KR20070065502A - 템시료의 제작장비와 이를 이용한 템시료의 제작방법 - Google Patents

템시료의 제작장비와 이를 이용한 템시료의 제작방법 Download PDF

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KR20070065502A
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes

Abstract

본 발명은 템시료의 제작장비와 템시료의 제작방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 템시료의 제작장비는, 진공챔버와; 진공챔버 내의 동일 평면상에 위치하는 샘플 스테이지(SAMPLE STAGE)와 그리드 스테이지(GRID STAGE)와; 샘플 스테이지 상의 샘플에 이온을 조사하여 템(TEM; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE)분석을 위한 시료를 제작하는 이온총(ION GUN)을 갖는 집속 이온 빔(FIB; FOCUSED ION BEAM)과; 제작된 시료를 상기 샘플 스테이지에서 그리드 스테이지로 옮기는 글래스팁(GLASS TIP)을 갖는 팁스테이지(TIP STAGE)와; 글래스팁에 의하여 시료가 그리드 스테이지상에 안착되는 과정을 관찰하는 전자총(ELECTRON GUN)을 갖는 셈(SEM; SCANNING ELECRON MICROSCOPE)을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 용이하게 템시료를 제작할 수 있으며, 템시료의 제작에 소요되는 시간을 단축할 수 있는 템시료의 제작장비가 제공된다.

Description

템시료의 제작장비와 이를 이용한 템시료의 제작방법{MANUFACTURING APPARATUS FOR TEM-SAMPLE AND MANUFACTURING METHOD FOR TEM-SAMPLE USING THE SAME}
도 1은 본 발명에 따른 템시료의 제작장비의 외관을 도시한 도면이고,
도 2는 본 발명에 따른 템시료 제작장비의 내부를 간략하게 도시한 도면이며,
도 3은 본 발명에 따른 템시료의 제작방법을 설명하기 위한 순서도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 템시료 제작장비 5 : 진공챔버
10 : 집속 이온 빔 11 : 이온총
20 : 셈 21 : 전자총
30 : 팁스테이지 31 : 글래스팁
35 : 조정부재 40 : 샘플 스테이지
50 : 그리드 스테이지 60 : 지지판
본 발명은, 템시료의 제작장비와 템시료의 제작방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 용이하게 템시료를 제작할 수 있으며 템시료의 제작에 소요되는 시간을 단축할 수 있는 템시료의 제작장비와 템시료의 제작방법이 제공된다.
최근, 표시장치 중에서 소형, 경량화의 장점을 가지는 평판표시장치(flat display device)가 각광을 받고 있다. 이러한 평판표시장치에는 액정표시장치(LCD)와 유기전계발광장치(OLED) 등이 있다.
이러한 평판표시장치는 복수의 금속층, 무기층, 유기층 등이 마련된 기판을 포함하며, 상기 층들은 스퍼터링법, 코팅법, 증착법 등에 의하여 형성된다. 이렇게 형성된 복수의 층들이 원하는 규격 또는 조건대로 제작되었는지 여부를 검사하기 위하여 복수의 층들의 두께, 미세형상, 결정립, 적층결함, 계면 등을 관찰 및 분석할 필요가 있다. 이런 검사과정을 템(TEM; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE) 분석이라고 하며, 템분석을 위하여는 짧은 파장의 전자선이 투과할 수 있도록 두께가 얇은 템시료를 제작하여야 한다.
템시료는 전자총(ELECTRON GUN)을 갖는 셈(SEM; SCANNING ELECTRON MICROSCOPE)과 이온총(ION GUN)을 갖는 집속 이온 빔(FIB; FOCUSED ION BEAM)이 마련된 진공챔버 내에서 제작된다. 이러한 장비를 이용한 템시료의 제작방법은 다음과 같다. 먼저, 복수의 층이 형성된 기판으로부터 분석하고자 하는 곳의 샘플을 분리하여 준비한다. 준비된 샘플을 진공챔버 내의 샘플 스테이지(SAMPLE STAGE) 상에 안착시키고, 집속 이온 빔을 이용하여 샘플로부터 두께가 얇은 템시료를 제작한다. 집속 이온 빔는 이온빔을 샘플로 조사하여 원하는 두께로 깎아 템시료를 제작하는 장비이다. 집속 이온 빔으로 템시료를 제작하는 과정은 관찰대상에 전자빔을 조사하여 발생된 이차전자(SE; SECONDARY ELECTRON)의 정보를 수집하여 이미지를 만들어 내는 셈으로 관찰하면서 진행된다. 그 후, 이렇게 제작된 템시료가 마련된 샘플 스테이지를 전자현미경의 재물대로 옮긴다. 상기 전자현미경에는 샘플 스테이지의 시료를 그리드 스테이지(grid stage)로 옮기기 위한 글래스팁(glass tip)이 부착되어 있으며, 그리드 스테이지는 샘플 스테이지가 마련된 재물대에 마련되어 있다. 템시료가 그리드 스테이지로 옮겨지면, 그리드 스테이지를 템 분석장비로 옮겨서 템시료를 관찰 및 분석한다.
여기서, 템시료를 그리드 스테이지로 옮기는 방법은 다음과 같다. 먼저, 글래스팁을 템시료에 근접시키 글래스팁의 단부에 템시료를 부착시킨다. 그리고, 재물대를 회전하여 그리드 스테이지를 전자현미경의 관찰영역에 위치시킨 후, 글래스팁을 그리드 스테이지로 접근시켜 그리드 스테이지에 템시료를 부착시킨다.
그러나, 통상의 전자현미경은 초점범위가 상대적으로 좁아서 글래스팁과 그리드 스테이지를 동시에 관측하기 힘들며, 이에 따라 글래스팁에 부착된 템시료를 그리드 스테이지로 안전하기 옮기는 과정에서 실패할 확률이 높다. 성공하더라도 장시간의 시간이 소요되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 용이하게 템시료를 제작할 수 있으며, 템시료의 제작에 소요되는 시간을 단축할 수 있는 템시료의 제작장비가 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 템시료 제작을 하나의 진공챔버안에서 수행함으로써 시료 제작중에 발생할 수 있는 오염을 방지하여 신뢰성 높은 템시료의 제작방법을 제공하는 것이다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 진공챔버와; 진공챔버 내의 동일 평면상에 위치하는 샘플 스테이지(SAMPLE STAGE)와 그리드 스테이지(GRID STAGE)와; 샘플 스테이지 상의 샘플에 이온을 조사하여 템(TEM; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE)분석을 위한 시료를 제작하는 이온총(ION GUN)을 갖는 집속 이온 빔(FIB; FOCUSED ION BEAM)과; 제작된 시료를 상기 샘플 스테이지에서 그리드 스테이지로 옮기는 글래스팁(GLASS TIP)을 갖는 팁스테이지(TIP STAGE)와; 글래스팁에 의하여 시료가 그리드 스테이지상에 안착되는 과정을 관찰하는 전자총(ELECTRON GUN)을 갖는 셈(SEM; SCANNING ELECRON MICROSCOPE)을 포함하는 것을 특징으로 하는 템시료 제작장비에 의하여 달성된다.
여기서, 이온총과 전자총은 상호 40° 내지 60°의 경사를 이루며 배치되어 있을 수 있다.
그리고, 팁스테이지는 진공챔버 밖으로 독립적으로 분리되어 배출될수 있도록 마련되어 있을 수 있다.
또한, 이온총은 갈륨(Ga)이온을 샘플에 조사할 수 있다.
본 발명의 다른 목적은, 샘플 스테이지(SAMPLE STAGE) 상의 샘플에 이온빔을 조사하여 템(TEM; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE) 분석을 위한 시료를 제작하 는 단계와; 제작된 시료에 샘플 스테이지와 동일한 진공챔버에 마련된 글래스팁(GLASS TIP)을 접근시켜 글래스팁의 단부에 시료를 부착시키는 단계와; 샘플 스테이지와 동일한 평면상에 위치하는 그리드 스테이지(GRID STAGE)를 전자를 조사하여 대상을 관찰하는 셈(SEM; SCANNING ELECRON MICROSCOPE)의 관찰위치로 이동시키는 단계와; 셈으로 그리드 스테이지와 팁글래스를 관찰하면서 그리드 스테이지에 시료를 안착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 템시료의 제작방법에 의하여 달성된다.
여기서, 제작된 시료는 조사된 이온에 의하여 정전기력을 가지며, 정전기력에 의하여 글래스팁에 부착될 수 있다.
그리고, 시료를 그리드 스테이지에 안착시키는 단계는 셈의 초점을 그리드 스테이지에 맞추는 단계와; 팁스테이지를 안전거리로부터 하강시켜 글래스팁을 셈의 초점범위로 이동키는 단계와; 글래스팁을 미세하게 조정하며 글래스팁의 정전기력을 제거하여 시료를 그리드 스테이지로 옮기는 단계를 포함할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 템시료 제작장비를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고, 이하의 설명에서는 본 발명의 특징적인 부분을 중심으로 상세히 설명하며, 그 이외의 부분은 공지의 기술에 의한다.
도1은 본 발명에 따른 템시료의 제작장비의 외관을 도시한 도면이고, 도2는 본 발명에 따른 템시료 제작장비의 내부를 간략하게 도시한 도면이다.
도1 및 도2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 템시료 제작장비(1)는 이온총(ION GUN, 11)을 갖는 집속 이온 빔(FIB; FOCUSED ELECTRON BEAM, 10)과, 전자총 (ELECTRON GUN, 21)을 갖는 셈(SEM; SCANNING ELECTRON MICROSCOPE, 20)과, 글래스팁(GLASS TIP, 31)이 마련된 팁스테이지(TIP STAGE, 30)를 포함한다. 이온총(11)과, 전자총(21)과, 글래스팁(31)을 가지는 팁스테이지(30)는 진공챔버(5) 내부에 위치하고 있으며, 진공챔버(5)의 내부에는 동일한 평면상에 샘플 스테이지(SAMPLE STAGE, 40)와 그리드 스테이지(GRID STAGE, 50)가 지지판(60)에 지지되어 있다. 진공챔버(5)의 외부에는 집속 이온 빔(10)와 셈(20)을 이루는 다양한 구성요소들이 이온건(11)과 전자총(21) 각각에 연결된 상태로 마련되어 있으며, 이들 구성요소들과 이격되는 진공챔버(5)의 외부면에는 팀스테이지(30)를 조정하기 위한 조정부재(35)가 마련되어 있다.
집속 이온 빔(10)은 준비된 샘플을 두께가 얇게 깎아 템시료를 제작하는 장비로써, 이온총(11)을 포함한다. 이온총(11)은 샘플 스테이지(40)를 향하고 있으며, 이온총(11)에서 조사되는 이온은 갈륨(Ga)일 수 있다. 이온총(11)은 복수의 층으로 이루어진 샘플에 이온을 조사하여 복수의 층들의 적층방향의 가로방향의 두께가 얇도록 샘플을 깎아 템시료를 제작한다. 집속 이온 빔(10)은 통상 레이저 장비보다 정밀도가 높으며, 템시료 제작 중에 깎아진 미립자들도 튀지 않는 장점이 있으며, 수 마이크로미터 정도의 두께로 템시료를 제작할 수 있다.
셈(SEM, 20)은 미세한 부분을 관찰하기 위한 전자현미경의 일종으로, 전자총(21)을 포함한다. 셈(20)은 관찰하고자 하는 대상으로 전자총(21)을 이용하여 전자빔을 조사하고, 조사된 전자에 의하여 관찰대상에서 발생한 이차전자(SE; SECONDARY ELECTRON)의 정보를 수집하여 이미지를 만들어 내는 장치이다. 셈(20)은 전자빔의 조사에 의하여 발생된 이차전자의 정보를 이용하여 이미지를 만들어 내기 때문에, 통상의 전자현미경에 비하여 초점범위(관찰대상의 이미지가 보이는 범위)가 넓은 장점이 있다. 즉, 전자와 관찰대상(샘플 또는 템시료)의 반응으로 이차전자가 발생하여 이미지를 만들 수 있는 영역이 넓다. 그래서, 서로 다른 높이에 위치하는 물체들을 선명하게 관찰할 수 있는 장점이 있다. 또한, 셈(20)은 관찰대상의 위치정보와 셈(20)의 조리개의 위치정보가 측정 가능하도록 설정되어 있으며, 이에 따라 관찰대상과 셈(20)의 조리개 사이의 거리가 표시된다.
여기서, 이온총(11)과 전자총(21)은 상호 40° 내지 60°, 더욱 바람직하게는 52°의 경사를 이루며 진공챔버(5) 내부에 배치되어 있다.
상기 이온총(11)과 전자총(21)이 마련된 영역의 타측에는 팁스테이지(TIP STAGE, 30)가 마련되어 있으며, 팁스테이지(30)는 일방향으로 연장된 막대형상의 글래스팁(31)이 부착되어 있다. 즉, 도2에 도시된 바와 같이, 진공챔버(5)의 내부에 별도의 팁챔버 영역(a)이 마련되어 있으며, 팁스테이지(30)는 팁챔버 영역(a)과 작업위치(그리드 스테이지에 근접한 위치) 사이를 팁스테이지(30)가 움직인다. 팁스테이지(30)는 상하로 운동하며 일방향으로 연장된 글래스팁(31)을 가지고 있기 때문에, 집속 이온 빔 공정 등에서 글래스팁(31)에 의한 간섭이 발생할 수 있으며, 이에 의하여 템시료제작에 불량이 발생할 수 있다. 이를 방지하기 위해, 별도의 팁챔버 영역(a)의 여유공간을 마련하여 팁스테이지(30)를 위치시키는 것이다. 팁스테이지(30)는 글래스팁(31)이 지지되는 구성요소로, 승강운동한다. 그리고, 글래스팁(31)은 팁스테이지(30)로부터 연장될수록 단면적이 감소하는 형상으로, 단부가 뾰 족하게 형성되어 있다. 진공챔버(5)의 외부면에는 글래스팁(31)을 조정하기 위한 조정부재(35)가 마련되어 있다. 조정부재(35)는 글래스팁(31)을 x방향, y방향, z방향으로 조정하기 위한 것으로, 각 방향에 따른 조정부재(35)가 각각 마련되어 있다. 팁스테이지(30)는 글래스팁(31)의 교체를 위하여 진공챔버(5) 밖으로 독립적으로 배출될 수 있도록 마련될 수 있다.
진공챔버(5)의 내부에는 지지판(60)이 마련되어 있고, 지지판(60)의 동일 평면상에는 샘플 스테이지(SAMPLE STAGE, 40)와 그리드 스테이지(GRID STAGE, 50)가 각각 마련되어 있다. 지지판(60)은 샘플 스테이지(40)와 그리드 스테이지(50) 간의 위치를 전환시키기 위해 회전가능하도록 마련되어 있다. 샘플 스테이지(40)는 복수의 층으로 이루어진 샘플이 안착되는 곳이며, 그리드 스테이지(50)는 그물형상으로 마련되어 있으며 제작된 템시료가 안착될 곳이다. 그리드 스테이지(50)는 구리(Cu)를 포함하여 이루어질 수 있으며, 그물망(mesh) 형상이다. 샘플 스테이지(40)와 그리드 스테이지(50)를 동일한 평면상에 위치시키는 이유는 양자의 위치정보를 명확히 하여 템시료 제작의 수율을 향상시키기 위함이다. 여기서, 그리드 스테이지(50)는 샘플 스테이지(40)와의 위치전환과 집속 이온 빔 공정을 위해 샘플 스테이지(40)를 경사지도록 위치시키는 것 등을 고려하여 샘플 스테이지(40)와 간섭이 발생하지 않는 위치에 마련되는 것이 바람직하다. 전자총(21)과 이온총(11)이 약 52°의 경사를 이루고 있기 때문에, 템시료 제작을 위하여 샘플 스테이지(40)를 이온총(11)에 대응하도록 약 52°경사지도록 설정될 수 있어야 한다.
샘플 스테이지(40) 상의 템시료를 그리드 스테이지로(50)로 옮겨야 하는 이 유는 다음과 같다. 템분석을 위하여는 전자빔이 템시료를 투과할 수 있어야 하는데, 이를 위하여 스테이지도 그물망(mesh)형상의 그리드 스테이지(50)가 사용되는 것이 바람직하기 때문이다.
이하에서는, 이와 같은 구성에 의한 본 발명에 따른 작용 및 효과를 살펴본다.
본 발명에 따른 템시료 제작장비는 집속 이온 빔(10)과, 셈(20)과, 글래스팁(31)이 마련된 팁스테이지(30)가 하나의 장비로 마련되어 있다. 그리고, 진공챔버(5) 내부의 지지판(60)에 샘플 스테이지(40)와 그리드 스테이지(50)가 마련되어 있다. 이러한 구성에 의하여, 한 진공챔버(5) 내에서 집속 이온 빔(10)과 셈(20)을 이용하여 템시료를 제작한 후, 글래스팁(31)을 이용하여 제작된 템시료를 그리드 스테이지(50)로 옮길 수 있다. 하나의 진공챔버(5) 내에서 템시료의 제작과 그리드 스테이지(50)로의 옮김 작업이 진행될 수 있으므로 작업의 편의성이 개선되고, 발생 가능한 오염으로부터의 템시료의 노출이 최소화되어 제작된 템시료의 신뢰성이 향상된다. 또한, 그리드 스테이지로의 템시료의 옮김 과정에서, 통상의 전자현미경이 아닌 초점범위가 넓은 셈(20)을 이용하여 관측하게 되므로, 템시료와 그리드 스테이지(50)의 동시관측이 가능해진다. 그러므로, 작업자는 제작된 템시료가 부착된 글래스팁(31)을 그리드 스테이지(50)로 근접시키기에 용이하고, 더욱 정밀한 제어가 가능하여 글래스팁(31)에 부착된 템시료를 그리드 스테이지로 안전하기 옮길 수 있으며, 템시료의 제작에 소요되는 시간이 절감된다.
이하에서는, 도3을 참조하여 본 발명에 따른 템시료의 제작방법을 설명한다.
먼저, 복수의 층이 형성된 기판으로부터 분석하고자 하는 곳의 샘플을 분리하여 마련하고, 준비된 샘플을 진공챔버(5) 내의 샘플 스테이지(SAMPLE STAGE, 40) 상에 안착시킨다(S100).
그 후, 집속 이온 빔(10)을 이용하여 샘플 스테이지(40)에 안착된 샘플로부터 두께가 얇은 템시료를 제작한다(S200). 집속 이온 빔(10)는 이온총(11)을 이용하여 이온빔을 샘플로 조사하여 원하는 두께로 깎아 템시료를 제작하는 장비이다. 이온총(11)에서 조사되는 이온은 갈륨(Ga)일 수 있으며, 이온총(11)은 복수의 층으로 이루어진 샘플에 이온을 조사하여 복수의 층들의 적층방향의 가로방향의 두께가 얇도록 샘플을 깎아 템시료를 제작한다. 집속 이온 빔(10)을 이용하여 템시료를 제작하는 과정은 관찰대상에 전자빔을 조사하여 발생된 이차전자(SE; SECONDARY ELECTRON)의 정보를 수집하여 이미지를 만들어 내는 셈(20)으로 관찰하면서 진행된다.
그 후, 팁스테이지(30)를 하강시켜 글래스팁(31)을 제작된 템시료에 근접시킨다. 그리고, 조정부재(35)를 이용하여 글래스팁(31)을 미세하게 조정하여 글래스팁(31)의 단부에 템시료를 부착한다(S300). 이 과정은 셈(20)으로 관찰하면서 진행되는 것이 바람직하다. 제작된 템시료는 이온총(11)에 의하여 조사된 이온에 의하여 정전기력을 띄며, 정전기력에 의하여 템시료는 글래스팁(31)의 단부에 부착되게 된다.
이어, 템시료가 글래스팁(31)에 안정적으로 부착되면 팁스테이지(30)를 안전거리로 상승시킨다. 안전거리는 별도로 마련된 팁챔버 영역(a)일 수 있다. 이는, 글래스팁(31)이 일방향으로 연장된 막대형상이므로 그리드 스테이지(50)와 샘플 스테이지(40) 간의 위치 전환시 글래스팁(31)과 스테이지들(40, 50) 사이에 간섭이 발생하는 것을 방지하게 위한 것이다.
그 후, 지지판(60)을 회전시켜 그리드 스테이지(50)를 셈(20)의 관찰위치로 이동시킨다(S400). 즉, 샘플 스테이지(40)와 그리드 스테이지(50)의 위치를 상호 전환시킨다. 그리고, 셈(20)의 초점을 그리드 스테이지(50)에 맞춘다.
다음, 팁스테이지(30)를 안전거리로부터 하강시켜 템시료를 그리드 스테이지(50)에 안착시킨다(S500). 이 과정은, 더 자세하게, 셈(20)으로 그리드 스테이지(50)와 글래스팁(31)에 부착된 템시료를 동시에 관찰하면서 팁스테이지(30)를 셈(20)의 초점범위로 이동시키고, 조정부재(35)를 이용하여 글래스팁(31)을 미세하게 조정하여 템시료를 그리드 스테이지(50)로 옮기는 것이다. 글래스팁(31)에 부착된 템시료는 글래스팁(31)의 정전기력을 제거함으로써 그리드 스테이지(50)로 안전하게 옮길 수 있다. 여기서, 셈(20)은 전자빔의 조사에 의하여 발생된 이차전자의 정보를 이용하여 이미지를 만들어 내기 때문에, 통상의 전자현미경에 비하여 초점범위(관찰대상의 이미지가 보이는 범위)가 넓은 장점이 있다. 그래서, 서로 다른 높이에 위치하는 템시료와 그리드 스테이지(50)를 동시에 관찰할 수 있어 글래스팁(31)을 미세하게 조정하는 것이 가능하다. 이에 의하여, 작업자는 제작된 템시료가 부착된 글래스팁(31)을 그리드 스테이지(50)로 근접시키기에 용이하고, 더욱 정밀한 제어가 가능하여 글래스팁(31)에 부착된 템시료를 그리드 스테이지로 안전하기 옮길 수 있으며, 템시료의 제작에 소요되는 시간이 절감된다. 또한, 템시료 제작을 하나의 진공챔버안에서 수행함으로써 시료 제작중에 발생할 수 있는 오염을 방지하여 신뢰성이 높아진다.
그 후, 템시료가 안착된 그리드 스테이지(50)를 템(TEM; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE)으로 옮겨 템시료를 분석 및 관찰 한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 용이하게 템시료를 제작할 수 있으며, 템시료의 제작에 소요되는 시간을 단축할 수 있는 템시료의 제작장비가 제공된다.
본 발명의 다른 목적은, 템시료 제작을 하나의 진공챔버안에서 수행함으로써 시료 제작중에 발생할 수 있는 오염을 방지하여 신뢰성 높은 템시료의 제작방법이 제공된다.

Claims (7)

  1. 진공챔버와;
    상기 진공챔버 내의 동일 평면상에 위치하는 샘플 스테이지(SAMPLE STAGE)와 그리드 스테이지(GRID STAGE)와;
    상기 샘플 스테이지 상의 샘플에 이온을 조사하여 템(TEM; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE)분석을 위한 시료를 제작하는 이온총(ION GUN)을 갖는 집속 이온 빔(FIB; FOCUSED ION BEAM)과;
    제작된 시료를 상기 샘플 스테이지에서 상기 그리드 스테이지로 옮기는 글래스팁(GLASS TIP)을 갖는 팁스테이지(TIP STAGE)와;
    상기 글래스팁에 의하여 시료가 상기 그리드 스테이지상에 안착되는 과정을 관찰하는 전자총(ELECTRON GUN)을 갖는 셈(SEM; SCANNING ELECRON MICROSCOPE)을 포함하는 것을 특징으로 하는 템시료 제작장비.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이온총과 상기 전자총은 상호 40° 내지 60°의 경사를 이루며 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 템시료 제작장비.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 팁스테이지는 상기 진공챔버 밖으로 독립적으로 분리되어 배출될수 있 도록 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 템시료 제작장비
  4. 제3항에 있어서,
    상기 이온총은 갈륨(Ga)이온을 상기 샘플에 조사하는 것을 특징으로 하는 템시료 제작장비.
  5. 샘플 스테이지(SAMPLE STAGE) 상의 샘플에 이온빔을 조사하여 템(TEM; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE) 분석을 위한 시료를 제작하는 단계와;
    제작된 시료에 상기 샘플 스테이지와 동일한 진공챔버에 마련된 글래스팁(GLASS TIP)을 접근시켜 상기 글래스팁의 단부에 시료를 부착시키는 단계와;
    상기 샘플 스테이지와 동일한 평면상에 위치하는 그리드 스테이지(GRID STAGE)를 전자를 조사하여 대상을 관찰하는 셈(SEM; SCANNING ELECRON MICROSCOPE)의 관찰위치로 이동시키는 단계와;
    상기 셈으로 상기 그리드 스테이지와 상기 팁글래스를 관찰하면서 상기 그리드 스테이지에 시료를 안착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 템시료의 제작방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제작된 시료는 조사된 이온에 의하여 정전기력을 가지며, 정전기력에 의하여 상기 글래스팁에 부착되는 것을 특징으로 하는 템시료의 제작방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 시료를 상기 그리드 스테이지에 안착시키는 단계는 상기 셈의 초점을 상기 그리드 스테이지에 맞추는 단계와; 상기 팁스테이지를 안전거리로부터 하강시켜 상기 글래스팁을 상기 셈의 초점범위로 이동키는 단계와; 상기 글래스팁을 미세하게 조정하며 상기 글래스팁의 정전기력을 제거하여 시료를 상기 그리드 스테이지로 옮기는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 템시료의 제작방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020013499A1 (ko) * 2018-07-12 2020-01-16 서울대학교산학협력단 전자현미경용 그리드 샘플 제작장치
CN114486432A (zh) * 2022-01-21 2022-05-13 北京大学 冷冻双束提取透射电镜样品的新型高通量半月形载网

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020013499A1 (ko) * 2018-07-12 2020-01-16 서울대학교산학협력단 전자현미경용 그리드 샘플 제작장치
US11322334B2 (en) 2018-07-12 2022-05-03 XTEM Biolab Co., Ltd. Grid sample production apparatus for electron microscope
CN114486432A (zh) * 2022-01-21 2022-05-13 北京大学 冷冻双束提取透射电镜样品的新型高通量半月形载网
CN114486432B (zh) * 2022-01-21 2023-09-29 北京大学 冷冻双束提取透射电镜样品的新型高通量半月形载网

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