KR20070072759A - 미세 패턴 형성용 원형 및 그 제조 방법 - Google Patents

미세 패턴 형성용 원형 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR20070072759A
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장재혁
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정양호
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Abstract

소프트 몰드를 형성하기 위한 미세 패턴 형성용 원형 및 그를 제조하는 방법을 제공한다. 미세 패턴 형성용 원형은 기판, 기판 상의 포토레지스트 패턴 및 포토레지스트 패턴 상에 컨포멀(conformal)하게 위치한 광분해 방지막을 포함한다.
미세 패턴, 포토레지스트, 원형, 광분해, 방지

Description

미세 패턴 형성용 원형 및 그 제조 방법{Master for formation of fine pattern and method for fabricating the same}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴 형성용 원형의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴 형성용 원형의 제조 공정을 순서대로 도시한 공정 순서도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴 형성용 원형의 제조 공정 중 중간 구조물의 단면도들이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴 형성용 원형을 이용하여 소프트 몰드를 제조하는 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7 및 도 8은 실험예와 비교에에 따라 각각 제조된 소프트 몰드의 SEM 사진들이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10: 미세 패턴 형성용 원형 20: 소프트 몰드
110: 기판 120: 포토레지스트 패턴
130: 광분해 방지막 140: 이형막
본 발명은 미세 패턴 형성용 원형 및 그를 제조하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 소프트 몰드를 형성하기 위한 미세 패턴 형성용 원형 및 그를 제조하는 방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 디바이스(semiconductor device) 또는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD)등의 제조 공정에 있어서, 미세한 형상의 구조체를 형성하기 위한 패턴 전사 기술로서 포토리소그래피법(photolithography method) 기술이 많이 사용되어 왔다. 그러나 패턴의 미세화가 진행되는 한편으로, 패턴 치수가 노광에 사용되는 광의 파장에 의하여 제한을 받는 외에, 마스크 위치를 고정밀도로 제어하는 기구가 필요하게 되는 등, 장치 비용이 높아졌다.
이에 대하여 기판 상에 형성하고 싶은 패턴과 동일한 패턴의 요철을 가지는 미세 패턴 형성용 원형(mater)을 이용하여 몰드(mold)를 제작하고, 이를 이용하여 피전사 기판 표면에 형성된 레지스트막층에 대하여 엠보싱함으로써 소정의 패턴을 전사하는 나노임프린트(nanoimprint)기술에 의한 미세 패턴 형성 방법이 개발되었다.
몰드에는 하드 몰드(hard mold)와 소프트 몰드(soft mold)가 있는데, 일반적으로 소프트 몰드는 탄성을 가지는 고무를 소정의 패턴이 형성되어 있는 원형에 부어 원형의 패턴 형상에 따라 임의의 패턴을 음각 또는 양각하여 제작하게 된다. 이러한 소프트 몰드는 마이크로 단위의 미세한 패턴을 형성하는데 사용되는데 예를 들면, 액정 표시 장치의 컬러 필터 기판에 컬러 필터를 형성하거나, 유기 전계 발 광 소자에서 전극을 형성하는데 사용할 수 있다.
소프트 몰드를 제작하기 위해 사용되는 원형은 예를 들어 절연 기판 상에 금속층을 형성하고 이를 패터닝하여 소정의 패턴을 형성하여 제작할 수 있는데, 이 경우 복잡한 형상의 패턴을 갖도록 제작하기 어려울뿐만 아니라, 제작 비용이 높아지게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 복잡한 패턴을 갖는 몰드를 형성할 수 있으며, 강도가 우수한 미세 패턴 형성용 원형을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기한 바와 같은 미세 패턴 형성용 원형을 제조할 수 있는 방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴 형성용 원형은 기판, 상기 기판 상의 포토레지스트 패턴 및 상기 포토레지스트 패턴 상에 컨포멀(conformal)하게 위치한 광분해 방지막을 포함한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴 형성용 원형의 제조 방법은 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴 위에 컨포멀한 광분해막을 형성하는 것을 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층"위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"는 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자에 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.
본 명세서에서 기술하는 제조 방법을 구성하는 단계들은 순차적 또는 연속적임을 명시하거나 다른 특별한 언급이 있는 경우가 아니면, 하나의 제조 방법을 구 성하는 하나의 단계와 다른 단계가 명세서 상에 기술된 순서로 제한되어 해석되지 않는다. 따라서 당업자가 용이하게 이해될 수 있는 범위 내에서 제조 방법의 구성 단계의 순서를 변화시킬 수 있으며, 이 경우 그에 부수하는 당업자에게 자명한 변화는 본 발명의 범위에 포함되는 것이다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴 형성용 원형을 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴 형성용 원형의 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴 형성용 원형(10)은 기판(110), 포토레지스트 패턴(120), 광분해 방지막(130) 및 이형막(140)을 포함한다.
먼저, 기판(110)은 예를 들어 판상 또는 필름 형상의 지지체로서, 유리, 석영 등의 무기 화합물 성형물과 투명한 유기 고분자 성형물로 형성될 수 있다. 고분자 성형물은 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리스티렌, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리프로필렌, 폴리이미드, 트리아세틸셀룰로스 등을 들 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
기판(110) 위에는 소정의 포토레지스트 패턴(120)이 위치한다. 포토레지스트 패턴(120) 은 노광되는 부분이 경화되는 네거티브 타입(negative type)의 포토레지스트(photoresisit)를 포함할 수도 있고, 비노광되는 부분이 경화되는 포지티브 타입(positive type)의 포토레지스트를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로는 포토레지스트 패턴(120)은 비시비(BCB), 아크릴(acryl), 에어로겔(aerogel) 또는 마이크로 포움(microfoam) 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 포토레지스트 패턴(120)은 피전사 기판 표면에 형성하고자 하는 패턴에 따라 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴 형성용 원형(10)이 액정 표시 장치의 제조에 사용되는 용도로 제작되는 경우, 포토레지스트 패턴(120)은 예를 들어 액정 표시 장치의 유기막의 엠보싱 형상, 컬럼 스페이서 형상 등에 적합한 패턴을 포함할 수 있다.
포토레지스트 패턴(120) 위에는 광분해 방지막(130)이 위치한다. 광분해 방지막(130)은 포토레지스트 패턴(120)이 광에 의해 분해되는 것을 방지하고, 강도를 보강한다. 광분해 방지막(130)은 포토레지스트 패턴(120) 위에 컨포멀(conformal)하게 형성되어 원래의 포토레지스트 패턴(120)의 형상이 유지되도록 한다.
광분해 방지막(130)으로는 광에 의해 분해되지 않으며, 포토레지스트 패턴(120)의 재질보다 단단하고, 포토레지스트 패턴(120)과의 접착력이 우수한 재질이라면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 광분해 방지막(130)은 실리콘 질화물(SiNx), 금속 또는 금속 산화물을 포함할 수 있다. 광분해 방지막(130)에 포함되는 금속으로는 예를 들어 크롬(Cr), 네오디뮴(Nd), 몰리브덴(Mo) 또는 이들의 합금 중 적어도 하나를 선택하여 사용될 수 있다. 또한, 광분해 방지막(130)에 포함되는 금속 산화물로는 예를 들어 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO) 등을 포함할 수 있다. 이때, 광분해 방지막은 예를 들어 약 5,000Å 이하의 두께를 가질 수 있다.
광분해 방지막(130) 위에는 이형막(140)이 위치한다. 이형막은 미세 패턴 형 성용 원형(10)과 이에 의해 형성되는 몰드의 탈형을 용이하게 하기 위한 것으로 예를 들어 징크 스테레이트(Zn stearate), 디메틸실리콘 수지(dimethyl silicone resin), 유기계 또는 실리콘계 이형제에 의해 형성될 수 있다. 이러한 이형막(140)은 광분해 방지막(130) 위에 균일한 두께로 컨포멀하게 형성된다. 광분해 방지막(130) 위에 직접 몰드가 형성되더라도 몰드의 탈형이 용이한 경우에는 이형막(140)은 생략될 수도 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴 형성용 원형의 제조 방법을 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴 형성용 원형의 제조 공정을 순서대로 도시한 공정 순서도이고, 도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴 형성용 원형의 제조 공정 중 중간 구조물의 단면도들이다.
우선, 도 2에 도시한 바와 같이 기판 위에 포토레지스트 패턴을 형성한다(S1).
이를 보다 상세하게 설명하면, 도 3에 도시한 바와 같이 예를 들어 유리, 석영 등의 무기 화합물 성형물 또는 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리스티렌, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리프로필렌, 폴리이미드, 트리아세틸셀룰로스 등의 유기 고분자 성형물로 이루어진 기판(110) 상에 포토레지스트층(도시하지 않음)을 형성한다. 포토레지스트층의 형성 방법으로는 예를 들어 스핀 코팅(spin-coating), 롤 코팅(roll-coating) 또는 슬릿 다이(slit-die or slot die) 방법 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
포토레지스트층에 포함되는 포토레지스트는 네거티브 타입의 포토레지스트일 수도 있고, 포지티브 타입의 포토레지스트일 수도 있으며, 그 종류는 특별히 한정되지 않는다. 본 명세서에서는 네거티브 타입의 포토레지스트를 사용하는 경우를 예시하여 설명하도록 한다. 네거티브 타입의 포토레지스트는 예를 들어 바인더(binder), 감광성 모노머(photosensitive monomer) 성분, 광개시제, 용매, 분산제 등을 포함한다. 주로 메타크릴산(metacrylic acid) 계열, 아크릴산(acrylic acid) 계열, 크로톤산(crotonic acid) 계열, 말레산(maleic acid) 계열의 바인더를 사용할 수 있으며, 감광성 모노머로는 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 계열 또는 비닐(vinyl) 계열의 모노머를 사용할 수 있다. 광개시제로는 벤조인 에테르(benzoin ether), 아세토페논(acetophenone), 아실포스핀(acylphosphine), 벤조페논(benzophenone), 크산톤(xanthone), 퀴논(quinone) 등을 사용할 수 있다.
다음, 포토레지스트층 중의 용매를 제거하고 포토레지스트층을 경화하기 위하여, 예를 들어 약 80 내지 130℃의 온도로 가열 처리한다. 이를 소프트 베이크(soft bake) 공정이라고 한다. 소프트 베이크 공정은 용매의 대부분이 증발될 때까지 이루어진다.
이어, 포토레지스트층에 목적하는 패턴을 형성하기 위해, 포토레지스트층을 선택적으로 노광하고, 선택적으로 노광된 포토레지스트층을 현상 수용액에 침지시킨 후, 노광되지 않은 부분이 전부 또는 거의 대부분이 용해될 때까지 방치한다. 노광 공정에 사용되는 광원으로는 예를 들어 633㎚이하의 파장을 가질 수 있고, 바람직하게는 365㎚의 파장을 갖는 i-라인(i-line) 광원을 이용하여 미세한 패턴을 형성할 수 있다.
이후, 열처리하여 포토레지스트 패턴(120)을 완성한다. 열처리를 통해 포토레지스트 패턴의 접착성 및 내화학성을 증진시킬 수 있는데, 이를 노광후 베이크(Post Exposure Bake; PEB) 공정이라고 한다. 열처리는 포토레지스트의 연화점 이하의 온도에서 이루어지며, 예를 들어 90 내지 140℃의 온도에서 행할 수 있다.
계속해서, 포토레지스트 패턴 위에 광분해 방지막을 형성한다(도 2의 S2).
도 4에 도시한 바와 같이, 기판(110)에 형성되어 있는 목적하는 바의 포토레지스트 패턴(120) 위에 광분해 방지막(130)을 형성한다. 광분해 방지막(130)은 포토레지스트 패턴(120)이 광에 노출되어 포토레지스트 패턴(120) 내부에 존재하는 약한 화학 결합(chemical bond)에 의해 분해되는 것을 방지하고, 금속 등과 비교하여 상대적으로 약한 포토레지스트 패턴의 강도를 보강하기 위한 것이다.
광분해 방지막(130)은 예를 들어 실리콘 질화물(SiNx), 크롬(Cr), 네오디뮴(Nd), 몰디브덴(Mo) 또는 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 인듐 틴 옥사이드(ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(IZO) 등의 금속 산화물을 이용하여 형성할 수 있다.
광분해 방지막(130)의 형성 방법은 포토레지스트 패턴(120) 위에 광분해 방지막(130)을 컨포멀하게 형성할 수 있는 방법이라면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 방법, 플라즈마 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Deposition; PECVD) 방법 또는 스퍼터(sputter) 방법 등을 이용하여 광분해 방지막(130)을 형성할 수 있다. 상기한 방법으로 형성된 광 분해 방지막(130)은 포토레지스트 패턴(120) 위에 컨포멀하게 형성되므로, 본래의 포토레지스트 패턴(120)의 형상이 그대도 유지된다. 이때, 광분해 방지막(130)은 약 5,000Å 이하의 두께로 형성될 수 있다.
계속해서, 광분해 방지막 위에 이형막을 형성한다(도 2의 S3).
도 1에 도시한 바와 같이, 광분해 방지막(130) 위에 이형막(140)을 형성함으로써, 미세 패턴 형성용 원형(10)을 완성한다. 이형막(140)은 미세 패턴 형성용 원형(10)과 이에 의해 형성되는 몰드의 탈형을 용이하게 하기 위한 것으로 예를 들어 징크 스테레이트, 디메틸실리콘 수지, 유기계 또는 실리콘계 이형제를 광분해 방지막(130) 상에 균일한 두께로 형성한다. 광분해 방지막(130) 위에 직접 몰드가 형성되더라도 몰드의 탈형이 용이한 경우에는 이형막(140)은 생략될 수도 있다.
상기한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴 형성용 원형(10)의 제조 방법은 포토레지스트층을 선택적으로 노광하고 현상하여 목적하는 패턴(120)을 형성함으로써 금속으로 패턴을 형성하는 경우와 비교하여 공정 수를 줄일 수 있으며, 목적하는 패턴이 복잡한 형상을 갖는 경우라도 금속 등에 패터닝하는 경우와 비교하여 제조의 어려움이 없다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴 형성용 원형(10)의 제조 방법은 포토레지스트 패턴(120) 위에 광분해 방지막(130)을 형성함으로써 금속 등에 비하여 강도가 약한 포토레지스트 패턴(120)의 강도를 보강할 수 있어, 금속만으로 패턴을 형성하는 경우와 유사한 강도를 갖는 미세 패턴 형성용 원형(10)을 제공할 수 있다.
또한, 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이 미세 패턴 형성용 원형(10)에 예를 들어 탄성 중합체 용액(15)을 붓고 자외선을 조사하여 이를 경화한 후, 이를 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법에 의해 제조된 미세 패턴 형성용 원형(10)으로부터 탈형하여 소프트 몰드(20)를 제작하는 경우, 미세 패턴 형성용 원형(10)에 포함되는 포토레지스트 패턴(120)은 광분해 방지막(130)에 의해 자외선으로부터 보호되므로, 원형 그대로 소프트 몰드(20)에 전사할 수 있게 된다.
이하, 실험예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 하기 실험예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명이 하기 실험예에 의하여 한정되는 것은 아님이 이해되어야 한다.
실험예
유리 기판 위에 PC411B(JSR사제)을 약 2.5㎛ 정도의 두께로 형성하고, 이를 i-라인 광원을 이용하여 선택적으로 노광하고 현상하여 엠보싱 패턴(embossing pattern)을 형성하였다. 계속해서, 엠보싱 패턴 위에 AlNd층을 약 5,000Å의 두께로 형성하여 미세 패턴 형성용 원형을 완성하였다.
이러한 미세 패턴 형성용 원형에 탄성 중합체 용액을 붓고, 약 370㎚의 자외선을 24시간 조사하여 소프트 몰드를 제작하였다. 제작된 소프트 몰드의 SEM(Scanning Electron Microscope) 사진을 도 7에 나타내었다.
비교예
유리 기판 위에 PC411B(JSR사제)을 약 2.5㎛ 정도의 두께로 형성하고, 이를 i-라인 광원을 이용하여 선택적으로 노광하고 현상하여 엠보싱 패턴을 형성하여 미 세 패턴 형성용 원형을 완성하였다.
이러한 미세 패턴 형성용 원형에 탄성 중합체 용액을 붓고, 약 370㎚의 자외선을 24시간 조사하여 소프트 몰드를 제작하였다. 제작된 소프트 몰드의 SEM 사진을 도 8에 나타내었다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 비교예에 의해 형성된 소프트 몰드는 엠보싱 패턴이 자외선에 의해 분해되어 소프트 몰드의 표면에 돌기 모양의 결함(defect)이 다수 존재하며, 소프트 몰드에 전사된 패턴 역시 표면 돌기의 러프니스(roughness)가 그대로 전사되었음을 알 수 있다.
반면 도 7에 나타낸 바와 같이, 실험예에 의해 형성된 소프프 몰드는 매끈한 표면이 형성되었음을 알 수 있으며, 도 8에서 볼 수 있는 돌기 모양의 결함이 형성되지 않음을 알 수 있다. 이로부터, 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법에 의해 제조되는 미세 패턴 형성용 원형은 광분해 방지막에 의해 포토레지스트 패턴이 분해되지 않음을 알 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 제조되는 미세 패턴 형성용 원형은 포토레지스트층을 패터닝하여 포토레지스트 패턴을 형성함으로써 복잡한 패턴이라도 공정이 복잡하지 않고, 광분해 방지막을 포함함으로써 포토레지스트 패턴의 강도를 보강할뿐만 아니라 포토레지스트 패턴의 광분해를 방지할 수 있어, 미세 패턴 형성용 원형을 그대로 소프트 몰드에 전사할 수 있다.

Claims (14)

  1. 기판;
    상기 기판 상의 포토레지스트 패턴; 및
    상기 포토레지스트 패턴 상에 컨포멀하게 위치한 광분해 방지막을 포함하는 미세 패턴 형성용 원형.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 포토레지스트 패턴은 포지티브 포토레지스트 또는 네거티브 포토레지스트를 포함하는 미세 패턴 형성용 원형.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 광분해 방지막은 실리콘 질화물, 금속 또는 금속 산화물을 포함하는 미세 패턴 형성용 원형.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 금속은 크롬(Cr), 네오디뮴(Nd), 몰리브덴(Mo) 및 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금 중에서 적어도 하나 선택되는 미세 패턴 형성용 원형.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 금속 산화물은 인듐 틴 옥사이드(ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(IZO)를 포함하는 미세 패턴 형성용 원형.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 광분해 방지막은 5000Å이하의 두께를 갖는 미세 패턴 형성용 원형.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 광분해 방지막 상에 컨포말하게 위치한 이형막을 더 포함하는 미세 패턴 형성용 원형.
  8. 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴 위에 컨포멀한 광분해막을 형성하는 것을 포함하는 미세 패턴 형성용 원형 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 포토레지스트 패턴은 포지티브 포토레지스트 또는 네거티브 포토레지스트를 포함하는 미세 패턴 형성용 원형의 제조 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 광분해막은 실리콘 질화물, 금속 또는 금속 산화물을 포함하는 미세 패턴 형성용 원형의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 금속은 크롬(Cr), 네오디뮴(Nd), 몰리브덴(Mo) 및 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금 중에서 적어도 하나 선택되는 미세 패턴 형성용 원형의 제조 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 금속 산화물은 인듐 틴 옥사이드(ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(IZO)를 포함하는 미세 패턴 형성용 원형의 제조 방법.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 광분해막은 5,000Å이하의 두께를 갖는 미세 패턴 형성용 원형의 제조 방법.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 광분해 방지막 상에 컨포말한 이형막을 형성하는 것을 더 포함하는 미세 패턴 형성용 원형의 제조 방법.
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JP2019153727A (ja) * 2018-03-06 2019-09-12 大日本印刷株式会社 インプリントモールド及びインプリント方法

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