KR20070085950A - 초점 마스크 - Google Patents

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KR20070085950A
KR20070085950A KR1020077012997A KR20077012997A KR20070085950A KR 20070085950 A KR20070085950 A KR 20070085950A KR 1020077012997 A KR1020077012997 A KR 1020077012997A KR 20077012997 A KR20077012997 A KR 20077012997A KR 20070085950 A KR20070085950 A KR 20070085950A
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plate
electrically conductive
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KR1020077012997A
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더렉 안소니 이스트햄
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엔에프에이비 리미티드
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Abstract

픽쳐(feature)와 구조(structure)를 형성하고 재료의 표면 상에 기록(write)하기 위한 이온(ion) 또는 전자(electron) 원(source)과 같은 입자빔원(particle beam source)과 함께 사용하기에 적절한 마스크(mask)에 관한 것이다. 마스크는 다수의 구멍(aperture)을 가지는 천공판(aperture plate)과 천공판 아래에 놓이도록 배치된 초점수단(focussing means)을 포함한다. 다수의 구멍(aperture)들은 어레이(array)를 형성하며, 각각의 판 구멍들은 천공판 상의 입사되는 입자빔의 부위를 수용하도록 적용되어진다. 다음으로 입자빔의 각각의 부위는 빔의 부위가 이를 통과하여 표면 상으로 초점되어지는 초점수단(focusing means)을 통해서 지나간다. 따라서 마스크는 초점된 입자빔이 동시에 작동가능하면서 다수의 고해상도를 형성하게 된다.

Description

초점 마스크{FOCUSSING MASK}
본 발명은 예를 들어 이온(ion)을 이용하는 이온빔 밀링(milling)(스퍼터링, sputtering)과 같은 직접 기록(direct write) 장치 및 방법과, 그리고 예를 들어 전자(electron)를 이용하는 중합(polymerisation) 및 표면산화(surface oxidisation)와 같은 재료표면 수정(modification) 장치 및 방법에 관한 것이며, 상세하게는 나노구조(nanostructure) 및 나노구조된 표면(nanostructured surface)의 신속한 생성을 위한 장치 및 방법에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 상기에서 언급된 방법에서 사용되는 마스크(mask)에 관한 것이다.
일반적으로 에너지적 초점된 입자빔(particle beam)을 이용하는 장치 및 방법의 성능을 결정하는 두 가지 특성이 있다. 첫 번째는 만들어질 수 있는 가장 작은 픽쳐(feature)를 결정하는 빔-스폿(beam-spot)의 크기이다. 공지된 고-해상도 스캐닝 전자빔(리소그래피, lithography) 장치는 최대 1nm의 해상도(resolution)를 가지며, 약 30nm의 표준 리소그래픽 기법에 의해서 표면 상에 픽쳐(feature)를 형성할 수 있다. 이와 유사하게, 단일 빔(single beam)을 이용하는 공지된 이온 빔 밀링 기계(ion beam milling machine)는 약 30nm의 해상도(resolution)를 가지며, 이에 비견할 수 있는 스퍼터링(sputtering)에 의해서 표면 픽쳐(surface feature)를 생성한다.
두 번째 특성은 기계가 스캐닝(scanning)에 의해서 유용한 실용적인 크기의 패턴화된 표면(patterned surface)을 생성할 수 있는 속도(rate)를 결정하는 빔의 세기(intensity)이다. 이러한 것은 아마 1 X 1 ㎟ 보다 더 큰 모든 것이다.
그러나, 빔의 세기는 해상도와 관련되어지고 빔이 매우 작을 때만 최상의 해상도(resolution)를 단지 얻을 수 있으며, 결과적으로 기록 속도(writing speed)는 매우 느리다.
따라서 표면들 상에 픽쳐(feature)의 상대적으로 신속한 생성을 제공하면서 동시에 높은 해상도를 제공하는 장치 및 방법을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 천공판(aperture plate) 상에 입사하는 입자빔(particle beam)의 부위(portion)를 수용하는데 적합한 다수의 구멍(aperture)을 그 속에 가지는 천공판과, 상기 입자빔의 각각의 부위를 기록하도록 요망되어지는 재료의 표면 상으로 초점(focus)하도록 작동가능한 초점수단(focusing means)을 포함하는, 입자빔원(particle beam source)으로써 이용하는데 적합한 마스크(mask)가 제공되어진다.
초점수단(focussing means)은 대략 10nm 또는 그 이하의 직경으로 입자빔의 각각의 부위를 초점하도록 작동가능하게 될 수도 있다.
각각의 판 구멍(aperture)의 크기는 20nm 내지 200㎛ 사이의 범위 내에 있을 수도 있고, 대략 1 ㎛에 있는 것이 선호된다.
초점수단(focussing means)은 다수의 이격되어 분리된 전기적으로 전도성 요소(electrically conductive element)를 포함할 수도 있는데, 상기 전기적으로 전도성 요소는 평행한 배열로 천공판 아래에 놓이도록 배치되어질 수 있다. 초점수단은 전기적으로 전도성 요소를 통해서 연장구성되는 다수의 초점구멍(focusing aperture)을 가지며, 각각의 초점구멍은 다수의 판 구멍들 중 하나와 대응하며 그 길이방향 축(longitudinal axis)을 공유하여서, 다수의 판 구멍들 중 관련되는 하나에 의해서 수용되는 입자빔의 각각의 부위가 기록하도록 요망되어지는 재료의 상기 표면 상으로 이를 통하여 초점되어지는 대응되는 초점 구멍으로 들어간다.
각각의 초점구멍(focussing aperture)의 크기는 20nm 내지 200㎛의 범위 내에 있지만, 대응되는 판 구멍의 크기보다는 더 크게 되는 것이 선호된다.
초점수단은 세 개의 이격되어 분리된 전기적으로 전도성 요소(electrically conductive element)를 포함한다. 각각의 전기적으로 전도성 요소는 인접한 전기적으로 전도성 요소에 대해서 전기적으로 편향(bias)되어질 수도 있다. 각각의 전기적으로 전도성 요소는 다수의 전기적으로 전도성 요소들 사이에 개재된 다수의 전기적 절연체(electrical insulator)에 의해서 그 인접한 전기적으로 전도성 요소로부터 이격되어 분리되어질 수도 있다.
따라서 본 발명에 따르면, 입자빔원(particle beam source)과 상기 여섯 개의 문단에서 기록되어진 마스크(mask)를 포함하는 직접 기록 입자빔 장치(direct write particle beam apparatus)가 제공되어진다.
입자빔원(particle beam source)은 20eV 내지 100keV의 범위 내에 있고, 선호적으로는 150eV 내지 5keV의 범위 내에 있으며, 더욱 선호적으로는 대략 50eV에 있는 에너지를 가지는 천공판 상에 입사하는 입자빔을 제공하도록 적용되어질 수도 있다.
단일 입자빔(particle beam)으로부터 마스크는 많은 개수의 빔(beam)을 제공하며, 증가된 개수의 빔에 대응되는 계수(factor)에 의해서 단일빔 기계(single beam machine)를 초과하는 속도에서 기록할 수 있지만 10nm 이하의 스팟 크기(spot size)로 초점되어질 수 있다. 따라서 본 발명은 상대적으로 신속한 타임스케일(timescale)로 실용적인 면적의 나노패턴(nanopatterned)된 표면들을 생성할 수 있다. 나아가, 본 발명의 장치는 현재 이용가능한 단일빔 장치와 비교되게 상대적으로 저렴하게 생산한다.
본 발명은 전자(electron)/이온(ion) 원(source)로부터, 마스크 상에 입사되는 강한 전자/이온 빔을 제공한다. 입사빔의 부위(portion)들은 각각의 다수의 판 구멍들로 들어가고, 다음으로 재료표면이 위치되어지는 초점 포인트(focal point)에서 나노스케일 픽쳐(nanoscale feature)가 형성되어질 수도 있는 마스크의 뒤쪽의 지점(point)으로 이를 통해서 초점되어지는 대응되는 초점구멍(focussing aperture) 속으로 들어간다.
가장 간단한 장치는 금속 전도성 마스크가 그 속에 나노미터(nanometer) 또는 마이크로미터(micrometer) 직경 구멍들의 어레이(array)를 가진 분광기(collimator)로 구성되는 것이다. 첫 번째 분광기(collimator)를 통해서 지나가는 빔의 각각의 부분들은 나노스케일/마이크로스케일 원통형 정전기적 렌즈(아인젤 렌즈, einzel lens)의 어레이(array)와 같이 작동하는 세 개 (또는 그 이상의) 금속 전도성 천공된 판(plate)의 배열에 의해서 초점되어진다. 이러한 것은 마스크의 다운스트림(downstream)으로 재료표면(기판 목표, substrate target)의 이미지 평면(image plane) 상에 초점된 도트(dot)의 어레이를 생성하게 되어서, 피에조 배열(piezo arrangement)을 이용하여 기판을 측면적으로 움직임에 의해서, 스캐닝 터널링 마이크로스코프(scanning tunneling microscopy, STM)에서 공통적으로 채택되어지는 바와 같이, 표면 상에 패턴을 추적하는 것이 가능하도록 한다. 이러한 배열에 대해서 패턴은 구멍들 사이의 규칙적 간격과 동일한 양에 의해서 두 개의 직교방향으로의 이동하에서 변하지 않아야만 한다.
장치는 강한 고휘도(high-brightness) 전자 또는 이온원을 포함한다. 표준 고휘도 원(high brightness source)들은 (진공에서) 약 300eV의 전압에 대해서 액체금속(liquid metal) 또는 듀오플라즈마크론(duoplasmatron) 타입 중 하나가 된다. 빔 스팟(beam spot)이 마스크 면적을 단지 커버할 수 있도록, 빔은 표준 정전기적(또는 자기적) 렌즈를 이용하여 초점되어질 수 있다. 만일 소스 렌즈(source lens)의 초점거리(focal length)가 아인젤 렌즈 마이크로-배열의 초점거리와 비교하여 상대적으로 크다면, 각각의 아인젤 렌즈로의 입력은 마스크의 첫 번째 층(layer) 내의 구멍과 동일한 직경을 가진 평행한 전자/이온의 효과적인 원형 다발(circular bundle)이다. 다음으로 구멍의 크기와 마이크로렌즈의 초점거리에 의존하는 크기로 다운되는 어레이(array)의 일 요소를 이용하여 각각의 다발(bundle)을 초점하는 것이 가능하다. 실용적인 시스템을 위하여, 마스크 어셈블리의 이러한 초점거리는 약 50㎛ 보다 크게 될 필요가 있고, 특히 만일 구멍이 충분히 작다면 약 10nm 직경 이하로 각각의 다중빔들을 초점하는 것도 가능하다.
본 발명은 첨부된 도면을 참고로 하여 실례로써 기술되어진다.
도 1은 본 발명에 따른 마스크(mask)의 개략적인 모습을 도시한 도면
도 2는 도 1의 마스크를 포함하는 본 발명에 따른 장치를 도시한 단면도
도 1 및 도 2와 관련하여, 초점 금속 마스크(focussing metal mask)의 작은 사각형 부분은 천공판(aperture plate, 1)과 그리고 마스크의 아래에 놓인 격리된 금속판(metal plate, 2,3,4)의 형태로 된 세 개의 전기적으로 전도성 요소(conductive element)로 이루어진 초점수단(focusing means)을 포함한다. 천공판(1)은 다수의 구멍(aperture, 8)을 포함한다. 천공판 내의 구멍(aperture, 8)은 전형적으로 직경 d가 1㎛이다. 또한 초점수단(focusing menas)은 다수의 초점 구멍(focusing aperture, 9)을 포함하고 있는데, 각각의 판 구멍(8)들은 그 길이방향 축(longitudinal axis)을 공유하는 대응되는 초점구멍(focusing aperture, 9)을 가진다. 각각의 초점구멍은 아인젤 렌즈(einzel lens) 구조를 형성하여, 다수의 초점구멍들이 아인젤 렌즈 어레이(array)를 형성하도록 한다. 각각의 초점구멍(focusing aperture, 9)은 그 대응되는 판 구멍(8) 보다 더 크며, 전형적으로는 약 3㎛ 이고 인접한 구멍으로부터 약 50㎛의 거리 w로 이격되어진다. 이러한 마스크(mask)는 예를 들어 레이저 가공방법(laser machining method)을 사용하여 제작 되어질 수 있다. 완료된 마스크는 5mm X 5mm의 면적의 정사각형으로 될 수도 있고 약 10000 개별 빔(separate beam)을 가질 수 있다. 따라서, 기구가 단일의 빔(beam)을 이용하여 이러한 면적(5mm X 5mm)으로 커버하는데 필요한 5mm 대신에 각각의 두 방향으로 단지 50㎛의 측면거리(lateral distance)를 스캐닝(scanning)함에 의해서 이러한 면적(5mm X 5mm)을 패턴(pattern)처리하는 것이 가능하다. 가장 간단한 아인젤 렌즈는 각각의 금속 전도요소(conducting element, 2,3,4)에서 동일한 구멍 크기를 가지는 3-요소 시스템이다. 대안적으로, 예를 들어 1000000 개별빔(separate beam)을 제공하는 10mm X 10mm의 면적을 가지는 마스크와 같은 다른 크기의 마스크가 사용되어질 수도 있다. 각각의 고립된 금속판은 수 마이크론(micron)의 두께 t이며, 역시 수 마이크론의 치수
Figure 112007041778660-PCT00001
에 의해서 이격되어진다. 외부 두 개의 전기적 전도성 판(2,4)은 대지전위(earth potential)에 있으며, 중앙 요소는 샘플(sample, 5)로부터 요구되는 거리 f에서 초점(focus)을 주도록 제공되는 전압
Figure 112007041778660-PCT00002
을 가진다. 대안적으로, (금속 샘플의 표면에 가장 가까운) 전기적으로 전도성 판(4)은 통과하여 지나가는 입자(particle)의 가속과 빔의 초점(focusing)을 변경하도록 제공된 두 번째 전압
Figure 112007041778660-PCT00003
를 가질 수도 있다. 세 개의 전기적으로 전도성 판(2,3,4)은 예를 들어 두 개의 절연재료(insulating material) 층이 개재된 세 개의 금속층과 같이 예를 들어 금속층(2,3,4)과 절연재료(10,11)의 교번적인 층(layer)의 형태로 시스템을 구성함에 의해서 서로 전기적으로 이격되어진다.
도 1에서, 분광기(collimator)로서 작용하는, 판 구멍에 의해서 규정된 전자(electron)/이온(ion) 빔(7)의 원형 다발 상의 어레이의 단일의 초점 구멍(렌즈)의 효과는 화살표 6에 의해서 표시된 입사빔 방향으로서 도시되어진다. 도 2는 대응하는 다수의 빔(7)을 형성하도록 다수의 초점구멍의 효과를 도시한다.
만일 마스크가 다중-빔 밀링기계(milling machine)를 만들도록 이온(ion)을 위하여 사용되어진다면, 마스크의 천공판(aperture plate)은 점진적으로 스퍼터(sputter) 되어지는 것이 명백하다. 주기적 인터벌(periodic interval)에서 천공판(1)의 전방표면 상으로 표준 원자 증착 시스템(standard atomic deposition system)으로부터 원자를 증착하는 것은 이러한 문제를 해결할 수 있다. 대안적으로, 전방표면으로부터 스퍼터링(sputtering)이 최소가 되도록, 천공판 분광기(collimator) 이전의 빔의 에너지가 감소되어질 수 있다. 허용가능한 감소된 빔 에너지(beam energy)는 전형적으로 약 50eV가 된다. 이러한 장치에서, 렌즈의 전기적으로 전도성 판 요소(2,3,4)와 샘플들은 다양한 증가하는 전압에 위치되어져서, 시스템을 통과하게 될 때 이온들이 가속되어지도록 하고 초점(focus)되도록 한다. 최종 에너지는 약 300eV로 선택되어져서, 샘플(5)로부터 원자가 효과적으로 스퍼터(sputter)되어질 수 있도록 한다. 샘플에 걸쳐서 빔(beam)의 스캐닝(scanning)은 STM과 같은 근접장 현미경(near field microscopy) 내의 샘플을 움직이도록 공통적으로 채택되어질 때 (샘플에 부착되어지는) 피에조 장치(piezo device)를 이용하여 샘플을 측면으로 이동시킴에 의해서 달성되어질 수 있다.
상기에서 기술된 이러한 장치는 작은 스폿(spot)의 어레이(array)보다는 표면 상에 서로 다른 패턴(pattern)을 이미지(image)할 수 있도록 더욱 일반적으로 만들어질 수 있다. ‘마이크로스케일 스텐실(microscale stencil)’의 형태로 된 천공판을 만드는 것은 이를 수행한다. 예를 들어 이러한 패턴은 원형의 구멍(aperture) 보다는 첫 번째 판(plate) 내에 일련의 슬롯(slot)으로 될 수도 있다. 만일 차후의 전기적으로 전도성 판 초점요소(focussing element) 또한 매칭되는 패턴을 가진다면, 이때 이미지(image)는 패턴을 재생하지만 초점방향으로 상당히 감소된 치수(dimension)를 가지게 된다. 따라서 (마이크로미터 범위 내의) 특정한 폭의 일련의 슬롯(slot)들은 초점평면(focal plane) 상의 일련의 나노미터 와이드 라인(wide line)을 생성하도록 초점되어진다. 이러한 장치를 위하여, 세 개의 전기적으로 전도성 판 초점요소는 일련의 상호겹침 슬롯(overlapping slot)이 되지만, 첫 번째 한정 천공판 내의 슬롯보다는 더 큰 폭(width)으로 된다. 이러한 장치를 이용하여, 상기 초점된 이온빔(ion beam)을 이용하는 적절한 기판(substrate) 상의 얇은 층(layer)로부터 금속을 스퍼터링(sputtering)함에 의해서 표면 상에 일련의 나노미터 스케일 와이어(wire)를 만드는 것이 가능하다. 이러한 것은 원형 구멍들이 사용되어질 때 요구된 2방향 보다는 (와이어 방향에 수직인) 단지 1방향으로만 스캐닝(scanning)함에 의해서 와이어의 특정한 분리(separation)를 위하여 처리된다. 또한, 와이어 방향(wire direction)에 수직한 분리된 스텝(step)으로 샘플을 이동(shift)시키는 것이 단지 필요하다. 이러한 이동(shift) 동안, 빔이 천공판 스텐실(stencil)을 통과하여 지나가는 것을 방지하는 것이 필요하다. 이러한 것은 샘플의 측면 이동(shift)동안 빔(beam)이 효과적으로 억제되도록 하기 위해서 천공판 스텐실에 큰 지연전압(retarding voltage)을 제공함에 의해서 처리되어질 수 있다.
나노와이어(nanowire)를 가진 인쇄된 회로(printed circuit)와 같이, (도 1의) 거리 w의 두 개의 (직교) 방향으로 병진(translation) 하에서 불변할 필요가 없는 패턴을 만드는 것도 가능하다. 이러한 것은 천공판(aperture plate) 내의 각각의 구멍(aperture) 뒤에 배치된 일련의 전기적 게이트(electrical gate)를 이용하여 천공판 내의 각각의 구멍을 통하여 지나가는 빔을 별개로 제어함에 의해서 처리된다. 마스크의 뒤에는 소규모 인쇄된 회로기판(circuit board)에 유사한 절연 지지판(insulating support plate) 상에 얇은 (전도성) 금속 구조체의 어레이(array)인 추가적인 마이크로회로 판(microcircuit plate)이 있다. 기판(board) 상의 전도성 구조(conducing structure)는 마스크 구멍(mask hole, w) 사이의 간격(spacing) 보다는 다소 작은 외부 직경의 얇은 금속 고리모양 링의 어레이(array)로 이루어진다. 고리(annuli)들의 내부직경은 천공판 내의 구멍(hole)들과 동일하고, 각각의 작은 고리의 중심이 시준된 어레이(collimating array)(천공판) 내의 구멍과 일치하도록 기판은 천공판 바로 뒤에 위치되어진다. 또한 구멍들은 절연 지지판(insulating support plate) 내에 만들어져서, 천공판 분광기를 통과하여 지나가는 빔이 초점구멍(focussing aperture)으로 통과하여 지나갈 수 있도 록 한다. 각각의 고리(annuli) 상의 전압은 절연 지지판(insulating support plate) 상의 마이크로회로(microcircuit)에 의해서 개별적으로 제어되어질 수 있다. 정확한 극성(polarity)의 충분하게 큰 전압이 백킹 지지판(backing support plate) 상의 개별적인 고리(annulus)로 제공되어질 때, 천공판 내의 관련된 (동심적) 구멍을 통하여 이온이 지나가는 것을 방지하는 역자장(reverse field)이 셋업되어진다.
스캐닝(scanning) 동안 (작은 컴퓨터를 이용하여) 상기 판들 상의 전압을 개별적으로 제어함에 의해서, 목표 기판(target substrate) 상의 어떠한 2D 패턴도 기록(write)하는 것이 가능하게 된다.

Claims (15)

  1. 천공판(aperture plate) 상에 입사하는 입자빔(particle beam)의 부위(portion)를 수용하도록 적용되어지는 다수의 구멍(aperture)들을 가지는 천공판과, 상기 입자빔(particle beam)의 각각의 부위를 기록(write)되도록 요망되어지는 재료의 표면 상으로 초점시키도록 작동가능한 초점수단(focusing means)을 포함하는 것을 특징으로 하는 입자빔원(particle beam source)과 함께 사용하기에 적합한 마스크(mask)
  2. 제 1 항에 있어서, 초점수단(focusing means)은 대략 10nm 또는 그 이하의 직경으로 입자빔(particle beam)의 각각의 부위를 초점시키도록 작동가능한 것을 특징으로 하는 마스크
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 각각의 판 구멍(aperture)들은 20nm 내지 200㎛ 사이의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 마스크
  4. 제 3 항에 있어서, 각각의 판 구멍(aperture)들은 대략 1 ㎛인 것을 특징으로 하는 마스크
  5. 상기 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 초점수단(focusing me문)은 평행한 배 열로 천공판의 아래에 놓이도록 배치된 다수의 이격되어 분리된 전기적으로 전도성요소(electrically conductive element)를 포함하며, 상기 초점수단은 전기적으로 전도성요소를 통해서 연장구성되는 다수의 초점구멍(focusing aperture)들을 가지며, 각각의 초점구멍들은 다수의 판 구멍들 중 하나와 대응되며 이들과 길이방향 축(longitudinal axis)을 공유하여, 다수의 판 구멍들 중 적절한 하나의 구멍에 의해서 수용된 입자빔(particle beam)의 각각의 부위(portion)들이 기록되도록 요망되어지는 재료의 상기 표면 상으로 이를 통해서 초점되어지는 대응되는 초점구멍으로 들어가는 것을 특징으로 하는 마스크
  6. 제 5 항에 있어서, 각각의 초점구멍(focusing aperture)은 20nm 내지 200㎛ 사이의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 마스크
  7. 제 6 항에 있어서, 각각의 초점구멍(focusing aperture)들은 대략 3 ㎛인 것을 특징으로 하는 마스크
  8. 제 5 항 내지 제 7 항에 있어서, 각각의 초점구멍(focusing aperture)들은 대응되는 판 구멍(plate aperture) 보다 더 큰 것을 특징으로 하는 마스크
  9. 제 5 항 내지 제 8 항에 있어서, 초점수단(focusing means)은 세 개의 이격되게 분리된 전기적으로 전도성 요소(electrically conductive element)를 포함하 는 것을 특징으로 하는 마스크
  10. 제 5 항 내지 제 9 항에 있어서, 각각의 전기적으로 전도성 요소(electrically conductive element)는 인접한 전기적으로 전도성 요소에 대해서 전기적으로 편향(bias)되어지는 것을 특징으로 하는 마스크
  11. 제 5 항 내지 제 10 항에 있어서, 전기적으로 전도성 요소(electrically conductive element)는 전기적으로 전도성 요소들 사이에 개재된 다수의 전기적 절연체(insulator)에 의해서 이격되어 분리되어지는 것을 특징으로 하는 마스크
  12. 상기 항 중 어느 하나의 항에 따른 마스크(mask)와 입자빔원(particle beam source)을 포함하는 것을 특징으로 하는 직접기록 입자빔 장치(direct write particle beam apparatus)
  13. 제 11 항에 있어서, 입자빔원(particle beam source)은 20eV 내지 100keV의 범위 내에 있는 에너지를 가지는 천공판 상에 입사되는 입자빔(particle beam)을 제공하도록 적용되어지는 것을 특징으로 하는 직접 기록 입자빔 장치(direct write particle beam apparatus)
  14. 제 12 항에 있어서, 입자빔원(particle beam source)은 150eV 내지 5keV의 범위 내에 있는 에너지를 가지는 천공판 상에 입사되는 입자빔(particle beam)을 제공하도록 적용되어지는 것을 특징으로 하는 직접 기록 입자빔 장치(direct write particle beam apparatus)
  15. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서, 입자빔 생성기(generator)는 대략 50 eV의 에너지를 가지는 천공판 상에 입사되는 입자빔을 제공하도록 적용되어지는 것을 특징으로 하는 직접 기록 입자빔 장치(direct write particle beam apparatus)
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