KR20070059290A - Liquid crystal display and manufacturing method thereof - Google Patents

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김재현
서봉선
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삼성전자주식회사
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Abstract

An LCD(Liquid Crystal Display) and a method for manufacturing the same are provided to improve the direction characteristic of light incident to the LCD, thereby improving the efficiency of light, by forming a reflecting electrode to have a plurality of protrusions each having an asymmetric structure. An LCD comprises a first substrate(110) and a reflecting electrode(194) formed above the first substrate, wherein the reflecting electrode has a plurality of protrusions. Each of the protrusions has a first inclined surface and a second inclined surface. Each of the protrusions has an asymmetric structure such that the first inclined surface has a smaller inclination than the second inclined surface. A second substrate(210) is disposed to face the first substrate, and a color filter layer(230) is formed on the second substrate.

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}Liquid crystal display device and its manufacturing method {LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 반사 전극의 돌기 구조에 따른 빛의 반사를 도시한다.2 illustrates reflection of light according to the protrusion structure of the reflective electrode of the liquid crystal display according to the exemplary embodiment.

도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이다.3 is a layout view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4 및 도 5는 각각 도 3에 도시한 액정 표시 장치를 Ⅳ-Ⅳ선 및 Ⅴ-Ⅴ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.4 and 5 are cross-sectional views of the liquid crystal display shown in FIG. 3 taken along lines IV-IV and V-V, respectively.

도 6는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 사용되는 마스크의 한 예이다.6 is an example of a mask used in a method of manufacturing a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 사용되는 마스크의 단면도 및 그에 의해 제조된 패턴의 단면도이다.7 is a cross-sectional view of a mask used in the method of manufacturing a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention and a pattern manufactured thereby.

도 8은 본 발명의 다른 한 실시예에서 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 사용되는 보호막의 적층구조이다.8 is a laminated structure of a protective film used in the method of manufacturing a liquid crystal display according to another embodiment of the present invention.

도 9a 내지 도 9d는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 단계별로 도시한 단면도이다.9A to 9D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.

일반적으로 액정 표시 장치는 전계 생성 전극과 편광판이 구비된 한 쌍의 표시판 사이에 위치한 액정층을 포함한다. 전계 생성 전극은 액정층에 전계를 생성하고 이러한 전계의 세기가 변화함에 따라 액정 분자들의 배열이 변화한다. 예를 들면, 전계가 인가된 상태에서 액정층의 액정 분자들은 그 배열을 변화시켜 액정층을 지나는 빛의 편광을 변화시킨다. 편광판은 편광된 빛을 적절하게 차단 또는 투과시켜 밝고 어두운 영역을 만들어냄으로써 원하는 영상을 표시한다.In general, a liquid crystal display device includes a liquid crystal layer positioned between a field generating electrode and a pair of display panels provided with a polarizing plate. The field generating electrode generates an electric field in the liquid crystal layer and the arrangement of the liquid crystal molecules changes as the intensity of the electric field changes. For example, in the state where an electric field is applied, the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer change its arrangement to change the polarization of light passing through the liquid crystal layer. The polarizer displays a desired image by appropriately blocking or transmitting polarized light to create bright and dark areas.

액정 표시 장치는 스스로 발광하지 못하는 수광형 표시 장치이므로 별개로 구비된 후광 장치(backlight unit)의 램프에서 나오는 빛을 액정층을 통과시키거나 자연광 등 외부에서 들어오는 빛을 액정층을 일단 통과시켰다가 다시 반사하여 액정층을 다시 통과시킨다. 전자의 경우를 투과형(transmissive) 액정 표시 장치라 하고 후자의 경우를 반사형(reflective) 액정 표시 장치라 하는데, 후자의 경우는 주로 중소형 표시 장치에 사용된다. 또한 환경에 따라 후광 장치를 사용하기도 하고 외부광을 사용하기도 하는 반투과형 또는 반사-투과형 액정 표시 장치가 개발되어 주로 중소형 표시 장치에 적용되고 있다.Since the liquid crystal display is a light-receiving display device that does not emit light by itself, light from a lamp of a separately provided backlight unit passes through the liquid crystal layer, or light from external sources such as natural light passes through the liquid crystal layer once again. Reflects and passes the liquid crystal layer again. The former case is called a transmissive liquid crystal display device, and the latter case is called a reflective liquid crystal display device. The latter case is mainly used for small and medium size display devices. In addition, a semi-transmissive or reflective-transmissive liquid crystal display device using either a backlight device or an external light is developed according to the environment, and is mainly applied to a small and medium display device.

자연광을 반사 전극에서 반사시켜 광원으로 사용하는 중소형 액정 표시 장치의 경우, 사용자는 액정 표시 장치를 휴대하면서 사용자의 앞에 세워 놓은 상태로 사용하는 것이 일반적이다. In the case of a small and medium-sized liquid crystal display device in which natural light is reflected from a reflective electrode and used as a light source, the user generally uses the liquid crystal display device while standing in front of the user while carrying the liquid crystal display device.

그런데, 이처럼 자연광의 반사광을 광원으로 사용하는 중소형 액정 표시 장치에 입사하는 빛의 양은 사용자를 중심으로 방향에 따라 매우 다르다. 예를 들어, 액정 표시 장치를 눈높이에 세워두고 사용하는 경우, 사용자의 위쪽에서 입사하는 빛의 양이 사용자의 아래쪽이나 뒤쪽에서 입사하는 빛의 양보다 매우 큰데, 이는 사용자의 아래쪽이나 뒤쪽에서 액정 표시 장치의 화면에 입사하는 빛은 사용자의 몸에 가려지기 때문이다. However, the amount of light incident on the small and medium-sized liquid crystal display using the reflected light of natural light as a light source is very different depending on the direction of the user. For example, when using the liquid crystal display at an eye level, the amount of light incident from the upper part of the user is much greater than the amount of light incident from the lower part or the rear of the user, which means that the liquid crystal display is displayed at the lower part or behind the user. This is because light incident on the screen of the device is blocked by the user's body.

그러나, 반사광을 광원으로 사용하는 액정 표시 장치의 경우 일반적으로 전 방향에서 입사하는 모든 빛이 전 방향으로 동일하게 반사되는 반사 전극의 구조를 가지고 있다.However, a liquid crystal display device using reflected light as a light source generally has a structure of a reflective electrode in which all light incident in all directions is equally reflected in all directions.

따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 휴대할 수 있는 중소형 액정 표시 장치에 입사하는 빛의 방향 특성을 살려 빛의 반사율을 최적화한 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which optimize light reflectivity by utilizing the direction characteristic of light incident on a portable small and medium liquid crystal display device.

이러한 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 기판, 그리고 상기 제1 기판 위에 형성되어 있으며 복수의 돌기를 가지는 화소 전극을 포함하며, 상기 돌기는 제1 경사면 및 제2 경사면을 가지고, 상기 제1 경사면의 기울기는 상기 제2 경사면의 기울기보다 작은 비대칭 형태이다.According to an embodiment of the present invention, a liquid crystal display device includes a first substrate and a pixel electrode formed on the first substrate and having a plurality of protrusions, wherein the protrusions include a first inclined surface and a first inclined surface. It has two inclined surfaces, and the inclination of the first inclined surface is an asymmetric shape smaller than the inclination of the second inclined surface.

상기 액정 표시 장치는 상기 제1 기판 위에 형성되어 있는 게이트선 및 데이 터선, 상기 게이트선 및 데이터선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 그리고 상기 제1 기판 위에 형성되어 있으며 표면에 복수의 돌기를 가지는 보호막을 더 포함하고, 상기 화소 전극은 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있을 수 있다.The liquid crystal display includes a gate line and a data line formed on the first substrate, a thin film transistor connected to the gate line and a data line, and a protective film formed on the first substrate and having a plurality of protrusions on a surface thereof. The pixel electrode may be connected to the thin film transistor.

상기 액정 표시 장치는 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판, 그리고 상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 복수의 색필터를 더 포함할 수 있다.The liquid crystal display may further include a second substrate facing the first substrate, and a plurality of color filters formed on the second substrate.

상기 액정 표시 장치는 상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 차광 부재, 상기 색필터 위에 형성되어 있는 덮개막, 그리고 상기 덮개막 위에 형성되어 있는 공통 전극을 더 포함할 수 있다.The liquid crystal display may further include a light blocking member formed on the second substrate, an overcoat formed on the color filter, and a common electrode formed on the overcoat.

본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치를 제조하는 방법은 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 위에 게이트선 및 데이터선을 형성하는 단계, 상기 기판 위에 상기 게이트선 및 데이터선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 제1 기판 위에 형성되어 있으며 표면에 복수의 돌기를 가지는 보호막을 형성하는 단계, 그리고 상기 보호막 위에 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 돌기는 제1 경사면 및 제2 경사면을 가지고, 상기 제1 경사면의 기울기는 상기 제2 경사면의 기울기보다 작은 비대칭 형태이다.A method of manufacturing a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention includes preparing a substrate, forming a gate line and a data line on the substrate, and a thin film transistor connected to the gate line and the data line on the substrate. Forming a passivation layer formed on the first substrate and having a plurality of protrusions on a surface thereof, and forming a pixel electrode on the passivation layer, wherein the protrusions include a first inclined surface and a second inclined surface. The inclination of the first inclined surface is less than the inclination of the second inclined surface.

상기 비대칭 형태의 복수의 돌기를 가지는 보호막을 형성하는 단계는 상기 기판 위에 감광성 유기막을 도포하는 단계, 상기 유기막이 도포된 상기 기판을 마스크 패턴에 따라 노광하는 단계, 상기 노광된 기판을 현상하는 단계, 그리고 상기 현상된 기판을 베이크하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the passivation layer having a plurality of protrusions having an asymmetric shape may include applying a photosensitive organic layer on the substrate, exposing the substrate on which the organic layer is applied according to a mask pattern, developing the exposed substrate, And baking the developed substrate.

상기 마스크 패턴은 제1 및 제2 불투명 영역, 그리고 투명 영역으로 나뉘고, 상기 투명 영역은 상기 제1 불투명 영역으로 둘러싸여 있고, 상기 제2 불투명 영역은 상기 제1 불투명 영역과 상기 투명 영역 사이에 형성되어 있으며, 상기 제1 불투명 영역으로 둘러싸여 있는 투명 영역의 위쪽에 분리된 형태로 배치되어 있을 수 있다.The mask pattern is divided into first and second opaque regions and a transparent region, the transparent region is surrounded by the first opaque region, and the second opaque region is formed between the first opaque region and the transparent region. It may be disposed in a separated form above the transparent region surrounded by the first opaque region.

상기 비대칭 형태의 복수의 돌기를 가지는 보호막을 형성하는 단계는 상기 기판 위에 적층 구조의 돌기 구조층 필름을 래미네이션 하는 단계, 상기 돌기 구조층 필름이 래미네이션되어 있는 기판 위에 자외선을 조사하는 단계, 그리고 상기 돌기 구조층 필름의 지지체를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.Forming a protective film having a plurality of protrusions of the asymmetrical form may include laminating a protrusion structure layer film having a laminated structure on the substrate, irradiating ultraviolet rays on the substrate on which the protrusion structure layer film is laminated, and It may include the step of removing the support of the projection structure layer film.

상기 돌기 구조층 필름은 지지체, 돌기막, 덮개층의 적층 구조를 가질 수 있다.The protrusion structure layer film may have a laminated structure of a support, a protrusion film, and a cover layer.

상기 지지체는 투명한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET:Polyethylene terpthalate) 막과 표면에 복수의 돌기가 형성되어 있는 아크릴 층으로 이루어질 수 있다.The support may be made of a transparent polyethylene terpthalate (PET) film and an acrylic layer having a plurality of protrusions formed on a surface thereof.

상기 폴리에틸렌테레프탈레이트 막의 두께는 40㎛ 내지 60㎛이고, 상기 아크릴 층의 두께는 4㎛ 내지 5㎛일 수 있다.The polyethylene terephthalate film may have a thickness of 40 μm to 60 μm, and the acrylic layer may have a thickness of 4 μm to 5 μm.

상기 돌기막은 감광성 아크릴 수지로 이루어지고, 상기 돌기막의 두께는 2㎛ 내지 2.5㎛일 수 있다.The protrusion film may be made of a photosensitive acrylic resin, and the thickness of the protrusion film may be 2 μm to 2.5 μm.

상기 덮개층은 20㎛ 내지 30㎛의 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트 막으로 이루어지고, 상기 덮개층은 상기 액정 표시 장치의 제조 단계에서는 제거될 수 있다.The cover layer may be formed of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 20 μm to 30 μm, and the cover layer may be removed in a manufacturing step of the liquid crystal display.

첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.

이제 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.A liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a cross section of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이, 액정 표시 장치는 서로 마주보는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200), 그리고 이들 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다.As illustrated in FIG. 1, the liquid crystal display includes a thin film transistor array panel 100 and a common electrode panel 200 facing each other, and a liquid crystal layer 3 interposed therebetween.

박막 트랜지스터 표시판(100)을 보면, 절연 기판(110) 위에 스위칭 소자(도시하지 않음) 및 보호막(180) 및 화소 전극(191)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)은 투명 전극(192)과 투명 전극(192)의 일부 위의 반사 전극(194)을 포함한 다. 보호막(180) 표면에는 복수의 돌기가 형성되어 있어서 반사 전극(194)에 돌기 패턴을 유도한다. 반사 전극(194)의 돌기 패턴은 빛의 난반사를 유도하여 화면에 물체가 비치는 현상을 방지한다. 반사 전극(194)의 돌기는 제1 경사면 및 제2 경사면을 가지는데, 제1 경사면의 기울기는 제2 경사면의 기울기보다 작아서, 제1 방향으로 완만하고 제2 방향으로 기울기가 급한 비대칭 형태이다. 이때, 기울기가 완만한 제1 방향 부분이 빛이 많이 입사되는 영역으로, 액정 표시 장치의 위쪽에 해당한다. In the thin film transistor array panel 100, a switching element (not shown), a passivation layer 180, and a pixel electrode 191 are formed on the insulating substrate 110. The pixel electrode 191 includes a transparent electrode 192 and a reflective electrode 194 on a portion of the transparent electrode 192. A plurality of protrusions are formed on the surface of the passivation layer 180 to induce a protrusion pattern on the reflective electrode 194. The projection pattern of the reflective electrode 194 induces diffuse reflection of light to prevent the object from being reflected on the screen. The projection of the reflective electrode 194 has a first inclined surface and a second inclined surface, and the inclination of the first inclined surface is smaller than that of the second inclined surface, so that it is gentle in the first direction and has a steep inclination in the second direction. In this case, the first direction portion having a gentle slope is a region where a lot of light is incident, and corresponds to an upper portion of the liquid crystal display.

공통 전극 표시판(200)을 보면, 절연 기판(210) 위에 색필터(220) 및 공통 전극(270)이 형성되어 있다.In the common electrode display panel 200, the color filter 220 and the common electrode 270 are formed on the insulating substrate 210.

반투과형 액정 표시 장치는 투명 전극(192) 및 반사 전극(194)에 의하여 각각 정의되는 투과 영역(TA) 및 반사 영역(RA)으로 구획될 수 있다. 구체적으로는, 박막 트랜지스터 표시판(100), 공통 전극 표시판(200) 및 액정층(3) 등에서 투명 전극(192)의 노출된 부분 아래위에 위치하는 부분은 투과 영역(TA)이 되고, 반사 전극(194) 아래위에 위치하는 부분은 반사 영역(RA)이 된다. 투과 영역(TA)에서는 액정 표시 장치의 뒷면, 즉 박막 트랜지스터 표시판(100) 쪽에서 입사된 빛이 액정층(3)을 통과하여 앞면, 즉 공통 전극 표시판(200) 쪽으로 나옴으로써 표시를 수행하고, 반사 영역(RA)에서는 앞면에서 들어온 빛이 액정층(3)으로 들어왔다가 반사 전극(194)에 의하여 반사되어 액정층(3)을 다시 통과하여 앞면으로 나옴으로써 표시를 수행한다. The transflective liquid crystal display may be partitioned into a transmissive area TA and a reflective area RA defined by the transparent electrode 192 and the reflective electrode 194, respectively. Specifically, the portion of the thin film transistor array panel 100, the common electrode display panel 200, the liquid crystal layer 3, and the like positioned below and below the exposed portion of the transparent electrode 192 becomes the transmission area TA, and the reflective electrode ( 194) The upper and lower portions become the reflection area RA. In the transmissive area TA, light incident on the back side of the liquid crystal display, that is, the thin film transistor array panel 100, passes through the liquid crystal layer 3 and exits the front side, that is, toward the common electrode display panel 200, to perform display. In the area RA, the light enters the liquid crystal layer 3, enters the liquid crystal layer 3, is reflected by the reflective electrode 194, passes through the liquid crystal layer 3, and exits to the front surface.

반사 영역(RA)의 색필터(230)의 평균 두께는 투과 영역(TA)의 색필터(230)의 평균 두께 1/2 정도이므로, 반사 영역(RA)과 투과 영역(TA)을 각기 통과한 빛의 색조가 일정해질 수 있다.Since the average thickness of the color filter 230 of the reflective area RA is about 1/2 of the average thickness of the color filter 230 of the transmissive area TA, the average thickness of the color filter 230 passing through the reflective area RA and the transmissive area TA is different. The color tone of light can be constant.

한편, 반사 전극(194)의 돌기 구조는 서로 경사 기울기가 다른 제1 경사면과 제2 경사면을 가지는 비대칭적 형태를 가지는데, 이처럼 비대칭적으로 형성한 것은 액정 표시 장치의 방향에 따른 입사광의 양에 따라 반사되는 빛의 양을 다르게 하기 위함이다.The projection structure of the reflective electrode 194 has an asymmetric shape having a first inclined surface and a second inclined surface having different inclination inclinations from each other, and the asymmetrical shape is formed depending on the amount of incident light along the direction of the liquid crystal display. This is to change the amount of light reflected accordingly.

이에 대하여 도 2를 참고로 하여 더 상세하게 설명한다. 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 반사 전극의 돌기 구조에 따른 빛의 반사를 도시한다.This will be described in more detail with reference to FIG. 2. 2 illustrates reflection of light according to the protrusion structure of the reflective electrode of the liquid crystal display according to the exemplary embodiment.

도 2를 참고하면, 액정 표시 장치의 기판(110)은 사용자의 시야에 대향하는 위치에 배치되어 있다. 즉, 중소형 액정 표시 장치의 사용자는 일반적으로 액정 표시 장치를 자신의 시야 앞쪽에 세워 사용하므로 액정 표시 장치에 입사하는 빛의 크기는 사용자의 위쪽에서 입사하는 빛이 최대가 된다. Referring to FIG. 2, the substrate 110 of the liquid crystal display is disposed at a position facing the user's field of view. That is, since a user of a small and medium-sized liquid crystal display device generally uses the liquid crystal display device in front of its own field of view, the size of light incident on the liquid crystal display device is the maximum.

도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 반사 전극(194)의 돌기 구조는 빛이 주로 입사하는 부분에서 작은 경사 각도를 가져서 완만하게 경사져 있으므로, 입사하는 빛(a 내지 f)은 반사 전극(194)의 표면에서 반사되어 사용자의 시야 쪽으로 나아갈 수 있게 된다. 이와 달리 만일 반사 전극(194)의 돌기 구조를 사용자의 위쪽과 아래쪽이 대칭되도록 형성하면, 위쪽에서 입사하는 빛(a 내지 f)은 전 방향으로 반사되게 되어, 반사되는 빛이 사용자의 시야쪽으로 나아가는 빛의 양이 본 발명의 실시예에 비하여 감소한다.As shown in FIG. 2, since the protrusion structure of the reflective electrode 194 of the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention has a small inclination angle at a portion where light is mainly incident, it is gently inclined, the incident light (a To f) are reflected at the surface of the reflective electrode 194 to advance toward the user's field of view. On the contrary, if the projection structure of the reflective electrode 194 is formed so that the upper and lower sides of the user are symmetrical, the light (a to f) incident from the upper side is reflected in all directions, and the reflected light is directed toward the user's field of view. The amount of light is reduced compared to the embodiment of the present invention.

그러면 도 1에 도시한 액정 표시 장치의 구체적인 예에 대하여 도 3 내지 도 5를 참고로 하여 좀 더 상세하게 설명한다.Next, a specific example of the liquid crystal display shown in FIG. 1 will be described in more detail with reference to FIGS. 3 to 5.

도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 4 및 도 5는 각각 도 3에 도시한 액정 표시 장치를 Ⅳ-Ⅳ선 및 Ⅴ-Ⅴ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.3 is a layout view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 4 and 5 are cross-sectional views of the liquid crystal display shown in FIG. 3 taken along lines IV-IV and V-V, respectively. .

본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 이와 마주보고 있는 공통 전극 표시판(200), 그리고 이들 사이에 삽입되어 있는 액정 분자를 포함하는 액정층(3)으로 이루어진다.The liquid crystal display according to the present exemplary embodiment includes a thin film transistor array panel 100, a common electrode panel 200 facing the thin film transistor array panel 100, and a liquid crystal layer 3 including liquid crystal molecules interposed therebetween.

먼저, 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명한다.First, the thin film transistor array panel 100 will be described.

투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121) 및 복수의 유지 전극선(storage electrode line)(131)이 형성되어 있다.A plurality of gate lines 121 and a plurality of storage electrode lines 131 are formed on an insulating substrate 110 made of transparent glass or plastic.

게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 위로 돌출한 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(129)을 포함한다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film)(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 게이트 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.The gate line 121 transmits a gate signal and mainly extends in a horizontal direction. Each gate line 121 includes a plurality of gate electrodes 124 protruding upward and end portions 129 having a large area for connection with another layer or an external driving circuit. A gate driving circuit (not shown) for generating a gate signal may be mounted on a flexible printed circuit film (not shown) attached to the substrate 110 or directly mounted on the substrate 110, It may be integrated into the substrate 110. When the gate driving circuit is integrated on the substrate 110, the gate line 121 may extend to be directly connected to the gate driving circuit.

유지 전극선(131)은 소정의 전압을 인가 받으며 게이트선(121)과 거의 나란하게 뻗는다. 각 유지 전극선(131)은 인접한 두 게이트선(121) 사이에 위치하며 두 게이트선(121) 중 아래쪽에 가깝다. 유지 전극선(131)은 아래위로 확장된 유지 전극(storage electrode)(137)를 포함한다. 그러나 유지 전극선(131)의 모양 및 배치는 여러 가지로 변형될 수 있다.The storage electrode line 131 receives a predetermined voltage and almost extends in parallel with the gate line 121. Each storage electrode line 131 is positioned between two adjacent gate lines 121 and is close to a lower side of the two gate lines 121. The storage electrode line 131 includes a storage electrode 137 extending up and down. However, the shape and arrangement of the storage electrode line 131 may be modified in various ways.

게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 이들은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 비저항(resistivity)이 낮은 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어진다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄 등으로 만들어진다. 이러한 조합의 좋은 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막 및 알루미늄 (합금) 하부막과 몰리브덴 (합금) 상부막을 들 수 있다. 그러나 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.The gate line 121 and the storage electrode line 131 may be formed of aluminum-based metal such as aluminum (Al) or aluminum alloy, silver-based metal such as silver (Ag) or silver alloy, copper-based metal such as copper (Cu) or copper alloy, or molybdenum ( It may be made of molybdenum-based metals such as Mo) or molybdenum alloy, chromium (Cr), tantalum (Ta) and titanium (Ti). However, they may have a multilayer structure including two conductive films (not shown) having different physical properties. One of the conductive films is made of a metal having low resistivity, such as aluminum-based metal, silver-based metal, or copper-based metal, so as to reduce signal delay or voltage drop. In contrast, other conductive films are made of other materials, particularly materials having excellent physical, chemical, and electrical contact properties with indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), such as molybdenum-based metals, chromium, tantalum, and titanium. Good examples of such a combination include a chromium bottom film, an aluminum (alloy) top film, and an aluminum (alloy) bottom film and a molybdenum (alloy) top film. However, the gate line 121 and the storage electrode line 131 may be made of various other metals or conductors.

게이트선(121) 및 유지 전극선(131)의 측면은 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30° 내지 약 80°인 것이 바람직하다.Side surfaces of the gate line 121 and the storage electrode line 131 are inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is preferably about 30 ° to about 80 °.

게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.A gate insulating layer 140 made of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) is formed on the gate line 121 and the storage electrode line 131.

게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(polysilicon) 등으로 만들어진 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 선형 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며, 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나온 복수의 돌출부(projection)(154)를 포함하고, 돌출부(154)로부터 확장부(157)가 연장되어 있다. 선형 반도체(151)는 게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 부근에서 너비가 넓어져 이들을 폭넓게 덮고 있다.A plurality of linear semiconductors 151 made of hydrogenated amorphous silicon (hereinafter referred to as a-Si) or polysilicon are formed on the gate insulating layer 140. The linear semiconductor 151 mainly extends in the longitudinal direction, includes a plurality of projections 154 extending toward the gate electrode 124, and an extension 157 extends from the projection 154. The linear semiconductor 151 has a wider width in the vicinity of the gate line 121 and the storage electrode line 131 and covers them widely.

반도체(151) 위에는 복수의 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(161, 165)는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 선형 저항성 접촉 부재(161)는 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 저항성 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체(151)의 돌출부(154) 위에 배치되어 있다.A plurality of linear and island ohmic contacts 161 and 165 are formed on the semiconductor 151. The ohmic contacts 161 and 165 may be made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon in which n-type impurities such as phosphorus are heavily doped, or may be made of silicide. The linear ohmic contact 161 has a plurality of protrusions 163, and the protrusion 163 and the island-type ohmic contact 165 are paired and disposed on the protrusion 154 of the semiconductor 151.

반도체(154)와 저항성 접촉 부재(163, 165)의 측면 역시 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 경사각은 30° 내지 80° 정도이다.Side surfaces of the semiconductor 154 and the ohmic contacts 163 and 165 are also inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is about 30 ° to 80 °.

저항성 접촉 부재(163, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선 (data line)(171)과 이로부터 분리되어 있는 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)이 형성되어 있다.A plurality of data lines 171 and a plurality of drain electrodes 175 separated therefrom are formed on the ohmic contacts 163 and 165 and the gate insulating layer 140.

데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗은 복수의 소스 전극(source electrode)(173)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(179)을 포함한다. 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 데이터 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우, 데이터선(171)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.The data line 171 transmits a data signal and mainly extends in the vertical direction to cross the gate line 121. Each data line 171 includes a plurality of source electrodes 173 extending toward the gate electrode 124 and an end portion 179 having a large area for connection with another layer or an external driving circuit. A data driving circuit (not shown) for generating a data signal is mounted on a flexible printed circuit film (not shown) attached to the substrate 110, directly mounted on the substrate 110, or integrated in the substrate 110. Can be. When the data driving circuit is integrated on the substrate 110, the data line 171 may be extended to be directly connected to the data driving circuit.

드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있고 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주 본다. 각 드레인 전극(175)은 면적이 넓은 한 쪽 끝 부분(177)과 막대형인 다른 쪽 끝 부분을 가지고 있다. 넓은 끝 부분(177)은 유지 전극(137)과 중첩하며, 막대형 끝 부분은 구부러진 소스 전극(173)으로 일부 둘러싸여 있다.The drain electrode 175 is separated from the data line 171 and faces the source electrode 173 with respect to the gate electrode 124. Each drain electrode 175 has one wide end portion 177 and the other end having a rod shape. The wide end portion 177 overlaps the sustain electrode 137, and the rod-shaped end portion is partially surrounded by the bent source electrode 173.

하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극(175)은 반도체(151)의 돌출부(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 돌출부(154)에 형성된다.One gate electrode 124, one source electrode 173, and one drain electrode 175 together with the protrusion 154 of the semiconductor 151 form one thin film transistor (TFT). A channel of the transistor is formed in the protrusion 154 between the source electrode 173 and the drain electrode 175.

데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막(도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막의 이중막, 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 중간막과 몰리브덴 (합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다. 그러나 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.The data line 171 and the drain electrode 175 are preferably made of a refractory metal such as molybdenum, chromium, tantalum, and titanium, or an alloy thereof, and include a refractory metal film (not shown) and a low resistance conductive film. It may have a multilayer structure including (not shown). Examples of the multilayer structure include a double layer of chromium or molybdenum (alloy) lower layer and an aluminum (alloy) upper layer, and a triple layer of molybdenum (alloy) lower layer and aluminum (alloy) interlayer and molybdenum (alloy) upper layer. However, the data line 171 and the drain electrode 175 may be made of various metals or conductors.

데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 또한 그 측면이 기판(110) 면에 대하여 30° 내지 80° 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.The side of the data line 171 and the drain electrode 175 may also be inclined at an inclination angle of about 30 ° to about 80 ° with respect to the surface of the substrate 110.

저항성 접촉 부재(163, 165)는 그 아래의 반도체(154)와 그 위의 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에만 존재하며 이들 사이의 접촉 저항을 낮추어 준다. 대부분의 곳에서는 선형 반도체(151)가 데이터선(171)보다 좁지만, 앞서 설명하였듯이 게이트선(121)과 만나는 부분에서 너비가 넓어져 표면의 프로파일을 부드럽게 함으로써 데이터선(171)이 단선되는 것을 방지한다. 반도체(154)에는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이를 비롯하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)으로 가리지 않고 노출된 부분(154)이 있다.The ohmic contacts 163 and 165 exist only between the semiconductor 154 thereunder and the data line 171 and the drain electrode 175 thereon to lower the contact resistance therebetween. Although the linear semiconductor 151 is narrower than the data line 171 in most places, as described above, the width of the linear semiconductor 151 is widened at the portion where it meets the gate line 121 to smooth the profile of the surface, thereby disconnecting the data line 171. prevent. The semiconductor 154 includes an exposed portion 154 between the source electrode 173 and the drain electrode 175 and not covered by the data line 171 and the drain electrode 175.

데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 노출된 반도체(154) 부분 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 질화규소나 산화규소 따위의 무기 절연물로 만들어진 하부막(180p)과 유기 절연물로 만들어진 상부막(180q)을 포함한다. 상부 보호막(180q)은 4.0 이하의 유전 상수를 가지는 것이 바 람직하고, 감광성(photosensitivity)을 가질 수도 있으며 그 표면에는 돌기가 형성되어 있다. 또한 상부 보호막(180q)에는 하부 보호막(180p)의 일부를 드러내는 개구부가 형성되어 있다. 그러나 보호막(180)은 무기 절연물 또는 유기 절연물 따위로 만들어진 단일막 구조를 가질 수도 있다.A passivation layer 180 is formed on the data line 171, the drain electrode 175, and the exposed semiconductor 154. The passivation layer 180 includes a lower layer 180p made of an inorganic insulator such as silicon nitride or silicon oxide and an upper layer 180q made of an organic insulator. The upper passivation layer 180q preferably has a dielectric constant of 4.0 or less, may have photosensitivity, and protrusions are formed on the surface thereof. In addition, an opening that exposes a portion of the lower passivation layer 180p is formed in the upper passivation layer 180q. However, the passivation layer 180 may have a single layer structure made of an inorganic insulator or an organic insulator.

보호막(180)에는 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 드레인 전극(175)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(182, 185)이 형성되어 있으며, 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(181)이 형성되어 있다.In the passivation layer 180, a plurality of contact holes 182 and 185 exposing the end portion 179 and the drain electrode 175 of the data line 171 are formed, respectively, and the passivation layer 180 and the gate insulating layer are formed. A plurality of contact holes 181 exposing the end portion 129 of the gate line 121 are formed at 140.

보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다.A plurality of pixel electrodes 191 and a plurality of contact assistants 81 and 82 are formed on the passivation layer 180.

각 화소 전극(191)은 상부 보호막(180q)의 돌기 구조를 따라 굴곡이 져 있고, 투명 전극(192) 및 그 위의 반사 전극(194)을 포함한다. 투명 전극(192)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 만들어지고, 반사 전극(194)은 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어진다. 그러나 반사 전극(194)은 알루미늄, 은, 또는 그 합금 등 저저항 반사성 상부막(도시하지 않음)과 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 ITO 또는 IZO와 접촉 특성이 좋은 하부막(도시하지 않음)의 이중막 구조를 가질 수 있다.Each pixel electrode 191 is curved along the protrusion structure of the upper passivation layer 180q and includes a transparent electrode 192 and a reflective electrode 194 thereon. The transparent electrode 192 is made of a transparent conductive material such as ITO or IZO, and the reflective electrode 194 is made of a reflective metal such as aluminum, silver, chromium or an alloy thereof. However, the reflective electrode 194 has a low resistance reflective upper film (not shown) such as aluminum, silver, or an alloy thereof, and a lower film (not shown) having good contact properties with ITO or IZO such as molybdenum-based metal, chromium, tantalum, and titanium. ) May have a double membrane structure.

반사 전극(194)은 투명 전극(192) 일부 위에만 존재하여 투명 전극(192)의 다른 부분을 노출하며, 투명 전극(192)의 노출된 부분은 상부 보호막(180q)의 개구부(195)에 위치한다.The reflective electrode 194 exists only on a portion of the transparent electrode 192 to expose another portion of the transparent electrode 192, and the exposed portion of the transparent electrode 192 is positioned in the opening 195 of the upper passivation layer 180q. do.

화소 전극(191)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적, 전기적으로 연결되어 있으며, 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 화소 전극(191)은 공통 전압(common voltage)을 인가 받는 공통 전극 표시판(200)의 공통 전극(common electrode)(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191, 270) 사이의 액정층(3)의 액정 분자의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자의 방향에 따라 액정층(3)을 통과하는 빛의 편광이 달라진다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270)은 축전기[이하 "액정 축전기(liquid crystal capacitor)"라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지한다.The pixel electrode 191 is physically and electrically connected to the drain electrode 175 through the contact hole 185 and receives a data voltage from the drain electrode 175. The pixel electrode 191 to which the data voltage is applied is formed between the two electrodes 191 and 270 by generating an electric field together with the common electrode 270 of the common electrode display panel 200 to which the common voltage is applied. The direction of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 3 is determined. The polarization of light passing through the liquid crystal layer 3 varies according to the direction of the liquid crystal molecules determined as described above. The pixel electrode 191 and the common electrode 270 form a capacitor (hereinafter, referred to as a "liquid crystal capacitor") to maintain an applied voltage even after the thin film transistor is turned off.

박막 트랜지스터 표시판(100), 공통 전극 표시판(200) 및 액정층(3) 등을 포함하는 반투과형 액정 표시 장치는 투명 전극(192) 및 반사 전극(194)에 의하여 각각 정의되는 투과 영역(TA) 및 반사 영역(RA)으로 구획될 수 있다. 구체적으로는, 투과창(195) 아래 위에 위치하는 부분은 반사 영역(RA)이 된다.The transflective liquid crystal display device including the thin film transistor array panel 100, the common electrode display panel 200, the liquid crystal layer 3, and the like is a transmissive area TA defined by the transparent electrode 192 and the reflective electrode 194, respectively. And a reflection area RA. Specifically, the portion located above and below the transmission window 195 becomes the reflection area RA.

투과 영역(TA)에서는 액정 표시장치의 뒷면, 즉 박막 트랜지스터 표시판(100) 쪽에서 입사된 빛이 액정층(3)을 통과하여 앞면, 즉 공통 전극 표시판(200) 쪽으로 나옴으로써 표시를 수행한다. 반사 영역(RA)에서는 앞면에서 들어온 빛이 액정층(3)으로 들어왔다가 반사 전극(194)에 의하여 반사되어 액정층(3)을 다시 통과하여 앞면으로 나옴으로써 표시를 수행한다. 이때, 반사 전극(194)의 굴곡은 빛의 난반사를 유도하여 화면에 물체가 비치는 현상을 방지한다. In the transmissive area TA, light is incident on the back side of the liquid crystal display, that is, the thin film transistor array panel 100, passes through the liquid crystal layer 3 and exits the front side, that is, toward the common electrode display panel 200. In the reflective area RA, the light enters the liquid crystal layer 3, enters the liquid crystal layer 3, is reflected by the reflective electrode 194, passes through the liquid crystal layer 3, and exits to the front surface. At this time, the bending of the reflective electrode 194 induces diffuse reflection of light to prevent the object from being reflected on the screen.

투과 영역(TA)에는 상부 보호막(180q)이 없으므로, 투과 영역(TA)에서의 액 정층(3)의 두께, 또는 셀 간격(cell gap)이 반사 영역(RA)에서의 셀 간격보다 크다. 특히, 투과 영역(TA)에서의 셀 간격이 반사 영역(RA)에서의 셀 간격의 두 배인 것이 바람직하다.Since the upper passivation layer 180q is not present in the transmission area TA, the thickness of the liquid crystal layer 3 or the cell gap in the transmission area TA is greater than the cell gap in the reflection area RA. In particular, it is preferable that the cell spacing in the transmission area TA is twice the cell spacing in the reflection area RA.

화소 전극(191) 및 이와 전기적으로 연결된 드레인 전극(175)은 유지 전극선(131)과 중첩한다. 화소 전극(191) 및 이와 전기적으로 연결된 드레인 전극(175)이 유지 전극선(131)과 중첩하여 이루는 축전기를 "유지 축전기(storage capacitor)"라 하며, 유지 축전기는 액정 축전기의 전압 유지 능력을 강화한다.The pixel electrode 191 and the drain electrode 175 electrically connected thereto overlap the storage electrode line 131. A capacitor in which the pixel electrode 191 and the drain electrode 175 electrically connected thereto overlap with the storage electrode line 131 is called a "storage capacitor", and the storage capacitor enhances the voltage holding capability of the liquid crystal capacitor. .

접촉 보조 부재(81, 82)는 각각 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.The contact auxiliary members 81 and 82 are connected to the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 through the contact holes 181 and 182, respectively. The contact auxiliary members 81 and 82 compensate for and protect the adhesion between the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 and the external device.

다음으로 공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명한다.Next, the common electrode display panel 200 will be described.

투명한 유리 또는 플라스틱 등의 절연 물질로 이루어진 기판(210) 위에 차광 부재(light blocking member)(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 블랙 매트릭스(black matrix)라고도 하며, 화소 전극(191)과 마주하는 복수의 개구 영역을 정의하는 한편 화소 전극(191) 사이의 빛샘을 막아 준다.A light blocking member 220 is formed on a substrate 210 made of an insulating material such as transparent glass or plastic. The light blocking member 220 is also referred to as a black matrix and defines a plurality of opening regions facing the pixel electrode 191 while preventing light leakage between the pixel electrodes 191.

기판(210) 위에는 또한 복수의 색필터(230)가 형성되어 있으며, 차광 부재(220)로 둘러싸인 개구 영역 내에 거의 다 들어가도록 배치되어 있다. 색필터(230)는 화소 전극(191)을 따라 세로 방향으로 길게 뻗어 띠(stripe)를 이룰 수 있다. 각 색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나 를 표시할 수 있다. A plurality of color filters 230 are also formed on the substrate 210 and are arranged to almost fit into the opening region surrounded by the light blocking member 220. The color filter 230 may extend in the vertical direction along the pixel electrode 191 to form a stripe. Each color filter 230 may display one of primary colors such as three primary colors of red, green, and blue.

반사 영역(RA)의 색필터(230)의 평균 두께는 투과 영역(TA)의 색필터(230)의 평균 두께 1/2 정도인 것이 바람직한데, 반사 영역(RA)과 투과 영역(TA)을 각기 통과한 빛의 색조가 일정해질 수 있다.The average thickness of the color filter 230 of the reflection area RA is preferably about 1/2 of the average thickness of the color filter 230 of the transmission area TA. The color tone of each passing light may be constant.

색필터(230) 및 차광 부재(220) 위에는 덮개막(overcoat)(250)이 형성되어 있다. 덮개막(250)은 (유기) 절연물로 만들어질 수 있으며, 색필터(230)를 보호하고 색필터(230)가 노출되는 것을 방지하며 평탄면을 제공한다.An overcoat 250 is formed on the color filter 230 and the light blocking member 220. The overcoat 250 may be made of an (organic) insulator, protects the color filter 230, prevents the color filter 230 from being exposed, and provides a flat surface.

본 실시예에서는 투과창(195)을 형성하여 반사 영역(RA)과 투과 영역(TA) 사이의 셀 간격을 조절하였지만, 액정 표시 장치의 색필터 표시판(200)의 반사 영역(RA)에 배치되어 있는 덮개막(250)의 두께를 투과 영역(TA)에 배치되어 있는 덮개막(250)보다 두껍게 형성함으로써 셀 간격을 조절할 수도 있다.In the present exemplary embodiment, the cell gap between the reflection area RA and the transmission area TA is adjusted by forming the transmission window 195, but is disposed in the reflection area RA of the color filter display panel 200 of the liquid crystal display device. The cell gap may be adjusted by forming the overcoat 250 thicker than the overcoat 250 disposed in the transmission area TA.

덮개막(250) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO나 IZO 등 투명한 도전 도전체로 만들어지는 것이 바람직하다.The common electrode 270 is formed on the overcoat 250. The common electrode 270 is preferably made of a transparent conductive conductor such as ITO or IZO.

표시판(100, 200)의 안쪽 면 위에는 액정층(3)을 배향하기 위한 배향막(alignment layer)(도시하지 않음)이 도포되어 있으며, 표시판(100, 200)의 바깥쪽 면에는 하나 이상의 편광자(polarizer)(도시하지 않음)가 구비되어 있다.An alignment layer (not shown) for aligning the liquid crystal layer 3 is coated on the inner surfaces of the display panels 100 and 200, and one or more polarizers are disposed on the outer surfaces of the display panels 100 and 200. (Not shown) is provided.

액정층(3)은 수직 배향 또는 수평 배향되어 있다.The liquid crystal layer 3 is vertically or horizontally aligned.

액정 표시 장치는 또한 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200)을 떠받쳐서 둘 사이에 간극(間隙)을 만드는 복수의 탄성 간격재(spacer)(도시하지 않음)를 더 포함한다.The liquid crystal display further includes a plurality of elastic spacers (not shown) that hold the thin film transistor array panel 100 and the common electrode panel 200 to form a gap therebetween.

액정 표시 장치는 또한 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200)을 결합하는 밀봉재(sealant)(도시하지 않음)를 더 포함할 수 있다. 밀봉재는 공통 전극 표시판(200)의 가장자리에 위치한다.The liquid crystal display may further include a sealant (not shown) for coupling the thin film transistor array panel 100 and the common electrode panel 200. The sealing material is positioned at the edge of the common electrode display panel 200.

그러면 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 반사 전극(194)의 돌기 구조를 유도하는 보호막(180)의 돌기 구조를 형성하는 한 방법에 대하여 도 6 및 도 7을 참고로 하여 좀 더 상세하게 설명한다. Next, a method of forming the protrusion structure of the passivation layer 180 inducing the protrusion structure of the reflective electrode 194 of the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 6 and 7. Explain.

본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 반사 영역 전극 표면에 돌기를 형성하기 위하여 사진 공정을 이용하는데, 이러한 사진 공정에서 사용하는 마스크의 한 예가 도 6에 도시되어 있고, 도 6의 마스크 일부의 단면도와 그게 의해 제조될 수 있는 돌기의 단면도가 도 7에 도시된다.A photolithography process is used to form protrusions on a surface of a reflective region electrode of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention. An example of a mask used in such a photolithography process is shown in FIG. A cross sectional view of and a cross sectional view of a projection that can be produced therefrom is shown in FIG. 7.

도 6을 참고하면, 마스크(950) 표면은 빛이 통과하지 못하는 제1 불투명 영역(951), 빛이 통과하는 투명 영역(952), 그리고 제2 불투명 영역(953)으로 나뉘고, 투명 영역(952)은 제1 불투명 영역(951)으로 둘러싸여 있다. Referring to FIG. 6, the surface of the mask 950 is divided into a first opaque region 951 through which light does not pass, a transparent region 952 through which light passes, and a second opaque region 953, and a transparent region 952. ) Is surrounded by the first opaque region 951.

또한 도 6에 도시한 바와 같이, 마스크(950)의 제2 불투명 영역(953)은 제1 불투명 영역(951)과 투명 영역(952) 사이에 형성되어 있는데, 불투명 영역(951)으로 둘러싸여 있는 투명 영역(952) 각각의 위쪽에 서로 분리된 형태로 배치되어 있다.Also, as shown in FIG. 6, the second opaque region 953 of the mask 950 is formed between the first opaque region 951 and the transparent region 952, which is surrounded by the opaque region 951. The regions 952 are arranged above each other in a form separated from each other.

도 7에는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 보호막(180) 위에 형성되어 있는 돌기(183)와 그 위에 배치되어 있는 마스크(950)의 단면이 도시된다. 마스크(950)에는 빛을 통과하지 못하는 제1 불투명 영역(951), 빛을 통과하는 제1 투명 영역(952), 빛을 통과하지 못하는 제2 불투명 영역(953), 빛을 통과하는 제2 투명 영역(954)이 차례로 배치되어 있다. FIG. 7 is a cross-sectional view of the protrusion 183 formed on the passivation layer 180 of the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention and the mask 950 disposed thereon. The mask 950 includes a first opaque region 951 that cannot pass through light, a first transparent region 952 that passes through light, a second opaque region 953 that does not pass through light, and a second transparent through light. Regions 954 are arranged one after the other.

제1 투명 영역(952)의 폭(d1)은 제2 투명 영역(954)의 폭(d2) 보다 크다. 또한 제1 불투명 영역(951)의 폭은 제2 불투명 영역(953)보다 크다.The width d1 of the first transparent region 952 is greater than the width d2 of the second transparent region 954. Also, the width of the first opaque region 951 is larger than the second opaque region 953.

본 발명의 실시예에 따른 마스크(950)를 사용하여 보호막(180)을 패터닝하는 사진 공정의 노광 단계에서 감광성 보호막(180)에 도달하는 빛의 양은 제1 및 제2 투명 영역(952, 954)의 면적에 따라 달라지는데, 면적이 넓은 제1 투명 영역(952)에서 가장 크고, 불투명 영역(953)에서 급격히 감소했다가, 제2 투명 영역(954)에서 증가하고 폭이 넓은 불투명 영역(951)에 의하여 가장 작아진다. 따라서 빛이 가장 많이 도달하는 제1 투명 영역(952)에서 유기막이 가장 많이 제거되고 빛이 적게 도달하는 제2 투명 영역에서는 유기막이 상대적으로 적게 제거되며, 불투명 영역(951, 953)에서 제거되지 않은 감광성 막이 제1 및 제2 투명 영역(952, 954)으로 리플로우(reflow) 되어 도 7의 아래쪽에 도시되어 있는 형태의 돌기(183)가 형성된다.The amount of light reaching the photosensitive protective layer 180 in the exposure step of the photolithography process of patterning the protective layer 180 by using the mask 950 according to the embodiment of the present invention is the first and second transparent regions 952 and 954. It depends on the area of, which is the largest in the large first transparent region 952 and rapidly decreases in the opaque region 953, then increases in the second transparent region 954 and increases in the wide opaque region 951. By the smallest. Therefore, the organic film is most removed in the first transparent region 952 where the light reaches the most and the organic film is relatively removed in the second transparent region where the light reaches the least, and is not removed in the opaque regions 951 and 953. The photosensitive film is reflowed into the first and second transparent regions 952 and 954 to form protrusions 183 in the form shown below in FIG.

이처럼, 본 발명의 실시예에 따른 마스크(950)를 사용하여 사진 공정에 의하여 보호막(180)의 돌기(183)를 형성하면, 제2 불투명 영역(953)이 형성되어 있는 쪽에서 완만한 경사를 가지는 비대칭 형태를 가지게 된다.As such, when the protrusion 183 of the passivation layer 180 is formed by the photolithography process using the mask 950 according to the embodiment of the present invention, the second opaque region 953 has a gentle inclination. It will have an asymmetrical shape.

이상에서는 양의 감광성을 가지는 유기막을 사용한 경우를 예시한 것이고 음의 감광성을 가지는 유기막을 사용하는 경우에는 마스크의 투명부(952)와 불투명부(951)의 배치가 도 6 및 도 7과 반대로 된다. In the above, the case where the organic film which has positive photosensitivity is used is illustrated, and when the organic film which has negative photosensitivity is used, the arrangement | positioning of the transparent part 952 and the opaque part 951 of a mask is reversed from FIG. 6 and FIG. .

다음으로, 도 8 내지 도 9d를 참고로 하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 반사 전극(194) 표면에 돌기를 형성하는 방법에 대하여 설명한다.Next, a method of forming protrusions on the surface of the reflective electrode 194 according to another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 8 to 9D.

도 8은 본 발명의 다른 한 실시예에서 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 사용되는 돌기 구조의 적층구조이고, 도 9a 내지 도 9d는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 단계별로 도시한 단면도이다.8 is a laminated structure of a protrusion structure used in the method of manufacturing a liquid crystal display according to another embodiment of the present invention, and FIGS. 9A to 9D illustrate a method of manufacturing a liquid crystal display according to another embodiment of the present invention. A cross-sectional view is shown step by step.

도 8에 도시한 바와 같이, 돌기 구조층(183)는 막의 형태를 가지는데 지지체(183a), 돌기막(183c), 그리고 덮개층(183b)이 적층되어 있는 구조이다. 지지체(183a)는 투명한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET:Polyethylene terpthalate) 막과 표면에 돌기 구조가 형성되어 있는 아크릴(acrylic) 층으로 이루어질 수 있는데, 폴리에틸렌테레프탈레이트 막의 두께는 약 50㎛이고, 아크릴 층의 두께는 약 4.5㎛일 수 있다. 돌기막(183c)은 감광성 아크릴 수지로 이루어질 수 있으며 약 2.3㎛의 두께를 가질 수 있다. 또한 덮개층(183b)의 약 25㎛의 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트 막일 수 있는데, 이 덮개층(183b)은 돌기막(183c)을 보호하기 위한 것으로서, 액정 표시 장치의 제조 단계에서는 제거된다.As shown in FIG. 8, the protruding structure layer 183 has a film form in which a support 183a, a protruding film 183c, and a cover layer 183b are stacked. The support 183a may be formed of a transparent polyethylene terpthalate (PET) film and an acrylic layer having a protrusion structure formed on the surface thereof. The polyethylene terephthalate film has a thickness of about 50 μm and the thickness of the acrylic layer. May be about 4.5 μm. The projection film 183c may be made of a photosensitive acrylic resin and may have a thickness of about 2.3 μm. Also, the cover layer 183b may be a polyethylene terephthalate film having a thickness of about 25 μm. The cover layer 183b is used to protect the projection film 183c and is removed in the manufacturing step of the liquid crystal display device.

돌기막(183c)은 본 발명의 액정 표시 장치의 보호막(180)에 형성되어 있는 돌기와 같이 양 방향에서 비대칭적으로 기울어져 있는 형태를 가진다.The projection film 183c is inclined asymmetrically in both directions, such as the projections formed on the protective film 180 of the liquid crystal display of the present invention.

다음으로 도 9a 내지 도 9d를 참고하여, 도 8의 돌기 구조층(183)을 사용하여 반사막(194)의 표면에 돌기를 유도하는 방법에 대하여 설명한다.Next, a method of inducing protrusions on the surface of the reflective film 194 using the protrusion structure layer 183 of FIG. 8 will be described with reference to FIGS. 9A to 9D.

도 9a를 참고하면, 이미 필름 형태로 제작되어 있는 돌기 구조층(183)을 적당한 크기로 절단하고 덮개층(183b)을 제거한 후에 기판(110) 위에 래미네이션 (lamination)한다.Referring to FIG. 9A, the protrusion structure layer 183, which is already manufactured in a film form, is cut to a suitable size, and the cover layer 183b is removed, and then laminated on the substrate 110.

이때 필름 형태의 돌기 구조층(183)을 기판(110) 위에 놓고 기판(110) 위와 아래에 각기 배치되어 있는 롤러(961, 962)를 작은 화살표로 표시되어 있는 바와 같이 서로 다른 방향으로 회전하면서 큰 화살표 방향으로 이동시켜 압력을 가한다. 롤러(961, 962)의 온도는 100℃ 내지 140℃일 수 있다.At this time, the projection structure layer 183 in the form of film is placed on the substrate 110, and the rollers 961 and 962 respectively disposed above and below the substrate 110 are rotated in different directions as indicated by small arrows. Move in the direction of the arrow to apply pressure. The temperature of the rollers 961 and 962 may be 100 ° C to 140 ° C.

도 9b에서와 같이 돌기막(183)이 래미네이션되어 있는 기판(110) 위에 자외선(UV)을 조사하여 돌기막(183c)가 기판(110) 위에 잘 접착되도록 한다.As shown in FIG. 9B, ultraviolet rays (UV) are irradiated onto the substrate 110 on which the projection film 183 is laminated so that the projection film 183c is well adhered to the substrate 110.

다음으로 도 9c를 참고하면 지지체(183b)를 제거한 후에, 도 9d에 도시한 바와 같이 잔존하는 돌기막(183c) 위에 반사 전극(194)을 스퍼터링 등으로 증착하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 반사 전극(194) 표면에 비대칭적인 기울기를 가지는 복수의 돌기를 형성할 수 있다.Next, referring to FIG. 9C, after the support 183b is removed, the reflective electrode 194 is deposited on the remaining protrusion film 183c by sputtering or the like, as shown in FIG. 9D, according to an exemplary embodiment of the present invention. It is possible to form a plurality of protrusions having an asymmetric slope on the surface of the reflective electrode 194 of the device.

본 발명에 의하면, 액정 표시 장치의 반사 전극의 표면에 양 방향에서 서로 다른 경사 기울기를 가지는 비대칭적인 복수의 돌기가 형성되어 있어서, 휴대할 수 있는 중소형 액정 표시 장치에 입사하는 빛의 방향 특성을 살려 사용자의 위쪽에서 입사하는 빛이 주로 사용자의 시야쪽으로 반사되도록 하여 빛의 효율을 높일 수 있다.According to the present invention, a plurality of asymmetrical projections having different inclination inclinations in both directions are formed on the surface of the reflective electrode of the liquid crystal display device, taking advantage of the direction characteristic of light incident on the portable small and medium liquid crystal display device. The light incident from the upper side of the user is mainly reflected toward the user's field of view, thereby increasing the efficiency of the light.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

Claims (13)

제1 기판, 그리고A first substrate, and 상기 제1 기판 위에 형성되어 있으며 복수의 돌기를 가지는 화소 전극을 포함하며, A pixel electrode formed on the first substrate and having a plurality of protrusions; 상기 돌기는 제1 경사면 및 제2 경사면을 가지고, 상기 제1 경사면의 기울기는 상기 제2 경사면의 기울기보다 작은 비대칭 형태인 액정 표시 장치.The protrusion has a first inclined surface and a second inclined surface, and the inclination of the first inclined surface is an asymmetric shape smaller than the inclination of the second inclined surface. 제1항에서,In claim 1, 상기 제1 기판 위에 형성되어 있는 게이트선 및 데이터선,A gate line and a data line formed on the first substrate; 상기 게이트선 및 데이터선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 그리고A thin film transistor connected to the gate line and the data line, and 상기 제1 기판 위에 형성되어 있으며 표면에 복수의 돌기를 가지는 보호막을 더 포함하고,A protective film formed on the first substrate and having a plurality of protrusions on a surface thereof; 상기 화소 전극은 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 액정 표시 장치.The pixel electrode is connected to the thin film transistor. 제2항에서,In claim 2, 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판, 그리고A second substrate facing the first substrate, and 상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 복수의 색필터를 더 포함하는 액정 표시 장치.And a plurality of color filters formed on the second substrate. 제3항에서,In claim 3, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 차광 부재, A light blocking member formed on the second substrate, 상기 색필터 위에 형성되어 있는 덮개막, 그리고An overcoat formed on the color filter, and 상기 덮개막 위에 형성되어 있는 공통 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.And a common electrode formed on the overcoat. 기판을 준비하는 단계,Preparing the substrate, 상기 기판 위에 게이트선 및 데이터선을 형성하는 단계,Forming a gate line and a data line on the substrate; 상기 기판 위에 상기 게이트선 및 데이터선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, Forming a thin film transistor connected to the gate line and the data line on the substrate; 상기 제1 기판 위에 형성되어 있으며 표면에 복수의 돌기를 가지는 보호막을 형성하는 단계, 그리고Forming a protective film formed on the first substrate and having a plurality of protrusions on a surface thereof; and 상기 보호막 위에 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하고,Forming a pixel electrode on the passivation layer, 상기 돌기는 제1 경사면 및 제2 경사면을 가지고, 상기 제1 경사면의 기울기는 상기 제2 경사면의 기울기보다 작은 비대칭 형태인 액정 표시 장치의 제조 방법.The protrusion has a first inclined surface and a second inclined surface, and the inclination of the first inclined surface is an asymmetric shape smaller than the inclination of the second inclined surface. 제5항에서,In claim 5, 상기 비대칭 형태의 복수의 돌기를 가지는 보호막을 형성하는 단계는Forming a protective film having a plurality of protrusions of the asymmetric type 상기 기판 위에 감광성 유기막을 도포하는 단계,Applying a photosensitive organic film on the substrate, 상기 유기막이 도포된 상기 기판을 마스크 패턴에 따라 노광하는 단계,Exposing the substrate on which the organic film is applied according to a mask pattern; 상기 노광된 기판을 현상하는 단계, 그리고Developing the exposed substrate, and 상기 현상된 기판을 베이크하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.A method of manufacturing a liquid crystal display comprising baking the developed substrate. 제6항에서,In claim 6, 상기 마스크 패턴은 제1 및 제2 불투명 영역, 그리고 투명 영역으로 나뉘고,The mask pattern is divided into first and second opaque regions and transparent regions, 상기 투명 영역은 상기 제1 불투명 영역으로 둘러싸여 있고,The transparent region is surrounded by the first opaque region, 상기 제2 불투명 영역은 상기 제1 불투명 영역과 상기 투명 영역 사이에 형성되어 있으며, 상기 제1 불투명 영역으로 둘러싸여 있는 투명 영역의 위쪽에 분리된 형태로 배치되어 있는 액정 표시 장치의 제조 방법.The second opaque region is formed between the first opaque region and the transparent region, and is disposed in a separated form above the transparent region surrounded by the first opaque region. 제5항에서,In claim 5, 상기 비대칭 형태의 복수의 돌기를 가지는 보호막을 형성하는 단계는Forming a protective film having a plurality of protrusions of the asymmetric type 상기 기판 위에 적층 구조의 돌기 구조층 필름을 래미네이션 하는 단계,Laminating the protrusion structure layer film of the laminated structure on the substrate; 상기 돌기 구조층 필름이 래미네이션되어 있는 기판 위에 자외선을 조사하는 단계, 그리고Irradiating ultraviolet rays onto the substrate on which the protrusion structure layer film is laminated; and 상기 돌기 구조층 필름의 지지체를 제거하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치 제조 방법.Removing the support of the protruding structure layer film. 제8항에서,In claim 8, 상기 돌기 구조층 필름은 지지체, 돌기막, 덮개층의 적층 구조를 가지는 액정 표시 장치 제조 방법.The projection structure layer film has a laminated structure of a support, a projection film, and a cover layer. 제9항에서,In claim 9, 상기 지지체는 투명한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET:Polyethylene terpthalate) 막과 표면에 복수의 돌기가 형성되어 있는 아크릴 층으로 이루어지는 액정 표시 장치 제조 방법.And the support comprises a transparent polyethylene terpthalate (PET) film and an acrylic layer having a plurality of protrusions formed on a surface thereof. 제10항에서,In claim 10, 상기 폴리에틸렌테레프탈레이트 막의 두께는 40㎛ 내지 60㎛이고, 상기 아크릴 층의 두께는 4㎛ 내지 5㎛인 액정 표시 장치 제조 방법.The polyethylene terephthalate film has a thickness of 40 μm to 60 μm, and the acrylic layer has a thickness of 4 μm to 5 μm. 제10항에서,In claim 10, 상기 돌기막은 감광성 아크릴 수지로 이루어지고, 상기 돌기막의 두께는 2.0㎛ 내지 2.5㎛인 액정 표시 장치 제조 방법.The projection film is made of a photosensitive acrylic resin, the thickness of the projection film is a liquid crystal display device manufacturing method of 2.0㎛ to 2.5㎛. 제10항에서,In claim 10, 상기 덮개층은 20㎛ 내지 30㎛의 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트 막으로 이루어지고, 상기 덮개층은 상기 액정 표시 장치의 제조 단계에서는 제거되는 액정 표시 장치 제조 방법.And the cover layer is made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 20 μm to 30 μm, and the cover layer is removed in a manufacturing step of the liquid crystal display device.
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