KR102077512B1 - A appratus for supplying the radiofrequency power by multi-channel - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an apparatus for supplying radio frequency (RF) power with multichannel (100) to apply same RF signal to multiple points of multiple reactors of one chamber, multiple chambers, or load of one chamber. The apparatus for supplying RF power with multichannel (100) according to the present invention comprises: an RF signal generation unit generating an RF signal having a predetermined frequency and phase; and multiple RF signal applying units connected and installed in parallel to the RF signal generation unit and applying the RF signal to a multiple points of one chamber.

Description

멀티 채널 RF 전원 공급장치{A APPRATUS FOR SUPPLYING THE RADIOFREQUENCY POWER BY MULTI-CHANNEL}Multi-channel RF power supply {A APPRATUS FOR SUPPLYING THE RADIOFREQUENCY POWER BY MULTI-CHANNEL}

본 발명은 멀티채널 RF 전원 공급장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 다수개의 챔버 또는 하나의 챔버로 이루어진 다수개의 부하 및 단일 부하의 다수 지점에 대하여 각각 동일한 상기 RF 신호를 인가할 수 있는 멀티채널 RF 전원 공급장치에 관한 것이다. The present invention relates to a multi-channel RF power supply, and more specifically, a multi-channel RF capable of applying the same RF signal to multiple loads of multiple chambers or a single chamber and multiple points of a single load. It relates to a power supply.

플라즈마(Plasma)는 같은 수의 양이온(positive ions)과 전자(electrons)를 포함하는 고도로 이온화된 가스이다. 플라즈마 방전은 이온, 자유 래디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 집적 회로 장치, 액정 디스플레이, 태양 전지 등과 같은 장치를 제조하기 위한 여러 반도체 제조 공정 예들 들어, 식각(etching), 증착(deposition), 세정(cleaning), 에싱(ashing) 등에 다양하게 사용된다.Plasma is a highly ionized gas containing the same number of positive ions and electrons. Plasma discharge is used for gas excitation to generate an active gas containing ions, free radicals, atoms and molecules. Active gas is widely used in various fields, and various semiconductor manufacturing processes for manufacturing devices such as integrated circuit devices, liquid crystal displays, and solar cells, for example, etching, deposition, cleaning, and ashing ).

플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 소스는 여러 가지가 있는데 무선 주파수(radio frequency)를 사용한 용량 결합 플라즈마(capacitive coupled plasma)와 유도 결합 플라즈마(inductive coupled plasma)가 그 대표적인 예이다. There are various plasma sources for generating plasma, and capacitive coupled plasma and inductive coupled plasma using radio frequency are typical examples.

일반적으로, 이러한 플라즈마 처리 장치(1)는 도 1에 도시된 바와 같이, 진공 챔버로서 구성되는 플라즈마 챔버(3) 내에 상부 전극(5)과 하부 전극(7)을 평행하게 배치하고, 하부 전극(7) 상에 피처리 기판(2)(반도체 웨이퍼, 유리 기판 등)을 탑재한다. In general, the plasma processing apparatus 1, as shown in FIG. 1, arranges the upper electrode 5 and the lower electrode 7 in parallel in the plasma chamber 3 configured as a vacuum chamber, and the lower electrode ( 7) The substrate to be processed 2 (semiconductor wafer, glass substrate, etc.) is mounted.

상부 전극(5)은 전원 공급원(10)과 임피던스 정합기(12)가 연결되어 전원 공급원(10)으로부터 고주파가 인가된다. 그러면, 양 전극의 사이에서 고주파 전계에 의해서 가속된 전자, 전극으로부터 방출된 2차 전자, 혹은 가열된 전자가 처리 가스의 분자와 전리 충돌을 일으켜, 처리 가스의 플라즈마가 발생하고, 플라즈마 중의 래디컬이나 이온에 의해서 기판 표면에 원하는 미세가공 예를 들면 에칭 가공이 실시된다.The upper electrode 5 is connected to the power source 10 and the impedance matcher 12 so that high frequency is applied from the power source 10. Then, electrons accelerated by a high-frequency electric field between the electrodes, secondary electrons emitted from the electrodes, or heated electrons collide with the molecules of the processing gas to cause ionization collision, and plasma of the processing gas is generated. A desired micromachining, for example, etching processing, is performed on the substrate surface by ions.

그런데, 반도체 프로세스 기술에 있어서의 디바이스의 미세화·고집적화에 수반하여, 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치에 있어서는 더욱 고효율·고밀도·저바이어스의 플라즈마 프로세스가 요구되고 있고, 그를 위해서는 플라즈마 생성에 이용하는 고주파의 주파수를 가능한 한 높게 하는 것이 오늘날의 트렌드이다. 한편, 피처리 기판 사이즈의 대면적화, 기판의 대구경화에 수반하여, 더욱 큰 구경의 플라즈마가 요구되고 있으며, 챔버(처리 용기)가 점점 대형화되고 있다.However, with the miniaturization and high integration of devices in semiconductor process technology, more efficient, high-density, and low-bias plasma processes are required in the capacitively coupled plasma processing apparatus, and for that purpose, high frequency frequencies used for plasma generation Making it as high as possible is the trend of today. On the other hand, with the increase in the size of the substrate to be processed and the large diameter of the substrate, a plasma having a larger diameter is required, and the chamber (processing container) is becoming larger and larger.

여기서 문제로 되는 것은 챔버 처리공간 내에서 플라즈마 밀도를 균일하게 하는 것이 매우 어렵다는 것이다. 즉, 방전용의 RF 주파수가 높아지면, 챔버 내에 정재파가 형성되는 파장 효과나 전극 표면에서 고주파가 중심부에 집중하는 표피 효과 등에 의해서, 대략 기판 상에서 중심부가 극대하게 되고 에지부가 가장 낮아져 플라즈마의 밀도가 불균일하게 된다.The problem here is that it is very difficult to make the plasma density uniform in the chamber processing space. That is, when the RF frequency for discharging increases, the center of gravity on the substrate is maximized and the edge is lowest due to the effect of wavelengths in which standing waves are formed in the chamber or skin effect where high frequencies are concentrated in the center of the electrode surface, resulting in the lowest plasma density. It becomes non-uniform.

이러한 문제점을 해결하기 위해 상부 전극(5)을 다중으로 분할함으로써 플라즈마 밀도를 균일하게 하는 기술이 개시되고 있다. 또한 크린룸 건설에 막대한 비용이 소요되므로 좁은 면적에서 많은 수의 피처리 기판(반도체 웨이퍼, 유리 기판 등)을 빠르게 처리하여 생산성 증가에 따른 원가 절감의 필요성이 대두되고 있다. 따라서 다수개의 챔버 및 하나의 챔버 내에 다수개의 리액터를 설치하여 많은 수의 피처리 기판을 동시에 처리할 수 있도록 하는 기술이 필요하다. In order to solve this problem, a technique for uniformizing plasma density by dividing the upper electrode 5 into multiples has been disclosed. In addition, since the cost of building a clean room is enormous, a large number of substrates to be processed (semiconductor wafers, glass substrates, etc.) are rapidly processed in a small area, and thus, there is a need for cost reduction due to increased productivity. Accordingly, there is a need for a technique that allows a plurality of chambers and a plurality of reactors to be installed in one chamber to simultaneously process a large number of substrates to be processed.

그러나 단순하게 상부 전극(5)을 다수 개의 분할된 단위 분할 전극으로 구성하고, 다수 개의 단위 분할 전극 및 다수개의 챔버, 하나의 챔버에 다수개의 리엑터 각각에 서로 다른 RF 제너레이터를 사용할 경우, 각 RF 제너레이터에서 출력되는 신호의 주파수와 위상이 동일하지 않기 때문에 챔버에서 합쳐질 경우 수많은 합성 주파수가 형성된다. However, when the upper electrode 5 is simply composed of a plurality of divided unit division electrodes, and when a different RF generator is used for each of a plurality of unit division electrodes, a plurality of unit divisions, and a single chamber, one RF generator, each RF generator Since the frequency and phase of the signal output from are not the same, when combined in a chamber, a number of synthesis frequencies are formed.

이렇게 수많은 합성 주파수가 형성되면 수 Hz의 임피던스 미스 매칭을 초래하여 챔버의 플라즈마를 불안정한 상태로 만드는 문제점이 있다. When such a large number of synthesis frequencies are formed, there is a problem of causing impedance mismatching of several Hz to make the plasma of the chamber unstable.

본 발명의 해결하고자 하는 기술적 과제는 다수개의 챔버 및 하나의 챔버에 다수개의 리액터 또는 하나의 챔버로 이루어진 부하의 다수 지점에 대하여 각각 동일한 상기 RF 신호를 인가할 수 있는 멀티채널 RF 전원 공급장치를 제공하는 것이다. The technical problem to be solved of the present invention is to provide a multi-channel RF power supply capable of applying the same RF signal to a plurality of chambers and a plurality of reactors or a plurality of points of a load consisting of one chamber, respectively. Is to do.

전술한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 멀티채널 RF 전원 공급장치(100)는 미리 정해진 주파수와 위상을 가지는 RF(Radio Frequency) 신호를 발생시키는 RF 신호 발생부; 상기 RF 신호 발생부에 병렬 연결되어 설치되며, 하나의 챔버로 이루어진 부하의 다수 지점에 대하여 각각 상기 RF 신호를 인가하는 다수개의 RF 신호 인가부;를 포함한다. Multi-channel RF power supply 100 according to the present invention for solving the above-described technical problem is an RF signal generator for generating a radio frequency (RF) signal having a predetermined frequency and phase; It is installed in parallel connected to the RF signal generating unit, a plurality of RF signal applying unit for applying the RF signal to a plurality of points of a load consisting of a single chamber.

그리고 본 발명에서 상기 RF 신호 인가부는 앰프(AMP)인 것이 바람직하다. And in the present invention, it is preferable that the RF signal applying unit is an amplifier (AMP).

또한 본 발명에 따른 멀티채널 RF 전원 공급 장치에는, 상기 다수개의 RF 신호 인가부와 RF 신호 발생부 사이에 설치되며, 상기 다수개의 RF 신호 인가부에서 인가되는 RF 신호의 위상차를 조정하는 위상차 조정부가 더 구비되는 것이 바람직하다. In addition, the multi-channel RF power supply according to the present invention, is provided between the plurality of RF signal applying unit and the RF signal generating unit, a phase difference adjusting unit for adjusting the phase difference of the RF signal applied from the plurality of RF signal applying unit It is preferable to be further provided.

또한 본 발명에 따른 멀티채널 RF 전원 공급 장치에는, RF 신호 인가부와 위상차 조정부 사이에 설치되며, 매칭 시작 전에 RF 신호를 제공하는 초기 RF 신호 제공부가 더 구비되는 것이 바람직하다. In addition, the multi-channel RF power supply according to the present invention is installed between the RF signal applying unit and the phase difference adjusting unit, it is preferable that the initial RF signal providing unit for providing an RF signal before the start of matching is further provided.

또한 본 발명에서 상기 초기 RF 신호 제공부는, 상기 RF 신호 인가부 내부에 설치되며, 매칭 시작 전에 상기 RF 신호 발생부에서 인가되는 RF 신호와 동일한 주파수 및 위상을 가지는 초기 RF 신호를 발생시키는 내부 RF 신호 발생부; 상기 내부 RF 신호 발생부와 상기 RF 신호 인가부 사이에 설치되며, 상기 RF 신호 발생부에서 제공되는 RF 신호와 상기 내부 RF 신호 발생부에서 제공되는 RF 신호를 선택적으로 상기 RF 신호 인가부에 연결하는 RF 스위치부;를 포함하는 것이 바람직하다. In addition, in the present invention, the initial RF signal providing unit is installed inside the RF signal applying unit, and an internal RF signal generating an initial RF signal having the same frequency and phase as the RF signal applied from the RF signal generating unit before starting matching. Generator; It is installed between the internal RF signal generating unit and the RF signal applying unit, and selectively connects the RF signal provided by the RF signal generating unit and the RF signal provided by the internal RF signal generating unit to the RF signal applying unit It is preferable to include an RF switch unit.

또한 본 발명에 따른 멀티 채널 RF 전원 공급 장치에는, 매칭 시작 전에는 상기 내부 RF 신호 발생부에서 제공되는 RF 신호를 상기 RF 신호 인가부에 인가되도록 상기 RF 스위치부를 제어하고, 이 상태에서 주파수 가변 매칭 작업을 수행한 후, 매칭 완료 후에는 상기 RF 신호 발생부에서 제공되는 RF 신호를 상기 RF 신호 인가부에 인가되도록 상기 RF 스위치를 제어하는 주파수 가변 매칭부가 더 구비되는 것이 바람직하다. In addition, in the multi-channel RF power supply according to the present invention, before the start of matching, the RF switch unit is controlled to apply the RF signal provided from the internal RF signal generator to the RF signal applying unit, and variable frequency matching is performed in this state. After performing the, after the matching is completed, it is preferable that a frequency variable matching unit for controlling the RF switch is further provided to apply the RF signal provided from the RF signal generation unit to the RF signal application unit.

본 발명의 멀티채널 RF 전원 공급장치에 따르면 출력되는 RF 신호의 주파수와 위상이 동일하기 때문에, 챔버에서 합쳐질 경우 하나의 입력된 주파수만 존재하므로 챔버의 플라즈마를 불안정한 상태로 만들지 않는 현저한 효과를 달성할 수 있으며, 다수개의 챔버 및 다수개의 리엑터의 플라즈마는 모두 동일 주파수의 고효율 플라즈마로 다수개의 피처리 기판의 균일성을 극대화할 수 있다. According to the multi-channel RF power supply of the present invention, since the frequency and phase of the output RF signal are the same, when combined in the chamber, there is only one input frequency, so that a remarkable effect of not making the plasma of the chamber unstable is achieved Plasma of a plurality of chambers and a plurality of reactors are all high-efficiency plasmas of the same frequency, thereby maximizing the uniformity of a plurality of substrates to be processed.

또한 장비 제작 과정에서 발생하는 위상차를 조정하여 리액터 별 간섭으로 이한 나쁜 영향도 최소화할 수 있는 장점도 있다. In addition, there is an advantage of minimizing the adverse effects caused by interference per reactor by adjusting the phase difference that occurs during equipment manufacturing.

도 1은 일반적인 플라즈마 처리장치의 구성을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 구성을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 채널 RF 전원 공급장치의 구성을 도시하는 블럭도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 초기 RF 신호 발생부의 구성을 도시하는 블럭도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 단일 챔버 내의 복수 리엑터 구성을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 복수 챔버의 구성을 모식적으로 도시하는 도면이다. 1 is a diagram schematically showing the configuration of a general plasma processing apparatus.
2 is a diagram schematically showing the configuration of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a block diagram showing the configuration of a multi-channel RF power supply according to an embodiment of the present invention.
4 is a block diagram showing the configuration of an initial RF signal generator according to an embodiment of the present invention.
5 is a view schematically showing a plurality of reactor configurations in a single chamber according to another embodiment of the present invention.
6 is a view schematically showing a configuration of a plurality of chambers according to another embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 실시예에 따른 멀티채널 RF 전원 공급 장치(100)는 도 2, 3에 도시된 바와 같이, RF 신호 발생부(110)와 다수개의 RF 신호 인가부(120)를 포함하여 구성된다. The multi-channel RF power supply device 100 according to the present embodiment includes an RF signal generator 110 and a plurality of RF signal applying units 120, as shown in FIGS. 2 and 3.

먼저 상기 RF 신호 발생부(110)는 챔버(101)에서 이루어지는 공정에 따라 요구되는 미리 정해진 주파수와 위상을 가지는 RF(Radio Frequency) 신호를 발생시키는 구성요소이다. 이러한 RF 신호 발생부(110)는 일반적으로 알려진 RF 제너레이터를 채용할 수 있으며, 이에 대한 자세한 설명은 생략한다. First, the RF signal generator 110 is a component that generates a radio frequency (RF) signal having a predetermined frequency and phase required according to a process performed in the chamber 101. The RF signal generator 110 may employ a generally known RF generator, and detailed description thereof will be omitted.

다음으로 상기 RF 신호 인가부(120)는 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 RF 신호 발생부(110)에 병렬 연결되어 설치되며, 하나의 챔버(101)로 이루어진 부하의 다수 지점에 대하여 각각 동일한 상기 RF 신호를 인가하는 구성요소이다. 이때 상기 다수개의 RF 신호 인가부(120)는 앰프(AMP)로 구성될 수 있다. Next, the RF signal applying unit 120 is installed in parallel to the RF signal generating unit 110, as shown in Figure 3, the same for each of the multiple points of the load consisting of one chamber 101 It is a component that applies the RF signal. In this case, the plurality of RF signal applying units 120 may be configured as an amplifier (AMP).

그리고 상기 다수개의 RF 신호 인가부(120)들은 연결 도선 길이 등 상기 RF 신호 발생부(120)와의 연결 조건이 모두 동일하게 설치되는 것이 동일한 RF 신호 인가에 적합하므로 바람직하다. In addition, it is preferable that the plurality of RF signal applying units 120 have the same connection conditions with the RF signal generating unit 120 such as a length of a connecting wire, so that it is suitable for applying the same RF signal.

한편 본 실시예에 따른 멀티채널 RF 전원 공급장치(100)에는 도 3에 도시된 바와 같이, 위상차 조정부(130)가 더 구비되는 것이 바람직하다. 상기 위상차 조정부(130)는 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 다수개의 RF 신호 인가부(120)와 RF 신호 발생부(110) 사이에 각각 설치되며, 상기 다수개의 RF 신호 인가부(120)에서 인가되는 RF 신호의 위상차를 조정하는 구성요소이다. Meanwhile, as illustrated in FIG. 3, the multi-channel RF power supply device 100 according to the present embodiment preferably further includes a phase difference adjusting unit 130. The phase difference adjustment unit 130 is installed between the plurality of RF signal applying unit 120 and the RF signal generating unit 110, as shown in Figure 3, the plurality of RF signal applying unit 120 It is a component that adjusts the phase difference of the applied RF signal.

즉, 상기 위상차 조정부(130)는 장비 제작 과정에서 발생하는 미세한 위상차를 조정할 수 있기 때문에, 리액터 별 간섭으로 인한 나쁜 영향을 최소화할 수 있는 장점이 있다. That is, since the phase difference adjusting unit 130 can adjust the minute phase difference generated in the equipment manufacturing process, there is an advantage of minimizing the adverse effect due to interference per reactor.

또한 본 실시예에 따른 멀티채널 RF 전원 공급 장치(100)에는 도 4에 도시된 바와 같이, 초기 RF 신호 제공부(140)가 더 구비되는 것이 바람직하다. 상기 초기 RF 신호 제공부(140)는 도 4에 도시된 바와 같이, RF 신호 인가부(120)와 위상차 조정부(130) 사이에 설치되며, 임피던스 매칭 시작 전에 RF 신호를 제공하는 구성요소이다. 주파수 변경 임피던스 매칭 방식은 매우 빠른 속도로 임피던스 매칭이 가능하지만, RF 신호 발생부(110)에서 출력되는 주파수는 항상 동일하지 않기 때문에 복수의 RF 신호를 동일 챔버에 인가할 경우 주파수 차이만큼 여러가지의 합성 RF 신호가 발생하기 때문에 챔버 내의 불안정한 플라즈마 상태를 초래하는 문제점이 있다. In addition, the multi-channel RF power supply 100 according to this embodiment, as shown in Figure 4, it is preferable that the initial RF signal providing unit 140 is further provided. The initial RF signal providing unit 140 is installed between the RF signal applying unit 120 and the phase difference adjusting unit 130, as shown in FIG. 4, and is a component that provides an RF signal before impedance matching starts. The frequency change impedance matching method is capable of impedance matching at a very high speed, but since the frequencies output from the RF signal generation unit 110 are not always the same, when applying a plurality of RF signals to the same chamber, various synthesis by frequency differences Since the RF signal is generated, there is a problem that causes an unstable plasma state in the chamber.

따라서 본 실시예에 따른 멀티채널 RF 전원 공급 장치(100)에서는 이러한 현상을 막기 위하여 상기 초기 RF 신호 제공부(140)가 주파수 변경 임피던스 매칭 전에 자체적으로 RF 신호를 발생시켜 초기 RF신호를 제공하는 것이다. Therefore, in the multi-channel RF power supply device 100 according to the present embodiment, the initial RF signal providing unit 140 generates an RF signal by itself to provide an initial RF signal before matching the frequency change impedance to prevent this phenomenon. .

이를 위하여 본 실시예에서는 상기 초기 RF 신호 제공부(140)를 구체적으로 도 4에 도시된 바와 같이, 내부 RF 신호 발생부(142)와 RF 스위치부(144)로 구성할 수 있다. 먼저 상기 내부 RF 신호 발생부(142)는 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 RF 신호 인가부(120) 내부에 설치되며, 임피던스 매칭 시작 전에 상기 RF 신호 발생부(110)에서 인가되는 RF 신호와 동일한 주파수 및 위상을 가지는 초기 RF 신호를 발생시키는 구성요소이다. To this end, in this embodiment, the initial RF signal providing unit 140 may be configured as an internal RF signal generation unit 142 and an RF switch unit 144, as shown in FIG. 4 in detail. First, as shown in FIG. 4, the internal RF signal generator 142 is installed inside the RF signal applying unit 120, and the RF signal applied from the RF signal generating unit 110 before impedance matching starts. It is a component that generates initial RF signals having the same frequency and phase.

그리고 상기 RF 스위치부(144)는 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 내부 RF 신호 발생부(142)와 상기 RF 신호 인가부(120) 사이에 설치되며, 후술하는 주파수 가변 매칭부(150)의 제어에 따라 상기 RF 신호 발생부(110)에서 제공되는 RF 신호와 상기 내부 RF 신호 발생부(142)에서 제공되는 RF 신호를 선택적으로 상기 RF 신호 인가부(120)에 연결하는 구성요소이다. And the RF switch unit 144 is installed between the internal RF signal generator 142 and the RF signal applying unit 120, as shown in Figure 4, the frequency of the variable matching unit 150 to be described later It is a component that selectively connects the RF signal provided by the RF signal generator 110 and the RF signal provided by the internal RF signal generator 142 to the RF signal applying unit 120 under control.

또한 본 실시예에 따른 멀티 채널 RF 전원 공급 장치(100)에는 주파수 가변 매칭부(150)가 더 구비된다. 상기 주파수 가변 매칭부(150)는, 임피던스 매칭 작업 시작 전에는 상기 내부 RF 신호 발생부(142)에서 제공되는 RF 신호를 상기 RF 신호 인가부(120)에 인가되도록 상기 RF 스위치부(144)를 제어하고, 이 상태에서 주파수 가변 임피던스 매칭 작업을 수행한 후, 임피던스 매칭 완료 후에는 상기 RF 신호 발생부(110)에서 제공되는 RF 신호를 상기 RF 신호 인가부(120)에 인가되도록 상기 RF 스위치(144)를 제어한다. In addition, the multi-channel RF power supply 100 according to the present embodiment is further provided with a variable frequency matching unit 150. The variable frequency matching unit 150 controls the RF switch unit 144 so that the RF signal provided from the internal RF signal generator 142 is applied to the RF signal applying unit 120 before the impedance matching operation starts. And, after performing the frequency variable impedance matching operation in this state, after the impedance matching is completed, the RF switch 144 so that the RF signal provided from the RF signal generator 110 is applied to the RF signal applying unit 120 ) Control.

이러한 주파수 가변 매칭부(150)와 초기 RF 신호 제공부(140)에 의하여 복수의 RF 신호 제공부(120)를 사용하더라도 같은 주파수와 위상의 RF 신호를 하나의 챔버에 공급할 수 있는 것이다. Even if a plurality of RF signal providing units 120 are used by the variable frequency matching unit 150 and the initial RF signal providing unit 140, RF signals having the same frequency and phase can be supplied to one chamber.

이상에서는 도 2에 도시된 바와 같은 단일 챔버(101) 내의 복수 리엑터(103) 구성을 예로 들어 본 실시예를 설명하였지만, 본 실시예에 따른 멀티채널 RF 전원 공급 장치는 도 5에 도시된 바와 같이, 단일 챔버 내의 복수 리엑터 구성 또는 도 6에 도시된 바와 같이, 복수 챔버(101)의 구성에도 적용될 수 있다. In the above, this embodiment has been described by taking the configuration of a plurality of reactors 103 in a single chamber 101 as shown in FIG. 2 as an example, but the multi-channel RF power supply according to this embodiment is as shown in FIG. 5. , It may be applied to the configuration of a plurality of reactor 101 in a single chamber, or as shown in FIG. 6.

100 : 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티채널 RF 전원 공급 장치
110 : RF 신호 발생부 120 : RF 신호 인가부
130 : 위상차 조정부 140 : 초기 RF 신호 제공부
150 : 주파수 가변 매칭부100: multi-channel RF power supply according to an embodiment of the present invention
110: RF signal generating unit 120: RF signal applying unit
130: phase difference adjustment unit 140: initial RF signal providing unit
150: frequency variable matching unit

Claims (6)

미리 정해진 주파수와 위상을 가지는 RF(Radio Frequency) 신호를 발생시키는 RF 신호 발생부;
상기 RF 신호 발생부에 병렬 연결되어 설치되며, 하나의 챔버로 이루어진 부하의 다수 지점 또는 하나의 챔버로 이루어진 다수개의 리엑터 또는 다수개의 챔버에 대하여 각각 상기 RF 신호를 인가하는 다수개의 RF 신호 인가부;
상기 다수개의 RF 신호 인가부와 RF 신호 발생부 사이에 설치되며, 상기 다수개의 RF 신호 인가부에서 인가되는 RF 신호의 위상차를 조정하는 위상차 조정부; 및 RF 신호 인가부와 위상차 조정부 사이에 설치되며, 매칭 시작 전에 RF 신호를 제공하는 초기 RF 신호 제공부;를 포함하는 멀티채널 RF 전원 공급 장치.An RF signal generator for generating a radio frequency (RF) signal having a predetermined frequency and phase;
A plurality of RF signal applying units installed in parallel to the RF signal generator and applying the RF signals to a plurality of points of a single chamber or a plurality of reactors or a plurality of chambers;
A phase difference adjusting unit installed between the plurality of RF signal applying units and the RF signal generating unit, and adjusting a phase difference of the RF signals applied from the plurality of RF signal applying units; And an initial RF signal providing unit installed between the RF signal applying unit and the phase difference adjusting unit and providing an RF signal before starting matching. 제1항에 있어서, 상기 RF 신호 인가부는,
앰프(AMP)인 것을 특징으로 하는 멀티채널 RF 전원 공급 장치. According to claim 1, The RF signal applying unit,
Multi-channel RF power supply, characterized in that the amplifier (AMP). 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 초기 RF 신호 제공부는,
상기 RF 신호 인가부 내부에 설치되며, 매칭 시작 전에 상기 RF 신호 발생부에서 인가되는 RF 신호와 동일한 주파수 및 위상을 가지는 초기 RF 신호를 발생시키는 내부 RF 신호 발생부;
상기 내부 RF 신호 발생부와 상기 RF 신호 인가부 사이에 설치되며, 상기 RF 신호 발생부에서 제공되는 RF 신호와 상기 내부 RF 신호 발생부에서 제공되는 RF 신호를 선택적으로 상기 RF 신호 인가부에 연결하는 RF 스위치부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 채널 RF 전원 공급 장치. According to claim 1, wherein the initial RF signal providing unit,
An internal RF signal generator installed inside the RF signal applying unit and generating an initial RF signal having the same frequency and phase as the RF signal applied from the RF signal generating unit before starting matching;
It is installed between the internal RF signal generating unit and the RF signal applying unit, and selectively connects the RF signal provided by the RF signal generating unit and the RF signal provided by the internal RF signal generating unit to the RF signal applying unit RF switch unit; Multi-channel RF power supply comprising a. 제5항에 있어서,
매칭 시작 전에는 상기 내부 RF 신호 발생부에서 제공되는 RF 신호를 상기 RF 신호 인가부에 인가되도록 상기 RF 스위치부를 제어하고, 이 상태에서 주파수 가변 매칭 작업을 수행한 후, 매칭 완료 후에는 상기 RF 신호 발생부에서 제공되는 RF 신호를 상기 RF 신호 인가부에 인가되도록 상기 RF 스위치를 제어하는 주파수 가변 매칭부가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 멀티 채널 RF 전원 공급 장치. The method of claim 5,
Before the start of matching, the RF switch unit is controlled to apply the RF signal provided from the internal RF signal generator to the RF signal applying unit, and after performing the variable frequency matching operation in this state, the RF signal is generated after the matching is completed. Multi-channel RF power supply device characterized in that it is further provided with a frequency variable matching unit for controlling the RF switch so that the RF signal provided from the unit is applied to the RF signal applying unit.
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