KR20070081625A - Particle process system for photomask - Google Patents

Particle process system for photomask Download PDF

Info

Publication number
KR20070081625A
KR20070081625A KR1020060013707A KR20060013707A KR20070081625A KR 20070081625 A KR20070081625 A KR 20070081625A KR 1020060013707 A KR1020060013707 A KR 1020060013707A KR 20060013707 A KR20060013707 A KR 20060013707A KR 20070081625 A KR20070081625 A KR 20070081625A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
particle
photomask
processing system
unit
particles
Prior art date
Application number
KR1020060013707A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
오성식
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020060013707A priority Critical patent/KR20070081625A/en
Publication of KR20070081625A publication Critical patent/KR20070081625A/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants

Abstract

A particle processing system for a photomask is provided to improve efficiency of an exposure process by detecting particles on the photomask and removing the detected particles from the photomask using a particle removing unit and a particle detecting unit. A particle processing system includes one or more particle removing units and particle detecting units. The particle removing units(20a,20b,40a,40b) are spaced apart from upper and lower surfaces of a photomask. The particle detecting units(30a,30b) are spaced apart from the upper and lower surfaces of the photomask. The particle removing unit includes a vacuum inlet. The particle removing unit further includes a particle filter.

Description

포토마스크용 파티클 처리 시스템{Particle process system for photomask}Particle process system for photomask

도 1 은 본 발명에 따른 포토마스크용 파티클 검출 시스템을 나타내는 블록도이다. 1 is a block diagram showing a particle detection system for a photomask according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 포토마스크 20a, 20b, 40a, 40b : 파티클 제거부100: photomask 20a, 20b, 40a, 40b: particle removal unit

21 : 진공 인렛 22 : 필터21: vacuum inlet 22: filter

30a, 30b : 파티클 검출부 31a, 31b : 빔 발광부30a, 30b: Particle detector 31a, 31b: Beam light emitter

32a, 32b : 빔 수광부 33 : 광원32a, 32b: beam receiver 33: light source

34 : 콘덴서 렌즈 35 : 광센서34 condenser lens 35 optical sensor

36 : 콜렉터 렌즈 50 : 밀폐된 전송부36: collector lens 50: sealed transmission part

200 : 포토리소그래피용 파티클 처리 시스템200: Particle processing system for photolithography

300 : 노광 장치300 exposure apparatus

본 발명은 파티클 처리 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 포토마스크용 파티클 처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a particle processing apparatus, and more particularly, to a particle processing system for a photomask.

최근, 마이크로 노광 기술의 발전으로 대규모 집적 회로(large scale integrated circuits, LSIs)의 스케일 축소는 가속화되고 있다. 반도체 소자의 디자인 룰은 지속적으로 감소하여 0.01 ㎛ 이하의 정밀한 임계 선폭(critical dimension)의 제어가 요구된다. 노광 기술에 의해 반도체 소자를 생산하는데 사용되는 포토마스크 상의 파티클은 대규모 집적 회로 제조시 수율을 감소시키는 중요한 원인중의 하나이다.Recently, with the development of micro exposure technology, scale reduction of large scale integrated circuits (LSIs) has been accelerated. The design rules of semiconductor devices continue to decrease, requiring precise control of critical dimensions of 0.01 μm or less. Particles on photomasks used to produce semiconductor devices by exposure techniques are one of the important causes of reduced yields in large scale integrated circuit fabrication.

포토마스크에 부착된 파티클은 노광되는 웨이퍼에 국지적이고 반복되는 결함을 유도하여 반도체 소자의 생산성을 저하시킨다. 또한, 포토마스크에 부착된 파티클은 포토마스크의 기울어짐 및 고정 에러를 발생시켜, 포토마스크의 얼라인먼트를 곤란하게 하거나 초점 불량을 유발시켜 노광 공정을 지연시킨다.  Particles attached to the photomask induce local and repetitive defects on the exposed wafer, thereby lowering the productivity of the semiconductor device. In addition, particles attached to the photomask may cause tilting and fixing errors of the photomask, making alignment of the photomask difficult or causing poor focus, thereby delaying the exposure process.

따라서, 종래에 노광 장치의 운영요원은 노광 장치에 포토마스크를 장착하기 전에, 포토마스크 상의 파티클 유무를 검사한다. 일반적으로, 운영요원은 별도의 파티클 검출 장치에 의하여 포토마스크의 파티클을 검출하거나, 노광 장치의 포토마스크 스테이지 도입부에 설치된 파티클 검출 장치에 의하여 파티클을 검출한다.Thus, the operating personnel of the exposure apparatus conventionally inspects the presence or absence of particles on the photomask before mounting the photomask on the exposure apparatus. In general, the operating personnel detects particles of the photomask by a separate particle detection device, or detects particles by a particle detection device installed in the photomask stage introduction portion of the exposure apparatus.

상기 파티클 검출 장치에 의하여 파티클이 검출된 경우, 운영 요원은 포토마스크를 들고 파티클 제거룸으로 이동하여 파티클을 제거한다. 통상적으로 에어 블로잉 또는 진공 흡입기를 이용하여 포토마스크 상의 파티클을 제거한다. 운영 요원은 포토마스크의 파티클이 제거될 때까지 파티클 검출 장치에 의해 파티클을 검출하고, 파티클이 존재하는 경우 파티클 제거룸으로 이동하여 파티클을 제거하는 과정을 반복한다. When a particle is detected by the particle detection device, the operating personnel picks up the photomask and moves to the particle removal room to remove the particle. Air blowing or vacuum inhalers are typically used to remove particles on the photomask. The operating agent detects the particles by the particle detection apparatus until the particles of the photomask are removed, and if the particles are present, the operation personnel move to the particle removal room and repeat the process of removing the particles.

상기와 같이 노광 공정 전의 전처리 공정으로서 파티클 검출 과정은 운영 요원의 잦은 이동으로 인하여 작업 효율을 저하시킬 뿐만 아니라 생산성 감소를 초래하며, 반도체 소자의 제조를 위한 비용을 증가시키는 요인이 된다. As described above, the particle detection process as a pretreatment process before the exposure process not only lowers work efficiency but also reduces productivity due to frequent movement of operating personnel, and increases costs for manufacturing semiconductor devices.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 포토마스크 상의 파티클을 검출하고 검출된 파티클을 신속하게 제거하여 노광 공정의 효율을 증가시킬 수 있는 포토마스크용 파티클 처리 시스템을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a particle processing system for a photomask that can increase the efficiency of an exposure process by detecting particles on a photomask and quickly removing the detected particles.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 포토마스크용 파타클 처리 시스템은, 포토마스크의 상면과 하면으로부터 각각 소정의 거리만큼 이격되어 배치된 적어도 하나 이상의 파티클 제거부; 및 상기 포토마스크의 상면과 하면으로부터 각각 소정의 거리만큼 이격 배치되는 파티클 검출부를 포함한다.Particle processing system for a photomask according to the present invention for achieving the above technical problem, at least one particle removal unit disposed spaced apart from each other by a predetermined distance from the upper and lower surfaces of the photomask; And a particle detection unit spaced apart from each other by a predetermined distance from an upper surface and a lower surface of the photomask.

상기 파티클 제거부는 진공 인렛을 포함한다. 바람직하게는, 상기 파티클 제거부는 내부에 파티클 필터를 더 포함할 수 있다. 상기 파티클 제거부는 상기 파티클 검출부의 전방에 배치되어, 먼저 파티클을 제거한 후에 파티클을 검출한다. 바람직하게는, 상기 파티클 제거부는 상기 파티클 검출부의 후방에 더 배치되어 더욱 신뢰성있는 파티클 제거 공정을 제공한다.The particle removal unit includes a vacuum inlet. Preferably, the particle removal unit may further include a particle filter therein. The particle removing unit is disposed in front of the particle detecting unit to first detect the particles after removing the particles. Preferably, the particle removal unit is further disposed behind the particle detection unit to provide a more reliable particle removal process.

상기 파티클 검출부는, 광을 조사하는 광원 및 상기 광원으로부터 조사되는 광을 상기 포토마스크의 검사 영역에 포커싱하기 위한 하나 이상의 콘덴서 렌즈(condenser lens)를 포함하는 빔 발광부; 및 상기 검사 영역으로부터 반사되어 산 란되는 광을 수용하는 하나 이상의 콜렉터 렌즈(collector lens) 및 상기 콜렉터 렌즈에 의해 수용된 광을 감지하는 광센서를 포함하는 빔 수광부를 포함한다. 상기 광원은 예를 들면, 레이저 소스 및 브로드 스펙트럼 광원일 수 있다. 또한, 상기 광센서는 예를 들면, PMT(photo multiplier tube), CCD(charge coupled device) 또는 TDI(time delay integration)일 수 있다.The particle detector may include: a beam light emitter including a light source for irradiating light and at least one condenser lens for focusing the light irradiated from the light source onto an inspection area of the photomask; And a beam receiving unit including at least one collector lens for receiving light reflected and scattered from the inspection area, and an optical sensor for sensing the light received by the collector lens. The light source may be, for example, a laser source and a broad spectrum light source. In addition, the optical sensor may be, for example, a photo multiplier tube (PMT), a charge coupled device (CCD), or a time delay integration (TDI).

상기 포토리소그래피용 파티클 처리 시스템은 상기 파티클 검출부로부터 파티클이 검출되지 않을 때까지 상기 포토마스크를 상기 파티클 제거부와 상기 파티클 검출부를 왕래하면서 상기 포토마스크 상의 파티클을 제거할 수 있다. 또한, 바람직하게는, 상기 포토리소그래피용 파티클 처리 시스템은 추가적 오염 없이 파티클이 제거된 상기 포토마스크를 노광 장치에 제공하기 위한 밀폐된 포토마스크 전송부를 더 포함할 수 있다. The particle processing system for photolithography may remove particles on the photomask while passing through the photomask and the particle detection unit until no particles are detected from the particle detection unit. Further, preferably, the particle processing system for photolithography may further include a closed photomask transmission unit for providing the exposure apparatus with the photomask from which particles are removed without further contamination.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.The embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following examples can be modified in various other forms, and the scope of the present invention is It is not limited to an Example. In addition, the thickness or size of each layer in the drawings is exaggerated for convenience and clarity, the same reference numerals in the drawings refer to the same elements.

도 1 은 본 발명에 따른 포토마스크용 파티클 검출 시스템을 나타내는 블록도이다. 1 is a block diagram showing a particle detection system for a photomask according to the present invention.

도 1을 참조하면, 포토마스크용 파티클 검출 장치(200)는 적어도 하나 이상의 파티클 제거부(20a, 20b) 및 파티클 검출부(30a, 30b)를 포함한다. 파티클 제거부(20a, 20b)와 파티클 검출부(30a, 30b)는 포토마스크(100)의 상면(100b)과 하면(100a)의 파티클을 동시에 처리할 수 있도록 포토마스크(100)의 상면(100b)과 하면(100a)으로부터 각각 소정의 거리만큼 이격되어 배치된다.Referring to FIG. 1, the particle detection apparatus 200 for a photomask includes at least one particle removing unit 20a and 20b and particle detection units 30a and 30b. The particle removing unit 20a or 20b and the particle detecting unit 30a or 30b may simultaneously process particles on the upper surface 100b and the lower surface 100a of the photomask 100 so that the upper surface 100b of the photomask 100 may be processed. And spaced apart from the lower surface 100a by a predetermined distance, respectively.

파티클 제거부(20a, 20b)는 진공 인렛(21)을 포함한다. 파티클 제거부(20a, 20b)는 진공 인렛(21)에 의하여 진공 흡입 방식에 의해 파티클을 제거한다. 따라서, 본 발명은 고속의 공기를 분사하는 압축 공기 분사 방식과 달리, 파티클 처리 시스템(200)의 내부에 와류를 형성하여 이물질이 부유시키지 않는다. 또한, 본 발명은 인접하는 노광 장치(300)에 파티클을 제공할 염려가 없다.Particle removal sections 20a and 20b include vacuum inlets 21. The particle removing parts 20a and 20b remove particles by the vacuum suction method by the vacuum inlet 21. Therefore, the present invention, unlike the compressed air injection method for injecting high speed air, forms a vortex inside the particle processing system 200 does not float the foreign matter. In addition, the present invention does not have to worry about providing particles to the adjacent exposure apparatus 300.

바람직하게는, 파티클 제거부(20a, 20b)는 내부에 파티클 필터(22)를 더 포함할 수 있다. 파티클 필터(22)는 예를 들면, 프리 필터(pre filter), 헤파 필터(high efficiency particulate air filter; HEPA filter) 또는 울파 필터(ultra low penetration air filter; ULPA filter) 등일 수 있다. 바람직하게는, 파티클 필터(22)는 포토마스크(100) 상의 미세 파티클의 필터링이 가능한 울파 필터이다.Preferably, the particle removing unit 20a, 20b may further include a particle filter 22 therein. The particle filter 22 may be, for example, a pre filter, a high efficiency particulate air filter (HEPA filter), an ultra low penetration air filter (ULPA filter), or the like. Preferably, the particle filter 22 is a wool filter capable of filtering the fine particles on the photomask 100.

파티클 검출부(30a, 30b)는 포토마스크(100)의 상면(100b)과 하면(100a)에 각각 배치된 빔 발광부(31a, 31b)와 빔 수광부(32a, 32b)를 포함한다. 빔 발광부(31a, 31b)는 광을 조사하는 광원(33) 및 광원(33)으로부터 조사되는 광을 포토마스크(100)의 검사 영역(a, b)에 포커싱하기 위한 하나 이상의 콘덴서 렌즈(condenser lens; 34)를 포함한다. 빔 수광부(32a, 32b)는 상기 검사 영역(a, b) 으로부터 반사되어 산란되는 광을 수용하는 하나 이상의 콜렉터 렌즈(collector lens; 36) 및 콜렉터 렌즈(36)에 의해 수용된 광을 감지하는 광센서(35)를 포함한다. The particle detectors 30a and 30b include beam light emitting units 31a and 31b and beam light receiving units 32a and 32b respectively disposed on the top surface 100b and the bottom surface 100a of the photomask 100. The beam emitters 31a and 31b may include one or more condenser lenses for focusing the light source 33 irradiating the light and the light irradiated from the light source 33 onto the inspection areas a and b of the photomask 100. lens 34). The beam receivers 32a and 32b may include one or more collector lenses 36 for receiving light reflected and scattered from the inspection areas a and b and an optical sensor for sensing light received by the collector lenses 36. (35).

반도체 제조 기술분야에 알려진 바와 같이, 광원(33)은 예를 들면, 레이저 소스 및 브로드 스펙트럼 광원일 수 있다. 광센서(35)는 PMT(photo multiplier tube), CCD(charge coupled device) 또는 TDI(time delay integration)일 수 있다.As known in the semiconductor fabrication arts, the light source 33 may be, for example, a laser source and a broad spectral light source. The optical sensor 35 may be a photo multiplier tube (PMT), a charge coupled device (CCD), or a time delay integration (TDI).

본 발명의 포토마스크용 파티클 검출 시스템(200)에서, 파티클 제거부(20a, 20b)는 파티클 검출부(30a, 30b)의 전방에 배치되어, 먼저 파티클을 제거한 후에 파티클 검출기(30a, 30b)를 거쳐 파티클이 검출되지 않으면 포토마스크(100)를 노광 장치(300)에 전송한다. 바람직하게는, 다른 파티클 제거부(40a, 40b)가 파티클 검출부(30a, 30b)의 후방에 더 배치될 수 있다. In the particle detection system 200 for the photomask of the present invention, the particle removal units 20a and 20b are disposed in front of the particle detection units 30a and 30b, and after the particles are first removed, the particle detection units 30a and 30b pass through the particle detectors 30a and 30b. If no particles are detected, the photomask 100 is transmitted to the exposure apparatus 300. Preferably, other particle removal parts 40a and 40b may be further disposed behind the particle detection parts 30a and 30b.

그 결과, 파티클 제거 공정의 신뢰성이 증가되고, 파티클 검출부(30a, 30b)에 의하여 파티클이 존재하고 있다고 판정된 경우 이를 즉시 반영하여 후방에 배치된 파티클 제거부(40a, 40b)에 의하여 다시 파티클을 신속하게 제거할 수 있다. 바람직하게는, 파티클 처리 시스템(200)은 파티클 검출부(30a, 30b)로부터 파티클이 검출되지 않을 때까지 포토마스크(100)를 파티클 제거부(20a, 20b 또는 40a, 40b)와 파티클 검출부(30a, 30b) 사이에서 왕복시켜 포토마스크(100) 상의 파티클을 제거한다. 예를 들면, 파티클 처리 시스템(200)은, 당해 기술 분야에서 알려진 바와 같이 포토마스크(100)의 가장자리부를 지지하면서 파티클 제거부(20a, 20b 또는 40a, 40b)와 파티클 검출부(30a, 30b) 사이에서 포토마스크(100)를 왕복운동 시 키는 지지척 및 이의 구동 수단을 더 포함함으로써, 파티클 처리 시스템(200) 내에서 포토마스크(100)를 왕복시킬 수 있다. 바람직하게는, 파티클 처리 시스템(200)은 추가적 오염 없이 파티클이 제거된 포토마스크(100)를 노광 장치(300)에 제공하기 위한 밀폐된 포토마스크 전송부(50)를 더 포함할 수 있다. As a result, the reliability of the particle removing process is increased, and if it is determined that the particles exist by the particle detection units 30a and 30b, the particles are immediately reflected to reflect the particles, and the particles are again removed by the particle removing units 40a and 40b disposed behind. Can be quickly removed. Preferably, the particle processing system 200 moves the photomask 100 to the particle removal unit 20a, 20b or 40a, 40b and the particle detection unit 30a, until no particles are detected from the particle detection units 30a and 30b. Reciprocating between 30b) removes particles on photomask 100. For example, the particle processing system 200 may support the edges of the photomask 100 as is known in the art, and may be formed between the particle removal unit 20a, 20b or 40a, 40b and the particle detection unit 30a, 30b. By further comprising a support chuck and a driving means thereof for reciprocating the photomask 100, it is possible to reciprocate the photomask 100 in the particle processing system 200. Preferably, the particle processing system 200 may further include a sealed photomask transmitter 50 for providing the exposure apparatus 300 with the photomask 100 from which particles are removed without further contamination.

그 결과, 본 발명의 파티클 처리 시스템에 따르면, 포토마스크는 파티클 처리 시스템을 경유하여 파티클이 제거된 상태로 노광 장치에 직접 제공되며, 파티클이 존재하는 경우 운영요원이 포토마스크를 들고 파티클 제거룸으로 이동하여 파티클을 제거하는데 소요되는 시간과 노력 등의 소모적인 운영 손실이 제거된다. As a result, according to the particle processing system of the present invention, the photomask is provided directly to the exposure apparatus with the particles removed via the particle processing system, and in the presence of the particles, the operating personnel pick up the photomask to the particle removal room Expensive operational losses, such as the time and effort spent on moving and removing particles, are eliminated.

이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and alterations are possible within the scope without departing from the technical spirit of the present invention, which are common in the art. It will be apparent to those who have knowledge.

상술한 바와 같이 본 발명의 포토마스크용 파티클 처리 시스템은, 포토마스크의 상면과 하면으로부터 소정의 거리만큼 이격되어 배치된 파티클 검출부 및 파티클 제거부를 모두 포함함으로써, 포토마스크 상의 파티클을 검출하고 검출된 파티클을 신속하게 제거하여 노광 공정의 효율을 증가시킨다.As described above, the particle processing system for a photomask of the present invention includes both a particle detection unit and a particle removal unit arranged to be spaced apart by a predetermined distance from an upper surface and a lower surface of the photomask, thereby detecting particles on the photomask and detecting the detected particles. It is quickly removed to increase the efficiency of the exposure process.

Claims (10)

포토마스크의 상면과 하면으로부터 각각 소정의 거리만큼 이격되어 배치된 적어도 하나 이상의 파티클 제거부; 및 At least one particle removing unit spaced apart from each other by a predetermined distance from an upper surface and a lower surface of the photomask; And 상기 포토마스크의 상면과 하면으로부터 각각 소정의 거리만큼 이격 배치되는 파티클 검출부를 포함하는 포토마스크용 파티클 처리 시스템. Particle processing system for a photomask including a particle detection unit spaced apart from the upper surface and the lower surface of the photomask by a predetermined distance. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 파티클 제거부는 진공 인렛을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크용 파티클 처리 시스템. The particle removal system for a photomask, characterized in that the particle removal unit comprises a vacuum inlet. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 파티클 제거부는 내부에 파티클 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크용 파티클 처리 시스템. Particle processing system for a photomask, characterized in that the particle removal unit further comprises a particle filter therein. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 파티클 제거부는 상기 파티클 검출부의 전방에 배치되는 것을 특징으로 하는 포토마스크용 파티클 처리 시스템.And the particle removing unit is disposed in front of the particle detecting unit. 제 4 항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 파티클 제거부는 상기 파티클 검출부의 후방에 더 배치되는 것을 특징으로 하는 포토마스크용 파티클 처리 시스템.And the particle removing unit is further disposed behind the particle detecting unit. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 파티클 검출부는, 광을 조사하는 광원 및 상기 광원으로부터 조사되는 빛을 상기 포토마스크의 검사 영역에 포커싱하기 위한 하나 이상의 콘덴서 렌즈(condenser lens)를 포함하는 빔 발광부; 및 상기 검사 영역으로부터 반사되어 산란되는 광을 수용하는 하나 이상의 콜렉터 렌즈(collector lens) 및 상기 콜렉터 렌즈에 의해 수용된 광을 감지하는 광센서를 포함하는 빔 수광부를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크용 파티클 처리 시스템. The particle detector may include: a beam light emitter including a light source for irradiating light and at least one condenser lens for focusing the light emitted from the light source onto an inspection area of the photomask; And a beam receiving unit including at least one collector lens for receiving light reflected and scattered from the inspection area and an optical sensor for sensing light received by the collector lens. Processing system. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 광원은 레이저 광원 및 브로드 스펙트럼 광원인 것을 특징으로 하는 포토마스크용 파티클 처리 시스템.And said light source is a laser light source and a broad spectrum light source. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 광센서는 PMT(photo multiplier tube), CCD(charge coupled device) 또는 TDI(time delay integration) 중 어느 하나인 것을 특징으로하는 포토마스크용 파티클 처리 시스템.The optical sensor is a particle processing system for a photomask, characterized in that any one of a photo multiplier tube (PMT), a charge coupled device (CCD) or a time delay integration (TDI). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 포토마스크용 파티클 처리 시스템은 상기 파티클 검출부로부터 파티클이 검출되지 않을 때까지 상기 포토마스크를 상기 파티클 제거부와 상기 파티클 검출부를 왕래하면서 상기 포토마스크 상의 파티클을 제거하는 것을 특징으로 하는 포토마스크용 파티클 처리 시스템. The photomask particle processing system removes particles on the photomask while passing the photomask through the particle removal unit and the particle detection unit until no particles are detected from the particle detection unit. Processing system. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 포토마스크용 파티클 처리 시스템은 추가적 오염 없이 파티클이 제거된 상기 포토마스크를 노광 장치에 제공하기 위한 밀폐된 포토마스크 전송부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크용 파티클 처리 시스템.The particle processing system for photomasks further comprises a closed photomask transmission unit for providing the exposure apparatus with the photomask from which particles are removed without further contamination.
KR1020060013707A 2006-02-13 2006-02-13 Particle process system for photomask KR20070081625A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060013707A KR20070081625A (en) 2006-02-13 2006-02-13 Particle process system for photomask

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060013707A KR20070081625A (en) 2006-02-13 2006-02-13 Particle process system for photomask

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070081625A true KR20070081625A (en) 2007-08-17

Family

ID=38611497

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060013707A KR20070081625A (en) 2006-02-13 2006-02-13 Particle process system for photomask

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070081625A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102171068B1 (en) 2020-07-07 2020-10-29 엔엠시스코(주) Apparatus for removing particle on surface of shadow mask

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102171068B1 (en) 2020-07-07 2020-10-29 엔엠시스코(주) Apparatus for removing particle on surface of shadow mask

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102525814B1 (en) 3D Imaging for Semiconductor Wafer Inspection
US7138640B1 (en) Method and apparatus for protecting surfaces of optical components
KR102138347B1 (en) Automated inspection tool
KR20140065376A (en) Observation device, inspection device, method for manufacturing semiconductor device, and substrate support member
KR102011553B1 (en) Foreign matter checking apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
KR20070081625A (en) Particle process system for photomask
JP2008020371A (en) Inspection device
JP2015078865A (en) Foreign substance inspection device
JPS63122935A (en) Defect inspecting instrument
JPS63298035A (en) Defect inspecting device
JPH11271231A (en) Device for inspecting foreign matter on surface
JP6270288B2 (en) Inspection apparatus, inspection method, contamination prevention structure, and exposure apparatus
JP2007057315A (en) Surface inspection device
KR20060122417A (en) Apparatus for eliminating a particle from a semiconductor substrate and equipment for processing a semiconductor substrate using the same
CN215894428U (en) Processing assembly and detection equipment
JP2005156416A (en) Method and apparatus for inspecting glass substrate
KR20060121562A (en) Apparatus for transferring wafer for photolithography process
KR102297038B1 (en) Construction method of database for pellicle membrane inspection and Method of inspecting pellicle membrane using the database
KR20010058840A (en) Wafer inspection apparatus
JPH05172731A (en) Particle detection
JPS63103951A (en) Dust inspection device
Shiba et al. Automatic inspection of contaminants on reticles
CN112882345A (en) Exposure apparatus and mask cleaning method
KR200229420Y1 (en) Reticle Inspection Device for Semiconductor Devices
KR20050112392A (en) Exposure apparatus for semiconductor process

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination