KR20070059515A - 아크 측정이 가능한 전자방출표시소자 및 아크 측정방법 - Google Patents

아크 측정이 가능한 전자방출표시소자 및 아크 측정방법 Download PDF

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KR20070059515A
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Abstract

본 발명의 목적은 전자방출표시소자의 아크의 발생을 쉽게 파악하여 결함이 있는 전자방출표시소자를 파악하도록 하는 아크 측정부를 포함하는 전자방출표시소자를 제공하는 것이다.
본 발명은 제 1 전극과 제 2 전극에 인가되는 전압에 의해 대응하여 전자가 방출되며 상기 방출된 전자가 부딪히도록 고전압으로 형성된 애노드 전극을 구비하는 화소부, 영상신호를 이용하여 데이터신호를 생성하여 상기 제 1 전극에 전달하는 데이터구동부, 주사신호를 생성하여 상기 제 2 전극에 전달하는 주사구동부, 상기 애노드 전극에 상기 고전압을 전달하는 전원공급부 및 상기 전원공급부와 상기 애노드 전극 간에 연결되어 상기 애노드 전극에 인가되는 전압변화를 이용하여 아크를 측정하는 아크측정부를 포함하는 아크 측정이 가능한 전자방출표시소자를 제공하는 것이다.

Description

아크 측정이 가능한 전자방출표시소자 및 아크 측정방법{ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE CAPABLE OF MEASURING ARC AND ARC MEASURING METHOD}
도 1은 종래 기술에 의한 전자방출표시소자를 나타내는 구조도이다.
도 2는 본 발명에 따른 전자방출표시소자의 구조도이다.
도 3은 도 2에 도시된 아크 측정부의 구조를 나타내는 구조도이다.
도 4는 애노드 전압을 나타내는 그래프이다.
***도면의 주요부분에 대한 부호설명***
100: 화소부 101: 화소
200: 데이터구동부 300: 주사구동부
400: 전원공급부 500: 아크측정부
510: 아크감지부 520: 카운터
530: 표시부
본 발명은 아크 측정장치 및 아크 측정방법에 관한 것으로, 더욱 상세히 설명하면, 전자방출표시소자에서 발생하는 아크를 측정하여 전자방출표시소자의 신뢰 성을 확보하도록 하는 아크 측정장치 및 아크 측정방법에 관한 것이다.
퍼스널 컴퓨터, 휴대전화기, PDA 등의 휴대 정보단말기 등의 표시장치나 각종 정보기기의 모니터로서 박형 경량의 평판 표시장치가 이용되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 패널을 이용한 LCD, 유기발광 소자를 이용한 유기발광 표시장치, 플라즈마 패널을 이용한 PDP, 전자방출소자를 이용한 전자방출표시소자 등이 알려져 있다.
평판 표시 소자는 구조적으로 액티브 매트릭스(Active Matrix)와 패시브 매트릭스(Passive Matrix)로 구분하는 방식과 발광 원리 측면에서 메모리 구동 방식과 비메모리 구동 방식으로 구분할 수 있다. 일반적으로 액티브 매트릭스 방식은 메모리 구동 방식과 의미가 통하며 패시브 매트릭스 방식은 비메모리 구동 방식과 의미가 통한다고 할 수 있다. 액티브 매트릭스방식과 메모리 구동 방식은 프레임 단위의 주기로 발광 하는 방식이고, 패시브 매트릭스 방식과 비메모리 구동방식은 라인(Line) 단위의 주기로 발광하는 방식이다.
현재 상용화되고 있는 중대형 평판 디스플레이에 대해서 살펴보면 TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)는 액티브 매트릭스 방식이고, 신규 표시 소자로 개발되어 지고 있는 OLED도 역시 액티브 방식이다. 반면에 신규 디스플레이 소자로서 전자방출표시소자(Electron Emission Display)는 패시브 매트릭스 방식으로서 타 평판소자와 달리 비메모리 구동 방식으로서 수평라인을 순차적으로 선택하면서 수평라인 중 선택된 라인이 선택되었을 때에만 발광하는 라인 스캔 방식을 적용한다. 즉, 일정한 듀티비(Duty ratio)를 가지고 구동하는 방식이다.
일반적으로, 전자방출소자(Electron Emission Device)는 전자원으로 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식이 있다. 냉음극을 이용하는 방식의 전자방출소자로는 FEA(Field Emitter Array)형, SCE(Surface Conduction Emitter)형, MIM(Metal-Insulator-Metal)형 및 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)형, BSE(Ballistic electron Surface Emitting)형 등이 알려져 있다.
FEA 형 전자 방출소자는 일 함수(Work Function)가 낮거나 β Function이 높은 물질을 전자 방출원으로 사용하여 진공 중에서 전계차에 의하여 전자가 방출되는 원리를 이용한 것으로 선단이 뾰족한 팁 구조물이나 탄소계 물질 또는 나노물질을 전자 방출원을 적용한 소자가 개발되고 있다.
SCE 형 전자 방출소자는 기판 상에 서로 마주보며 배치된 2개의 전극 사이에 도전 박막을 제공하고 상기 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출부를 형성한 소자이다. 상기 소자는 전극에 전압을 인가하여 도전 박막 표면으로 전류를 흘려 상기 미세 갭인 전자 방출부로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.
MIM 형과 MIS형 전자방출소자는 각각 금속-유전층-금속(MIM)과 금속-유전층-반도체 구조로 이루어진 전자 방출부를 형성하고, 유전층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때 높은 전자 전위를 갖는 금속 또는 반도체로부터 낮은 전자 전위를 갖는 금속쪽으로 전자가 이동 및 가속되면서 방출되는 원리를 이용한 소자이다.
BSE 형 전자 방출소자는 반도체의 사이즈를 반도체 중의 전자의 평균자유행정 보다 작은 치수 영역까지 축소하면 전자가 산란하지 않고 주행하는 원리를 이용 하여 오믹 전극 상에 금속 또는 반도체로 이루어지는 전자공급층을 형성하고, 전자공급층위에 절연층과 금속박막을 형성하여 오믹전극과 금속박막에 전원을 인가하는 것에 의하여 전자가 방출되도록 한 소자이다.
이와 같은 전자 방출 소자는 CRT(Cathode-Ray Tube)와 마찬가지로 캐소드 전극선 발광에 의해 동작한다는 점(자체광원, 높은효율, 높은 휘도와 넓은 휘도영역, 천역색 및 높은 색순도, 넓은 시야각), 동작속도, 동작 온도 영역이 넓다는 점등의 장점으로 인하여 다양한 분야에서 활용가능하며, 최근까지 활발한 연구가 이루어지고 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 전자방출표시소자를 나타내는 구조도이다. 도 1을 참조하여 설명하면, 전자방출표시소자는 화소부(10), 데이터 구동부(20), 주사구동부(30) 및 전원공급부(40)를 포함한다.
화소부(10)는 캐소드 전극(C1,C2...Cn)과 게이트 전극(G1,G2...Gn)이 교차하는 부분에 화소(10)가 형성되며 화소(10)는 전자방출부를 포함하여 전자방출부에서 캐소드 전극에서 방출된 전자가 고전압의 애노드에 충돌하여 형광체가 발광함으로써 계조를 표시한다. 표시되는 영상의 계조는 입력되는 디지털영상신호의 값에 따라 변하게 된다. 디지털영상신호의 값에 따라 표현되는 계조를 조절하기 위하여, 일반적으로 펄스 폭 변환(Pulse Width Modulation)방식 또는 진폭변환(Pulse Amplitude Modulation)방식을 사용할 수 있다.
데이터구동부(20)는 영상신호를 이용하여 데이터신호를 생성하며 캐소드 전 극(C1,C2...Cn)과 연결되어 데이터신호가 화소부(10)에 전달되도록 하여 화소부(10)가 데이터신호에 대응하여 발광하도록 한다.
주사구동부(30)는 게이트 전극(G1,G2...Gn)과 연결되어 주사신호를 생성하여 화소부(10)에 전달하여 화소부(10)를 라인 스캔 방식으로 수평라인 단위로 일정시간씩 순차적으로 발광시킴으로서 전체 화면을 표시하는 방식으로 회로 원가 및 소비전력을 줄이면서 구동할 수 있다.
전원공급부(40)는 화소부(10)에 고압의 애노드 전압을 전달하며 데이터구동부(20)와 주사구동부(30)에 구동전원을 전달하여 전자방출표시소자가 구동하여 화상을 표시하도록 한다.
상기와 같이 구성된 전자방출표시소자는 에이징 공정을 수행하여 전자방출표시소자의 구동이 안정화되도록 한다.
에이징 공정은 정격전압보다 낮은 전압의 구동전압을 전자방출표시소자에 전달하며 점차적으로 구동전압이 높아지도록 한다. 이러한 에이징공정은 일반적으로 약 15분에서 30분 정도 수행한다.
상기와 같은 에이징 공정을 수행하는 과정에서, 전자방출표시소자에 이물질 또는 절연층의 절연파괴 등의 문제에 의해 아크가 발생하게 되며 이러한 아크에 의해 캐소드 전극이 손상되는 문제점이 있다.
그리고, 아크에 의해 캐소드 전극이 손상되면 전자방출표시소자는 결함을 갖게 되며 이러한 아크 발생을 파악하지 못하게 되면, 결함있는 전자방출표시소자를 이용한 디스플레이 장치가 제조되게 된다.
따라서, 본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 본 발명의 목적은 전자방출표시소자의 아크의 발생을 쉽게 파악하여 결함이 있는 전자방출표시소자를 파악하도록 하는 아크 측정부를 포함하는 전자방출표시소자를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 1 측면은, 제 1 전극과 제 2 전극에 인가되는 전압에 의해 대응하여 전자가 방출되며 상기 방출된 전자가 부딪히도록 고전압으로 형성된 애노드 전극을 구비하는 화소부, 영상신호를 이용하여 데이터신호를 생성하여 상기 제 1 전극에 전달하는 데이터구동부, 주사신호를 생성하여 상기 제 2 전극에 전달하는 주사구동부, 상기 애노드 전극에 상기 고전압을 전달하는 전원공급부 및 상기 전원공급부와 상기 애노드 전극 간에 연결되어 상기 애노드 전극에 인가되는 전압변화를 이용하여 아크를 측정하는 아크측정부를 포함하는 아크 측정이 가능한 전자방출표시소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 제 2 측면은, ㅍ제 1 전극과 제 2 전극에 인가되는 전압에 의해 대응하여 전자가 방출되며 상기 방출된 전자가 부딪히도록 고전압으로 형성된 애노드 전극을 구비하여 휘도가 조절되는 화소부의 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극과 상기 애노드 전극에 각각 소정의 전압을 인가하는 단계, 상기 애노드 전극의 전 압변화를 측정하여 상기 전압변화가 소정치 이상 변화한 수를 카운트하여 기록하는 단계 및 상기 카운트된 수를 파악하여 상기 화소부의 결함여부를 판단하는 단계를 포함하는 아크 측정방법을 제공하는 것이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 전자방출표시소자의 구조도이다. 도 2를 참조하여 설명하면, 전자방출표시소자는 화소부(100), 데이터구동부(200), 주사구동부(300), 전원공급부(400) 및 아크측정부(500)를 포함한다.
화소부(100)는 복수의 캐소드 전극(C1,C2....Cn)이 열 방향으로 배열되고 복수의 게이트전극(G1,G2....Gn)이 행 방향으로 배열되며 캐소드 전극(C1,C2....Cn)과 게이트전극(G1,G2....Gn)이 교차하는 부분마다에 전자방출부가 마련되어 화소(101)를 형성한다. 또한, 게이트전극(G1,G2....Gn)이 열 방향으로 배열되고 캐소드 전극(C1,C2....Cn)이 행 방향으로 배열될 수 있다. 이하에서는, 캐소드 전극(C1,C2....Cn)은 열 방향으로 배열되고 게이트전극(G1,G2....Gn)은 행 방향으로 배열되어 있는 것으로 가정을 하여 설명한다. 그리고, 화소부(100)는 고휘도로 발광하는 화소(101)의 수가 많으면 게이트 전극(G1,G2....Gn)과 캐소드 전극(C1,C2....Cn)의 전압 차이를 낮게 하여 각 화소의 휘도를 낮게 표현하고 화소부(100)에서 고휘도로 발광하는 화소(101)의 수가 적으면 게이트 전극(G1,G2....Gn)과 캐소드 전극(C1,C2....Cn)의 전압 차이를 낮게 하여 각 화소의 휘도를 높게 표현한다. 따라서, 고휘도로 발광하는 화소(101)의 수가 많은 경우 화소부(100)의 휘도가 낮아지도록 하여 소비되는 소비전력을 낮게 하도록 하고, 고휘도로 발광하는 화소(101)의 수가 적은 경우 고휘도로 발광하는 화소의 휘도가 더욱 높게 되어 고휘도로 발광하는 화소와 저휘도로 발광하는 화소의 휘도 차이가 커져 명암비가 더욱 높아지게 된다. 이때, 게이트 전극(G1,G2....Gn)과 캐소드 전극(C1,C2....Cn)의 전압차이가 변하게 되면 적색, 청색 및 녹색의 화소들의 발광효율의 편차에 따라 적색, 청색 및 녹색의 화소들 각각의 휘도 변화가 다르게 되어 색불균일이 발생하게 된다.
데이터구동부(200)는 영상신호를 이용하여 데이터신호를 생성하며, 캐소드 전극(C1,C2....Cn)과 연결되어 데이터신호를 캐소드 전극(C1,C2....Cn)에 전달한다. 데이터구동부(200)는 선택된 캐소드 전극(C1,C2....Cn)과 게이트 전극(G1,G2....Gn)이 교차하는 부분에 형성된 화소(101)는 데이터신호에 의해 발광시간이 결정된다.
주사구동부(300)는 게이트 전극(G1,G2....Gn)과 연결되어 행방향으로 배열되어 있는 복수의 게이트 전극 중 하나의 게이트 전극(G1,G2....Gn)을 선택하여 게이트 전극(G1,G2....Gn)에 연결되어 있는 화소(101)에 주사신호가 전달되도록 한다.
전원공급부(400)는 화소부(100)의 애노드 전극, 데이터 구동부 및 주사구동부에 구동전압을 전달하여 전자방출표시소자가 구동할 수 있도록 한다. 이때, 화소부(100)의 애노드 전극에는 고압의 전압을 전달한다.
아크 측정부(500)는 전원공급부와 화소부의 애노드 전극간에 연결되어 에이징 과정에서 애노드 전극에 아크가 발생하게 되면, 발생된 아크의 수를 기록하여 아크의 발생여부를 알 수 있도록 한다. 또한, 전자방출표시소자를 사용하는 과정에서 환경의 변화 또는 외부의 충격으로 인하여 화소부(100)의 절연파괴 또는 이물질이 화소부(100)에 들어가게 되어 아크가 발생하는 경우에도 아크의 발생 수를 측정하여 기록한다.
아크 측정부(500)는 아크의 세기 정도를 약한 세기의 아크와 강한 세기의 아크로 임의로 구분하여, 약한세기의 아크가 발생한 경우 아크가 발생한 수가 소정치 이하이면 정상인 전자방출표시소자로 구분하고 아크가 발생한 수가 소정치 이상이면 결함이 있는 전자방출표시소자로 구분할 수 있다. 그리고, 강한 세기의 아크가 발생하면 아크의 발생수는 고려하지 않고 결함이 있는 전자방출표시소자로 구분할 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 아크 측정부의 구조를 나타내는 구조도이고, 도 4는 애노드 전극의 전압을 나타내는 그래프이다. 도 3 및 도 4를 참조하여 설명하면, 아크 측정부(500)는 아크 감지부(510), 카운터(520) 및 표시부(530)를 포함한다.
아크 감지부(510)는 전원공급부(400)와 화소부(100)의 애노드 전극 사이에 연결되며 애노드 전극의 전압변화를 감지하여 아크의 발생여부를 판단한다. 이러한 아크 감지부(510)는 가우스 메터(Gauss meter)를 이용하여 전압변화를 감지할 수 있으며 애노드 전극에 애노드 전압을 전달되는 배선에 가우스 메터를 연결하여 애노드 전극의 전압변화에 따른 자계의 변화를 감지하여 전압변화가 소정치 이상이 되면 아크가 발생한 것으로 한다. 애노드 전극의 전압이 에이징 공정과정에서 도 4에 도시된 것과 같이 애노드 전극에 인가된 전압과 소정의 전압변화-예를 들어 약 10V 정도의 전압변화-가 발생하면 아크가 발생한 것으로 파악할 수 있다.
가우스 메터는 링의 형태로 구성되며 애노드 전극와 전원공급부 간의 배선에 링이 결합되어 배선에 형성되는 자기력선속밀도를 측정하여 자기력선속밀도의 변화에 대응한 전압변화를 파악할 수 있다.
카운터(520)는 애노드 전극에서 발생되는 아크 발생수를 카운트하여 카운트한 수를 저장하는 것으로, 카운터(520)에 저장되어 있는 수를 판단하여 결함이 있는 전자방출표시소자인지의 여부를 판단할 수 있다. 카운터(520)는 소정의 크기의 전압변화의 수를 파악하여 전압변화의 수를 기록한다. 또한, 카운터는 전압변화의 크기에 대응하여 약한세기의 아크와 강한 세기의 아크로 구분하여 카운터를 하여 별도로 카운트된 수를 저장할 수 있도록 한다.
표시부(530)는 카운터(520)에 저장되어 있는 아크 발생수를 표시하는 것으로 표시부(530)에 표시된 아크 발생수를 통해 누구나 쉽게 아크의 발생여부를 파악하도록 하여 아크에 의한 전자방출표시소자의 결함 여부를 쉽게 알 수 있도록 하며, 약한 세기의 아크의 수와 강한 세기의 아크의 수로 구분하여 표시할 수 있도록 한다.
도 5는 도 2에 도시된 전자방출표시소자에서 채용된 화소부를 나타내는 사시도이고, 도 6은 화소부의 단면을 나타내는 단면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하여 설명하면, 전자방출표시소자는 하부기판(110), 상부기판(190) 및 스페이서(180)를 포함하며, 하부기판(110) 상에 캐소드 전극(120), 절연층(130), 전자방출부(140), 게이트 전극(150)이 형성되며, 상부기판(190)은 전면기판, 애노드 전극 및 형광막이 형성된다.
하부기판(110)상에 스트라이프 형태로 적어도 하나 이상의 캐소드 전극(120)이 형성되며 캐소드 전극(120)의 상부에 캐소드 전극(120)의 일부가 노출되도록 하는 복수의 제 1 홈(131)이 형성되어 있는 절연층(130)이 형성된다. 그리고, 절연층(130) 상부에 게이트 전극(150)이 형성된다. 게이트 전극(150)에는 일정한 크기의 복수의 제 2 홈(151)이 형성되며 제 2 홈(151)은 제 1 홈(131)의 상부에 형성된다. 그리고, 캐소드 전극(120)의 상부에 제 1 홈(131)과 제 2 홈(151)이 일치하는 영역에 전자방출부(140)가 위치한다.
하부기판(110)은 유리 또는 실리콘 기판을 사용하며, 전자방출부(140)는 페이스트를 이용하여 후면 노광에 의해 이를 형성하는 경우에는 유리 기판과 같은 투명 기판이 바람직하다.
캐소드 전극(120)은 데이터 구동부(미도시) 또는 주사 구동부(미도시)로부터 인가되는 각각의 데이터 신호 또는 주사 신호를 전자방출부(140)로 공급한다. 캐소드전극(120)은 ITO(Indium Tin Oxide)가 사용된다.
절연층(130)은 하부기판(110)과 캐소드전극(120) 상부에 형성되며, 캐소드전극(120)과 게이트전극(150)을 전기적으로 절연한다.
게이트전극(150)은 절연층(130) 상에 소정의 형상으로, 예컨대 스트라이프 상으로 캐소드전극(120)과 교차하는 방향으로 배치되며, 데이터구동부(200) 또는 주사구동부(300)로부터 인가되는 각각의 데이터 신호 또는 주사 신호를 각 화소로 공급한다. 게이트전극(150)은 전도성이 양호한 금속, 예컨대 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 및 이들의 합금 중에서 선택된 적어도 하나의 도전성 금속 재료로 이루어진다.
전자방출부(140)는 절연층(130)의 제 1 개구부(131)에 의해 노출된 캐소드전극(120) 상에 전기적으로 접속되어 각각 위치하며, 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 카본계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질, 카본 나노튜브, 그라파이트(graphite), 그라파이트 나노파이버, 다이아몬드상 카본, C60, 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질이 바람직하다.
상부기판(190)는 형광막을 구비하여 전자가 형광막에 충돌하면 빛을 발광하도록 하며 애노드 전극을 구비하여 전자방출부에서 방출된 전자가 상부기판에 충돌할 수 있도록 한다.
스페이서(180)는 하부기판(110)과 상부기판(190) 사이에 일정한 거리를 유지하도록 한다.
본 발명에 따른 아크 측정장치를 구비하는 전자방출표시소자에 의하면, 에이징 과정에서 전자방출표시소자에 아크가 발생하였는지를 쉽게 파악할 수 있어 아크에 의해 평판디스플레이 제조과정에서 손상된 전자방출표시소자를 간단히 분리할 수 있다. 그리고, 사용 중 고장발생시 아크에 의한 고장여부를 쉽게 판단할 수 있게 된다.
본 발명의 바람직한 실시예가 특정 용어들을 사용하여 기술되어 왔지만, 그러한 기술은 단지 설명을 하기 위한 것이며, 다음의 청구범위의 기술적 사상 및 범위로부터 이탈되지 않고 여러 가지 변경 및 변화가 가해질 수 있는 것으로 이해되어져야 한다.

Claims (7)

  1. 제 1 전극과 제 2 전극에 인가되는 전압에 의해 대응하여 전자가 방출되며 상기 방출된 전자가 부딪히도록 고전압으로 형성된 애노드 전극을 구비하는 화소부;
    영상신호를 이용하여 데이터신호를 생성하여 상기 제 1 전극에 전달하는 데이터구동부;
    주사신호를 생성하여 상기 제 2 전극에 전달하는 주사구동부;
    상기 애노드 전극에 상기 고전압을 전달하는 전원공급부; 및
    상기 전원공급부와 상기 애노드 전극 간에 연결되어 상기 애노드 전극에 인가되는 전압변화를 이용하여 아크를 측정하는 아크측정부를 포함하는 아크 측정이 가능한 전자방출표시소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 아크 측정부는 아크 검출부; 및
    상기 아크 검출부에서 검출된 아크의 수를 카운트 하여 저장하는 아크 카운터를 포함하는 아크 측정이 가능한 전자방출표시소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 아크 검출부는 상기 전압변화에 의해 전계의 변화를 측정하는 가우스 메타를 포함하는 아크 측정이 가능한 전자방출표시소자.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 아크 카운터와 연결되어 상기 아크 카운터에서 카운트한 아크의 발생 수를 표시하는 표시부를 더 구비하는 아크 측정이 가능한 전자방출표시소자.
  5. 제 1 전극과 제 2 전극에 인가되는 전압에 의해 대응하여 전자가 방출되며 상기 방출된 전자가 부딪히도록 고전압으로 형성된 애노드 전극을 구비하여 휘도가 조절되는 화소부의 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극과 상기 애노드 전극에 각각 소정의 전압을 인가하는 단계;
    상기 애노드 전극의 전압변화를 측정하여 상기 전압변화가 소정치 이상 변화한 수를 카운트하여 기록하는 단계; 및
    상기 카운트된 수를 파악하여 상기 화소부의 결함여부를 판단하는 단계를 포함하는 아크 측정방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 소정의 전압은 정격전압보다 낮은 전압을 유지하며 일정한 시간동안 낮은 전압에서 높은 전압으로 전압레벨이 가변되는 아크 측정방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 일정한 시간 동안 상기 카운트된 수를 파악하는 아크 측정방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101010928B1 (ko) * 2009-10-15 2011-01-26 (주)화백엔지니어링 아크 검출 장치

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