KR20070047406A - Orgainc electroluminescent device having ultra-thin encapsulation structure including a getter layer - Google Patents

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Abstract

수분으로부터 소자를 완벽하게 보호할 수 있으면서도 초박막으로 제조 가능한 유기 전계 발광 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 기판; 상기 기판의 액티브 영역에 형성된 복수의 픽셀들; 적어도 픽셀들이 형성된 상기 액티브 영역의 상부를 덮도록 형성된 봉지막; 및 상기 봉지막 상에 형성된 게터층을 포함한다. Provided is an organic electroluminescent device capable of completely protecting a device from moisture while being able to be manufactured in an ultra-thin film. An organic electroluminescent device according to the present invention comprises a substrate; A plurality of pixels formed in an active region of the substrate; An encapsulation layer formed to cover at least an upper portion of the active region in which pixels are formed; And a getter layer formed on the encapsulation film.

유기 전계 발광 소자, 봉지막, 게터층 Organic electroluminescent element, encapsulation film, getter layer

Description

게터층을 포함하는 초박막 봉지 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자{ORGAINC ELECTROLUMINESCENT DEVICE HAVING ULTRA-THIN ENCAPSULATION STRUCTURE INCLUDING A GETTER LAYER}An organic electroluminescent device having an ultra-thin encapsulation structure including a getter layer {ORGAINC ELECTROLUMINESCENT DEVICE HAVING ULTRA-THIN ENCAPSULATION STRUCTURE INCLUDING A GETTER LAYER}

도 1a는 종래의 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.1A is a schematic cross-sectional view of a conventional organic EL device.

도 1b는 종래의 다른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.1B is a schematic cross-sectional view of another conventional organic EL device.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of an organic EL device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting device according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 유기 전계 발광 소자의 봉지 구조에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 게터층이 포함된 초박막 봉지막을 구비한 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to an encapsulation structure of an organic electroluminescent device, and more particularly to an organic electroluminescent device having an ultra-thin encapsulation film containing a getter layer.

유기 전계 발광은 유기물(저분자 또는 고분자) 박막에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 재결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생하는 현상이다. 이러한 현상을 이용한 유기 전계 발광 소자의 구조를 설명하면 다음과 같다. In organic electroluminescence, electrons and holes injected through a cathode and an anode are recombined to form an exciton in an organic (low molecular or polymer) thin film, and light of a specific wavelength is generated by energy from the excitons formed. This is a phenomenon that occurs. Referring to the structure of the organic EL device using this phenomenon as follows.

도 1a는 종래의 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 도시한 도면이다.1A is a view schematically showing a conventional organic EL device.

도 1a를 참조하면, 유기 전계 발광 소자(1)는 기본적으로 유리 또는 필름으로 제작된 기판(10)의 상면에 상부에 스퍼터법(sputtering)을 통해 형성되는 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide) 또는 금속의 애노드(anode) 전극층(11)을 포함하며, 상기 애노드 전극층(11)의 상부에는 절연막(12)이 형성된다.Referring to FIG. 1A, an organic electroluminescent device 1 may be formed of indium tin oxide or metal formed by sputtering on an upper surface of a substrate 10 made of glass or film. An anode electrode layer 11 is formed, and an insulating film 12 is formed on the anode electrode layer 11.

다음, 상기 절연막(12)의 상부에 상기 애노드 전극층(11)과 교차하는 격벽(13)을 형성하는데, 상기 격벽(13)은 후술하는 캐소드 전극층(15)을 분리하는 역할을 한다. Next, a barrier rib 13 is formed on the insulating layer 12 to intersect the anode electrode layer 11, and the barrier rib 13 serves to separate the cathode electrode layer 15 to be described later.

그 다음, 상기 격벽(13) 및 절연막(12)의 상부에 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층, 및 정공 주입층으로 이루어진 유기물층(14)가 형성되고, 유기물층(14)의 상부에는 금속의 캐소드(cathode) 전극층(15)이 형성된다.Next, an organic material layer 14 including an electron injection layer, an electron transporting layer, a light emitting layer, a hole transporting layer, and a hole injection layer is formed on the barrier 13 and the insulating layer 12, and a metal is formed on the organic material layer 14. The cathode electrode layer 15 of is formed.

이렇게 형성된 유기 전계 발광 소자(1)에서, 일반적으로 캐소드 전극(14)은 일함수가 적은 재료, 예를 들면 알칼리 금속 및 알칼리 토류금속을 기본으로 반응성이 높은 합금계로 형성되는데, 이러한 반응성 금속은 산소나 수분과 반응하여 산화되기 쉽기 때문에 소자의 특성을 악화시키거나 소자의 수명을 단축하는 문제점을 유발한다. 또한, 캐소드 전극층(15)의 하부에 형성된 유기물층(14)도 산소 및 수분의 영향 하에서 열화 되기 쉽다.In the organic electroluminescent element 1 thus formed, the cathode electrode 14 is generally formed of a highly reactive alloy system based on a material having a low work function, for example, alkali metals and alkaline earth metals. However, since it is easily oxidized by reacting with moisture, it causes a problem of deteriorating device characteristics or shortening device life. In addition, the organic material layer 14 formed below the cathode electrode layer 15 also tends to deteriorate under the influence of oxygen and moisture.

따라서, 유기 전계 발광 소자(1)는 상부에 유리 또는 금속으로 된 캡(16)을 애노드 전극층(11)과의 사이에 실런트(sealant; S)를 개재하여 접착시킨 봉지 구조를 갖는다. 또한 캡(16)의 저면에는 접착성 테이프를 통하여 흡습제인 게터( getter; G)가 부착되어 있으며, 상기 게터(G)는 접착부를 통해 외부에서 유입하는 수분을 포집하여 소자를 안전한 상태로 유지한다.Therefore, the organic electroluminescent element 1 has an encapsulation structure in which a cap 16 made of glass or metal is adhered to the anode electrode layer 11 with a sealant S interposed therebetween. In addition, a getter (G), which is an absorbent, is attached to the bottom of the cap 16 through an adhesive tape, and the getter G collects moisture introduced from the outside through an adhesive part to maintain the device in a safe state. .

하지만, 금속 또는 유리 캡을 구비한 이러한 종래의 유기 전계 발광 소자(1)는 산소와 수분에 대해 우수한 차폐 효과를 가진다는 장점은 있으나, 이로 인해 소자의 전체 두께가 두꺼워지기 때문에 초박형의 전자기기용 디스플레이 장치를 실현하기 어렵다는 문제점이 지적되었다. However, such a conventional organic electroluminescent device 1 having a metal or glass cap has an advantage of having an excellent shielding effect against oxygen and moisture, but this makes the overall thickness of the device thicker, thereby making it possible to display ultra-thin electronic devices. It has been pointed out that the device is difficult to realize.

이러한 문제점을 해결하기 위해, 유리 또는 금속의 캡 대신에 "봉지막"이라 불리는 극박막을 이용하여 유기 전계 발광 소자를 봉지하는 방법이 종래에 제안되었다.In order to solve this problem, a method of encapsulating an organic electroluminescent element using an ultrathin film called an "encapsulation film" instead of a cap of glass or metal has been conventionally proposed.

도 1b는 종래의 다른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 1b에 도시된 유기 전계 발광 소자는 도 1a에 도시된 유기 전계 발광 소자와 봉지 구조에서만 차이가 있으며 나머지 구성요소는 상호 동일하다. 따라서, 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 부호로 표시하였다. 1B is a view schematically showing another conventional organic EL device. The organic EL device shown in FIG. 1B is different only from the organic EL device and the encapsulation structure shown in FIG. 1A, and the remaining components are the same. Therefore, the same components are denoted by the same reference numerals.

도 1b를 참조하면, 유기 전계 발광 소자(2)는 유리 또는 필름의 기판(10), 기판(10) 상부에 형성된 인듐주석산화물 또는 금속의 애노드 전극층(11), 애노드 전극층의 상부에 형성된 절연막(12), 절연막의 상부에 형성되며 애노드 전극층(11)을 가로지르는 격벽(13), 상기 격벽(13) 및 애노드 전극층(11)의 상부에 순차적으로 형성된 유기물층(14) 및 금속의 캐소드(cathode) 전극층(15), 유기물층(14), 격 벽(13) 및 전극층들(11, 15)을 모두 덮도록 형성된 다층의 봉지막(17, 18 및 19)을 포함한다.Referring to FIG. 1B, the organic EL device 2 may include a substrate 10 of glass or film, an indium tin oxide or metal anode electrode layer 11 formed on the substrate 10, and an insulating layer formed on the anode electrode layer ( 12), a partition 13 formed on the insulating film and intersecting the anode electrode layer 11, an organic material layer 14 sequentially formed on the partition 13 and the anode electrode layer 11, and a cathode of a metal. The electrode layer 15, the organic material layer 14, the partition 13, and the multilayer encapsulation layers 17, 18, and 19 formed to cover all the electrode layers 11 and 15 are included.

상기 다층의 봉지막(17, 18 및 19)은 기판 측으로부터 순차적으로 형성된 버퍼층(17), 평탄화층(18) 및 패시베이션층(19)으로 이루어진다. The multilayer encapsulation films 17, 18, and 19 consist of a buffer layer 17, a planarization layer 18, and a passivation layer 19 formed sequentially from the substrate side.

상기 버퍼층(17) 및 패시베이션층(19)은 공기 및 수분에 대한 배리어 능력이 우수한 금속 산화물이나 질화물을 CVD법 등의 증착 기술을 이용하여 형성될 수 있다.The buffer layer 17 and the passivation layer 19 may be formed of a metal oxide or a nitride having excellent barrier ability to air and moisture by using a deposition technique such as CVD.

상기 평탄화층(18)은 유기물층(14) 및 캐소드 전극층(15)에서의 굴곡을 평탄화하는 역할을 하며, 폴리머 계열의 물질을 이용하여 성막된다. The planarization layer 18 serves to planarize the curvature of the organic layer 14 and the cathode electrode layer 15, and is formed using a polymer-based material.

이러한 극박막의 봉지 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자(2)는 두께가 얇아서 초박형의 휴대용 전자기기에 채택하기에 적합하다는 장점이 있으나, 사용 환경에 관계없이 장시간 사용할 수 있기 위해서는 수분으로부터 소자를 완벽하게 보호할 수 있는 봉지 구조에 대한 필요성이 여전히 존재한다. The organic light emitting device 2 having such an ultra-thin film encapsulation structure has an advantage of being thin and suitable for adoption in ultra-thin portable electronic devices. There is still a need for a protective encapsulation structure.

본 발명은, 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 수분으로부터 소자를 완벽하게 보호할 수 있으면서도 초박막으로 제조 가능한 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Disclosure of Invention The present invention has been made to solve the above problems of the prior art, and an object thereof is to provide an organic electroluminescent device which can be manufactured in an ultra-thin film while completely protecting the device from moisture.

위와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는, 기판; 상기 기판의 액티브 영역에 형성된 복수의 픽셀들; 적어도 픽셀들이 형성된 상기 액티브 영역의 상부를 덮도록 형성된 봉지막; 및 상기 봉지막 상에 형성된 게터층을 포함한다.In order to achieve the above object, the organic electroluminescent device according to the present invention, the substrate; A plurality of pixels formed in an active region of the substrate; An encapsulation layer formed to cover at least an upper portion of the active region in which pixels are formed; And a getter layer formed on the encapsulation film.

이때, 봉지막은 버퍼층, 평탄화층 및 패시베이션층을 포함하는 다층 박막으로 이루어질 수 있다. In this case, the encapsulation film may be formed of a multilayer thin film including a buffer layer, a planarization layer, and a passivation layer.

또한, 상기 게터층의 상부에는 보호막이 추가로 형성될 수 있으며, 보호막은 In addition, a protective film may be further formed on the getter layer, and the protective film may be

고분자 필름을 라미네이트하여 형성되거나, 실리콘질화물 또는 실리콘산화물을 증착하여 형성될 수 있다.It may be formed by laminating a polymer film, or may be formed by depositing silicon nitride or silicon oxide.

본 발명에서, 게터층은 게터 물질을 바인더와 혼합한 액상 슬러리를 도포하여 형성될 수 있으며, 게터 물질로는 바륨(barium), 칼슘(calcium), 바륨산화물(barium oxide) 또는 칼슘산화물(calcium oxide)을 사용하거나, 폴리아크릴로니트릴계 고흡수성 고분자 물질을 사용할 수 있다. 이때, 바인더로서는 열경화성 수지 또는 자외선 경화성 수지가 사용될 수 있다. 또한, 상기 바인더로서는 자외선의 조사나 열을 가하지 않고 자연 경화될 수 있는 수지를 사용할 수도 있다.In the present invention, the getter layer may be formed by applying a liquid slurry in which the getter material is mixed with a binder, and the getter material may be barium, calcium, barium oxide, or calcium oxide. ) Or a polyacrylonitrile-based superabsorbent polymer material may be used. At this time, a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin may be used as the binder. As the binder, a resin which can be naturally cured without irradiating ultraviolet rays or applying heat can also be used.

본 발명에서 게터층은 게터 물질을 박막의 형태로 증착하여 형성될 수도 있으며, 이때, 게터 물질로는 알칼리금속, 알칼리토류금속 또는 이들의 산화물로부터 선택되는 물질을 사용할 수 있다. 또한, 게터층을 증착하는 방법으로서는, 스퍼터법(sputtering), 열증착법(thermal evaporation) 또는 CVD법을 이용할 수 있다.In the present invention, the getter layer may be formed by depositing a getter material in the form of a thin film. In this case, a getter material may be a material selected from alkali metals, alkaline earth metals or oxides thereof. In addition, as a method of depositing a getter layer, sputtering, thermal evaporation, or CVD can be used.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of an organic EL device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 유기 전계 발광 소자(3)는 유리 또는 필름으로 된 투명 기판(31)을 포함하며, 기판(31)에는 다수의 픽셀이 형성되어 이루어지는 액티브 영역이 형성된다.Referring to FIG. 2, the organic EL device 3 includes a transparent substrate 31 made of glass or film, and an active region in which a plurality of pixels are formed is formed on the substrate 31.

상기 액티브 영역에는, 인듐주석산화물 또는 금속으로 이루어진 애노드 전극층(32), 애노드 전극층(32)의 상부에 형성된 절연막(33), 절연막(33)의 상부에 형성되며 애노드 전극층(32)을 가로지르는 격벽(34), 상기 격벽(34) 및 애노드 전극층(32)의 상부에 순차적으로 형성된 유기물층(35) 및 금속의 캐소드 전극층(36)이 형성되어 있다.The active region includes an anode electrode layer 32 made of indium tin oxide or a metal, an insulating film 33 formed on the anode electrode layer 32, and a partition wall formed on the insulating film 33 and crossing the anode electrode layer 32. (34), the organic material layer 35 and the metal cathode electrode layer 36 formed sequentially on the partition 34 and the anode electrode layer 32 are formed.

유기물층(35)은 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층이 적층된 다층 구조이며, R, G 및 B 발광 영역별로 서로 다른 종류의 유기물이 증착되어야 한다. 비록, 도 2에서는 2개의 격벽(33) 사이에 단일의 유기물층(35) 및 캐소드 전극층(36)이 도시되어 있으나, 그 양측에도 동일한 구조의 유기물층 및 캐소드 전극층이 형성되어 R, G 및 B 발광 영역들을 형성함은 물론이다. The organic layer 35 is a multilayer structure in which a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are stacked, and different types of organic materials must be deposited for each of R, G, and B light emitting regions. Although a single organic material layer 35 and a cathode electrode layer 36 are shown between the two partition walls 33 in FIG. 2, an organic material layer and a cathode electrode layer having the same structure are formed on both sides thereof to form R, G, and B light emitting regions. Of course they form.

액티브 영역의 상부에는 유기물층(35), 격벽(34) 및 전극층들(32, 36)를 덮는 봉지막(37a, 37b, 37c)이 형성되어 있다. The encapsulation layers 37a, 37b, and 37c covering the organic layer 35, the partition 34, and the electrode layers 32 and 36 are formed on the active region.

봉지막(37a, 37b, 37c)은 버퍼층(37a), 평탄화층(37b) 및 패시베이션층(37c)이 기판측으로부터 순차적으로 형성된 다층 박막으로 이루어질 수 있다. The encapsulation films 37a, 37b, and 37c may be formed of a multilayer thin film in which the buffer layer 37a, the planarization layer 37b, and the passivation layer 37c are sequentially formed from the substrate side.

버퍼층(37a)은 공기 및 수분에 대한 배리어(barrier) 능력이 우수한 금속 산 화물이나 질화물을 박막의 형태로 증착하여 형성된다.The buffer layer 37a is formed by depositing a metal oxide or nitride having excellent barrier ability against air and moisture in the form of a thin film.

바람직하게는, 상기 버퍼층(37a)은 SiNx과 같은 실리콘질화물이나 SiO2 같은 실리콘산화물을 스퍼터법 또는 CVD법을 이용하여 박막으로 제조된다. 상기 박막의 두께는 5㎛ 이하, 바람직하게는, 2㎛ 이하이다. Preferably, the buffer layer 37a is made of a thin film of silicon nitride such as SiN x or silicon oxide such as SiO 2 by sputtering or CVD. The thickness of the said thin film is 5 micrometers or less, Preferably it is 2 micrometers or less.

상기 평탄화층(37b)은 그 아래에 형성된 유기물층 및 캐소드 전극층에서의 굴곡을 평탄화하는 역할을 하며, 폴리머 계열의 물질을 이용하여 성막될 수 있다. The planarization layer 37b serves to planarize the bend in the organic material layer and the cathode electrode layer formed thereunder, and may be formed using a polymer-based material.

바람직하게는, 평탄화층(37b)은 벤조사이클로부텐(BenzoCyclo-Butene, BCB) 또는 씰크(Dow Chemical Company 상표, SiLK)와 같은 비전도성 유기막으로 성막된다.Preferably, the planarization layer 37b is formed of a nonconductive organic film such as BenzoCyclo-Butene (BCB) or Seal (Dow Chemical Company brand, SiLK).

패시베이션층(37c)은 버퍼층(37a)과 마찬가지로 공기 및 수분에 대한 배리어(barrier) 능력이 우수한 금속 산화물이나 질화물을 박막의 형태로 증착하여 형성된다.Like the buffer layer 37a, the passivation layer 37c is formed by depositing a metal oxide or nitride having excellent barrier ability against air and moisture in the form of a thin film.

바람직하게는, 패시베이션층(37c)은 SiNx과 같은 실리콘질화물이나 SiO2 같은 실리콘산화물을 스퍼터법 또는 CVD법을 이용하여 박막으로 제조된다. 상기 박막의 두께는 5㎛ 이하, 바람직하게는, 2㎛ 이하이다. Preferably, the passivation layer 37c is made of a thin film of silicon nitride such as SiN x or silicon oxide such as SiO 2 by sputtering or CVD. The thickness of the said thin film is 5 micrometers or less, Preferably it is 2 micrometers or less.

본 발명의 특징에 따라 적어도 상기 액티브 영역을 덮도록 형성된 봉지막(37a, 37b, 37c)의 상부에는 게터층(38)이 형성된다. 게터층(38)은 외부 환경으로부터 침투하는 수분이나 가스 등을 포집하여 이들이 봉지막(37a, 37b, 37c)을 뚫고 소자의 내부로 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다.In accordance with an aspect of the present invention, a getter layer 38 is formed on at least the encapsulation layers 37a, 37b, and 37c formed to cover the active region. The getter layer 38 collects moisture or gas that penetrates from the external environment and prevents them from penetrating the encapsulation films 37a, 37b, and 37c and into the inside of the device.

게터층(38)은 게터 물질을 포함하는 액상 슬러리를 봉지막(37a, 37b, 37c)의 상부에 도포하는 방식으로 형성될 수 있다.The getter layer 38 may be formed by applying a liquid slurry containing a getter material on top of the encapsulation films 37a, 37b, and 37c.

상기 액상 슬러리는 습기 흡수성, 산소 흡수성 또는 NOx 흡수성의 게터 물질, 예를 들면 바륨(barium), 칼슘(calcium), 바륨산화물(barium oxide), 또는 칼슘산화물(calcium oxide)의 분말을 수지계 바인더, 예를 들면 페놀수지, 요소수지, 폴리에스터와 같은 열경화성 수지 또는 실리콘, 에폭시, 아크릴, 우레탄 등의 자외선 경화성 수지와 혼합하여 제작될 수 있다. 또한, 상기 바인더로서는 자외선의 조사나 열을 가하지 않고도 자연 경화될 수 있는 수지를 사용할 수도 있다.The liquid slurry is a moisture-absorbing, oxygen-absorbing or NO x absorbing getter material, for example barium (calcium), barium oxide (barium oxide), or powder of calcium oxide (calcium oxide) to the resin binder, For example, it may be prepared by mixing with a thermosetting resin such as phenol resin, urea resin, polyester or ultraviolet curable resin such as silicone, epoxy, acrylic, urethane. As the binder, a resin which can be naturally cured without irradiating ultraviolet rays or applying heat can also be used.

또한, 상기 액상 슬러리는 산소 및 수분을 흡수하는 성질을 가지는 고흡습성 고분자 물질, 예를 들면 폴리아크릴로니트릴계 수지 분말을 바인더, 예를 들면 페놀수지, 요소수지, 폴리에스터와 같은 열경화성 수지 또는 실리콘, 에폭시, 아크릴, 우레탄과 같은 자외선 경화성 수지와 혼합하여 제작될 수 있다. 또한, 상기 바인더로서는 자외선의 조사나 열을 가하지 않고 자연 경화될 수 있는 수지를 사용할 수도 있다.In addition, the liquid slurry is a high-hygroscopic polymer material having a property of absorbing oxygen and moisture, for example, polyacrylonitrile-based resin powder binders, for example, thermosetting resin such as phenol resin, urea resin, polyester or silicone It can be produced by mixing with ultraviolet curable resins such as epoxy, acrylic, urethane. As the binder, a resin which can be naturally cured without irradiating ultraviolet rays or applying heat can also be used.

본 실시예에서는, 게터층(38)이 넓은 면적에서 산소 및 수분과 반응할 수 있도록 봉지막(37a, 37b, 37c)의 상부 전 영역에 상기 액상 슬러리를 도포하였지만, 사용 환경에 따라 수분의 침투 경로를 고려하여 봉지막(37a, 37b, 37c) 상의 일부분에만 형성할 수도 있다.In the present embodiment, the liquid slurry is applied to the entire upper region of the encapsulation films 37a, 37b, and 37c so that the getter layer 38 can react with oxygen and moisture in a large area. It may be formed only on a portion of the encapsulation films 37a, 37b, 37c in consideration of the path.

본 실시예에 따른 게터층(38)은 상기와 같이 액상 슬러리를 제작하여 이를 도포하는 방식 외에도, 게터 물질을 증착기술을 이용하여 박막으로 봉지막(37a, 37b, 37c)의 상부에 증착할 수도 있다.The getter layer 38 according to the present embodiment may be deposited on top of the encapsulation films 37a, 37b, and 37c in a thin film using a deposition technique, in addition to the method of manufacturing and applying the liquid slurry as described above. have.

상기 게터 물질로는, 수분이나 산소와의 반응성이 좋은 금속 물질, 예를 들어 알칼리금속, 알칼리토류금속 또는 이들의 산화물이 사용될 수 있다. 바람직하게는 상기 금속 물질은 바륨(barium) 또는 지르코늄(zirconium)과 같은 금속이며, 더 바람직하게는 상기 금속 물질은 바륨(barium)이다.As the getter material, a metal material having good reactivity with moisture or oxygen, for example, an alkali metal, an alkaline earth metal or an oxide thereof may be used. Preferably the metal material is a metal such as barium or zirconium, more preferably the metal material is barium.

상기 게터 물질을 봉지막(37a, 37b, 37c) 상에 박막으로 증착하기 위한 증착방법으로서는, 예를 들어 스퍼터법(sputtering), 열증착법(thermal evaporation) 또는 CVD법 등의 증착 방법을 사용할 수 있다. 하지만, 반드시 이들 방법에 한정되는 것은 아니며, 금속 박막을 형성하는 데에 적합한 증착 방법이라면 어느 것이든 사용될 수 있을 것이다.As a deposition method for depositing the getter material as a thin film on the encapsulation films 37a, 37b and 37c, for example, a deposition method such as sputtering, thermal evaporation or CVD may be used. . However, it is not necessarily limited to these methods, and any deposition method suitable for forming a metal thin film may be used.

상기 게터층(38)을 형성하는 박막은 장치의 전체적인 두께에 영향을 미치지 않을 정도의 두께로 형성되는 것이 중요하다. 바람직하게는, 상기 박막의 두께는 20㎛ 이하이며, 더 바람직하게는, 상기 박막의 두께는 10㎛ 이하이며, 가장 바람직하게는, 5㎛ 이하이다.It is important that the thin film forming the getter layer 38 is formed to a thickness that does not affect the overall thickness of the device. Preferably, the thickness of said thin film is 20 micrometers or less, More preferably, the thickness of the said thin film is 10 micrometers or less, Most preferably, it is 5 micrometers or less.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다. 본 실시예는 게터층의 상부에 상기 게터층을 외부로부터 보호하는 보호막이 추가로 형성된다는 점에서 도 2에 도시된 실시예와 구별된다. 따라서 동일한 부분에 대해서는 동일한 보호를 사용한다.3 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting device according to another embodiment of the present invention. This embodiment is distinguished from the embodiment shown in FIG. 2 in that a protective film for protecting the getter layer from the outside is further formed on the getter layer. Therefore, use the same protection for the same parts.

도 3을 참조하면, 유기 전계 발광 소자(4)는 유리 또는 필름으로 된 투명 기 판(31)을 포함하며, 기판(31)에는 다수의 픽셀이 형성되어 이루어지는 액티브 영역이 형성된다.Referring to FIG. 3, the organic electroluminescent device 4 includes a transparent substrate 31 made of glass or film, and an active region in which a plurality of pixels are formed is formed on the substrate 31.

상기 액티브 영역에는, 인듐주석산화물 또는 금속으로 이루어진 애노드 전극층(32), 애노드 전극층(32)의 상부에 형성된 절연막(33), 절연막(33)의 상부에 형성되며 애노드 전극층(32)을 가로지르는 격벽(34), 상기 격벽(34) 및 애노드 전극층(32)의 상부에 순차적으로 형성된 유기물층(35) 및 금속의 캐소드 전극층(36)이 형성되어 있으며, 이들의 구체적인 구성은 종전에 기술한 실시예의 구성과 동일하다.The active region includes an anode electrode layer 32 made of indium tin oxide or a metal, an insulating film 33 formed on the anode electrode layer 32, and a partition wall formed on the insulating film 33 and crossing the anode electrode layer 32. (34), the organic material layer 35 sequentially formed on the partition 34 and the anode electrode layer 32 and the cathode electrode layer 36 of metal are formed, the specific configuration of which is the configuration of the previously described embodiment Is the same as

유기물층(35), 격벽(34) 및 전극층들(32, 36)이 형성된 액티브 영역의 상부에는 봉지막(37a, 37b, 37c)이 형성되어 있다. 봉지막(37a, 37b, 37c)은 버퍼층(37a), 평탄화층(37b) 및 패시베이션층(37c)이 기판 측으로부터 순차적으로 형성된 다층 박막으로 구성되며, 이들의 구성은 이미 기술한 실시예의 구성과 동일하므로, 반복하여 설명하지 않도록 한다. Encapsulation films 37a, 37b, and 37c are formed on the active region in which the organic material layer 35, the partition wall 34, and the electrode layers 32 and 36 are formed. The encapsulation films 37a, 37b, 37c are composed of a multilayer thin film in which a buffer layer 37a, a planarization layer 37b, and a passivation layer 37c are sequentially formed from the substrate side, and their configurations are similar to those of the previously described embodiment. Since it is the same, it is not repeated.

본 발명의 특징에 따라 봉지막(37a, 37b, 37c)의 상부에는 게터층(38)이 형성된다. 게터층(38)은 외부 환경으로부터 침투하는 수분이나 가스 등을 포집하여 이들이 봉지막(37a, 37b, 37c)을 뚫고 소자의 내부로 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다.In accordance with an aspect of the present invention, a getter layer 38 is formed on the encapsulation films 37a, 37b, and 37c. The getter layer 38 collects moisture or gas that penetrates from the external environment and prevents them from penetrating the encapsulation films 37a, 37b, and 37c and into the inside of the device.

게터층(38)은 게터 물질을 포함하는 액상 슬러리를 봉지막(37a, 37b, 37c)의 상부에 도포하는 방식으로 형성될 수 있다.The getter layer 38 may be formed by applying a liquid slurry containing a getter material on top of the encapsulation films 37a, 37b, and 37c.

상기 액상 슬러리는 습기 흡수성, 산소 흡수성 또는 NOx 흡수성의 게터 물질, 예를 들면 바륨(barium), 칼슘(calcium), 바륨산화물(barium oxide), 또는 칼슘산화물(calcium oxide)의 분말을 수지계 바인더, 예를 들면 페놀수지, 요소수지, 폴리에스터와 같은 열경화성 수지 또는 실리콘, 에폭시, 아크릴, 우레탄 등의 자외선 경화성 수지와 혼합하여 제작될 수 있다. 또한, 상기 바인더로서는 자외선의 조사나 열을 가하지 않고 자연 경화될 수 있는 수지를 사용할 수도 있다.The liquid slurry is a moisture-absorbing, oxygen-absorbing or NO x absorbing getter material, for example barium (calcium), barium oxide (barium oxide), or powder of calcium oxide (calcium oxide) to the resin binder, For example, it may be prepared by mixing with a thermosetting resin such as phenol resin, urea resin, polyester or ultraviolet curable resin such as silicone, epoxy, acrylic, urethane. As the binder, a resin which can be naturally cured without irradiating ultraviolet rays or applying heat can also be used.

또한, 상기 액상 슬러리는 산소 및 수분을 흡수하는 성질을 가지는 고흡습성 고분자 물질, 예를 들면 폴리아크릴로니트릴계 수지 분말을 바인더, 예를 들면 페놀수지, 요소수지, 폴리에스터와 같은 열경화성 수지 또는 실리콘, 에폭시, 아크릴, 우레탄과 같은 자외선 경화성 수지와 혼합하여 제작될 수 있다. 또한, 상기 바인더로서는 자외선의 조사나 열을 가하지 않고 자연 경화될 수 있는 수지를 사용할 수도 있다.In addition, the liquid slurry is a high-hygroscopic polymer material having a property of absorbing oxygen and moisture, for example, polyacrylonitrile-based resin powder binders, for example, thermosetting resin such as phenol resin, urea resin, polyester or silicone It can be produced by mixing with ultraviolet curable resins such as epoxy, acrylic, urethane. As the binder, a resin which can be naturally cured without irradiating ultraviolet rays or applying heat can also be used.

본 실시예에서는, 게터층(38)이 넓은 면적에서 산소 및 수분과 반응할 수 있도록 봉지막(37a, 37b, 37c)의 상부 전 영역에 상기 액상 슬러리를 도포하였지만, 사용 환경에 따라 수분의 침투 경로를 고려하여 봉지막(37a, 37b, 37c) 상의 일부분에만 형성할 수도 있다.In the present embodiment, the liquid slurry is applied to the entire upper region of the encapsulation films 37a, 37b, and 37c so that the getter layer 38 can react with oxygen and moisture in a large area. It may be formed only on a portion of the encapsulation films 37a, 37b, 37c in consideration of the path.

본 실시예에 따른 게터층(38)은 상기와 같이 액상 슬러리를 제작하여 이를 도포하는 방식 외에도, 게터 물질을 증착기술을 이용하여 박막으로 봉지막(37a, 37b, 37c)의 상부에 증착할 수도 있다.The getter layer 38 according to the present embodiment may be deposited on top of the encapsulation films 37a, 37b, and 37c in a thin film using a deposition technique, in addition to the method of manufacturing and applying the liquid slurry as described above. have.

상기 게터 물질로는, 수분이나 산소와의 반응성이 좋은 금속 물질, 예를 들어 알칼리금속, 알칼리토류금속 또는 이들의 산화물이 사용될 수 있다. 바람직하게는 상기 금속 물질은 바륨(barium) 또는 지르코늄(zirconium)과 같은 금속이며, 더 바람직하게는 상기 금속 물질은 바륨(barium)이다.As the getter material, a metal material having good reactivity with moisture or oxygen, for example, an alkali metal, an alkaline earth metal or an oxide thereof may be used. Preferably the metal material is a metal such as barium or zirconium, more preferably the metal material is barium.

상기 게터 물질을 봉지막(37a, 37b, 37c) 상에 박막으로 증착하기 위한 증착방법으로서는, 예를 들어 스퍼터법(sputtering), 열증착법(thermal evaporation) 또는 CVD법 등의 증착 방법을 사용할 수 있다. 하지만, 반드시 이들 방법에 한정되는 것은 아니며, 금속 박막을 형성하는 데에 적합한 증착 방법이라면 어느 것이든 사용될 수 있을 것이다.As a deposition method for depositing the getter material as a thin film on the encapsulation films 37a, 37b and 37c, for example, a deposition method such as sputtering, thermal evaporation or CVD may be used. . However, it is not necessarily limited to these methods, and any deposition method suitable for forming a metal thin film may be used.

상기 게터층(38)을 형성하는 박막은 장치의 전체적인 두께에 영향을 미치지 않을 정도의 두께로 형성되는 것이 중요하다. 바람직하게는, 상기 박막의 두께는 20㎛ 이하이며, 더 바람직하게는, 상기 박막의 두께는 10㎛ 이하이며, 가장 바람직하게는, 5㎛ 이하이다.It is important that the thin film forming the getter layer 38 is formed to a thickness that does not affect the overall thickness of the device. Preferably, the thickness of said thin film is 20 micrometers or less, More preferably, the thickness of the said thin film is 10 micrometers or less, Most preferably, it is 5 micrometers or less.

게터층(38)의 상부에는 상기 게터층을 보호하는 보호막(39)이 형성되어 있다. 보호막(39)은 외부로부터 수분 등이 게터층(38)과 직접 접촉하는 것을 방지할 뿐만 아니라, 외부로부터 가해지는 물리적 충격 등에 의해 게터층(38)의 도포 막이 박리되는 것을 방지하기 위해 형성된다.The passivation layer 39 that protects the getter layer is formed on the getter layer 38. The protective film 39 is formed not only to prevent moisture or the like from directly contacting the getter layer 38 from the outside, but also to prevent the coating film of the getter layer 38 from peeling off due to a physical impact applied from the outside.

보호막(39)은 위와 같은 목적을 수행할 수 있는 물질이라면 어떠한 것이라도 좋다. The protective film 39 may be any material as long as it can perform the above purpose.

예를 들어, 보호막(39)은 그 하부에 형성된 버퍼층(37a) 또는 패시베이션층 (37c)의 형성 물질과 동일한 물질을 이용하여 박막으로 제조될 수 있다. 이 경우, 보호막(39)는 SiNx 같은 실리콘질화물이나 SiO2 같은 실리콘산화물을 스퍼터법 또는 CVD법을 이용하여 박막으로 제조될 수 있다.For example, the passivation layer 39 may be made of a thin film using the same material as that of the buffer layer 37a or the passivation layer 37c formed thereunder. In this case, the protective film 39 may be made of a thin film of silicon nitride such as SiN x or silicon oxide such as SiO 2 by the sputtering method or the CVD method.

또한, 공정의 단순화를 위하여, 시트 형태의 고분자 필름을 공지된 라미네이팅 기술, 즉 시트 형태의 고분자 필름을 소정의 온도로 가열하여 롤러로 압착하는 방식으로 보호막(39)을 형성하는 것도 가능하다. In addition, in order to simplify the process, it is also possible to form the protective film 39 in a manner in which the polymer film in the form of a sheet is laminated by a known laminating technique, that is, the polymer film in the form of a sheet is heated to a predetermined temperature and compressed by a roller.

본 발명에 의하면, 박막 형태의 게터층이 초박막의 봉지막을 덮어 외부의 수분으로부터 내부의 소자를 확실하게 보호하기 때문에 사용 환경에 관계없이 오래 보관 및 사용할 수 있는 이점이 있다.According to the present invention, since the getter layer in the form of a thin film covers the sealing film of the ultra-thin film and reliably protects the internal device from external moisture, there is an advantage that it can be stored and used for a long time regardless of the use environment.

또한, 본 발명에 의하면, 박막 형태의 게터층이 봉지막으로 침투하는 수분을 차단하기 때문에 과도하게 다층으로 봉지막을 형성할 필요가 없으므로, 초박막의 유기 전계 발광 소자의 제조가 가능하다.In addition, according to the present invention, since the getter layer in the form of a thin film blocks moisture that penetrates into the encapsulation film, it is not necessary to form an encapsulation film in an excessively multilayered manner, thereby making it possible to manufacture an ultra-thin organic EL device.

Claims (17)

기판; Board; 상기 기판의 액티브 영역에 형성된 복수의 픽셀들; A plurality of pixels formed in an active region of the substrate; 적어도 픽셀들이 형성된 상기 액티브 영역의 상부를 덮도록 형성된 봉지막; 및An encapsulation layer formed to cover at least an upper portion of the active region in which pixels are formed; And 상기 봉지막 상에 형성된 게터층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자. An organic electroluminescent device comprising a getter layer formed on the encapsulation film. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 봉지막은 버퍼층, 평탄화층 및 패시베이션층을 포함하는 다층 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The encapsulation film is an organic electroluminescent device, characterized in that consisting of a multilayer thin film comprising a buffer layer, a planarization layer and a passivation layer. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 버퍼층은 실리콘산화물 또는 실리콘질화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The buffer layer is an organic electroluminescent device, characterized in that made of silicon oxide or silicon nitride. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 평탄화층은 비전도성 유기막인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The planarization layer is an organic electroluminescent device, characterized in that the non-conductive organic film. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 패시베이션층은 실리콘산화물 또는 실리콘질화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The passivation layer is an organic electroluminescent device, characterized in that made of silicon oxide or silicon nitride. 제 1 항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 5, 상기 게터층 상에 형성되는 보호막을 더 구비한 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.An organic electroluminescent device, further comprising a protective film formed on the getter layer. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 보호막은 고분자 필름을 라미네이트하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The protective film is an organic electroluminescent device, characterized in that formed by laminating a polymer film. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 보호막은 실리콘질화물 또는 실리콘산화물을 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The protective film is an organic electroluminescent device, characterized in that formed by depositing silicon nitride or silicon oxide. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게터층은 게터 물질을 바인더와 혼합한 액상 슬러리를 도포하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The getter layer is formed by applying a liquid slurry obtained by mixing a getter material with a binder. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 게터 물질은 바륨(barium), 칼슘(calcium), 바륨산화물(barium oxide), 또는 칼슘산화물(calcium oxide) 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The getter material is an organic electroluminescent device, characterized in that selected from barium (calcium), barium oxide (barium oxide), or calcium oxide (calcium oxide). 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 게터 물질은 폴리아크릴로니트릴계 고흡수성 고분자 물질인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The getter material is an organic electroluminescent device, characterized in that the polyacrylonitrile-based superabsorbent polymer material. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 바인더는 열경화성 수지 또는 자외선 경화성 수지인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The binder is an organic electroluminescent device, characterized in that the thermosetting resin or ultraviolet curable resin. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 바인더는 자연 경화될 수 있는 수지인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The binder is an organic electroluminescent device, characterized in that the resin that can be naturally cured. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게터층은 게터 물질을 박막의 형태로 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The getter layer is formed by depositing a getter material in the form of a thin film. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 게터 물질은 알칼리금속, 알칼리토류금속 또는 이들의 산화물로부터 선택된 물질인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The getter material is an organic electroluminescent device, characterized in that the material selected from alkali metal, alkaline earth metal or oxides thereof. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 게터 물질은 바륨(barium) 또는 지르코늄(zirconium)인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.And the getter material is barium or zirconium. 제 14 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 14 to 16, 상기 게터층은 스퍼터법(sputtering), 열증착법(thermal evaporation) 또는 CVD법 중 어느 하나를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.The getter layer is formed by any one of sputtering, thermal evaporation, or CVD method.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100873704B1 (en) * 2007-06-13 2008-12-12 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting display device and fabrication method for the same
US8674596B2 (en) 2007-06-13 2014-03-18 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and fabrication method for the same
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