KR20070070348A - 웨이퍼 보트 - Google Patents

Abstract

본 발명은 로(Furnance)를 이용한 Lp-Cvd(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)(화학기상증착) 방법을 이용하여 웨이퍼상에 박막을 형성시킬 때, 상기 로(Furnance) 내부에 구비된 웨이퍼 보트의 내부에서 발생하는 온도 기울기를 방지하여 웨이퍼간의 박막 두께를 균일하게 하기 위한 웨이퍼 보트에 관한 것이며, 이를 위해 본 발명은, 반도체 소자 제조용 웨이퍼 보트에 있어서, 상기 웨이퍼 보트의 내측에 구비되며 일정 간격으로 이격되어 웨이퍼가 안착 가능하도록 다수개의 슬롯홈이 형성된 지지부; 및 상기 슬롯홈에 안착된 웨이퍼의 하측에 각각 구비되며, 상기 웨이퍼 보트의 하측에서 상측으로 갈수록 반지름이 커지는 링플레이트부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 보트를 제공한다.

웨이퍼, 보트, 지지부, 링플레이트부

Description

웨이퍼 보트{Wafer Boat}

도 1은 본 발명에 의한 웨이퍼 보트를 도시한 도면.

도 2는 본 발명에 의한 웨이퍼 보트의 작동 상태도.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

2 : 웨이퍼 10 : 지지부

12 : 슬롯홈 20 : 링플레이트부

본 발명은 로(Furnance)를 이용한 Lp-Cvd(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)(화학기상증착) 방법을 이용하여 웨이퍼상에 박막을 형성시킬 때, 상기 로(Furnance) 내부에 구비된 웨이퍼 보트의 내부에서 발생하는 온도 기울기를 방지하여 웨이퍼간의 박막 두께를 균일하게 하기 위한 웨이퍼 보트에 관한 것에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 제조의 대부분의 공정에서는 캐리어 단위로 웨이퍼를 처리하고 있다. 그러나, 로(Furnance)를 사용하는 확산공정과 화학기상도포(CVD)공정 등의 공정에서는 다른 공정에 비해서 웨이퍼 가공에 많은 시간이 소모되므로 한번 의 처리에 작은 단위의 웨이퍼만을 처리하게 되면 생산을 위한 다수의 웨이퍼를 처리하기 위해서는 그만큼 많은 시간이 걸리거나 많은 단위의 처리설비가 필요하게 된다.

많은 설비의 설치에는 많은 공간이 소요되고 또한 많은 비용이 소모된다. 그러므로 상기한 경우에는 웨이퍼를 캐리어 단위로 처리하지 않고, 한 번에 많은 웨이퍼를 적재, 이송할 수 있는 웨이퍼 보트에 옮겨서, 다수의 웨이퍼를 한 번에 처리하도록 이루어진 공정챔버나 공정로에서 처리하게 된다.

상기한 웨이퍼 보트는 주로 석영(quartz)재질로 이루어지며, 웨이퍼를 고정시키기 위해 웨이퍼 보트의 지지대(Bar)에 홈 또는 슬롯을 형성하고, 상기 홈 또는 슬롯에 웨이퍼를 끼워 적재할 수 있도록 구성된다. 따라서, 홈의 수와 간격에 따라 많은수의 웨이퍼를 적재할 수 있다.

반도체 소자의 제작에는 여러 가지 박막이 필요한데 상기한 박막의 여러 가지 특성중에서 무엇보다도 필요한 것이 박막의 두께가 균일해야 한다는 것이다.

상기한 박막을 제조하는 방법중에서, 로(Furnance)를 이용한 Lp-Cvd(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)(화학기상증착) 방법이 있다.

상기한 로(Furnance)를 이용하여 박막을 만드는 경우에는 한번에 수십에서 150여장의 웨이퍼를 로딩시켜 작업을 하기 때문에 웨이퍼간의 두께가 균일하게 형성되도록 작업이 이루어져야된다.

한편, 공정 중에 반응기체가 공정 공간의 한 쪽에 치우쳐서 공급되거나 반응로의 발열부가 부분적으로 설치된 경우 웨이퍼의 부분 또는 웨이퍼와 웨이퍼 사이 에 반응의 불균일성을 초래하고, 결국은 공정불량을 유발하는 문제가 있었다.

특히, 보트의 제일 상부나 가장 아랫부분의 웨이퍼는 다른 웨이퍼들로 가려져 있지 않고, 반응기체와 가장 먼저 접하게되는 등의 이유로 인하여 다른 부분의 웨이퍼에 비해 불량으로 박막이 형성될 수 있는 확률이 높았다.

이로인해, 종래의 로(Furnance)를 이용한 LP-CVD 방법으로 제작된 박막은 웨이퍼의 에지(Edge)가 중앙보다 두꺼워지는 문제점이 발생되었으며, 상기한 현상은 다수의 웨이퍼가 불균일한 두께를 갖게되어 제품의 품질 저하와 함께 신뢰성 있는 제품 생산을 할 수 없는 문제점을 발생시켰다.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 웨이퍼간의 균일한 두께를 갖는 박막이 제조 가능한 웨이퍼 보트를 제공하는데 그 목적이 있다.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 웨이퍼 보트의 내측에 구비되며 일정 간격으로 이격되어 웨이퍼가 안착 가능하도록 다수개의 슬롯홈이 형성된 지지부; 및 상기 슬롯홈에 안착된 웨이퍼의 하측에 각각 구비되며, 상기 웨이퍼 보트의 하측에서 상측으로 갈수록 반지름이 커지는 링플레이트부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 보트를 제공하는 것을 특징으로 한다.

상기 링플레이트부는 상기 슬롯홈에 탈착 가능하도록 구비된다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한 다.

도 1은 본 발명에 의한 웨이퍼 보트를 도시한 도면이다.

첨부된 도 1을 참조하면, 웨이퍼 보트의 내측에 구비되며 일정 간격으로 이격되어 웨이퍼(2)가 안착 가능하도록 다수개의 슬롯홈(12)이 형성된 지지부(10); 및 상기 슬롯홈(12)에 안착된 웨이퍼(2)의 하측에 각각 구비되며, 상기 웨이퍼 보트의 하측에서 상측으로 갈수록 반지름이 커지는 링플레이트부(20)를 포함하여 구성된다.

도면에 도시된 바와 같이, 상기 링플레이트부(20)는 보트의 하측으로는 반지름(r)을 갖는 링플레이트부(20)가 설치되고, 상측으로 갈수록 반지름(r')이 증가된 링플레이트부(20)가 설치된다.

상기 링플레이트부(20)는 상기 슬롯홈(12)에 탈착 가능하도록 구비된다.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 의한 웨이퍼 보트의 작동 상태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

첨부된 도 2를 참조하면, 본 발명에 의한 웨이퍼 보트는 로(Furnance)(미도시) 내부에 위치하며, 상기 로(Furnance)의 내부로 소스가스가 주입된다.

상기 소스가스는 웨이퍼 보트의 하측에서 공급되어 지지부(10)의 슬롯홈(12)상에 각각 위치한 링플레이트부(20)의 웨이퍼(2)에 공급된다.

도면에 도시된 바와 같이, 상기 지지부(10)의 하측에 구비된 링플레이트부(20)의 반지름(r) 보다 상측에 구비된 링플레이트부(20)의 반지름(r')이 크게 형성되어 있어서, 동일온도의 조건에서 소스가스에 의해 웨이퍼(2)상에 박막이 형성될 때 상기 웨이퍼 보트에 설치된 웨이퍼(2)의 위치에 상관없이 박막 두께가 일정하게 형성된다.

즉, 웨이퍼(2)의 박막 성장 속도가 큰 웨이퍼 보트의 하측에 위치한 웨이퍼(2)가 위치한 링플레이트부(20)의 반지름(r)은 작게하고, 박막 성장 속도가 느린 웨이퍼 보트의 상측에 위치한 웨이퍼(2)가 위치한 링플레이트부(20)의 반지름(r')은 크게하여 동일 온도 조건에서 웨이퍼(2)의 박막 두께를 일정하게 형성 하게 된다.

따라서, 상기 웨이퍼(2)가 위치한 웨이퍼 보트 내부의 온도 기울기가 감소하여 다수의 웨이퍼(2)가 동시에 균일 두께를 갖는 웨이퍼(2)의 생산이 이루어진다.

한편, 본 발명은 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 보트는 웨이퍼 보트 내부의 온도 기울기가 감소하여 웨이퍼의 설치 위치에 상관없이 균일 두께를 갖는 박막이 형성된 웨이퍼를 제작할 수 있는 효과가 있다.

Claims (2)

1. 반도체 소자 제조용 웨이퍼 보트에 있어서,

   상기 웨이퍼 보트의 내측에 구비되며 일정 간격으로 이격되어 웨이퍼(2)가 안착 가능하도록 다수개의 슬롯홈(12)이 형성된 지지부(10); 및

   상기 슬롯홈(12)에 안착된 웨이퍼(2)의 하측에 각각 구비되며, 상기 웨이퍼 보트의 하측에서 상측으로 갈수록 반지름이 커지는 링플레이트부(20)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 보트.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 링플레이트부(20)는 상기 슬롯홈(12)에 탈착 가능하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 보트.

Images