KR20070062366A - 플라즈마 디스플레이 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키기 위한 구동부의 구성을 개선한 플라즈마 디스플레이 장치(Plasma Display Apparatus)에 관한 것으로, 부극성 스캔 전압(-Vy)과 하강 램프(Ramp-Down) 파형의 전압과 서스테인 전압(Vs)을 하나의 전압원을 이용하여 발생시키거나 또는 서스테인 바이어스 전압(Vzb)과 서스테인 전압(Vs)을 하나의 전압원을 이용하여 발생시킴으로써, 플라즈마 디스플레이 장치의 전체 제조 단가를 낮추는 효과가 있다.
이러한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 스캔 전극과, 스캔 전극에 교차하는 어드레스 전극이 형성된 플라즈마 디스플레이 패널과, 화상을 표시하는 서스테인 기간에서 스캔 전극으로 공급되는 서스테인 전압(Vs)과, 서스테인 기간 이전의 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 공급되는 부극성 스캔 전압과, 어드레스 기간 이전의 리셋 기간에서 스캔 전극으로 공급되는 하강 램프 파형의 전압을 하나의 전압원으로부터 발생시키는 스캔 구동부를 포함하는 것이 바람직하다.

Description

플라즈마 디스플레이 장치{Plasma Display Apparatus}
도 1은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치를 설명하기 위한 도.
도 2는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서 플라즈마 디스플레이 패널의 구조의 일례를 설명하기 위한 도.
도 3은 스캔 구동부의 구성을 보다 상세히 설명하기 위한 도.
도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 스캔 구동부의 확장된 구성을 설명하기 위한 도.
도 5는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 스캔 구동부의 동작을 설명하기 위한 도.
도 6a 내지 도 6b는 부극성 스캔 전압 발생부에서 부극성 스캔 전압을 발생시키는 과정을 보다 상세히 설명하기 위한 도.
도 7은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서 스캔 구동부의 또 다른 구성에 대해 설명하기 위한 도.
도 8은 도 7의 스캔 구동부에서의 부극성 스캔 전압 발생부의 동작을 설명하기 위한 도.
도 9a 내지 도 9b는 전압 조절부에 적용되는 가변 전압원의 일례를 설명하기 위한 도.
도 10은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서 도 7과는 다른 스캔 구동부의 또 다른 구성에 대해 설명하기 위한 도.
도 11은 도 10의 스캔 구동부에서의 부극성 스캔 전압 발생부의 동작을 설명하기 위한 도.
도 12는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서 서스테인 구동부의 구성을 설명하기 위한 도.
도 13은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 서스테인 구동부의 확장된 구성을 설명하기 위한 도.
도 14는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 서스테인 구동부의 동작을 설명하기 위한 도.
도 15는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서 서스테인 구동부의 또 다른 구성에 대해 설명하기 위한 도.
도 16은 도 15의 서스테인 구동부에서의 바이어스 전압 발생부의 동작을 설명하기 위한 도.
도 17은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서 도 15와는 다른 서스테인 구동부의 또 다른 구성에 대해 설명하기 위한 도.
도 18은 도 17의 서스테인 구동부에서의 바이어스 전압 발생부의 동작을 설명하기 위한 도.
도 19는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서 스캔 구동부와 서스테인 구동부를 함께 구현한 일례를 설명하기 위한 도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 플라즈마 디스플레이 패널 101 : 데이터 구동부
102 : 스캔 구동부 103 : 서스테인 구동부
본 발명은 플라즈마 디스플레이 장치(Plasma Display Apparatus)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키기 위한 구동부의 구성을 개선한 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 패널과 후면 패널 사이에 형성된 격벽이 하나의 방전 셀을 이루는 것으로, 각 방전 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온 및 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주 방전 기체와 소량의 크세논(Xe)을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다. 이러한 방전 셀들이 복수개가 모여 하나의 픽셀(Pixel)을 이룬다. 예컨대 적색(Red, R) 방전 셀, 녹색(Green, G) 방전 셀, 청색(Blue, B) 방전 셀이 모여 하나의 픽셀을 이루는 것이다.
그리고 이러한 플라즈마 디스플레이 패널은 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 얇고 가벼운 구성이 가능하므로 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.
이러한 플라즈마 디스플레이 패널에는 복수의 전극들, 예컨대 스캔 전극(Y), 서스테인 전극(Z), 어드레스 전극(X)이 형성되고, 이러한 복수의 전극들에 소정의 구동 전압이 공급되어 방전이 발생됨으로써 영상이 구현된다.
이와 같이, 영상의 구현을 위해 소정의 구동 전압을 공급하는 구동부가 플라즈마 디스플레이 패널의 전극들에 접속된다.
예를 들면, 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 중 어드레스 전극(X)에는 데이터 구동부가 접속되고, 스캔 전극(Y)에는 스캔 구동부가 접속되는 것이다.
이와 같이, 복수의 전극이 형성된 플라즈마 디스플레이 패널과, 이러한 플라즈마 디스플레이 패널의 복수의 전극에 소정의 구동 전압을 공급하기 위한 구동부를 포함하는 것을 플라즈마 디스플레이 장치라 한다.
여기서, 종래의 플라즈마 디스플레이 장치에서는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극들로 공급할 구동 전압을 발생시키기 위해 다수의 전압원을 사용한다.
예를 들면, 플라즈마 디스플레이 패널의 스캔 전극(Y)으로 서스테인 펄스의 서스테인 전압(Vs)을 공급하기 위해 서스테인 전압원을 사용하고, 상승 램프(Ramp-Up) 펄스의 전압, 즉 셋업 전압을 공급하기 위해 셋업 전압원을 사용하고, 하강 램프(Ramp-Down) 파형의 전압, 즉 셋다운 전압 및 스캔 펄스의 부극성 스캔 전압을 공급하기 위해 부극성 스캔 전압원을 사용한다.
또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 서스테인 전극(Z)으로 서스테인 전압(Vs)을 공급하기 위해 서스테인 전압원을 사용하고, 또한 서스테인 기준 전압을 공급하기 위해 서스테인 기준 전압원을 사용한다.
이와 같이, 종래 플라즈마 디스플레이 장치에서는 다수의 전압원을 사용함으 로써, 플라즈마 디스플레이 장치의 전체 제조 단가가 상승하는 문제점이 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 두 개 이상의 상이한 전압원을 하나의 공통 전압원으로 통합함으로써, 전체 제조 단가를 저감시키는 플라즈마 디스플레이 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상술한 목적을 이루기 위한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 스캔 전극과, 상기 스캔 전극에 교차하는 어드레스 전극이 형성된 플라즈마 디스플레이 패널과, 화상을 표시하는 서스테인 기간에서 상기 스캔 전극으로 공급되는 서스테인 전압(Vs)과, 상기 서스테인 기간 이전의 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 공급되는 부극성 스캔 전압과, 상기 어드레스 기간 이전의 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 공급되는 하강 램프 파형의 전압을 하나의 전압원으로부터 발생시키는 스캔 구동부를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 스캔 구동부는 상기 스캔 전극으로 인가되는 상기 서스테인 전압(Vs)을 제어하는 서스테인 전압 공급 제어부와, 상기 스캔 전극으로 인가되는 기저 전압(GND)을 제어하는 기저 전압 공급 제어부와, 상기 부극성 스캔 전압을 발생시키는 부극성 스캔 전압 발생부와, 상기 스캔 전극으로 인가되는 상기 부극성 스캔 전압을 제어하는 스캔 전압 공급 제어부와, 상기 스캔 전극으로 인가되는 하강 램프 파형을 제어하는 하강 램프 공급 제어부 및 상기 서스테인 전압 공급 제어부 또는 기저 전압 공급 제어부로부터 상기 부극성 스캔 전압 발생부 또는 하강 램프 공 급 제어부 방향으로 흐르는 역전류를 차단하는 블로킹부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 부극성 스캔 전압 발생부는 상기 서스테인 전압(Vs)을 저장하는 전압 저장부와, 상기 전압 저장부와 연동하는 완충부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 전압 저장부의 일단은 서스테인 전압 공급 제어부와 기저 전압 공급 제어부 및 블로킹부의 일단과 공통 접속되고, 타단은 상기 완충부의 일단과 스캔 전압 공급 제어부의 일단과 하강 램프 공급 제어부의 일단과 공통 접속되고, 상기 블로킹부의 타단은 스캔 전압 공급 제어부의 타단과 하강 램프 공급 제어부의 타단과 공통 접속되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 전압 저장부는 상기 서스테인 전압(Vs)을 저장하기 위한 전압 저장용 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 완충부의 일단은 스캔 전압 공급 제어부의 일단과 하강 램프 공급 제어부의 일단과 전압 저장부의 타단과 공통 접속되고, 타단은 접지(GND)되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 부극성 스캔 전압 발생부는 상기 서스테인 전압(Vs)을 저장하는 전압 저장부와, 상기 전압 저장부와 연동하는 완충부 및 상기 전압 저장부에 저장되는 전압의 크기를 조절하는 전압 조절부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 전압 저장부에 저장되는 전압의 크기는 상기 서스테인 전압(Vs)과 상기 전압 조절부에 걸리는 전압 간의 차이와 대략 동일한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 완충부의 일단은 상기 전압 저장부와 하강 램프 공급 제어부의 일단과 스캔 전압 공급 제어부의 일단과 공통 접속되고, 타단은 상기 전압 조절부의 일단과 접속되고, 상기 전압 조절부의 타단은 접지(GND)되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 전압 조절부는 가변 전압 원(Adjustable Voltage Source)인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 완충부의 일단은 상기 전압 저장부의 타단과 하강 램프 공급 제어부의 일단 및 스캔 전압 공급 제어부의 일단과 공통 접속되고, 타단은 상기 전압 조절부의 일단 및 상기 서스테인 전압(Vs)보다 낮은 전압을 공급하는 저 전압 공급원과 공통 접속되고, 상기 전압 조절부의 타단은 접지(GND)되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 저 전압 공급원은 어드레스 기간에서 어드레스 전극으로 데이터 펄스를 공급하기 위한 데이터 전압원인 것을 특징으로 한다.
또한, 상술한 목적을 이루기 위한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 서스테인 전극과, 상기 서스테인 전극에 교차하는 어드레스 전극이 형성된 플라즈마 디스플레이 패널과, 화상을 표시하는 서스테인 기간에서 상기 서스테인 전극으로 공급되는 서스테인 전압(Vs)과, 상기 서스테인 기간 이전의 어드레스 기간에서 상기 서스테인 전극으로 공급하는 서스테인 바이어스 전압을 하나의 동일한 전압원으로부터 발생시키는 서스테인 구동부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 서스테인 구동부는 상기 서스테인 전극으로 인가되는 상기 서스 테인 전압(Vs)을 제어하는 서스테인 전압 공급 제어부와, 상기 서스테인 전극으로 인가되는 기저 전압(GND)을 제어하는 기저 전압 공급 제어부와, 상기 서스테인 바이어스 전압을 발생시키는 바이어스 전압 발생부 및 상기 서스테인 전극으로 인가되는 상기 서스테인 바이어스 전압을 제어하는 바이어스 전압 공급 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다,
또한, 상기 바이어스 전압 발생부는 상기 서스테인 전압(Vs)을 저장하는 전압 저장부와, 상기 전압 저장부와 연동하는 완충부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 완충부의 일단은 서스테인 전압 공급 제어부와 기저 전압 공급 제어부 및 바이어스 전압 공급 제어부의 일단과 공통 접속되고, 타단은 상기 전압 저장부의 일단과 바이어스 전압 공급 제어부의 타단과 공통 접속되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 전압 저장부의 일단은 상기 완충부의 타단 및 바이어스 전압 공급 제어부의 타단과 공통 접속되고, 타단은 접지(GND)되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 바이어스 전압 발생부는 상기 서스테인 전압(Vs)을 저장하는 전압 저장부와, 상기 전압 저장부와 연동하는 완충부 및 상기 전압 저장부에 저장되는 전압의 크기를 조절하는 전압 조절부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 전압 저장부에 저장되는 전압의 크기는 상기 서스테인 전압(Vs)과 상기 전압 조절부에 걸리는 전압 간의 차이와 대략 동일한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 완충부의 일단은 상기 서스테인 전압 공급 제어부와 기저 전압 공급 제어부와 바이어스 전압 공급 제어부의 일단과 공통 접속되고, 타단은 상기 전압 조절부의 일단 및 상기 서스테인 전압(Vs)보다 낮은 전압을 공급하는 저 전압 공급원과 공통 접속되고, 상기 전압 조절부의 타단은 전압 저장부의 일단 및 바이어스 전압 공급 제어부의 타단과 공통 접속되고, 상기 전압 저장부의 타단은 접지되는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 살펴보면, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 플라즈마 디스플레이 패널(100)과 이러한 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 전극들에 소정의 구동 전압을 공급하기 위한 구동부, 바람직하게는 데이터 구동부(101), 스캔 구동부(102), 서스테인 구동부(103)를 포함한다.
여기서, 플라즈마 디스플레이 패널(100)은 전면 패널(미도시)과 후면 패널(미도시)이 일정한 간격을 두고 합착되고, 다수의 전극들 예를 들어, 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)이 복수개 형성되는 것이 바람직하다. 이러한 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 구조를 첨부된 도 2를 결부하여 보다 상세히 살펴보면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서 플라즈마 디스플레이 패널의 구조의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 살펴보면, 본 발명이 플라즈마 디스플레이 장치의 플라즈마 디스플레 이 패널(100)은 화상이 디스플레이 되는 표시 면인 전면 기판(201)에 스캔 전극(202, Y)과 서스테인 전극(203, Z)이 형성된 전면 패널(200) 및 배면을 이루는 후면 기판(211) 상에 전술한 스캔 전극(202, Y) 및 서스테인 전극(203, Z)과 교차되도록 복수의 어드레스 전극(213, X)이 배열된 후면 패널(210)이 일정거리를 사이에 두고 나란하게 결합된다.
전면 패널(200)은 하나의 방전 공간, 즉 방전 셀에서 상호 방전시키고 방전 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(202, Y) 및 서스테인 전극(203, Z), 즉 투명한 ITO 물질로 형성된 투명 전극(a)과 금속재질로 제작된 버스 전극(b)으로 구비된 스캔 전극(202, Y) 및 서스테인 전극(203, Z)이 쌍을 이뤄 포함된다. 스캔 전극(202, Y) 및 서스테인 전극(203, Z)은 방전 전류를 제한하며 전극 쌍 간을 절연시켜주는 하나 이상의 상부 유전체 층(204)에 의해 덮혀지고, 상부 유전체 층(204) 상면에는 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호 층(205)이 형성된다.
후면 패널(210)은 복수개의 방전 공간 즉, 방전 셀을 형성시키기 위한 스트라이프 타입(또는 웰 타입)의 격벽(212)이 평행을 유지하여 배열된다. 또한, 어드레스 방전을 수행하여 진공자외선을 발생시키는 다수의 어드레스 전극(213, X)이 격벽(212)에 대해 평행하게 배치된다. 후면 패널(210)의 상측면에는 어드레스 방전 시 화상표시를 위한 가시광선을 방출하는 R, G, B 형광체(214)가 도포된다. 어드레스 전극(213, X)과 형광체(214) 사이에는 어드레스 전극(213, X)을 보호하기 위한 하부 유전체 층(215)이 형성된다.
여기 도 2에서는 본 발명이 적용될 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 일례만을 도시하고 설명한 것으로써, 본 발명이 여기 도 2의 구조의 플라즈마 디스플레이 패널에 한정되는 것은 아님을 밝혀둔다. 예를 들면, 여기 도 2에서는 스캔 전극(202, Y)과 서스테인 전극(203, Z)은 각각 투명 전극(a)과 버스 전극(b)으로 이루어지는 것만을 도시하고 있지만, 이와는 다르게 스캔 전극(202, Y)과 서스테인 전극(203, Z) 중 적어도 하나 이상은 버스 전극(b)만으로 이루어지거나 또는 투명 전극(a)만으로 이루어지는 것도 가능한 것이다.
또한, 스캔 전극(202, Y)과 서스테인 전극(203, Z)이 전면 패널(200)에 포함되고, 어드레스 전극(213, X)은 후면 패널(210)에 포함되는 것만을 도시하고 설명하고 있지만, 전면 패널(200)에 모든 전극들이 형성되거나 또는 스캔 전극(202, Y), 서스테인 전극(203, Z), 어드레스 전극(213, X) 중 적어도 어느 하나의 전극이 격벽(212) 상에 형성되는 것도 가능한 것이다.
이러한 도 2의 내용을 고려할 때, 본 발명이 적용될 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널은 구동 전압을 공급하기 위한 스캔 전극(202, Y), 서스테인 전극(203, Z) 및 어드레스 전극(213, X)이 형성된 것이고, 그 이외의 조건은 무방한 것이다.
여기서, 도 2의 설명을 마무리하고, 다시 도 1의 설명을 이어가기로 한다.
데이터 구동부(101)는 어드레스 기간에서 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 어드레스 전극(X)에 데이터 펄스의 전압(Vd)을 공급하는 방법으로 어드레스 전극(X)을 구동시킨다.
서스테인 구동부(103)는 화상을 표시하는 서스테인 기간에서 서스테인 전극 (Z)으로 서스테인 전압, 즉 서스테인 전압(Vs)을 공급하고, 아울러 어드레스 기간에서 서스테인 바이어스 전압을 공급하는 방법으로 서스테인 전극(Z)을 구동시킨다.
스캔 구동부(102)는 어드레스 기간에서 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 스캔 전극(Y)으로 하강 램프(Ramp-Down)의 전압, 즉 셋다운 전압을 공급하고, 아울러 스캔 펄스의 부극성 스캔 전압을 공급하고, 아울러 서스테인 기간에서 서스테인 전압, 즉 서스테인 전압(Vs)을 공급하는 방법으로 어드레스 전극(X)을 구동시킨다.
여기서, 이러한 스캔 구동부(102)는 스캔 전극(Y)으로 서스테인 기간에서 공급하는 서스테인 전압, 즉 서스테인 전압(Vs)과 서스테인 기간 이전의 어드레스 기간에서 스캔 전극(Y)으로 공급하는 부극성 스캔 전압과 어드레스 기간 이전의 리셋 기간에서 스캔 전극(Y)으로 공급하는 하강 램프 펄스의 전압, 즉 셋다운 전압을 하나의 동일한 전압원으로부터 발생시킨다.
여기서, 이러한 서스테인 전압, 즉 서스테인 전압(Vs)과 부극성 스캔 전압과 하강 램프 펄스의 전압, 즉 셋다운 전압을 공통 발생시키는 하나의 동일한 전압원은 서스테인 전압(Vs)을 공급하는 서스테인 전압원인 것이 바람직하다.
이러한, 스캔 구동부(102)의 구성을 첨부된 도 3을 참조하여 보다 상세히 살펴보면 다음과 같다.
도 3은 스캔 구동부의 구성을 보다 상세히 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 스캔 구동부는 서스테인 전압 공급 제어부(300), 기저 전압 공급 제어부(310), 부극성 스캔 전압 발 생부(320), 스캔 전압 공급 제어부(340), 하강 램프 공급 제어부(330) 및 블로킹부(350)를 포함한다.
여기서, 서스테인 전압 공급 제어부(300)는 서스테인 전압 공급 제어용 스위치(S1)를 포함하고, 이 서스테인 전압 공급 제어용 스위치(S1)의 스위칭(Switching) 동작에 의해 스캔 전극(Y)으로의 서스테인 전압(Vs)의 공급을 제어한다.
기저 전압 공급 제어부(310)는 기저 전압 공급 제어용 스위치(S2)를 포함하고, 이 기저 전압 공급 제어용 스위치(S2)의 스위칭 동작에 의해 스캔 전극(Y)으로의 기전 전압(GND)의 공급을 제어한다.
부극성 스캔 전압 발생부(320)는 서스테인 전압 공급 제어부(300)의 제어에 따라 공급되는 서스테인 전압(Vs)과 기저 전압 공급 제어부(310)의 기저 전압(GND)으로 서스테인 전압(Vs)과 반대 극성의 부극성 스캔 전압(-Vy)을 발생시킨다.
스캔 전압 공급 제어부(340)는 스캔 전압 공급 제어용 스위치(S4)를 포함하고, 이 스캔 전압 공급 제어용 스위치(S4)의 스위칭 동작에 의해 스캔 전극(Y)으로의 부극성 스캔 전압(-Vy)의 공급을 제어한다.
하강 램프 공급 제어부(330)는 하강 램프 공급 제어용 스위치(S3)와 이 하강 램프 공급 제어용 스위치(S3)의 게이트 단자에 접속되는 제 1 가변 저항(VR1)을 포함한다.
블로킹부(350)는 역전류 차단용 스위치(Sb)를 포함하고, 이러한 역전류 차단용 스위치(Sb)를 이용하여 서스테인 전압 공급 제어부(300) 또는 기저 전압 공급 제어부(310)로부터 부극성 스캔 전압 발생부(320) 또는 하강 램프 공급 제어부(330) 방향으로 흐르는 역전류를 차단한다.
이러한, 하강 램프 공급 제어부(330)는 부극성 스캔 전압(-Vy)으로 하강 램프 파형을 발생시키는데, 보다 상세하게는 이러한 하강 램프 공급 제어부(330)는 하강 램프 공급 제어용 스위치(S3)가 온(On) 되는 경우에 하강 램프 공급 제어용 스위치(S3)의 채널(Channel) 폭이 제 1 가변 저항(VR1)에 의해 조절되면서 전압이 점진적으로 하강하는 하강 램프(Ramp-Down)의 파형을 발생시킨다.
아울러, 하강 램프 공급 제어부(330)는 발생시킨 하강 램프 파형의 스캔 전극(Y)으로의 공급을 제어한다.
여기서, 스캔 전압 공급 제어부(340) 및 하강 램프 공급 제어부(330)로 공급되는 부극성 스캔 전압(-Vy)을 발생시키는 부극성 스캔 전압 발생부(320)를 보다 상세히 살펴보면 다음과 같다.
부극성 스캔 전압 발생부(320)는 전압 저장부(321)와 완충부(322)를 포함한다.
전압 저장부(321)는 서스테인 전압 공급 제어부(300)의 제어에 따라 공급되는 서스테인 전압(Vs)의 일부 또는 전부를 저장하기 위한 전압 저장용 캐패시터(C1)를 포함하고, 이러한 전압 저장용 캐패시터(C1)을 이용하여 서스테인 전압(Vs)의 일부 또는 전부를 저장한다.
예를 들어, 서스테인 전압(Vs)의 크기가 200V라고 가정한다면 이러한 전압 저장용 캐패시터(C1)는 최대 200V까지의 전압을 저장하게 된다. 여기서, 후술될 완 충부(322)에 걸리는 전압이 0V라고 가정하면 전압 저장용 캐패시터(C1)에 저장되는 전압은 200V이다.
이렇게 전압 저장용 캐패시터(C1)에 저장되는 전압의 크기는 하강 램프 공급 제어부(330) 및 스캔 전압 공급 제어부(340)에 공급되는 부극성 스캔 전압(-Vy)이 되는 것이다.
이러한, 전압 저장부(321)의 일단은 제 1 노드(n1)에서 서스테인 전압 공급 제어부(300)와 기저 전압 공급 제어부(310)와 블로킹부(350)의 일단과 공통 접속된다.
아울러, 전압 저장부(321)의 타단은 제 2 노드(n2)에서 후술될 완충부(322)의 일단과 스캔 전압 공급 제어부(340)의 일단 및 하강 램프 공급 제어부(330)의 일단과 공통 접속된다.
또한, 블로킹부(350)의 타단은 스캔 전압 공급 제어부(340)의 타단과 하강 램프 공급 제어부(330)의 타단과 공통 접속된다.
완충부(322)는 전압 저장부(321)와 연동한다. 보다 상세히 말하면 완충부(322)는 전압 저장부(321)의 동작을 안정화시키는데, 이러한 완충부(322)는 로드 저감용 저항(R1)과 역전류 차단용 다이오드(D1)를 포함한다.
여기서, 로드 저감용 저항(R1)과 역전류 차단용 다이오드(D1)는 스캔 전압 공급 제어부(340)의 일단과 하강 램프 공급 제어부(330)의 일단과 전압 저장부(321)의 타단의 연결단, 즉 제 2 노드(n2)와 접지(GND) 사이에 직렬(Serial) 배치된다.
또한, 이러한 역전류 차단용 다이오드(D1)는 캐소드(Cathode)가 접지 방향이고 애노드(Anode)는 스캔 전압 공급 제어부(340)의 일단과 하강 램프 공급 제어부(330)의 일단과 전압 저장부(321)의 타단의 연결단, 즉 제 2 노드(n2)의 방향으로 배치된다.
이러한 구성의 완충부(322)는 그 일단이 스캔 전압 공급 제어부(340)의 일단과 하강 램프 공급 제어부(330)의 일단과 전압 저장부(321)의 타단의 연결단, 즉 제 2 노드(n2)와 공통 접속되고, 타단은 접지(GND)되는 것이 바람직하다.
여기 도 3에서는 스캔 전극(Y)으로 서스테인 전압(Vs)과 부극성 스캔 전압(-Vy)과 하강 램프(Ramp-Down) 파형의 전압을 공급하기 위한 스캔 구동부의 구성을 나타내었다. 이러한 도 3의 스캔 구동부에 소정의 소자들을 더 부가하여 스캔 전극(Y)으로 부극성 스캔 전압(-Vy) 및 하강 램프 파형의 전압뿐만 아니라, 상승 램프(Ramp-Up) 펄스의 전압, 스캔 기준 전압(Vsc) 등을 공급할 수 있는 스캔 구동부를 구성할 수도 있다. 이를 첨부된 도 4a 내지 도 4b를 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 스캔 구동부의 확장된 구성을 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 4a를 살펴보면, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 스캔 구동부는 서스테인 전압 공급 제어부(300), 기저 전압 공급 제어부(310), 부극성 스캔 전압 발생부(320), 스캔 전압 공급 제어부(340) 및 하강 램프 공급 제어부(330)를 포함하고, 아울러 에너지 회수 회로부(400), 상승 램프 공급 제어부(410), 제 1 블 로킹 스위치부(420), 제 2 블로킹 스위치부(430), 전류 경로 선택부(440), 스캔 기준 전압 공급 제어부(450) 및 스캔 드라이브 집적회로부(Scan Drive Integrated Circuit, 460)를 더 포함한다.
상승 램프 공급 제어부(410)는 상승 램프 공급 제어용 스위치(S5)와, 이러한 상승 램프 공급 제어용 스위치(S5)의 게이트(Gate) 단자에 접속되는 제 2 가변 저항(VR2)을 포함한다.
이러한, 상승 램프 공급 제어부(410)는 셋업 전압원이 공급하는 셋업 전압으로 상승 램프(Ramp-Up) 펄스를 발생시키는데, 보다 상세하게는 이러한 상승 램프 공급 제어부(410)는 상승 램프 공급 제어용 스위치(S5)가 온(On) 되는 경우에 상승 램프 공급 제어용 스위치(S5)의 채널(Channel) 폭이 제 2 가변 저항(VR2)에 의해 조절되면서 전압이 점진적으로 상승하는 상승 램프(Ramp-Up)의 펄스를 발생시킨다.
아울러, 상승 램프 공급 제어부(410)는 발생시킨 상승 램프 펄스의 스캔 전극(Y)으로의 공급을 제어한다. 예를 들면, 리셋 기간에서 스캔 전극(Y)으로의 상승 램프 펄스의 전압, 즉 셋업 전압의 공급을 제어한다.
제 1 블로킹 스위치부(420)는 제 1 블로킹 스위치(S6)를 포함하고, 이러한 제 1 블로킹 스위치(S6)는 오프(Off)된 상태에서 제 3 노드(n3)의 전압 또는 제 4 노드(n4)의 전압이 상대적으로 높은 전압 레벨(Level)을 갖는 경우에 이러한 제 3 노드(n3)의 전압 또는 제 4 노드(n4)의 전압이 접지(GND)로 빠지는 것을 방지하기 위해 배치된다.
제 2 블로킹 스위치부(430)는 제 2 블로킹 스위치(S7)를 포함하고, 이러한 제 2 블로킹 스위치(S7)는 오프된 상태에서 제 1 노드(n1)의 전압 또는 제 3 노드(n3)의 전압이 상대적으로 높은 전압 레벨(Level)을 갖는 경우에 이러한 제 1 노드(n1)의 전압 또는 제 3 노드(n3)의 전압이 제 4 노드(n4) 방향으로 빠지는 것을 방지하기 위해 배치된다. 여기서 제 2 블로킹 스위치부(430)는 앞서 설명한 도 3에서의 부호 350의 블로킹부와 동일한 것으로, 여기 도 4에서는 설명의 편의를 위해 제 2 블로킹 스위치부(430)라고 하는 것이다.
이러한, 제 2 블로킹 스위치(S7)가 온된 상태에서는 제 1 노드(n1)의 전압 또는 제 3 노드(n3)의 전압이 제 4 노드(n4)에 비해 상대적으로 높은 전압 레벨(Level)을 갖는 경우에 이러한 제 1 노드(n1)의 전압 또는 제 3 노드(n3)의 전압은 제 4 노드(n4) 방향으로 빠질 수 있는 것은 당연하다.
스캔 기준 전압 공급 제어부(450)는 스캔 기준 전압 공급 제어용 스위치(S9)를 포함하고, 스캔 기준 전압원이 공급하는 스캔 기준 전압(Vsc)의 스캔 전극(Y)으로의 공급을 제어한다.
스캔 드라이브 집적회로부(460)는 탑(Top) 스위치(S10)와 바텀(Bottom) 스위치(S11)를 포함하고, 자신에게 공급되는 전압을 소정의 스위칭(Switching) 동작을 통해 스캔 전극(Y)으로 공급한다. 예를 들면, 스캔 기준 전압 공급 제어부(450)가 스캔 기준 전압(Vsc)을 스캔 전극(Y)으로 공급하려고 할 때, 스캔 드라이브 집적회로부(460)는 탑 스위치(S10)를 온 시켜 스캔 기준 전압(Vsc)이 스캔 전극(Y)으로 공급되도록 한다.
전류 경로 선택부(440)는 전류 경로 선택용 스위치(S8)를 포함하고, 소정의 스위칭(Switching) 동작을 통해 전압이 스캔 전극(Y)으로 공급되거나 또는 스캔 전극(Y)으로부터 회수되는 경로를 형성한다.
예를 들면, 전류 경로 선택부(440)의 전류 경로 선택용 스위치(S8)는 에너지 회수 회로부(400)가 플라즈마 디스플레이 패널의 스캔 전극(Y)상의 무효 에너지를 회수하는 과정에서 온 되어, 스캔 드라이브 집적회로부(460)의 탑 스위치(S10), 전류 경로 선택용 스위치(S8)을 거쳐 에너지 회수 회로부(400)로 무효 에너지가 회수될 수 있는 경로를 형성한다.
에너지 회수 회로부(400)는 플라즈마 디스플레이 패널의 스캔 전극(Y)으로 미리 저장되어 있던 에너지를 공급하고, 아울러 플라즈마 디스플레이 패널의 스캔 전극(Y) 상의 무효 에너지를 회수한다.
여기 도 4a에서 블록(Block)으로 표시한 에너지 회수 회로부(400)의 보다 상세한 구성이 도 4b에 나타나 있다.
도 4b를 살펴보면, 에너지 회수 회로부(400)는 에너지 저장부(401), 에너지 공급 제어부(402), 에너지 회수 제어부(403) 및 인덕터부(404)를 포함한다. 이러한 에너지 회수 회로부(400)의 동작을 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 에너지 공급 단계에서는 에너지 저장부(401)에 1/2배의 서스테인 전압(Vs), 즉 1/2Vs의 전압의 에너지가 저장되어 있다고 가정할 때, 에너지 공급 제어부(402)가 온 되면 에너지 저장부(401)의 에너지 저장용 캐패시터(CR)에 저장되어 있던 에너지가 에너지 공급 제어부(402)를 지나고, 이후 인덕터부(404)를 지나면서 인덕터부(404)의 인덕턴스(Inductance)와 패널 캐패시턴스(Capacitance)에 의한 LC공진에 의해 제 1 노드(n1)를 지나 스캔 전극(Y)으로 공급되는 전압이 Vs까지 상승하게 된다.
다음, 에너지 회수 단계에서는 에너지 회수 제어부(403)가 온 되면 패널의 무효 에너지가 인덕터부(404)에 의한 LC공진을 통해 에너지 저장부(401)로 저장된다.
여기 도 4b에서 설명한 에너지 회수 회로부(400)는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 스캔 구동부에 적용될 수 있는 일례를 설명한 것이고, 본 발명이 여기 도 4b에 도시된 에너지 회수 회로부(400)에 한정되는 것은 아님을 밝혀둔다.
예를 들면, 여기 도 4b에서는 하나의 인덕터부가 에너지 공급 경로와 에너지 회수 경로에 공통으로 사용된 구조만을 도시하고 있지만, 에너지 공급 경로와 에너지 회수 경로에 서로 다른 크기의 인덕터부를 배치한 구조의 에너지 회수 회로부도 본 발명에 적용될 수 있는 것이다.
이상에서 설명한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 스캔 구동부의 동작을 첨부된 도 5를 결부하여 살펴보면 다음과 같다.
도 5는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 스캔 구동부의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 살펴보면, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 스캔 구동부가 발생시키는 구동파형의 일례가 나타나 있다.
먼저, 도 4a의 기저 전압 공급 제어부(310)의 기저 전압 공급 제어용 스위치 (S2), 제 1 블로킹 스위치부(420)의 제 1 블로킹 스위치(S6), 제 2 블로킹 스위치부(430)의 제 2 블로킹 스위치(S7) 및 전류 경로 선택부(440)의 전류 경로 선택용 스위치(S8)가 온 되면, 플라즈마 디스플레이 패널의 스캔 전극(Y)으로 기저 전압이 공급된다. 그러면, 도 5의 d1기간에서와 같이 스캔 전극(Y)의 전압이 기저 레벨(GND)의 전압이 된다.
이후, 기저 전압 공급 제어용 스위치(S2)가 오프 되고, 서스테인 전압 공급 제어부(300)의 서스테인 전압 공급 제어용 스위치(S1)가 온 되면, 플라즈마 디스플레이 패널의 스캔 전극(Y)으로 서스테인 전압(Vs)이 공급된다. 그러면, 도 5의 d2기간에서와 같이 스캔 전극(Y)의 전압이 서스테인 전압(Vs) 레벨까지 상승한다.
이후, 제 1 블로킹 스위치(S6)가 오프되고, 상승 램프 공급 제어부(410)의 상승 램프 공급 제어용 스위치(S5)가 온 되면 플라즈마 디스플레이 패널의 스캔 전극(Y)으로 전압이 점진적으로 상승하는 상승 램프(Ramp-Up) 펄스의 전압, 즉 셋업 전압(Vsetup)이 공급된다. 그러면 도 5의 d3기간에서와 같이 스캔 전극(Y)의 전압이 서스테인 전압(Vs)에서부터 서스테인 전압(Vs)과 셋업 전압(Vsetup)의 합까지 점진적으로 상승하게 된다.
이후, 서스테인 전압 공급 제어부(300)의 서스테인 전압 공급 제어용 스위치(S1)가 온된 상태에서 상승 램프 공급 제어용 스위치(S5)가 오프 되고, 제 1 블로킹 스위치(S6)가 온 되면, 플라즈마 디스플레이 패널의 스캔 전극(Y)으로 서스테인 전압(Vs)이 공급된다. 그러면, 도 5의 d4기간에서와 같이 스캔 전극(Y)의 전압이 서스테인 전압(Vs) 레벨까지 하강한다.
이후, 서스테인 전압 공급 제어용 스위치(S1)와 제 2 블로킹 스위치(S7)가 오프되고, 기저 전압 공급 제어용 스위치(S2)와 하강 램프 공급 제어부(330)의 하강 램프 공급 제어용 스위치(S3)가 온 되면, 플라즈마 디스플레이 패널의 스캔 전극(Y)으로 서스테인 전압(Vs)으로부터 발생되며 전압이 점진적으로 하강하는 하강 램프(Ramp-Down) 파형의 전압, 즉 셋다운 전압(Vdown)이 공급된다. 그러면 도 5의 d5기간에서와 같이 스캔 전극(Y)의 전압이 서스테인 전압(Vs)에서부터 서스테인 전압(Vs)보다 낮은 소정의 전압까지 점진적으로 하강하게 된다.
여기 d5기간에서 스캔 전극(Y)의 전압은 최대 부극성 스캔 전압(-Vy)까지 하강할 수 있다.
이상에서 설명한 d2기간에서부터 d5기간까지를 리셋 기간으로 구분할 수 있다. 더욱 자세하게는 d2기간과 d3기간을 셋업 기간, d4기간과 d5기간을 셋다운 기간으로 구분할 수 있다.
여기서, 리셋 기간의 셋업 기간, 즉 도 5의 d2 및 d3기간에서는 스캔 전극(Y)에 상승 램프(Ramp-up) 펄스의 전압이 공급됨으로써, 이 상승 램프 펄스의 전압에 의해 전화면의 방전 셀 내에는 약한 암방전(Dark Discharge)이 일어난다. 이를 셋업 방전이라 한다. 이 셋업 방전에 의해 방전 셀 내에 벽 전하(Wall) 들이 대략 균일하게 쌓이게 된다.
셋다운 기간, 즉 도 5의 d4 및 d5 기간에서는 상승 램프 펄스의 전압이 공급된 후, 상승 램프 펄스의 전압 보다 낮은 서스테인 전압(Vs)으로부터 떨어지기 시작하여 그라운드(GND)레벨 전압 이하의 특정 전압레벨까지 떨어지는 하강 램프 (Ramp-down) 파형의 전압이 방전 셀 내에 미약한 소거방전을 일으킴으로써 방전 셀 내에 과도하게 형성된 벽 전하를 충분히 소거시키게 된다. 이 셋다운 방전에 의해 어드레스 방전이 안정되게 일어날 수 있을 정도의 벽전하가 방전 셀 내에 균일하게 잔류된다.
이러한, d5기간에서는 이미 설명한 바와 같이 부극성 스캔 전압 발생부(320)는 서스테인 전압 공급 제어부(300)를 통해 공급되는 서스테인 전압(Vs)을 이용하여 하강 램프 파형의 전압을 발생시키는데, 이에 대해 첨부된 도 6a 내지 도 6b를 결부하여 살펴보면 다음과 같다.
도 6a 내지 도 6b는 부극성 스캔 전압 발생부에서 부극성 스캔 전압을 발생시키는 과정을 보다 상세히 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 6a를 참조하면 기저 전압 공급 제어용 스위치(S2)가 오프된 상태에서 서스테인 전압 공급 제어용 스위치(S1)가 온 된다. 그러면, 서스테인 전압원이 공급하는 서스테인 전압(Vs)이 서스테인 전압 공급 제어용 스위치(S2)를 지나 부극성 스캔 전압 발생부(320)의 전압 저장부(321)의 전압 저장용 캐패시터(C1)에 충전되기 시작한다. 이때, 완충부(322)에 포함된 로드 저감용 저항(R1)에 의해 서스테인 전압원으로부터 접지(GND)로 순간적으로 과도하게 큰 전류가 흐르는 것이 억제된다.
여기서, 전압 저장부(321)의 전압 저장용 캐패시터(C1)에 저장되는 전압의 크기는 서스테인 전압(Vs)과 완충부(322)에 걸리는 전압의 차이와 대략 동일하다. 즉, 완충부(322)에 걸리는 전압과 전압 저장부(321)의 전압 저장용 캐패시터(C1)에 저장되는 전압의 합은 서스테인 전압(Vs)과 대략 동일한 것이다.
만약, 완충부(322)에 포함되는 로드 저감용 저항(R1)의 저항 값이 무시할 수 있을 정도로 작고, 역전류 방지용 다이오드(D1)가 이상적인(Ideal) 다이오드라고 가정하면, 전압 저장부(321)의 전압 저장용 캐패시터(C1)에 저장되는 전압은 서스테인 전압(Vs)인 것이다.
이와 같이 전압 저장부(321)의 전압 저장용 캐패시터(C1)에 전압이 저장되는 동안에 블로킹부의 역전류 차단용 스위치, 즉 제 2 블로킹 스위치(S7)는 온 또는 오프 될 수 있다. 바람직하게는 전압 저장부(321)의 전압 저장용 캐패시터(C1)에 전압이 저장되는 동안에 블로킹부의 역전류 차단용 스위치, 즉 제 2 블로킹 스위치(S7)는 온 된다. 이에 따라, 플라즈마 디스플레이 패널의 스캔 전극(Y)으로 서스테인 전압(Vs)을 공급하는 과정과 전압 저장부(321)의 전압 저장용 캐패시터(C1)에 부극성 스캔 전압을 충전하는 과정을 하나의 과정으로 통합할 수 있게 된다.
다음, 도 6b를 참조하면 기저 전압 공급 제어용 스위치(S2)가 온 되고, 서스테인 전압 공급 제어용 스위치(S1)가 오프된다. 아울러 블로킹부의 역전류 차단용 스위치, 즉 제 2 블로킹 스위치(S7)는 오프 상태이다.
그러면, 완충부(322)에 포함된 역전류 방지용 다이오드(D1)로 인해 접지로부터 완충부(322)로 흐르는 역전류가 차단이 되고, 제 1 노드(n1)로부터 기저 전압 공급 제어용 스위치(S2)를 경유하여 접지(GND)로 빠지는 전류 경로가 형성된다. 따라서 전압 저장용 캐패시터(C1)에 저장된 전압은 기저 전압 공급 제어용 스위치(S2)를 통해 접지로 방전된다.
여기서, 전압 저장부(321)에는 전압 저장부(321)의 일단 방향이 양(+), 타단 방향이 음(-)으로 스캔 전압(Vy)이 저장되어 있다.
이에 따라, 하강 램프 공급 제어부(330) 및 스캔 전압 공급 제어부(340)의 입장에서 보면 전압 저장부(321)에 저장되어 있는 전압은 음(-)의 스캔 전압(Vy), 즉 -Vy이다. 결과적으로 하강 램프 공급 제어부(330) 및 스캔 전압 공급 제어부(340)에는 부극성 스캔 전압(-Vy)이 공급되는 것이다.
이상의 도 6a 내지 도 6b를 살펴보면 부극성 스캔 전압(-Vy) 및 하강 램프(Ramp-Down) 파형의 전압이 서스테인 기간에서 스캔 전극(Y)으로 공급되는 서스테인 펄스를 공급하기 위한 서스테인 전압(Vs)으로부터 발생된다.
따라서, 부극성 스캔 전압(-Vy) 및 하강 램프 파형의 전압을 발생시키기 위한 별도의 전압원을 따로 두지 않아도 되고, 결과적으로 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 전체 제조 단가를 낮추게 된다.
이상 도 6a 내지 도 6b의 설명을 끝내고 다시 도 5에 대한 설명을 이어가기로 한다.
d2기간부터 d5기간까지의 리셋 기간 이후에 스캔 기준 전압 공급 제어부(450)의 스캔 기준 전압 공급 제어용 스위치(S9)와 스캔 드라이브 집적회로부(460)의 탑 스위치(S10)가 온 되면 플라즈마 디스플레이 패널의 스캔 전극(Y)으로 스캔 기준 전압(Vsc)이 공급된다. 그러면 도 5의 d6기간에서와 같이 스캔 전극(Y)의 전압이 하강 램프 파형의 전압의 끝단, 즉 셋다운 전압의 끝단에서부터 스캔 기준 전압(Vsc)만큼 상승한다.
이러한 d6기간 동안 미리 지정된 시점에 스캔 전압 공급 제어부(340)의 스캔 전압 공급 제어용 스위치(S4)와 기저 전압 공급 제어부(310)의 기저 전압 공급 제어용 스위치(S2)가 온 되면, 플라즈마 디스플레이 패널의 스캔 전극(Y)으로 부극성 스캔 전압(-Vy)이 공급된다. 그러면 도 5의 d6′기간에서와 같이 스캔 전극(Y)의 전압이 스캔 기준 전압(Vsc)으로부터 부극성 스캔 전압(-Vy)까지 하강한다.
이러한 부극성 스캔 전압(-Vy)의 크기는 전압 저장부(321)에 저장되는 전압의 크기와 대략 동일하다. 예를 들면, 전압 저장부(321)에 저장되는 전압의 크기가 서스테인 전압(Vs)과 대략 동일한 전압이라고 가정하면 부극성 스캔 전압(-Vy)의 크기도 서스테인 전압(Vs)의 크기와 대략 동일한 것이다.
여기서, d6′기간에서와 같이 스캔 전극(Y)으로 공급되는 부극성 스캔 전압(-Vy)이 발생되는 과정은 이미 도 6a 내지 도 6b에서 상세히 설명하였으므로 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이러한 d6′기간을 포함하는 d6기간을 어드레스 기간으로 구분할 수 있다.
이러한, 어드레스 기간에는 스캔 기준 전압(Vsc)으로부터 하강하는 부극성 스캔 전압(-Vy)이 스캔 전극(Y)에 순차적으로 인가됨과 아울러 스캔 펄스에 대응되어 어드레스 전극(X)에 정극성의 데이터 펄스가 인가된다. 이 스캔 펄스와 데이터 펄스의 전압 차와 리셋 기간에 생성된 벽 전압이 더해지면서 데이터 펄스가 인가되는 방전 셀 내에는 어드레스 방전이 발생된다. 어드레스 방전에 의해 선택된 방전 셀 내에는 서스테인 전압(Vs)이 인가될 때 방전이 일어날 수 있게 하는 정도의 벽 전하가 형성된다.
d6기간 이후에 d7기간에서는 제 1 블로킹 스위치(S6), 제 2 블로킹 스위치(S7) 및 전류 경로 선택용 스위치(S8)는 모두 온 상태이고, 서스테인 전압 공급 제어용 스위치(S1)와 기저 전압 공급 제어용 스위치(S2)는 번갈아 가면 온/오프 된다. 이때 에너지 회수 회로부(400), 예컨대 도 4b에서와 같은 에너지 회수 회로부(400)가 스캔 전극(Y)으로 에너지의 공급 및 회수 동작을 번갈아 가면서 수행하게 되면, 스캔 전극(Y)의 전압이 서스테인 전압(Vs)까지 상승하였다가 기저 전압(GND) 레벨로 하강하게 된다. 즉, 스캔 전극(Y)에 서스테인 펄스가 공급되게 된다.
이러한 d7기간에서는 서스테인 전압 공급 제어부(300) 및 블로킹부, 즉 제 2 블로킹 스위치부(430)가 모두 온 되기 때문에, 앞에서 설명한 도 6a에서와 같이 전압 저장부(321)의 전압 저장용 캐패시터(C1)에 부극성 스캔 전압(-Vy)이 충전되는 것이다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서 스캔 구동부의 또 다른 구성을 살펴보면 다음과 같다.
도 7은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서 스캔 구동부의 또 다른 구성에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 7을 살펴보면, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 스캔 구동부는 서스테인 전압 공급 제어부(700), 기저 전압 공급 제어부(710), 부극성 스캔 전압 발생부(720), 스캔 전압 공급 제어부(740), 하강 램프 공급 제어부(730) 및 블로킹부(750)를 포함하고, 여기서 부극성 스캔 전압 발생부(720)는 전압 저장부(721), 완충부(722) 및 전압 조절부(723)를 포함한다.
전압 저장부(721)는 서스테인 전압 공급 제어부(700)의 제어에 따라 공급되는 서스테인 전압(Vs)의 일부를 저장한다.
완충부(722)는 전압 저장부(721)와 연동한다. 보다 자세하게는 완충부(722)는 전압 저장부(721)의 동작을 안정시킨다.
전압 조절부(723)는 전압 저장부(721)에 저장되는 전압의 크기를 조절한다.
여기서, 전압 저장부(721)에는 서스테인 전압(Vs)에서 전압 조절부(723)에 걸리는 전압을 뺀 나머지가 저장된다. 즉, 전압 저장부(721)에 저장되는 전압의 크기는 서스테인 전압(Vs)과 전압 조절부(723)에 걸리는 전압의 차이와 대략 동일하다. 결과적으로, 전압 저장부(721)에 저장되는 전압의 크기가 전압 조절부(723)에 의해 조절되는 것이다.
여기서, 서스테인 전압 공급 제어부(700), 기저 전압 공급 제어부(710), 스캔 전압 공급 제어부(740), 하강 램프 공급 제어부(730) 및 블로킹부(750)에 대해서는 도 3 또는 도 4a에서 상세히 설명하였으므로 더 이상의 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 또한 이후의 설명에서도 이미 설명된 내용에 대해서는 생략하기로 한다.
여기서, 부극성 스캔 전압 발생부(720)는 서스테인 전압 공급 제어부(700)의 제어에 따라 공급되는 서스테인 전압(Vs)과 기저 전압 공급 제어부(710)의 제어에 따라 공급되는 기저 전압(GND)으로 서스테인 전압(Vs)과 반대 극성의 부극성 스캔 전압(-Vy)을 발생시킨다.
이러한 부극성 스캔 전압 발생부(720)의 전압 저장부(721)는 서스테인 전압 공급 제어부(700)의 제어에 따라 공급되는 서스테인 전압(Vs)의 일부를 저장하기 위한 전압 저장용 캐패시터(C1)를 포함한다.
예를 들어, 서스테인 전압(Vs)의 크기가 200V이고, 전압 조절부(723)에 걸리는 전압의 50V라고 가정하면, 전압 저장용 캐패시터(C1)는 최대 150V까지의 전압을 저장하게 된다.
여기서, 전압 저장부(721)의 일단은 제 1 노드(n1)에서 서스테인 전압 공급 제어부(700)와 기저 전압 공급 제어부(710)와 블로킹부(750)의 일단과 공통 접속된다.
아울러, 전압 저장부(721)의 타단은 제 2 노드(n2)에서 후술될 완충부(722)의 일단과 스캔 전압 공급 제어부(740)의 일단 및 하강 램프 공급 제어부(730) 일단과 공통 접속된다. 여기서, 스캔 전압 공급 제어부(740)의 타단 및 하강 램프 공급 제어부(730) 타단은 블로킹부(750)의 타단과 공통 접속된다.
완충부(722)는 그 일단이 스캔 전압 공급 제어부(740)의 일단과 하강 램프 공급 제어부(730)의 일단과 전압 저장부(721)의 타단의 연결단, 즉 제 2 노드(n2)와 공통 접속되고, 타단은 전압 조절부(723)의 일단과 접속된다.
또한, 전압 조절부(723)의 일단은 완충부(722)의 타단과 접속되고, 타단은 접지(GND)되는 것이 바람직하다.
여기, 도 7의 스캔 구동부도 앞에서 설명한 도 4a 내지 도 4b에서와 같이 소정의 소자들을 더 부가하여 스캔 전극(Y)으로 부극성 스캔 전압(-Vy)과 서스테인 전압(Vs)와 하강 램프 파형의 전압뿐만 아니라, 상승 램프(Ramp-Up) 펄스의 전압, 스캔 기준 전압(Vsc) 등을 공급할 수 있는 스캔 구동부를 구성할 수도 있다. 이에 대해서는 이미 도 4a 내지 도 4b에서 상세히 설명되었으므로 더 이상의 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이러한, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서 스캔 구동부의 동작을 첨부된 도 8을 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
도 8은 도 7의 스캔 구동부에서의 부극성 스캔 전압 발생부의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 8을 살펴보면, 부극성 스캔 전압 발생부에 걸리는 총 전압의 크기가 서스테인 전압(Vs)이고 전압 조절부(723)에 걸리는 전압이 V1이라고 가정할 때, 전압 저장부(721)에 걸리는 전압의 크기는 대략 Vs-V1이다. 여기서, 완충부(722)에 걸리는 전압의 크기는 0V로 하였다.
이렇게 전압 저장부(721)에 저장된 Vs-V1의 전압은 전술한 도 6a 내지 도 6b에서와 같은 과정을 통해 -(Vs-V1)의 전압으로 반전되고, 이렇게 반전된 -(Vs-V1)의 전압이 부호 730의 하강 램프 공급 제어부 또는 부호 740의 스캔 전압 공급 제어부로 공급되는 것이다.
여기, 도 7에서는 하강 램프 공급 제어부 또는 스캔 전압 공급 제어부로 공급되는 부극성 스캔 전압(-Vy)의 크기가 앞선 도 3의 경우에 비해 감소하였음을 알 수 있다.
이와 같이, 부극성 스캔 전압(-Vy)의 크기를 조절하면 다양한 조건에서 최적의 방전 환경을 제공할 수 있게 된다. 예를 들어, 부극성 스캔 전압(-Vy)의 크기, 즉 Vy를 서스테인 전압(Vs)과 대략 동일하게 설정하게 되면, 어떤 특정한 상황에서는 어드레스 방전이 과도하게 강해져 어드레스 방전이 불안정해질 가능성이 있지만, 부극성 스캔 전압(-Vy)의 크기를 전압 조절부(723)를 이용하여 다양하게 조절하게 되면 어드레스 방전이 불안정해지는 문제를 해결할 수가 있게 되는 것이다.
여기서, 전압 조절부는 가변 전압 원(Adjustable Voltage Source)인 것이 바람직하다. 이러한 전압 조절부의 일례를 첨부된 도 9a 내지 도 9b를 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
도 9a 내지 도 9b는 전압 조절부에 적용되는 가변 전압원의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 9a를 살펴보면, 전압 조절부에 적용되는 상기 가변 전압 원은 전압 분배부(920), 전압 결정 스위치부(900), 전압 결정 제어부(910)를 포함한다.
전압 분배부(920)는 도 7의 부호 722의 완충부를 통해 공급되는 전압을 미리 정해진 비율로 분배한다. 이러한 전압 분배부(920)는 서로 직렬 배치관계인 제 1 저항부(921)와 제 2 저항부(922)를 포함한다.
전압 결정 스위치부(900)는 소정의 스위칭 동작을 통해 전압 분배부(920)에 걸리는 최대 전압을 결정한다. 이러한 전압 결정 스위치부(900)는 전압 분배부(920)와 병렬 배치되는 P타입(Type) 트랜지스터(Sp)로 이루어지는 전압 결정용 스위치를 포함한다. 여기 도 9a에는 전압 결정용 스위치가 P타입의 전계 효과 트랜지스터, 즉 PMOS로 이루어지는 경우가 나타나 있다.
전압 결정 제어부(910)는 전압 분배부(920)에 의해 분배된 전압에 따라 전압 결정 스위치부(900)의 스위칭 동작을 제어한다. 이러한 전압 결정 제어부(910)는 기준 전압(Vref), 바람직하게는 전압 분배부(920)의 제 2 저항부(922)에 걸리는 전압이 미리 정해진 전압 이상인 경우에 온(On) 되는 제너 스위칭부(912)와, 제너 스위칭부(912)와 직렬 배치되는 제 3 저항부(911)를 포함한다.
여기서, 전압 분배부(920)의 제 1 저항부(921)는 제 3 가변 저항(VR3)을 포함하는 가변 저항이고, 상기 제 1 저항부(921)의 타단과 제 2 저항부(922)의 일단은 제 d 노드(nd)에서 서로 접속된다.
또한, 상기 P타입(Type) 트랜지스터로 이루어지는 전압 결정용 스위치(Sp)의 소스(Source) 단자는 상기 제 1 저항부(921)의 일단 및 제 3 저항부의 일단(911)과 제 a 노드(na)에서 공통 접속되고, 드레인(Drain) 단자는 제너 스위칭부(912)의 애노드 단자 및 제 2 저항부(922)의 타단과 제 c 노드(nc)에서 공통 접속되고, 게이트(Gate) 단자는 제 3 저항부(911)의 타단과 제너 스위칭부(912)의 캐소드(Cathode) 단자와 공통 접속되고, 제너 스위칭부(912)의 기준 단자(Ref)는 제 1 저항부(921)의 타단 및 제 2 저항부(922)의 일단과 제 d 노드(nd)에서 공통 접속된다.
이러한, 도 9a의 가변 전압 원의 동작을 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 부호 912번의 제너 스위칭부는 기준 전압, 즉 기준 단자(Ref)와 애노드 단자 사이의 전압이 2.5V인 경우에 캐소드로부터 애노드방향으로 도통되는 TL431 레귤레이터(Regulator)라고 가정한다. 이러한 TL431 레귤레이터가 사용되는 기능블록의 이름을 제너 스위칭부라고 명명한 이유는 TL431 레귤레이터는 기준 단 자(Ref)와 애노드 단자간의 전압이 미리 설정된 전압, 예컨대 2.5V를 넘게 되면 도통되는 특성을 갖으며, 이러한 특성은 제너 다이오드(Zener Diode)와 유사하기 때문이다.
아울러, 제 1 저항부(921)의 저항 값과 제 2 저항부(922)의 저항 값의 비율이 9 : 1, 예를 들면 제 1 저항부(921)의 저항 값이 900Ω(옴)이고 제 2 저항부(922)의 저항 값이 100Ω(옴)이라고 가정한다.
여기서, 서스테인 공급 제어부가 온 되어, 완충부를 통해 서스테인 전압이 제 a 노드(na)로 공급되면, 전압 분배부(920)에 소정의 전압이 걸리기 시작한다. 그러면 전압 분배부(920)의 제 1 저항부(921)과 제 2 저항부(922)에 각각 소정의 전압이 걸리게 된다.
예를 들어, 제 a 노드(na)부터 제 c 노드(nc) 사이에서 걸리는 전압이 총 25V가 되는 경우에, 제 2 저항부(922)에 걸리는 전압은 25×100/(900+100)=2.5V가 된다. 그러면, 제너 스위칭부(912)가 동작하기 위한 기준 전압의 조건이 충족되어 제너 다이오드(912)가 턴 온된다.
그러면, 제 3 저항부(911)에 소정의 전압이 걸리게 되고, 이에 따라 전압 결정용 스위치(Sp)의 소스-게이트 간의 전압이 증가하여 전압 결정용 스위치(Sp)가 턴 온 된다. 이에 따라 제 a 노드(na)로부터 전압 결정용 스위치(Sp)를 경유하여 제 c 노드(nc)에 도달하는 전류 경로가 형성된다.
이렇게 제 a 노드(na), 전압 결정용 스위치(Sp), 제 c 노드(nc)를 경유하는 전류 경로가 형성되면, 전압 분배부(920)에 걸리는 총 전압, 즉 제 a 노드(na)에서 제 c 노드(nc)사이에 걸리는 전압이 감소하기 시작한다. 여기 전압 분배부(920)에 걸리는 총 전압, 즉 제 a 노드(na)에서 제 c 노드(nc)사이에 걸리는 전압이 25V이하가 되면, 제너 스위칭부(912)가 턴 오프 되고, 이에 따라 전압 결정용 스위치(Sp)가 턴 오프됨에따라, 전압 분배부(920)의 전압이 다시 25V까지 상승하게 된다.
이러한 과정을 반복하면서 전압 분배부(920)에 걸리는 전압은 대략 25V에서 유지된다.
결과적으로 도 8에서 부호 721의 전압 저장부에 걸리는 전압 Vs-V1의 크기는 Vs-25V가 되는 것이다.
여기서, 도 9a의 부호 921의 제 1 저항부의 제 3 가변 저항 값을 조절하게 되면 전압 분배부(920)에 걸리는 전체 전압의 크기를 조절할 수 있게 되고, 결과적으로 도 8에서 부호 721의 전압 저장부에 걸리는 전압 Vs-V1의 크기를 조절할 수 있게 된다.
여기, 도 9a에서는 전압 결정용 스위치(Sp)를 상기 P타입(Type) 전계 효과 트랜지스터, 즉 PMOS로 하는 것만을 설명하고 있지만, 도 9b에 도시된 바와 같이 P타입 바이폴라 접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor : BJT)도 적용가능한 것이다.
이러한 P형 BJT는 도 9a에서 설명한 PMOS에 비해 소스 단자가 이미터(Emitter) 단자, 드레인(Drain) 단자가 컬렉터(Collector) 단자, 게이트(Gate) 단자가 베이스(Base) 단자로 대체될 뿐 실질적으로 동일하게 적용되기 때문에 더 이상의 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이상에서는 전압 조절부(723)를 가변 전압 원으로 설정하여 부극성 스캔 전압(-Vy)의 크기를 조절하였지만, 외부의 다른 전압원을 이용하여 부극성 스캔 전압(-Vy)의 크기를 조절하는 것도 가능한데, 이를 살펴보면 다음과 같다.
도 10은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서 도 7과는 다른 스캔 구동부의 또 다른 구성에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 10을 살펴보면, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 스캔 구동부는 서스테인 전압 공급 제어부(1000), 기저 전압 공급 제어부(1010), 부극성 스캔 전압 발생부(1020), 스캔 전압 공급 제어부(1040), 하강 램프 공급 제어부(1030) 및 블로킹부(1050)를 포함하고, 여기서 부극성 스캔 전압 발생부(1020)는 전압 저장부(1021), 완충부(1022) 및 전압 조절부(1023)를 포함한다.
여기서, 서스테인 전압 공급 제어부(1000), 기저 전압 공급 제어부(1010), 스캔 전압 공급 제어부(1040), 하강 램프 공급 제어부(1030) 및 블로킹부(1050)는 이미 앞에서 상세히 설명하였으므로 더 이상의 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 또한 이후의 설명에서도 이미 앞에서 설명된 내용에 대해서는 생략하기로 한다.
여기서, 부극성 스캔 전압 발생부(1020)는 서스테인 전압 공급 제어부(1000)의 제어에 따라 공급되는 서스테인 전압(Vs)과 기저 전압 공급 제어부(1010)의 제어에 따라 공급되는 기저 전압(GND)으로 서스테인 전압(Vs)과 반대 극성의 부극성 스캔 전압(-Vy)을 발생시킨다.
이러한, 부극성 스캔 전압 발생부(1020)는 전압 저장용 캐패시터(C1)를 포함하는 전압 저장부(1021)와, 로드 저감용 저항(R1) 및 역전류 방지용 다이오드(D1) 를 포함하는 완충부(1022) 및 전압 조절부(1023)를 포함한다.
여기서 전압 조절부(1023)는 저 전압 저장용 캐패시터(C2)를 포함하는데, 이러한 저 전압 저장용 캐패시터(C2)는 외부의 저 전압 공급원이 공급하는 전압을 저장하는데 이용된다.
여기서, 완충부(1022)의 일단은 제 2 노드(n2)에서 전압 저장부(1021)와 하강 램프 공급 제어부(1030)의 일단 및 스캔 전압 공급 제어부(1040)의 일단과 공통 접속되고, 타단은 제 5 노드(n5)에서 전압 조절부(1023)의 일단 및 서스테인 전압(Vs)보다 낮은 전압을 공급하는 저 전압 공급원과 공통 접속된다. 또한, 전압 조절부(1023)의 타단은 접지(GND)된다.
여기서, 전술한 저 전압 공급원은 어드레스 기간에서 어드레스 전극(X)으로 데이터 펄스의 전압, 즉 데이터 전압(Vd)를 공급하기 위한 데이터 전압원이거나, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 스캔 구동부의 구동을 제어하기 위한 소정의 제어 신호의 전압을 공급하기 위한 직류 전압원인 것이 바람직하다.
여기, 도 10의 스캔 구동부도 앞에서 설명한 도 4a 내지 도 4b에서와 같이 소정의 소자들을 더 부가하여 스캔 전극(Y)으로 부극성 스캔 전압(-Vy) 및 하강 램프 파형의 전압뿐만 아니라, 상승 램프(Ramp-Up) 펄스의 전압, 스캔 기준 전압(Vsc) 등을 공급할 수 있는 스캔 구동부를 구성할 수도 있다. 이에 대해서는 이미 도 4a 내지 도 4b에서 상세히 설명되었으므로 더 이상의 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이러한, 도 10의 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 스캔 구동부의 동작 을 첨부된 도 11을 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
도 11은 도 10의 스캔 구동부에서의 부극성 스캔 전압 발생부의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 11을 살펴보면, 부극성 스캔 전압 발생부에 걸리는 총 전압의 크기가 서스테인 전압(Vs)인 경우가 나타나 있다.
여기서, 저 전압 공급원에서 공급하는 전압이 스캔 구동부의 스위칭 소자들의 동작을 제어하기 위한 15V 제어신호인 경우에, 전압 조절부(1023)의 저 전압 저장용 캐패시터(C2)에는 V2전압, 즉 저 전압 공급원이 공급하는 15V의 전압이 저장된다. 여기서는 스위칭 소자들의 동작을 제어하기 위한 제어신호를 15V신호로 가정하였지만, 5V 또는 -15V 등 다양한 크기 또는 레벨의 전압 신호일 수 있다.
그러면, 전압 저장부(1021)에 걸리는 전압의 크기는 대략 Vs-15V이다. 여기서, 완충부(1022)에 걸리는 전압의 크기는 0V로 가정하였다.
이렇게 전압 저장부(1021)에 저장된 Vs-15V의 전압은 전술한 도 6a 내지 도 6b에서와 같은 과정을 통해 -(Vs-15V)의 전압으로 반전되고, 이렇게 반전된 -(Vs-15V)의 전압이 부호 1030의 하강 램프 공급 제어부 또는 부호 1040의 스캔 전압 공급 제어부로 공급되는 것이다.
이상의 설명에서는 두 개 이상의 전압원을 하나의 공통 전압원으로 통합하여 사용하는 것을 스캔 구동부로 한정하여 설명하였지만. 이것은 서스테인 구동부에도 적용 가능한 것이다. 이에 대해 살펴보면 다음과 같다.
도 12는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서 서스테인 구동부의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 12를 살펴보면, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서 서스테인 구동부는 플라즈마 디스플레이 패널의 서스테인 전극(Z)으로 서스테인 기간에서 공급하는 서스테인 전압(Vs)과, 서스테인 기간 이전의 어드레스 기간에서 서스테인 전극(Z)으로 공급하는 서스테인 바이어스 전압(Vzb)을 하나의 동일한 전압원으로부터 발생시킨다.
이와 같이, 서스테인 바이어스 전압(Vzb)과 서스테인 전압(Vs)을 하나의 동일한 전압원으로부터 발생시키게 되면, 서스테인 바이어스 전압(Vzb)을 발생시키기 위한 별도의 전압원을 따로 두지 않아도 되기 때문에, 결과적으로 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 전체 제조 단가를 낮추게 된다.
여기서, 전술한 동일한 전압원은 서스테인 전압(Vs)을 공급하는 서스테인 전압원인 것이 바람직하다.
이러한, 서스테인 구동부는 바람직하게는 서스테인 전압 공급 제어부(1200), 기저 전압 공급 제어부(1210), 바이어스 전압 발생부(1220) 및 바이어스 전압 공급 제어부(1230)를 포함한다.
서스테인 전압 공급 제어부(1200)는 서스테인 전압 공급 제어용 스위치(S12)를 포함하고, 이러한 서스테인 전압 공급 제어용 스위치(S12)의 스위칭 동작에 따라 서스테인 전극(Z)으로의 서스테인 전압(Vs)의 공급을 제어한다.
기저 전압 공급 제어부(1210)는 기저 전압 공급 제어용 스위치(S13)를 포함하고, 이러한 기저 전압 공급 제어용 스위치(S13)의 스위칭 동작에 따라 서스테인 전극(Z)으로의 기전 전압(GND)의 공급을 제어한다.
바이어스 전압 발생부(1220)는 서스테인 전압(Vs)과 기저 전압(GND)으로 전술한 서스테인 전압 공급 제어부(1200)가 공급하는 서스테인 전압(Vs)과 동일한 극성의 서스테인 바이어스 전압(Vzb)을 발생시킨다.
그리고, 바이어스 전압 공급 제어부(1230)는 서스테인 전극(Z)으로의 서스테인 바이어스 전압(Vzb)의 공급을 제어한다.
이러한 바이어스 전압 공급 제어부(1230)는 내부 다이오드가 서로 역방향인 두 개의 바이어스 전압 공급 제어용 스위치(S14, S15)를 포함한다. 이러한 두 개의 바이어스 전압 공급 제어용 스위치(S14, S15)는 교대로 온 또는 오프 됨으로써, 서스테인 바이어스 전압(Vzb)을 서스테인 전극(Z)으로 공급하게 된다.
여기서, 바이어스 전압 공급 제어부(1230)로 공급되는 서스테인 바이어스 전압(Vzb)을 발생시키는 바이어스 전압 발생부(1220)를 보다 상세히 살펴보면 다음과 같다.
바이어스 전압 발생부(1220)는 전압 저장부(1221)와 완충부(1222)를 포함한다.
완충부(1222)는 후술될 전압 저장부(1221)와 연동하여 전압 저장부(1221)의 동작을 안정화시키는데, 이러한 완충부(1222)의 일단은 제 6 노드(n6)에서 서스테인 전압 공급 제어부(1200), 기저 전압 공급 제어부(1210) 및 바이어스 전압 공급 제어부(1230)의 일단과 공통 접속된다.
아울러, 완충부(1222)의 타단은 제 7 노드(n7)에서 전압 저장부(1221)의 일 단과 바이어스 전압 공급 제어부(1230)의 타단과 공통 접속된다.
이러한, 완충부(1222)는 로드 저감용 저항(R2)과 역전류 차단용 다이오드(D2)를 포함한다.
여기서, 로드 저감용 저항(R2)과 역전류 차단용 다이오드(D2)는 서스테인 전압 공급 제어부(1200)와 기저 전압 공급 제어부(1210)와 바이어스 전압 공급 제어부(1230)의 일단의 연결단 즉, 제 6 노드(n6)와 바이어스 전압 공급 제어부(1230)의 타단과 전압 저장부(1221)의 연결단, 즉 제 7 노드(n7)의 사이에 직렬(Serial) 배치된다.
또한, 이러한 역전류 차단용 다이오드(D2)는 캐소드(Cathode)가 제 7 노드(n7) 방향이고, 애노드(Anode)는 제 6 노드(n6) 방향으로 배치된다.
전압 저장부(1221)는 서스테인 전압 공급 제어부(1200)의 제어에 따라 공급되는 서스테인 전압(Vs)의 일부 또는 전부를 저장하기 위한 전압 저장용 캐패시터(C3)를 포함하고, 이러한 전압 저장용 캐패시터(C3)을 이용하여 서스테인 전압(Vs)의 일부 또는 전부를 저장한다.
이러한 전압 저장용 캐패시터(C3)에 저장되는 전압이 바이어스 전압 공급 제어부(1230)에 공급되는 서스테인 바이어스 전압(Vzb)이 되는 것이다.
이러한 구성의 전압 저장부(1221)는 그 일단이 제 7 노드(n7)에서 바이어스 전압 공급 제어부(1230)의 타단과 완충부(1222)와 공통 접속되고, 타단은 접지(GND)되는 것이 바람직하다.
여기 도 12에서는 서스테인 전극(Y)으로 서스테인 바이어스 전압(Vzb)을 공 급하기 위한 서스테인 구동부의 구성을 나타내었다. 이러한 도 12의 서스테인 구동부에 소정의 소자들을 더 부가하여 서스테인 전극(Y)으로 서스테인 바이어스 전압(Vzb)을 공급할 뿐만 아니라, 서스테인 전극(Z) 상의 무효 에너지를 회수할 수 있는 서스테인 구동부를 구성할 수도 있다. 이를 첨부된 도 13을 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
도 13은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 서스테인 구동부의 확장된 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 13을 살펴보면, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 서스테인 구동부는 도 12에 도시된 구성에 에너지 회수 회로부(1300)를 더 포함할 수 있다.
에너지 회수 회로부(1300)는 서스테인 전압 공급 제어부(1200)와 기저 전압 공급 제어부(1210)의 연결단, 즉 제 6 노드(n6)에 연결될 수 있다.
이러한, 에너지 회수 회로부(1300)는 플라즈마 디스플레이 패널의 서스테인 전극(Z)으로 미리 저장되어 있던 에너지를 공급하고, 아울러 플라즈마 디스플레이 패널의 서스테인 전극(Z) 상의 무효 에너지를 회수한다.
이러한, 에너지 회수 회로부(1300)는 앞선 도 4b에서 이미 상세히 설명되었으므로, 더 이상의 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이러한, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 서스테인 구동부의 동작을 첨부된 도 14를 결부하여 살펴보면 다음과 같다.
도 14는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 서스테인 구동부의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 14를 살펴보면, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 서스테인 구동부가 발생시키는 구동파형의 일례가 나타나 있다.
도 13의 기저 전압 공급 제어부(1210)의 기저 전압 공급 제어용 스위치(S13)가 온 되면, 플라즈마 디스플레이 패널의 서스테인 전극(Z)으로 기저 전압이 공급된다. 그러면, 도 14의 d1기간에서와 같이 서스테인 전극(Y)의 전압이 기저 레벨(GND)의 전압이 된다.
이후, 기저 전압 공급 제어용 스위치(S13)가 오프 되고, 바이어스 전압 공급 제어부(1230)의 두 개의 바이어스 전압 공급 제어용 스위치(S14, S15)가 온 되면, 바이어스 전압 발생부(1220)의 전압 저장부(1221)의 전압 저장용 캐패시터(C3)에 저장된 전압, 즉 서스테인 바이어스 전압(Vzb)이 플라즈마 디스플레이 패널의 서스테인 전극(Z)으로 공급된다. 그러면, 도 14의 d2기간에서와 같이 서스테인 전극(Z)의 전압이 서스테인 바이어스 전압(Vzb)이 된다.
이와 같이, 서스테인 전극(Z)으로 서스테인 바이어스 전압(Vzb)을 공급하기 위해서는 먼저 바이어스 전압 발생부(1220)의 전압 저장부(1221)에 서스테인 전압(Vs)의 일부 또는 전부, 즉 서스테인 바이어스 전압(Vzb)이 저장되어야만 한다. 이렇게 전압 저장부(1221)에 서스테인 전압(Vs)을 저장하기 위해서는 서스테인 전압 공급 제어부(1200)의 서스테인 전압 공급 제어용 스위치(S12)가 온 되면 된다.
서스테인 전압 공급 제어용 스위치(S12)가 온 되면, 서스테인 전압 공급 제어부(1200)로부터 완충부(1222) 및 전압 저장부(1221)를 지나 접지(GND)로 향하는 전류 패스(Path)가 형성되고, 이에 따라 전압 저장부(1221)의 전압 저장용 캐패시 터(C3)에 서스테인 전압(Vs)의 일부 또는 전부, 즉 서스테인 바이어스 전압(Vzb)이 저장되게 된다.
이렇게 전압 저장부(1221)에 서스테인 바이어스 전압(Vzb)을 저장하기 위해 서스테인 공급 제어용 스위치(S12)를 따로 스위칭 제어할 수도 있지만, 서스테인 전극(Z)에 서스테인 펄스를 공급하는 과정에서 전압 저장부(1221)에 서스테인 바이어스 전압(Vzb)을 저장하는 것도 가능하다. 왜냐하면 서스테인 전극(Z)에 서스테인 펄스를 공급하는 과정에서 서스테인 전압 공급 제어부(1200)의 서스테인 전압 공급 제어용 스위치(S12)가 온 되기 때문이다.
이와 같이, 서스테인 전극(Z)으로 서스테인 펄스를 공급하는 경우는 바이어스 전압 공급 제어부(1230)의 두 개의 바이어스 전압 공급 제어용 스위치(S14, S15)가 오프 되고, 서스테인 전압 공급 제어용 스위치(S12)와 기저 전압 공급 제어용 스위치(S13)는 번갈아 가면 온/오프 된다. 여기서, 전압 저장부(1221)에 서스테인 바이어스 전압(Vzb)이 저장된다. 아울러 에너지 회수 회로부(1300), 예컨대 도 4b에서와 같은 에너지 회수 회로부(1300)가 스캔 전극(Y)으로 에너지의 공급 및 회수 동작을 번갈아 가면서 수행하게 되면, 스캔 전극(Y)의 전압이 서스테인 전압(Vs)까지 상승하였다가 기저 전압(GND) 레벨로 하강하게 된다. 즉, 스캔 전극(Y)에 서스테인 펄스가 공급되게 된다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서 서스테인 구동부의 또 다른 구성을 살펴보면 다음과 같다.
도 15는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서 서스테인 구동부의 또 다 른 구성에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 15를 살펴보면, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 서스테인 구동부는 서스테인 전압 공급 제어부(1500), 기저 전압 공급 제어부(1510), 바이어스 전압 발생부(1520) 및 바이어스 전압 공급 제어부(1530)를 포함하고, 여기서 바이어스 전압 발생부(1520)는 전압 저장부(1521), 완충부(1522) 및 전압 조절부(1523)를 포함한다.
전압 저장부(1521)는 서스테인 전압 공급 제어부(1500)의 제어에 따라 공급되는 서스테인 전압(Vs)의 일부를 저장한다. 여기서 전압 저장부(1521)에 저장되는 전압이 서스테인 바이어스 전압(Vzb)이다.
완충부(1522)는 전압 저장부(1521)와 연동하여 전압 저장부(1521)의 동작을 안정시킨다.
전압 조절부(1523)는 전압 저장부(1521)에 저장되는 전압의 크기를 조절한다.
여기서, 전압 저장부(1521)에는 서스테인 전압(Vs)에서 전압 조절부(1523)에 걸리는 전압을 뺀 나머지가 저장된다. 즉, 전압 저장부(1521)에 저장되는 전압의 크기는 서스테인 전압(Vs)과 전압 조절부(1523)에 걸리는 전압의 차이와 대략 동일하다. 결과적으로, 전압 저장부(1521)에 저장되는 전압의 크기가 전압 조절부(1523)에 의해 조절되는 것이다.
여기서, 서스테인 전압 공급 제어부(1500), 기저 전압 공급 제어부(1510), 바이어스 전압 공급 제어부(1530)는 도 12 내지 도 13에서 상세히 설명하였으므로 더 이상의 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 또한 이후의 설명에서도 이미 설명된 내용에 대해서는 생략하기로 한다.
여기서, 바이어스 전압 발생부(1520)는 서스테인 전압 공급 제어부(1500)의 제어에 따라 공급되는 서스테인 전압(Vs)과 기저 전압 공급 제어부(1510)의 제어에 따라 공급되는 기저 전압(GND)으로 서스테인 전압(Vs)과 동일한 극성의 서스테인 바이어스 전압(Vzb)을 발생시킨다.
이러한 바이어스 전압 발생부(1520)의 전압 저장부(1521)는 서스테인 전압 공급 제어부(1500)의 제어에 따라 공급되는 서스테인 전압(Vs)의 일부를 저장하기 위한 전압 저장용 캐패시터(C3)를 포함한다.
여기서, 전압 저장부(1521)의 일단은 제 7 노드(n7)에서 바이어스 전압 공급 제어부(1530)의 타단 및 전압 조절부(1523)의 타단과 공통 접속된다. 아울러, 전압 저장부(1521)의 타단은 접지(GND)된다.
완충부(1522)는 그 일단이 서스테인 전압 공급 제어부(1500)와 기저 전압 공급 제어부(1510)와 바이어스 전압 공급 제어부(1530)의 일단의 연결단, 즉 제 6 노드(n6)와 공통 접속되고, 타단은 전압 조절부(1523)의 일단과 접속된다.
또한, 전압 조절부(1523)의 일단은 완충부(1522)의 타단과 접속되고, 타단은 제 7 노드(n7)에서 바이어스 전압 공급 제어부(1530)의 타단 및 전압 저장부(1521)의 일단과 공통 접속된다.
여기, 도 15의 서스테인 구동부도 앞에서 설명한 도 4a 내지 도 4b에서와 같이 소정의 소자들을 더 부가하여 스캔 전극(Y)으로 부극성 스캔 전압(-Vy) 및 하강 램프 파형의 전압뿐만 아니라, 상승 램프(Ramp-Up) 펄스의 전압, 스캔 기준 전압(Vsc) 등을 공급할 수 있는 스캔 구동부를 구성할 수도 있다. 이에 대해서는 이미 도 4a 내지 도 4b에서 상세히 설명되었으므로 더 이상의 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이러한, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서 서스테인 구동부의 동작을 첨부된 도 16을 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
도 16은 도 15의 서스테인 구동부에서의 바이어스 전압 발생부의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 16을 살펴보면, 바이어스 전압 발생부에 걸리는 총 전압의 크기가 서스테인 전압(Vs)이고 전압 조절부(1523)에 걸리는 전압이 V3이라고 가정할 때, 전압 저장부(1521)에 걸리는 전압의 크기는 대략 Vs-V3이다. 여기서, 완충부(1522)에 걸리는 전압의 크기는 0V로 하였다.
이렇게 전압 저장부(1521)에 저장된 Vs-V3의 전압이 서스테인 바이어스 전압(Vzb)이 되는 것이다. 이러한 방법으로 서스테인 바이어스 전압(Vzb)의 크기를 다양하게 조절할 수 있다.
여기서, 전압 조절부는 가변 전압 원(Adjustable Voltage Source)인 것이 바람직하다. 이러한 전압 조절부의 일례를 앞선 도 9a 내지 도 9b에서 이미 상세히 설명하였다.
이상에서는 전압 조절부(1523)를 가변 전압 원으로 설정하여 서스테인 바이어스 전압(Vzb)의 크기를 조절하였지만, 외부의 다른 전압원을 이용하여 서스테인 바이어스 전압(Vzb)의 크기를 조절하는 것도 가능한데, 이를 살펴보면 다음과 같다.
도 17은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서 도 15와는 다른 서스테인 구동부의 또 다른 구성에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 17을 살펴보면, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 서스테인 구동부는 서스테인 전압 공급 제어부(1700), 기저 전압 공급 제어부(1710), 바이어스 전압 발생부(1720), 바이어스 전압 공급 제어부(1730)를 포함하고, 여기서 바이어스 전압 발생부(1720)는 전압 저장부(1721), 완충부(1722) 및 전압 조절부(1723)를 포함한다.
여기서, 서스테인 전압 공급 제어부(1700), 기저 전압 공급 제어부(1710), 바이어스 공급 제어부(1730)는 이미 앞에서 상세히 설명하였으므로 더 이상의 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 또한 이후의 설명에서도 이미 앞에서 설명된 내용에 대해서는 생략하기로 한다.
여기서, 바이어스 전압 발생부(1720)는 전압 저장용 캐패시터(C3)를 포함하는 전압 저장부(1721)와, 로드 저감용 저항(R2) 및 역전류 방지용 다이오드(D2)를 포함하는 완충부(1022) 및 전압 조절부(1723)를 포함한다.
여기서 전압 조절부(1723)는 저 전압 저장용 캐패시터(C4)를 포함하는데, 이러한 저 전압 저장용 캐패시터(C4)는 외부의 저 전압 공급원이 공급하는 전압을 저장하는데 이용된다.
여기서, 완충부(1722)의 일단은 제 6 노드(n6)에서 서스테인 전압 공급 제어 부(1700)와 기저 전압 공급 제어부(1710)와 바이어스 전압 공급 제어부(1730)의 일단과 공통 접속되고, 타단은 제 8 노드(n8)에서 전압 조절부(1723)의 일단 및 서스테인 전압(Vs)보다 낮은 전압을 공급하는 저 전압 공급원과 공통 접속된다.
또한, 전압 조절부(1723)의 일단은 전술한 저 전압 공급원과 완충부(1722)의 타단과 공통 접속되고, 타단은 제 7 노드(n7)에서 바이어스 전압 공급 제어부(1730)의 타단과 전압 저장부(1721)의 일단과 공통 접속된다. 또한, 전압 저장부(1721)의 타단은 접지(GND)된다.
여기서, 전술한 저 전압 공급원은 어드레스 기간에서 어드레스 전극(X)으로 데이터 펄스의 전압, 즉 데이터 전압(Vd)를 공급하기 위한 데이터 전압원이거나, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 스캔 구동부의 구동을 제어하기 위한 소정의 제어 신호의 전압을 공급하기 직류 전압원인 것이 바람직하다.
여기, 도 17의 스캔 구동부도 앞에서 설명한 도 4a 내지 도 4b에서와 같이 소정의 소자들을 더 부가하여 스캔 전극(Y)으로 부극성 스캔 전압(-Vy) 및 하강 램프 파형의 전압뿐만 아니라, 상승 램프(Ramp-Up) 펄스의 전압, 스캔 기준 전압(Vsc) 등을 공급할 수 있는 스캔 구동부를 구성할 수도 있다. 이에 대해서는 이미 도 4a 내지 도 4b에서 상세히 설명되었으므로 더 이상의 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이러한, 도 17의 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 서스테인 구동부의 동작을 첨부된 도 18을 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
도 18은 도 17의 서스테인 구동부에서의 바이어스 전압 발생부의 동작을 설 명하기 위한 도면이다.
도 18을 살펴보면, 바이어스 전압 발생부에 걸리는 총 전압의 크기가 서스테인 전압(Vs)인 경우가 나타나 있다.
여기서, 저 전압 공급원에서 공급하는 전압이 서스테인 구동부의 스위칭 소자들의 동작을 제어하기 위한 15V 제어신호인 경우에, 전압 조절부(1723)의 저 전압 저장용 캐패시터(C4)에는 V4전압, 즉 저 전압 공급원이 공급하는 15V의 전압이 저장된다. 여기서는 스위칭 소자들의 동작을 제어하기 위한 제어신호를 15V신호로 가정하였지만, 5V 또는 -15V 등 다양한 크기 또는 레벨의 전압 신호일 수 있다.
그러면, 전압 저장부(1721)에 걸리는 전압의 크기는 대략 Vs-15V이다. 여기서, 완충부(1722)에 걸리는 전압의 크기는 0V로 가정하였다.
이렇게 전압 저장부(1721)에 저장된 Vs-15V의 전압이 서스테인 바이어스 전압(Vzb)이고, 이러한 서스테인 바이어스 전압(Vzb)이 부호 1730의 바이어스 전압 공급 제어부로 공급되는 것이다.
앞에서 상세히 설명한 스캔 구동부와 서스테인 구동부를 함께 구현하는 것도 가능한데, 이를 첨부된 도 19를 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
도 19는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서 스캔 구동부와 서스테인 구동부를 함께 구현한 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 19를 살펴보면, 도 3에서부터 도 11까지에서 상세히 설명한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 스캔 구동부가 패널의 스캔 전극(Y)에 접속되고, 도 12에서부터 18까지에서 상세히 설명한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 서스테 인 구동부가 패널의 서스테인 전극(Z)에 접속된다. 즉, 도 3에서부터 도 11까지에서 상세히 설명한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 스캔 구동부와, 도 12에서부터 18까지에서 상세히 설명한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 서스테인 구동부가 함께 구현되었다.
여기 19와 같이 부극성 스캔 전압(-Vy)과 하강 램프(Ramp-Down) 파형의 전압과 서스테인 전압(Vs)을 하나의 전압원을 이용하여 발생시키는 스캔 구동부와 서스테인 전압(Vs)과 서스테인 바이어스 전압(Vzb)을 하나의 전압원을 이용하여 발생시키는 서스테인 구동부를 함께 구현하게 되면, 스캔 전극(Y)으로 공급할 부극성 스캔 전압(-Vy) 및 하강 램프 파형의 전압을 발생시키기 위한 별도의 전압원 및 서스테인 전극(Z)으로 공급할 서스테인 바이어스 전압(Vzb)을 발생시키기 위한 별도의 전압원을 따로 두지 않아도 되기 때문에, 결과적으로 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 전체 제조 단가를 더욱 낮추게 된다.
여기, 도 19의 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 앞선 도 3 내지 도 18에서 이미 상세히 설명되었으므로, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이와 같이, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들면, 이상에서는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 구동부에서 스캔 구동부와 서스테인 구동부를 각각 별도의 구동보드에 형성한 일례만을 도시하고 설명하였지만, 스캔 구동부와 서스테인 구동부를 하나의 보드에 형성할 수도 있는 것이다.
또한, 이상의 설명에서는 구동부에 사용되는 스위칭 소자들을 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor : FET)로 형성한 일례만을 도시하고 설명하였지만, 다른 트랜지스터, 예를 들면 절연 게이트 양극성 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor : IGBT)도 적용될 수 있는 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명은 부극성 스캔 전압(-Vy)과 하강 램프(Ramp-Down) 파형의 전압과 서스테인 전압(Vs)을 하나의 전압원을 이용하여 발생시키거나 또는 서스테인 바이어스 전압(Vzb)과 서스테인 전압(Vs)을 하나의 전압원을 이용하여 발생시킴으로써, 플라즈마 디스플레이 장치의 전체 제조 단가를 낮추는 효과가 있다.

Claims (20)

  1. 스캔 전극과, 상기 스캔 전극에 교차하는 어드레스 전극이 형성된 플라즈마 디스플레이 패널과,
    화상을 표시하는 서스테인 기간에서 상기 스캔 전극으로 공급되는 서스테인 전압(Vs)과, 상기 서스테인 기간 이전의 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 공급되는 부극성 스캔 전압과, 상기 어드레스 기간 이전의 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 공급되는 하강 램프 파형의 전압을 하나의 전압원으로부터 발생시키는 스캔 구동부
    를 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 스캔 구동부는
    상기 스캔 전극으로 인가되는 상기 서스테인 전압(Vs)을 제어하는 서스테인 전압 공급 제어부;
    상기 스캔 전극으로 인가되는 기저 전압(GND)을 제어하는 기저 전압 공급 제어부;
    상기 부극성 스캔 전압을 발생시키는 부극성 스캔 전압 발생부;
    상기 스캔 전극으로 인가되는 상기 부극성 스캔 전압을 제어하는 스캔 전압 공급 제어부;
    상기 스캔 전극으로 인가되는 하강 램프 파형을 제어하는 하강 램프 공급 제어부; 및
    상기 서스테인 전압 공급 제어부 또는 기저 전압 공급 제어부로부터 상기 부극성 스캔 전압 발생부 또는 하강 램프 공급 제어부 방향으로 흐르는 역전류를 차단하는 블로킹부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 부극성 스캔 전압 발생부는
    상기 서스테인 전압을 저장하는 전압 저장부와,
    상기 전압 저장부와 연동하는 완충부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 전압 저장부의 일단은 서스테인 전압 공급 제어부와 기저 전압 공급 제어부 및 블로킹부의 일단과 공통 접속되고, 타단은 상기 완충부의 일단과 스캔 전압 공급 제어부의 일단과 하강 램프 공급 제어부의 일단과 공통 접속되고,
    상기 블로킹부의 타단은 스캔 전압 공급 제어부의 타단과 하강 램프 공급 제어부의 타단과 공통 접속되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 전압 저장부는
    상기 서스테인 전압을 저장하기 위한 전압 저장용 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 완충부의 일단은 스캔 전압 공급 제어부의 일단과 하강 램프 공급 제어부의 일단과 전압 저장부의 타단과 공통 접속되고, 타단은 접지(GND)되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 부극성 스캔 전압 발생부는
    상기 서스테인 전압(Vs)을 저장하는 전압 저장부;
    상기 전압 저장부와 연동하는 완충부; 및
    상기 전압 저장부에 저장되는 전압의 크기를 조절하는 전압 조절부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 전압 저장부에 저장되는 전압의 크기는 상기 서스테인 전압(Vs)과 상기 전압 조절부에 걸리는 전압 간의 차이와 대략 동일한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 완충부의 일단은 상기 전압 저장부와 하강 램프 공급 제어부의 일단과 스캔 전압 공급 제어부의 일단과 공통 접속되고, 타단은 상기 전압 조절부의 일단과 접속되고,
    상기 전압 조절부의 타단은 접지(GND)되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 전압 조절부는 가변 전압 원(Adjustable Voltage Source)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 완충부의 일단은 상기 전압 저장부의 타단과 하강 램프 공급 제어부의 일단 및 스캔 전압 공급 제어부의 일단과 공통 접속되고, 타단은 상기 전압 조절부의 일단 및 상기 서스테인 전압보다 낮은 전압을 공급하는 저 전압 공급원과 공통 접속되고, 상기 전압 조절부의 타단은 접지(GND)되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 저 전압 공급원은
    어드레스 기간에서 어드레스 전극으로 데이터 펄스를 공급하기 위한 데이터 전압원인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  13. 서스테인 전극과, 상기 서스테인 전극에 교차하는 어드레스 전극이 형성된 플라즈마 디스플레이 패널과,
    화상을 표시하는 서스테인 기간에서 상기 서스테인 전극으로 공급되는 서스테인 전압(Vs)과, 상기 서스테인 기간 이전의 어드레스 기간에서 상기 서스테인 전극으로 공급하는 서스테인 바이어스 전압을 하나의 동일한 전압원으로부터 발생시키는 서스테인 구동부
    를 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 서스테인 구동부는
    상기 서스테인 전극으로 인가되는 상기 서스테인 전압을 제어하는 서스테인 전압 공급 제어부;
    상기 서스테인 전극으로 인가되는 기저 전압(GND)을 제어하는 기저 전압 공급 제어부;
    상기 서스테인 바이어스 전압을 발생시키는 바이어스 전압 발생부; 및
    상기 서스테인 전극으로 인가되는 상기 서스테인 바이어스 전압을 제어하는 바이어스 전압 공급 제어부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 바이어스 전압 발생부는
    상기 서스테인 전압을 저장하는 전압 저장부와,
    상기 전압 저장부와 연동하는 완충부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 완충부의 일단은 서스테인 전압 공급 제어부와 기저 전압 공급 제어부 및 바이어스 전압 공급 제어부의 일단과 공통 접속되고, 타단은 상기 전압 저장부의 일단과 바이어스 전압 공급 제어부의 타단과 공통 접속되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 전압 저장부의 일단은 상기 완충부의 타단 및 바이어스 전압 공급 제어부의 타단과 공통 접속되고, 타단은 접지(GND)되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 바이어스 전압 발생부는
    상기 서스테인 전압(Vs)을 저장하는 전압 저장부;
    상기 전압 저장부와 연동하는 완충부; 및
    상기 전압 저장부에 저장되는 전압의 크기를 조절하는 전압 조절부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 전압 저장부에 저장되는 전압의 크기는 상기 서스테인 전압(Vs)과 상기 전압 조절부에 걸리는 전압 간의 차이와 대략 동일한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 완충부의 일단은 상기 서스테인 전압 공급 제어부와 기저 전압 공급 제어부와 바이어스 전압 공급 제어부의 일단과 공통 접속되고, 타단은 상기 전압 조절부의 일단 및 상기 서스테인 전압(Vs)보다 낮은 전압을 공급하는 저 전압 공급원과 공통 접속되고, 상기 전압 조절부의 타단은 전압 저장부의 일단 및 바이어스 전압 공급 제어부의 타단과 공통 접속되고, 상기 전압 저장부의 타단은 접지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
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