KR20070070266A - Device for removing haze and particle of the photo-lithography exposure detecting apparatus - Google Patents

Device for removing haze and particle of the photo-lithography exposure detecting apparatus Download PDF

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KR20070070266A
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Abstract

An apparatus for removing haze and particles of a photo-lithography exposure detecting device is provided to add an air gun cooling heat generated in a mirror or a lens inside of an optical device of an exposure device to prevent deterioration due to the heat of the exposure device. An apparatus for removing haze and particles of a photo-lithography exposure detecting device includes a first filter(12), a second filter, and an air gun(26). The first filter is installed on a housing part of a light source unit(10) where the monochromatic light of an exposure device is generated to remove a pollution material. The first filter removes chemicals as the pollution material with high corrosivity to filter impurities as the pollution material. The second filter is installed in the optical device where the monochromatic light of the exposure device impinges onto a wafer through a plurality of lenses to remove the pollution material. The second filter is a HEPA(High Efficiency Particulate Arrestor) filter to remove a pollution particle such as dust, bacteria, and viruses. The air gun generates air for cooling heat generated in a mirror or a lens inside of the optical device of the exposure device.

Description

포토 리소그래피 노광 검사 장비의 렌즈 열화 및 오염 제거 장치{Device for removing haze and particle of the photo-lithography exposure detecting apparatus} Device for removing haze and particle of the photo-lithography exposure detecting apparatus             

도 1은 종래 기술에 의한 포토 리소그래피 노광 검사 장비를 나타낸 구성도,1 is a block diagram showing a photolithography exposure inspection equipment according to the prior art,

도 2는 본 발명에 따라 렌즈 열화 및 오염 제거 장치를 구비한 포토 리소그래피 노광 검사 장비를 나타낸 구성도,2 is a block diagram showing a photolithography exposure inspection apparatus having a lens deterioration and decontamination apparatus according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따라 포토 리소그래피 노광 검사 장비의 렌즈 열화 및 오염 제거 장치내 에어 공급부 및 배기부를 나타낸 도면.
3 shows an air supply and an exhaust in a lens degradation and decontamination apparatus of a photolithography exposure inspection equipment according to the present invention.

- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 - -Explanation of symbols for the main parts of the drawing-

10 : 광원부 12 : 제 1필터10: light source unit 12: first filter

16 : 광 파이버 20 : 집광 렌즈16: optical fiber 20: condenser lens

22 : 레티클 24 : 프로젝션 렌즈22: reticle 24: projection lens

26 : 에어건 27 : 배출구26: air gun 27: outlet

28, 29, 34 : 다수개의 빔 스플리터28, 29, 34: multiple beam splitters

30 : 레이저 다이오드 32 : 센서 30: laser diode 32: sensor                 

36, 40, 42, 44 : 다수개의 미러들36, 40, 42, 44: multiple mirrors

38, 46 : 다수개의 CCD들
38, 46: multiple CCDs

본 발명은 포토 리소그래피(photo-lithography) 검사 장비에 관한 것으로서, 특히 포토 리소그래피 노광 검사 장비에서 노광 장치의 부품 열화 및 헤이즈(haze, 단파장의 산란에 의해 렌즈가 뿌옇게 보임) 현상 등을 방지할 수 있는 포토 리소그래피 노광 검사 장비의 렌즈 열화 및 오염 제거 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photo-lithography inspection apparatus, and in particular, to prevent deterioration of components and haze of the exposure apparatus in a photolithography exposure inspection apparatus, and the like. A lens deterioration and decontamination apparatus of photolithography exposure inspection equipment.

일반적으로 포토 리소그래피 노광 장치는 단색광 및 다수 개의 렌즈를 통해 레티클(reticle)의 마스크 패턴을 웨이퍼 상에 투영시키는 장치이다. 좀 더 상세하게는 노광 장치에는 웨이퍼를 안착시킬 수 있는 스테이지가 설치되고, 스테이지 상부에는 마스크 패턴을 갖는 레티클이 설치된다. 또한 레티클 상부면에는 단색광, 예컨대 수은 램프, I-라인(365nm 파장), DUV(248nm 파장) 등의 광원부로부터 발생된 단색광을 레티클로 집광하는 집광 렌즈가 설치되며 레티클 하부면에는 레티클의 마스크 패턴을 스테이지 상의 웨이퍼 표면에 투영하기 위한 프로젝션 렌즈(projection lens)가 설치된다.In general, photolithographic exposure apparatus is a device for projecting a mask pattern of a reticle onto a wafer through monochromatic light and a plurality of lenses. More specifically, the exposure apparatus is provided with a stage on which the wafer can be seated, and a reticle having a mask pattern is provided on the stage. In addition, a condenser lens is provided on the upper surface of the reticle to collect monochromatic light generated from a light source such as a mercury lamp, an I-line (365 nm wavelength), or a DUV (248 nm wavelength) into a reticle. A projection lens is installed for projecting onto the wafer surface on the stage.

이와 같은 포토 리소그래피 노광 장치는 웨이퍼 표면에 조사되는 레티클의 마스크 패턴을 결함을 측정하는 검사 장비를 도 1과 같이 채택하고 있다. Such a photolithographic exposure apparatus employs inspection equipment for measuring defects in a mask pattern of a reticle irradiated onto a wafer surface as shown in FIG.                         

도 1은 종래 기술에 의한 포토 리소그래피 노광 검사 장비를 나타낸 구성도이다. 도 1을 참조하면, 종래 포토 리소그래피 노광 검사 장비는 앞서 설명된 광원부(10), 광 파이버(16), 집광 렌즈(20), 레티클(22), 프로젝션 렌즈(24) 등으로 구성된 노광 장치에 레이저 다이오드(30), 센서(32), 다수개의 빔 스플리터(28, 29, 34), 다수개의 미러들(36, 40, 42, 44), 다수개의 CCD들(38, 46)이 추가된다. 여기서 미설명된 도면 부호 14는 광원과 광파이버(16)를 연결하는 연결부분이다. 그리고 도 1의 노광 장치는 설명의 간략화를 위하여 노광 장치를 간략하게 도시 및 설명하였다. 즉, 에퍼처, 조명 렌즈 등 당업자라면 능히 알 수 있는 광학적 구성이 생략되었다.1 is a block diagram showing a photolithography exposure inspection equipment according to the prior art. Referring to FIG. 1, a conventional photolithography exposure inspection apparatus includes a laser in an exposure apparatus including the light source unit 10, the optical fiber 16, the condenser lens 20, the reticle 22, the projection lens 24, and the like described above. A diode 30, a sensor 32, a plurality of beam splitters 28, 29, 34, a plurality of mirrors 36, 40, 42, 44 and a plurality of CCDs 38, 46 are added. Reference numeral 14 not described here is a connection portion connecting the light source and the optical fiber 16. In addition, the exposure apparatus of FIG. 1 has been briefly shown and described for an exposure apparatus in order to simplify the description. That is, the optical configuration that can be known to those skilled in the art, such as apertures and illumination lenses, has been omitted.

이와 같이 구성된 종래 포토 리소그래피 노광 검사 장비는 단색광, 예컨대 수은 램프, I-라인(365nm 파장), DUV(248nm 파장) 등의 광원부(10)로부터 발생된 광을 광 파이버(16)를 통해 집광 렌즈(20)에 전달하고 집광 렌즈(20)에서는 레티클(22)에 광을 집광하고 레티클(22)에 집광된 광은 마스크 패턴의 정보를 가지고 프로젝션 렌즈(24)를 통해 빔 스플리터(29, 34)를 통해 미러(40)에 전달된다.The conventional photolithography exposure inspection apparatus configured as described above collects light generated from the light source unit 10 such as monochromatic light, for example, a mercury lamp, an I-line (365 nm wavelength), a DUV (248 nm wavelength), and the like through a optical fiber 16. 20 to collect light at the reticle 22 in the condenser lens 20, and the light condensed at the reticle 22 passes the beam splitters 29 and 34 through the projection lens 24 with the mask pattern information. Is transmitted to the mirror 40.

미러(40)에 전달된 광은 회전 미러(42)로 반사되고 다른 미러(44)에 반사되어 좌측 및 우측 CCD(L-Trans CCD, R-Trans CCD)(46)에 입사된다. 상기 좌측 및 우측 CCD(L-Trans CCD, R-Trans CCD)(46)에서 검출된 광에 포함되는 레티클(22)의 마스크 패턴이 서로 일치하는지를 비교하여 노광 장치의 결함 유무를 검사하게 된다.The light transmitted to the mirror 40 is reflected by the rotating mirror 42 and reflected by the other mirror 44 to be incident on the left and right CCDs (L-Trans CCD, R-Trans CCD) 46. The defect pattern of the exposure apparatus is inspected by comparing the mask patterns of the reticle 22 included in the light detected by the left and right CCDs (L-Trans CCD, R-Trans CCD) 46 with each other.

그리고 자동 포커스 조정을 위하여 레이저 다이오드(30)에서 조사된 670nm 레이저 광은 빔 스플리터(28, 29)를 통해 그대로 투과 또는 반사하여 프로젝션 렌즈(24)를 통해 레티클(22)에 전달된다. 레티클(22)에 전달된 광은 마스크 패턴의 정보를 가지고 프로젝션 렌즈(24) 및 빔 스플리터(29)를 통해서 센서(32)에 전달된다. 센서(32)에서 검출된 레이저 광의 유무에 따라 노광 장치의 포커스를 측정하고 센서(32)에서 레이저 광이 검출되도록 프로젝션 렌즈(24)의 위치를 조정하여 노광 장치의 포커스를 맞춘다.The 670 nm laser light irradiated from the laser diode 30 for automatic focus adjustment is transmitted or reflected through the beam splitters 28 and 29 as it is and is transmitted to the reticle 22 through the projection lens 24. Light transmitted to the reticle 22 is transmitted to the sensor 32 through the projection lens 24 and the beam splitter 29 with the information of the mask pattern. The focus of the exposure apparatus is measured by measuring the focus of the exposure apparatus according to the presence or absence of the laser light detected by the sensor 32 and adjusting the position of the projection lens 24 so that the laser light is detected by the sensor 32.

그런데 종래 포토 리소그래피 노광 검사 장비는 장시간 사용할 경우 광원으로 사용하는 레이저 광원 또는 수은 램프 등의 열에 의해 헤이즈 등의 열화 문제가 심각해지고 외부로부터 노광 장치의 렌즈 및 미러에 오염 물질 등의 오염이 발생하게 된다. 따라서 노광 장치의 렌즈 및 미러를 분리해서 클리닝하여도 한계가 있기 때문에 새로운 부품으로 교체해야만 하는 문제점이 있었다.
However, in the conventional photolithography exposure inspection equipment, deterioration problems such as haze are seriously caused by heat of a laser light source or a mercury lamp used as a light source, and contaminants such as contaminants are generated on the lens and mirror of the exposure apparatus from the outside. . Therefore, there is a problem in that the lens and the mirror of the exposure apparatus are separated and cleaned, so there is a problem that a new component must be replaced.

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 단색광이 발생되는 광원부 또는 렌즈가 있는 광학부에 외부로부터의 오염을 제거하기 위한 필터를 설치함으로써 노광 장치의 오염 발생으로 인한 부품 열화를 미연에 방지할 수 있는 포토 리소그래피 노광 검사 장비의 렌즈 열화 및 오염 제거 장치를 제공하는데 있다.
An object of the present invention is to solve the problems of the prior art by providing a filter for removing contamination from the outside of the light source unit or the optical unit having a lens to generate a monochromatic light to prevent component degradation due to contamination of the exposure apparatus An object of the present invention is to provide a lens deterioration and decontamination apparatus for photolithography exposure inspection equipment that can be prevented in advance.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 포토 리소그래피 노광 장치를 검사하는 장비에 있어서, 노광 장치의 단색광이 발생되는 광원부의 하우징 부분에 설치되어 오염 물질을 제거하는 제 1필터와, 노광 장치의 광원부로부터 발생된 단색광이 다수개의 렌즈를 통해 웨이퍼로 조사되는 광학부에 설치되어 오염 물질을 제거하는 제 2필터를 구비한 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a device for inspecting a photolithography exposure apparatus, comprising: a first filter installed in a housing portion of a light source unit in which monochromatic light of an exposure apparatus is generated and removing contaminants, and generated from a light source unit of an exposure apparatus; And a second filter for removing contaminants by installing the monochromatic light to an optical unit irradiated to the wafer through a plurality of lenses.

그러므로 본 발명에 따른 포토 리소그래피 노광 검사 장비의 렌즈 열화 및 오염 제거 장치는 단색광이 조사되는 광원부 또는 렌즈가 있는 광학부에 외부로부터의 오염을 제거하기 위한 필터를 각각 설치함으로써 노광 장치의 오염 발생으로 인한 렌즈 등의 부품 열화를 미연에 방지할 수 있다.Therefore, the lens deterioration and decontamination apparatus of the photolithography exposure inspection equipment according to the present invention is provided with a filter for removing contamination from the outside by installing a filter for removing contamination from the outside, respectively, in the light source portion to which monochromatic light is irradiated or the optical part with the lens. Deterioration of components such as lenses can be prevented in advance.

또한 본 발명의 장치는 노광 장치의 광학부내 렌즈 또는 미러에 생기는 열을 쿨링시키는 에어를 발생하는 에어건을 더 추가함으로써 노광 장치의 헤이즈 현상 등의 열화를 미연에 방지할 수 있다.
In addition, the apparatus of the present invention can further prevent deterioration such as haze phenomenon of the exposure apparatus by further adding an air gun that generates air for cooling the heat generated in the lens or mirror in the optical unit of the exposure apparatus.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따라 렌즈 열화 및 오염 제거 장치를 구비한 포토 리소그래피 노광 검사 장비를 나타낸 구성도이다.2 is a block diagram showing a photolithography exposure inspection apparatus having a lens deterioration and decontamination apparatus according to the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 포토 리소그래피 노광 검사 장비는 광원부(10), 광 파이버(16), 집광 렌즈(20), 레티클(22), 프로젝션 렌즈(24) 등으로 구성된 노광 장치에 레이저 다이오드(30), 센서(32), 다수개의 빔 스플리터(28, 29, 34), 다수개의 미러들(36, 40, 42, 44), 다수개의 CCD들(38, 46)이 추가된다. 여기서 미설명된 도면 부호 14는 광원과 광파이버(16)를 연결하는 연결부분이다. 그리고 도 1의 노광 장치는 설명의 간략화를 위하여 노광 장치를 간략하게 도시 및 설명하였다. 즉, 에퍼처, 조명 렌즈 등 당업자라면 능히 알 수 있는 광학적 구성이 생략되었다. 또한 본 발명의 포토 리소그래피 노광 검사 장비에서는, 집광 렌즈(20), 레티클(22), 프로젝션 렌즈(24) 등을 노광 장치의 광학부로 정의한다.Referring to FIG. 2, the photolithography exposure inspection apparatus according to the present invention includes a laser in an exposure apparatus including a light source unit 10, an optical fiber 16, a condenser lens 20, a reticle 22, a projection lens 24, and the like. A diode 30, a sensor 32, a plurality of beam splitters 28, 29, 34, a plurality of mirrors 36, 40, 42, 44 and a plurality of CCDs 38, 46 are added. Reference numeral 14 not described here is a connection portion connecting the light source and the optical fiber 16. In addition, the exposure apparatus of FIG. 1 has been briefly shown and described for an exposure apparatus in order to simplify the description. That is, the optical configuration that can be known to those skilled in the art, such as apertures and illumination lenses, has been omitted. In the photolithography exposure inspection equipment of the present invention, the condenser lens 20, the reticle 22, the projection lens 24, and the like are defined as the optical portion of the exposure apparatus.

본 발명에 따른 포토 리소그래피 노광 검사 장비는 노광 장치의 단색광이 발생되는 광원부(10)의 하우징 부분에 설치되어 오염 물질을 제거하는 제 1필터(12)를 포함한다. 이때 제 1필터(12)는 케미컬 필터로서, 케미컬 필터 내부에 존재하는 KMnO4, H3PO4 등의 케미컬 물질에 의해 흡착된 기체 분자를 산화 또는 중화시켜 황산(H2SO4), 불산(HF), 암모니아(NH4OH) 등의 부식성이 강한 오염 물질인 케미컬을 제거하여 오염 물질인 불순물을 걸러준다.The photolithography exposure inspection equipment according to the present invention includes a first filter 12 installed in the housing portion of the light source unit 10 in which the monochromatic light of the exposure apparatus is generated to remove contaminants. In this case, the first filter 12 is a chemical filter, and oxidizes or neutralizes gas molecules adsorbed by chemical substances such as KMnO 4 and H 3 PO 4 present in the chemical filter to disperse sulfuric acid (H 2 SO 4), hydrofluoric acid (HF), and ammonia (NH 4 OH). It removes chemicals, such as highly corrosive contaminants, to filter out contaminants.

또 본 발명에 따른 포토 리소그래피 노광 검사 장비는 노광 장치의 광원부(10)로부터 발생된 단색광이 다수개의 렌즈(20, 24)를 통해 웨이퍼로 조사되는 광학부에 설치되어 오염 물질을 제거하는 제 2필터(미도시됨)를 더 포함한다. 이때 제 2필터는 헤파(HEPA : High Efficiency Particulate Arrestor) 필터로서, 헤파 필터는 0.3㎛ 보다 크거나 같은 예컨대 먼지, 박테리아, 바이러스 등의 오염 입자를 제거한다.In addition, the photolithography exposure inspection apparatus according to the present invention is provided with a second filter in which the monochromatic light generated from the light source unit 10 of the exposure apparatus is installed on the optical unit irradiated to the wafer through the plurality of lenses 20 and 24 to remove contaminants. (Not shown) further. At this time, the second filter is a HEPA (High Efficiency Particulate Arrestor) filter, and the HEPA filter removes contaminant particles such as dust, bacteria, viruses and the like that are larger than or equal to 0.3 μm.

그러므로 본 발명은 제 1필터(12)인 케미컬 필터에 의해 광 파이버(26)를 통해 연결된 광원부(10)에서 발생하는 외부 오염 물질로 인한 열화를 최소화할 수 있 다. 그리고 집광 렌즈(20), 레티클(22), 프로젝션 렌즈(24) 등의 광학부에서 설치된 제 2필터인 헤파(HEPA) 필터에 의해 외부 오염 물질의 유입을 막아 검사 장비의 검출력을 향상시킬 수 있다.Therefore, the present invention can minimize deterioration due to external pollutants generated in the light source unit 10 connected through the optical fiber 26 by the chemical filter which is the first filter 12. In addition, the HEPA filter, which is a second filter installed in the optical unit such as the condenser lens 20, the reticle 22, and the projection lens 24, prevents the inflow of external contaminants and improves the detection power of the inspection equipment. .

또한 본 발명에 따른 포토 리소그래피 노광 검사 장비는 노광 장치의 광학부내 집광 렌즈(20), 프로젝션 렌즈(20, 24) 또는 미러(미도시됨)에 생기는 열을 쿨링시키는 에어인 비휘발성 기체를 방출하는 에어건(26)을 포함한다. 그리고 노광 장치의 광학부내 에어를 배출(purge)하는 배출구(27)를 더 포함한다. 이때 에어건(26)에서 공급되는 비휘발성 기체는 N2 또는 He 등이 된다. In addition, the photolithography exposure inspection apparatus according to the present invention emits a nonvolatile gas, which is air that cools heat generated in the condenser lens 20, the projection lens 20, 24, or a mirror (not shown) in the optical unit of the exposure apparatus. An air gun 26. And a discharge port 27 for purging air in the optical unit of the exposure apparatus. At this time, the nonvolatile gas supplied from the air gun 26 is N2 or He.

그러므로 본 발명은 N2 또는 He 등의 에어를 방출하는 에어건(26)을 장착하고 이를 퍼지하여 광원부(10)의 단색광이 조사되는 렌즈(20, 24) 또는 미러(미도시됨) 표면에 발생하는 열을 쿨링시킴으로써 헤이즈 등의 광학부 열화 문제를 미연에 방지할 수 있다.Therefore, the present invention is equipped with an air gun 26 that emits air such as N2 or He and purge it to generate heat on the surface of the lens 20, 24 or mirror (not shown) to which monochromatic light of the light source unit 10 is irradiated Cooling can prevent the problem of deterioration of optical parts such as haze in advance.

이와 같이 구성된 본 발명에 따른 포토 리소그래피 노광 검사 장비의 렌즈 열화 및 오염 제거 장치는 종래와 마찬가지로 노광 장치를 검사하게 된다. 즉, 단색광, 예컨대 수은 램프, I-라인(365nm 파장), DUV(248nm 파장) 등의 광원부(10)로부터 발생된 광을 광 파이버(16)를 통해 집광 렌즈(20)에 전달하고 집광 렌즈(20)에서는 레티클(22)에 광을 집광하고 레티클(22)에 집광된 광은 마스크 패턴의 정보를 가지고 프로젝션 렌즈(24)를 통해 빔 스플리터(29, 34)를 통해 미러(40)에 전달된다. 미러(40)에 전달된 광은 회전 미러(42)로 반사되고 다른 미러(44)에 반사되어 좌측 및 우측 CCD(L-Trans CCD, R-Trans CCD)(46)에 입사된다. 상기 좌측 및 우측 CCD(L-Trans CCD, R-Trans CCD)(46)에서 검출된 광에 포함되는 레티클(22)의 마스크 패턴이 서로 일치하는지를 비교하여 노광 장치의 결함 유무를 검사하게 된다.The lens degradation and decontamination apparatus of the photolithography exposure inspection apparatus according to the present invention configured as described above inspects the exposure apparatus as in the prior art. That is, monochromatic light, for example, light generated from the light source unit 10 such as a mercury lamp, an I-line (365 nm wavelength), a DUV (248 nm wavelength), etc. is transmitted to the condensing lens 20 through the optical fiber 16 and the condensing lens ( In 20, the light is focused on the reticle 22, and the light collected on the reticle 22 is transmitted to the mirror 40 through the beam splitters 29 and 34 through the projection lens 24 with the mask pattern information. . The light transmitted to the mirror 40 is reflected by the rotating mirror 42 and reflected by the other mirror 44 to be incident on the left and right CCDs (L-Trans CCD, R-Trans CCD) 46. The defect pattern of the exposure apparatus is inspected by comparing the mask patterns of the reticle 22 included in the light detected by the left and right CCDs (L-Trans CCD, R-Trans CCD) 46 with each other.

그리고 자동 포커스 조정을 위하여 레이저 다이오드(30)에서 조사된 레이저 광은 빔 스플리터(28, 29)를 통해 그대로 투과 또는 반사하여 프로젝션 렌즈(24)를 통해 레티클(22)에 전달된다. 레티클(22)에 전달된 광은 마스크 패턴의 정보를 가지고 프로젝션 렌즈(24) 및 빔 스플리터(28, 29)를 통해서 센서(32)에 전달된다. 센서(32)에서 검출된 레이저 광의 유무에 따라 노광 장치의 포커스를 측정하고 센서(32)에서 레이저 광이 검출되도록 프로젝션 렌즈(24)의 위치를 조정하여 노광 장치의 포커스를 맞춘다.The laser light irradiated from the laser diode 30 for automatic focus adjustment is transmitted or reflected through the beam splitters 28 and 29 as it is and is transmitted to the reticle 22 through the projection lens 24. The light transmitted to the reticle 22 is transmitted to the sensor 32 through the projection lens 24 and the beam splitters 28 and 29 with the information of the mask pattern. The focus of the exposure apparatus is measured by measuring the focus of the exposure apparatus according to the presence or absence of the laser light detected by the sensor 32 and adjusting the position of the projection lens 24 so that the laser light is detected by the sensor 32.

이러한 본 발명에 따른 장치는 노광 장치의 검사 과정시 제 1필터(12)인 케미컬 필터에 의해 광 파이버(26)를 통해 연결된 광원부(10)에서 발생하는 외부 오염 물질을 제거할 수 있으며 집광 렌즈(20), 레티클(22), 프로젝션 렌즈(24) 등의 광학부에서 설치된 제 2필터인 헤파(HEPA) 필터에 의해 외부 오염 물질의 유입을 막거나 제거할 수 있다.The apparatus according to the present invention may remove external contaminants generated in the light source unit 10 connected through the optical fiber 26 by the chemical filter, which is the first filter 12, during the inspection process of the exposure apparatus. 20), the HEPA filter, which is a second filter installed in the optical unit such as the reticle 22 and the projection lens 24, may prevent or remove the inflow of external contaminants.

도 3은 본 발명에 따라 포토 리소그래피 노광 검사 장비의 렌즈 열화 및 오염 제거 장치내 에어 공급부 및 배기부를 나타낸 도면이다.3 is a view showing an air supply part and an exhaust part in a lens deterioration and decontamination apparatus of a photolithography exposure inspection apparatus according to the present invention.

도 3을 참조하면, 또한 본 발명에 따른 포토 리소그래피 노광 검사 장비의 렌즈 열화 및 오염 제거 장치는 검사 시작 전 또는 검사 종료 후에 노광 장치의 광학부내 집광 렌즈(20), 프로젝션 렌즈(20, 24) 또는 미러(미도시됨)에 생기는 열을 에어건(26)의 비휘발성 기체인 에어로 쿨링시키고 다시 광학부내 에어를 배출구(27)를 통해 배출함으로써 광학부내 렌즈(20, 24) 또는 미러(미도시됨) 표면에 발생하는 열로 인한 열화 문제를 방지할 수 있다. 이때 본 발명의 에어건(26)에 공급되는 에어(N2 또는 He 등)는 에어 필터(25)를 통과한다. 그리고, 에어 필터(25)에 공급되는 에어(N2 또는 He 등)는 약 220??로 온도 조절이 된 상태에서 공급한다.Referring to FIG. 3, the lens deterioration and decontamination apparatus of the photolithography exposure inspection apparatus according to the present invention may further include a condenser lens 20, a projection lens 20, 24, or an optical unit within the optical unit of the exposure apparatus before or after the inspection starts. The heat generated in the mirror (not shown) is cooled by air, which is a non-volatile gas of the air gun 26, and then the air in the optical part is discharged through the discharge port 27 so that the lenses 20, 24 or the mirror (not shown) in the optical part are not shown. Deterioration due to heat generated on the surface can be prevented. At this time, the air (N2 or He, etc.) supplied to the air gun 26 of the present invention passes through the air filter 25. Then, the air (N2 or He, etc.) supplied to the air filter 25 is supplied in a state where the temperature is adjusted to about 220 °.

한편, 본 발명은 상술한 실시예에 국한되는 것이 아니라 후술되는 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상과 범주내에서 당업자에 의해 여러 가지 변형이 가능하다.
On the other hand, the present invention is not limited to the above-described embodiment, various modifications are possible by those skilled in the art within the spirit and scope of the present invention described in the claims to be described later.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명은 단색광이 조사되는 광원부 또는 렌즈가 있는 광학부에 외부로부터의 오염을 제거하기 위한 케미컬 필터 및 헤파 필터를 각각 설치함으로써 노광 장치의 오염 발생으로 인한 렌즈 등의 부품 열화를 미연에 방지할 수 있다.As described above, the present invention deteriorates parts such as lenses due to contamination of the exposure apparatus by providing chemical filters and hepa filters for removing contamination from the outside, respectively, in the light source unit to which monochromatic light is irradiated or the optical unit having the lens. Can be prevented in advance.

그리고 본 발명은 노광 장치의 광학부내 렌즈 또는 미러에 생기는 열을 쿨링시키는 에어건을 더 추가함으로써 노광 장치의 열에 의해 발생되는 열화를 미연에 방지할 수 있다.The present invention further prevents deterioration caused by heat of the exposure apparatus by further adding an air gun for cooling the heat generated in the lens or mirror in the optical unit of the exposure apparatus.

Claims (7)

포토 리소그래피 노광 장치를 검사하는 장비에 있어서,In the equipment for inspecting a photolithography exposure apparatus, 상기 노광 장치의 단색광이 발생되는 광원부의 하우징 부분에 설치되어 오염 물질을 제거하는 제 1필터; 및A first filter installed at a housing portion of the light source unit generating monochromatic light of the exposure apparatus to remove contaminants; And 상기 노광 장치의 광원부로부터 발생된 단색광이 다수개의 렌즈를 통해 웨이퍼로 조사되는 광학부에 설치되어 오염 물질을 제거하는 제 2필터를 구비한 것을 특징으로 하는 포토 리소그래피 노광 검사 장비의 렌즈 열화 및 오염 제거 장치.Lens deterioration and decontamination of the photolithography exposure inspection apparatus, characterized in that the second filter for removing contaminants is provided in the optical unit irradiated to the wafer through a plurality of lenses of the monochromatic light generated from the light source unit of the exposure apparatus Device. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 1필터는 케미컬 필터인 것을 특징으로 하는 포토 리소그래피 노광 검사 장비의 렌즈 열화 및 오염 제거 장치.The first filter is a chemical filter, the lens degradation and decontamination apparatus of the photolithography exposure inspection equipment. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 2필터는 헤파(HEPA) 필터인 것을 특징으로 하는 포토 리소그래피 노광 검사 장비의 렌즈 열화 및 오염 제거 장치.The second filter is a HEPA filter HEAP lens degradation and decontamination apparatus of the photolithography exposure inspection equipment. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 노광 장치의 광학부내 렌즈 또는 미러에 생기는 열을 쿨링시키는 에어를 발생하는 에어건을 더 포함한 것을 특징으로 하는 포토 리소그래피 노광 검사 장비의 렌즈 열화 및 오염 제거 장치.And an air gun for generating air for cooling the heat generated in the lens or mirror in the optical unit of the exposure apparatus. 제 4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 장치는 상기 노광 장치의 광학부내 상기 에어를 배출하는 배출구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 리소그래피 노광 검사 장비의 렌즈 열화 및 오염 제거 장치.The apparatus further comprises a discharge port for discharging the air in the optical portion of the exposure apparatus, the lens degradation and decontamination apparatus of the photolithography exposure inspection equipment. 제 4항 또는 제 5항에 있어서, The method according to claim 4 or 5, 상기 에어는 비휘발성 기체인 것을 특징으로 하는 포토 리소그래피 노광 검사 장비의 렌즈 열화 및 오염 제거 장치.And said air is a nonvolatile gas. The apparatus for deteriorating and decontaminating a lens of photolithography exposure inspection equipment. 제 6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 에어는 N2 또는 He인 것을 특징으로 하는 포토 리소그래피 노광 검사 장비의 렌즈 열화 및 오염 제거 장치.The apparatus for lens degradation and decontamination of the photolithography exposure inspection equipment, characterized in that the air is N2 or He.
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