KR20070051501A - Method of making display device - Google Patents

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KR20070051501A
KR20070051501A KR1020050109143A KR20050109143A KR20070051501A KR 20070051501 A KR20070051501 A KR 20070051501A KR 1020050109143 A KR1020050109143 A KR 1020050109143A KR 20050109143 A KR20050109143 A KR 20050109143A KR 20070051501 A KR20070051501 A KR 20070051501A
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하재국
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 표시장치의 제조방법에 관한 것으로서 절연기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터에 전기적으로 연결되어 있는 전극을 형성하는 단계와; 상기 전극을 둘러싸는 격벽을 형성하는 단계와; 상기 격벽에 의해 둘러싸인 상기 전극 상에 회전 상태의 잉크를 드로핑하는 단계와; 상기 잉크를 건조시켜 유기층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 유기층의 품질이 균일한 표시장치가 제공된다.The present invention relates to a method of manufacturing a display device, comprising: forming a thin film transistor on an insulating substrate; Forming an electrode electrically connected to the thin film transistor; Forming a partition wall surrounding the electrode; Dropping ink in a rotating state on the electrode surrounded by the partition wall; And drying the ink to form an organic layer. As a result, a display device having a uniform quality of the organic layer is provided.

Description

표시장치의 제조방법{METHOD OF MAKING DISPLAY DEVICE} Manufacturing method of display device {METHOD OF MAKING DISPLAY DEVICE}

도 1은 본 발명에 따라 제조된 표시장치의 화소에 대한 등가회로도이고,1 is an equivalent circuit diagram of a pixel of a display device manufactured according to the present invention;

도 2는 본 발명에 따라 제조된 표시장치의 단면도이고,2 is a cross-sectional view of a display device manufactured according to the present invention;

도 3a 내지 도 3c는 본발명의 제1실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 순차적으로 도시한 단면도이고,3A to 3C are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a display device according to a first embodiment of the present invention.

도 4a 및 도 4b는 본발명의 제2실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명한 도면이다.4A and 4B illustrate a method of manufacturing a display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분의 부호에 대한 설명 *Explanation of Signs of Major Parts of Drawings

10 : 절연기판 20 : 박막트랜지스터10: insulated substrate 20: thin film transistor

31 : 보호막 32 : 화소전극31: protective film 32: pixel electrode

41 : 격벽 51 : 정공주입층41: partition 51: hole injection layer

52 : 유기 발광층 61 : 공통전극 52 organic light emitting layer 61 common electrode

본 발명은 표시 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 더 자세하게는, 유기층 형성을 위한 잉크를 회전시키는 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a display device, and more particularly, to a method for manufacturing a display device for rotating an ink for forming an organic layer.

평판 디스플레이 장치(flat panel display) 중 저전압 구동, 경량 박형, 광시야각 그리고 고속응답 등의 장점으로 인하여, 최근 OLED(organic light emitting diode)가 각광 받고 있다. OLED는 구동방식에 따라 수동형(passive matrix)과 능동형(active matrix)으로 나누어진다. 이중 수동형은 제조과정은 간단하지만 디스플레이 면적과 해상도가 증가할수록 소비전력이 급격히 증가하는 문제가 있다. 따라서 수동형은 주로 소형 디스플레이에 응용되고 있다. 반면 능동형은 제조과정은 복잡하지만 대화면과 고해상도를 실현할 수 있는 장점이 있다.Among flat panel displays, organic light emitting diodes (OLEDs) have recently been in the spotlight due to advantages such as low voltage driving, light weight, wide viewing angle, and high speed response. OLEDs are classified into a passive matrix and an active matrix according to the driving method. The passive type has a simple manufacturing process, but the power consumption increases rapidly as the display area and resolution increase. Therefore, the passive type is mainly applied to small displays. Active type, on the other hand, has a complex manufacturing process but has the advantage of realizing a large screen and high resolution.

능동형 OLED는 박막트랜지스터가 각 화소 영역마다 연결되어, 각 화소 영역별로 유기 발광층의 발광을 제어한다. 각 화소 영역에는 화소전극이 위치하고 있는데, 각 화소전극은 독립된 구동을 위해 인접한 화소전극과 전기적으로 분리되어 있다. 화소전극 상에는 정공주입층과 유기 발광층과 같은 유기층이 존재한다.In the active OLED, a thin film transistor is connected to each pixel region to control light emission of the organic light emitting layer for each pixel region. Pixel electrodes are located in each pixel area, and each pixel electrode is electrically separated from adjacent pixel electrodes for independent driving. An organic layer such as a hole injection layer and an organic light emitting layer is present on the pixel electrode.

유기층은 통상 잉크 젯 방식으로 형성된다. 잉크 젯 방식에서는 화소전극을 둘러싸는 격벽 사이에 유기물이 용해되어 있는 잉크를 드로핑 한 후, 잉크를 건조하여 유기층을 형성한다. 그런데 격벽 사이에 드로핑된 잉크는 균일한 높이로 형성되지 않아 유기층의 품질이 위치에 따라 불균일해지는 문제가 있다.The organic layer is usually formed by an ink jet method. In the inkjet method, an ink in which an organic substance is dissolved is dropped between partition walls surrounding the pixel electrode, and then the ink is dried to form an organic layer. However, the ink dropped between the partition walls is not formed to have a uniform height, there is a problem that the quality of the organic layer is uneven depending on the location.

따라서 본 발명의 목적은 유기층의 품질이 균일한 표시장치의 제조방법을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a display device having a uniform quality of an organic layer.

상기 본발명의 목적은 절연기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상 기 박막트랜지스터에 전기적으로 연결되어 있는 전극을 형성하는 단계와; 상기 전극을 둘러싸는 격벽을 형성하는 단계와; 상기 격벽에 의해 둘러싸인 상기 전극 상에 회전 상태의 잉크를 드로핑하는 단계와; 상기 잉크를 건조시켜 유기층을 형성하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법에 의하여 달성된다.An object of the present invention is to form a thin film transistor on an insulating substrate; Forming an electrode electrically connected to the thin film transistor; Forming a partition wall surrounding the electrode; Dropping ink in a rotating state on the electrode surrounded by the partition wall; It is achieved by a method of manufacturing a display device comprising the step of drying the ink to form an organic layer.

상기 잉크의 드로핑 시 상기 잉크에 전자기장을 인가하는 것이 바람직하다. It is preferable to apply an electromagnetic field to the ink when the ink is dripped.

상기 잉크는 극성용매를 포함하는 것이 바람직하다. It is preferable that the ink contains a polar solvent.

상기 극성용매는 이소프로필알콜(IPA), n-부탄올, γ-부틸올락톤, N-메틸피를리돈(NMP), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(DMI) 및 그 유도체, 카비톨아세테이트, 부틸카비톨아세테이트 등의 글리콜에테류로 이루어진 군 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다. The polar solvent may be isopropyl alcohol (IPA), n-butanol, γ-butyl olactone, N-methylpyridone (NMP), 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI) and derivatives thereof, It is preferable to contain at least any one selected from the group consisting of glycol ethers such as carbitol acetate and butyl carbitol acetate.

상기 유기층은 정공주입층 및 유기 발광층 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다. The organic layer preferably includes at least one of a hole injection layer and an organic light emitting layer.

상기 본 발명의 목적은 절연기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터에 전기적으로 연결되어 있는 전극을 형성하는 단계와; 상기 전극을 둘러싸는 격벽을 형성하는 단계와; 상기 격벽에 의해 둘러싸인 상기 전극 상에 잉크를 드로핑하는 단계와; 상기 잉크가 드로핑 된 상태에서 상기 절연기판을 회전시키는 단계와; 상기 잉크를 건조시켜 유기층을 형성하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법에 의하여도 달성된다.An object of the present invention is to form a thin film transistor on an insulating substrate; Forming an electrode electrically connected to the thin film transistor; Forming a partition wall surrounding the electrode; Dropping ink on the electrode surrounded by the partition wall; Rotating the insulating substrate while the ink is dripped; It is also achieved by a method of manufacturing a display device comprising the step of drying the ink to form an organic layer.

상기 절연기판은 상기 절연기판의 판면을 포함하는 평면 내에서 회전하는 것이 바람직하다. The insulating substrate is preferably rotated in a plane including the plate surface of the insulating substrate.

상기 절연기판은 상기 절연기판을 통과하는 축을 중심으로 회전하는 것이 바람직하다. Preferably, the insulating substrate rotates about an axis passing through the insulating substrate.

상기 본 발명의 다른 목적은 절연기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터에 전기적으로 연결되어 있는 전극을 형성하는 단계와; 상기 전극을 둘러싸는 격벽을 형성하는 단계와; 상기 격벽에 의해 둘러싸인 상기 전극 상에 회전 상태의 잉크를 형성하는 단계와; 상기 잉크를 건조시켜 유기층을 형성하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법에 의하여도 달성된다.Another object of the present invention is to form a thin film transistor on an insulating substrate; Forming an electrode electrically connected to the thin film transistor; Forming a partition wall surrounding the electrode; Forming ink in a rotating state on the electrode surrounded by the partition wall; It is also achieved by a method of manufacturing a display device comprising the step of drying the ink to form an organic layer.

이하 첨부된 도면을 참조로 하여 본발명을 더욱 상세히 설명하겠다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

여러 실시예에 있어서 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 부여하였으며, 동일한 구성요소에 대하여는 제1실시예에서 대표적으로 설명하고 다른 실시예에서는 생략될 수 있다.In various embodiments, like reference numerals refer to like elements, and like reference numerals refer to like elements in the first embodiment and may be omitted in other embodiments.

설명에서 '상에' 또는 '위에'는 두 층(막) 간에 다른 층(막)이 개재되거나 개재되지 않는 것을 의미하며, '바로 위에'는 두 층(막)이 서로 접촉하고 있음을 나타낸다.In the description, 'on' or 'on' means that another layer (membrane) is interposed or not interposed between the two layers (membrane), and 'just on' indicates that the two layers (membrane) are in contact with each other.

도 1은 본 발명에 따라 제조된 표시장치에서 화소에 대한 등가회로도이다. 1 is an equivalent circuit diagram of a pixel in a display device manufactured according to the present invention.

하나의 화소에는 복수의 신호선이 마련되어 있다. 신호선은 주사신호를 전달하는 게이트선, 데이터 신호를 전달하는 데이터선 그리고 구동 전압을 전달하는 구동 전압선을 포함한다. 데이터선과 구동 전압선은 서로 인접하여 나란히 배치되어 있으며, 게이트선은 데이터선 및 구동 전압선과 수직을 이루며 연장되어 있다.A plurality of signal lines are provided in one pixel. The signal line includes a gate line for transmitting a scan signal, a data line for transmitting a data signal, and a driving voltage line for transmitting a driving voltage. The data line and the driving voltage line are adjacent to each other and disposed side by side, and the gate line extends perpendicular to the data line and the driving voltage line.

각 화소는 유기발광소자(LD), 스위칭 박막트랜지스터(Tsw), 구동 박막트랜지 스터(Tdr), 축전기(C)를 포함한다.Each pixel includes an organic light emitting element LD, a switching thin film transistor Tsw, a driving thin film transistor Tdr, and a capacitor C.

구동 박막트랜지스터(Tdr)는 제어 단자, 입력 단자 및 출력단자를 가지는데, 제어단자는 스위칭 박막트랜지스터(Tsw)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기발광소자(LD)에 연결되어 있다.The driving thin film transistor Tdr has a control terminal, an input terminal, and an output terminal. The control terminal is connected to the switching thin film transistor Tsw, the input terminal is connected to a driving voltage line, and the output terminal is an organic light emitting diode ( LD).

유기발광소자(LD)는 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 출력 단자에 연결되는 애노드(anode)와 공통전압(Vcom)에 연결되어 있는 캐소드(cathod)를 가진다. 유기 발광 소자(LD)는 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 출력 전류에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다. 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 전류는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라진다.The organic light emitting element LD has an anode connected to the output terminal of the driving thin film transistor Tdr and a cathode connected to the common voltage Vcom. The organic light emitting element LD displays an image by emitting light having a different intensity according to the output current of the driving thin film transistor Tdr. The current of the driving thin film transistor Tdr varies in magnitude depending on the voltage applied between the control terminal and the output terminal.

스위칭 박막트랜지스터(Tsw)는 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 게이트선에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 제어 단자에 연결되어 있다. 스위칭 박막트랜지스터(Tsw)는 게이트선에 인가되는 주사 신호에 따라 데이터선에 인가되는 데이터 신호를 구동 박막트랜지스터(Tdr)에 전달한다.The switching thin film transistor Tsw also has a control terminal, an input terminal and an output terminal, the control terminal is connected to the gate line, the input terminal is connected to the data line, and the output terminal of the driving thin film transistor Tdr. It is connected to the control terminal. The switching thin film transistor Tsw transfers a data signal applied to the data line to the driving thin film transistor Tdr according to a scan signal applied to the gate line.

축전기(C)는 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 제어 단자와 입력단자 사이에 연결되어 있다. 축전기(C)는 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 제어 단자에 입력되는 데이터 신호를 충전하고 유지한다.The capacitor C is connected between the control terminal and the input terminal of the driving thin film transistor Tdr. The capacitor C charges and maintains a data signal input to the control terminal of the driving thin film transistor Tdr.

본 발명에 따라 제조된 표시 장치를 도 2를 참조하여 설명한다. A display device manufactured according to the present invention will be described with reference to FIG. 2.

본 발명에 따라 제조된 표시 장치(1)는 절연기판(10) 상에 형성되어 있는 박막트랜지스터(20), 박막트랜지스터(20)에 전기적으로 연결되어 있는 화소전극(32), 화소전극(32) 상에 형성되어 있는 유기층(50)을 포함한다.The display device 1 manufactured according to the present invention includes a thin film transistor 20 formed on an insulating substrate 10, a pixel electrode 32 and a pixel electrode 32 electrically connected to the thin film transistor 20. It includes the organic layer 50 formed on the.

도면에서는 비정질 실리콘을 사용한 박막트랜지스터(20)를 예시하였으나 폴리실리콘을 사용하는 박막트랜지스터를 사용할 수 있음은 물론이다.In the drawing, although the thin film transistor 20 using amorphous silicon is illustrated, a thin film transistor using polysilicon may be used.

본 발명에 따라 제조된 표시 장치를 자세히 살펴보면 다음과 같다. Looking at the display device manufactured according to the present invention in detail as follows.

유리, 석영, 세라믹 또는 플라스틱 등의 절연성 재질을 포함하여 만들어진 절연기판(10) 상에 게이트 전극(21)이 형성되어 있다. The gate electrode 21 is formed on an insulating substrate 10 made of an insulating material such as glass, quartz, ceramic, or plastic.

절연기판(10)과 게이트 전극(21) 위에는 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 이루어진 게이트 절연막(22)이 형성되어 있다. 게이트 전극(21)이 위치한 게이트 절연막(22) 상에는 비정질 실리콘으로 이루어진 반도체층(23)과 n형 불순물이 고농도 도핑된 n+ 수소화 비정질 실리콘으로 이루어진 저항성 접촉층(24)이 순차적으로 형성되어 있다. 여기서, 저항성 접촉층(24)은 게이트 전극(21)을 중심으로 양쪽으로 분리되어 있다.A gate insulating layer 22 made of silicon nitride (SiNx) or the like is formed on the insulating substrate 10 and the gate electrode 21. A semiconductor layer 23 made of amorphous silicon and an ohmic contact layer 24 made of n + hydrogenated amorphous silicon heavily doped with n-type impurities are sequentially formed on the gate insulating film 22 where the gate electrode 21 is located. Here, the ohmic contact layer 24 is separated on both sides with respect to the gate electrode 21.

저항 접촉층(24) 및 게이트 절연막(22) 위에는 소스 전극(25)과 드레인 전극(26)이 형성되어 있다. 소스 전극(25)과 드레인 전극(26)은 게이트 전극(21)을 중심으로 분리되어 있다.The source electrode 25 and the drain electrode 26 are formed on the ohmic contact layer 24 and the gate insulating film 22. The source electrode 25 and the drain electrode 26 are separated around the gate electrode 21.

소스 전극(25)과 드레인 전극(26) 및 이들이 가리지 않는 반도체층(23)의 상부에는 보호막(31)이 형성되어 있다. 보호막(31)은 실리콘 질화물(SiNx) 또는/그리고 유기막으로 이루어질 수 있다. 보호막(31)에는 드레인 전극(26)을 드러내는 접촉구(27)가 형성되어 있다.The passivation layer 31 is formed on the source electrode 25, the drain electrode 26, and the semiconductor layer 23 not covered by these. The passivation layer 31 may be formed of silicon nitride (SiNx) and / or an organic layer. The protective film 31 is provided with a contact hole 27 exposing the drain electrode 26.

보호막(31)의 상부에는 화소전극(32)이 형성되어 있다. 화소전극(32)은 음극 (anode)이라고도 불리며 유기 발광층(52)에 정공을 공급한다. 화소전극(32)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)등의 투명한 도전물질로 이루어져 있으며 스퍼터링 방법에 의하여 형성된다. 화소전극(32)은 평면에서 보아 대략 사각형으로 패터닝되어 있을 수 있다. The pixel electrode 32 is formed on the passivation layer 31. The pixel electrode 32 is also called an anode and supplies holes to the organic emission layer 52. The pixel electrode 32 is made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), and is formed by a sputtering method. The pixel electrode 32 may be patterned in a substantially rectangular shape in plan view.

각 화소전극(32) 간에는 격벽(41)이 형성되어 있다. 격벽(41)은 화소전극(32) 간을 구분하여 화소영역을 정의하며 박막트랜지스터(20)와 접촉구(27) 상에 형성되어 있다. 격벽(40)은 박막트랜지스터(20)의 소스 전극(25)과 드레인 전극(26)이 공통전극(61)과 단락되는 것을 방지하는 역할도 한다. 격벽(41)은 아크릴 수지, 폴리이미드 수지 등의 내열성, 내용매성이 있는 감광물질이나 SiO2, TiO2와 같은 무기재료로 이루어질 수 있으며 유기층과 무기층의 2층 구조도 가능하다.A partition wall 41 is formed between each pixel electrode 32. The partition wall 41 defines a pixel area by dividing the pixel electrodes 32 and is formed on the thin film transistor 20 and the contact hole 27. The partition wall 40 also serves to prevent the source electrode 25 and the drain electrode 26 of the thin film transistor 20 from being short-circuited with the common electrode 61. The partition wall 41 may be formed of a photoresist having heat resistance and solvent resistance, such as an acrylic resin and a polyimide resin, or an inorganic material such as SiO 2 or TiO 2, and may have a two-layer structure of an organic layer and an inorganic layer.

화소전극(32) 상부에는 정공주입층(51, hole injecting layer)과 유기 발광층(52)이 위치하고 있다.The hole injecting layer 51 and the organic emission layer 52 are positioned on the pixel electrode 32.

정공주입층(51)으로는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT) 등의 폴리티오펜 유도체와 폴리스틸렌 술폰산(PSS) 등의 혼합물을 사용할 수 있다.As the hole injection layer 51, a mixture of polythiophene derivatives such as poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) and polystyrene sulfonic acid (PSS) can be used.

유기 발광층(52)은 적색을 발광하는 적색 발광층(52a), 녹색을 발광하는 녹색 발광층(52b), 청색을 발광하는 청색 발광층(52c)으로 이루어져 있다. The organic light emitting layer 52 includes a red light emitting layer 52a for emitting red light, a green light emitting layer 52b for emitting green light, and a blue light emitting layer 52c for emitting blue light.

유기 발광층(52)은 폴리플루오렌 유도체, (폴리)파라페닐렌비닐렌 유도체, 폴리페닐렌 유도체, 폴리비닐카바졸, 폴리티오펜 유도체, 또는 이들의 고분자 재료에 페릴렌계 색소, 로더민계 색소, 루브렌, 페릴렌, 9,10-디페닐안트라센, 테트라페닐부타디엔, 나일 레드, 쿠마린 6, 퀴나크리돈 등을 도핑하여 사용할 수 있다. The organic light emitting layer 52 may be formed of a polyfluorene derivative, a (poly) paraphenylene vinylene derivative, a polyphenylene derivative, a polyvinylcarbazole, a polythiophene derivative, or a perylene-based pigment, a laumine-based pigment, Rubene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, nile red, coumarin 6, quinacridone and the like can be used by doping.

화소전극(32)에서 전달된 정공과 공통전극(61)에서 전달된 전자는 유기 발광층(52)에서 결합하여 여기자(exciton)가 된 후, 여기자의 비활성화 과정에서 빛을 발생시킨다. Holes transferred from the pixel electrode 32 and electrons transferred from the common electrode 61 are combined in the organic emission layer 52 to form excitons, and then generate light in the process of deactivating excitons.

여기서 정공주입층(51) 및 유기 발광층(52)은 격벽(41)과의 거리에 상관없이 균일한 두께로 형성되어 있다. 이에 의해 유기층(50)이 형성되지 않는 부분을 통해 화소전극(32)과 공통전극(61)이 단락되는 문제가 감소한다.The hole injection layer 51 and the organic light emitting layer 52 are formed to have a uniform thickness irrespective of the distance from the partition wall 41. As a result, the shorting of the pixel electrode 32 and the common electrode 61 through the portion where the organic layer 50 is not formed is reduced.

격벽(41) 및 유기 발광층(52)의 상부에는 공통전극(61)이 위치한다. 공통전극(61)은 양극(cathode)이라고도 불리며 유기 발광층(52)에 전자를 공급한다. 공통전극(61)은 칼슘층과 알루미늄층으로 적층되어 구성될 수 있다. 이 때 유기 발광층(52)에 가까운 측에는 일함수가 낮은 칼슘층이 배치되는 것이 바람직하다. The common electrode 61 is positioned on the partition 41 and the organic emission layer 52. The common electrode 61 is also called a cathode and supplies electrons to the organic emission layer 52. The common electrode 61 may be formed by stacking a calcium layer and an aluminum layer. At this time, it is preferable that a calcium layer having a low work function is disposed on the side close to the organic light emitting layer 52.

불화 리튬은 유기 발광층(52)의 재료에 따라서는 발광효율을 증가시키기 때문에, 유기 발광층(52)과 공통전극(61) 사이에 불화리튬층을 형성할 수도 있다. 공통전극(61)을 알루미늄, 은과 같은 불투명한 재질로 만들 경우 유기 발광층(52)에서 발광된 빛은 절연기판(10) 방향으로 출사되며 이를 바텀 에미션(bottom emission) 방식이라 한다.Since lithium fluoride increases the luminous efficiency depending on the material of the organic light emitting layer 52, a lithium fluoride layer may be formed between the organic light emitting layer 52 and the common electrode 61. When the common electrode 61 is made of an opaque material such as aluminum or silver, the light emitted from the organic emission layer 52 is emitted toward the insulating substrate 10, which is referred to as a bottom emission method.

도시하지는 않았지만 표시장치(1)는 유기 발광층(52)과 공통전극(61) 사이에 전자수송층(electron transfer layer)과 전자주입층(electron injection layer)을 더 포함할 수 있다. 또한 공통전극(61)의 보호를 위한 보호막, 유기층(50)으로의 수분 및 공기 침투를 방지하기 위한 봉지부재를 더 포함할 수 있다. 봉지부재는 밀봉수지와 밀봉캔으로 이루어질 수 있다.Although not shown, the display device 1 may further include an electron transfer layer and an electron injection layer between the organic emission layer 52 and the common electrode 61. In addition, a protective film for protecting the common electrode 61, a sealing member for preventing the penetration of moisture and air into the organic layer 50 may be further included. The sealing member may be formed of a sealing resin and a sealing can.

이하 도 3a 내지 도 3c를 참조하여 본발명의 제1실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a display device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3A to 3C.

먼저 도 3a와 같이 절연기판(10) 상에 박막트랜지스터(20), 화소전극(32) 및 격벽(41)을 형성한다.First, as shown in FIG. 3A, the thin film transistor 20, the pixel electrode 32, and the partition wall 41 are formed on the insulating substrate 10.

박막트랜지스터(20)는 채널부가 비정질 실리콘으로 이루어져 있으며 공지의 방법으로 제조될 수 있다. The thin film transistor 20 has a channel portion made of amorphous silicon and may be manufactured by a known method.

박막트랜지스터(20) 형성 후 박막트랜지스터(20) 상에 보호막(31)을 형성한다. 보호막(31)이 실리콘 질화물인 경우 화학기상증착법을 사용할 수 있다. 이 후 보호막(31)을 사진식각하여 드레인 전극(26)을 드러내는 접촉구(27)를 형성한다. 접촉구(27)를 형성한 후 접촉구(27)를 통해 드레인 전극(26)과 연결되어 있는 화소전극(32)을 형성한다. 화소전극(32)은 ITO를 스퍼터링 방식으로 증착한 후 패터닝하여 형성할 수 있다.After the thin film transistor 20 is formed, the passivation layer 31 is formed on the thin film transistor 20. When the protective layer 31 is silicon nitride, chemical vapor deposition may be used. Thereafter, the protective layer 31 is photographed to form a contact hole 27 exposing the drain electrode 26. After forming the contact hole 27, the pixel electrode 32 connected to the drain electrode 26 is formed through the contact hole 27. The pixel electrode 32 may be formed by depositing and patterning ITO by sputtering.

격벽(41)은 화소전극(32) 상에 감광성 물질을 코팅한 후 노광, 현상하여 형성할 수 있다.The partition wall 41 may be formed by coating a photosensitive material on the pixel electrode 32, followed by exposure and development.

그 후 도 3b와 같이 정공주입층(51)을 형성하기 위해 정공주입물질을 포함하는 고분자 용액인 정공주입잉크(55)를 화소전극(32) 상에 잉크젯 방법을 사용하여 드로핑한다. 정공주입잉크(55)는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT) 등의 폴리티오펜 유도체와 폴리스틸렌 술폰산(PSS) 등의 혼합물과 이들 혼합물이 용해되어 있는 극성 용매를 포함할 수 있다. 극성 용매로는, 예를 들어 이소프로필알콜(IPA), n-부탄올, γ-부틸올락톤, N-메틸피를리돈(NMP), 1,3-디메틸-2-이미다졸리 디논(DMI) 및 그 유도체, 카비톨아세테이트, 부틸카비톨아세테이트 등의 글리콜에테류 등을 들 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 3B, the hole injection ink 55, which is a polymer solution containing a hole injection material, is dropped onto the pixel electrode 32 using an inkjet method to form the hole injection layer 51. The hole injection ink 55 may include a mixture of polythiophene derivatives such as poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) and polystyrene sulfonic acid (PSS), and a polar solvent in which these mixtures are dissolved. . As a polar solvent, for example, isopropyl alcohol (IPA), n-butanol, γ-butylolactone, N-methylpyridone (NMP), 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI) And glycol ethers such as derivatives thereof, carbitol acetate and butyl carbitol acetate, and the like.

드로핑 시 정공주입잉크(55)에는 전자기장이 인가된다. 전자기장은, 이에 한정되지는 않으나, 절연기판(10) 하부에 위치한 전자기장 발생장치(100)에 의해 인가될 수 있다. 전자기장 발생장치(100)는 봉 형상의 철심(110)과 철심(110)을 감싸고 있는 코일(120)로 이루어질 수 있다. 도시하지는 않았지만 코일(120)은 전원공급장치에 연결되어 있다.During dropping, an electromagnetic field is applied to the hole injection ink 55. The electromagnetic field is not limited thereto, but may be applied by the electromagnetic field generating device 100 positioned below the insulating substrate 10. The electromagnetic field generating device 100 may be formed of a rod-shaped iron core 110 and a coil 120 surrounding the iron core 110. Although not shown, the coil 120 is connected to a power supply.

정공주입잉크(55)는 극성용매를 포함하고 있는데, 극성용매는 전자기장에 의해 회전하게 된다. 이에 의해 정공주입잉크(55)는 회전 상태에서 화소전극(32) 상에 드로핑되며 회전력에 의해 화소전극(32) 상에 균일한 높이로 형성된다. 이 정공주입잉크(55)를 건조하게 되면 균일한 두께의 정공주입층(51)을 형성할 수 있다.The hole injection ink 55 includes a polar solvent, which is rotated by an electromagnetic field. As a result, the hole injection ink 55 is dripped onto the pixel electrode 32 in the rotating state, and is formed to have a uniform height on the pixel electrode 32 by the rotational force. When the hole injection ink 55 is dried, a hole injection layer 51 having a uniform thickness can be formed.

정공주입잉크(55)의 건조는 질소 분위기 하 실온에서 압력을 1Torr 정도로 낮추어 행할 수 있다. 압력이 너무 낮으면 정공주입잉크(55)가 급격히 끊을 위험이 있다. 한편 온도를 실온 이상으로 하면 용매의 증발 속도가 높아져 균일한 두께의 막을 형성하기 어려워 바람직하지 않다. Drying the hole injection ink 55 can be performed by lowering the pressure to about 1 Torr at room temperature under a nitrogen atmosphere. If the pressure is too low, there is a risk that the hole injection ink 55 breaks rapidly. On the other hand, when the temperature is higher than or equal to room temperature, the solvent evaporation rate increases, which makes it difficult to form a film of uniform thickness, which is not preferable.

건조가 완료된 후 질소 중, 바람직하게는 진공 중에서 약 200℃에서 10분 정도 열처리를 할 수 있는데, 이 과정을 통해 정공주입층(51) 내에 잔존하는 용매나 물이 제거된다.After the drying is completed, heat treatment may be performed for about 10 minutes at about 200 ° C. in nitrogen, preferably in vacuum, and the solvent or water remaining in the hole injection layer 51 is removed through this process.

도 3c는 발광물질을 포함하는 고분자 용액인 발광잉크(56)를 정공주입층(51)이 형성되어 있는 화소전극(32) 상에 드로핑하는 것을 나타낸다.3C shows that the light emitting ink 56, which is a polymer solution containing a light emitting material, is dropped onto the pixel electrode 32 on which the hole injection layer 51 is formed.

발광잉크(56) 역시 극성용매를 포함하고 있어 전자기장에 의해 회전하면서 드로핑된다. 이에 따라 균일한 품질의 유기 발광층(52)을 얻을 수 있다.The light emitting ink 56 also contains a polar solvent and is dropped while being rotated by an electromagnetic field. Thereby, the organic light emitting layer 52 of uniform quality can be obtained.

이상의 유기층(50) 형성 과정에서 전자기장에 의한 잉크 회전은 정공주입층(51)과 유기 발광층(52) 중 어느 하나에만 적용될 수 있다.The ink rotation by the electromagnetic field in the process of forming the organic layer 50 may be applied to only one of the hole injection layer 51 and the organic light emitting layer 52.

발광잉크(56)의 용매로서 정공주입층(51)의 재용해를 방지하게 위해 정공주입층(51)에 대하여 불용인 비극성 용매, 예를 들어 시클로헥실벤젠, 디하이드로벤조퓨란, 트리메틸벤젠, 테트라메틸벤젠 등을 사용할 수 있는데, 이 경우에는 전자기장에 의한 잉크 회전이 발생하지 않는다. 한편 이 경우 발광잉크(56)는 후술하는 제2실시예에 따른 방법을 사용하여 균일한 품질로 형성될 수 있다.Nonpolar solvents insoluble to the hole injection layer 51, for example cyclohexylbenzene, dihydrobenzofuran, trimethylbenzene, tetra, to prevent re-dissolution of the hole injection layer 51 as a solvent of the luminescent ink 56 Methylbenzene and the like can be used, in which case no ink rotation is caused by the electromagnetic field. In this case, the light emitting ink 56 may be formed to have a uniform quality by using the method according to the second embodiment to be described later.

발광잉크(56)를 건조하여 유기 발광층(52)을 형성한 후 공통전극(61)을 형성하면 도 2와 같은 표시장치가 완성된다.When the light emitting ink 56 is dried to form the organic light emitting layer 52 and the common electrode 61 is formed, the display device as shown in FIG. 2 is completed.

이하 도 4a 및 도 4b를 참조하여 본발명의 제2실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a display device according to a second exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4A and 4B.

도 4a는 격벽(41) 사이의 화소전극(32) 상에 정공주입잉크(55)를 드로핑한 상태를 나타낸다. 정공주입잉크(55)는 화소전극(32) 상에서 중앙부분이 높고 격벽(41)에 인접한 부분은 낮게 형성된다. 이 상태에서 건조하게 되면 높이 차이로 인해 정공주입층(51)의 품질이 불균일해진다.4A shows a state in which the hole injection ink 55 is dripped onto the pixel electrode 32 between the partition walls 41. The hole injection ink 55 has a high central portion on the pixel electrode 32 and a low portion near the partition 41. When dried in this state, the quality of the hole injection layer 51 becomes uneven due to the height difference.

도 4b는 정공주입잉크(55)의 드로핑이 완료된 상태에서 절연기판(10)을 회전시키는 것을 나타낸다. 절연기판(10)은 스핀 장치(200)에 의해 회전하는데, 스핀 장치(200)는 절연기판(10)이 안착되는 안착테이블(210)과 안착테이블(210)에 연결 되어 안착테이블(210)을 회전시키는 회전부재(220)를 포함한다. 도시하지는 않았지만 회전부재(220)는 모터와 같은 회전 장치에 연결되어 있다. 스핀 장치(200)로는 유기막을 스핀 코팅하기 위해 사용되는 장치를 사용할 수 있다.4B shows that the insulating substrate 10 is rotated in the state where the dropping of the hole injection ink 55 is completed. The insulator substrate 10 is rotated by the spin apparatus 200, which is connected to the seating table 210 and the seating table 210 on which the insulator substrate 10 is seated to connect the seating table 210. Rotating member 220 to rotate. Although not shown, the rotating member 220 is connected to a rotating device such as a motor. As the spin device 200, a device used for spin coating an organic layer may be used.

절연기판(10)의 회전은 절연기판(10)의 중심을 축으로 하여 수평을 유지한 상태에서 이루어진다. 절연기판(10)의 회전으로 인해 정공주입잉크(55)는 균일한 높이로 형성된다. 이 상태에서 정공주입잉크(55)를 건조하면 균일한 품질의 정공주입층(51)을 얻을 수 있다. 유기 발광층(52)도 이와 유사한 방법으로 형성될 수 있다.Rotation of the insulating substrate 10 is performed in a state in which the level of the insulating substrate 10 is maintained horizontally. Due to the rotation of the insulating substrate 10, the hole injection ink 55 is formed at a uniform height. When the hole injection ink 55 is dried in this state, the hole injection layer 51 of uniform quality can be obtained. The organic light emitting layer 52 can also be formed in a similar manner.

절연기판(10)을 회전하는 방법은 제1실시예와 달리 잉크 용매의 극성 여부에 영향을 받지 않는 장점이 있다.Unlike the first embodiment, the method of rotating the insulating substrate 10 has an advantage of not being affected by the polarity of the ink solvent.

비록 본발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 본발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.Although some embodiments of the invention have been shown and described, those skilled in the art will recognize that modifications can be made to the embodiments without departing from the spirit or principles of the invention. . It is intended that the scope of the invention be defined by the claims appended hereto and their equivalents.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 유기층의 품질이 균일한 표시장치의 제조방법이 제공된다.As described above, according to the present invention, a method of manufacturing a display device having a uniform quality of an organic layer is provided.

Claims (9)

절연기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;Forming a thin film transistor on the insulating substrate; 상기 박막트랜지스터에 전기적으로 연결되어 있는 전극을 형성하는 단계와;Forming an electrode electrically connected to the thin film transistor; 상기 전극을 둘러싸는 격벽을 형성하는 단계와;Forming a partition wall surrounding the electrode; 상기 격벽에 의해 둘러싸인 상기 전극 상에 회전 상태의 잉크를 드로핑하는 단계와;Dropping ink in a rotating state on the electrode surrounded by the partition wall; 상기 잉크를 건조시켜 유기층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.Drying the ink to form an organic layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 잉크의 드로핑 시 상기 잉크에 전자기장을 인가하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.And applying an electromagnetic field to the ink during the dropping of the ink. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 잉크는 극성용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.The ink is a manufacturing method of a display device, characterized in that it comprises a polar solvent. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 극성용매는 이소프로필알콜(IPA), n-부탄올, γ-부틸올락톤, N-메틸피를리돈(NMP), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(DMI) 및 그 유도체, 카비톨아세테이트, 부틸카비톨아세테이트 등의 글리콜에테류로 이루어진 군 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.The polar solvent may be isopropyl alcohol (IPA), n-butanol, γ-butyl olactone, N-methylpyridone (NMP), 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI) and derivatives thereof, And at least one selected from the group consisting of glycol ethers such as carbitol acetate and butyl carbitol acetate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기층은 정공주입층 및 유기 발광층 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.The organic layer may include at least one of a hole injection layer and an organic light emitting layer. 절연기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;Forming a thin film transistor on the insulating substrate; 상기 박막트랜지스터에 전기적으로 연결되어 있는 전극을 형성하는 단계와;Forming an electrode electrically connected to the thin film transistor; 상기 전극을 둘러싸는 격벽을 형성하는 단계와;Forming a partition wall surrounding the electrode; 상기 격벽에 의해 둘러싸인 상기 전극 상에 잉크를 드로핑하는 단계와;Dropping ink on the electrode surrounded by the partition wall; 상기 잉크가 드로핑 된 상태에서 상기 절연기판을 회전시키는 단계와;Rotating the insulating substrate while the ink is dripped; 상기 잉크를 건조시켜 유기층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.Drying the ink to form an organic layer. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 절연기판은 상기 절연기판의 판면을 포함하는 평면 내에서 회전하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.And the insulating substrate rotates in a plane including the plate surface of the insulating substrate. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 절연기판은 상기 절연기판을 통과하는 축을 중심으로 회전하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.And the insulating substrate is rotated about an axis passing through the insulating substrate. 절연기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;Forming a thin film transistor on the insulating substrate; 상기 박막트랜지스터에 전기적으로 연결되어 있는 전극을 형성하는 단계와;Forming an electrode electrically connected to the thin film transistor; 상기 전극을 둘러싸는 격벽을 형성하는 단계와;Forming a partition wall surrounding the electrode; 상기 격벽에 의해 둘러싸인 상기 전극 상에 회전 상태의 잉크를 형성하는 단계와;Forming ink in a rotating state on the electrode surrounded by the partition wall; 상기 잉크를 건조시켜 유기층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.Drying the ink to form an organic layer.
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