KR20070060196A - 백색 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

백색 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20070060196A
KR20070060196A KR1020050119217A KR20050119217A KR20070060196A KR 20070060196 A KR20070060196 A KR 20070060196A KR 1020050119217 A KR1020050119217 A KR 1020050119217A KR 20050119217 A KR20050119217 A KR 20050119217A KR 20070060196 A KR20070060196 A KR 20070060196A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting layer
layer
blue light
electrode
Prior art date
Application number
KR1020050119217A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100752620B1 (ko
Inventor
추혜용
이정익
양용석
박상희
황치선
정승묵
강광용
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to KR1020050119217A priority Critical patent/KR100752620B1/ko
Publication of KR20070060196A publication Critical patent/KR20070060196A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100752620B1 publication Critical patent/KR100752620B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/20Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the material in which the electroluminescent material is embedded
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Abstract

본 발명은 백색 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 백색 유기 전계 발광 소자는 기판 상에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되는 제1 청색 발광층; 상기 제1 청색 발광층 상에 형성되는 적색 발광층; 상기 적색 발광층 상에 형성되는 제2 청색 발광층; 및 상기 제2 청색 발광층 상에 형성되는 제2 전극을 포함한다. 이에 따라, 순도가 높은 백색 발광 특성을 얻을 수 있으며, 단순한 공정에 의해 양산성이 좋다.
백색 발광, 제1 청색 발광층, 제2 청색 발광층, 적색 발광층

Description

백색 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법{The White Organic Emitting Device and The Method of Manufacturing The Same}
도 1a는 종래 기술에 따른 삼파장 백색 유기 전계 발광 소자의 구조이고, 도 1b는 도 1a의 발광 특성이다.
도 2a는 종래 기술에 따른 이파장 백색 유기 전계 발광 소자의 구조이고, 도 2b는 도 2a의 발광 특성이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 백색 유기 전계 발광 소자의 개략적인 적층구조이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 백색 유기 전계 발광 소자의 개략적인 적층구조이다.
도 5a 내지 도 5c는 전술한 실시 예에 따른 유기 전계 발광 소자의 발광 특성 그래프이다.
* 주요 구성 요소에 대한 도면 부호*
31, 41: 기판 32, 42: 제1 전극
33, 43: 정공주입층 34, 44: 정공 수송층
35, 45: 발광층 35a, 45a: 제1 청색 발광층
35b, 45b: 적색 발광층 35c, 45c: 제2 청색 발광층
36, 47: 전자 수송층 37, 48: 전자 주입층
38, 49: 제2 전극 46: 정공 장벽층
본 발명은 백색 유기 전계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 간단한 공정을 이용하여 색순도를 향상시키고 효율이 좋은 백색 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 디스플레이 산업은 박막을 이용한 소형 경량화 및 박막화를 추구할 뿐 아니라 고해상도를 요구하며 발전하고 있다. 이러한 요구에 발맞추어 유리기판을 이용하여 LCD나 유기 전계 발광 특성을 이용하던 디스플레이장치들이 플라스틱 또는 금속박막 등을 기판으로 이용하여 소형경량화 및 박막화를 구현하려는 연구가 진행되고 있다. 차세대 플라스틱 디스플레이의 구현을 위해서는 현존하는 소자 제작 기술 중에 유기 전계 발광 소자 기술이 가장 현실성이 있는 것으로 주목을 받고 있으며, 이에 대한 연구가 집중적으로 이루어지고 있다.
도 1a는 종래 기술에 따른 삼파장 백색 유기 전계 발광 소자의 구조이고, 도 1b는 도 1a의 발광 특성이다. 도 2a는 종래 기술에 따른 이파장 백색 유기 전계 발광 소자의 구조이고, 도 2b는 도 2a의 발광 특성이다. 도면을 참조하면, 백색 유기 전계 발광 소자(10, 20)는 기판(11, 21) 상에 제1 전극(12, 22), 정공 주입층(13, 23), 정공 수송층(14, 24), 발광층(15, 25), 정공 장벽층(16, 26), 전자 수송층(17, 27), 전자 주입층(18, 28) 및 제2 전극(19, 29)를 포함한다. 도 1a를 참조하면, 발광층(15)은 청색발광층(15a), 녹색발광층(15b), 적색발광층(15c)를 포함하며, 발광층(25)는 청색발광층(25a), 주황색발광층(25b)를 포함한다. 유기물을 소재로 하는 유기 전계 발광 소자(10, 20)의 동작원리는 발광특성을 갖는 발광층(15, 25)의 양단에 형성된 양 전극(12,22;19,29)에 전류 혹은 전압을 인가하여 발광 특성을 도출한다. 유기 전계 발광 소자는 발광층을 구성하는 물질의 종류에 따라 다양한 색상으로 구현할 수 있다.
특히, 백색발광특성을 갖는 유기 전계 발광소자를 제작하기 위해서는 발광층으로 빛의 삼원색인 적색(red: R), 녹색(green: G), 청색(blue: B)의 발광특성을 갖는 발광물질을 적층하거나 상호 보색 관계를 갖는 발광물질을 적층한다. 일반적으로 삼원색의 발광층(R, G, B)을 적층하는 삼파장 백색 유기 전계 발광 소자는 색순도는 우수하지만, 다수의 발광층을 적층해야 하기 때문에 제작과 제작에 따른 색제어가 용이하지 않으며(도 1b 참조), 발광효율이 낮다는 단점이 있다. 또한, 삼파장 백색 유기 전계 발광 소자 중 적색, 녹색, 청색을 직접 적층하는 경우에는 에너지 전위에 의하여 인가전류나 시간에 따라 색 안정성이 떨어진다(도 2b 참조)는 단점이 있다. 이를 해소하기 위해 발광층 사이에 장벽층을 삽입하여 색 안정성을 높일 수 있으나, 이 경우에는 구조가 더 복잡해져서 제작성이 떨어진다는 문제점이 있다.
반면, 상호 보색 관계를 갖는 발광소재를 적층하는 이파장 백색 유기 전계 발광소자의 발광층은, 예를 들면, 하늘색과 적색 또는 청색과 오렌지색 등의 조합으로 형성된다. 이파장 백색 유기 전계 발광소자는 삼파장 백색 유기 전계 발광소자에 비해 제작이 용이하고 효율이 높다는 장점이 있지만, 녹색이 적색 및 청색에 비하여 낮은 발광특성을 보이므로 색재현성이 좋지 않으므로 디스플레이 조명 등 높은 색순도 및 색재현성을 요구하는 응용 분야에서는 적용이 어렵다는 단점이 있다.
또한, 기존의 이파장 또는 삼파장 백색 유기 전계 발광 소자 제작시 발광층에 도핑을 행함으로써 색재현 범위를 넓게 하는 방법을 이용하는데, 이때 발광층의 도핑 농도에 따라 색변화가 심하기 때문에 백색 유기 전계 발광소자의 제작에 있어서는 도핑 제어가 중요한 팩터이다. 구체적으로, 발광층의 색순도를 높이고 공정성을 높이기 위해서 적색 발광 소재의 도핑 농도를 증가시켜야 하는데, 일반적으로 도핑 농도가 높으면 발광효율이 감소하고, 적색 도펀트에서 이웃하는 발광층으로 에너지 전이가 발생하여 백색 특성을 얻기가 용이하지 않으며, 또한 시간이 흐름에 따라 색재현성이 떨어진다는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 문제점들을 해결하기 위해 고안된 발명으로, 본 발명의 목적은 적색 발광 소재가 도핑된 적색 발광층을 청색 발광층 사이에 형성함으로써, 순도를 향상시킨 백색 유기 전계 발광 소자를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 적색 발광층에 도핑을 수행하는 것만으로 생산성이향상된 백색 유기 전계 발광 소자를 제공하기 위한 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일측면에 따르면, 백색 유기 전계 발광소자는 기판 상에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되는 제1 청색 발광층; 상기 제1 청색 발광층 상에 형성되는 적색 발광층; 상기 적색 발광층 상에 형성되는 제2 청색 발광층; 및 상기 제2 청색 발광층 상에 형성되는 제2 전극을 포함한다.
바람직하게, 상기 제1 전극 상에 형성되는 정공 주입층, 상기 정공 주입층 상에 형성되며, 상기 제1 청색 발광층 하부에 형성되는 정공 수송층, 상기 제2 청색 발광층 상에 형성되는 전자 수송층 및 상기 전자 수송층 상에 형성되며 상기 제2 전극 하부에 형성되는 전자 주입층을 더 포함한다. 상기 제2 청색 발광층과 상기 전자 수송층 사이에 형성되는 정공장벽층을 더 포함한다. 상기 정공 장벽층의 두께 범위는 1nm ~ 5nm 이다. 상기 적색발광층은 청색 발광 재료를 호스트로 이용하여 적색 발광 특성을 내는 적색 도펀트를 도핑하여 형성된다. 상기 적색 발광층에 사용되는 상기 청색 발광 재료는 상기 제1 및 제2 청색 발광층에 사용된 재료와 동일하다. 상기 적색 발광층에 사용되는 상기 도판트의 농도는 상기 호스트의 2 ~ 10% 질량비로 한다. 상기 적색 발광층의 두께 범위는 0.5nm ~ 10nm이다. 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나의 전극은 투명성을 된다.
한편, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 정공 주입층을 형성하는 단계; 상기 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계; 상기 정공 수송층 상에 제1 청색 발광층을 형성하는 단계; 상기 제1 청색 발광층 상에 적색 발광층을 형성하는 단계; 상기 적색 발광층 상에 제2 청색 발광층을 형성하는 단계; 상기 제2 청색 발광층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 상기 전자 수송층 상에 전자 주입층을 형성하는 단계 및 상기 전자 주입층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
바람직하게, 상기 제2 청색 발광층과 상기 전자 수송층 사이에 정공 장벽층을 형성하는 단계를 더 포함한다. 상기 정공 장벽층의 두께는 1 ~ 5nm이다. 상기 적색 발광층을 형성하는 단계에서는 청색 발광 재료를 호스트로 이용하여 적색 발광 특성을 낼 수 있는 적색 도판트를 도핑하여 형성한다. 상기 적색 발광층을 형성하는 단계에서 상기 적색 발광층에 사용되는 상기 도판트의 농도는 상기 호스트의 2 ~ 10%질량비이다. 상기 적색 발광층을 형성하는 단계에서 상기 적색 발광층의 두께 범위는 0.5nm ~ 10nm이다. 상기 제1 전극을 형성하는 단계 및 상기 제2 전극을 형성하는 단계에서 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나를 투명 전극으로 형성한다.
이하에서는 본 발명의 실시 예를 도시한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 백색 유기 전계 발광 소자를 구체적으로 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 백색 유기 전계 발광 소자의 개략적인 적층구조이다. 도 3을 참조하면, 백색 유기 전계 발광 소자(30)는 기판(31), 기판(31) 상에 형성되는 제1 전극(32), 정공주입층(33), 정공수송층(34), 발광층(35), 전자수송층(36), 전자주입층(37) 및 제2 전극(39)을 포함한다. 발광층(35)은 제1 청색 발광층(35a), 적색 발광층(35b) 및 제2 청색 발광층(35c)을 포함하다.
상기한 구성의 백색 유기 전계 발광소자(30)를 제조하기 위해서는, 우선, 기판(31)을 준비한다. 기판(31)은 투명성을 띠는 유리 기판 또는 플라스틱 기판 등을 이용한다. 기판(31) 상에는 제1 전극(32)이 형성된다. 제1 전극(31) 역시 투명성을 띠며, 도전성 금속산화물을 많이 이용한다. 기판(31) 상에 증착된 제1 전극(32)은 추후 형성될 발광층(35)의 형태에 따라 패터닝된다.
제1 전극(32) 상에는 제1 전극(32)으로부터의 정공 주입 특성을 향상시키기 위한 정공 주입층(33)이 형성된다. 정공 주입층(33) 상에는 정공 주입층(33)에 주입된 정공을 효율적으로 이동시키기 위한 정공 수송층(34)이 형성된다. 정공 주입층(33) 상부에는 백색을 발현시키기 위한 다층 구조의 발광층(35)이 형성되는데, 구체적으로, 정공주입층(33) 상에는 제1 청색 발광층(35a)이 형성된다. 제1 청색발광층(35a)의 대표적인 재료는 호스트는 DPVBi, NPB 등이고, 도판트는 DSA-amine, Perylene 등이다.
제1 청색 발광층(35a) 상에는 적색 발광층(35b)이 형성되고, 적색 발광층(35b) 상에는 제2 청색 발광층(35c)이 형성된다. 적색 발광층(35b)은 청색 발광 층에 사용된 소재를 호스트로 하여 적색 발광 특성을 낼 수 있는 적색 도펀트를 도핑하여 형성된다. 이때, 적색 발광층(35b)에 도핑되는 적색 도펀트는 2 내지 10 중량% 범위에서 선택하여 도핑하며, 두께는 일반적으로, 0.5 내지 10nm 범위로 형성한다. 전술한 도핑 농도 및 적색 발광층(35b)의 두께를 선택할 때는 색순도의 저하를 염두에 두고 적절하게 선택한다. 구체적으로, 적색 발광층(35b)에 적색 도펀트를 고농도로 도핑하는 경우에는 유기 전계 발광 소자의 효율이 감소하며, 적색보다 높은 에너지 갭을 갖는 이웃하는 발광층(35a, 35c)으로부터 에너지 전이가 발생하여 적색 발광 특성이 강화되기 때문에, 색순도가 떨어질 수 있다. 이에 따라, 이를 극복하기 위해, 적색 도펀트의 도핑 농도는 높이고 발광층(35) 전체 두께에 비해 적색 발광층(35b)의 두께를 상대적으로 감소시켜, 적색 발광층(35b) 및 인접한 다른 발광층(35a, 35c)으로의 에너지 전이에 의해 발생하는 적색 광량을 제어한다.
그 다음, 적색 발광층(35b) 상에는 제2 청색 발광층(35c)을 형성한다. 제2 청색 발광층(35b)의 대표적인 재료는 호스트는 DPVBi, NPB 등이고, 도판트는 DSA-amine, Perylene 등이다. 발광층(35)의 두께는 제1 청색 발광층(35a), 적색 발광층(35b) 및 제2 청색 발광층(35c)를 합하여 20nm 에서 100nm로 형성할 수 있다. 발광층(35)의 두께가 20nm이고, 적색 발광층이 1nm인 경우에는 제1 및 제2 청색 발광층(35a, 35b) 중 어느 하나의 두께와 적색 발광층(35b)의 두께를 제외한 나머지 두께가 다른 하나의 청색 발광층 두께가 된다. 예를 들면, 제1 청색발광층(Xnm)/적색 발광층(1nm)/제2 청색 발광층(20-X-1nm)이다. 청색 발광층과 적색발광층의 효율 비에 따라 임의의 두께로 적색 발광층을 도입할 수 있다. 제1 청색 발광층(35a) 및 상기 제2 청색 발광층(35c)은 전술한 재료들 중에서 선택하여 형성할 수 있으며, 이때, 두 층 모두를 동일한 재료를 이용할 수도 있고, 각각 다른 재료를 이용하여 형성할 수 있다.
제2 청색 발광층(35c) 상에는 전자 수송층(36)이 형성된다. 전자 수송층(36) 상에는 전자 주입층(37)이 형성되고, 전자 주입층(37) 상에는 제2 전극(38)이 형성된다. 제1 전극(31)과 제2 전극(38)은 투명전극으로 형성할 수 있으며, 제1 전극(31)을 투명 전극으로 형성하는 경우에는 제2 전극(38)을 불투명 전극으로 형성하여 배면 발광 구조로 제작할 수 있다. 제1 전극(31)을 불투명 전극으로 형성하고, 제2 전극(39)을 투명 전극으로 형성하는 경우는 전면 발광 구조이다. 한편, 제1 전극(31) 및 제2 전극(39) 모두를 투명 전극으로 형성하는 경우는 양면 발광가능한 양면 발광 구조이다. 이상, 전술한 제조공정을 통해 백색 유기 전계 발광소자(30)가 제작된다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 백색 유기 전계 발광 소자의 개략적인 적층구조이다. 도 4를 참조하면, 백색 유기 전계 발광소자(40)는 기판(41), 기판(41) 상에 형성되는 제1 전극(42), 정공 주입층(43), 정공 수송층(44), 발광층(45), 정공 장벽층(46), 전자 수송층(47), 전자 주입층(48) 및 제2 전극(49)을 포 함한다. 이하에서는, 본 실시 예의 특징적인 구성요소인 발광층(45)과 정공장벽층(46)에 대해서만 구체적으로 설명하고, 그외의 다른 구성요소에 대한 설명은 도 3의 실시 예에 개시된 설명을 참조한다.
우선, 발광층(45)은 제1 청색 발광층(45a), 적색 발광층(45b) 및 제2 청색 발광층(45c)을 포함한다. 제1 청색 발광층(45a)의 대표적인 재료는 호스트는 DPVBi, NPB 등이고, 도판트는 DSA-amine, Perylene 등이다.
제1 청색 발광층(45a) 상에는 적색 발광층(45b)이 형성되고, 적색 발광층(45b) 상에는 제2 청색발광층(45c)이 형성된다. 적색 발광층(45b)은 청색 발광 소재를 호스트로 하여 적색 발광 특성을 낼 수 있는 적색 도펀트를 도핑하여 형성된다. 이때, 적색 발광층(45b)에 도핑되는 적색 도펀트는 2 내지 10 중량% 범위에서 선택하여 도핑하며, 두께는 0.5 내지 10nm 범위로 형성한다. 적색 도펀트를 고농도로 도핑하는 경우 도핑 농도 제어가 용이하기 때문에 공정을 단순하게 진행할 수 있다. 적색 도펀트를 고농도로 도핑하는 경우에는 소자의 효율이 감소하며, 적색보다 높은 에너지 갭을 갖는 이웃하는 발광층으로부터 에너지 전이가 발생하여 적색 발광 특성이 강화되기 때문에, 색순도가 좋은 백색 발광소자 특성을 도출하는 것이 용이하지 않다. 이에 따라, 백색 유기 전계 발광 소자(40)의 제작을 용이하게 하기 위해서는 적색 도펀트의 도핑농도를 높이되 발광층(45) 전체 두께에 비해 적색 발광층(45b)의 두께를 감소시켜 적색 발광층(45b) 및 인접한 다른 발광층으로의 에너지 전이에 의해 발생하는 적색 광량을 제어한다.
그 다음, 적색 발광층(45b) 상에는 제2 청색 발광층(45c)을 형성한다. 제2 청색 발광층의 대표적인 재료는 호스트는 DPVBi, NPB 등이고, 도판트는 DSA-amine, Perylene 등이다. 제 1 청색 발광층(45a)과 제 2 청색 발광층(45b)은 동일한 재료를 사용하거나 서로 다른 재료를 사용할 수 있다. 발광층(45)의 두께는 제1 청색 발광층(45a), 적색 발광층(45b) 및 제2 청색 발광층(45c)를 합하여 20nm에서 100nm로 형성할 수 있다.
예를 들면, 발광층(45)의 전체 두께가 20nm이고, 적색 발광층이 1nm인 경우에는 제1 및 제2 청색 발광층(35a, 35b) 중 어느 하나의 두께와 적색 발광층(35b)의 두께를 제외한 나머지 두께가 다른 하나의 청색 발광층 두께이다. 즉, 제1 청색발광층(X nm)/적색 발광층(1nm)/제2 청색 발광층(20-X-1 nm)이다. 청색 발광층과 적색 발광층의 효율 비에 따라 임의의 두께로 적색 발광층을 도입할 수 있다.
제2 청색 발광층(45c) 상에는 정공 장벽층(46)이 형성된다. 정공 장벽층(46)은 제1 전극(41)으로부터의 정공이 발광층 상부로 이동하는 것을 차단하여, 발광층의 색변화를 제어한다. 정공 장벽층(46)은 엑시톤이 발광층에서 전자수송층으로 포스터(forster) 에너지 전이가 가능하도록 하여 포스터 전이 반경보다 얇게 증착함으로써 전자 수송층에서 발광 특성을 얻을 수 있는 두께로 해야하는데, 본 실시 예에서는 1nm ~ 5nm의 두께로 형성한다.
도 5a 내지 도 5c는 전술한 실시 예에 따른 유기 전계 발광 소자의 발광 특성 그래프이다. 도 5를 참조하면, 가로축은 파장을 세로축은 표준 발광 세기를 나타내며, 백색 유기 전계 발광소자의 백색 발광 특성의 균일성을 확인하기 위해, 발 광층의 단위면적당 가해지는 전류량을 다르게 하는 실험을 진행하였다.
우선, 본 실험에서는 (a)단위면적당 2.5mA(㎃/㎠)를 인가하는 경우, (b)단위면적당 10mA(㎃/㎠)를 인가하는 경우, 및 (c)단위면적당 20mA(㎃/㎠)를 인가하는 경우에 따른 발광특성 그래프를 도출하였다. 그래프(a), 그래프(b), 및 그래프 (c)의 경우에는 모두, 동일한 파장에서 동일한 발광 세기를 나타내며, 동일한 색좌표(0.31, 0.31)를 나타낸다. 결과적으로, 전술한 방법을 이용하여 백색 유기 전계 발광 소자를 제작하는 경우에는, 전류밀도를 달리해도 색이 변하지 않을 정도로 매우 안정된 특성을 얻을 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 실시 예들을 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
이상, 전술에 따르면, 적색 도펀트가 고농도로 도핑된 적색 발광층을 청색 발광층 사이에 얇게 형성함으로써 적색과 청색의 색균형을 유지하여 순도 높은 백색의 발광 특성을 얻을 수 있다. 또한, 적색 발광층에 도핑하는 공정만으로, 순도 높은 백색 발광 특성을 얻을 수 있으므로, 공정이 단순해저 생산성을 향상시킬 수있다.

Claims (16)

  1. 기판 상에 형성되는 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 형성되는 제1 청색 발광층;
    상기 제1 청색 발광층 상에 형성되는 적색 발광층;
    상기 적색 발광층 상에 형성되는 제2 청색 발광층; 및
    상기 제2 청색 발광층 상에 형성되는 제2 전극
    을 포함하는 백색 유기 전계 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극 상에 형성되는 정공 주입층, 상기 정공 주입층 상에 형성되며, 상기 제1 청색 발광층 하부에 형성되는 정공 수송층, 상기 제2 청색 발광층 상에 형성되는 전자 수송층 및 상기 전자 수송층 상에 형성되며 상기 제2 전극 하부에 형성되는 전자 주입층을 더 포함하는 백색 유기 전계 발광 소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 청색 발광층과 상기 전자 수송층 사이에 형성되는 정공장벽층을 더 포함하는 백색 유기 전계 발광소자.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 청색 발광층 및 상기 제2 청색 발광층은 동일한 재료를 이용하여 형성하거나 또는 각각 다른 재료를 이용하여 형성하는 백색 유기 전계 발광 소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 적색 발광층은 상기 청색 발광 재료를 호스트로 이용하여 적색 발광 특성을 내는 적색 도펀트를 도핑하여 형성되는 백색 유기 전계 발광 소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 적색 발광층에 사용되는 상기 청색 발광 재료는 상기 제1 및 제2 청색 발광층에 사용된 재료 중 어느 하나와 동일한 백색 유기 전계 발광 소자.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 적색 발광층에 사용되는 상기 도판트의 농도는 상기 호스트의 2 ~ 10% 질량비로 하는 백색 유기 전계 발광 소자.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 적색 발광층의 두께 범위는 0.5nm ~ 10nm인 백색 유기 전계 발광소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나의 전극은 투명성을 띠는 백색 유기 전계 발광소자.
  10. 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 정공 주입층을 형성하는 단계;
    상기 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계;
    상기 정공 수송층 상에 제1 청색 발광층을 형성하는 단계;
    상기 제1 청색 발광층 상에 적색 발광층을 형성하는 단계;
    상기 적색 발광층 상에 제2 청색 발광층을 형성하는 단계;
    상기 제2 청색 발광층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계;
    상기 전자 수송층 상에 전자 주입층을 형성하는 단계
    상기 전자 주입층 상에 제2 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 백색 유기 전계 발광소자의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제2 청색 발광층과 상기 전자 수송층 사이에 정공 장벽층을 형성하는 단계를 더 포함하는 백색 유기 전계 발광소자의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 정공 장벽층의 두께는 1 ~ 5nm인 백색 유기 전계 발광소자의 제조방법.
  13. 제10항 또는 제11항에 있어서,
    상기 적색 발광층을 형성하는 단계에서는 청색 발광 재료를 호스트로 이용하여 적색 발광 특성을 낼 수 있는 적색 도판트를 도핑하여 형성하는 백색 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 적색 발광층을 형성하는 단계에서
    상기 적색 발광층에 사용되는 상기 도판트의 농도는 상기 호스트의 2 ~ 10% 질량비인 백색 유기 전계 발광소자의 제조방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 적색 발광층을 형성하는 단계에서
    상기 적색 발광층의 두께 범위는 0.5nm ~ 10nm인 백색 유기 전계 발광소자의 제조방법.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 제1 전극을 형성하는 단계 및 상기 제2 전극을 형성하는 단계에서 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나를 투명 전극으로 형성하는 백색 유기 전계 발광소자의 제조방법.
KR1020050119217A 2005-12-08 2005-12-08 백색 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 KR100752620B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050119217A KR100752620B1 (ko) 2005-12-08 2005-12-08 백색 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050119217A KR100752620B1 (ko) 2005-12-08 2005-12-08 백색 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070060196A true KR20070060196A (ko) 2007-06-13
KR100752620B1 KR100752620B1 (ko) 2007-08-29

Family

ID=38356242

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050119217A KR100752620B1 (ko) 2005-12-08 2005-12-08 백색 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100752620B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8120020B2 (en) 2008-12-26 2012-02-21 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting device
KR20200103616A (ko) * 2014-03-31 2020-09-02 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
KR20220024308A (ko) * 2014-12-17 2022-03-03 유니버셜 디스플레이 코포레이션 컬러 안정성 유기 발광 다이오드 스택

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100627867B1 (ko) * 2003-09-18 2006-09-25 학교법인 인하학원 고효율 3파장 백색 유기 전기 발광소자의 구조 및 제조방법
KR100594775B1 (ko) * 2003-12-22 2006-06-30 한국전자통신연구원 백색 유기발광소자
KR20060056954A (ko) * 2006-01-25 2006-05-25 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 백색계 유기 전기발광 소자

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8120020B2 (en) 2008-12-26 2012-02-21 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting device
KR20200103616A (ko) * 2014-03-31 2020-09-02 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
KR20210130686A (ko) * 2014-03-31 2021-11-01 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
KR20220163324A (ko) * 2014-03-31 2022-12-09 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
KR20220024308A (ko) * 2014-12-17 2022-03-03 유니버셜 디스플레이 코포레이션 컬러 안정성 유기 발광 다이오드 스택

Also Published As

Publication number Publication date
KR100752620B1 (ko) 2007-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10665638B2 (en) Array substrate, display device having the same, and manufacturing method thereof
KR102302644B1 (ko) 신규한 oled 디스플레이 구축
TWI527211B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
KR101074416B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
KR101786881B1 (ko) 백색 유기 발광 소자
CN108807493B (zh) 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置
WO2016123916A1 (zh) 一种显示基板及其制备方法和一种显示设备
JP2008028371A (ja) 有機発光装置
JP2007012623A (ja) 有機発光ダイオードおよびいくつかの有機発光ダイオードの配列
KR20120029096A (ko) 양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP2011048962A (ja) 有機el表示装置
KR20140018621A (ko) 유기 발광 장치
JPH11329745A (ja) 発光素子及び積層型表示素子
US10355053B2 (en) Organic light-emitting diode, display panel and display device
CN106856205B (zh) 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置
KR20120027294A (ko) 전기루미네선스 디바이스
KR100752620B1 (ko) 백색 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
JP2006269100A (ja) 表示装置
KR102009804B1 (ko) 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101262816B1 (ko) 발광 소자
KR101259532B1 (ko) 2종의 유기층을 이용하는 백색 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
KR101849583B1 (ko) 백색 유기 발광 표시 장치
KR20070101516A (ko) 백색 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
KR20160133505A (ko) 유기 발광 소자
KR100760901B1 (ko) 백색 유기 전계 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120730

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130729

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140728

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150820

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160922

Year of fee payment: 10