KR20070063067A - 능동형 유기 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 능동형 유기 발광소자 및 그 제조방법은 애노드 전극용 ITO 재질의 투명 전극 상에 상기 투명 전극의 표면 거칠기를 낮추기 위한 은(Ag) 재질의 금속층이 형성되고, 상기 금속층 상에 유기 발광층이 형성되는 구조를 갖는다. 상기 금속층은 어닐링 공정에 의해 상기 투명 전극에 확산되므로 상기 투명 전극의 표면 거칠기가 낮아질 수가 있고, 상기 투명 전극의 표면 거칠기를 낮추기 위한 식각 공정이나 표면연마 공정의 생략이 가능하므로 상기 투명 전극 아래에 배치되는 트랜지스터를 위한 박막층들이 상기 식각 공정이나 표면연마 공정에 의한 파티클 오염으로부터 방지될 수가 있다. 또한, 상기 투명 전극의 표면 거칠기가 낮아진 상태에서 상기 금속층 상에 유기 발광층이 증착되므로 상기 유기 발광층의 증착 안정성이 향상될 수 있고, 나아가 상기 유기 발광소자의 발광 때에 상기 투명 전극의 스파이크 부분에서 상기 유기 발광층의 진행성 전기적 단락이나 암점(dark spot)이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
능동형 유기 발광소자, 투명 전극, ITO, 은(Ag), 표면 거칠기

Description

능동형 유기 발광소자 및 그 제조방법{active matrix organic light emitting diode and method for manufacturing the same}
도 1은 일반적인 수동형 유기 발광소자(passive matrix organic light emitting diode: PMOLED)의 요부를 나타낸 단면 구조도.
도 2는 종래의 능동형 유기 발광소자(active matrix organic light emitting diode: AMOLED)의 요부를 나타낸 단면 구조도.
도 3은 본 발명에 의한 능동형 유기 발광소자의 요부를 나타낸 단면 구조도.
도 4는 본 발명에 의한 능동형 유기 발광소자의 변형예의 요부를 나타낸 단면 구조도.
본 발명은 유기 발광소자(organic light emitting diode: OLED)에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 식각 공정이나 표면연마 공정을 사용하지 않으면서도 투명 전극의 표면 거칠기를 낮추도록 한 능동형 유기 발광소자(active matrix organic light emitting diode: AMOLED) 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근에 들어, 기존의 음극선관(cathode ray tube: CRT)의 단점인 무거운 무게와 큰 부피를 해결하기 위해 각종 평판 표시장치가 개발되고 있다. 이들 평판 표시장치 중에는 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel : PDP), 액정표시장치(liquid crystal display : LCD), 전계방출 표시장치(field emission display : FED) 및 유기 발광소자(organic light emitting diode: OLED) 등이 있다. 특히, 상기 유기 발광소자는 차세대 평판표시장치로서 큰 주목을 받고 있으며, 구동 방식에 따라 수동형 유기 발광소자(passive matrix organic light emitting diode: PMOLED)와 능동형 유기 발광소자(active matrix organic light emitting diode: AMOLED)로 크게 구분된다.
일반적인 수동형 유기 발광소자는 도 1에 도시된 바와 같은 구조를 갖고 있다. 즉, 도 1에서 투명 기판(10) 상에 애노드 전극을 위한 패턴의 투명 전극(11)이 형성되고, 상기 투명 전극(11) 상에 화소영역을 정의하기 위한 패턴의 유기 절연막(미도시)이 형성되고, 상기 유기 절연막 상에 캐소드 전극을 분리하기 위한 패턴의 절연성 분리막(미도시)이 배치되고, 상기 투명 전극(11) 상에 다층 구조의 유기 발광층(13)이 형성되고, 상기 유기 발광층(13) 상에 예를 들어 알루미늄 재질의 캐소드 전극(15)이 상기 애노드 전극과 교차하도록 형성된다. 여기서, 상기 유기 발광층(13)은 상기 투명 전극(11)으로부터 상측으로 정공주입층(hole injection layer: HIL)(13a), 정공수송층(hole transport layer: HTL)(13b), 발광층(emission layer: EML)(13c), 전자수송층(electron transport layer: ETL)(13d), 전자주입층(electron injection layer: EIL)(13e)이 순차적으로 증착된 다층 구조를 가질 수가 있다. 또한, 상기 투명 전극(11)은 투명 도전층, 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide) 재질로 주로 형성되고, 그 외에 IZO, ZnO, SnO, In2O3 등과 같은 재질로 형성될 수도 있다.
이와 같은 구조를 갖는 수동형 유기 발광소자의 경우, 스퍼터링공정을 이용하여 상기 투명 기판(10) 상에 상기 투명 전극(11)을 위한 투명 도전층, 예를 들어 ITO층을 증착하면, 상기 ITO층의 증착 두께에 따라 다르지만, 상기 ITO층은 상당히 높은 피크 대 밸리(peak to valley) 값의 표면 거칠기를 갖는다. 이는 상기 ITO층 상에 증착할 유기 발광층(13)에 상당한 악영향을 끼친다.
가령, 상기 ITO층의 증착 두께가 1500~2000Å이면, 상기 ITO층의 표면 거칠기는 200~400Å의 피크 대 밸리를 나타낸다. 이때, 상기 ITO층의 투명 전극(11) 상에 상기 유기 발광층(13)을 500~600Å의 두께로 증착하면, 상기 ITO층의 표면의 스파이크(spike) 부분에서 상기 투명 전극(11)과 캐소드 전극(15)간의 진행성 단락이 발생할 가능성이 높다.
이러한 현상을 해결하기 위해, 상기 투명 기판(10) 상에 상기 투명 전극(11)을 위한 ITO층을 증착하고, 상기 ITO층을 식각 공정 또는 표면연마 공정에 의해 처리한 후 상기 ITO층 상에 유기 발광층(17)을 증착하고 있다.
그러나, 일반적인 능동형 유기 발광소자는 도 2에 도시된 바와 같이, 애노드 전극을 위한 투명 전극(39)의 ITO층 아래에 트랜지스터를 위한 여러 가지의 박막층, 즉 보호막(37), 소스/드레인 전극(33),(35), 층간절연막(31), 게이트 전극(29), 게이트 절연막(27), 소스/드레인 영역(23),(25), 반도체층(22) 및 질화막(21a)과 버퍼 산화막(21b)의 적층 구조로 이루어진 버퍼절연막(21)이 배치하고, 상기 투명 전극(39) 상에 유기 발광층(41)과 캐소드 전극(43)이 배치하는 구조를 갖는다.
이러한 구조를 갖는 종래의 능동형 유기 발광소자는 상기 투명 전극(39) 아래에 상기 보호막(37), 소스/드레인 전극(33),(35), 층간절연막(31), 게이트 전극(29), 게이트 절연막(27), 소스/드레인 영역(23),(25), 반도체층(22) 및 버퍼 절연막(21)이 존재하기 때문에 상기 ITO층을 식각 공정 또는 표면연마 공정에 의해 처리하기가 어려운 문제점을 갖고 있다. 왜냐하면, 상기 ITO층을 식각 공정 또는 표면연마 공정에 의해 처리하는 동안에 파티클과 같은 오염원이 상기 ITO층 아래의 트랜지스터를 위한 여러 가지 박막층을 오염하기 쉽기 때문이다.
더욱이, 상기 ITO층의 투명 전극(39) 상에 유기 발광층(41)과 캐소드 전극(43)을 형성할 경우, 상기 ITO층의 표면 거칠기에 따라, 상기 유기 발광소자의 발광 때에 상기 ITO층의 스파이크 부분에서 상기 투명 전극(39)과 캐소드 전극(43)간의 진행성 단락 및 암점(dark spot)이 나타나기 쉬웠다. 그러므로, 상기 ITO층 아래의 트랜지스터를 위한 여러 가지 박막층을 오염시키지 않으면서도 상기 ITO층의 표면 거칠기를 나타내는 피크 대 밸리 값을 낮추어주는 것이 절실히 요구되는 실정이다.
따라서, 본 발명의 목적은 능동형 유기 발광소자의 투명 전극 아래에 배치된 트랜지스터를 위한 박막층들의 오염을 방지하면서 상기 투명 전극의 표면 거칠기를 낮추도록 하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 투명 전극의 표면 거칠기를 낮춤으로써 투명 전극 상에 증착하는 유기 발광층의 안정성을 향상하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 투명 전극의 표면 거칠기를 낮춤으로써 유기 발광소자의 동작 특성을 향상하는데 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 능동형 유기 발광소자는, 투명 기판; 상기 투명 기판 상에 형성된, 소스/드레인 전극을 갖는 트랜지스터; 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되는, 애노드 전극을 위한 제1 투명 전극; 상기 제1 투명 전극 상에 형성되어, 상기 제1 투명 전극의 표면 거칠기를 낮추는 금속층; 상기 금속층 상에 형성되는 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층 상에 형성되는 캐소드 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 금속층과 상기 유기 발광층 사이에 형성된 제2 투명 전극을 더 포함하는 것이 가능하다.
바람직하게는, 상기 금속층은 은(Ag)과 백금(Pt) 중 어느 하나의 재질로 형성될 수 있다.
또한, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 능동형 유기 발광소자의 제조방법은, 투명 기판 상에 소스/드레인 전극을 갖는 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 트랜지스터를 포함하여 상기 투명 기판 상에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막의 비아홀을 통하여 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되도록 상기 보호막 상에 애노드 전극을 위한 제1 투명 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 투명 전극 상에 상기 제1 투명 전극의 표면 거칠기를 낮추기 위한 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 유기 발광층 상에 형성되는 캐소드 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 유기 발광층을 형성하기 전에 상기 금속층과 상기 유기 발광층 사이에 위치하도록 상기 금속층 상에 제2 투명 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 가능하다.
바람직하게는, 상기 금속층을 형성하는 단계는, 상기 제1 투명 전극 상에 스퍼터링 공정에 의해 상기 금속층을 증착하는 단계; 및 상기 금속층을 어닐링 공정에 의해 열처리함으로써 상기 제1 투명 전극에 확산시키는 단계를 포함하는 것이 가능하다.
바람직하게는, 상기 금속층을 은(Ag)과 백금(Pt) 중 어느 하나의 재질로 형성할 수 있다.
이하, 본 발명에 의한 능동형 유기 발광소자 및 그 제조방법을 첨부된 도면 을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 종래의 부분과 동일한 구성 및 동일한 작용을 갖는 부분에는 동일한 참조 부호를 부여한다.
도 3은 본 발명에 의한 능동형 유기 발광소자의 요부를 나타낸 단면도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 능동형 유기 발광소자에서는 투명 기판(10)의 전역 상에 버퍼 절연막(21)이 형성되고, 상기 버퍼 절연막(21) 상의 트랜지스터 형성 영역에 트랜지스터를 위한 소스/드레인 영역(23),(25)과 상기 소스/드레인 영역(23),(25) 사이의 반도체층(22)이 형성되고, 상기 소스/드레인 영역(23),(25)과 반도체층(22)을 포함하여 상기 버퍼 절연막(21) 상에 게이트 절연막(27)이 형성되고, 상기 게이트 절연막(27) 상의 게이트 전극 형성 영역에 게이트 전극(29)이 형성되고, 상기 게이트 전극(29)을 포함하여 상기 게이트 절연막(27) 상에 층간절연막(31)이 형성되고, 상기 층간절연막(31)과 게이트 절연막(27)을 관통하는 비아홀을 통하여 상기 소스/드레인 영역(23),(25)과 각각 전기적으로 접촉하도록 상기 층간절연막(31) 상의 소스/드레인 전극 형성 영역에 소스/드레인 전극(33),(35)이 형성되고, 상기 소스/드레인 전극(33),(35)을 포함하여 상기 층간절연막(31) 상에 보호막(37)이 형성되고, 상기 보호막(37)의 비아홀을 통하여 상기 드레인 전극(35)에 전기적으로 접촉하도록 상기 보호막(37) 상의 애노드 전극 형성 영역에 애노드 전극을 위한 제1 투명 전극(51)이 형성된다. 상기 제1 투명 전극(51)은 스퍼터링 공정 등에 의해 1000~2000Å, 바람직하게는 1500Å의 두께로 증착되는 비정질의 ITO층으로 구성될 수 있다.
또한, 상기 제1 투명 전극(51) 상에 상기 제1 투명 전극(51)의 표면 거칠기 를 낮추기 위한 재질, 예를 들어 은(Ag)과 같은 재질의 금속층(53)이 형성된다. 물론, 상기 금속층(53)은 백금(Pt)의 재질로 형성되는 것도 가능하다. 상기 금속층(53)은 스퍼터링 공정, 진공증착 공정 또는 이빔(e-beam) 공정에 의해 증착된 후 어닐링 공정에 의해 열처리됨으로써 상기 제1 투명 전극(51)에 확산된다. 상기 금속층(53)의 확산을 진행할 때에, 상기 제1 투명 전극(51)의 투과율과 전기적 특성에 별다른 영향을 주지 않도록 주의하는 것이 필요하다. 상기 금속층(53)의 증착 두께는 30~150Å가 바람직하다. 상기 금속층(53)의 두께가 150Å보다 두꺼우면 상기 금속층(53)이 투명성을 확보하기 어려울 정도로 색상을 갖는다.
또한, 상기 금속층(53) 상의 화소 영역에 유기 발광층(61)이 형성되고, 상기 유기 발광층(61) 상에 캐소드 전극(63)이 형성된다. 상기 캐소드 전극(63)은 상기 애노드 전극과 교차하도록 배열된다. 상기 유기 발광층(61)은 도 1에 도시된 바와 같은 유기 발광층(17)과 같은 다층 구조 또는 그 외의 공지된 다층 구조를 갖는 것이 가능하다.
한편, 본 발명에 의한 능동형 유기 발광소자는 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 금속층(53)과 상기 유기 발광층(61) 사이에 제2 투명 전극(55)을 위한 다결정의 ITO층이 형성되는 구조를 갖는 것이 가능하다. 상기 제2 투명 전극(55)은 스퍼터링 공정 등에 의해 상기 금속층(53) 상에 증착될 수 있고, 상기 제1 투명 전극(51)의 표면 거칠기가 낮아짐에 따라 상기 제2 투명 전극(55)의 표면 거칠기도 낮아진다. 설명의 편의상 설명의 중복을 피하기 위해, 도 4에 도시된 능동형 유기 발광소자의 구조에 대한 상세한 설명을 생략하기로 한다.
이와 같이 구성되는 본 발명의 능동형 유기 발광소자의 제조 방법을 설명하면, 도 3에 도시된 바와 같이, 먼저 공지된 방법을 이용하여 투명 기판(10) 상의 트랜지스터 형성 영역에 능동형 유기 발광소자를 위한 트랜지스터를 형성한다. 이를 좀 더 상세히 언급하면, 상기 투명 기판(10)의 전역 상에 버퍼 절연막(21)을 증착하고, 상기 버퍼 절연막(21) 상에 소스/드레인 영역(23),(25)과 상기 소스/드레인 영역(23),(25) 사이의 반도체층(22)을 형성하고, 상기 소스/드레인 영역(23),(25)과 반도체층(22)을 포함하여 상기 버퍼 절연막(21) 상에 게이트 절연막(27)을 증착하고, 상기 게이트 절연막(27) 상의 게이트 전극 형성 영역에 게이트 전극(29)을 형성하고, 상기 게이트 전극(29)을 포함하여 상기 게이트 절연막(27) 상에 층간절연막(31)을 증착하고, 상기 소스/드레인 영역(23),(25)의 콘택 영역을 노출하기 위하여 상기 층간절연막(31)과 게이트 절연막(27)을 관통하는 비아홀을 형성한 후 상기 비아홀을 통하여 상기 소스/드레인 영역(23),(25)과 각각 전기적으로 접촉하도록 상기 층간절연막(31) 상의 소스/드레인 전극 형성 영역에 소스/드레인 전극(33),(35)을 형성하고, 상기 소스/드레인 전극(33),(35)을 포함하여 상기 층간절연막(31) 상에 보호막(37)을 증착한다.
여기서, 상기 버퍼 절연막(21)의 형성을 위해, 상기 투명 기판(10)의 전역 상에 질화막(21a)을 증착한 후 상기 질화막(21a) 상에 버퍼 산화막(21b)을 증착하는 것이 가능하다. 상기 제1 투명 전극(51)은 스퍼터링 공정 등에 의해 1000~2000Å, 바람직하게는 1500Å의 두께로 증착되는 비정질의 ITO층으로 구성될 수 있다. 또한, 상기 제1 투명 전극(51)은 IZO층을 비롯하여 공지된 재질로 구성하는 것도 가능하다.
이후, 상기 드레인 전극(35)의 콘택 영역을 노출하기 위하여 상기 보호막(37)의 일부 영역을 관통하는 비아홀을 형성한 후 상기 비아홀을 통하여 상기 드레인 전극(35)에 전기적으로 접촉하도록 상기 보호막(37) 상의 애노드 전극 형성 영역에 스퍼터링 공정 등에 의해 애노드 전극을 위한 제1 투명 전극(51)을 형성한다.
그런 다음, 상기 제1 투명 전극(51) 상에 상기 제1 투명 전극(51)의 표면 거칠기를 낮추기 위한 재질, 예를 들어 은(Ag)과 같은 재질의 금속층(53)을 증착한다. 상기 은(Ag) 대신에 상기 제1 투명 전극(51) 상에 백금(Pt)을 증착하는 것도 가능하다. 상기 금속층(53)을 위한 은(Ag)을 스퍼터링 공정, 진공증착 공정 또는 이빔(e-beam) 공정에 의해 30~150Å의 두께로 증착하는 것이 바람직하다. 상기 은(Ag)의 증착 두께가 150Å보다 두꺼우면 상기 금속층(53)이 투명성을 확보하기 어려울 정도로 색상을 갖는다. 이후, 상기 금속층(53)을 150~280℃ 온도에서 어닐링 공정에 의해 열처리함으로써 상기 금속층(53)의 은(Ag) 입자를 상기 제1 투명 전극(51)의 내부로 확산시켜준다. 상기 금속층(53)의 확산을 진행할 때에, 상기 제1 투명 전극(51)의 투과율과 전기적 특성에 별다른 영향을 주지 않도록 주의하는 것이 필요하다.
그 다음에, 상기 금속층(53) 상의 화소 영역에 유기 발광층(61)을 형성하고, 상기 유기 발광층(61) 상에 캐소드 전극(63)을 형성하여 본 발명의 능동형 유기 발광소자의 제조 공정을 완료한다. 이때, 상기 캐소드 전극(63)은 상기 애노드 전극과 교차하도록 배열된다. 상기 유기 발광층(61)은 도 1에 도시된 바와 같은 유기 발광층(17)과 같은 다층 구조 또는 그 외의 공지된 다층 구조를 갖는 것이 가능하다.
따라서, 본 발명의 능동형 유기 발광소자에서는 상기 금속층(53)의 은(Ag) 입자가 150~280℃ 온도의 어닐링 공정에 의해 상기 투명 전극(51)의 비정질 ITO층에 확산함으로써 상기 투명 전극(51)의 표면 거칠기를 나타내는 피크 대 밸리의 값이 낮아지고, 또한 상기 투명 전극(51)의 투명성도 확보되고 아울러 상기 투명 전극(51)의 전기적 저항도 감소한다.
따라서, 종래의 능동형 유기 발광소자에서는 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 상기 투명 전극(39)의 표면 거칠기를 낮추기 위해 상기 투명 전극(39)을 식각 공정 또는 표면연마 공정에 의해 처리할 경우, 상기 투명 전극(39) 아래의 트랜지스터를 위한 박막층들을 오염시킨다. 또한, 종래의 능동형 유기 발광소자의 발광 때에 상기 투명 전극(39)을 위한 ITO층의 스파이크 부분에서 상기 투명 전극(39)과 캐소드 전극(43)간의 진행성 단락 및 암점(dark spot)과 같은 불량 현상이 발생하기 쉬웠다.
반면에, 본 발명은 상기 식각 공정 또는 표면연마 공정을 전혀 사용하지 않으면서도 상기 투명 전극(51)의 표면 거칠기를 낮출 수 있으므로 상기 식각 공정 또는 표면연마 공정의 사용으로 인하여 발생할 수 있었던, 상기 투명 전극(51) 아래의 트랜지스터를 위한 박막층들의 파티클 오염을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 투명 전극(51) 상에 증착되는 유기 발광층(61)의 증착 안정성을 향상할 수 있고 나아가 상기 유기 발광소자의 발광 때에 상기 투명 전극(51)을 위한 ITO층의 스 파이크 부분에서 상기 투명 전극(51)과 캐소드 전극(63)간의 진행성 단락 및 암점(dark spot)이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명의 능동형 유기 발광소자의 동작 특성이 향상될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 능동형 유기 발광소자 및 그 제조방법은 애노드 전극용 ITO 재질의 투명 전극 상에 상기 투명 전극의 표면 거칠기를 낮추기 위한 은(Ag) 재질의 금속층이 형성되고, 상기 금속층 상에 유기 발광층이 형성되는 구조를 갖는다. 상기 금속층은 어닐링 공정에 의해 상기 투명 전극에 확산되므로 상기 투명 전극의 표면 거칠기가 낮아질 수가 있다.
따라서, 본 발명은 상기 투명 전극의 표면 거칠기를 낮추기 위한 식각 공정이나 표면연마 공정의 생략할 수 있으므로 상기 투명 전극 아래에 배치되는 트랜지스터를 위한 박막층들을 상기 식각 공정이나 표면연마 공정에 의한 파티클 오염으로부터 방지할 수가 있다.
또한, 본 발명은 상기 투명 전극의 표면 거칠기가 낮아진 상태에서 상기 금속층 상에 유기 발광층을 증착하므로 상기 유기 발광층의 증착 안정성을 향상할 수 있고, 나아가 상기 유기 발광소자의 발광 때에 상기 투명 전극의 스파이크 부분에서 상기 유기 발광층의 진행성 전기적 단락이나 암점(dark spot)이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 결국, 본 발명의 능동형 유기 발광소자의 동작 특성이 향상될 수가 있다.
한편, 본 발명은 도시된 도면과 상세한 설명에 기술된 내용에 한정하지 않으며 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 변형도 가능함은 이 분야에 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 사실이다.

Claims (7)

  1. 투명 기판;
    상기 투명 기판 상에 형성된, 소스/드레인 전극을 갖는 트랜지스터;
    상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되는, 애노드 전극을 위한 제1 투명 전극;
    상기 제1 투명 전극 상에 형성되어, 상기 제1 투명 전극의 표면 거칠기를 낮추는 금속층;
    상기 금속층 상에 형성되는 유기 발광층; 및
    상기 유기 발광층 상에 형성되는 캐소드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광소자.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 금속층과 상기 유기 발광층 사이에 형성된 제2 투명 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광소자.
  3. 제1 항 또는 제2 항에 있어서, 상기 금속층은 은(Ag)과 백금(Pt) 중 어느 하나의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광소자.
  4. 투명 기판 상에 소스/드레인 전극을 갖는 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 트랜지스터를 포함하여 상기 투명 기판 상에 보호막을 형성하는 단계;
    상기 보호막의 비아홀을 통하여 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되도록 상기 보호막 상에 애노드 전극을 위한 제1 투명 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 투명 전극 상에 상기 제1 투명 전극의 표면 거칠기를 낮추기 위한 금속층을 형성하는 단계;
    상기 금속층 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기 발광층 상에 형성되는 캐소드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광소자의 제조방법.
  5. 제4 항에 있어서, 상기 유기 발광층을 형성하기 전에 상기 금속층과 상기 유기 발광층 사이에 위치하도록 상기 금속층 상에 제2 투명 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광소자의 제조방법.
  6. 제4 항 또는 제5 항에 있어서, 상기 금속층을 형성하는 단계는,
    상기 제1 투명 전극 상에 스퍼터링 공정에 의해 상기 금속층을 증착하는 단계; 및
    상기 금속층을 어닐링 공정에 의해 열처리함으로써 상기 제1 투명 전극에 확산시키 는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광소자의 제조방법.
  7. 제6 항에 있어서, 상기 금속층을 은(Ag)과 백금(Pt) 중 어느 하나의 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광소자의 제조방법.
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