KR20070102532A - 유기 염료의 열유도 수축에 근거한 마스터링 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 마스터 기판, 특히 광학 디스크의 대량생산용 스탬퍼를 제조하기 위한 마스터 기판 또는 마이크로 콘택인쇄용 스탬프를 제조하기 위한 마스터 기판의 기록 스택에 고밀도 릴리프 구조를 제조하는 방법에 관한 것이다. 더욱이, 본 발명은 고밀도 릴리프 구조를 제조하기 위한 마스터 기판, 특히 광학 디스크의 대량생산용 스탬퍼를 제조하기 위한 마스터 기판 또는 마이크로 콘택인쇄용 스탬프를 제조하기 위한 마스터 기판에 관한 것이다. 또한 본 발명은 염료층을 포함하는 마스터 기판의 특수한 용도와 고밀도 릴리프 구조를 포함하는 마스터 기판에 관한 것이다. 더욱이, 본 발명은 광학 디스크의 대량생산용 스탬퍼를 제조하는 방법, 광학 디스크 및 마이크로프린트에 관한 것이다. 본 발명의 모든 측면에 따르면, 상기한 모든 응용분야에 필요한 고밀도 릴리프 구조가 염료층 재료의 레이저 펄스 유도된 수축에 의해 직접적으로 또는 간접적으로 형성된다.

광학 디스크, 마스터링, 스탬퍼, 유기 염료, 열유도 수축, 마이크로프린트

Description

유기 염료의 열유도 수축에 근거한 마스터링{MASTERING BASED ON HEAT-INDUCED SHRINKAGE OF ORGANIC DYES}

본 발명은, 마스터 기판, 특히 광학 디스크의 대량생산용 스탬퍼를 제조하기 위한 마스터 기판 또는 마이크로 콘택인쇄(mocro contact printing)용 스탬프를 제조하기 위한 마스터 기판의 기록 스택에 고밀도 릴리프(relief) 구조를 제조하는 방법에 관한 것이다. 더욱이, 본 발명은 고밀도 릴리프 구조를 제조하기 위한 마스터 기판, 특히 광학 디스크의 대량생산용 스탬퍼를 제조하기 위한 마스터 기판 또는 마이크로 콘택 프린팅용 스탬프를 제조하기 위한 마스터 기판에 관한 것이다. 또한 본 발명은 염료층을 포함하는 마스터 기판의 특수한 용도와 고밀도 릴리프 구조를 포함하는 마스터 기판에 관한 것이다. 더욱이, 본 발명은 광학 디스크의 대량생산용 스탬퍼를 제조하는 방법, 광학 디스크, 마이크로 콘택 프린팅용 스탬프와 마이크로프린트(microprint)에 관한 것이다.

광학공정에 근거하여 제조된 릴리프 구조는 예를 들어 판독전용 메모리(ROM) 및 프리그루브된 라이트원스(R) 및 리라이터블(RE) 디스크의 대량생산용 스탬퍼로 사용될 수 있다. 복제공정에서 사용되는 이와 같은 스탬퍼의 제조는 마스터링으로 알려져 있다.

통상적인 마스터링에서는, 유리 기판 위에 스핀코트된 박막 감광층을 변조되고 포커스된 레이저 빔을 사용하여 조사한다. 레이저 빔의 변조는 마스터 기판의 일부 부분이 UV 광에 의해 노광되어지도록 하는 한편으로, 형성되는 피트들 사이에 있는 중간 영역이 노광되지 않은 채 유지되도록 한다. 디스크가 회전하고 포커스된 레이저 빔이 점점 디스크의 외측으로 끌어당겨지는 동안, 교번하는 조사된 영역들의 나선이 남는다. 제 2 단계에서는, 노광된 영역들을 소위 현상공정에서 용해하여 감광층 내부에 물리적인 구멍들을 남긴다. NaOH 및 KOH 등의 알칼리 액체가 노광된 영역을 용해하는데 사용된다. 마스터 기판의 구조화된 표면은 그후 박막 Ni층으로 덮인다. 갈바니 공정에서는, 이와 같은 스퍼터 증착된 Ni층을 반전된 피트 구조를 포함하는 두꺼운 다르기 쉬운 Ni 기판에 더 성장시킨다. 돌출된 범프들을 갖는 이와 같은 Ni 기판은 마스터 기판에서 분리되며 스탬퍼로 부른다.

상천이 마스터링(phase-transition mastering: PTM)은 광학 디스크의 대량생산용 고밀도 ROM 및 RE/R 스탬퍼를 제조하는 비교적 새로운 방법이다. 상천이 재료는 레이저 유도 가열을 통해 초기의 미기록 상태에서 다른 상태로 변형될 수 있다. 기록 스택의 가열은 예를 들어 혼합, 용융, 비정질화, 상분리, 분해 등을 일으킬 수 있다. 2가지 상 중에서 한가지, 즉 초기 상태 또는 기록 상태가 다른 상보다 산 또는 알칼리 현상액에 더 빨리 용해된다. 이러한 방식으로, 기록된 데이터 패턴이 돌출된 범프들 또는 피트들을 갖는 고밀도 릴리프 구조로 변형될 수 있다. 또한 이 와 같은 경우에도 고밀도 광학 디스크의 대량생산용 스탬퍼 또는 마이크로 콘택 프린팅용 스탬프로서 패터닝된 기판이 사용될 수 있다.

이와 관련하여 상천이 마스터링을 위해 급속성장 상변화 재료와 기록 스택을 사용하는 것이 이미 제안되었다. 성장 우위(growth-dominate)의 상변화 재료는 비정질 상 및 결정 상의 용해 속도에서 큰 콘트라스트를 갖는다. 결정성 재료의 용융 ??칭(melt-quenching)에 의해 얻어지는 비정질 마크들은 KOH 및 NaOH 등의 고농도의 알칼리 현상액 뿐만 아니라 HCl, HNO₃ 및 H₂SO₄ 등의 산에도 용해될 수 있다. 마크의 후미부에서의 재결정화를 사용하여 마크 길이를 조절되게 줄일 수 있다. 특히 최단 마크인 I2의 경우에, 마크의 후미부의 재결정화는 광학 스폿 크기보다 짧은 길이를 갖는 초승달 형태의 마크를 발생할 수 있다. 이와 같은 방식으로, 접선 방향의 데이터 밀도가 증가될 수 있다.

이와 같은 재료 시스템의 문제점은 기록 스택의 열적 및 광학적 거동을 최적화하기 위해 비교적 다수의 기록 스택 층들이 필요하다는 것일 수 있다. 다른 문제점은 이와 같은 재료 시스템을 사용하여 깊은 피트 구조를 제조할 수 있는 가능성이다.

따라서 본 발명의 목적은 비교적 간단한 기록 스택에 기초하여 고밀도 릴리프 구조를 형성할 수 있는 가능성을 제공하는 것이다.

이 목적은 독립항들의 특징에 의해 해결된다. 본 발명의 다른 개량 및 바람직한 실시예들은 종속항에 요약되어 있다.

본 발명의 제 1 측면에 따르면, 마스터 기판, 특히 광학 디스크의 대량생산용 스탬퍼를 제조하기 위한 마스터 기판 또는 마이크로 콘택 프린팅용 스탬프를 제조하기 위한 마스터 기판의 기록 스택에 고밀도 릴리프 구조를 제조하는 방법이 제공되고, 상기한 방법은 다음과 같은 단계들을 포함한다.

- 염료층을 포함하는 기록 스택을 설치하는 단계와,

- 레이저 펄스들을 조사하여 염료층 재료를 수축시켜 상기 염료층 내부에 상기 고밀도 릴리프 구조를 형성하는 단계.

예를 들면, 옥소놀(Oxonol) 염료는 레이저 유도 가열시에 수축하는 흥미로운 특성을 갖고 있다. 가열에 의해, 유리 염료 재료의 탄화가 일어나며, 이것은 반응 생성물들의 형성과 노광된 부피의 감소를 수반한다. 이것은 다른 기록 메카니즘 중에서 이와 같은 염료에 근거한 레코더블 디스크에 통상적인 마크의 형성에 대해 중요한 기여를 한다. 종래의 기록 기술을 사용하여, 수축이 줄어든 광 경로 길이를 일으켜, 기록된 데이터의 판독을 가능하게 한다. 이에 반해, 본 발명은 이와 같은 수축 메카니즘을 갖는 유기 염료 재료를 사용하여 고밀도 릴리프 구조를 제조하기 위해 이와 같은 용적 변화를 이용하는 것을 제안한다. 이것에 한정되지 않고, 블루레이 디스크 마스터링이 본 발명의 가능한 응용이다. 이와 같은 경우에, 기록이 405nm에서 행해지는 것이 바람직하지만, 다른 파장도 가능하다. 이와 같은 파장에서 충분한 흡광을 갖는 모든 염료 재료가 이와 같은 응용을 위해 사용될 수 있다. 본 발명에 따라 형성된 고밀도 릴리프 구조는 광학 디스크의 대량복제용으로 사용되는 스탬퍼를 제조하기 위해 사용될 수 있을 뿐 아니라, 바이오 센서 및 디스플레이를 위한 채널 구조와 같은 다른 2차원 구조에 대해 사용될 수도 있다.

본 발명의 바람직한 실시예에서는, 상기 염료층의 염료가 다음과 같은 그룹, 즉 옥사놀계 염료, 프탈로시아닌, 시아닌, 아조에서 선택된다. 염료층의 두께는, 예를 들어 40 내지 100 nm, 바람직하게는 60 내지 80nm이다.

본 발명의 다른 개량에 따르면, 기록 스택은 상기 염료층 아래에 배치된 최소한 한 개의 반사층을 추가로 포함한다.

반사층은 바람직하게는 다음과 같은 그룹, 즉 Ni, Ag, Al, SiO₂, Si₃N₄에서 선택된 재료로 제조된다. 모든 경우에 반사층에 사용되는 재료는 염료층의 염료와 다른 반사율을 가져야 한다. 반사층의 두께는 예를 들면 5 내지 40 nm 두께, 바람직하게는 10 내지 20nm이다. 염료층 아래에 있는 반사층은 염료층의 온도 분포를 향상시키기 위한 흡수층으로서도 역할을 할 수 있다.

본 발명의 최소한 일부의 실시예에서는 기록 스택이 상기 염료층의 위 및/또는 아래에 배치된 최소한 한 개의 흡수층을 추가로 포함한다.

흡수층은 다음의 그룹, 즉 Ni, CU, GeSbTe, SnGeSb, InGeSbTe에서 선택된 재료로 제조되는 것이 바람직하다. 흡수층은 바람직하게는 에칭가능하고, 예를 들어 5 내지 40 nm, 바람직하게는 5 내지 10 nm로 비교적 얇다.

본 발명의 제 2 측면에 따르면, 고밀도 릴리프 구조를 형성하기 위한 마스터 기판, 특히 광학 디스크의 대량생산용 스탬퍼를 제조하기 위한 마스터 기판 또는 마이크로 콘택 프린팅용 스탬프를 제조하기 위한 마스터 기판이 제공되며, 상기 마스터 기판은 염료층을 포함하고, 상기 고밀도 릴리프 구조가 염료층 재료를 수축시키는 레이저 펄스를 조사하여 형성된다. 이와 같은 마스터 기판은 상기한 방법에 사용하는데 적합하다. 따라서, 상기한 특징과 가능한 추가적인 개량에 대해서는, 반복을 피하기 위해 본 발명의 제 1 측면에 따른 방법의 상기한 설명을 참조하기 바란다.

레이저 펄스들을 조사하여 염료층 재료를 수축시킴으로써 염료층에 고밀도 릴리프 구조를 형성하기 위한 염료층을 포함하는 마스터 기판의 용도를 목적으로 하는 본 발명의 제 3 측면에도 이와 동일한 내용이 적용된다.

본 발명의 제 4 측면에 따르면, 염료층 재료의 수축에 의해 염료층에 형성된 고밀도 릴리프 구조를 포함하는 마스터 기판이 제공된다. 이와 같은 마스터 기판은 본 발명의 제 1 국면에 따른 방법을 수행하여 얻어질 수 있으므로, 상세내용에 대해서는, 상응하는 설명을 다시 참조하기 바란다.

본 발명의 제 5 측면에 따르면, 광학 디스크의 대량생산용 스탬퍼가 제공되며, 이 스탬퍼는 다음 공정에 의해 제조되는 것을 특징으로 한다. 즉

- 염료층을 포함하는 기록 스택을 설치하는 단계와,

- 레이저 펄스를 조사하여 염료층 재료를 수축시켜 상기 염료층에 고밀도 릴리프 구조를 형성하는 단계와,

- 상기 염료층 위에 금속층을 설치하여 상기 고밀도 릴리프 구조에 근거하여 상기 스탬퍼를 제조하는 단계.

금속층을 설치하기 위해, 예를 들면 마스터 기판의 기록 스택에 형성된 고밀도 릴리프 구조 위에 박막 Ni층이 스퍼터 적층된다. 그후 이와 같은 Ni층은 두꺼운 다루기 쉬운 스탬퍼로 전기화학적으로 상장된다. 이 스탬퍼는 마스터 기판에서 분리되어 광학 디스크의 대량복제에 사용하기 위해 추가로 처리된다(세정, 펀칭 등).

본 발명의 제 6측면에 따르면, 광학 디스크가 제공되며, 이것은 다음 공정에 의해 제조되는 것을 특징으로 한다. 즉

- 염료층을 포함하는 기록 스택을 설치하는 단계와,

- 레이저 펄스를 조사하여 염료층 재료를 수축시킴으로써 상기 염료층에 고밀도 릴리프 구조를 형성하는 단계와,

- 상기 고밀도 릴리프 구조에 근거하여 스탬퍼를 제조하는 단계와,

- 상기 스탬퍼를 사용하여 광학 디스크를 제조하는 단계.

이와 같은 경우에도, 고밀도 릴리프 구조가 본 발명의 방법에 따라 형성될 수 있으며, 이와 관련하여, 상응하는 설명을 다시 참조하기 바란다. 광학 디스크를 제조하기 위해 사용된 스탬퍼는 상기한 종류를 가질 수 있다. 광학 디스크 제조 자체는 본 기술분야의 당업자에게 알려져 있으므로, 여기에서는 설명하지 않는다.

본 발명의 제 7 측면에 따르면, 다음의 공정에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 마이크로프린트가 제공되며, 즉

- 염료층을 포함하는 기록 스택을 제조하는 단계와,

- 레이저 펄스를 조사하여 염료층 재료를 수축시킴으로써 상기 염료층에 고밀도 릴리프 구조를 형성하는 단계와,

- 상기 고밀도 릴리프 구조에 근거하여 스탬프를 제조하는 단계와,

- 상기 스탬프를 사용하여 마이크로프린트를 제조하는 단계.

다시, 고밀도 릴리프 구조가 본 발명의 방법에 의해 형성될 수 있다. 고밀도 릴리프 구조에 근거한 스탬프의 제조는 본 기술분야의 당업자에게 알려져 있으며, 상기한 스탬퍼의 제조와 유사하게 수행될 수 있다. 마이크로 프린팅 공정 그 자체도 본 기술분야의 당업자에게 잘 알려져 있으므로 여기에서는 설명을 하지 않는다.

본 발명의 이와 같은 측면 및 다른 측면은 다음에 설명하는 실시예로부터 명백하며 이 실시예를 참조하여 설명할 것이다.

도 1a 내지 도 1c는 본 발명에 따른 마스터 기판의 일 실시예에 근거하여 행해지는 본 발명에 따른 방법의 제 1 실시예를 모식적으로 나타낸 것이다.

도 2a 내지 도 2f는 본 발명에 따른 스탬퍼, 광학 디스크 및 마이크로프린트를 제조하기 위해 본 발명에 따른 마스터 기판의 사용을 모식적으로 나타낸 것이다.

도 3은 종래의 DVD+R L1 스택에 근거하여 행해지는 실제 실험 결과의 표면 분석을 나타낸 것이다.

도 4는 도 3에 나타낸 실제 실험 결과의 부분 분석이다.

도 5 내지 도 9는 종래의 DVD+R 염료에 근거하여 행해진 차동 주사 열량 계(Differential Scanning Calorimeter)(DSC) 및 염 중량 분석(Thermal Gravimetric Analysis)(TGA) 측정의 결과를 나타낸 것이다.

도 1a 내지 도 1c는 광학 디스크 대량생산용 스탬퍼를 제조하기 위한 마스터 기판(26)의 기록 스택(12, 14, 16)에 고밀도 릴리프 구조(18)를 설치하는 방법의 제 1 실시예를 모식적으로 나타낸 것이다.

도 1a는 초기 상태에서의 마스터 기판(16)을 나타낸 것이다. 기록 스택(12, 14, 16)은 유리 기판(10)에 의해 지지되고, 입사 레이저빔의 방향에서 볼 때 출현순으로, 흡수층(16), 유기 염료층(14)과, 반사층(16)을 포함한다. 흡수층(16)은 에칭가능하고, 예를 들면 5 내지 40 nm, 바람직하게는 5 내지 10 nm로 비교적 얇다. 염료층(14)은 바람직하게는 옥소놀 염료 형태를 갖는다. 염료층 두께는 40 내지 100 nm, 바람직하게는 60 내지 80 nm이다. 반사층(12)은 Ni일 수 있으며 예를 들면 5 내지 40 nm 두께, 바람직하게는 10 내지 20 nm이다. 또한 Ag와 Al도 적합한 재료이다. 굴절률이 염료의 굴절률과 일치하지 않은 한 SiO₂ 및 Si₃N₄와 같은 다른 유전층이 반사체로서 사용될 수도 있다.

도 1b는 피트(18)를 형성하고자 하는 영역에 한 개 또는 그 이상의 레이저 펄스의 조사 후의 마스터 기판(26)을 나타낸 것이다. 피트(18)는 염료층 재료의 열유도 수축에 의해 형성된다.

도 1c는 에칭공정을 수행하여 흡수층(16)을 제거하여 피트(18)를 노출시킨 후의 마스터 기판(26)을 나타낸 것이다. 적적한 에칭액은 예를 들면 HNO₃ 및 HCl과 같은 산이다.

본 발명에 따른 방법은 피트의 형성에 제한되지 않으며 요구에 따라 모든 고밀도 릴리프 구조를 형성하기 위해 적합하다는 것은 본 기술분야의 당업자에게 명백하다.

도 2a 내지 도 2f는 광학 디스크(22)(그것중에서 한 개를 부분적으로 나타내었다) 제조용 스탬퍼(20) 또는 마이크로프린트(26)(그것중에서 한 개를 부분적으로 나타내었다)용 스탬프(24)를 제조하기 위한 본 발명에 따른 마스터 기판(26)의 사용을 모식적으로 나타낸 것이다.

도 2a는 마스터 기판을 그것의 초기 상태에서 나타낸 것이다. 기록 스택(12, 14)이 유리 기판에 의해 지지된다. 이와 같은 경우에 기록 스택은 입사 레이저 빔의 방향에서 보았을 때 출현순으로 유기 염료층(14)과 반사층(16)을 포함한다. 이들 층은 도 1a에 도시된 것과 같거나 비슷하다.

도 2b는 고밀도 릴리프 구조(18)를 형성하고자 하는 영역에 한 개 또는 그 이상의 레이저 펄스의 조사후의 마스터 기판(26)을 나타낸 것이다. 도 2a 내지 도 2c가 스탬퍼(20)와 스탬프(24)의 형성을 예시하기 위해 사용되지만, 고밀도 릴리프 구조(18)의 특성에 응용분야에 의존한다는 것은 본 기술분야의 당업자에게 명백하다. 모든 경우에 고밀도 릴리프 구조(18)는 염료층 재료의 열유도 수축에 의해 형 성된다.

도 2c에 따르면, 금속 스탬퍼(20)와 금속 스탬프(24) 각각이 고밀도 릴리프 구조(18)에 근거하여 형성된다. 금속층을 형성하기 위해, 예를 들어 마스터 기판(26)의 기록 스택(12, 14)에 형성된 고밀도 릴리프 구조(18) 위에 박막 Ni층이 스퍼터 적층된다. 이와 같은 NI층은 그후 두껍고 다루기 쉬운 스탬퍼(20) 또는 스탬프(20)로 전기화학적으로 성장된다. 스탬퍼(20) 또는 스탬프(24)는 마스터 기판(26)에서 분리하고 추가로 처리된다(세정, 펀칭 등).

도 2d 및 도 2f는 본 기술분야의 당업자에게 잘 알려진 것과 같이 Ni 스탬퍼(20)에 근거하여 광학 디스크(22)의 제조를 모식적으로 나타낸 것이다.

도 2f는 스탬프(24)에 근거한 마이크로프린트(26)의 제조를 모식적으로 나타낸 것이다.

DVD+R 이중층 디스크의 L1 스택에 기록된 피트 구조의 일례를 원자력 현미경(AFM) 사진으로 도 3에 나타내었다. 디스크는 658nm 파장(NA=0.65)에서 기록하였다. 박막 Si₃N₄ 흡수층, 100nm 두께의 염료층과 100nm의 Ag 반사층을 포함하는 기록 스택을 프리그루브 기판 위에 적층하였다. 기록후에, 디스크를 L1 염료층에서 2개의 절반으로 분리하였다. 디스크를 염료-Si₃N₄ 계면에서 분리하였다. 노광된 영역의 레이저 유도 가열은 유기 격자의 부분적인 탄화를 일으켜, 작은 부피를 일으킨다. 생성된 피트는 매우 가파른 벽들을 갖고 비교적 깊다. 피트 형태는 염료층 내부의 흡수 프로파일에 의해 결정된다. 흡수 프로파일은 염료층 두께, 옵션의 금속 하지 층(반사체) 및 옵션의 상부 흡수층에 의해 미세 조정된다.

도 4는 도 3에 도시된 실제 실험의 결과의 부분 분석을 나타낸 것이다. 도 4에 상세히 도시되고 인접한 프로그루브들 사이에 기록된 피트는 상기한 것과 같이 매우 가파른 벽을 포함한다.

도 5 내지 도 9는 종래의 DVD+R 염료에 근거하여 수행된 차동 주사 열량계(DSC) 및 열 중량 분석(TGA) 측정 결과를 나타낸 것이다. 천이 온도는 마스터링에 매우 유리한 250∼300℃이다. 상대 질량 감소는 30 내지 90 %이다.

도 5는 DVD+R 염료(Organica 1140^TM)의 DSC 및 TGA 분석을 나타낸 것이다. 약 270℃에서 가파른 질량 감소가 발생한다. 상대 용적 변화는 25%이다.

도 6은 DVD+R 염료(Fuji^TM)의 DSC 및 TGA 분석을 나타낸 것이다. 이 경우에 약 250℃에서 가파른 질량 감소가 발생한다. 상대 용적 변화는 90%가 넘는다.

도 7은 DVD+R 염료(Bayer^TM)의 DSC 및 TGA 분석을 나타낸 것이다. 이때 약 290℃에서 가파른 질량 감소가 일어난다. 상대 용적 변화가 30%를 넘는다.

도 8은 DVD+R 염료(MCCpds2211^TM)의 DSC 및 TGA 분석을 나타낸 것이다. 이 염료에서는 약 290℃에서 가파른 질량 감소가 일어난다. 상대 용적 변화는 약 50%이다.

마지막으로, 도 9는 DVD+R 염료(MCC16X_TM)의 DSC 및 TGA 분석을 나타낸 것이다. 약 290℃에서 가파른 질량 감소가 발생한다. 상대 용적 변화는 약 60%이다.

상기하지 않은 동등물 및 변형이 첨부된 청구항에 정의된 본 발명의 범위를 일탈하지 않고 채용될 수 있다.

Claims (13)

1. 마스터 기판(26), 특히 광학 디스크(22)의 대량생산용 스탬퍼(20)를 제조하기 위한 마스터 기판(16) 또는 마이크로 콘택 프린팅용 스탬프(24)를 제조하기 위한 마스터 기판(26)의 기록 스택(12, 14, 16)에 고밀도 릴리프 구조(18)를 제조하는 방법으로서,

   염료층(14)을 포함하는 기록 스택(12, 14, 16)을 설치하는 단계와,

   레이저 펄스들을 조사하여 염료층 재료를 수축시켜 상기 염료층(14) 내부에 상기 고밀도 릴리프 구조(18)를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 릴리프 구조의 제조방법.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 염료층(14)의 염료는 옥소놀계 염료, 프탈로시아닌, 시아닌, 아조의 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 고밀도 릴리프 구조의 제조방법.
3. 제 1항에 이어서,

   상기 기록 스택(12, 14, 16)은 상기 염료층(14) 아래에 배치된 최소한 한 개의 반사층(12)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 릴리프 구조의 제조방법.
4. 제 3항에 있어서,

   상기 반사층(12)은 Ni, Ag, SiO₂, Si₃N₄의 그룹에서 선택된 재료로 제조된 것을 특징으로 하는 고밀도 릴리프 구조의 제조방법.
5. 제 1항에 있어서,

   상기 기록 스택(12, 14, 16)은 상기 염료층(14) 위 및/또는 아래에 배치된 최소한 한 개의 흡수층(16)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 릴리프 구조의 제조방법.
6. 제 5항에 있어서,

   상기 흡수층(16)은 Ni, Cu. GeSbTe, SnGeSb, InGeSbTe의 그룹에서 선택된 재료로 제조된 것을 특징으로 하는 고밀도 릴리프 구조의 제조방법.
7. 고밀도 릴리프 구조(18)를 형성하기 위한 마스터 기판(26), 특히 광학 디스크(22)의 대량생산용 스탬퍼(20)를 제조하기 위한 마스터 기판(26) 또는 마이크로 콘택 프린팅용 스탬프(24)를 제조하기 위한 마스터 기판(26)으로서,

   상기 마스터 기판(26)은 염료층(14)을 포함하고, 상기 고밀도 릴리프 구조(18)가 염료층 재료를 수축시키는 레이저 펄스를 조사하여 형성되는 것을 특징으로 하는 마스터 기판.
8. 레이저 펄스들을 조사하여 염료층 재료를 수축시킴으로써 염료층(14)에 고밀도 릴리프 구조(18)를 형성하기 위한 상기 염료층(14)을 포함하는 마스터 기판(24)의 용도.
9. 염료층 재료의 수축에 의해 염료층(14)에 형성된 고밀도 릴리프 구조(18)를 포함하는 마스터 기판(26).
10. 광학 디스크(22)의 대량복제용 스탬퍼(20)를 제조하는 방법으로서,

    염료층(14)을 포함하는 기록 스택(12, 14, 16)을 설치하는 단계와,

    레이저 펄스를 조사하여 염료층 재료를 수축시켜 상기 염료층(14)에 고밀도 릴리프 구조(18)를 형성하는 단계와,

    상기 염료층(14) 위에 금속층(20)을 설치하여 상기 고밀도 릴리프 구조(18)에 근거 하여 상기 스탬퍼(20)를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스탬퍼 제조방법,
11. 광학 디스크(22) 제조방법으로서,

    염료층(14)을 포함하는 기록 스택(12, 14, 16)을 설치하는 단계와,

    레이저 펄스를 조사하여 염료층 재료를 수축시킴으로써 상기 염료층(14)에 고밀도 릴리프 구조(18)를 형성하는 단계와,

    상기 고밀도 릴리프 구조(18)에 근거하여 스탬퍼(20)를 제조하는 단계와,

    상기 스탬퍼(20)를 사용하여 상기 광학 디스크(22)를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 디스크의 제조방법.
12. 마이크로 콘택 프린팅용 스탬프(24)를 제조하는 방법으로서,

    염료층(14)을 포함하는 기록 스택(12, 14, 16)을 제조하는 단계와,

    레이저 펄스를 조사하여 염료층 재료를 수축시킴으로써 상기 염료층(14)에 고밀도 릴리프 구조(18)를 형성하는 단계와,

    상기 염료층(14)에 금속층(20)을 형성하여 상기 고밀도 릴리프 구조(18)에 근거하여 상기 스탬프(24)를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스탬프(24) 제조방법.
13. 마이크로프린트(26)를 제조하는 방법으로서,

    염료층(14)을 포함하는 기록 스택(12, 14, 16)을 제조하는 단계와,

    레이저 펄스를 조사하여 염료층 재료를 수축시킴으로써 상기 염료층(14)에 고밀도 릴리프 구조(18)를 형성하는 단계와,

    상기 고밀도 릴리프 구조(18)에 근거하여 스탬프(24)를 제조하는 단계와,

    상기 스탬프(24)를 사용하여 상기 마이크로프린트(26)를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로프린트 제조방법.

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