KR20070096646A

KR20070096646A - 전지 팩

Info

Publication number: KR20070096646A
Application number: KR1020060027524A
Authority: KR
Inventors: 양종운
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2006-03-27
Filing date: 2006-03-27
Publication date: 2007-10-02
Also published as: KR101192146B1

Abstract

본 발명은 전지 팩에 관한 것으로서, 해결하고자 하는 기술적 과제는 낮은 전류로 예비 충전하여 전지의 충격을 완화하고, 스위치의 과열시 충방전 경로를 영구적으로 차단하여 안전성을 향상시키며, 하나의 저항으로 예비 충전이 가능할 뿐만 아니라 스위치 발열시 충방전 경로를 영구적으로 차단하여 소자 갯수를 줄이면서도 안전성 및 신뢰성을 향상시키는데 있다.

이를 위해 본 발명에 의한 해결 방법의 요지는 적어도 하나의 재충전 가능한 전지와, 전지에 병렬로 연결되고, 전지의 전압 및 전류를 감지하여 소정 제어 신호를 출력하는 보호 회로와, 양극 충방전 경로에 충전 스위치 및 방전 스위치가 직렬로 연결되고, 보호 회로의 제어 신호에 의해 온/오프되는 제1스위치와, 제1스위치중 충전 스위치에 병렬로 연결되고, 보호 회로의 제어 신호에 의해 온/오프되며, 보호 회로의 제어 신호에 의해 예비 충전 전류를 바이 패스시키는 예비 충전 스위치와, 예비 충전 스위치와 양극 충방전 경로 사이에 설치되어, 예비 충전 전류가 흐를 경우 열이 발생함에 따라 점차 저항값이 증가하여 예비 충전 전류를 감소시키는 온도 의존형 제1저항을 포함하여 이루어진 전지 팩이 개시된다.

재충전 가능한 전지, 온도 의존형 저항(posistor), 스위치, 보호 회로, 휴즈

Description

전지 팩{Battery pack}

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 전지 팩을 도시한 회로도이다.

도 2a는 본 발명에 따른 전지 팩에서 예비 충전시 충전 전류의 흐름을 도시한 회로도이고, 도 2b는 본 발명에 따른 전지 팩이 충전기에 연결된 상태에서 충전 스위치 또는 방전 스위치의 과열시 제3스위치의 동작 설명을 위한 충전 전류 흐름을 도시한 회로도이고, 도 2c는 본 발명에 따른 전지 팩이 외부 부하에 연결된 상태에서 충전 스위치 또는 방전 스위치의 과열시 제3스위치의 동작 설명을 위한 방전 전류 흐름을 도시한 회로도이다.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전지 팩을 도시한 회로도이다.

도 4a는 본 발명에 따른 전지 팩에서 예비 충전시 충전 전류의 흐름을 도시한 회로도이고, 도 4b는 본 발명에 따른 전지 팩이 충전기에 연결된 상태에서 충전 스위치 또는 방전 스위치의 과열시 제3스위치의 동작 설명을 위한 충전 전류 흐름을 도시한 회로도이고, 도 4c는 본 발명에 따른 전지 팩이 외부 부하에 연결된 상태에서 충전 스위치 또는 방전 스위치의 과열시 제3스위치의 동작을 위한 방전 전류 흐름을 도시한 회로도이다.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >

100,200; 본 발명에 의한 전지 팩

110; 전지 120; 보호 회로

130; 제1스위치 131; 충전 스위치

132; 방전 스위치 140; 예비 충전 스위치

150; 온도 의존형 제1저항 159; 전류 센서

160; 온도 감지부 161; 온도 의존형 제2저항

162; 제1저항 170; 제2스위치

171; P채널 전계효과 트랜지스터172; N채널 전계효과 트랜지스터

180; 제3스위치 181; 휴즈

182; 발열용 저항 191; 충전기

192; 외부 부하

본 발명은 전지 팩에 관한 것으로서, 보다 상세히는 낮은 전류로 예비 충전하여 스위치의 충격을 완화하고, 스위치의 과열시 충방전 경로를 영구적으로 차단하여 안전성을 향상시키며, 또한 하나의 저항으로 예비 충전이 가능할 뿐만 아니라 스위치 발열시 충방전 경로를 영구적으로 차단하여 안전성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 재충전 가능한 전지 팩에 관한 것이다.

근래에, 휴대전화와 노트북 PC를 비롯하여 PDA, 캠코더, 디지털카메라, 각종 MD 플레이어와 같은 고성능 모바일 기기가 계속 상품화되고 있다. 이러한 기기를 포터블화하는 핵심 부품의 하나가 2차 전지 즉, 재충전 가능한 전지이다. 기기를 소형화, 경량화하기 위해 전지는 가급적 작고, 가벼우며, 오랜 동작 시간을 유지하기 위한 전지의 고 에너지밀도화 기술을 토대로 비약적으로 발전해 왔다.

모바일 기기용 2차 전지의 역사는 니켈카드뮴 전지, 니켈수소 전지, 리튬 이온 전지 순으로, 대략 3단계에 걸쳐 발전해 왔다고 할 수 있다. 니켈카드뮴/니켈수소 전지가 가진 충방전 특성과 사이클 특성의 불안정, 메모리 효과(memory effect), 자기방전, 고용량화 등의 문제점을 거의 해결한 리튬 이온 전지는 리튬이 가진 고용량을 계승하면서, 안전하고 신뢰성이 높으며, 반복 충전회수도 비약적으로 많아졌다. 특히 높은 에너지밀도를 자랑하는 리튬 이온 폴리머 전지의 등장으로 시장은 급속히 확대되어, 시장 규모도 선행하는 니켈카드뮴 전지나 니켈수소 전지를 크게 웃돌고 있으며, 2차 전지 시장을 장악해 나가고 있다.

그러나 이와 같이 2차 전지가 높은 에너지 밀도를 갖게 되고, 고용량화 됨에 따라 전지의 특성이 아주 예민해져 전지의 안전성이나 신뢰성을 극대화할 필요가 있다. 즉, 리튬 이온 전지와 같은 2차 전지는 과충전에 의한 발화와, 과방전에 의한 특성의 열화라고 하는 위험성이 있기 때문에, 정밀한 전압 전류를 관리하지 않으면 그 성능을 발휘할 수 없다고 하는 까다로운 점이 있다.

따라서, 일반적으로 전지에는 과충전, 과방전 및 과전류를 방지하기 위한 보호 회로가 장착되고 있으며, 이와 같이 재충전 가능한 전지에 보호 회로가 부착된 것을 통상 전지 팩이라 한다.

상술한 바와 같이 상기 전지 팩의 보호 회로는 과충전 보호 기능, 과방전 보 호 기능, 과전류 보호 기능 및 통상의 충방전 기능이 함께 구비되어 있다.

한편, 통상의 전지 팩은 주지된 바와 같이 정전류 정전압 충전 방식을 이용한다. 즉, 충전 초기에는 비교적 큰 전류를 흘리고 전지가 만충전이 됨에 따라 점차 전류를 감소시킨다. 물론, 충전의 초기에는 낮은 전압을 인가하고 전지가 만충전됨에 따라 점차 전압을 소정 전위까지 증가시킨 후 일정하게 유지한다.

그런데, 이러한 전지 팩은 초기 충전시 비교적 큰 충전 전류가 흐르기 때문에 충방전 경로에 있는 각종 스위치가 큰 충격을 받게 되고, 이에 따라 스위치의 수명이 저하되고 열화되는 문제가 있다.

또한, 종래의 전지 팩은 상기 충방전 경로에 설치된 스위치가 어떠한 원인에 의해 과열되는 경우가 있다. 물론, 이와 같이 스위치가 과열되면 정상적인 스위칭 동작이 이루어지지 않을 수 있고, 이에 따라 전지의 안전성 및 신뢰성이 크게 저하될 수 있는 문제가 있다.

이를 해결하기 위해, 종래에는 상기와 같이 스위치(이를 1차 스위치라 한다)가 과열될 경우 이를 센서로 감지하여, 상기 충방전 경로를 2차적으로 완전히 차단하는 2차 스위치가 구비되는 경우가 있다. 그러나, 이와 같이 1차 스위치의 온도를 감지하기 위한 센서와, 이러한 센서로부터의 신호를 처리하기 위해 별도의 2차 보호 회로가 더 구비되어야 함으로써, 전지 팩의 제조 비용이 대폭 상승하는 문제가 있다. 즉, 전지 팩은 무엇보다 가격이 저렴해야 하는데, 상기와 같이 2차 스위치를 구동하기 위해 별도의 2차 보호 회로를 더 구비하여야 함으로써, 전지 팩의 제조 비용이 상승하고, 이에 따라 실제 전지 제조 업체에서 이러한 2차 스위치 및 이를 위한 2차 보호 회로의 채택을 회피하게 되는 문제가 있다.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 낮은 전류로 예비 충전하여 스위치의 충격을 완화하고, 스위치의 과열시 충방전 경로를 영구적으로 차단하여 안전성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 재충전이 가능한 전지 팩을 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 하나의 저항로 예비 충전이 가능할 뿐만 아니라 스위치 발열시 충방전 경로를 영구적으로 차단함으로써, 부품수를 최소화하여 제조 비용을 절약할 수 있고 또한 안전성 및 신뢰성은 높게 유지할 수 있는 재충전 가능한 전지 팩을 제공하는데 있다.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 전지 팩은 양극 충방전 경로 및 음극 충방전 경로를 갖는 적어도 하나의 재충전 가능한 전지와, 상기 전지에 병렬로 연결되고, 상기 전지의 전압 및 전류를 감지하여 소정 제어 신호를 출력하는 보호 회로와, 상기 전지의 양극 충방전 경로에 충전 스위치 및 방전 스위치가 직렬로 연결되고, 상기 보호 회로의 제어 신호에 의해 온/오프되는 제1스위치와, 상기 제1스위치중 충전 스위치에 병렬로 연결되고, 상기 보호 회로의 제어 신호에 의해 온/오프되며, 상기 보호 회로의 제어 신호에 의해 예비 충전 전류를 바이 패스시키는 예비 충전 스위치와, 상기 예비 충전 스위치와 양극 충방전 경로 사이에 설치되어, 상기 예비 충전 전류가 흐를 경우 열이 발생함에 따라 점차 저항값이 증가하여 상기 예비 충전 전류를 감소시키는 온도 의존형 제1저항을 포함한다.

여기서, 상기 음극 충방전 경로에는 전류 센서가 설치되고, 상기 전류 센서에 의한 전지의 충방전 전류 정보는 상기 보호 회로에 전달되며, 상기 보호 회로는 충전 전류가 기준치보다 클 경우 상기 제1스위치중 충전 스위치를 오프시키는 동시에, 상기 예비 충전 스위치를 온시켜 충전 전류가 상기 예비 충전 스위치 및 제1온도 의존형 저항을 통해 바이 패스되도록 한다.

또한, 상기 제1스위치를 이루는 충전 스위치 및 방전 스위치는 드레인에서 소스를 향하여 순방향의 기생 다이오드가 형성된 P채널 전계효과 트랜지스터일 수 있다.

또한, 상기 예비 충전 스위치는 드레인에서 소스를 향하여 순방향의 기생 다이오드가 형성된 P채널 전계효과 트랜지스터일 수 있다.

또한, 상기 양극 충방전 경로와 음극 충방전 경로 사이에 연결되고, 상기 제1스위치의 온도를 감지하여, 상기 제1스위치의 온도가 기준치 이상 과열될 경우 온(on) 신호를 생성하는 스위치 온도 감지부와, 상기 양극 충방전 경로와 음극 충방전 경로 사이에 연결되고, 상기 스위치 온도 감지부에 의해 제어되는 제2스위치와, 상기 양극 충방전 경로에 직렬로 연결되고, 상기 제2스위치가 온되면 상기 양극 충방전 경로를 영구적으로 차단하는 제3스위치를 포함하여 이루어질 수 있다.

또한, 상기 스위치 온도 감지부는 양극 충방전 경로에 일단이 연결된 제2온도 의존형 저항과, 상기 제2온도 의존형 저항에 직렬로 연결된 제1저항을 포함하고, 상기 제1저항은 상기 음극 충방전 경로에 연결될 수 있다.

또한, 상기 제2스위치는 상기 제2온도 의존형 저항과 제1저항 사이에 게이트가 연결되고, 소스는 상기 양극 충방전 경로에 연결되고, 드레인은 상기 음극 충방전 경로에 제2저항을 경유하여 연결된 P채널 전계효과 트랜지스터와, 상기 P채널 전계효과 트랜지스터와 제2저항 사이에 게이트가 연결되고, 드레인은 상기 제3스위치에 연결되고, 소스는 상기 음극 충방전 경로에 연결된 N채널 전계효과 트랜지스터로 이루어질 수 있다.

또한, 상기 제3스위치는 양극 충방전 경로에 직렬 연결된 한쌍의 휴즈와, 상기 휴즈 사이의 접점과 상기 제2스위치 사이에 형성되어 전류 인가시 발열하는 발영용 저항을 포함하여 이루어질 수 있다.

또한, 상기 제2온도 의존형 저항은 상기 제1스위치에 근접 설치됨으로써, 상기 제1스위치가 과열될 경우 저항값이 증가하여 상기 P채널 전계효과 트랜지스터가 온되도록 할 수 있다.

또한, 상기 예비 충전 스위치와 제1온도 의존형 저항 사이에는 제2저항의 일단이 연결되고, 상기 제2저항은 음극 충방전 경로에 연결된 동시에, 상기 양극 충방전 경로와 음극 충방전 경로 사이에 연결되고, 상기 제1온도 의존형 저항의 저항값에 의해 제어되는 제2스위치와, 상기 양극 충방전 경로에 직렬로 연결되고, 상기 제2스위치가 온되면 상기 양극 충방전 경로를 영구적으로 차단하는 제3스위치를 포함하여 이루어질 수 있다.

또한, 상기 제2스위치는 상기 제1온도 의존형 저항과 제1저항 사이에 게이트가 연결되고, 소스는 상기 양극 충방전 경로에 연결되며, 드레인은 상기 음극 충방 전 경로에 제2저항을 경유하여 연결된 P채널 전계효과 트랜지스터와, 상기 P채널 전계효과 트랜지스터와 제2저항 사이에 게이트가 연결되고, 드레인은 상기 제3스위치에 연결되고, 소스는 상기 음극 충방전 경로에 연결된 N채널 전계효과 트랜지스터로 이루어질 수 있다.

또한, 상기 제1온도 의존형 저항은 상기 제1스위치에 근접 설치됨으로써, 상기 제1스위치가 과열될 경우 저항값이 증가하여 상기 제2스위치가 온되도록 할 수 있다.

또한, 상기 P채널 전계효과 트랜지스터는 드레인에서 소스 방향으로 순방향의 기생 다이오드가 형성되고, 상기 N채널 전계효과 트랜지스터는 소스에서 드레인 방향으로 순방향의 기생 다이오드가 형성될 수 있다.

상기와 같이 하여 본 발명에 의한 전지 팩은 초기 충전시 충전 전류가 상대적으로 가장 크게 흐르게 되는데, 이때 상기 충전 전류가 제1스위치가 아닌 예비 충전 스위치 및 제1온도 의존형 저항을 통하여 흐르게 한다. 따라서, 상기 제1온도 의존형 저항을 통하여 흐르는 전류에 따라 상기 제1온도 의존형 저항의 온도 및 저항값이 증가하게 되고, 이에 따라 결국 전지에 인가되는 충전 전류가 소정 시간동안 작은 값을 유지하게 된다. 따라서, 본 발명은 초기 충전시 제1스위치(특히, 충전 스위치) 및 전지에 대한 충격을 완화시킬 수 있게 된다. 물론, 이러한 동작이 소정 시간동안 수행된 후에는 상기 예비 충전 스위치가 오프됨으로써, 정상적인 충방전 경로를 통해서 전지가 충전된다.

또한, 본 발명에 의한 전지 팩은 제1스위치의 온도가 과열될 경우, 이를 온도 감지부가 감지하여 충방전 경로에 설치된 제3스위치가 제2스위치에 의해 차단되도록 함으로써, 충방전 경로를 영구적으로 차단하여 전지팩의 안전성 및 신뢰성을 향상시키게 된다.

또한, 본 발명에 의한 전지 팩은 하나의 제1온도 의존형 저항을 이용하여 초기 충전 전류가 감소되도록 함과 동시에, 상기 제1온도 의존형 저항의 온도가 기준 온도 이상으로 상승할 때, 충방전 경로에 설치된 제3스위치를 제2스위치가 오프시키도록 함으로써, 충방전 경로를 영구적으로 차단하게 된다. 따라서, 본 발명은 최소의 소자 개수로 제3스위치를 동작시킬 수 있게 되고, 또한 전지 팩의 안전성 및 신뢰성은 높일 수 있게 된다.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도시된 바와 같이 본 발명에 따른 전지 팩(100)은 적어도 하나의 전지(110)와, 상기 전지(110)의 전압 및 전류를 감지하고 소정 제어 동작을 수행하는 보호 회로(120)와, 상기 보호 회로(120)의 제어 동작에 의해 충방전 경로를 차단 및 연결하는 제1스위치(130)와, 상기 제1스위치(130)에 연결되어 초기 충전시 충전 전류 를 바이 패스시키는 예비 충전 스위치(140)와, 상기 예비 충전 스위치(140)에 연결되어 바이 패스된 충전 전류가 작아지도록 하는 온도 의존형 제1저항(150)을 포함한다. 더욱이, 본 발명은 상기 제1스위치(130)의 온도를 감지하는 온도 감지부(160)와, 상기 온도 감지부(160)에 의해 턴온되는 제2스위치(170) 및 상기 제2스위치(170)에 의해 충방전 경로를 영구적으로 차단하는 제3스위치(180)를 더 포함할 수 있다.

먼저 전지(110)는 재충전 가능한 리튬 이온 전지, 리튬 폴리머 전지 또는 그 등가물이 가능하나, 여기서 상기 전지(110)의 종류를 한정하는 것은 아니다. 또한, 상기 전지(110)의 개수는 도면에 비록 3개로 도시되어 있으나 그 이하 또는 그 이상의 개수도 가능하며, 여기서 그 전지(110)의 개수를 한정하는 것은 아니다. 또한, 상기 전지(110)의 양극에는 양극 충방전 경로(L1)가 형성되고, 상기 전지(110)의 음극에는 음극 충방전 경로(L2)가 형성되어 있다. 물론, 상기 양극 충방전 경로(L1)의 끝단에는 충전기 또는 외부 부하에 연결되는 양극 단자(P+)가 구비되고, 상기 음극 충방전 경로(L2)의 끝단에도 충전기 또는 외부 부하에 연결되는 음극 단자(P-)가 구비되어 있다.

상기 보호 회로(120)는 상기 전지(110)에 병렬로 연결됨으로써, 상기 전지(110)의 전압 및 전류를 감지하고 이를 소정 알고리즘대로 처리하여 소정 제어 신호를 출력하는 역할을 한다. 여기서, 상기 보호 회로(120)는 각 단위 전지(110)의 전압을 모두 감지할 수 있도록 되어 있으며, 이러한 보호 회로(120)에는 기준 전압원, 비교기 및 로직 회로(도시되지 않음) 등이 내장되어 있어, 상기 전지(110)의 충전 전압 또는 방전 전압을 감지하여 소정 제어 처리를 할 수 있도록 되어 있다. 여기서, 상기 음극 충방전 경로(L2)(또는 양극 충방전 경로(L1))에는 전류 센서(159)가 더 형성될 수 있는데, 이러한 전류 센서(159)의 양단 역시 상기 보호 회로(120)에 연결되어 있다. 따라서, 상기 보호 회로(120)가 상기 전류 센서(159)의 저항값을 이미 알고 있는 상태라고 하면, 상기 전류 센서(159)의 전압값을 확인함으로써, 충방전 전류를 확인할 수 있게 된다. 즉, 상기 전류 센서(159)는 전지(110)의 충전 전류 또는 방전 전류에 대한 정보를 상기 보호 회로(120)에 전달하는 역할을 한다.

상기 제1스위치(130)는 상기 전지(110)의 양극 충방전 경로(L1)(또는 음극 충방전 경로(L2))에 충전 스위치(131) 및 방전 스위치(132)가 직렬로 연결되고, 상기 보호 회로(120)의 제어 신호에 의해 온/오프될 수 있도록 되어 있다. 예를 들어, 상기 보호 회로(120)는 전지(110)가 과충전 상태로 판단되면, 상기 제1스위치(130)중 충전 스위치(131)를 오프시키고, 전지(110)가 과방전 상태로 판단되면, 상기 제1스위치(130)중 방전 스위치(132)를 오프시킨다. 또한, 상기 제1스위치(130)의 충전 스위치(131) 및 방전 스위치(132)는 드레인에서 소스 방향으로 순방향의 기생 다이오드가 형성된 P채널 전계효과 트랜지스터일 수 있으며, 게이트의 전압은 상기 보호 회로(120)에 의해 제어된다. 더욱이, 상기 충전 스위치(131)는 과충전에 의해 오프 상태로 되어 있더라도, 기생 다이오드를 통해서 전지(110)의 방전이 가능하도록 되어 있고, 상기 방전 스위치(132)는 과방전에 의해 오프 상태로 되어 있더라도, 기생 다이오드를 통해서 전지(110)의 충전이 가능하도록 되어 있다. 여기서, 상기 제1스위치(130) 즉, 충전 스위치(131) 및 방전 스위치(132)는 P채널 전계효과 트랜지스터이므로, 보호 회로(120)에 의해 게이트에 로우(low) 전압이 인가되면 턴온되고, 하이(high) 전압이 인가되면 턴오프된다.

상기 예비 충전 스위치(140)는 상기 제1스위치(130)중 충전 스위치(131)와 방전 스위치(132) 사이에 일단이 결합되고, 타단은 하기할 온도 의존형 제1저항(150)에 연결되어 있다. 즉, 상기 예비 충전 스위치(140)는 소스가 상기 제1스위치(130)중 충전 스위치(131)와 방전 스위치(132) 사이에 연결되고, 드레인이 상기 온도 의존형 제1저항(150)에 연결된 P채널 전계효과 트랜지스터일 수 있다. 물론, 상기 예비 충전 스위치(140)의 게이트 전압 역시 상비 보호 회로(120)에 의해 제어된다. 더불어, 상기 예비 충전 스위치(140) 역시 드레인에서 소스 방향으로 순방향의 기생 다이오드가 형성될 수 있다. 따라서 상기 예비 충전 스위치(140)는 턴오프되어 있다고 해도, 전지(110)의 방전시에는 방전 전류가 상기 예비 충전 스위치(140)에 구비된 기생 다이오드를 통해서 흐를 수 있다. 마찬가지로, 상기 예비 충전 스위치(140) 역시 P채널 전계효과 트랜지스터이므로, 보호 회로(120)에 의해 게이트에 로우 전압이 인가되면 턴온되고, 게이트에 하이 전압이 인가되면 턴온된다.

상기 온도 의존형 제1저항(150)은 상기 예비 충전 스위치(140)와 양극 충방전 경로(L1) 사이에 연결되어 있다. 따라서, 상기 예비 충전 스위치(140)가 온되면, 상기 온도 의존형 제1저항(150)으로 전류가 흐르게 되고, 이에 따라 상기 온도 의존형 제1저항(150)의 온도 및 저항값은 점차 높아지게 된다. 이러한 온도 의존형 제1저항(150)은 전류가 흐르면 온도가 증가하고, 온도가 증가하면 저항이 증가하는 통상의 포지스터(posistor) 또는 그 등가물이 가능하나, 여기서 그 종류를 한정하는 것은 아니다.

계속해서, 온도 감지부(160)는 상기 양극 충방전 경로(L1)와 음극 충방전 경로(L2)에 상호 직렬로 연결된 온도 의존형 제2저항(161) 및 제1저항(162)을 포함한다. 즉, 상기 양극 충방전 경로(L1)에는 온도 의존형 제2저항(161)이 연결되고, 상기 온도 의존형 제2저항(161)에는 제1저항(162)이 연결되며, 상기 제1저항(162)은 다시 음극 충방전 경로(L2)에 연결되어 있다. 더욱이, 상기 온도 의존형 제2저항(161)은 제1스위치(130)의 근방에 설치됨으로써, 상기 온도 의존형 제2저항(161)은 상기 제1스위치(130)의 온도에 따라 상이한 저항값을 갖도록 되어 있다. 이와 같은 회로에 의해 상기 온도 의존형 제2저항(161)과 제1저항(162) 사이의 분압 전압은 상기 온도 의존형 제2저항(161)의 저항값이 증가함에 따라 낮아짐을 알 수 있다. 물론, 이러한 온도 의존형 제2저항(161) 역시 온도가 증가하면 저항값이 증가하는 통상의 포지스터 또는 그 등가물이 가능하나, 여기서 그 종류를 한정하는 것은 아니다.

상기 제2스위치(170)는 상기 온도 감지부(160)중 온도 의존형 제2저항(161)과 양극 충방전 경로(L1) 사이에 소스가 연결되고, 드레인은 제2저항(173)을 경유하여 음극 충방전 경로(L2)에 연결되며, 게이트는 상기 온도 의존형 제2저항(161)과 제1저항(162) 사이에 연결된 P채널 전계효과 트랜지스터(171)를 포함한다. 물론, 이러한 P채널 전계효과 트랜지스터(171) 역시 드레인에서 소스 방향으로 순방향인 기생 다이오드가 형성되어 있다. 이러한 회로 구조에 의해 상기 P채널 전계효 과 트랜지스터(171)는 상기 온도 감지부(160)중 온도 의존형 제2저항(161)의 저항값이 높아지면, 게이트 전압이 로우(low) 상태가 됨으로써, 소스-드레인 사이가 턴온됨을 알 수 있다. 더불어, 상기 제2스위치(170)는 상기 P채널 전계효과 트랜지스터(171)의 드레인과 제2저항(173) 사이에 게이트가 연결되고, 드레인은 하기할 제3스위치(180)에 연결되며, 소스는 상기 음극 충방전 경로(L2)에 연결된 N채널 전계효과 트랜지스터(172)일 수 있다. 이러한 회로에 의해 상기 N채널 전계효과 트랜지스터(172)는 상기 P채널 전계효과 트랜지스터(171)가 턴온되면, 제2저항(173)에 소정 전압이 인가되고, 따라서, 게이트에 하이 전압이 인가되어 결국 드레인-소스간 턴온됨을 알 수 있다.

마지막으로, 상기 제3스위치(180)는 상기 양극 충방전 경로(L1)에 상호 직렬 연결된 2개의 휴즈(181)와, 상기 휴즈(181) 사이의 접점에 연결된 발열용 저항(182)을 포함하며, 상기 발열용 저항(182)은 상기 제2스위치(170)중 N채널 전계효과 트랜지스터(172)의 드레인에 연결되어 있다. 따라서, 상기 제3스위치(180)의 휴즈(181)는 상기 제2스위치(170)의 N채널 전계효과 트랜지스터(172)가 턴온되면 충전 전류 또는 방전 전류중 어느 하나에 의해 상기 발열용 저항(182)이 일정 온도 이상으로 발열하게 되고, 이에 따라 2개의 휴즈(181)중 적어도 어느 하나는 끊어짐으로써, 상기 양극 충방전 경로(L1)가 완전히 차단됨을 알 수 있다.

도 2a는 본 발명에 따른 전지 팩에서 예비 충전시 충전 전류의 흐름을 도시한 회로도이고, 도 2b는 본 발명에 따른 전지 팩이 충전기에 연결된 상태에서 충전 스위치 또는 방전 스위치의 과열시 제3스위치의 동작 설명을 위한 충전 전류 흐름 을 도시한 회로도이고, 도 2c는 본 발명에 따른 전지 팩이 외부 부하에 연결된 상태에서 충전 스위치 또는 방전 스위치의 과열시 제3스위치의 동작 설명을 위한 방전 전류 흐름을 도시한 회로도이다. 여기서, 제1스위치를 이루는 충전 스위치 및 방전 스위치의 동작은 이미 당업자에게 주지된 사항이므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.

[전지의 예비 충전(도 2a 참조)]

알려진 바와 같이 전지(110)의 초기 충전시에는 상대적으로 많은 충전 전류가 충전기로부터 공급되고, 이후 만충전이 가까워짐에 따라 충전 전류가 점차 작아진다. 그런데, 이와 같이 초기 충전시에 곧바로 대량의 충전 전류가 전지(110)로 유입되면, 제1스위치(130) 뿐만 아니라 전지(110)에도 무리가 오고 따라서, 전지(110)의 특성이 저하된다.

이를 방지하기 위해 본 발명은 전지(110)의 초기 충전시 보호 회로(120)가 충전 스위치(131)를 오프시킴과 동시에 예비 충전 스위치(140)를 온시키도록 한다. 여기서, 상기 전지(110)의 초기 충전 여부는 전류 센서(159)를 통해서 얻어진 전지(110)의 충전 전류값을 이미 저장된 기준 충전 전류값과 비교하고, 이러한 전지(110)의 충전 전류값이 이미 저장된 기준 충전 전류값보다 크다고 판단되면, 상기 충전 스위치(131)를 오프시키고, 상기 예비 충전 스위치(140)를 온시키는 것이다. 물론, 이러한 동작은 상기 보호 회로(120)에 의해 이루어진다.

그러면, 도 2a에 도시된 바와 같이 충전기로부터의 충전 전류(굵은 화살표로 표시됨)는 제1스위치(130)중 충전 스위치(131)가 아닌 예비 충전 스위치(140) 및 온도 의존형 제1저항(150)을 통해서 전지(110)로 공급된다. 그런데, 상기 온도 의존형 제1저항(150)은 충전 전류가 흐름에 따라 점차 온도가 증가하는 특성이 있다. 또한, 상기 온도 의존형 제1저항(150)은 온도가 증가함에 따라 저항값이 증가하는 특성이 있고, 이에 따라 자연스럽게 충전 전류를 감소시키게 된다.

따라서, 상기 온도 의존형 제1저항(150)에 의해 감소된 충전 전류가 상기 전지(110)에 인가되고, 결국 상기 전지(110) 및 제1스위치(130)의 초기 충전시 충격이 완화된다. 이러한 충전 상태를 여기서는 전지의 예비 충전 상태로 간주하였으며, 따라서 상기 스위치(140)를 예비 충전 스위치로 명명하였다.

[충전시 충방전 경로의 영구 차단(도 2b 참조)]

주지된 바와 같이 전지(110)의 충전 중에는 어떠한 원인에 의해 제1스위치(130)가 과열되는 경우가 있다. 이와 같이 제1스위치(130)가 과열되면 상기 제1스위치(130)가 정상적으로 동작되지 않음은 당연하다. 즉, 보호 회로(120)가 과충전 상태로 인식하고 충전 스위치(131)를 오프시키려고 해도 상기 충전 스위치(131)가 오프되지 않을 수 있다.

이때, 본 발명은 제2스위치(170)중 온도 의존형 제2저항(161)이 물리적으로 상기 제1스위치(130)에 근접하여 설치되어 있다고 앞서 설명한바 있다. 따라서, 상기 제1스위치(130) 즉, 충전 스위치(131)가 과열되면 상기 온도 의존형 제2저항(161)의 저항값이 높아진다. 따라서, 제2스위치(170)중 P채널 전계효과 트랜지스터(171)의 게이트 전압은 낮아지고, 이에 따라 상기 P채널 전계효과 트랜지스터(171)는 턴온된다. 그러면, 그것에 연결된 제2저항(173)에 소정치 이상의 전압이 인가되 고, 따라서 N채널 전계효과 트랜지스터(172)가 턴온된다.

따라서, 충전기(191)로부터의 충전 전류(굵은 화살표로 표시)는 제3스위치(180)의 도면중 우측 휴즈(181), 발열용 저항(182) 및 상기 N채널 전계효과 트랜지스터(172)를 통과하게 된다. 물론, 제3스위치(180)중 발열용 저항(182)은 일정한 온도로 가열되고, 이에 따라 우측 휴즈(181)는 끊어지게 된다.

이와 같이 하여, 양극 충방전 경로(L1)는 영구적으로 차단되어 전지(110)의 안전성 및 신뢰성이 확보된다.

[방전시 충방전 경로의 영구 차단(도 2c 참조)]

주지된 바와 같이 전지(110)의 방전 중에도 어떠한 원인에 의해 제1스위치(130)가 과열되는 경우가 있다. 이와 같이 제1스위치(130)가 과열되면 상기 제1스위치(130)가 정상적으로 동작되지 않음은 당연하다. 즉, 보호 회로(120)가 과방전 상태로 인식하고 방전 스위치(132)를 오프시키려고 해도 상기 방전 스위치(132)가 오프되지 않을 수 있다.

이때, 본 발명은 제2스위치(170)중 온도 의존형 제2저항(161)이 물리적으로 상기 제1스위치(130)에 근접하여 설치되어 있다고 앞서 설명한바 있다. 따라서, 상기 제1스위치(130) 즉, 방전 스위치(132)가 과열되면 상기 온도 의존형 제2저항(161)의 저항값이 높아진다. 따라서, 제2스위치(170)중 P채널 전계효과 트랜지스터(171)의 게이트 전압은 낮아지고, 이에 따라 상기 P채널 전계효과 트랜지스터(171)는 턴온된다. 그러면, 제2저항에 소정치 이상의 전압이 인가되고, 따라서 N채널 전계효과 트랜지스터(172)가 턴온된다.

따라서, 전지(110)로부터의 방전 전류(굵은 화살표로 표시)는 제3스위치(180)의 도면중 좌측 휴즈(181), 발열용 저항(182) 및 상기 N채널 전계효과 트랜지스터(172)를 통과하게 된다. 물론, 제3스위치(180)중 발열용 저항(182)은 일정한 온도로 가열되고, 이에 따라 좌측 휴즈(181)는 끊어지게 된다.

도면중 미설명 부호 192는 전지 팩(100)의 양극 단자(P+) 및 음극 단자(P-)에 연결된 외부 부하이다.

도 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 다른 전지 팩(200)은 도 1에 도시한 전지 팩(100)과는 다르게 별도의 온도 감지부(160)를 형성할 필요가 없다. 즉, 그만큼 소자 개수를 줄일 수 있는 장점이 있다. 물론, 이러한 소자 개수의 감소에도 불구하고 기능 및 동작은 도 1에 도시된 전지 팩(100)과 동일하게 수행된다. 이하의 설명에서 도 1에 도시된 구성 요소와 동일한 구성 요소는 동일한 도면 부호를 이용하여 설명하기로 한다.

도 3에 도시된 바와 같이 온도 의존형 제1저항(150)과 예비 충전 스위치(140)에 사이에는 제1저항(162)이 직접 연결되어 있다. 즉, 도 1에 도시된 온도 의존형 제2저항(161)이 생략되어 있다.

물론, 제1온도 의존형 제1저항(150)과 제1저항(162) 사이에는 제2스위치(170)의 P채널 전계효과 트랜지스터(171)의 게이트가 접속되어 있다. 여기서, 상기 P채널 전계효과 트랜지스터(171)의 소스는 양극 충방전 경로(L1)에 연결되고, 드레인은 제2저항(173)을 경유하여 음극 충방전 경로(L2)에 연결되어 있다.

더불어, 제2스위치(170)중 N채널 전계효과 트랜지스터(172)의 게이트는 상기 P채널 전계효과 트랜지스터(171)의 드레인과 제2저항(173) 사이에 연결되어 있으며, 나머지 구성은 도 1에 도시된 전지 팩(100)과 동일하다.

여기서, 본 발명의 다른 실시예에 의한 중요한 특징중의 하나는 상기 온도 의존형 제1저항(150)의 설치 위치이다. 상기 온도 의존형 제1저항(150)은 바람직하기로 상기 제1스위치(130)(충전 스위치(131) 및 방전 스위치(132))에 근접시켜 설치한다. 즉, 본 발명은 별도의 온도 감지부(160)가 형성되어 있지 않으므로, 상기 온도 의존형 제1저항(150)이 초기 충전 전류를 낮추는 동시에, 상기 제1스위치(130)의 온도에 연동하여 제2스위치(170) 및 제3스위치(180)가 동작되도록 하기 위해 제1스위치(130)에 근접하여 설치된다. 이에 대한 작동 및 기능은 아래에서 상세히 설명하기로 한다.

도 4a는 본 발명에 따른 전지 팩에서 예비 충전시 충전 전류의 흐름을 도시한 회로도이고, 도 4b는 본 발명에 따른 전지 팩이 충전기에 연결된 상태에서 충전 스위치 또는 방전 스위치의 과열시 제3스위치의 동작 설명을 위한 충전 전류 흐름을 도시한 회로도이고, 도 4c는 본 발명에 따른 전지 팩이 외부 부하에 연결된 상태에서 충전 스위치 또는 방전 스위치의 과열시 제3스위치의 동작 설명을 위한 방전 전류 흐름을 도시한 회로도이다.

[전지의 예비 충전(도 4a 참조)]

먼저 전지(110)의 초기 충전시 많은 충전 전류가 충전기로부터 전지(110)에 공급되는데, 이러한 초기 충전 전류는 상술한 바와 같이 전류 센서(159)가 감지하여 보호 회로(120)에 알려준다. 그러면, 상기 보호 회로(120)는 충전 스위치(131)를 오프시킴과 동시에 예비 충전 스위치(140)를 온시킨다.

그러면, 도 4a에 도시된 바와 같이 충전기(191)로부터의 충전 전류는 제1스위치(130)중 충전 스위치(131)가 아닌 예비 충전 스위치(140) 및 온도 의존형 제1저항(150)을 통해서 전지(110)로 공급된다. 그런데, 상기 온도 의존형 제1저항(150)은 충전 전류가 흐름에 따라 점차 온도가 증가하게 된다. 따라서, 상기 온도 의존형 제1저항(150)의 저항값은 상승하게 되고, 이에 따라 자연스럽게 충전 전류를 감소시키게 된다.

따라서, 상기 온도 의존형 제1저항(150)에 의해 감소된 충전 전류가 상기 전지(110)에 인가되고, 결국 상기 전지(110) 및 제1스위치(130)의 충격은 완화된다.

[충전시 충방전 경로의 영구 차단(도 4b 참조)]

주지된 바와 같이 전지(110)의 충전 중에는 어떠한 원인에 의해 제1스위치(130)가 과열되는 경우가 있다. 이와 같이 제1스위치(130)가 과열되면 상기 제1스위치(130)가 정상적으로 동작되지 않음은 당연하다. 즉, 보호 회로(120)가 과충전 상태로 인식하고 충전 스위치(131)를 오프시키려고 해도 상기 충전 스위치(131)가 턴오프되지 않을 수 있다.

이때, 본 발명은 온도 의존형 제1저항(150)이 물리적으로 상기 제1스위치 (130)에 근접하여 설치되어 있다고 앞서 설명한바 있다. 따라서, 상기 제1스위치(130) 즉, 충전 스위치(131)가 과열되면 상기 온도 의존형 제1저항(150)의 저항값이 높아진다. 따라서, 제2스위치(170)중 P채널 전계효과 트랜지스터(171)의 게이트 전압은 낮아지고, 이에 따라 상기 P채널 전계효과 트랜지스터(171)는 턴온된다. 그러면, 제2저항에 소정치 이상의 전압이 인가되고(즉, N채널 전계효과 트랜지스터(172)의 게이트 전압이 높아지고), 따라서 N채널 전계효과 트랜지스터(172)가 턴온된다.

따라서, 충전기(191)로부터의 충전 전류(굵은 화살표로 표시됨)는 제3스위치(180)의 도면중 우측 휴즈(181), 발열용 저항(182) 및 상기 N채널 전계효과 트랜지스터(172)를 통과하게 된다. 물론, 제3스위치(180)중 발열용 저항(182)은 일정한 온도로 가열되고, 이에 따라 우측 휴즈(181)는 끊어지게 된다.

[방전시 충방전 경로의 영구 차단(도 4c 참조)]

주지된 바와 같이 전지(110)의 방전 중에도 어떠한 원인에 의해 제1스위치(130)가 과열되는 경우가 있다. 이와 같이 제1스위치(130)가 과열되면 상기 제1스위치(130)가 정상적으로 동작되지 않음은 당연하다. 즉, 보호 회로(120)가 과방전 상태로 인식하고 방전 스위치(132)를 오프시키려고 해도 상기 방전 스위치(132)가 턴오프되지 않을 수 있다.

이때, 본 발명은 온도 의존형 제1저항(150)이 물리적으로 상기 제1스위치 (130)에 근접하여 설치되어 있다고 앞서 설명한바 있다. 따라서, 상기 제1스위치(130) 즉, 방전 스위치(132)가 과열되면 상기 온도 의존형 제1저항(150)의 저항값이 높아진다. 따라서, 제2스위치(170)중 P채널 전계효과 트랜지스터(171)의 게이트 전압은 낮아지고, 이에 따라 상기 P채널 전계효과 트랜지스터(171)는 턴온된다. 그러면, 제2저항(173)에 소정치 이상의 전압이 인가되고(즉, N채널 전계효과 트랜지스터(172)의 게이트 전압이 높아지고), 따라서 N채널 전계효과 트랜지스터(172)가 턴온된다.

따라서, 전지(110)로부터의 방전 전류(굵은 화살표로 표시됨)는 제3스위치(180)의 도면중 좌측 휴즈(181), 발열용 저항(182) 및 상기 N채널 전계효과 트랜지스터(172)를 통과하게 된다. 물론, 제3스위치(180)중 발열용 저항(182)은 일정한 온도로 가열되고, 이에 따라 좌측 휴즈(181)는 끊어지게 된다.

상기와 같이 하여 본 발명에 의한 전지 팩은 초기 충전시 충전 전류가 상대적으로 가장 크게 흐르게 되는데, 이때 상기 충전 전류가 제1스위치가 아닌 예비 충전 스위치 및 제1온도 의존형 저항을 통하여 흐르게 한다. 따라서, 상기 제1온도 의존형 저항을 통하여 흐르는 전류에 따라 상기 제1온도 의존형 저항의 온도 및 저항값이 증가하게 되고, 이에 따라 결국 전지에 인가되는 충전 전류가 소정 시간동안 작은 값을 유지하게 된다. 따라서, 본 발명은 초기 충전시 제1스위치(특히, 충 전 스위치) 및 전지에 대한 충격을 완화시킬 수 있게 된다. 물론, 이러한 동작이 소정 시간동안 수행된 후에는 상기 예비 충전 스위치가 오프됨으로써, 정상적인 충방전 경로를 통해서 전지가 충전된다.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 전지 팩을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.

Claims

양극 충방전 경로 및 음극 충방전 경로를 갖는 적어도 하나의 재충전 가능한 전지와,

상기 전지에 병렬로 연결되고, 상기 전지의 전압 및 전류를 감지하여 소정 제어 신호를 출력하는 보호 회로와,

상기 전지의 양극 충방전 경로에 충전 스위치 및 방전 스위치가 직렬로 연결되고, 상기 보호 회로의 제어 신호에 의해 온/오프되는 제1스위치와,

상기 제1스위치중 충전 스위치에 병렬로 연결되고, 상기 보호 회로의 제어 신호에 의해 온/오프되며, 상기 보호 회로의 제어 신호에 의해 예비 충전 전류를 바이 패스시키는 예비 충전 스위치와,

상기 예비 충전 스위치와 양극 충방전 경로 사이에 설치되어, 상기 예비 충전 전류가 흐를 경우 열이 발생함에 따라 점차 저항값이 증가하여 상기 예비 충전 전류를 감소시키는 온도 의존형 제1저항을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전지 팩.
제 1 항에 있어서, 상기 음극 충방전 경로에는 전류 센서가 설치되고, 상기 전류 센서에 의한 전지의 충방전 전류 정보는 상기 보호 회로에 전달되며, 상기 보호 회로는 충전 전류가 기준치보다 클 경우 상기 제1스위치중 충전 스위치를 오프시키는 동시에, 상기 예비 충전 스위치를 온시켜 충전 전류가 상기 예비 충전 스위 치 및 제1온도 의존형 저항을 통해 바이 패스되도록 함을 특징으로 하는 전지 팩.
제 1 항에 있어서, 상기 제1스위치를 이루는 충전 스위치 및 방전 스위치는 드레인에서 소스를 향하여 순방향의 기생 다이오드가 형성된 P채널 전계효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 전지 팩.
제 1 항에 있어서, 상기 예비 충전 스위치는 드레인에서 소스를 향하여 순방향의 기생 다이오드가 형성된 P채널 전계효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 전지 팩.
제 1 항에 있어서, 상기 양극 충방전 경로와 음극 충방전 경로 사이에 연결되고, 상기 제1스위치의 온도를 감지하여, 상기 제1스위치의 온도가 기준치 이상 과열될 경우 온(on) 신호를 생성하는 스위치 온도 감지부와,

상기 양극 충방전 경로와 음극 충방전 경로 사이에 연결되고, 상기 스위치 온도 감지부에 의해 제어되는 제2스위치와,

상기 양극 충방전 경로에 직렬로 연결되고, 상기 제2스위치가 온되면 상기 양극 충방전 경로를 영구적으로 차단하는 제3스위치를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전지 팩.
제 5 항에 있어서, 상기 스위치 온도 감지부는 양극 충방전 경로에 일단이 연결된 제2온도 의존형 저항과, 상기 제2온도 의존형 저항에 직렬로 연결된 제1저항을 포함하고, 상기 제1저항은 상기 음극 충방전 경로에 연결된 것을 특징으로 하는 전지 팩.
제 6 항에 있어서, 상기 제2스위치는 상기 제2온도 의존형 저항과 제1저항 사이에 게이트가 연결되고, 소스는 상기 양극 충방전 경로에 연결되고, 드레인은 상기 음극 충방전 경로에 제2저항을 경유하여 연결된 P채널 전계효과 트랜지스터와,

상기 P채널 전계효과 트랜지스터와 제2저항 사이에 게이트가 연결되고, 드레인은 상기 제3스위치에 연결되고, 소스는 상기 음극 충방전 경로에 연결된 N채널 전계효과 트랜지스터로 이루어진 것을 특징으로 하는 전지 팩.
제 7 항에 있어서, 상기 제3스위치는 양극 충방전 경로에 직렬 연결된 한쌍의 휴즈와, 상기 휴즈 사이의 접점과 상기 제2스위치 사이에 형성되어 전류 인가시 발열하는 발영용 저항을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전지 팩.
제 6 항에 있어서, 상기 제2온도 의존형 저항은 상기 제1스위치에 근접 설치됨으로써, 상기 제1스위치가 과열될 경우 저항값이 증가하여 상기 P채널 전계효과 트랜지스터가 온되도록 함을 특징으로 하는 전지 팩.
제 1 항에 있어서, 상기 예비 충전 스위치와 제1온도 의존형 저항 사이에는 제2저항의 일단이 연결되고, 상기 제2저항은 음극 충방전 경로에 연결된 동시에,

상기 양극 충방전 경로와 음극 충방전 경로 사이에 연결되고, 상기 제1온도 의존형 저항의 저항값에 의해 제어되는 제2스위치와,

상기 양극 충방전 경로에 직렬로 연결되고, 상기 제2스위치가 온되면 상기 양극 충방전 경로를 영구적으로 차단하는 제3스위치를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전지 팩.
제 10 항에 있어서, 상기 제2스위치는 상기 제1온도 의존형 저항과 제1저항 사이에 게이트가 연결되고, 소스는 상기 양극 충방전 경로에 연결되며, 드레인은 상기 음극 충방전 경로에 제2저항을 경유하여 연결된 P채널 전계효과 트랜지스터와,

상기 P채널 전계효과 트랜지스터와 제2저항 사이에 게이트가 연결되고, 드레인은 상기 제3스위치에 연결되고, 소스는 상기 음극 충방전 경로에 연결된 N채널 전계효과 트랜지스터로 이루어진 것을 특징으로 하는 전지 팩.
제 11 항에 있어서, 상기 제3스위치는 양극 충방전 경로에 직렬 연결된 한쌍의 휴즈와, 상기 휴즈 사이의 접점과 상기 제2스위치 사이에 형성되어 전류 인가시 발열하는 발영용 저항을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전지 팩.
제 11 항에 있어서, 상기 제1온도 의존형 저항은 상기 제1스위치에 근접 설치됨으로써, 상기 제1스위치가 과열될 경우 저항값이 증가하여 상기 제2스위치가 온되도록 함을 특징으로 하는 전지 팩.
제 7 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 P채널 전계효과 트랜지스터는 드레인에서 소스 방향으로 순방향의 기생 다이오드가 형성되고, 상기 N채널 전계효과 트랜지스터는 소스에서 드레인 방향으로 순방향의 기생 다이오드가 형성된 것을 특징으로 하는 전지 팩.