KR20070046657A - Electron emission device - Google Patents

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KR20070046657A
KR20070046657A KR1020050103520A KR20050103520A KR20070046657A KR 20070046657 A KR20070046657 A KR 20070046657A KR 1020050103520 A KR1020050103520 A KR 1020050103520A KR 20050103520 A KR20050103520 A KR 20050103520A KR 20070046657 A KR20070046657 A KR 20070046657A
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substrate
spacer
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electron emission
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KR1020050103520A
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유승준
장철현
이원일
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삼성에스디아이 주식회사
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Abstract

본 발명은 전자 방출 디바이스에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상기 전자 방출 디바이스는 진공의 내부 공간을 사이에 두고 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판, 상기 제1 기판 위에 형성되는 전자 방출 유닛, 상기 제2 기판에 상기 전자 방출 유닛을 마주보며 형성되는 발광 유닛, 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되는 스페이서, 및 상기 스페이서들을 고정하기 위하여 상기 제1 기판 및 제2 기판 중 적어도 일 기판 상에서 상기 스페이서의 모서리를 감싸며 형성되는 접착층을 포함하며 상기 접착층은 글라스 프릿(glass frit) 및 필러를 포함한다. The present invention relates to an electron emission device, and more particularly, the electron emission device includes: a first substrate and a second substrate disposed opposite to each other with an internal space of a vacuum interposed therebetween, an electron emission unit formed on the first substrate, At least one of the first substrate and the second substrate to fix the spacers, and a light emitting unit formed to face the electron emission unit facing the second substrate, the spacer disposed between the first substrate and the second substrate, and And an adhesive layer formed on the edge of the spacer on the adhesive layer, wherein the adhesive layer includes a glass frit and a filler.

본 발명에 따른 전자 방출 디바이스는 형상 유지율이 우수한 스페이서용 접착제 조성물을 이용하여 스페이서를 접착함으로써 소성 후에도 스페이서 모서리가 노출될 우려가 없기 때문에 아킹을 방지할 수 있으며, 이에 따라 애노드 전압 증가 및 전자 방출 디바이스의 휘도를 향상시킬 수 있다.The electron-emitting device according to the present invention can prevent arcing because the edges of the spacers are not exposed even after firing by bonding the spacers using the adhesive composition for spacers having excellent shape retention, thereby increasing the anode voltage and the electron-emitting device. Can improve the luminance.

전자 방출 디바이스, 접착층, 스페이서.  Electron emission device, adhesive layer, spacer.

Description

전자 방출 디바이스{ELECTRON EMISSION DEVICE} Electron Emission Device {ELECTRON EMISSION DEVICE}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 디바이스의 부분 분해 사시도이다.1 is a partially exploded perspective view of an electron emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 디바이스의 부분 단면도이다.2 is a partial cross-sectional view of an electron emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2에 도시된 전자 방출 디바이스의 스페이서의 접착층을 확대하여 도시한 도면이다.3 is an enlarged view of an adhesive layer of a spacer of the electron emission device illustrated in FIG. 2.

[기술분야][Technical Field]

본 발명은 전자 방출 디바이스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 스페이서 주변에서의 아킹 발생이 감소하여 애노드 전압이 증가되고 이에 따라 휘도가 향상된 전자 방출 디바이스에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to an electron emitting device, and more particularly, to an electron emitting device in which the occurrence of arcing around a spacer is reduced so that an anode voltage is increased and thus brightness is improved.

[종래기술][Private Technology]

일반적으로 전자 방출 디바이스는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 분류할 수 있다.In general, the electron emission device may be classified into a method using a hot cathode and a cold cathode according to the type of the electron source.

여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 디바이스로는 전계 방출 어레이(field emitter array; FEA)형, 표면 전도 에미션(surface-conduction emission; SCE)형, 금속-절연층-금속(metal-insulator-metal; MIM)형 및 금속-절연층-반도체(metal-insulator-semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.Here, the electron emission device using the cold cathode is a field emitter array (FEA) type, a surface conduction emission type (SCE) type, a metal-insulator layer-metal-insulator- type. metal (MIM) type and metal-insulator-semiconductor (MIS) type and the like are known.

상기 MIM형과 MIS형 전자 방출 디바이스는 각각 금속/절연층/금속(MIM)과 금속/절연층/반도체(MIS) 구조로 이루어진 전자 방출부를 형성하고, 절연층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때 금속이나 반도체로부터 공급되는 전자가 터널링(tunneling) 현상에 의하여 절연층을 통과하여 상부 금속에 도달하고, 도달한 전자 중 상부 금속의 일함수(work function) 이상의 에너지를 가지는 전자가 상부 전극으로부터 방출된다. The MIM type and the MIS type electron emission device each form an electron emission portion formed of a metal / insulation layer / metal (MIM) and a metal / insulation layer / semiconductor (MIS) structure, and are disposed between two metals having an insulation layer therebetween, or When a voltage is applied between the metal and the semiconductor, electrons supplied from the metal or the semiconductor pass through the insulating layer to reach the upper metal by a tunneling phenomenon, and the electrons supplied from the metal or the semiconductor are higher than the work function of the upper metal. Electrons with energy are emitted from the upper electrode.

상기 SCE형 전자 방출 디바이스는 일 기판 위에 서로 마주보며 배치된 제1 전극과 제2 전극 사이에 도전 박막을 제공하고 이 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출부를 형성하며, 양 전극에 전압을 인가하여 도전 박막의 표면으로 전류가 흐를 때 전자 방출부로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.The SCE type electron emission device forms an electron emission portion by providing a conductive thin film between a first electrode and a second electrode disposed to face each other on a substrate and providing a micro crack in the conductive thin film, and applying a voltage to both electrodes. By using the principle that the electron is emitted from the electron emission portion when the current flows to the surface of the conductive thin film.

그리고 상기 FEA형 전자 방출 디바이스는 일 함수(work function)가 낮거나 종횡비(aspect ratio)가 큰 물질을 전자원으로 사용할 경우 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한 것으로서, 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물이나 카본 나노튜브, 흑연, 다이아몬드상 카본과 같은 카본계 물질을 전자원으로 적용한 예가 개발되고 있다.The FEA type electron emission device uses a principle that electrons are easily emitted by an electric field in vacuum when a material having a low work function or a large aspect ratio is used as the electron source, and molybdenum (Mo) Or, an example is developed in which a tip structure mainly made of silicon (Si) or the like is applied, or a carbon-based material such as carbon nanotubes, graphite, or diamond-like carbon as an electron source.

상기한 전자 방출 디바이스들은 그 종류에 따라 세부적인 구조가 상이하지 만, 기본적으로는 진공 용기를 구성하는 두 기판 중 제1 기판 위에 전자 방출부와 더불어 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들을 구비하며, 제2 기판 위에 형광층과 더불어 제1 기판 측에서 방출된 전자들이 형광층을 향해 효율적으로 가속되도록 하는 애노드 전극을 구비하여 소정의 발광 또는 표시 작용을 하게 된다.The above-described electron emitting devices have different structures depending on the type thereof, but basically include driving electrodes for controlling electron emission of the electron emitting unit together with an electron emitting unit on the first of the two substrates constituting the vacuum container. In addition, an anode electrode is provided on the second substrate to allow the electrons emitted from the first substrate side to be efficiently accelerated toward the fluorescent layer to perform a predetermined light emission or display function.

또한, 상기한 전자 방출 디바이스들은 진공 용기 내부에 다수의 스페이서를 구비하여 제1 기판과 제2 기판의 간격을 일정하게 유지시키며, 진공 용기에 가해지는 압축력에 의한 기판들의 변형과 파손을 억제한다.In addition, the above-described electron emitting devices include a plurality of spacers inside the vacuum vessel to maintain a constant distance between the first substrate and the second substrate, and suppress deformation and breakage of the substrates due to the compressive force applied to the vacuum vessel.

스페이서는 일반적으로 글래스나 세라믹 재질로 이루어지며, 기둥형이나 벽체형 등 다양한 형상을 가진다. 또한, 스페이서는 제1 기판과 제2 기판 중 어느 일 기판, 일례로 제1 기판 위에 제공된 구조물 위에 접착층의 접착력에 의해 고정되는 것이 일반적이다.The spacer is generally made of glass or ceramic material and has various shapes such as a columnar shape and a wall shape. In addition, the spacer is generally fixed by the adhesive force of the adhesive layer on any one of the first substrate and the second substrate, for example, a structure provided on the first substrate.

본 발명의 목적은 스페이서 주변에서의 아킹 발생이 감소되어 애노드 전압을 증가시킬 수 있고 이에 따라 휘도를 향상시킬 수 있는 전자 방출 디바이스를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide an electron emitting device which can reduce the occurrence of arcing around a spacer to increase the anode voltage and thus improve the brightness.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 진공의 내부 공간을 사이에 두고 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판, 상기 제1 기판 위에 형성되는 전자 방출 유닛, 상기 제2 기판에 상기 전자 방출 유닛을 마주보며 형성되는 발광 유닛, 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되는 스페이서 및 상기 스페이서들을 고정하기 위하여 상기 제1 기판 및 제2 기판 중 적어도 일 기판 상에서 상기 스페이서의 모서리를 감싸며 형성되는 접착층을 포함하며, 상기 접착층은 글라스 프릿(glass frit) 및 필러를 포함하는 것인 전자 방출 디바이스를 제공한다.In order to achieve the above object, according to an embodiment of the present invention, the first substrate and the second substrate disposed opposite to each other with an internal space of the vacuum therebetween, an electron emission unit formed on the first substrate, the first A light emitting unit formed opposite to the electron emission unit on a second substrate, a spacer disposed between the first substrate and the second substrate, and at least one of the first substrate and the second substrate to fix the spacers; An adhesive layer is formed surrounding the corners of the adhesive layer, wherein the adhesive layer comprises a glass frit and a filler.

이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

상기한 전자 방출 디바이스들 중 특히 전계를 이용하여 전자를 방출하는 FEA형 전자 방출 디바이스는 내부 공간이 전기적으로 안정된 상태를 유지하여야 원활한 구동을 이룰 수 있다. 이를 위해서는 구동 시 진공 용기 내부에 아킹과 같은 이상(異常) 방전이 일어나지 않아야 한다. 아킹은 캐소드 면에서의 국부적인 에지면이 많을수록 발생하기 쉽다.Among the above-mentioned electron emission devices, in particular, the FEA type electron emission device which emits electrons using an electric field can achieve smooth driving only when the internal space is kept electrically stable. For this purpose, abnormal discharge such as arcing should not occur inside the vacuum chamber during operation. Arcing is more likely to occur when there are more local edges on the cathode side.

통상적으로 FEA형 전자 방출 디바이스에서의 스페이서는 막대 형의 유리 또는 세라믹재 스페이서를 사용하고 있으며, 이 같은 스페이서의 아랫면과 제1 기판에 제공된 구조물 윗면 사이에 접착층을 형성하여 스페이서를 고정시키고 있다. 이와 같이 접착층은 주로 스페이서의 윗면 또는 아랫면에 형성되기 때문에 스페이서의 긴 모서리 부분이 진공의 내부 공간으로 노출되게 된다. 이에 따라 전자 방출 디바이스 작용시 스페이서의 모서리 부분에 국부적으로 전계 집중이 발생함으로써 아킹이 발생하게 된다. Typically, a spacer in a FEA type electron emission device uses a bar-shaped glass or ceramic spacer, and an adhesive layer is formed between the lower surface of the spacer and the upper surface of the structure provided on the first substrate to fix the spacer. As such, since the adhesive layer is mainly formed on the upper or lower surface of the spacer, the long edge portion of the spacer is exposed to the internal space of the vacuum. This causes arcing to occur by locally concentrating the field at the corners of the spacer when the electron emitting device acts.

이와 같이 아킹이 발생하게 되면 애노드 전극에 고전압을 인가하는데 제약이 따르며, 그 결과 애노드 전압을 높임으로써 구현할 수 있는 효과들, 일례로 휘도 상승과 같은 효과를 구현하는데 어려움이 있었다.As such, when arcing occurs, there is a restriction in applying a high voltage to the anode electrode, and as a result, there are difficulties in implementing effects such as luminance increase, which can be realized by increasing the anode voltage.

이에 대해 본 발명은 최적의 조성을 갖는 스페이서용 접착제 조성물을 이용하여 스페이서의 모서리 부분을 진공의 내부 공간에 노출시키지 않도록 하여 접착층을 형성함으로써 아킹을 방지하고, 애노드 전압을 증가시키며 또한 전자 방출 디바이스의 휘도를 향상시킬 수 있었다.In contrast, the present invention uses an adhesive composition for spacers having an optimal composition to prevent the edge portion of the spacer from being exposed to the internal space of the vacuum to form an adhesive layer, thereby preventing arcing, increasing the anode voltage and increasing the luminance of the electron emitting device. Could improve.

즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 디바이스는That is, the electron emitting device according to the embodiment of the present invention

진공의 내부 공간을 사이에 두고 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판;A first substrate and a second substrate disposed to face each other with an internal space of the vacuum interposed therebetween;

상기 제1 기판 위에 형성되는 전자 방출 유닛;An electron emission unit formed on the first substrate;

상기 제2 기판에 상기 전자 방출 유닛을 마주보며 형성되는 발광 유닛;A light emitting unit facing the electron emission unit on the second substrate;

상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되는 스페이서; 및 A spacer disposed between the first substrate and the second substrate; And

상기 스페이서들을 고정하기 위하여 상기 제1 기판 및 제2 기판 중 적어도 일 기판 상에서 상기 스페이서의 모서리를 감싸며 형성되는 접착층을 포함하며,An adhesive layer formed around at least one of the first substrate and the second substrate to surround the spacers, the adhesive layer being formed to fix the spacers;

상기 접착층은 글라스 프릿(glass frit) 및 필러를 포함한다.The adhesive layer includes a glass frit and a filler.

보다 바람직하게는 상기 접착층은 상기 글라스 프릿 2 내지 20 중량부 및 필러 30 내지 70중량부를 포함한다.More preferably, the adhesive layer includes 2 to 20 parts by weight of the glass frit and 30 to 70 parts by weight of the filler.

상기 접착층은 글라스 프릿(glass frit); b) 필러; 및 c) 바인더를 포함하는 스페이서용 접착제 조성물로부터 형성될 수 있다.The adhesive layer is a glass frit; b) fillers; And c) a binder composition comprising a binder.

보다 바람직하게는 상기 스페이서용 접착제 조성물은 글라스 프릿 2 내지 20 중량부, 필러 30 내지 70중량부 및 바인더 10 내지 30중량부를 포함할 수 있다. 상기 함량 범위 내에서는 접착제 조성물이 소성후 우수한 형상 유지율을 나타낼 수 있어 바람직하고, 상기 함량 범위를 벗어나면 형상 유지율이 저하될 우려가 있어 바람직하지 않다.More preferably, the adhesive composition for the spacer may include 2 to 20 parts by weight of the glass frit, 30 to 70 parts by weight of the filler, and 10 to 30 parts by weight of the binder. Within the above content range, the adhesive composition is preferred because it can exhibit excellent shape retention after firing, and if it is outside the above content range, there is a possibility that the shape retention rate is lowered, which is not preferable.

또한 상기 접착제 조성물은 10,000cps 내지 200,000cps의 점도를 갖는 것이 바람직하다. 접착제 조성물의 점도가 10,000cps 미만이면 흐름성이 너무 높게 되어 바람직하지 않고, 200,000cps를 초과하면 인쇄성이 저하되어 바람직하지 않다.In addition, the adhesive composition preferably has a viscosity of 10,000 cps to 200,000 cps. If the viscosity of the adhesive composition is less than 10,000 cps, the flowability is too high, which is not preferable. If the viscosity of the adhesive composition exceeds 200,000 cps, printability is lowered, which is not preferable.

이하 본 발명의 일 실시예에 따른 스페이서용 접착제 조성물의 구성물질에 대하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the constituent material of the adhesive composition for a spacer according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

a) 글라스 프릿 a) glass frit

상기 글라스 프릿으로는 통상적으로 사용되는 PbO, ZnO, B2O3, Al2O3, SiO2, SnO, P2O5, Sb2O3 및 Bi2O3로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 산화납-산화붕소-산화규소계(PbO-B2O3-SiO2), 산화납-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(PbO-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화아연-산화붕소-산화규소계(ZnO-B2O3-SiO2), 산화아연-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화납- 산화아연-산화붕소-산화규소계(PbO-ZnO-B2O3-SiO2), 산화납-산화아연-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(PbO-ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화비스무스-산화붕소-산화규소계(Bi2O3-B2O3-SiO2), 산화비스무스-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(Bi2O3-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화비스무스-산화아연-산화붕소-산화규소계(Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2), 및 산화비스무스-산화아연-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 사용할 수 있다. The glass frit is one selected from the group consisting of PbO, ZnO, B 2 O 3 , Al 2 O 3 , SiO 2 , SnO, P 2 O 5 , Sb 2 O 3 and Bi 2 O 3 which are commonly used. or more is preferred, more preferably lead oxide-boron oxide-silicon oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2), lead oxide-boron oxide-silicon oxide-aluminum-oxide (PbO-B 2 O 3 - SiO 2 -Al 2 O 3 ), zinc oxide-boron oxide-silicon oxide (ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 ), zinc oxide-boron oxide-silicon oxide-aluminum oxide (ZnO-B 2 O 3- SiO 2 -Al 2 O 3 ), lead oxide-zinc oxide-boron oxide-silicon oxide (PbO-ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 ), lead oxide-zinc oxide-boron oxide-silicon oxide-aluminum oxide (PbO-ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 ), bismuth oxide-boron oxide-silicon oxide system (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 ), bismuth oxide-boron oxide-oxidation Silicon-aluminum oxide system (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 ), bismuth oxide-zinc oxide-boron oxide-silicon oxide system (Bi 2 O 3 -ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 ), and bismuth oxide-zinc oxide-boron oxide-silicon oxide-aluminum oxide-based (Bi 2 O 3 -ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 ) The above can be used.

이와 같은 글라스 프릿은 그 형상에 있어서 특별히 한정되지 않으나 구형인 것이 바람직하며, 또한 평균 입자 직경이 0.1 내지 5㎛, 보다 바람직하게는 0.5 내지 2㎛인 것이 바람직하다. 만약 상기 글라스 프릿의 평균 입자 직경이 상기 범위를 벗어날 경우 소성 후 형성된 접착층의 표면이 불균일하고 직진성이 저하될 우려가 있어 바람직하지 않다.Such glass frit is not particularly limited in shape, but is preferably spherical, and preferably has an average particle diameter of 0.1 to 5 탆, more preferably 0.5 to 2 탆. If the average particle diameter of the glass frit is out of the range, the surface of the adhesive layer formed after firing may be uneven and the straightness may decrease, which is not preferable.

b) 필러 b) filler

상기 필러는 접착층의 열팽창 계수 조정외에 접착층의 강도 향상, 소성시의 수축률 조정 또는 접착층의 치밀성 조정 등 소성 후 접착층의 형상을 유지시키는 역할을 한다. 이와 같은 필러로는, 구체적으로는 Ag, Ni, Al, Cr, Fe, Cu 및 Au 등을 포함하는 금속물질 및 이들 금속의 산화물; 및 알루미나, 산화지르코늄, 지르콘(ZrSiO4), 코디어라이트, 뮬라이트, 비정질 실리카, 알루미나, 폴스테라이트, α-석영 또는 형석 등을 포함하는 무기 물질로 이루어진 군에서 선택되는 것을 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 알루미나 및 산화지르코늄으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 사용할 수 있다.The filler serves to maintain the shape of the adhesive layer after baking, in addition to adjusting the thermal expansion coefficient of the adhesive layer, improving the strength of the adhesive layer, adjusting the shrinkage rate during firing, or adjusting the density of the adhesive layer. Examples of such fillers include metal materials including Ag, Ni, Al, Cr, Fe, Cu, Au, and the like, and oxides of these metals; And inorganic materials including alumina, zirconium oxide, zircon (ZrSiO 4 ), cordierite, mullite, amorphous silica, alumina, folisterite, α-quartz or fluorspar, and the like. Preferably, at least one selected from the group consisting of alumina and zirconium oxide can be used.

상기 필러는 0.5 내지 10 ㎛의 평균 입자 직경을 갖는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 내지 8㎛의 평균 입자 직경을 가질 수 있다. 필러의 입경이 상기 범위를 벗어날 경우 소성 후 형성된 접착층의 표면이 불균일하고 직진성이 저하 될 우려가 있어 바람직하지 않다.The filler preferably has an average particle diameter of 0.5 to 10 μm, more preferably 1 to 8 μm. If the particle diameter of the filler is out of the above range, the surface of the adhesive layer formed after firing may be uneven and the straightness may decrease, which is not preferable.

c) 바인더 c) binder

상기 바인더는 글라스 프릿을 지지하는 역할을 하는 것으로서, 접착층에 대한 소성 단계에서 모두 제거되어 최종 생성된 전자 방출 디바이스의 접착층 내에는 존재하지 않는다. 이와 같은 바인더로는 구체적으로 에틸셀룰로오스, 히드록시 에틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스 등을 포함하는 셀룰로오스계 수지; 폴리부틸아크릴레이트, 폴리메틸(메트)아크릴레이트, 폴리에틸(메트)아크릴레이트 등을 포함하는 아크릴레이트계 수지; 또는 이들의 공중합체를 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 셀룰로오스계 수지로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 사용할 수 있다.The binder serves to support the glass frit and is not present in the adhesive layer of the resulting electron emitting device, which is all removed in the firing step for the adhesive layer. Specific examples of such binders include cellulose resins including ethyl cellulose, hydroxy ethyl cellulose, nitrocellulose, and the like; Acrylate resins including polybutyl acrylate, polymethyl (meth) acrylate, polyethyl (meth) acrylate, and the like; Or these copolymers can be used, More preferably, 1 or more types chosen from the group which consists of cellulose resins can be used.

또한 접착제 조성물은 용매를 더 포함한다.The adhesive composition further includes a solvent.

상기 용매는 상기 스페이서용 접착제 조성물의 용해성 및 코팅성에 따라 적절히 선택하여 사용할 수 있으며, 구체적인 예로는 부틸셀로솔브아세테이트, 부틸카르비톨아세테이트 등을 포함하는 에스테르계 용매; 부틸카르비톨 등의 에테르계 용매; 및 나프타 등의 석유계 용매로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 사용할 수 있다. The solvent may be appropriately selected and used according to the solubility and coating property of the adhesive composition for the spacer, and specific examples include ester solvents including butyl cellosolve acetate, butyl carbitol acetate, and the like; Ether solvents such as butyl carbitol; And petroleum solvents such as naphtha and the like.

상기 용매는 상기 스페이서용 접착제 조성물에 잔부의 양으로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 적절한 점도로 접착층을 형성할 수 있도록 적절한 양으로 첨가되는 것이 바람직하다.The solvent may be included in the amount of the balance in the adhesive composition for the spacer, preferably added in an appropriate amount to form an adhesive layer at an appropriate viscosity.

상기 스페이서용 접착제 조성물은 상기 성분들 외에 각각의 목적에 따라 첨 가제를 더욱 포함할 수 있다. 이러한 첨가제로는 진공의 내부 공간에 장시간 노출되어 전자들의 충돌로 인하여 발생한 스페이서에 대전된 전하를 집속 전극을 통하여 외부로 흘려주기 위한 도전성 물질, 감도를 향상시키는 증감제, 전극 형성 조성물의 보존성을 향상시키는 중합 금지제 및 산화방지제, 해상도를 향상시키는 자외선 흡광제, 페이스트 내의 기포를 줄여 주는 소포제, 분상성을 향상시켜 주는 분산제, 인쇄시 막의 평탄성을 향상시키는 레벨링제 또는 요변 특성을 주는 가소제 등을 들 수 있다. The spacer adhesive composition may further include an additive according to each purpose in addition to the above components. Such additives include a conductive material for flowing a charge charged to a spacer generated due to the collision of electrons to the outside through the focusing electrode, a sensitizer to improve sensitivity, and an improved electrode retention composition of the electrode forming composition. Polymerization inhibitors and antioxidants, ultraviolet light absorbers to improve resolution, antifoaming agents to reduce bubbles in the paste, dispersants to improve phase separation, leveling agents to improve film flatness in printing, or plasticizers to give thixotropic properties. Can be.

이들 첨가제는 반드시 사용되는 것은 아니고 필요에 따라 사용되며, 첨가시에는 일반적으로 알려진 양을 적절하게 조절하여 사용한다.These additives are not necessarily used, but are used as necessary, and when added, generally used amounts are adjusted appropriately.

상기와 같은 조성을 갖는 스페이서용 접착제 조성물은 형상 유지율이 우수하여 소성 후에도 스페이서 모서리가 노출될 우려가 없기 때문에 아킹을 방지할 수 있으며, 이에 따라 애노드 전압 증가 및 전자 방출 디바이스의 휘도를 향상시킬 수 있다.Since the adhesive composition for spacers having the composition as described above is excellent in shape retention and there is no fear of exposing the spacer edges even after firing, it is possible to prevent arcing, thereby increasing the anode voltage and improving the brightness of the electron emitting device.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 디바이스는 상기 스페이서용 접착제 조성물로부터 형성된 접착층을 포함한다.An electron emission device according to an embodiment of the present invention includes an adhesive layer formed from the adhesive composition for the spacer.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 디바이스는,An electron emitting device according to an embodiment of the present invention,

전자 방출 유닛이 형성된 제1 기판 및 발광 유닛이 형성된 제2 기판을 준비하는 단계;Preparing a first substrate on which an electron emission unit is formed and a second substrate on which a light emitting unit is formed;

상기 제1 기판 또는 제2 기판 위 스페이서 형성 위치에 접착제 조성물을 도포하여 접착층을 형성하는 단계;Forming an adhesive layer by applying an adhesive composition to a spacer forming position on the first substrate or the second substrate;

상기 접착층 위에 스페이서를 배치하는 단계; Disposing a spacer on the adhesive layer;

상기 스페이서와 접착층을 압착한 후 소성하는 단계; 및Compressing the spacer and the adhesive layer and then baking the adhesive layer; And

스페이서 및 접착층이 형성되지 않은 제1 또는 제2 기판을 봉착, 배기 및 밀봉하는 단계를 포함하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법에 의해 제조될 수 있다.It can be produced by a method of manufacturing an electron emitting device comprising the step of sealing, evacuating and sealing the first or second substrate on which the spacer and the adhesive layer are not formed.

상기 전자 방출 디바이스의 제조 공정에 있어서, 접착층 및 스페이서 형성 방법을 제외한 나머지 전자 방출 디바이스의 제조 방법은 당해 분야에 널리 알려진 내용이어서 당해 분야에 종사하는 사람들에게는 충분히 이해될 수 있으므로 본 발명에서 상세한 설명은 생략한다.In the manufacturing process of the electron emitting device, the method of manufacturing the electron emitting device other than the adhesive layer and the spacer forming method is well known in the art and can be fully understood by those skilled in the art. Omit.

접착층 형성을 위하여 먼저, 글라스 프릿, 필러, 바인더 및 용매를 접착제 조성물을 제조한다.In order to form an adhesive layer, first, a glass frit, a filler, a binder, and a solvent are used to prepare an adhesive composition.

상세하게는 바인더 수지 및 용매를 포함하는 비히클 중에 글라스 프릿 및 필러를 첨가한 후 3체롤, 볼밀, 샌드밀 등의 분산기로 분산시켜 슬러리상 또는 페이스트상의 접착제 조성물을 제조한다.Specifically, the glass frit and the filler are added to a vehicle including a binder resin and a solvent, and then dispersed into a disperser such as a three roll, a ball mill, a sand mill, or the like to prepare a slurry or paste-like adhesive composition.

상기 글라스 프릿, 필러, 바인더 수지 및 용매는 앞서 설명한 바와 동일하다.The glass frit, the filler, the binder resin and the solvent are the same as described above.

제조된 스페이서용 접착제 조성물을 이용하여 전자 방출 유닛이 형성된 제1 기판 또는 발광 유닛이 형성된 제2 기판 위 스페이서 형성 위치에 스크린 프린팅법, 스프레이 코팅법, 롤 코팅법, 테이블 코팅법, 또는 닥터 블레이드를 이용한 코팅법 등을 이용하여 접착층을 형성한다.The screen printing method, the spray coating method, the roll coating method, the table coating method, or the doctor blade is applied to the spacer formation position on the first substrate on which the electron emission unit is formed or on the second substrate on which the light emitting unit is formed using the prepared adhesive composition for spacers. An adhesive layer is formed using the coating method etc. which were used.

이후 스페이서를 접착층에 압착하는 단계에서 압착력에 의해 스페이서 외부 로 밀려난 접착층이 스페이서의 측면을 따라 접촉하면서 접착층의 연장부가 형성될 수 있다. 이에 따라, 접착제 조성물의 도포시 접착층의 연장부가 생성될 수 있도록 충분한 두께로 도포하는 것이 바람직하다. Thereafter, in the step of compressing the spacer onto the adhesive layer, an extension of the adhesive layer may be formed while the adhesive layer pushed out of the spacer by the pressing force contacts along the side surface of the spacer. Accordingly, it is desirable to apply the coating layer to a sufficient thickness so that an extension of the adhesive layer can be produced upon application of the adhesive composition.

형성된 접착층 위에 스페이서를 배치하고, 상기 스페이서와 접착층을 압착한 후 소성한다.The spacer is disposed on the formed adhesive layer, the spacer and the adhesive layer are compressed and then fired.

상기 소성 공정은 400 내지 650℃에서 실시하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 420 내지 600℃에서 실시하는 것이 바람직하다. 또한 소성시간은 3 내지 25시간, 보다 바람직하게는 5 내지 20시간 동안 실시하는 것이 바람직하다. 소성 온도 및 시간이 상기 범위를 벗어날 경우 완전한 용매 제거가 어려워지고, 탈바인더가 되지 않아 기호가 생길 우려가 있기 때문에 바람직하지 않다.It is preferable to perform the said baking process at 400-650 degreeC, More preferably, it is preferable to carry out at 420-600 degreeC. In addition, the firing time is preferably performed for 3 to 25 hours, more preferably 5 to 20 hours. If the firing temperature and time is out of the above range, it is not preferable because complete solvent removal becomes difficult and there is a possibility that a preference may be generated because it is not a binder.

또한 상기 소성은 대기 분위기 하에서 실시하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable to perform the said baking in an atmospheric atmosphere.

이후 스페이서 및 접착층이 형성되지 않은 제1 또는 제2 기판을 봉착, 배기 및 밀봉하여 전자 방출 디바이스를 제조할 수 있다.The electron emitting device can then be fabricated by sealing, evacuating and sealing the first or second substrate on which the spacer and the adhesive layer are not formed.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 디바이스의 부분 분해 사시도 및 부분 단면도이며, 도 3은 도 2에 도시된 전자 방출 디바이스의 요부 확대도이다.1 and 2 are partially exploded perspective and partial cross-sectional views of an electron emitting device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an enlarged view of a main portion of the electron emitting device shown in FIG.

도면을 참고하면, 전자 방출 디바이스는 소정의 간격을 두고 서로 대향 배치되는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 포함한다. 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 가장자 리에는 측면 격벽(도시되지 않음)이 배치되어 이 기판들(2, 4)과 함께 밀폐된 내부 공간을 형성한다. 이로써 양 기판(2, 4)과 측면 격벽이 진공 용기를 구성한다.Referring to the drawings, the electron emitting device comprises a first substrate 2 and a second substrate 4 which are disposed opposite each other at predetermined intervals. Side barrier ribs (not shown) are disposed at edges of the first substrate 2 and the second substrate 4 to form an inner space enclosed with the substrates 2 and 4. As a result, both substrates 2 and 4 and the side partitions constitute a vacuum container.

제1 기판(2)에는 전자 방출 유닛(6)이 제공되어 제2 기판(4)을 향해 전자들을 방출하고, 제2 기판(4)에는 상기 전자들에 의해 여기되어 가시광을 방출하는 발광 유닛(8)이 제공된다. 본 실시예에서는 일례로 FEA형 전자 방출 디바이스에 적용되는 전자 방출 유닛과 발광 유닛의 구성을 도시하였다. 도면을 참고하여 FEA형 전자 방출 디바이스의 내부 구조를 간략하게 살펴보면 다음과 같다.The first substrate 2 is provided with an electron emission unit 6 to emit electrons toward the second substrate 4, and the second substrate 4 is excited by the electrons to emit visible light ( 8) is provided. In this embodiment, the configuration of the electron emitting unit and the light emitting unit applied to the FEA type electron emitting device is shown as an example. The internal structure of the FEA type electron emission device will be briefly described with reference to the drawings.

전자 방출 유닛(6)은, 제1 기판(2) 위에서 제1 기판(2)의 일 방향(도면의 y축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되는 캐소드 전극들(10)과, 캐소드 전극들(10)을 덮으면서 제1 기판(2) 전체에 형성되는 제1 절연층(12)과, 제1 절연층(12) 위에서 캐소드 전극(10)과 직교하는 방향(도면의 x축 방향)을 따라 형성되는 게이트 전극들(14)과, 캐소드 전극들(10)과 게이트 전극들(14)의 교차 영역마다 캐소드 전극들(10) 위에 형성되는 전자 방출부들(16)을 포함한다. 게이트 전극들(14)과 제1 절연층(12)에는 제1 기판(2) 상에 전자 방출부(16)가 노출되도록 하는 각각의 개구부(141, 121)가 마련된다.The electron emission unit 6 includes cathode electrodes 10 formed in a stripe pattern along one direction (y-axis direction of the drawing) of the first substrate 2 on the first substrate 2, and the cathode electrodes ( 10 and the first insulating layer 12 formed over the entire first substrate 2 while covering the first insulating layer 12 along the direction orthogonal to the cathode electrode 10 (in the x-axis direction of the drawing). The gate electrodes 14 are formed, and the electron emitters 16 are formed on the cathode electrodes 10 at the intersections of the cathode electrodes 10 and the gate electrodes 14. The openings 141 and 121 are provided in the gate electrodes 14 and the first insulating layer 12 to expose the electron emission units 16 on the first substrate 2.

그리고, 게이트 전극들(14)과 제1 절연층(12) 위에는 제2 절연층(18)과 집속 전극(20)이 순차적으로 형성되는데, 이 제2 절연층(18)과 집속 전극(20)에는 일례로 화소 영역당 하나의 개구부(181,201)가 각각 구비되어 집속 전극(20)이 한 화소에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속하도록 한다.The second insulating layer 18 and the focusing electrode 20 are sequentially formed on the gate electrodes 14 and the first insulating layer 12, and the second insulating layer 18 and the focusing electrode 20 are sequentially formed. In one example, each of the openings 181 and 201 is provided per pixel area so that the focusing electrode 20 comprehensively focuses electrons emitted from one pixel.

한편, 상기에서는 제1 절연층(12)을 사이에 두고 게이트 전극(14)이 캐소드 전극(10) 상부에 위치하는 구조를 설명하였으나, 그 반대의 경우, 즉 캐소드 전극이 게이트 전극의 상부에 위치하는 구조도 가능하다. 이 구조에서는 전자 방출부가 캐소드 전극의 일측면과 접촉하며 제1 절연층 위에 형성될 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 집속 전극이 구비된 전자 방출 디바이스에 대해서 설명하였으나, 이 집속 전극은 상황에 따라 구비되지 않을 수 있다.Meanwhile, the structure in which the gate electrode 14 is positioned above the cathode electrode 10 with the first insulating layer 12 interposed therebetween has been described. In the opposite case, that is, the cathode electrode is positioned above the gate electrode. It is also possible to structure. In this structure, the electron emission part may be formed on the first insulating layer while contacting one side of the cathode electrode. In addition, in the present embodiment, the electron emission device having the focusing electrode has been described, but the focusing electrode may not be provided depending on the situation.

전자 방출부(16)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 카본계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질로 이루어진다. 다른 한편으로, 전자 방출부(18)는 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물(도시되지 않음)로 이루어질 수 있다.The electron emission unit 16 is formed of materials that emit electrons when an electric field is applied in a vacuum, such as a carbon-based material or a nanometer-sized material. On the other hand, the electron emission unit 18 may be formed of a tip structure (not shown) having a pointed tip mainly made of molybdenum (Mo) or silicon (Si).

그리고, 발광 유닛(8)은 제2 기판(4) 위에 형성되는 형광층들(22)과, 각 형광층(22) 사이에 위치하는 흑색층(24)과, 형광층들(22)과 흑색층(24) 위에 형성되며 알루미늄(Al)과 같은 금속막으로 이루어진 애노드 전극(26)을 포함한다. 애노드 전극(26)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받으며, 형광층(22)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(2)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(4) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높이는 역할을 한다.In addition, the light emitting unit 8 includes the fluorescent layers 22 formed on the second substrate 4, the black layer 24 positioned between the respective fluorescent layers 22, the fluorescent layers 22 and the black color. An anode electrode 26 formed on the layer 24 and made of a metal film such as aluminum (Al). The anode electrode 26 receives a high voltage necessary for accelerating the electron beam from the outside, and reflects the visible light emitted toward the first substrate 2 of the visible light emitted from the fluorescent layer 22 toward the second substrate 4 side of the screen. It increases the brightness.

한편, 애노드 전극은 금속막이 아닌 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO)와 같은 투명한 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기판을 향한 형광층과 흑색층의 일면에 위치하며, 소정의 패턴으로 구분되어 복수개로 형성될 수 있다.On the other hand, the anode electrode may be made of a transparent conductive film such as indium tin oxide (ITO) rather than a metal film. In this case, the anode electrode may be positioned on one surface of the fluorescent layer facing the second substrate and the black layer, and may be formed in plural in a predetermined pattern.

그리고, 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 사이에는 다수의 스페이서(28)가 형광층 (22)을 향해 진행하는 전자들을 차단하지 않도록 흑색층(24)이 위치하는 비발광 영역에 배치되어 양 기판(2, 4)의 간격을 일정하게 유지시킨다. 도 1에서는 일예로 벽체형 스페이서를 도시하였으나, 원 기둥형, 사각 기둥형, 십자 기둥형 등 단부에 모서리를 가지고 있는 스페이서에 대해서는 형상에 구애를 받지않고 적용될 수 있다. In addition, between the first substrate 2 and the second substrate 4, the non-light emitting region in which the black layer 24 is positioned is disposed so that a plurality of spacers 28 do not block electrons traveling toward the fluorescent layer 22. It arrange | positions and keeps the space | interval of both board | substrates 2 and 4 constant. 1 illustrates a wall-shaped spacer as an example, but may be applied to a spacer having an edge at an end such as a circular columnar, a square columnar, a cross column, and the like regardless of the shape.

또한 상기 전자 방출 유닛(6)과 발광 유닛(8)의 구성은 도시한 예에 한정되지 않으며, 본 실시예의 전자 방출 디바이스 또한 FEA형에 한정되지 않고 SCE형과 MIM형 및 MIS형 등 다양하게 적용 가능하다.In addition, the configuration of the electron emitting unit 6 and the light emitting unit 8 is not limited to the illustrated example, the electron emitting device of the present embodiment is also not limited to the FEA type, various applications such as SCE type, MIM type and MIS type It is possible.

스페이서(28)는 제1 기판(2) 및 제2 기판(4) 중 적어도 일 기판 상에 접착층(30)으로 고정된다. 보다 구체적으로, 스페이서(28)는 제1 기판(2)에 형성된 전자 방출 유닛(6)과 제2 기판(4)에 형성된 발광 유닛(8) 사이에 접착층(30)의 결합력에 의해 고정된다. The spacer 28 is fixed to the adhesive layer 30 on at least one of the first substrate 2 and the second substrate 4. More specifically, the spacer 28 is fixed by the bonding force of the adhesive layer 30 between the electron emission unit 6 formed on the first substrate 2 and the light emitting unit 8 formed on the second substrate 4.

이 스페이서(28)를 제1 기판(2)에 형성된 전자 방출 유닛(6) 위에 접착층(30)으로 고정시키는 구조를 도 3을 참조하여 살펴보면, 접착층(30)은 스페이서(28)의 모서리를 외부에서 감싸면서 형성되어 있다. 보다 구체적으로, 접착층(30)은 스페이서(28)의 일면과 집속 전극(20) 사이에 위치하여 스페이서(28)와 집속 전 극(20)에 상호 결합력을 부여하는 기저부(301)와, 그 일부가 스페이서(28)의 측면과 접촉하면서 기저부(301)에서 상향으로 연장된 연장부(302)로 이루어진다. 기저부(301)와 연장부(302)는 도 3에 점선으로 구분하였다.Referring to FIG. 3, a structure in which the spacer 28 is fixed to the electron emission unit 6 formed on the first substrate 2 with the adhesive layer 30 is described. It is formed while wrapping. More specifically, the adhesive layer 30 is located between one surface of the spacer 28 and the focusing electrode 20, and a base portion 301 which provides mutual coupling force to the spacer 28 and the focusing electrode 20, and a part thereof. Is an extension 302 extending upward from the base 301 while in contact with the side of the spacer 28. The base 301 and the extension 302 are divided by dotted lines in FIG. 3.

특히, 기저부(301)는 두께 d1을 가지고 있고, 연장부(302)를 포함하는 접착층(30)은 두께 d2를 가지고 있어 d2는 항상 d1 보다 크게 형성된다(d2 > d1). 따라서, 스페이서(28)의 하부 모서리는 연장부(302)에 의해 진공의 내부 공간으로 노출되지 않으므로 국부적인 에지면을 이루는 모서리에 집중될 수 있는 아킹을 미리 차단할 수 있게 된다.In particular, the base 301 has a thickness d 1 , and the adhesive layer 30 including the extension 302 has a thickness d 2 so that d 2 is always d 1. Is formed larger (d 2 > d 1 ). Therefore, since the lower edge of the spacer 28 is not exposed to the inner space of the vacuum by the extension 302, it is possible to block in advance arcing that may be concentrated on the edge of the local edge.

상기 접착층(30)의 연장부(302)는 스페이서(28)를 접착제에 압착하는 단계에서 압착력에 의해 스페이서(28) 외부로 밀려난 접착제가 스페이서(28)의 측면을 따라 접촉하면서 형성된다. 이에 따라, 도포되는 접착제 조성물의 두께는 접착층(30)의 연장부(302)가 생성될 수 있도록 충분한 두께를 가지도록 하는 것이 바람직하다.The extension part 302 of the adhesive layer 30 is formed while the adhesive is pushed out of the spacer 28 by the pressing force in the step of pressing the spacer 28 to the adhesive, along the side surface of the spacer 28. Accordingly, the thickness of the adhesive composition to be applied is preferably to have a sufficient thickness so that the extension 302 of the adhesive layer 30 can be produced.

본 발명은 이러한 아킹 방지 효과 측면에서 모서리가 긴 벽체형 스페이서에 적용되는 경우, 보다 효과적이다.The present invention is more effective when applied to a wall-shaped spacer having a long edge in terms of such anti-arking effect.

또한, 상기 접착층(30)은 앞서 설명된 바와 동일한 상기 스페이서용 접착제 조성물 및 이를 이용한 제조방법에 의해 제조될 수 있다. In addition, the adhesive layer 30 may be manufactured by the same adhesive composition for spacers and a manufacturing method using the same as described above.

그리고, 이러한 접착층의 구조는 제2 기판(4)에 형성된 발광 유닛(8)과 스페이서(28)의 결합에도 적용될 수 있으며, 집속 전극(20)이 구비되지 않은 전자 방출 디바이스에도 적용될 수 있다. 후자의 경우, 스페이서는 게이트 전극 위 또는 게이트 전극 사이 영역의 제1 절연층에 고정될 수 있다.In addition, the structure of the adhesive layer may be applied to the bonding of the light emitting unit 8 and the spacer 28 formed on the second substrate 4, and may be applied to an electron emission device without the focusing electrode 20. In the latter case, the spacer may be fixed to the first insulating layer over the gate electrode or in the region between the gate electrodes.

특히, 스페이서가 게이트 전극 위에 고정되는 경우 도전성 물질이 포함된 접 착층을 사용하여 스페이서에 대전된 전하를 게이트 전극을 통하여 외부로 흘려주도록 하는 것은 전술한 바와 같다.In particular, when the spacer is fixed on the gate electrode, as described above, the charge charged to the spacer is allowed to flow to the outside through the gate electrode using the adhesive layer containing the conductive material.

이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기한 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일뿐 본 발명이 하기한 실시예에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, preferred examples and comparative examples of the present invention are described. However, the following examples are only preferred embodiments of the present invention and the present invention is not limited to the following examples.

[실시예]EXAMPLE

ZnO-SiO2의 글라스 프릿 10중량부와 5㎛의 평균 입자 직경을 갖는 알루미나 60중량부를 에틸셀룰로오스 5중량부 및 부틸카르비톨 25중량부의 비히클에 첨가하여 페이스트상의 접착제 조성물을 제조하였다. 이때 상기 글라스 프릿은 ZnO:SiO2를 7:3 의 중량비로 포함하며, 평균 입자 직경 5㎛을 갖는 것이다. Paste adhesive composition was prepared by adding 10 parts by weight of glass frit of ZnO-SiO 2 and 60 parts by weight of alumina having an average particle diameter of 5 μm to 5 parts by weight of ethyl cellulose and 25 parts by weight of butylcarbitol. At this time, the glass frit is ZnO: SiO 2 7: 3 It includes by weight ratio of and has an average particle diameter of 5 micrometers.

다음으로, 전자 방출 유닛이 형성된 제1 기판의 스페이서 형성위치에 상기 접착제 조성물을 스크린 인쇄를 이용하여 도포하고 건조하였다. 이 같은 접착제 조성물의 인쇄 및 건조를 반복하여 행함으로써 접착층을 200㎛의 두께로 형성하였다.Next, the adhesive composition was applied to the spacer formation position of the first substrate on which the electron emission unit was formed by screen printing and dried. By repeatedly performing printing and drying of such an adhesive composition, the adhesive layer was formed in the thickness of 200 micrometers.

다음으로 스페이서를 배치하고, 1kgf/cm2의 압력으로 가압하여 스페이서를 접착층에 압착한 후 대기 분위기하에서 450℃로 20시간 동안 소성하였다.Next, the spacer was placed, pressurized at a pressure of 1 kgf / cm 2 , and the spacer was pressed onto the adhesive layer, and then fired at 450 ° C. for 20 hours under an air atmosphere.

다음으로 발광 유닛이 형성된 제2 기판과 함께 조립, 봉착, 배기, 가스주입 및 에이징하는 단계를 거침으로써 전자 방출 디바이스를 제조하였다.Next, an electron emission device was manufactured by going through the steps of assembling, sealing, exhausting, gas injection, and aging together with the second substrate on which the light emitting unit was formed.

[비교예 1] Comparative Example 1

ZnO-SiO2의 글라스 프릿 70중량부에 혼합물에 에틸셀룰로오스 20중량부 및 부틸카르비톨 10중량부를 첨가하여 페이스트상의 접착제 조성물을 제조하였다. 이때 상기 글라스 프릿은 ZnO:SiO2를 7:3 의 중량비로 포함하며, 평균 입자 직경 5㎛을 갖는 것이다. To 70 parts by weight of the glass frit of ZnO-SiO 2 , 20 parts by weight of ethyl cellulose and 10 parts by weight of butylcarbitol were added to prepare a paste-like adhesive composition. At this time, the glass frit is ZnO: SiO 2 7: 3 It includes by weight ratio of and has an average particle diameter of 5 micrometers.

상기에서 제조된 접착제 조성물을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1에서와 동일한 방법으로 실시하여 전자 방출 디바이스를 제조하였다.An electron emission device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the adhesive composition prepared above was used.

상기 실시예 1 및 비교예 1에 따라 제조된 전자 방출 디바이스에 대하여 소성 후 쓰러진 스페이서의 개수를 측정하였다. 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The number of spacers collapsed after firing was measured for the electron emitting devices prepared according to Example 1 and Comparative Example 1. The results are shown in Table 1 below.

소성후 스페이서 쓰러진 개수 /총 스페이서 수(개)Number of spacers collapsed after firing / total number of spacers 실시예 1Example 1 0/250/25 비교예 1Comparative Example 1 5/255/25

상기 표 1에 나타난 바와 같이, 필러를 포함하는 본원 발명의 접착제 조성물에 의해 스페이서를 접착한 실시예 1의 전자 방출 디바이스에서는 접착층이 스페이서의 모서리를 둘러싸며 형성되어 있어 스페이서의 모서리 노출이 없을 뿐더러 쓰러진 스페이서도 관찰되지 않았다. 그러나, 필러를 포함하지 않는 접착층 조성물을 이용하여 스페이서를 접착한 비교예 1의 전자 방출 디바이스에서는 총 스페이서중 20% 정도가 쓰러졌다. 이로부터 본원 발명에 따른 접착층 형성용 조성물이 형상 유지율이 우수하여 우수한 스페이서 접착 효과를 나타냄을 확인할 수 있었다. 또한 이러한 효과로부터 스페이서 모서리 노출에 따른 아킹에 대한 우수한 방지 효과 및 전자 방출 디바이스의 휘도 향상 효과를 나타냄을 예상할 수 있다. As shown in Table 1, in the electron-emitting device of Example 1 bonded to the spacer by the adhesive composition of the present invention comprising a filler, the adhesive layer is formed around the edge of the spacer so that the edge of the spacer is not exposed. No spacer was observed. However, about 20% of the total spacers fell in the electron emission device of Comparative Example 1 in which the spacer was bonded using the adhesive layer composition containing no filler. From this, it was confirmed that the composition for forming an adhesive layer according to the present invention was excellent in shape retention and showed an excellent spacer adhesive effect. It can also be expected from this effect that the protection against arcing due to exposure of the spacer edges and the brightness enhancement effect of the electron emitting device are exhibited.

본 발명에 따른 전자 방출 디바이스는 형상 유지율이 우수한 스페이서용 접착제 조성물을 이용하여 스페이서를 접착함으로써 소성 후에도 스페이서 모서리가 노출될 우려가 없기 때문에 아킹을 방지할 수 있으며, 이에 따라 애노드 전압 증가 및 전자 방출 디바이스의 휘도를 향상시킬 수 있다.The electron-emitting device according to the present invention can prevent arcing because the edges of the spacers are not exposed even after firing by bonding the spacers using the adhesive composition for spacers having excellent shape retention, thereby increasing the anode voltage and the electron-emitting device. Can improve the luminance.

Claims (15)

진공의 내부 공간을 사이에 두고 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판;A first substrate and a second substrate disposed to face each other with an internal space of the vacuum interposed therebetween; 상기 제1 기판 위에 형성되는 전자 방출 유닛;An electron emission unit formed on the first substrate; 상기 제2 기판에 상기 전자 방출 유닛을 마주보며 형성되는 발광 유닛;A light emitting unit facing the electron emission unit on the second substrate; 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되는 스페이서; 및 A spacer disposed between the first substrate and the second substrate; And 상기 스페이서들을 고정하기 위하여 상기 제1 기판 및 제2 기판 중 적어도 일 기판 상에서 상기 스페이서의 모서리를 감싸며 형성되는 접착층을 포함하며,An adhesive layer formed around at least one of the first substrate and the second substrate to surround the spacers, the adhesive layer being formed to fix the spacers; 상기 접착층은 글라스 프릿(glass frit) 및 필러를 포함하는 것인 전자 방출 디바이스.Wherein said adhesive layer comprises a glass frit and a filler. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 접착층은 글라스 프릿, 필러, 및 바인더를 포함하는 스페이서용 접착제 조성물에 의해 형성되는 것이 전자 방출 디바이스.And said adhesive layer is formed by an adhesive composition for spacers comprising a glass frit, a filler, and a binder. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 스페이서용 접착제 조성물은 글라스 프릿 2 내지 20중량부, 필러 30 내지 70중량부 및 바인더 10 내지 30중량부를 포함하는 것인 전자 방출 디바이스.The adhesive composition for spacers is an electron emitting device comprising 2 to 20 parts by weight of glass frit, 30 to 70 parts by weight of filler and 10 to 30 parts by weight of binder. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 스페이서용 접착제 조성물은 10,000cps 내지 200,000cps의 점도를 갖는 것인 전자 방출 디바이스.And the adhesive composition for the spacer has a viscosity of 10,000 cps to 200,000 cps. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 글라스 프릿은 PbO, ZnO, B2O3, Al2O3, SiO2, SnO, P2O5, Sb2O3 및 Bi2O3로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것인 전자 방출 디바이스.The glass frit is one or more electron emission selected from the group consisting of PbO, ZnO, B 2 O 3 , Al 2 O 3 , SiO 2 , SnO, P 2 O 5 , Sb 2 O 3 and Bi 2 O 3 device. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 글라스 프릿은 산화납-산화붕소-산화규소계(PbO-B2O3-SiO2), 산화납-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(PbO-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화아연-산화붕소-산화규소계(ZnO-B2O3-SiO2), 산화아연-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화납- 산화아연-산화붕소-산화규소계(PbO-ZnO-B2O3-SiO2), 산화납-산화아연-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(PbO-ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화비스무스-산화붕소-산화규소계(Bi2O3-B2O3-SiO2), 산화비스무스-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(Bi2O3-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화비스무스-산화아연-산화붕소-산화규소계(Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2), 및 산화비스무스-산화아연-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3) 로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 전자 방출 디바이스.The glass frit is lead oxide-boron oxide-silicon oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 ), lead oxide-boron oxide-silicon oxide-aluminum oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 ), zinc oxide-boron oxide-silicon oxide (ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 ), zinc oxide-boron oxide-silicon oxide-aluminum oxide (ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 ), lead oxide-zinc oxide-boron oxide-silicon oxide (PbO-ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 ), lead oxide-zinc oxide-boron oxide-silicon oxide-aluminum oxide (PbO-ZnO- B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 ), bismuth oxide-boron oxide-silicon oxide (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 ), bismuth oxide-boron oxide-silicon oxide-aluminum oxide (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 ), bismuth oxide-zinc oxide-boron oxide-silicon oxide system (Bi 2 O 3 -ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 ), and which comprises at least one element selected from the group consisting of aluminum oxide-based (Bi 2 O 3 -ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3) - bismuth oxide-zinc oxide-boron oxide-silicon oxide I'm Emitting device. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 필러는 Ag, Ni, Al, Cr, Fe, Cu 및 Au 을 포함하는 금속물질 및 이들 금속의 산화물; 및 알루미나, 산화지르코늄, 지르콘(ZrSiO4), 코디어라이트, 뮬라이트, 비정질 실리카, 알루미나, 폴스테라이트, α-석영 및 형석을 포함하는 무기 물질로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것인 전자 방출 디바이스.The filler includes a metal material including Ag, Ni, Al, Cr, Fe, Cu and Au and oxides of these metals; And an inorganic material selected from the group consisting of inorganic materials including alumina, zirconium oxide, zirconium (ZrSiO 4 ), cordierite, mullite, amorphous silica, alumina, folisterite, α-quartz and fluorspar. device. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 필러는 0.5 내지 10 ㎛의 평균 입자 직경을 갖는 것인 전자 방출 디바이스.Wherein said filler has an average particle diameter of 0.5 to 10 μm. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 바인더는 셀룰로오스계 수지, 아크릴레이트계 수지 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 포함하는 것인 전자 방출 디바이스.And said binder comprises at least one member selected from the group consisting of cellulose resins, acrylate resins and copolymers thereof. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 바인더는 에틸셀룰로오스, 히드록시 에틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스, 폴리부틸(메트)아크릴레이트, 폴리메틸(메트)아크릴레이트, 폴리에틸(메트)아 크릴레이트 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 포함하는 것인 전자 방출 디바이스.The binder is selected from the group consisting of ethyl cellulose, hydroxy ethyl cellulose, nitrocellulose, polybutyl (meth) acrylate, polymethyl (meth) acrylate, polyethyl (meth) acrylate, and copolymers thereof. An electron emitting device comprising at least one species. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 스페이서용 접착제 조성물은 도전성 물질, 증감제, 중합 금지제, 산화방지제, 자외선 흡광제, 소포제, 분산제, 레벨링제, 가소제로 이루어진 군에서 선택되는 1종이상의 첨가제를 더 포함하는 것인 전자 방출 디바이스.The adhesive composition for spacers further comprises at least one additive selected from the group consisting of a conductive material, a sensitizer, a polymerization inhibitor, an antioxidant, an ultraviolet light absorber, an antifoaming agent, a dispersant, a leveling agent, and a plasticizer. . 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 접착층은,The adhesive layer, 상기 스페이서의 일면과 상기 일 기판 사이에 형성되는 기저부; 및A base portion formed between one surface of the spacer and the one substrate; And 상기 기저부로부터 상기 스페이서의 측면을 감싸도록 연장된 연장부를 포함하는 전자 방출 디바이스.And an extension extending from the base to surround a side of the spacer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전자 방출 유닛은,The electron emission unit, 상기 제1 기판 위에 서로 절연 상태를 유지하며 교차하도록 형성되는 캐소드 전극들 및 게이트 전극들과;Cathode electrodes and gate electrodes formed on the first substrate so as to cross each other while being insulated from each other; 상기 캐소드 전극들에 연결되는 전자 방출부들을 포함하는 전자 방출 디바이스.And electron emission portions coupled to the cathode electrodes. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 게이트 전극들이 상기 캐소드 전극들 상부에 형성되고,The gate electrodes are formed on the cathode electrodes, 상기 스페이서가 비발광 영역에 대응하는 상기 게이트 전극 부위 위에 상기 접착층으로 고정되는 전자 방출 디바이스.And the spacer is fixed with the adhesive layer over the gate electrode portion corresponding to the non-emitting region. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 전자 방출 유닛이 상기 캐소드 및 게이트 전극들 상부에 형성되는 집속 전극을 더욱 포함하며,The electron emission unit further includes a focusing electrode formed on the cathode and the gate electrodes, 상기 스페이서가 비발광 영역에 대응하는 상기 집속 전극 부위 위에 상기 접착층으로 고정되는 전자 방출 디바이스.And the spacer is fixed to the adhesive layer on the focusing electrode portion corresponding to the non-light emitting region.
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