KR20070048384A - Method of processing bad block in memory map - Google Patents

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Abstract

본 발명은 MTP(Multi Time Program) 또는 Flash EEPROM 등과 같은 메모리의 메모리 맵에서 배드 블록(bad block)을 처리하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for processing a bad block in a memory map of a memory such as a multi time program (MTP) or a flash EEPROM.

본 발명에 의한 메모리 맵에서 배드 블록 처리방법은 (a)메모리 맵에서 데이터 리드(read)시에 리드(read)된 어드레스가 배드 블록(bad block)처리된 어드레스(address)이면 페이지 플래그(page flag)를 먼저 확인하는 단계; (b)상기 페이지 플래그(page flag)가 프로그램 되어있으면 배드 블록(bad block)에서 데이터(data)를 리드(read)하고, 상기 페이지 플래그(page flag)가 삭제(erase)상태로 있으면 새로운 어드레스를 갖는 블록(new block)에서 데이터를 리드(read)하는 단계; (c)상기 배드 블록(bad block)으로 추가로 프로그램 되는 데이터는 새로운 어드레스를 갖는 블록(new block)으로 프로그램을 진행하는 단계; 및 (d)상기 배드 블록(Bad Block)의 삭제(erase) 동작이 주어지면 상기 배드 블록(bad block)이 완전히 새로운 어드레스를 갖는 블록(new block)으로 모든 동작을 진행하게 되는 단계;를 포함함을 특징으로 한다.In the memory map according to the present invention, the bad block processing method may include (a) a page flag if a read address is a bad block address when a data is read in the memory map. First); (b) If the page flag is programmed, data is read from the bad block. If the page flag is in the erased state, a new address is read. Reading data in a new block; (c) programming the data further programmed into the bad block into a block having a new address; And (d) performing all operations to a block in which the bad block has a completely new address when an erase operation of the bad block is given. It is characterized by.

본 발명에 의하면, 배드 블록이 발견되면 새로운 블록에 데이터를 다시 프로그램하고 추가로 배드 블록으로 처리된 블록의 이전 프로그램 데이터를 옮기지 않음으로 해서 시간 손실(time loss)을 줄일 수 있다.According to the present invention, if a bad block is found, time loss can be reduced by reprogramming the data into a new block and not moving the previous program data of the block processed as a bad block.

Description

메모리 맵에서 배드 블록 처리방법{Method of processing bad block in memory map}Method of processing bad block in memory map}

도 1은 일반적인 메모리의 배드 블록 처리장치의 개념도를 도시한 것이다.1 is a conceptual diagram of a bad block processing apparatus of a general memory.

도 2는 MTP 또는 Flash EEPROM의 메모리 맵(Memory Map) 구성을 나타내는 실시예이다.2 is a diagram illustrating a configuration of a memory map of an MTP or Flash EEPROM.

도 3은 메모리 맵(memory map)을 구성하는 블록을 나타내는 일실시예이다.FIG. 3 is a diagram illustrating a block forming a memory map.

도 4는 배드 블록에서 프로그램 데이터를 새로운 블록으로 옮기는 과정을 도시한 것이다.4 illustrates a process of moving program data from a bad block to a new block.

도 5는 본 발명에 의한 메모리 맵에서 배드 블록 처리방법을 도시한 것이다.5 illustrates a bad block processing method in a memory map according to the present invention.

본 발명은 메모리에 관한 것으로, 특히 메모리의 배드 블록(Bad Block) 처리방법에 관한 것이다. The present invention relates to a memory, and more particularly, to a bad block processing method of a memory.

도 1은 일반적인 메모리의 배드 블록 처리장치의 개념도를 도시한 것이다.1 is a conceptual diagram of a bad block processing apparatus of a general memory.

제어기(100)는 외부에서 데이터와 어드레스(address)의 입력과 MTP(Multi Time Program) 메모리 또는 Flash EEPROM의 동작을 제어한다The controller 100 externally controls the input of data and addresses and the operation of a multi time program (MTP) memory or a flash EEPROM.

물리적 어드레스 매핑 제어기(Physical Address Mapping(PAM) Controller: 200)는 외부 입력 어드레스(address)를 실제 메모리의 어드레스로의 지정을 제어하는 회로이다. The Physical Address Mapping (PAM) Controller 200 is a circuit that controls assignment of an external input address to an address of an actual memory.

MTP(Multi Time Program) 또는 Flash EEPROM(300)은 어드레스를 갖는 복수의 블록(block)으로 구성된 메모리 맵(memory map)이 구비된다.The MTP or Flash EEPROM 300 is provided with a memory map composed of a plurality of blocks having addresses.

도 2는 MTP(Multi Time Program) 또는 Flash EEPROM의 메모리 맵(memory map)의 구성을 나타내는 실시예이다.2 is a diagram illustrating a configuration of a memory map of a multi time program (MTP) or a flash EEPROM.

310,320,330 N개의 블록(block)과 각 블록은 350의 스페어(spare) 영역이 있다.There are 310,320,330 N blocks and 350 spare areas.

310 블록(block)은 311과 같은 M개의 페이지(page)로 구성되어 있고, 351은 311 페이지의 사용자 데이터(User data)영역의 정보를 저장하는데 사용한다.A block 310 is composed of M pages such as 311, and 351 is used to store information of a user data area of page 311.

도 3은 메모리 맵(memory map)을 구성하는 블록을 나타내는 일실시예이다.FIG. 3 is a diagram illustrating a block forming a memory map.

메모리 맵(memory map)의 500번 블록과 600번 블록을 나타낸다. Blocks 500 and 600 of the memory map are shown.

도 4는 종래의 메모리 맵에서 배드 블록 처리방법을 도시한 것이다.4 illustrates a bad block processing method in a conventional memory map.

500번 블록에 프로그램 동작을 진행하면서 프로그램 폐일(program fail)이 발생하면 500번 블록은 배드 블록으로 처리되고, 600번 블록을 새로운 블록으로 지정하게 된다.If a program fail occurs while a program operation is performed in block 500, block 500 is treated as a bad block, and block 600 is designated as a new block.

도 4에서 510번 블록에서 폐일(fail)이 발생하면 600번 블록의 610 블록에 다시 프로그램(program)동작을 진행하고, 프로그램(program)이 완료되면 500번 블록에서 기존에 프로그램(program)되어 있던 520번 페이지(page)에 대해서도 620번 페이지(page)에 다시 추가로 프로그램(program)을 진행하여야 한다.In FIG. 4, when a fail occurs in block 510, a program operation is performed again in block 610 of block 600, and when a program is completed, the program is previously programmed in block 500. For page 520, the program must be performed again in addition to page 620.

이후 500번 블록(block)을 지정하게 되면 도 1의 물리적 어드레스 매핑 제어기(200)에서 600번으로 어드레스(address)를 변경하여 읽기(read), 프로그램(program), 삭제(erase) 동작을 진행하게 된다.After the block 500 is designated, the address is changed to 600 in the physical address mapping controller 200 of FIG. 1 to perform a read, program, or erase operation. do.

MTP(Multi Time Program) 또는 Flash EEPROM의 삭제(erase) 단위(block)가 N개의 프로그램(program) 단위(page)로 구성되어 있고 폐일(fail)의 처리는 삭제(erase)단위로 관리하는 경우, 프로그램(program)의 동작 중 폐일(fail)이 발생하면 프로그램(program)하던 블록(block)은 배드 마킹(bad marking)을 하고, 새로운 블록(new block)에 데이터를 다시 프로그램(program)하여야 한다.If the erase block of MTP (Multi Time Program) or Flash EEPROM is composed of N program pages, and the processing of fail is managed by erase unit, When a failure occurs during the operation of a program, a block in which a program is programmed should be bad marked and data must be reprogrammed in a new block.

이때, 배드(bad)처리된 블록(block)의 기존 프로그램 데이터(program data)는 새로운 블록에 옮겨야 한다. 프로그램 데이터를 다시 옮기는데 많은 시간 손실(time loss)이 발생하게 된다.At this time, the existing program data of the bad block must be transferred to the new block. There is a lot of time loss in moving program data back.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 배드 블록 처리 시 프로그램 데이터를 새로운 블록으로 옮기는데 드는 시간 손실을 줄이기 위한 메모리 맵에서 배드 블록 처리방법을 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a bad block processing method in a memory map for reducing the time loss of moving program data to a new block during bad block processing.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 메모리 맵에서 배드 블록 처리방법은 MTP 또는 Flash EEPROM 등과 같은 메모리의 메모리 맵에서 배드 블록(bad block)을 처리하는 방법에 있어서, (a)상기 메모리 맵에서 데이터 리드(read) 시에 리드(read)된 어드레스가 배드 블록(bad block)처리된 어드레스(address)이면 페이지 플래그(page flag)를 먼저 확인하는 단계; (b)상기 페이지 플래그(page flag)가 프로그램 되어 있으면 배드 블록(bad block)에서 데이터(data)를 리드(read)하고, 상기 페이지 플래그(page flag)가 삭제(erase)상태로 있으면 새로운 어드레스를 갖는 블록(new block)에서 데이터를 리드(read)하는 단계; (c)상기 배드 블록(bad block)으로 추가로 프로그램 되는 데이터는 새로운 어드레스를 갖는 블록(new block)으로 프로그램을 진행하는 단계; 및 (d)상기 배드 블록(Bad Block)의 삭제(erase) 동작이 주어지면 상기 배드 블록(bad block)이 완전히 새로운 어드레스를 갖는 블록(new block)으로 모든 동작을 진행하게 되는 단계;를 포함함을 특징으로 한다.The bad block processing method in the memory map according to the present invention for solving the technical problem is a method of processing a bad block (bad block) in the memory map of the memory, such as MTP or Flash EEPROM, (a) in the memory map First checking a page flag if the read address is a bad block address at the time of data read; (b) If the page flag is programmed, read data from the bad block. If the page flag is in the erased state, the new address is read. Reading data in a new block; (c) programming the data further programmed into the bad block into a block having a new address; And (d) performing all operations to a block in which the bad block has a completely new address when an erase operation of the bad block is given. It is characterized by.

이하 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 발명에 의한 메모리 맵에서 배드 블록 처리방법을 도시한 것이다.5 illustrates a bad block processing method in a memory map according to the present invention.

700번 블록에 프로그램 동작을 진행하면서 프로그램 폐일(program fail)이 발생하면 800번 블록(block)으로 새로운 블록(new block)을 지정하게 된다. If a program fail occurs while executing a program operation in block 700, a new block is designated as block 800.

720번 페이지(page)들 즉 이전에 프로그램(program)되어진 페이지는 각 페이지에 730번과 같이 플래그(flag)를 두고 프로그램(program)이 정상적으로 진행되었으면 플래그(flag)도 같이 프로그램(program) 한다.Pages 720, that is, pages that have been programmed previously, have a flag on each page, such as 730, and if a program is normally processed, the flag is also programmed.

만약 700번 블록의 710번 페이지에 프로그램을 진행 중에 폐일(fail)이 발생하게 되면 800번 블록의 810번 페이지에 710번 페이지에 프로그램(program)하려던 데이터를 프로그램 한다.If a failure occurs during the program on page 710 of block 700, program the data to be programmed on page 710 on page 810 of block 800.

즉, 도 4에 의해 기술된 종래 기술의 520번 페이지를 620번 페이지에 다시 프로그램(program)하는 동작은 추가로 필요하지 않는다.That is, an operation of reprogramming page 520 of FIG. 4 to page 620 is not required.

이후 700번 블록에 대해 프로그램(program)과 삭제(erase)는 800번 블록으로 변경을 물리적 어드레스 매핑 제어기(200)에서 진행하고, 700번 블록의 읽기(read)시 730번의 플래그(flag)를 확인하여 플래그(flag)가 프로그램되어 있으면 700번 블록에서 720번 페이지에 대한 읽기(read)를 진행하고 710번 페이지의 읽기(read)는 플래그(flag)가 프로그램(program)되어 있지 않음으로 810번 페이지(page)가 읽기(read) 동작을 할 수 있게 물리적 어드레스 매핑 제어기(200)가 제어하게 된다. Thereafter, the program and the erase for the block 700 are changed to the block 800 in the physical address mapping controller 200, and when the block 700 is read, the flag 730 is checked. If the flag is programmed, read the page 720 in the block 700 and read the page 710 for the page 810 because the flag is not programmed. The physical address mapping controller 200 controls the page to perform a read operation.

상기 플래그(flag)는 700번 블록의 삭제(erase)동작이 수행되면 플래그 데이터(flag data)역시 삭제(erase)되어 이후로는 700번 블록의 읽기(read), 프로그램(program) 및 삭제(erase)동작은 800번 블록으로 변경되게 된다.When the flag block 700 is erased, the flag data is also erased. Then, the block 700 reads, programs, and erases. The operation is changed to block 800.

따라서, 본 발명에서는 페이지 프로그램(page program) 시 페이지 플래그(page flag)를 사용하고 프로그램 시에 플래그(flag)도 같이 기록(write)하게 된다.Therefore, in the present invention, a page flag is used at the time of a page program, and a flag is also written at the time of programming.

프로그램(program)진행 중 폐일(fail)이 발생하면, 데이터를 새로운 어드레스를 갖는 블록(block)에 다시 프로그램하고, 추가로 배드 블록(bad block)으로 처리된 블록의 이전 프로그램 데이터를 옮기지 않음으로 해서 시간 손실(time loss)을 줄일 수 있다.If a failure occurs while the program is in progress, reprogram the data into a block with a new address, and do not move the previous program data of the block treated as a bad block. Time loss can be reduced.

플래그 데이터 읽기(read)시에 배드 블록(bad block)으로 처리된 어드레스이면 페이지 플래그(page flag)를 먼저 확인하고 플래그(flag)가 프로그램(program) 되어 있으면 배드 블록(bad block)에서 데이터를 읽기(read) 동작을 하고 플래그(flag)가 삭제(erase)상태로 있으면 새로운 어드레스를 갖는 블록(new block)에서 데이터를 읽기(read) 동작을 한다. If the address is processed as a bad block when reading the flag data, the page flag is checked first. If the flag is programmed, the data is read from the bad block. If a read operation is performed and a flag is in an erased state, data is read from a block having a new address.

그리고 배드 블록(bad block)으로 추가로 프로그램(program)되는 데이터는 새로운 어드레스를 갖는 블록(new block)으로 프로그램을 진행하고, 배드 블록(bad block)의 삭제(erase) 동작이 주어지면 비로소 배드 블록(Bad block)이 완전히 새로운 블록(new block)으로 모든 동작을 진행하게 한다. The data additionally programmed as a bad block is programmed into a block having a new address, and the bad block is given only when an erase operation of the bad block is given. (Bad block) makes all the operations to a completely new block.

즉, 읽기 모드(read mode)에서는 배드 블록(bad block)과 새로운 블록(new block) 두개의 블록에서 데이터를 읽는다.That is, in read mode, data is read from two blocks, a bad block and a new block.

이상으로, 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.As described above, the present invention has been described with reference to the embodiments illustrated in the drawings, which are merely exemplary, and it should be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. will be. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

본 발명에 의하면, 메모리를 제어하는 회로가 프로그램 중 폐일(fail) 발생 시 이를 빠른 시간에 배드 블록으로 처리하고 새로운 블록에 데이터를 다시 프로그램하고 추가로 배드 블록으로 처리된 블록의 이전 프로그램 데이터를 옮기지 않음으로 해서 시간 손실(time loss)을 줄일 수 있다.According to the present invention, a circuit for controlling a memory processes a bad block in a short time when a failure occurs during a program, reprograms data into a new block, and further moves old program data of a block processed as a bad block. By not doing so, time loss can be reduced.

Claims (3)

MTP 또는 Flash EEPROM 등과 같은 메모리의 메모리 맵에서 배드 블록(bad block)을 처리하는 방법에 있어서, In the method of processing a bad block in the memory map of the memory, such as MTP or Flash EEPROM, (a)상기 메모리 맵에서 데이터 리드(read)시에 리드(read)된 어드레스가 배드 블록(bad block)처리된 어드레스(address)이면 페이지 플래그(page flag)를 먼저 확인하는 단계;(a) first checking a page flag when an address read when the data is read in the memory map is a bad block address; (b)상기 페이지 플래그(page flag)가 프로그램 되어 있으면 배드 블록(bad block)에서 데이터(data)를 리드(read)하고, 상기 페이지 플래그(page flag)가 삭제(erase)상태로 있으면 새로운 어드레스를 갖는 블록(new block)에서 데이터를 리드(read)하는 단계;(b) If the page flag is programmed, read data from the bad block. If the page flag is in the erased state, the new address is read. Reading data in a new block; (c)상기 배드 블록(bad block)으로 추가로 프로그램 되는 데이터는 새로운 어드레스를 갖는 블록(new block)으로 프로그램을 진행하는 단계; 및 (c) programming the data further programmed into the bad block into a block having a new address; And (d)상기 배드 블록(Bad Block)의 삭제(erase) 동작이 주어지면 상기 배드 블록(bad block)이 완전히 새로운 어드레스를 갖는 블록(new block)으로 모든 동작을 진행하게 되는 단계;를 포함함을 특징으로 하는 메모리 맵의 배드 블록 처리방법.(d) if the bad block is erased, performing all operations to a new block in which the bad block has a completely new address. The bad block processing method of the memory map characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 페이지 프로그램(page program)이 동작할 때 페이지 플래그(page flag)를 사용하고, 프로그램(program) 동작 시에 플래그(flag)도 같이 라이트(write)하 는 것을 특징으로 하는 메모리 맵의 배드 블록 처리방법.Bad block processing of a memory map, wherein a page flag is used when the page program operates, and a flag is also written during the program operation. Way. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 (b)단계에서 프로그램 진행 중 폐일(fail)이 발생하면, 데이터를 새로운 어드레스를 갖는 블록(new block)에 다시 프로그램하고, 추가로 배드 블록(bad block) 처리된 블록(block)의 이전 프로그램 데이터를 옮기지 않는 것을 특징으로 하는 메모리 맵의 배드 블록 처리방법.If a failure occurs during the program in step (b), the data is reprogrammed into a new block having a new address, and the previous program of a bad block processed block is additionally programmed. The bad block processing method of the memory map, which does not move data.
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