KR20070074986A - Display device and method for fabricating the display device - Google Patents

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KR20070074986A
KR20070074986A KR1020060003208A KR20060003208A KR20070074986A KR 20070074986 A KR20070074986 A KR 20070074986A KR 1020060003208 A KR1020060003208 A KR 1020060003208A KR 20060003208 A KR20060003208 A KR 20060003208A KR 20070074986 A KR20070074986 A KR 20070074986A
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장윤
노순준
정민식
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삼성전자주식회사
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Abstract

A display device and a method for manufacturing the same are provided to improve the reliability of the display device, by using an inorganic alignment layer instead of an organic alignment layer and forming ion collectors for absorbing ions from a liquid crystal layer in the inorganic alignment layer. A first substrate(110) and a second substrate(210) has a block area(BA) and a transmission area(TA). A light shielding pattern(120) is formed on the first substrate. A first inorganic alignment layer(160) is formed above the light shielding pattern. A signal line(220) is formed on the second substrate. A second inorganic alignment layer(260) is formed above the signal line. Ion collectors are formed in at least one of the first inorganic alignment layer and the second inorganic alignment layer correspondingly to the block area.

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE DISPLAY DEVICE}DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE DISPLAY DEVICE}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 구성하는 제1 표시 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.2A and 2B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a first display substrate constituting a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 구성하는 제2 표시 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.3A and 3B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a second display substrate constituting a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

♧ 도면의 주요부분에 대한 참조부호의 설명 ♧♧ explanation of the reference numerals for the main parts of the drawing.

100 : 제1 표시 기판 110 : 제1 기판100: first display substrate 110: first substrate

120 : 차광막 패턴 160 : 제1 배향막120 shading film pattern 160 first alignment film

200 : 제2 표시 기판 210 : 제2 기판200: second display substrate 210: second substrate

260 : 제2 배향막260: second alignment layer

본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관련된 것이다.The present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof.

일반적으로 평판 표시 장치(FPD:flat panel display)란 두께가 얇고 평평한 화면을 제공하는 표시 장치로, 대표적으로 노트북 컴퓨터 모니터로 널리 쓰이는 액정 표시 장치(LCD:liquid crystal display device), 대형 디지털 텔레비전으로 사용되는 플라즈마 디스플레이(PDP:plasma display panel), 또는 휴대전화에 사용되는 유기 전계발광 디스플레이(OELD:organic electroluminescent display) 등이 있다.In general, a flat panel display (FPD) is a display device that provides a thin and flat screen, and is typically used as a liquid crystal display device (LCD), a large digital television, which is widely used as a notebook computer monitor. Plasma displays (PDPs), or organic electroluminescent displays (OELDs) used in mobile phones.

액정 표시 장치는 인가 전압에 따라 액체와 결정의 중간 상태 물질인 액정(liquid crystal)의 광투과도가 변화하는 특성을 이용하여, 전기 신호를 시각 정보로 변화시켜 영상을 표시한다. 통상의 액정 표시 장치는 전극이 구비된 두 개의 기판과 두 기판 사이에 개재된 액정층으로 구성된다. 이와 같은 액정 표시 장치는 동일한 화면 크기를 갖는 다른 표시 장치에 비하여 무게가 가볍고 부피가 작으며 작은 전력으로 동작한다.The liquid crystal display displays an image by changing an electrical signal into visual information by using a property in which light transmittance of a liquid crystal, which is an intermediate state material between a liquid and a crystal, is changed according to an applied voltage. A typical liquid crystal display device is composed of two substrates provided with electrodes and a liquid crystal layer interposed between the two substrates. Such a liquid crystal display device is lighter in weight, smaller in volume, and operates with less power than other display devices having the same screen size.

통상 기판의 전극 위에는 배향막이 형성되고, 이 배향막에 의해 액정 분자는 특정 방향으로 선경사각을 갖게 된다. 배향막은 통상 폴리이미드 계열의 유기막을 프린팅한 후 유기막 상에 롤러를 회전시켜 러빙하는 방법으로 형성된다. 그러나, 최근 기판이 대형화되면서, 대형 기판 상에 형성된 유기 배향막을 러빙하는 경우 러빙 방향의 균일도가 떨어진다. 또한, 유기 고분자의 특성상 화학적 안정성이 떨어져 제조 과정에서 열 및 전기적 스트레스에 쉽게 열화되는 문제가 있다. 이러한 문제점을 갖는 유기 배향막의 대안으로 무기 배향막에 대한 연구가 진행되고 있다.Usually, an alignment film is formed on the electrode of a board | substrate, and a liquid crystal molecule has a pretilt angle in a specific direction by this alignment film. The alignment film is usually formed by printing a polyimide organic film and then rubbing by rotating a roller on the organic film. However, as the substrate is enlarged in recent years, when rubbing the organic alignment film formed on the large substrate, the uniformity of the rubbing direction is inferior. In addition, there is a problem in that the chemical stability is poor due to the nature of the organic polymer is easily degraded by thermal and electrical stress in the manufacturing process. As an alternative to the organic alignment layer having such a problem, research on an inorganic alignment layer is underway.

그러나, 무기 배향막은 유기 배향막에 비하여 전압 보전율(Voltage Holding Ratio;VHR)이 떨어지는 단점이 있다. 즉, 유기 배향막은 대부분 이미드(imide) 결합으로 이루어진 폴리머로 구성되는데, 이러한 폴리이미드 배향막은 액정 내의 불순물들을 흡수하여 셀(cell) 내의 VHR을 상승시키는 기능을 한다. 그러나, 무기 배향막은 액정 내의 불순물 이온들을 흡수할 수 없어 VHR이 떨어진다. 뿐만 아니라, 불순물 이온들에 의해 발생할 수 있는 잔류 DC 전압에 의해 공통 전극의 전압이 감소하는 등 액정 표시 장치의 신뢰성이 저하될 수 있다.However, the inorganic alignment layer has a disadvantage in that a voltage holding ratio (VHR) is lower than that of the organic alignment layer. That is, the organic alignment layer is mostly composed of a polymer composed of imide bonds. The polyimide alignment layer absorbs impurities in the liquid crystal to increase the VHR in the cell. However, the inorganic alignment film cannot absorb impurity ions in the liquid crystal, so that the VHR falls. In addition, the reliability of the liquid crystal display may be degraded, such as a decrease in the voltage of the common electrode due to the residual DC voltage generated by the impurity ions.

본 발명은 이상에서 언급한 상황을 고려하여 제안된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 신뢰성이 향상된 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been proposed in consideration of the above-mentioned situation, and a technical object of the present invention is to provide a display device having improved reliability and a method of manufacturing the same.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 차광 영역과 투광 영역을 포함하는 제1 기판 및 제2 기판, 상기 제1 기판 상에 형성된 차광막 패턴, 상기 차광막 패턴 상에 형성된 제1 무기 배향막, 상기 제2 기판 상에 형성된 신호 배선, 상기 신호 배선 상에 형성된 제2 무기 배향막, 및 상기 차광 영역 내의 상기 제1 무기 배향막 및 상기 제2 무기 배향막 중 적어도 어느 하나에 형성된 이온 수집자를 포함한다.A display device according to an exemplary embodiment of the present invention may include a first substrate and a second substrate including a light blocking region and a light transmitting region, a light blocking layer pattern formed on the first substrate, a first inorganic alignment layer formed on the light blocking layer pattern, and the second substrate. A signal wire formed on the second substrate, a second inorganic alignment film formed on the signal wire, and an ion collector formed on at least one of the first inorganic alignment film and the second inorganic alignment film in the light blocking region.

이 실시예에서, 상기 제1 및 제2 무기 배향막은 실리콘산화물로 이루어질 수 있다.In this embodiment, the first and second inorganic alignment layers may be formed of silicon oxide.

이 실시예에서, 상기 이온 수집자는 레이저 또는 이온빔의 조사에 의해 상기 제1 무기 배향막 및 상기 제2 무기 배향막 중 적어도 어느 하나의 표면에 형성된 댕글링 본드일 수 있다.In this embodiment, the ion collector may be a dangling bond formed on at least one surface of the first inorganic alignment layer and the second inorganic alignment layer by irradiation of a laser or an ion beam.

이 실시예에서, 상기 이온 수집자는 상기 차광 영역의 중앙부에 형성될 수 있으며, 상기 차광 영역의 중앙부는 상기 차광 영역 및 투광 영역의 경계로부터 적어도 3㎛ 이격될 수 있다.In this embodiment, the ion collector may be formed in the central portion of the light blocking region, and the central portion of the light blocking region may be spaced at least 3 μm from a boundary between the light blocking region and the light transmitting region.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 차광 영역 및 투광 영역을 포함하는 제1 기판 및 제2 기판을 준비하고, 상기 제1 기판 상에 차광막 패턴을 형성하고, 상기 차광막 패턴 상에 제1 무기 배향막을 형성하고, 상기 제2 기판 상에 신호 배선을 형성하고, 상기 신호 배선 상에 제2 무기 배향막을 형성하고, 상기 차광 영역 내의 상기 제1 무기 배향막 및 상기 제2 무기 배향막 중 적어도 어느 하나에 이온 수집자를 형성하는 것을 포함한다.A method of manufacturing a display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes preparing a first substrate and a second substrate including a light blocking region and a light transmitting region, forming a light blocking layer pattern on the first substrate, and forming a light blocking layer pattern on the light blocking layer pattern. A first inorganic alignment layer is formed, a signal wiring is formed on the second substrate, a second inorganic alignment layer is formed on the signal wiring, and at least one of the first inorganic alignment layer and the second inorganic alignment layer in the light shielding area; Forming an ion collector on either.

이 실시예에서, 상기 제1 및 제2 무기 배향막은 실리콘산화물로 형성될 수 있다.In this embodiment, the first and second inorganic alignment layers may be formed of silicon oxide.

이 실시예에서, 상기 이온 수집자를 형성하는 것은 상기 제1 무기 배향막 및 상기 제2 무기 배향막 중 적어도 어느 하나에 레이저 또는 이온빔을 조사하는 것에 의해 이루어질 수 있다.In this embodiment, the ion collector may be formed by irradiating at least one of the first inorganic alignment layer and the second inorganic alignment layer with a laser or an ion beam.

이 실시예에서, 상기 이온 수집자는 상기 차광 영역 및 투광 영역의 경계로부터 적어도 3㎛ 이격되어 형성될 수 있다.In this embodiment, the ion collector may be formed at least 3㎛ spaced apart from the boundary of the light blocking region and the light transmitting region.

이 실시예에서, 상기 제1 및 제2 무기 배향막의 두께가 100nm이고, 상기 조사(照射)되는 레이저 또는 이온빔의 에너지는 20~140mJ일 수 있다.In this embodiment, the thickness of the first and second inorganic alignment layer is 100nm, the energy of the irradiated laser or ion beam may be 20 ~ 140mJ.

이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosure may be made thorough and complete, and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art.

본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 기판, 배향막, 이온 수집자 등을 기술하기 위해서 사용되었지만, 기판, 배향막, 이온 수집자 등이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이러한 용어들은 단지 어느 소정의 기판, 배향막, 이온 수집자를 다른 기판, 배향막, 이온 수집자와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 또, 어떤 막이 다른 막 또는 기판 상에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 막 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 막이 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 도면들에서, 막 또는 영역들의 두께 등은 명확성을 기하기 위하여 과장되게 표현될 수 있다. Although terms such as first and second are used herein to describe a substrate, an alignment film, an ion collector, and the like, the substrate, the alignment film, the ion collector, and the like should not be limited by these terms. These terms are only used to distinguish one given substrate, alignment layer, and ion collector from another substrate, alignment layer, and ion collector. In addition, where it is mentioned that a film is on another film or substrate, it means that it may be formed directly on another film or substrate, or a third film may be interposed therebetween. In the drawings, the thickness or the like of the film or regions may be exaggerated for clarity.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 표시 장치(300)는 차광 영역(BA)과 투광 영역(TA)을 포함하는 제1 표시 기판(100)과 제2 표시 기판(200)을 구비한다. 또 표시 장치(300)는 제1 표시 기판(100)과 제2 표시 기판(200) 사이에 개재하는 액정층(미도시)을 더 구비할 수 있다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the display device 300 includes a first display substrate 100 and a second display substrate 200 including a light blocking area BA and a light transmitting area TA. In addition, the display device 300 may further include a liquid crystal layer (not shown) interposed between the first display substrate 100 and the second display substrate 200.

제1 표시 기판(100)은 제1 기판(110), 차광막 패턴(120), 공통 전극(150), 및 제1 배향막(160)을 포함한다. The first display substrate 100 includes a first substrate 110, a light blocking film pattern 120, a common electrode 150, and a first alignment layer 160.

제1 기판(110)은 유리와 같은 투명한 절연 물질로 이루어진다. 제1 절연 기판(110) 상에 차광막 패턴(120)이 위치한다. 차광막 패턴(120)은 광을 차단하는 물질, 예컨대 포토레지스트와 같은 유기 물질 또는 크롬과 같은 금속 물질로 이루어질 수 있다. 제1 기판(110)에서 차광막 패턴(120)이 형성된 영역은 외부로부터 제공된 광을 차단하는 차광 영역(BA)에 대응하고, 차광막 패턴(120)에 의해서 매트릭스 형태로 구획된 영역은 광을 투과시키는 투광 영역(TA)에 대응한다. 차광막 패턴(120) 사이에 컬러 필터(130)가 형성된다. 컬러 필터(130)는 적색 필터, 녹색 필터, 및 청색 필터가 교대로 배치됨으로써 이루어질 수 있다. The first substrate 110 is made of a transparent insulating material such as glass. The light blocking film pattern 120 is positioned on the first insulating substrate 110. The light blocking layer pattern 120 may be formed of a material that blocks light, for example, an organic material such as a photoresist or a metal material such as chromium. An area in which the light shielding film pattern 120 is formed in the first substrate 110 corresponds to a light shielding area BA that blocks light provided from the outside, and a region partitioned in a matrix by the light shielding film pattern 120 transmits light. It corresponds to the light transmission area TA. The color filter 130 is formed between the light blocking film patterns 120. The color filter 130 may be formed by alternately arranging a red filter, a green filter, and a blue filter.

오버 코팅층(140)이 차광막 패턴(120) 및 컬러 필터(130)가 형성된 제1 기판(110)을 덮는다. 오버 코팅층(140)은 컬러 필터(130)와 차광막 패턴(120) 사이에 발생하는 단차를 제거한다.The overcoat layer 140 covers the first substrate 110 on which the light blocking film pattern 120 and the color filter 130 are formed. The overcoating layer 140 removes a step generated between the color filter 130 and the light blocking film pattern 120.

오버 코팅층(140) 상에 공통 전극(150) 및 제1 배향막(160)이 차례로 위치한다. 공통 전극(150)은 인듐-주석-산화막(ITO:Indium Tin Oxide) 또는 인듐-아연-산화막(IZO:Indium Zinc Oxide)과 같은 투명한 도전 물질로 이루어진다. 배향막(160)은 무기물 예컨대, 실리콘 산화물(SiOX)로 이루어질 수 있다. 차광 영역(BA)의 중앙부(S)에 위치하는 제1 배향막(160)에 이온 수집자가 위치한다.The common electrode 150 and the first alignment layer 160 are sequentially disposed on the overcoat layer 140. The common electrode 150 is made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). The alignment layer 160 may be made of an inorganic material, for example, silicon oxide (SiO X ). The ion collector is positioned in the first alignment layer 160 positioned in the central portion S of the light blocking area BA.

화학 구조식 1은 배향막을 구성하는 실리콘 산화물의 화학 구조식을 개략적 으로 보여주고, 화학 구조식 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 수집자를 갖는 실리콘 산화물의 화학 구조식을 개략적으로 보여준다.Chemical structure 1 schematically shows the chemical structure of the silicon oxide constituting the alignment layer, and chemical structure 2 schematically shows the chemical structure of the silicon oxide having an ion collector according to an embodiment of the present invention.

[화학 구조식 1][Chemical Structural Formula 1]

Figure 112006002010564-PAT00001
Figure 112006002010564-PAT00001

[화학 구조식 2][Chemical Structural Formula 2]

Figure 112006002010564-PAT00002
Figure 112006002010564-PAT00002

즉, 이온 수집자는 제1 배향막(160)과 별도로 형성되는 것이 아니라, 소정 영역의 배향막(160)에 대하여 레이저 또는 이온빔 처리를 함으로써 형성될 수 있다. 즉, 제1 배향막(160)의 표면에 레이저 또는 이온빔을 처리하면, 배향막(160)을 구성하는 실리콘 산화물 표면에 댕글링 본드(dangling bond)가 형성된다. 이에 따라, 실리콘 원자와 산소 원자가 이온화되고, 이렇게 이온화된 실리콘 원자와 산소 원자가 불순물 이온의 수집자로서 기능한다. 다만, 투광 영역(TA) 내에서 액정 배향은 화상 구현에 큰 영향을 미치므로, 화상 구현에 영향을 미치지 않는 차광 영역(BA) 내에만 이온 수집자가 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 차광 영역(BA)의 가장자리(R)에서 배향막(160)의 성질이 변하는 경우에 투광 영역(TA) 내의 액정 배향에 나쁜 영향을 미칠 수 있으므로, 이온 수집자는 차광 영역(BA)의 중앙부(S)에서만 형성되는 것이 바람직하다. 따라서, 차광 영역(BA)의 가장자리(R)의 폭은 3㎛ 이상 될 수 있다. 즉, 차광 영역(BA)의 중앙부(S)는 상기 차광 영역(BA)과 상기 투광 영역(TA)의 경계로부터 적어도 3㎛ 이격될 수 있다.That is, the ion collector is not formed separately from the first alignment layer 160, but may be formed by laser or ion beam treatment of the alignment layer 160 in a predetermined region. That is, when a laser or an ion beam is processed on the surface of the first alignment layer 160, dangling bonds are formed on the surface of the silicon oxide constituting the alignment layer 160. Accordingly, the silicon atom and the oxygen atom are ionized, and the ionized silicon atom and the oxygen atom function as collectors of impurity ions. However, since the alignment of the liquid crystal in the transmissive area TA has a great influence on the image realization, it is preferable that the ion collector be formed only in the light shielding area BA that does not affect the image realization. In addition, when the property of the alignment layer 160 is changed at the edge R of the light blocking area BA, the alignment of the liquid crystals in the light transmitting area TA may be adversely affected. It is preferable to form only in S). Therefore, the width of the edge R of the light blocking area BA may be 3 μm or more. That is, the central portion S of the light blocking area BA may be spaced at least 3 μm from a boundary between the light blocking area BA and the light transmitting area TA.

제2 표시 기판(200)은 제2 기판(210), 박막 트랜지스터(미도시), 화소 전극(250), 및 제2 배향막(260)을 포함한다.The second display substrate 200 includes a second substrate 210, a thin film transistor (not shown), a pixel electrode 250, and a second alignment layer 260.

제2 기판(210)은 유리와 같은 투명한 절연 물질로 이루어진다. 제2 기판(210) 상에 서로 직교하는 방향으로 연장된 다수의 게이트 라인(220)과 다수의 데이터 라인(미도시)에 의해서 매트릭스 형태로 다수의 화소 영역(PA)이 배치된다. 다수의 게이트 라인(220)과 다수의 데이터 라인은 차광 영역(BA)에 구비된다.The second substrate 210 is made of a transparent insulating material such as glass. A plurality of pixel areas PA is disposed in a matrix form by a plurality of gate lines 220 and a plurality of data lines (not shown) extending in directions perpendicular to each other on the second substrate 210. The plurality of gate lines 220 and the plurality of data lines are provided in the light blocking area BA.

각 화소 영역(PA) 내에는 박막 트랜지스터 및 화소 전극(250)으로 이루어진 화소가 구비된다. 박막 트랜지스터는 게이트 라인(220)으로부터 분기된 게이트 전극, 데이터 라인으로부터 분기된 소오스 전극, 및 소오스 전극과 이격된 드레인 전극을 구비한다. 드레인 전극은 화소 전극(250)과 전기적으로 연결된다.Each pixel area PA includes a pixel including a thin film transistor and a pixel electrode 250. The thin film transistor includes a gate electrode branched from the gate line 220, a source electrode branched from the data line, and a drain electrode spaced apart from the source electrode. The drain electrode is electrically connected to the pixel electrode 250.

제2 표시 기판(200)은 게이트 라인(220)과 화소 전극(250) 사이에 형성된 게 이트 절연막(230) 및 유기막(240)을 더 구비할 수 있다.The second display substrate 200 may further include a gate insulating layer 230 and an organic layer 240 formed between the gate line 220 and the pixel electrode 250.

제2 배향막(260)에도 차광 영역(BA)의 중앙부(S)에 이온 수집자가 위치할 수 있다. 제2 배향막(260)에 위치하는 이온 수집자도 레이저 또는 이온빔 조사에 의해 형성될 수 있다.In the second alignment layer 260, the ion collector may be positioned at the central portion S of the light blocking area BA. Ion collectors positioned on the second alignment layer 260 may also be formed by laser or ion beam irradiation.

제1 표시 기판(100)은 공통 전극(150)이 제2 표시 기판(200)의 화소 전극(250)과 마주하도록 제2 표시 기판(100)과 대향하여 결합된다. 이때, 제1 표시 기판(100)과 제2 표시 기판(200)은 두 표시 기판 사이에 배치된 스페이서(미도시)에 의해서 소정 간격으로 이격될 수 있다. The first display substrate 100 is coupled to face the second display substrate 100 such that the common electrode 150 faces the pixel electrode 250 of the second display substrate 200. In this case, the first display substrate 100 and the second display substrate 200 may be spaced apart from each other by a spacer (not shown) disposed between the two display substrates.

제1 표시 기판(100)과 제2 표시 기판(200) 사이에 구비된 액정층(미도시) 내에 포함된 불순물 이온들은 차광 영역(BA)의 배향막(160,260)에 형성된 이온 수집자에 의해 흡수될 수 있다. 이에 의해, 표시 장치(300)의 전압 보전율이 상승할 수 있다. 배향막(160,260)을 무기막으로 형성함으로써, 유기 배향막을 형성할 때 발생할 수 있는 공정상 문제점들을 해결할 수 있어 표시 장치의 신뢰성이 증대된다. Impurity ions included in the liquid crystal layer (not shown) provided between the first display substrate 100 and the second display substrate 200 may be absorbed by the ion collectors formed on the alignment layers 160 and 260 of the light blocking area BA. Can be. As a result, the voltage holding ratio of the display device 300 may increase. By forming the alignment layers 160 and 260 as inorganic layers, process problems that may occur when forming the organic alignment layer may be solved, thereby increasing the reliability of the display device.

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법이 설명된다.Hereinafter, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described.

도 2a 및 도 2b는 제1 표시 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.  2A and 2B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a first display substrate.

먼저, 도 2a를 참조하면, 차광 영역(BA)과 투광 영역(TA)을 포함하는 제1 기 판(110) 상에 차광막 패턴(120)이 형성된다. 차광막 패턴(120)은 차광 영역(BA)에 대응한다. 제1 기판(110)은 유리와 같은 투명한 절연 물질로 형성될 수 있으며, 차광막 패턴(120)은 포토레지스트와 같은 유기 물질 또는 크롬과 같은 금속 물질로 형성될 수 있다. 차광막 패턴(120) 사이에 컬러 필터(130)가 형성된다. 컬러 필터(130)는 적색, 녹색, 및 청색으로 염색된 포토레지스트로 형성될 수 있다. 컬러 필터(130)와 차광막 패턴(120) 사이의 단차를 제거하기 위한 오버 코팅층(140)이 형성될 수 있다. First, referring to FIG. 2A, a light blocking film pattern 120 is formed on a first substrate 110 including a light blocking area BA and a light transmitting area TA. The light blocking film pattern 120 corresponds to the light blocking area BA. The first substrate 110 may be formed of a transparent insulating material such as glass, and the light blocking layer pattern 120 may be formed of an organic material such as a photoresist or a metal material such as chromium. The color filter 130 is formed between the light blocking film patterns 120. The color filter 130 may be formed of photoresist dyed red, green, and blue. An overcoating layer 140 may be formed to remove a step between the color filter 130 and the light blocking layer pattern 120.

오버 코팅층(140) 상에 공통 전극(150)과 제1 배향막(160)이 차례로 형성된다. 공통 전극(150)은 인듐-주석-산화막(ITO:Indium Tin Oxide) 또는 인듐-아연-산화막(IZO:Indium Zinc Oxide)과 같은 투명한 도전 물질로 형성될 수 있다. 제1 배향막(160)은 증착법을 통해 무기 물질 예컨대, 실리콘 산화물(SiOX)로 형성될 수 있다. 이렇게 무기 배향막은 증착법으로 형성될 수 있기 때문에 유기 배향막을 형성할 때 거치는 배향막의 건조/가열 공정을 요하지 않는다. 따라서, 형성 과정이 매우 단순해져서 수율이 증가할 수 있다. 또한, 유기 물질에 의해 액정 표시 장치가 오염될 염려가 없으므로 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.The common electrode 150 and the first alignment layer 160 are sequentially formed on the overcoat layer 140. The common electrode 150 may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). The first alignment layer 160 may be formed of an inorganic material such as silicon oxide (SiO X ) through a deposition method. Since the inorganic alignment layer can be formed by a vapor deposition method as described above, a drying / heating step of the alignment layer that passes through the organic alignment layer is not required. Therefore, the forming process can be very simple and the yield can be increased. In addition, since the liquid crystal display device may not be contaminated by organic materials, the reliability of the device may be improved.

도 2b를 참조하면, 제1 배향막(160) 상에 마스크(500)가 배치된다. 마스크(500)는 레이저 또는 이온빔을 통과시키는 투광부(510)와 이를 차단하는 차광부(520)로 구성된다. 레이저 또는 이온빔은 차광 영역(BA)의 중앙부(S)에 대응하는 마스크(500)의 투광부(510)를 통과하여 제1 배향막(160)에 도달한다. 레이저 또는 이온빔이 조사되는 제1 배향막(160)에서는 실리콘 산화물 표면에 댕글링 본드가 생성되어, 이온화된 실리콘 원자와 산소 원자를 갖는, 즉 상기 화학 구조식 2와 같은 이온 수집자가 형성된다. 즉, 이온 수집자는 차광 영역(BA)의 중앙부(S)에 형성되고, 가장자리(R)에는 형성되지 않을 수 있다. 가장자리(R)의 폭은 3㎛ 이상 될 수 있다. 레이저 또는 이온빔을 조사하는 장치에 따라서 마스크(500)를 사용하지 않을 수 있다.Referring to FIG. 2B, a mask 500 is disposed on the first alignment layer 160. The mask 500 includes a light transmitting part 510 for passing a laser or an ion beam and a light blocking part 520 for blocking the light. The laser or ion beam passes through the light transmitting portion 510 of the mask 500 corresponding to the center portion S of the light blocking area BA to reach the first alignment layer 160. In the first alignment layer 160 irradiated with a laser or an ion beam, a dangling bond is formed on the surface of the silicon oxide, thereby forming ion collectors having ionized silicon atoms and oxygen atoms, that is, the chemical formula (2). That is, the ion collector may be formed at the central portion S of the light blocking area BA, and may not be formed at the edge R. The width of the edge R may be 3 μm or more. The mask 500 may not be used depending on a device for irradiating a laser or ion beam.

도 3a 및 도 3b는 제2 표시 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.3A and 3B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a second display substrate.

도 3a를 참조하면, 차광 영역(BA)과 투광 영역(TA)을 포함하는 제2 기판(210) 상에 게이트 라인(220) 및 게이트 절연막(230)이 형성된다. 게이트 라인(220)은 차광 영역(BA)에 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 또는 이들의 합금 등을 적층하여 형성될 수 있으며, 게이트 절연막(230)은 실리콘 질화물로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(230) 상에 유기막(240), 화소 전극(250), 및 제2 배향막(260)이 차례로 형성된다. 도시되지 않았지만, 게이트 절연막(230) 상에 게이트 라인(220)과 교차하는 방향으로 데이터 라인이 형성될 수 있다. 화소 전극(250)은 인듐-주석-산화막(ITO:Indium Tin Oxide) 또는 인듐-아연-산화막(IZO:Indium Zinc Oxide)과 같은 투명한 도전 물질로 형성될 수 있다. 제2 배향막(260)은 증착법을 통해 무기 물질 예컨대, 실리콘 산화물(SiOX)로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3A, a gate line 220 and a gate insulating layer 230 are formed on the second substrate 210 including the light blocking area BA and the light transmitting area TA. The gate line 220 may be formed by stacking molybdenum (Mo), aluminum (Al), an alloy thereof, or the like in the light blocking region BA, and the gate insulating layer 230 may be formed of silicon nitride. The organic layer 240, the pixel electrode 250, and the second alignment layer 260 are sequentially formed on the gate insulating layer 230. Although not shown, a data line may be formed on the gate insulating layer 230 in a direction crossing the gate line 220. The pixel electrode 250 may be formed of a transparent conductive material such as an indium tin oxide (ITO) or an indium zinc oxide (IZO). The second alignment layer 260 may be formed of an inorganic material such as silicon oxide (SiO X ) through a deposition method.

도 3b를 참조하면, 제2 배향막(260) 상에 마스크(600)가 배치된다. 마스크 (600)는 레이저 또는 이온빔을 통과시키는 투광부(610)와 이를 차단하는 차광부(620)로 구성된다. 레이저 또는 이온빔은 차광 영역(BA)의 중앙부(S)에 대응하는 마스크(600)의 투광부(610)를 통과하여 제2 배향막(260)에 도달한다. 레이저 또는 이온빔이 조사되는 제2 배향막(260)에서는 실리콘 산화물 표면에 댕글링 본드가 생성되어, 이온화된 실리콘 원자와 산소 원자를 갖는, 즉 상기 화학 구조식 2와 같은 이온 수집자가 형성된다. 즉, 이온 수집자는 차광 영역(BA)의 중앙부(S)에 형성되고, 가장자리(R)에는 형성되지 않을 수 있다. 가장자리(R)의 폭은 3㎛ 이상 될 수 있다. 레이저 또는 이온빔을 조사하는 장치에 따라서 마스크(600)를 사용하지 않을 수 있다.Referring to FIG. 3B, a mask 600 is disposed on the second alignment layer 260. The mask 600 includes a light transmitting part 610 for passing a laser or an ion beam and a light blocking part 620 for blocking the light. The laser or ion beam passes through the light transmitting portion 610 of the mask 600 corresponding to the center portion S of the light blocking area BA to reach the second alignment layer 260. In the second alignment layer 260 to which the laser or ion beam is irradiated, dangling bonds are formed on the surface of the silicon oxide, thereby forming ion collectors having ionized silicon atoms and oxygen atoms, that is, the chemical formula (2). That is, the ion collector may be formed at the central portion S of the light blocking area BA, and may not be formed at the edge R. The width of the edge R may be 3 μm or more. The mask 600 may not be used depending on a device for irradiating a laser or ion beam.

또한, 제2 배향막(260)의 이온 수집자는 제1 배향막(160)의 이온 수집자와 대응되는 위치에 형성되기 때문에, 제1 배향막(160)에 이온 수집자를 형성할 때 사용한 마스크와 동일한 마스크를 사용할 수 있다.In addition, since the ion collector of the second alignment layer 260 is formed at a position corresponding to the ion collector of the first alignment layer 160, the same mask as that used to form the ion collector on the first alignment layer 160 is used. Can be used.

이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예(들)를 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 본 명세서에 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.So far, the present invention has been described with reference to the preferred embodiment (s). Those skilled in the art will appreciate that the present invention can be implemented in a modified form without departing from the essential features of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed herein should be considered in descriptive sense only and not for purposes of limitation. The scope of the present invention is shown in the claims rather than the foregoing description, and all differences within the scope will be construed as being included in the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 공정상 여러 문제점을 갖는 유기 배향막 대신에 무기 배향막을 형성할 수 있어 장치의 신뢰성이 증대될 수 있다. According to one embodiment of the present invention, an inorganic alignment layer may be formed instead of an organic alignment layer having various problems in process, thereby increasing reliability of the device.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 무기 배향막 내에 액정층의 불순물 이온들을 흡수할 수 있는 이온 수집자를 형성할 수 있어 무기 배향막의 단점을 보완할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, an ion collector capable of absorbing impurity ions of the liquid crystal layer may be formed in the inorganic alignment layer, thereby making up for the disadvantages of the inorganic alignment layer.

Claims (10)

차광 영역과 투광 영역을 포함하는 제1 기판 및 제2 기판;A first substrate and a second substrate including a light blocking region and a light transmitting region; 상기 제1 기판 상에 형성된 차광막 패턴;A light blocking film pattern formed on the first substrate; 상기 차광막 패턴 상에 형성된 제1 무기 배향막;A first inorganic alignment layer formed on the light blocking layer pattern; 상기 제2 기판 상에 형성된 신호 배선;A signal wire formed on the second substrate; 상기 신호 배선 상에 형성된 제2 무기 배향막; 및A second inorganic alignment layer formed on the signal line; And 상기 차광 영역 내의 상기 제1 무기 배향막 및 상기 제2 무기 배향막 중 적어도 어느 하나에 형성된 이온 수집자를 포함하는 표시 장치.And an ion collector formed on at least one of the first inorganic alignment layer and the second inorganic alignment layer in the light blocking region. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 및 제2 무기 배향막은 실리콘산화물로 이루어진 표시 장치.The first and second inorganic alignment layers are formed of silicon oxide. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 이온 수집자는 레이저 또는 이온빔의 조사에 의해 상기 제1 무기 배향막 및 상기 제2 무기 배향막 중 적어도 어느 하나의 표면에 형성된 댕글링 본드인 표시 장치.The ion collector is a dangling bond formed on a surface of at least one of the first inorganic alignment layer and the second inorganic alignment layer by irradiation of a laser or an ion beam. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 이온 수집자는 상기 차광 영역의 중앙부에 형성된 표시 장치.The ion collector is formed in the center of the light blocking area. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 차광 영역의 중앙부는 상기 차광 영역 및 투광 영역의 경계로부터 적어도 3㎛ 이격된 표시 장치.And a central portion of the light blocking area spaced at least 3 μm from a boundary between the light blocking area and the light transmitting area. 차광 영역 및 투광 영역을 포함하는 제1 기판 및 제2 기판을 준비하고;Preparing a first substrate and a second substrate including a light blocking region and a light transmitting region; 상기 제1 기판 상에 차광막 패턴을 형성하고;Forming a light shielding film pattern on the first substrate; 상기 차광막 패턴 상에 제1 무기 배향막을 형성하고;Forming a first inorganic alignment layer on the light shielding pattern; 상기 제2 기판 상에 신호 배선을 형성하고;Forming signal wiring on the second substrate; 상기 신호 배선 상에 제2 무기 배향막을 형성하고;Forming a second inorganic alignment film on the signal wiring; 상기 차광 영역 내의 상기 제1 무기 배향막 및 상기 제2 무기 배향막 중 적어도 어느 하나에 이온 수집자를 형성하는 것을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.And forming an ion collector on at least one of the first inorganic alignment layer and the second inorganic alignment layer in the light blocking region. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1 및 제2 무기 배향막은 실리콘산화물로 형성되는 표시 장치의 제조 방법.The first and second inorganic alignment layers are formed of silicon oxide. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 이온 수집자를 형성하는 것은,Forming the ion collector, 상기 제1 무기 배향막 및 상기 제2 무기 배향막 중 적어도 어느 하나에 레이 저 또는 이온빔을 조사하는 것에 의해 이루어지는 표시 장치의 제조 방법.A method of manufacturing a display device by irradiating at least one of the first inorganic alignment layer and the second inorganic alignment layer with a laser or an ion beam. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 이온 수집자는 상기 차광 영역 및 투광 영역의 경계로부터 적어도 3㎛ 이격되어 형성되는 표시 장치의 제조 방법.And the ion collector is formed at least 3 μm apart from a boundary between the light blocking region and the light transmitting region. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1 및 제2 무기 배향막의 두께가 100nm이고,The thickness of the first and second inorganic alignment layers is 100 nm, 상기 조사(照射)되는 레이저 또는 이온빔의 에너지는 20~140mJ인 표시 장치의 제조 방법.The energy of the irradiated laser or ion beam is 20 ~ 140mJ manufacturing method of the display device.
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