KR20070060855A - Integrated circuit device for test - Google Patents

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KR20070060855A
KR20070060855A KR1020050120964A KR20050120964A KR20070060855A KR 20070060855 A KR20070060855 A KR 20070060855A KR 1020050120964 A KR1020050120964 A KR 1020050120964A KR 20050120964 A KR20050120964 A KR 20050120964A KR 20070060855 A KR20070060855 A KR 20070060855A
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김명환
엄낙웅
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Abstract

An IC device for a test is provided to conveniently manage and effectively test internal core circuits in an SoC(System on Chip) or SiP(System in Package) chip, and offer a boundary scan circuit for testing short of each signal terminal of an SoC boundary, the internal core, and a memory boundary, and a structure for testing a memory and/or buffer block. An address MUX(Multiplexer)(210) selects an address input path of a memory(300). A data MUX(220) selects a data input path of the memory. A comparator(230) compares a memory reading value with an output value of the data MUX during a memory test. An output MUX(240) selectively outputs the memory reading value or the output value of the address MUX to an external terminal. A pattern generator(500) transmits a test pattern to the data MUX in a series and stops an operation according to a comparison value while transmitting a sequential address to the address MUX. A test controller(400) generates test commands and a test clock for synchronizing the test operation. The boundary scan circuit(100) transfers a result value to the output MUX by testing the short of the boundary signal terminals.

Description

테스트를 위한 집적회로 장치{Integrated Circuit Device for Test} Integrated Circuit Device for Test

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 테스트 장치를 나타내는 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a test apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 바운더리 스캔 회로를 나타내는 블록도이다.FIG. 2 is a block diagram illustrating the boundary scan circuit of FIG. 1.

도 3은 도 2의 바운더리 스캔 레지스터를 나타내는 블록도이다.3 is a block diagram illustrating a boundary scan register of FIG. 2.

도 4는 메모리 테스트 패턴과 테스트 순서4 is a memory test pattern and test sequence

<도면의 주요 부호에 대한 설명><Description of Major Symbols in Drawing>

100:코아와 메모리 바운더리 스캔 회로100: core and memory boundary scan circuit

200:코아 210, 220, 240: 먹스200: core 210, 220, 240: mux

230:비교회로 300:메모리230: non-church 300: memory

400:TAP 및 TAP 콘트롤러 500:테스트 패턴 발생기400: TAP and TAP Controller 500: Test Pattern Generator

600, 610, 620, 630:스캔 테스트 회로 및 메모리 출력 주변 회로 600, 610, 620, 630: scan test circuit and memory output peripheral circuit

대한민국 특허출원 2003-92593호Republic of Korea Patent Application 2003-92593

본 발명은 반도체 집적회로 바운더리 스캔과 테스트 장치에 관한 것으로, 특히, SoC또는 SiP 내부의 코아와 메모리가 연결된 집적회로 장치의 신호 단자 단락 여부과 메모리의 불량 검출과 불량 검출률을 높이기 위하여 메모리와 주변회로를 스캔 테스트 할 수 있는 회로를 구비한 집적회로 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit boundary scan and test device. In particular, the present invention relates to memory and peripheral circuits in order to improve short-circuit detection and failure detection of a signal terminal of an integrated circuit device in which cores and memories inside SoC or SiP are connected. An integrated circuit device having a circuit capable of scan testing.

최근 반도체 집적회로 기술은 CPU 같은 코아와 메모리가 물리적으로 하나의 칩에 집적되고 있으며, 이는 특히 RF칩과 DSP칩 등과 같이 전문적인 용도를 가진 칩의 경우 두드러진다. 이질적인 전자회로 블록들을 단일칩으로 집적하는 기술로는 SoC(System on a Chip)나 SiP(System in Package)가 사용되고 있으며, SoC나 SiP는 칩 면적의 효과적인 축소와 높은 집적이 가능하여 그 시장이 점점 확대 되고 있다. Recently, in semiconductor integrated circuit technology, cores and memory such as CPUs are physically integrated in one chip, and this is particularly prominent in specialized chips such as RF chips and DSP chips. As a technology for integrating heterogeneous electronic circuit blocks into a single chip, a system on a chip (SoC) or a system in package (SiP) is used. SoC or SiP has an effective reduction in chip area and high integration. It is expanding.

SoC 또는 SiP를 구성하는 코아는 대부분의 시스템에 내장(embedded)될 수 있는 CPU(Central Process controller unit), 메모리 또는 DSP(digital signal processor)와 같은 매크로 블록이다. 이외에도, 내부에서 특정 기능 수행을 위한 다른 블록을 구성하는 다른 코아들이 존재할 수 있다. SoC 또는 SiP와 같은 집적회로 장치는 회로의 설계와 공정, 칩 테스트 또는 패키지 후 테스트 등 일련의 여러 단계를 거쳐 제품으로 출시되고 있으며, 칩의 성능 평가와 테스트가 점점 많음 비중을 차지하고 있다. SiP의 경우에는 각 칩을 웨이퍼 상태에서 테스트 한다. 그리고 각 칩을 한개의 패키지에 내장한 후 패키지 테스트를 한다. 패키지 테스트에서는 내부 소자의 각 신호 단자의 단락이나 내부 메크로 블록의 정상적인 동작여부를 판단하는 매크로 블록(macro block) 테스트가 이루어지고 있다. Cores that make up a SoC or SiP are macro blocks such as a central process controller unit (CPU), memory, or a digital signal processor (DSP) that can be embedded in most systems. In addition, there may be other cores constituting other blocks for performing a specific function therein. Integrated circuit devices, such as SoCs or SiPs, are introduced into the product through a series of steps, including circuit design and processing, chip testing, or post-package testing. Chips are increasingly being evaluated and tested for performance. In the case of SiP, each chip is tested in a wafer state. Each chip is packaged in one package and package tested. In the package test, a macro block test is performed to determine whether a short circuit of each signal terminal of an internal device or normal operation of an internal macro block is performed.

집적회로가 미세화되고 집적도가 증가하고 여러개의 코아를 포함함에 따라서 효율적인 테스트가 점점 더 어려워지고 있다. 그러므로 SiP나 SoC의 테스트를 수월하게 하기 위하여 IEEE 1149.1 규격은 집적회로 사이 배선과 테스트에 사용할 수 있는 바운더리 스캔에 대하여 규정하고 있다. 각각의 내장(embedded) 집적회로 사이의 내부 회로와 외부 단자 사이의 신호 경로에 바운더리 스캔 장치를 제공함으로써 바운더리 스캔 장치의 입력 단자를 제어(Control)하고 출력 단자에서 관측(Observe)할 수 있다.As integrated circuits become smaller, more integrated, and contain more cores, efficient testing becomes increasingly difficult. Therefore, to facilitate testing SiP or SoC, the IEEE 1149.1 specification specifies boundary scans that can be used for wiring and testing between integrated circuits. By providing a boundary scan device in a signal path between an internal circuit and an external terminal between each embedded integrated circuit, the input terminal of the boundary scan device can be controlled and observed at the output terminal.

내부 메모리를 테스트하는 종래의 방법에서는 메모리에 테스트 패턴을 실행시켜 메모리의 정상적인 동작여부를 판단하는 방법을 사용한다. 내부의 메모리를 테스트하기 위해서는 테스트 벡터(Test Vector)를 인가한 후 기댓값과 메모리 출력을 비교하여 불량 여부를 판단한다. In the conventional method of testing the internal memory, a test pattern is executed in the memory to determine whether the memory is normally operated. To test the internal memory, a test vector is applied and then the expected value and the memory output are compared to determine whether there is a defect.

한편, 집적회로 설계시에는 불량 점검률(Fault Coverage)을 고려하여 설계를 하며, 불량 발생시 어느 부분에서 불량이 발생하는지를 알아야 한다. 불량 검출 시 발생할 수 있는 불량을 검출하기 위해서는 적절한 테스트 벡터를 입력 단자를 통하여 해당 셀에 인가하고 출력을 출력 단자를 통하여 관측 할 수 있어야 한다. 그러기 위해서는 입력 핀에 대한 제어가 가능하여야 하며 출력 핀에서 관측이 가능하여야 한다.On the other hand, when designing an integrated circuit, the design should be made in consideration of fault coverage, and it is necessary to know where the fault occurs when the fault occurs. In order to detect defects that may occur when detecting a defect, an appropriate test vector should be applied to the corresponding cell through the input terminal and the output can be observed through the output terminal. To do this, the input pin must be controllable and the output pin must be observable.

그러나 내부 코아와 메모리의 각 신호 단자의 단락 여부에 대한 테스트와 내부 메모리의 정상 동작 여부에 대한 테스트에서, 이와 같은 종래의 테스트 방법에서는 한계를 나타내고 있는 실정이다. 즉, SoC 내부에 배치되는 내부 메모리주변의 플립-플롭(flip flop)이나 내부 메모리의 입/출력 데이터를 외부 단자에서 제어할 수 없으므로 전체적인 기능 테스트만이 이루어질 수 있을 뿐이며, 이에 따라 내부 메모리의 신호 단자의 단락이나 셀 등에서 발생하는 다양한 불량을 검출하기가 용이하지 않다는 문제점이 발생되고 있다. 최근 이와 같은 문제를 해결하기 위하여 여러 가지 테스트 방안들이 제안된 바 있으나, 대부분이 내부 메모리 주변 플립-플롭을 제어하거나 내부 메모리의 입/출력 데이터 패턴을 입력시켜 테스트하는 것이 아니라, 간접적인 테스트 방식으로 이루어지고 있다는 근원적인 한계가 있다.However, in the test for the short circuit of each signal terminal of the internal core and the memory, and the test for the normal operation of the internal memory, there is a limit in the conventional test method. That is, since the external terminal cannot control the flip-flop of the internal memory disposed inside the SoC or the input / output data of the internal memory from the external terminal, only the entire functional test can be performed. There is a problem that it is not easy to detect various defects occurring in a short circuit or a cell of the terminal. Recently, various test methods have been proposed to solve this problem. However, most of the test methods are indirect test methods, rather than controlling flip-flops around the internal memory or inputting input / output data patterns of the internal memory. There is a fundamental limitation that is being achieved.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, SoC나 SiP 칩내에 구현할 수 있으며, 내부 코아 회로들을 편리하고 효과적으로 테스트할 수 있는 테스트 회로를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and the object of the present invention is to provide a test circuit that can be implemented in a SoC or SiP chip, and can test the internal core circuits conveniently and effectively.

특히, 본 발명은 SoC 바운더리 또는 내부 코아와 메모리 바운더리의 각 신호 단자의 단락 여부에 대한 테스트를 수행하기 위한 바운더리 스캔 회로와 함께, 메모리 블록에 대한 테스트 및/또는 버퍼블록에 대한 테스트를 수행할 수 있는 구조를 제공하는데 심화된 목적이 있다.In particular, the present invention may perform a test on a memory block and / or a test on a buffer block together with a boundary scan circuit for performing a test on whether each signal terminal of an SoC boundary or an internal core and a memory boundary is shorted. There is a further purpose to provide a structure that exists.

구체적으로, SoC 바운더리 또는 내부 코아와 메모리 바운더리의 각 신호 단자의 단락 여부에 대한 테스트와 내부 메모리의 정상 동작 여부와 불량 지점에 대한 테스트에서, 메모리에 알맞은 테스트 입력 패턴을 입력시켜 내부 메모리를 테스트하여 불량 형태와 지점을 알 수 있으며, 스캔 테스트 방식으로 직접 코아와 메모리 주변의 플립-플롭을 제어하여 테스트 할 수 있는 집적회로 장치 및 그 방법을 제공하고자 한다.Specifically, the internal memory is tested by inputting a test input pattern suitable for the memory in a test for a short circuit between each signal terminal of an SoC boundary or an internal core and a memory boundary, and a test for whether the internal memory operates normally or a bad point. The present invention provides an integrated circuit device and a method thereof in which a defect type and a spot can be known, and a flip-flop around a core and a memory can be directly tested by a scan test method.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 제1 특징부에 따른 집적회로 장치는, 코아 및 메모리; 상기 메모리의 어드레스 입력 경로를 선택하기 위한 어드레스 먹스; 상기 메모리의 데이터 입력 경로를 선택하기 위한 데이터 먹스; 메모리 테스트 중에 상기 메모리의 독출값 및 상기 데이터 먹스의 출력값을 비교하기 위한 비교기; 외부 단자로 상기 메모리의 독출값 또는 상기 어드레스 먹스의 출력값을 선택적으로 출력하기 위한 출력 먹스; 및 상기 어드레스 먹스에 순차적으로 증가하는 어드레스를 전송하면서, 입력 받은 테스트 패턴을 직렬로 상기 데이터 먹스에 전송하기 위한 구성으로서, 상기 비교기의 비교 결과값에 따라 정지하는 패턴 발생기를 포함하는 것을 특징으로 한다.An integrated circuit device according to the first aspect of the present invention for achieving the above technical problem, the core and memory; An address mux for selecting an address input path of the memory; A data mux for selecting a data input path of the memory; A comparator for comparing a read value of the memory and an output value of the data mux during a memory test; An output mux for selectively outputting a read value of the memory or an output value of the address mux to an external terminal; And a pattern generator configured to transmit an input test pattern to the data mux serially while transmitting an address sequentially increasing to the address mux, the pattern generator stopping according to a comparison result of the comparator. .

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 제2 특징부에 따른 집적회로 장치는, 코아 및 메모리; 상기 메모리로 입/출력되는 데이터 및 어드레스를 일시 저장하기 위한 메모리 입/출력 버퍼; 상기 입/출력 버퍼에 대한 테스트 데이터 및 테스트 명령을 생성하기 위한 테스트 콘트롤러; 및 외부 단자로 상기 메모리의 독출값 또는 상기 메모리 입/출력 버퍼의 출력값을 선택적으로 출력하기 위한 출력 먹스를 포함하는 것을 특징으로 한다. 구현에 따라 상기 출력 먹스는 바운드리 스캔 회로의 출력도 선택적으로 출력하게 된다.An integrated circuit device according to a second aspect of the present invention for achieving the above technical problem, the core and memory; A memory input / output buffer for temporarily storing data and addresses input / output into the memory; A test controller for generating test data and a test command for the input / output buffer; And an output mux for selectively outputting a read value of the memory or an output value of the memory input / output buffer to an external terminal. In some embodiments, the output mux selectively outputs the output of the boundary scan circuit.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고, 단지 예시로 제시된 것이다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention. . This embodiment is not intended to limit the scope of the invention, but is presented by way of example only.

예컨대, 하기 설명에서는 내장 메모리를 테스트하기 위한 제1 특징부 및 플립플롭으로 이루어지는 메모리 입/출력 버퍼를 테스트하기 위한 제2 특징부를 모두 구비한 구현에 대하여 기술하고 있지만, 구현에 따라서는 제1 특징부 및 제2 특징부 중 하나만을 구비할 수 있으며, 이 또한 본 발명의 권리범위에 속한다.For example, the following description describes an implementation having both a first feature for testing embedded memory and a second feature for testing a memory input / output buffer consisting of flip-flops, but depending on the implementation Only one of the parts and the second feature may be provided, which is also within the scope of the present invention.

예컨대, 하기 설명에서는 메모리 입/출력 버퍼의 일례로서, 메모리의 엑세스 어드레스를 저장하기 위한 플립플롭으로 이루어진 어드레스 버퍼와 메모리의 기록 데이터를 저장하기 위한 플립플롭으로 이루어진 데이터 버퍼에 대하여 테스트를 수행할 수 있는 구조를 제시하였지만, 동일한 사상에 따른 구조를 메모리의 독출용 출력 버퍼 등에도 구현할 수 있으며, 이 또한 본 발명의 권리범위에 속한다.For example, in the following description, as an example of a memory input / output buffer, a test may be performed on an address buffer including a flip-flop for storing an access address of a memory and a data buffer including a flip-flop for storing write data of a memory. Although the present invention has been proposed, a structure in accordance with the same idea may be implemented in an output buffer for reading a memory, and the like, which also belongs to the scope of the present invention.

(실시예)(Example)

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 집적회로 장치(700)를 나타내는 블록도이다. 도시한 집접회로 장치(700)는, CPU나 MCP 등과 같은 코아(200) 및 내장 메모리(300); 상기 메모리(300)의 어드레스 입력 경로를 선택하기 위한 어드레스 먹스(210); 상기 메모리(300)의 데이터 입력 경로를 선택하기 위한 데이터 먹스(220); 상기 코아(200)에서 엑세스 할 지점의 메모리 어드레스를 일시 저장하기 위한 어드 레스 버퍼(620); 상기 코아(200)에서 상기 메모리(300)에 기록할 데이터를 일시 저장하기 위한 데이터 버퍼(610); 메모리 테스트 중에 상기 메모리(300)의 독출값 및 상기 데이터 먹스(220)의 출력값을 비교하기 위한 비교기(230); 상기 어드레스 먹스(210)에 순차적으로 증가하는 어드레스를 전송하면서, 소정의 테스트 패턴을 직렬로 상기 데이터 먹스(220)에 전송하기 위한 구성으로서, 상기 비교기(230)의 비교 결과값에 따라 정지하는 패턴 발생기(500); 상기 데이터/어드레스 버퍼(610, 620) 및 메모리(300)에 대한 테스트 명령, 테스트 데이터 및 테스트 클럭을 생성하기 위한 테스트 콘트롤러(400, 600); 및 외부 단자(DO)로 상기 메모리(300)의 독출값, 상기 어드레스 먹스(210)의 출력값 또는 상기 어드레스 버퍼(620)의 출력값을 선택적으로 출력하기 위한 출력 먹스(240)를 포함한다. 1 is a block diagram illustrating an integrated circuit device 700 according to an embodiment of the present invention. The illustrated integrated circuit device 700 includes a core 200 such as a CPU or an MCP, and an internal memory 300; An address mux 210 for selecting an address input path of the memory 300; A data mux 220 for selecting a data input path of the memory 300; An address buffer 620 for temporarily storing a memory address of a point to be accessed from the core 200; A data buffer (610) for temporarily storing data to be written to the memory (300) in the core (200); A comparator 230 for comparing a read value of the memory 300 and an output value of the data mux 220 during a memory test; A pattern for transmitting a predetermined test pattern in series to the data mux 220 while transmitting an address sequentially increasing to the address mux 210, and stopping the pattern according to a comparison result of the comparator 230. Generator 500; A test controller (400, 600) for generating test commands, test data, and a test clock for the data / address buffers (610, 620) and the memory (300); And an output mux 240 for selectively outputting a read value of the memory 300, an output value of the address mux 210, or an output value of the address buffer 620 to an external terminal DO.

또한, 본 실시예에 따른 집적회로 장치는 종래기술에 따른 바운더리 스캔 회로(100)를 더 구비하며, 상기 바운더리 스캔 회로(100)의 출력(TDO)도 상기 출력 먹스(240)에 의해 스위칭되도록 구현하는 것이 보다 바람직하다. 이 경우 상기 테스트 콘트롤러는 바운더리 스캔을 위한 TDI를 생성하는 부분과, 테스트 명령 및 테스트 클럭을 생성하는 부분과, 메모리/버퍼 테스트를 지원하는 부분으로 구성될 수 있는데, 도 1에서는 TDI, 테스트 명령 및 테스트 클럭을 생성하는 테스트 억세스 포트(TAP:Test Access Port)/콘트롤러(400)와 메모리/버퍼 테스트를 지원하는 저장테스트 콘트롤러(600)로 구분하여 구현하였다.In addition, the integrated circuit device according to the present embodiment further includes a boundary scan circuit 100 according to the prior art, and the output TDO of the boundary scan circuit 100 is also switched by the output mux 240. It is more preferable to do. In this case, the test controller may include a part for generating a TDI for boundary scan, a part for generating a test command and a test clock, and a part for supporting a memory / buffer test. A test access port (TAP) / controller 400 for generating a test clock and a storage test controller 600 supporting memory / buffer tests are implemented.

간단히 정리하면, 도 1에 도시한 집적회로 장치(700)는, 바운더리 스캔회로(100), 코아(200), 메모리(300), 저장 테스트 콘트롤러(600), 제1 먹스 회로(210), 제2 먹스 회로(220), 비교 회로(230), 출력 먹스 회로(240), 패턴 발생기(500), 및 테스트 억세스 포트(TAP:Test Access Port)/콘트롤러(400)를 구비한다.In brief, the integrated circuit device 700 illustrated in FIG. 1 includes a boundary scan circuit 100, a core 200, a memory 300, a storage test controller 600, a first mux circuit 210, and a first circuit. A two mux circuit 220, a comparison circuit 230, an output mux circuit 240, a pattern generator 500, and a test access port (TAP) / controller 400.

상기 테스트 억세스 포트(TAP)/콘트롤러(400)는 동작 형태를 결정하기 위하여, 테스트 클럭 신호(TCK:Test Clock), 테스트 모드 선택 신호(TMS:Test Mode Select), 및 테스트 리셋 신호(TRST:Test Reset)를 발생시키고, 이에 따라 상기 테스트 명령들(TMS, TRST)의 제어를 받아, 바운더리 스캔 시험을 위한 입력 테스트 데이터(TDI)를 발생시켜 상기 테스트 클럭(TCK)에 맞추어 출력한다.The test access port (TAP) / controller 400 may include a test clock signal (TCK), a test mode select signal (TMS), and a test reset signal (TRST) to determine an operation type. Reset is generated, and accordingly, under the control of the test commands TMS and TRST, input test data TDI for boundary scan test is generated and output according to the test clock TCK.

상기 코아(200) 및 메모리(300)는 SoC 집적회로 장치(700)에 널리 내장되는 핵심 회로 블록으로서, 도면에서는 코아와 메모리를 동시에 구비하는 구현을 도시하였다. 상기 코아(200)는 바운더리 신호 단자(미도시)를 통하여 상기 입력 테스트 데이터(TDI)를 입력받으며, 상기 메모리(300)는 정상 동작 시는 코아(200)에서 발생하는 어드레스와 데이터를 입력받으며, 테스트 시에는 패턴 발생기(500)에서 어드레스와 데이터를 입력받는다. The core 200 and the memory 300 are core circuit blocks that are widely embedded in the SoC integrated circuit device 700. In the drawing, the core 200 and the memory 300 are implemented with cores and memories. The core 200 receives the input test data TDI through a boundary signal terminal (not shown), and the memory 300 receives an address and data generated from the core 200 during normal operation. In the test, the pattern generator 500 receives an address and data.

상기 바운더리 스캔회로(100)는 상기 코아(200)와 메모리(300)의 바운더리 신호 단자들의 단락 여부를 테스트하기 위하여, 상기 입력 테스트 데이터(TDI)를 시리얼로 입력받아 상기 바운더리 신호 단자들에 인가하여, 시리얼로 출력(TDO)한다. The boundary scan circuit 100 receives the input test data TDI serially and applies it to the boundary signal terminals to test whether the boundary signal terminals of the core 200 and the memory 300 are shorted. , Serial output (TDO).

도 2는 도 1의 바운더리 스캔 회로(100)의 세부 구성을 나타내는 블록도이다. 도 2를 참조하면, 상기 바운더리 스캔 회로(100)는 바운더리 스캔 레지스터(110), 바이패스 레지스터(120), 명령어(instruction) 레지스터(130), 제1 먹스 (140) 및 제2 먹스(150)를 구비한다.2 is a block diagram illustrating a detailed configuration of the boundary scan circuit 100 of FIG. 1. Referring to FIG. 2, the boundary scan circuit 100 includes a boundary scan register 110, a bypass register 120, an instruction register 130, a first mux 140, and a second mux 150. It is provided.

상기 바운더리 스캔 레지스터(110)는 입력 테스트 데이터(TDI)를 시리얼로 입력받아 상기 바운더리 신호 단자들에 인가하고, 시리얼로 출력한다. 상기 바이패스 레지스터(120)는 스캔 패스를 단축시킬 때, 소정 데이터(0 또는 1)를 출력한다. 상기 명령어 레지스터(130)는 상기 입력 테스트 데이터(TDI)의 일부를 저장하여 단락시험 명령어("Extest"), 정상동작 명령어("Sample/Preload"), 및 바이패스 명령어("Bypass")로 인식하여 해당 명령어 데이터를 오피(OP:operation) 코드로서 출력한다. 상기 제1 먹스(140)는 상기 먹스 제어 신호에 응답하여 상기 바운더리 스캔 레지스터(110) 출력 또는 상기 바이패스 레지스터(120) 출력을 선택적으로 출력한다. 상기 제2 먹스(150)는 상기 먹스 제어 신호에 응답하여 제1 먹스(140) 출력 또는 명령어 레지스터의 출력을 선택적으로 출력한다. The boundary scan register 110 receives input test data (TDI) serially and applies the boundary test registers to the boundary signal terminals and outputs the serial signal. The bypass register 120 outputs predetermined data (0 or 1) when the scan path is shortened. The command register 130 stores a part of the input test data TDI and recognizes a short test command (“Extest”), a normal operation command (“Sample / Preload”), and a bypass command (“Bypass”). The command data is output as OP (operation) code. The first mux 140 selectively outputs the boundary scan register 110 output or the bypass register 120 output in response to the mux control signal. The second mux 150 selectively outputs the output of the first mux 140 or the output of the command register in response to the mux control signal.

즉, 바운더리 스캔 회로(100)는 동작 모드 설정과 모드에 필요한 입출력 회로로 이루어진다. 테스트 억세스 포트(TAP) 콘트롤러(400)는 테스트 클럭 신호(TCK), 및 테스트 모드 선택 신호(TMS)를 발생시켜 동작 형태를 결정한다.That is, the boundary scan circuit 100 is composed of an operation mode setting and an input / output circuit required for the mode. The test access port (TAP) controller 400 generates a test clock signal TCK and a test mode selection signal TMS to determine an operation type.

바운더리 스캔 레지스터(110)는 입력 테스트 데이터(TDI)를 시프트(shift)시켜 시리얼로 입력시키기 때문에, 바운더리 신호 단자들의 수와 같은 비트수가 필요하며, 바이패스 레지스터(120)는 바운더리 스캔 패스의 길이를 단축할 때 사용한다. 명령어 레지스터(130)는 바운더리 스캔 레지스터(110)가 수행할 기능에 대한 명령어를 포함하고 있다. 단락 테스트 명령어("Extest") 또는 정상동작 명령어("Sample/Preload")에 의하여 바운더리 스캔 레지스터(110)가 선택되고, 바이패스 명령어("Bypass")에 의하여 바이패스 레지스터(120)가 선택된다. Because the boundary scan register 110 inputs serially by shifting the input test data TDI, the number of bits equal to the number of boundary signal terminals is required, and the bypass register 120 determines the length of the boundary scan path. Used to shorten. The instruction register 130 includes instructions for a function to be performed by the boundary scan register 110. The boundary scan register 110 is selected by the short test command ("Extest") or the normal operation command ("Sample / Preload"), and the bypass register 120 is selected by the bypass command ("Bypass"). .

도 3은 도 2의 바운더리 스캔 레지스터(110)를 나타내는 블록도이다. 도 3을 참조하면, 상기 바운더리 스캔 레지스터(110)는, 제3 먹스 회로(111), 제1 D-플립플롭(112), 제2 D-플립플롭(113), 및 제4 먹스 회로(114)를 구비한다. 상기 바운더리 스캔 레지스터(110)는 바운더리 신호단자들과 연결되도록 신호 단자 바운더리에 배치된다.3 is a block diagram illustrating the boundary scan register 110 of FIG. 2. Referring to FIG. 3, the boundary scan register 110 may include a third mux circuit 111, a first D flip-flop 112, a second D flip-flop 113, and a fourth mux circuit 114. ). The boundary scan register 110 is disposed at the signal terminal boundary so as to be connected to the boundary signal terminals.

상기 제3 먹스 회로(111)는 제1 모드 신호(MODE1)의 제어를 받아 상기 입력 테스트 데이터(TDI) 또는 상기 시스템 신호를 선택적으로 출력한다. 상기 제1 D-플립플롭(112)은 상기 제3 먹스 회로(111) 출력을 한 클럭 래치시켜 상기 바운더리 신호 단자들에 인가될 신호로서 출력한다. 상기 제2 D-플립플롭(113)은 상기 제1 D-플립플롭(112) 출력을 한 클럭 래치시켜 출력한다. 상기 제4 먹스 회로(114)는 제3 모드 신호(MODE3)의 제어를 받아 상기 제2 D-플립플롭(113) 출력 또는 상기 시스템 신호를 선택적으로 출력한다. The third mux circuit 111 selectively outputs the input test data TDI or the system signal under the control of the first mode signal MODE1. The first D-flip-flop 112 latches the output of the third mux circuit 111 by one clock and outputs it as a signal to be applied to the boundary signal terminals. The second D flip-flop 113 latches the output of the first D flip-flop 112 by one clock. The fourth mux circuit 114 selectively outputs the second D-flip-flop 113 or the system signal under the control of the third mode signal MODE3.

단락시험 명령어("Extest")에 따라 바운더리 스캔 테스트가 시작되고, 상기 바운더리 스캔 레지스터(110)는 도 3에 도시된 바와 같이, 쉬프트(Shift) 부분과 홀드(Hold) 부분으로 이루어져 있다. 상기 제3 먹스 회로(111)는 코아(200)와 메모리(300)의 시스템을 통해 출력되는 시스템 신호와 입력 테스트 데이터(TDI)로부터 입력을 받아서, 쉬프트(Shift)/홀드(Hold)를 제어하는 제1 모드 신호(MODE1)에 의하여 어느 하나를 선택한다. 선택된 데이터는 제1 D플립플롭(112)의 클럭에 의하여 시프트되고, 제1 D플립플롭(112)에서 출력되는 데이터는 제2 D플립플롭(113)의 입 력으로 간다. 제4 먹스 회로(114)의 입력은 시스템 신호와 제2 D-플립플롭(113)의 출력 데이터이며, 코아(200)와 메모리(300)의 정상(Normal) 동작 상태인 경우에는 제3 모드 신호(MODE)에 의하여 시스템 신호를 선택하며, 코아(200)와 메모리(300)의 바운더리 스캔 테스트인 경우에는 제3 모드 신호(MODE1)에 의하여 제2 D플립플롭(113)의 출력을 선택한다. A boundary scan test is started according to a short test command (“Extest”), and the boundary scan register 110 includes a shift part and a hold part as shown in FIG. 3. The third mux circuit 111 receives an input from a system signal and input test data (TDI) output through the system of the core 200 and the memory 300, and controls the shift / hold. Any one is selected by the first mode signal MODE1. The selected data is shifted by the clock of the first D flip-flop 112, and the data output from the first D flip-flop 112 goes to the input of the second D flip-flop 113. The input of the fourth mux circuit 114 is the system data and the output data of the second D-flip-flop 113, and the third mode signal in the normal operation state of the core 200 and the memory 300. The system signal is selected by (MODE), and in the case of the boundary scan test of the core 200 and the memory 300, the output of the second D flip-flop 113 is selected by the third mode signal MODE1.

도 4는 메모리(300)에 대한 테스트를 위해 비교기(230)의 출력이 '0'일때 패턴 발생기에서 테스트 입력 패턴을 발생시키는 것을 도시한다.4 illustrates generating a test input pattern in the pattern generator when the output of the comparator 230 is '0' for testing the memory 300.

메모리 테스트 방법은 데이터 입력으로 0 또는 1을 입력하여 전체 메모리 셀에 데이터를 쓴(401, 403) 후 전체 메모리 셀을 읽어(402, 404) 고착형 불량을 검출하는 단계와, 어드레스를 순차적으로 변화시키며 입력을 1에서 0으로 또는 0에서 1로 변화(405, 406)시켜 한 개의 메모리 셀에 데이터를 쓴 후 해당 셀을 읽어 천이불량을 검출하는 불량을 검출하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다. 메모리에 불량이 발생하면 비교기(230) 출력이 '1'이 되는데, 이 출력은 패턴 발생기(500)에 인가되어 데이터 패턴 발생을 중지시키며, 이때, 출력 먹스(240)는 어드레스를 출력하도록 제어되어 불량(fail)이 발생한 어드레스와 불량 종류를 알 수 있게 된다.The memory test method includes writing data to all memory cells by inputting 0 or 1 as data input (401, 403), and then reading the entire memory cell (402, 404) to detect stuck defects, and sequentially changing addresses. And changing the input from 1 to 0 or from 0 to 1 (405, 406) to write data in one memory cell, and then reading a corresponding cell to detect a defect that detects a transition defect. When a defect occurs in the memory, the output of the comparator 230 becomes '1', and this output is applied to the pattern generator 500 to stop data pattern generation. In this case, the output mux 240 is controlled to output an address. It is possible to know the address where the failure occurred and the type of failure.

상기 과정을 다시 한번 정리하자면, '0'또는 '1'로 단일화된 테스트 패턴 또는 모자이크된 제1 패턴을 메모리 셀에 기록한 후 그 독출값을 검증하는 고착형 불량을 검출하는 과정; 및 상기 제1 패턴을 반전시킨 제2 패턴을 메모리 셀에 기록한 후 그 독출값을 검증하는 천이 불량을 검출하는 과정으로 이루어진다.In summary, the method may further include: detecting a fixed defect that records a test pattern or a mosaic pattern united as '0' or '1' in a memory cell and then verifies a read value thereof; And writing a second pattern inverting the first pattern into a memory cell and detecting a transition failure to verify the read value.

또한, 본 실시예에 따른 상기 스캔 시험회로(600)를 다음과 같이 메모리 주변의 어드레스 또는 데이터 입/출력 버퍼를 테스트하도록 구현할 수도 있다. 하기는 메모리 주변 버퍼들 중 플립플롭으로 구성되는 어드레스 및 데이터 입력 버퍼(610, 620)를 테스트하도록 구현한 것에 대한 동작 설명이다.In addition, the scan test circuit 600 according to the present embodiment may be implemented to test an address or data input / output buffer around a memory as follows. The following is an operation description of an implementation to test the address and data input buffers 610 and 620 configured of flip-flops among the memory peripheral buffers.

데이터 플립플롭(610)은 SE가 '0'인 경우에는 코아에서 발생하는 정상적인 데이터를 선택하며, SE가 '1'인 경우에는 스캔 입력(SI)을 선택한다. 또한, SE가 '1'인 경우, 데이터 플립플롭(610)의 출력이 어드레스 플립플롭(620)의 입력으로 연결되며, 출력 먹스(240)에서 상기 어드레스 플립플롭의 출력을 선택하여, DO단자의 출력으로 불량 여부를 알 수 있다. 즉, 도시한 구조는 복수개의 버퍼에 대한 스캔 입력 데이터(SI)가 하나의 버퍼에만 입력되고, 나머지 버퍼는 다른 버퍼의 출력으로 대신하도록 하며, 마지막으로 입력된 버퍼의 출력값만을 검증하는 방식을 가진다. 이는 검출된 불량(fail)이 어느 버퍼에서 발생되었는가를 인지하는데 다소 복잡하지만, 간단한 구조로 다수의 버퍼에 대한 불량 검증 테스트를 신속하게 수행하게 하는 장점이 있다. 도 1의 구조와는 달리, 각 버퍼(610, 620)에 스캔 입력 데이터(SI)를 인가하고, 각 버퍼(610, 620)의 출력을 각각 DO로 출력하도록 구현할 수도 있다.The data flip-flop 610 selects normal data generated in the core when the SE is '0', and selects the scan input SI when the SE is '1'. In addition, when SE is '1', the output of the data flip-flop 610 is connected to the input of the address flip-flop 620, the output mux 240 selects the output of the address flip-flop, the DO terminal The output indicates whether there is a defect. That is, the illustrated structure allows scan input data (SI) for a plurality of buffers to be input to only one buffer, and replaces the remaining buffers with the outputs of the other buffers, and has a method of verifying only the output values of the last input buffer. . This is somewhat complicated to recognize in which buffer the detected failure has occurred, but has the advantage of allowing a quick verification test for a plurality of buffers with a simple structure. Unlike the structure of FIG. 1, scan input data SI may be applied to each of the buffers 610 and 620, and outputs of the respective buffers 610 and 620 may be output as DOs.

상기 메모리에 대한 스캔 테스트시 사용되는 패턴 발생기(500)는, 스캔 테스트 명령 및 테스트 패턴 데이터(SI)를 입력받는 논리소자 블록; 및 상기 논리소자 블록의 출력을 소정 클럭에 동기시켜 출력하는 D 플립플롭을 구비하도록 구현할 수 있다. 직렬 입력되는 소정의 패턴 데이터를 어드레스를 순차적으로 증가시켜가면서 메모리에 기록하는 방식의 테스트 패턴 발생회로는 당업계에 다양한 구현이 제시되어 있으므로 자세한 설명을 생략한다.The pattern generator 500 used in a scan test of the memory may include a logic element block configured to receive a scan test command and test pattern data SI; And a D flip-flop for outputting the output of the logic element block in synchronization with a predetermined clock. Test pattern generation circuits in which predetermined pattern data inputted in series are sequentially written in a memory while increasing addresses are omitted in the art because various implementations are presented in the art.

위에서 기술한 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 집적회로 장치(700)는, 입력 테스트 데이터(TDI)를 인가하는 바운더리 스캔 회로를 이용하여 SoC 내부의 코아와 메모리 각 신호 단자들의 단락 여부를 테스트하고, 패턴 발생기에서 어드레스와 데이터를 입력하여 내부 메모리(300)의 불량 여부를 테스트하며, 메모리 주변 회로를 스캔 테스트회로(600)를 이용하여 테스트하여, 그 테스트 결과로서 외부의 최소 핀으로 출력되는 신호(DO)로부터 SoC 집적회로 장치(700)의 양호/불량 판단을 할 수 있다.As described above, the integrated circuit device 700 according to an embodiment of the present invention uses a boundary scan circuit to apply input test data (TDI) to determine whether the core and memory signal terminals of the SoC are shorted. A test is performed to test whether the internal memory 300 is defective by inputting an address and data from the pattern generator. The memory peripheral circuit is tested using the scan test circuit 600 and output to the external minimum pin as a test result. It is possible to determine whether the SoC integrated circuit device 700 is good or bad from the signal DO.

이상에서와 같이 도면과 명세서에서 최적 실시예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.As described above, optimal embodiments have been disclosed in the drawings and the specification. Although specific terms have been used herein, they are used only for the purpose of describing the present invention and are not used to limit the scope of the present invention as defined in the meaning or claims. Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible from this. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

본 발명에 따른 집적회로 장치는, 바운더리 스캔으로 SoC 내부 코아와 메모리 각 신호 단자의 단락 여부에 대한 테스트와 데이터 패턴을 입력시켜서, 내부 메모리의 정상 동작 여부, 불량 형태 및 불량 지점을 알 수 있다. 스캔 테스트 방식으로 주변 회로의 불량을 용이하게 검출하며, 빠른 시간에 SoC 집적회로 장치의 양호/불량, 불량 형태, 불량 지점 등의 정확한 판단이 가능하며 불량 검출률을 높이는 효과가 있다.The integrated circuit device according to the present invention inputs a test and a data pattern for whether a SoC internal core and a memory signal terminal are short-circuited by a boundary scan, so that the internal memory can be normally operated, a bad shape, and a bad point. The scan test method detects defects in peripheral circuits easily, and it is possible to accurately determine whether the SoC integrated circuit device is good or bad, a bad shape, a bad spot, etc. and improve the defect detection rate.

Claims (10)

코아 및 메모리;Core and memory; 상기 메모리의 어드레스 입력 경로를 선택하기 위한 어드레스 먹스;An address mux for selecting an address input path of the memory; 상기 메모리의 데이터 입력 경로를 선택하기 위한 데이터 먹스;A data mux for selecting a data input path of the memory; 메모리 테스트 중에 상기 메모리의 독출값 및 상기 데이터 먹스의 출력값을 비교하기 위한 비교기;A comparator for comparing a read value of the memory and an output value of the data mux during a memory test; 외부 단자로 상기 메모리의 독출값 또는 상기 어드레스 먹스의 출력값을 선택적으로 출력하기 위한 출력 먹스; 및An output mux for selectively outputting a read value of the memory or an output value of the address mux to an external terminal; And 상기 어드레스 먹스에 순차적으로 증가하는 어드레스를 전송하면서, 입력 받은 테스트 패턴을 직렬로 상기 데이터 먹스에 전송하며, 상기 비교기의 비교 결과값에 따라 동작을 정지하는 패턴 발생기A pattern generator which transmits an input test pattern to the data mux in serial while transmitting an address sequentially increasing to the address mux, and stops the operation according to the comparison result of the comparator. 를 포함하는 집적회로 장치.Integrated circuit device comprising a. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 테스트 동작의 동기를 맞추기 위한 테스트 클럭 및 테스트 명령들을 생성하기 위한 테스트 콘트롤러를 더 포함하는 집적회로 장치.And a test controller for generating test clocks and test instructions for synchronizing test operations. 제1항에 있어서, 상기 테스트 패턴은,The method of claim 1, wherein the test pattern, '0'또는 '1'로 단일화된 테스트 패턴 또는 모자이크된 패턴으로서, 상기 메 모리의 고착형 불량을 검출하기 위한 제1 패턴; 및A test pattern or mosaic pattern unified with '0' or '1', comprising: a first pattern for detecting stuck failure of the memory; And 상기 제1 패턴을 반전시킨 패턴으로서, 상기 메모리의 천이 불량을 검출하기 위한 제2 패턴A second pattern for detecting a defect in the memory as a pattern in which the first pattern is inverted; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 집접회로 장치.Integrated circuit device comprising a. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 3, 바운더리 신호 단자들에 대한 단락여부를 테스트하여 그 결과값을 상기 출력 먹스로 전달하기 위한 바운더리 스캔 회로를 더 포함하는 집적회로 장치.And a boundary scan circuit for testing whether or not there is a short circuit to boundary signal terminals and transferring a result value to the output mux. 코아 및 메모리;Core and memory; 상기 메모리로 입/출력되는 데이터 및 어드레스를 일시 저장하기 위한 메모리 입/출력 버퍼; A memory input / output buffer for temporarily storing data and addresses input / output into the memory; 상기 입/출력 버퍼에 대한 테스트 데이터 및 테스트 명령을 생성하기 위한 테스트 콘트롤러; 및A test controller for generating test data and a test command for the input / output buffer; And 외부 단자로 상기 메모리의 독출값 또는 상기 메모리 입/출력 버퍼의 출력값을 선택적으로 출력하기 위한 출력 먹스Output mux for selectively outputting the read value of the memory or the output value of the memory input / output buffer to an external terminal 를 포함하는 집적회로 장치.Integrated circuit device comprising a. 제5항에 있어서, 상기 메모리 입/출력 버퍼는,The method of claim 5, wherein the memory input / output buffer, 상기 코아에서 엑세스 할 지점의 메모리 어드레스를 일시 저장하기 위한 어 드레스 버퍼; 및 An address buffer for temporarily storing a memory address of a point to be accessed in the core; And 상기 코아에서 상기 메모리에 기록할 데이터를 일시 저장하기 위한 데이터 버퍼A data buffer for temporarily storing data to be written to the memory in the core 를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 장치.Integrated circuit device comprising a. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 바운더리 신호 단자들에 대한 단락여부를 테스트하여 그 결과값을 상기 출력 먹스로 전달하기 위한 바운더리 스캔 회로를 더 포함하는 집적회로 장치.And a boundary scan circuit for testing whether or not there is a short circuit to boundary signal terminals and transferring a result value to the output mux. 제5항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 5 to 7, 상기 메모리의 어드레스 입력 경로를 선택하기 위한 어드레스 먹스;An address mux for selecting an address input path of the memory; 상기 메모리의 데이터 입력 경로를 선택하기 위한 데이터 먹스;A data mux for selecting a data input path of the memory; 메모리 테스트 중에 상기 메모리의 독출값 및 상기 데이터 먹스의 출력값을 비교하기 위한 비교기;A comparator for comparing a read value of the memory and an output value of the data mux during a memory test; 상기 어드레스 먹스에 순차적으로 증가하는 어드레스를 전송하면서, 입력 받은 테스트 패턴을 직렬로 상기 데이터 먹스에 전송하며, 상기 비교기의 비교 결과값에 따라 동작을 정지하는 패턴 발생기A pattern generator which transmits an input test pattern to the data mux in serial while transmitting an address sequentially increasing to the address mux, and stops the operation according to the comparison result of the comparator. 를 더 포함하는 집적회로 장치.Integrated circuit device further comprising. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 출력 먹스는, 외부 단자로 상기 메모리의 독출값, 상기 어드레스 먹스의 출력값 또는 상기 메모리 입/출력 버퍼의 출력값을 선택적으로 출력하고, The output mux selectively outputs a read value of the memory, an output value of the address mux, or an output value of the memory input / output buffer to an external terminal, 상기 테스트 콘트롤러는, 상기 테스트 동작의 동기를 맞추기 위한 테스트 클럭, 입/출력 버퍼에 대한 테스트 데이터 및 테스트하려는 대상을 지정하기 위한 테스트 명령을 생성하는 것을 특징으로 하는 집적회로 장치.And the test controller generates a test clock for designating a test clock for synchronizing the test operation, test data for an input / output buffer, and a target to be tested. 제8항에 있어서, 상기 테스트 패턴은,The method of claim 8, wherein the test pattern, '0'또는 '1'로 단일화된 테스트 패턴 또는 모자이크된 패턴으로서, 상기 메모리의 고착형 불량을 검출하기 위한 제1 패턴; 및A test pattern or mosaic pattern unified with '0' or '1', comprising: a first pattern for detecting a fixed failure of the memory; And 상기 제1 패턴을 반전시킨 패턴으로서, 상기 메모리의 천이 불량을 검출하기 위한 제2 패턴A second pattern for detecting a defect in the memory as a pattern in which the first pattern is inverted; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 장치.Integrated circuit device comprising a.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100213230B1 (en) 1997-01-29 1999-08-02 윤종용 Test method for core and embedded memory circuit
US7313739B2 (en) * 2002-12-31 2007-12-25 Analog Devices, Inc. Method and apparatus for testing embedded cores

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8966331B2 (en) 2012-06-28 2015-02-24 SK Hynix Inc. Test circuit of semiconductor memory apparatus and semiconductor memory system including the same

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