KR20070081648A - Apparatus for fabricating semiconductor device - Google Patents

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KR20070081648A
KR20070081648A KR1020060013760A KR20060013760A KR20070081648A KR 20070081648 A KR20070081648 A KR 20070081648A KR 1020060013760 A KR1020060013760 A KR 1020060013760A KR 20060013760 A KR20060013760 A KR 20060013760A KR 20070081648 A KR20070081648 A KR 20070081648A
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Abstract

An apparatus for manufacturing a semiconductor device is provided to perform uniformly an etching process on an overall surface of a wafer by uniformly supplying a gas into a process chamber. An apparatus for manufacturing a semiconductor device includes a gas supply unit(110), a gas supply tube, and a shower head(162). The gas supply unit supplies a gas into a process chamber. The gas supply tube couples the gas supply unit with the process chamber. The gas supply tube is coupled with the process chamber at plural coupling portions. The shower head supplies the gas, which is supplied from the gas supply tube, into the process chamber. The gas supply tube further includes first and second gas supply tubes. The first gas supply tube(112) is connected to the gas supply unit. The second gas supply tube(114) couples the first gas supply tube with the process chamber.

Description

반도체 소자 제조 설비{Apparatus for fabricating semiconductor device}Semiconductor device manufacturing equipment {Apparatus for fabricating semiconductor device}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 설비의 개념도이다.1 is a conceptual diagram of a semiconductor device manufacturing facility according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 설비의 가스 공급관을 나타낸 개략도이다.2 is a schematic view showing a gas supply pipe of a semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 설비를 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining a semiconductor device manufacturing facility according to an embodiment of the present invention.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

100: 공정 챔버 110: 가스 공급부100: process chamber 110: gas supply

112: 제1 가스 공급관 114: 제2 가스 공급관112: first gas supply pipe 114: second gas supply pipe

120: 가스 배기부 130: 도어120: gas exhaust 130: door

160: 상부 전극 162: 샤워 헤드160: upper electrode 162: shower head

164: 상부 전원 172: 정전척164: upper power supply 172: electrostatic chuck

174: 하부 전극 176: 정전척 지지대174: lower electrode 176: electrostatic chuck support

178: 하부 전원178: bottom power

본 발명은 반도체 소자 제조 설비에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 생산성이 향상된 반도체 소자 제조 설비에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device manufacturing facility, and more particularly to a semiconductor device manufacturing facility with improved productivity.

웨이퍼 위에 형성된 감광막 패턴(pattern)을 따라 하부 막을 제거하는 식각(etching) 공정의 식각 방법으로는 습식 식각(wet etching)과 건식 식각(dry etching)이 있다.Etching methods of the etching process of removing the lower layer along the photoresist pattern formed on the wafer include wet etching and dry etching.

여기서, 건식 식각은 공정 챔버 내부에 적절한 기체를 주입하고, 플라즈마(plasma)를 형성시킨 후, 이온화된 입자들을 웨이퍼 표면과 충돌시킴으로써 물리적 혹은 화학적 반응에 의해 물질을 제거하는 방법이다.Here, dry etching is a method of removing a material by physical or chemical reaction by injecting a suitable gas into the process chamber, forming a plasma, and then colliding the ionized particles with the wafer surface.

건식 식각 공정을 수행하기 위한 식각 장치는 RF(Radio Frequency) 전극 구성에 따라 PE(Plasma Etching), RIE(Reactive Ion Etching), MERIE(Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching), ECR(Electron-Cyclotron Resonance), DPS(Decoupled Plasma Source), TCP(Transformer Coupled Plasma) 등의 여러 가지 방식으로 분류된다.Etching apparatus for performing the dry etching process is Plasma Etching (PE), Reactive Ion Etching (RIE), Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching (MERIE), Electron-Cyclotron Resonance (ECR), DPS according to Radio Frequency (RF) electrode configuration (Decoupled Plasma Source), TCP (Transformer Coupled Plasma), etc. are classified in various ways.

건식 식각 공정을 진행하기 위해서는 공정 챔버 상부에서 식각 가스를 공급하게 된다. 여기서, 식각 가스는 가스 공급부에서 제공되며, 가스 공급관을 통해 공정 챔버 내부로 공급된다. 일반적으로, 건식 식각 공정에서는 공정 챔버 상면의 중앙에 가스 공급관이 연결되며, 가스 공급관에서 공급된 가스는 샤워 헤드를 통해 분산되어 공정 챔버 내부로 공급된다. 공정 챔버 내부로 공급된 식각 가스는 플라즈마화 되어 공정 챔버 내부에 안착된 웨이퍼 상에 공급된다. In order to proceed with the dry etching process, an etching gas is supplied from the upper part of the process chamber. Here, the etching gas is provided in the gas supply unit, and is supplied into the process chamber through the gas supply pipe. In general, in the dry etching process, a gas supply pipe is connected to the center of the upper surface of the process chamber, and the gas supplied from the gas supply pipe is dispersed through the shower head and supplied into the process chamber. The etching gas supplied into the process chamber is converted into plasma and supplied to the wafer seated inside the process chamber.

공정 챔버 상면의 중앙으로 가스 공급관이 연결되어 가스가 공급되는 경우, 공정 챔버의 중심 영역으로 식각 가스가 더 많이 공급되게 된다. 공정 챔버의 중심 영역으로 식각 가스가 더 많이 공급되게 되면, 공정 챔버 내부에 위치한 웨이퍼의 중심 영역에는 식각 가스가 많이 공급되고, 웨이퍼의 주변 영역에는 식각 가스가 적게 공급되게 된다. 따라서, 웨이퍼가 균일하게 식각되지 않게 되어 식각 공정의 효율이 떨어지게 된다. 즉, 식각 공정이 효율적으로 진행되지 않음으로써, 생산성이 저하될 수 있다. When the gas supply pipe is connected to the center of the upper surface of the process chamber, more gas is supplied to the center region of the process chamber. When more etching gas is supplied to the center region of the process chamber, more etching gas is supplied to the center region of the wafer located inside the process chamber, and less etching gas is supplied to the peripheral region of the wafer. As a result, the wafer is not uniformly etched, thereby reducing the efficiency of the etching process. That is, since the etching process does not proceed efficiently, productivity may be reduced.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 생산성이 향상된 반도체 소자 제조 설비를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a semiconductor device manufacturing facility having improved productivity.

본 발명의 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. Technical problem of the present invention is not limited to the technical problem mentioned above, another technical problem not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 설비는, 공정 챔버에 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 가스 공급부와 상기 공정 챔버를 연결하되, 상기 공정 챔버와 복수의 영역에서 연결된 가스 공급관 및 상기 가스 공급관에서 공급된 가스를 상기 공정 챔버 내부로 공급하는 샤워헤드를 포함한다.A semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention for achieving the technical problem, the gas supply unit for supplying a gas to the process chamber, the gas supply unit and the process chamber, the process chamber and a plurality of areas And a shower head for supplying the gas supplied from the gas supply pipe and the gas supplied from the gas supply pipe into the process chamber.

본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Other specific details of the invention are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 설비에 대하여 설명한다.Hereinafter, a semiconductor device manufacturing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 설비의 개념도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 설비의 가스 공급관을 나타낸 개략도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 설비를 설명하기 위한 도면이다.1 is a conceptual diagram of a semiconductor device manufacturing facility according to an embodiment of the present invention. 2 is a schematic view showing a gas supply pipe of a semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention. 3 is a view for explaining a semiconductor device manufacturing facility according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 반도체 소자 제조 설비는 공정 챔버(process chamber; 100), 가스 공급부(110), 제1 가스 공급관(112), 제2 가스 공급관(114), 가스 배기부(120), 상부 전극(160), 정전척(172), 하부 전극(174) 및 정전척 지지대(176)를 포함한다.1 to 3, a semiconductor device manufacturing facility may include a process chamber 100, a gas supply unit 110, a first gas supply tube 112, a second gas supply tube 114, and a gas exhaust unit 120. ), An upper electrode 160, an electrostatic chuck 172, a lower electrode 174, and an electrostatic chuck support 176.

공정 챔버(100)에는 가스 공급부(110), 가스 배기부(120) 등이 연결된다. 공정 챔버(100) 내에서는 식각 공정이 이루어지며, 이를 위하여 적정한 온도 및 압력이 유지된다.  The gas supply unit 110 and the gas exhaust unit 120 are connected to the process chamber 100. An etching process is performed in the process chamber 100, for which proper temperature and pressure are maintained.

가스 공급부(110)에서는 식각 가스를 공급한다. 가스 공급부(110)에서 공급 하는 식각 가스는 식각하려는 물질에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, Al을 식각하려는 경우에는 Cl2, BCl3, N2 등의 혼합 가스를 공급할 수 있고, SiNx을 식각하려는 경우에는 SF6, CF4 등의 혼합 가스를 공급할 수 있다. 또한, 산화막을 식각하려는 경우에는 O2, CF4, CHF3 등의 혼합 가스를 공급할 수 있다. The gas supply unit 110 supplies an etching gas. The etching gas supplied from the gas supply unit 110 may vary depending on the material to be etched. For example, when etching Al, a mixed gas such as Cl 2 , BCl 3 , or N 2 may be supplied, and when etching SiNx, a mixed gas such as SF 6 and CF 4 may be supplied. In addition, when the oxide film is to be etched, a mixed gas such as O 2 , CF 4 , or CHF 3 may be supplied.

가스 공급부(110)에서 공급된 식각 가스는 제1 가스 공급관(112) 및 제2 가스 공급관을 통해 공정 챔버(100) 내부로 공급된다. 즉, 가스 공급부(110)는 제1 가스 공급관(112) 및 제2 가스 공급관(114)을 통해 공정 챔버(100) 상부와 연결된다. The etching gas supplied from the gas supply unit 110 is supplied into the process chamber 100 through the first gas supply pipe 112 and the second gas supply pipe. That is, the gas supply unit 110 is connected to the upper portion of the process chamber 100 through the first gas supply pipe 112 and the second gas supply pipe 114.

제1 가스 공급관(112)은 가스 공급부(110)와 연결되며, 일자 형태로 형성될 수 있다. 제2 가스 공급관(114)은 제1 가스 공급관(112)과 공정 챔버(100)를 연결한다. 제2 가스 공급관(114)은 공정 챔버(100)와 복수의 영역에서 연결될 수 있다. 제2 가스 공급관(114)은 도 2에 도시된 바와 같이, 십자 형태로 형성될 수 있으며, 이러한 경우, 공정 챔버(100)의 주변 영역인 네 영역과 연결될 수 있다.The first gas supply pipe 112 is connected to the gas supply unit 110 and may be formed in a straight shape. The second gas supply pipe 114 connects the first gas supply pipe 112 and the process chamber 100. The second gas supply pipe 114 may be connected to the process chamber 100 in a plurality of areas. As shown in FIG. 2, the second gas supply pipe 114 may be formed in a cross shape, and in this case, the second gas supply pipe 114 may be connected to four regions, which are peripheral regions of the process chamber 100.

가스 배기부(120)에서는 식각된 부산물과 식각을 위해 공급된 가스가 배기된다. 또한, 공정 챔버(100) 내부의 압력을 조절할 수 있다. 공정 챔버(100)의 압력은 예를 들어, 약 120mTorr 내지 130mTorr 또는 약 170mTorr 내지 180mTorr로 유지될 수 있다. 여기서, 적정 압력은 식각 하려는 물질에 따라 달라질 수 있다.The gas exhaust part 120 exhausts the etched by-products and the gas supplied for etching. In addition, the pressure inside the process chamber 100 may be adjusted. The pressure in the process chamber 100 may be maintained at, for example, about 120 mTorr to 130 mTorr or about 170 mTorr to 180 mTorr. Here, the appropriate pressure may vary depending on the material to be etched.

도어(130)는 공정 챔버(100)의 일측면에 형성되며, 웨이퍼(W)가 공정 챔버(100) 내로 출입할 수 있도록 형성된다. 웨이퍼(W)는 로봇 이송암(미도시)이 도어 (130)를 통해 공정 챔버(100) 내외로 이동시킨다. 로봇 이송암(미도시)은 웨이퍼(W)를 공정 챔버(100) 내부로 이송하여 정전척(172)에 안착시키며, 공정이 끝나면, 다시 공정 챔버(100)외부로 웨이퍼(W)를 이송한다. The door 130 is formed on one side of the process chamber 100, and the wafer W is formed to enter and exit the process chamber 100. The wafer W moves a robot transfer arm (not shown) into and out of the process chamber 100 through the door 130. The robot transfer arm (not shown) transfers the wafer W into the process chamber 100 to be seated on the electrostatic chuck 172. After the process, the robot transfer arm transfers the wafer W to the outside of the process chamber 100 again. .

상부 전극(160)은 공정 챔버(100)의 상측에 형성되며, 상부 전원(164)에 의해 RF(Radio Frequency) 전원이 인가될 수 있으며, 예를 들어 약 600W가 인가될 수 있다. 상부 전극(160)은 후술하는 하부 전극(174)과 상호 작용하여 공정 챔버(100)로 공급되는 식각 가스를 플라즈마화 한다.The upper electrode 160 is formed on the upper side of the process chamber 100, and RF (Radio Frequency) power may be applied by the upper power source 164, for example, about 600W. The upper electrode 160 interacts with the lower electrode 174, which will be described later, to plasmaate the etching gas supplied to the process chamber 100.

샤워 헤드(162)는 제2 가스 공급관(114)에서 공급된 가스를 공정 챔버(100) 내부로 공급한다. 샤워 헤드(162)에는 복수개의 가스홀이 형성되어 있어, 제2 가스 공급관(114)에서 공급된 식각 가스를 공정 챔버(100) 내부로 균일하게 공급하는 역할을 한다. 또한, 샤워 헤드(162)로 식각 가스를 공급하는 제2 가스 공급관(114)은 복수개의 영역에서 식각 가스를 공급하기 때문에 샤워 헤드(162)에서도 공정 챔버(100) 내부로 가스를 공급할 때에 보다 균일하게 공급할 수 있다. The shower head 162 supplies the gas supplied from the second gas supply pipe 114 into the process chamber 100. A plurality of gas holes are formed in the shower head 162 to uniformly supply the etching gas supplied from the second gas supply pipe 114 into the process chamber 100. In addition, since the second gas supply pipe 114 that supplies the etching gas to the shower head 162 supplies the etching gas in a plurality of areas, the shower head 162 may be more uniform when the gas is supplied into the process chamber 100. Can be supplied.

정전척(172)은 웨이퍼(W)를 클램핑(clamping)하기 위하여 정전기를 이용하여 웨이퍼(W)를 척킹(chucking)한다. 정전척(172)은 원기둥 모양으로써, 정전척(130)의 상부에는 웨이퍼(W)가 놓여지고, 정전척(130)의 하부는 하부 전극(174)과 연결된다. 정전척(172)은 후술하는 실린더(미도시)에 의해 상하로 이동될 수 있다.The electrostatic chuck 172 chucks the wafer W using static electricity to clamp the wafer W. As shown in FIG. The electrostatic chuck 172 has a cylindrical shape, the wafer W is placed on the upper portion of the electrostatic chuck 130, and the lower portion of the electrostatic chuck 130 is connected to the lower electrode 174. The electrostatic chuck 172 may be moved up and down by a cylinder (not shown) to be described later.

하부 전극(174)은 정전척(172) 아래에 위치하며, 하부 전극(174)의 밑면은 정전척 지지대(176)와 연결된다. 하부 전극(174)에는 정전척 지지대(176)의 내부를 통해 하부 전원(178)과 연결되어, RF(Radio Frequency) 전원이 인가될 수 있으며, 약 600W가 인가될 수 있다. 또한, 하부 전극(174)의 내부에는 쿨런트(coolant)가 흘러서 정전척(172)의 온도를 적정 온도로 유지시켜 줄 수 있다. 이 때, 적정 온도는 식각하려는 물질에 따라 달라질 수 있다.The lower electrode 174 is positioned below the electrostatic chuck 172, and the bottom surface of the lower electrode 174 is connected to the electrostatic chuck support 176. The lower electrode 174 may be connected to the lower power source 178 through the interior of the electrostatic chuck support 176, and may be supplied with RF (Radio Frequency) power and about 600W. In addition, a coolant flows inside the lower electrode 174 to maintain the temperature of the electrostatic chuck 172 at an appropriate temperature. At this time, the appropriate temperature may vary depending on the material to be etched.

정전척 지지대(176)는 하부 전극(174) 아래에 위치한다. 정전척 지지대(176) 내부에는 공기압에 의해 높이를 조절하는 실린더(미도시)가 형성되어 있으며, 실린더(미도시)는 정전척(172)을 상하로 이동하여, 웨이퍼(W)를 상하로 이동시킬 수 있다. The electrostatic chuck support 176 is positioned below the lower electrode 174. In the electrostatic chuck support 176, a cylinder (not shown) for adjusting the height by air pressure is formed, and the cylinder (not shown) moves the electrostatic chuck 172 up and down, and moves the wafer W up and down. You can.

한편, 공정 챔버(100) 외부에 구비된 로봇 이송암(미도시)은 상부에 웨이퍼(W)를 안착하고 이송한다. 로봇 이송암(미도시)은 도어를 통해 공정 챔버(100) 내외로 이동하면서 웨이퍼(W)를 이송한다. On the other hand, the robot transfer arm (not shown) provided outside the process chamber 100 seats and transfers the wafer (W) on the top. The robot transfer arm (not shown) transfers the wafer W while moving into and out of the process chamber 100 through the door.

이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 반도체 소자 제조 장비의 반도체 소자 제조 공정을 설명한다. Hereinafter, a semiconductor device manufacturing process of the semiconductor device manufacturing equipment will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

우선, 웨이퍼(W)를 공정 챔버(100)의 정전척(172) 상에 안착시킨다. 이 때, 로봇 이송암(미도시)이 도어(130)를 통해 웨이퍼(W)를 운반하여 안착시킨다. 여기서, 정전척(172)은 웨이퍼(W)를 클램핑(clamping)하기 위하여 정전기를 이용하여 웨이퍼(W)를 척킹(chucking)한다. First, the wafer W is seated on the electrostatic chuck 172 of the process chamber 100. At this time, the robot transfer arm (not shown) carries the wafer W through the door 130 to be seated. Here, the electrostatic chuck 172 chucks the wafer W using static electricity in order to clamp the wafer W. As shown in FIG.

이어서, 가스 배기부(120)에서 공정 챔버(100) 내부의 공기를 배기하여 공정 챔버(100) 내부를 적정 압력 상태로 만든다. 이어서, 상부 전극(160)과 하부 전극(174)에 RF 전원을 인가하고, 정전척 지지대(176)는 웨이퍼(W)가 안착된 정전척(172)을 상부 전극(160) 방향으로 일정 간격 상승시킨다. Subsequently, the gas exhaust unit 120 exhausts the air inside the process chamber 100 to bring the inside of the process chamber 100 to a proper pressure state. Subsequently, RF power is applied to the upper electrode 160 and the lower electrode 174, and the electrostatic chuck support 176 raises the electrostatic chuck 172 on which the wafer W is seated at a predetermined interval toward the upper electrode 160. Let's do it.

이어서, 가스 공급부(110)에서 식각 가스를 공급하는데 예를 들어, 산화막을 식각하려는 경우에는 O2, CF4, CHF3 등의 혼합 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급부(110)에서 공급된 식각 가스는 제1 가스 공급관(112) 및 제2 가스 공급관(114)을 통해 샤워 헤드(162)로 공급되며, 샤워 헤드(162)는 식각 가스를 공정 챔버(100) 내부로 공급한다. Subsequently, when the etching gas is supplied from the gas supply unit 110, for example, when the oxide film is to be etched, a mixed gas such as O 2 , CF 4 , or CHF 3 may be supplied. The etching gas supplied from the gas supply unit 110 is supplied to the shower head 162 through the first gas supply pipe 112 and the second gas supply pipe 114, and the shower head 162 supplies the etching gas to the process chamber 100. Supply inside.

제2 가스 공급관(114)은 공정 챔버(100) 상부의 복수의 영역과 연결되어 있다. 따라서, 공정 챔버(100)의 여러 영역에 식각 가스를 공급하게 된다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이 제2 가스 공급관(114)이 십자 형태인 경우, 공정 챔버(100) 상부의 네 영역에서 식각 가스가 공급되게 된다. 또한, 제2 가스 공급관(114)에서 공급된 식각 가스는 도 3에 도시된 바와 같이, 샤워 헤드(162)의 가스홀을 통과하면서 좀 더 분산되게 된다. 따라서, 식각 가스는 공정 챔버(100) 전 영역에 골고루 공급될 수 있다. The second gas supply pipe 114 is connected to a plurality of regions in the upper portion of the process chamber 100. Therefore, the etching gas is supplied to various regions of the process chamber 100. For example, as illustrated in FIG. 2, when the second gas supply pipe 114 has a cross shape, the etching gas is supplied from four regions of the upper portion of the process chamber 100. In addition, the etching gas supplied from the second gas supply pipe 114 is more dispersed while passing through the gas hole of the shower head 162 as shown in FIG. 3. Therefore, the etching gas may be uniformly supplied to the entire area of the process chamber 100.

공정 챔버(100) 내부로 식각 가스가 공급되면, 상부 전극(160)과 하부 전극(174)에 인가되는 고주파 전력에 의해 공정 챔버(100)내에 전기장이 형성되고, 식각 가스 입자가 전기장에 의해 활성화 되면서 플라즈마가 형성된다. 플라즈마는 식각 가스 입자가 이온화된 이온과 전자 및 라디칼 입자들로 구성될 수 있다. 생성된 플라즈마에 의해, 식각이 진행된다. When the etching gas is supplied into the process chamber 100, an electric field is formed in the process chamber 100 by high frequency power applied to the upper electrode 160 and the lower electrode 174, and the etching gas particles are activated by the electric field. The plasma is formed. The plasma may be composed of ions, electrons and radical particles in which the etching gas particles are ionized. The etching proceeds by the generated plasma.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장비는 제2 가스 공급관(114)이 공정 챔버(100) 상부의 복수의 영역과 연결되어 있음으로써, 식각 가스는 공정 챔버(100) 전 영역에 골고루 공급될 수 있다. 공정 챔버(100) 내에 가스가 고르게 공급되면, 공정 챔버(100) 내의 정전척(172)에 안착된 웨이퍼(W) 상에 식각 가스가 고르게 공급될 수 있고 따라서, 웨이퍼(W) 전면에 균일하게 식각이 진행되게 된다. 즉, 식각이 효율적으로 진행됨으로써, 생산성이 향상될 수 있다. In the semiconductor device manufacturing apparatus according to the exemplary embodiment of the present invention, since the second gas supply pipe 114 is connected to a plurality of areas of the upper part of the process chamber 100, the etching gas is evenly supplied to the entire area of the process chamber 100. Can be. When the gas is evenly supplied into the process chamber 100, the etching gas may be evenly supplied onto the wafer W seated on the electrostatic chuck 172 in the process chamber 100, and thus, uniformly on the entire surface of the wafer W. Etching will proceed. That is, since the etching proceeds efficiently, productivity may be improved.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

상기한 바와 같은 반도체 소자의 테스트 장치에 따르면 다음과 같은 효과가 하나 혹은 그 이상 있다. According to the test apparatus of the semiconductor device as described above has one or more of the following effects.

첫째, 반도체 소자 제조 공정에서 공정 챔버 내에 가스가 균일하게 공급될 수 있다.First, a gas may be uniformly supplied into a process chamber in a semiconductor device manufacturing process.

둘째, 공정 챔버 내에 가스가 균일하게 공급됨으로써, 식각 공정이 웨이퍼 전면에 균일하게 진행될 수 있다. Second, since the gas is uniformly supplied into the process chamber, the etching process may be uniformly performed on the entire surface of the wafer.

셋째, 식각 공정이 효율적으로 진행됨으로써, 반도체 소자 제조 공정의 생산성이 향상될 수 있다. Third, as the etching process proceeds efficiently, productivity of the semiconductor device manufacturing process may be improved.

Claims (4)

공정 챔버에 가스를 공급하는 가스 공급부;A gas supply unit supplying gas to the process chamber; 상기 가스 공급부와 상기 공정 챔버를 연결하되, 상기 공정 챔버와 복수의 영역에서 연결된 가스 공급관; 및A gas supply pipe connecting the gas supply unit and the process chamber and connected to the process chamber in a plurality of regions; And 상기 가스 공급관에서 공급된 가스를 상기 공정 챔버 내부로 공급하는 샤워헤드를 포함하는 반도체 소자 제조 장비.And a shower head for supplying the gas supplied from the gas supply pipe into the process chamber. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스 공급관은 상기 가스 공급부와 연결된 제1 가스 공급관 및 상기 제1 가스 공급관과 상기 공정 챔버를 연결하는 제2 가스 공급관을 포함하는 반도체 소자 제조 장비. The gas supply pipe includes a first gas supply pipe connected to the gas supply unit and a second gas supply pipe connecting the first gas supply pipe and the process chamber. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제2 가스 공급관은 상기 공정 챔버와 복수의 영역에서 연결되어 가스를 공급함으로써 상기 공정 챔버에 가스를 고르게 공급하는 반도체 소자 제조 장비.And the second gas supply pipe is connected to the process chamber in a plurality of regions to supply the gas evenly to the process chamber. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제2 가스 공급관은 십자 형태로 형성되어 상기 공정 챔버와 네 영역에서 연결된 반도체 소자 제조 장비.The second gas supply pipe is formed in a cross shape, the semiconductor device manufacturing equipment connected to the process chamber in four areas.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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