KR20070071179A - Manufacturing for organic thin film transistor - Google Patents

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KR20070071179A
KR20070071179A KR1020050134407A KR20050134407A KR20070071179A KR 20070071179 A KR20070071179 A KR 20070071179A KR 1020050134407 A KR1020050134407 A KR 1020050134407A KR 20050134407 A KR20050134407 A KR 20050134407A KR 20070071179 A KR20070071179 A KR 20070071179A
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한창욱
방희석
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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

A method for fabricating an organic TFT is provided to increase the grain size of an organic semiconductor layer to be defined as a channel region by forming an organic semiconductor layer on an insulation layer of an organic material maintaining hydrophobicity. A gate electrode(112) is formed on a substrate(110). A gate insulation layer(114) is formed on the resultant structure, made of a hydrophobic organic insulation material. A photoresist pattern is formed in a predetermined region on the gate insulation layer. A plasma treatment is performed on the gate insulation layer having the photoresist pattern to form a hydrophilic adhesion layer(114a). The photoresist pattern is removed. A source/drain electrode(116a,116b) is formed on the adhesion layer, made of an inorganic metal material. An organic semiconductor layer(120) is formed on the gate insulation layer including the source/drain electrode.

Description

유기 박막트랜지스터의 제조방법{Manufacturing for Organic Thin Film Transistor}Manufacturing Method of Organic Thin Film Transistor

도 1은 종래의 유기박막트랜지스터의 개략적인 구성을 보여주는 단면도1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a conventional organic thin film transistor.

도 2a 및 도 2b는 종래의 유기반도체층 결정구조를 도시한 사진들2A and 2B are photographs showing a crystal structure of a conventional organic semiconductor layer.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 제조방법을 도시한 단면도들3A to 3D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic thin film transistor according to a first embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 이용한 액정표시장치의 단면도4 is a cross-sectional view of a liquid crystal display using an organic thin film transistor according to a first embodiment of the present invention.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들5A through 5D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic thin film transistor according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 이용한 액정표시장치의 단면도6 is a cross-sectional view of a liquid crystal display using an organic thin film transistor according to a second embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

110, 210: 기판 112, 220: 게이트전극110, 210: substrate 112, 220: gate electrode

114, 218: 게이트절연막 120, 216: 유기반도체층114, 218: gate insulating film 120, 216: organic semiconductor layer

116a, 116b, 214a, 214b: 소스/드레인전극 212: 버퍼막116a, 116b, 214a, and 214b: source / drain electrodes 212: buffer film

114a, 114b, 212a, 212b: 접착층 114a, 114b, 212a, 212b: adhesive layer

본 발명은 박막트랜지스터에 관한 것으로, 특히 유기 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a thin film transistor, and more particularly to a method for manufacturing an organic thin film transistor.

통상, 박막 트랜지스터는 이미지 표시용 디스플레이에서 스위치 소자로 사용되는 것으로, 박막 트랜지스터 중 유기 박막 트랜지스터는 반도체층 재료로서 반도체성 유기 물질을 사용하고, 유리기판 대신 플렉시블(flexible)한 기판을 사용한다는 점을 제외하고는 실리콘 박막 트랜지스터와 비교하여 구조적으로 유사한 형태를 갖는다. In general, a thin film transistor is used as a switch element in an image display display. Among the thin film transistors, an organic thin film transistor uses a semiconductor organic material as a semiconductor layer material, and uses a flexible substrate instead of a glass substrate. Except for the silicon thin film transistor has a structurally similar form.

유기 박막 트랜지스터는, 도 1에 도시된 바와 같이, 하부 기판(51) 상에 금속을 사용하여 형성된 게이트 전극(52a)과, 상기 게이트 전극(52a)을 포함한 상기 하부기판(51)에 형성되는 게이트 절연막(53)과, 상기 게이트 전극(52a)의 양측 에지의 상기 게이트절연막(53) 상에 각각 형성된 소스 전극(55a) 및 드레인 전극(55b)과, 상기 소스/드레인 전극(55a, 55b)을 포함한 상기 게이트 절연막(53) 상에 형성된 유기 반도체층(54)으로 구성된다. As shown in FIG. 1, the organic thin film transistor includes a gate electrode 52a formed using a metal on the lower substrate 51 and a gate formed on the lower substrate 51 including the gate electrode 52a. The insulating film 53, the source electrode 55a and the drain electrode 55b formed on the gate insulating film 53 at both edges of the gate electrode 52a, and the source / drain electrodes 55a and 55b, respectively. And an organic semiconductor layer 54 formed on the gate insulating film 53.

상기 소스/드레인 전극(55a, 55b)은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 알루미늄합금(Al alloy) 등의 금속무기물질을 사용하여 형성한다. The source / drain electrodes 55a and 55b are formed using a metal inorganic material such as chromium (Cr), molybdenum (Mo), aluminum (Al), or an aluminum alloy (Al alloy).

한편, 상기와 같은 유기 박막 트랜지스터에서는 게이트 절연막(53)을 유기물 질로 형성할 수도 있는 데, 유기물질로 형성된 게이트 절연막(53)과 무기물질 즉, 금속으로 형성되는 소스/드레인 전극(55a, 55b)간의 접착력향상을 위해 게이트절연막에 플라즈마 표면처리가 수반된다. On the other hand, in the organic thin film transistor as described above, the gate insulating film 53 may be formed of an organic material. The gate insulating film 53 formed of an organic material and the source / drain electrodes 55a and 55b formed of an inorganic material, that is, a metal may be used. Plasma surface treatment is involved in the gate insulating film to improve the adhesion between them.

그러나, 상기 플라즈마 처리된 게이트 절연막은 친수성(hydrophilic)을 갖게 되는 데, 친수성을 갖는 게이트절연막 상에 유기 반도체층이 형성되면, 작은 그레인(grain)을 가진 유기 반도체층으로 성장된다. However, the plasma-treated gate insulating film is hydrophilic. When the organic semiconductor layer is formed on the hydrophilic gate insulating film, the gate insulating film is grown to an organic semiconductor layer having a small grain.

도 2a에 도시된 바와 같이, 플라즈마 처리되지 않은 소수성을 가진 게이트 절연막상에 형성된 유기반도체층의 그레인구조와 도 2b에 도시된 바와 같이, 플라즈마 처리되어 친수성을 가진 게이트절연막 상에 형성된 유기반도체층의 그레인구조를 비교해보면, 플라즈마 처리된 게이트 절연막에 형성된 유기반도체는 작은 그레인 구조를 갖는 것을 알 수 있다. As shown in FIG. 2A, the grain structure of the organic semiconductor layer formed on the gate insulating film having no hydrophobicity, and the organic semiconductor layer formed on the gate insulating film having hydrophilicity as shown in FIG. Comparing the grain structure, it can be seen that the organic semiconductor formed on the plasma insulating gate insulating film has a small grain structure.

따라서, 친수성을 가진 게이트 절연막 상에 유기반도체층이 형성되면, 그레인 사이즈가 작아져 차지 트랩사이트(charge trap site)로 작용하는 그레인 바운더리(grain boundary)가 많아지게 함으로써, 유기 반도체층의 전기적 특성이 저하되는 문제점이 발생한다. Therefore, when the organic semiconductor layer is formed on the hydrophilic gate insulating film, the grain size decreases, and the grain boundary acting as a charge trap site increases, thereby increasing the electrical characteristics of the organic semiconductor layer. The problem of deterioration occurs.

본 발명은 유기반도체층의 전기적 특성을 향상시킬 수 있도록 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법을 제공함에 있다. The present invention is to provide a method for manufacturing an organic thin film transistor to improve the electrical properties of the organic semiconductor layer.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기박막트랜지스터의 제조방법은 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면 에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막의 소정영역에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 게이트 절연막에 플라즈마 처리공정을 수행하여, 친수 처리된 접착층을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 상기 접착층 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 소스/드레인 전극이 형성된 게이트 절연막 상에 유기 반도체층을 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing an organic thin film transistor according to the present invention for achieving the above object includes the steps of forming a gate electrode on a substrate, forming a gate insulating film on the entire surface of the substrate including the gate electrode, and a predetermined region of the gate insulating film Forming a photoresist pattern on the photoresist pattern, forming a hydrophilic adhesive layer on the gate insulating film on which the photoresist pattern is formed, removing the photoresist pattern, and Forming a source / drain electrode, and forming an organic semiconductor layer on the gate insulating layer on which the source / drain electrode is formed.

상기 접착층을 형성하는 플라즈마 처리공정은 O2, H2, He, H2, SF6 및 CF4 중 어느 하나의 가스 또는 이들간의 혼합된 가스를 이용하여 수행한다.Plasma treatment process for forming the adhesive layer is O 2 , H 2 , He, H 2 , SF 6 And any one of CF 4 or a gas mixed therebetween.

상기 게이트절연막은 소수성의 유기절연물질로 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴이 덮힌 소수성의 게이트 절연막은 상기 플라즈마 공정시 상기 포토레지스트 패턴에 의해 소수성을 유지한다. The gate insulating film is formed of a hydrophobic organic insulating material, and the hydrophobic gate insulating film covered with the photoresist pattern maintains hydrophobicity by the photoresist pattern during the plasma process.

상기 유기반도체층은 LCPBC(liquid Crystalline Polyfluorene Block copolymer), 펜타센(Pentacene) 및 폴리사이오핀(polythiophene) 중 어느 하나로 형성하고, 상기 소스/드레인 전극은금속무기물질로 형성한다.  The organic semiconductor layer is formed of any one of a liquid crystal line polyfluorene block copolymer (LCPBC), pentacene (Pentacene) and polythiophene (polythiophene), the source / drain electrode is formed of a metal inorganic material.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기박막트랜지스터의 제조방법은 기판상에 버퍼막을 형성하는 단계와, 상기 버퍼막의 소정영역에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 버퍼막에 플라즈마 처리공정을 수행하여, 친수 처리된 접착층을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 상기 접착층 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 소 스/드레인전극이 형성된 버퍼막 상에 유기 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 유기반도체층 상에 게이트 절연막 및 게이트 전극을 각각 형성하는 단계를 포함한다. In order to achieve the above object, a method of manufacturing an organic thin film transistor according to the present invention includes forming a buffer film on a substrate, forming a photoresist pattern in a predetermined region of the buffer film, and a buffer film having the photoresist pattern formed thereon. Forming a hydrophilic adhesive layer, removing the photoresist pattern, forming a source / drain electrode on the adhesive layer, and forming the source / drain electrode. Forming an organic semiconductor layer on the buffer film, and forming a gate insulating film and a gate electrode on the organic semiconductor layer, respectively.

상기 접착층을 형성하는 플라즈마 처리공정은 O2, H2, He, H2, SF6 및 CF4 중 어느 하나의 가스 또는 이들간의 혼합된 가스를 이용하여 수행한다. Plasma treatment process for forming the adhesive layer is O 2 , H 2 , He, H 2 , SF 6 And any one of CF 4 or a gas mixed therebetween.

상기 버퍼막은 유기절연물질로 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴이 덮힌 소수성의 게이트 절연막은 상기 플라즈마 공정시 상기 포토레지스트 패턴에 의해 소수성을 유지한다. The buffer layer is formed of an organic insulating material, and the hydrophobic gate insulating layer covered with the photoresist pattern maintains hydrophobicity by the photoresist pattern during the plasma process.

상기 유기반도체층은 LCPBC(liquid Crystalline Polyfluorene Block copolymer), 펜타센(Pentacene) 및 폴리사이오핀(polythiophene) 중 어느 하나로 형성하고, 상기 소스/드레인 전극은 금속무기물질로 형성한다. The organic semiconductor layer is formed of any one of a liquid crystal line polyfluorene block copolymer (LCPBC), pentacene (Pentacene) and polythiophene (polythiophene), the source / drain electrode is formed of a metal inorganic material.

상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 유기 박막트랜지스터의 제조방법에 대한 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다. Embodiments of the method for manufacturing the organic thin film transistor according to the present invention having the above characteristics will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이고, 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 이용한 액정표시장치의 단면도이다. 3A to 3D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic thin film transistor according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view of a liquid crystal display using an organic thin film transistor according to a first embodiment of the present invention. to be.

우선, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터는, 도 3d에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 금속물질로 형성된 게이트 전극(112)과, 상기 게이트 전극(112)을 포함한 기판(110) 전면에 소수성의 유기물질로 형성된 게이트 절연막(114)과, 상기 게이트 전극(112)의 양 에지에 오버랩되도록 금속물질로 형성된 소스 전극(116a) 및 드레인 전극(116b)과, 상기 소스/드레인 전극(116a, 116b)을 포함한 상기 게이트절연막(114) 상에 형성된 LCPBC(liquid Crystalline Polyfluorene Block copolymer), 펜타센(Pentacene), 폴리사이오핀(polythiophene) 등의 유기 반도체층(120)과, 상기 소스/드레인 전극(116a, 116b)과 게이트 절연막(114)이 접촉되는 영역에 형성된 친수성의 접착층(114a)으로 구성된다.First, the organic thin film transistor according to the first embodiment of the present invention, as shown in Figure 3d, a substrate including a gate electrode 112 formed of a metal material on the substrate 110, and the gate electrode 112 A gate insulating film 114 formed of a hydrophobic organic material on the entire surface of the (110), a source electrode 116a and a drain electrode 116b formed of a metal material to overlap both edges of the gate electrode 112, and the source / An organic semiconductor layer 120 such as a liquid crystal line polyfluorene block copolymer (LCPBC), pentacene, polythiophene, etc. formed on the gate insulating layer 114 including the drain electrodes 116a and 116b, and It is composed of a hydrophilic adhesive layer 114a formed in a region where the source / drain electrodes 116a and 116b are in contact with the gate insulating film 114.

한편, 상기 친수성(hydrophilic)의 접착층(114a)은 소스/드레인 전극(116a, 116b)과 게이트 절연막(114)이 접촉되는 영역에만 형성되어, 이들막간의 접착력을 향상시키고, 소수성(hydrophobic)이 유지된 게이트 절연막(114) 상에 유기 반도체층(120)이 형성됨으로써, 유기 반도체층의 그레인 사이즈가 증가되고, 차지 트랩사이트(charge trap site)로 작용하는 그레인 바운더리(grain boundary)가 감소되어 유기 반도체층의 전기적 특성을 향상시킨다. On the other hand, the hydrophilic adhesive layer 114a is formed only in a region where the source / drain electrodes 116a and 116b are in contact with the gate insulating layer 114 to improve adhesion between these films and maintain hydrophobicity. By forming the organic semiconductor layer 120 on the gate insulating film 114, the grain size of the organic semiconductor layer is increased and the grain boundary acting as a charge trap site is reduced, thereby reducing the organic semiconductor layer 120. Improve the electrical properties of the layer.

상기와 같은 유기 박막 트랜지스터의 제조방법을 설명하면 다음과 같다. The manufacturing method of the organic thin film transistor as described above is as follows.

우선, 도 3a에 도시된 바와 같이, 유리 또는 투명한 플라스틱의 기판(110) 상에 금속을 증착한 후 포토 식각기술로 패터닝하여 게이트 전극(112)을 형성한다. First, as illustrated in FIG. 3A, a metal is deposited on a substrate 110 of glass or transparent plastic, and then patterned by photo etching to form a gate electrode 112.

상기 게이트 전극은 크롬(Cr), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 알루미늄합금(Al alloy), 텅스텐(W)계열 등의 저저항 금속물질 중에서 적어도 하나 또는 하나 이상으로 이루어진다. The gate electrode is made of at least one or more of low resistance metal materials such as chromium (Cr), copper (Cu), molybdenum (Mo), aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W) series. .

이후, 상기 게이트 전극(112)을 포함한 전면에 소수성의 유기절연물질을 도포하여 게이트 절연막(114)을 형성한다. Thereafter, a hydrophobic organic insulating material is coated on the entire surface including the gate electrode 112 to form a gate insulating layer 114.

상기 게이트 절연막(114)은 BCB(Benzocyclobutene), 아크릴계 물질, 폴리이 미드와 같은 소수성의 유기절연물질을 형성한다. The gate insulating layer 114 forms a hydrophobic organic insulating material such as benzocyclobutene (BCB), an acrylic material, and polyimide.

이어서, 상기 게이트 절연막(114) 상에 포토레지스트를 도포하고, 상기 포토 레지스트 상부에 소정의 패턴이 형성된 포토 마스크를 정렬한 후 광선을 조사하여 노광하고 그 이후에 현상하여 포토레지스트를 패터닝(115)한다. Subsequently, a photoresist is applied on the gate insulating layer 114, the photomask having a predetermined pattern formed on the photoresist is aligned, and then irradiated with light to expose the photoresist. Then, the photoresist is patterned. do.

도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 패터닝된 포토레지스트(115)가 형성된 게이트 절연막(114)에 플라즈마 처리공정을 수행하여, 게이트 절연막(114) 표면의 소정영역에 친수성의 접착막(114a)을 형성한다. As shown in FIG. 3B, a plasma treatment is performed on the gate insulating layer 114 on which the patterned photoresist 115 is formed, thereby forming a hydrophilic adhesive layer 114a on a predetermined region of the surface of the gate insulating layer 114. do.

한편, 상기 패터닝된 포토레지스트(115) 하부의 게이트 절연막(114)에는 상기 플라즈마 처리 공정시 패터닝된 포토레지스트(115)이 마스크로써 사용되어 게이트 절연막의 소수성이 유지된다. Meanwhile, the patterned photoresist 115 is used as a mask in the gate insulating layer 114 under the patterned photoresist 115 to maintain hydrophobicity of the gate insulating layer.

상기 플라즈마 처리는 O2, H2, He, H2, SF6 및 CF4 중 어느 하나의 가스 또는 이들간의 혼합된 가스를 이용한다. The plasma treatment is O 2 , H 2 , He, H 2 , SF 6 And a gas of any one of CF 4 or a gas mixed therebetween.

도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 패터닝된 포토레지스트(115)를 제거하고, 상기 게이트 절연막(114) 상에 금속층을 형성한다. 이어, 상기 금속층 상에 포토 레지스트(Photo resist)(미도시)를 도포하고, 상기 포토 레지스트 상부에 소정의 패턴이 형성된 포토 마스크를 정렬한 후 광선을 조사하여 노광하고 그 이후에 현상하여 포토레지스트를 패터닝한다. 이어, 패터닝된 포토 레지스트를 마스크로 사용하여 금속층을 선택적으로 식각하여, 상기 접착막(114a)의 상부에 소스/드레인 전극(116a, 116b)을 형성한다. As shown in FIG. 3C, the patterned photoresist 115 is removed and a metal layer is formed on the gate insulating layer 114. Subsequently, a photoresist (not shown) is applied on the metal layer, the photomask having a predetermined pattern formed on the photoresist is aligned, and then irradiated with light to expose the photoresist. Pattern. Subsequently, the metal layer is selectively etched using the patterned photoresist as a mask to form source / drain electrodes 116a and 116b on the adhesive layer 114a.

상기 소스/드레인 전극은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 알루미늄합금(Al alloy) 등의 저저항 금속무기물질 중에서 적어도 하나 또는 하나 이상으로 이루어진다. The source / drain electrodes are made of at least one or more of low resistance metal inorganic materials such as chromium (Cr), molybdenum (Mo), aluminum (Al), and aluminum alloy (Al alloy).

한편, 상기 플라즈마 처리공정에 의해 형성된 친수성의 접착막(114a)은 상기 소스/드레인 전극(116a, 116b)과 상기 유기물질의 게이트 절연막(114)간의 접착력을 증가시키게 한다. Meanwhile, the hydrophilic adhesive film 114a formed by the plasma treatment process increases the adhesion between the source / drain electrodes 116a and 116b and the gate insulating film 114 of the organic material.

이어서, 상기 패터닝된 포토레지스트(115)를 제거한다. 따라서, 상기 플라즈마 처리공정시에도 소수성이 유지된 게이트 절연막(114)이 노출된다. Subsequently, the patterned photoresist 115 is removed. Therefore, the gate insulating film 114 retaining hydrophobicity is exposed even during the plasma treatment process.

계속하여, 도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 소스/드레인전극(116a, 116b) 및 소수성이 유지된 게이트 절연막(114) 전면에 유기 물질을 도포한 후 패터닝하여, 유기 반도체층(120)을 형성함으로써 유기 박막트랜지스터를 완성한다. Subsequently, as shown in FIG. 3D, an organic material is coated on the entire surface of the source / drain electrodes 116a and 116b and the gate insulating film 114 retaining hydrophobicity and then patterned to form an organic semiconductor layer 120. This completes the organic thin film transistor.

상기 유기 반도체층으로 사용될 유기 물질로는 LCPBC(Liquid Crystalline Polyfluorene Block Copolymer), 펜타센(Pentacene), 폴리사이오핀(polythiophene) 등의 있다. The organic material to be used as the organic semiconductor layer may include a liquid crystal line polyfluorene block copolymer (LCPBC), pentacene, polythiophene, and the like.

이때, 상기 소수성이 유지된 게이트 절연막(114) 상에 상기 유기 반도체층(120)이 형성됨으로써, 채널영역으로 정의될 유기 반도체층의 그레인 사이즈가 증가되고, 차지 트랩사이트로 작용하는 그레인 바운더리가 감소되어 유기 반도체층의 전기적 특성을 향상시키게 된다. In this case, since the organic semiconductor layer 120 is formed on the hydrophobic gate insulating layer 114, the grain size of the organic semiconductor layer to be defined as a channel region is increased and the grain boundary serving as a charge trap site is reduced. As a result, the electrical characteristics of the organic semiconductor layer may be improved.

한편, 상기와 같은 제1 실시예에 의한 유기 박막 트랜지스터를 포함하는 액정표시소자는, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기의 유기 박막 트랜지스터가 형성된 기판(110) 상에 BCB, 아크릴계 물질, 폴리이미드와 같은 유기절연물질로 형성된 보호막(122)과, 상기 콘택홀(119)을 통해 상기 드레인 전극(116b)에 연결되도록 상기 보호막(122)의 화소영역에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxie)로 형성되는 화소전극(124)이 더 구비된다. 그리고, 상기 하부기판(110)에 대향합착된 상부기판(132)에는 화소영역을 제외한 부분에서 빛을 차광하는 블랙 매트릭스(130), 색상을 구현하기 위한 컬러필터층(128) 및 화소를 구동하기 위한 공통전극(126)이 구비된다. 이와 같은 상부기판(132)과 하부기판(110)이 일정공간을 갖고 합착되고 그 사이에 액정층(131)이 형성된다. On the other hand, the liquid crystal display device including the organic thin film transistor according to the first embodiment as described above, BCB, acrylic material, polyimide on the substrate 110, the organic thin film transistor is formed as shown in FIG. Indium Tin Oxide (ITO) or Indium Zinc (IZO) in the pixel region of the passivation layer 122 to be connected to the drain electrode 116b through the contact hole 119 and the passivation layer 122 formed of an organic insulating material such as A pixel electrode 124 formed of Oxie is further provided. In addition, the upper substrate 132 opposite to the lower substrate 110 has a black matrix 130 that shields light from portions other than the pixel region, a color filter layer 128 for implementing color, and a pixel for driving the pixels. The common electrode 126 is provided. The upper substrate 132 and the lower substrate 110 are bonded to each other with a predetermined space, and the liquid crystal layer 131 is formed therebetween.

한편, 상기와 같은 제1 실시예에 의한 유기박막트랜지스터가 형성된 유기발광전계소자(도시되지 않았음)는, 상기 유기박막 트랜지스터가 형성된 기판(110)과 대향합착된 상부기판에는 제1 전극과, 제2 전극과, 그 사이에 유기발광층을 갖는 유기 발광 다이오드가 형성된다. On the other hand, the organic light emitting diode device (not shown) formed with the organic thin film transistor according to the first embodiment as described above, the first substrate and the upper substrate facing the substrate 110 on which the organic thin film transistor is formed; An organic light emitting diode having a second electrode and an organic light emitting layer therebetween is formed.

한편, 상기와 같이 본 발명의 제1 실시예는 유기 박막 트랜지스터의 구조중 바텀- 게이트(bottom gate)구조를 설명하였고, 이후 설명하게 될 본 발명의 제2 실시예는 유기 박막 트랜지스터의 구조중 탑- 게이트(Top gate)구조에 대해 설명하고자 한다. Meanwhile, as described above, the first embodiment of the present invention has described a bottom gate structure of the structure of the organic thin film transistor, and the second embodiment of the present invention, which will be described later, is a top of the structure of the organic thin film transistor. -I will explain the top gate structure.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이고, 도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 이용한 액정표시장치의 단면도이다. 5A to 5D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic thin film transistor according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view of a liquid crystal display using an organic thin film transistor according to a second embodiment of the present invention. to be.

우선, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터는, 도 5d에 도시 된 바와 같이, 기판(210)상에 소수성의 유기물질로 형성된 버퍼막(212)과, 상기 버퍼막(212)상에 각각 섬형상의 금속층으로 형성된 소스/드레인 전극(214a, 214b)과, 상기 소스/드레인전극(214a, 214b) 및 버퍼막(212) 상에 형성된 LCPBC(Liquid Crystalline Polyfluorene Block Copolymer), 펜타센(Pentacene), 폴리사이오핀(polythiophene) 등의 유기 반도체층(216)과, 상기 유기 반도체층(216)상에 형성된 게이트 절연막(218)과, 상기 소스/드레인 전극(214a, 214b)과 오버랩되어 상기 게이트절연막(218) 상에 형성된 게이트 전극(220)과, 상기 소스/드레인전극(214a, 214b)과 버퍼막(212)이 접촉되는 영역에 형성된 친수성의 접착층(212a)으로 구성된다. First, the organic thin film transistor according to the second embodiment of the present invention, as shown in Figure 5d, the buffer film 212 formed of a hydrophobic organic material on the substrate 210 and the buffer film 212 on the Source / drain electrodes 214a and 214b formed of island-like metal layers on the substrate, and liquid crystalline polyfluorene block copolymer (LCPBC) and pentacene (LCCBC) formed on the source / drain electrodes 214a and 214b and the buffer film 212. An organic semiconductor layer 216 such as pentacene, polythiophene, a gate insulating film 218 formed on the organic semiconductor layer 216, and the source / drain electrodes 214a and 214b and overlap with each other. A gate electrode 220 formed on the gate insulating film 218 and a hydrophilic adhesive layer 212a formed in a region where the source / drain electrodes 214a and 214b and the buffer film 212 are in contact with each other.

한편, 상기 친수성의 접착층(212a)은 소스/드레인 전극(214a, 214b)과 버퍼막(212)이 접촉되는 영역에만 형성되어, 이들막간의 접착력을 향상시키고, 소수성이 유지된 버퍼막(212) 상에 유기반도체층(216)을 형성함으로써, 유기 반도체층의 그레인 사이즈가 증가되고, 차지 트랩사이트로 작용하는 그레인 바운더리가 감소되어 유기반도체층의 전기적 특성이 향상된다. On the other hand, the hydrophilic adhesive layer 212a is formed only in a region where the source / drain electrodes 214a and 214b are in contact with the buffer film 212, thereby improving adhesion between the films and maintaining the hydrophobicity. By forming the organic semiconductor layer 216 on, the grain size of the organic semiconductor layer is increased, the grain boundary serving as the charge trap site is reduced, and the electrical characteristics of the organic semiconductor layer are improved.

상기와 같은 유기 박막 트랜지스터의 제조방법을 설명하면 다음과 같다. The manufacturing method of the organic thin film transistor as described above is as follows.

우선, 도 5a에 도시된 바와 같이, 유리 또는 투명한 플라스틱의 기판(210) 상에 버퍼막(212)을 형성한다. First, as shown in FIG. 5A, a buffer film 212 is formed on a substrate 210 of glass or transparent plastic.

상기 버퍼막(212)은 이후 형성될 유기 반도체층의 결정성장을 좋게 하기 위해 증착되고, BCB(Benzocyclobutene), 아크릴계 물질, 폴리이미드와 같은 소수성의 유기절연물질을 형성한다. The buffer film 212 is deposited to improve crystal growth of an organic semiconductor layer to be formed later, and forms a hydrophobic organic insulating material such as benzocyclobutene (BCB), an acrylic material, and a polyimide.

이어, 상기 버퍼막(212) 상에 포토 레지스트를 도포하고, 상기 포토레지스트 상부에 소정의 패턴이 형성된 포토마스크를 정렬한 후 광선을 조사하여 노광하고 그 이후에 현상하여 포토레지스트를 패터닝(213)한다. Subsequently, a photoresist is applied on the buffer layer 212, a photomask having a predetermined pattern formed on the photoresist is aligned, and then exposed to light by irradiation with light, followed by development. do.

도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 패터닝된 포토레지스트(213)가 형성된 버퍼막(212) 상에 플라즈마 처리공정을 수행하여, 버퍼막(212) 표면의 소정영역에 친수성의 접착막(212a)을 형성한다. As shown in FIG. 5B, a plasma treatment process is performed on the buffer film 212 on which the patterned photoresist 213 is formed, thereby depositing a hydrophilic adhesive film 212a on a predetermined region of the surface of the buffer film 212. Form.

한편, 상기 패터닝된 포토레지스트(213) 하부의 버퍼막(212)에는 상기 플라즈마 처리 공정시 패터닝된 포토레지스트(213)이 마스크로써 사용되어 버퍼막(212)의 소수성이 유지된다. Meanwhile, the patterned photoresist 213 is used as a mask in the buffer layer 212 under the patterned photoresist 213 to maintain hydrophobicity of the buffer layer 212.

상기 플라즈마 처리는 O2, H2, He, H2, SF6 및 CF4 중 어느 하나의 가스 또는 이들간의 혼합된 가스를 이용한다. The plasma treatment is O 2 , H 2 , He, H 2 , SF 6 And a gas of any one of CF 4 or a gas mixed therebetween.

이어, 도 5c에 도시된 바와 같이, 상기 패터닝된 포토레지스트(213)를 제거한다. 따라서, 상기 플라즈마 처리 공정시에도 소수성이 유지된 버퍼막(212)이 노출된다. Subsequently, as shown in FIG. 5C, the patterned photoresist 213 is removed. Accordingly, even in the plasma treatment process, the buffer film 212 having hydrophobicity is exposed.

계속하여, 상기 접착막(212a)을 포함한 버퍼막(212) 상면에 금속층을 형성하고, 상기 금속층 상에 포토 레지스트(Photo resist)(미도시)를 도포하고, 상기 포토 레지스트 상부에 소정의 패턴이 형성된 포토 마스크를 정렬한 후 광선을 조사하여 노광하고 그 이후에 현상하여 포토레지스트를 패터닝(미도시)한다. 이어, 패터닝된 포토 레지스트를 마스크로 사용하여 금속층을 선택적으로 식각하여, 상기 접 착막(212a)의 상부에 소스/드레인 전극(214a, 214b)을 형성한다. 상기 패터닝된 포토레지스트(미도시)를 제거한다. Subsequently, a metal layer is formed on an upper surface of the buffer film 212 including the adhesive film 212a, a photoresist (not shown) is applied on the metal layer, and a predetermined pattern is formed on the photoresist. After the formed photo mask is aligned, light is irradiated and exposed, followed by development to pattern the photoresist (not shown). Subsequently, the metal layer is selectively etched using the patterned photoresist as a mask to form source / drain electrodes 214a and 214b on the adhesive layer 212a. The patterned photoresist (not shown) is removed.

상기 소스/드레인 전극은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 알루미늄합금(Al alloy) 등의 저저항 금속무기물질 중에서 적어도 하나 또는 하나 이상으로 이루어진다. The source / drain electrodes are made of at least one or more of low resistance metal inorganic materials such as chromium (Cr), molybdenum (Mo), aluminum (Al), and aluminum alloy (Al alloy).

한편, 상기 플라즈마 처리공정에 의해 형성된 친수성의 접착막(212a)은 상기 소스/드레인 전극(214a, 214b)과 상기 유기물질의 버퍼막(212)간의 접착력을 증가시키게 한다. On the other hand, the hydrophilic adhesive film 212a formed by the plasma treatment process increases the adhesion between the source / drain electrodes 214a and 214b and the buffer film 212 of the organic material.

계속하여, 도 5d에 도시된 바와 같이, 상기 소스/드레인전극(214a, 214b) 및 소수성이 유지된 버퍼막(212) 전면에 유기 물질을 도포한 후 패터닝하여 유기 반도체층(216)을 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 5D, an organic material is coated on the entire surface of the source / drain electrodes 214a and 214b and the buffer film 212 having the hydrophobicity, and then patterned to form an organic semiconductor layer 216. .

상기 유기 반도체층으로 사용될 유기 물질로는 LCPBC(Liquid Crystalline Polyfluorene Block Copolymer), 펜타센(Pentacene), 폴리사이오핀(polythiophene) 등의 있다.The organic material to be used as the organic semiconductor layer may include a liquid crystal line polyfluorene block copolymer (LCPBC), pentacene, polythiophene, and the like.

이때, 상기 소수성이 유지된 버퍼막(212) 상에 상기 유기 반도체층(216)이 형성됨으로써, 채널영역으로 정의될 유기 반도체층의 그레인 사이즈가 증가되고, 차지 트랩사이트로 작용하는 그레인 바운더리가 감소되어 유기 반도체층의 전기적 특성을 향상시키게 된다. In this case, the organic semiconductor layer 216 is formed on the hydrophobic buffer layer 212, thereby increasing grain size of the organic semiconductor layer to be defined as a channel region and decreasing grain boundary serving as a charge trap site. As a result, the electrical characteristics of the organic semiconductor layer may be improved.

이어서, 유기반도체층(216) 상에 무기절연물질을 증착하거나 또는 유기절연물질을 도포하여 게이트 절연막(218)을 형성한다.Subsequently, an inorganic insulating material is deposited on the organic semiconductor layer 216 or an organic insulating material is applied to form the gate insulating film 218.

상기 게이트 절연막(218)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)등의 무기 절연물질을 형성하거나 또는 BCB(Benzocyclobutene), 아크릴계 물질, 폴리이미드와 같은 유기절연물질을 형성한다. 다만, 이후 형성될 유기 반도체층과의 접촉특성을 위해 무기절연물질보다는 유기절연물질을 사용하여 게이트 절연막을 형성하는 것이 바람직할 것이다. The gate insulating layer 218 forms an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), or forms an organic insulating material such as benzocyclobutene (BCB), acrylic material, or polyimide. However, it may be preferable to form the gate insulating film using the organic insulating material rather than the inorganic insulating material for the contact property with the organic semiconductor layer to be formed later.

상기 게이트 절연막(218) 상에 금속을 증착한 후 포토 식각기술로 패터닝하여, 소스/드레인전극(214a, 214b)과 오버랩되도록 게이트 전극(220)을 형성함으로써, 유기 박막트랜지스터를 완성한다. After depositing a metal on the gate insulating layer 218 and patterning it by photo etching, the gate electrode 220 is formed to overlap the source / drain electrodes 214a and 214b, thereby completing an organic thin film transistor.

상기 게이트 전극은 크롬(Cr), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 알루미늄합금(Al alloy), 텅스텐(W)계열등의 금속물질 중에서 적어도 하나 또는 하나 이상으로 이루어진다. The gate electrode is made of at least one or one or more of metal materials such as chromium (Cr), copper (Cu), molybdenum (Mo), aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W) series.

한편, 제2 실시예에 의한 유기 박막 트랜지스터를 포함하는 액정표시소자는, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기의 유기 박막 트랜지스터가 형성된 기판(210) 상에 BCB, 아크릴계 물질, 폴리이미드와 같은 유기절연물질로 형성된 보호막(222)과, 상기 콘택홀(219)을 통해 상기 드레인 전극(116b)에 연결되도록 상기 보호막(222)의 화소영역에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxie)로 형성되는 화소전극(224)이 더 구비된다. 그리고, 상기 하부기판(210)에 대향합착된 상부기판(232)에는 화소영역을 제외한 부분에서 빛을 차광하는 블랙 매트릭스(230), 색상을 구현하기 위한 컬러필터층(228) 및 화소를 구동하기 위한 공통전극(226)이 구비된다. 이와 같은 상부기판(232)과 하부기판(210)이 일정공간을 갖고 합착되고 그 사이에 액정층(231)이 형성된다. On the other hand, the liquid crystal display device including the organic thin film transistor according to the second embodiment, as shown in Figure 6, on the substrate 210, the organic thin film transistor is formed, such as BCB, acrylic material, polyimide Indium Tin Oxide (ITO) or Indium Zinc Oxie (IZO) in the pixel region of the passivation layer 222 so as to be connected to the drain electrode 116b through the contact hole 219 and the passivation layer 222 formed of an insulating material. The pixel electrode 224 is further provided. In addition, the upper substrate 232 opposite to the lower substrate 210 may include a black matrix 230 that shields light from portions other than the pixel region, a color filter layer 228 for implementing color, and a pixel for driving the pixels. The common electrode 226 is provided. The upper substrate 232 and the lower substrate 210 are bonded to each other with a predetermined space, and the liquid crystal layer 231 is formed therebetween.

한편, 상기와 같은 제2 실시예에 의한 유기박막트랜지스터가 형성된 유기발광전계소자(도시되지 않았음)는, 상기 유기박막 트랜지스터가 형성된 기판(410)과 대향합착된 상부기판에는 제1 전극과, 제2 전극과, 그 사이에 유기발광층을 갖는 유기 발광 다이오드가 형성된다. On the other hand, the organic light emitting diode device (not shown) formed with the organic thin film transistor according to the second embodiment as described above, the first substrate and the upper substrate facing the substrate 410 on which the organic thin film transistor is formed; An organic light emitting diode having a second electrode and an organic light emitting layer therebetween is formed.

본 발명에 따른 유기박막트랜지스터의 제조방법에 의하면, 소수성(hydrophobic)이 유지된 유기물질의 절연막 상에 유기 반도체층을 형성함으로써, 채널영역으로 정의될 유기 반도체층의 그레인 사이즈가 증가되고, 차지 트랩사이트(charge trap site)로 작용하는 그레인 바운더리(grain boundary)가 감소되어 유기 반도체층의 전기적 특성을 향상시키는 효과가 있다. According to the method of manufacturing an organic thin film transistor according to the present invention, by forming an organic semiconductor layer on an insulating film of an organic material maintained hydrophobic, the grain size of the organic semiconductor layer to be defined as a channel region is increased, the charge trap The grain boundary acting as a charge trap site is reduced, thereby improving the electrical characteristics of the organic semiconductor layer.

또한, 본 발명에 따른 유기박막트랜지스터의 제조방법에 의하면, 상기 플라즈마 처리공정에 의해 형성된 친수성의 접착막은 상기 소스/드레인 전극과 상기 유기물질의 절연막 간에 형성된 친수성의 접착막으로 인해, 이들막간의 접착력을 증가시키게 하는 효과가 있다. In addition, according to the method for manufacturing an organic thin film transistor according to the present invention, the hydrophilic adhesive film formed by the plasma treatment process is due to the hydrophilic adhesive film formed between the source / drain electrode and the insulating film of the organic material, the adhesion between these films There is an effect to increase.

Claims (12)

기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계와,Forming a gate electrode on the substrate, 상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와,Forming a gate insulating film on an entire surface of the substrate including the gate electrode; 상기 게이트 절연막의 소정영역에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와,Forming a photoresist pattern on a predetermined region of the gate insulating film; 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 게이트 절연막에 플라즈마 처리공정을 수행하여, 친수성의 접착층을 형성하는 단계와, Forming a hydrophilic adhesive layer by performing a plasma treatment on the gate insulating film on which the photoresist pattern is formed; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와,Removing the photoresist pattern; 상기 접착층 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계와, Forming a source / drain electrode on the adhesive layer; 상기 소스/드레인 전극이 형성된 게이트 절연막 상에 유기 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법. And forming an organic semiconductor layer on the gate insulating layer on which the source / drain electrodes are formed. 제1 항에 있어서, 상기 접착층을 형성하는 플라즈마 처리공정은The method of claim 1, wherein the plasma treatment process for forming the adhesive layer O2, H2, He, H2, SF6 및 CF4 중 어느 하나의 가스 또는 이들간의 혼합된 가스를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법. O 2 , H 2 , He, H 2 , SF 6 And CF 4 using any one of the gases or a mixed gas therebetween. 제1 항에 있어서, 상기 게이트절연막은The method of claim 1, wherein the gate insulating film 소수성의 유기절연물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.A method of manufacturing an organic thin film transistor, characterized in that formed of a hydrophobic organic insulating material. 제3 항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴이 덮힌 소수성의 게이트 절연막은 4. The hydrophobic gate insulating layer of claim 3, wherein the photoresist pattern is covered. 상기 플라즈마 공정시 상기 포토레지스트 패턴에 의해 소수성을 유지하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법. The method of manufacturing an organic thin film transistor, characterized in that to maintain the hydrophobicity by the photoresist pattern during the plasma process. 제1 항에 있어서, 상기 유기반도체층은The method of claim 1, wherein the organic semiconductor layer LCPBC(Liquid Crystalline Polyfluorene Block Copolymer), 펜타센(Pentacene) 및 폴리사이오핀(polythiophene) 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법. A method of manufacturing an organic thin film transistor, characterized in that formed of any one of LCPBC (Liquid Crystalline Polyfluorene Block Copolymer), pentacene (Pentacene) and polythiophene (polythiophene). 제1 항에 있어서, 상기 소스/드레인 전극은The method of claim 1, wherein the source / drain electrode 금속무기물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터의 제조방법. A method of manufacturing an organic thin film transistor, characterized in that formed of a metal inorganic material. 기판상에 버퍼막을 형성하는 단계와,Forming a buffer film on the substrate, 상기 버퍼막의 소정영역에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, Forming a photoresist pattern on a predetermined region of the buffer film; 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 버퍼막에 플라즈마 처리공정을 수행하여, 친수성의 접착층을 형성하는 단계와, Forming a hydrophilic adhesive layer by performing a plasma treatment on the buffer film on which the photoresist pattern is formed; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와,Removing the photoresist pattern; 상기 접착층 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계와, Forming a source / drain electrode on the adhesive layer; 상기 소스/드레인전극이 형성된 버퍼막 상에 유기 반도체층을 형성하는 단계와, Forming an organic semiconductor layer on the buffer film on which the source / drain electrodes are formed; 상기 유기반도체층 상에 게이트 절연막 및 게이트 전극을 각각 형성하는 단계를 포함하는 유기박막트랜지스터의 제조방법. And forming a gate insulating film and a gate electrode on the organic semiconductor layer, respectively. 제7 항에 있어서, 상기 접착층을 형성하는 플라즈마 처리공정은The method of claim 7, wherein the plasma processing step of forming the adhesive layer O2, H2, He, H2, SF6 및 CF4 중 어느 하나의 가스 또는 이들간의 혼합된 가스를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터의 제조방법. Method of manufacturing an organic thin film transistor, characterized in that performed using any one of O 2 , H 2 , He, H 2 , SF 6 and CF 4 gas or a mixed gas therebetween. 제7 항에 있어서, 상기 버퍼막은The method of claim 7, wherein the buffer film 소수성의 유기절연물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.A method of manufacturing an organic thin film transistor, characterized in that formed of a hydrophobic organic insulating material. 제9 항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴이 덮힌 소수성의 버퍼막은 The hydrophobic buffer layer of claim 9, wherein the photoresist pattern is covered. 상기 플라즈마 공정시 상기 포토레지스트 패턴에 의해 소수성을 유지하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법. The method of manufacturing an organic thin film transistor, characterized in that to maintain the hydrophobicity by the photoresist pattern during the plasma process. 제7 항에 있어서, 상기 유기반도체층은The method of claim 7, wherein the organic semiconductor layer LCPBC(Liquid Crystalline Polyfluorene Block Copolymer), 펜타센 (Pentacene) 및 폴리사이오핀(polythiophene) 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법. A method of manufacturing an organic thin film transistor, characterized in that formed of any one of the liquid crystal line polyfluorene block copolymer (LCPBC), pentacene (Pentacene) and polythiophene (polythiophene). 제7 항에 있어서, 상기 소스/드레인 전극은The method of claim 7, wherein the source / drain electrodes 금속무기물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터의 제조방법. A method of manufacturing an organic thin film transistor, characterized in that formed of a metal inorganic material.
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KR20130111652A (en) * 2010-12-24 2013-10-11 파나소닉 주식회사 Semiconductor transistor manufacturing method, driving circuit utilizing a semiconductor transistor manufactured according to the semiconductor transistor manufacturing method, pixel circuit including the driving circuit and a display element, display panel having the pixel circuits disposed in a matrix, display apparatus provided with the display panel
US11508923B2 (en) * 2019-12-17 2022-11-22 Flexenable Limited Semiconductor devices

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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