KR20070061012A - 초광대역 저잡음 증폭 장치 - Google Patents

초광대역 저잡음 증폭 장치 Download PDF

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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 초광대역 저잡음 증폭 장치에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 초광대역에 걸쳐 일정한 이득과 신호의 반사를 최소화하는 충분한 입력 정합을 제공할 뿐만 아니라 일정하고 낮은 잡음 특성을 나타내기 때문에 기존의 광대역 저잡음 증폭기의 한계를 극복할 수 있고, 적은 전력 소모를 하면서 초광대역에 걸친 높은 이득 특성을 나타내어 무선 수신기의 수신 성능을 향상시킬 수 있는 초광대역 저잡음 증폭 장치를 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 초광대역 저잡음 증폭 장치에 있어서, 외부로부터 입력되는 초광대역 신호를 입력단에서 반사 없이 통과시키고, 상기 입력되는 초광대역 신호 중에서 저주파 대역과 고주파 대역의 신호를 증폭하여 초광대역에 걸쳐 저잡음 특성을 나타내는 공통 게이트 증폭단; 및 초광대역에 걸쳐 일정하고 높은 이득을 갖도록 하기 위하여, 상기 공통 게이트 증폭단으로부터 입력되는 초광대역 신호 중에서 중간 주파수 대역의 신호를 증폭하기 위한 캐스코드 증폭단을 포함함.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 초광대역 통신 시스템 등에 이용됨.
UWB, 증폭기, MOS, 저잡음, 공통 게이트, 캐스코드

Description

초광대역 저잡음 증폭 장치{Ultra-Wideband Low Noise Amplifier}
도 1 은 종래의 저잡음 증폭 장치의 일실시예 구성도,
도 2 는 종래의 저잡음 증폭 장치의 다른 실시예 구성도,
도 3 은 본 발명에 따른 초광대역 저잡음 증폭 장치의 일실시예 구성도,
도 4 는 상기 도 3의 공통 게이트 증폭단의 일실시예 등가회로도,
도 5 는 도 3의 초광대역 저잡음 증폭 장치의 성능을 에스-파라미터(S-parameter) 결과로 나타낸 도면,
도 6 은 도 3의 초광대역 저잡음 증폭 장치의 잡음 특성 결과를 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
311 : 입력 트랜지스터 312 : 소스 인덕터
313, 314 : 입력 트랜지스터의 부하 인덕터
315 : 입력 트랜지스터의 부하 저항
330 : 캐스코드 증폭단 331 : 캐스코드 증폭단의 입력 트랜지스터
332 : 캐스코드 증폭단의 캐스코드 트랜지스터
333 : 션트 피킹(Shunt Peaking)용 인덕터
334 : 부하 저항 335 : 블로킹 저항
본 발명은 초광대역 저잡음 증폭 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 초광대역에 걸쳐 일정한 이득, 저잡음, 충분한 입력 정합 특성을 제공하고 적은 전력으로 동작하는 초광대역 저잡음 증폭 장치에 관한 것이다.
초광대역 저잡음 증폭 장치는 7GHz 이상의 초광대역(Ultra-wideband)을 이용하는 수신 장치를 구성할 경우 필수적으로 사용된다.
도 1 은 종래의 저잡음 증폭 장치의 일실시예 구성도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, BJT(Bipolar Junction Transistor)를 이용한 종래의 광대역 증폭기의 경우에는 저항 피드백을 통해 광대역 특성을 나타내는 전류 센싱 증폭기(Current Sensing Amplifier)(110)와 전압 센싱 증폭기(Voltage Sensing Amplifier)(120)를 병렬로 연결한 경우이다.
이 경우 입력 임피던스 정합은 공통 베이스 증폭기인 상기 전류 센싱 증폭기(110)를 통해 만족되고, 전류 센싱 증폭기(110)를 통해 증폭된 광대역 신호는 신호의 반전 없이 출력단에 전달되고, 전압 센싱 증폭기(120)를 통해 얻은 광대역 신호의 증폭은 반전된 상태로 출력단에 전달되어 합성기를 통해 합하여 져서 광대역 이득을 얻을 수 있도록 한다. 하지만 이 경우 BJT의 입력 임피던스가 충분히 작지 않고, 또한 10GHz 정도의 고주파에서 기생 성분으로 인해 합성기의 성능이 3GHz정도의 저주파보다 현저히 떨어질 것이다. 이로 인해 광대역 특성이 왜곡될 수 있는 문제점이 있다.
도 2 는 종래의 저잡음 증폭 장치의 다른 실시예 구성도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 저잡음 초광대역 증폭기의 입력단에서 엘씨(LC)필터를 사용하는 경우에는 초광대역 이득이나 입력 임피던스 정합을 얻을 수 있지만, 이득을 얻기 전 단계인 필터 내의 수동소자의 기생 저항 성분으로 인해서 기본적인 잡음 특성이 나빠질 뿐만 아니라 공통 소스 증폭기의 잡음 특성상 잡음 특성이 주파수에 직접적으로 비례하여 나빠지기 때문에 고주파로 올라갈수록 잡음의 특성이 현저하게 나빠진다. 따라서 초광대역 저잡음 증폭기로서 전 대역에 걸쳐 낮은 잡음 특성을 제공할 수 없는 문제점이 있다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 초광대역에 걸쳐 일정한 이득과 신호의 반사를 최소화하는 충분한 입력 정합을 제공할 뿐만 아니라 일정하고 낮은 잡음 특성을 나타내기 때문에 기존의 광대역 저잡음 증폭기의 한계를 극복할 수 있고, 적은 전력 소모를 하면서 초광대역에 걸친 높은 이득 특성을 나타내어 무선 수신기의 수신 성능을 향상시킬 수 있는 초광대역 저잡음 증폭 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있으며, 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구 범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 장치는, 초광대역 저잡음 증폭 장치에 있어서, 외부로부터 입력되는 초광대역 신호를 입력단에서 반사 없이 통과시키고, 상기 입력되는 초광대역 신호 중에서 저주파 대역과 고주파 대역의 신호를 증폭하여 초광대역에 걸쳐 저잡음 특성을 나타내는 공통 게이트 증폭단; 및 초광대역에 걸쳐 일정하고 높은 이득을 갖도록 하기 위하여, 상기 공통 게이트 증폭단으로부터 입력되는 초광대역 신호 중에서 중간 주파수 대역의 신호를 증폭하기 위한 캐스코드 증폭단을 포함한다.
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 3 은 본 발명에 따른 초광대역 저잡음 증폭 장치의 일실시예 구성도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 초광대역 저잡음 증폭 장치는, 저주파와 고주파 입력 신호를 증폭하여 초광대역에 걸쳐 저잡음 특성을 나타내는 공통 게이트 증폭단(310), 그리고 중간 주파 입력 신호를 증폭하기 위한 캐스코드 증폭단(330)을 포함한다.
상기 공통 게이트 증폭단(310)은 입력 트랜지스터(311), 소스 인덕터(312), 상기 입력 트랜지스터(311)의 부하 인덕터(313, 314), 상기 입력 트랜지스터(311)의 부하 저항(315)을 포함하고, 상기 캐스코드 증폭단(330)은 상기 캐스코드 증폭단(330)의 입력 트랜지스터(331), 상기 캐스코드 증폭단(330)의 캐스코드 트랜지스터(332), 션트 피킹(Shunt Peaking)용 인덕터(333), 부하 저항(334), 블로킹 저항(335)을 포함한다.
상기 초광대역 저잡음 증폭 장치는 안테나에서 들어오는 초광대역 고주파 신호가 공통 게이트 증폭단(310)의 입력에서 반사 없이 통과하고, 통과된 신호의 낮은 주파수 대역과 높은 주파수 대역의 신호가 증폭되어 다음 단인 캐스코드 증폭단(330)으로 입력된다.
그러면, 캐스코드 증폭단(330)은 증폭되지 않은 중간 주파수 대역의 신호를 증폭하여 전체적으로 일정하고 높은 이득을 갖게 한다.
최근의 공정에서 제공하는 채널길이의 기술을 바탕으로 공통 게이트 증폭단(310)을 이용하여 초광대역 신호를 반사 없이 통과시키는 방법은 기존에 알려져 있던 공통 게이트의 낮은 입력 임피던스만으로는 불가능하다.
본 발명은 최근 MOS(Metal Oxide Semiconductor)의 채널길이가 짧아짐에 따라 나타나는 MOS소자(입력 트랜지스터(311))의 작은 출력저항(드레인-소스 저항)을 이용하여 초광대역에 걸친 입력 정합을 얻었다. 이때의 입력 임피던스는 하기 [수학식 1]에 나타내었다.
Figure 112006023486542-PAT00001
여기서, gm은 트랜스컨덕턴스이고, ZLoad는 MOS소자(입력 트랜지스터(311))의 드레인 노드에서 보이는 임피던스, rds는 MOS소자(입력 트랜지스터(311))의 출력저항이다.
도 3에서 공통 게이트 증폭단(310)의 출력 임피던스는 이득에 직접적인 영향을 미칠 뿐만 아니라 MOS소자(입력 트랜지스터(311))의 크지 않은 출력저항에 의해 입력 임피던스에도 영향을 준다.
도 4 는 상기 도 3의 공통 게이트 증폭단의 일실시예 등가회로도로서, 상기 MOS소자(입력 트랜지스터(311))의 드레인 노드에서 보이는 임피던스의 등가회로를 나타낸다.
도 4에서 "441"은 공통 게이트 증폭단(310)의 드레인에서 보이는 기생 캐패 시터 성분을 나타내며, "443"은 캐스코드 증폭단(330)의 증폭소자(입력 트랜지스터(331))의 게이트에서 보이는 기생 캐패시터 성분을 나타낸다.
그리고 인덕터 "442"와 "444"는 기생 성분들로 결정된 캐패시터와 공진하기 위한 값으로 정해 질 수 있다.
본 발명에서는 낮은 주파수에서 "443" 캐패시터와 공진하기 위한 큰 인덕터 값을 갖는 "444" 인덕터와 높은 주파수에서 "441" 캐패시터와 공진하기 위한 작은 인덕터 값을 갖는 "442" 인덕터가 사용되었다.
"445" 저항은 "444" 인덕터의 큰 인덕터 값에 의해 저주파 이득이 고주파 이득에 비해 커지는 것을 막기 위한 저항값을 가진다.
따라서 상기 공통 게이트 증폭단(310)에서 저주파와 고주파 대역의 이득을 충분히 얻을 수 있다.
MOS소자(입력 트랜지스터(311))의 게이트와 소스 사이의 기생 캐패시터는 초광대역 신호 전반에 걸쳐 큰 임피던스를 제공해야 하는 인덕터(312)와 공진되어 그 영향을 최소화시킬 수 있다.
상기에서 언급한 바와 같이 MOS소자(입력 트랜지스터(311))의 크지 않은 출력 저항으로 인해 도 4의 회로가 입력 임피던스에 영향을 준다.
도 4에 도시된 회로의 낮은 주파수와 높은 주파수에서의 공진은 각각의 주파수에서 입력 임피던스를 충분히 낮게 만들어 준다. 잡음 특성은 첫 번째 단인 공통 게이트 증폭단(310)에 의해서 결정된다.
일반적인 공통 게이트 증폭단(310)의 잡음 특성은 입력 임피던스가 주파수에 독립적이기 때문에 기본적으로 주파수에 독립적인 특성을 나타낸다.
본 발명에서는 입력 임피던스가 도 4에 도시된 회로의 임피던스에 영향을 받아 결정되고, 이로 인해 잡음 특성도 도 4에 도시된 회로의 주파수 특성에 영향을 받게 된다. 하기 [수학식 2]는 주파수 특성과 임피던스와의 관계를 나타낸다.
Figure 112006023486542-PAT00002
여기서, γ는 채널 열잡음 계수이고, α는 트랜스컨덕턴스(Transconductance)와 VDS=0일 때의 채널 컨덕턴스의 비율이며, RLoad는 도 4에 도시된 회로의 임피던스 저항성분을 나타낸다.
상기 [수학식 2]를 통해서 RLoad가 커질수록 잡음 특성이 좋아짐을 알 수 있다.
도 4에 도시된 회로의 임피던스 저항 성분은 전반적인 대역 내에서 일정한 값을 지니고, 고주파 대역에서만 큰 값을 지닌다. 그 이유는 공진 회로에 의한 선택도(Q)가 높은 고주파 공진이기 때문이다.
본 발명에서는 고주파에서의 잡음 특성을 낮게 구현하였다. 입력 임피던스 정합을 위해서 고주파에서도 임피던스는 낮아야 하는 것과 상반되는 결과이지만, 공진 회로에 의한 선택도(Q)가 큰 공진 회로로 고주파 특성이 정해지기 때문에 노이즈 특성과 입력 임피던스 정합 특성을 약간 다른 주파수에서 각각 만족시킴으로써 무리 없이 결과를 얻을 수 있다.
캐스코드 증폭단(330)은 캐스코드로 구성하여 입력과 출력을 격리(Isolation)시키고, 밀러 효과를 줄여서 캐패시터 성분을 줄였다.
캐스코드 증폭단(330)의 "333" 인덕터와 "334" 저항은 공통 게이트 증폭단(310)에서 얻지 못한 중간 주파수 대역에서의 이득을 얻기 위한 캐스코드 증폭단(330)의 부하로 작용한다.
"333" 인덕터는 중간 주파수에서 공진하도록 적당한 값을 정하고, 초고주파 대역 내에서 일정한 이득을 갖기 위해 "334" 저항의 값을 조절하여 중간 주파수 대역의 이득의 크기를 조절한다.
"334" 저항은 "333" 인덕터와 직렬로 연결되어 넓은 중간 주파수 대역의 이득을 얻기에 적합하다.
그리고 도 5 는 상기 도 3의 초광대역 저잡음 증폭 장치의 성능을 에스-파라미터(S-parameter) 결과로 나타낸 도면이고, 도 6 은 도 3의 초광대역 저잡음 증폭 장치의 잡음 특성 결과를 나타낸 도면이다.
이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다.
상기와 같은 본 발명은, 초광대역에 걸친 저잡음 증폭 장치를 구현할 경우 전력 소모를 적게 하여 초광대역에 걸쳐서 일정한 이득, 충분한 입력 정합을 얻을 수 있고, 잡음 특성도 초광대역에 걸쳐서 일정하게 유지할 수 있기 때문에 7GHz이상의 주파수 대역을 갖는 저잡음 증폭 장치의 고주파 잡음 특성이 기존에 비해 크게 개선되고, 이로 인해 초광대역 수신단의 전체 잡음 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (6)

  1. 초광대역 저잡음 증폭 장치에 있어서,
    외부로부터 입력되는 초광대역 신호를 입력단에서 반사 없이 통과시키고, 상기 입력되는 초광대역 신호 중에서 저주파 대역과 고주파 대역의 신호를 증폭하여 초광대역에 걸쳐 저잡음 특성을 나타내는 공통 게이트 증폭단; 및
    초광대역에 걸쳐 일정하고 높은 이득을 갖도록 하기 위하여, 상기 공통 게이트 증폭단으로부터 입력되는 초광대역 신호 중에서 중간 주파수 대역의 신호를 증폭하기 위한 캐스코드 증폭단
    을 포함하는 초광대역 저잡음 증폭 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통 게이트 증폭단은,
    공통 게이트 입력 트랜지스터, 소스 인덕터, 상기 공통 게이트 입력 트랜지스터의 부하 인덕터, 상기 공통 게이트 입력 트랜지스터의 제 1 부하 저항을 포함하고, 또한 저주파와 고주파에서 공진하는 부하를 포함하는 것을 특징으로 하는 초광대역 저잡음 증폭 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 부하는,
    상기 공통 게이트 입력 트랜지스터의 기생 캐패시터 성분들과 각각 공진할 수 있는 인덕턴스를 지니는 상기 공통 게이트 입력 트랜지스터의 드레인에 연결된 상기 소스 인덕터와, 외부의 전원에 연결된 상기 제 1 부하 저항과 직렬로 연결된 상기 부하 인덕터를 포함하는 것을 특징으로 하는 초광대역 저잡음 증폭 장치.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 공통 게이트 입력 트랜지스터는,
    입력 임피던스 정합 및 저잡음 특성을 만족시키기 위하여, 출력 임피던스가 부하 임피던스에 비해 충분히 작도록 연결된 것을 특징으로 하는 초광대역 저잡음 증폭 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 캐스코드 증폭단은,
    상기 캐스코드 증폭단의 입력 트랜지스터, 상기 캐스코드 증폭단의 캐스코드 트랜지스터, 션트 피킹(Shunt Peaking)용 인덕터, 제 2 부하 저항, 및 블로킹 저항을 포함하되, 입력과 출력을 격리(Isolation)시키기 위해 캐스코드로 구성하고, 밀 러 효과를 줄여서 캐패시터 성분을 줄이고, 상기 션트 피킹(Shunt Peaking)용 인덕터와 상기 제 2 부하 저항을 이용하여 상기 공통 게이트 증폭단에서 얻지 못한 중간 주파수 대역에서의 이득을 얻는 것을 특징으로 하는 초광대역 저잡음 증폭 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 션트 피킹(Shunt Peaking)용 인덕터와 상기 제 2 부하 저항은,
    상기 션트 피킹(Shunt Peaking)용 인덕터가 중간 주파수에서 공진하도록 값을 정하고, 초고주파 대역 내에서 일정한 이득을 갖도록 하기 위해 상기 제 2 부하 저항의 값을 조절하여 중간 주파수 대역의 이득의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109474243A (zh) * 2018-11-30 2019-03-15 南京米乐为微电子科技有限公司 一种超宽带低噪声放大器
CN114793093A (zh) * 2022-04-28 2022-07-26 西安工程大学 一种具有抗干扰功能的超宽带协议低噪声放大器

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100998758B1 (ko) * 2008-11-07 2010-12-07 한국전자통신연구원 광대역 저잡음 증폭기
KR101266918B1 (ko) 2009-09-14 2013-05-24 한국전자통신연구원 가변이득 광대역 피드백 저 잡음 증폭기

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000041721A (ko) * 1998-12-23 2000-07-15 윤종용 캐스코드 구조의 저잡음 증폭 집적회로
KR20010002982A (ko) * 1999-06-19 2001-01-15 김영석 매칭회로를 내장한 저잡음증폭기
KR100421417B1 (ko) * 2001-10-22 2004-03-09 브이케이 주식회사 광대역 고이득 증폭회로
US6806777B2 (en) 2003-01-02 2004-10-19 Intel Corporation Ultra wide band low noise amplifier and method
KR101131272B1 (ko) * 2004-03-24 2012-03-30 조지아 테크 리서치 코오포레이션 다중대역 저잡음 증폭기의 입력 매칭 회로

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109474243A (zh) * 2018-11-30 2019-03-15 南京米乐为微电子科技有限公司 一种超宽带低噪声放大器
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