KR20070045505A - Liquid crystal display device of horizontal electronic field applying type - Google Patents

Liquid crystal display device of horizontal electronic field applying type Download PDF

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KR20070045505A
KR20070045505A KR1020050101861A KR20050101861A KR20070045505A KR 20070045505 A KR20070045505 A KR 20070045505A KR 1020050101861 A KR1020050101861 A KR 1020050101861A KR 20050101861 A KR20050101861 A KR 20050101861A KR 20070045505 A KR20070045505 A KR 20070045505A
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임청선
임지철
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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

본 발명은 화소 영역의 위치에 따른 액정 분자의 라이징 타임차를 개선하여 표시품질을 향상시킬 수 있는 수평 전계 인가형 액정표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a horizontal field application type liquid crystal display device which can improve display quality by improving a rising time difference of liquid crystal molecules according to a position of a pixel region.

이 수평 전계 인가형 액정표시장치는 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인과; 상기 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 박막 트랜지스터와; 상기 게이트 라인과 나란한 공통 라인과; 상기 공통 라인으로부터 연장되어 상기 화소 영역에 형성되는 다수의 공통 전극과; 상기 박막 트랜지스터와 접속되고 상기 공통 전극과 수평 전계를 형성하도록 상기 공통 전극들에 대응하여 상기 화소 영역에 배치되는 다수의 연장부를 포함하는 화소 전극을 구비하고; 상기 공통 전극 및 상기 화소 전극 연장부의 폭은 적어도 일부분이 다르게 형성된다.The horizontal field application type liquid crystal display device includes: a gate line and a data line defining a pixel area; A thin film transistor connected to the gate line and the data line; A common line parallel to the gate line; A plurality of common electrodes extending from the common line and formed in the pixel area; A pixel electrode connected to the thin film transistor and including a plurality of extensions disposed in the pixel region corresponding to the common electrodes to form a horizontal electric field with the common electrode; At least a portion of a width of the common electrode and the pixel electrode extension part is differently formed.

Description

수평 전계 인가형 액정표시장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE OF HORIZONTAL ELECTRONIC FIELD APPLYING TYPE}Horizontal field-applied liquid crystal display {LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE OF HORIZONTAL ELECTRONIC FIELD APPLYING TYPE}

도 1a 및 도 1b는 트위스티드 네마틱 모드를 나타내는 도면.1A and 1B illustrate a twisted nematic mode.

도 2는 일반적인 인 플레인 스위칭 모드의 액정표시장치를 나타내는 도면.2 is a view showing a liquid crystal display device of a general in-plane switching mode.

도 3은 슈퍼 인 플레인 스위칭 모드의 액정표시장치를 나타내는 도면.3 is a view showing a liquid crystal display device in a super in-plane switching mode.

도 4는 도 3에 도시된 화소 영역의 위치에 따른 액정 분자의 라이징 타임을 나타내는 도면.4 is a diagram illustrating a rising time of liquid crystal molecules according to a position of a pixel region illustrated in FIG. 3.

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 슈퍼 인 플레인 스위칭 모드의 액정표시장치를 나타내는 도면.5 is a diagram illustrating a liquid crystal display device in a super in-plane switching mode according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 도 4에 도시된 화소 영역의 위치에 따른 액정 분자의 라이징 타임을 나타내는 도면.FIG. 6 is a diagram illustrating a rising time of liquid crystal molecules according to a position of a pixel region illustrated in FIG. 4.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

1 : 하부 편광자 2, 102, 202 : 게이트 라인1: lower polarizer 2, 102, 202: gate line

3 : 하부 유리기판 4, 104, 204 : 데이터 라인3: lower glass substrate 4, 104, 204: data line

5 : 액정 6, 106, 206 : 박막 트랜지스터5: liquid crystal 6, 106, 206: thin film transistor

7 : 상부 유리기판 8, 108, 208 : 게이트 전극7: upper glass substrate 8, 108, 208: gate electrode

9 : 상부 편광자 10, 110, 210 : 소스 전극9: upper polarizer 10, 110, 210: source electrode

12, 112, 212 : 드레인 전극 13, 113, 213 : 드레인 컨택홀12, 112, 212: drain electrode 13, 113, 213: drain contact hole

14, 114, 214 : 화소 전극 16, 116, 216 : 공통 라인14, 114, 214: pixel electrodes 16, 116, 216: common line

18, 118, 218 : 공통 전극 24, 124, 224 : 게이트 패드18, 118, 218: common electrode 24, 124, 224: gate pad

26, 126, 226 : 게이트 패드 하부 전극26, 126, 226: gate pad lower electrode

27, 127, 227 : 게이트 패드 컨택홀27, 127, 227: Gate Pad Contact Hole

28, 128, 228 : 게이트 패드 상부 전극 30, 130, 230 : 데이터 패드28, 128, 228: gate pad upper electrode 30, 130, 230: data pad

32, 132, 232 : 데이터 패드 하부 전극32, 132, 232: data pad lower electrode

33, 133, 233 : 데이터 패드 컨택홀33, 133, 233: data pad contact hole

34, 134, 234 : 데이터 패드 상부 전극34, 134, 234: data pad upper electrode

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 화소 영역의 위치에 따른 액정 분자의 라이징 타임차를 개선하여 표시품질을 향상시킬 수 있는 수평 전계 인가형 액정표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a horizontal field application type liquid crystal display device capable of improving display quality by improving a rising time difference of liquid crystal molecules according to a position of a pixel region.

액정표시장치는 액정셀에 인가되는 전계를 제어하여 액정셀에 입사되는 광을 변조함으로써 화상을 표시하게 된다. 이러한 액정표시장치는 액정을 구동시키는 전계의 방향에 따라 수직 전계 인가형과 수평 전계 인가형으로 대별된다.The liquid crystal display device displays an image by controlling an electric field applied to the liquid crystal cell to modulate the light incident on the liquid crystal cell. Such liquid crystal displays are roughly classified into a vertical electric field application type and a horizontal electric field application type according to the direction of the electric field for driving the liquid crystal.

수직 전계 인가형은 수직으로 대향하는 상부기판과 하부기판에 수직으로 대향하는 화소 전극과 공통 전극을 형성하고 그 전극들에 인가되는 전압으로 액정셀에 수직방향으로 전계를 인가하게 된다. 이 수직 전계방식은 개구율을 비교적 넓게 확보할 수 있지만 시야각이 좁은 단점이 있다. 수직 전계방식의 대표적인 액정 모드는 오늘날 대부분의 액정표시소자에서 이용되는 트위스티드 네마틱(Twisted Nematic, 이하 "TN"이라 함) 모드이다.The vertical electric field applying type forms a pixel electrode and a common electrode which are vertically opposed to the upper substrate and the lower substrate that are opposite to each other, and applies an electric field to the liquid crystal cell in a vertical direction with a voltage applied to the electrodes. This vertical electric field method has a relatively wide aperture ratio but has a narrow viewing angle. A typical liquid crystal mode of the vertical electric field method is a twisted nematic (TN) mode used in most liquid crystal display devices today.

TN 모드는 도 1a 및 도 1b와 같이 상부 유리기판(7)과 하부 유리기판(3) 사이에 액정분자들(5)이 위치한다. 상부 유리기판(7)의 광출사면에는 특정방향의 광 투과축을 가지는 상부 편광자(9)가 부착되며, 하부 유리기판(3)의 광입사면 상에는 상부 편광자(9)의 광 투과축과 직교하는 광 투과축을 가지는 하부 편광자(1)가 부착된다. 또한, TN 모드는 상부 유리기판(7)과 하부 유리기판(3) 각각에 투명 전극이 형성되며, 액정(5)의 프리틸트 각을 설정하기 위한 배향막이 형성되어 있다. 노멀리 화이트 모드(Normally white mode)로 가정하여 TN 모드의 동작에 대하여 설명하면 다음과 같다. 상부 투명전극과 하부 투명전극에 전압이 인가되지 않는 비활성 상태에는 액정분자들의 국소 광축(방향자)은 상부 유리기판(7)과 하부 유리기판(3) 사이에서 연속적으로 90° 비틀려져 있다. 이 비활성 상태에서는 하부 편광자(1)를 통과하여 입사되는 선편광의 편광특성이 바뀌면서 상부 편광자(9)를 통과한다. 반대로, TN 모드에서 상부 투명전극과 하부 투명전극에 전압이 인가되고 그 전압차에 의해 액정(5)에 전기장이 인가되는 활성 상태에서는 액정층의 가운데 부 분의 광축이 전기장에 평행하게 되어 비틀린 구조가 풀리게 된다. 이 활성 상태에서는 하부 편광자(1)를 통과하여 입사되는 선편광은 액정층을 통과하면서 그 편광특성이 그대로 유지되어 상부 편광자(9)를 통과하지 못한다.In the TN mode, the liquid crystal molecules 5 are positioned between the upper glass substrate 7 and the lower glass substrate 3 as shown in FIGS. 1A and 1B. An upper polarizer 9 having a light transmission axis in a specific direction is attached to the light exit surface of the upper glass substrate 7, and is perpendicular to the light transmission axis of the upper polarizer 9 on the light entrance surface of the lower glass substrate 3. The lower polarizer 1 which has a light transmission axis is attached. In the TN mode, a transparent electrode is formed on each of the upper glass substrate 7 and the lower glass substrate 3, and an alignment film for setting the pretilt angle of the liquid crystal 5 is formed. Referring to the operation of the TN mode assuming a normally white mode (Normal white mode) as follows. In an inactive state in which no voltage is applied to the upper transparent electrode and the lower transparent electrode, the local optical axis (director) of the liquid crystal molecules is continuously twisted by 90 ° between the upper glass substrate 7 and the lower glass substrate 3. In this inactive state, the polarization characteristic of linearly polarized light incident through the lower polarizer 1 is changed and passes through the upper polarizer 9. On the contrary, in an active state in which a voltage is applied to the upper transparent electrode and the lower transparent electrode in the TN mode and an electric field is applied to the liquid crystal 5 due to the voltage difference, the optical axis of the center portion of the liquid crystal layer becomes parallel to the electric field and is twisted. Is released. In this active state, linearly polarized light incident through the lower polarizer 1 passes through the liquid crystal layer, and its polarization characteristic is maintained as it is, and thus cannot pass through the upper polarizer 9.

그런데 TN 모드는 시야각에 따른 대비비(Contrast ratio)와 휘도의 변화가 심하기 때문에 광시야각의 구현이 어려운 단점이 있다.However, the TN mode has a disadvantage in that it is difficult to implement a wide viewing angle because the contrast ratio and the brightness vary greatly depending on the viewing angle.

수평 전계 인가형은 동일 기판상에 형성되는 전극들 사이에 전기장을 형성하고 그 전기장으로 액정분자들을 구동시키는 인 플레인 스위칭(In plane switching, 이하 "IPS"라 함) 모드가 대표적이다. IPS 모드는 TN 모드에 비하여 시야각 특성이 우수하다.In the horizontal field application type, an in-plane switching (hereinafter referred to as "IPS") mode in which an electric field is formed between electrodes formed on the same substrate and drives liquid crystal molecules by the electric field is typical. The IPS mode has better viewing angle characteristics than the TN mode.

도 2는 일반적인 IPS 모드의 액정표시장치 중 한 화소 영역을 나타내는 도면이다.FIG. 2 is a diagram illustrating one pixel area of a liquid crystal display of general IPS mode.

도 2를 참조하면, IPS 모드의 액정표시장치는 서로 교차하게 형성된 게이트 라인(2) 및 데이터 라인(4)과, 그 교차부마다 형성된 박막 트랜지스터(6)와, 그 교차 구조로 마련된 화소 영역(P)에 게이트 라인(2)과 나란하게 형성된 공통 라인(16)과, 공통 라인(16)에서 수직으로 분기된 다수의 공통 전극(18)과, 공통 전극(18)과 수평 전계를 형성하도록 배치된 화소 전극(14)을 구비한다.Referring to FIG. 2, the liquid crystal display of the IPS mode includes a gate line 2 and a data line 4 formed to cross each other, a thin film transistor 6 formed at each crossing portion thereof, and a pixel region having a cross structure. A common line 16 formed parallel to the gate line 2 at P), a plurality of common electrodes 18 vertically branched from the common line 16, and a horizontal electric field formed with the common electrode 18; Provided pixel electrode 14.

게이트 신호를 공급하는 게이트 라인(2)과 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인(4)은 교차 구조로 형성되어 화소 영역(P)을 정의한다.The gate line 2 for supplying the gate signal and the data line 4 for supplying the data signal are formed in an intersecting structure to define the pixel region P.

공통 라인(16)은 공통 전극(18)에 액정 구동을 위한 기준 전압을 공급한다.The common line 16 supplies a reference voltage for driving the liquid crystal to the common electrode 18.

박막 트랜지스터(6)는 게이트 라인(2)의 게이트 신호에 응답하여 데이터 라 인(4)의 화소 신호가 화소 전극(14)에 충전되어 유지되게 한다. 이를 위하여, 박막 트랜지스터(6)는 게이트 라인(2)과 접속된 게이트 전극(8), 데이터 라인(4)과 접속된 소스 전극(10), 화소 전극(14)과 접속된 드레인 전극(12)을 구비한다. 또한, 게이트 전극(8)의 상부에 위치하여 소스 전극(10) 및 드레인 전극(12) 사이에 채널을 형성하는 활성층, 소스 전극(10) 및 드레인 전극(12)과 활성층의 오믹 접촉을 위한 오믹 접촉층을 포함하는 반도체층을 구비한다.The thin film transistor 6 keeps the pixel signal of the data line 4 charged and held in the pixel electrode 14 in response to the gate signal of the gate line 2. To this end, the thin film transistor 6 includes a gate electrode 8 connected to the gate line 2, a source electrode 10 connected to the data line 4, and a drain electrode 12 connected to the pixel electrode 14. It is provided. In addition, an active layer positioned on the gate electrode 8 to form a channel between the source electrode 10 and the drain electrode 12, and an ohmic for ohmic contact between the source electrode 10 and the drain electrode 12 and the active layer. A semiconductor layer including a contact layer is provided.

화소 전극(14)은 박막 트랜지스터(6)의 드레인 전극(12)과 드레인 컨택홀(13)을 통해 접속되고 게이트 라인(2)과 나란하도록 연장된 제1 화소 전극(14a)과, 제1 화소 전극(14a)에서 수직으로 분기된 다수의 제2 화소 전극(14b)들을 포함한다.The pixel electrode 14 is connected to the drain electrode 12 and the drain contact hole 13 of the thin film transistor 6 and extends in parallel with the gate line 2, and the first pixel. A plurality of second pixel electrodes 14b vertically branched from the electrode 14a are included.

공통 전극(18)은 공통 라인(16)과 접속되어 제2 화소 전극(14b)들과 수평 전계를 이루도록 나란하게 슬릿으로 형성된다.The common electrode 18 is connected to the common line 16 to form a slit in parallel to form a horizontal electric field with the second pixel electrodes 14b.

게이트 라인(2)은 게이트 패드(24)를 통해 게이트 드라이버와 접속된다. 게이트 패드(24)는 게이트 라인(2)으로부터 연장된 게이트 패드 하부 전극(26), 게이트 패드 하부 전극(26)과 게이트 패드 컨택홀(27)을 통해 연결된 게이트 패드 상부 전극(28)을 포함한다.The gate line 2 is connected to the gate driver through the gate pad 24. The gate pad 24 includes a gate pad lower electrode 26 extending from the gate line 2, a gate pad lower electrode 26, and a gate pad upper electrode 28 connected through the gate pad contact hole 27. .

데이터 라인(4)은 데이터 패드(30)를 통해 데이터 드라이버와 접속된다. 데이터 패드(30)는 데이터 라인(4)으로부터 연장된 데이터 패드 하부 전극(32), 데이터 패드 하부 전극(32)과 데이터 패드 컨택홀(33)을 통해 연결된 데이터 패드 상부 전극(34)을 포함한다.The data line 4 is connected to the data driver through the data pad 30. The data pad 30 includes a data pad lower electrode 32 extending from the data line 4, a data pad lower electrode 32, and a data pad upper electrode 34 connected through the data pad contact hole 33. .

이에 따라, 박막 트랜지스터(6)를 통해 화소 신호가 공급된 제2 화소 전극(14b)과, 공통 라인(16)을 통해 전원이 공급된 공통 전극(18) 사이에는 수평 전계가 형성된다. 이러한 수평 전계에 의해 화소 영역(P)에 수평 방향으로 배열된 액정 분자들이 유전 이방성에 의해 회전하게 된다. 그리고, 액정 분자들의 회전 정도에 따라 화소 영역을 투과하는 광 투과율이 달라지게 됨으로써 계조를 구현하게 된다. 하지만, 공통 전극(18)과 제2 화소 전극(14b)이 일직선의 형태를 가지며 서로 평행하게 배열되기 때문에, 그 사이의 전계가 일방향으로만 형성됨으로써, 주 시야각 방향에서는 시야각 특성이 좋지만 그 외의 방향에서는 색변환이 발생하는 등 시야각 특성이 저하된다.Accordingly, a horizontal electric field is formed between the second pixel electrode 14b supplied with the pixel signal through the thin film transistor 6 and the common electrode 18 supplied with power through the common line 16. The liquid crystal molecules arranged in the horizontal direction in the pixel region P are rotated by the dielectric anisotropy by the horizontal electric field. In addition, light transmittance through the pixel region is changed according to the degree of rotation of the liquid crystal molecules, thereby realizing grayscale. However, since the common electrode 18 and the second pixel electrode 14b are arranged in a straight line and arranged in parallel with each other, the electric field therebetween is formed only in one direction, so that the viewing angle characteristic is good in the main viewing angle direction, but in other directions. In this case, the viewing angle characteristic is degraded, such as color conversion.

도 3은 도 2와 같은 IPS 모드 액정표시장치의 시야각 특성을 개선한 S-IPS(Super-IPS) 모드 액정표시장치를 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating an S-IPS (Super-IPS) mode liquid crystal display device having improved viewing angle characteristics of the IPS mode liquid crystal display device shown in FIG. 2.

S-IPS 모드 액정표시장치는 도 2와 비교하여 제2 화소 전극(114b)과 공통 전극(118)이 꺾인 구조를 가짐으로써, 주 시야각 외의 방향에서 발생하는 시야각 저하 현상을 감소시킬 수 있다.Compared to FIG. 2, the S-IPS mode liquid crystal display has a structure in which the second pixel electrode 114b and the common electrode 118 are bent, thereby reducing a viewing angle deterioration occurring in a direction other than the main viewing angle.

하지만 도 3에 도시된 S-IPS 모드 액정표시장치는 도 4에 도시된 바와 같이, 한 화소 영역(P)에서 A 영역과 B 영역에 위치한 액정 분자들의 라이징 타임에 차이가 발생한다. 이것은 공통 전극(118) 및 화소 전극(114)이 꺾이는 B 영역에서의 전계 밀도가 A 영역보다 크기 때문이며, 이로 인해 전계 인가시 한 화소 영역(P) 내에서 불균형적으로 B 영역이 먼저 밝아지고 순차적으로 A 영역이 밝아지게 되어 표시 품질이 저하되는 문제점이 발생한다.However, in the S-IPS mode liquid crystal display illustrated in FIG. 3, a difference occurs in the rising time of the liquid crystal molecules positioned in the A region and the B region in one pixel region P. As shown in FIG. This is because the electric field density in the B area where the common electrode 118 and the pixel electrode 114 are bent is larger than the A area, which causes the B area to be unevenly brightened and sequentially unevenly in the pixel area P when an electric field is applied. As a result, the area A becomes bright, which causes a problem of deterioration of display quality.

따라서, 본 발명의 목적은 화소 영역의 위치에 따른 액정 분자의 라이징 타임차를 개선하여 표시품질을 향상시킬 수 있는 수평 전계 인가형 액정표시장치를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a horizontal field application type liquid crystal display device which can improve display quality by improving the rising time difference of liquid crystal molecules according to the position of the pixel region.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 수평 전계 인가형 액정표시장치는 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인과; 상기 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 박막 트랜지스터와; 상기 게이트 라인과 나란한 공통 라인과; 상기 공통 라인으로부터 연장되어 상기 화소 영역에 형성되는 다수의 공통 전극과; 상기 박막 트랜지스터와 접속되고 상기 공통 전극과 수평 전계를 형성하도록 상기 공통 전극들에 대응하여 상기 화소 영역에 배치되는 다수의 연장부를 포함하는 화소 전극을 구비하고; 상기 공통 전극 및 상기 화소 전극 연장부의 폭은 적어도 일부분이 다르게 형성된다.In order to achieve the above object, a horizontal field application type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes a gate line and a data line defining a pixel area; A thin film transistor connected to the gate line and the data line; A common line parallel to the gate line; A plurality of common electrodes extending from the common line and formed in the pixel area; A pixel electrode connected to the thin film transistor and including a plurality of extensions disposed in the pixel region corresponding to the common electrodes to form a horizontal electric field with the common electrode; At least a portion of a width of the common electrode and the pixel electrode extension part is differently formed.

상기 공통 전극 및 상기 화소 전극의 연장부는 적어도 하나의 벤딩부를 가진다.The extension part of the common electrode and the pixel electrode has at least one bending part.

상기 공통 전극 및 상기 화소 전극 연장부의 폭은 상기 벤딩부 영역과 양단부 영역에서보다 상기 벤딩부 영역과 상기 양단부 영역 사이에서 더 넓게 형성된다.The width of the common electrode and the pixel electrode extension part is wider between the bending part area and the both end areas than in the bending part area and both end areas.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and advantages of the present invention in addition to the above object will be apparent from the description of the preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 도 5 내지 도 6을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 6.

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 수평 전계 인가형 액정표시장치를 나타내는 도면이다.5 is a diagram illustrating a horizontal field application type liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 수평 전계 인가형 액정표시장치는 서로 교차하게 형성된 게이트 라인(202) 및 데이터 라인(204)과, 그 교차부마다 형성된 박막 트랜지스터(206)와, 그 교차 구조로 마련된 화소 영역(P)에 게이트 라인(202)과 나란하게 형성된 공통 라인(216)과, 공통 라인(216)에서 수직으로 분기된 다수의 공통 전극(18)과, 공통 전극(18)과 수평 전계를 형성하도록 배치된 화소 전극(214)을 구비한다.Referring to FIG. 5, a horizontal field application liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention may include a gate line 202 and a data line 204 formed to cross each other, a thin film transistor 206 formed at each crossing portion thereof, The common line 216 formed in parallel with the gate line 202 in the pixel region P having the cross structure, the plurality of common electrodes 18 vertically branched from the common line 216, and the common electrode 18. ) And a pixel electrode 214 arranged to form a horizontal electric field.

게이트 신호를 공급하는 게이트 라인(202)과 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인(204)은 교차 구조로 형성되어 화소 영역(P)을 정의한다.The gate line 202 for supplying the gate signal and the data line 204 for supplying the data signal are formed in an intersecting structure to define the pixel region P.

공통 라인(216)은 공통 전극(18)에 액정 구동을 위한 기준 전압을 공급한다.The common line 216 supplies a reference voltage for driving the liquid crystal to the common electrode 18.

박막 트랜지스터(206)는 게이트 라인(202)의 게이트 신호에 응답하여 데이터 라인(204)의 화소 신호가 화소 전극(214)에 충전되어 유지되게 한다. 이를 위하여, 박막 트랜지스터(206)는 게이트 라인(202)과 접속된 게이트 전극(208), 데이터 라인(204)과 접속된 소스 전극(210), 화소 전극(214a 내지 214c)과 접속된 드레인 전극(212)을 구비한다. 또한, 게이트 전극(208)의 상부에 위치하여 소스 전극 (210) 및 드레인 전극(212) 사이에 채널을 형성하는 활성층, 소스 전극(210) 및 드레인 전극(212)과 활성층의 오믹 접촉을 위한 오믹 접촉층을 포함하는 반도체층을 구비한다.The thin film transistor 206 keeps the pixel signal of the data line 204 charged and held in the pixel electrode 214 in response to the gate signal of the gate line 202. To this end, the thin film transistor 206 may include a gate electrode 208 connected to the gate line 202, a source electrode 210 connected to the data line 204, and a drain electrode connected to the pixel electrodes 214a to 214c. 212). In addition, an active layer disposed on the gate electrode 208 to form a channel between the source electrode 210 and the drain electrode 212, and ohmic for ohmic contact between the source electrode 210 and the drain electrode 212 with the active layer. A semiconductor layer including a contact layer is provided.

화소 전극(214)은 박막 트랜지스터(206)의 드레인 전극(212)과 드레인 컨택홀(213)을 통해 접속되고 게이트 라인(202)과 나란하도록 연장된 제1 화소 전극(214a)과, 제1 화소 전극(214a)에서 분기되어 꺾인 구조를 가지는 다수의 제2 화소 전극(214b)들을 포함한다. 제2 화소 전극(214b)들은 B 영역보다 A 영역에서 더 넓은 폭을 가진다.The pixel electrode 214 is connected to the drain electrode 212 and the drain contact hole 213 of the thin film transistor 206 and extends in parallel with the gate line 202, and the first pixel. A plurality of second pixel electrodes 214b having a structure branched off from the electrode 214a is included. The second pixel electrodes 214b have a wider width in the A region than in the B region.

공통 전극(218)은 공통 라인(216)과 접속되어 제2 화소 전극(214b)들과 수평 전계를 이루도록 꺾인 구조의 슬릿으로 나란하게 형성된다.The common electrode 218 is formed in parallel with the slits having a structure connected to the common line 216 so as to form a horizontal electric field with the second pixel electrodes 214b.

게이트 라인(202)은 게이트 패드(224)를 통해 게이트 드라이버와 접속된다. 게이트 패드(224)는 게이트 라인(202)으로부터 연장된 게이트 패드 하부 전극(226), 게이트 패드 하부 전극(226)과 게이트 패드 컨택홀(227)을 통해 연결된 게이트 패드 상부 전극(228)을 포함한다.The gate line 202 is connected with the gate driver through the gate pad 224. The gate pad 224 includes a gate pad lower electrode 226 extending from the gate line 202, a gate pad lower electrode 226, and a gate pad upper electrode 228 connected through the gate pad contact hole 227. .

데이터 라인(204)은 데이터 패드(230)를 통해 데이터 드라이버와 접속된다. 데이터 패드(230)는 데이터 라인(204)으로부터 연장된 데이터 패드 하부 전극(232), 데이터 패드 하부 전극(232)과 데이터 패드 컨택홀(233)을 통해 연결된 데이터 패드 상부 전극(234)을 포함한다.The data line 204 is connected with the data driver through the data pad 230. The data pad 230 includes a data pad lower electrode 232 extending from the data line 204, a data pad lower electrode 232, and a data pad upper electrode 234 connected through the data pad contact hole 233. .

이에 따라, 박막 트랜지스터(206)를 통해 화소 신호가 공급된 제2 화소 전극(214b)과, 공통 라인(216)을 통해 전원이 공급된 공통 전극(218) 사이에는 수평 전 계가 형성된다. 이러한 수평 전계에 의해 화소 영역(P)에 수평 방향으로 배열된 액정 분자들이 유전 이방성에 의해 회전하게 된다. 그리고, 액정 분자들의 회전 정도에 따라 화소 영역을 투과하는 광 투과율이 달라지게 됨으로써 계조를 구현하게 된다. 이때, 제2 화소 전극(214b)들과 공통 전극(218)들이 B 영역보다 A 영역에서 더 넓은 폭을 가짐으로써 제2 화소 전극(214b)과 공통 전극(218) 사이의 거리가 가까워져 전기장이 커지게 된다. 이로 인해, 개구율에는 큰 영향을 미치지 않으면서, 도 6에 도시된 바와 같이 B 영역에 위치한 액정 분자들의 라이징 타임을 A 영역에 위치한 액정 분자들의 라이징 타임과 동일하게 할 수 있다.Accordingly, a horizontal electric field is formed between the second pixel electrode 214b supplied with the pixel signal through the thin film transistor 206 and the common electrode 218 supplied with power through the common line 216. The liquid crystal molecules arranged in the horizontal direction in the pixel region P are rotated by the dielectric anisotropy by the horizontal electric field. In addition, light transmittance through the pixel region is changed according to the degree of rotation of the liquid crystal molecules, thereby realizing grayscale. At this time, since the second pixel electrodes 214b and the common electrodes 218 have a wider width in the area A than the area B, the distance between the second pixel electrodes 214b and the common electrode 218 is closer to each other, thereby increasing the electric field. You lose. For this reason, the rising time of the liquid crystal molecules positioned in the region B may be equal to the rising time of the liquid crystal molecules positioned in the region A, as shown in FIG. 6, without significantly affecting the aperture ratio.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 수평 전계 인가형 액정표시장치는 교번 배열된 화소 전극과 공통 전극의 폭을 조절함으로써 화소 영역의 위치에 따른 액정 분자의 라이징 타임차를 개선하여 표시품질을 향상시킬 수 있다.As described above, the horizontal field application type liquid crystal display device according to the present invention improves the display quality by improving the rising time difference of the liquid crystal molecules according to the position of the pixel region by adjusting the widths of the alternately arranged pixel electrodes and the common electrode. Can be.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (3)

화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인과;A gate line and a data line defining a pixel region; 상기 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 박막 트랜지스터와;A thin film transistor connected to the gate line and the data line; 상기 게이트 라인과 나란한 공통 라인과;A common line parallel to the gate line; 상기 공통 라인으로부터 연장되어 상기 화소 영역에 형성되는 다수의 공통 전극과;A plurality of common electrodes extending from the common line and formed in the pixel area; 상기 박막 트랜지스터와 접속되고 상기 공통 전극과 수평 전계를 형성하도록 상기 공통 전극들에 대응하여 상기 화소 영역에 배치되는 다수의 연장부를 포함하는 화소 전극을 구비하고;A pixel electrode connected to the thin film transistor and including a plurality of extensions disposed in the pixel region corresponding to the common electrodes to form a horizontal electric field with the common electrode; 상기 공통 전극 및 상기 화소 전극 연장부의 폭은 적어도 일부분이 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 수평 전계 인가형 액정표시장치.And at least a portion of a width of the common electrode and the pixel electrode extension part is differently formed. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 공통 전극 및 상기 화소 전극의 연장부는 적어도 하나의 벤딩부를 가지는 것을 특징으로 하는 수평 전계 인가형 액정표시장치.And the extension part of the common electrode and the pixel electrode has at least one bending part. 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 공통 전극 및 상기 화소 전극 연장부의 폭은 상기 벤딩부 영역과 양단부 영역에서보다 상기 벤딩부 영역과 상기 양단부 영역 사이에서 더 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 수평 전계 인가형 액정표시장치.And the width of the common electrode and the pixel electrode extension portion is wider between the bending portion region and the both end regions than in the bending portion region and both end regions.
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