KR20070073265A - 액정 표시 장치 및 그 구동 방법 - Google Patents

액정 표시 장치 및 그 구동 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 극저온 환경에서 동작 가능한 액정 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치는 게이트 라인이 형성된 액정 패널과; 상기 액정 패널 구동시 필요한 다수의 전압들을 생성함과 아울러 서로 다른 전압 레벨을 가지는 다수의 게이트 온 전압을 생성하는 전원부와; 온도에 따라 다수의 게이트 온 전압 중 어느 하나를 선택하는 게이트 전압 선택부와; 상기 게이트 라인에 상기 선택된 게이트 온 전압을 공급하는 게이트 구동부를 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

액정 표시 장치 및 그 구동 방법{Liquid Crystal Display And Driving Method Thereof}
도1a 및 도1b는 종래의 아날로그 구동 전압을 이용한 온도 보상 회로에 따른 문제점을 나타낸 그림이다.
도2는 본 발명에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도3은 본 발명에 따른 게이트 온 전압 발생부로부터 생성된 제 1 및 제 2 게이트 온 전압을 나타내는 파형도이다.
도4는 본 발명에 따른 게이트 온 전압 발생부를 나타내는 회로도이다.
도5는 본 발명에 따른 게이트 온 전압 선택부를 나타내는 회로도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
102 : 전원부 104 : 게이트 온 전압 선택부
106 : 데이터 구동부 108 : 게이트 구동부
110 : 타이밍 제어부 112 : 액정 표시 패널
116 : 게이트 온 전압 발생부 132 : 온도보상부
134 : 클럭 발생부
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 구동방법에 관한 것이며, 특히 극저온 환경에서 동작가능한 액정 표시 장치 및 그 구동방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치(LCD: Liquid Crystal Display)는 경박 단소하고 저전압 구동과 저 전력 소모하는 장점을 바탕으로 널리 이용되고 있다. 또한, 액정 표시 장치는 그 응용분야도 다양하며, 노트북 컴퓨터, 휴대폰, 카 네비게이션 시스템(CNC: Car Navigation System), 캠코더 등 각종 전자기기에 널리 사용되고 있다.
그러나, 액정 표시 장치의 스위칭 소자로 이용되는 박막트랜지스터는 -20˚C와 같은 극저온 환경에서 제대로 턴온/오프되지 않는다. 이는 박막 트랜지스터의 채널을 형성하는 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘의 이동도가 저하되기 때문이다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 박막 트랜지스터 턴 온 특성에 큰 영향을 미치는 게이트 온 전압을 생성하는 아날로그 구동전압을 변화시키는 온도 보상회로가 제안되었다.
이 온도 보상 회로는 아날로그 구동 전압 값을 변화시켜 게이트 온 전압 값을 변화시킨다. 변화된 게이트 온 전압 값에 의해 박막 트랜지스터 턴 온 특성이 변화되어 극저온에서도 액정 표시는 제대로 동작하게 된다.
그러나, 극저온에서 박막 트랜지스터를 턴온시키기 위해 게이트 온 전압을 높히면, 아날로그 구동 전압 레벨이 증가하게 되어 데이터 드라이버의 스윙 폭이 커지므로 소비 전류가 증가하게 된다. 소비 전류의 증가 폭은 아날로그 구동 전압 1V 당 약 10mA로 보통 게이트 온 전압 레벨이 5V정도 상승하여야 온도 보상 회로가 제대로 동작한다고 볼 때 50mA의 소비 전류 증가가 있다는 문제점이 있다.
또한, 아날로그 구동 전압을 이용하여 다수의 감마 전압을 생성하는 감마 커브도 온도보상 회로에 의해 아날로그 구동 전압 값이 변하게 되면서 세팅된 감마값이 틀어지게 된다.
이 경우, 도1a에 도시된 바와 같이 정상 온도시 액정 표시 장치는 일정한 아날로그 전압이 유지되어 정상적인 화면을 갖지만, 도1b에 도시된 바와 같이 기준치 이하에 온도에서는 아날로그 구동 전압 값이 변하게 되어 감마값이 틀어져 버려 정상적인 화면보다 어둡게 보이는 현상이 종종 일어난다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 극저온 환경에서 동작가능한 액정 표시 장치 및 그 구동 방법을 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 게이트 라인이 형성된 액정 패널과; 상기 액정 패널 구동시 필요한 다수의 전압들을 생성함과 아울러 서로 다른 전압 레벨을 가지는 다수의 게이트 온 전압을 생성하는 전원부와; 온도에 따라 다수의 게이트 온 전압 중 어느 하나를 선택하는 게이트 전 압 선택 부와; 상기 게이트 라인에 상기 선택된 게이트 온 전압을 공급하는 게이트 구동부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 전원부는 상기 온도가 정상 온도시 이용되는 제 1 게이트 온 전압을 생성하고, 상기 정상 온도보다 낮은 저온인 경우 제 1 게이트 온 전압보다는 높은 제 2 게이트 온 전압을 생성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 게이트 전압 선택부는 상기 온도에 따라 외부로부터의 클럭 신호를 가변시켜 출력하는 온도보상부와; 상기 온도 보상부로부터의 클럭 신호에 응답하여 상기 정상 온도시 상기 제 1 게이트 온 전압을 상기 게이트 구동부에 공급하는 제 1 트랜지스터와; 상기 저온시 상기 제 1 트랜지스터의 턴 오프에 응답하여 상기 제 2 게이트 온 전압을 상기 게이트 구동부를 공급하는 제 2 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 한다.
이때, 액정 표시 장치의 상기 온도 보상부는 직렬로 접속된 다수의 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 구동방법은 서로 다른 전압 레벨을 가지는 다수의 게이트 온 전압을 생성하는 단계와; 온도에 따라 다수의 게이트 온 전압 중 어느 하나를 선택하는 단계와; 상기 선택된 게이트 온 전압을 액정 표시 패널의 게이트 라인에 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
특히, 상기 다수의 게이트 온 전압을 생성하는 단계는 상기 온도가 정상 온도시 이용되는 제 1 게이트 온 전압과, 상기 정상 온도보다 낮은 저온시 상기 제 1 게이트 온 전압보다 높은 제 2 게이트 온 전압을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
한편, 상기 다수의 게이트 온 전압 중 어느 하나를 선택하는 단계는 상기 정상 온도인 경우 온도보상부에 의해 스윙폭이 상대적으로 적게 감소된 클럭 신호에 응답하여 턴 온된 제 1 트랜지스터에 의해 상기 제 1 게이트 온 전압을 선택하는 단계와; 상기 정상 온도보다 낮은 저온 경우 상기 온도보상부에 의해 스윙폭이 상대적으로 크게 감소된 클럭 신호에 응답하여 제 1 트랜지스터를 턴 오프시키는 단계와; 상기 제 1 트랜지스터의 턴오프에 응답하여 턴온된 제 2 트랜지스터에 의해 상기 제 2 게이트 온 전압을 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 클럭 신호는 상기 온도에 따라 문턱 전압이 가변되는 직렬로 접속된 다수의 다이오드를 경유하면서 스윙폭이 가변되는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시 예 도2 내지 도5를 참조하여 설명하기로 한다.
도2는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 모듈을 도시한 블록도이다.
도2에 도시된, 액정 표시 장치는 화소 매트릭스를 갖는 액정 패널(112)과, 액정 패널(112)의 게이트 라인들(GL1 내지 GLn)을 구동하기 위한 게이트 구동부(108)와, 액정 패널(112)의 데이터 라인들(DL1 내지 DLm)을 구동하기 위한 데이터 구동부(106)와, 게이트 구동부(108)와 데이터 구동부(106)의 구동 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어부(110)와, 액정 표시 장치 구동시 필요로 하는 게이트 온 전압(Von1, Von2)을 공급하는 전원부(102)와, 전원부(102)에서 생성된 서로 다른 두 개의 게이트 온 전압 중 어느 하나를 선택하는 게이트 온 전압 선택부(104)를 구비한다.
액정 패널(112)은 게이트 라인들(GL)과 데이터 라인들(DL)의 교차로 정의되는 영역마다 형성된 화소들로 구성된 화소 매트릭스를 구비한다. 화소들 각각은 화소 신호에 따라 광 투과량을 조절하는 액정 셀(Clc)과, 액정 셀(Clc)을 구동하기 위한 박막 트랜지스터(TFT)들을 구비한다.
박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 라인(GL)에 제 1 및 제 2 게이트 온 전압(Von1, Von2) 중 어느 하나에 공급되는 경우 턴온되어 데이터 라인 (DL)으로부터의 화소 신호를 액정셀(Clc)에 공급한다. 그리고, 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 라인(GL)에 게이트-오프 전압(VGL)이 공급되는 경우 턴-오프되어 액정셀(Clc)에 충전된 화소 신호가 유지되게 한다.
액정셀(Clc)은 등가적으로 캐패시터로 표현되며, 액정을 사이에 두고 대면하는 공통 전극과 박막 트랜지스터(TFT)에 접속된 화소 전극으로 구성된다. 그리고, 액정셀(Clc)은 충전된 화소 신호가 다음 화소 신호가 충전될 때까지 안정적으로 유지되게 하기 위하여 스토리지 캐패시터(도시하지 않음)를 더 구비한다. 이러한 액정셀(Clc)은 박막 트랜지스터(TFT)를 통해 충전되는 화소 신호에 따라 유전 이방성을 가지는 액정의 배열 상태가 가변하여 광 투과율을 조절함으로써 계조를 구현하게 된다.
게이트 구동부(108)는 타이밍 제어부(110)로부터의 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse; GSP)를 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock; GSC)에 따라 쉬프트시 켜 게이트 라인들(GL1 내지 GLm)에 순차적으로 전원부(102)로부터의 게이트 온 전압(VGH)의 스캔 펄스를 공급한다. 이때, 게이트 구동부(108)는 액정 패널(112) 또는 그 주변 온도가 정상인 경우 도3에 도시된 제 1 게이트 온 전압(Von1)의 스캔 펄스를 게이트 라인(GL)들에 공급하며, 액정 패널(112) 또는 그 주변 온도가 저온인 경우 제 1 게이트 온 전압(Von1)보다 높은 제 2 게이트 온 전압(Von2)의 스캔 펄스를 게이트 라인(GL)들에 공급한다.
그리고, 게이트 구동부(108)는 게이트 라인들(GL)에 게이트 온 전압(VGH)의 스캔 펄스가 공급되지 않는 나머지 기간에서는 전원부(102)로부터의 게이트-오프 전압(VGL)을 공급하게 된다.
또한, 게이트 구동부(108)는 스캔 펄스의 펄스 폭을 타이밍 제어부(110)로부터의 게이트 출력 이네이블(Gate Output Enable; GOE) 신호에 따라 제어하게 된다.
데이터 구동부(106)는 타이밍 제어부(110)로부터의 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse; SSP)를 소스 쉬프트 클럭(Source Shift Clock; SSC)에 따라 쉬프트시켜 샘플링 신호를 발생한다. 그리고, 데이터 구동부(106)는 상기 SSC에 따라 입력되는 화소 데이터(RGB)를 상기 샘플링 신호에 따라 래치한 후 소스 출력 이네이블(Source Output Enable; SOE) 신호에 응답하여 라인 단위로 공급한다. 이어서, 데이터 드라이버(106)는 라인 단위로 공급되는 화소 데이터(RGB)를 감마 전압 부(도시하지 않음)로부터의 감마 전압을 아날로그 화소 신호로 변환하여 데이터 라인들(DL)에 공급한다. 여기서, 데이터 구동부(106)는 상기 화소 데이터를 화소 신호로 변환할 때 타이밍 제어부(110)로부터의 극성 제어(POL) 신호에 응답하여 그 화소 신호의 극성을 결정하게 된다. 그리고, 데이터 구동부(106)는 상기 소스 출력 이네이블(SOE) 신호에 응답하여 상기 화소 신호가 데이터 라인들(DL)에 공급되는 기간을 결정한다.
타이밍 제어부(110)는 게이트 구동부(108)를 제어하는 GSP, GSC, GOE 신호 등을 발생하고, 데이터 구동부(106)를 제어하는 SSP, SSC, SOE, POL 신호 등을 발생한다. 이 경우, 타이밍 제어부(110)는 외부로부터 입력되는 유효 데이터 구간을 알리는 데이터 이네이블(Data Enable; DE) 신호, 수평 동기 신호(Hsync), 수직 동기 신호(Vsync), 화소 데이터(RGB)의 전송 타이밍을 결정하는 도트 클럭(Dot Clock; DCLK)을 이용하여 상기 GSP, GSC, GOE, SSP, SSC, SOE, POL 등과 같은 제어신호들을 생성하게 된다.
전원부(102)는 디지털 구동 전압을 타이밍 제어부(106) 및 데이터 구동부(108)로, 아날로그 구동 전압(AVDD)을 데이터 구동부(108)로, 게이트 오프 전압(Voff)을 게이트 구동부(108)로 공급한다. 또한, 전원부(102)는 액정 패널(112)의 액정셀 구동시 기준이 되는 공통 전압(Vcom)을 발생하여 공통 전극에 공급한다. 이러한 전원부(102)는 서로 다른 전압 레벨을 갖는 제 1 및 제 2 게이트 온 전압 신호(Von1,Von2)를 생성하는 게이트 온 전압 발생부(116)를 포함한다.
게이트 온 전압 발생부(116)는 도 4에 도시된 바와 같이 직렬로 연결된 제 1 내지 제 6 다이오드(D1, D2, D3, D4, D5, D6)와, 병렬로 연결된 제 1 내지 6 캐패시터(C1, C2, C3, C4, C5, C6)를 포함하여 제 1 및 제 2 게이트 온 전압(Von1, Von2)을 생성한다.
이러한 게이트 온 전압 발생부(116)의 동작 과정을 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 제 1 다이오드(D1)를 경유하여 공급되는 아날로그 구동 전압(AVDD)은 제 1 캐패시터(C1)를 통해 펄스 폭 변조기로부터의 클럭 펄스 신호(PWM_SW)와 가산되어 제 1 게이트 온 가전압으로 상승된다. 제 1 게이트 가전압은 제 2 다이오드(D2)를 경유하여 제 2 캐패시터(C2)에 의해 아날로그 구동 전압(AVDD)과 가산되어 제 2 게이트 가전압으로 상승한다. 제 2 게이트 가전압은 제 3 다이오드(D3)를 경유하여 제 3 캐패시터(C3)로부터의 클럭 펄스 신호(PWM_SW)와 가산되어 제 3 게이트 가전압으로 상승된다. 제 3 게이트 가전압은 제 4 다이오드(D4)를 경유하여 제 4 캐패시터(C4)에 의해 아날로그 구동 전압(AVDD)이 가산되어 제 4 게이트 가전압으로 상승된다.
이때, 제 4 게이트 가전압은 정상 온도시 제 1 게이트 온 전압(Von1)으로 이용된다. 제 1 게이트 온 전압(Von1)은 제 5 다이오드(D5)를 경유하여 제 5 캐패시터(C5)에 의해 클럭 펄스 신호(PWM_SW)와 가산되어 제 5 게이트 가전압으로 상승된다. 제 5게이트 가전압은 제 6 다이오드(D6)를 경유하여 제 6 캐패시터(C6)에 의해 아날로그 구동 전압(AVDD)이 가산되어 제 6 게이트 가전압으로 상승된다. 이때, 제 6 게이트 가전압은 저온시 제 2 게이트 온 전압(Von2)으로 이용된다.
게이트 온 전압 선택부(104)는 도 5에 도시된 바와 같이 온도에 따라 클럭 발생부(134)로부터의 클럭 신호를 가변시켜 출력하는 온도 보상부(132)와, 온도 보상부(132)로부터의 클럭 신호를 응답하여 제 1 게이트 온 전압(Von1)을 제 1 노드(n1)로 출력하는 제 1 트랜지스터(Q1)와, 제 1 노드(n1)에 공급된 제 1 트랜지스터 (Q1)의 출력 신호에 응답하여 제 2 게이트 온 전압(Von2)을 출력하는 제 2 트랜지스터(Q2)와, 제 1 노드(n1)와 접속된 풀 다운 저항(R)을 구비한다.
온도 보상부(132)는 제 1 트랜지스터(Q1)와 클럭 발생부(134) 사이에 직렬 접속된 다수의 다이오드(D7,D8,D9)를 구비한다. 다수의 다이오드(D7,D8,D9) 각각은 온도에 따라 문턱전압이 가변하여 저온인 경우 입출력 양단 간의 전압 차를 증가하게 된다. 즉, 정상온도인 경우 다수의 다이오드(D7,D8,D9)가 직렬로 접속된 입출력 양단 간의 전압 차가 적으므로 온도 보상부(132)는 클럭 신호의 하이 전압을 상대적으로 적게 감소시킨다. 이에 따라, 온도 보상부(132)는 스윙폭이 상대적으로 적게 감소된 클럭 신호를 제 1 트랜지스터(Q1)의 베이스 단자로 공급한다. 그리고, 저온인 경우 다수의 다이오드(D7,D8,D9)가 직렬로 접속된 입출력 양단 간의 전압 차가 크므로 온도 보상부(132)는 클럭 신호의 하이 전압을 상대적으로 크게 감소시킨다. 이에 따라, 온도 보상부(132)는 스윙폭이 상대적으로 크게 감소된 클럭 신호를 제 1 트랜지스터(Q1)의 베이스 단자로 공급한다.
제 1 트랜지스터(Q1)는 온도 보상부(132)의 출력 단자와 접속된 베이스 단자와, 제 1 게이트 온 전압(Von1) 단자와 접속된 콜렉터 단자와, 제 1 노드(n1)와 접속된 이미터 단자를 구비하는 N형 트랜지스터로 형성된다.
이러한 제 1 트랜지스터(Q1)는 정상 온도인 경우 베이스 단자로 공급된 스윙폭이 상대적으로 적게 감소된 클럭 신호에 응답하여 턴온되어 그의 콜렉터 단자로부터의 제 1 게이트 온 전압(Von1)을 그의 이미터 단자와 접속된 제 1 노드(n1)를 통해 게이트 구동부(108)로 공급한다. 그리고, 제 1 트랜지스터(Q1)는 저온인 경우 베이스 단자로 공급된 스윙폭이 상대적으로 크게 감소된 클럭 신호에 응답하여 턴오프됨으로써 제 1 노드(n1)에 공급된 제 1 게이트 온 전압(Von1)은 그라운드 전압으로 전압강하된다.
제 2 트랜지스터(Q2)는 제 1 노드(n1)의 전압 신호를 전압강하시키는 풀 다운 저항(R)과 접속된 베이스 단자와, 제 1 노드(n1)와 접속된 이미터 단자와, 제 2 게이트 온 전압(Von2) 단자와 접속된 콜렉터 단자를 구비하는 P형 트랜지스터로 형성된다.
이러한 제 2 트랜지스터(Q2)는 베이스 단자로 공급된 제 1 노드(n1)로부터의 그라운드 전압에 응답하여 턴온됨으로써 그의 콜렉터 단자로부터의 제 2 게이트 온 전압(Von2)을 그의 이미터 단자와 접속된 제 1 노드(n1)를 통해 게이트 구동부로 공급한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 장치 및 그 구동방법은 기준치 이하의 온도, 즉 저온인 경우 정상 온도 시 게이트 라인들에 공급된 제 1 게이트 온 전압보다 높은 제 2 게이트 온 전압을 게이트 라인들에 공급한다. 이에 따라, 본 발명에 따른 액정표시 장치 및 구동 방법은 아날로그 구동 전압의 변동이 없으므로 감마 커브의 변동이 발생되는 것을 방지함과 동시에 아울러 소비 전류 증가를 최소화할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니 하는 범위에서 다양한 변경 및 수정 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.

Claims (8)

  1. 게이트 라인이 형성된 액정 패널과;
    상기 액정 패널 구동시 필요한 다수의 전압들을 생성함과 아울러 서로 다른 전압 레벨을 가지는 다수의 게이트 온 전압을 생성하는 전원부와;
    온도에 따라 상기 다수의 게이트 온 전압 중 어느 하나를 선택하는 게이트 전압 선택부와;
    상기 게이트 라인에 상기 선택된 게이트 온 전압을 공급하는 게이트 구동부를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전원부는
    상기 온도가 정상 온도시 이용되는 제 1 게이트 온 전압을 생성하고, 상기 정상 온도보다 낮은 저온시 이용되는 제 1 게이트 온 전압보다 높은 제 2 게이트 온 전압을 생성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 게이트 전압 선택부는
    상기 온도에 따라 외부로부터의 클럭 신호를 가변시켜 출력하는 온도보상부와;
    상기 온도 보상부로부터의 클럭 신호에 응답하여 상기 정상 온도시 상기 제 1 게이트 온 전압을 상기 게이트 구동부에 공급하는 제 1 트랜지스터와;
    상기 저온시 상기 제 1 트랜지스터의 턴 오프에 응답하여 상기 제 2 게이트 온 전압을 상기 게이트 구동부에 공급하는 제 2 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 온도 보상부는 직렬로 접속된 다수의 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  5. 서로 다른 전압 레벨을 가지는 다수의 게이트 온 전압을 생성하는 단계와;
    온도에 따라 다수의 게이트 온 전압 중 어느 하나를 선택하는 단계와;
    상기 선택된 게이트 온 전압을 액정 표시 패널의 게이트 라인에 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 구동방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 다수의 게이트 온 전압을 생성하는 단계는
    상기 온도가 정상 온도 시 이용되는 제 1 게이트 온 전압과, 상기 정상 온도보다 낮은 저온시 상기 제 1 게이트 온 전압보다 높은 제 2 게이트 온 전압을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 구동 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 다수의 게이트 온 전압 중 어느 하나를 선택하는 단계는
    상기 정상 온도인 경우 온도 보상부에 의해 스윙폭이 상대적으로 적게 감소된 클럭 신호에 응답하여 턴 온된 제 1 트랜지스터에 의해 상기 제 1 게이트 온 전압을 선택하는 단계와;
    상기 정상 온도보다 낮은 저온 경우 상기 온도보상부에 의해 스윙폭이 상대적으로 크게 감소된 클럭 신호에 응답하여 제 1 트랜지스터를 턴 오프 시키는 단계와;
    상기 제 1 트랜지스터의 턴오프에 응답하여 턴온된 제 2 트랜지스터에 의해 상기 제 2 게이트 온 전압을 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 구동방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 클럭 신호는 상기 온도에 따라 문턱 전압이 가변되는 직렬로 접속된 다수의 다이오드를 경유하면서 스윙폭이 가변되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 구동 방법.
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KR101427133B1 (ko) * 2008-02-15 2014-08-06 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치

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