KR20070065571A - Plasma processing apparatus - Google Patents

Plasma processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20070065571A
KR20070065571A KR1020050126159A KR20050126159A KR20070065571A KR 20070065571 A KR20070065571 A KR 20070065571A KR 1020050126159 A KR1020050126159 A KR 1020050126159A KR 20050126159 A KR20050126159 A KR 20050126159A KR 20070065571 A KR20070065571 A KR 20070065571A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
power supply
power
processing apparatus
plasma processing
plasma
Prior art date
Application number
KR1020050126159A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이영종
최준영
이정빈
Original Assignee
주식회사 에이디피엔지니어링
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에이디피엔지니어링 filed Critical 주식회사 에이디피엔지니어링
Priority to KR1020050126159A priority Critical patent/KR20070065571A/en
Publication of KR20070065571A publication Critical patent/KR20070065571A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H01J37/32155—Frequency modulation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

A plasma processing apparatus is provided to supply a preciser process condition by respectively controlling the frequency phase of RF voltages of first and second power supply units. Electrodes(110,120) are installed in the upper and lower portions of a vacuum chamber to generate plasma in the vacuum chamber so that a predetermined treatment is performed on a substrate. First and second RF power supply units(130a,130b) to which power with different frequencies are applied are connected to the electrodes. A phase shifter(132) controls the phases of the first and second RF power supply units, respectively. The first and second RF power supply units can be connected to either one of the upper or lower electrode.

Description

플라즈마 처리장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}Plasma Processing Equipment {PLASMA PROCESSING APPARATUS}

도 1은 종래의 플라즈마 처리장치에 RF전원공급기가 구비된 상태를 도시한 측단면도이다.1 is a side cross-sectional view showing a state in which a RF power supply is provided in a conventional plasma processing apparatus.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리장치에 제1, 2 RF전원공급기가 구비된 상태를 도시한 측단면도이다.2 is a side cross-sectional view showing a state in which the first and second RF power supplies are provided in the plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 플라즈마 처리장치에 제1, 2 RF전원공급기가 구비된 상태를 도시한 측단면도이다.3 is a side cross-sectional view showing a state in which the first and second RF power supplies are provided in the plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

110, 110': 상부 전극 120, 120': 하부 전극110, 110 ': upper electrode 120, 120': lower electrode

130a, 130a': 제1 RF전원공급기 130b, 130b': 제2 RF전원공급기130a, 130a ': first RF power supply 130b, 130b': second RF power supply

132, 132': 위상 변위기132, 132 ': phase shifter

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 상, 하부 전극에 전원을 인가하는 제1, 2 RF전원공급기의 주파수 위상을 각각 가변할 수 있는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to a plasma processing apparatus capable of varying the frequency phase of each of the first and second RF power supplies for supplying power to the upper and lower electrodes.

반도체 장치, 액정표시 장치 등의 제조 프로세스에는, 플라즈마를 사용하여 기판의 표면을 처리하는 플라즈마 처리장치가 많이 사용되고 있다. 이러한 플라즈마 처리장치로는, 기판에 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치나, 화학적 기상 성장(Chemical Vapor Deposition : CVD)을 실시하는 플라즈마 CVD 장치 등을 예로 들 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION Many plasma processing apparatuses for treating a surface of a substrate using plasma have been used in manufacturing processes such as semiconductor devices and liquid crystal display devices. Examples of such a plasma processing apparatus include a plasma etching apparatus for etching a substrate, a plasma CVD apparatus for performing chemical vapor deposition (CVD), and the like.

이러한 플라즈마 처리장치(1)는 도 1에 도시된 바와 같이, 진공 상태와 대기압 상태가 반복적으로 수행되는 진공챔버와 상기 진공챔버내 상하측에 서로 평행하게 대향되는 2개의 평판 전극(10, 20)을 구비한다. 2개의 전극 중 하부 전극(20) 상에는 기판(S)이 탑재된다. 따라서 이 하부 전극(20)을 기판 탑재대라고도 한다. As shown in FIG. 1, the plasma processing apparatus 1 includes a vacuum chamber in which a vacuum state and an atmospheric pressure state are repeatedly performed, and two plate electrodes 10 and 20 opposing parallel to each other in the upper and lower sides of the vacuum chamber. It is provided. The substrate S is mounted on the lower electrode 20 of the two electrodes. Therefore, this lower electrode 20 is also called a substrate mounting table.

여기서, 상기 상부 전극(10)은 상기 하부 전극(20)과 대향되는 위치에 마련된다. 상기 상부 전극(10)은 전극으로서의 역할뿐만 아니라, 양 전극 사이에 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부의 역할도 수행한다.Here, the upper electrode 10 is provided at a position opposite to the lower electrode 20. The upper electrode 10 not only serves as an electrode, but also serves as a process gas supply unit supplying process gas between both electrodes.

그리고 상기 하부 전극(20)에는 방전을 통해 공정가스를 플라즈마화 할 수 있도록 이 전극에 RF 전원을 공급하는 RF전원공급기(30)가 마련되며 여기에서 RF전원공급기(30)는 일반적으로 RF 제네레이터(generator)로 불리우며, 플라즈마 처리장치(1)에 필요한 특정한 주파수의 RF 전력을 발생시키는 구성요소이다. In addition, the lower electrode 20 is provided with an RF power supply 30 for supplying RF power to the electrode to plasma the process gas through the discharge, wherein the RF power supply 30 is generally an RF generator ( It is called a generator and is a component that generates RF power of a specific frequency required for the plasma processing apparatus 1.

따라서, 상기 상부 전극(10)의 샤워 헤드를 통해서 공정가스가 양 전극(10, 20) 사이의 공간으로 균일하게 공급되고, 공급된 공정가스는 RF전원공급기(30)로부터 상기 상, 하부 전극(10, 20)으로의 고주파 전원의 인가에 의해 플라즈마화 되고, 이 플라즈마에 의해 기판의 표면이 처리된다. Therefore, the process gas is uniformly supplied to the space between both electrodes 10 and 20 through the shower head of the upper electrode 10, and the supplied process gas is supplied from the RF power supply 30 to the upper and lower electrodes ( 10 and 20, the plasma is formed by application of a high frequency power source, and the surface of the substrate is processed by this plasma.

그러나 상기 하부 전극(20)은 상기 RF전원공급기(30)에 의해 고주파 전원이 인가되는 과정에서 동일한 위상의 고주파 전원만 공급되어 위상 차가 존재하지 않으며 그로 인해 전위차가 발생되지 않음에 따라 전자들이 이 하부 전극(20)에 집중되고 플라즈마 밀도 또한 감소되어 기판에 불균일하고 정밀하지 못한 공정처리가 실시되는 문제점이 있었다.However, the lower electrode 20 is supplied with only the high frequency power of the same phase in the process of applying the high frequency power by the RF power supply 30 so that the phase difference does not exist, and as a result, the potential difference does not generate electrons. There is a problem in that the concentration of the plasma is also concentrated on the electrode 20 and the substrate is subjected to non-uniform and inaccurate processing.

본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적은 제1, 2 RF전원공급기의 RF 전압의 주파수 위상을 각각 제어하여 공정 처리시 더욱 정밀한 고정 조건을 제공할 수 있도록 한 플라즈마 처리장치를 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the above problems, the object of which is to control the frequency phase of the RF voltage of the first and second RF power supply, respectively, to provide a more precise fixed conditions during the process treatment plasma treatment In providing a device.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 진공챔버의 내부 상, 하측에 전극이 각각 구비되며 이 진공챔버에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 전극에 연결되어 서로 다른 주파수를 가진 전원이 인가되는 제1 RF전원공급기 및 제2 RF전원공급기; 상기 제1 RF전원공급기 및 제2 RF전원공급기의 위상을 각각 제어하는 위상 변위기; 를 포함하여 이루어짐으로써, 제1, 22 RF전원공급기의 고주파 전원의 위상 차를 서로 다르게 가변할 수 있도록 제어함에 따라 플라즈마 밀도를 증가시켜 더욱 정밀하게 공정처리를 수행할 수 있으므로 바람직하다.In order to achieve the above object, the present invention, the electrode is provided on each of the upper and lower sides of the vacuum chamber, the plasma processing apparatus for generating a plasma in the vacuum chamber to perform a predetermined treatment on the substrate, the electrode is connected to the electrode A first RF power supply and a second RF power supply to which power having different frequencies is applied; A phase shifter for controlling phases of the first RF power supply and the second RF power supply, respectively; It is preferable to include a, because it is possible to control the phase difference of the high frequency power supply of the first, 22 RF power supply to be different from each other to increase the plasma density to perform the process more precisely.

또한, 본 발명에서의 상기 제1, 2 RF전원공급기는, 상, 하부 전극에 각각 연 결거나, 상부 전극 또는 하부 전극 중 어느 한 전극에 연결됨으로써, 상부 전극의 고주파 전원과 하부 전극의 고주파 전원의 위상을 각각 제어하거나, 상기 상부 전극 또는 하부 전극 어느 하나에 인가되는 고주파 전원의 위상을 제어하므로 바람직하다.In addition, the first and second RF power supply in the present invention is connected to the upper and lower electrodes, respectively, or connected to any one of the upper electrode or the lower electrode, the high frequency power supply of the upper electrode and the high frequency power supply of the lower electrode It is preferable to control the phase of each or control the phase of the high frequency power source applied to either the upper electrode or the lower electrode.

이하, 본 발명의 플라즈마 처리장치를 첨부도면을 참조하여 일 실시 예를 들어 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the plasma processing apparatus of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리장치(100)는 도 2에 도시된 바와 같이 진공챔버내 상하측에 상부 전극(110)과 하부 전극(120)이 구비되며, 상기 진공챔버 및 상, 하부 전극(110, 120)은 종래의 그것과 동일한 구조와 기능을 하므로 상세한 설명은 생략한다.In the plasma processing apparatus 100 according to the preferred embodiment of the present invention, the upper electrode 110 and the lower electrode 120 are provided on the upper and lower sides of the vacuum chamber, as shown in FIG. Since the lower electrodes 110 and 120 have the same structure and function as those of the related art, detailed description thereof will be omitted.

그리고 상기 플라즈마 처리장치(100)에는 상기 상, 하부 전극(110, 120)에 각각 RF 전원을 공급하도록 연결되는 제1, 2 RF전원공급기(130a, 130b)와, 출력된 RF 전력의 임피던스를 상기 플라즈마 처리장치(100) 내부의 임피던스와 매칭(matching)시키는 매칭 박스(도면에 미도시)와, 이 매칭 박스와 플라즈마 처리장치(100) 내부의 두 전극(110, 120)을 연결하는 RF 전력 전도부(도면에 미도시) 및 상기 제1, 2 RF전원공급기(130a, 130b)의 위상을 각각 제어하는 위상 변위기(132)를 포함하여 구성된다. The plasma processing apparatus 100 includes first and second RF power supplies 130a and 130b connected to supply RF power to the upper and lower electrodes 110 and 120, respectively, and impedances of the output RF power. Matching box (not shown) to match the impedance inside the plasma processing apparatus 100, and RF power conducting unit connecting the matching box and the two electrodes (110, 120) in the plasma processing apparatus 100 (Not shown in the figure) and phase shifters 132 for controlling the phases of the first and second RF power supplies 130a and 130b, respectively.

여기서, 상기 매칭박스는 제1, 2 RF전원공급기(130a, 130b)로부터 출력된 RF 전력의 임피던스(impedance)를 상기 플라즈마 처리장치(100) 내부의 임피던스와 매칭시키는 구성요소이다. 만약, 플라즈마 처리장치(100) 내부의 미세한 환경변화로 인해, 양자의 임피던스가 불일치하게 되는 경우, 플라즈마의 균일성 파괴로 인해 최종 완성되는 기판(도면에 미도시)의 품질이 저하되는 문제점이 야기된다. Here, the matching box is a component that matches the impedance of the RF power output from the first and second RF power supplies 130a and 130b with the impedance inside the plasma processing apparatus 100. If, due to the minute environmental changes inside the plasma processing apparatus 100, the impedances of both are inconsistent, the quality of the final substrate (not shown in the drawing) may be degraded due to the uniformity of the plasma. do.

그리고 RF 전력 전도부는, 매칭 박스와 플라즈마 처리장치(100) 내부에 마련된 상, 하부 전극(110, 120)을 연결하여 상기 상, 하부 전극(110, 120)에 RF 전력을 인가하는 구성요소이다. The RF power conducting unit is a component that connects the upper and lower electrodes 110 and 120 provided inside the matching box and the plasma processing apparatus 100 to apply RF power to the upper and lower electrodes 110 and 120.

여기서, 상기 제1 RF전원공급기(130a)는 상기 상부 전극(110)에 연결되어 RF 전원을 인가하는 기능을 하며, 13.56㎒의 고주파 전원 주파수를 갖는다.Here, the first RF power supply 130a is connected to the upper electrode 110 to apply RF power, and has a high frequency power frequency of 13.56 MHz.

그리고 상기 제2 RF전원공급기(130b)는 상기 하부 전극(210)에 연결되어 RF 전원을 인가하는 기능을 하며, 3.39㎒의 고주파 전원 주파수를 갖는다.The second RF power supply 130b is connected to the lower electrode 210 to apply RF power, and has a high frequency power frequency of 3.39 MHz.

상기 위상 변위기(132)는 제1 RF전원공급기(130a) 및 제2 RF전원공급기(130b)의 위상을 각각 제어하기 위해 제1, 2 RF전원공급기(130a, 130b)와 각각 연결되며 상기 제1, 2 RF전원공급기(130a, 130b)의 고주파 전원 주파수인 13.56㎒와 3.39㎒의 위상을 상기 위상 변위기(132)에 의해 각각 0∼360°의 위상 내에서 가변될 수 있도록 한다.The phase shifter 132 is connected to the first and second RF power supplies 130a and 130b to control the phases of the first RF power supply 130a and the second RF power supply 130b, respectively. The phases of 13.56 MHz and 3.39 MHz, which are the high frequency power frequencies of the first and second RF power supplies 130a and 130b, can be varied by the phase shifter 132 within a phase of 0 to 360 degrees, respectively.

여기서, 상기 위상 변위기(132)에 의해 위상 변위가 실시되는 제1 RF전원공급기(130a)와 제2 RF전원공급기(130b)는 각각의 위상을 위상 변위기(132)에 의해 가변되도록 하여 발생되는 위상 차에 의해 전위차가 발생되고 플라즈마 밀도가 상승되는 것이다.Here, the first RF power supply 130a and the second RF power supply 130b in which the phase shift is performed by the phase shifter 132 are generated by varying the phases by the phase shifter 132. The potential difference is generated by the phase difference, and the plasma density is increased.

즉, 상기 제1 RF전원공급기(130a)가 연결되어 RF 전원의 위상이 조절되는 상부 전극(110)과, 상기 제2 RF전원공급기(130b)가 연결되어 RF 전원의 위상이 조절되는 하부 전극(120)은 이 상, 하부 전극(110, 120)의 사이에서 공정 처리가 수행되는 기판에 플라즈마의 밀도가 상승된 상태로 발생되어 보다 정밀하고 균일한 공정 처리가 수행된다.That is, the upper electrode 110 to which the first RF power supply 130a is connected to adjust the phase of the RF power, and the lower electrode to which the phase of the RF power is adjusted by the second RF power supply 130b to be connected ( 120 is generated in a state where the density of plasma is increased on the substrate on which the process is performed between the lower electrodes 110 and 120, thereby performing a more precise and uniform process.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 플라즈마 처리장치(100')는 도 3에 도시된 바와 같이 진공챔버내 상하측에 상부 전극(110')과 하부 전극(120')이 구비되며, 상기 진공챔버 및 상, 하부 전극(110', 120')은 앞선 실시 예의 그것과 동일한 구조와 기능을 하므로 상세한 설명은 생략한다.In the plasma processing apparatus 100 ′ according to another embodiment of the present invention, as illustrated in FIG. 3, an upper electrode 110 ′ and a lower electrode 120 ′ are provided above and below the vacuum chamber, and the vacuum chamber and The upper and lower electrodes 110 ′ and 120 ′ have the same structure and function as those of the foregoing embodiment, and thus a detailed description thereof will be omitted.

그리고 상기 플라즈마 처리장치(100,)에는 상기 하부 전극(120')에 위상이 다른 RF 전원을 공급하는 제1, 2 RF전원공급기(130a', 130b')와 상기 제1, 2 RF전원공급기(130a', 130b')의 위상을 각각 제어하는 위상 변위기(132')가 구비된 상태를 예를 들어 설명하며, 도면에는 도시하지 않았지만 또 다른 실시예로 상기 제1, 2 RF전원공급기(130a', 130b') 모두가 상부 전극(110')에 마련될 수도 있다.The plasma processing apparatus 100 includes first and second RF power supplies 130a 'and 130b' for supplying RF power having different phases to the lower electrode 120 'and the first and second RF power supplies ( For example, a state in which a phase shifter 132 'for controlling the phases of 130a' and 130b 'is provided will be described. For example, the first and second RF power supplies 130a are not shown. 130b 'may be provided on the upper electrode 110'.

한편, 매칭 박스 및 RF 전극 전도부는 앞선 실시 예의 그것과 동일한 구조와 기능을 하므로 상세한 설명은 생략한다.Meanwhile, the matching box and the RF electrode conducting unit have the same structure and function as those of the foregoing embodiment, and thus detailed description thereof will be omitted.

여기서, 상기 제1 RF전원공급기(130a')는 상기 하부 전극(120')에 RF 전원을 인가하는 기능을 하며, 이 제1 RF전원공급기(130a')가 13.56㎒의 고주파 전원 주파수를 갖고, 상기 제2 RF전원공급기(130b')도 상기 하부 전극(120')에 RF 전원을 인 가하는 기능을 하며, 이 제2 RF전원공급기(130b')가 3.39㎒의 고주파 전원 주파수를 갖으며 상기 제1, 2 RF전원공급기(130a', 130b')가 하부 전극(120')에 병렬 연결된다.Here, the first RF power supply 130a 'serves to apply RF power to the lower electrode 120', and the first RF power supply 130a 'has a high frequency power frequency of 13.56 MHz, The second RF power supply 130b 'also functions to apply RF power to the lower electrode 120', and the second RF power supply 130b 'has a high frequency power frequency of 3.39 MHz and the 1 and 2 RF power supplies 130a 'and 130b' are connected in parallel to the lower electrode 120 '.

상기 위상 변위기(132,)는 제1 RF전원공급기(130a') 및 제2 RF전원공급기(130b')의 위상을 각각 제어하기 위해 제1, 2 RF전원공급기(130a', 130b')와 각각 연결되며, 상기 제1, 2 RF전원공급기(130a', 130b')의 고주파 전원 주파수인 13.56㎒와 3.39㎒의 위상을 상기 위상 변위기(132')에 의해 각각 0∼360°의 위상 내에서 가변될 수 있도록 한다.The phase shifters 132 and the first and second RF power supplies 130a 'and 130b' are used to control the phases of the first and second RF power supplies 130a 'and 130b', respectively. The phase shifters 13.13 MHz and 3.39 MHz, respectively, which are high frequency power frequencies of the first and second RF power supplies 130a 'and 130b' are respectively connected to each other by 0 to 360 degrees with the phase shifters 132 '. To be variable.

여기서, 상기 위상 변위기(132')에 의해 위상 변위가 실시되는 제1 RF전원공급기(130a')와 제2 RF전원공급기(130b')는 각각의 위상을 위상 변위기(132')에 의해 가변되도록 하여 발생되는 위상 차에 의해 전위차가 발생되고 플라즈마 밀도가 상승되는 것이다.Here, the first RF power supply 130a 'and the second RF power supply 130b' subjected to the phase shift by the phase shifter 132 'have their respective phases shifted by the phase shifter 132'. The potential difference is generated by the phase difference generated by varying and the plasma density is increased.

즉, 상기 제1 RF전원공급기(130a') 및 상기 제2 RF전원공급기(130b')가 연결되어 RF 전원의 위상이 조절되는 하부 전극(120')에 의해 상기 상, 하부 전극(110', 120')의 사이에서 공정 처리가 수행되는 기판에 플라즈마의 밀도가 상승된 상태로 발생되어 보다 정밀하고 균일한 공정 처리가 수행된다.That is, the upper and lower electrodes 110 ', by the lower electrode 120' which is connected to the first RF power supply 130a 'and the second RF power supply 130b' to adjust the phase of the RF power. 120 ') is generated in a state where the density of the plasma is raised on the substrate on which the process is performed, so that a more precise and uniform process is performed.

그러므로 본 발명의 플라즈마 처리장치의 공정 처리하는 과정에서 서로 다른 적정 주파수를 갖도록 위상 변위기(132, 132')가 각각의 제1 RF전원공급기(130a, 130a') 및 상기 제2 RF전원공급기(130b, 130b')의 위상을 제어하여 보다 정밀하고 밀도가 상승된 플라즈마를 기판 처리시 상기 기판에 공급할 수 있다.Therefore, the phase shifters 132 and 132 'may have respective first RF power supplies 130a and 130a' and second RF power supplies so as to have different proper frequencies in the process of the plasma processing apparatus of the present invention. 130b and 130b ') may be controlled to supply a more precise and higher density plasma to the substrate during substrate processing.

이와 같은 본 발명의 플라즈마 처리장치는 공정 처리시 상, 하부 전극에 각각 제1, 2 RF전원공급기가 마련되어 각각의 상, 하부 전극에 공급되는 RF 전원의 위상을 위상 변위기에 의해 제어하거나, 상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극에 제1, 2 RF전원공급기가 마련되어 상기 상부 전극 또는 하부 전극에 공급되는 RF 전원의 위상을 위상 변위기에 의해 제어함으로써, 보다 정밀하고 플라즈마 밀도가 상승된 공정 조건을 피처리물인 기판에 제공할 수 있는 효과가 있다.In the plasma processing apparatus of the present invention, the first and second RF power supplies are provided at the upper and lower electrodes, respectively, during the process to control the phase of the RF power supplied to each of the upper and lower electrodes by a phase shifter. First and second RF power supplies are provided on the upper electrode or the lower electrode to control the phase of the RF power supplied to the upper electrode or the lower electrode by using a phase shifter, thereby avoiding more precise and increased plasma density process conditions. There exists an effect which can be provided to the board | substrate which is a process material.

Claims (6)

진공챔버의 내부 상, 하측에 전극이 각각 구비되며 이 진공챔버에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서,In the plasma processing apparatus is provided with electrodes in the upper and lower sides of the vacuum chamber, respectively, and generates a plasma in the vacuum chamber to perform a predetermined treatment on the substrate, 상기 전극에 연결되어 서로 다른 주파수를 가진 전원이 인가되는 제1 RF전원공급기 및 제2 RF전원공급기;A first RF power supply and a second RF power supply connected to the electrodes to which power having different frequencies is applied; 상기 제1 RF전원공급기 및 제2 RF전원공급기의 위상을 각각 제어하는 위상 변위기; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.A phase shifter for controlling phases of the first RF power supply and the second RF power supply, respectively; Plasma processing apparatus comprising a. 제 1항에 있어서, 상기 제1, 2 RF전원공급기는,The method of claim 1, wherein the first and second RF power supply, 상, 하부 전극에 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.Plasma processing apparatus characterized in that connected to the upper and lower electrodes, respectively. 제 1항에 있어서, 상기 제1, 2 RF전원공급기는,The method of claim 1, wherein the first and second RF power supply, 상부 전극 또는 하부 전극 중 어느 한 전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.Plasma processing apparatus, characterized in that connected to any one of the upper electrode or the lower electrode. 제 2항 또는 제 3항에 있어서, 상기 위상 변위기는,The phase shifter according to claim 2 or 3, wherein 상기 제1, 2 RF전원공급기 각각의 위상을 0∼360°범위 내에서 조절하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And adjusting the phase of each of the first and second RF power supplies within a range of 0 to 360 degrees. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제1 RF전원공급기의 고주파 전원 주파수는 13.56㎒인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And a high frequency power frequency of the first RF power supply is 13.56 MHz. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제2 RF전원공급기의 고주파 전원 주파수는 3.39㎒인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And a high frequency power frequency of the second RF power supply is 3.39 MHz.
KR1020050126159A 2005-12-20 2005-12-20 Plasma processing apparatus KR20070065571A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050126159A KR20070065571A (en) 2005-12-20 2005-12-20 Plasma processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050126159A KR20070065571A (en) 2005-12-20 2005-12-20 Plasma processing apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070065571A true KR20070065571A (en) 2007-06-25

Family

ID=38364829

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050126159A KR20070065571A (en) 2005-12-20 2005-12-20 Plasma processing apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070065571A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101321998B1 (en) * 2011-08-10 2013-10-28 주식회사 포스코 System of deleting oxide layer of steel sheet

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101321998B1 (en) * 2011-08-10 2013-10-28 주식회사 포스코 System of deleting oxide layer of steel sheet

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2013088677A1 (en) Plasma-treatment apparatus
US6949165B2 (en) Plasma processing apparatus
JP4699127B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
US11094512B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR101938151B1 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR20080111801A (en) Plasma processing apparatus and method thereof
US20150136325A1 (en) Plasma processing using multiple radio frequency power feeds for improved uniformity
JP2011082180A (en) Plasma treatment device and plasma treatment method
JP6055537B2 (en) Plasma processing method
JP2020092036A (en) Control method and plasma processing apparatus
KR20190092219A (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR20200096734A (en) Radio frequency power source and plasma processing apparatus
CN115088054A (en) Apparatus and method for manipulating power at an edge ring in a plasma processing device
KR20060083793A (en) Capacitively coupled plasma processing apparatus
KR20080043597A (en) Apparatus and method for generation a plasma
KR20070116505A (en) Apparatus for processing of semiconductor wafer
KR20070065571A (en) Plasma processing apparatus
JP2000260598A (en) Plasma generating device
KR102077512B1 (en) A appratus for supplying the radiofrequency power by multi-channel
US20240128053A1 (en) Multi-channel pulse rf power supply apparatus
JP2002270577A (en) Plasma treating system and plasma treating method
KR20240129826A (en) A apparatus for supplying the radiofrequency power by multi-channel
KR20040038017A (en) Apparatus and method for treating plasma
KR20240122173A (en) The multi rf generator
JP2021158264A (en) Substrate processing device, substrate processing system, control method of substrate processing device, and control method of substrate processing system

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application