KR20070081978A - Jig for plating - Google Patents
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Abstract
Description
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 도금용 지그를 보여주는 사시도들이다.1 and 2 are perspective views showing a plating jig according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 도금용 지그를 보여주는 측면도이다.Figure 3 is a side view showing a plating jig according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 도금용 지그 및 도금조를 보여주는 단면도이다.Figure 4 is a cross-sectional view showing a plating jig and a plating bath according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 반도체 제조장비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 도금용 지그에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing equipment, and more particularly to a wafer plating jig.
일반적으로, 반도체 제조 공정은 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 소정의 절연막 및 도전막들을 형성시키어 전기적 특성을 갖는 개별 소자들을 형성하는 팹(Fab) 공정, 상기 개별 소자들이 형성된 칩(chip)을 전기적으로 검사하는 프로브 테스트(prove test) 공정, 칩을 컷팅(cutting)하는 컷팅 공정, 컷팅 공정에 의해 분할된 칩에 금 혹은 알루미늄 선을 용접하는 본딩(bonding) 공정, 본딩 공정이 종료된 칩을 세라믹 혹은 플라스틱으로 봉인하는 패키징 공정 등으로 나누 어질 수 있다. 상기 팹 공정 및 프로브 테스트 공정이 종료되면, 반도체 기판에 형성된 스크라이브 라인(scribe line)을 따라 각각의 칩을 컷팅하며, 컷팅된 각각의 칩은 프로브 테스트에서 양품으로 판정된 칩만 패키징 공정을 통해 반도체 소자로 제조된다.In general, a semiconductor fabrication process is a fab process in which predetermined insulating films and conductive films are formed on a silicon wafer used as a semiconductor substrate to form individual devices having electrical characteristics, and a chip in which the individual devices are formed. Probe test process for electrically inspecting, cutting process for cutting chips, bonding process for welding gold or aluminum wires to chips divided by the cutting process, and chip completion of the bonding process It can be divided into packaging process such as sealing with ceramic or plastic. When the fab process and the probe test process are terminated, each chip is cut along a scribe line formed on the semiconductor substrate, and each cut chip is a semiconductor device through only packaging chips determined as good in the probe test. Is manufactured.
최근, 일정한 크기의 반도체 칩에 들어갈 수 있는 내부 회로가 고집적화되고 있으며, 그 크기가 점차 감소됨에 따라 상기 반도체 칩을 감싸는 패키지 또한 감소하고 있다. 종래에는 상기 반도체 칩으로부터 신호를 인출하기 위해 상기 반도체 칩의 표면에 형성된 패드에 전도성 와이어를 연결하여 사용하였지만, 최근에는 더욱 작고 전기적 성능은 향상된 범프(bump)를 사용하고 있다.Recently, internal circuits that can fit into a semiconductor chip of a certain size have been highly integrated, and as the size thereof is gradually reduced, a package surrounding the semiconductor chip is also decreasing. Conventionally, in order to extract a signal from the semiconductor chip, a conductive wire is connected to a pad formed on the surface of the semiconductor chip. However, in recent years, a smaller bump and improved electrical performance have been used.
상기 범프를 형성하는 방법 중 하나로 전기 도금 방법이 있다. 상기 범프는 웨이퍼를 전기가 흐르는 전극 핀을 구비하는 도금용 지그에 고정시키어 도금 용액에 담그어 형성할 수 있다. 이때, 상기 도금용 지그는 상기 전극 핀을 웨이퍼에 접촉시키는 과정에서 스트레스를 받아 모양이 변형될 수 있다. 변형된 지그는 상기 웨이퍼를 불안정하게 고정시킬 수 있으며, 상기 웨이퍼 가장자리에 불필요하게 도금이 될 수 있다.One of the methods for forming the bump is an electroplating method. The bumps may be formed by fixing the wafer to a plating jig including an electrode pin through which electricity flows. In this case, the plating jig may be deformed under stress in the process of contacting the electrode pin to the wafer. The deformed jig can hold the wafer unstable and can be unnecessarily plated on the wafer edge.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 물리적 힘에 의한 스트레스를 경감시키어 웨이퍼 가장자리에 불필요하게 도금되는 것을 방지할 수 있는 도금용 지그를 제공함에 있다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a plating jig that can reduce the stress caused by the physical force to prevent unnecessary plating on the wafer edge.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따르면 도금용 지그가 제공된다. 상기 도금용 지그는 웨이퍼가 놓이는 원형의 베이스 플레이트(base plate)를 구비한다. 상기 베이스 플레이트와 힌지 결합되고 웨이퍼를 노출시키는 홀을 갖는 링형의 커버 플레이트가 제공된다. 상기 커버 플레이트에 고정되고 상기 홀을 관통하여 웨이퍼와 접촉하는 전극 핀이 제공된다. According to the present invention for achieving the above technical problem is provided a plating jig. The plating jig has a circular base plate on which the wafer is placed. A ring cover plate is provided which is hinged to the base plate and has holes for exposing the wafer. An electrode pin is provided fixed to the cover plate and penetrating the hole to contact the wafer.
상기 도금용 지그는 상기 커버 플레이트에 상기 전극 핀을 고정시키기 위한 고정탭을 더 포함할 수 있다. The plating jig may further include a fixing tab for fixing the electrode pin to the cover plate.
상기 커버 플레이트는 알루미늄 재질로 이루어질 수 있다.The cover plate may be made of aluminum.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 형상 및 크기는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the scope of the invention to those skilled in the art will fully convey. In the drawings, shapes and sizes are exaggerated for clarity. Like numbers refer to like elements throughout.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 도금용 지그를 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도금용 지그가 열린 상태를 보여주는 사시도이며, 도 3은 측면도이다.1 is a perspective view showing a plating jig according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a perspective view showing an open state of the plating jig of Figure 1, Figure 3 is a side view.
도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 도금용 지그는 웨이퍼가 놓이는 원형의 베이스 플레이트(110)를 구비한다. 상기 베이스 플레이트(110)는 웨이퍼가 놓이는 원형의 형상을 갖는 원형 플레이트(100) 및 상기 원형 플레이트(100)의 일부분에서 연장된 직사각형 또는 정사각형 모양의 서브 플레이트(105)를 구비할 수 있다. 상기 원형 플레이트(100)는 웨이퍼의 지름보다 큰 것이 바람직하다. 상기 베이스 플레이트(110)는 웨이퍼가 안착될 수 있도록 웨이퍼 수납홈을 가질 수 있다. 상기 베이스 플레이트(110)는 내열 PVC와 같은 내열 및 내약품성을 갖는 재질로 이루어질 수 있다.1, 2 and 3, the plating jig includes a
상기 베이스 플레이트(110) 상부에 놓여지며 웨이퍼를 노출시키는 홀(120)을 갖는 커버 플레이트(115)가 제공된다. 상기 커버 플레이트(115)는 상기 베이스 플레이트(110)와 동일한 형상을 가질 수 있다. 다시 말해서 상기 커버 플레이트(115)는 상기 베이스 플레이트(110)와 같이 원형의 형상을 가지면서, 중앙에는 웨이퍼를 노출시키는 상기 홀(120)을 가지므로, 링형의 모양과 유사할 수 있다. 상기 커버 플레이트(115)는 알루미늄 재질로 이루어질 수 있다.A
상기 베이스 플레이트(110) 및 상기 커버 플레이트(115)를 힌지 결합시키는 힌지부(125)가 상기 베이스 플레이트(110) 및 상기 커버 플레이트(115)의 일단에 구비된다. 상기 힌지부(125)에 의하여 상기 베이스 플레이트(110) 및 상기 커버 플레이트(115)가 웨이퍼를 그 사이에 고정시킬 수도 있고, 이동시킬 수도 있도록 접이식 결합을 가질 수 있다.A
상기 베이스 플레이트(110)의 상기 서브 플레이트(105)의 일단에 전원을 공급하기 위한 지그 전극(130)이 배치된다. 상기 지그 전극(130)과 연결되고 상기 커버 플레이트(115)에 고정되는 전극 핀(135)이 제공된다. 상기 전극 핀(135)은 상기 커버 플레이트(115)의 상기 홀(120)을 관통하여 웨이퍼와 접촉할 수 있도록 배치된 다. 상기 커버 플레이트(115)에는 상기 전극 핀(135)을 고정시키기 위한 고정탭(140)이 구비될 수 있다. 상기 고정탭(140)은 상기 커버 플레이트(115)를 관통하는 원기둥 형태일 수 있다. 상기 고정탭(140)은 상기 커버 플레이트(115)로부터 이탈되지 않도록 일 단부에 걸림쇠를 가질 수 있으며, 타 단부에는 홀이 구비되어 상기 전극 핀(135)이 관통되도록 할 수 있다. 상기 전극 핀(135)에는 웨이퍼에 인가되는 전류를 일정하게 유지시키기 위하여 저항(145)이 접속될 수 있다. A
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 도금용 지그 및 도금조를 보여주는 단면도이다.Figure 4 is a cross-sectional view showing a plating jig and a plating bath according to an embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 웨이퍼는 도금용 지그에 고정되어 도금액(205)이 채워진 도금조(200)에 담궈진다. 상기 웨이퍼에는 복수개의 반도체 칩들이 형성되어 있다. 상기 반도체 칩들에는 패드 형성 공정 및 보호막 형성 공정을 마친 후, 범프 형성을 위한 포토 레지스트 패턴이 형성되어 있다. 상기 도금액(205)은 금 이온을 함유하고 있을 수 있으며, 그 결과 형성되는 범프는 금으로 이루어질 수 있다. 상기 도금용 지그의 상기 지그 전극(130)은 상기 전극 핀(135)을 통하여 상기 웨이퍼에 전원을 가한다. 전류가 흘러나갈 수 있도록 상기 도금조(200) 내에 다른 전극(210)이 제공될 수 있다.Referring to FIG. 4, the wafer is fixed to the plating jig and dipped in the plating
본 발명에 의하면, 상기 베이스 플레이트(110) 및 상기 커버 플레이트(115)의 형상이 각각 원형 및 링형을 갖는다. 따라서, 상기 전극 핀(135)이 웨이퍼에 접촉되도록 할 때 상기 전극 핀(135)이 고정되어 있는 상기 커버 플레이트(115)가 받는 스트레스가 완화될 수 있다. 따라서, 상기 스트레스에 기인하여 상기 커버 플레 이트(115)가 변형됨으로써 상기 도금액(205)이 웨이퍼의 가장자리에까지 침투되어 불필요한 부분에 도금이 되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 도금용 지그의 전체적인 크기를 감소시킬 수 있으며, 가장자리에 모서리 부분이 제공되지 않아 외부의 물리적 충격으로부터 받는 스트레스 또한 경감시킬 수 있다.According to the present invention, the shape of the
상기와 같이 이루어진 본 발명에 의하면, 도금용 지그가 웨이퍼의 형상을 따라 원형의 형상을 갖게 된다. 따라서, 상기 도금용 지그를 소형화할 수 있고, 상기 도금용 지그에 가해질 수 있는 물리적 스트레스를 완화시킬 수 있다. According to the present invention made as described above, the plating jig has a circular shape along the shape of the wafer. Therefore, the plating jig can be downsized and physical stress that can be applied to the plating jig can be alleviated.
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KR101286254B1 (en) * | 2011-07-29 | 2013-07-15 | (재)한국나노기술원 | Wafer Holder Assist Apparatus for Electroplating of Semiconductor |
KR101642303B1 (en) * | 2015-05-22 | 2016-07-26 | 한국광기술원 | holder for plating wafer |
KR20200114777A (en) | 2019-03-29 | 2020-10-07 | 한국에너지기술연구원 | A jig for electroplating |
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