JP2003217829A - Organic el display panel - Google Patents

Organic el display panel

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JP2003217829A
JP2003217829A JP2002013020A JP2002013020A JP2003217829A JP 2003217829 A JP2003217829 A JP 2003217829A JP 2002013020 A JP2002013020 A JP 2002013020A JP 2002013020 A JP2002013020 A JP 2002013020A JP 2003217829 A JP2003217829 A JP 2003217829A
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JP
Japan
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organic
film
layer
sealing
display panel
Prior art date
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Application number
JP2002013020A
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Japanese (ja)
Inventor
Masaaki Arima
正彰 有馬
Koji Yoshida
浩二 吉田
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Toyota Industries Corp
Original Assignee
Toyota Industries Corp
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Publication date
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Publication of JP2003217829A publication Critical patent/JP2003217829A/en
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/874Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display device panel capable of reducing the size and thickness of a sealing structure by thin film sealing, and restraining deterioration of an organic EL element due to entering of moisture or the like from the outside so as to secure enough durability. <P>SOLUTION: In this organic EL display panel 11, the organic EL element 16 where a first electrode layer 13, an organic EL layer 14 and a second electrode layer 15 are stacked in order is formed on the surface of a transparent or a translucent substrate 12. In the organic EL element 16, the surface outside of the surface opposite to the base plate 12 is coated with a sealing film 17. The sealing film 17 is composed of a passivation film 18 and a moisture absorbing layer 19 formed on the inside thereof. The passivation film 18 is composed of a metal film 18a and a ceramic film 18b, and the metal film 18a is formed outside. The metal film 18a is formed of aluminum, and the ceramic film 18b is formed of silicon nitride, and the moisture absorbing layer 19 is formed of magnesium oxide. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス(以下、単に有機ELという)ディスプレ
イパネルに係り、詳しくは有機EL素子を覆う封止膜
(保護膜)を備えた有機ELディスプレイパネルに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescence (hereinafter simply referred to as "organic EL") display panel, and more particularly to an organic EL display panel provided with a sealing film (protective film) covering an organic EL element.

【0002】[0002]

【従来の技術】有機EL素子は、第1電極(陽極)と第
2電極(陰極)との間に有機EL層が形成されている。
有機EL材料は酸素、水分との反応性が高いため、外気
から遮断された状態で使用しないと、大気中の酸素や水
分により化学劣化が生じ、ダークスポットと呼ばれる発
光しない領域が拡がるという問題がある。有機EL層を
外気から遮断する方法として、実用化されているものは
ステンレス製やガラス製のカバーを接着剤を介して基板
に設けるとともに、カバー内に吸着剤を収容して封止す
る構成のものがある。この構成では、カバー本体の部分
からの水分等の侵入はほとんどないが、接着剤の部分か
ら水分等が侵入する。しかし、侵入した水分等は吸着剤
に吸着されるため有機EL素子の劣化が抑制される。
2. Description of the Related Art An organic EL element has an organic EL layer formed between a first electrode (anode) and a second electrode (cathode).
Since the organic EL material has high reactivity with oxygen and moisture, if it is not used in a state of being shielded from the outside air, chemical degradation occurs due to oxygen and moisture in the atmosphere, and a problem that a non-luminous area called a dark spot expands. is there. As a method for practically cutting off the organic EL layer from the outside air, a method of putting a cover made of stainless steel or glass on the substrate via an adhesive and accommodating an adsorbent in the cover to seal the cover is used. There is something. In this configuration, moisture or the like hardly enters from the cover body portion, but moisture or the like enters from the adhesive portion. However, since the invading water and the like are adsorbed by the adsorbent, the deterioration of the organic EL element is suppressed.

【0003】また、特開平9−35868号公報には、
ガラス基板上に形成された有機EL素子を、前記基板上
にエポキシ系樹脂によって固着されたハウジング材で覆
い、該ハウジング材とガラス基板とによって形成された
空間に、吸着剤を含有した不活性液体を充填したものが
開示されている。この構成でも、接着剤の部分から水分
等が侵入するが、侵入した水分等は吸着剤に吸着される
ため有機EL素子の劣化が抑制される。
Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-35868 discloses that
An organic EL element formed on a glass substrate is covered with a housing material fixed on the substrate with an epoxy resin, and an inert liquid containing an adsorbent is provided in a space formed by the housing material and the glass substrate. What is filled with is disclosed. Also in this configuration, moisture or the like enters from the adhesive portion, but since the entered moisture or the like is adsorbed by the adsorbent, deterioration of the organic EL element is suppressed.

【0004】また、有機EL素子の封止方法として窒化
ケイ素や酸化ケイ素等の無機パッシベーション膜で有機
EL素子を封止する方法も開示されている(例えば、特
開2000−223264号)。
As a method of sealing an organic EL element, a method of sealing an organic EL element with an inorganic passivation film such as silicon nitride or silicon oxide has also been disclosed (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-223264).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、ステンレス
製やガラス製のカバーを接着剤を介して基板に設ける方
法や特開平9−35868号公報に開示された方法で
は、有機EL素子の劣化を抑制して耐久性を確保するの
に充分な吸着剤を収容する空間を確保するために封止構
造が大型化するという問題がある。
However, in the method of providing a cover made of stainless steel or glass on a substrate with an adhesive or the method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-35868, deterioration of an organic EL element is suppressed. Then, there is a problem that the sealing structure becomes large in size in order to secure a space for accommodating the adsorbent sufficient to secure the durability.

【0006】一方、無機パッシベーション膜で有機EL
素子を封止する方法では、封止のための構成は薄型化が
可能であるが、水分等の侵入を抑制して充分な耐久性を
確保するには、膜厚を厚くする必要がある。膜厚を厚く
すると、製造時間が長くなるとともにコストアップにも
なる。
On the other hand, the organic EL is formed by the inorganic passivation film.
In the method of sealing the element, the structure for sealing can be made thin, but in order to suppress the entry of water and the like and secure sufficient durability, it is necessary to increase the film thickness. The thicker the film, the longer the manufacturing time and the higher the cost.

【0007】本発明は、前記従来の問題に鑑みてなされ
たものであって、その目的は薄膜封止により封止構造を
小型薄型化できるとともに、外部からの水分等の侵入に
よる有機EL素子の劣化を抑制して充分な耐久性を確保
することができる有機ELディスプレイパネルを提供す
ることにある。
The present invention has been made in view of the conventional problems described above, and an object of the present invention is to make a sealing structure small and thin by thin film encapsulation, and to realize an organic EL element by the intrusion of moisture or the like from the outside. An object of the present invention is to provide an organic EL display panel capable of suppressing deterioration and ensuring sufficient durability.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め請求項1に記載の発明では、基板上に有機EL層を挟
む状態で第1電極及び第2電極が積層されて有機EL素
子が形成され、前記有機EL素子の表面がパッシベーシ
ョン膜の内側に吸湿層が形成された封止膜で被覆されて
いる。ここで基板とは、ガラス基板等の透明又は半透明
の単純な板材に限らず、カラー表示用着色パターンが形
成されたカラーフィルタなどのパネルやフレキシブル基
板をも含む。
In order to achieve the above object, in the invention according to claim 1, an organic EL element is formed by stacking a first electrode and a second electrode on a substrate with an organic EL layer interposed therebetween. The surface of the formed organic EL element is covered with a sealing film having a hygroscopic layer formed inside the passivation film. Here, the substrate is not limited to a transparent or semi-transparent simple plate material such as a glass substrate, but includes a panel such as a color filter having a colored pattern for color display or a flexible substrate.

【0009】この発明では、基板上に形成された有機E
L素子を外気(使用雰囲気)から隔離する封止膜は、外
気と触れる側に設けられたパッシベーション膜により水
分や酸素の侵入が防止される。パッシベーション膜だけ
で有機EL素子の劣化を抑制して充分な耐久性を確保す
るにはその膜厚を非常に厚くしなければならず、そのた
めの製膜に長時間掛かり、現実的でない。この発明で
は、パッシベーション膜により前記水分等の侵入を完全
に阻止するのではなく、パッシベーション膜の膜厚を製
膜時間として現実的な短時間で形成される厚さとして、
水分の僅かな侵入は容認する。しかし、パッシベーショ
ン膜から侵入した僅かな水分は吸湿層により吸着され、
有機EL素子の劣化が抑制される。その結果、薄膜封止
により封止構造を小型薄型化できるとともに、外部から
の水分等の侵入による有機EL素子の劣化を抑制して充
分な耐久性を確保することができる。
In the present invention, the organic E formed on the substrate
The sealing film that isolates the L element from the outside air (use atmosphere) has a passivation film provided on the side in contact with the outside air to prevent moisture and oxygen from entering. In order to suppress the deterioration of the organic EL element and secure sufficient durability only with the passivation film, the film thickness must be made extremely large, and it takes a long time to form the film, which is not realistic. In the present invention, the passivation film does not completely prevent the invasion of the water or the like, but the film thickness of the passivation film is formed as a film formation time in a realistic short time.
A slight ingress of water is acceptable. However, a small amount of water that has penetrated from the passivation film is adsorbed by the moisture absorption layer,
Deterioration of the organic EL element is suppressed. As a result, the sealing structure can be made smaller and thinner by the thin film sealing, and the organic EL element can be prevented from deteriorating due to invasion of moisture or the like from the outside to ensure sufficient durability.

【0010】請求項2に記載の発明では、請求項1に記
載の発明において、前記吸湿層は酸化マグネシウム、酸
化カルシウム、酸化バリウム、酸化アルミニウム等の吸
湿性物質から選ばれた少なくとも一つの物質から構成さ
れている。この発明では、吸湿層をPVD(Physical Va
por Deposition) 法等で薄膜層とするのが容易となる。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the hygroscopic layer is made of at least one substance selected from hygroscopic substances such as magnesium oxide, calcium oxide, barium oxide and aluminum oxide. It is configured. In the present invention, the moisture absorption layer is formed by PVD (Physical Vapor).
It becomes easy to form a thin film layer by the por deposition method or the like.

【0011】請求項3に記載の発明では、請求項1又は
請求項2に記載の発明において、前記封止膜は真空製膜
により形成されている。ここで真空製膜とは、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオ
ンビーム法、CVD法等の真空状態あるいは減圧下で薄
膜を形成する方法を意味する。
According to the invention of claim 3, in the invention of claim 1 or 2, the sealing film is formed by vacuum film formation. Here, the vacuum film formation means a method for forming a thin film in a vacuum state or under reduced pressure such as a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, an ion beam method, a CVD method.

【0012】この発明では、封止膜が真空製膜法で形成
されるため、封止膜を構成する複数の薄膜層を積層形成
するのが容易になる。請求項4に記載の発明では、請求
項1〜請求項3のいずれか一項に記載の発明において、
前記パッシベーション膜は最外層に金属膜が、その内側
に窒化ケイ素膜が形成されている。
In the present invention, since the sealing film is formed by the vacuum film forming method, it is easy to stack and form a plurality of thin film layers forming the sealing film. In the invention described in claim 4, in the invention described in any one of claims 1 to 3,
The passivation film has a metal film as an outermost layer and a silicon nitride film inside thereof.

【0013】パッシベーション膜を窒化ケイ素のみで構
成した場合、必要な膜厚を確保するのための製膜に時間
が掛かるとともに、ピンホールが発生し易い。また、物
が当たったとき等の外力に対する耐衝撃性が金属膜に比
較して弱い。しかし、この発明では、パッシベーション
膜の最外層に金属膜が存在するため、パッシベーション
膜の厚さを薄くしてもピンホールが発生し難く、封止膜
のバリアー性が向上する。また、同じ厚さの窒化ケイ素
膜を形成する時間より金属膜の形成時間の方が短く、パ
ッシベーション膜全体の製造時間を短縮できる。
When the passivation film is made of only silicon nitride, it takes a long time to form a film for securing a necessary film thickness, and pinholes are easily generated. In addition, the impact resistance against external force such as when hit by an object is weaker than that of the metal film. However, in this invention, since the metal film is present in the outermost layer of the passivation film, pinholes are less likely to occur even if the thickness of the passivation film is reduced, and the barrier property of the sealing film is improved. Further, the time for forming the metal film is shorter than the time for forming the silicon nitride film having the same thickness, and the manufacturing time for the entire passivation film can be shortened.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した一実施
の形態を図1に従って説明する。図1は有機ELディス
プレイパネルの模式断面図である。図1に示すように、
有機ELディスプレイパネル11は、透明又は半透明の
基板12の表面に、第1電極としての第1電極層13、
有機EL層14、第2電極としての第2電極層15の順
に積層された有機EL素子16が形成されている。この
実施の形態では第1電極層13が陽極を、第2電極層1
5が陰極を構成している。有機EL素子16はその表面
が基板12と対向する面を除いて封止膜17で被覆され
ている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic sectional view of an organic EL display panel. As shown in Figure 1,
The organic EL display panel 11 includes a first electrode layer 13 as a first electrode on a surface of a transparent or semitransparent substrate 12,
An organic EL element 16 is formed by stacking an organic EL layer 14 and a second electrode layer 15 as a second electrode in this order. In this embodiment, the first electrode layer 13 serves as an anode and the second electrode layer 1
5 constitutes a cathode. The surface of the organic EL element 16 is covered with the sealing film 17 except for the surface facing the substrate 12.

【0015】第1電極層13はITO(インジウム錫酸
化物)からなり透明に形成されている。有機EL層14
には例えば公知の構成のものが使用され、第1電極層1
3側から順に、正孔注入層、発光層及び電子注入層の3
層で構成されている。第2電極層15は金属(例えば、
アルミニウム)で形成されている。
The first electrode layer 13 is made of ITO (indium tin oxide) and is transparent. Organic EL layer 14
For example, a known structure is used for the first electrode layer 1
In order from the 3 side, the hole injection layer, the light emitting layer, and the electron injection layer 3
It is composed of layers. The second electrode layer 15 is made of metal (for example,
Aluminum).

【0016】図1では第1電極層13及び第2電極層1
5がそれぞれ一つの平面として図示されているが、例え
ば、有機ELディスプレイパネル11がパッシブ・マト
リックス方式で駆動される場合は、第1電極層13は基
板12の表面に複数、平行なストライプ状に形成され
る。また、有機EL層14は図示しない絶縁性の隔壁に
より隔てられた状態で第1電極層13と直交する方向に
延びる複数の平行なストライプ状に形成され、第2電極
層15は有機EL層14上に積層形成される。そして、
有機EL素子16は、第1電極層13及び第2電極層1
5の交差部分において基板12上にマトリックス状に配
置される。
In FIG. 1, the first electrode layer 13 and the second electrode layer 1
5 are shown as one plane, for example, when the organic EL display panel 11 is driven by a passive matrix method, the first electrode layers 13 are arranged in a plurality of parallel stripes on the surface of the substrate 12. It is formed. The organic EL layer 14 is formed in a plurality of parallel stripes extending in a direction orthogonal to the first electrode layer 13 in a state of being separated by an insulating partition wall (not shown), and the second electrode layer 15 is the organic EL layer 14 It is laminated on top. And
The organic EL element 16 includes the first electrode layer 13 and the second electrode layer 1
They are arranged in a matrix on the substrate 12 at the intersections of 5.

【0017】封止膜17はパッシベーション膜18と、
その内側に形成された吸湿層19とにより構成されてい
る。パッシベーション膜18は金属膜18aとセラミッ
ク膜18bとで構成され、金属膜18aが外側に形成さ
れている。従って、この実施の形態では封止膜17は3
層構造で、最外層に金属膜18aが、その内側にセラミ
ック膜18bが、最内層に吸湿層19が配置されてい
る。金属膜18aはアルミニウムで形成され、セラミッ
ク膜18bは窒化ケイ素で形成され、吸湿層19は酸化
マグネシウムで形成されている。
The sealing film 17 includes a passivation film 18 and
It is constituted by a moisture absorption layer 19 formed inside thereof. The passivation film 18 is composed of a metal film 18a and a ceramic film 18b, and the metal film 18a is formed outside. Therefore, in this embodiment, the sealing film 17 is 3
In the layered structure, the metal film 18a is arranged as the outermost layer, the ceramic film 18b is arranged inside the metal film 18a, and the moisture absorption layer 19 is arranged as the innermost layer. The metal film 18a is made of aluminum, the ceramic film 18b is made of silicon nitride, and the moisture absorption layer 19 is made of magnesium oxide.

【0018】次に前記のように構成された有機ELディ
スプレイパネル11の製造方法を説明する。先ず基板1
2の上にITOからなる第1電極層13をスパッタリン
グにより形成する。次に第1電極層13の上に、蒸着に
より有機EL層14及び第2電極層15を順次積層形成
する。次にその基板12を大気に曝露することなく、イ
オンプレーティング装置のチャンバー内に移送して、有
機EL素子16の基板12と対向する面以外の面を被覆
するように、酸化マグネシウムの吸湿層19を形成す
る。次に吸湿層19を被覆するように、窒化ケイ素のセ
ラミック膜18bを形成する。吸湿層19の形成及びセ
ラミック膜18bの形成はいずれも100℃以下で行わ
れる。
Next, a method of manufacturing the organic EL display panel 11 having the above structure will be described. First board 1
A first electrode layer 13 made of ITO is formed on the second layer 2 by sputtering. Next, the organic EL layer 14 and the second electrode layer 15 are sequentially formed on the first electrode layer 13 by vapor deposition. Next, the substrate 12 is transferred into the chamber of the ion plating apparatus without being exposed to the atmosphere, and a moisture absorbing layer of magnesium oxide is formed so as to cover the surface of the organic EL element 16 other than the surface facing the substrate 12. 19 is formed. Next, a ceramic film 18b of silicon nitride is formed so as to cover the moisture absorption layer 19. The formation of the moisture absorption layer 19 and the formation of the ceramic film 18b are both performed at 100 ° C. or lower.

【0019】次にその基板12を大気に曝露することな
く、真空蒸着用のチャンバー内に移送して、セラミック
膜18bを被覆するようにアルミニウムの金属膜18a
を形成する。金属膜18aの形成も100℃以下で行わ
れる。以上により3層構成の封止膜17の製造が完了す
る。
Next, the substrate 12 is transferred into a chamber for vacuum deposition without exposing it to the atmosphere, and the aluminum metal film 18a is coated so as to cover the ceramic film 18b.
To form. The metal film 18a is also formed at 100 ° C. or lower. The above completes the production of the three-layered sealing film 17.

【0020】次に前記のように構成された有機ELディ
スプレイパネル11の作用を説明する。有機EL層14
は水分及び酸素の存在下で劣化し、ダークスポットが発
生する。この実施の形態では有機EL層14を含む有機
EL素子16が、封止膜17により被覆されているた
め、外気中の水分や酸素等が有機EL層14に到達する
には、封止膜17を通過する必要がある。
Next, the operation of the organic EL display panel 11 constructed as above will be described. Organic EL layer 14
Deteriorates in the presence of water and oxygen, producing dark spots. In this embodiment, the organic EL element 16 including the organic EL layer 14 is covered with the sealing film 17, so that the moisture, oxygen, and the like in the outside air reach the organic EL layer 14 in order to reach the organic EL layer 14. Need to go through.

【0021】従来の封止膜はパッシベーション膜18だ
けで構成され、パッシベーション膜18は薄いため、パ
ッシベーション膜18だけで水分等の透過を完全に阻止
することはできず、パッシベーション膜18を透過した
微量の水分等により有機EL層14が劣化する。しか
し、この実施の形態の封止膜17はパッシベーション膜
18と吸湿層19とで構成されているため、パッシベー
ション膜18を透過した微量の水分等は吸湿層19に吸
着され、有機EL層14に到達しない。従って、封止膜
17を薄くしても、有機EL層14の劣化が防止され
る。
Since the conventional sealing film is composed of only the passivation film 18, and the passivation film 18 is thin, it is not possible to completely prevent the permeation of moisture etc. by the passivation film 18 alone. The organic EL layer 14 is deteriorated by the water content and the like. However, since the sealing film 17 of this embodiment is composed of the passivation film 18 and the moisture absorption layer 19, a small amount of water or the like that has passed through the passivation film 18 is adsorbed by the moisture absorption layer 19 and is absorbed by the organic EL layer 14. Do not reach Therefore, even if the sealing film 17 is thinned, the deterioration of the organic EL layer 14 is prevented.

【0022】この実施の形態では以下の効果を有する。 (1) 基板12上に形成された、第1電極層13、有
機EL層14及び第2電極層15からなる有機EL素子
16の表面をパッシベーション膜18の内側に吸湿層1
9が形成された封止膜17で被覆した。従って、外気と
触れる側に設けられたパッシベーション膜18を透過し
た僅かな水分は吸湿層19により吸着されて有機EL層
14に到達せず、有機EL素子16の劣化が抑制され
る。その結果、薄膜封止により封止構造を小型薄型化で
きるとともに、外部からの水分等の侵入による有機EL
素子16の劣化を抑制して充分な耐久性を確保すること
ができる。また、パッシベーション膜18だけで有機E
L素子の劣化を抑制して充分な耐久性を確保する膜厚と
する場合に比較して、製膜時間を短縮できる。また、有
機EL層14に水分が存在する場合、その水分を吸湿層
19で吸着できる。
This embodiment has the following effects. (1) The surface of the organic EL element 16 formed of the first electrode layer 13, the organic EL layer 14, and the second electrode layer 15 formed on the substrate 12 is placed inside the passivation film 18 to absorb the moisture.
It was covered with the sealing film 17 on which 9 was formed. Therefore, even a small amount of water that has passed through the passivation film 18 provided on the side in contact with the outside air is not adsorbed by the moisture absorption layer 19 and does not reach the organic EL layer 14, and deterioration of the organic EL element 16 is suppressed. As a result, the sealing structure can be made smaller and thinner by the thin film sealing, and at the same time the organic EL can be protected from the intrusion of moisture from the outside.
It is possible to suppress deterioration of the element 16 and ensure sufficient durability. In addition, only the passivation film 18 is used for organic E
The film forming time can be shortened as compared with the case where the film thickness is set so as to suppress the deterioration of the L element and ensure sufficient durability. Further, when water is present in the organic EL layer 14, the water can be adsorbed by the moisture absorption layer 19.

【0023】(2) 封止膜17は真空製膜により形成
されている。従って、封止膜17を構成する複数の薄膜
層を積層形成するのが容易になる。 (3) 封止膜17は真空製膜法で100℃以下の条件
で製造されている。現在知られている多くのEL材料は
熱に弱く、100℃を超える温度では劣化し易い。しか
し、100℃以下で封止膜17が形成されるため、封止
膜17を形成する際に、有機EL層14にダメージを与
えることを回避できる。
(2) The sealing film 17 is formed by vacuum film formation. Therefore, it becomes easy to stack and form a plurality of thin film layers forming the sealing film 17. (3) The sealing film 17 is manufactured by a vacuum film forming method under conditions of 100 ° C. or lower. Many currently known EL materials are sensitive to heat and are susceptible to deterioration at temperatures above 100 ° C. However, since the sealing film 17 is formed at 100 ° C. or lower, it is possible to avoid damaging the organic EL layer 14 when forming the sealing film 17.

【0024】(4) 吸湿層19は酸化マグネシウムで
構成されている。従って、吸湿層19をイオンプレーテ
ィング法等で薄膜層とするのが容易となる。また、吸湿
層19を真空製膜法で100℃以下の条件で製造でき、
吸湿層19を形成する際に有機EL層14にダメージを
与えることを回避できる。
(4) The moisture absorption layer 19 is made of magnesium oxide. Therefore, it becomes easy to form the moisture absorption layer 19 into a thin film layer by an ion plating method or the like. Further, the moisture absorption layer 19 can be manufactured by the vacuum film forming method under the condition of 100 ° C. or lower,
It is possible to avoid damaging the organic EL layer 14 when forming the moisture absorption layer 19.

【0025】(5) パッシベーション膜18は最外層
に金属膜18aが、その内側にセラミック膜18bが形
成されている。パッシベーション膜18をセラミック膜
18bのみで構成した場合、必要な膜厚を確保するのた
めの製膜に時間が掛かるとともに、ピンホールが発生し
易い。また、物が当たったとき等の外力に対する耐衝撃
性が金属膜に比較して弱い。しかし、パッシベーション
膜18の最外層に金属膜18aが存在するため、パッシ
ベーション膜18の厚さを薄くしてもピンホールが発生
し難く、封止膜17のバリアー性が向上するとともに封
止膜17が傷つき難くなる。また、同じ厚さのセラミッ
ク膜18bを形成する時間より金属膜18aの形成時間
の方が短く、パッシベーション膜18全体の製造時間を
短縮できる。
(5) The passivation film 18 has a metal film 18a formed on the outermost layer and a ceramic film 18b formed on the inner side thereof. When the passivation film 18 is composed of only the ceramic film 18b, it takes time to form a film to secure a necessary film thickness, and pinholes are likely to occur. In addition, the impact resistance against external force such as when hit by an object is weaker than that of the metal film. However, since the metal film 18a exists in the outermost layer of the passivation film 18, pinholes are less likely to occur even if the thickness of the passivation film 18 is reduced, and the barrier property of the sealing film 17 is improved and the sealing film 17 is formed. Is less likely to be damaged. Further, the formation time of the metal film 18a is shorter than the formation time of the ceramic film 18b having the same thickness, and the manufacturing time of the entire passivation film 18 can be shortened.

【0026】(6) セラミック膜18bが窒化ケイ素
で形成されている。従って、セラミック膜18bを真空
製膜法で100℃以下の条件で製造でき、セラミック膜
18bを形成する際に有機EL層14にダメージを与え
ることを回避できる。
(6) The ceramic film 18b is made of silicon nitride. Therefore, the ceramic film 18b can be manufactured by the vacuum film forming method under the condition of 100 ° C. or less, and the organic EL layer 14 can be prevented from being damaged when the ceramic film 18b is formed.

【0027】(7) 封止膜17は有機EL素子16
側、即ち基板12側から吸湿層19、セラミック膜18
b、金属膜18aの順で積層された3層構成である。従
って、外部からの水分等の侵入による有機EL素子16
の劣化を抑制して充分な耐久性を確保することができる
薄膜の封止膜17を容易に製造できる。
(7) The sealing film 17 is the organic EL element 16
Side, that is, the substrate 12 side, the moisture absorption layer 19, the ceramic film 18
It has a three-layer structure in which b and the metal film 18a are laminated in this order. Therefore, the organic EL element 16 due to invasion of moisture or the like from the outside
It is possible to easily manufacture the thin sealing film 17 capable of suppressing the deterioration of No. 1 and ensuring sufficient durability.

【0028】(8) 金属膜18aはアルミニウムで、
セラミック膜18bは窒化ケイ素で、吸湿層19は酸化
マグネシウムでそれぞれ形成されている。従って、外部
からの水分等の侵入による有機EL素子16の劣化を抑
制して充分な耐久性を確保することができる薄膜の封止
膜17を100℃以下で容易に製造できる。
(8) The metal film 18a is aluminum,
The ceramic film 18b is made of silicon nitride, and the moisture absorption layer 19 is made of magnesium oxide. Therefore, the thin sealing film 17 capable of suppressing the deterioration of the organic EL element 16 due to invasion of moisture or the like from the outside and ensuring sufficient durability can be easily manufactured at 100 ° C. or lower.

【0029】実施の形態は前記に限らず、例えば次のよ
うに構成してもよい。 ○ パッシベーション膜18は金属膜18aとセラミッ
ク膜18bとの複合構造に限らず、例えば、金属膜18
aをなくしてセラミック膜18bだけで構成したり、セ
ラミック膜18bの外側に金属膜18aに代えて樹脂製
のパッシベーション膜を形成してもよい。
The embodiment is not limited to the above, but may be configured as follows, for example. The passivation film 18 is not limited to the composite structure of the metal film 18a and the ceramic film 18b.
It is also possible to eliminate a and form only the ceramic film 18b, or to form a resin passivation film on the outside of the ceramic film 18b instead of the metal film 18a.

【0030】○ セラミック膜18bの材質は窒化ケイ
素に限らず、水分や酸素等のガスの透過率の小さな他の
材質、例えば酸化ケイ素やダイヤモンド・ライク・カー
ボンを使用してもよい。また、異なる材質の薄膜を積層
してセラミック膜18bを形成してもよい。
The material of the ceramic film 18b is not limited to silicon nitride, and other materials having a low permeability of gas such as moisture and oxygen, for example, silicon oxide or diamond-like carbon may be used. Further, the ceramic film 18b may be formed by laminating thin films made of different materials.

【0031】○ 吸湿層19を形成する物質は酸化マグ
ネシウムに限らず、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸
化アルミニウム、酸化ストロンチウム等の金属酸化物や
他の吸湿性物質を使用してもよい。また、複数の物質が
混合した層で吸湿層19を構成してもよい。
The substance forming the hygroscopic layer 19 is not limited to magnesium oxide, and metal oxides such as calcium oxide, barium oxide, aluminum oxide and strontium oxide, and other hygroscopic substances may be used. Further, the moisture absorption layer 19 may be composed of a layer in which a plurality of substances are mixed.

【0032】〇 基板12側に配設される第1電極層1
3を陰極とし、第2電極層15を陽極としてもよい。こ
の場合、有機EL層14の構成もそれに対応して変更す
る。 ○ 基板12としてガラス基板に代えてフレキシブル基
板を使用してもよい。
The first electrode layer 1 disposed on the substrate 12 side
3 may be a cathode and the second electrode layer 15 may be an anode. In this case, the structure of the organic EL layer 14 is also changed correspondingly. A flexible substrate may be used as the substrate 12 instead of the glass substrate.

【0033】〇 基板12はガラス基板等の透明又は半
透明の単純な板材に限らず、透明又は半透明の基板上に
カラー表示用着色パターンが形成されたカラーフィルタ
であってもよい。また、有機EL素子16をアクティブ
・マトリックス方式で駆動する場合、透明又は半透明の
基板上にTFT(薄膜トランジスタ)が形成されたもの
であってもよい。
The substrate 12 is not limited to a transparent or semitransparent simple plate material such as a glass substrate, but may be a color filter having a colored pattern for color display formed on a transparent or semitransparent substrate. When the organic EL element 16 is driven by the active matrix system, a TFT (thin film transistor) may be formed on a transparent or semitransparent substrate.

【0034】○ 有機EL層14を構成する有機EL材
料として、耐熱性が100℃を超える物質を使用する場
合は、封止膜17の形成条件を有機EL材料の耐熱性に
対応した100℃を超える温度としてもよい。
When a substance having a heat resistance higher than 100 ° C. is used as the organic EL material forming the organic EL layer 14, the formation condition of the sealing film 17 is set to 100 ° C. corresponding to the heat resistance of the organic EL material. The temperature may be exceeded.

【0035】○ 有機EL層14を構成する有機EL材
料として、耐熱性が100℃を超える物質を使用する場
合は、封止膜17の形成条件を有機EL材料の耐熱性に
対応した100℃を超える温度としてもよい。
When a material having a heat resistance higher than 100 ° C. is used as the organic EL material forming the organic EL layer 14, the formation condition of the sealing film 17 is set to 100 ° C. corresponding to the heat resistance of the organic EL material. The temperature may be exceeded.

【0036】○ 有機EL層14は前記の構成に限らな
い。 ○ 通常のプラズマCVD法でセラミック膜18bを形
成する代わりに、ECR(Electron Cyclotron Resonan
ce)プラズマCVD法を採用してもよい。この場合、通
常のプラズマCVD法に比較して低温で成膜でき、有機
EL層14を構成する有機EL材料として、より熱に弱
いものも使用可能になり、使用する有機EL材料の選択
の自由度が大きくなる。
The organic EL layer 14 is not limited to the above configuration. ○ Instead of forming the ceramic film 18b by the usual plasma CVD method, ECR (Electron Cyclotron Resonan)
ce) Plasma CVD method may be adopted. In this case, it is possible to form a film at a lower temperature as compared with a normal plasma CVD method, and as the organic EL material forming the organic EL layer 14, a material weaker to heat can be used, and the organic EL material to be used can be freely selected. The degree increases.

【0037】○ 吸湿層19の形成にはイオンプレーテ
ィング法の代わりにスパッタリング法やイオンビーム法
を用いてもよい。前記実施の形態から把握される技術的
思想について、以下に記載する。
In order to form the moisture absorption layer 19, a sputtering method or an ion beam method may be used instead of the ion plating method. The technical idea grasped from the above embodiment will be described below.

【0038】(1) 請求項1〜請求項3のいずれか一
項に記載の発明において、前記パッシベーション膜は最
外層に金属膜が、その内側にセラミック膜が形成されて
いる。
(1) In the invention according to any one of claims 1 to 3, the passivation film has a metal film as an outermost layer and a ceramic film inside thereof.

【0039】(2) 前記技術的思想(1)に記載の発
明において、前記封止膜は3層構成である。 (3) 請求項1〜請求項4及び前記技術的思想
(1),(2)のいずれか一項に記載の発明において、
前記封止膜を構成する物質は、100℃以下の真空製膜
で薄膜を形成可能である。
(2) In the invention described in the technical idea (1), the sealing film has a three-layer structure. (3) In the invention according to any one of claims 1 to 4 and the technical idea (1) and (2),
The material forming the sealing film can be formed into a thin film by vacuum film formation at 100 ° C. or lower.

【0040】(4) 前記金属膜はアルミニウムで、セ
ラミック膜は窒化ケイ素で、吸湿層は酸化マグネシウム
でそれぞれ形成されている前記技術的思想(3)に記載
の有機EL素子。
(4) The organic EL device according to the above technical concept (3), wherein the metal film is made of aluminum, the ceramic film is made of silicon nitride, and the moisture absorption layer is made of magnesium oxide.

【0041】(5) 基板上に形成された第1電極、有
機EL層及び第2電極からなる有機EL素子を覆う封止
膜の形成方法であって、真空製膜法により、先ず吸湿層
を形成し、次にセラミック層を形成し最後に金属層を形
成する有機EL素子の封止膜の形成方法。
(5) A method for forming a sealing film covering an organic EL element composed of a first electrode, an organic EL layer and a second electrode formed on a substrate, wherein a moisture absorption layer is first formed by a vacuum film forming method. A method of forming a sealing film for an organic EL device, which comprises forming, then forming a ceramic layer and finally forming a metal layer.

【0042】(6) 前記封止膜を構成する各層はいず
れも100℃以下において形成される前記技術的思想
(5)に記載の有機EL素子の封止膜の形成方法。 (7) セラミック層を形成する前記真空製膜法はプラ
ズマCVD法である前記技術的思想(5)又は(6)に
記載の有機EL素子の封止膜の形成方法。
(6) The method for forming a sealing film for an organic EL element according to the above-mentioned technical concept (5), wherein each layer constituting the sealing film is formed at 100 ° C. or lower. (7) The method for forming a sealing film for an organic EL element according to the above-mentioned technical idea (5) or (6), wherein the vacuum film forming method for forming the ceramic layer is a plasma CVD method.

【0043】(8) 前記技術的思想(7)に記載の発
明において、前記プラズマCVD法としてECRプラズ
マCVD法を使用する。 (9) 吸湿層を形成する前記真空製膜法はイオンプレ
ーティング法である前記技術的思想(5)又は(6)に
記載の有機EL素子の封止膜の形成方法。
(8) In the invention described in the technical idea (7), the ECR plasma CVD method is used as the plasma CVD method. (9) The method for forming a sealing film for an organic EL device according to the above technical concept (5) or (6), wherein the vacuum film forming method for forming the moisture absorption layer is an ion plating method.

【0044】[0044]

【発明の効果】以上詳述したように請求項1〜請求項4
に記載の発明によれば、薄膜封止により封止構造を小型
薄型化できるとともに、外部からの水分等の侵入による
有機EL素子の劣化を抑制して充分な耐久性を確保する
ことができる。
As described in detail above, the first to fourth aspects of the invention are described.
According to the invention described in (3), the sealing structure can be made smaller and thinner by the thin film sealing, and the organic EL element can be prevented from deteriorating due to invasion of moisture from the outside and sufficient durability can be secured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 一実施の形態の有機ELディスプレイパネル
の模式断面図。
FIG. 1 is a schematic sectional view of an organic EL display panel according to an embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

12…基板、13…第1電極としての第1電極層、14
…有機EL層、15…第2電極としての第2電極層、1
6…有機EL素子、17…封止膜、18…パッシベーシ
ョン膜、18a…金属膜、19…吸湿層。
12 ... Substrate, 13 ... First electrode layer as first electrode, 14
... organic EL layer, 15 ... second electrode layer as second electrode, 1
6 ... Organic EL element, 17 ... Sealing film, 18 ... Passivation film, 18a ... Metal film, 19 ... Hygroscopic layer.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に有機EL層を挟む状態で第1電
極及び第2電極が積層されて有機EL素子が形成され、
前記有機EL素子の表面がパッシベーション膜の内側に
吸湿層が形成された封止膜で被覆されている有機ELデ
ィスプレイパネル。
1. An organic EL element is formed by stacking a first electrode and a second electrode on a substrate with an organic EL layer sandwiched therebetween,
An organic EL display panel in which the surface of the organic EL element is covered with a sealing film having a moisture absorption layer formed inside a passivation film.
【請求項2】 前記吸湿層は酸化マグネシウム、酸化カ
ルシウム、酸化バリウム、酸化アルミニウム等の吸湿性
物質から選ばれた少なくとも一つの物質から構成されて
いる請求項1に記載の有機ELディスプレイパネル。
2. The organic EL display panel according to claim 1, wherein the moisture absorption layer is composed of at least one substance selected from hygroscopic substances such as magnesium oxide, calcium oxide, barium oxide, and aluminum oxide.
【請求項3】 前記封止膜は真空製膜により形成されて
いる請求項1又は請求項2に記載の有機ELディスプレ
イパネル。
3. The organic EL display panel according to claim 1, wherein the sealing film is formed by vacuum film formation.
【請求項4】 前記パッシベーション膜は最外層に金属
膜が、その内側に窒化ケイ素膜が形成されている請求項
1〜請求項3のいずれか一項に記載の有機ELディスプ
レイパネル。
4. The organic EL display panel according to claim 1, wherein the passivation film has a metal film formed as an outermost layer and a silicon nitride film formed inside thereof.
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