around the electron emission part 32 in the pixel region where the voltage difference between the two electrodes is greater than or equal to the threshold, and electrons are emitted therefrom. The emitted electrons are attracted by the high voltage applied to the anode electrode 36 and collide with the corresponding fluorescent layer 34 to emit light. The emission intensity of the pixel-specific fluorescent layer 34 corresponds to the electron beam emission amount of the pixel.

본 실시예의 발광 장치(10)는 다음에 설명하는 액정 표시 장치에서 액정 패널 조립체 후방에 위치하여 백 라이트 유닛으로 기능하며, 액정 패널 조립체보다 낮은 해상도, 즉 액정 패널 조립체보다 적은 수의 픽셀들을 형성한다.The light emitting device 10 of the present embodiment is positioned behind the liquid crystal panel assembly in the liquid crystal display device described below and functions as a backlight unit, and forms a lower resolution than the liquid crystal panel assembly, that is, fewer pixels than the liquid crystal panel assembly. .

이러한 발광 장치(10)의 용도에 맞추어 본 실시예에서 주사 전극으로 기능하는 게이트 전극들(30)은 100㎛ 이상, 바람직하게 100 내지 400㎛의 간격(G)을 두고 나란하게 위치한다. 이로써 게이트 전극들(30)의 공정 마진을 높이고, 제조 공정에서 발생할 수 있는 게이트 전극들(30)간 단락을 예방할 수 있다.According to the use of the light emitting device 10, the gate electrodes 30 functioning as scan electrodes in the present embodiment are positioned side by side with an interval G of 100 μm or more, preferably 100 to 400 μm. As a result, the process margin of the gate electrodes 30 may be increased, and a short circuit between the gate electrodes 30 may occur in a manufacturing process.

즉 게이트 전극들(30) 사이의 거리가 100㎛ 미만이면 공정 마진이 작아지고 패터닝 과정에서 게이트 전극들(30) 사이에 단락이 발생할 수 있다. 또한 게이트 전극들(30) 사이의 거리가 400㎛를 초과하면 발광 장치(10)가 적정 수의 픽셀을 형성하는데 불리해진다.That is, when the distance between the gate electrodes 30 is less than 100 μm, the process margin is reduced and a short circuit may occur between the gate electrodes 30 in the patterning process. In addition, when the distance between the gate electrodes 30 exceeds 400 μm, the light emitting device 10 is disadvantageous to form an appropriate number of pixels.

또한 본 실시예에서 절연층(28)은 15㎛ 이상, 바람직하게 15 내지 30㎛의 두께(t)를 갖도록 형성된다. 이러한 절연층(28)의 적정 두께로 인해 캐소드 전극들(26)과 게이트 전극들(30)의 내전압 특성을 높여 발광 장치(10)의 구동을 안정화시킬 수 있다. 또한 금속으로 캐소드 전극(26)을 형성하는 경우 금속 물질의 일부가 절연층(28) 내부로 확산되더라도 확대된 절연층(28) 두께에 의해 내전압 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.In addition, in this embodiment, the insulating layer 28 is formed to have a thickness t of 15 µm or more, preferably 15 to 30 µm. Due to the proper thickness of the insulating layer 28, the withstand voltage characteristics of the cathode electrodes 26 and the gate electrodes 30 may be increased to stabilize driving of the light emitting device 10. In addition, when the cathode electrode 26 is formed of metal, even if a part of the metal material diffuses into the insulating layer 28, the withstand voltage characteristics may be prevented from being lowered due to the enlarged thickness of the insulating layer 28.

한편, 절연층(28) 두께를 증가시킨 상태에서 종래와 동일한 습식 식각법으로 개구부(281)를 형성하면, 식각 깊이가 커질수록 개구부 폭이 감소하는 등방성 식각 특성에 의해 절연층(28)의 밑면에서 작은 폭의 개구부를 형성하게 된다. 즉 절연층(28)의 개구부가 수직에 가까운 측벽을 형성하지 못하고 오목하게 경사진 측벽을 형성하게 된다.On the other hand, when the openings 281 are formed by the same wet etching method as in the state of increasing the thickness of the insulating layer 28, the bottom surface of the insulating layer 28 by the isotropic etching characteristic that the opening width decreases as the etching depth increases. Will form an opening with a small width. That is, the opening of the insulating layer 28 does not form a sidewall close to the vertical, and forms a concave sidewall.

그러나 본 실시예의 발광 장치(10)는 다음에 설명하는 2차 습식 식각 공정을 통해 절연층(28)의 개구부(281) 측벽을 수직에 가깝게 형성할 수 있으며, 게이트 전극(30)에 30 내지 50㎛ 직경의 개구부(301)를 형성할 수 있다.However, the light emitting device 10 according to the present exemplary embodiment may form the sidewalls of the openings 281 of the insulating layer 28 to be perpendicular to each other through the second wet etching process, which will be described later. An opening 301 having a diameter of μm can be formed.

도 4a 내지 도 4f를 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 유닛의 제조 방법에 대해 설명한다.A method of manufacturing an electron emission unit according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4A to 4F.

도 4a를 참고하면, 제1 기판(12) 위에 도전막을 형성하고 이를 패터닝하여 스트라이프 형상의 캐소드 전극들(26)을 형성한다. 이어서 캐소드 전극들(26)을 덮도록 제1 기판(12) 전체에 절연 물질을 도포하여 15㎛ 이상, 바람직하게 15 내지 30㎛ 두께(t)의 절연층(28)을 형성한다. 절연층(28)은 스크린 인쇄와 건조 및 소성 과정을 2회 이상 반복하여 전술한 두께로 형성할 수 있다.Referring to FIG. 4A, a conductive film is formed on the first substrate 12 and patterned to form stripe cathode electrodes 26. Subsequently, an insulating material is applied to the entirety of the first substrate 12 to cover the cathode electrodes 26 to form an insulating layer 28 having a thickness t of 15 μm or more, preferably 15 to 30 μm. The insulating layer 28 may be formed to the above-described thickness by repeating the screen printing, drying and baking processes two or more times.

도 4b를 참고하면, 절연층(28) 위에 도전막을 스트라이프 형상으로 스크린 인쇄 후 건조하여 캐소드 전극(26)과 교차하는 게이트 전극들(30)을 형성한다. 이때 게이트 전극들(30) 사이 간격(G)은 100㎛ 이상, 바람직하게 100 내지 400㎛으로 이루어진다. 스크린 인쇄로 게이트 전극들(30)을 형성하면 포토리소그래피와 같은 패터닝 공정을 생략할 수 있다.Referring to FIG. 4B, the conductive film is screen printed in a stripe shape on the insulating layer 28 and dried to form gate electrodes 30 intersecting with the cathode electrode 26. At this time, the interval G between the gate electrodes 30 is 100 μm or more, preferably 100 to 400 μm. Forming the gate electrodes 30 by screen printing can omit a patterning process such as photolithography.

도 4c를 참고하면, 절연층(28)과 게이트 전극들(30) 위로 제1 기판(12) 전체에 제1 마스크층(42)을 형성하고, 이를 패터닝하여 전자 방출부 형성 위치에 개구부(421)를 형성한다. 그리고 이 개구부(421)에 의해 노출된 게이트 전극들(30) 부위를 식각하여 게이트 전극(30)에 개구부(301)를 형성한다.Referring to FIG. 4C, the first mask layer 42 is formed on the entire first substrate 12 over the insulating layer 28 and the gate electrodes 30, and is patterned to form the opening 421 at the electron emission region formation position. ). The portions of the gate electrodes 30 exposed by the openings 421 are etched to form openings 301 in the gate electrodes 30.

도 4d를 참고하면, 게이트 전극(30)의 개구부(301)에 의해 노출된 절연층(28) 부위를 1차로 습식 식각하여 제1 개구부(282)를 형성한다. 제1 개구부(282)는 확대된 절연층(28) 두께에 의해 절연층(28) 전체를 관통하지 못하고 절연층(28) 일부에 형성된다. 제1 개구부(282) 형성 후 제1 마스크층(42)을 박리하여 제거한다.Referring to FIG. 4D, the portion of the insulating layer 28 exposed by the opening 301 of the gate electrode 30 is first wet-etched to form the first opening 282. The first opening 282 is formed in a portion of the insulating layer 28 without penetrating the entire insulating layer 28 due to the enlarged thickness of the insulating layer 28. After the first openings 282 are formed, the first mask layer 42 is peeled off and removed.

도 4e를 참고하면, 게이트 전극들(30)과 절연층(28) 위로 제1 기판(12) 전체 에 제2 마스크층(44)을 형성하고, 이를 패터닝하여 전자 방출부 형성 위치에 개구부(441)를 형성한다. 제2 마스크층(44)의 개구부(441)는 제1 마스크층(42)의 개구부(421)보다 작은 폭으로 형성될 수 있으며, 이 경우 제2 마스크층(44)이 절연층(28)의 제1 개구부(282) 측벽 가장자리에 걸쳐 위치한다.Referring to FIG. 4E, a second mask layer 44 is formed on the entire first substrate 12 over the gate electrodes 30 and the insulating layer 28, and patterned to form an opening 441 at the electron emission region formation position. ). The opening 441 of the second mask layer 44 may be formed to have a smaller width than the opening 421 of the first mask layer 42, in which case the second mask layer 44 is formed of the insulating layer 28. The first opening 282 is positioned over the sidewall edge.

이어서 제2 마스크층(44)의 개구부(441)에 의해 노출된 절연층(28) 부위를 2차로 습식 식각하여 절연층(8)을 관통하는 제2 개구부(283)를 형성하고, 제2 마스층(44)을 박리하여 제거한다. 이러한 2차에 걸친 습식 식각을 통해 게이트 전극(30)과 절연층(28)의 개구부(281) 폭을 확대시키지 않고도 절연층(28)에 수직에 가까운 측벽을 가지는 개구부(281)를 형성할 수 있다.Subsequently, the portion of the insulating layer 28 exposed by the opening 441 of the second mask layer 44 is wet etched second to form a second opening 283 penetrating the insulating layer 8, and a second mask Layer 44 is peeled off. Through this secondary wet etching, the openings 281 having sidewalls close to the perpendicular to the insulating layer 28 can be formed without expanding the width of the openings 281 of the gate electrode 30 and the insulating layer 28. have.

도 4f를 참고하면, 캐소드 전극들(26) 위로 절연층(28)의 개구부(281) 내측에 전자 방출부(32)를 형성한다.Referring to FIG. 4F, the electron emission part 32 is formed inside the opening 281 of the insulating layer 28 over the cathode electrodes 26.

전자 방출부(32)의 제조법으로는 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, C60 및 실리콘 나노와이어와 같은 전자 방출 물질에 비히클과 바인더 등을 혼합하여 인쇄에 적합한 점도를 가지는 페이스트상 혼합물을 제작하고, 이 혼합물을 절연층의 개구부 내측에 스크린 인쇄한 다음 건조 및 소성하는 과정을 적용할 수 있다. 또한, 전자 방출부(32)의 제조법으로 전술한 스크린 인쇄법 이외에 직접 성장, 스퍼터링 또는 화학기상증착 등을 적용할 수 있다.The electron emitting part 32 may be manufactured by mixing a vehicle and a binder with an electron-emitting material such as carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamonds, diamond-like carbon, C 60 and silicon nanowires to obtain a viscosity suitable for printing. The eggplant may be prepared by preparing a paste-like mixture, screen-printing the mixture inside the opening of the insulating layer, and then drying and baking the mixture. In addition, in addition to the screen printing method described above, direct growth, sputtering, or chemical vapor deposition may be applied to the method of manufacturing the electron emission unit 32.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 분해 사시도이다.5 is an exploded perspective view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5를 참고하면, 본 실시예의 액정 표시 장치(50)는 행 방향과 열 방향을 따라 임의의 픽셀을 가지는 액정 패널 조립체(52)와, 액정 패널 조립체(52) 후방에 위치하여 액정 패널 조립체(52)로 빛을 제공하는 발광 장치(10)를 포함한다. 액정 패널 조립체(50)로는 공지된 모든 액정 패널 조립체가 적용될 수 있으며, 전술한 실시예의 발광 장치(10)가 백 라이트 유닛으로 기능한다.Referring to FIG. 5, the liquid crystal display device 50 according to the present exemplary embodiment includes a liquid crystal panel assembly 52 having arbitrary pixels in a row direction and a column direction, and is positioned behind the liquid crystal panel assembly 52 so that the liquid crystal panel assembly ( 52, a light emitting device 10 that provides light. Any known liquid crystal panel assembly may be applied to the liquid crystal panel assembly 50, and the light emitting device 10 of the above-described embodiment functions as a backlight unit.

여기서 행 방향은 액정 표시 장치(50)의 일 방향, 일례로 액정 표시 장치(50)가 구현하는 화면의 수평 방향으로 정의할 수 있고, 열 방향은 액정 표시 장치(50)의 다른 일 방향, 일례로 액정 표시 장치(50)가 구현하는 화면의 수직 방향으로 정의할 수 있다.The row direction may be defined as one direction of the liquid crystal display 50, for example, a horizontal direction of a screen implemented by the liquid crystal display 50, and the column direction may be another direction of the liquid crystal display 50, for example. The display device may be defined as a vertical direction of a screen implemented by the liquid crystal display device 50.

특히 본 실시예에서 발광 장치(10)는 전술한 바와 같이 행 방향과 열 방향을 따라 액정 패널 조립체(52)보다 작은 수의 픽셀을 형성하여 발광 장치(10)의 한 픽셀이 2개 이상의 액정 패널 조립체(52) 픽셀들에 대응하도록 한다.In particular, in the present embodiment, the light emitting device 10 forms a smaller number of pixels than the liquid crystal panel assembly 52 along the row direction and the column direction as described above, so that one pixel of the light emitting device 10 has two or more liquid crystal panels. Assembly 52 pixels.

행 방향에 따른 액정 패널 조립체(52)의 픽셀 수와 열 방향에 따른 액정 패널 조립체(52)의 픽셀 수를 각각 M과 N이라 하면, M과 N은 240 이상의 정수로 정의할 수 있다. 그리고 행 방향에 따른 발광 장치(10)의 픽셀 수와 열 방향에 따른 발광 장치(10)의 픽셀 수를 각각 M'와 N'라 하면, M'와 N'는 2 내지 99 가운데 어느 하나의 정수로 정의할 수 있다.If the number of pixels of the liquid crystal panel assembly 52 in the row direction and the number of pixels of the liquid crystal panel assembly 52 in the column direction are M and N, respectively, M and N may be defined as an integer of 240 or more. If the number of pixels of the light emitting device 10 in the row direction and the number of pixels of the light emitting device 10 in the column direction are M 'and N', respectively, M 'and N' are any integer of 2 to 99. Can be defined as

전술한 구성에 의해 발광 장치(10)는 픽셀별로 이에 대응하는 액정 패널 조립체(52)의 픽셀들에 서로 다른 세기의 광을 제공하여 화면의 동적 대비비를 높일 수 있다.By the above-described configuration, the light emitting device 10 may increase the dynamic contrast ratio of the screen by providing light having different intensities to pixels of the liquid crystal panel assembly 52 corresponding to each pixel.

도 6은 액정 표시 장치를 구동하는 구성의 블록도이다.6 is a block diagram of a configuration for driving a liquid crystal display device.

도 6을 참고하면, 본 실시예의 액정 표시 장치는 액정 패널 조립체(52)와, 액정 패널 조립체(52)에 연결되는 게이트 구동부(102) 및 데이터 구동부(104)와, 데이터 구동부(104)에 연결되는 계조 전압 생성부(106)와, 발광 장치(10) 및 이들을 제어하는 신호 제어부(108)를 포함한다.Referring to FIG. 6, the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment includes a liquid crystal panel assembly 52, a gate driver 102 and a data driver 104 connected to the liquid crystal panel assembly 52, and a data driver 104. And a gray voltage generator 106, a light emitting device 10, and a signal controller 108 for controlling them.

액정 패널 조립체(52)는 등가 회로로 볼 때 복수의 신호선(G1-Gn, D1-Dm)과, 이 신호선에 연결되며 대략 행렬의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)(PX)를 포함한다. 신호선(G1-Gn, D1-Dm)은 게이트 신호("주사 신호"라고도 한다)를 전달하는 복수의 게이트 라인(G1-Gn)과, 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터 라인(D1-Dm)을 포함한다.The liquid crystal panel assembly 52 includes a plurality of signal lines G 1 -G n , D 1 -D m as viewed in an equivalent circuit, and a plurality of pixels PX connected to the signal lines and arranged in a substantially matrix form. ). The signal lines G 1 -G n and D 1 -D m are a plurality of gate lines G 1 -G n for transmitting a gate signal (also called a “scan signal”), and a plurality of data lines for transmitting a data signal. (D 1 -D m ).

각 화소(PX), 예를 들면 i번째(i=1,2,...n) 게이트 라인(Gi)과 j번째(j=1,2,...m) 데이터 라인(Dj)에 연결된 화소(54)는 신호선(Gi,Dj)에 연결된 스위칭 소자(Q)와 이에 연결된 액정 축전기(Clc) 및 유지 축전기(Cst)를 포함한다. 유지 축전기(Cst)는 필요에 따라 생략할 수 있다.Each pixel PX, for example, the i-th (i = 1,2, ... n) gate line G i and the j-th (j = 1,2, ... m) data line D j The pixel 54 connected to includes a switching element Q connected to the signal lines G i and D j , a liquid crystal capacitor Clc, and a storage capacitor Cst connected thereto. Holding capacitor Cst can be omitted as needed.

스위칭 소자(Q)는 액정 패널 조립체(52)의 하부 기판(도시하지 않음)에 구비되는 박막 트랜지스터 등의 삼단자 소자로서, 그 제어 단자는 게이트 라인(Gi)에 연결되고, 입력 단자는 데이터 라인(Dj)에 연결되며, 출력 단자는 액정 축전기(Clc) 및 유지 축전기(Cst)와 연결되어 있다.A switching element (Q) is a three-terminal element such as thin film transistors included in liquid crystal panel assembly 52, a lower substrate (not shown), the control terminal is connected to a gate line (G i), an input terminal is data It is connected to the line D j , and the output terminal is connected to the liquid crystal capacitor Clc and the storage capacitor Cst.

계조 전압 생성부(106)는 화소(PX)의 투과율과 관련된 두 벌의 계조 전압 집 합(또는 기준 계조 전압 집합)을 생성한다. 두 벌 중 한 벌은 공통 전압(Vcom)에 대하여 양의 값을 가지며, 다른 한 벌은 음의 값을 가진다.The gray voltage generator 106 generates two sets of gray voltage sets (or reference gray voltage sets) related to the transmittance of the pixel PX. One of the two sets has a positive value for the common voltage Vcom, and the other set has a negative value.

게이트 구동부(102)는 액정 패널 조립체(52)의 게이트 라인(G1-Gn)과 연결되어 게이트 온 전압(Von)과 게이트 오프 전압(Voff)의 조합으로 이루어진 게이트 신호를 게이트 라인(G1-Gn)에 인가한다.A gate driver 102, the gate lines of the liquid crystal panel assembly (52) (G 1 -G n ) and is connected to the gate turn-on voltage (Von) and the gate line Gate a gate signal which is a combination of a turn-off voltage (Voff) (G 1 -G n ).

데이터 구동부(104)는 액정 패널 조립체(52)의 데이터 라인(D1-Dm)에 연결되며, 계조 전압 생성부(106)로부터 계조 전압을 선택하고 이를 데이터 신호로서 데이터 라인(D1-Dm)에 인가한다. 그러나 계조 전압 생성부(106)가 모든 계조에 대한 전압을 모두 제공하는 것이 아니라 정해진 수의 기준 계조 전압만을 제공하는 경우에, 데이터 구동부(104)는 기준 계조 전압을 분압하여 전체 계조에 대한 계조 전압을 생성하고 이 중에서 데이터 신호를 선택한다.The data driver 104 is connected to the data lines D 1 -D m of the liquid crystal panel assembly 52 and selects a gray voltage from the gray voltage generator 106 and uses the data line D 1 -D as a data signal. m ). However, when the gray voltage generator 106 provides only a predetermined number of reference gray voltages instead of providing all of the voltages for all grays, the data driver 104 divides the reference gray voltages and thus the gray voltages for all grays. Generate and select the data signal from it.

신호 제어부(108)는 게이트 구동부(102), 데이터 구동부(104) 및 발광 장치 제어부(110) 등을 제어한다. 신호 제어부(108)는 외부의 그래픽 제어기(도시하지 않음)로부터 입력 영상 신호(R, G, B) 및 이의 표시를 제어하는 입력 제어 신호를 수신한다.The signal controller 108 controls the gate driver 102, the data driver 104, the light emitting device controller 110, and the like. The signal controller 108 receives an input image signal R, G, B and an input control signal for controlling the display thereof from an external graphic controller (not shown).

입력 영상 신호(R, G, B)는 각 화소(PX)의 휘도(luminance) 정보를 담고 있으며, 휘도는 정해진 수효, 예를 들면 1024(=210), 256(=28) 또는 64(=26)개의 계조(gray)를 가지고 있다. 입력 제어 신호의 예로는 수직 동기 신호(Vsync)와 수평 동기 신호(Hsync), 메인 클록(MCLK), 데이터 인에이블 신호(DE) 등이 있다.The input image signals R, G, and B contain luminance information of each pixel PX, and luminance has a predetermined number, for example, 1024 (= 2 10 ), 256 (= 2 8 ), or 64 ( = 2 6 ) There are grays. Examples of the input control signal include a vertical sync signal Vsync, a horizontal sync signal Hsync, a main clock MCLK, and a data enable signal DE.

신호 제어부(108)는 입력 영상 신호(R, G, B)와 입력 제어 신호를 기초로 입력 영상 신호(R, G, B)를 액정 패널 조립체(52)의 동작 조건에 맞게 적절히 처리하고 게이트 제어 신호(CONT1) 및 데이터 제어 신호(CONT2) 등을 생성한 후, 게이트 제어 신호(CONT1)를 게이트 구동부(102)로 내보내고, 데이터 제어 신호(CONT2)와 처리한 영상 신호(DAT)를 데이터 구동부(104)에 내보낸다. 또한, 신호 제어부(108)는 게이트 제어 신호(CONT1), 데이터 제어 신호(CONT2) 및 처리한 영상 신호(DAT)를 발광 장치 제어부(110)로 전달한다.The signal controller 108 appropriately processes the input image signals R, G, and B based on the input image signals R, G, and B and the input control signals according to the operating conditions of the liquid crystal panel assembly 52, and controls the gate. After generating the signal CONT1 and the data control signal CONT2, the gate control signal CONT1 is sent to the gate driver 102, and the data control signal CONT2 and the processed image signal DAT are transmitted to the data driver Export to 104). In addition, the signal controller 108 transmits the gate control signal CONT1, the data control signal CONT2, and the processed image signal DAT to the light emitting device controller 110.

발광 장치(10)는 발광 장치 제어부(110), 컬럼 구동부(112), 주사 구동부(114) 및 표시부(116)를 포함한다.The light emitting device 10 includes a light emitting device controller 110, a column driver 112, a scan driver 114, and a display unit 116.

표시부(116)는 주사 신호를 전달하는 복수의 주사 라인(S1-Sp)과, 컬럼 신호를 전달하는 복수의 컬럼 라인(C1-Cq) 및 복수의 발광 픽셀(EPX)을 포함한다. 복수의 발광 픽셀(EPX) 각각은 주사 라인(S1-Sp)과 주사 라인에 교차하는 컬럼 라인(C1-Cq)에 의해 정의되는 영역에 위치한다. 주사 라인(S1-Sp)은 주사 구동부(114)에 연결되고, 컬럼 라인(C1-Cq)은 컬럼 구동부(112)에 연결된다. 그리고 주사 구동부(114)와 컬럼 구동부(112)는 발광 장치 제어부(110)에 연결되어 발광 장치 제어부(110)의 제어 신호에 따라 동작한다.The display unit 116 includes a plurality of scan lines S 1 -S p for transmitting a scan signal, a plurality of column lines C 1 -C q for transferring a column signal, and a plurality of light emitting pixels EPX. . Each of the plurality of light emitting pixels EPX is positioned in a region defined by scan lines S 1 -S p and column lines C 1 -C q intersecting the scan lines. Scan lines S 1 -S p are connected to scan driver 114, and column lines C 1 -C q are connected to column driver 112. In addition, the scan driver 114 and the column driver 112 are connected to the light emitting device controller 110 and operate according to a control signal of the light emitting device controller 110.

상기에서 복수의 주사 라인(S1-Sp)은 전술한 발광 장치의 주사 전극들이고, 컬럼 라인(C1-Cq)은 데이터 전극들이다.The plurality of scan lines S 1 -S p are scan electrodes of the above-described light emitting device, and the column lines C 1 -C q are data electrodes.

발광 장치 제어부(110)는 게이트 제어 신호(CONT1)를 이용하여 주사 구동부(114)를 제어하는 주사 구동부 제어신호(CS)를 생성하여 전달한다. 그리고 데이터 제어 신호를 이용하여 컬럼 구동부 제어신호(CC)를 생성하고, 영상 신호(DAT)에 대응하는 컬럼 신호(CLS)를 생성한다. 생성된 컬럼 구동부 제어신호(CS) 및 컬럼 신호(CLS)는 컬럼 구동부(112)로 전달된다. 발광 장치 제어부(110)는 한 프레임의 영상 신호(DAT)로부터 발광 장치(10)의 픽셀별 휘도 정보를 생성하고, 생성된 휘도 정보에 따라 컬럼 신호(CLS)를 생성한다.The light emitting device controller 110 generates and transmits a scan driver control signal CS that controls the scan driver 114 using the gate control signal CONT1. A column driver control signal CC is generated using the data control signal, and a column signal CLS corresponding to the image signal DAT is generated. The generated column driver control signal CS and the column signal CLS are transmitted to the column driver 112. The light emitting device controller 110 generates luminance information for each pixel of the light emitting device 10 from the image signal DAT of one frame, and generates a column signal CLS according to the generated luminance information.

주사 구동부(114)는 입력받은 주사 구동부 제어 신호에 기초하여 소정의 펄스를 갖는 주사 신호를 순차적으로 주사 라인(S1-Sp)에 인가한다. 컬럼 구동부(112)는 입력받은 컬럼 구동부 제어 신호에 따라, 컬러 신호에 대응하는 구동 전압을 각 컬럼 라인(C1-Cq)에 인가한다.The scan driver 114 sequentially applies a scan signal having a predetermined pulse to the scan lines S 1 -S p based on the received scan driver control signal. The column driver 112 applies a driving voltage corresponding to the color signal to each column line C 1 -C q according to the input column driver control signal.

전술한 구성에 의해, 발광 장치(10)의 표시부(116)는 영상 신호와 동기된 구동 신호를 인가받아 각 픽셀별 휘도 정보에 따라 적정한 세기의 광을 방출시키고, 이를 액정 패널 조립체(52)에 제공한다. 발광 장치 표시부(116)의 각 발광 픽셀(EPX)은 2 내지 8 비트(bit)의 계조 표현을 할 수 있도록 구동하는 것이 바람직하다.By the above-described configuration, the display unit 116 of the light emitting device 10 receives a driving signal synchronized with the image signal and emits light of an appropriate intensity according to the luminance information for each pixel, which is transmitted to the liquid crystal panel assembly 52. to provide. Each of the light emitting pixels EPX of the light emitting device display unit 116 is preferably driven to display gray scales of 2 to 8 bits.

이로써 액정 패널 조립체(52)가 위치별로 서로 다른 밝기의 화면을 표시할 때, 발광 장치(10)는 밝은 부분을 표시하는 액정 패널 조립체(52)의 픽셀들 부위에 강한 빛을 제공하고, 어두운 부분을 표시하는 액정 패널 조립체(52)의 픽셀들 부위에 약한 빛을 제공할 수 있다. 또한 흑색을 표시하는 액정 패널 조립체(52) 픽셀들에 대응하는 발광 장치(10)의 발광 픽셀은 턴 오프될 수 있다.As a result, when the liquid crystal panel assembly 52 displays a screen having a different brightness for each position, the light emitting device 10 provides strong light to the pixels of the liquid crystal panel assembly 52 displaying a bright portion, and the dark portion Weak light may be provided to a portion of the pixels of the liquid crystal panel assembly 52 that displays. In addition, the light emitting pixels of the light emitting device 10 corresponding to the pixels of the liquid crystal panel assembly 52 displaying black may be turned off.

그 결과 본 실시예의 액정 표시 장치(50)는 전술한 과정을 통해 화면의 동적 대비비(dynamic contrast)를 향상시킬 수 있다.As a result, the liquid crystal display 50 of the present exemplary embodiment may improve the dynamic contrast of the screen through the above-described process.

또한, 본 실시예의 액정 표시 장치(50)는 전술한 구성의 발광 장치(10)를 백 라이트 유닛으로 사용함에 따라, 종래의 냉음극 형광램프(이하 'CCFL'이라 한다) 방식 및 발광 다이오드(이하 'LED'라 한다) 방식의 백 라이트 유닛과 비교할 때 하기의 장점을 가진다.In addition, the liquid crystal display device 50 of the present embodiment uses the light emitting device 10 having the above-described configuration as a backlight unit, and accordingly, a conventional cold cathode fluorescent lamp (hereinafter referred to as 'CCFL') and a light emitting diode Compared to the backlight unit of the 'LED' method, the following advantages are obtained.

본 실시예의 발광 장치(10)는 면 광원이므로 CCFL 방식의 백 라이트 유닛과 LED 방식의 백 라이트 유닛에 사용되는 다수의 광학 부재를 필요로 하지 않는다. 따라서 본 실시예의 발광 장치(10)에서는 광학 부재를 거치면서 발생하는 광 손실이 거의 없으며, 광 손실을 고려하여 발광 장치(10)에서 과도한 세기의 광을 방출하지 않아도 되므로 낮은 소비 전력으로 우수한 효율을 얻을 수 있다.Since the light emitting device 10 of the present embodiment is a surface light source, it does not require a plurality of optical members used in the CCFL type backlight unit and the LED type backlight unit. Therefore, in the light emitting device 10 of the present embodiment, almost no light loss occurs while passing through the optical member, and the light emitting device 10 does not have to emit light of excessive intensity in consideration of the light loss, thereby achieving excellent efficiency with low power consumption. You can get it.

또한 본 실시예의 발광 장치(10)는 기본적으로 CCFL 방식의 백 라이트 유닛보다 소비 전력이 낮고, 광학 부재를 사용하지 않음에 따라 이에 따른 비용을 절감할 수 있으며, LED 방식의 백 라이트 유닛보다 제조 비용이 낮다. 뿐만 아니라 본 실시예의 발광 장치(10)는 대형화가 용이하므로 30인치 이상의 대형 액정 표시 장치에 용이하게 적용될 수 있다.In addition, the light emitting device 10 of the present embodiment has a lower power consumption than the CCFL type backlight unit, and can reduce the cost by not using the optical member. Is low. In addition, since the light emitting device 10 of the present exemplary embodiment is easily enlarged, the light emitting device 10 may be easily applied to a large liquid crystal display device of 30 inches or more.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.

본 발명에 의한 발광 장치는 전술한 절연층과 게이트 전극들 구조에 의해 게이트 전극들의 공정 마진을 높이고, 제조 공정을 단순화하며, 캐소드 전극들과 게이트 전극들 사이의 내전압 특성을 높여 구동을 안정화하는 효과가 있다.The light emitting device according to the present invention has the effect of increasing the process margin of the gate electrodes, simplifying the manufacturing process, and increasing the withstand voltage characteristics between the cathode electrodes and the gate electrodes by the above-described insulating layer and gate electrodes structure to stabilize driving. There is.

또한 전술한 발광 장치를 백 라이트 유닛으로 사용하는 본 발명에 의한 액정 표시 장치는 화면의 동적 대비비를 높여 표시 품질을 향상시키고, 백 라이트 유닛의 소비 전력을 줄여 전체 소비 전력을 낮출 수 있으며, 30인치 이상의 대형 표시 장치로 용이하게 제작될 수 있다.In addition, the liquid crystal display according to the present invention using the above-described light emitting device as a backlight unit can improve the display quality by increasing the dynamic contrast ratio of the screen, and can reduce the total power consumption by reducing the power consumption of the backlight unit. It can be easily manufactured with a large display device of inches or more.

Claims (12)

서로 대향 배치되며 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판과;A first substrate and a second substrate which are disposed to face each other and constitute a vacuum container; 상기 제1 기판 위에 제1 기판의 일 방향을 따라 형성되는 제1 전극들과;First electrodes formed on the first substrate in one direction of the first substrate; 절연층을 사이에 두고 상기 제1 전극들 상부에서 제1 전극들과 교차하는 방향을 따라 형성되는 제2 전극들과;Second electrodes formed along the direction intersecting the first electrodes on the first electrodes with an insulating layer interposed therebetween; 상기 제1 전극들에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들과;Electron emission parts electrically connected to the first electrodes; 상기 제2 기판의 일면에 형성되는 형광층; 및A fluorescent layer formed on one surface of the second substrate; And 상기 형광층의 일면에 위치하는 애노드 전극을 포함하며,An anode located on one surface of the fluorescent layer, 상기 제2 전극들이 100 내지 400㎛의 간격을 두고 서로 나란히 위치하는 발광 장치.The light emitting device of which the second electrodes are located next to each other at intervals of 100 to 400㎛. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 절연층과 제2 전극들이 서로 연통하는 개구부를 형성하고, 상기 전자 방출부가 이 개구부 내측으로 상기 제1 전극들 위에 배치되는 발광 장치.And an opening in which the insulating layer and the second electrodes communicate with each other, and the electron emission part is disposed above the first electrodes inside the opening. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 절연층이 15 내지 30㎛의 두께를 가지는 발광 장치.The insulating layer has a thickness of 15 to 30㎛. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 개구부가 30 내지 50㎛의 직경을 가지는 발광 장치.The light emitting device of which the opening has a diameter of 30 to 50㎛. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전자 방출부가 탄소계 물질과 나노미터 사이즈 물질 중 적어도 하나를 포함하는 발광 장치.The light emitting device of claim 1, wherein the electron emission unit comprises at least one of a carbon-based material and a nanometer-sized material. (a) 기판 위에 제1 전극들을 스트라이프 패턴으로 형성하고;(a) forming first electrodes on the substrate in a stripe pattern; (b) 상기 제1 전극들을 덮도록 상기 기판 전체에 15 내지 30㎛의 두께를 가지는 절연층을 형성하고;(b) forming an insulating layer having a thickness of 15 to 30 μm over the entire substrate to cover the first electrodes; (c) 절연층 위에 100 내지 400㎛의 서로간 간격을 가지는 제2 전극들을 상기 제1 전극들과 교차하는 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성하고;(c) forming second electrodes having a spacing of 100 to 400 μm on the insulating layer in a stripe pattern along a direction crossing the first electrodes; (d) 상기 제2 전극들과 상기 절연층에 서로 연통하는 개구부를 형성하고;(d) forming openings in communication with the second electrodes and the insulating layer; (e) 상기 절연층의 개구부 내측으로 상기 제1 전극 위에 전자 방출부를 형성하는 단계들(e) forming electron emission parts on the first electrode inside the opening of the insulating layer; 을 포함하는 발광 장치의 전자 방출 유닛 제조 방법.Method of manufacturing an electron emission unit of a light emitting device comprising a. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제2 전극들을 스크린 인쇄법으로 형성하는 발광 장치의 전자 방출 유닛 제조 방법.A method of manufacturing an electron emission unit of a light emitting device, wherein the second electrodes are formed by screen printing. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 절연층에 개구부를 형성할 때,When forming openings in the insulating layer, 제1 마스크층의 개구부를 통해 상기 절연층을 1차로 습식 식각하여 제1 개구부를 형성한 다음 제2 마스크층의 개구부를 통해 상기 절연층을 2차로 습식 식각하여 제2 개구부를 형성하며,First wet etching the insulating layer through the opening of the first mask layer to form a first opening, and then second wet etching the insulating layer through the opening of the second mask layer to form a second opening, 상기 제2 마스크층의 개구부가 상기 제1 마스크층의 개구부보다 작은 크기를 가지는 발광 장치의 전자 방출 유닛 제조 방법.And the opening of the second mask layer has a smaller size than the opening of the first mask layer. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 발광 장치; 및The light emitting device according to any one of claims 1 to 5; And 상기 발광 장치의 전방에 위치하여 발광 장치로부터 방출된 빛을 제공받아 화상을 표시하는 액정 패널 조립체A liquid crystal panel assembly positioned in front of the light emitting device to receive light emitted from the light emitting device to display an image 를 포함하는 액정 표시 장치.Liquid crystal display comprising a. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 액정 패널 조립체가 행 방향과 열 방향을 따라 복수의 픽셀들을 형성하고,The liquid crystal panel assembly forms a plurality of pixels along a row direction and a column direction, 상기 발광 장치가 상기 행 방향과 상기 열 방향을 따라 상기 액정 패널 조립체보다 작은 수의 픽셀들을 형성하는 액정 표시 장치.And the light emitting device forms a smaller number of pixels than the liquid crystal panel assembly along the row direction and the column direction. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 액정 패널 조립체가 상기 행 방향을 따라 M개의 픽셀들과 상기 열 방향을 따라 N개의 픽셀들을 형성하며,The liquid crystal panel assembly forms M pixels along the row direction and N pixels along the column direction, 상기 M과 N이 각각 240 이상의 정수인 액정 표시 장치.And M and N are each an integer of 240 or more. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 발광 장치가 상기 행 방향을 따라 M'개의 픽셀들과 상기 열 방향을 따라 N'개의 픽셀들을 형성하며,The light emitting device forms M 'pixels along the row direction and N' pixels along the column direction, 상기 M'와 N'가 각각 2 내지 99 중 어느 하나의 정수인 액정 표시 장치.The liquid crystal display device wherein M 'and N' are each an integer of 2 to 99.
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